KR20200142808A - Adhesive tape for semicondoctor package manufacturing process and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The purpose of the present technology is to provide adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, which, in the process of manufacturing a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes, can protect the lower surface of the semiconductor package and the plurality of protruding electrodes formed on the lower surface of the semiconductor package, and can be easily separated from the semiconductor package without leaving residue behind after a given manufacturing process is completed. Provided is the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, which is attached to the lower surface of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes, wherein the adhesive tape comprises: a base film containing a metal element so that the shape is changed to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package when attached, and the changed shape is independently maintained between processes; an adhesive layer formed on the base film to have a spiral network molecular structure and contain silicon; and a release film containing fluorine and attached to the adhesive layer.

Description

반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프 및 그 제조방법{ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDOCTOR PACKAGE MANUFACTURING PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Adhesive tape for semiconductor package manufacturing process and its manufacturing method {ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDOCTOR PACKAGE MANUFACTURING PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 반도체 패키지 제조공정을 위한 접착 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지의 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, to protect a plurality of protruding electrodes formed on a lower surface of a semiconductor package and a lower surface of a semiconductor package during the process of forming an EMI (Electro Magnetic Interference) shielding layer of a semiconductor package. The present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process and a method of manufacturing the same.

반도체 패키지의 한 종류로서, BGA(Ball Grid Array)가 많이 사용되고 있다. BGA는 솔더볼(Solder Ball)에 의하여 반도체 패키지의 외부 단자접촉을 달성함으로써, 리드 프레임 타입 패키지에서 단면, 양면, 4면으로 신호전달하는 대신에 바닥면에 노출된 수많은 돌출전극 즉, 솔더볼로 대체하여 더 많은 신호 전달을 가능하게 하였다. 이러한 BGA 패키지는 차세대 고속메모리의 주력 패키지로 생산되고 있고, 이동전화나 디지털카메라 등 휴대형 정보통신기기에 한정돼 있던 CSP(Chip Scale Package) 사용 분야를 PC나 워크스테이션 등의 컴퓨터 영역으로까지 확장하고 있다.As a type of semiconductor package, BGA (Ball Grid Array) is widely used. BGA achieves external terminal contact of the semiconductor package by means of a solder ball, so instead of transmitting signals to one side, both sides, and four sides in a lead frame type package, a number of protruding electrodes exposed on the bottom surface, that is, solder balls, are replaced. It enabled more signal transmission. These BGA packages are being produced as the flagship packages of next-generation high-speed memory, and the use of CSP (Chip Scale Package), which was limited to portable information and communication devices such as mobile phones and digital cameras, has been expanded to the computer areas such as PCs and workstations. have.

한편, 모바일 분야에서 배터리 수명을 증가시키기 위하여 배터리의 크기를 키워야 하는 요구와 단말기의 크기를 줄여야 하는 두 가지의 요구를 동시에 달성하기 위하여 상대적으로 단말기에서 차지하는 PCB의 크기를 줄여야 하는 요구에 직면하게 되었고, PCB의 크기가 줄어들면 PCB에 포함된 반도체 소자 사이의 간격이 좁아지면서 반도체 소자 상호간 전자파 간섭에 의한 에러가 발생할 수밖에 없다. 이러한 소자간 전자파 간섭을 억제하기 위하여, 소자 차폐용 캡(CAP)을 씌우는 방법이나 EMI 스퍼터링 기술에 의하여 소자의 외면에 차폐용 금속코팅을 형성하는 기술이 개발 및 도입되었다. On the other hand, in the mobile field, in order to increase the battery life, the demand to increase the size of the battery and the demand to reduce the size of the terminal at the same time meet the demand to relatively reduce the size of the PCB occupied by the terminal. If the size of the PCB is reduced, the gap between the semiconductor devices included in the PCB is narrowed, and errors due to electromagnetic interference between the semiconductor devices inevitably occur. In order to suppress electromagnetic interference between devices, a technology for forming a shielding metal coating on the outer surface of the device by a method of covering a device shielding cap (CAP) or an EMI sputtering technology has been developed and introduced.

이 중에서 스퍼터링에 의한 차폐용 금속 코팅 기술은 반도체 소자의 접속단자를 제외한 전체 외면에 전자파 차폐를 위한 금속 박막을 스퍼터링 공정을 통해 형성하는 것을 지칭한다. BGA 반도체 패키지의 경우, 전자파 차폐를 위한 스퍼터링 공정시 접속단자에 영향을 주지 않도록 하는 방법으로서, 반도체 패키지 크기의 구멍이 형성된 테이프에 반도체 패키지를 수납하여 패키지의 상부면만 노출시켜 스퍼터링을 적용하는 방법(등록특허 제10-1662068호 참조)이 제안된 바 있으나, 테이프에 구멍을 형성하는데 비용이 과다하게 발생할 뿐만 아니라, 구멍에 반도체 패키지를 정확하게 배치하지 못하였을 때에 스퍼터링에 의한 박막이 불량하게 증착되는 문제가 있다. Among them, the metal coating technology for shielding by sputtering refers to forming a metal thin film for shielding electromagnetic waves on the entire outer surface of the semiconductor device except for the connection terminal through a sputtering process. In the case of a BGA semiconductor package, it is a method of not affecting the connection terminals during the sputtering process for shielding electromagnetic waves.The method of applying sputtering by placing the semiconductor package in a tape with holes the size of a semiconductor package and exposing only the upper surface of the package ( Patent Registration No. 10-1662068) has been proposed, but not only incurs excessive cost to form a hole in the tape, but also a problem in which a thin film due to sputtering is poorly deposited when the semiconductor package is not correctly placed in the hole. There is.

대한민국 등록특허공보 제10-1662068호(2016.10.04)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1662068 (2016.10.04)

따라서, 본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 돌출전극을 구비한 반도체 패키지 제조공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention is to solve the conventional problem, for a semiconductor package manufacturing process capable of protecting the lower surface of the semiconductor package and the plurality of protruding electrodes formed on the lower surface of the semiconductor package during the manufacturing process of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes. An object thereof is to provide an adhesive tape and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 소정의 제조공정을 완료한 후 잔류물없이 손쉽게 반도체 패키지로부터 분리할 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, another object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process and a method for manufacturing the same that can be easily separated from a semiconductor package without residue after completing a predetermined manufacturing process.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem of the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서, 부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 금속원소가 함유된 기저필름; 상기 기저필름 상에 형성되어 분자구조가 나선형 망상구조를 갖고 실리콘이 함유된 접착층; 및 상기 접착층 상에 부착된 불소가 함유된 이형필름을 포함하는 접착 테이프가 제공된다. According to an aspect of the present invention for achieving the objects of the present invention, in the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process attached to a lower surface of a semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed, when attached, corresponding to the lower surface topology of the semiconductor package A base film containing a metal element so that the shape is deformed so as to independently maintain the shape deformed between processes; An adhesive layer formed on the base film to have a helical network structure and contain silicon; And there is provided an adhesive tape comprising a release film containing fluorine adhered on the adhesive layer.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함할 수 있고, 상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 가질 수 있다. In the present invention, it may further include an intermediate layer inserted between the base film and the adhesive layer to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer, the intermediate layer is 0.2 g/m 2 to 0.5 on the base film. It may have a basis weight in the range of g/m 2 .

본 발명에 있어서, 상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive layer may further include a protective layer formed on the other surface opposite to one surface of the base film on which the adhesive layer is formed and having a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, and the protective layer is a coating layer containing silicon or It may include a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf / 25mm to 30 gf / 25mm.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있고, 상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다. In the present invention, the base film may contain at least 99 wt% or more of aluminum (Al), and the aluminum-containing base film has a tensile strength in the range of 6 kgf/mm 2 to 12 kgf/mm 2 and 8% It may have an elongation in the range of to 16%.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다. In the present invention, the base film may contain at least 99 wt% or more of copper (Cu), and the base film containing copper has a tensile strength in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 and 4% It may have an elongation in the range of to 12%.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있다. In the present invention, the base film has a thickness in the range of 10 µm to 35 µm, and the thickness may decrease within a set range as the size of the protruding electrode increases, and the set range as the distance between the protruding electrodes increases. The thickness can be increased within.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 광택면 및 상기 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 상기 접착층은 상기 무광택면 상에 형성될 수 있다. In the present invention, the base film has a glossy surface and a matte surface opposite to the glossy surface, and the adhesive layer may be formed on the matte surface.

본 발명에 있어서, 상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다. In the present invention, the adhesive layer has a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, and the thickness may increase within a set range as the size of the protruding electrodes increases, and within the set range as the distance between the protruding electrodes increases. The thickness can be reduced in

본 발명에 있어서, 상기 접착층은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. In the present invention, the adhesive layer may include a mixture of trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene, and 200 gf/25mm to 300 gf/ It can have an adhesive strength in the range of 25mm.

본 발명에 있어서, 상기 이형필름은 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. In the present invention, the release film may have an adhesive strength in the range of 3 gf/25mm to 8 gf/25mm.

상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서, 부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및 상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 분자구조가 나선형 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하는 접착 테이프가 제공된다. According to another aspect of the present invention for achieving the objects of the present invention, in an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process attached to a lower surface of a semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed, when attached, the lower surface topology of the semiconductor package A base film containing more than 99 wt% of metal elements so as to be modified in shape to correspond to and independently maintain the modified shape between processes; And an adhesive layer containing silicon formed on the base film and adhered to correspond to a topology under the semiconductor package, wherein the adhesive layer comprises an adhesive composition having a spiral network structure, and the adhesive composition is trimethyl There is provided an adhesive tape including an adhesive subject in which trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene are mixed.

본 발명에 있어서, 상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께 및 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 갖고, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다.In the present invention, the adhesive layer has a thickness in the range of 10 μm to 50 μm and an adhesive force in the range of 200 gf/25mm to 300 gf/25mm, and the thickness may increase within a set range as the size of the protruding electrode increases. , As the distance between the protruding electrodes increases, the thickness may decrease within a set range.

본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.8 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 접착주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive composition may further include 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.5 to 1.8 parts by weight of a catalyst based on 100 parts by weight of the adhesive subject, and the adhesive subject is xylene (Xylene), trimethylated silica, ethylbenzene and siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083) -19-2) may include a mixed mixture.

본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:5 내지 99:1 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제2주제는 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive composition includes 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 100 parts by weight of the adhesive subject in which the first and second subjects are mixed in a ratio of 95:5 to 99:1. 0.5 to 1.5 parts by weight of a catalyst may be further included, and the first subject is xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicon, di-methyl, vinyl group-mal It may include a mixture of shoes (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), and the second subject is siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group- Termination (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2) and 1-Ethynylcyclohexanol (CAS No. 78-27-3) are mixed. It may contain mixtures.

본 발명에 있어서, 상기 가교제는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 앵커리지 첨가제는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 촉매제는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. In the present invention, the crosslinking agent may include a mixture of heptane, siloxane, silicon, and methyl hydrogen (Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2), and the anchorage additive is Trimethoxy[3-(oxyranylmethoxy)propyl]silane (Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), trimethoxy[(3-oxiranylmethoxy)propyl]- )Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-] propyl] silane bonded to siloxanes and silicones, di-methyl, di-vinyl, hydroxy-terminated reaction products oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), methanol (Methanol) and divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane (Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9) may be a mixture of a mixture, the catalyst is platinum, 1, 3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes (Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), with siloxane Silicon, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), Tetramethyldivinyldisiloxane (CAS No. 2627-95) -4) and a mixture of siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8).

본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive composition may further include 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the adhesive subject in which the third and fourth subjects are mixed in a ratio of 50:50 to 80:20, and the agent The three main topics are xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated reaction products of chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol and sodium silicate (Siloxanes). and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0), and the fourth topic Is toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), Xylene, and trimethylray. A mixture of trimethylated silica and ethylbenzene may be included, and the polymerization initiator may include benzoyl peroxide.

본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있고, 상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive composition may further include 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the adhesive subject in which the third and fifth subjects are mixed in a ratio of 50:50 to 80:20, and the agent The three main topics are xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated reaction products of chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol and sodium silicate (Siloxanes). and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0), and the fourth topic Is toluene, siloxane and silicone, di-methyl, methyl vinyl, vinyl group-terminated (CAS No. 68083-18-1), xylene (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1) Xylene), trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) and 1-Ethynylcyclohexanol (1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3) may be included in a mixture, the polymerization initiator is benzoyl peroxide (Benzoyl Peroxide ) Can be included.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함할 수 있고, 상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 갖고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. In the present invention, it may further include an intermediate layer inserted between the base film and the adhesive layer to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer, the intermediate layer is 0.2 g/m 2 to 0.5 on the base film. Toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8) with a basis weight in the range of g/m 2 , Xylene, trimethylated silica, and ethylbenzene may be mixed.

본 발명에 있어서, 상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다. In the present invention, the adhesive layer may further include a protective layer formed on the other surface opposite to one surface of the base film on which the adhesive layer is formed and having a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, and the protective layer is a coating layer containing silicon or It may include a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf / 25mm to 30 gf / 25mm.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름의 금속원소는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있고, 상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다. In the present invention, the metal element of the base film may include aluminum (Al), and the base film containing aluminum has a tensile strength in the range of 6 kgf/mm 2 to 12 kgf/mm 2 and 8% to 16 It can have an elongation in the% range.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름의 금속원소를 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다. In the present invention, the metal element of the base film may include copper (Cu), and the base film containing copper has a tensile strength in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 and 4% to 12 It can have an elongation in the% range.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있다. In the present invention, the base film has a thickness in the range of 10 µm to 35 µm, and the thickness may decrease within a set range as the size of the protruding electrode increases, and the set range as the distance between the protruding electrodes increases. The thickness can be increased within.

상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 광택면 및 상기 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 알루미늄 또는 구리가 99 wt% 이상 함유된 기저필름을 준비하는 단계; 분자구조가 나선형 망상구조를 갖는 실리콘이 함유된 접착 조성물을 제조하는 단계; 상기 접착 조성물을 열적 평형상태에서 안정화시키는 단계; 콤마 코터를 이용하여 상기 기저필름의 무광택면 상에 안정화된 상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층에 대한 1차 건조 열처리를 제1시간동안 진행하는 단계; 상기 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 2차 건조 열처리를 상기 제1시간동안 진행하는 단계; 상기 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 3차 건조 열처리를 상기 제1시간보다 긴 제2시간동안 진행하는 단계; 상온에서 상기 접착층을 경화 및 안정화시키는 단계; 및 상기 접착층 상에 불소가 함유된 이형필름을 부착하는 단계를 포함하는 접착 테이프 제조방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention for achieving the objects of the present invention, a base film having a glossy surface and a matte surface opposite to the glossy surface, and containing 99 wt% or more of aluminum or copper is prepared; Preparing an adhesive composition containing silicone having a helical network structure; Stabilizing the adhesive composition in a thermal equilibrium state; Forming an adhesive layer by applying the stabilized adhesive composition on the matte surface of the base film using a comma coater; Performing a first drying heat treatment on the adhesive layer for a first time; Performing a second dry heat treatment on the adhesive layer at a higher temperature than the first dry heat treatment for the first time; Performing a third dry heat treatment on the adhesive layer at a higher temperature than the second dry heat treatment for a second time longer than the first time; Curing and stabilizing the adhesive layer at room temperature; And there is provided an adhesive tape manufacturing method comprising the step of attaching a release film containing fluorine on the adhesive layer.

본 발명에 있어서, 상기 기저필름을 준비하는 단계에서, 상기 기저필름의 광택면 상에 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함할 수 있다. In the present invention, in the step of preparing the base film, it may further include forming a protective layer having a thickness in the range of 10 μm to 50 μm on the glossy surface of the base film, and the protective layer is silicon It may include a coating layer or a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf/25mm to 30 gf/25mm.

본 발명에 있어서, 상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름의 무광택면 상에 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 갖는 중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the present invention, before the step of forming an adhesive layer by applying the adhesive composition, in order to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer, the range of 0.2 g/m2 to 0.5 g/m2 on the matte surface of the base film It may further include forming an intermediate layer having a basis weight of.

본 발명에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.The adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process and a method of manufacturing the same according to the present invention provides the following effects.

먼저, 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프는 기저필름과 접착층이 순차적으로 적층된 매우 단순한 구조를 갖기 때문에 생산성 및 가격경쟁력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. First, since the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to the present invention has a very simple structure in which a base film and an adhesive layer are sequentially stacked, there is an effect of improving productivity and price competitiveness.

또한, 기저필름이 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 금속원소를 함유하고 있기 때문에 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성 및 유지특성을 용이하게 확보할 수 있는 효과가 있다. 아울러, EMI 차폐층 형성을 위한 스퍼터링 공정시 금속원소를 함유하는 기저필름이 그라운드로 작용하여 스퍼터링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, when the base film is a semiconductor package, the shape is deformed to correspond to the topology, and since it contains metal elements to independently maintain the shape that has been deformed between processes, an adhesive tape for semiconductor package manufacturing processes used in the process of forming an EMI shielding layer. There is an effect of easily securing the adhesive properties and retention properties required in the. In addition, during the sputtering process for forming the EMI shielding layer, the base film containing the metal element acts as a ground, thereby improving the stability of the sputtering process.

또한, 기저필름이 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 매우 얇은 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지할 수 있는 효과가 있다. In addition, since the base film has a very thin thickness in the range of 10 μm to 35 μm, there is an effect of effectively maintaining the stress balance in response to the topology of the bottom surface of the semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed.

또한, 접착층이 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 에틸벤젠이 혼합된 접착주제를 포함함으로써, EMI 차폐층 형성공정시 발생되는 열에 의한 물성 변형이 없고 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 용이하게 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the adhesive layer contains an adhesive theme in which trimethylated silica, dimethylsiloxane copolymer, and ethylbenzene are mixed, there is no physical property modification due to heat generated during the EMI shielding layer formation process, and adhesion required in the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process. There is an effect of easily securing characteristics, retention characteristics, separation characteristics and stress characteristics.

또한, 접착층이 실록산 결합을 기본 골격으로 나선형 망상구조를 가짐으로써, 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 반도체 패키지와 접착 테이프 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the adhesive layer has a helical network structure based on a siloxane bond as a basic skeleton, even if a void occurs between the semiconductor package and the adhesive tape in the area where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode contact, the manufacturing process (especially, the process in a high vacuum environment) City) It has the effect of preventing excessive expansion of the void.

또한, 접착층이 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 매우 얇을 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 용이하고, 부착시 반도체 패키지의 가장자리 측면으로 접착층이 밀려올라가는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the adhesive layer has a very thin thickness in the range of 10 μm to 50 μm, it is easy to adhere and adhere according to the topology of the bottom surface of a semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed, and when attaching, the adhesive layer is pushed to the edge of the semiconductor package. There is an effect that can prevent.

또한, 반도체 패키지의 돌출전극 사이즈 및 간격에 대응하여 최적화된 접착층의 접착 조성물, 접착층의 두께 및 기저필름의 두께를 제공함에 따라 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 보다 효과적으로 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, as the adhesive composition of the adhesive layer, the thickness of the adhesive layer, and the thickness of the base film are optimized in response to the size and spacing of the protruding electrode of the semiconductor package, it is required in the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process used in the EMI shielding layer There is an effect of more effectively securing adhesive properties, retention properties, separation properties, and stress properties.

또한, 종래의 반도체 패지지의 EMI 차폐층 형성공정 대비 공정스탭 및 소모품의 소비를 감소시킬 수 있기 때문에 반도체 패키지의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, since it is possible to reduce the consumption of process steps and consumables compared to the conventional process of forming an EMI shielding layer of a semiconductor package, there is an effect of improving the productivity of the semiconductor package.

또한, 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성된 보호층을 구비함으로써, 공정간 기저필름의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, by providing a protective layer formed on the other surface opposite to one surface of the base film on which the adhesive layer is formed, it is possible to prevent damage to the base film between processes, thereby improving the yield of the semiconductor package manufacturing process.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 실제 반도체 패키지 하면에 접착된 모습을 나타낸 이미지이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a schematic view showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a shape in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention is adhered to a lower surface of a semiconductor package.
3 is an image showing a state in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention is actually bonded to a lower surface of a semiconductor package.
4 is a diagram schematically showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing a shape in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention is adhered to a lower surface of a semiconductor package.
7 is a schematic view showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating a shape in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention is adhered to a lower surface of a semiconductor package.
9 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an adhesive tape for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.Since the description of the present invention is merely an embodiment for structural or functional description, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described in the text. That is, since the embodiments can be variously changed and have various forms, the scope of the present invention should be understood to include equivalents capable of realizing the technical idea. In addition, since the object or effect presented in the present invention does not mean that a specific embodiment should include all of them or only those effects, the scope of the present invention should not be understood as being limited thereto.

한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of terms described in the present application should be understood as follows.

"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as "first" and "second" are used to distinguish one component from other components, and the scope of rights is not limited by these terms. For example, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being "connected" to another component, it should be understood that although it may be directly connected to the other component, another component may exist in the middle. On the other hand, when it is mentioned that a certain component is "directly connected" to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. On the other hand, other expressions describing the relationship between the constituent elements, that is, "between" and "just between" or "neighboring to" and "directly neighboring to" should be interpreted as well.

단수의 표현은 문맥상 명백히 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Singular expressions are to be understood as including plural expressions unless the context clearly indicates otherwise, and terms such as “comprise” or “have” refer to implemented features, numbers, steps, actions, components, parts, or It is to be understood that it is intended to designate that a combination exists and does not preclude the presence or addition of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof.

각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.In each step, the identification code (for example, a, b, c, etc.) is used for convenience of explanation, and the identification code does not describe the order of each step, and each step has a specific sequence clearly in context. Unless otherwise stated, it may occur differently from the stated order. That is, each of the steps may occur in the same order as specified, may be performed substantially simultaneously, or may be performed in the reverse order.

여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.All terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the field to which the present invention belongs, unless otherwise defined. Terms defined in commonly used dictionaries should be construed as having meanings in the context of related technologies, and cannot be construed as having an ideal or excessive formal meaning unless explicitly defined in the present application.

본 명세서에서 CAS No.에 따른 물질의 명칭은 화학물질종합정보시스템(URL : https://icis.me.go.kr/)에서 제공하는 명칭을 사용하기로 한다. In this specification, the name of the substance according to CAS No. shall be the name provided by the Chemical Substance Information System (URL: https://icis.me.go.kr/).

후술하는 본 발명의 실시예는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 제공하기 위한 것으로, 더욱 상세하게는 BGA(Ball Grid Array), LGA(Land Grid Array)와 같이 복수의 돌출전극을 구비하는 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성공정시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출전극을 보호할 수 있는 반도체 패키지용 접착 테이프 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. An embodiment of the present invention to be described later is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes such as a ball grid array (BGA) and a land grid array (LGA). The purpose of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package capable of protecting a plurality of protruding electrodes formed on a lower surface of a semiconductor package and a plurality of protruding electrodes formed on the lower surface of a semiconductor package during a process of forming an electromagnetic interference (EMI) shielding layer, and a manufacturing method thereof.

통상적으로, EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프는 접착특성(adhesion characteristic), 유지특성(retention characteristic), 분리특성(remove characteristic) 및 응력특성(stress characteristic)을 확보할 필요성이 있다. Typically, the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process used in the process of forming an EMI shielding layer needs to secure an adhesion characteristic, a retention characteristic, a remove characteristic, and a stress characteristic. There is this.

먼저, 접착특성 측면에서 살펴보면 접착 테이프의 기저필름 및 접착층은 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 공극이 발생하지 않도록 돌출전극의 사이즈(예컨대, 직경 또는 높이)에 관계없이 돌출전극 및 돌출전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지(topology)에 대응하여 접착 및 밀착이 가능하여야 한다. 아울러, EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정환경 예컨대, 고온 및 고진공 환경에서 돌출전극을 밀어내지 않고 잘 붙어 있어야 한다.First, in terms of adhesive properties, the base film and the adhesive layer of the adhesive tape are protruding electrodes and protruding electrodes regardless of the size (e.g., diameter or height) of the protruding electrode so that voids do not occur in the area where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode contact. It should be possible to adhere and adhere to the bottom surface of the semiconductor package including the topology corresponding to the topology. In addition, in a process environment for forming the EMI shielding layer, for example, in a high temperature and high vacuum environment, the protruding electrode must be adhered well without pushing out.

다음으로, 유지특성 측면에서 살펴보면, EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정조건하에서 자체 변성이나, 변형, 변색 및 아웃개싱(outgassing) 없이 원형 형태를 유지함과 동시에 공정간 가스 및 파티클이 접착 테이프와 반도체 패키지 접착면 사이로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 접착성 및 밀폐성을 유지할 수 있어야 한다. 아울러, 반도체 패키지의 하면과 돌출전극이 접하는 영역에서 공극이 발생할 경우 공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있어야 한다. Next, looking at the retention characteristics, under the process conditions for forming the EMI shielding layer, it maintains the circular shape without self-denaturing, deformation, discoloration, and outgassing, and gas and particles between processes are adhered to the adhesive tape and semiconductor package. It must be able to maintain adhesiveness and airtightness to prevent penetration between the adhesive surfaces. In addition, when a void occurs in a region where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode contact each other, it should be possible to prevent the void from excessively expanding between processes (especially during a process in a high vacuum environment).

다음으로, 분리특성 측면에서 살펴보면, EMI 차폐층을 형성공정을 완료한 후 상온 및 대기압 상태에서 반도체 패키지로부터 접착 테이프를 분리했을 때, 적은 힘으로도 쉽게 분리됨과 동시에 반도체 패키지의 하면 및 돌출전극의 표면에 접착물질이 잔류하지 않아야 한다. 특히, 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비를 통해 용이하게 분리가 가능한 접착력을 구비하여야 하고, 자동화 설비에서 사용되는 진공척(vacuum chuck) 또는 리프트핀(lift pin)에 의하여 구멍이 생기거나, 찢어지지 않아야 한다. 통상적으로, 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 반도체 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비의 최대 인내 장력은 500 gf/25mm 내외이기 때문에 접착 테이프는 이보다 낮은 접착력을 갖는 것이 분리특성 측면에서 바람직하다 할 것이다. Next, in terms of separation characteristics, when the adhesive tape is separated from the semiconductor package at room temperature and atmospheric pressure after completing the process of forming the EMI shielding layer, it is easily separated with little force, and at the same time, the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode No adhesive material should remain on the surface. In particular, it must have an adhesive force that can be easily separated through an automated facility that automatically separates the semiconductor package (or chip) from the adhesive tape, and is applied to a vacuum chuck or lift pin used in an automated facility. There should be no holes or tears. Typically, the maximum endurance tension of an automated facility that automatically separates a semiconductor package (or semiconductor chip) from an adhesive tape is around 500 gf/25mm, so it would be preferable in terms of separation characteristics that an adhesive tape has a lower adhesive strength.

그리고, 응력특성은 EMI 차폐층 형성공정시 접착 테이프 상에 복수의 반도체 패키지 즉, 반도체 칩이 안착 및 접착되기 때문에 인접한 반도체 칩 사이의 간격을 유지한 상태에서 EMI 차폐층 형성공정을 진행할 수 있도록 적정 수준의 인장응력 및 압축응력을 확보하여야 한다. 즉, 접착 테이프는 팽팽히 펴진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 돌출전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형(stress balance)을 유지할 수 있어야 한다.In addition, the stress characteristic is appropriate to proceed with the EMI shielding layer formation process while maintaining the gap between adjacent semiconductor chips because a plurality of semiconductor packages, i.e., semiconductor chips, are mounted and adhered on the adhesive tape during the EMI shielding layer formation process. The level of tensile and compressive stress should be secured. That is, the adhesive tape must be able to stably maintain the stretched state and maintain a stress balance corresponding to the topology of the bottom surface of the semiconductor package including the protruding electrode.

따라서, 후술하는 본 발명의 실시예는 반도체 제조공정 특히, EMI 차폐층 형성공정시 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 충족시킬 수 있는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 제공한다. 이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 접착 테이프는 생산성 및 가격경쟁력을 확보하기 위해 기저필름과 접착층이 적층된 단순한 구조를 가질 수 있다. 접착층은 내화학성, 내열성 및 내한성을 유지함과 동시에 아웃개싱이 없고, 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지 하면의 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 가능한 두께를 가지며, 돌출전극의 함침을 위해 부드럽고 변성이 없으며, 탈착시 잔류물이 전사되지 않도록 실리콘 소재로 구성될 수 있다. 그리고, 기저필름은 반도체 패키지 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 피착면의 토폴로지에 대응하여 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 스스로 유지할 수 있으며, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 발생하지 않도록 금속 소재로 구성될 수 있다. Accordingly, an embodiment of the present invention to be described later provides an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process capable of satisfying the adhesive properties, retention properties, separation properties and stress properties required during the semiconductor manufacturing process, in particular, the EMI shielding layer forming process. To this end, the adhesive tape for a semiconductor package according to an embodiment of the present invention may have a simple structure in which a base film and an adhesive layer are stacked in order to secure productivity and price competitiveness. The adhesive layer maintains chemical resistance, heat resistance, and cold resistance, has no outgassing, has a thickness that can be adhered and adhered according to the topology of the bottom of the semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed, and is soft and non-denatured for impregnation of the protruding electrodes. It can be made of a silicone material so that the residue is not transferred during desorption. In addition, the base film can stably maintain the tensioned state without stretching between the semiconductor package manufacturing processes, and at the same time, its shape can be deformed in response to the topology of the adherend surface, and the shape can be self-maintained between processes, high temperature and high vacuum. It can be made of a metal material so that degeneration and deformation do not occur in the environment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지용 접착 테이프에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an adhesive tape for a semiconductor package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 실제 반도체 패키지 하면에 접착된 모습을 나타낸 이미지이다. 1 is a schematic view showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a shape in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention is adhered to a lower surface of a semiconductor package. It is a diagram showing. In addition, FIG. 3 is an image showing a state in which an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention is actually bonded to a lower surface of a semiconductor package.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 기저필름(110), 기저필름(110) 상에 형성되고 실리콘이 함유된 접착층(120) 및 접착층(120) 상에 형성되고 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 이형필름(190)은 반도체 패키지 제조공정을 진행하기 전까지 접착 테이프(100)의 접착층(120)을 보호하기 위한 것으로, 제조공정시 접착층(120)으로부터 이형필름(190)을 분리할 수 있다. 접착층(120)은 반도체 패키지(300)의 하면에 접하고, 반도체 패키지(300)의 하면에 형성된 복수의 돌출전극(310)은 접착층(120)에 의해 감싸진 형태를 가질 수 있다. 참고로, 도면에 도시하지는 않았지만, EMI 차폐층은 반도체 패키지(300)의 상면 및 측면 상에 형성될 수 있다.1 to 3, the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention is formed on the base film 110, the base film 110, and an adhesive layer containing silicon ( 120) and a release film 190 formed on the adhesive layer 120 and containing fluorine. The release film 190 is to protect the adhesive layer 120 of the adhesive tape 100 until the semiconductor package manufacturing process proceeds, and the release film 190 may be separated from the adhesive layer 120 during the manufacturing process. The adhesive layer 120 may be in contact with the lower surface of the semiconductor package 300, and the plurality of protruding electrodes 310 formed on the lower surface of the semiconductor package 300 may have a shape wrapped by the adhesive layer 120. For reference, although not shown in the drawings, the EMI shielding layer may be formed on the top and side surfaces of the semiconductor package 300.

본 실시예에 따른 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지할 수 있으며, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 발생하지 않은 소재로 구성될 수 있다. 특히, 기저필름(110)은 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있다. 이를 위해, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 금속원소를 포함할 수 있다. The base film 110 according to the present embodiment stably maintains the tensioned state without stretching between the manufacturing processes of the semiconductor package 300 and at the same time responds to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 in which a plurality of protruding electrodes 310 are formed. Thus, the stress balance can be maintained, and it can be made of a material that does not undergo degeneration or deformation in a high temperature and high vacuum environment. In particular, when the base film 110 is attached, its shape may be modified to correspond to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300, and the modified shape between processes may be independently maintained. To this end, the base film 110 may include 99 wt% or more of metal elements.

일례로, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 아울러, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 알루미늄과 더불어서 기저필름(110)의 특성 예컨대, 인장강도(tensile strength) 및 연신율(elongation)을 제어하기 위해 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)은 99.35 wt% 이상의 알루미늄, 0.15 wt% 이하의 실리콘, 0.42 wt% 이하의 철, 0.05 wt% 이하의 구리, 0.05 wt% 이하의 망간, 0.05 wt% 이하의 마그네슘, 0.1 wt% 이하의 아연, 0.06 wt% 이하의 티타늄을 포함할 수 있다. 여기서, 99.35 wt% 이상의 알루미늄은 99.35 wt% 이상 및 100 wt% 미만의 중량비를 지칭하는 것일 수 있고, 0.15 wt% 이하의 실리콘은 0.15 wt% 이하 및 0 wt% 초과의 중량비를 지칭하는 것일 수 있다. 그 외, 철, 구리, 망간, 마그네슘, 아연 및 티타늄의 중량비 범위도 상술한 실리콘과 같이 해석할 수 있다.For example, the base film 110 may include 99 wt% or more of aluminum (Al). In addition, the base film 110 may include an additive of 1 wt% or less to control properties of the base film 110, such as tensile strength and elongation, in addition to 99 wt% or more of aluminum. . The additive may include any one or two or more selected from the group consisting of silicon (Si), iron (Fe), manganese (Mn), magnesium (Mg), zinc (Zn), and titanium (Ti). More specifically, the base film 110 is 99.35 wt% or more aluminum, 0.15 wt% or less silicon, 0.42 wt% or less iron, 0.05 wt% or less copper, 0.05 wt% or less manganese, 0.05 wt% or less magnesium , 0.1 wt% or less of zinc, 0.06 wt% or less of titanium may be included. Here, 99.35 wt% or more of aluminum may refer to a weight ratio of 99.35 wt% or more and less than 100 wt%, and 0.15 wt% or less of silicon may refer to a weight ratio of 0.15 wt% or less and more than 0 wt% . In addition, the range of weight ratios of iron, copper, manganese, magnesium, zinc, and titanium can also be interpreted as in the above-described silicon.

상술한 99 wt% 이상의 알루미늄이 함유된 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 적어도 6 kgf/mm2 이상의 인장강도 및 적어도 8% 이상의 연신율을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 99 wt% 이상의 알루미늄이 함유된 기저필름(110)은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도를 가질 수 있고, 8% 내지 16% 범위의 연신율을 가질 수 있다. 여기서, 인장강도가 6 kgf/mm2 미만인 경우에는 접착 테이프(100) 제조공정 및 반도체 패키지(300) 제조공정시 가해지는 외력에 의해 기저필름(110)이 끊어지거나, 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 12 kgf/mm2 초과인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있다. 그리고, 연신율이 8% 미만인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있고, 12% 초과인 경우에는 공정간 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어려울 수 있다. 한편, 기저필름(110)의 인장강도는 한국산업규격 KS B 0801 No. 5에 근거하여 측정된 것일 수 있고, 연실율은 한국산업규격 KS B 0802에 근거하여 측정된 것일 수 있다. The above-described base film 110 containing more than 99 wt% of aluminum is modified in shape to correspond to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 while stably maintaining the tensioned state without stretching between the manufacturing processes of the semiconductor package 300 It may be, and may have a tensile strength of at least 6 kgf/mm 2 or more and an elongation of at least 8% so as to independently maintain the deformed shape between processes. More specifically, the base film 110 containing 99 wt% or more of aluminum may have a tensile strength in the range of 6 kgf/mm 2 to 12 kgf/mm 2 , and may have an elongation in the range of 8% to 16%. . Here, when the tensile strength is less than 6 kgf/mm 2 , the base film 110 may be broken or torn due to an external force applied during the manufacturing process of the adhesive tape 100 and the manufacturing process of the semiconductor package 300. In the case of more than 12 kgf/mm 2 , it may be difficult to change the shape corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 300. In addition, when the elongation is less than 8%, it may be difficult to deform the shape corresponding to the bottom topology of the semiconductor package 300, and when it is more than 12%, it may be difficult to continuously maintain the deformed shape between processes. On the other hand, the tensile strength of the base film 110 was determined by the Korean Industrial Standard KS B 0801 No. It may be measured based on 5, and the annual room rate may be measured based on the Korean Industrial Standard KS B 0802.

다른 일례로, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 구리(Cu)을 포함할 수 있다. 아울러, 기저필름(110)은 99 wt% 이상의 구리과 더불어서 기저필름(110)의 특성 예컨대, 인장강도 및 연신율을 제어하기 위해 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)은 99.9 wt% 이상의 알루미늄, 0.1 wt% 이하의 아연을 포함할 수 있다. 여기서, 99.9 wt% 이상의 알루미늄은 99.9 wt% 이상 및 100 wt% 미만의 중량비를 지칭하는 것일 수 있고, 0.1 wt% 이하의 아연은 0.1 wt% 이하 및 0 wt% 초과의 중량비를 지칭하는 것일 수 있다. As another example, the base film 110 may include 99 wt% or more of copper (Cu). In addition, the base film 110 may include 99 wt% or more of copper, as well as an additive of 1 wt% or less to control properties of the base film 110, for example, tensile strength and elongation. The additive may include any one or two or more selected from the group consisting of silicon (Si), iron (Fe), manganese (Mn), magnesium (Mg), zinc (Zn), and titanium (Ti). More specifically, the base film 110 may include 99.9 wt% or more of aluminum and 0.1 wt% or less of zinc. Here, 99.9 wt% or more of aluminum may refer to a weight ratio of 99.9 wt% or more and less than 100 wt%, and 0.1 wt% or less of zinc may refer to a weight ratio of 0.1 wt% or less and more than 0 wt%. .

상술한 99 wt% 이상의 구리가 함유된 기저필름(110)은 반도체 패키지(300) 제조공정간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형될 수 있고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 적어도 10 kgf/mm2 이상의 인장강도 및 적어도 4% 이상의 연신율을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 99 wt% 이상의 구리가 함유된 기저필름(110)은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도를 가질 수 있고, 4% 내지 12% 범위의 연신율을 가질 수 있다. 여기서, 인장강도가 10 kgf/mm2 미만인 경우에는 접착 테이프(100) 제조공정 및 반도체 패키지(300) 제조공정시 가해지는 외력에 의해 기저필름(110)이 끊어지거나, 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 26 kgf/mm2 초과인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있다. 그리고, 연신율이 4% 미만인 경우에는 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어려울 수 있고, 12% 초과인 경우에는 공정간 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어려울 수 있다. 한편, 기저필름(110)의 인장강도는 한국산업규격 KS B 0801 No. 5에 근거하여 측정된 것일 수 있고, 연실율은 한국산업규격 KS B 0802에 근거하여 측정된 것일 수 있다. The above-described base film 110 containing more than 99 wt% of copper is modified in shape to correspond to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 while stably maintaining the tensioned state without stretching between the manufacturing processes of the semiconductor package 300 May have a tensile strength of at least 10 kgf/mm 2 or more and an elongation of at least 4% so as to independently maintain the deformed shape between processes. More specifically, the base film 110 containing 99 wt% or more of copper may have a tensile strength in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 , and may have an elongation in the range of 4% to 12%. . Here, when the tensile strength is less than 10 kgf/mm 2 , the base film 110 may be broken or torn due to an external force applied during the manufacturing process of the adhesive tape 100 and the manufacturing process of the semiconductor package 300. In the case of more than 26 kgf/mm 2 , it may be difficult to deform the shape corresponding to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300. In addition, when the elongation is less than 4%, it may be difficult to deform the shape corresponding to the bottom topology of the semiconductor package 300, and when it is more than 12%, it may be difficult to continuously maintain the deformed shape between processes. On the other hand, the tensile strength of the base film 110 was determined by the Korean Industrial Standard KS B 0801 No. It may be measured based on 5, and the annual room rate may be measured based on the Korean Industrial Standard KS B 0802.

또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력 향상, 균일한 두께 및 접착층(120)의 목표 두께를 용이하게 구현하기 위해 적어도 56 Dyne/cm 이상의 표면장력 및 0.4㎛ 이하의 표면거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 여기서, 표면장력 및 표면거칠기는 접착층(120)이 형성되는 기저필름(110)의 무광택면에 대한 것이며, 표면거칠기는 산술 평균 거칠기를 의미한다. 보다 구체적으로, 기저필름(110)의 56 Dyne/cm 내지 72 Dyne/cm 범위의 표면장력을 가질 수 있고, 0.3㎛ 내지 0.4㎛ 범위의 표면거칠기를 가질 수 있다. 여기서, 표면장력이 56 Dyne/cm 미만인 경우에는 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력이 저하되고 접착층(120)의 목표 두께를 구현하기 어려울 수 있으며, 72 Dyne/cm 초과하는 경우에는 균일한 두께의 접착층(120)을 형성하기 어려울 수 있다. 그리고, 표면거칠기가 0.3㎛ 미만인 경우에는 접착층(120)과 기저필름(110) 사이의 접착력이 저하될 수 있고, 0.4㎛ 초과인 경우에는 기저필름(110)의 인장강도 및 연신율을 저하시킬 수 있다. 기저필름(110)의 인장강도, 연신율 및 표면장력은 기저필름(110)을 구성하는 물질의 조성 즉, 99 wt% 이상의 금속원소 및 1 wt% 이하의 첨가물 함량(또는 중량비)을 조절하여 제어할 수 있다. In addition, the base film 110 according to the present embodiment is at least 56 Dyne/cm in order to easily implement the adhesion between the adhesive layer 120 and the base film 110, a uniform thickness, and a target thickness of the adhesive layer 120. It can have the above surface tension and the surface roughness (Ra) of 0.4㎛ or less. Here, the surface tension and the surface roughness refer to the matte surface of the base film 110 on which the adhesive layer 120 is formed, and the surface roughness refers to the arithmetic average roughness. More specifically, the base film 110 may have a surface tension in the range of 56 Dyne/cm to 72 Dyne/cm, and may have a surface roughness in the range of 0.3 μm to 0.4 μm. Here, if the surface tension is less than 56 Dyne/cm, the adhesion between the adhesive layer 120 and the base film 110 may be reduced, and it may be difficult to implement the target thickness of the adhesive layer 120, and if it exceeds 72 Dyne/cm It may be difficult to form the adhesive layer 120 having a uniform thickness. In addition, when the surface roughness is less than 0.3 μm, the adhesive strength between the adhesive layer 120 and the base film 110 may decrease, and when the surface roughness exceeds 0.4 μm, the tensile strength and elongation of the base film 110 may be reduced. . The tensile strength, elongation, and surface tension of the base film 110 can be controlled by adjusting the composition of the material constituting the base film 110, that is, 99 wt% or more of metal elements and 1 wt% or less of additive content (or weight ratio). I can.

한편, 통상적으로 기저필름(110)으로 사용되는 고분자 소재는 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylentherephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리올레핀(polyolefine, PO) 등은 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되나, 이는 접착층(120)에 기인한 것으로, 고분자 소재 독자적으로 형태가 변형된 것이 아니다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)이 복수의 금속원소를 포함하기 때문에 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 가능하고, 공정간 접착층(120)에 의하여 변형된 형태를 유지함과 동시에 기저필름(110) 스스로 변형된 형태를 유지할 수 있다. 이로써, 접착층(120)의 접착특성 및 유지특성을 더욱더 향상시킬 수 있다. 즉, 기저필름(110)이 공정간 접착층(120)이 돌출전극(310)으로부터 밀려나는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 다시 말해, 기저필름(120)이 접착층(120)의 접착력을 보완 및 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 통해, 소정의 공정이 완료된 이후 반도체 패키지(300)로부터 접착 테이프(100)의 분리가 용이하도록 접착층(120)의 접착력을 요구되는 접착력보다 낮게 설정하더라도, 기저필름(110)을 통해 이를 보완 및 상쇄시킬 수 있다.Meanwhile, a polymer material commonly used as the base film 110 is, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polyolefine (PO), etc. of the semiconductor package 300 when attached. The shape is deformed corresponding to the topology of the lower surface, but this is due to the adhesive layer 120, and the shape of the polymer material is not independently deformed. However, in the adhesive tape 100 according to the embodiment of the present invention, since the base film 110 includes a plurality of metal elements, the shape can be changed corresponding to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300, and the adhesive layer ( While maintaining the shape deformed by 120), the base film 110 itself can maintain the deformed shape. Accordingly, it is possible to further improve the adhesion and retention characteristics of the adhesive layer 120. That is, the base film 110 may play a role of preventing the adhesive layer 120 from being pushed out of the protruding electrode 310 between processes. In other words, the base film 120 may serve to supplement and improve the adhesion of the adhesive layer 120. Through this, even if the adhesive force of the adhesive layer 120 is set lower than the required adhesive force to facilitate separation of the adhesive tape 100 from the semiconductor package 300 after a predetermined process is completed, it is supplemented through the base film 110 and Can be offset.

또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 기저필름(110)의 두께가 10㎛ 미만은 경우에는 사용자가 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어렵고, 이형필름(190) 쉽게 제거하기 어려울 수 있다. 반면에, 기저필름(110)의 두께가 35㎛를 초과하는 경우에는 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면의 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어렵고, 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있다. 참고로, 응력 균형을 유지하지 못하는 경우 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 접착한 후, 반도체 패키지(300)와 접착층(120) 사이의 반발력이 증가하기 때문에 반도체 패키지(300)와 접착층(120) 사이의 접착력 및 밀착력을 저하시키는 원인으로 작용할 수 있다. In addition, the base film 110 according to the present embodiment may have a thickness in the range of 10 μm to 35 μm. If the thickness of the base film 110 is less than 10 μm, it is very difficult for the user to handle the adhesive tape 100, and the release film 190 may be difficult to easily remove. On the other hand, when the thickness of the base film 110 exceeds 35 μm, it may be difficult to change shape and maintain a stress balance in response to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 on which a plurality of protruding electrodes 310 are formed. have. For reference, if the stress balance cannot be maintained, after the adhesive tape 100 is adhered to the semiconductor package 300, the repulsive force between the semiconductor package 300 and the adhesive layer 120 increases, so that the semiconductor package 300 and the adhesive layer It can act as a cause of lowering the adhesion and adhesion between (120).

또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)에 기인한 접착 테이프(100)의 특성을 더욱더 향상시키기 위해 돌출전극(310)의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 기저필름(110)의 두께가 감소할 수 있다. 반면에, 돌출전극(310) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 기저필름(110)의 두께가 증가할 수 있다. 이는, 기저필름(110)이 독자적으로 형태 변형 및 변형된 형태 유지가 가능하기 때문에 접착층(120)과 더불어서 돌출전극(310)의 사이즈 및 간격 변화에 대응하여 두께를 조절하는 것으로 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)의 응력특성, 접착특성 및 유지특성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.In addition, in order to further improve the properties of the adhesive tape 100 due to the base film 110 according to the present embodiment, the thickness of the base film 110 decreases within a set range as the size of the protruding electrode 310 increases. can do. On the other hand, as the distance between the protruding electrodes 310 increases, the thickness of the base film 110 may increase within a set range. This is to adjust the thickness in response to the change in size and spacing of the protruding electrode 310 together with the adhesive layer 120 because the base film 110 can independently deform and maintain the deformed shape. The stress characteristics, adhesive characteristics, and retention characteristics of the adhesive tape 100 may be more effectively improved.

또한, 본 실시예에 따른 기저필름(110)은 광택면 및 광택면에 대향하는 무광택면을 가질 수 있고, 접착층(120)은 무광택면 상에 형성될 수 있다. 이는, 광택면 대비 무광택면의 표면 거칠기가 더 크기 때문에 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있기 때문이다. In addition, the base film 110 according to the present embodiment may have a glossy surface and a matte surface opposite to the glossy surface, and the adhesive layer 120 may be formed on the matte surface. This is because the surface roughness of the matte surface is greater than that of the glossy surface, so that the adhesion between the base film 110 and the adhesive layer 120 can be more effectively improved.

한편, 통상적으로 기저필름(110)으로 사용되는 고분자 소재는 접착층(120)으로 사용된 실리콘 소재는 특유의 화학적 안정성으로 인해 이종 물질과의 혼합, 교반 및 접착이 용이하지 않기 때문에 고분자 소재와 접착력이 낮아 들뜸 현상이 발생하거나, 접착층(120)이 피착면으로 전사되는 형태의 불량이 발생할 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 기저필름(110) 일면에 대해 별도의 표면처리를 진행해야만 했었다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 기저필름(110)은 복수의 금속원소를 포함하기 때문에 실리콘이 함유된 접착층(120)과 높은 접착력을 가지며, 별도의 표면처리를 필요로하지 않는다는 장점이 있다. 즉, 고분자 소재의 기저필름(110) 대비 생산단가 및 수율을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the polymer material commonly used as the base film 110 is difficult to mix, agitate, and adhere to a heterogeneous material due to its unique chemical stability. It may be low, causing a lifting phenomenon, or a defect in the form of transferring the adhesive layer 120 to the adherend. Therefore, in order to prevent this, a separate surface treatment had to be performed on one side of the base film 110. However, since the base film 110 according to the embodiment of the present invention includes a plurality of metal elements, it has a high adhesion to the adhesive layer 120 containing silicon, and does not require a separate surface treatment. In other words, it is possible to improve the production cost and yield compared to the base film 110 made of a polymer material.

본 실시예에 따른 접착층(120)은 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 최대한 일정한 두께를 유지하면서 반도체 패키지(300) 하면 토폴로지를 따라 접착된 형태를 가질 수 있다. 또한, 접착층(120)은 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 빈틈없이 접착이 가능하도록 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 접착층(120)의 두께가 10㎛ 미만인 경우에는 필요로하는 접착력을 확보하기 어려울 수 있고(접착력은 접착층(120)의 두께에 비례함), 50㎛를 초과하는 경우에는 공정완료 후 접착 테이프(100)의 제거하기 어렵거나, 부착시 눌림 압력에 의해 반도체 패키지(300)의 측면으로 접착층(120)이 밀려나와 EMI 차폐층의 증착 불량을 야기할 수 있다. 이처럼, 접착층(120)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있고, 이를 통해 접착층(120) 내에서의 응력 균형을 유지하여 접착특성 및 유지특성을 향상시킬 수 있으며, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The adhesive layer 120 according to the present embodiment may have a shape adhered according to the topology when the semiconductor package 300 maintains a constant thickness as much as possible along the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 on which the plurality of protruding electrodes 310 are formed. have. In addition, the adhesive layer 120 may have a thickness in the range of 10 μm to 50 μm so that it can be adhered seamlessly according to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 on which the protruding electrode 310 is formed. Here, if the thickness of the adhesive layer 120 is less than 10 μm, it may be difficult to secure the required adhesive force (adhesive force is proportional to the thickness of the adhesive layer 120), and if it exceeds 50 μm, the adhesive tape after completion of the process It may be difficult to remove the 100, or the adhesive layer 120 may be pushed out to the side of the semiconductor package 300 due to a pressing pressure during attachment, resulting in poor deposition of the EMI shielding layer. As such, the adhesive layer 120 may have a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, and through this, the stress balance in the adhesive layer 120 can be maintained to improve adhesive properties and retention properties, and the semiconductor package 300 It is possible to prevent a void from being generated between the semiconductor package 300 and the adhesive tape 100 in a region where the lower surface of the surface and the protruding electrode 310 are in contact.

또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖되, 돌출전극(310)의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가할 수 있고, 돌출전극(310) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소할 수 있다. 돌출전극(310)의 사이즈 및 간격 변화에 대응하여 접착층(120)의 두께를 조절하는 것으로 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)의 접착특성, 분리특성 및 유지특성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.In addition, the adhesive layer 120 according to the present embodiment has a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, but the thickness may increase within a set range as the size of the protruding electrode 310 increases, and between the protruding electrodes 310 As the spacing of is increased, the thickness may decrease within a set range. By adjusting the thickness of the adhesive layer 120 in response to changes in the size and spacing of the protruding electrode 310, the adhesive properties, separation properties, and retention properties of the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process can be more effectively improved.

또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 접착특성, 유지특성 및 분리특성을 확보하기 위해 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 여기서, 접착층(120)의 접착력이 200 gf/25mm 미만인 경우에는 EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정환경 예컨대, 고온 및 고진공 환경에서 접착층(120)이 반도체 패키지(300)의 하면 및 반도체 패키지(300)의 하면에 형성된 복수의 돌출전극(310)으로부터 밀려나는 현상이 발생하거나, 또는 공정간 가스 및 파티클이 접착 테이프(100)와 반도체 패키지(300) 접착면 사이로 침투할 수 있다. 반면에, 접착층(120)의 접착력이 300 gf/25mm를 초과하는 경우에는 EMI 차폐층을 형성공정을 완료한 후 상온 및 대기압 상태에서 접착 테이프(100)를 제거할 때 접착 테이프(100)가 쉽게 제거되지 않거나, 또는 반도체 패키지(300)의 하면 및 돌출전극(310)의 표면에 접착물질이 잔류할 수 있다. In addition, the adhesive layer 120 according to the present embodiment may have an adhesive strength in the range of 200 gf/25mm to 300 gf/25mm in order to secure adhesive properties, retention properties, and separation properties. Here, when the adhesive strength of the adhesive layer 120 is less than 200 gf/25mm, the adhesive layer 120 is the lower surface of the semiconductor package 300 and the semiconductor package 300 in a process environment for forming the EMI shielding layer, for example, in a high temperature and high vacuum environment. A phenomenon of being pushed out from the plurality of protruding electrodes 310 formed on the lower surface of the panel may occur, or gas and particles may penetrate between the adhesive tape 100 and the adhesive surface of the semiconductor package 300 between processes. On the other hand, when the adhesive strength of the adhesive layer 120 exceeds 300 gf/25mm, the adhesive tape 100 is easily removed when removing the adhesive tape 100 at room temperature and atmospheric pressure after completing the process of forming the EMI shielding layer. The adhesive material may not be removed or may remain on the lower surface of the semiconductor package 300 and the surface of the protruding electrode 310.

또한, 본 실시예에 따른 접착층(120)은 내화학성, 내열성 및 내한성을 유지함과 동시에 아웃개싱이 없고, 돌출전극(310)의 함침을 위해 부드럽고 변성이 없으며, 탈착시 잔류물이 전사되지 않도록 실리콘 소재로 구성될 수 있다. 구체적으로, 실리콘이 함유된 접착층(120)은 실록산(siloxane) 결합을 기본 골격으로 할 수 있다. 보다 구체적으로, 접착층(120)은 실록산 결합을 기본 골격으로 하되, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있도록 분자구조가 나선형 망상구조(spiral network structure)를 가질 수 있다. 참고로, 실록산 결합을 기본 골격으로 하는 접착층(120)은 실록산 결합의 측쇄(side chain)에 결합되는 작용기의 개수 및 종류에 따라 분자간의 넓은 간격을 갖는 나선형 망상구조를 구현할 수 있기 때문에 나선형 망상구조와 더불어서 분자 사이의 공간을 통해 고진공 환경에서 공극이 과도하는 팽창하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the adhesive layer 120 according to the present embodiment maintains chemical resistance, heat resistance, and cold resistance, and has no outgassing, is soft and non-denatured for impregnation of the protruding electrode 310, It can be composed of materials. Specifically, the adhesive layer 120 containing silicone may have a siloxane bond as a basic skeleton. More specifically, the adhesive layer 120 has a siloxane bond as a basic skeleton, but a void is generated between the semiconductor package 300 and the adhesive tape 100 in the area where the lower surface of the semiconductor package 300 and the protruding electrode 310 contact. Even so, the molecular structure may have a spiral network structure in order to prevent excessive expansion of the voids between manufacturing processes (especially during processing in a high vacuum environment). For reference, since the adhesive layer 120 having a siloxane bond as a basic skeleton can implement a helical network structure having a wide spacing between molecules depending on the number and type of functional groups bonded to the side chain of the siloxane bond, it is a helical network structure. In addition, it is possible to prevent excessive expansion of the pores in a high vacuum environment through the space between molecules.

여기서, 실록산 결합은 실리콘(Si)과 산소(O)가 상호 연결된 것으로 실리콘(Si)과 산소(O) 사이의 결합 에너지가 크기 때문에 우수한 내열성 및 내화학성을 확보할 수 있다. 또한, 실록산 결합은 분자구조상 결정구조를 만들기 어려운 비결정성을 갖기 때문에 유리전이점이 낮아 우수한 내한성을 확보할 수 있다. 분자끼리 접근하면 분자간에 끌어당기는 힘이 작용하여 일종의 결합상태를 이루는데, 실록산 결합은 이러한 분자간의 인력이 작기 때문에 낮은 유리전이점을 가질 수 있다. 이러한 분자구조로 인하여 실록산 결합을 기본 골격으로 하는 접착층(120)은 딱딱해지기 어렵고, 온도에 따른 점도변화가 작아서 넓은 온도범위에 걸쳐서 안정된 물성을 발휘할 수 있다.Here, in the siloxane bond, silicon (Si) and oxygen (O) are interconnected, and since the bonding energy between silicon (Si) and oxygen (O) is large, excellent heat resistance and chemical resistance can be secured. In addition, the siloxane bond has a low glass transition point because it has amorphous properties that make it difficult to form a crystal structure due to its molecular structure, so excellent cold resistance can be secured. When molecules approach each other, a pulling force acts between molecules to form a kind of bonding state. Since the attraction between these molecules is small, siloxane bonds can have a low glass transition point. Due to this molecular structure, the adhesive layer 120 having a siloxane bond as a basic skeleton is difficult to harden, and the viscosity change according to temperature is small, so that stable physical properties can be exhibited over a wide temperature range.

상술한 두께, 접착력 및 분자구조를 구현하기 위해 접착층(120)은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하는 접착 조성물을 포함할 수 있다. 여기서, 디메틸실록산 공중합체는 디메틸실록산 블록 공중합체(Dimethyl Siloxane block copolymer)도 포함할 수 있다. 접착주제에서 트리메틸레이티드 실리카는 함량에 따라 접착력을 제어하는 역할을 수행할 수 있고, 디메틸실록산 공중합체는 실록산 결합의 기본 골격을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 그리고, 에틸벤젠은 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 기타 첨가물들 간의 결합이 용이하도록 중간산물을 생성하는 역할을 수행할 수 있다. In order to implement the above-described thickness, adhesion, and molecular structure, the adhesion layer 120 includes an adhesion topic in which trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene are mixed. Composition may be included. Here, the dimethylsiloxane copolymer may also include a dimethylsiloxane block copolymer. In the adhesion subject, trimethylated silica may play a role of controlling adhesion according to the content, and the dimethylsiloxane copolymer may play a role of providing a basic skeleton of a siloxane bond. In addition, ethylbenzene may play a role of generating an intermediate product to facilitate bonding between trimethylated silica, dimethylsiloxane copolymer, and other additives.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)의 접착층(120)으로 적용가능한 접착 조성물들에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, adhesive compositions applicable as the adhesive layer 120 of the adhesive tape 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 기설정된 범위내에서 즉, 10㎛ 내지 50㎛ 범위내에서 접착층(120)이 제1두께를 갖는 경우, 제1두께에 대응하는 제1접착 조성물은 제1접착주제 100 중량부에 대해 가교제(crosslinker) 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제(anchorage additive) 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제(catalist) 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 일례로, 제1두께는 10㎛ 내지 20㎛ 범위의 두께일 수 있다. First, when the adhesive layer 120 has a first thickness within a preset range, that is, within a range of 10 μm to 50 μm, the first adhesive composition corresponding to the first thickness is a crosslinking agent for 100 parts by weight of the first adhesive subject. (crosslinker) 0.5 to 1.5 parts by weight, anchorage additive (anchorage additive) 0.5 to 1.5 parts by weight, and a catalyst (catalist) 0.5 to 1.5 parts by weight may be included. For example, the first thickness may be in the range of 10 μm to 20 μm.

구체적으로, 제1접착주제는 톨루엔(Toluene), 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화(Dimethyl, methylvinyl siloxane, hydroxy-, vinyl-terminated; CAS No. 없음), 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화(Dimethyl, methylvinyl siloxane, dimethylvinyl-terminated; CAS. N. 68083-18-1) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 1-에티닐사이클로헥산올은 경화 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있으며, 톨루엔 및 자일렌은 용매로 사용될 수 있다. 그리고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화, 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화, 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. Specifically, the first adhesive subject is Toluene, Xylene, Ethylbenzene, 1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3, trimethylated Silica (Trimethylated silica), siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), dimethyl, methylvinylsiloxane, hydride Hydroxy, vinyl-terminated (Dimethyl, methylvinyl siloxane, hydroxy-, vinyl-terminated; no CAS No.), dimethyl, methylvinylsiloxane, dimethylvinyl-terminated (CAS.N. 68083-18-1) and siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) are prescribed. It may include a mixture mixed in a ratio of. Here, 1-ethynylcyclohexanol may play a role of controlling the curing rate, and toluene and xylene may be used as solvents. And, siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated, dimethyl, methylvinylsiloxane, hydroxy, vinyl-terminated, dimethyl, methylvinylsiloxane, dimethylvinyl-terminated and siloxane and silicone, di-methyl, The methylvinyl, hydroxy-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer.

보다 구체적으로, 제1접착주제 전체에서 톨루엔은 20% 내지 25% 범위의 비율, 자일렌은 10% 내지 20% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.1% 내지 1% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 30% 내지 40% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 디메틸, 메틸비닐실록산, 하이드록시, 비닐-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율, 디메틸, 메틸비닐실록산, 디메틸비닐-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. More specifically, in the entire first adhesive topic, toluene is in the range of 20% to 25%, xylene is in the range of 10% to 20%, ethylbenzene is in the range of 2.5% to 10%, 1-ethynylcyclo Hexanol is in the range of 0.1% to 1%, trimethylated silica is in the range of 30% to 40%, siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated in the range of 10% to 20%, dimethyl , Methylvinylsiloxane, hydroxy, vinyl-terminated in a ratio ranging from 1% to 10%, dimethyl, methylvinylsiloxane, dimethylvinyl-terminated in a proportion ranging from 1% to 10%, siloxane and silicone, di-methyl , Methylvinyl, and hydroxy-terminated may each account for a proportion ranging from 1% to 10%.

가교제는 접착주제와 반응하여 가교 및 경화 반응을 제어하고, 접착 조성물에서 나선형 망상구조를 보다 용이하게 형성할 수 있도록 도와주는 역할을 수행할 수 있다. 가교제로는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 소정의 비율로 혼합된 가교 혼합물을 사용할 수 있다. 가교 혼합물 전체에서 헵탄은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 차지할 수 있고, 실록산과 실리콘, 메틸수소는 99% 내지 99.75%를 차지할 수 있다.The crosslinking agent reacts with the adhesive subject to control the crosslinking and curing reaction, and may play a role of helping to more easily form a spiral network structure in the adhesive composition. As the crosslinking agent, a crosslinking mixture in which heptane, siloxane, silicon, and methyl hydrogen (Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2) are mixed in a predetermined ratio may be used. In the total crosslinking mixture, heptane may occupy a proportion in the range of 0.25% to 1%, and siloxane, silicon, and methyl hydrogen may occupy 99% to 99.75%.

앵커리지 첨가제는 실리콘과 기재 사이의 밀착력을 제공하는 역할을 수행수 있다. 앵커리지 첨가제로는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 소정의 비율로 혼합된 앵커리지 혼합물을 사용할 수 있다. 앵커리지 혼합물 전체에서 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란은 30% 내지 40% 범위의 비율, 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물은 60% 내지 70% 범위의 비율, 메탄올은 1% 내지 3% 범위의 비율, 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산은 1% 내지 2.5% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. The anchorage additive may serve to provide adhesion between the silicone and the substrate. Anchorage additives include trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]silane (Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), trimethoxy[(3- Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with siloxanes and silicones, di-methyl, di-vinyl, and hydroxy-terminated reaction products combined with oxyranylmethoxy) propyl] silane trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), methanol, and divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane (CAS No. 17980-61-9) can be used in an anchorage mixture in a predetermined ratio. In the entire anchorage mixture, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]silane is in the range of 30% to 40%, trimethoxy[(3-oxiranylmethoxy)propyl]silane and bound siloxanes and Silicones, di-methyl, di-vinyl, hydroxy-terminated reaction products are in the range of 60% to 70%, methanol is in the range of 1% to 3%, divinylhexamethylcyclotetrasiloxane is in the range of 1% Each can occupy a percentage in the 2.5% range.

촉매제는 반응 활성화 에너지를 감소시켜 낮은 온도 또는 가벼운(Mild) 조건에서도 반응, 경화 및 가교 작업이 진행될 수 있도록 도와주는 역할을 수행할 수 있다. 촉매제로는 백금 촉매를 사용할 수 있다. 구체적으로, 촉매제로는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 소정의 비율로 혼합된 촉매 혼합물을 사용할 수 있다. 촉매혼합물 전체에서 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물은 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 90% 내지 99% 범위의 비율, 테트라메틸디비닐디실록산은 1% 내지 10% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 1% 내지 10% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. The catalyst may reduce the activation energy of the reaction, thereby helping the reaction, curing, and crosslinking operation to proceed even under low temperature or mild conditions. As the catalyst, a platinum catalyst can be used. Specifically, as a catalyst, platinum, 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes (Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), tetramethyldivinyldi Siloxane (Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) and siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8) A catalyst mixture mixed in a predetermined ratio may be used. In the total catalyst mixture, platinum, 1,3-dietenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex is in the range of 1% to 10%, siloxane and silicon, di-methyl, vinyl group-terminated Is in the range of 90% to 99%, tetramethyldivinyldisiloxane is in the range of 1% to 10%, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated is in the range of 1% to 10%, respectively Can occupy.

다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다 두꺼운 제2두께를 갖는 경우, 제2두께에 대응하는 제2접착 조성물은 제2접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제2두께는 20㎛ 내지 30㎛ 범위의 두께일 수 있다. Next, when the adhesive layer 120 has a second thickness thicker than the first thickness within a preset range, the second adhesive composition corresponding to the second thickness is 0.5 to 1.5 parts by weight of the crosslinking agent based on 100 parts by weight of the second adhesive subject. Parts, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.5 to 1.5 parts by weight of a catalyst may be included. Here, the crosslinking agent, the anchorage additive and the catalyst may be the same as those described above. For example, the second thickness may be in the range of 20 μm to 30 μm.

구체적으로, 제2접착주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2접착주제 전체에서 자일렌은 29% 내지 37% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 29% 내지 34% 범위의 비율, 에틸벤젠은 9% 내지 11% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 21% 내지 24% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다.Specifically, the second adhesive subject is xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me). , vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2) may contain a mixture in a predetermined ratio. Here, xylene may be used as a solvent, and siloxane and silicone, di-methyl, and vinyl group-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer. More specifically, in the entire second adhesive subject, xylene is in the range of 29% to 37%, trimethylated silica is in the range of 29% to 34%, ethylbenzene is in the range of 9% to 11%, siloxane and Silicon, di-methyl, and vinyl group-terminated may each account for a proportion ranging from 21% to 24%.

다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께 및 제2두께보다 두꺼운 제3두께를 갖는 경우, 제3두께에 대응하는 제3접착 조성물은 제2접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.8 내지 1.8 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제3두께는 30㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다. Next, when the adhesive layer 120 has a first thickness and a third thickness thicker than the second thickness within a preset range, the third adhesive composition corresponding to the third thickness is a crosslinking agent for 100 parts by weight of the second adhesive subject. 0.5 to 1.5 parts by weight, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.8 to 1.8 parts by weight of a catalyst may be included. Here, the crosslinking agent, the anchorage additive and the catalyst may be the same as those described above. For example, the third thickness may be in the range of 30 μm to 40 μm.

다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께 내지 제3두께보다 두꺼운 제4두께를 갖는 경우, 제4두께에 대응하는 제4접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:1 내지 99:1 비율로 혼합된 제3접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 포함할 수 있다. 여기서, 가교제, 앵커리지 첨가제 및 촉매제를 상술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 일례로, 제4두께는 40㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께일 수 있다. Next, when the adhesive layer 120 has a fourth thickness thicker than the first to third thickness within a preset range, the fourth adhesive composition corresponding to the fourth thickness is 95:1 for the first and second subjects. It may include 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.5 to 1.5 parts by weight of a catalyst based on 100 parts by weight of the third adhesive agent mixed in a ratio of to 99:1. Here, the crosslinking agent, the anchorage additive and the catalyst may be the same as those described above. For example, the fourth thickness may be in the range of 40 μm to 50 μm.

구체적으로, 제3접착주제에서 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1주제 전체에서 자일렌은 29% 내지 37% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 29% 내지 34% 범위의 비율, 에틸벤젠은 9% 내지 11% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 21% 내지 24% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. Specifically, in the third adhesive subject, the first subject is xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicon, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones). , di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2) may include a mixture in a predetermined ratio. Here, xylene may be used as a solvent, and siloxane and silicone, di-methyl, and vinyl group-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer. More specifically, in the entire first topic, xylene is in the range of 29% to 37%, trimethylated silica is in the range of 29% to 34%, ethylbenzene is in the range of 9% to 11%, siloxane and silicone , Di-methyl, vinyl group-terminated may account for a ratio in the range of 21% to 24%, respectively.

제3접착주제에서 제2주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 1-에티닐사이클로헥산올은 경화 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2주제 전체에서 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화는 99% 내지 99.9% 범위의 비율을 차지할 수 있고, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.1% 내지 1% 범위의 비율을 차지할 수 있다.In the third adhesive topic, the second topic can play a role in controlling adhesion, and siloxanes and silicones, di-methyl, and vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2) and 1-Ethynylcyclohexanol (CAS No. 78-27-3) may be mixed in a predetermined ratio. Here, 1-ethynylcyclohexanol may play a role of controlling the curing rate, and siloxane and silicone, di-methyl, and vinyl group-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer. More specifically, siloxane and silicone, di-methyl, and vinyl group-terminated in the entire second subject may occupy a ratio in the range of 99% to 99.9%, and 1-ethynylcyclohexanol in the range of 0.1% to 1% It can occupy a percentage of.

다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다는 크고, 제4두께보다는 작은 제5두께를 갖는 경우, 제5두께에 대응하는 제5접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 제4접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 포함할 수 있다. 일례로, 제5두께는 20㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다. Next, when the adhesive layer 120 has a fifth thickness larger than the first thickness and smaller than the fourth thickness within a preset range, the fifth adhesive composition corresponding to the fifth thickness is 50 It may include 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the fourth adhesive agent mixed in a ratio of: 50 to 80:20. For example, the fifth thickness may be in the range of 20 μm to 40 μm.

구체적으로, 제4접착주제에서 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 트리메틸레이티드 실리카와 디메틸실록산 공중합체가 선가교 형태로 결합된 반응 생성물일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1주제 전체에서 자일렌은 30% 내지 40% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 톨루엔은 0.1% 내지 0.25% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 50% 내지 60% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. Specifically, in the fourth adhesive subject, the third subject is the hydroxy-terminated reaction product of xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, and chlorotrimethylsilane, and hydrochloric acid. , Isopropyl alcohol and sodium silicate (Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0) in a predetermined ratio. It may contain a mixed mixture. Here, the hydroxy-terminated reaction product of siloxane and silicone, di-methyl, chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol, and sodium silicate are reaction products in which trimethylated silica and dimethylsiloxane copolymer are bonded in a crosslinked form. I can. More specifically, in the entire first topic, xylene is in the range of 30% to 40%, ethylbenzene is in the range of 2.5% to 10%, toluene is in the range of 0.1% to 0.25%, siloxane and silicone, di- Hydroxy-terminated reaction products of methyl and chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol, and sodium silicate may each occupy a proportion in the range of 50% to 60%.

제4접착주제에서 제4주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 톨루엔과 자일렌은 용매로 사용될 수 있고, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 제2주제 전체에서 톨루엔은 70% 내지 80% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 자일렌은 1% 내지 10% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 1% 내지 10% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. In the fourth adhesive topic, the fourth topic can play a role in controlling adhesion, and toluene, siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated) ; CAS No. 70131-67-8), xylene, trimethylated silica, and ethylbenzene may be mixed in a predetermined ratio. Here, toluene and xylene may be used as a solvent, and siloxane and silicone, di-methyl, and hydroxy-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer. More specifically, in the entire second topic, toluene is in the range of 70% to 80%, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated in the range of 10% to 20%, and xylene is in the range of 1% to 10 % Range, trimethylated silica may occupy a ratio of 1% to 10%, and ethylbenzene may occupy a ratio of 0.25% to 1%, respectively.

중합개시제는 연쇄 중합반응을 일으키는 물질을 지칭하며, 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 사용할 수 있다. The polymerization initiator refers to a substance that causes a chain polymerization reaction, and benzoyl peroxide may be used.

다음으로, 기설정된 범위내에서 접착층(120)이 제1두께보다는 크고, 제4두께보다는 작은 제5두께를 갖는 경우, 제5두께에 대응하는 제6접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 제5접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 포함할 수 있다. 중합개시제로는 과산화벤조일을 사용할 수 있다. 일례로, 제5두께는 20㎛ 내지 40㎛ 범위의 두께일 수 있다. Next, when the adhesive layer 120 has a fifth thickness greater than the first thickness and less than the fourth thickness within a preset range, the sixth adhesive composition corresponding to the fifth thickness is 50 It may contain 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the fifth adhesive agent mixed in a ratio of: 50 to 80:20. Benzoyl peroxide may be used as the polymerization initiator. For example, the fifth thickness may be in the range of 20 μm to 40 μm.

구체적으로, 제5접착주제에서 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate)가 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 트리메틸레이티드 실리카와 디메틸실록산 공중합체가 선가교 형태로 결합된 반응 생성물일 수 있다. 보다 구체적으로, 제3주제 전체에서 자일렌은 30% 내지 40% 범위의 비율, 에틸벤젠은 2.5% 내지 10% 범위의 비율, 톨루엔은 0.1% 내지 0.25% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트는 50% 내지 60% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. Specifically, in the fifth adhesive topic, the third topic is the hydroxy-terminated reaction product of xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, and chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid. , Isopropyl alcohol and sodium silicate (Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate) may be mixed in a predetermined ratio. Here, the hydroxy-terminated reaction product of siloxane and silicone, di-methyl, chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol, and sodium silicate are reaction products in which trimethylated silica and dimethylsiloxane copolymer are bonded in a crosslinked form. I can. More specifically, in the entire third topic, xylene is in the range of 30% to 40%, ethylbenzene is in the range of 2.5% to 10%, toluene is in the range of 0.1% to 0.25%, siloxane and silicone, di- Hydroxy-terminated reaction products of methyl and chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol, and sodium silicate may each occupy a proportion in the range of 50% to 60%.

제5접착주제에서 제5주제는 접착력을 조절하는 역할을 수행할 수 있고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 소정의 비율로 혼합된 혼합물을 포함할 수 있다. 여기서, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화와 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 디메틸실록산 공중합체일 수 있다. 보다 구체적으로, 톨루엔은 47% 내지 63% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화는 21% 내지 31% 범위의 비율, 자일렌은 2.3% 내지 3.1% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 10% 내지 14% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.44% 내지 0.6% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화는 2.2% 내지 3% 범위의 비율, 1-에티닐사이클로헥산올은 0.14% 내지 0.18% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. In the fifth adhesive topic, the fifth topic can play a role in controlling adhesion, and toluene, siloxane and silicone, di-methyl, methyl vinyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No.68083-18-1), xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, hydroxy -Terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) and 1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3) It may contain a mixture mixed in this predetermined ratio. Here, siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, vinyl group-terminated and siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, and hydroxy-terminated may be a dimethylsiloxane copolymer. More specifically, toluene is in a proportion ranging from 47% to 63%, siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, vinyl group-terminated in a proportion ranging from 21% to 31%, xylene in a proportion ranging from 2.3% to 3.1% The ratio of, trimethylated silica is in the range of 10% to 14%, ethylbenzene is in the range of 0.44% to 0.6%, siloxane and silicone, di-methyl, methylvinyl, hydroxy-terminated is 2.2% to 3 % Range, 1-ethynylcyclohexanol may occupy a proportion of 0.14% to 0.18%, respectively.

본 실시예에 따른 이형필름(190)은 접착 테이프(100)의 보관 및 이송을 용이하게 하고, 반도체 패키지(300) 제조공정 이전까지 접착층(120)을 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 이형필름(190)은 실리콘이 함유된 접착층(120)의 보호 및 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 이형필름(190)의 접착력이 3 gf/25mm 미만인 경우에는 자연적으로 이형필름이 벗겨질 우려가 있고, 8 gf/25mm 초과인 경우에는 접착 테이프(100)에서 이형필름(190)을 제거하는 과정에서 접착 테이프(100)가 쉽게 구겨질 수 있다. 참고로, 이형필름(190)을 제거하는 과정에서 접착 테이프(100)가 쉽게 구겨지는 현상은 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)의 기저필름(110) 및 접착층(120) 두께가 매우 얇기 때문이다. The release film 190 according to the present embodiment facilitates storage and transport of the adhesive tape 100 and may serve to protect the adhesive layer 120 until the semiconductor package 300 manufacturing process. The release film 190 may contain fluorine to facilitate the protection and separation of the adhesive layer 120 containing silicon, and may have an adhesive strength in the range of 3 gf/25mm to 8 gf/25mm. If the adhesive force of the release film 190 is less than 3 gf/25mm, there is a risk that the release film will naturally peel off, and if it exceeds 8 gf/25mm, in the process of removing the release film 190 from the adhesive tape 100 The adhesive tape 100 can be easily wrinkled. For reference, the phenomenon that the adhesive tape 100 is easily wrinkled in the process of removing the release film 190 is that the thickness of the base film 110 and the adhesive layer 120 of the adhesive tape 100 according to an embodiment of the present invention is very Because it is thin.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)과 접착층(120)이 순차적으로 적층된 매우 단순한 구조를 갖기 때문에 생산성 및 가격경쟁력을 향상시킬 수 있다. As described above, since the adhesive tape 100 according to the embodiment of the present invention has a very simple structure in which the base film 110 and the adhesive layer 120 are sequentially stacked, productivity and price competitiveness can be improved.

또한, 기저필름(110)이 반도체 패키지(300) 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있도록 금속원소를 함유하고 있기 때문에 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지(300) 제조공정용 접착 테이프(100)에서 요구되는 접착특성 및 유지특성을 용이하게 확보할 수 있다. 아울러, EMI 차폐층 형성을 위한 스퍼터링 공정시 금속원소를 함유하는 기저필름(110)이 그라운드(Earth grounding)로 작용하여 스퍼터링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, when the base film 110 is the semiconductor package 300, the shape is modified to correspond to the topology, and since it contains metal elements to independently maintain the modified shape between processes, the semiconductor used in the process of forming the EMI shielding layer It is possible to easily secure adhesive properties and retention properties required by the adhesive tape 100 for the package 300 manufacturing process. In addition, during the sputtering process for forming the EMI shielding layer, the base film 110 containing the metal element acts as an earth grounding, thereby improving the stability of the sputtering process.

또한, 기저필름(110)이 15㎛ 내지 30㎛ 범위의 매우 얇은 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지할 수 있다. In addition, since the base film 110 has a very thin thickness in the range of 15 μm to 30 μm, it is possible to effectively maintain a stress balance corresponding to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 in which the plurality of protruding electrodes 310 are formed.

또한, 접착층(120)이 트리메틸레이티드 실리카, 디메틸실록산 공중합체 및 에틸벤젠이 혼합된 접착주제를 포함함으로써, EMI 차폐층 형성공정시 발생되는 열에 의한 물성 변형이 없고 반도체 패키지(300) 제조공정용 접착 테이프(100)에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 용이하게 확보할 수 있다.In addition, since the adhesive layer 120 includes an adhesive topic in which trimethylated silica, dimethylsiloxane copolymer and ethylbenzene are mixed, there is no physical property modification due to heat generated during the process of forming the EMI shielding layer, and for the manufacturing process of the semiconductor package 300 It is possible to easily secure adhesive properties, retention properties, separation properties and stress properties required by the adhesive tape 100.

또한, 접착층(120)이 실록산 결합을 기본 골격으로 나선형 망상구조를 가짐으로써, 반도체 패키지(300)의 하면과 돌출전극(310)이 접하는 영역에서 반도체 패키지(300)와 접착 테이프(100) 사이에 공극이 발생하더라도, 제조공정간(특히, 고진공 환경의 공정시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the adhesive layer 120 has a spiral network structure based on a siloxane bond as a basic skeleton, between the semiconductor package 300 and the adhesive tape 100 in a region where the lower surface of the semiconductor package 300 and the protruding electrode 310 contact. Even if a void occurs, it is possible to prevent the void from excessively expanding between manufacturing processes (especially during a process in a high vacuum environment).

또한, 접착층(120)이 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 매우 얇을 두께를 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 접착 및 밀착이 용이하고, 부착시 반도체 패키지(300)의 가장자리 측면으로 접착층(120)이 밀려올라가는 현상을 방지할 수 있다. In addition, since the adhesive layer 120 has a very thin thickness in the range of 10 μm to 50 μm, it is easy to adhere and adhere according to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 on which the plurality of protruding electrodes 310 are formed. It is possible to prevent the adhesive layer 120 from being pushed up toward the edge side of the 300.

또한, 반도체 패키지(300)의 돌출전극(310) 사이즈 및 간격에 대응하여 최적화된 접착층(120)의 접착 조성물, 접착층(120)의 두께 및 기저필름(110)의 두께를 제공함에 따라 EMI 차폐층 형성공정시 사용되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에서 요구되는 접착특성, 유지특성, 분리특성 및 응력특성을 보다 효과적으로 확보할 수 있다.In addition, the EMI shielding layer is provided by providing the adhesive composition of the adhesive layer 120, the thickness of the adhesive layer 120 and the thickness of the base film 110 optimized in response to the size and spacing of the protruding electrode 310 of the semiconductor package 300. It is possible to more effectively secure adhesive properties, retention properties, separation properties, and stress properties required in an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process used in the formation process.

또한, 종래의 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정 대비 공정스탭 및 소모품의 소비를 감소시킬 수 있기 때문에 반도체 패키지(300)의 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, since it is possible to reduce the consumption of process steps and consumables compared to the conventional semiconductor package 300 EMI shielding layer forming process, productivity of the semiconductor package 300 can be improved.

참고로, 종래의 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정을 살펴보면, 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 웨이퍼 상에 복수의 돌출전극(310)이 함침되도록 돌출전극(310)의 사이즈보다 큰 두께를 갖는 두꺼운 UV 경화 테이프를 부착 후 UV 경화 테이프의 접착력을 조절하기 위한 UV 조사를 진행한다. 이어서, UV 경화 테이프 상에 재차 다이싱 테이프를 부착한 후, 반도체 웨이퍼와 더불어서 UV 경화 테이프까지 소잉(sawing)을 진행하여 각각의 개별 다이(die) 즉, 반도체 패키지(300)로 분리한다. 즉, 소잉공정이 완료된 시점에는 두꺼운 UV 경화 테이프가 부착된 상태를 갖는다. 이어서, 별도의 프레임에 단면접착형 내열테이프(또는 케리어 테이프)를 고정한 후, 내열테이프의 접착면에 UV 경화 테이프가 접하도록 다이싱 테이프로부터 분리된 각각의 개별 반도체 패키지(300)를 대략 2mm 간격으로 접착한 후, UV 경화 테이프 내에 잔류하는 불순물을 제거하기 위한 프리베이킹(Pre-Baking)을 진행한다. 이때, 불순물은 후속 EMI 차폐층 증착을 위한 공정환경 즉, 고온 및 고진공 환경에서 UV 경화 테이프로부터 아웃개싱되는 물질을 지칭하며, 이는 UV 경화 테이프가 아크릴계 고분자를 기본으로 구성되기 때문이다. 프리베이킹은 이러한 불순물을 사전에 제거하기 위한 공정이다. 이어서, 반도체 패키지(300)가 내열테이프에 부착된 상태로 EMI 차폐층 증착공정 즉, 스퍼터링 공정을 진행한 후, 자동화 설비에 구비된 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300)의 하면에 부착된 UV 경화 테이프 및 내열테이프를 제거하는 제거하는 일련의 공정과정을 거치게 된다. For reference, looking at the process of forming the EMI shielding layer of the conventional semiconductor package 300, the size of the protruding electrode 310 is larger than the size of the protruding electrode 310 so that the plurality of protruding electrodes 310 are impregnated on the semiconductor wafer on which the plurality of protruding electrodes 310 are formed. After attaching a thick UV curing tape having a thickness, UV irradiation is performed to control the adhesion of the UV curing tape. Subsequently, after attaching the dicing tape on the UV curing tape again, sawing is performed on the UV curing tape as well as the semiconductor wafer to separate each individual die, that is, the semiconductor package 300. That is, when the sawing process is completed, the thick UV curing tape is attached. Subsequently, after fixing the single-sided adhesive heat-resistant tape (or carrier tape) to a separate frame, each individual semiconductor package 300 separated from the dicing tape is approximately 2 mm apart so that the UV curing tape contacts the adhesive surface of the heat-resistant tape. After adhering to, pre-baking is performed to remove impurities remaining in the UV curing tape. At this time, the impurity refers to a material outgassed from the UV curing tape in a process environment for subsequent EMI shielding layer deposition, that is, a high temperature and high vacuum environment, because the UV curing tape is composed of acrylic polymer as a basis. Prebaking is a process for removing these impurities in advance. Subsequently, after the EMI shielding layer deposition process, that is, sputtering process, is performed while the semiconductor package 300 is attached to the heat-resistant tape, a plurality of protruding electrodes 310 are formed using a vacuum chuck or a lift pin provided in an automated facility. A series of processes of removing the UV curing tape and the heat-resistant tape attached to the lower surface of the formed semiconductor package 300 are performed.

이에 반해, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 활용한 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정을 살펴보면, 일면에 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 웨이퍼의 대향면(즉, 일면에 대향하는 면)에 다이싱 테이프를 부착한 후, 반도체 웨이퍼에 대해서만 소잉(sawing)을 진행하여 각각의 개별 다이(die) 즉, 반도체 패키지(300)로 분리한다. 이어서, 별도의 프레임에 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 고정한 후, 접착 테이프(100) 접착면에 돌출전극(310)이 접하도록 다이싱 테이프로부터 분리된 각각의 개별 반도체 패키지(300)를 대략 2mm 간격으로 접착한다. 이어서, 반도체 패키지(300)가 접착 테이프(100)에 부착된 상태로 EMI 차폐층 증착공정 즉, 스퍼터링 공정을 진행한 후, 자동화 설비에 구비된 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 복수의 돌출전극(310)이 형성된 반도체 패키지(300) 하면에 부착된 접착 테이프(100)를 제거하는 일련의 공정과정을 거치게 된다. On the other hand, looking at the process of forming the EMI shielding layer of the semiconductor package 300 using the adhesive tape 100 according to an embodiment of the present invention, the opposite surface of the semiconductor wafer having a plurality of protruding electrodes 310 formed on one surface (ie, After attaching the dicing tape to the side facing one side), sawing is performed only on the semiconductor wafer to separate each individual die, that is, the semiconductor package 300. Subsequently, after fixing the adhesive tape 100 according to the embodiment of the present invention to a separate frame, each individual semiconductor package separated from the dicing tape so that the protruding electrode 310 comes in contact with the adhesive surface of the adhesive tape 100 ( 300) is attached at approximately 2mm intervals. Subsequently, after the EMI shielding layer deposition process, that is, sputtering process, is carried out with the semiconductor package 300 attached to the adhesive tape 100, a plurality of protruding electrodes ( A series of process steps for removing the adhesive tape 100 attached to the lower surface of the semiconductor package 300 on which the 310) is formed is performed.

즉, 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 활용한 반도체 패키지(300) EMI 차폐층 형성공정은 기존의 UV 경화 테이프를 필요로하지 않기 때문에 소모품의 소비를 감소시켜 원가를 절감할 수 있으며, 프리베이킹 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정스탭을 감소시킬 수 있다.That is, as described above, the process of forming the EMI shielding layer of the semiconductor package 300 using the adhesive tape 100 according to the embodiment of the present invention does not require a conventional UV curing tape, thereby reducing the consumption of consumables. Cost can be reduced, and process steps can be reduced because the pre-baking process can be omitted.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 4 is a diagram schematically showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, for convenience of description, the same reference numerals are used for the same configurations as those in the above-described embodiment, and detailed descriptions will be omitted.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110) 상에 형성된 중간층(130), 중간층(130) 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다. As shown in FIG. 4, the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention includes a base film 110 containing a metal element, and an intermediate layer 130 formed on the base film 110 , It may include an adhesive layer 120 containing silicon formed on the intermediate layer 130 and a release film 190 containing fluorine formed on the adhesive layer 120. Here, the base film 110, the adhesive layer 120, and the release film 190 may be the same as in the above-described embodiment.

중간층(130)은 이종 물질로 구성되는 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 삽입되는 중간재로서, 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 중간층(130)은 금속 소재를 포함하는 기저필름(110) 및 실리콘이 함유된 접착층(120) 모두와 물리적 및 화학적 결합력이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 구체적으로, 중간층(130)으로는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 프라이머 혼합물을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 프라이머 혼합물 전체에서 톨루엔은 70% 내지 80% 범위의 비율, 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화는 10% 내지 20% 범위의 비율, 자일렌은 1% 내지 2.5% 범위의 비율, 트리메틸레이티드 실리카는 1% 내지 10% 범위의 비율, 에틸벤젠은 0.25% 내지 1% 범위의 비율을 각각 차지할 수 있다. The intermediate layer 130 is an intermediate material inserted between the base film 110 and the adhesive layer 120 made of different materials, and may serve to improve adhesion between the base film 110 and the adhesive layer 120. Accordingly, the intermediate layer 130 may be formed of a material having excellent physical and chemical bonding strength with both the base film 110 including a metal material and the adhesive layer 120 including silicon. Specifically, the intermediate layer 130 includes toluene, siloxane and silicon, di-methyl, and hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), and A primer mixture in which xylene, trimethylated silica, and ethylbenzene are mixed may be used. More specifically, in the total primer mixture, toluene is in the range of 70% to 80%, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated in the range of 10% to 20%, and xylene is 1% to 2.5%. The proportion of the range, trimethylated silica may occupy a proportion of 1% to 10%, and ethylbenzene may occupy a proportion of 0.25% to 1%, respectively.

중간층(130)은 기저필름(110) 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 가질 수 있다. 중간층(130)의 평량이 0.2 g/m2 미만일 경우에는 기저필름(110)과 접착층(120) 각각에 충분한 접착력을 제공하지 못할 수 있고, 0.5 g/m2 를 초과하는 경우에는 접착 테이프(100) 제거시 중간층(130)을 기준으로 기저필름(110)과 접착층(120)이 분리되는 불량이 발생할 수 있다.The intermediate layer 130 may have a basis weight in the range of 0.2 g/m 2 to 0.5 g/m 2 on the base film 110. When the basis weight of the intermediate layer 130 is less than 0.2 g/m 2 , it may not be possible to provide sufficient adhesive strength to each of the base film 110 and the adhesive layer 120, and when it exceeds 0.5 g/m 2 , the adhesive tape 100 ) Upon removal, a defect in which the base film 110 and the adhesive layer 120 are separated based on the intermediate layer 130 may occur.

상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 삽입된 중간층(130)을 더 포함함으로써, 접착층(120)으로 실리콘 소재를 사용하더라도 기저필름(110)과 접착층(120) 사이의 접착력을 더욱더 향상시킬 수 있다. As described above, the adhesive tape 100 according to another embodiment of the present invention further includes an intermediate layer 130 inserted between the base film 110 and the adhesive layer 120, thereby using a silicone material as the adhesive layer 120. Even if used, the adhesion between the base film 110 and the adhesive layer 120 may be further improved.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 5 is a view schematically showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention. It is a diagram showing the shape adhered to. Hereinafter, for convenience of description, the same reference numerals are used for the same configurations as those in the above-described embodiment, and detailed descriptions will be omitted.

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110)의 일면 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120), 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 실리콘이 함유된 코팅층(180) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지는 않았지만 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 형성된 중간층(130)을 더 포함할 수도 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120), 중간층(130) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다. 5 and 6, the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention includes a base film 110 containing a metal element, and one surface of the base film 110. The silicone-containing adhesive layer 120 formed on the base film 110, the silicon-containing coating layer 180 formed on the other surface opposite to the base film 110, and the fluorine-containing release film 190 formed on the adhesive layer 120. Can include. In addition, although not shown in the drawings, it may further include an intermediate layer 130 formed between the base film 110 and the adhesive layer 120. Here, the base film 110, the adhesive layer 120, the intermediate layer 130, and the release film 190 may be the same as in the above-described embodiment.

실리콘이 함유된 코팅층(180)은 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지하기 위한 보호층으로서, 특히 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착 및 밀착시키기 위해 압력을 가할 때, 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 접착 테이프(100)로부터 반도체 패키지(300)를 분리할 때, 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 코팅층(180)은 공정간 기저필름(110)에 구멍이 생기거나, 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 참고로, 공정간 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어질 경우 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율이 현저히 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.The coating layer 180 containing silicon is a protective layer for preventing damage to the base film 110 between processes. In particular, when pressure is applied to attach and adhere the adhesive tape 100 to the semiconductor package 300, vacuum When separating the semiconductor package 300 from the adhesive tape 100 using a chuck or a lift pin, a hole is formed in the adhesive tape 100 or a function of preventing the adhesive tape 100 from being torn. I can. More specifically, the coating layer 180 may play a role of preventing holes or tearing in the base film 110 between processes. For reference, when a hole is formed in the adhesive tape 100 between processes or the adhesive tape 100 is torn, there may be a problem that the yield of the manufacturing process of the semiconductor package 300 is significantly lowered.

코팅층(180) 반도체 패키지(300) 부착시 기저필름(110)과 함께 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 그 형태가 변형될 수 있다. 이를 위해, 코팅층(180)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 코팅층(180)의 두께가 10㎛ 미만일 경우에는 공정간 기저필름(110)의 손상을 효과적으로 방지하기 어렵고, 50㎛ 초과인 경우에는 기저필름(110)이 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하기 어려울 수 있다. When the coating layer 180 and the semiconductor package 300 are attached, the shape of the semiconductor package 300 together with the base film 110 may change according to a topology. To this end, the coating layer 180 may have a thickness in the range of 10 μm to 50 μm. Here, when the thickness of the coating layer 180 is less than 10 μm, it is difficult to effectively prevent damage to the base film 110 between processes, and when the thickness of the coating layer 180 is more than 50 μm, the base film 110 is in the bottom topology of the semiconductor package 300. In response, the shape is deformed, and it may be difficult to independently maintain the deformed shape between processes.

코팅층(180)은 기저필름(110)과의 접착성 및 공정간 안정성을 고려하여 실리콘이 함유된 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 코팅층(180)은 하나 이상의 실리콘-수소 결합을 포함하는 실리콘 및 하나 이상의 에틸렌성 불포화기를 포함하는 실리콘이 수소실리콘화 반응으로 형성된 것일 수 있다. The coating layer 180 may contain silicon in consideration of adhesion to the base film 110 and stability between processes. More specifically, the coating layer 180 may be formed by a hydrogen siliconization reaction of silicon including one or more silicon-hydrogen bonds and silicon including one or more ethylenically unsaturated groups.

상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 접착층(120)이 형성된 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 코팅층(180)을 더 포함함으로써, 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the adhesive tape 100 according to another embodiment of the present invention further includes a coating layer 180 formed on the other surface opposite to one surface of the base film 110 on which the adhesive layer 120 is formed, Damage to the base film 110 can be prevented, and a yield of the semiconductor package 300 manufacturing process can be improved through this.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프를 간략히 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프가 반도체 패키지의 하면에 접착된 형상을 도시한 도면이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. FIG. 7 is a view schematically showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view showing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention. It is a diagram showing the shape adhered to. Hereinafter, for convenience of description, the same reference numerals are used for the same configurations as those in the above-described embodiment, and detailed descriptions will be omitted.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프(100)는 금속원소가 함유된 기저필름(110), 기저필름(110)의 일면 상에 형성된 실리콘이 함유된 접착층(120), 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 저점착성 수지필름(170) 및 접착층(120) 상에 형성된 불소가 함유된 이형필름(190)을 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지는 않았지만 기저필름(110)과 접착층(120) 사이에 형성된 중간층(130)을 더 포함할 수도 있다. 여기서, 기저필름(110), 접착층(120), 중간층(130) 및 이형필름(190)은 상술한 실시예와 동일할 수 있다.7 and 8, the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to another embodiment of the present invention is a base film 110 containing a metal element, on one side of the base film 110 Including a silicone-containing adhesive layer 120 formed on, a low-adhesion resin film 170 formed on the other surface opposite to one surface of the base film 110, and a release film 190 containing fluorine formed on the adhesive layer 120 can do. In addition, although not shown in the drawings, it may further include an intermediate layer 130 formed between the base film 110 and the adhesive layer 120. Here, the base film 110, the adhesive layer 120, the intermediate layer 130, and the release film 190 may be the same as in the above-described embodiment.

저점착성 수지필름(170)은 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지하기 위한 보호층으로서, 특히 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착 및 밀착시키기 위해 압력을 가할 때, 진공척 또는 리프트핀을 이용하여 접착 테이프(100)로부터 반도체 패키지(300)를 분리할 때, 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 저점착성 수지필름(170)은 공정간 기저필름(110)에 구멍이 생기거나, 찢어지는 현상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 참고로, 공정간 접착 테이프(100)에 구멍이 생기거나, 접착 테이프(100)가 찢어질 경우 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율이 현저히 저하되는 문제점이 발생할 수 있다. The low-adhesion resin film 170 is a protective layer for preventing damage to the base film 110 between processes. In particular, when pressure is applied to attach and adhere the adhesive tape 100 to the semiconductor package 300, a vacuum chuck Alternatively, when separating the semiconductor package 300 from the adhesive tape 100 by using a lift pin, it may play a role of preventing a hole in the adhesive tape 100 or a phenomenon in which the adhesive tape 100 is torn. have. More specifically, the low-adhesion resin film 170 may play a role of preventing holes or tearing in the base film 110 between processes. For reference, when a hole is formed in the adhesive tape 100 between processes or the adhesive tape 100 is torn, there may be a problem that the yield of the manufacturing process of the semiconductor package 300 is significantly lowered.

저점착성 수지필름(170)은 반도체 패키지(300) 부착시 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지를 따라 그 형태가 변형되는 기저필름(110)과 달리 저점착성을 갖기 때문에 복수의 돌출전극(310) 끝단에 접하는 형태를 가질 수 있다. 이는, 저점착성 수지필름(170)에 의하여 기저필름(110)의 특성 즉, 반도체 패키지(300)의 하면 토폴로지에 대응하여 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하는 특성이 열화되는 것을 방지하기 위함이다. 이를 위해, 저점착성 수지필름(170)은 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 여기서, 저점착성 수지필름(170)의 접착력이 10 gf/25mm 미만인 경우에는 저점착성 수지필름(170)이 의도치 않은 상황에서 기저필름(110)으로부터 분리될 우려가 있고, 30 gf/25mm 초과일 경우에는 상술한 기저필름(110)의 특성이 열화될 우려가 있다. The low-adhesion resin film 170 has a low-adhesion property unlike the base film 110, which is deformed according to the topology of the bottom surface of the semiconductor package 300 when the semiconductor package 300 is attached, so the ends of the plurality of protruding electrodes 310 It can have a shape in contact with. This is because the characteristics of the base film 110 are deteriorated by the low-adhesion resin film 170, that is, the shape is deformed in response to the topology of the lower surface of the semiconductor package 300, and the characteristic of independently maintaining the modified shape between processes is deteriorated. This is to prevent it. To this end, the low-adhesion resin film 170 may have an adhesive force in the range of 10 gf/25mm to 30 gf/25mm. Here, when the adhesive force of the low-adhesion resin film 170 is less than 10 gf/25mm, there is a risk that the low-adhesion resin film 170 may be separated from the base film 110 in an unintended situation, and it is more than 30 gf/25mm. In this case, there is a concern that the characteristics of the base film 110 described above may be deteriorated.

저점착성 수지필름(170)은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 저점착성 수지필름(170)의 두께가 10㎛ 미만일 경우에는 공정간 기저필름(110)의 손상을 효과적으로 방지하기 어렵고, 50㎛ 초과인 경우에는 불필요한 생산비용 증가를 유발하거나, 또는 반도체 패키지(300)에 접착 테이프(100)를 부착하는 과정에서 불량을 유발할 수 있다. The low-adhesion resin film 170 may have a thickness in the range of 10 μm to 50 μm. Here, when the thickness of the low-adhesion resin film 170 is less than 10 μm, it is difficult to effectively prevent damage to the base film 110 between processes, and when it exceeds 50 μm, unnecessary production cost increases, or a semiconductor package ( In the process of attaching the adhesive tape 100 to 300), a defect may be caused.

저점착성 수지필름(170)은 공지된 다양한 필름을 사용할 수 있으며, 일례로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 사용할 수 있다. The low-adhesion resin film 170 may use various known films, and as an example, a polyethylene terephthalate (PET) film may be used.

상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접착 테이프(100)는 접착층(120)이 형성된 기저필름(110)의 일면에 대향하는 타면에 형성된 저점착성 수지필름(170)을 더 포함함으로써, 공정간 기저필름(110)의 손상을 방지할 수 있고, 이를 통해 반도체 패키지(300) 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the adhesive tape 100 according to another embodiment of the present invention further includes a low-adhesion resin film 170 formed on the other surface opposite to one surface of the base film 110 on which the adhesive layer 120 is formed. , It is possible to prevent damage to the base film 110 between processes, and thereby improve the yield of the semiconductor package 300 manufacturing process.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 도 1에 도시된 접착 테이프의 제조방법에 대한 일례를 설명하기로 한다. 따라서, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 상세한 설명을 생략하기로 한다. 9 is a flowchart illustrating a manufacturing process of an adhesive tape for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, for convenience of description, an example of a method of manufacturing the adhesive tape shown in FIG. 1 will be described. Accordingly, the same reference numerals are used for the same configurations as those of the above-described embodiment, and detailed descriptions will be omitted.

도 9에 도시된 바와 같이, 기저필름(110)을 준비한다. 기저필름(110)은 광택면 및 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 알루미늄 또는 구리가 99 wt% 이상 함유된 것일 수 있다. 이때, 기저필름(110)의 두께는 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. As shown in FIG. 9, a base film 110 is prepared. The base film 110 may have a glossy surface and a matte surface opposite to the glossy surface, and may contain 99 wt% or more of aluminum or copper. At this time, the thickness of the base film 110 may have a thickness ranging from 10 μm to 35 μm.

다음으로, 접착층(120)을 형성하기 위한 접착 조성물을 제조한다. 접착 조성물은 혼합용기에 예정된 물질들을 기 설정된 비율로 주입 및 혼합하여 형성할 수 있다. 일례로, 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.8 중량부를 혼합하여 접착 조성물을 제조할 수 있다.Next, an adhesive composition for forming the adhesive layer 120 is prepared. The adhesive composition may be formed by injecting and mixing predetermined substances in a mixing container at a preset ratio. For example, 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent and 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive based on 100 parts by weight of an adhesive agent in which trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene are mixed. The adhesive composition may be prepared by mixing parts and 0.5 to 1.8 parts by weight of a catalyst.

다음으로, 제조된 접착 조성물을 안정화시킨다. 접착 조성물의 안정화는 접착 조성물 내 기포를 제거함과 동시에 접착 조성물의 화학적 안정성 및 고른 중합 반응을 유도하기 위한 것이다. 구체적으로, 접착 조성물의 안정화를 위해 4시간 내지 12시간 동안 제조된 접착 조성물을 열적 평형상태에서 휴지시킬 수 있다. 통상적으로, 접착 조성물 내 기포를 제거하기 위해서는 초음파 처리 또는 진공흡입을 진행하나, 본 발명의 실시예에 따른 접착 조성물은 실리콘 성분을 포함하기 있기 때문에 화학적 안정성을 확보하고, 급격한 중합 반응을 방지하기 위해 열적 평형상태에서 진행하는 것이 바람직하다. 참고로, 열적 평형상태는 외부에서 그 어떠한 자극 또는 외력이 작용하지 않는 안정화된 상태를 지칭할 수 있다. Next, the prepared adhesive composition is stabilized. Stabilization of the adhesive composition is to induce chemical stability and even polymerization reaction of the adhesive composition while removing air bubbles in the adhesive composition. Specifically, the adhesive composition prepared for 4 to 12 hours for stabilization of the adhesive composition may be rested in a thermal equilibrium state. Typically, ultrasonic treatment or vacuum suction is performed to remove air bubbles in the adhesive composition, but since the adhesive composition according to the embodiment of the present invention contains a silicone component, in order to secure chemical stability and prevent a rapid polymerization reaction It is preferable to proceed in thermal equilibrium. For reference, the thermal equilibrium state may refer to a stabilized state in which no external stimulus or external force acts.

다음으로, 콤마 코터(comma coater)를 이용하여 기저필름(110)의 무광택면 상에 안정화된 접착 조성물을 도포하여 접착층(120)을 형성한다. 이때, 콤마 코터는 접착층(120)의 목표 두께(즉, 최종 두께)보다 더 두껍게 접착 조성물을 기저필름(110) 무광택면 상에 도포할 수 있다. 구체적으로, 콤마 코터는 접착층(120)의 목표 두께 대비 2.5배 내지 3.5배 더 두껍게 접착 조성물을 도포할 수 있다. 예를 들어, 접착층(120)의 목표 두께가 30㎛인 경우 콤마 코터는 75㎛ 내지 105㎛ 범위의 두께를 갖도록 접착 조성물을 도포할 수 있다. 후술하겠지만, 접착층(120)은 후속 건조 열처리 및 경화 과정에서 점차 두께가 감소하여 목표 두께에 도달할 수 있다. Next, the adhesive layer 120 is formed by applying a stabilized adhesive composition on the matte surface of the base film 110 using a comma coater. In this case, the comma coater may apply the adhesive composition on the matte surface of the base film 110 to be thicker than the target thickness (ie, the final thickness) of the adhesive layer 120. Specifically, the comma coater may apply the adhesive composition to a thickness of 2.5 to 3.5 times greater than the target thickness of the adhesive layer 120. For example, when the target thickness of the adhesive layer 120 is 30 μm, the comma coater may apply the adhesive composition to have a thickness in the range of 75 μm to 105 μm. As will be described later, the adhesive layer 120 may gradually decrease in thickness during a subsequent drying heat treatment and curing process to reach a target thickness.

한편, 본 실시예에서는 콤마 코터를 이용하여 접착층(120)을 형성하는 경우를 예시하였으나, 접착층(120)은 얇은 두께를 갖기 때문에 공지된 다양한 공정방법을 사용할 수 있다. 변형예로서, 접착층(120)은 스핀코팅을 통해 형성할 수도 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a case of forming the adhesive layer 120 using a comma coater is illustrated, but since the adhesive layer 120 has a thin thickness, various known process methods can be used. As a modified example, the adhesive layer 120 may be formed through spin coating.

다음으로, 접착층(120)에 대한 1차 건조 열처리를 진행한다. 1차 건조 열처리를 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있으며, 60℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분간 진행할 수 있다.Next, the first drying heat treatment is performed on the adhesive layer 120. The first drying heat treatment is for removing the solvent in the adhesive composition and activating the polymerization reaction, and may be performed using an infrared lamp, and may be performed at a temperature in the range of 60° C. to 80° C. for 3 to 6 minutes.

다음으로, 1차 건조 열처리에 연속하여 접착층(120)에 대한 2차 건조 열처리를 진행한다. 2차 건조 열처리는 1차 건조 열처리와 마찬가지로 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있다. 2차 건조 열처리를 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 진행할 수 있으며, 1차 건조 열처리와 동일한 시간동안 진행할 수 있다. 예를 들어, 2차 건조 열처리는 160℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분간 진행할 수 있다.Next, a second dry heat treatment is performed on the adhesive layer 120 following the first dry heat treatment. The secondary dry heat treatment is for activating the polymerization reaction while removing the solvent in the adhesive composition, similar to the first dry heat treatment, and may be performed using an infrared lamp. The second dry heat treatment may be performed at a higher temperature than the first dry heat treatment, and may be performed for the same time as the first dry heat treatment. For example, the secondary drying heat treatment may be performed for 3 minutes to 6 minutes at a temperature in the range of 160°C to 180°C.

다음으로, 2차 건조 열처리에 연속하여 접착층(120)에 대한 3차 건조 열처리를 진행한다. 3차 건조 열처리도 1차 및 2차 건조 열처리와 마찬가지로 접착 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 중합 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프를 이용하여 진행할 수 있다. 3차 건조 열처리를 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 진행할 수 있으며, 2차 건조 열처리보다 긴 시간동안 진행할 수 있다. 예를 들어, 3차 건조 열처리를 190℃ 내지 210℃ 범위의 온도에서 9분 내지 18분 동안 진행할 수 있다. Next, a third dry heat treatment is performed on the adhesive layer 120 following the second dry heat treatment. The third dry heat treatment is also for activating the polymerization reaction while removing the solvent in the adhesive composition, like the first and second dry heat treatments, and may be performed using an infrared lamp. The third dry heat treatment may be performed at a higher temperature than the second dry heat treatment, and may be performed for a longer time than the second dry heat treatment. For example, the third drying heat treatment may be performed at a temperature in the range of 190°C to 210°C for 9 to 18 minutes.

다음으로, 상온에서 12시간 내지 24시간동안 접착층(120)을 경화 및 안정화시킨다. 즉, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 뜨거워진 기저필름(110) 및 접착층(120)을 상온까지 천천히 식혀주는 휴지기를 통해 접착층(120) 내 중합 반응을 안정적으로 마무리함과 동시에 접착층(120)이 요구되는 경도를 갖도록 경화시킬 수 있다.Next, the adhesive layer 120 is cured and stabilized at room temperature for 12 to 24 hours. That is, the polymerization reaction in the adhesive layer 120 is stably finished through a pause that slowly cools the base film 110 and the adhesive layer 120 heated to room temperature in the first to third dry heat treatment process, and at the same time, the adhesive layer 120 It can be cured to have the required hardness.

여기서, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 단계적으로 온도를 상승시키면서 접착층(120)을 건조시키는 것은 접착층(120)이 표면부터 건조 및 경화되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이를 통해 접착층(120) 내 기포를 용이하게 제거할 수 있다. 아울러, 3차 건조 열처리를 진행한 후, 상온까지 서서히 온도를 감소시켜 줌으로써 보다 안정적인 상태 및 고른 두께를 갖는 접착층(120)을 구현할 수 있다. Here, drying the adhesive layer 120 while increasing the temperature step by step in the first to third drying heat treatment process is to prevent the adhesive layer 120 from drying and curing from the surface, through which bubbles in the adhesive layer 120 Can be easily removed. In addition, after the third drying heat treatment is performed, the temperature is gradually decreased to room temperature, thereby implementing the adhesive layer 120 having a more stable state and even thickness.

상술한 1차 내지 3차 건조 열처리 및 상온에서의 안정화가 완료된 시점에서 접착층(120)은 목표 두께를 가질 수 있다. When the above-described first to third dry heat treatment and stabilization at room temperature are completed, the adhesive layer 120 may have a target thickness.

다음으로, 접착층(120) 상에 불소가 함유된 이형필름(190)을 부착한다. 이형필름(190)은 실리콘이 함유된 접착층(120)의 보호 및 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. Next, a release film 190 containing fluorine is attached to the adhesive layer 120. The release film 190 may contain fluorine to facilitate the protection and separation of the adhesive layer 120 containing silicon, and may have an adhesive strength in the range of 3 gf/25mm to 8 gf/25mm.

상술한 공정과정을 통해 본 발명의 실시예에 따른 접착 테이프(100)를 완성할 수 있다. The adhesive tape 100 according to an embodiment of the present invention may be completed through the above-described process process.

본 명세서에서 설명되는 실시 예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments described in the present specification and the accompanying drawings are merely illustrative of some of the technical ideas included in the present invention. Accordingly, it is obvious that the embodiments disclosed in the present specification are not intended to limit the technical idea of the present disclosure, but to explain the technical idea, and thus the scope of the technical idea of the present disclosure is not limited by these embodiments. Modification examples and specific embodiments that can be easily inferred by those skilled in the art within the scope of the technical idea included in the specification and drawings of the present invention should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 접착 테이프 110 : 기저필름
120 : 접착층 130 : 중간층
170 : 저점착성 수지필름 180 : 코팅층
190 : 이형필름 300 : 반도체 패키지
310 : 돌출전극(ex. 솔더볼)100: adhesive tape 110: base film
120: adhesive layer 130: intermediate layer
170: low-adhesive resin film 180: coating layer
190: release film 300: semiconductor package
310: protruding electrode (ex. solder ball)

Claims (24)

복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서,
부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 금속원소가 함유된 기저필름;
상기 기저필름 상에 형성되어 분자구조가 나선형 망상구조를 갖고 실리콘이 함유된 접착층; 및
상기 접착층 상에 부착된 불소가 함유된 이형필름
을 포함하는 접착 테이프.
In the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process attached to a lower surface of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes formed thereon,
A base film containing a metal element so that the shape is changed to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package when attached, and independently maintains the shape changed between processes;
An adhesive layer formed on the base film to have a helical network structure and contain silicon; And
Fluorine-containing release film attached to the adhesive layer
Adhesive tape comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함하고,
상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 1,
Further comprising an intermediate layer inserted between the base film and the adhesive layer to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer,
The intermediate layer is an adhesive tape having a basis weight in the range of 0.2 g / m 2 to 0.5 g / m 2 on the base film.
 제1항에 있어서,
상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함하고,
상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The adhesive layer is formed on the other surface opposite to the one surface of the base film, and further comprises a protective layer having a thickness in the range of 10 ㎛ to 50 ㎛,
The protective layer is an adhesive tape comprising a coating layer containing silicone or a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf/25mm to 30 gf/25mm.
 제1항에 있어서,
상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하고,
상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The base film contains at least 99 wt% or more of aluminum (Al),
The aluminum-containing base film is an adhesive tape having a tensile strength in the range of 6 kgf/mm 2 to 12 kgf/mm 2 and an elongation in the range of 8% to 16%.
 제1항에 있어서,
상기 기저필름은 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하고,
상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The base film contains at least 99 wt% or more of copper (Cu),
The copper-containing base film is an adhesive tape having a tensile strength in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 and an elongation in the range of 4% to 12%.
 제1항에 있어서,
상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소하고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가하는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The base film has a thickness in the range of 10 µm to 35 µm, but the thickness decreases within the set range as the size of the protruding electrode increases, and the thickness increases within the set range as the distance between the protruding electrodes increases. tape.
 제1항에 있어서,
상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가하고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소하는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The adhesive layer has a thickness in the range of 10 μm to 50 μm, but the thickness increases within a set range as the size of the protruding electrodes increases, and the thickness decreases within the set range as the distance between the protrusion electrodes increases. .
 제1항에 있어서,
상기 접착층은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함하고, 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The adhesive layer includes a mixture of trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene, and has an adhesive strength in the range of 200 gf/25mm to 300 gf/25mm. tape.
 제1항에 있어서,
상기 이형필름은 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 1,
The release film is an adhesive tape having an adhesive strength in the range of 3 gf/25mm to 8 gf/25mm.
 복수의 돌출전극이 형성된 반도체 패키지의 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조공정용 접착 테이프에 있어서,
부착시 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되고, 공정간 변형된 형태를 독자적으로 유지하도록 99 wt% 이상 금속원소가 함유된 기저필름; 및
상기 기저필름 상에 형성되고, 상기 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 접착되는 실리콘이 함유된 접착층을 포함하고,
상기 접착층은 분자구조가 나선형 망상구조를 갖는 접착 조성물을 포함하고, 상기 접착 조성물은 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 디메틸실록산 공중합체(Dimethyl Siloxane copolymer) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 접착주제를 포함하는 접착 테이프.
In the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process attached to a lower surface of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes formed thereon,
A base film containing at least 99 wt% of metal elements so as to be modified to correspond to the topology of the bottom surface of the semiconductor package when attached, and to independently maintain the modified shape between processes; And
It is formed on the base film and includes an adhesive layer containing silicon bonded to correspond to a topology when the semiconductor package,
The adhesive layer includes an adhesive composition having a helical network structure in a molecular structure, and the adhesive composition is a mixture of trimethylated silica, dimethyl siloxane copolymer, and ethylbenzene. Adhesive tape comprising a.
 제10항에 있어서,
상기 접착층은 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께 및 200 gf/25mm 내지 300 gf/25mm 범위의 접착력을 갖고, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가하고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive layer has a thickness in the range of 10 μm to 50 μm and an adhesive strength in the range of 200 gf/25mm to 300 gf/25mm, and the thickness increases within a set range as the size of the protruding electrode increases, and the gap between the protruding electrodes Adhesive tape whose thickness decreases within a set range as this increases.
 제10항에 있어서,
상기 접착 조성물은 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.8 중량부를 더 포함하고,
상기 접착주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive composition further comprises 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.5 to 1.8 parts by weight of a catalyst based on 100 parts by weight of the adhesive subject,
The adhesive subject matter is xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group- Adhesive tape containing a mixture of terminated; CAS No. 68083-19-2).
 제10항에 있어서,
상기 접착 조성물은 제1주제와 제2주제가 95:5 내지 99:1 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 가교제 0.5 내지 1.5 중량부, 앵커리지 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부 및 촉매제 0.5 내지 1.5 중량부를 더 포함하고,
상기 제1주제는 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)가 혼합된 혼합물을 포함하며,
상기 제2주제는 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2)와 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive composition includes 0.5 to 1.5 parts by weight of a crosslinking agent, 0.5 to 1.5 parts by weight of an anchorage additive, and 0.5 to 1.5 parts by weight of a catalyst based on 100 parts by weight of the adhesive topic in which the first and second subjects are mixed in a ratio of 95:5 to 99:1. Contains more wealth,
The first subject is xylene, trimethylated silica, ethylbenzene, siloxane and silicon, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group). -terminated; CAS No.68083-19-2) contains a mixture,
The second subject is siloxane and silicone, di-methyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2) and 1-ethynylcyclohexanol ( Adhesive tape containing a mixture of 1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3).
 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 가교제는 헵탄(Heptane) 및 실록산과 실리콘, 메틸수소(Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2)가 혼합된 혼합물을 포함하고,
상기 앵커리지 첨가제는 트라이메톡시[3-(옥시라닐메톡시)프로필]실란(Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), 트라이메톡시[(3-옥시란일메톡시)프로필]실레인과 결합한 실록산류와 실리콘류, 디-메틸, 디-비닐, 하이드록시-말단화 반응 생성물(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), 메탄올(Methanol) 및 디비닐헥사메틸시클로테트라실록산(Divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane; CAS No. 17980-61-9)이 혼합된 혼합물을 포함하며,
상기 촉매제는 백금, 1,3-다이에텐일-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 착물(Platinium 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478-92-2), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated; CAS No. 68083-19-2), 테트라메틸디비닐디실록산(Tetramethyldivinyldisiloxane; CAS No. 2627-95-4) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8)가 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 12 or 13,
The crosslinking agent includes a mixture of heptane and siloxane and silicon, and methyl hydrogen (Siloxanes and Silicones, Me hydrogen; CAS No. 63148-57-2),
The anchorage additive is trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]silane (Silane, trimethoxy[3-(oxiranylmethoxy)propyl]-; CAS No. 2530-83-8), trimethoxy[(3-3-) Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated reaction products with siloxanes and silicones, di-methyl, di-vinyl, and hydroxy-terminated reaction products combined with oxyranylmethoxy) propyl] silane trimethoxy[3-oxiranylmethoxy)propyl]silane; CAS No. 102782-94-5), methanol (Methanol) and divinyl hexamethyl cyclotetrasiloxane (CAS No. 17980-61-9) mixture, including a mixture,
The catalyst is platinum, 1,3-diethenyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complexes; CAS No. 68478- 92-2), Siloxanes and Silicones, di-Me, vinyl group-terminated (CAS No. 68083-19-2), tetramethyldivinyldisiloxane ; CAS No. 2627-95-4) and a mixture of siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8) Adhesive tape comprising a.
 제10항에 있어서,
상기 접착 조성물은 제3주제와 제4주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함하고,
상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함하며,
상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함하고,
상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive composition further comprises 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the adhesive subject in which the third and fourth subjects are mixed in a ratio of 50:50 to 80:20,
The third subject is xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated reaction product of chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol and sodium silicate. (Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)
The fourth subject is toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), and xylene. ), trimethylated silica and ethylbenzene (Ethylbenzene) are mixed,
The polymerization initiator adhesive tape containing benzoyl peroxide (Benzoyl Peroxide).
 제10항에 있어서,
상기 접착 조성물은 제3주제와 제5주제가 50:50 내지 80:20 비율로 혼합된 상기 접착주제 100 중량부에 대해 중합개시제 0.5 내지 3 중량부를 더 포함하고,
상기 제3주제는 자일렌(Xylene), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 톨루엔(Toluene) 및 실록산과 실리콘, 디-메틸, 클로로트리메틸실란의 하이드록시-말단화 반응 생성물, 염산, 이소프로필알콜과 소듐 실리케이트(Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)가 혼합된 혼합물을 포함하고,
상기 제4주제는 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 비닐기-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica), 에틸벤젠(Ethylbenzene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 메틸비닐, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) 및 1-에티닐사이클로헥산올(1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3)이 혼합된 혼합물을 포함하며,
상기 중합개시제는 과산화벤조일(Benzoyl Peroxide)을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive composition further comprises 0.5 to 3 parts by weight of a polymerization initiator based on 100 parts by weight of the adhesive subject in which the third and fifth subjects are mixed in a ratio of 50:50 to 80:20,
The third subject is xylene, ethylbenzene, toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated reaction product of chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, isopropyl alcohol and sodium silicate. (Siloxanes and silicones, di-Me, hydroxy-terminated reaction products with chlorotrimethylsilane, hydrochloric acid, iso-Pr alc. and sodium silicate; CAS No. 68440-70-0)
The fourth subject is toluene, siloxane and silicone, di-methyl, methyl vinyl, vinyl group-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, vinyl groupterminated; CAS No. 68083-18-1) , Xylene, Trimethylated silica, Ethylbenzene, Siloxane and silicone, di-methyl, methyl vinyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me, Me vinyl, It contains a mixture of hydroxy-terminated; CAS No. 67923-19-7) and 1-Ethynylcyclohexanol; CAS No. 78-27-3,
The polymerization initiator adhesive tape containing benzoyl peroxide (Benzoyl Peroxide).
 제10항에 있어서,
상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름과 상기 접착층 사이에 삽입된 중간층을 더 포함하고,
상기 중간층은 상기 기저필름 상에서 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 갖고, 톨루엔(Toluene), 실록산과 실리콘, 디-메틸, 하이드록시-말단화(Siloxanes and Silicones, di-Me, hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), 자일렌(Xylene), 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) 및 에틸벤젠(Ethylbenzene)이 혼합된 혼합물을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
Further comprising an intermediate layer inserted between the base film and the adhesive layer to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer,
The intermediate layer has a basis weight in the range of 0.2 g/m 2 to 0.5 g/m 2 on the base film, and toluene, siloxane and silicone, di-methyl, hydroxy-terminated (Siloxanes and Silicones, di-Me , hydroxy-terminated; CAS No. 70131-67-8), xylene (Xylene), trimethylated silica (Trimethylated silica), and an adhesive tape comprising a mixture of ethylbenzene (Ethylbenzene).
 제10항에 있어서,
상기 기저필름의 금속원소는 알루미늄(Al)을 포함하고,
상기 알루미늄이 함유된 기저필름은 6 kgf/mm2 내지 12 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 8% 내지 16% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The metal element of the base film includes aluminum (Al),
The aluminum-containing base film is an adhesive tape having a tensile strength in the range of 6 kgf/mm 2 to 12 kgf/mm 2 and an elongation in the range of 8% to 16%.
 제10항에 있어서,
상기 기저필름의 금속원소를 구리(Cu)를 포함하고,
상기 구리가 함유된 기저필름은 10 kgf/mm2 내지 26 kgf/mm2 범위의 인장강도 및 4% 내지 12% 범위의 연신율을 갖는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The metal element of the base film contains copper (Cu),
The copper-containing base film is an adhesive tape having a tensile strength in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 and an elongation in the range of 4% to 12%.
 제10항에 있어서,
상기 기저필름은 10㎛ 내지 35㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 감소하고, 상기 돌출전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 범위내에서 두께가 증가하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The base film has a thickness in the range of 10 µm to 35 µm, but the thickness decreases within the set range as the size of the protruding electrode increases, and the thickness increases within the set range as the distance between the protruding electrodes increases. tape.
 제10항에 있어서,
상기 접착층이 형성된 기저필름의 일면에 대향하는 타면에 형성되고, 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 더 포함하고,
상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함하는 접착 테이프.
The method of claim 10,
The adhesive layer is formed on the other surface opposite to the one surface of the base film, and further comprises a protective layer having a thickness in the range of 10 ㎛ to 50 ㎛,
The protective layer is an adhesive tape comprising a coating layer containing silicone or a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf/25mm to 30 gf/25mm.
 광택면 및 상기 광택면에 대향하는 무광택면을 갖고, 알루미늄 또는 구리가 99 wt% 이상 함유된 기저필름을 준비하는 단계;
분자구조가 나선형 망상구조를 갖는 실리콘이 함유된 접착 조성물을 제조하는 단계;
상기 접착 조성물을 열적 평형상태에서 안정화시키는 단계;
상기 기저필름의 무광택면 상에 안정화된 상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계;
상기 접착층에 대한 1차 건조 열처리를 제1시간동안 진행하는 단계;
상기 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 2차 건조 열처리를 상기 제1시간동안 진행하는 단계;
상기 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 상기 접착층에 대한 3차 건조 열처리를 상기 제1시간보다 긴 제2시간동안 진행하는 단계;
상온에서 상기 접착층을 경화 및 안정화시키는 단계; 및
상기 접착층 상에 불소가 함유된 이형필름을 부착하는 단계
를 포함하는 접착 테이프 제조방법.
Preparing a base film having a glossy surface and a matte surface opposite to the glossy surface, and containing 99 wt% or more of aluminum or copper;
Preparing an adhesive composition containing silicone having a helical network structure;
Stabilizing the adhesive composition in a thermal equilibrium state;
Forming an adhesive layer by applying the stabilized adhesive composition on the matte surface of the base film;
Performing a first drying heat treatment on the adhesive layer for a first time;
Performing a second dry heat treatment on the adhesive layer at a higher temperature than the first dry heat treatment for the first time;
Performing a third dry heat treatment on the adhesive layer at a higher temperature than the second dry heat treatment for a second time longer than the first time;
Curing and stabilizing the adhesive layer at room temperature; And
Attaching a release film containing fluorine on the adhesive layer
Adhesive tape manufacturing method comprising a.
 제22항에 있어서,
상기 기저필름을 준비하는 단계에서,
상기 기저필름의 광택면 상에 10㎛ 내지 50㎛ 범위의 두께를 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 보호층은 실리콘이 함유된 코팅층 또는 10 gf/25mm 내지 30 gf/25mm 범위의 접착력을 갖는 수지필름을 포함하는 접착 테이프 제조방법.
The method of claim 22,
In the step of preparing the base film,
Further comprising the step of forming a protective layer having a thickness in the range of 10㎛ to 50㎛ on the glossy surface of the base film,
The protective layer is a method of manufacturing an adhesive tape comprising a coating layer containing silicone or a resin film having an adhesive strength in the range of 10 gf/25mm to 30 gf/25mm.
 제22항에 있어서,
상기 접착 조성물을 도포하여 접착층을 형성하는 단계 이전에,
상기 기저필름과 상기 접착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 상기 기저필름의 무광택면 상에 0.2 g/m2 내지 0.5 g/m2 범위의 평량을 갖는 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 접착 테이프 제조방법.The method of claim 22,
Before the step of forming an adhesive layer by applying the adhesive composition,
Adhesive tape manufacturing method further comprising the step of forming an intermediate layer having a basis weight in the range of 0.2 g / m 2 to 0.5 g / m 2 on the matte surface of the base film in order to improve the adhesion between the base film and the adhesive layer .
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