KR102099889B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 건조 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 노즐을 가지는 액공급유닛, 상기 스핀헤드에 지지된 기판의 일부 영역을 가열하는 가열유닛, 그리고 상기 액공급유닛과 상기 가열유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 가열유닛은 아암, 상기 아암에 결합되는 히터, 그리고 상기 아암을 이동시키는 아암이동부재를 포함하고, 상기 제어기는 상기 기판 상에 액막과 상기 액막이 제거된 영역의 경계면이 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 이동될 때 상기 티처가 상기 경계면을 가열하도록 상기 아암이동부재를 제어한다. 기판을 가열하여 약액이 증발 시 기판의 온도가 하강되는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for drying a substrate. The substrate processing apparatus includes a spin head for supporting and rotating a substrate, a liquid supply unit having a nozzle for supplying liquid on the substrate supported on the spin head, a heating unit for heating a part of the substrate supported on the spin head, and It includes a controller for controlling the liquid supply unit and the heating unit, the heating unit includes an arm, a heater coupled to the arm, and an arm moving member for moving the arm, the controller is a liquid film on the substrate And the arm moving member controls the teacher to heat the interface when the boundary surface of the region where the liquid film is removed is moved from the central region of the substrate to the edge region by rotation of the substrate. By heating the substrate, it is possible to prevent the temperature of the substrate from falling when the chemical is evaporated.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 약액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 건조 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating a substrate with a chemical liquid, and more particularly, to an apparatus and method for drying a substrate.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 같은 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on a substrate. Before or after such a process, a cleaning process is performed in which the substrate is cleaned to remove contaminants and particles generated in each process.

일반적인 세정공정으로는 회전되는 기판 상에 약액을 공급하여 기판 상에 부착된 오염물 및 파티클을 제거하는 공정을 수행한다. 이와 같은 세정공정은 케미칼 공급단계, 린스액 공급단계, 그리고 건조단계를 포함한다. 건조단계는 기판 상에 잔류된 린스액을 제거하기 위한 공정으로, 기판 상에 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 공급한다. 유기용제는 기판의 원심력에 의해 그 중앙영역에서 가장자리영역으로 확산된다. 이에 따라 유기용제가 증발되는 영역은 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 확산된다.As a general cleaning process, a process of removing contaminants and particles adhering to the substrate is performed by supplying a chemical solution on the rotating substrate. The cleaning process includes a chemical supply step, a rinse solution supply step, and a drying step. The drying step is a process for removing the rinse solution remaining on the substrate, and supplies an organic solvent such as an isopropyl alcohol (IPA) solution on the substrate. The organic solvent diffuses from the central region to the edge region by the centrifugal force of the substrate. Accordingly, the region in which the organic solvent is evaporated diffuses from the central region of the substrate to the edge region.

그러나 유기용제는 증발 시 기판으로부터 열을 가져간다. 이로 인해 기판의 젖은 영역과 건조영역 간의 경계면에는 급격한 온도 하강이 발생된다. 이에 따라 도1과 같이, 기판(W) 상에 형성된 패턴들 간에 리닝(Leaning) 현상이 발생되고, 그 패턴이 붕괴될 수 있다.However, the organic solvent takes heat from the substrate upon evaporation. Due to this, a rapid temperature drop occurs at the interface between the wet and dry regions of the substrate. Accordingly, as shown in FIG. 1, a lining phenomenon occurs between patterns formed on the substrate W, and the pattern may collapse.

한국 특허 공개번호 제2011-0116471호Korean Patent Publication No. 2011-0116471

본 발명은 기판을 건조 처리 시 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention is to provide an apparatus and method that can prevent the substrate from being damaged when the substrate is dried.

또한 본 발명은 기판 상에 제공된 유기용제가 증발 시 기판의 온도가 하강되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide an apparatus and method for preventing an organic solvent provided on a substrate from lowering the temperature of the substrate when evaporating.

본 발명의 실시예는 기판에 건조 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 노즐을 가지는 액공급유닛, 상기 스핀헤드에 지지된 기판의 일부 영역을 가열하는 가열유닛, 그리고 상기 액공급유닛과 상기 가열유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 가열유닛은 아암, 상기 아암에 결합되는 히터, 그리고 상기 아암을 이동시키는 아암이동부재를 포함하고, 상기 제어기는 상기 기판 상에 액막과 상기 액막이 제거된 영역의 경계면이 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 이동될 때 상기 티처가 상기 경계면을 가열하도록 상기 아암이동부재를 제어한다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for drying a substrate. The substrate processing apparatus includes a spin head for supporting and rotating a substrate, a liquid supply unit having a nozzle for supplying liquid on the substrate supported on the spin head, a heating unit for heating a part of the substrate supported on the spin head, and It includes a controller for controlling the liquid supply unit and the heating unit, the heating unit includes an arm, a heater coupled to the arm, and an arm moving member for moving the arm, the controller is a liquid film on the substrate And the arm moving member controls the teacher to heat the interface when the boundary surface of the region where the liquid film is removed is moved from the central region of the substrate to the edge region by rotation of the substrate.

상기 제어기는 상기 기판 상에 형성된 액막이 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 후퇴되는 속도에 따라 상기 히터의 이동속도를 조절하도록 상기 아암이동부재를 제어할 수 있다. 상기 히터는 적외선을 조사하는 적외선 램프로 제공될 수 있다. 상기 히터는 레이저를 조사하는 레이저 부재로 제공될 수 있다. 상기 액은 유기용제로 제공될 수 있다. 상기 가열유닛은 상기 스핀헤드의 설치되어 기판의 저면으로 가열유체를 공급하는 분사부재 및 상기 분사부재에 제공되는 가열유체를 상기 노즐에 제공되는 약액보다 높은 온도로 가열시키는 가열기를 더 포함할 수 있다.The controller may control the arm moving member to adjust the moving speed of the heater according to the speed at which the liquid film formed on the substrate retreats from the central region to the edge region of the substrate. The heater may be provided as an infrared lamp that irradiates infrared rays. The heater may be provided as a laser member that irradiates a laser. The liquid may be provided as an organic solvent. The heating unit may further include a spray member installed on the spin head to supply a heating fluid to the bottom surface of the substrate and a heater heating the heating fluid provided to the spray member to a temperature higher than the chemical liquid provided to the nozzle. .

기판을 건조 처리하는 방법은 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 단계, 회전되는 상기 기판 상에 액를 공급하는 액공급단계, 그리고 상기 액에 의해 기판 상에 형성된 액막과 상기 액막이 제거된 영역 간의 경계면이 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 이동될 때 히터가 상기 경계면을 가열하는 가열단계를 포함한다.A method of drying a substrate includes a substrate rotation step of rotating the substrate, a liquid supply step of supplying a liquid on the rotated substrate, and a boundary surface between a liquid film formed on the substrate by the liquid and an area where the liquid film is removed. And a heating step in which the heater heats the boundary surface when it is moved from the central region to the edge region by rotation of the substrate.

상기 가열단계에는 기 히터는 상기 경계면과 대향되게 위치되도록 상기 경계면을 따라 이동될 수 있다. 상기 히터는 적외선을 조사하는 적외선 램프로 제공될 수 있다. 상기 히터는 레이저를 조사하는 레이저 부재로 제공될 수 있다. 상기 액은 유기용제로 제공될 수 있다.In the heating step, the pre-heater may be moved along the boundary surface to be positioned to face the boundary surface. The heater may be provided as an infrared lamp that irradiates infrared rays. The heater may be provided as a laser member that irradiates a laser. The liquid may be provided as an organic solvent.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 가열하여 약액이 증발 시 기판의 온도가 하강되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the temperature of the substrate from dropping when the chemical is evaporated by heating the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 히터는 기판의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동하면서 기판을 가열하므로, 건조유체의 액막과 증발영역 간의 경계면을 지속적으로 가열할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the heater heats the substrate while moving from the central region to the edge region of the substrate, thereby continuously heating the interface between the liquid film of the dry fluid and the evaporation region.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 히터는 패턴과 패턴 사이에 잔류된 건조유체를 제거할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the heater can remove the dried fluid remaining between the pattern and the pattern.

도1은 기판 상에 제공된 유기용제가 증발되는 과정을 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 약액공급유닛을 보여주는 평면도이다.
도5 및 도6은 도3의 히터가 기판을 가열하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도7은 도3의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a process in which the organic solvent provided on the substrate is evaporated.
2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2.
Figure 4 is a plan view showing the chemical supply unit of Figure 3;
5 and 6 are cross-sectional views showing a process in which the heater of FIG. 3 heats the substrate.
7 is a cross-sectional view showing another embodiment of FIG. 3.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the examples described below. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예에는 기판 상에 액을 공급하여 세정 및 건조 처리하는 공정을 일 예로 들어 설명한다. 그러나 본 실시예는 세정공정에 한정되지 않으며, 기판 상에 액을 공급하여 이를 제거 또는 건조시키는 현상공정 및 식각공정 등에 다양한 공정에 적용 가능하다.In this embodiment, a process of cleaning and drying by supplying a liquid on a substrate will be described as an example. However, this embodiment is not limited to the cleaning process, and can be applied to various processes such as a developing process and an etching process of supplying a liquid onto a substrate to remove or dry it.

이하, 도2 내지 도7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7.

도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12 The direction is called the second direction 14 and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency of the process processing module 20 and footprint conditions. The carrier 130 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a horizontal arrangement with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(300a)(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(300a)(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(300a)(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in the longitudinal direction parallel to the first direction (12). Substrate processing units 300a and 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240. The substrate processing units 300a and 260 on one side and the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of substrate processing units 300a and 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked with each other. That is, the process chambers 260 may be disposed on one side of the transfer chamber 240 in an A X B arrangement. Here, A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. A slot (not shown) on which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 is opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. An index rail 142 and an index robot 144 are provided in the transfer frame 140. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142, and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Further, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transport the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130, and other parts of the index arms 144c from the carrier 130 to the process processing module 20 ). This can prevent particles generated from the substrate W before the process processing from being attached to the substrate W after the process processing in the process of the index robot 144 carrying in and out the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Further, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to move forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16.

공정챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판처리장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Unlike this, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to each other and the substrate processing apparatuses in the process chambers 260 belonging to different groups from each other. The structures of 300 may be provided differently from each other.

기판처리장치(300)는 도3은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 액공급유닛(380), 그리고 가열유닛을 포함한다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 약액들은 회수라인(322b,326b)을 통해 외부의 약액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 320, a spin head 340, a lifting unit 360, a liquid supply unit 380, and a heating unit. The housing 320 has a cylindrical shape with an open top. The housing 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each of the collection containers 322 and 326 recovers different chemicals from among the chemicals used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 326. The inner space 322a of the inner recovery vessel 322 and the space 326a between the inner recovery vessel 322 and the outer recovery vessel 326 have chemical liquids in the inner recovery vessel 322 and the outer recovery vessel 326, respectively. It functions as an inlet. According to an example, each inlet may be located at a different height from each other. The recovery lines 322b and 326b are connected below the bottom surface of each of the collection cylinders 322 and 326. The chemical liquids introduced into the respective collection containers 322 and 326 may be provided to an external chemical liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and reused.

스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W during the process and rotates the substrate W. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has an upper surface provided in a substantially circular shape when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a driving unit 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are arranged to be spaced apart at predetermined intervals at the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther than the support pin 344 from the center of the body 342. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the fixed position when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned in the support position. In the support position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the housing 320 in the vertical direction. As the housing 320 moves up and down, the relative height of the housing 320 relative to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320, and the moving shaft 364 moving in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. When the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340, the housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320. In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted so that the chemical liquid may be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the chemical liquid supplied to the substrate W. Optionally, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction.

액공급유닛(380)은 기판(W) 상으로 다양한 종류의 액을 공급한다. 액공급유닛은 기판(W)의 세정 단계별로 서로 상이한 종류의 액을 공급한다. 액공급유닛(380)은 지지축(386), 지지대(382), 노즐(390), 그리고 액공급부재(400)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(390)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동된다. 노즐(390)은 지지축의 회전에 의해 공정위치 및 대기위치로 이동된다. 여기서 공정위치는 노즐(390)이 하우징(320)의 상부에서 스핀헤드(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 공정위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 액은 케미칼, 린스액, 그리고 건조유체일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4)을 포함하는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 건조유체는 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제일 수 있다. The liquid supply unit 380 supplies various kinds of liquid onto the substrate W. The liquid supply unit supplies different kinds of liquid to the cleaning step of the substrate W. The liquid supply unit 380 includes a support shaft 386, a support 382, a nozzle 390, and a liquid supply member 400. The support shaft 386 is disposed on one side of the housing 320. The support shaft 386 has a rod shape in which its longitudinal direction is provided in the vertical direction. The support shaft 386 can be rotated and moved by the driver 388. Unlike this, the support shaft 386 may linearly move and elevate in the horizontal direction by the driver 388. The support 382 supports the nozzle 390. The support 382 is coupled to the support shaft 386, and the nozzle 390 is fixedly coupled to the bottom end surface. The nozzle 390 is swinged by rotation of the support shaft 386. The nozzle 390 is moved to the process position and the standby position by rotation of the support shaft. Here, the process position is a position where the nozzle 390 faces the spin head 340 at the upper portion of the housing 320, and the standby position is defined as a position outside the process position. According to an example, the liquid may be a chemical, a rinse liquid, and a dry fluid. The chemical may be a liquid containing sulfuric acid (H 2 SO 4 ) or phosphoric acid (H 3 PO 4 ). The rinse liquid may be pure. The dry fluid may be an organic solvent such as an isopropyl alcohol (IPA) solution.

액공급부재(400)는 노즐(390)(390)에 액을 공급한다. 액공급부재(400)는 액공급라인(408), 유량조절밸브(406), 그리고 제1가열기(404)를 포함한다. 액공급라인(408)은 액공급원과 노즐(390)을 연결한다. 액공급원에 제공된 액은 액공급라인(408)을 통해 노즐(390)로 공급된다. 유량조절밸브(406)는 액공급라인(408)에서 노즐(390)로 공급되는 액의 유량을 조절한다. 유량조절밸브(406)는 액공급라인(408)의 개구율을 조절한다. 제1가열기(404)는 액공급라인(408)에 제공된 액을 설정 온도로 가열한다. 제1가열기(404)는 액공급라인(408) 상에 설치된다.The liquid supply member 400 supplies liquid to the nozzles 390 and 390. The liquid supply member 400 includes a liquid supply line 408, a flow rate control valve 406, and a first heater 404. The liquid supply line 408 connects the liquid supply source and the nozzle 390. The liquid provided to the liquid supply source is supplied to the nozzle 390 through the liquid supply line 408. The flow control valve 406 controls the flow rate of the liquid supplied from the liquid supply line 408 to the nozzle 390. The flow control valve 406 adjusts the opening ratio of the liquid supply line 408. The first heater 404 heats the liquid provided in the liquid supply line 408 to a set temperature. The first heater 404 is installed on the liquid supply line 408.

가열유닛(410)은 스핀헤드(340)에 지지 및 회전되는 기판의 일부 영역을 가열한다. 도4는 가열유닛(410)을 보여주는 평면도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 가열유닛(410)은 아암(412), 히터(414), 아암이동부재(416), 그리고 제어기(430)를 포함한다. 아암(412)은 그 길이방향이 수평방향을 향하는 바 형상으로 제공된다. 히터(414)는 아암(412)의 일단 저면에 설치된다. 히터(414)는 스핀헤드(340)에 지지된 기판(W)을 가열한다. 히터(414)는 기판(W)의 전체 영역중 일부 영역을 가열한다. 일 예에 의하면, 히터(414)에 의해 가열되는 기판(W)의 영역은 건조유체가 증발된 영역(A)과 건조유체의 액막(B)의 경계면일 수 있다. 예컨대, 상기 히터(414)는 적외선을 조사하는 적외선 램프 또는 레이저를 조사하는 레이저부재일 수 있다.The heating unit 410 heats a portion of the substrate supported and rotated on the spin head 340. 4 is a plan view showing the heating unit 410. 3 and 4, the heating unit 410 includes an arm 412, a heater 414, an arm moving member 416, and a controller 430. The arm 412 is provided in the shape of a bar whose longitudinal direction faces the horizontal direction. The heater 414 is installed on the bottom surface of the arm 412 once. The heater 414 heats the substrate W supported on the spin head 340. The heater 414 heats a part of the entire area of the substrate W. According to an example, the region of the substrate W heated by the heater 414 may be an interface between the region A where the dry fluid is evaporated and the liquid film B of the dry fluid. For example, the heater 414 may be an infrared lamp that irradiates infrared rays or a laser member that irradiates lasers.

아암이동부재(416)는 아암(412)을 스윙이동시킨다. 아암이동부재(416)는 지지축(416) 및 구동기(미도시)를 포함한다. 지지축(416)은 아암(412)의 타단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 지지축(416)은 구동기(미도시)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(416)의 회전에 따라 아암(412)은 스윙 이동되고, 히터(414)는 아암(412)과 함께 이동된다. 지지축(416)의 회전에 따라 히터(414)의 가열영역은 상이하게 제공된다. 지지축(416)의 회전에 따라 히터(414)는 중앙위치 및 가장자리위치로 이동된다. 여기서 중앙위치는 히터(414)가 기판(W)의 중앙영역에 대향되는 위치이고, 가장자리위치는 히터(414)기 기판(W)의 가장자리영역에 대향되는 위치로 정의한다. The arm moving member 416 swings the arm 412. The arm moving member 416 includes a support shaft 416 and a driver (not shown). The support shaft 416 is provided to extend downward from the other end of the arm 412. The support shaft 416 is provided to be rotatable by a driver (not shown). The arm 412 is swing-moved according to the rotation of the support shaft 416, and the heater 414 is moved together with the arm 412. According to the rotation of the support shaft 416, the heating area of the heater 414 is provided differently. The heater 414 is moved to the central position and the edge position according to the rotation of the support shaft 416. Here, the central position is a position where the heater 414 is opposed to the central area of the substrate W, and the edge position is defined as a position opposite to the edge area of the substrate W of the heater 414.

제어기(430)는 히터(414)가 기판(W) 상에 형성된 액막(B)과 이 액막이 제거된 영역(A) 간의 경계면을 가열하도록 아암이동부재(416)를 제어한다. 제어기(430)는 기판(W) 상에 형성된 액막이 기판(W)의 중앙영역에서 가장자리영역으로 후퇴되는 속도에 따라 히터(414)의 이동속도가 조절를 조절하도록 아암이동부재(416)를 제어한다. 제어기(430)는 기판(W) 상에 공급된 건조유체가 증발되는 시간에 따라 아암(412)의 이동속도가 상이하도록 아암이동부재(416)를 제어한다. 제어기(430)는 스핀헤드(340)의 회전속도 및 기판의 상태에 따라 히터(414)의 이동속도를 상이하도록 아암이동부재(416)를 제어한다. 일 예에 의하면, 히터(414)가 중앙위치에서 가장자리위치로 이동되는 시간은 건조유체에 의해 형성된 액막이 제거되는 시간과 대응되도록 아암이동부재(416)를 제어할 수 있다. 실험데이터에 의하면, 기판(W)은 1000RPM으로 회전되고, 기판(W) 상에 잔류된 건조유체는 2초 내지 3초에 제거될 수 있다. 제어기(430)는 히터(414)가 중앙위치에서 가장자리위치로 이동되는 시간을 2초 내지 3초로 아암이동부재(416)를 제어할 수 있다. 이는 스핀헤드(340)의 회전속도가 빠를수록 히터(414)의 이동속도를 빠르게 제공할 수 있다. 또한 제어기(430)는 액공급라인(408)의 개구율이 클수록, 그리고 제1가열기(404)의 설정온도가 높을수록 히터(414)의 이동속도를 빠르게 제공할 수 있다. 기판(W) 상에 공급된 액의 유량이 클수록, 그리고 액의 온도가 높을수록 히터(414)의 이동속도를 빠르게 제공할 수 있다. The controller 430 controls the arm moving member 416 such that the heater 414 heats the interface between the liquid film B formed on the substrate W and the area A from which the liquid film is removed. The controller 430 controls the arm moving member 416 to adjust the movement speed of the heater 414 according to the speed at which the liquid film formed on the substrate W retreats from the central region of the substrate W to the edge region. The controller 430 controls the arm moving member 416 such that the moving speed of the arm 412 differs according to the time at which the dry fluid supplied on the substrate W evaporates. The controller 430 controls the arm moving member 416 to vary the moving speed of the heater 414 according to the rotation speed of the spin head 340 and the state of the substrate. According to an example, the time for the heater 414 to move from the central position to the edge position may control the arm moving member 416 so that it corresponds to the time at which the liquid film formed by the drying fluid is removed. According to the experimental data, the substrate W is rotated at 1000 RPM, and the dried fluid remaining on the substrate W can be removed in 2 to 3 seconds. The controller 430 may control the arm moving member 416 from 2 seconds to 3 seconds for the heater 414 to move from the central position to the edge position. This may provide the movement speed of the heater 414 faster as the rotational speed of the spin head 340 is faster. In addition, the controller 430 may provide the movement speed of the heater 414 faster as the opening ratio of the liquid supply line 408 is greater and the set temperature of the first heater 404 is higher. The larger the flow rate of the liquid supplied to the substrate W, and the higher the temperature of the liquid, the faster the movement speed of the heater 414 can be provided.

다음은 상술한 기판처리장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described.

기판(W)은 스핀헤드(340)에 로딩된다. 승강유닛(360)은 기판(W)이 내부회수통(322)에 대응되도록 하우징(320)을 승강 이동시킨다. 케미칼노즐(390)은 대기위치에서 공정위치로 이동되고, 기판(W)의 중앙영역과 대향되도록 위치된다. 기판(W)은 스핀헤드(340)에 의해 회전되고, 케미칼노즐(390)은 기판(W)의 중앙영역에 케미칼을 공급한다. 케미칼공급단계가 완료되면, 케미칼공급 및 기판(W)의 회전은 중단된다. 케미칼노즐(390)은 대기위치로 이동되고, 승강유(360)은 기판(W)이 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)에 대응되도록 하우징(320)을 승강 이동한다. 린스노즐(390)은 대기위치에서 공정위치로 이동되고, 기판(W)의 중앙영역과 대향되게 위치된다. 기판(W)은 스핀헤드(340)에 의해 회전되고, 린스노즐(390)은 기판(W)의 중앙영역에 린스액을 공급한다. 린스액공급단계가 완료되면, 린스노즐(390)은 대기위치로 이동되고, 건조노즐(390)은 공정위치로 이동된다. 건조노즐(390)에 인접하게 위치된 히터(414)는 중앙위치로 이동된다. 건조노즐(390)은 기판(W)의 중앙영역으로 건조유체를 공급한다. 건조유체의 공급이 완료되면, 건조노즐(390)은 건조유체의 공급을 중단하고, 대기위치로 이동된다. 도5 및 도6은 도3의 히터가 기판을 가열하는 과정을 보여주는 단면도들이다. 도5 및 도6을 참조하면, 히터(414)는 중앙위치로 이동되어 기판(W)의 중앙영역을 가열한다. 히터(414)는 기판(W) 상에 형성된 액막(B)과 액막이 제거된 영역(A) 간의 경계면을 가열하도록 가장자리 위치로 이동된다. The substrate W is loaded on the spinhead 340. The lifting unit 360 moves the housing 320 up and down so that the substrate W corresponds to the inner recovery container 322. The chemical nozzle 390 is moved from the standby position to the process position, and is positioned to face the central region of the substrate W. The substrate W is rotated by the spin head 340, and the chemical nozzle 390 supplies chemical to the central region of the substrate W. When the chemical supply step is completed, the chemical supply and the rotation of the substrate W are stopped. The chemical nozzle 390 is moved to the standby position, and the lifting oil 360 moves the housing 320 such that the substrate W corresponds to the space 326a between the inner recovery container 322 and the outer recovery container 326. Move up and down. The rinse nozzle 390 is moved from the standby position to the process position, and is positioned to face the central region of the substrate W. The substrate W is rotated by the spin head 340, and the rinse nozzle 390 supplies a rinse liquid to the central region of the substrate W. When the rinse liquid supply step is completed, the rinse nozzle 390 is moved to the standby position, and the drying nozzle 390 is moved to the process position. The heater 414 located adjacent to the drying nozzle 390 is moved to the central position. The drying nozzle 390 supplies the drying fluid to the central region of the substrate W. When the supply of the drying fluid is completed, the drying nozzle 390 stops the supply of the drying fluid and moves to the standby position. 5 and 6 are cross-sectional views showing a process in which the heater of FIG. 3 heats the substrate. 5 and 6, the heater 414 is moved to the central position to heat the central region of the substrate (W). The heater 414 is moved to the edge position to heat the interface between the liquid film B formed on the substrate W and the area A where the liquid film is removed.

상술한 실시예에 의하면, 기판(W) 상에 건조유체에 의해 형성된 액막은 기판의 원심력에 의해 기판(W)의 중앙영역에서 가장자리영역으로 후퇴된다. 히터(414)는 액막이 후퇴되는 속도에 따라 그 액막의 경계면을 가열하도록 이동되어 건조유체가 증발 시 기판(W)의 온도가 급 하강되는 것을 방지할 수 있다. According to the above-described embodiment, the liquid film formed by the dry fluid on the substrate W is retreated from the central region of the substrate W to the edge region by the centrifugal force of the substrate. The heater 414 is moved to heat the boundary surface of the liquid film according to the speed at which the liquid film is retracted, thereby preventing the temperature of the substrate W from rapidly lowering when the dry fluid evaporates.

또한 히터(414)로부터 조사된 광은 기판(W)의 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 건조유체를 제거할 수 있다. 기판(W)의 원심력에 의해 패턴의 위에 잔류된 건조유체는 기판(W) 상에서 확산 및 증발되어 제거된다. 그러나 패턴과 패턴 사이에는 건조유체가 잔류될수 있다. 히터(414)는 그 패턴과 패턴 사이에 광을 조사하여 그 사이에 잔류된 건조유체를 제거할 수 있다. In addition, the light irradiated from the heater 414 may remove the dried fluid remaining between the pattern and the pattern of the substrate W. The dried fluid remaining on the pattern by the centrifugal force of the substrate W is removed by diffusion and evaporation on the substrate W. However, dry fluid may remain between the patterns. The heater 414 may irradiate light between the pattern and the pattern to remove dry fluid remaining therebetween.

상술한 실시예에는 히터(414)가 아암(412)에 결합되어 기판을 가열하는 것으로 설명하였다. 그러나 도7과 같이, 가열유닛(410)은 분사부재(420) 및 제2가열기(424)를 더 포함할 수 있다. 분사부재(420)는 기판(W)의 저면으로 고온의 가열유체를 공급할 수 있다. 분사부재(420)는 스핀헤드(340)의 몸체(342) 상면에 설치될 수 있다. 분사부재(420)는 가열유체공급라인(422)으로부터 가열유체를 공급받을 수 있다. 제2가열기(424)는 가열유체공급라인(422)에 설치되어 가열유체를 가열할 수 있다. 제2가열기(424)는 가열유체를 건조유체보다 높은 온도로 가열할 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the heater 414 is coupled to the arm 412 to heat the substrate. However, as shown in FIG. 7, the heating unit 410 may further include an injection member 420 and a second heater 424. The injection member 420 may supply a high-temperature heating fluid to the bottom surface of the substrate W. The injection member 420 may be installed on the upper surface of the body 342 of the spin head 340. The injection member 420 may be supplied with a heating fluid from the heating fluid supply line 422. The second heater 424 is installed in the heating fluid supply line 422 to heat the heating fluid. The second heater 424 may heat the heating fluid to a higher temperature than the drying fluid.

340: 스핀헤드 380: 액공급유닛
390: 노즐 410: 가열유닛
412: 아암 414: 히터
416: 아암이동부재 430: 제어기 340: spin head 380: liquid supply unit
390: nozzle 410: heating unit
412: arm 414: heater
416: arm moving member 430: controller

Claims (11)

기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드와;
상기 스핀헤드에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 노즐을 가지는 액공급유닛과;
상기 스핀헤드에 지지된 기판의 일부 영역을 가열하는 가열유닛과; 그리고
상기 액공급유닛과 상기 가열유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 가열유닛은,
아암과;
상기 아암에 결합되는 히터와;
상기 아암을 이동시키는 아암이동부재를 포함하고,
상기 제어기는 상기 기판 상에 액막과 상기 액막이 제거된 영역의 경계면이 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 이동될 때 상기 히터가 상기 경계면을 가열하도록 상기 아암이동부재를 제어하는 기판처리장치.A spin head for supporting and rotating the substrate;
A liquid supply unit having a nozzle for supplying liquid on a substrate supported on the spin head;
A heating unit that heats a portion of the substrate supported on the spin head; And
It includes a controller for controlling the liquid supply unit and the heating unit,
The heating unit,
Arm family;
A heater coupled to the arm;
An arm moving member for moving the arm,
The controller controls the arm moving member so that the heater heats the interface when the boundary between the liquid film and the area where the liquid film is removed is moved from the central area of the substrate to the edge area by rotation of the substrate. Substrate processing device. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 기판 상에 형성된 액막이 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 후퇴되는 속도에 따라 상기 히터의 이동속도를 조절하도록 상기 아암이동부재를 제어하는 기판처리장치.


According to claim 1,
The controller is a substrate processing apparatus for controlling the arm moving member to adjust the movement speed of the heater according to the speed of the liquid film formed on the substrate is retracted from the center region to the edge region of the substrate.


제2항에 있어서,
상기 히터는 적외선을 조사하는 적외선 램프로 제공되는 기판처리장치.According to claim 2,
The heater is a substrate processing apparatus provided as an infrared lamp for irradiating infrared rays. 제2항에 있어서,
상기 히터는 레이저를 조사하는 레이저 부재로 제공되는 기판처리장치.According to claim 2,
The heater is a substrate processing apparatus provided as a laser member for irradiating a laser. 제2항에 있어서,
상기 액은 유기용제로 제공되는 기판처리장치.According to claim 2,
The liquid is a substrate processing apparatus provided with an organic solvent. 제1항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서,
상기 가열유닛은,
상기 스핀헤드의 설치되어 기판의 저면으로 가열유체를 공급하는 분사부재와;
상기 분사부재에 제공되는 가열유체를 상기 노즐에 제공되는 약액보다 높은 온도로 가열시키는 가열기를 더 포함하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The heating unit,
An injection member installed on the spin head to supply a heating fluid to the bottom surface of the substrate;
And a heater for heating the heating fluid provided to the injection member to a temperature higher than the chemical liquid provided to the nozzle. 기판을 건조 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 회전시키는 기판 회전 단계와;
회전되는 상기 기판 상에 액를 공급하는 액공급단계와;
상기 액에 의해 기판 상에 형성된 액막과 상기 액막이 제거된 영역 간의 경계면이 상기 기판의 회전에 의해 상기 기판의 중앙영역에서 가장자리영역으로 이동될 때 히터가 상기 경계면을 가열하는 가열단계를 포함하는 기판처리방법.In the method of drying the substrate,
A substrate rotating step of rotating the substrate;
A liquid supply step of supplying a liquid on the rotated substrate;
And a heating step in which a heater heats the boundary surface when the boundary surface between the liquid film formed on the substrate by the solution and the area where the liquid film is removed is moved from the central area to the edge area by rotation of the substrate. Way. 제7항에 있어서,
상기 가열단계에는
상기 히터는 상기 경계면과 대향되게 위치되도록 상기 경계면을 따라 이동되는 기판처리방법The method of claim 7,
In the heating step
The heater is a substrate processing method that is moved along the boundary surface to be positioned to face the boundary surface 제8항에 있어서,
상기 히터는 적외선을 조사하는 적외선 램프로 제공되는 기판처리방법.The method of claim 8,
The heater is a substrate processing method provided with an infrared lamp for irradiating infrared rays. 제8항에 있어서,
상기 히터는 레이저를 조사하는 레이저 부재로 제공되는 기판처리방법.The method of claim 8,
The heater is a substrate processing method provided by a laser member for irradiating the laser. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 액은 유기용제로 제공되는 기판처리방법.


The method of claim 9 or 10,
The liquid is a substrate processing method provided with an organic solvent.


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