KR20210024386A - Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate - Google Patents

Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate Download PDF

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김태근
유재혁
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Abstract

The present invention provides a method for processing a substrate. According to one embodiment of the present invention, the method may supply a treatment liquid to a substrate while moving an impact point of the treatment liquid containing polymer and a solvent from the central area on the substrate to the edge area, form a solidified liquid film on the substrate by supplying gas to the substrate while moving the impact point of the gas volatilizing the solvent from the processing liquid discharged on the substrate from the central area to the edge area on the substrate, supply a stripping liquor to the substrate while moving the contact point of the stripping liquor peeling the liquid film from the substrate from the central area to the edge area on the substrate, and supply a removal liquid to the substrate while moving the contact point of the removal liquid removing the liquid film peeled off from the substrate from the central area to the edge area of the substrate.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}Substrate processing method and substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. Also, before and after these processes are performed, a cleaning process of cleaning particles remaining on the substrate is performed.

세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.The cleaning process is a process of supplying chemicals to a substrate that rotates while being supported by a spin head, a process of removing chemicals from the substrate by supplying a cleaning solution such as deionized water (DIW) to the substrate, and then the surface tension is higher than that of the cleaning solution. It includes a step of supplying an organic solvent such as a low isopropyl alcohol (IPA) solution to the substrate to replace the cleaning solution on the substrate with an organic solvent, and a step of removing the substituted organic solvent from the substrate.

상술한 세정 공정을 진행시, 기판 상에 잔류하는 일정한 크기의 파티클은 용이하게 제거되나, 미세 크기의 파티클은 그 제거효율이 낮다.When performing the above-described cleaning process, particles of a certain size remaining on the substrate are easily removed, but the removal efficiency of particles having a fine size is low.

본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of improving cleaning efficiency.

본 발명은 솔벤트를 휘발시키는 과정에서 솔벤트의 휘발량을 촉진시키는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus for accelerating the volatilization amount of the solvent in the process of volatilizing the solvent.

본 발명은 기판을 세정하는 시간을 단축하는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus that shortens the time for cleaning a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액의 탄착 지점을 기판 상의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키면서 기판에 처리액을 공급하고, 기판 상에 토출된 처리액에서 솔벤트를 휘발시키는 가스의 탄착 지점을 기판 상의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키면서 기판에 가스를 공급하여 기판 상에 고화된 액막을 형성하고, 기판 상에서 액막을 기판에서 박리시키는 박리액의 탄착 지점을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키면서 기판에 박리액을 공급하고, 기판 상에서 박리된 액막을 기판 상에서 제거하는 제거액의 탄착 지점을 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키면서 기판에 제거액을 공급할 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a gas for supplying the processing liquid to the substrate while moving the impact point of the processing liquid containing the polymer and the solvent from the center region to the edge region on the substrate, and volatilizing the solvent from the processing liquid discharged onto the substrate. A solidified liquid film is formed on the substrate by supplying gas to the substrate while moving the impact point from the center area on the substrate to the edge area, and the impact point of the peeling solution that peels the liquid film off the substrate is moved from the center area to the edge area The removal liquid may be supplied to the substrate while moving to the substrate while the removal liquid is supplied to the substrate, and while moving the impact point of the removal liquid to remove the liquid film from the substrate from the central region to the edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 가스는 처리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 박리액은 가스가 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 제거액은 박리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작할 수 있다.According to an embodiment, the supply of gas may start while the treatment liquid is supplied, the supply of the stripping solution may be started while the gas is supplied, and the supply of the removing solution may be started while the stripping solution is supplied.

일 실시예에 의하면, 처리액의 탄착지점, 가스의 탄착지점, 박리액의 탄착지점, 그리고 제거액의 탄착지점은 서로 동일한 속도로 변경될 수 있다.According to an embodiment, the impact point of the treatment liquid, the impact point of the gas, the impact point of the stripper, and the impact point of the removal liquid may be changed at the same speed.

일 실시예에 의하면, 가스는 가열된 가스일 수 있다.According to an embodiment, the gas may be a heated gas.

일 실시예에 의하면, 제거액은 가열되어 기판 상으로 공급될 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may be heated and supplied onto the substrate.

일 실시예에 의하면, 처리액, 가스, 박리액, 그리고 제거액이 공급되는 도중에 기판은 회전될 수 있다.According to an embodiment, the substrate may be rotated while the processing liquid, gas, stripping liquid, and removal liquid are being supplied.

일 실시예에 의하면, 가스는 질소일 수 있다.According to one embodiment, the gas may be nitrogen.

일 실시예에 의하면, 제거액은 유기용제이고, 박리액은 탈이온수이고, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid is an organic solvent, the removal liquid is deionized water, and the polymer may include a resin.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지되며 회전되는 기판 상으로 복수의 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 포함하고, 유체 공급 유닛은, 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 솔벤트를 휘발시키는 가스를 공급하는 가스 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐과; 처리액 공급 노즐, 가스 공급 노즐, 박리액 공급 노즐 및 제거액 공급 노즐을 모두 지지하는 지지 로드와; 지지 로드를 이동시키는 구동기를 구비할 수 있다.Further, the present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space; A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space; A fluid supply unit that supplies a plurality of fluids to a substrate that is supported by the support unit and rotates, wherein the fluid supply unit is a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid having a polymer and a solvent onto a substrate supported by the support unit and; A gas supply nozzle for supplying a gas for volatilizing a solvent onto a substrate supported by the support unit; A stripping solution supply nozzle for supplying a stripping solution to the substrate supported by the support unit; A removal liquid supply nozzle for supplying a removal liquid to the substrate supported by the support unit; A support rod for supporting all of the treatment liquid supply nozzle, the gas supply nozzle, the stripping liquid supply nozzle, and the removal liquid supply nozzle; It may be provided with a driver for moving the support rod.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐, 가스 공급 노즐, 박리액 공급 노즐 및 제거액 공급 노즐은 그 순서대로 지지 로드에 위치될 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle, the gas supply nozzle, the stripping liquid supply nozzle, and the removal liquid supply nozzle may be positioned on the support rod in that order.

일 실시예에 의하면, 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 처리액, 가스, 박리액, 그리고 제거액이 순차적으로 기판의 중앙 영역에서부터 기판의 가장자리 영역으로 공급되도록 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, further comprising a controller for controlling the fluid supply unit, the controller, the fluid supply unit so that the processing liquid, gas, stripping liquid, and removal liquid are sequentially supplied from the central region of the substrate to the edge region of the substrate. Can be controlled.

일 실시예에 의하면, 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 가스는 처리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 박리액은 가스가 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 제거액은 박리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하도록 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, further comprising a controller for controlling the fluid supply unit, the controller further comprising a controller for controlling the fluid supply unit, wherein the controller starts supplying the gas while the processing liquid is supplied, It is possible to control the fluid supply unit so that the supply of the stripping liquid starts while the gas is supplied, and the supply of the removal liquid starts while the stripping liquid is supplied.

일 실시예에 의하면, 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는, 처리액의 탄착지점, 가스의 탄착지점, 박리액의 탄착지점, 그리고 제거액의 탄착지점은 서로 동일한 속도로 변경되도록 유체 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, further comprising a controller for controlling the fluid supply unit, wherein the controller further comprises a controller for controlling the fluid supply unit, wherein the controller comprises: an impact point of the treatment liquid, an impact point of the gas, and It is possible to control the fluid supply unit so that the impact point and the impact point of the removal liquid are changed at the same speed.

일 실시예에 의하면, 상기 가스는 가열된 가스일 수 있다.According to an embodiment, the gas may be a heated gas.

일 실시예에 의하면, 상기 제거액은 가열되어 상기 기판 상으로 공급될 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may be heated and supplied onto the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 제거액은 유기용제이고, 상기 박리액은 탈이온수이고, 상기 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may be an organic solvent, the removal liquid may be deionized water, and the polymer may contain a resin.

본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing method and apparatus capable of improving cleaning efficiency.

본 발명은, 세정 시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing method and apparatus capable of shortening the cleaning time.

본 발명은 솔벤트를 휘발시키는 과정에서 솔벤트의 휘발량을 증가시켜 기판 상의 파티클을 효과적으로 제거하는 기판 처리 방법 및 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing method and apparatus for effectively removing particles on a substrate by increasing the volatilization amount of the solvent in the process of volatilizing the solvent.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 유체 공급 유닛의 개략적인 모습을 나타낸다.
도 4는, 지지유닛에 지지되며 회전되는 기판 상에 처리액이 공급되는 모습을 나타낸다.
도 5 내지 도 11는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 파티클을 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
3 shows a schematic view of the fluid supply unit of the present invention.
4 shows a state in which a processing liquid is supplied onto a substrate that is supported by a support unit and rotated.
5 to 11 are views each sequentially showing a process of removing particles on a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. In addition, a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the housed container 80 to the processing module 20, and stores the substrate W processed by the processing module 20 into the container 80. The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. The load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 based on the index frame 14. The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and a plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, a container for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 80 may be placed on the load port 12 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. I can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided on the index frame 14. In the index frame 14, a guide rail 140 provided in the second direction 94 in a longitudinal direction may be provided, and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and the third direction 96. It may be provided to be movable along the way. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a liquid processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W carried into the processing module 20 and the substrate W carried out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 performs a liquid treatment process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400.

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may be provided in the first direction 92 in its longitudinal direction. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 may be disposed on the side of the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94. The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, and the liquid processing chambers 400 are disposed in the first direction 92 and the third direction 96 at one side of the transfer chamber 300. ) Can be provided in an AXB (A, B are each 1 or a natural number greater than 1) arrangement, respectively.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 provided in the first direction 92 in a longitudinal direction is provided in the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which a substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, a rotation about a third direction 96 as an axis, and a third direction 96. It may be provided to be movable along the way. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has a front face and a rear face open. The front surface is a surface facing the index module 10, and the rear surface is a surface facing the transfer chamber 300. The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front surface, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear surface.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a liquid supply unit 460, and an elevating unit 480.

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. The cup 420, the support unit 440, and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-treated in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported by the support unit 440. The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, 426. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 has a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process proceeds, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, 426a of the respective recovery containers 422, 424, 426.

일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a first collection bottle 422, a second collection bottle 424, and a third collection bottle 426. The first collection bottle 422 is arranged to surround the support unit 440, the second collection bottle 424 is arranged to surround the first collection bottle 422, and the third collection bottle 426 is a second It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a through which the liquid flows into the second retrieval canister 424 is located above the first inlet 422a through which the liquid flows into the first retrieval canister 422, and the third retrieval canister 426 The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is generally provided in a circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear surface of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end thereof so that the substrate W is spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442).

지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442, and supports the side portion of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420. Accordingly, since the collection containers 422, 424, and 426 for recovering the treatment liquid are changed according to the type of liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and recovered. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

유체 공급 유닛(460)은, 지지 로드(461), 처리액 공급 노즐(462), 가스 공급 노즐(464), 박리액 공급 노즐(466), 제거액 공급 노즐(468) 및 구동기(467)를 포함한다.The fluid supply unit 460 includes a support rod 461, a processing liquid supply nozzle 462, a gas supply nozzle 464, a stripping liquid supply nozzle 466, a removal liquid supply nozzle 468, and a driver 467. do.

지지 로드(461)는 처리액 공급 노즐(462), 가스 공급 노즐(464), 박리액 공급 노즐(466) 그리고 제거액 공급 노즐(468)을 모두 지지한다. 이에 따라 처리액 공급 노즐(462), 가스 공급 노즐(464), 박리액 공급 노즐(466) 그리고 제거액 공급 노즐(468)을 같은 속도로 이동된다. 지지 로드(461)는 구동기(467)에 의해 이동된다. 구동기(467)와 지지 로드(461)는 아암(463)에 의해 연결된다. 지지 로드(461)는 처리액 공급 노즐(462), 가스 공급 노즐(464), 박리액 공급 노즐(466) 그리고 제거액 공급 노즐(468)을 일정 간격으로 지지한다. The support rod 461 supports all of the treatment liquid supply nozzle 462, the gas supply nozzle 464, the stripping liquid supply nozzle 466, and the removal liquid supply nozzle 468. Accordingly, the treatment liquid supply nozzle 462, the gas supply nozzle 464, the stripping liquid supply nozzle 466, and the removal liquid supply nozzle 468 are moved at the same speed. The support rod 461 is moved by the driver 467. The driver 467 and the support rod 461 are connected by an arm 463. The support rod 461 supports the treatment liquid supply nozzle 462, the gas supply nozzle 464, the stripping liquid supply nozzle 466, and the removal liquid supply nozzle 468 at regular intervals.

도 3은 본 발명의 유체 공급 유닛(460)의 개략적인 모습을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 처리액 공급 노즐(462), 가스 공급 노즐(464), 박리액 공급 노즐(466) 및 제거액 공급 노즐(468)은 그 순서대로 지지 로드(461)에 위치된다.3 shows a schematic view of the fluid supply unit 460 of the present invention. 3, a treatment liquid supply nozzle 462, a gas supply nozzle 464, a stripping liquid supply nozzle 466, and a removal liquid supply nozzle 468 are positioned on the support rod 461 in that order.

처리액 공급 노즐(462)은 지지 유닛에 지지된 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면 처리액은, 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 일 예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함한다. 수지는 아크릴 수지 또는 페놀 수지이거나 아와는 다른 종류의 수지일 수 있다. 솔벤트는 폴리머를 용해시키며 휘발 성분을 가지는 용액이다. 기판(W) 상에 공급된 처리액에서 솔벤트가 휘발되면, 처리액은 기판(W) 상에서 고화(solidification)된다.The processing liquid supply nozzle 462 supplies the processing liquid onto the substrate W supported by the support unit. According to an example, the treatment liquid contains a polymer and a solvent. In one example, the polymer comprises a resin. The resin may be an acrylic resin or a phenolic resin, or may be a different kind of resin. Solvents are solutions that dissolve polymers and have volatile components. When the solvent is volatilized from the processing liquid supplied on the substrate W, the processing liquid is solidified on the substrate W.

가스 공급 노즐(464)은, 기판(W) 상으로 가스를 공급한다. 일 예에 의하면, 가스는 가열 부재(미도시)에 의해 가열되어 가스 공급 노즐(464)로 유입될 수 있다. 일 예에 의하면, 가스의 온도는 섭씨 50도에서 섭씨 150도이다. The gas supply nozzle 464 supplies gas onto the substrate W. According to an example, the gas may be heated by a heating member (not shown) and introduced into the gas supply nozzle 464. In one example, the temperature of the gas is between 50 degrees Celsius and 150 degrees Celsius.

가열된 가스는 미스트화된 처리액이 기판(W) 상으로 공급되는 도중에 처리액에서 솔벤트의 휘발을 촉진한다. 제어기(40)는 가스 공급 노즐(464)에 공급되는 가스의 공급 온도를 조절하기 위해 가열 부재(미도시)를 제어할 수 있다. 가스의 공급 온도를 제어함으로써 처리액에서 휘발되는 솔벤트의 양을 제어할 수 있다. The heated gas promotes the volatilization of the solvent in the processing liquid while the misted processing liquid is supplied onto the substrate W. The controller 40 may control a heating member (not shown) to adjust the supply temperature of the gas supplied to the gas supply nozzle 464. By controlling the gas supply temperature, the amount of solvent volatilized in the processing liquid can be controlled.

예컨대, 솔벤트의 휘발량을 증가시키기 위해 가스의 가열 온도를 높일 수 있다. 선택적으로 솔벤트의 휘발량을 감소시키기 위해 가스의 가열 온도를 낮출 수 있다. 일 예에 의하면 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 가스는 질소이다.For example, the heating temperature of the gas may be increased to increase the volatilization amount of the solvent. Optionally, the heating temperature of the gas can be lowered to reduce the volatilization of the solvent. According to an example, the gas may be an inert gas. For example, the gas is nitrogen.

박리액 공급 노즐(466)은 기판(W) 상으로 박리액을 토출한다. 박리액은 기판 (W)상에서 응고된 처리액을 기판(W)으로부터 박리시킨다. 일 예에 의하면, 박리액은 탈이온수를 포함한다. The stripping solution supply nozzle 466 discharges the stripping solution onto the substrate W. The peeling liquid peels the processing liquid solidified on the substrate W from the substrate W. According to one example, the stripping solution includes deionized water.

제거액 공급 노즐(468)은 기판(W) 상으로 제거액을 토출한다. 제거액은 기판(W) 상에서 박리된 처리액을 기판(W)으로부터 제거한다. 일 예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함한다. 유기용제로는 이소프로필 알코올이 사용될 수 있다.The removal liquid supply nozzle 468 discharges the removal liquid onto the substrate W. The removal liquid removes the processing liquid peeled off on the substrate W from the substrate W. According to one example, the removal liquid contains an organic solvent. Isopropyl alcohol may be used as the organic solvent.

이하, 도 4 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 제어기(40)는, 본 발명의 기판 처리 방법을 수행하기 위해 유체 공급 유닛(460)을 제어할 수 있다. Hereinafter, a substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 11. The controller 40 may control the fluid supply unit 460 to perform the substrate processing method of the present invention.

도 4는, 지지 유닛(440)에 지지되며 회전되는 기판(W) 상에 처리액이 공급되는 모습을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 지지 로드(461)의 최외측에 배치된 처리액 공급 노즐(462)로부터 기판(W) 상으로 처리액이 공급된다. 처리액의 공급 시작 시점에서 처리액 공급 노즐(462)은, 기판(W)의 중심과 대향되도록 위치한다. 기판(W)이 회전됨에 따라 기판(W)의 중앙영역에 도포된 처리액은 점차 기판(W)의 가장자리 영역을 향해 퍼져나간다.4 shows a state in which a processing liquid is supplied onto a substrate W that is supported by the support unit 440 and rotated. Referring to FIG. 4, a processing liquid is supplied onto a substrate W from a processing liquid supply nozzle 462 disposed on the outermost side of the support rod 461. The processing liquid supply nozzle 462 is positioned so as to face the center of the substrate W at the start of supply of the processing liquid. As the substrate W is rotated, the processing liquid applied to the central region of the substrate W gradually spreads toward the edge region of the substrate W.

도 5는 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액이 도포된 모습을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액(F)이 도포된다. 기판(W)으로 처리액(F)이 공급됨에 따라 기판(W) 상에서 처리액(F)은 패턴들 사이 및 패턴의 상면에 위치된 파티클(P)을 덮는다.5 shows a state in which the processing liquid is applied to the substrate W on which the pattern is formed. Referring to FIG. 5, a processing liquid F is applied to a substrate W on which a pattern is formed. As the processing liquid F is supplied to the substrate W, the processing liquid F on the substrate W covers the particles P located between the patterns and on the upper surface of the pattern.

도 6은, 지지 유닛(440)에 지지되며 회전되는 기판(W) 상에 가스가 공급되는 모습을 나타낸다. 도 6을 참조하면, 가스 공급 노즐(464)은 처리액 공급 노즐(462)로부터 처리액이 공급되는 도중에 공급을 시작한다. 가스 공급 노즐(464)의 공급 시점 이전에 지지 로드(461)가 이동하여, 가스의 공급 시작 시점에서 가스 공급 노즐(464)은, 기판(W)의 중심과 대향되도록 위치한다. 이 때, 처리액 공급 노즐(462)은 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역을 향해 소정거리 이동되어 위치한다. 기판(W) 상으로 가스가 공급되는 동안 처리액 역시 공급된다. 6 shows a state in which gas is supplied onto the substrate W that is supported by the support unit 440 and rotated. Referring to FIG. 6, the gas supply nozzle 464 starts supplying while the processing liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle 462. The support rod 461 is moved before the supply time of the gas supply nozzle 464, and the gas supply nozzle 464 is positioned so as to face the center of the substrate W at the start of supplying the gas. At this time, the processing liquid supply nozzle 462 is positioned by moving a predetermined distance from the central region of the substrate W toward the edge region of the substrate W. While the gas is supplied onto the substrate W, the processing liquid is also supplied.

도 7을 참조하면, 도 6과 같이 기판(W) 상에 도포된 처리액(F)에 가스를 공급하여 처리액으로부터 솔벤트를 휘발시켜 기판(W) 상에 고화된 처리액의 액막(S)을 형성한다. 처리액에서 솔벤트가 휘발함에 따라 체적 수축을 일으키며, 처리액은 고화(solidification)된다. 처리액이 체적 수축함에 따라 패턴 내의 파티클 및 패턴 상면의 파티클은 처리액의 액막 내에 포획된다.Referring to FIG. 7, as shown in FIG. 6, a liquid film S of the treatment liquid solidified on the substrate W by supplying gas to the treatment liquid F applied on the substrate W to volatilize the solvent from the treatment liquid. To form. As the solvent volatilizes in the treatment liquid, volume contraction is caused, and the treatment liquid is solidified. As the volume of the treatment liquid shrinks, particles in the pattern and particles on the upper surface of the pattern are trapped in the liquid film of the treatment liquid.

솔벤트의 휘발은 기판(W)이 정지된 상태에서 설정시간 경과됨에 따라 이루어질 수 있다. 선택적으로 솔벤트의 휘발을 촉진시키기 위해 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 선택적으로 솔벤트의 휘발을 촉진시키기 위해 기판(W)을 가열할 수 있다. 일 예에서, 도 6에서 가스는 가열되어 공급될 수 있다 Volatilization of the solvent may be performed as the set time elapses while the substrate W is stopped. Optionally, the substrate W may be rotated to promote volatilization of the solvent. Optionally, the substrate W may be heated to promote volatilization of the solvent. In one example, the gas in FIG. 6 may be heated and supplied.

도 7은, 지지 유닛(440)에 지지되며 회전되는 기판(W) 상에 박리액이 공급되는 모습을 나타낸다. 도 7을 참조하면, 박리액 공급 노즐(466)은 가스가 공급되는 도중에 그 공급이 시작된다. 박리액 공급 노즐(466)의 공급 시점 이전에 지지 로드(461)가 이동하여, 박리액의 공급 시작 시점에서 박리액 공급 노즐(466)은, 기판(W)의 중심과 대향되도록 위치한다. 이때, 처리액 공급 노즐(462)과 가스 공급 노즐(464)은 기판(W)의 중앙 영역에서 가장자리 영역을 향해 소정거리 이동되어 위치한다. 기판(W) 상으로 박리액이 공급되는 동안 처리액과 가스 역시 공급된다. 박리액은 기판(W) 상에서 고화된 액막을 기판(W) 상의 파티클과 함께 박리시킨다. 7 shows a state in which a peeling solution is supplied onto the substrate W that is supported by the support unit 440 and rotated. Referring to FIG. 7, the supply of the stripping liquid supply nozzle 466 is started while gas is supplied. The support rod 461 moves before the supply time of the stripping solution supply nozzle 466, and the stripping solution supply nozzle 466 is positioned so as to face the center of the substrate W at the start of supplying the stripping solution. At this time, the processing liquid supply nozzle 462 and the gas supply nozzle 464 are positioned by moving a predetermined distance from the central region of the substrate W toward the edge region. While the stripping solution is supplied onto the substrate W, the processing solution and gas are also supplied. The peeling solution peels the liquid film solidified on the substrate W together with the particles on the substrate W.

도 8은 패턴이 형성된 기판(W)에서 액막이 박리되는 모습을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 기판(W)의 패턴 형성면에 부착한 파티클이 액막과 함께 기판(W)으로부터 박리된다. 일 예에 의하면, 박리액은 고화된 처리액의 액막에 침투하여 처리액의 액막과 기판(W) 사이의 경계면에 들어감으로써 처리액의 액막을 기판(W) 상에서 박리시킬 수 있다. 이 때 처리액의 액막에 포획된 파티클도 처리액의 액막과 함께 박리된다.8 shows a state in which the liquid film is peeled off from the substrate W on which the pattern is formed. Referring to FIG. 8, particles attached to the pattern formation surface of the substrate W are peeled off from the substrate W together with the liquid film. According to an example, the peeling liquid may penetrate the liquid film of the solidified treatment liquid and enter the interface between the liquid film of the treatment liquid and the substrate W, thereby removing the liquid film of the treatment liquid on the substrate W. At this time, particles trapped in the liquid film of the treatment liquid are also peeled off together with the liquid film of the treatment liquid.

도 9는, 지지 유닛(440)에 지지되며 회전되는 기판(W) 상에 제거액이 공급되는 모습을 나타낸다. 도 9를 참조하면, 제거액 공급 노즐(468)은 박리액 공급 노즐(466)로부터 박리액이 공급되는 도중에 공급을 시작한다. 제거액 공급 노즐(468)의 공급 시점 이전에 지지 로드(461)가 이동하여, 제거액의 공급 시작 시점에서 제거액 공급 노즐(468)은, 기판(W)의 중심과 대향되도록 위치한다. 이때, 박리액 공급 노즐(466)은 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역을 향해 소정거리 이동되어 위치한다. 기판(W) 상으로 제거액이 공급되는 동안 박리액, 가스 및 처리액 역시 공급된다. 9 shows a state in which the removal liquid is supplied onto the substrate W that is supported by the support unit 440 and rotated. Referring to FIG. 9, the removal liquid supply nozzle 468 starts supply while the removal liquid is supplied from the removal liquid supply nozzle 466. The support rod 461 moves before the supply time of the removal liquid supply nozzle 468, and the removal liquid supply nozzle 468 is positioned so as to face the center of the substrate W at the starting time of supply of the removal liquid. At this time, the stripping liquid supply nozzle 466 is positioned by moving a predetermined distance from the central region of the substrate W toward the edge region of the substrate W. While the removal liquid is supplied onto the substrate W, a stripping liquid, a gas, and a processing liquid are also supplied.

도 10은 패턴이 형성된 기판(W)에서 액막의 잔여물이 제거되는 모습을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 완전히 제거되지 않은 액막의 잔여물은 제거액에 용해되어 기판(W)이 회전됨에 따라 기판(W) 밖으로 씻겨 나갈 수 있다. 일 예에 의하면 제거액은 가열되어 공급될 수 있다. 10 shows a state in which a liquid film residue is removed from the patterned substrate W. Referring to FIG. 10, the residue of the liquid film that has not been completely removed is dissolved in the removal liquid and may be washed out of the substrate W as the substrate W is rotated. According to an example, the removal liquid may be heated and supplied.

상술한 예에서, 가열된 가스를 공급하여 솔벤트의 휘발을 촉진시키는 것으로 설명하였다. 그러나 다른 예에서, 기판(W)을 직접 가열할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 가열은 가열된 액체, 가열된 기체, 램프와 같은 광원이나, 열선과 같은 히터를 이용해서 이루어질 수 있다.In the above-described example, it has been described that the heated gas is supplied to promote the volatilization of the solvent. However, in another example, the substrate W may be directly heated. For example, the heating of the substrate W may be performed using a heated liquid, a heated gas, a light source such as a lamp, or a heater such as a hot wire.

본 발명에 따르면, 처리액, 가스, 박리액 및 제거액을 동시에 공급하여 노즐의 이동시간과 대기시간을 감소시켜 공정시간을 줄일 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage in that a processing time can be reduced by simultaneously supplying a treatment liquid, a gas, a stripping liquid, and a removal liquid to reduce the moving time and waiting time of the nozzle.

본 발명에 따르면, 처리액을 공급하는 도중에 처리액을 건조시키는 가스를 동시에 공급하여 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 수 있다.According to the present invention, while supplying the treatment liquid, a gas for drying the treatment liquid can be simultaneously supplied to promote the volatilization of the solvent.

또한, 본 발명에 따르면 가열된 가스를 공급함에 따라 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, by supplying the heated gas, it is possible to promote the volatilization of the solvent.

또한, 본 발명에 따르면, 박리액을 처리액과 중첩하여 공급함에 따라, 박리액이 공급되기 전 기판의 회전에 의한 처리액의 휘발을 방지할 수 있는 이점이 있다. Further, according to the present invention, there is an advantage of preventing the volatilization of the treatment liquid due to rotation of the substrate before the release liquid is supplied, as the removal liquid is supplied by overlapping with the treatment liquid.

또한, 본 발명에 따르면 가열된 제거액을 공급함에 따라 처리액 잔여물을 최소화할 수 있는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, there is an advantage of minimizing treatment liquid residue by supplying the heated removal liquid.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

460: 유체 공급 유닛
461: 지지 로드
462: 처리액 공급 노즐
464: 가스 공급 노즐
466: 박리액 공급 노즐
468: 제거액 공급 노즐460: fluid supply unit
461: support rod
462: treatment liquid supply nozzle
464: gas supply nozzle
466: stripper supply nozzle
468: removal liquid supply nozzle

Claims (16)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액의 탄착 지점을 기판 상의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동시키면서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하고,
상기 기판 상에 토출된 상기 처리액에서 상기 솔벤트를 휘발시키는 가스의 탄착 지점을 상기 기판 상의 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동시키면서 상기 기판에 상기 가스를 공급하여 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하고,
상기 기판 상에서 상기 액막을 상기 기판에서 박리시키는 박리액의 탄착 지점을 상기 기판의 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동시키면서 상기 기판에 상기 박리액을 공급하고,
상기 기판 상에서 박리된 상기 액막을 상기 기판 상에서 제거하는 제거액의 탄착 지점을 상기 기판의 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역으로 이동시키면서 상기 기판에 상기 제거액을 공급하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Supplying the treatment liquid to the substrate while moving the impact point of the treatment liquid containing the polymer and the solvent from the central region to the edge region on the substrate,
A solidified liquid film is formed on the substrate by supplying the gas to the substrate while moving the impact point of the gas that volatilizes the solvent from the processing liquid discharged on the substrate from the central region on the substrate to the edge region, ,
Supplying the peeling solution to the substrate while moving the impact point of the peeling solution for peeling the liquid film off the substrate from the central region of the substrate to the edge region,
A substrate processing method of supplying the removal liquid to the substrate while moving an impact point of a removal liquid for removing the liquid film peeled off from the substrate onto the substrate from a central region of the substrate to the edge region. 제1항에 있어서,
상기 가스는 상기 처리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 상기 박리액은 상기 가스가 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 상기 제거액은 상기 박리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
A substrate processing method in which the gas starts to be supplied while the treatment liquid is being supplied, the stripping solution starts to supply while the gas is supplied, and the removal solution starts to supply while the stripping solution is supplied. . 제1항에 있어서,
상기 처리액의 탄착지점, 상기 가스의 탄착지점, 상기 박리액의 탄착지점, 그리고 상기 제거액의 탄착지점은 서로 동일한 속도로 변경되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
A substrate processing method in which the impact point of the treatment liquid, the impact point of the gas, the impact point of the stripper, and the impact point of the removal liquid are changed at the same speed. 제1항에 있어서,
상기 가스는 가열된 가스인 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The substrate processing method wherein the gas is a heated gas. 제1항에 있어서,
상기 제거액은 가열되어 상기 기판 상으로 공급되는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The substrate processing method wherein the removal liquid is heated and supplied onto the substrate. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액, 상기 가스, 상기 박리액, 그리고 상기 제거액이 공급되는 도중에 상기 기판은 회전되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing method in which the substrate is rotated while the processing liquid, the gas, the stripping liquid, and the removal liquid are supplied. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스는 질소인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing method of the gas is nitrogen. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거액은 유기용제이고,
상기 박리액은 탈이온수이고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 5,
The removal liquid is an organic solvent,
The stripper is deionized water,
The polymer is a substrate processing method containing a resin. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지되며 회전되는 기판 상으로 복수의 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 포함하고,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 상기 솔벤트를 휘발시키는 가스를 공급하는 가스 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐과;
상기 처리액 공급 노즐, 상기 가스 공급 노즐, 상기 박리액 공급 노즐 및 상기 제거액 공급 노즐을 모두 지지하는 지지 로드와;
상기 지지 로드를 이동시키는 구동기를 구비하는 기판 처리 장치. In the apparatus for processing a substrate,
A chamber having a processing space;
A support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A fluid supply unit that is supported by the support unit and supplies a plurality of fluids onto the rotating substrate,
The fluid supply unit,
A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid having a polymer and a solvent onto a substrate supported by the support unit;
A gas supply nozzle for supplying a gas for volatilizing the solvent onto a substrate supported by the support unit;
A stripping solution supply nozzle for supplying a stripping solution to the substrate supported by the support unit;
A removal liquid supply nozzle for supplying a removal liquid to the substrate supported by the support unit;
A support rod for supporting all of the treatment liquid supply nozzle, the gas supply nozzle, the stripping liquid supply nozzle, and the removal liquid supply nozzle;
A substrate processing apparatus comprising a driver for moving the support rod. 제9항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐, 상기 가스 공급 노즐, 상기 박리액 공급 노즐 및 상기 제거액 공급 노즐은 그 순서대로 상기 지지 로드에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The processing liquid supply nozzle, the gas supply nozzle, the stripping liquid supply nozzle, and the removal liquid supply nozzle are positioned on the support rod in that order. 제9항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 처리액, 상기 가스, 상기 박리액, 그리고 상기 제거액이 순차적으로 상기 기판의 중앙 영역에서부터 상기 기판의 가장자리 영역으로 공급되도록 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
Further comprising a controller for controlling the fluid supply unit,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to control the fluid supply unit so that the processing liquid, the gas, the stripping liquid, and the removal liquid are sequentially supplied from a central region of the substrate to an edge region of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 가스는 상기 처리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 상기 박리액은 상기 가스가 공급되는 도중에 그 공급을 시작하고, 상기 제거액은 상기 박리액이 공급되는 도중에 그 공급을 시작하도록 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
Further comprising a controller for controlling the fluid supply unit,
The controller,
The gas is supplied while the processing liquid is supplied, the supply of the stripping liquid starts while the gas is supplied, and the removal liquid is supplied with the fluid to start the supply while the stripping liquid is supplied. A substrate processing apparatus that controls the unit. 제9항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 처리액의 탄착지점, 상기 가스의 탄착지점, 상기 박리액의 탄착지점, 그리고 상기 제거액의 탄착지점은 서로 동일한 속도로 변경되도록 상기 유체 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
Further comprising a controller for controlling the fluid supply unit,
The controller,
A substrate processing apparatus configured to control the fluid supply unit so that the impact point of the treatment liquid, the impact point of the gas, the impact point of the stripper, and the impact point of the removal liquid are changed at the same speed. 제9항에 있어서,
상기 가스는 가열된 가스인 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The substrate processing apparatus wherein the gas is a heated gas. 제9항에 있어서,
상기 제거액은 가열되어 상기 기판 상으로 공급되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The substrate processing apparatus is heated and supplied to the substrate. 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거액은 유기용제이고,
상기 박리액은 탈이온수이고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 9 to 15,
The removal liquid is an organic solvent,
The stripper is deionized water,
The polymer is a substrate processing apparatus containing a resin.
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