KR20200102931A - Light transmitting conductive film - Google Patents

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KR20200102931A
KR20200102931A KR1020200014457A KR20200014457A KR20200102931A KR 20200102931 A KR20200102931 A KR 20200102931A KR 1020200014457 A KR1020200014457 A KR 1020200014457A KR 20200014457 A KR20200014457 A KR 20200014457A KR 20200102931 A KR20200102931 A KR 20200102931A
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conductive layer
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KR1020200014457A
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다이스케 가지하라
노조미 후지노
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

The objective of the present invention is to provide a light transmitting conductive film capable of etching a light transmitting conductive layer in a short time. The light transmitting conductive film (1) includes a transparent substrate (2) and a light transmitting conductive layer (5) placed above the transparent substrate (2), wherein the ratio of n to μ (n/μ) exceeds 5.0 when carrier density is n × 10^19 (/cm^3) and hole mobility is μ (cm^2/V·s) in the light transmitting conductive layer (5).

Description

광 투과성 도전 필름{LIGHT TRANSMITTING CONDUCTIVE FILM}Light transmissive conductive film {LIGHT TRANSMITTING CONDUCTIVE FILM}

본 발명은, 광 투과성 도전 필름, 상세하게는, 광학 용도에 바람직하게 사용되는 광 투과성 도전 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a light-transmitting conductive film, specifically, to a light-transmitting conductive film preferably used for optical applications.

종래, 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름이, 화상 표시 장치 내의 터치 패널용 기재 등에 사용된다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 고분자 필름과, 인듐-주석 복합 산화물로 이루어지는 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름이 개시되어 있다.Conventionally, a transparent conductive film including a transparent conductive layer is used for a substrate for a touch panel in an image display device or the like. For example, Patent Document 1 discloses a transparent conductive film comprising a polymer film and a transparent conductive layer made of an indium-tin composite oxide.

일반적으로, 터치 패널용 기재로서 사용하기 위해서는, 투명 도전층을, 에칭에 의해, 터치 입력 영역의 원하는 패턴 (예를 들어, 전극 패턴이나 배선 패턴) 으로 패터닝한다.In general, in order to use as a substrate for a touch panel, a transparent conductive layer is patterned by etching into a desired pattern (eg, an electrode pattern or a wiring pattern) of a touch input region.

일본 공개특허공보 2017-71850호Japanese Patent Application Publication No. 2017-71850

그러나, 특허문헌 1 의 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전층의 에칭 속도가 느리다는 문제가 있다. 즉, 에칭성이 열등하다. 이 때문에, 원하는 패턴을 구비하는 터치 패널용 기재의 생산성이 열등하다.However, in the transparent conductive film of Patent Document 1, there is a problem that the etching rate of the transparent conductive layer is slow. That is, the etching property is inferior. For this reason, the productivity of the substrate for a touch panel provided with a desired pattern is inferior.

본 발명은, 광 투과성 도전층을 우수한 속도로 에칭할 수 있는 광 투과성 도전 필름을 제공하는 것에 있다.The present invention is to provide a light-transmitting conductive film capable of etching a light-transmitting conductive layer at an excellent rate.

본 발명 [1] 은, 투명 기재와, 상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에 배치되는 광 투과성 도전층을 구비하고, 상기 광 투과성 도전층에 있어서의 캐리어 밀도를, n × 1019 (/㎤) 라고 하고, 홀 이동도를, μ (㎠/V·s) 라고 했을 때에, μ 에 대한 n 의 비 (n/μ) 가, 5.0 을 초과하는, 광 투과성 도전 필름을 포함한다.The present invention [1] includes a transparent substrate and a light-transmitting conductive layer disposed on one side in the thickness direction of the transparent substrate, and the carrier density in the light-transmitting conductive layer is n × 10 19 (/cm 3 ). And the hole mobility is μ (cm 2 /V·s), the ratio of n to μ (n/μ) exceeds 5.0, and a light-transmitting conductive film is included.

본 발명 [2] 는, 상기 비 (n/μ) 가, 5.1 이상인, [1] 에 기재된 광 투과성 도전 필름을 포함한다.The present invention [2] includes the light-transmitting conductive film described in [1], wherein the ratio (n/μ) is 5.1 or more.

본 발명 [3] 은, 상기 광 투과성 도전층이, 인듐계 무기 산화물을 함유하는, [1] 또는 [2] 에 기재된 광 투과성 도전 필름을 포함한다.The present invention [3] includes the light-transmitting conductive film described in [1] or [2], in which the light-transmitting conductive layer contains an indium-based inorganic oxide.

본 발명 [4] 는, 상기 광 투과성 도전층이, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 이상인 제 1 영역과, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 미만인 제 2 영역을 두께 방향으로 구비하는, [3] 에 기재된 광 투과성 도전 필름을 포함한다.In the present invention [4], the light-transmitting conductive layer includes a first region in which the mass ratio of impurity inorganic elements to indium is 0.05 or more, and a second region in which the mass ratio of impurity inorganic elements to indium is less than 0.05 in the thickness direction. And the light-transmitting conductive film described in [3].

본 발명 [5] 는, 상기 광 투과성 도전층의 캐리어 밀도가, 50 × 1019 (/㎤) 이상, 170 × 1019 (/㎤) 이하이고, 홀 이동도가, 5 (㎠/V·s) 이상, 40 (㎠/V·s) 이하인, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 광 투과성 도전 필름을 포함한다.In the present invention [5], the carrier density of the light-transmitting conductive layer is 50 × 10 19 (/cm 3) or more and 170 × 10 19 (/cm 3) or less, and the hole mobility is 5 (cm 2 /V·s). ) Or more and 40 (cm 2 /V·s) or less, the light-transmitting conductive film according to any one of [1] to [4].

본 발명 [6] 은, 상기 광 투과성 도전층이 패터닝되어 있는, [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 광 투과성 도전 필름을 포함한다.The present invention [6] includes the light-transmitting conductive film according to any one of [1] to [5], in which the light-transmitting conductive layer is patterned.

본 발명의 광 투과성 도전 필름에 의하면, 우수한 속도로, 광 투과성 도전층을 에칭할 수 있고, 생산성이 우수하다.According to the light-transmitting conductive film of the present invention, the light-transmitting conductive layer can be etched at an excellent rate, and productivity is excellent.

도 1 은 본 발명의 광 투과성 도전 필름의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 광 투과성 도전 필름을 패터닝한 패터닝 광 투과성 도전 필름의 단면도를 나타낸다.
도 3 은 μ 에 대한 n 의 비와 에칭 레이트의 관계를 플롯한 그래프를 나타낸다.1 shows a cross-sectional view of an embodiment of the light-transmitting conductive film of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a patterned light-transmitting conductive film in which the light-transmitting conductive film shown in FIG. 1 is patterned.
3 shows a graph plotting the relationship between the ratio of n to μ and the etch rate.

＜일 실시형태＞<one embodiment>

도 1 ∼ 도 2 를 참조하여, 본 발명의 광 투과성 도전 필름 (1) 의 일 실시형태를 설명한다.An embodiment of the light-transmitting conductive film 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2.

도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이, 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이, 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또한, 지면 좌우 방향 및 깊이 방향은, 상하 방향에 직교하는 면 방향이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.In Fig. 1, the vertical direction of the paper is the vertical direction (thickness direction, the first direction), the upper side of the paper is the upper side (thickness direction one side, the first direction one side), the paper lower side, the lower side (thickness direction the other side) , The other side in the first direction). In addition, the left-right direction and the depth direction of the paper are plane directions orthogonal to the vertical direction. Specifically, it is based on the direction arrows in each drawing.

1. 광 투과성 도전 필름 1. Light-transmitting conductive film

광 투과성 도전 필름 (1) 은, 소정 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (면 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 일 부품이고, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제작하기 위한 부품으로, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 후술하는 투명 기재 (2) 와 하드 코트층 (3) 과 광학 조정층 (4) 과 광 투과성 도전층 (5) 을 포함하고, 부품 단독으로 유통하여, 산업 상 이용 가능한 디바이스이다.The light-transmitting conductive film 1 has a film shape (including a sheet shape) having a predetermined thickness, extends in a predetermined direction (surface direction) orthogonal to the thickness direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface. The light-transmitting conductive film 1 is, for example, a component such as a substrate for a touch panel provided in an image display device, and in other words, it is not an image display device. That is, the light-transmitting conductive film 1 is a component for manufacturing an image display device and the like, and does not include an image display element such as an LCD module, and includes a transparent substrate 2 and a hard coat layer 3 and optical It is a device that includes an adjustment layer 4 and a light-transmitting conductive layer 5, distributes as a component alone, and can be used industrially.

구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 하드 코트층 (3) 과, 하드 코트층 (3) 의 상면에 배치되는 광학 조정층 (4) 과, 광학 조정층 (4) 의 상면에 배치되는 광 투과성 도전층 (5) 을 구비한다. 보다 구체적으로는, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) 과, 광학 조정층 (4) 과, 광 투과성 도전층 (5) 을 이 순서로 구비한다. 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 바람직하게는, 투명 기재 (2), 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 으로 이루어진다. 또한, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 도전성 필름이다.Specifically, as shown in FIG. 1, the light-transmitting conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a hard coat layer 3 disposed on the upper surface (one side in the thickness direction) of the transparent substrate 2, and , An optical adjustment layer 4 disposed on the upper surface of the hard coat layer 3, and a light-transmitting conductive layer 5 disposed on the upper surface of the optical adjustment layer 4. More specifically, the light-transmitting conductive film 1 is provided with the transparent base material 2, the hard coat layer 3, the optical adjustment layer 4, and the light-transmitting conductive layer 5 in this order. . The light-transmitting conductive film (1) is preferably composed of a transparent base material (2), a hard coat layer (3), an optical adjustment layer (4), and a light-transmitting conductive layer (5). In addition, the light-transmitting conductive film 1 is a transparent conductive film.

2. 투명 기재2. Transparent substrate

투명 기재 (2) 는, 광 투과성 도전 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하기 위한 투명한 기재이다. 즉, 투명 기재 (2) 는, 광 투과성 도전층 (5) 을, 하드 코트층 (3) 및 광학 조정층 (4) 과 함께 지지하고 있다.The transparent substrate 2 is a transparent substrate for securing the mechanical strength of the light-transmitting conductive film 1. That is, the transparent substrate 2 supports the light-transmitting conductive layer 5 together with the hard coat layer 3 and the optical adjustment layer 4.

투명 기재 (2) 는, 광 투과성 도전 필름 (1) 의 최하층으로서, 필름 형상을 갖는다. 투명 기재 (2) 는, 하드 코트층 (3) 의 하면 전체면에, 하드 코트층 (3) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The transparent substrate 2 is the lowermost layer of the light-transmitting conductive film 1 and has a film shape. The transparent substrate 2 is disposed on the entire lower surface of the hard coat layer 3 so as to contact the lower surface of the hard coat layer 3.

투명 기재 (2) 로는, 예를 들어, 고분자 필름, 무기판 (유리판 등) 을 들 수 있고, 투명성 및 가요성을 병유하는 관점에서, 바람직하게는, 고분자 필름을 들 수 있다.As the transparent base material 2, a polymer film and an inorganic plate (a glass plate, etc.) are mentioned, for example, From the viewpoint of sharing transparency and flexibility, Preferably, a polymer film is mentioned.

고분자 필름의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지 등을 들 수 있다. 이들 고분자 필름은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.As the material of the polymer film, for example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, for example, (meth)acrylic resins such as polymethacrylate (acrylic Resins and/or methacrylic resins), for example, olefin resins such as polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymers, such as polycarbonate resins, polyethersulfone resins, polyarylate resins, melamine resins, polyamide resins , Polyimide resin, cellulose resin, and polystyrene resin. These polymer films can be used alone or in combination of two or more.

투명 기재 (2) 는, 투명성, 가요성, 기계적 강도 등의 관점에서, 바람직하게는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 시클로올레핀 폴리머 필름을 들 수 있다.From the viewpoints of transparency, flexibility, mechanical strength, etc., as the transparent base material 2, preferably, a polyethylene terephthalate film and a cycloolefin polymer film are mentioned.

투명 기재 (2) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 85 ％ 이상이다.The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the transparent substrate 2 is, for example, 80% or more, preferably 85% or more.

투명 기재 (2) 의 두께는, 기계적 강도, 광 투과성 도전 필름 (1) 을 터치 패널용 필름으로 했을 때의 타점 특성 등의 관점에서, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 20 ㎛ 이상이고, 또한, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는, 150 ㎛ 이하이다. 투명 기재 (2) 의 두께는, 예를 들어, 마이크로 게이지식 두께계를 사용하여 측정할 수 있다.The thickness of the transparent base material 2 is, for example, 2 µm or more, preferably 20 µm or more, from the viewpoints of mechanical strength and spot characteristics when the light-transmitting conductive film 1 is used as a film for a touch panel. And, for example, 300 µm or less, preferably 150 µm or less. The thickness of the transparent substrate 2 can be measured using, for example, a micro-gauge type thickness meter.

투명 기재 (2) 의 하면에는, 세퍼레이터 등이 형성되어 있어도 된다.A separator or the like may be formed on the lower surface of the transparent substrate 2.

3. 하드 코트층3. Hard coat layer

하드 코트층 (3) 은, 광 투과성 도전 필름 (1) 을 제조할 때에, 투명 기재 (2) 에 흠집이 발생하는 것을 억제하기 위한 보호층이다. 또한, 복수의 광 투과성 도전 필름 (1) 을 적층한 경우에, 광 투과성 도전층 (5) 에 긁힌 흠집이 발생하는 것을 억제하기 위한 내찰상층이다.The hard coat layer 3 is a protective layer for suppressing the occurrence of scratches in the transparent substrate 2 when manufacturing the light-transmitting conductive film 1. In addition, when a plurality of light-transmitting conductive films 1 are laminated, it is a scratch-resistant layer for suppressing the occurrence of scratches on the light-transmitting conductive layer 5.

하드 코트층 (3) 은, 필름 형상을 갖는다. 하드 코트층 (3) 은, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉하도록, 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 하드 코트층 (3) 은, 투명 기재 (2) 와 광학 조정층 (4) 사이에, 투명 기재 (2) 의 상면 및 광학 조정층 (4) 의 하면에 접촉하도록, 배치되어 있다.The hard coat layer 3 has a film shape. The hard coat layer 3 is disposed on the entire upper surface of the transparent substrate 2 so as to contact the upper surface of the transparent substrate 2. More specifically, the hard coat layer 3 is disposed between the transparent substrate 2 and the optical adjustment layer 4 so as to contact the upper surface of the transparent substrate 2 and the lower surface of the optical adjustment layer 4 have.

하드 코트층 (3) 은, 하드 코트 조성물로 형성되어 있다. 하드 코트 조성물은, 수지를 함유하고, 바람직하게는, 수지로 이루어진다.The hard coat layer 3 is formed from a hard coat composition. The hard coat composition contains a resin, and preferably consists of a resin.

수지로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열 가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin include a curable resin and a thermoplastic resin (eg, a polyolefin resin), and preferably, a curable resin is used.

경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화하는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화하는 열 경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the curable resin include active energy ray-curable resins cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, thermosetting resins cured by heating. There exist, Preferably, an active energy ray-curable resin is mentioned.

활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.The active energy ray-curable resin includes, for example, a polymer having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. As such a functional group, a vinyl group, a (meth)acryloyl group (methacryloyl group and/or acryloyl group), etc. are mentioned, for example.

활성 에너지선 경화성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.As an active energy ray-curable resin, specifically, (meth)acrylic ultraviolet-curable resins, such as a urethane acrylate and an epoxy acrylate, are mentioned.

또한, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등의 열 경화성 수지를 들 수 있다.Further, examples of curable resins other than active energy ray-curable resins include urethane resins, melamine resins, alkyd resins, siloxane-based polymers, and thermosetting resins such as organosilane condensates.

수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Resins can be used alone or in combination of two or more.

하드 코트 조성물은, 입자를 함유할 수도 있다. 이에 의해, 하드 코트층 (3) 을, 내블로킹 특성을 갖는 안티 블로킹층으로 할 수 있다.The hard coat composition may contain particles. Thereby, the hard coat layer 3 can be made into an anti-blocking layer having anti-blocking properties.

입자로는, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of the particles include inorganic particles and organic particles. Examples of the inorganic particles include silica particles, for example, metal oxide particles made of zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, and the like, and carbonate particles such as calcium carbonate. As an organic particle, a crosslinked acrylic resin particle etc. are mentioned, for example. Particles can be used alone or in combination of two or more.

하드 코트 조성물은, 추가로, 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The hard coat composition may further contain known additives such as leveling agents, thixotropic agents, and antistatic agents.

하드 코트층 (3) 의 두께는, 내찰상성의 관점에서, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는, 0.5 ㎛ 이상이고, 또한, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다. 하드 코트층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 단면 관찰에 의해 측정할 수 있다.The thickness of the hard coat layer 3 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and, for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less from the viewpoint of scratch resistance. to be. The thickness of the hard coat layer 3 can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.

4. 광학 조정층4. Optical adjustment layer

광학 조정층 (4) 은, 광 투과성 도전층 (5) 의 패턴의 시인을 억제하면서, 광 투과성 도전 필름 (1) 에 우수한 투명성을 확보하기 위해서, 광 투과성 도전 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.The optical adjustment layer 4 suppresses visibility of the pattern of the light-transmitting conductive layer 5, and in order to ensure excellent transparency to the light-transmitting conductive film 1, the optical properties of the light-transmitting conductive film 1 (example For example, it is a layer to adjust the refractive index).

광학 조정층 (4) 은, 필름 형상을 갖는다. 광학 조정층 (4) 은, 하드 코트층 (3) 의 상면 전체면에, 하드 코트층 (3) 의 상면에 접촉하도록, 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 광학 조정층 (4) 은, 하드 코트층 (3) 과 광 투과성 도전층 (5) 사이에, 하드 코트층 (3) 의 상면 및 광 투과성 도전층 (5) 의 하면에 접촉하도록, 배치되어 있다.The optical adjustment layer 4 has a film shape. The optical adjustment layer 4 is disposed on the entire upper surface of the hard coat layer 3 so as to contact the upper surface of the hard coat layer 3. More specifically, the optical adjustment layer 4 is in contact with the upper surface of the hard coat layer 3 and the lower surface of the light transmitting conductive layer 5 between the hard coat layer 3 and the light-transmitting conductive layer 5 So, it is arranged.

광학 조정층 (4) 은, 광학 조정 조성물로 형성되어 있다. 광학 조정 조성물은, 수지를 함유하고, 바람직하게는, 수지 및 입자를 함유한다.The optical adjustment layer 4 is formed of an optical adjustment composition. The optical adjustment composition contains a resin, and preferably contains a resin and a particle.

수지로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 하드 코트 조성물에서 예시한 수지를 들 수 있다. 바람직하게는, 경화성 수지, 보다 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지, 더욱 바람직하게는, (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a resin, For example, the resin illustrated by the hard coat composition is mentioned. Preferably, a curable resin, more preferably an active energy ray curable resin, and still more preferably a (meth)acrylic ultraviolet curable resin is used.

수지의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대하여, 예를 들어, 10 질량％ 이상, 바람직하게는, 25 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 95 질량％ 이하, 바람직하게는, 60 질량％ 이하이다.The content ratio of the resin is, for example, 10 mass% or more, preferably 25 mass% or more, and, for example, 95 mass% or less, preferably 60 mass% or less with respect to the optical adjustment composition. to be.

입자로는, 광학 조정층이 요구하는 굴절률에 따라 바람직한 재료를 선택할 수 있고, 예를 들어, 하드 코트 조성물에서 예시한 입자를 들 수 있다. 굴절률의 관점에서, 바람직하게는, 무기 입자, 보다 바람직하게는, 금속 산화물 입자, 더욱 바람직하게는, 산화지르코늄 입자 (ZrO2) 를 들 수 있다.As the particle, a preferable material can be selected according to the refractive index required by the optical adjustment layer, and for example, particles exemplified in the hard coat composition can be mentioned. From the viewpoint of the refractive index, preferably, inorganic particles, more preferably metal oxide particles, and still more preferably zirconium oxide particles (ZrO 2 ) are exemplified.

입자의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대하여, 예를 들어, 5 질량％ 이상, 바람직하게는, 40 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 90 질량％ 이하, 바람직하게는, 75 질량％ 이하이다.The content ratio of the particles is, for example, 5 mass% or more, preferably 40 mass% or more, and, for example, 90 mass% or less, preferably 75 mass% or less with respect to the optical adjustment composition. to be.

광학 조정 조성물은, 추가로, 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The optical adjustment composition may further contain known additives such as a leveling agent, a thixotropic agent, and an antistatic agent.

광학 조정층 (4) 의 굴절률은, 예를 들어, 1.40 이상, 바람직하게는, 1.55 이상이고, 또한, 예를 들어, 1.80 이하, 바람직하게는, 1.70 이하이다. 굴절률은, 예를 들어, 아베 굴절률계에 의해 측정할 수 있다.The refractive index of the optical adjustment layer 4 is, for example, 1.40 or more, preferably 1.55 or more, and, for example, 1.80 or less, preferably 1.70 or less. The refractive index can be measured with an Abbe refractometer, for example.

광학 조정층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는, 10 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어, 200 ㎚ 이하, 바람직하게는, 100 ㎚ 이하이다. 광학 조정층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 단면 관찰에 의해 측정할 수 있다.The thickness of the optical adjustment layer 4 is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and further, for example, 200 nm or less, preferably 100 nm or less. The thickness of the optical adjustment layer 4 can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.

5. 광 투과성 도전층5. Light-transmitting conductive layer

광 투과성 도전층 (5) 은, 에칭에 의해, 원하는 패턴 (예를 들어, 전극 패턴이나 배선 패턴) 으로 형성하기 위한 투명 도전층이다.The light-transmitting conductive layer 5 is a transparent conductive layer for forming into a desired pattern (eg, an electrode pattern or a wiring pattern) by etching.

광 투과성 도전층 (5) 은, 광 투과성 도전 필름 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상을 갖는다. 광 투과성 도전층 (5) 은, 광학 조정층 (4) 의 상면 전체면에, 광학 조정층 (4) 의 상면에 접촉하도록, 배치되어 있다.The light-transmitting conductive layer 5 is an uppermost layer of the light-transmitting conductive film 1 and has a film shape. The light-transmitting conductive layer 5 is disposed on the entire upper surface of the optical adjustment layer 4 so as to contact the upper surface of the optical adjustment layer 4.

광 투과성 도전층 (5) 의 재료로는, 예를 들어, 인듐계 무기 산화물, 안티몬계 무기 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 인듐계 무기 산화물을 들 수 있다.Examples of the material of the light-transmitting conductive layer 5 include indium-based inorganic oxide, antimony-based inorganic oxide, and the like, preferably indium-based inorganic oxide.

광 투과성 도전층 (5) 의 재료에는, 바람직하게는, Sn, Zn, Ga, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 불순물 무기 원소가 포함되어 (도프되어) 있다. 불순물 무기 원소로는, 바람직하게는, Sn 을 들 수 있다.The material of the light-transmitting conductive layer 5 is preferably Sn, Zn, Ga, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr At least one impurity inorganic element selected from the group consisting of is contained (doped). As an impurity inorganic element, Preferably, Sn is mentioned.

불순물 무기 원소를 함유하는 무기 산화물로는, 예를 들어, 인듐계 무기 산화물의 경우에는, 인듐 주석 복합 산화물 (ITO) 을 들 수 있고, 예를 들어, 안티몬계 무기 산화물의 경우에는, 안티몬 주석 복합 산화물 (ATO) 을 들 수 있다. 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다.As an inorganic oxide containing an impurity inorganic element, for example, in the case of an indium-based inorganic oxide, an indium tin composite oxide (ITO) may be mentioned, and for example, in the case of an antimony-based inorganic oxide, an antimony tin composite Oxide (ATO) is mentioned. Preferably, ITO is mentioned.

광 투과성 도전층 (5) 이 ITO 로 형성되어 있는 경우, 광 투과성 도전층 (5) 전체에 있어서, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 3 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다.When the light-transmitting conductive layer 5 is formed of ITO, in the whole light-transmitting conductive layer 5, the tin oxide (SnO 2 ) content is based on the total amount of tin oxide and indium oxide (In 2 O 3 ). , For example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, and for example, 15% by mass or less, preferably 13% by mass or less.

광 투과성 도전층 (5) 은, 단층으로 구성되어 있어도 되고, 또는, 복수의 층 (두께 방향 영역) 으로 구성되어 있어도 된다. 층수는 한정적이 아니고, 예를 들어, 2 층 이상, 5 층 이하를 들 수 있고, 바람직하게는, 2 층을 들 수 있다.The light-transmitting conductive layer 5 may be constituted by a single layer, or may be constituted by a plurality of layers (areas in the thickness direction). The number of layers is not limited, for example, two or more layers and five or less layers are mentioned, and preferably, two layers are used.

바람직하게는, 광 투과성 도전층 (5) 은, 복수의 층으로 구성되어 있다.Preferably, the light-transmitting conductive layer 5 is composed of a plurality of layers.

구체적으로는, 도 1 의 가상선이 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 광 투과성 도전층 (5) 은, 제 1 층 (제 1 영역의 일례) (5a) 과, 제 1 층 (5a) 의 상측에 배치되는 제 2 층 (제 2 영역의 일례) (5b) 을 구비한다.Specifically, as shown by the virtual line in FIG. 1, for example, the light-transmitting conductive layer 5 is a first layer (an example of a first region) 5a and an upper side of the first layer 5a. A second layer (an example of a second region) 5b disposed in is provided.

제 1 층 (5a) 및 제 2 층 (5b) 은, 바람직하게는, 모두, 불순물 무기 원소를 함유하는 무기 산화물로 형성되어 있고, 바람직하게는, 모두, 불순물 무기 원소를 함유하는 인듐계 무기 산화물로 형성되어 있고, 더욱 바람직하게는, 모두, ITO 로 형성되어 있다.The first layer 5a and the second layer 5b are preferably both formed of an inorganic oxide containing an impurity inorganic element, and preferably both are indium-based inorganic oxides containing an impurity inorganic element And more preferably, all of them are formed of ITO.

또한, 이 경우, 투명 기재 (2) 로부터 가장 떨어져 있는 층 (즉, 제 2 층 (5b)) 의 인듐에 대한 불순물 무기 원소 (바람직하게는, Sn) 의 질량비가, 광 투과성 도전층 (5) 을 구성하는 복수의 층 (즉, 제 1 층 (5a) 및 제 2 층 (5b)) 중에서, 바람직하게는, 최대가 아니고, 보다 바람직하게는, 최소이다. 즉, 광 투과성 도전층 (5) 이, 제 1 층 (5a) 및 제 2 층 (5b) 으로 이루어지는 경우, 제 2 층 (5b) 의 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비는, 제 1 층 (5a) 의 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비보다 작다.Further, in this case, the mass ratio of the impurity inorganic element (preferably Sn) to indium in the layer most distant from the transparent substrate 2 (i.e., the second layer 5b) is the light-transmitting conductive layer 5 Among the plurality of layers constituting the (i.e., the first layer 5a and the second layer 5b), it is preferably not the maximum, more preferably the minimum. That is, when the light-transmitting conductive layer 5 consists of the first layer 5a and the second layer 5b, the mass ratio of the impurity inorganic element to indium in the second layer 5b is the first layer 5a ) Is less than the mass ratio of impurity inorganic elements to indium.

구체적으로는, 제 1 층 (5a) 은, 바람직하게는, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 이상이고, 제 2 층 (5b) 은, 바람직하게는, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 미만이다. 이에 의해, 보다 확실하게 단시간에, 광 투과성 도전층 (5) 의 결정 전화를 가능하게 할 수 있다.Specifically, the first layer 5a preferably has a mass ratio of impurity inorganic elements to indium of 0.05 or more, and the second layer 5b preferably has a mass ratio of impurity inorganic elements to indium Is less than 0.05. Thereby, crystal conversion of the light-transmitting conductive layer 5 can be made possible in a short time more reliably.

보다 구체적으로는, 제 1 층 (5a) 이, ITO 로 형성되어 있는 경우, 제 1 층 (5a) 에 있어서, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대하여, 예를 들어, 5 질량％ 이상, 바람직하게는, 8 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다. 제 1 층 (5a) 의 산화주석의 함유량이, 투명성이나 표면 저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.More specifically, when the first layer 5a is formed of ITO, in the first layer 5a, the tin oxide (SnO 2 ) content is the tin oxide and indium oxide (In 2 O 3 ). The total amount is, for example, 5% by mass or more, preferably 8% by mass or more, and further, for example, 15% by mass or less, and preferably 13% by mass or less. The content of tin oxide in the first layer 5a can improve transparency and stability of surface resistance.

제 2 층 (5b) 이, ITO 로 형성되어 있는 경우, 제 2 층 (5b) 에 있어서, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 2 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 8 질량％ 미만, 바람직하게는, 5 질량％ 미만이다. 제 2 층 (5b) 의 산화주석의 함유량이 상기 범위 내이면, 광 투과성 도전층 (5) 의 결정 전화를 용이하게 하여, 도전성을 확실하게 향상시킬 수 있다.When the second layer 5b is formed of ITO, in the second layer 5b, the tin oxide (SnO 2 ) content is based on the total amount of tin oxide and indium oxide (In 2 O 3 ). For example, it is 0.5 mass% or more, Preferably it is 2 mass% or more, and, for example, it is less than 8 mass %, Preferably it is less than 5 mass %. When the content of tin oxide in the second layer 5b is within the above range, crystal conversion of the light-transmitting conductive layer 5 is facilitated, and the conductivity can be reliably improved.

광 투과성 도전층 (5) 에 있어서의, 제 1 층 (5a) 의 두께 방향의 비율은, 예를 들어, 75 ％ 이상, 바람직하게는, 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는, 90 ％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 99 ％ 이하, 바람직하게는, 98 ％ 이하, 보다 바람직하게는, 97 ％ 이하이다. 구체적으로는, 제 1 층 (5a) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는, 10 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는, 20 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어, 200 ㎚ 이하, 바람직하게는, 150 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는, 50 ㎚ 이하이다.The ratio in the thickness direction of the first layer 5a in the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, and more preferably 90% or more, Moreover, for example, it is 99% or less, Preferably it is 98% or less, More preferably, it is 97% or less. Specifically, the thickness of the first layer 5a is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, and, for example, 200 nm or less, Preferably, it is 150 nm or less, More preferably, it is 50 nm or less.

광 투과성 도전층 (5) 에 있어서의, 제 2 층 (5b) 의 두께 방향의 비율은, 예를 들어, 25 ％ 이하, 바람직하게는, 20 ％ 이하, 보다 바람직하게는, 10 ％ 이하이고, 예를 들어, 1 ％ 이상, 바람직하게는, 2 ％ 이상, 보다 바람직하게는, 3 ％ 이상이다. 또한, 구체적으로는, 제 2 층 (5b) 의 두께는, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는, 1.5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는, 2 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어, 40 ㎚ 이하, 바람직하게는, 20 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는, 10 ㎚ 이하이다.The ratio in the thickness direction of the second layer 5b in the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 25% or less, preferably 20% or less, more preferably 10% or less, For example, it is 1% or more, Preferably it is 2% or more, More preferably, it is 3% or more. Further, specifically, the thickness of the second layer 5b is, for example, 1 nm or more, preferably 1.5 nm or more, more preferably 2 nm or more, and, for example, 40 nm Hereinafter, preferably, it is 20 nm or less, More preferably, it is 10 nm or less.

광 투과성 도전층 (5) 의 총두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 20 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는, 35 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어, 300 ㎚ 이하, 바람직하게는, 180 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는, 100 ㎚ 이하이다. 광 투과성 도전층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 단면 관찰에 의해 측정할 수 있다.The total thickness of the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 10 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 35 nm or more, and, for example, 300 nm or less, preferably Is 180 nm or less, more preferably 100 nm or less. The thickness of the light-transmitting conductive layer 5 can be measured by cross-sectional observation using, for example, a transmission electron microscope.

광 투과성 도전층 (5) 은, 결정질이어도 되고, 비정질이어도 되지만, 바람직하게는, 양호한 도전성 및 에칭성의 관점에서, 결정질이다.The light-transmitting conductive layer 5 may be crystalline or amorphous, but is preferably crystalline from the viewpoint of good conductivity and etching properties.

광 투과성 도전층이 비결정질인지 결정질인지는, 예를 들어, 광 투과성 도전층이 ITO 층인 경우에는, 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지시킨 후, 수세·건조시키고, 15 ㎜ 정도의 사이의 단자간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량％) 에 대한 침지·수세·건조 후에, 15 ㎜ 사이의 단자간 저항이 10 kΩ 를 초과하는 경우, ITO 층이 비정질이라고 하고, 15 ㎜ 사이의 단자간 저항이 10 kΩ 이하인 경우, ITO 층이 결정질이라고 한다.Whether the light-transmitting conductive layer is amorphous or crystalline, for example, when the light-transmitting conductive layer is an ITO layer, is immersed in hydrochloric acid at 20°C (concentration 5% by mass) for 15 minutes, washed with water and dried, and then about 15 mm It can be determined by measuring the resistance between the terminals between. In this specification, after immersion, washing and drying in hydrochloric acid (20°C, concentration: 5% by mass), when the resistance between terminals between 15 mm exceeds 10 kΩ, the ITO layer is said to be amorphous, and between 15 mm When the resistance between terminals of is less than 10 kΩ, the ITO layer is said to be crystalline.

6. 광 투과성 도전 필름의 제조 방법6. Manufacturing method of light-transmitting conductive film

이어서, 광 투과성 도전 필름 (1) 을 제조하는 방법을 설명한다. 광 투과성 도전 필름 (1) 을 제조하려면, 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 을 이 순서로 형성한다. 이하, 상세히 서술한다.Next, the method of manufacturing the light-transmitting conductive film 1 is described. In order to manufacture the light-transmitting conductive film 1, for example, on the upper surface (thickness direction one side) of the transparent substrate 2, the hard coat layer 3, the optical adjustment layer 4, and the light-transmitting conductive layer 5 ) Is formed in this order. It will be described in detail below.

먼저, 공지 또는 시판되는 투명 기재 (2) 를 준비한다.First, a known or commercially available transparent substrate 2 is prepared.

그 후, 필요에 따라, 투명 기재 (2) 와 하드 코트층 (3) 의 밀착성의 관점에서, 투명 기재 (2) 에, 예를 들어, 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 하도 처리를 실시할 수 있다. 또한, 용제 세정, 초음파 세정 등에 의해 투명 기재 (2) 를 제진, 청정화할 수 있다.After that, if necessary, from the viewpoint of adhesion between the transparent substrate 2 and the hard coat layer 3, the transparent substrate 2 is, for example, sputtered, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion. , Etching treatment, such as oxidation, and primer treatment can be performed. In addition, the transparent substrate 2 can be dust-removed and cleaned by solvent cleaning or ultrasonic cleaning.

이어서, 투명 기재 (2) 의 상면에, 하드 코트층 (3) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트층 (3) 을 형성한다.Next, the hard coat layer 3 is formed on the upper surface of the transparent substrate 2. For example, the hard coat layer 3 is formed on the upper surface of the transparent base material 2 by wet-coating the hard coat composition on the upper surface of the transparent base material 2.

구체적으로는, 예를 들어, 하드 코트 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 하드 코트 조성물 용액을 투명 기재 (2) 의 상면에 도포하여, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting the hard coat composition with a solvent is prepared, and then, the hard coat composition solution is applied to the upper surface of the transparent substrate 2 and dried.

용매로는, 예를 들어, 유기 용매, 수계 용매 (구체적으로는, 물) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 유기 용매를 들 수 있다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 화합물, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 화합물, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르 화합물, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르 화합물, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.As a solvent, an organic solvent, an aqueous solvent (specifically, water), etc. are mentioned, for example, Preferably, an organic solvent is mentioned. Examples of the organic solvent include alcohol compounds such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, such as ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, such as ethyl acetate and butyl acetate. And ether compounds such as propylene glycol monomethyl ether, and aromatic compounds such as toluene and xylene. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

하드 코트 조성물 용액에 있어서의 고형분 농도는, 예를 들어, 1 질량％ 이상, 바람직하게는, 10 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 30 질량％ 이하, 바람직하게는, 20 질량％ 이하이다.The solid content concentration in the hard coat composition solution is, for example, 1 mass% or more, preferably 10 mass% or more, and, for example, 30 mass% or less, preferably 20 mass% or less. .

도포 방법은, 하드 코트 조성물 용액 및 투명 기재 (2) 에 따라 적절히 선택할 수 있다. 도포 방법으로는, 예를 들어, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법 등을 들 수 있다.The application method can be appropriately selected depending on the hard coat composition solution and the transparent substrate (2). Examples of the coating method include a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a roller coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, and an extrusion coating method.

건조 온도는, 예를 들어, 50 ℃ 이상, 바람직하게는, 70 ℃ 이상이고, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 100 ℃ 이하이다.The drying temperature is, for example, 50°C or more, preferably 70°C or more, and for example, 200°C or less, preferably 100°C or less.

건조 시간은, 예를 들어, 0.5 분 이상, 바람직하게는, 1 분 이상이고, 예를 들어, 60 분 이하, 바람직하게는, 20 분 이하이다.The drying time is, for example, 0.5 minutes or more, preferably 1 minute or more, and for example, 60 minutes or less, preferably 20 minutes or less.

그 후, 하드 코트 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 하드 코트 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Thereafter, when the hard coat composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the hard coat composition solution.

또한, 하드 코트 조성물이 열 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열 경화성 수지를 열 경화시킬 수 있다.In addition, when the hard coat composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of the solvent by this drying step.

이어서, 하드 코트층 (3) 의 상면에, 광학 조정층 (4) 을 형성한다. 예를 들어, 하드 코트층 (3) 의 상면에 광학 조정 조성물을 습식 도공함으로써, 하드 코트층 (3) 의 상면에 광학 조정층 (4) 을 형성한다.Next, the optical adjustment layer 4 is formed on the upper surface of the hard coat layer 3. For example, the optical adjustment layer 4 is formed on the upper surface of the hard coat layer 3 by wet-coating the optical adjustment composition on the upper surface of the hard coat layer 3.

구체적으로는, 예를 들어, 광학 조정 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 광학 조정 조성물 용액을 하드 코트층 (3) 의 상면에 도포하여, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting the optical adjustment composition with a solvent is prepared, and subsequently, the optical adjustment composition solution is applied to the upper surface of the hard coat layer 3 and dried.

광학 조정 조성물의 조제, 도포, 건조 등의 조건은, 하드 코트 조성물에서 예시한 조제, 도포, 건조 등의 조건과 동일하게 할 수 있다.Conditions such as preparation, application, and drying of the optical adjustment composition can be the same as the conditions such as preparation, application, and drying exemplified in the hard coat composition.

또한, 광학 조정 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 광학 조정 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.In addition, when the optical adjustment composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the optical adjustment composition solution.

또한, 광학 조정 조성물이 열 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열 경화성 수지를 열 경화시킬 수 있다.Moreover, when the optical adjustment composition contains a thermosetting resin, by this drying process, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of a solvent.

이어서, 광학 조정층 (4) 의 상면에, 광 투과성 도전층 (5) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 광학 조정층 (4) 의 상면에 광 투과성 도전층 (5) 을 형성한다.Next, a light-transmitting conductive layer 5 is formed on the upper surface of the optical adjustment layer 4. For example, the light-transmitting conductive layer 5 is formed on the upper surface of the optical adjustment layer 4 by a dry method.

건식 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해 박막의 광 투과성 도전층 (5) 을 형성할 수 있다.As a dry method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, etc. are mentioned, for example. Preferably, a sputtering method is used. By this method, the light-transmitting conductive layer 5 of a thin film can be formed.

스퍼터링법으로는, 예를 들어, 2 극 스퍼터링법, ECR (전자 사이클로트론 공명) 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 마그네트론 스퍼터링법을 들 수 있다.As a sputtering method, a dipole sputtering method, an ECR (electron cyclotron resonance) sputtering method, a magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, etc. are mentioned, for example. Preferably, a magnetron sputtering method is used.

스퍼터링법에 사용하는 전원은, 예를 들어, 직류 (DC) 전원, 교류 중주파 (AC/MF) 전원, 고주파 (RF) 전원, 직류 전원을 중첩한 고주파 전원 중 어느 것이어도 된다.The power source used in the sputtering method may be, for example, a direct current (DC) power source, an alternating current medium frequency (AC/MF) power source, a high frequency (RF) power source, and a high frequency power source in which a DC power source is superimposed.

스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 광 투과성 도전층 (5) 을 구성하는 상기 서술한 무기물을 들 수 있고, 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 3 질량％ 이상이고, 또한, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다.In the case of employing the sputtering method, the above-described inorganic material constituting the light-transmitting conductive layer 5 is exemplified as a target material, and ITO is preferably used. The tin oxide concentration of ITO is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, and, for example, 15% by mass or less, preferably from the viewpoint of durability and crystallization of the ITO layer. Is 13 mass% or less.

스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또한, 바람직하게는, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용한다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 불활성 가스에 대한 반응성 가스의 유량비는, 예를 들어, 0.0010 이상, 0.0100 이하이다.As the sputtering gas, an inert gas, such as Ar, is mentioned, for example. Further, preferably, a reactive gas such as oxygen gas is used in combination. In the case of using a reactive gas together, the flow rate ratio of the reactive gas to the inert gas is, for example, 0.0010 or more and 0.0100 or less.

스퍼터링법은, 진공하에서 실시된다. 구체적으로는, 스퍼터링시의 압력은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하, 바람직하게는, 0.7 ㎩ 이하이고, 또한, 예를 들어, 0.1 ㎩ 이상이다.The sputtering method is carried out under vacuum. Specifically, the pressure at the time of sputtering is, for example, 1 Pa or less, preferably 0.7 Pa or less, and, for example, 0.1 Pa or more, from the viewpoint of suppression of a decrease in sputtering rate and discharge stability. .

물의 분압은, 결정 전화의 속도를 향상시키는 관점에서, 예를 들어, 10 × 10-4 ㎩ 이하, 바람직하게는, 5 × 10-4 ㎩ 이하이다.The partial pressure of water is, for example, 10 × 10 -4 Pa or less, preferably 5 × 10 -4 Pa or less, from the viewpoint of improving the speed of crystal conversion.

또한, 원하는 광 투과성 도전층 (5) 을 형성하기 위해서, 타깃재나 스퍼터링의 조건 등을 적절히 설정하여 복수회 스퍼터링을 실시해도 된다.Further, in order to form the desired light-transmitting conductive layer 5, sputtering may be performed a plurality of times by appropriately setting a target material, sputtering conditions, and the like.

특히, 본 발명에서는, 예를 들어, 투명 기재로서 시클로올레핀계 수지를 함유하는 기재를 이용하여, 산소의 도입량을 조정하고, 또한, 복수의 층 (바람직하게는, 제 1 층 (5a) 및 제 2 층 (5b)) 으로 광 투과성 도전층 (5) 을 형성함으로써, 원하는 광 투과성 도전층 (5) 을 구비하는 광 투과성 도전 필름 (1) 을 바람직하게 제조할 수 있다.In particular, in the present invention, for example, by using a substrate containing a cycloolefin resin as a transparent substrate, the amount of oxygen introduced is adjusted, and a plurality of layers (preferably, the first layer 5a and the first layer By forming the light-transmitting conductive layer 5 with two layers (5b)), the light-transmitting conductive film 1 provided with the desired light-transmitting conductive layer 5 can be preferably produced.

상세하게는, 스퍼터링법에 의해, 광 투과성 도전층 (5) 으로서 ITO 층을 형성하는 경우를 일례로서 들면, 스퍼터링법에 의해 얻어지는 ITO 층은, 일반적으로, 비정질 ITO 층으로서 성막된다. 그리고, 성막 분위기의 산소량을 적게 하여, ITO 층에 산소 결손부를 발생시킴으로써, 가열에 의해 결정 전화 가능한 ITO 층이 얻어진다. 이 때, 그 산소량을, ITO 층이 결정 가능한 정도로 약간 부족하게 한다. 또한, 투명 기재 (2) 에, 시클로올레핀계 수지를 사용함으로써, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지에 비하여, 결정 전화를 저해하는 수분의 발생을 저감시킨다. 또한, 복수의 층 (예를 들어, 제 1 층 (5a) 및 제 2 층 (5b)) 으로 광 투과성 도전층 (5) 을 구성시킴으로써, 노출 표면 (최상면) 에 결정 전화시키기 쉬운 층 (제 2 층 (5b)) 을 형성한다. 이들에 의해, 저온 그리고 단시간에 결정 전화가 가능한 광 투과성 도전층 (5) 을 형성시킬 수 있다.Specifically, taking as an example the case of forming the ITO layer as the light-transmitting conductive layer 5 by sputtering, the ITO layer obtained by the sputtering method is generally formed as an amorphous ITO layer. Then, by reducing the amount of oxygen in the film forming atmosphere and generating oxygen vacancies in the ITO layer, an ITO layer capable of crystal conversion by heating is obtained. At this time, the amount of oxygen is slightly insufficient so that the ITO layer can be determined. Further, by using a cycloolefin-based resin for the transparent substrate 2, the generation of moisture that inhibits crystal conversion is reduced as compared to a polyethylene terephthalate-based resin. In addition, by configuring the light-transmitting conductive layer 5 with a plurality of layers (for example, the first layer 5a and the second layer 5b), a layer that is easy to crystallize to the exposed surface (topmost surface) (second Layer (5b)) is formed. Thereby, it is possible to form the light-transmitting conductive layer 5 capable of crystal conversion at a low temperature and in a short time.

보다 구체적으로는, 예를 들어, 투명 기재 (2) 로서, 시클로올레핀계 필름을 이용하고, 수평 자장 강도를 50 mT 이상, 200 mT 이하 (바람직하게는, 80 mT 이상, 120 mT 이하) 의 고자장 강도로 하고, 직류 전원을 채용한 경우에는, 다음과 같다. 제 1 층 (5a) 의 형성시에 있어서, 산화주석 농도가 높은 ITO 타깃을 사용하여, Ar 가스에 대한 산소 가스의 유량비 (O2/Ar) 를, 예를 들어, 0.0050 이상, 0.0100 이하, 바람직하게는, 0.0070 이상, 0.0090 이하로 설정하고, 또한, ITO 두께 (㎚) 에 대한 유량비 「(O2/Ar)/(ITO 두께)」 를, 예를 들어, 0.00010 이상, 0.00020 이하로 설정한다.More specifically, for example, as the transparent substrate (2), a cycloolefin-based film is used, and the horizontal magnetic field strength is 50 mT or more and 200 mT or less (preferably 80 mT or more, 120 mT or less). When the magnetic field strength is used and a DC power supply is used, it is as follows. In the formation of the first layer 5a, an ITO target having a high tin oxide concentration is used, and the flow ratio of oxygen gas to Ar gas (O 2 /Ar) is, for example, 0.0050 or more, 0.0100 or less, preferably Specifically, it is set to 0.0070 or more and 0.0090 or less, and the flow rate ratio "(O 2 /Ar)/(ITO thickness)" to the ITO thickness (nm) is set to, for example, 0.00010 or more and 0.00020 or less.

또한, ITO 성막 환경하에서, 산소가 적합한 비율 (약간 부족한 산소량) 로 도입되어 있는지 여부는, 예를 들어, 산소 공급량 (sc㎝) (X 축) 과, 그 산소 공급량에 의해 얻어지는 ITO 의 표면 저항 (Ω/□) (Y 축) 을 그래프에 플롯하여, 그 그래프로부터 판단할 수 있다. 즉, 그 그래프의 극소 근방 영역 (보텀 영역) 이, 가장 표면 저항이 작고, ITO 가 화학량론 조성이 되어 있기 때문에, 그 극소 근방 영역보다 약간 원점측에 가까운 X 축의 값이, 본 발명에 있어서의 광 투과성 도전층 (5) 을 제작하는 데에 적합한 산소 공급량이라고 판단할 수 있다.In addition, whether or not oxygen is introduced at a suitable ratio (slightly insufficient amount of oxygen) under the ITO film formation environment is, for example, the oxygen supply amount (sccm) (X axis) and the surface resistance of ITO obtained by the oxygen supply amount ( Ω/□) (Y axis) can be plotted on a graph and judged from the graph. That is, since the very near region (bottom region) of the graph has the smallest surface resistance and ITO has a stoichiometric composition, the value of the X axis slightly closer to the origin side than the very near region is in the present invention. It can be judged that it is an oxygen supply amount suitable for producing the light-transmitting conductive layer 5.

이에 의해, 투명 기재 (2), 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 을 두께 방향으로 이 순서로 구비하는 광 투과성 도전 필름 (1) 을 얻는다.Thereby, the light-transmitting conductive film 1 provided with the transparent base material 2, the hard coat layer 3, the optical adjustment layer 4, and the light-transmitting conductive layer 5 in this order in the thickness direction is obtained.

또한, 상기 제조 방법에서는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 기재 (2) 를 반송시키면서, 그 투명 기재 (2) 에, 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 을 형성해도 되고, 또한, 이들 층의 일부 또는 전부를 배치 방식 (매엽 방식) 으로 형성해도 된다. 생산성의 관점에서, 바람직하게는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 기재 (2) 를 반송시키면서, 투명 기재 (2) 에 각 층을 형성한다.Moreover, in the said manufacturing method, while conveying the transparent base material 2 by a roll-to-roll system, the hard coat layer 3, the optical adjustment layer 4, and the light-transmitting conductive layer 5 to the transparent base material 2 ) May be formed, and some or all of these layers may be formed by a batch method (single leaf method). From the viewpoint of productivity, preferably, each layer is formed on the transparent substrate 2 while conveying the transparent substrate 2 in a roll-to-roll system.

필요에 따라, 광 투과성 도전 필름 (1) 을 가열할 수 있다. 이에 의해, 광 투과성 도전층 (5) 이 결정 전화되어, 결정질이 되고, 도전성이 더욱 향상된다.If necessary, the light-transmitting conductive film 1 can be heated. Thereby, the light-transmitting conductive layer 5 is crystallized, becomes crystalline, and the conductivity is further improved.

구체적으로는, 광 투과성 도전 필름 (1) 에 대기하에서 가열 처리를 실시한다.Specifically, heat treatment is performed on the light-transmitting conductive film 1 in the atmosphere.

가열 처리는, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.The heat treatment can be performed using, for example, an infrared heater or an oven.

가열 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이상, 바람직하게는, 120 ℃ 이상이고, 또한, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 150 ℃ 이하이다.The heating temperature is, for example, 100°C or higher, preferably 120°C or higher, and further, for example, 200°C or lower, preferably 150°C or lower.

가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 5 분 이상, 바람직하게는, 10 분 이상이고, 또한, 예를 들어, 120 분 이하, 바람직하게는, 100 분 이하이다.The heating time is appropriately determined depending on the heating temperature, but is, for example, 5 minutes or more, preferably 10 minutes or more, and further, for example, 120 minutes or less, preferably 100 minutes or less.

이와 같이 하여 얻어지는 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 이하의 특성을 구비한다.The light-transmitting conductive film 1 obtained in this way has the following characteristics.

광 투과성 도전층 (5) 에 있어서의 캐리어 밀도 (Xa × 1019/㎤) 는, 예를 들어, 50 × 1019/㎤ 이상, 바람직하게는, 100 × 1019/㎤ 이상, 보다 바람직하게는, 130 × 1019/㎤ 이상이고, 또한, 예를 들어, 170 × 1019/㎤ 이하, 바람직하게는, 150 × 1019/㎤ 이하이다.The carrier density (Xa × 10 19 /cm 3) in the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 50 × 10 19 /cm 3 or more, preferably, 100 × 10 19 /cm 3 or more, more preferably , 130 × 10 19 /cm 3 or more, and, for example, 170 × 10 19 /cm 3 or less, preferably 150 × 10 19 /cm 3 or less.

광 투과성 도전층 (5) 에 있어서의 홀 이동도 (Ya ㎠/V·s) 는, 예를 들어, 5 ㎠/V·s 이상, 바람직하게는, 10 ㎠/V·s 이상, 보다 바람직하게는, 20 ㎠/V·s 이상이고, 또한, 예를 들어, 40 ㎠/V·s 이하, 바람직하게는, 30 ㎠/V·s 이하, 보다 바람직하게는, 23 ㎠/V·s 이하이다.The hole mobility (Ya cm 2 /V·s) in the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 5 cm 2 /V·s or more, preferably 10 cm 2 /V·s or more, more preferably Is 20 cm2/V·s or more, and, for example, 40 cm2/V·s or less, preferably 30 cm2/V·s or less, more preferably 23 cm2/V·s or less .

또한, 캐리어 밀도를, n × 1019 (/㎤) 라고 하고, 홀 이동도를, μ (㎠/V·s) 라고 했을 때에, μ 에 대한 n 의 비 (n/μ) 는, 5.0 을 초과하고, 바람직하게는, 5.1 이상, 보다 바람직하게는, 5.5 이상, 더욱 바람직하게는, 6.0 이상이다. 상한은 한정적이 아니고, 예를 들어, 20.0 이하, 바람직하게는, 10.0 이하이다. 상기 비 (n/μ) 가 상기 하한 이상이면, 광 투과성 도전층 (5) 을, 단시간에 원하는 패턴으로 에칭할 수 있어, 생산성이 우수하다.In addition, when the carrier density is n×10 19 (/cm 3) and the hole mobility is μ (cm 2 /V·s), the ratio of n to μ (n/μ) exceeds 5.0. And, preferably, it is 5.1 or more, more preferably, it is 5.5 or more, and still more preferably, it is 6.0 or more. The upper limit is not limited, and is, for example, 20.0 or less, preferably 10.0 or less. When the ratio (n/μ) is equal to or greater than the lower limit, the light-transmitting conductive layer 5 can be etched in a desired pattern in a short time, and productivity is excellent.

광 투과성 도전층 (5) 의 표면 저항은, 예를 들어, 1 Ω/□ 이상, 바람직하게는, 10 Ω/□ 이상이고, 또한, 예를 들어, 500 Ω/□ 이하, 바람직하게는, 200 Ω/□ 이하이다. 표면 저항은, 4 단자법에 의해 측정할 수 있다.The surface resistance of the light-transmitting conductive layer 5 is, for example, 1 Ω/□ or more, preferably 10 Ω/□ or more, and, for example, 500 Ω/□ or less, preferably 200 It is less than Ω/□. Surface resistance can be measured by a four-terminal method.

광 투과성 도전 필름 (1) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 85 ％ 이상이다.The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the light-transmitting conductive film 1 is, for example, 80% or more, and preferably 85% or more.

광 투과성 도전 필름 (1) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 10 ㎛ 이상이고, 또한, 예를 들어, 100 ㎛ 이하, 바람직하게는, 50 ㎛ 이하이다.The thickness of the light-transmitting conductive film 1 is, for example, 2 µm or more, preferably 10 µm or more, and further, for example, 100 µm or less, preferably 50 µm or less.

광 투과성 도전 필름 (1) 은, 예를 들어, 광학 장치에 구비된다. 광학 장치로는, 예를 들어, 화상 표시 장치, 조광 장치 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 화상 표시 장치를 들 수 있다. 광 투과성 도전 필름 (1) 을 화상 표시 장치 (구체적으로는, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 갖는 화상 표시 장치) 에 구비하는 경우에는, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 예를 들어, 터치 패널용 기재로서 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다.The light-transmitting conductive film 1 is provided in an optical device, for example. As an optical device, an image display device, a dimming device, etc. are mentioned, for example, Preferably, an image display device is mentioned. When the light-transmitting conductive film 1 is provided in an image display device (specifically, an image display device having an image display element such as an LCD module), the light-transmitting conductive film 1 is, for example, a touch panel It is used as a base material. As the form of the touch panel, various methods such as an optical method, an ultrasonic method, a capacitive method, and a resistive film method may be mentioned, and in particular, it is preferably used for a capacitive touch panel.

그리고, 이 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 광 투과성 도전층 (5) 에 있어서, μ 에 대한 n 의 비 (n/μ) 가, 5.0 을 초과한다. 그 때문에, 광 투과성 도전층 (5) 을 우수한 속도로 에칭할 수 있다. 즉, 단시간에, 광 투과성 도전층 (5) 을 패터닝할 수 있다. 그 때문에, 예를 들어, 터치 패널용 기재로서의 생산성이 우수하다.And, in this light-transmitting conductive film 1, in the light-transmitting conductive layer 5, the ratio of n to μ (n/μ) exceeds 5.0. Therefore, the light-transmitting conductive layer 5 can be etched at an excellent rate. That is, the light-transmitting conductive layer 5 can be patterned in a short time. Therefore, for example, it is excellent in productivity as a substrate for a touch panel.

광 투과성 도전 필름 (1) 의 패터닝은, 공지된 에칭을 채용할 수 있다. 에칭 방법으로는, 웨트 에칭 및 드라이 에칭 중 어느 것이어도 되지만, 생산 효율의 관점에서 웨트 에칭을 들 수 있다.For patterning of the light-transmitting conductive film 1, known etching can be employed. As the etching method, either wet etching or dry etching may be used, but from the viewpoint of production efficiency, wet etching is mentioned.

웨트 에칭은, 예를 들어, 패턴부 및 비패턴부에 대응하도록, 피복부 (마스킹 테이프 등) 를 광 투과성 도전층 (5) 상에 배치하고, 피복부로부터 노출되는 광 투과성 도전층 (5) (비패턴부) 을, 에칭액을 사용하여 에칭한다.In wet etching, for example, a covering portion (masking tape, etc.) is disposed on the light-transmitting conductive layer 5 so as to correspond to the pattern portion and the non-pattern portion, and the light-transmitting conductive layer 5 exposed from the covering portion (Non-pattern part) is etched using an etching solution.

에칭액으로는, 예를 들어, 염산, 황산, 질산, 아세트산, 옥살산, 인산 및 이들의 혼산 등의 산을 들 수 있다. 그 후, 피복부를, 결정질 광 투과성 도전층 (6) 의 상면으로부터, 예를 들어, 박리 등에 의해, 제거한다.Examples of the etching solution include acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, oxalic acid, phosphoric acid, and mixed acids thereof. After that, the covering portion is removed from the upper surface of the crystalline light-transmitting conductive layer 6, for example, by peeling or the like.

광 투과성 도전층 (5) 의 패턴은, 광 투과성 도전 필름 (1) 이 적용되는 용도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 스트라이프 형상을 갖는 전극 패턴이나 배선 패턴 등을 들 수 있다.The pattern of the light-transmitting conductive layer 5 is appropriately determined depending on the application to which the light-transmitting conductive film 1 is applied, and examples thereof include an electrode pattern or wiring pattern having a stripe shape.

이에 의해, 광 투과성 도전층 (5) 이 패터닝된 패터닝 광 투과성 도전 필름 (1A) 을 들 수 있다.Thereby, the patterned light-transmitting conductive film 1A in which the light-transmitting conductive layer 5 is patterned is mentioned.

＜변형예＞<modification example>

상기한 일 실시형태에서는, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 기재 (2), 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 을 구비하고 있지만, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 이들 이외의 층을 추가로 구비하고 있어도 된다.In the above-described embodiment, the light-transmitting conductive film (1) is provided with a transparent base material (2), a hard coat layer (3), an optical adjustment layer (4) and a light-transmitting conductive layer (5). The conductive film 1 may further include layers other than these.

예를 들어, 일 실시형태는, 투명 기재 (2) 의 하면이 노출되어 있는데, 예를 들어, 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 의 하면에, 안티 블로킹층 등의 다른 기능층을 추가로 구비하고 있어도 된다.For example, in one embodiment, the lower surface of the transparent substrate 2 is exposed. For example, the light-transmitting conductive film 1 has other functions such as an anti-blocking layer on the lower surface of the transparent substrate 2 You may further include a layer.

또한, 일 실시형태의 광 투과성 도전 필름 (1) 은, 투명 기재 (2), 하드 코트층 (3), 광학 조정층 (4) 및 광 투과성 도전층 (5) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 하드 코트층 (3) 및 광학 조정층 (4) 의 적어도 일방을 구비하고 있지 않아도 된다. 바람직하게는, 내찰상성, 광 투과성 도전층 (5) 에 있어서의 패턴의 시인 억제성 등의 관점에서, 하드 코트층 (3) 및 광학 조정층 (4) 을 구비한다.In addition, the light-transmitting conductive film (1) of one embodiment is provided with a transparent base material (2), a hard coat layer (3), an optical adjustment layer (4), and a light-transmitting conductive layer (5), for example , At least one of the hard coat layer 3 and the optical adjustment layer 4 may not be provided. Preferably, a hard coat layer 3 and an optical adjustment layer 4 are provided from the viewpoints of scratch resistance and suppression of visibility of patterns in the light-transmitting conductive layer 5.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성 값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」 에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성 값, 파라미터 등 해당 기재의 상한치 (「이하」, 「미만」 으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치 (「이상」, 「초과」 로서 정의되어 있는 수치) 로 대체할 수 있다.Examples and comparative examples are shown below to describe the present invention in more detail. In addition, the present invention is not limited to Examples and Comparative Examples at all. In addition, specific values such as the blending ratio (content), physical property values, and parameters used in the following description are described in the above ``Forms for carrying out the invention'', and the corresponding blending ratios (containing Ratio), physical property values, parameters, etc., can be replaced with the upper limit (a value defined as ``less than'' or ``less than'') or a lower limit (a value defined as ``above'' or ``exceeding'').

(실시예 1)(Example 1)

투명 기재로서, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 필름 (제온사 제조, 상품명 「제오노아」, 두께 40 ㎛) 을 준비하였다. 투명 기재의 상면에, 아크릴 수지로 이루어지는 자외선 경화성 수지 조성물을 도포하고, 자외선을 조사하여, 하드 코트층 (두께 1 ㎛) 을 형성하였다. 계속해서, 하드 코트층의 상면에, 지르코니아 입자 함유 자외선 경화형 조성물을 도포하고, 자외선을 조사하여, 광학 조정층 (두께 90 ㎚, 굴절률 1.62) 을 형성하였다. 이에 의해, 투명 기재, 하드 코트층 및 광학 조정층을 구비하는 적층체를 얻었다.As a transparent substrate, a cycloolefin polymer (COP) film (manufactured by Xeon Corporation, brand name "Zeonoa", thickness 40 µm) was prepared. On the upper surface of the transparent substrate, an ultraviolet curable resin composition made of an acrylic resin was applied, and ultraviolet rays were irradiated to form a hard coat layer (thickness of 1 μm). Subsequently, an ultraviolet curable composition containing zirconia particles was applied to the upper surface of the hard coat layer and irradiated with ultraviolet rays to form an optical adjustment layer (thickness of 90 nm, refractive index of 1.62). Thereby, a layered product including a transparent base material, a hard coat layer, and an optical adjustment layer was obtained.

진공 스퍼터 장치를 사용하여, 적층체의 광학 조정층의 상면에, 인듐 주석 복합 산화물 (ITO) 층으로 이루어지는 제 1 층 (두께 43 ㎚) 을 형성하였다. 구체적으로는, 진공 스퍼터 장치 내를, 물의 분압이 2.0 × 10-4 ㎩ 이하가 될 때까지 배기하고, 그 후, 아르곤 가스와 산소의 혼합 가스 (유량비 : O2/Ar = 0.00763, (O2/Ar)/ITO 두께비 : 0.000178) 를 도입하여, 압력 0.4 ㎩ 의 분위기하에서, DC 마그네트론 스퍼터링법을 적층체에 대하여 실시하였다. 타깃으로는, 산화주석 10 질량％/산화인듐 90 질량％ 의 소결체를 사용하였다. 또한, 타깃 표면의 수평 자장을 100 mT 로 설정하였다.A first layer (thickness of 43 nm) made of an indium tin composite oxide (ITO) layer was formed on the upper surface of the optical adjustment layer of the laminate using a vacuum sputtering device. Specifically, the inside of the vacuum sputtering apparatus is evacuated until the partial pressure of water becomes 2.0 × 10 -4 Pa or less, and thereafter, a mixed gas of argon gas and oxygen (flow ratio: O 2 /Ar = 0.00763, (O 2 /Ar)/ITO thickness ratio: 0.000178) was introduced, and a DC magnetron sputtering method was performed on the laminate in an atmosphere of a pressure of 0.4 Pa. As a target, a sintered compact of 10% by mass of tin oxide/90% by mass of indium oxide was used. In addition, the horizontal magnetic field of the target surface was set to 100 mT.

계속해서, 타깃을, 산화주석 3 질량％/산화인듐 97 질량％ 의 소결체로 변경하고, 아르곤 가스와 산소의 혼합 가스의 유량비를, O2/Ar = 0.00160 으로 한 것 이외에는 상기와 동일하게 하여, 스퍼터링을 추가로 실시하여, 제 1 층의 상면에 제 2 층 (두께 2 ㎚) 을 형성하였다. 이에 의해, 총두께 45 ㎚ 의 광 투과성 도전층 (투명 도전층) 을 광학 조정층의 상면에 형성하였다.Subsequently, the target was changed to a sintered body of 3% by mass of tin oxide/97% by mass of indium oxide, and the flow rate ratio of the mixed gas of argon gas and oxygen was set to O 2 /Ar = 0.00160. Sputtering was further performed to form a second layer (thickness 2 nm) on the upper surface of the first layer. Thereby, a light-transmitting conductive layer (transparent conductive layer) having a total thickness of 45 nm was formed on the upper surface of the optical adjustment layer.

계속해서, 130 ℃ 의 열풍 오븐으로 90 분간 가열하여, 광 투과성 도전층을 결정 전화시켰다.Subsequently, it heated for 90 minutes in a 130 degreeC hot air oven, and the light-transmitting conductive layer was crystallized.

이와 같이 하여, 실시예 1 의 광 투과성 도전 필름 (투명 도전성 필름) 을 제조하였다.In this way, the light-transmitting conductive film (transparent conductive film) of Example 1 was produced.

(실시예 2 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 3)(Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 3)

제 1 층 및 제 2 층의 형성에 있어서, 각 층의 두께나 가스의 유량비를 표 1 에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광 투과성 도전 필름을 제조하였다.In the formation of the first layer and the second layer, a light-transmitting conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the thickness of each layer and the flow rate ratio of gas were changed as shown in Table 1.

(1) 두께의 측정(1) Measurement of thickness

하드 코트층, 광학 조정층, 제 1 층 및 제 2 층의 두께를, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소사 제조, 「H-7650」) 을 사용하여, 단면 관찰에 의해 측정하였다.The thickness of the hard coat layer, the optical adjustment layer, the first layer, and the second layer was measured by cross-sectional observation using a transmission electron microscope (manufactured by Hitachi Corporation, "H-7650").

투명 기재의 두께를, 막두께계 (Peacock 사 제조, 「디지털 다이얼 게이지 DG-205」) 를 사용하여, 측정하였다.The thickness of the transparent substrate was measured using a film thickness meter (manufactured by Peacock, "Digital Dial Gauge DG-205").

(2) 캐리어 밀도·홀 이동도의 측정(2) Measurement of carrier density and hole mobility

홀 효과 측정 시스템 (바이오래드사 제조, 「HL5500PC」) 을 사용하여, 광 투과성 도전층의 홀 이동도 (μ ㎠/V·s) 를 측정하였다. 캐리어 밀도 (n × 1019 /㎤) 는, 광 투과성 도전층의 총두께를 사용하여, 산출하였다.Using a Hall effect measuring system (manufactured by BioRad, "HL5500PC"), the hole mobility (μcm2/V·s) of the light-transmitting conductive layer was measured. The carrier density (n×10 19 /cm 3) was calculated using the total thickness of the light-transmitting conductive layer.

(3) 에칭 시간의 평가(3) Evaluation of etching time

각 실시예 및 각 비교예의 광 투과성 도전 필름을, 농도 7 wt％, 35 ℃ 의 염산에 소정 시간 (15 초 간격) 침지시킨 후, 수세·건조시키고, 그때마다, 15 ㎜ 사이의 단자간 저항을, 테스터를 사용하여 측정하였다. 이 때, 단자간 저항이, 50 kΩ 를 초과하거나, 절연 (에러 등) 을 나타낸 시간을 에칭 완료 시간으로 하였다. 에칭 시간을 광 투과성 도전층의 값 (두께의 값) 으로 나눈 시간을 1 ㎚ 두께 당의 에칭 레이트로서, 산출하였다.The light-transmitting conductive films of Examples and Comparative Examples were immersed in hydrochloric acid at a concentration of 7 wt% and 35° C. for a predetermined period of time (15 second intervals), followed by washing and drying, and each time, the resistance between terminals between 15 mm was increased. , Was measured using a tester. At this time, the time when the resistance between terminals exceeded 50 kΩ or the insulation (error, etc.) was indicated was taken as the etching completion time. The time obtained by dividing the etching time by the value of the light-transmitting conductive layer (the value of the thickness) was calculated as the etching rate per 1 nm thickness.

에칭 레이트가 20.0 초/㎚ 이하인 경우를 ◎ 라고 평가하고, 에칭 레이트가 20.0 초/㎚ 를 초과하고 25.0 초/㎚ 이하인 경우를 ○ 라고 평가하고, 에칭 레이트가 25.0 초를 초과하는 경우를 × 라고 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The case where the etching rate is 20.0 sec/nm or less is evaluated as ◎, the case where the etching rate is more than 20.0 sec/nm and 25.0 sec/nm or less is evaluated as ○, and the case where the etching rate exceeds 25.0 sec is evaluated as × I did. Table 1 shows the results.

또한, 각 실시예 및 각 비교예로부터, μ 에 대한 n 의 비 (n/μ) 를 가로축에, 에칭 레이트를 세로축에 플롯하여, 이들의 관계식을 그래프로 나타냈다. 이 그래프를 도 3 에 나타낸다.In addition, from each Example and each comparative example, the ratio of n to μ (n/μ) was plotted on the horizontal axis, and the etching rate was plotted on the vertical axis, and their relational expressions were shown in graphs. This graph is shown in FIG. 3.

Figure pat00001
Figure pat00001

1 ; 광 투과성 도전 필름
2 ; 투명 기재
5 ; 광 투과성 도전층
5a ; 제 1 층
5b ; 제 2 층One ; Light transmissive conductive film
2 ; Transparent substrate
5; Light-transmitting conductive layer
5a; First floor
5b; Second floor

Claims (10)

투명 기재와, 상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에 배치되는 광 투과성 도전층을 구비하고,
상기 광 투과성 도전층에 있어서의 캐리어 밀도를, n × 1019 (/㎤) 라고 하고, 홀 이동도를, μ (㎠/V·s) 라고 했을 때에,
μ 에 대한 n 의 비 (n/μ) 가, 5.0 을 초과하는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.A transparent substrate and a light-transmitting conductive layer disposed on one side in the thickness direction of the transparent substrate,
When the carrier density in the light-transmitting conductive layer is n×10 19 (/cm 3) and the hole mobility is μ (cm 2 /V·s),
The light-transmitting conductive film, characterized in that the ratio of n to μ (n/μ) exceeds 5.0. 제 1 항에 있어서,
상기 비 (n/μ) 가, 5.1 이상인 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 1,
The light-transmitting conductive film, wherein the ratio (n/μ) is 5.1 or more. 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층이, 인듐계 무기 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 1,
The light-transmitting conductive film, wherein the light-transmitting conductive layer contains an indium-based inorganic oxide. 제 2 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층이, 인듐계 무기 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 2,
The light-transmitting conductive film, wherein the light-transmitting conductive layer contains an indium-based inorganic oxide. 제 3 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층이, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 이상인 제 1 영역과, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 미만인 제 2 영역을 두께 방향으로 구비하는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 3,
Wherein the light-transmitting conductive layer has a first region in which a mass ratio of impurity inorganic elements to indium is 0.05 or more, and a second region in which a mass ratio of impurity inorganic elements to indium is less than 0.05, in a thickness direction, Conductive film. 제 4 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층이, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 이상인 제 1 영역과, 인듐에 대한 불순물 무기 원소의 질량비가 0.05 미만인 제 2 영역을 두께 방향으로 구비하는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 4,
Wherein the light-transmitting conductive layer has a first region in which a mass ratio of impurity inorganic elements to indium is 0.05 or more, and a second region in which a mass ratio of impurity inorganic elements to indium is less than 0.05, in a thickness direction, Conductive film. 제 1 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층의 캐리어 밀도가, 50 × 1019 (/㎤) 이상, 170 × 1019 (/㎤) 이하이고,
홀 이동도가, 5 (㎠/V·s) 이상, 40 (㎠/V·s) 이하인 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 1,
The carrier density of the light-transmitting conductive layer is 50 × 10 19 (/cm 3) or more and 170 × 10 19 (/cm 3) or less,
The light-transmitting conductive film, characterized in that the hole mobility is 5 (cm 2 /V·s) or more and 40 (cm 2 /V·s) or less. 제 2 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층의 캐리어 밀도가, 50 × 1019 (/㎤) 이상, 170 × 1019 (/㎤) 이하이고,
홀 이동도가, 5 (㎠/V·s) 이상, 40 (㎠/V·s) 이하인 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 2,
The carrier density of the light-transmitting conductive layer is 50 × 10 19 (/cm 3) or more and 170 × 10 19 (/cm 3) or less,
The light-transmitting conductive film, characterized in that the hole mobility is 5 (cm 2 /V·s) or more and 40 (cm 2 /V·s) or less. 제 3 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층의 캐리어 밀도가, 50 × 1019 (/㎤) 이상, 170 × 1019 (/㎤) 이하이고,
홀 이동도가, 5 (㎠/V·s) 이상, 40 (㎠/V·s) 이하인 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method of claim 3,
The carrier density of the light-transmitting conductive layer is 50 × 10 19 (/cm 3) or more and 170 × 10 19 (/cm 3) or less,
The light-transmitting conductive film, characterized in that the hole mobility is 5 (cm 2 /V·s) or more and 40 (cm 2 /V·s) or less. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 투과성 도전층이 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는, 광 투과성 도전 필름.The method according to any one of claims 1 to 9,
The light-transmitting conductive film, characterized in that the light-transmitting conductive layer is patterned.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4240471B2 (en) * 2002-12-18 2009-03-18 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 Method for forming transparent conductive film
JP5244331B2 (en) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 Amorphous oxide semiconductor thin film, manufacturing method thereof, thin film transistor manufacturing method, field effect transistor, light emitting device, display device, and sputtering target
JP5224073B2 (en) * 2010-03-26 2013-07-03 住友金属鉱山株式会社 Oxide deposition material and method for producing the same
JP2013186633A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Toppan Printing Co Ltd Transparent conductive film, manufacturing method of transparent conductive film, and touch panel
JP6159490B1 (en) * 2015-09-30 2017-07-05 積水化学工業株式会社 Light transmissive conductive film and method for producing annealed light transmissive conductive film
JP6654865B2 (en) * 2015-11-12 2020-02-26 日東電工株式会社 Amorphous transparent conductive film, crystalline transparent conductive film and method for producing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017071850A (en) 2014-05-20 2017-04-13 日東電工株式会社 Transparent conductive film

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