KR20200108794A - 인쇄 배선 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 물품 - Google Patents

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롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
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Abstract

기판에 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 층을 갖는 시트를 적층시키는 단계(여기서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 200 Pa·s 내지 100,000 Pa·s의 범위임); 레이저 절제에 의해 가교결합 가능한 중합체 층에서 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계; 및 적어도 하나의 비아의 형성 후에, 가교결합 가능한 중합체 층을 열 경화시키는 단계를 포함하는, 전기 라미네이트에서 비아를 형성하는 방법이 본 명세서에 개시된다. 소정의 구현예에 따르면, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 적어도 5000 Pa·s이다. 본 방법은 이러한 조성물이 사용되고 비아가 경화 전에 레이저 절제될 때 양호한 적층 결과, 양호한 비아 프로필 및 양호한 스미어 제거 결과를 도출한다.

Description

인쇄 배선 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 물품{PRINTED WIRE BOARDS, METHODS OF MANUFACTURE THEREOF AND ARTICLES COMPRISING THE SAME}
본 개시내용은 인쇄 배선 기판(printed wire board), 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 물품에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용은 적층 및 레이저 절제를 이용한 인쇄 배선 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 물품에 관한 것이다.
인쇄 배선 기판의 제조를 위한 현재의 방법은 전도 층에 의한 중합체 절연 층의 순차적인 적층에 의존할 수 있다. 비아(via)(즉, 홀)는 레이저 절제 또는 기계적 드릴링에 의해 절연 층을 통해 만들어진다. 비아는 이어서 층들 사이에 전기 연결을 형성하도록 사용된다. 현재의 방법은, 정확한 순서로, 열간 압연(hot roll) 또는 진공 적층 공정처리에 의한 중합체 절연 층의 제1 적층, 이어서 가교결합된 시스템을 제조하기 위한 오븐에서의 열 경화, 및 마지막으로 레이저 절제 또는 기계적 드릴에 의한 비아 형성을 수반한다. 예를 들어, U.S. 제6,739,040호를 참조한다. 이 비아 형성 공정은 각각의 적층된 중합체 절연 층이 별개로 및 개별적으로 어드레스 가능하게 보장하도록 사용된다. 이 공정 내에서, 기재된 단계들이 그 정확한 순서로 뒤를 잇지 않는 한, 비아 리플로우(reflow)를 방지할 방법이 없으므로, 비아 리플로우를 피하기 위해 레이저 절제 또는 기계적 드릴링 전의 적층된 중합체 절연 층의 경화가 중요하다. 리플로우가 발생하면, 비아 측벽 프로필은 영향을 받을 수 있고, 비아가 폐쇄되거나 방해를 받거나 최악의 시나리오로서 어드레스 능력(addressability)이 완전히 차단(즉, 비아를 통한 인터커넥트의 형성을 방지)될 가능성이 있다.
라미네이트가 비아 형성 전에 반복하여 경화되어야 하므로, 이 공정은 번거로울 수 있다. 예를 들어, 라미네이트는 개별적으로 형성되는 각각의 층에 대해 여러 단계에서 경화되어야 한다. 대규모 제조를 위해 더 효율적이고 다목적인 공정에 대한 필요가 존재한다.
기판에 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 층을 갖는 시트를 적층시키는 단계(여기서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 200 Pa·s 내지 100,000 Pa·s의 범위이고, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 폴리스티렌 표준품을 사용하여 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography: GPC)에 의해 측정된 바대로 중량 평균 분자량이 약 30,000 g/mol 내지 약 150,000 g/mol의 범위인 가교결합 가능한 중합체를 포함함); 레이저 절제에 의해 가교결합 가능한 중합체 조성물 층에서 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계; 및 적어도 하나의 비아의 형성 후에, 가교결합 가능한 중합체 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는 방법이 본 명세서에 개시된다. 소정의 구현예에 따르면, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 적어도 5000 Pa·s이다. 놀랍게도, 본 출원인들은 이러한 조성물이 사용되고 비아가 경화 전에 레이저 절제될 때 양호한 적층 결과, 양호한 비아 프로필 및 양호한 스미어 제거(desmear) 결과를 발견하였다.
도 1은 라미네이트의 도시이다.
도 2는 실시예 8 및 비교예 A의 중합체의 복소 점도의 선도이다.
도 3a는 실시예 8에서 본 명세서에 개시된 바와 같은 공정에 따라 제조된 비아를 갖는 라미네이트의 주사 전자 현미경 검사(scanning electron microscopy: SEM) 영상을 도시하고;
도 3b는 실시예 8의 비교예 A에 따라 제조된 비아를 갖는 라미네이트의 주사 전자 현미경 검사(SEM) 영상을 도시하고;
도 4a는 실시예 9의 비교예 B에 기재된 바와 같은 주사 전자 현미경 검사(SEM) 영상을 도시하고;
도 4b는 실시예 9에서 본 명세서에 개시된 바와 같은 공정에 따라 제조된 비아를 갖는 라미네이트의 주사 전자 현미경 검사(SEM) 영상을 도시한다.
복수의 층을 포함하고 복수의 층들 사이에 전기 접촉을 확립하는 비아를 포함하는 인쇄 배선 기판이 본 명세서에 개시된다. 비아는 복수의 층 사이에 어드레스 능력을 완전히 또는 부분적으로 방지할 수 있는 임의의 리플로우가 없다. 비아의 형성 동안에 또는 후에 다양한 층들 사이에 리플로우를 방지하는 인쇄 배선 기판을 제조하는 방법이 본 명세서에 또한 개시된다. 상기 방법은 유리하게는 인쇄 배선 기판을 형성하기 위해 1개 이상의 층을 경화(또는 가교결합)하기 전에 복수의 층에서 비아를 제조하는 단계를 포함한다.
인쇄 배선 기판을 제조하기 위해 사용될 수 있는 중합체 조성물이 본 명세서에 또한 개시된다. 중합체 조성물은 가교결합 가능한 중합체를 포함한다. 추가적인 선택적 성분은 유전 충전제(dielectric filler)(무기 또는 유기 유전 충전제 포함), 가교결합제, 항산화제, 유동 개질제(flow modifier), 접착 증진제(adhesion promoter), 난연제, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
도 1을 이제 참조하면, 인쇄 배선 기판(100)은 가교결합 가능한 중합체 층(104)이 위에 배치된 기판(102)을 포함한다. 일 구현예에서, 가교결합 가능한 중합체 층(104)의 일 표면은 기판(102)과 접촉할 수 있는 반면에, 반대의 표면은 캐리어 필름(106)과 접촉한다. 인쇄 배선 기판은 단면(1개의 전기 전도 층), 양면(1개의 기판 층의 양면에서의 2개의 전기 전도 층) 또는 다층(기판의 층과 교대하는, 전기 전도 물질의 외부 층 및 내부 층)일 수 있다. 전기 전도 층은 구리를 포함한다. 다층 인쇄 배선 기판은 훨씬 더 높은 성분 밀도를 허용하는데, 그렇지 않으면 내부 층에서의 회로 트레이스가 성분 사이의 표면 공간을 차지할 것이기 때문이다.
기판(100)은 중합체, 세라믹, 금속, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 기판은 경질 또는 가요성일 수 있다. 기판에서 사용하기에 적합한 중합체는 페놀 종이 또는 페놀 면 종이, 페놀 포름아마이드 수지가 함침된 종이, 에폭시 수지 및/또는 폴리에스테르 수지가 함침된 직조 섬유유리 직물, 무광 유리 및 폴리에스테르, 폴리이미드(예를 들어, KAPTON®), 비충전된 폴리테트라플루오로에틸렌(예를 들어, TEFLON®), 세라믹 충전된 폴리테트라플루오로에틸렌 등, 또는 이들의 조합이다.
기판에서 사용하기에 적합한 세라믹은 알루미나, 질화알루미늄, 산화베릴륨 등을 포함한다. 기판에서 사용하기에 적합한 금속은 구리, 알루미늄, 또는 이들의 조합을 포함한다. 바람직한 기판은 에폭시 수지 또는 에폭시 수지의 유도체가 함침된 직조 섬유유리 직물을 포함한다.
기판은 두께가 적어도 50 또는 적어도 75 또는 적어도 100 또는 적어도 150 마이크로미터 및 2500 또는 2000 또는 1500 마이크로미터 이하일 수 있다.
일 구현예에서, 캐리어 필름(106)은 가교결합된 중합체 층(104)의 맨 위에 배치될 수 있다. 캐리어 필름(106)은 적합한 중합체, 예컨대 폴리에스테르, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트일 수 있다.
가교결합 가능한 중합체 조성물
가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 가교결합 가능한 층(104)이 기판(102) 위에 배치된다. 가교결합 가능한 중합체 조성물은 가교결합 가능한 중합체 조성물로서 기판 위에 배치되고, 인쇄 배선 기판에서 비아가 형성된 후에 열 에너지를 이용하여 가교결합으로 처리된다. 가교결합 가능한 중합체 조성물은 또한 비아의 제조 동안에 가열되면서 흐름을 방지하기에 충분히 높은 점도를 갖는다. 그렇기는 하지만, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 기판에 도포되면서 기판의 기하구조에 정합하게 된다. 소정의 구현예에 따르면, 가교결합 가능한 조성물 층은 전기 절연성이다.
가교결합 가능한 중합체 조성물은 가교결합된 중합체 조성물을 형성하도록 경화된다. 가교결합된 중합체의 예는 에폭시 중합체, 불포화 폴리에스테르 중합체, 폴리이미드 중합체, 비스말레이미드 중합체, 비스말레이미드 트리아진 중합체, 시아네이트 에스테르 중합체, 벤즈옥사진 중합체, 아릴사이클로부텐계 중합체(예를 들어, 치환되거나 비치환된 벤조사이클로부텐계 중합체), 아크릴릭스, 폴리알키드, 페놀-포름아마이드 중합체, 노볼락, 레졸(resole), 멜라민-포름아마이드 중합체, 우레아-포름아마이드 중합체, 하이드록시메틸푸란, 불포화 폴리에스테르이미드 등, 또는 이들의 조합이다. 가교결합된 층에서 사용되는 예시적인 중합체는 폴리벤조사이클로부텐이다.
일 구현예에 따르면, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 부가 중합성 아릴사이클로부텐 단량체의 부분 중합된 반응 생성물을 포함한다. 적합한 단량체는 아릴사이클로부텐에서의 치환기로서 알킬; 이종원자 함유 알킬, 예컨대 이종원자 함유 알콕시 또는 알킬티오; 알케닐; 이종원자 함유 알케닐; 아릴; 이종원자 함유 아릴, 예컨대 이종원자 함유 아릴옥시 또는 티오아릴로부터 선택된 1개 이상의 기를 갖는 1종 이상의 부가 중합성 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A를 포함한다.
단량체 A는 소정의 구현예에 따르면 하기에 1 또는 2에 도시된 구조를 갖는다:
[구조 1]
Figure pat00001
[구조 2]
Figure pat00002
식 중, K 및 K1은 개별적으로 공유 결합 또는 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로아릴 기, 예컨대 아릴옥시 기; C1 내지 C30 2가 알킬 기; C1 내지 C30 이종원자 함유 알킬 기; 2가 C1 내지 C30 알킬렌 기, 카보닐 기, 에테르 기, 티오에테르 기, 에스테르 기, 카복실 기 또는 시아노 기로부터 선택된 2가 기이고; M은 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로아릴 기로부터 선택된 방향족 기이고; L1은 공유 결합으로부터 선택되거나, 원자가가 x +1인 탄화수소 연결 기이고, 바람직하게는, x가 1일 때, L1은 2가 탄화수소 기, 예컨대 알킬렌 기 또는 알킬 치환된 알킬렌 기, C1 내지 C30 이종원자 함유 탄화수소 기, 또는 C1 내지 C30 치환된 헤테로하이드로카빌 기이고; R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, C6 내지 C12 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택된 1가 기로부터 선택되고, 여기서 R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 1개는 C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, C6 내지 C12 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택되거나; 바람직하게는, R1, R2, R3 및 R4 중 1개 이상은 C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, 하이드록실 기, 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택되고; x 및 y는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고, 여기서 y는 L1이 공유 결합일 때 1이거나, 바람직하게는, y는 1이고, x는 1 또는 2이다. R1 내지 R7 중 1개 이상은 동일할 수 있고, 특히 R1 내지 R4 중 1개 이상은 동일할 수 있다. 본 명세서에 사용된 바대로, "C숫자"는 탄소 원자의 수를 나타낸다. 그래서, C1은 1개의 탄소 원자를 의미하고, C6은 6개의 탄소 원자를 의미하고, C12는 12개의 탄소 원자를 의미하고, C30은 30개의 탄소 원자를 의미하고, 기타 등등이다.
바람직하게는, 가교결합 가능한 중합체는 부가 중합성 아릴사이클로부텐 단량체 중 1종 이상과 방향족 부가 중합성 제2 단량체, 예컨대 스티렌, α-메틸 스티렌, 알릴옥시스티렌, 알릴 말단 폴리아릴렌 에테르 또는 말레이미드 말단 폴리아릴렌 에테르; 및 선택적으로 부가 중합성 제3 단량체, 예컨대 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 예컨대 사이클로헥실 메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, 사이클로헥실 아크릴레이트 및 지방 (메트)아크릴레이트; 말레이미드 및 비스-말레이미드; 고리형 무수물, 예컨대 말레산 무수물, 3-메틸렌디하이드로푸란-2,5-디온 또는 이타콘산 무수물; 접착을 개선하기 위한 (메트)아크릴레이트, 예컨대 2-아크릴로일옥시에틸 산 포스페이트, 트리메톡시실릴프로필 메타크릴레이트, 2-[2-하이드록시-5-[2-(메타크릴로일옥시)에틸]페닐]-2H-벤조트리아졸, 2-(메타크릴로일옥시)에틸 아세토아세테이트; 접착 증진을 위한 알릴 기 함유 단량체, 예컨대 알릴 포스포네이트, 알릴옥시에틸 포스페이트 또는 알릴옥시프로필 트리메톡시실란; 선형 및 분지형 알켄, 예컨대 헥센; 사이클릭 올레핀, 예컨대 사이클로펜텐, 사이클로헥센 또는 사이클로옥텐; 및/또는 제2 친디엔체 또는 부가 중합성 기, 예컨대 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene: BCB) 함유 가교결합제, 예를 들어 비닐 벤조사이클로부텐 또는 디비닐실록실 비스-벤조사이클로부텐(divinylsiloxyl bis-benzocyclobutene: DVS-BCB); 알릴 메타크릴레이트; 디비닐 벤젠; 디엔, 예컨대, 부타디엔, 사이클로펜타디엔, β-미르센, 오시멘, 사이클로옥타디엔 또는 테트라페닐사이클로펜타디에논; 알릴옥시스티렌; 비닐, 알릴 또는 말레이미드 말단 폴리올; 올리고실록산 또는 폴리실록산; 또는 말레이미드 말단 폴리이미드를 함유하는 제4 단량체로부터 선택된 1종 이상의 부가 단량체의 중합된 반응 생성물이고; 바람직하게는, 제4 단량체는 n-부틸 아크릴레이트, 사이클로헥실 아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트 또는 C8 내지 C20 알킬 (메트)아크릴레이트, 예컨대 지방 (메트)아크릴레이트 또는 N-비닐 피리딘 또는 다른 비닐 피리딘 이성질체, 예컨대 2-비닐 피리딘, N-비닐 이미다졸 또는 다른 비닐 이미다졸 이성질체, 예컨대 4-비닐 이미다졸, 비닐 트리아졸과 같은 부가 중합성 제4 단량체를 함유하는 질소 헤테로사이클로부터 선택된 단량체, 또는, 선택적으로, 2종 이상의 이러한 단량체; 또는 이들의 혼합물을 포함한다.
다른 구현예에서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 사이클로부텐 고리 치환기로서 알킬 및 아릴로부터 선택된 1개 이상의 기를 갖는 1종 이상의 부가 중합성 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A의 단량체 혼합물의, 공중합된 형태의, 적어도 하나의 중합체를 포함하고, 중합체 조성물은 2개 이상의 알릴 기를 함유하는 부가 중합성 가교결합제 단량체, 예컨대 트리알릴 이소시아누레이트, 디알릴 글리콜, 디알릴 폴리에테르 디올, 디알릴 폴리에스테르 디올, 바람직하게는 디알릴 방향족 폴리에스테르 디올 또는 트리알릴 벤젠을 추가로 포함한다.
다른 구현예에서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 1종 이상의 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A, 1종 이상의 방향족 부가 중합성 제2 단량체, 예컨대 스티렌 및 제3 단량체, 제4 단량체 또는 둘 모두로부터 선택된 1종 이상의 다른 부가 중합성 단량체의 단량체 혼합물을 공중합된 형태로 포함하고; 여기서 단량체 A는 하기에 도시된 구조 2 또는 구조 3을 갖는다:
[구조 2]
Figure pat00003
[구조 3]
Figure pat00004
식 중, K1은 1개 내지 36개의 탄소 원자를 갖는 2가 이종원자 함유 탄화수소 기, 예컨대 알킬티오 또는 알콕시 기, 예를 들어 C1 내지 C6 알콕시 기, 또는 예컨대 5개 내지 36개의 탄소 원자를 갖는 아릴옥시 기 또는 아릴티오 기, 예를 들어 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 O-헤테로아릴 기 또는 S-헤테로아릴 기; 5개 내지 36개의 탄소 원자를 갖는 2가 탄화수소 기, 예컨대 알킬, 알킬렌, 아릴 또는 알킬아릴 기; 시아노 기; 카보닐 기; 에스테르 기(-COO-); 카복실 기(-OOC-); 또는 2가 이종원자 기, 예컨대 에테르 기(-O-); 또는 티오에테르 기(-S-)이고; K2는 공유 결합 또는 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 탄화수소 기, 또는 2가 C1 내지 C30 알킬렌 기, 예컨대 C1 내지 C6 알킬렌 기; 5개 내지 36개의 탄소 원자를 갖는 2가 이종원자 함유 탄화수소 기, 예컨대 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로아릴 기, 예를 들어 아릴옥시 기, 아릴티오 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 O-헤테로아릴 기 또는 S-헤테로아릴 기 또는 예컨대 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로알킬 기, 예를 들어 알콕시 기, 예컨대 C1 내지 C6 알콕시 기 또는 알킬티오 기; 에테르 기(-O-); 또는 티오에테르 기(-S), 카보닐 기; 에스테르 기(-COO-); 또는 시아노 기로부터 선택된 2가 기이거나; 바람직하게는, K2는 공유 결합이고; M은 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 방향족 라디칼 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로방향족 라디칼 기로부터 선택된 2가 방향족 기이고; L1은 공유 결합이거나, L1은 원자가가 x +1인 연결 기, 예컨대 탄화수소 연결 기이거나, 바람직하게는 공유 결합이고; R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록실, C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, 1가 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택된 1가 기로부터 선택되고; x 및 y는 각각 독립적으로 1 내지 5, 또는 바람직하게는 1 내지 2, 또는 더 바람직하게는 1의 정수이고, 여기서 y는 L1이 공유 결합일 때 1이고; 1종 이상의 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A가 구조 2를 가질 때, R1, R2 및 R3의 각각은 수소이고; 추가로, 1종 이상의 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A가 구조 3을 가질 때, L1은 공유 결합 또는 탄화수소 연결 기이거나; 바람직하게는 L1 및 K2의 둘 모두는 공유 결합이고; R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 1개는 C1 내지 C6 알킬 기; C1 내지 C6 알콕시 기; 5개 내지 36개의 탄소 원자를 갖는 C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기; 이종원자 함유 탄화수소 기; C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 예컨대 티오알킬; 시아노 기; 아릴 기; C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 예컨대 아릴옥시 또는 티오아릴; 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택되거나; 바람직하게는 R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 1개는 C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, 아릴 기, 아릴옥시 기, 하이드록실 기, 티오알킬 기 또는 티오아릴 기로부터 선택된 기이다.
가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 조건하에 양호한 접착에 민감하다는 점을 특징으로 한다. 그러나, 점도는, 예를 들어 레이저 절제 동안에 비아를 형성하는 공정 동안 리플로우하지 않도록 충분히 높아야 한다. 이에 따라, 소정의 구현예에 따르면, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 적어도 200 또는 적어도 500 또는 적어도 1000 또는 적어도 2000 또는 적어도 5000 Pa·s 및 100,000 미만, 바람직하게는 70,000 미만 및 더 바람직하게는 50,000 Pa·s 미만이다. 대안적으로, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 100℃ 내지 160℃의 범위의 온도에서 최소 점도가 적어도 200 또는 적어도 500 또는 적어도 1000 또는 적어도 2000 또는 적어도 5000 Pa·s 및 100,000 미만, 바람직하게는 70,000 미만 및 더 바람직하게는 50,000 Pa·s 미만이다. 점도는 표준 평행판 레오미터(parallel plate rheometer)에서 실행되는 진동 온도 상승 프로그램(10℃/분 상승 온도)을 이용하여 결정될 수 있다. 놀랍게도, 본 발명자들은 최소 점도가 5000 Pa·s 또는 초과인 중합체 제제에 의한 적층 동안에 기판에 대한 양호한 정합성을 관찰하였다.
가교결합 가능한 중합체 조성물은 일반적으로 가교결합된 층을 형성하도록 열 처리된다. 가교결합은 비아가 인쇄 배선 기판에 드릴링된 후에 수행된다. 비아의 드릴링 및 가교결합은 하기에 기재될 것이다.
소정의 구현예에서, 중합체 조성물은, 공중합된 형태로, 적어도 10 또는 15 내지 90 또는 70 중량%의 1종 이상의 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A; 5 또는 20 내지 75 또는 70 중량%의 1종 이상의 방향족 부가 중합성 제2 단량체; 1 또는 5 내지 30 또는 25 중량%의 1종 이상의 부가 중합성 제3 단량체, 예컨대 (메트)아크릴레이트 단량체, 부가 중합성 제4 단량체를 함유하는 1종 이상의 질소 헤테로사이클로부터 선택된 1종 이상의 다른 부가 중합성 단량체, 또는 둘 모두를 포함할 수 있고, 여기서 모든 중량은 공중합체를 제조하기 위해 사용된 단량체의 전체 고형분 중량을 기준으로 하고, 모든 단량체 중량%는 합이 100%이다.
다른 구현예에서, 중합체 조성물은, 중합체의 전체 중량을 기준으로, 10 중량% 내지 80 중량%, 또는 바람직하게는 20 중량% 내지 60 중량%의 중합체 고형분 및 유기 용매, 예컨대 극성 양성자성 용매, 예컨대 2-부타논과 같은 지방족 케톤; 알킬 글리콜 에테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 메틸 에테르; 또는 (사이클로)알카놀; 사이클릭 케톤, 예컨대 사이클로펜타논; 방향족 에테르, 예컨대 아니솔; 또는 극성 비양성자성 용매, 예컨대 알킬 에스테르, 아미드 또는 설폰의 잔부를 포함한다.
또 다른 구현예에서, 중합체 조성물은, 조성물의 전체 중량을 기준으로, 1 중량% 내지 50 중량%, 또는 바람직하게는 5 중량% 내지 40 중량%, 또는 훨씬 더 바람직하게는 10 중량% 내지 30 중량%의 제제 고형분을 포함한다.
충전제
일 구현예에서, 중합체 조성물은 유전 충전제를 포함할 수 있다. 유전 충전제는 세라믹을 포함할 수 있다. 유전 충전제가 나노미터 또는 마이크로미터 크기의 충전제인 것이 바람직하다. 서두가 "나노"인 용어는 100 나노미터 미만의 가장 큰 치수를 갖는다. 마이크로미터 크기의 충전제는 가장 큰 치수가 101 나노미터 내지 5000 나노미터(5 마이크로미터)의 범위인 것이다. 마이크로미터 크기의 충전제는 마이크로충전제라 칭해지고, 서두에 용어 "마이크로"가 붙는다.
유전 충전제는 임의의 형상을 가질 수 있고, 1차원 충전제(예를 들어, 나노와이어), 2차원 기하구조(예를 들어, 소판(platelet)) 또는 3차원 기하구조(예를 들어, 구형 입자, 예컨대 버키볼)일 수 있다. 유전 충전제 형상의 예는 와이어, 관, 소판, 구, 타원체, 각뿔, 원뿔 등, 또는 이들의 조합을 포함한다. 유전 충전제는 나노와이어, 나노관, 나노점, 나노소판, 나노봉, 구형 형상을 갖는 나노입자, 나노시트, 마이크로와이어, 마이크로관, 마이크로점, 마이크로소판, 마이크로봉, 구형 형상을 갖는 마이크로입자, 마이크로시트 등, 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 구현예에서, 1차원 충전제 및 2차원 충전제는 종횡비가 5 내지 100,000, 바람직하게는 10 내지 50,000 및 더 바람직하게는 100 내지 5,000일 수 있다.
유전 충전제는 금속 옥사이드, 금속 카바이드, 금속 옥시카바이드, 금속 니트라이드, 금속 옥시니트라이드, 금속 보라이드, 금속 보로카바이드, 보로니트라이드, 금속 실리사이드, 금속 요오다이드, 금속 브로마이드, 금속 설파이드, 금속 셀레나이드, 금속 텔루라이드, 금속 플루오라이드, 금속 보로실리사이드, 중공 구형 입자(예를 들어, 중공 구형 실리카), 코어 쉘 구조 충전제, 유기 충전제, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 스티렌 부타디엔 입자 등, 또는 이들의 조합일 수 있다. 유전 충전제의 예는 알루미나, 마그네시아, 지르코니아, 티타니아, 안티몬 주석 산화물, 티탄산바륨, 티탄산 칼슘 구리, 티탄산납, 티탄산 납 마그네슘, 티탄산 바륨 네오디뮴, 티탄산 납 지르코늄, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 질화붕소, 육방정계 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 이산화규소, 천연 또는 합성 기원의 다이아몬드 등, 또는 이들의 조합을 포함한다. 충전제 입자는 상기에 기재된 각각의 유형의 다양한 물리적 형태를 가질 수 있고, 그 입자는 언급된 재료의 하이브리드이고, 화학량론적 및 비화학량론적 혼합 산화물, 질소화물 및 탄화물을 가질 수 있다. 이들의 더 구체적인 예는 Al2O3, AIN, MgO, ZnO, BeO, BN, Si3N4, SiC, SiO 및 SiO2 및 혼합된 화학량론적 및 비화학량론적 조합을 포함한다. 바람직한 유전 충전제는 구형 이산화규소이다.
이들 유전 충전제는 친밀한 공유 결합된 하이브리드 유기-무기 균일한 재료를 형성하도록 반응성 표면을 또한 함유할 수 있다. 일 구현예에서, 무기 충전제 입자는 유기 중합체와의 본질적으로 완전한 공반응성(co-reactivity)을 허용하는 표면 작용기를 도입하도록 표면 처리된다. 작용기는 제한 없이 하이드록실, 카복실릭, 아민, (메트)아크릴레이트, 실란 및 비닐 기, 또는 유사물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
사용될 때, 유전 충전제는, 중합체 조성물의 전체 중량을 기준으로, 예를 들어 적어도 1 또는 적어도 5, 또는 적어도 10, 또는 적어도 20, 또는 적어도 30 내지 80까지, 또는 75까지 또는 70 중량%까지의 양으로 가교결합 가능한 중합체 조성물에 존재할 수 있다.
가교결합제
중합체 조성물은 수 평균 분자량이 1 몰당 2000 그램 이하, 또는 더 바람직하게는 1 몰당 1500 그램 이하이고, 2개 이상, 또는 3개 이상의 부가 중합성 기, 예컨대 알릴 또는 (메트)아크릴레이트 기, 또는 더 바람직하게는 프로폭실화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올 디아크릴레이트, 트리알릴 이소시아누레이트(TAIC) 또는 비스 말레이미드, 예컨대 2,2,4-트리메틸 헥산의 비스-말레이미드(BMI-TMH)를 함유하는 1종 이상의 부가 중합성 가교결합제 단량체를 포함할 수 있고, 단 아릴사이클로부텐 함유 단량체 A가 아릴사이클로부텐 고리에서 알킬, 아릴 또는 알킬 아릴 치환기를 포함할 때 또는 아릴사이클로부텐 고리를 부가 중합성 기에 연결할 때 부가 중합성 가교결합제 단량체는 2개 이상의 알릴 기를 포함한다.
본 발명의 조성물에 따르면, 1종 이상의 가교결합제 단량체에서의 부가 중합성 기의 몰 비 대 단량체 A로부터의 아릴사이클로부텐 기의 수 몰 당량은 0.25:1 내지 2.0:1, 또는 바람직하게는 0.8:1 내지 1.6:1의 범위일 수 있다.
본 발명에 따르면, 중합성 가교결합제 단량체는, 중합체 조성물의 전체 중량을 기준으로, 1 또는 5 또는 10 중량% 내지 50 또는 40 또는 30 중량%를 포함한다.
접착 증진제
소정의 구현예에서, 특히 건조 시트를 형성하는 데 유용한 조성물에 따르면 캐리어에서의 유전 중합체는 접착 증진제를 추가로 포함할 수 있다. 이것은, 질소 헤테로사이클, 예컨대 피롤, 피라졸린, 이미다졸, 트리아졸, 테트라졸, 인돌, 인다졸, 벤즈이미다졸 및 벤조트리아졸, 및 예를 들어, 제한 없이 알킬 또는 아릴 기로 치환된 이성질체 및 유사 분자; 예컨대, N-비닐 피리딘 또는 다른 비닐 피리딘 이성질체, 예컨대 2-비닐 피리딘, N-비닐 이미다졸 또는 다른 비닐 이미다졸 이성질체, 예컨대 4-비닐 이미다졸, 비닐 트리아졸과 같은 부가 중합성 질소 헤테로사이클; 질소 및 황 둘 모두를 함유하는 헤테로사이클, 예컨대 피리딘티온, 벤조티아졸 및 이성질체, 트리아진 트리티올 및 이들의 유도체; 포스페이트, 예컨대 (2-메타크릴옥시에틸) 포스페이트; 카복실산, 예컨대 3-머캅토프로피온산, 2,2'-티오디아세트산, 라우르산, 스테르산, 올레산, 나프토산; 또는 금속성 이종원자를 함유하는 다른 접착 증진 분자, 예컨대 테트라 에틸 티타네이트, 테트라부틸 티타네이트, 테트라 에틸헥실 티타네이트, 테트라 부틸 지르코네이트 및 테트라 프로필 지르코네이트로부터 선택된, 금속 표면으로 조립되고 이를 부동태화하는 것으로 공지된, 화학식량이 2000 이하, 또는 더 바람직하게는 1500 이하인 1개 이상의 이종원자 함유 분자를 가질 수 있고, 구리 표면의 조립 및 부동태화가 가장 바람직하다.
본 발명에 따르면, 접착 증진제는 바람직하게는, 조성물의 전체 중량을 기준으로, 0.005 또는 0.01 내지 5 또는 0.05 내지 1 중량%를 포함한다.
항산화제
소정의 구현예에서, 특히 건조 시트를 형성하는 데 유용한 조성물에 따르면 캐리어에서의 유전 중합체는 산화 분해에 대해 중합체 시스템을 안정화시키도록 산업에서 공지된 1종 이상의 1차 항산화제를 추가로 포함한다. 항산화제는 장애 페놀 항산화제, 예컨대 BASF로부터의 Irganox 1010, Irganox 1035, Irganox 1076, Irganox 1098, Irganox 1135, Irganox 1141, Irganox 1330, Irganox 1425, Irganox 1520L, Irganox 245, Irganox 259, Irganox 3114, Irganox 3114, Irganox 5057, Irganox 565, Amfine Chemical Corporation으로부터의 장애 페놀 AO-20, AO-30, AO-40, AO-50 및 AO-80; 포스파이트 항산화제, 예컨대 Mayzo로부터의 Benefos 1618, Benefos 1626, Benefos 1680; 포스포나이트/장애 페놀 상승적 항산화제 블렌드, 예컨대 Irganox B1171, Irganox B215, Irganox 225, Irganox B501W, Irganox B900으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따르면, 단일 성분으로서 또는 다수의 성분의 블렌드로서 사용되는 항산화제는, 조성물의 전체 중량을 기준으로, 0.01 또는 0.02 내지 10 또는 5 또는 2 중량%를 포함한다.
난연제
소정의 구현예에서, 특히 건조 시트를 형성하는 데 유용한 조성물에 따르면 캐리어에서의 유전 중합체는 1종 또는 선택적으로 2종 이상의 산업 공지된 난연제 재료를 추가로 포함한다. 난연제 재료는 배타적으로 할로겐 비함유이고, 화학식량이 2000 이하, 또는 더 바람직하게는 1500 이하인 인계 분자, 예컨대 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드(DOPO), 10-(2,5-디하이드록시페닐)-9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드(DOPO-HQ), 10-[2-(1,4-디하이드록시나프틸)]-9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드(DOPO-NQ), 트리페닐 포스페이트, 트리에틸 포스페이트, 크레실 디페닐 포스페이트, 테트라페닐 레조르시놀 비스(디페닐 포스페이트); 올리고머 인 재료, 예컨대 Fyrolflex RDP, ADK STAB FP-600, ADK STAB FP-800; 금속 수화물, 예컨대 알루미늄 3수화물 및 마그네슘 3수화물; 금속 포스피네이트, 예컨대 알루미늄 트리포스피네이트(Exolit OP 935, Exolit OP 945, Exolit OP 1312); 질소 헤테로사이클릭 분자 및 이의 염, 예컨대 멜라민, 멜라민 시아누레이트, 트리알릴 시아누레이트, 트리알릴 이소시아누레이트, Flamestab NOR116, 트리메트알릴 이소시아누레이트로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따르면, 단일 성분으로서 또는 다수의 성분의 블렌드로서 유용한 난연제는, 바람직하게는 조성물의 전체 중량을 기준으로, 1 또는 2 또는 3 내지 50 또는 20 또는 12 중량%를 포함한다.
일 구현예에서, 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 필름은 공지된 적층 방법을 이용하여 기판에 적층된다. 예를 들어, 적어도 50℃이지만 135℃ 이하의 온도에서 플레이트 또는 롤러 사이에 적층되는 층을 배치함으로써 적층이 발생할 수 있다. 진공 및 누르는 힘의 사용이 도움이 될 수 있다. 예를 들어, 플래턴(platen) 또는 롤 밀을 사용한 진공 적층에서, 플라스틱 캐리어에 지지된 두께가 1 내지 200 마이크로미터(㎛)인 고체 유전 박막은 진공 챔버에서 가열되고, 이어서 0.01 MPa 내지 5 MPa의 압력의 힘으로 기판에 프레싱된다.
기재된 바대로, 캐리어 필름, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET) 필름의 사용에 의해 적층이 발생할 수 있다. PET/가교결합 가능한 중합체 조성물 시트는 가교결합 가능한 중합체 조성물이 기판과 접촉하도록 적층된다. PET 필름은 원하는 공정에 따라서 절제 전에, 절제 후에, 경화 전에 또는 경화 후에 제거될 수 있다. 대안적으로, PET 필름이 부착된 채 있을 수 있다.
적층 이후에, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 기판에 가교결합된 중합체 층으로 또는 가교결합된 중합체 층을 통해 1개 이상의 비아를 형성하도록 레이저 절제로 처리된다. 예를 들어, 파장이 9 마이크론 내지 12 마이크론, 더 바람직하게는 9.4 마이크론 내지 10.6 마이크론인 CO2 레이저는 증발, 승화, 플라스마 전환, 물리적 취출(physical ejection), 또는 임의의 또는 모든 이들의 조합을 통해 빔 하에 재료를 제거하도록 충분한 파워로 유전 박막을 향해 지향된다. 예를 들어, 10 Hz 내지 250 kHz의 펄스 레이트 및 0.01 와트 내지 500 와트의 파워 출력은 비아를 제조하도록 이용될 수 있다. 스팟 크기는 크기가 40 마이크로미터 내지 150 마이크로미터까지의 범위인 비아를 제조하도록 조정될 수 있다. 대안적으로, 다른 적합한 레이저원, 예컨대 파장이 248 ㎚인 KrF 엑시머 레이저, 파장이 308 ㎚인 XeCl 엑시머 레이저, 파장이 532 ㎚인 주파수 배가 Nd:YAG 레이저, 또는 파장이 355 ㎚인 주파수 3배가 Nd:YAG 레이저가 사용될 수 있다.
본 명세서에 개시된 바와 같은 방법은 형성되는 비아에서 놀랍게도 양호한 치수 통합성을 제공한다. 예를 들어, 비아는 가교결합 가능한(또는 경화된 후에 가교결합된) 중합체 조성물의 층의 표면의 상부에서 비아의 단면적의 치수를 가질 것이다. 비아는 원하는 임의의 형상일 수 있지만, 흔히 단면이 실질적으로 원형 또는 타원형이다. 실질적으로 원통형인 비아는 많은 분야에서 유용하다. 치수는 이에 따라 비아 개구의 직경 또는 비아 개구의 단면적의 최대 치수의 다른 측정치일 수 있다. 비아는 또한 비아의 바닥에서의 비아의 단면적의 치수를 가질 것이다. 소정의 구현예에 따르면, 치수의 길이(예를 들어, 비아의 바닥에서의 또는 이에 가까운 비아의 직경 또는 단면적의 최대 치수의 다른 측정치)는 비아의 상부에서의 치수의 적어도 50%, 60%, 70%, 75%, 80%, 90%이다.
비아의 단면적 치수(예를 들어, 비아 개구의 직경 또는 폭)는 원하는 바의 그리고 산업에서 사용되거나 유용한 바의 임의의 치수일 수 있다. 예를 들어, 비아는 단면적이 적어도 50 또는 60 또는 70 마이크론 및 200 또는 180 또는 150 마이크론 이하일 수 있다. 비아 깊이는 소정의 구현예에 따르면 가교결합 가능한(또는 경화 후에 가교결합된) 층의 전체 두께일 수 있다. 비아는 깊이가, 예를 들어 적어도 1, 5, 10, 20, 30, 40 또는 50 마이크론일 수 있다. 비아는 깊이가, 예를 들어 300 또는 250 또는 200 또는 150 마이크론 미만일 수 있다.
선택적으로, 추가 공정처리, 예컨대 비아의 충전 및 추가 층의 추가, 또 다른 층을 형성하기 위한 적층 단계 및 절제의 반복 등이 이어서 발생할 수 있다. 아니면, 물품은 이러한 추가 공정처리를 수행하기 전에 경화될 수 있다.
레이저 절제 후에, 물품은 열 경화된다. 경화 온도는 적어도 140℃, 바람직하게는 적어도 150, 및 더 바람직하게는 적어도 160℃, 및 230℃ 이하, 바람직하게는 220 이하 및 더 바람직하게는 200℃ 이하이다. 바람직한 중합체에 대한 경화 분위기는 주변 공기 또는 질소일 수 있다. 경화 시간은 적어도 20분, 더 바람직하게는 적어도 30분, 또는 적어도 40분, 그러나 바람직하게는 240분 이하, 더 바람직하게는 120분 이하, 훨씬 더 바람직하게는 90분 이하, 또는 60분 이하일 수 있다.
실시예
실시예 1 내지 실시예 7
폴리테트라플루오로에틸렌(Teflon™ 중합체, Dupont) 코팅된 열전대 및 오버헤드 기계적 교반기가 장착된 100 ㎖의 EasyMax™ 402 Basic Synthesis Workstation(Mettler Toledo(메릴랜드주 컬럼비아)) 반응기에서 표 1에 기재된 단량체를 반응시킴으로써 중합체 A 내지 중합체 D를 제조하였다. 표 1에 기재된 사이클로펜타논 및 단량체를 교반하면서 반응기에 충전하고, 반응기를 80℃까지 가열하였다. 별개의 50 ㎖의 유리 주사기에서, 사이클로펜타논 및 V65 개시제(Wako Chemical)의 용액을 12시간 기간에 걸쳐 주사기 펌프를 사용하여 반응기에 충전하고 적가하고, 이후에 반응기를 추가 3시간 동안 80℃에서 유지시켰다. 완료 후, 반응기를 실온으로 냉각시키고, 생성된 중합체 용액을 유리병에 부었다.
Figure pat00005
모든 성분을 병에 첨가하고 혼합함으로써 표 2에 기재된 바대로 실시예 1 내지 6에 대한 중합체 조성물을 이어서 제제화하였고, 모든 숫자는 중량부이다. 중합체 A, B, C 및 D의 각각의 중량 평균 분자량은 30,000 g/mol 초과이다. 점도 특성의 결정을 위한 샘플을 제조하기 위해, 조성물을 5 mil 스테인리스 강 드로우다운(drawdown) 막대를 사용하여 유리판에 바로 코팅하고, 이어서 105℃에서 10분 동안 컨벡션 오븐에서 건조시켜서 용매를 제거하고, 이후에 면도날을 사용하여 그 유리판에서 이들을 긁어내고, TA Instruments로부터 구입한 Ares G2 평행판 레오미터에 로딩하였다. 유리 전이 온도의 결정을 위한 샘플을 제조하기 위해, 조성물을 5 mil 스테인리스 강 드로우다운 막대를 사용하여 PET 필름에 코팅하고, 이어서 105℃에서 10분 동안 컨벡션 오븐에서 건조시켜서 용매를 제거하였다. 제조된 필름을 침착된 Cu의 얇게 스퍼터링된 층을 보유하는 실리콘 웨이퍼에 진공 적층하고, 실시예 1 내지 실시예 5에 대해서는 180℃에서 1시간 동안 그리고 실시예 6에 대해서는 220℃에서 1시간 동안 컨벡션 오븐에서 열 경화시켰다. 경화되면, PET를 제거하고, 생성된 구조물을 10% 과항산암모늄 욕에서 액침시켜서 스퍼터링된 Cu 층을 용해시키고, 가교결합된 중합체 필름을 이형시켰다. 이형된 중합체 필름을 10 ㎜ 폭으로 다듬고, TA Instruments로부터 구입한 Q800 Dynamic Mechanical Analyzer에 로딩하였다. 이 데이터는 표 3에 있다.
Figure pat00006
여기서, AO는 BASF로부터의 항산화제인 Irganox 1010 펜타에리쓰리톨 테트라키스(3,5-디-tert-부틸-4 하이드록시하이드로신나메이트)이고,
FM1은 Evonik로부터의 유동 개질제인 TEGOFlow 370 폴리아크릴레이트 수지이고,
FM2는 Allnex로부터의 유동 개질제인 Modaflow Resin 폴리아크릴레이트 수지이고,
CL A는 Sartomer로부터의 가교결합제인 SR833S 트리사이클로데칸디메탄올 디아크릴레이트이고,
CL B는 Evonik로부터의 가교결합제인 TAIC 트리알릴 이소시아누레이트, 1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 1,3,5-트리-2-프로펜-1-일-이고,
CL C는 Osaka Organic Chemical Industry Ltd로부터의 가교결합제인 BAC45 하이드록시 말단 폴리부타디엔 디아크릴레이트이고,
CL D는 Sabic로부터의 가교결합제인 SA9000 메틸메타크릴레이트 캡핑된 폴리페닐렌 에테르 수지이고,
CL E는 Sartomer로부터의 가교결합제인 SR492 프로폭실화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트이고,
AP1은 Sartomer로부터의 접착 증진제인 SR9012 2-프로펜산, 2-에틸-2-[[(1-옥소-2-프로페닐)옥시]메틸]-1,3-프로판디일 에스테르이고,
AP2는 JOHOKU CHEMICALS로부터의 접착 증진제인 BZT 1,2,3-벤조트리아졸이고,
FR1은 Clariant AG로부터의 난연제인 Exolit OP945TP 알루미늄 디에틸포스피네이트이고,
FR2는 ICL-IP로부터의 난연제인 Fyrolflex RDP 레소르시놀 비스 (디페닐 포스페이트)이고,
S1은 Admatechs로부터의 0.5 ㎛ SV-C6 (비닐) 트리메톡시(비닐)실란 표면 처리된 실리카, 평균 직경 0.5 ㎛, 5 ㎛ 상부 컷(upper cut)이고,
S2는 Admatechs로부터의 0.5 ㎛ SV-C8 (헥실 비닐) 7-옥테닐트리메톡시실란 표면 처리된 실리카, 평균 직경 0.5 ㎛, 5 ㎛ 상부 컷이고,
S3은 Admatechs로부터의 0.3 ㎛ SV-C3 무기 충전제(트리메톡시(비닐)실란 표면 처리된 실리카, 평균 직경 0.3 ㎛, 1 ㎛ 상부 컷)이고,
S4는 Admatechs로부터의 SC2050-MTM 무기 충전제 [3-메타크릴로일옥시)프로필]트리메톡시실란 표면 처리된 실리카, 평균 직경 0.5 ㎛, 5 ㎛ 상부 컷이고,
L1은 부틸 아세테이트이고,
L2는 펜타논이고,
L3은 사이클로펜타논이고,
L4는 2-부타논이다.
Figure pat00007
120℃의 상부 및 하부 플래턴 온도, 0.85 MPa의 압력을 이용하여 60s(초)의 진공 시간 및 60초의 압력 시간으로 Meiki MVLP-500/600 진공 라미네이터를 사용하여 PET에 코팅된 중합체 조성물의 각각의 실시예를 구리 피복된 유리-에폭시 회로 기판에 적층하였다. 300 Hz의 펄스 레이트 및 115 ㎛의 어퍼쳐 크기로 0.75 W의 파워 출력에서 조작되는 파장이 9.6 ㎛인 CO2 레이저를 사용하여 각각의 실시예를 절제하여서 비아를 형성하고, 이어서 실시예 1 내지 실시예 6에 대해서는 180℃에서 그리고 실시예 7에 대해서는 220℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 샘플 1 내지 샘플 4에 대해서, PET 캐리어 층을 절제 전에 제거하고, 레이저 반사로 인한 소정의 양의 표면 손상이 관찰되었지만, 비아는 개방된 채 있었다. 실시예 5 내지 실시예 7에 대해서, PET는 절제 동안 부착된 채 있었고, 표면 손상이 관찰되지 않거나 거의 없었다.
실시예 8 및 비교예 A
표 4에 기재된 제제에 따라 2개의 스티렌 벤조사이클로부텐 중합체 제제를 제조하였다. 6 mil 스테인리스 강 드로우다운 막대를 사용하여 액체 재료를 유리판에 드로잉 다운(drawing down)함으로써 점도 측정을 위한 샘플을 제조하였다. 종래의 오븐에서 120℃에서 10분 동안 소프트 베이킹하여서 용매를 제거한 후에, 블레이드로 유리에서 그 재료를 긁어냈다. 생성된 고형분 재료를 Ares G2 평행판 레오미터(TA instrument)에 로딩하였다. 이 결과는 도 2에 있다.
Figure pat00008
6 mil 스테인리스 강 드로우다운 막대를 사용하여 액체 재료를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 시트에 드로잉 다운함으로써 레이저 절제를 위한 유전 건조 필름 샘플을 제조하였다. 필름을 종래의 오븐에서 120℃에서 10분 동안 소프트 베이킹하여서 PET에 지지된 유전 건조 필름을 제조하였다. 이들 유전 건조 필름을 이어서 Meiki 라미네이터를 사용하여 화학적으로 조도화된 구리 피복된 라미네이트 회로 기판에 적층하였다. 플래턴 둘 모두를 120℃까지 가열하고, 진공을 60초 동안 빼내고, 이어서 60초 동안 0.85 MPa 압력을 인가하였다. 조립된 테스트 쿠폰을 이어서 하기 조건을 이용하여 CO2 레이저를 사용하여 절제하였다:
주파수(LRR): 200 Hz,
펄스 수: 10 (10p) 및 20 (20p),
펄스 기간: 2 마이크로초,
레이저 파워: 1.9 W,
스팟 마스크 크기: 50 ㎛,
레이저 파장: 9.8 ㎛.
레이저 절제 후, 쿠폰을 컨벡션 오븐에서 180℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 경화 사이클 후, PET를 제거하고, 쿠폰을 주사 전자 현미경 검사(SEM)를 이용하여 영상화하였다. (도 3 참조). 리플로우는 실시예 8(도 3a)에서는 아니고 더 낮은 점도의 비교예(도 3b)에서 관찰되었다.
실시예 9 및 비교예 B
상기 실시예 5와 동일한 조성의 2개의 샘플을 준비하고 PET 기판에 코팅하고, 상기에 기재된 바대로 적층하였다. 실시예 9를 상기에 기재된 바대로 레이저 절제하고, 이어서 180℃에서 1시간 동안 경화시켰다. 비교예 B를 180℃에서 1시간 동안 경화하고, 이어서 상기에 기재된 바대로 레이저 절제하였다. 이어서, 표 5에 기재된 공정 매개변수를 이용하여 DuPont의 Electronics and Imaging 사업부 또는 계열사로부터의 Circuposit™ 스미어 제거 화학 욕을 사용하여 샘플을 스미어 제거 유효성에 대해 시험하였다. 절제된 샘플은 미리 정해진 온도에서 미리 정해진 시간 동안에 각각의 공정 욕에 순차적으로 침지시켰다. 각각의 공정 욕 단계 사이에서, 샘플을 2분 동안 실온의 물로 세정하여서 어떤 잔류하는 욕 화합물질을 제거하였다. 샘플을 이어서 건조시키고, 주사 전자 현미경 검사(SEM)를 이용하여 영상화하여서 공정처리 후 비아의 바닥에 남은 잔류물의 양을 결정하였다. 도 4a(비교예 B) 및 도 4b(실시예 9)에 도시된 바대로, 경화 전에 절제된 실시예 9는 비교예 B에 대한 비아의 바닥에서의 잔류물의 양의 증가와 비교하여 비아의 바닥에서 잔류물의 양의 감소로 표시된 것처럼 더 양호한 성능을 나타냈다.
Figure pat00009

Claims (15)

  1. 기판에 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 층을 갖는 시트를 적층시키는 단계로서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적층 온도에서 점도가 200 Pa·s 내지 100,000 Pa·s의 범위이고, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 중량 평균 분자량이 30,000 g/mol 내지 150,000 g/mol의 범위인 가교결합 가능한 중합체를 포함하는, 적층시키는 단계,
    레이저 절제에 의해 가교결합 가능한 중합체 조성물 층에서 적어도 하나의 비아(via)를 형성하는 단계; 및
    적어도 하나의 비아의 형성 후에, 가교결합 가능한 중합체 조성물 층을 경화시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 적층 단계는 90℃ 내지 135℃의 온도에서 발생하고, 경화 단계는 140℃ 내지 200℃의 온도에서 발생하는, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 100℃ 내지 160℃의 온도 범위에서 최소 점도가 적어도 1000 Pa·s인, 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 적층 온도에서 점도가 5000 Pa·s 내지 60,000 Pa·s의 범위인, 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 적어도 1종의 부가 중합성 아릴사이클로부텐 단량체를 포함하는 반응 혼합물의 반응 생성물인 가교결합 가능한 중합체를 포함하는, 방법.
  6. 제5항에 있어서, 적어도 1종의 부가 중합성 아릴사이클로부텐 단량체는 구조 1 또는 2를 갖거나, 구조 1 및/또는 2의 단량체의 조합이 사용되는, 방법.
    [구조 1]
    Figure pat00010

    [구조 2]
    Figure pat00011

    (식 중, K는 공유 결합 또는 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 아릴 기, 아릴옥시 기와 같은 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로아릴 기; C1 내지 C30 2가 알킬 기; C1 내지 C36 이종원자 함유 알킬 기; 2가 C1 내지 C30 알킬렌 기, 카보닐 기, 에테르 기, 티오에테르 기, 에스테르 기 또는 시아노 기로부터 선택된 2가 기이고; M은 C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환되거나 비치환된 2가 헤테로아릴 기로부터 선택된 방향족 기이고; L1은 공유 결합으로부터 선택되거나, 원자가가 x +1인 탄화수소 연결 기이거나, 바람직하게는, x가 1일 때, L1은 알킬렌 기 또는 알킬 치환된 알킬렌 기와 같은 2가 탄화수소 기, C1 내지 C30 이종원자 함유 탄화수소 기, 또는 C1 내지 C30 치환된 헤테로하이드로카빌 기이고; R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, C6 내지 C12 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택된 1가 기로부터 선택되고, R1, R2, R3 및 R4 중 적어도 1개는 C1 내지 C6 알킬 기, C1 내지 C6 알콕시 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 탄화수소 기, 이종원자 함유 탄화수소 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로탄화수소 기, 시아노 기, C6 내지 C12 아릴 기, C1 내지 C6 알킬 치환된 아릴 기, 헤테로아릴 기, 또는 C1 내지 C6 알킬 치환된 헤테로아릴 기로부터 선택되고; x 및 y는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고, y는 L1이 공유 결합일 때 1임).
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 반응 혼합물은 스티렌, α-메틸 스티렌, 알릴옥시스티렌, 알릴 말단 폴리아릴렌 에테르 또는 말레이미드 말단 폴리아릴렌 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 제2 방향족 부가 중합성 단량체를 추가로 포함하는, 방법.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 반응 혼합물은 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트; 말레이미드 및 비스-말레이미드; 고리형 무수물; 알릴 기 함유 단량체; 선형 및 분지형 알켄으로 이루어진 군으로부터 선택된 부가 중합성 제3 단량체를 추가로 포함하는, 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 반응 혼합물은 벤조사이클로부텐(BCB) 함유 가교결합제; 알릴 메타크릴레이트; 디비닐 벤젠; 디엔; 알릴옥시스티렌; 비닐, 알릴 또는 말레이미드 말단 폴리올; 폴리실록산; 또는 말레이미드 말단 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택된 단량체를 추가로 포함하는, 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 가교결합 가능한 중합체 조성물은 가교결합제, 항산화제, 무기 충전제, 유동 개질제, 접착 증진제 및 난연제 중 1종 이상을 추가로 포함하는, 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 층은 캐리어 층 위에 있는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 캐리어 층은 레이저 절제 전에 제거되지 않는, 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 가교결합 가능한 중합체 조성물을 포함하는 층은 용매로부터 캐리어 층 위에 코팅되고, 용매의 적어도 일부를 제거하도록 가열되는, 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 비아는 개방 공간을 한정하는 비아의 상부에서의 치수의 적어도 70%인 비아의 하부에서의 개방 공간을 한정하는 치수를 갖는, 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 적층 단계 및 비아의 형성 단계는 경화가 수행되기 전에 반복되는, 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010110475A (ko) * 2000-02-02 2001-12-13 그래햄 이. 테일러 강화된 벤조사이클로부텐계 중합체 및 인쇄 배선판제조시의 이의 용도
JP2002232137A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
JP2006285178A (ja) * 2005-03-09 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性永久レジストフィルム及び永久パターン形成方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6120588A (en) 1996-07-19 2000-09-19 E Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
JPH10178274A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
EP1009206A3 (en) 1998-12-02 2003-01-15 Ajinomoto Co., Inc. Method of vacuum-laminating adhesive film
US6440642B1 (en) * 1999-09-15 2002-08-27 Shipley Company, L.L.C. Dielectric composition
JP4300687B2 (ja) 1999-10-28 2009-07-22 味の素株式会社 接着フィルムを用いた多層プリント配線板の製造法
JP4048019B2 (ja) * 2000-08-31 2008-02-13 富士通株式会社 多層配線基板及びその製造方法
KR100970105B1 (ko) 2001-11-30 2010-07-20 아지노모토 가부시키가이샤 회로 기판의 적층방법 및 절연층의 형성방법, 다층 프린트배선판 및 이의 제조방법 및 다층 프린트 배선판용 접착필름
EP1754986B1 (en) * 2002-04-01 2012-12-05 Ibiden Co., Ltd. Optical communication device and optical communication device manufacturing method
US7019093B2 (en) 2002-10-18 2006-03-28 Dow Global Technologies Inc. Aqueous developable, photosensitive benzocyclobutene-based oligomers and polymers with high moisture resistance
JP4801082B2 (ja) 2004-10-13 2011-10-26 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 湿式現像可能なベンゾシクロブテン系ポリマー組成物及びその組成物の使用方法
JP2008001871A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Nippon Zeon Co Ltd ワニスの製造方法およびワニスよりなる成形物
US20090017309A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions and methods for creating electronic circuitry
JP5450272B2 (ja) * 2010-06-10 2014-03-26 日本メクトロン株式会社 レーザ加工方法、及び該レーザ加工方法を用いた多層フレキシブルプリント配線板の製造方法
JP2012045887A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 金属張積層板、及びその製造方法
JP5558595B2 (ja) * 2012-03-14 2014-07-23 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5615415B2 (ja) * 2012-09-28 2014-10-29 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、ソルダーレジスト形成用組成物、ドライフィルムおよびプリント配線板、並びに積層構造体及びその製造方法
DE102013005486B4 (de) 2013-04-02 2019-02-14 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Schichtstruktur mit leitfähigem Polymer zur Manipulationserkennung sowie Verfahren zu deren Herstellung
CN104788598A (zh) 2013-12-31 2015-07-22 陶氏环球技术有限公司 可交联聚合物和底层组合物
JP6031059B2 (ja) * 2014-03-31 2016-11-24 信越化学工業株式会社 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法
JP2016072334A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 日本ゼオン株式会社 積層体の製造方法
US20190127505A1 (en) 2017-11-02 2019-05-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Addition polymers from nitrogen heterocycle containing monomers and vinyl arylcyclobutene-containing monomers
US20190127506A1 (en) 2017-11-02 2019-05-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Low temperature curable addition polymers from vinyl arylcyclobutene-containing monomers and methods for making the same
US10513568B2 (en) 2017-12-01 2019-12-24 Rohm and Haas Electronic Materials Methods of making stable and thermally polymerizable vinyl, amino or oligomeric phenoxy benzocyclobutene monomers with improved curing kinetics

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010110475A (ko) * 2000-02-02 2001-12-13 그래햄 이. 테일러 강화된 벤조사이클로부텐계 중합체 및 인쇄 배선판제조시의 이의 용도
JP2002232137A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Kyocera Corp 多層配線基板の製造方法
JP2006285178A (ja) * 2005-03-09 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性永久レジストフィルム及び永久パターン形成方法

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