KR20200081257A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20200081257A
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substrate
line
conveying
unit
processing apparatus
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히로노부 가지와라
슌이치 야히로
šœ이치 야히로
미츠히로 사카이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

Provided is technology for shortening the entire length of a substrate processing apparatus. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes a preprocessing line, an application line, a return line, a development processing line and first, second, third and fourth return parts. The application line is placed in parallel with respect to the preprocessing line. The return line is placed in an upper or lower part of the application line. The development processing line is placed in an upper or lower part of the preprocessing line. The first return part is placed between the preprocessing line and the application line, and returns a substrate from the preprocessing line to the application line. The second return part is placed in series with respect to the first return part, and returns the substrate to the return line. The third return part is placed in series with respect to the first return part, and returns the substrate to the development processing line. The fourth return part is placed in series with respect to the first return part, and returns the substrate to the development processing line.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

특허문헌 1에는, 제1 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서 포토레지스트막을 기판에 형성하고, 기판이 노광된 후에 제2 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서 현상 처리를 기판에 행하는 것이 개시되어 있다. Patent Literature 1 discloses that a photoresist film is formed on a substrate while transporting the substrate along the first transport line, and development is performed on the substrate while transporting the substrate along the second transport line after the substrate is exposed.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2007-158253호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2007-158253

본 개시는 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for shortening the overall length of a substrate processing apparatus.

본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 전처리 라인과 도포 라인과 반송 라인과 현상 처리 라인과 제1 반송부와 제2 반송부와 제3 반송부와 제4 반송부를 포함한다. 도포 라인은 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치된다. 반송 라인은 도포 라인의 상측 또는 하측에 배치된다. 현상 처리 라인은 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치된다. 제1 반송부는, 전처리 라인과 도포 라인 사이에 마련되며, 전처리 라인으로부터 도포 라인에 기판을 반송한다. 제2 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 기판을 반송 라인에 반송한다. 제3 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 현상 처리 라인에 기판을 반송한다. 제4 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 현상 처리 라인으로부터 기판을 반송한다. The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a pretreatment line, an application line, a transfer line, a development processing line, a first transfer section, a second transfer section, a third transfer section, and a fourth transfer section. The application line is arranged parallel to the pretreatment line. The conveying line is arranged above or below the application line. The developing processing line is arranged above or below the pre-processing line. The first transfer section is provided between the pretreatment line and the application line, and transfers the substrate from the pretreatment line to the application line. The second conveying section is arranged in series with the first conveying section, and conveys the substrate to the conveying line. The third transfer section is arranged in series with the first transfer section, and transfers the substrate to the developing processing line. The fourth conveyance section is arranged in series with the first conveyance section, and conveys the substrate from the developing processing line.

본 개시에 의하면, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. According to the present disclosure, the overall length of the substrate processing apparatus can be shortened.

도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도(구성 1)이다.
도 3은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도(구성 2)이다.
도 4는 도 1의 IV-IV 단면에 있어서의 블록도이다.
도 5는 실시형태에 따른 기판 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 6a는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1)이다.
도 6b는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 2)이다.
도 6c는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 3)이다.
도 6d는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 4)이다.
도 6e는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 5)이다.
도 6f는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 6)이다.
도 6g는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 7)이다.
도 6h는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 8)이다.
도 6i는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 9)이다.
도 6j는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 10)이다.
도 6k는 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 11)이다.
도 6l은 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 12)이다.
도 7은 변형예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 8은 변형예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 9는 변형예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
2 is a left side view (configuration 1) showing a schematic configuration of a part of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
3 is a left side view (Configuration 2) showing a schematic configuration of a part of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
FIG. 4 is a block diagram of the section IV-IV in FIG. 1.
5 is a flowchart showing substrate processing according to the embodiment.
6A is a diagram showing a transfer path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (transfer path 1).
6B is a view showing a transfer path of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (transfer path 2).
6C is a diagram showing a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (transport path 3).
6D is a diagram showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 4).
6E is a view showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 5).
6F is a diagram showing a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 6).
6G is a diagram showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 7).
6H is a diagram showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 8).
6I is a diagram showing a transport path of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (transport path 9).
6J is a diagram (conveying path 10) showing a conveying path of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment.
6K is a diagram showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (convey path 11).
6L is a diagram showing a transport path of a substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment (transport path 12).
7 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a modification.
8 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a modification.
9 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a modification.

이하, 첨부도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 기재하는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed by the embodiments described below are not limited.

이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 상호 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 도시한다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향이다. In the drawings referred to below, in order to make the description easy to understand, an orthogonal coordinate system is defined in which X-axis directions, Y-axis directions, and Z-axis directions that are orthogonal to each other are defined and the positive Z-axis direction is vertically upward. The X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal.

또한 여기서는, X축 정방향을 전방으로 하고, X축 부방향을 후방으로 하는 전후 방향을 규정하고, Y축 부방향을 좌측으로 하고, Y축 정방향을 우측으로 하는 좌우 방향을 규정한다. 또한, Z축 정방향을 상측으로 하고, Z축 부방향을 하측으로 하는 상하 방향을 규정한다.In addition, here, the front-rear direction in which the positive X-axis direction is forward, the negative X-axis direction is defined in the rear, the left-right direction in which the negative Y-axis direction is left, and the positive Y-axis direction is right. Moreover, the up-down direction which makes the Z-axis positive direction upward and the Z-axis negative direction downward is defined.

<전체 구성> <Overall configuration>

실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 1∼도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도(구성 1)이다. 도 3은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도(구성 2)이다. 도 4는 도 1의 IV-IV 단면에 있어서의 블록도이다. The substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. 2 is a left side view (configuration 1) showing a schematic configuration of a part of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. 3 is a left side view (configuration 2) showing a schematic configuration of a part of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. FIG. 4 is a block diagram of the section IV-IV in FIG. 1.

기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)과, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)과, 제3 처리 라인(5)(현상 처리 라인의 일례)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(DP)(6)(감압 건조부의 일례)과, 제1 열처리 유닛(7)(열처리부의 일례)과, 반송 라인(8)과, 제2열처리 유닛(9)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제3 반송부(10B)를 포함하는 인터페이스 스테이션(10)과, 제1 반송부(11)와, 제2 반송부(12), 제4 반송부(13)와, 제어 장치(14)를 포함한다. The substrate processing apparatus 1 includes a cassette station 2, a first processing line 3 (an example of a pre-processing line), a second processing line 4 (an example of a coating line), and a third processing line ( 5) (an example of a development processing line). Further, the substrate processing apparatus 1 includes a reduced pressure drying unit (DP) 6 (an example of a reduced pressure drying unit), a first heat treatment unit 7 (an example of a thermal processing unit), a transfer line 8, and a second thermal treatment. It includes a unit (9). In addition, the substrate processing apparatus 1 includes an interface station 10 including a third transfer section 10B, a first transfer section 11, a second transfer section 12, and a fourth transfer section 13 And a control device 14.

카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 부른다.)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치할 수 있는 배치대(15)와, 카세트(C)와 제1 처리 라인(3) 사이 및 후술하는 검사 유닛(IP)(65)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(16)를 포함한다. 여기서, 기판(S)은 직사각형이다. 또한, 카세트 스테이션(2)은 외부 장치로서 마련되어도 좋다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 카세트 스테이션(2)을 포함하지 않는 구성이라도 좋다. The cassette station 2 is provided with a cassette C that accommodates a plurality of glass substrates S (hereinafter referred to as "substrate S"). The cassette station 2 includes a placement table 15 on which a plurality of cassettes C can be placed, an inspection unit (IP) 65 between the cassette C and the first processing line 3 and described later. And a conveying device 16 for conveying the substrate S between the cassettes C. Here, the substrate S is rectangular. Further, the cassette station 2 may be provided as an external device. That is, the substrate processing apparatus 1 may be configured not to include the cassette station 2.

반송 장치(16)는 반송 아암(16a)을 포함한다. 반송 아암(16a)은 수평 방향(전후 방향 및 좌우 방향) 및 연직 방향으로의 이동이 가능하다. 또한, 반송 장치(16)는 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. The conveying device 16 includes a conveying arm 16a. The conveying arm 16a can move in the horizontal direction (front-to-back direction and left-right direction) and vertical direction. Further, the conveying device 16 can be pivoted about a vertical axis.

제1 처리 라인(3)은 제2 처리 라인(4)에 반송되는 기판(S)에 전처리를 행한다. 구체적으로는 제1 처리 라인(3)에는, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과 프리히트 유닛(PH)(22)과 어드히젼 유닛(AD)(23)과 제1 냉각 유닛(COL)(24)이 포함된다. 또한, 제1 처리 라인(3)에는 로터리 스테이지(25)가 포함된다. The first processing line 3 preprocesses the substrate S conveyed to the second processing line 4. Specifically, in the first processing line 3, an excimer UV irradiation unit (e-UV) 20, a scrub cleaning unit (SCR) 21, a preheat unit (PH) 22, and an advice unit (AD) ) 23 and a first cooling unit (COL) 24 are included. In addition, the rotary stage 25 is included in the first processing line 3.

제1 처리 라인(3)에서는, 로터리 스테이지(25), 유닛(20∼24)은, 카세트 스테이션(2)에서 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)로 향하는 방향으로 나란하게 배치된다. 구체적으로는 제1 처리 라인(3)에서는, 로터리 스테이지(25), 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 어드히젼 유닛(23) 및 제1 냉각 유닛(24)의 순으로 X축 정방향을 따라 배치된다. 제1 처리 라인(3)은 제3 처리 라인(5)의 상측에 배치된다. 또한, 제1 처리 라인(3)은 제3 처리 라인(5)의 하측에 배치되어도 좋다. In the first processing line 3, the rotary stage 25 and the units 20 to 24 are arranged side by side in the direction from the cassette station 2 to the exposure apparatus 61 of the exposure system 60. Specifically, in the first processing line 3, the rotary stage 25, the excimer UV irradiation unit 20, the scrub cleaning unit 21, the preheat unit 22, the advice unit 23, and the first cooling The units 24 are arranged in the order of the X axis in the forward direction. The first processing line 3 is disposed above the third processing line 5. Further, the first processing line 3 may be disposed below the third processing line 5.

로터리 스테이지(25)는, 엑시머 UV 조사 유닛(20) 이후의 제1 처리 라인(3)에 있어서 기판(S)의 단변(짧은 길이 방향)이 반송 방향(X축 정방향)에 평행하게 되는 상태에서 반송되도록 기판(S)의 방향을 조정한다. 구체적으로는 로터리 스테이지(25)는, 카세트 스테이션(2)으로부터 반송된 기판(S)을 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전시킨다.In the rotary stage 25, in the first processing line 3 after the excimer UV irradiation unit 20, the short side (short length direction) of the substrate S is parallel to the conveying direction (X-axis positive direction). The direction of the substrate S is adjusted to be conveyed. Specifically, the rotary stage 25 rotates the substrate S conveyed from the cassette station 2 in the horizontal direction by 90 degrees or -90 degrees.

이하에서는, 기판(S)의 단변이 기판(S)의 반송 방향에 평행하게 되는 상태에서 반송되는 것을 「단변류 반송」이라고 부른다. 또한, 기판(S)의 장변이 기판(S)의 반송 방향에 평행하게 되는 상태에서 반송되는 것을 「장변류 반송」이라고 부른다. Hereinafter, what is conveyed in the state in which the short side of the board|substrate S becomes parallel to the conveyance direction of the board|substrate S is called "single flow conveyance." In addition, what is conveyed in the state in which the long side of the board|substrate S becomes parallel to the conveyance direction of the board|substrate S is called "long side conveyance."

엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다. The excimer UV irradiation unit 20 irradiates the ultraviolet light against the substrate S from the ultraviolet backlight lamp that emits ultraviolet light to remove organic substances attached to the substrate S.

스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액(예컨대 탈이온수(DIW))을 공급하면서 브러시 등의 세정 부재에 의해서 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한, 스크럽 세정 유닛(21)은 블로워 등에 의해서 세정한 기판(S)을 건조시킨다. The scrub cleaning unit 21 cleans the surface of the substrate S with a cleaning member such as a brush while supplying a cleaning liquid (eg deionized water (DIW)) to the substrate S from which the organic matter has been removed. Further, the scrub cleaning unit 21 dries the substrate S cleaned by a blower or the like.

프리히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해서 건조된 기판(S)을 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다. The preheat unit 22 heats the substrate S dried by the scrub cleaning unit 21 to further dry the substrate S.

어드히젼 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수 처리를 행한다. The adhering unit 23 sprays hexamethyldisilane (HMDS) on the dried substrate S to perform hydrophobic treatment on the substrate S.

제1 냉각 유닛(24)은, 소수 처리가 이루어진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다. 제1 냉각 유닛(24)에 의해서 냉각된 기판(S)은, 제1 냉각 유닛(24)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하여 배치되는 반출부(26)에 반송된다. 또한, 반출부(26)는 제1 냉각 유닛(24)에 포함되어도 좋다.The 1st cooling unit 24 cools the board|substrate S by spraying the cold air to the board|substrate S in which the hydrophobic treatment was performed. The board|substrate S cooled by the 1st cooling unit 24 is conveyed to the carrying-out part 26 arrange|positioned adjacent to the X-axis positive side with respect to the 1st cooling unit 24. Moreover, the carrying-out part 26 may be included in the 1st cooling unit 24.

제1 처리 라인(3)에서는, 기판(S)은 X축 정방향을 따라 평류(平流)로 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 굴림대 반송 기구(17)에 의해서 반송된다. 굴림대 반송 기구(17)는, 복수의 굴림대(17a)를 구동 장치(도시하지 않음)로 회전시킴으로써 기판(S)을 반송한다. 굴림대 반송 기구(17)는, 도 2에 있어서 일부를 기재하고, 다른 것은 생략한다. 평류 반송이란, 기판(S)이 수평으로 유지된 상태 또는 Y축 방향으로 경사진 상태에서, 미리정해진 방향, 예컨대 X축 방향을 따라 반송되는 것이다. 또한, 기판(S)은 컨베어 반송 기구 등에 의해서 평류로 반송되어도 좋다.In the first processing line 3, the substrate S is conveyed in a flat stream along the X-axis positive direction. For example, the board|substrate S is conveyed by the rolling table conveyance mechanism 17. The rolling table conveyance mechanism 17 conveys the substrate S by rotating a plurality of rolling stands 17a with a driving device (not shown). A part of the rolling table conveyance mechanism 17 is described in FIG. 2, and the other is omitted. The flat-plate conveyance is conveyed along a predetermined direction, for example, the X-axis direction, in a state where the substrate S is held horizontally or inclined in the Y-axis direction. Moreover, the board|substrate S may be conveyed by a flat flow by a conveyer conveyance mechanism etc.

제2 처리 라인(4)은, 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포하여, 포토레지스트막을 형성하는 형성 처리를 행한다. 제2 처리 라인(4)은 제1 처리 라인(3)에 대하여 병렬로 배치된다. 구체적으로는, 제2 처리 라인(4)은 제1 처리 라인(3)의 좌측에 배치된다. 즉, 제1 처리 라인(3) 및 제2 처리 라인(4)은 좌우 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 처리 라인(4)에는, 제1 처리 라인(3)의 제1 냉각 유닛(24)에 의해서 냉각된 기판(S)이 제1 반송부(11)에 의해서 반송된다. The second processing line 4 applies a photoresist liquid (an example of the treatment liquid) to the substrate S to perform a formation process to form a photoresist film. The second processing line 4 is arranged parallel to the first processing line 3. Specifically, the second processing line 4 is arranged on the left side of the first processing line 3. That is, the first processing line 3 and the second processing line 4 are arranged side by side in the left-right direction. The substrate S cooled by the first cooling unit 24 of the first processing line 3 is conveyed to the second processing line 4 by the first conveying unit 11.

제2 처리 라인(4)에는 포토레지스트 도포 유닛(CT)(27)이 포함된다. 포토레지스트 도포 유닛(27)은, 기판(S) 상에 포토레지스트액을 도포하여, 기판(S) 상에 포토레지스트막을 형성한다. The second processing line 4 includes a photoresist coating unit (CT) 27. The photoresist coating unit 27 applies a photoresist liquid on the substrate S to form a photoresist film on the substrate S.

제2 처리 라인(4)에서는, 기판(S)은 X축 부방향을 따라 평류로 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 부상식(浮上式)의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해서 반송된다. 부상식의 반송 기구는, 예컨대 좌우 방향의 양끝에서 기판(S)을 하측에서 지지하고, 기판(S)으로 향해서 하측에서 압축 공기를 분무하여 기판(S)을 수평으로 유지하면서 기판(S)을 이동시킨다. In the second processing line 4, the substrate S is conveyed in a flat stream along the negative X-axis direction. For example, the board|substrate S is conveyed by the floating-type conveyance mechanism (not shown). The floating conveyance mechanism, for example, supports the substrate S from both ends in the left and right directions, and sprays compressed air from the bottom toward the substrate S to hold the substrate S horizontally while holding the substrate S horizontally. To move.

또한 제2 처리 라인(4)에서는, 포토레지스트액을 도포하는 부위 부근의 기판(S)의 반송에 부상식의 반송 기구가 이용되고, 그 밖의 부위에서는 기판(S)의 반송에, 예컨대 굴림대 반송 기구(17)가 이용되어도 좋다. 제2 처리 라인(4)에서는 기판(S)은 단변류로 반송된다. 또한, 제2 처리 라인(4)에서는 기판(S)은 배치대에 배치된 상태에서 반송되어, 포토레지스트막이 형성되어도 좋다. Further, in the second processing line 4, a floating conveyance mechanism is used for conveying the substrate S near the portion where the photoresist liquid is applied, and in other parts, for example, a rolling table is used for conveying the substrate S. The transport mechanism 17 may be used. In the second processing line 4, the substrate S is conveyed in a short current. Further, in the second processing line 4, the substrate S may be conveyed while being placed on the placing table, and a photoresist film may be formed.

제1 반송부(11)는 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 배치된다. 제1 반송부(11)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(11A)을 포함한다. 또한 제1 반송부(11)는, 전후 방향을 따른 이동, 상하 방향을 따른 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. The first conveying section 11 is disposed between the first processing line 3 and the second processing line 4. The first conveying section 11 includes a conveying arm (SA) 11A that is stretchable in the horizontal direction. In addition, the first transport unit 11 can move in the front-rear direction, move in the vertical direction, and pivot around the vertical axis.

제1 반송부(11)는, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송 처리(제1 반송 공정의 일례)를 행한다. 또한 제1 반송부(11)는, 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 기판(S)을 반송하는 제2 반송 처리를 행한다. The 1st conveyance part 11 performs 1st conveyance process (an example of 1st conveyance process) which conveys the board|substrate S from the 1st process line 3 to the 2nd process line 4. Moreover, the 1st conveyance part 11 performs the 2nd conveyance process which conveys the board|substrate S from the 2nd processing line 4 to the reduced pressure drying unit 6.

감압 건조 유닛(6)은, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치되며, 제1 반송부(11)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된다. 또한, 감압 건조 유닛(6)의 상측에는, 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(COL)(31)이 배치된다. 감압 건조 유닛(6)에는, 제2 처리 라인(4)에 의해서 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 제1 반송부(11)에 의해서 반송된다. The reduced pressure drying unit 6 is arranged in series with respect to the first conveying section 11, and is disposed adjacent to the X-axis negative direction with respect to the first conveying section 11. Further, a second cooling unit (COL) 31 of the first heat treatment unit 7 is disposed above the reduced pressure drying unit 6. The substrate S on which the photoresist film is formed by the second processing line 4 is transferred to the reduced pressure drying unit 6 by the first transfer unit 11.

감압 건조 유닛(6)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)에 감압 건조 처리를 행한다. 구체적으로는 감압 건조 유닛(6)은, 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다. 또한, 감압 건조 유닛(6)은 상하 방향으로 복수 단 배치되어도 좋다. The reduced pressure drying unit 6 performs a reduced pressure drying treatment on the substrate S on which the photoresist film is formed. Specifically, the reduced pressure drying unit 6 dries the photoresist film formed on the substrate S under a reduced pressure atmosphere. Further, the reduced pressure drying unit 6 may be arranged in a plurality of stages in the vertical direction.

감압 건조 유닛(6)은, 전후 방향의 양끝에 개구부(도시하지 않음)를 갖고 있고, 전방으로부터 제1 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 반입할 수 있다. 또한 감압 건조 유닛(6)은, 후방으로부터 제2 반송부(12)에 의해서 기판(S)을 반출할 수 있다. The pressure-sensitive drying unit 6 has openings (not shown) at both ends in the front-rear direction, and the substrate S can be carried in from the front by the first transfer unit 11. In addition, the reduced pressure drying unit 6 can take out the substrate S from the rear side by the second transfer unit 12.

제1 열처리 유닛(7)에는, 감압 건조 유닛(6)에 의해서 감압 건조 처리가 이루어진 기판(S)이 제2 반송부(12)에 의해서 반송된다. To the first heat treatment unit 7, the substrate S subjected to the vacuum drying process by the vacuum drying unit 6 is conveyed by the second conveying unit 12.

제1 열처리 유닛(7)은, 감압 건조 처리가 이루어진 기판(S)에 제1 열처리를 행한다. 제1 열처리 유닛(7)에는, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(30)(가열부의 일례)과 제2 냉각 유닛(31)(냉각부의 일례)이 포함된다.The 1st heat processing unit 7 performs 1st heat processing on the board|substrate S in which the vacuum drying process was performed. The first heat treatment unit 7 includes a first heating unit (PE/BAKE) 30 (an example of a heating unit) and a second cooling unit 31 (an example of a cooling unit).

제1 가열 유닛(30)은, 제2 처리 라인(4)에 대하여 직렬로 배치되며, 제2 처리 라인(4)보다도 X축 부방향 측에 배치된다. 또한, 제1 가열 유닛(30)의 상측에는 반송 라인(8)의 일부가 배치된다. 제1 가열 유닛(30)은, 포토레지스트액이 도포된 기판(S), 즉 포토레지스트막이 형성되고, 감압 건조된 기판(S)을 가열한다. 제1 가열 유닛(30)은, 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다. 제1 가열 유닛(30)은 플레이트식의 가열 유닛이며, 기판(S)이 플레이트(도시하지 않음)에 배치된 상태에서 플레이트를 가열함으로써 기판(S)을 가열한다. 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열된 기판(S)은, 제2 반송부(12)에 의해서 제2 냉각 유닛(31)에 반송된다. 제1 가열 유닛(30)은 상하 방향으로 복수 단 마련되어도 좋다.The 1st heating unit 30 is arrange|positioned in series with respect to the 2nd processing line 4, and is arrange|positioned in the X-axis negative direction side than the 2nd processing line 4. In addition, a part of the transfer line 8 is disposed above the first heating unit 30. The 1st heating unit 30 heats the board|substrate S to which the photoresist liquid was apply|coated, ie, the photoresist film is formed and dried under reduced pressure. The 1st heating unit 30 heats the board|substrate S, and removes the solvent etc. contained in the photoresist film. The first heating unit 30 is a plate-type heating unit, and heats the substrate S by heating the plate while the substrate S is disposed on the plate (not shown). The substrate S heated by the first heating unit 30 is conveyed to the second cooling unit 31 by the second conveying unit 12. The first heating unit 30 may be provided in a plurality of stages in the vertical direction.

제2 냉각 유닛(31)은 감압 건조 유닛(6)의 상측에 배치된다. 또한, 제2 냉각 유닛(31)은 감압 건조 유닛(6)의 하측에 배치되어도 좋다. 제2 냉각 유닛(31)은 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제2 냉각 유닛(31)은 예컨대 플레이트식의 냉각 유닛이며, 또한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각하여도 좋다. 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 냉각된 기판(S)은 제2 반송부(12)에 의해서 반송 라인(8)에 반송된다. 제2 냉각 유닛(31)은 상하 방향으로 복수 단 마련되어도 좋다. The second cooling unit 31 is disposed above the reduced pressure drying unit 6. Further, the second cooling unit 31 may be disposed under the reduced pressure drying unit 6. The second cooling unit 31 cools the substrate S heated by the first heating unit 30. The 2nd cooling unit 31 is a plate-type cooling unit, for example, and you may cool the board|substrate S by spraying cold air to the board|substrate S. The substrate S cooled by the second cooling unit 31 is conveyed to the conveying line 8 by the second conveying part 12. The second cooling unit 31 may be provided in plural stages in the vertical direction.

제2 반송부(12)는, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치되며, 제1 반송부(11)보다도 X축 부방향 측에 배치된다. 제1 반송부(11)와 제2 반송부(12) 사이에는, 상하 방향으로 적층된 감압 건조 유닛(6) 및 제2 냉각 유닛(31)이 배치된다. The 2nd conveyance part 12 is arrange|positioned in series with respect to the 1st conveyance part 11, and is arrange|positioned in the X-axis negative direction side than the 1st conveyance part 11. Between the first conveying part 11 and the second conveying part 12, the reduced pressure drying unit 6 and the second cooling unit 31 stacked in the vertical direction are arranged.

제2 반송부(12)는, 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 가열 유닛(30)에 기판(S)을 반송하는 제3 반송 처리를 행한다. 또한 제2 반송부(12)는, 제2 냉각 유닛(31)으로부터 반송 라인(8)에 기판(S)을 반송하는 제4 반송 처리(제2 반송 공정의 일례)를 행한다. 또한 제2 반송부(12)는, 제1 열처리 유닛(7)에 있어서 기판(S)의 반송을 행한다. 구체적으로는 제2 반송부(12)는, 제1 가열 유닛(30)으로부터 제2 냉각 유닛(31)에 기판(S)을 반송한다. The 2nd conveyance part 12 performs the 3rd conveyance process which conveys the board|substrate S from the reduced pressure drying unit 6 to the 1st heating unit 30. Moreover, the 2nd conveyance part 12 performs the 4th conveyance process (an example of a 2nd conveyance process) which conveys the board|substrate S from the 2nd cooling unit 31 to the conveyance line 8. Moreover, the 2nd conveyance part 12 conveys the board|substrate S in the 1st heat processing unit 7. Specifically, the second transfer unit 12 transfers the substrate S from the first heating unit 30 to the second cooling unit 31.

반송 라인(8)은 제2 처리 라인(4) 및 제1 가열 유닛(30)의 상측에 배치된다. 반송 라인(8)은 제5 반송 처리(제3 반송 공정의 일례)를 행한다. 반송 라인(8)에서는, 기판(S)은 X축 정방향을 따라 평류로 반송된다. 예컨대 기판(S)은 굴림대 반송 기구(17)에 의해서 반송된다. 반송 라인(8)에서는 기판(S)은 단변류로 반송된다. The conveying line 8 is disposed above the second processing line 4 and the first heating unit 30. The conveyance line 8 performs 5th conveyance process (an example of a 3rd conveyance process). In the conveyance line 8, the board|substrate S is conveyed by a flat flow along the X-axis positive direction. For example, the board|substrate S is conveyed by the rolling table conveyance mechanism 17. In the conveying line 8, the substrate S is conveyed in a short current.

반송 라인(8)에는 타이틀러(TITLER)(63)가 마련된다. 타이틀러(63)는 기판(S)에 관리용 코드를 기록한다.A titler (TITLER) 63 is provided on the transfer line 8. The titler 63 records the management code on the substrate S.

인터페이스 스테이션(10)은, 제1 반송부(11), 제2 처리 라인(4) 및 반송 라인(8)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 구체적으로는 인터페이스 스테이션(10)은, 노광 장치(61)와 제1 반송부(11), 제2 처리 라인(4) 및 반송 라인(8) 사이에 배치된다. 인터페이스 스테이션(10)은 로터리 스테이지(ROT)(10A)와 제3 반송부(10B)를 포함한다.The interface station 10 is disposed so as to be adjacent to the X-axis forward side with respect to the first transfer section 11, the second processing line 4, and the transfer line 8. Specifically, the interface station 10 is disposed between the exposure apparatus 61 and the first transfer section 11, the second processing line 4 and the transfer line 8. The interface station 10 includes a rotary stage (ROT) 10A and a third transfer unit 10B.

로터리 스테이지(10A)는, 반송 라인(8)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 로터리 스테이지(10A)에는, 제1 열처리 유닛(7)에 의해서 제1 열처리가 이루어진 기판(S)이 반송 라인(8)에 의해서 반송된다.The rotary stage 10A is disposed so as to be adjacent to the X-axis forward side with respect to the conveyance line 8. The substrate S on which the first heat treatment is performed by the first heat treatment unit 7 is transferred to the rotary stage 10A by the transfer line 8.

로터리 스테이지(10A)는 기판(S)을 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전시킨다. 또한, 로터리 스테이지(10A)는 기판(S)의 온도를 조정하는 온도 조절 장치를 두어도 좋다. The rotary stage 10A rotates the substrate S 90 degrees or -90 degrees in the horizontal direction. In addition, the rotary stage 10A may have a temperature control device that adjusts the temperature of the substrate S.

제3 반송부(10B)는 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치된다. 구체적으로는, 제3 반송부(10B)는 제1 반송부(11)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하여 배치된다. 제3 반송부(10B)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(10C)을 포함한다. 또한, 제3 반송부(10B)는 상하 방향을 따른 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. The third conveying part 10B is arranged in series with respect to the first conveying part 11. Specifically, the third transfer section 10B is disposed adjacent to the X-axis forward side with respect to the first transfer section 11. The third transfer section 10B includes a transfer arm (SA) 10C that is stretchable in the horizontal direction. In addition, the third transfer unit 10B can move along the vertical direction and pivot around the vertical axis.

제3 반송부(10B)는 제6 반송 처리(제4 반송 공정의 일례)를 행한다. 구체적으로는, 제3 반송부(10B)는 로터리 스테이지(10A)로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제3 반송부(10B)는 노광 장치(61)로부터 노광 시스템(60)의 주변 노광 장치(EE)(62)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 주변 노광 장치(62)에 반송된 기판(S)은 주변 노광 장치(62)로부터 제3 처리 라인(5)에 반송된다. 즉, 제3 반송부(10B)는 주변 노광 장치(62)를 통해 기판(S)을 제3 처리 라인(5)에 반송한다. The 3rd conveyance part 10B performs 6th conveyance process (an example of a 4th conveyance process). Specifically, the third transfer section 10B transfers the substrate S from the rotary stage 10A to the exposure apparatus 61 of the exposure system 60. Moreover, the 3rd conveying part 10B conveys the board|substrate S from the exposure apparatus 61 to the peripheral exposure apparatus (EE) 62 of the exposure system 60. Further, the substrate S conveyed to the peripheral exposure apparatus 62 is conveyed from the peripheral exposure apparatus 62 to the third processing line 5. That is, the third transfer unit 10B transfers the substrate S to the third processing line 5 through the peripheral exposure apparatus 62.

또한 인터페이스 스테이션(10)은, 노광 장치(61)에 의해서 노광된 기판(S)을 일시적으로 배치하는 버퍼부(도시하지 않음)를 포함하여도 좋다. 버퍼부는 예컨대 주변 노광 장치(62)의 상측에 배치된다. 이에 따라, 예컨대 제3 처리 라인(5)에 있어서 처리에 지연이 생긴 경우에, 기판 처리 장치(1)는, 노광이 종료된 기판(S)을 버퍼부에 일시적으로 배치하여, 기판(S)에 대한 처리, 형성 처리나 제1 열처리 등을 계속하여 행할 수 있다. In addition, the interface station 10 may include a buffer unit (not shown) for temporarily disposing the substrate S exposed by the exposure apparatus 61. The buffer portion is disposed on the upper side of the peripheral exposure apparatus 62, for example. Accordingly, for example, in the case where a delay occurs in processing in the third processing line 5, the substrate processing apparatus 1 temporarily places the substrate S on which the exposure has ended, in the buffer portion, and then the substrate S Treatment, forming treatment, first heat treatment, and the like can be continuously performed.

노광 시스템(60)은 노광 장치(61)와 주변 노광 장치(62)(외부 장치의 일례)를 포함한다. The exposure system 60 includes an exposure device 61 and a peripheral exposure device 62 (an example of an external device).

노광 장치(61)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다. The exposure apparatus 61 exposes the photoresist film using a photomask having a pattern corresponding to the circuit pattern.

주변 노광 장치(62)는, 제3 처리 라인(5)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 주변 노광 장치(62)는 기판(S)의 외주부의 포토레지스트막을 제거한다. The peripheral exposure apparatus 62 is disposed adjacent to the X-axis positive side with respect to the third processing line 5. The peripheral exposure apparatus 62 removes the photoresist film on the outer periphery of the substrate S.

제3 처리 라인(5)은 노광 시스템(60)에 의해서 노광된 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 제3 처리 라인(5)은 주변 노광 장치(62)로부터 반송되는 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 바꿔 말하면, 제3 처리 라인(5)은, 주변 노광 장치(62)를 통해 제3 반송부(10B)에 의해서 반송된 기판(S)에 현상 처리를 행한다.The third processing line 5 performs development processing on the substrate S exposed by the exposure system 60. The third processing line 5 performs development processing on the substrate S conveyed from the peripheral exposure apparatus 62. In other words, the third processing line 5 develops the substrate S conveyed by the third conveying unit 10B through the peripheral exposure apparatus 62.

제3 처리 라인(5)은 제1 처리 라인(3)의 하측에 배치된다. 제3 처리 라인(5)은 주변 노광 장치(62)보다도 X축 부방향 측에 배치된다. 또한, 제3 처리 라인(5) 및 주변 노광 장치(62)는 제1 처리 라인(3)의 상측에 배치되어도 좋다. The third processing line 5 is disposed below the first processing line 3. The 3rd processing line 5 is arrange|positioned in the X-axis negative direction side than the peripheral exposure apparatus 62. In addition, the third processing line 5 and the peripheral exposure apparatus 62 may be disposed above the first processing line 3.

제3 처리 라인(5)에서는, 기판(S)은 X축 부방향을 따라 평류로 반송된다. 제3 처리 라인(5)에서는 기판(S)은 장변 평류로 반송된다. 예컨대 기판(S)은 굴림대 반송 기구(17)에 의해서 반송된다. In the third processing line 5, the substrate S is conveyed in a flat stream along the negative X-axis direction. In the third processing line 5, the substrate S is conveyed in a long side flat stream. For example, the board|substrate S is conveyed by the rolling table conveyance mechanism 17.

제3 처리 라인(5)에는, 현상 유닛(DEV)(40)과 세정 유닛(RIN)(41)과 건조 유닛(DRY)(42)이 포함된다. 제3 처리 라인(5)에서는, 유닛(40∼42)은 현상 유닛(40), 세정 유닛(41) 및 건조 유닛(42)의 순으로 X축 부방향을 따라 배치된다. The third processing line 5 includes a developing unit (DEV) 40, a cleaning unit (RIN) 41 and a drying unit (DRY) 42. In the third processing line 5, the units 40 to 42 are arranged along the negative X-axis in the order of the developing unit 40, the cleaning unit 41 and the drying unit 42.

현상 유닛(40)은, 주변 노광 장치(62)로부터 반송된 기판(S)에 대하여, 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 세정 유닛(41)은, 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 세정액(예컨대 탈이온수(DIW))에 의해 씻어 버린다. 건조 유닛(42)은 세정액에 의해서 씻어 버린 기판(S) 상의 세정액을 건조시킨다. 건조 유닛(42)에 의해서 건조된 기판(S)은, 건조 유닛(42)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된 반출부(43)에 반송된다. 또한, 반출부(43)는 건조 유닛(42)에 포함되어도 좋다.The developing unit 40 develops the exposed photoresist film with a developer on the substrate S conveyed from the peripheral exposure apparatus 62. The cleaning unit 41 washes the developing solution on the substrate S on which the photoresist film has been developed with a cleaning solution (for example, deionized water (DIW)). The drying unit 42 dries the cleaning solution on the substrate S washed with the cleaning solution. The board|substrate S dried by the drying unit 42 is conveyed to the carrying-out part 43 arrange|positioned adjacent to the X-axis negative side with respect to the drying unit 42. Moreover, the carrying-out part 43 may be included in the drying unit 42.

기판 처리 장치(1)에서는, 제3 처리 라인(5)은 제1 처리 라인(3)의 하측에 배치되어 있다. 그 때문에, 세정 유닛(41)에 공급되는 세정액과, 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)에 공급되는 세정액을 공통의 세정액 탱크(도시하지 않음)로부터 공급할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 세정 유닛(41) 및 스크럽 세정 유닛(21)과 세정액 탱크를 접속하는 배관(도시하지 않음)을 짧게 할 수 있다.In the substrate processing apparatus 1, the third processing line 5 is disposed below the first processing line 3. Therefore, the cleaning liquid supplied to the cleaning unit 41 and the cleaning liquid supplied to the scrub cleaning unit 21 of the first processing line 3 can be supplied from a common cleaning liquid tank (not shown). In addition, the substrate processing apparatus 1 can shorten the piping (not shown) connecting the cleaning unit 41 and the scrub cleaning unit 21 to the cleaning liquid tank.

제3 처리 라인(5)에 의해서 현상 처리가 이루어진 기판(S)은, 제4 반송부(13)에 의해서 반출부(43)로부터 제2 열처리 유닛(9)에 반송된다. The substrate S, which has been developed by the third processing line 5, is conveyed from the carrying out portion 43 to the second heat treatment unit 9 by the fourth conveying portion 13.

제2 열처리 유닛(9)은 현상 처리가 이루어진 기판(S)에 제2 열처리를 행한다. 제2 열처리 유닛(9)은 제2 가열 유닛(PO/BAKE)(50)(현상 가열부의 일례)과 제3 냉각 유닛(COL)(51)을 포함한다. The second heat treatment unit 9 performs a second heat treatment on the substrate S on which the development treatment has been performed. The second heat treatment unit 9 includes a second heating unit (PO/BAKE) 50 (an example of a developing heating unit) and a third cooling unit (COL) 51.

제2 가열 유닛(50)은 현상 처리가 이루어진 기판(S)을 가열한다. 제2 가열 유닛(50)은 제4 반송부(13)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하도록 배치된다. 구체적으로는, 제2 가열 유닛(50)은 제4 반송부(13)와 카세트 스테이션(2) 사이에 배치된다. 제2 가열 유닛(50)은 예컨대 상하 방향으로 복수 단 배치된다.The second heating unit 50 heats the substrate S on which development processing has been performed. The 2nd heating unit 50 is arrange|positioned so that it may adjoin the X-axis negative side with respect to the 4th conveyance part 13. Specifically, the second heating unit 50 is disposed between the fourth transfer unit 13 and the cassette station 2. The second heating unit 50 is arranged in a plurality of stages in the vertical direction, for example.

제2 가열 유닛(50)에는, 제3 처리 라인(5)에 의해서 현상 처리가 이루어진 기판(S)이 제4 반송부(13)에 의해서 반송된다. 제2 가열 유닛(50)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 남는 용제 및 린스액을 제거한다. 제2 가열 유닛(50)은, 제1 가열 유닛(30)과 마찬가지로 플레이트식의 가열 유닛이다.To the second heating unit 50, the substrate S subjected to the development processing by the third processing line 5 is conveyed by the fourth conveying unit 13. The second heating unit 50 heats the substrate S on which the rinse liquid has been dried to remove the solvent and rinse liquid remaining in the photoresist film. The second heating unit 50 is a plate-type heating unit similar to the first heating unit 30.

제3 냉각 유닛(51)은, 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)의 상측에 배치되며, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제3 냉각 유닛(51)에는, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 용제 및 린스액이 제거된 기판(S)이, 제4 반송부(13)에 의해서 반송된다. 제3 냉각 유닛(51)에 의해서 냉각된 기판(S)은 제4 반송부(13)에 의해서 검사 유닛(65)에 반송된다. 또한, 제3 냉각 유닛(51)은 복수개 마련되어도 좋다. 제3 냉각 유닛(51)은 검사 유닛(65)의 상측에 배치되어도 좋다.The 3rd cooling unit 51 is arrange|positioned above the carrying part 43 of the 3rd processing line 5, and cools the board|substrate S heated by the 2nd heating unit 50. The substrate S from which the solvent and the rinse liquid are removed by the second heating unit 50 is transferred to the third cooling unit 51 by the fourth transfer unit 13. The substrate S cooled by the third cooling unit 51 is transferred to the inspection unit 65 by the fourth transfer unit 13. Further, a plurality of third cooling units 51 may be provided. The third cooling unit 51 may be disposed above the inspection unit 65.

제4 반송부(13)는 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치된다. 제4 반송부(13)는 제2 반송부(12)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된다. 제4 반송부(13)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(13A)을 포함한다. 또한, 제4 반송부(13)는 상하 방향을 따른 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.The fourth conveying portion 13 is arranged in series with respect to the first conveying portion 11. The 4th transfer part 13 is arrange|positioned adjacent to the X-axis negative direction side with respect to the 2nd transfer part 12. The fourth conveying portion 13 includes a conveying arm (SA) 13A that is stretchable in the horizontal direction. In addition, the fourth conveying unit 13 can be moved along the vertical direction and pivoted around a vertical axis.

제4 반송부(13)는, 제3 처리 라인(5)으로부터 제2 가열 유닛(50)에 기판(S)을 반송하는 제7 반송 처리(제5 반송 공정의 일례)를 행한다. 또한 제4 반송부(13)는, 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(65)에 기판(S)을 반송하는 제8 반송 처리를 행한다. 또한 제4 반송부(13)는, 제2 열처리 유닛(9)에 있어서 기판(S)의 반송을 행한다. 구체적으로는, 제4 반송부(13)는 제2 가열 유닛(50)으로부터 제3 냉각 유닛(51)에 기판(S)을 반송한다. The 4th conveying part 13 performs the 7th conveying process (an example of a 5th conveying process) which conveys the board|substrate S from the 3rd processing line 5 to the 2nd heating unit 50. As shown in FIG. Moreover, the 4th conveyance part 13 performs 8th conveyance process which conveys the board|substrate S from the 3rd cooling unit 51 to the inspection unit 65. Moreover, the 4th conveying part 13 conveys the board|substrate S in the 2nd heat processing unit 9. Specifically, the fourth transfer unit 13 transfers the substrate S from the second heating unit 50 to the third cooling unit 51.

검사 유닛(65)은, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다. 검사 유닛(65)에 의해서 검사가 이루어진 기판(S)은 카세트 스테이션(2)에 반송된다. The inspection unit 65 performs inspection such as measurement of the limit dimension (CD) of the photoresist pattern (line). The substrate S that has been inspected by the inspection unit 65 is conveyed to the cassette station 2.

기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송부(11), 제2 반송부(12), 제3 반송부(10B), 제4 반송부(13)는 X축 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로는 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송부(11), 제2 반송부(12), 제3 반송부(10B) 및 제4 반송부(13)는 X축 정방향을 따라, 제4 반송부(13), 제2 반송부(12), 제1 반송부(11) 및 제3 반송부(10B)의 순으로 나란하게 배치된다. In the substrate processing apparatus 1, the 1st conveyance part 11, the 2nd conveyance part 12, the 3rd conveyance part 10B, and the 4th conveyance part 13 are arrange|positioned side by side along the X-axis direction. Specifically, in the substrate processing apparatus 1, the first conveyance section 11, the second conveyance section 12, the third conveyance section 10B, and the fourth conveyance section 13 are arranged along the X-axis positive direction. 4 are arranged side by side in the order of the conveying section 13, the second conveying section 12, the first conveying section 11 and the third conveying section 10B.

제어 장치(14)는 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(14A)와 기억부(14B)를 포함한다. 기억부(14B)는 예컨대 RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는 하드디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다. The control device 14 is, for example, a computer, and includes a control unit 14A and a storage unit 14B. The storage unit 14B is realized by, for example, semiconductor memory elements such as random access memory (RAM) and flash memory, or storage devices such as hard disks and optical disks.

제어부(14A)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 독출하여 실행함으로써, 카세트 스테이션(2)이나 각 처리 라인(3∼5) 등의 제어를 실현한다. The control unit 14A includes a microcomputer or various circuits including a central processing unit (CPU), read only memory (ROM), RAM, and input/output ports. The CPU of the microcomputer reads and executes a program stored in the ROM, thereby realizing control of the cassette station 2, each processing line 3 to 5, and the like.

또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(14)의 기억부(14B)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Further, the program may be recorded in a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium into the storage unit 14B of the control device 14. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

<기판 처리><Substrate treatment>

이어서, 실시형태에 따른 기판 처리에 관해서 도 5 및 도 6a∼도 6l을 참조하여 설명한다. 도 5는 실시형태에 따른 기판 처리를 도시하는 흐름도이다. 도 6a∼도 6l은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1∼반송 경로 12)이다. 또한, 도 6a∼도 6l은 설명을 위해서 제1 처리 라인(3)과 제3 처리 라인(5)을 나란하게 기재하고 있다. Next, the substrate processing according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 6L. 5 is a flowchart showing substrate processing according to the embodiment. 6A to 6L are views showing a transport path of the substrate S in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment (transport path 1 to transport path 12). 6A to 6L, the first processing line 3 and the third processing line 5 are described side by side for explanation.

기판 처리 장치(1)는 전처리를 행한다(S10). 기판 처리 장치(1)는, 도 6a에 도시하는 것과 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 제1 처리 라인(3)에 기판(S)을 반송하고, 기판(S)을 평류로 반송하면서 기판(S)에 전처리를 행한다. The substrate processing apparatus 1 pre-processes (S10). The substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S from the cassette station 2 to the first processing line 3, as shown in FIG. 6A, and conveys the substrate S in a flat flow while carrying the substrate S ) Is pre-processed.

기판 처리 장치(1)는 제1 반송 처리를 행한다(S11). 기판 처리 장치(1)는, 도 6b에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a first conveying process (S11). The substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S from the first processing line 3 to the second processing line 4 by the first transport unit 11, as shown in FIG. 6B.

기판 처리 장치(1)는 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S12). 기판 처리 장치(1)는, 도 6b에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 평류로 반송하면서, 포토레지스트 도포 유닛(27)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하여, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다. The substrate processing apparatus 1 performs a photoresist film formation process (S12). As shown in FIG. 6B, the substrate processing apparatus 1 applies a photoresist liquid to the substrate S by the photoresist coating unit 27 while conveying the substrate S in a flat stream, thereby applying the substrate S ) To form a photoresist film.

기판 처리 장치(1)는 제2 반송 처리를 행한다(S13). 기판 처리 장치(1)는, 도 6c에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a second conveying process (S13). The substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S from the second processing line 4 to the reduced pressure drying unit 6 by the first conveying unit 11, as shown in FIG. 6C.

기판 처리 장치(1)는 감압 건조 처리를 행한다(S14). 기판 처리 장치(1)는 감압 건조 유닛(6)에 의해서 기판(S)을 감압 건조시킨다.The substrate processing apparatus 1 performs a vacuum drying process (S14). The substrate processing apparatus 1 is dried under reduced pressure by the reduced pressure drying unit 6.

기판 처리 장치(1)는 제3 반송 처리를 행한다(S15). 기판 처리 장치(1)는, 도 6d에 도시하는 것과 같이, 제2 반송부(12)에 의해서 기판(S)을 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 열처리 유닛(7)의 제1 가열 유닛(30)에 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a third conveying process (S15). The substrate processing apparatus 1, as shown in Fig. 6D, is the first heating unit (1) of the first heat treatment unit (7) from the reduced pressure drying unit (6) to the substrate (S) by the second transfer unit (12). 30).

기판 처리 장치(1)는 제1 열처리를 행한다(S16). 기판 처리 장치(1)는 제1 가열 유닛(30)에 의해서 기판(S)을 가열한다. The substrate processing apparatus 1 performs a first heat treatment (S16). The substrate processing apparatus 1 heats the substrate S by the first heating unit 30.

또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열한 기판(S)을, 도 6e에 도시하는 것과 같이, 제2 반송부(12)에 의해서 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 기판(S)을 냉각한다. Moreover, the substrate processing apparatus 1 is the 2nd cooling unit 31 by the 2nd conveying part 12, as shown in FIG. 6E, the board|substrate S heated by the 1st heating unit 30. As shown in FIG. Bounce on. Then, the substrate processing apparatus 1 cools the substrate S by the second cooling unit 31.

기판 처리 장치(1)는 제4 반송 처리를 행한다(S17). 기판 처리 장치(1)는, 도 6f에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 제2 반송부(12)에 의해서 제2 냉각 유닛(31)으로부터 반송 라인(8)에 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a fourth conveying process (S17). The substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S from the 2nd cooling unit 31 to the conveyance line 8 by the 2nd conveyance part 12, as shown in FIG. 6F.

기판 처리 장치(1)는 제5 반송 처리를 행한다(S18). 기판 처리 장치(1)는, 도 6g에 도시하는 것과 같이, 반송 라인(8)에 의해서 기판(S)을 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a fifth conveying process (S18). The board|substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S by the conveyance line 8, as shown in FIG. 6G.

기판 처리 장치(1)는 제6 반송 처리를 행한다(S19). 기판 처리 장치(1)는, 도 6h에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 반송 라인(8)으로부터 인터페이스 스테이션(10)의 로터리 스테이지(10A)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 로터리 스테이지(10A)에 의해서 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전한 기판(S)을 제3 반송부(10B)에 의해서 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제3 반송부(10B)에 의해서 노광 장치(61)로부터 주변 노광 장치(62)에 반송한다.The substrate processing apparatus 1 performs a sixth conveying process (S19). The board|substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S from the conveyance line 8 to the rotary stage 10A of the interface station 10, as shown in FIG. 6H. And the substrate processing apparatus 1 is the exposure apparatus 60 of the exposure system 60 by the 3rd conveying part 10B, the board|substrate S rotated 90 degrees or -90 degrees in the horizontal direction by the rotary stage 10A. (61). Moreover, the substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S from the exposure apparatus 61 to the peripheral exposure apparatus 62 by the 3rd transfer part 10B.

기판 처리 장치(1)는 현상 처리를 행한다(S20). 기판 처리 장치(1)는, 도 6i에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 주변 노광 장치(62)로부터 제3 처리 라인(5)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 평류로 반송하면서 현상 유닛(40)에 의해서 기판(S)을 현상한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 현상한 기판(S)을 세정 유닛(41)에 의해서 씻어 버리고, 건조 유닛(42)에 의해서 건조시킨다. The substrate processing apparatus 1 performs development processing (S20). The substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S from the peripheral exposure apparatus 62 to the third processing line 5, as shown in Fig. 6I. And the board|substrate processing apparatus 1 develops the board|substrate S by the developing unit 40, conveying the board|substrate S in a flat flow. Moreover, the substrate processing apparatus 1 washes the developed board|substrate S with the washing unit 41, and dries it with the drying unit 42.

기판 처리 장치(1)는 제7 반송 처리를 행한다(S21). 기판 처리 장치(1)는, 도 6j에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 제4 반송부(13)에 의해서 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)로부터 제2 열처리 유닛(9)의 제2 가열 유닛(50)에 반송한다. The substrate processing apparatus 1 performs a seventh conveying process (S21). The substrate processing apparatus 1, as shown in Fig. 6J, is the second heat treatment unit 9 from the carrying out portion 43 of the third processing line 5 by the fourth transfer unit 13, the substrate S 9 ) To the second heating unit 50.

기판 처리 장치(1)는 제2 열처리를 행한다(S22). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 도 6k에 도시하는 것과 같이, 가열한 기판(S)을 제4 반송부(13)에 의해서 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)의 상측에 배치된 제3 냉각 유닛(51)에 반송하여, 기판(S)을 냉각한다. The substrate processing apparatus 1 performs a second heat treatment (S22). Specifically, the substrate processing apparatus 1 heats the substrate S by the second heating unit 50. And the substrate processing apparatus 1, as shown in FIG. 6K, heats the board|substrate S to the upper side of the carrying out part 43 of the 3rd processing line 5 by the 4th transfer part 13. It conveys to the 3rd cooling unit 51 arrange|positioned, and cools the board|substrate S.

기판 처리 장치(1)는 제8 반송 처리를 행한다(S23). 기판 처리 장치(1)는, 도 6l에 도시하는 것과 같이, 제4 반송부(13)에 의해서 기판(S)을 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(65)에 반송한다. 검사가 종료된 기판(S)은 카세트 스테이션(2)에 반송된다. The substrate processing apparatus 1 performs an eighth conveying process (S23). The substrate processing apparatus 1 transfers the substrate S from the third cooling unit 51 to the inspection unit 65 by the fourth transfer unit 13, as shown in FIG. 6L. The board|substrate S at which inspection was completed is conveyed to the cassette station 2.

<효과> <effect>

기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)과, 제1 처리 라인(3)에 대하여 병렬로 배치되며, 전처리가 이루어진 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하는 제2 처리 라인(4)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)의 상측에 배치되며, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 반송하는 반송 라인(8)과, 제1 처리 라인(3)의 하측에 배치되며, 기판(S)에 현상 처리를 행하는 제3 처리 라인(5)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 마련되며, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송부(11)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치되며, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 반송 라인(8)에 반송하는 제2 반송부(12)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치되며, 반송 라인(8)으로부터 주변 노광 장치(62)를 통해 제3 처리 라인(5)에 기판(S)을 반송하는 제3 반송부(10B)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치되며, 제3 처리 라인(5)으로부터 현상 처리가 이루어진 기판(S)을 반송하는 제4 반송부(13)를 포함한다. The substrate processing apparatus 1 is disposed in parallel with the first processing line 3 for pre-processing the substrate S and the first processing line 3, and the photoresist liquid is applied to the substrate S on which the pre-treatment has been performed. It includes a second processing line (4) for applying. Further, the substrate processing apparatus 1 is disposed on the upper side of the second processing line 4, and the transfer line 8 for conveying the substrate S coated with the photoresist liquid and the first processing line 3 It is arranged on the lower side, and includes a third processing line 5 for developing processing on the substrate S. Further, the substrate processing apparatus 1 is provided between the first processing line 3 and the second processing line 4, and the substrate S is transferred from the first processing line 3 to the second processing line 4. It includes the 1st conveyance part 11 conveyed. In addition, the substrate processing apparatus 1 is arranged in series with respect to the first conveying section 11, and the second conveying section 12 for conveying the substrate S coated with the photoresist liquid to the conveying line 8 is provided. Includes. In addition, the substrate processing apparatus 1 is arranged in series with respect to the first transfer section 11, and the substrate S is transferred from the transfer line 8 to the third processing line 5 through the peripheral exposure apparatus 62. It includes the 3rd conveying part 10B conveyed. In addition, the substrate processing apparatus 1 is arranged in series with respect to the first transport section 11, and a fourth transport section 13 for transporting the substrate S subjected to development processing from the third processing line 5 is provided. Includes.

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)과, 포토레지스트막을 형성하는 제2 처리 라인(4)을 좌우 방향으로 나란하게 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, X축 방향(전후 방향)의 길이, 즉, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.Thereby, the substrate processing apparatus 1 can arrange the 1st processing line 3 which pre-processes, and the 2nd processing line 4 which forms a photoresist film side by side in the left-right direction. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length of the X-axis direction (front-to-back direction), ie, the total length of the substrate processing apparatus 1.

또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제3 처리 라인(5)을 상하 방향으로 적층하여 배치함으로써, Y축 방향(좌우 방향)의 길이가 길어지는 것을 억제할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)과 제3 처리 라인(5)의 세정 유닛(41)에 동일한 세정액 탱크로부터 세정액을 공급할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 각 세정 유닛(21, 41)과 세정액 탱크를 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 공통의 세정액 탱크를 사용하면서, 세정액 탱크와 각 세정 유닛(21, 41)을 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 장치 전체를 소형화함과 더불어 비용을 절감할 수 있다. Moreover, the substrate processing apparatus 1 can suppress that the length of a Y-axis direction (left-right direction) becomes long by arrange|positioning the 1st processing line 3 and the 3rd processing line 5 in the vertical direction. . In addition, the substrate processing apparatus 1 can supply cleaning liquid from the same cleaning liquid tank to the scrub cleaning unit 21 of the first processing line 3 and the cleaning unit 41 of the third processing line 5, for example. In addition, the substrate processing apparatus 1 can shorten the piping connecting each of the cleaning units 21 and 41 and the cleaning liquid tank. That is, the substrate processing apparatus 1 can shorten the piping connecting the cleaning liquid tank and each of the cleaning units 21 and 41 while using a common cleaning liquid tank. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can reduce the size of the entire apparatus and reduce costs.

또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)를 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 배치하며, 또한 제2 반송부(12), 제3 반송부(10B) 및 제4 반송부(13)를 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치한다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는 제4 반송부(13), 제2 반송부(12), 제1 반송부(11) 및 제3 반송부(10B)를 X축 방향을 따라 배치한다. Moreover, the substrate processing apparatus 1 arrange|positions the 1st conveyance part 11 between the 1st processing line 3 and the 2nd processing line 4, and also the 2nd conveyance part 12 and the 3rd conveyance part 10B and the 4th conveying part 13 are arrange|positioned with respect to the 1st conveying part 11 in series. Specifically, the substrate processing apparatus 1 arranges the fourth conveying section 13, the second conveying section 12, the first conveying section 11 and the third conveying section 10B along the X-axis direction. .

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)이나 제3 처리 라인(5)에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length of the X-axis direction in the 1st processing line 3 or the 3rd processing line 5, and shortens the whole length of the substrate processing apparatus 1 It can be shortened.

또한 기판 처리 장치(1)는, 반송 라인(8)에 의해서 기판(S)을 로터리 스테이지(10A)에 반송할 수 있어, 제1 반송부(11) 및 제2 반송부(12)에 의한 반송 공정수를 적게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 반송부(11)에 의한 기판 반송의 대기 시간을 짧게 하여, 장치 전체에 있어서의 기판(S)의 처리 시간을 짧게 할 수 있다. Moreover, the substrate processing apparatus 1 can convey the board|substrate S to the rotary stage 10A by the conveyance line 8, and is conveyed by the 1st conveyance part 11 and the 2nd conveyance part 12 The number of steps can be reduced. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can shorten the waiting time of substrate conveyance by the 1st conveyance part 11, for example, and can shorten the processing time of the board|substrate S in the whole apparatus.

기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)와 제2 반송부(12) 사이에 감압 건조 유닛(6)을 배치하고, 반송 라인(8)의 하측에 제1 가열 유닛(30)을 배치한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 제1 반송부(11)에 의해서 감압 건조 유닛(6)에 반송한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 처리가 이루어진 기판(S)을 제2 반송부(12)에 의해서 제1 가열 유닛(30)에 반송한다. 즉, 제1 반송부(11)는 제1 가열 유닛(30)에 삽입되지 않는다. The substrate processing apparatus 1 arranges the reduced pressure drying unit 6 between the 1st conveying part 11 and the 2nd conveying part 12, and the 1st heating unit 30 in the lower side of the conveying line 8 Is placed. Moreover, the substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S to which the photoresist liquid was apply|coated to the vacuum drying unit 6 by the 1st conveying part 11. Moreover, the substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S to which the pressure-sensitive drying process was performed by the 2nd conveying part 12 to the 1st heating unit 30. That is, the first conveying unit 11 is not inserted into the first heating unit 30.

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(11)가 가열되는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 반송하는 경우에, 제1 반송부(11)로부터 기판(S)에 열이 전해지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)에 반송되는 기판(S)의 온도가 높아지는 것을 억제하여, 기판(S)에 포토레지스트액의 도포 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)로부터 기판(S)에 열이 전해지는 것을 억제하는 열전사 대책을 실시하지 않고서, 기판(S)을 제1 반송부(11)에 의해서 반송할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는 비용을 절감할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(11)에 의한 반송 공정수를 적게 할 수 있다. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can prevent the 1st conveyance part 11 from being heated. Therefore, when the board|substrate S is conveyed by the 1st conveyance part 11, the board|substrate processing apparatus 1 suppresses heat transfer from the 1st conveyance part 11 to the board|substrate S. Can. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can suppress the temperature of the substrate S conveyed to the 2nd processing line 4 from rising, and can suppress generation|occurrence|production of the coating stain of the photoresist liquid on the substrate S. . Moreover, the substrate processing apparatus 1 does not implement the heat transfer countermeasure that suppresses heat transfer from the first transfer section 11 to the substrate S, and the substrate S is transferred to the first transfer section 11. Can be transported. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can reduce cost. Moreover, the substrate processing apparatus 1 can reduce the number of conveying processes by the 1st conveying part 11.

또한 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(6)의 상측에 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)을 배치한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제2 반송부(12)에 의해서, 제1 가열 유닛(30)으로부터 제2 냉각 유닛(31)에 기판(S)을 반송하며 또한 제2 냉각 유닛(31)으로부터 반송 라인(8)에 기판(S)을 반송한다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 arrange|positions the 2nd cooling unit 31 of the 1st heat processing unit 7 on the upper side of the reduced pressure drying unit 6. Further, the substrate processing apparatus 1 conveys the substrate S from the first heating unit 30 to the second cooling unit 31 by the second conveying unit 12 and further includes the second cooling unit 31 The substrate S is transferred from the to the transfer line 8.

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(11)에 의한 반송 공정수를 적게 할 수 있다. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can reduce the number of conveying processes by the 1st conveying part 11.

또한, 기판 처리 장치(1)에서는 반송 라인(8)에 타이틀러(63)가 마련된다. Further, in the substrate processing apparatus 1, a titler 63 is provided on the transfer line 8.

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제3 처리 라인(5)에 있어서, 예컨대 현상 처리 유닛(40)의 X축 방향의 길이를 길게 할 수 있다. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 can increase the length of the developing processing unit 40 in the X-axis direction, for example, in the third processing line 5.

또한 기판 처리 장치(1)는, 제2 열처리 유닛(9)의 제2 가열 유닛(50)을, 제1 반송부(11)에 대하여 직렬로 배치한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제3 반송부(10B)에 의해서 제3 처리 라인(5)으로부터 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 반송한다. Moreover, the substrate processing apparatus 1 arranges the 2nd heating unit 50 of the 2nd heat processing unit 9 in series with respect to the 1st conveyance part 11. And the substrate processing apparatus 1 conveys the board|substrate S from the 3rd processing line 5 to the 2nd heating unit 50 by the 3rd conveyance part 10B.

이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)이나 제3 처리 라인(5)에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can shorten the length of the X-axis direction in the 1st processing line 3 or the 3rd processing line 5, and shortens the whole length of the substrate processing apparatus 1 It can be shortened.

(변형예)(Modified example)

이어서, 본 실시형태의 변형예에 관해서 설명한다. Next, a modified example of the present embodiment will be described.

변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 타이틀러(63)가 반송 라인(8)에 마련되어 있지 않다. 이 경우, 타이틀러(63)는, 도 7에 도시하는 것과 같이, 예컨대 주변 노광 장치(62)와 함께 노광 시스템(60)에 마련된다. 도 7은 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. In the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the titler 63 is not provided on the transport line 8. In this case, the titler 63 is provided in the exposure system 60 together with the peripheral exposure apparatus 62, for example, as shown in FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a modification.

또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도 8에 도시하는 것과 같이, 제1 처리 라인(3)에 있어서 로터리 스테이지(25)(도 1 참조)를 두고 있지 않다. 도 8은 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 처리 라인(3) 및 제2 처리 라인(4)에 있어서, 기판(S)은 장변류 반송에 의해서 반송된다. The substrate processing apparatus 1 according to the modified example does not have a rotary stage 25 (see FIG. 1) in the first processing line 3 as shown in FIG. 8. 8 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a modification. In the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, in the first processing line 3 and the second processing line 4, the substrate S is transported by long-flowing transport.

이에 따라, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트 도포 유닛(27)에 있어서 처리액을 토출하는 노즐의 좌우 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 장치 전체의 좌우 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can shorten the length in the left and right directions of the nozzle that discharges the processing liquid in the photoresist coating unit 27. In addition, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can shorten the length in the left and right directions of the entire apparatus.

또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 제2 처리 라인(4)에 있어서 기판(S)에 복수 횟수 처리액을 도포하여도 좋다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막을 형성하기 전에 반사방지막을 형성하여도 좋다. 이 경우, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 포토레지스트 도포 유닛(27)에 복수의 노즐을 포함한다. Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example may apply a treatment liquid to the substrate S a plurality of times in the second processing line 4. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may form an antireflection film before forming the photoresist film. In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example includes a plurality of nozzles in the photoresist application unit 27.

변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(11)에 의해서 제1 처리 라인(3)으로부터 반송된 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(27)으로 반사방지막을 형성한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(6), 제1 열처리 유닛(7)에 의해 각 처리를 행하고, 제1 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 반송 라인(8)으로부터 다시 포토레지스트 도포 유닛(27)에 반입한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 반사방지막을 형성한 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(27)에 의해서 포토레지스트막을 형성한다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 반출하는 부위에서, 핀에 의해서 기판(S)을 상측으로 들어올려 제1 반송부(11)에 의해서 반송 라인(8)으로부터 기판(S)을 반출한다. 또한, 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 굴림대(17a) 사이에 제1 반송부(11)의 반송 아암(11A)을 삽입하여, 반송 라인(8)으로부터 기판(S)을 반출한다. The substrate processing apparatus 1 according to the modified example forms an antireflection film with a photoresist coating unit 27 on the substrate S conveyed from the first processing line 3 by the first conveying unit 11. . And the substrate processing apparatus 1 which concerns on a modified example performs each process by the reduced pressure drying unit 6 and the 1st heat processing unit 7, and conveys the board|substrate S by the 1st conveying part 11 The photoresist application unit 27 is carried back from the line 8. Then, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example forms a photoresist film on the substrate S on which the antireflection film is formed by the photoresist coating unit 27. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the modification example lifts the substrate S upward by a pin at a site where the substrate S is taken out, and is transferred from the transfer line 8 by the first transfer unit 11. The substrate S is taken out. In addition, for example, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example inserts the conveying arm 11A of the first conveying section 11 between the rolls 17a to take the substrate S from the conveying line 8. Take it out.

이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)에 의해서 복수 횟수의 처리액 도포를 행할 수 있다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수 횟수의 처리액을 도포하는 유닛을 상하 방향으로 적층하여도 좋다.In this way, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can apply a plurality of treatment liquids by the second processing line 4. Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example may stack the units to which the treatment liquid is applied a plurality of times in the vertical direction.

또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 현상 처리를 행하지 않는 장치라도 좋다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 처리 라인(3)에 의해서 기판(S)을 세정하고, 제2 처리 라인(4)에 의해서 처리액을 도포한 후에, 기판(S)을 카세트 스테이션(2)에 반송한다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도 9에 도시하는 것과 같이, 제2 반송부(12)와 제4 반송부(13) 사이에 배치부(70)를 포함한다. 도 9는 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 처리액을 도포한 기판(S)을 제2 반송부(12)에 의해서 배치부(70)에 배치하고, 제3 반송부(10B)에 의해서 배치부(70)로부터 기판(S)을 반송하여, 검사 유닛(65)이나 카세트 스테이션(2)에 반송한다. 또한, 예컨대 반송 라인(8)을 X축 부방향으로 연장 설치하여, 반송 라인(8)에 의해서 기판(S)을 X축 부방향으로 반송할 수 있게 하여도 좋다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수 횟수의 처리액 도포를 행하여, 기판(S)에 편광막을 형성하는 장치라도 좋다. Further, the substrate processing apparatus 1 according to the modification may be a device that does not undergo development processing. The substrate processing apparatus 1 according to the modified example, for example, after cleaning the substrate S by the first processing line 3 and applying the processing liquid by the second processing line 4, the substrate S To the cassette station 2. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example includes an arrangement portion 70 between the second transfer portion 12 and the fourth transfer portion 13, as shown in FIG. 9. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a modification. In the substrate processing apparatus 1 according to the modified example, the substrate S coated with the processing liquid is disposed on the placement portion 70 by the second transportation portion 12, and is disposed by the third transportation portion 10B. The substrate S is transported from the unit 70 and transported to the inspection unit 65 or the cassette station 2. Further, for example, the transfer line 8 may be provided to extend in the negative X-axis direction, and the substrate S may be transferred in the negative X-axis direction by the transfer line 8. For example, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example may be an apparatus that applies a plurality of treatment liquids to the substrate S to form a polarizing film on the substrate S.

이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수 횟수의 처리액을 도포하는 장치에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. In this way, the substrate processing apparatus 1 according to the modified example can shorten the length in the X-axis direction in the apparatus for applying a plurality of treatment liquids to the substrate S.

또한, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고서 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. Indeed, the above-described embodiments can be implemented in various forms. In addition, the above-described embodiment may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the spirit thereof.

Claims (6)

기판에 전처리를 행하는 전처리 라인과,
상기 전 처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 상기 전처리가 이루어진 상기기판에 처리액을 도포하는 도포 라인과,
상기 도포 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 상기 처리액이 도포된 상기 기판을 반송하는 반송 라인과,
상기 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 상기 기판에 현상 처리를 행하는 현상 처리 라인과,
상기 전처리 라인과 상기 도포 라인 사이에 마련되며, 상기 전처리 라인으로부터 상기 도포 라인에 상기 기판을 반송하는 제1 반송부와,
상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 처리액이 도포된 상기 기판을 상기 반송 라인에 반송하는 제2 반송부와,
상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 반송 라인으로부터 외부 장치를 통해 상기 현상 처리 라인에 상기 기판을 반송하는 제3 반송부와,
상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 현상 처리 라인으로부터 상기 현상 처리가 이루어진 상기 기판을 반송하는 제4 반송부를 포함하는 기판 처리 장치. A pre-treatment line for pre-processing the substrate,
An application line disposed in parallel with respect to the pre-treatment line, and applying a treatment liquid to the substrate on which the pre-treatment is performed;
A transfer line disposed on an upper side or a lower side of the application line, and transporting the substrate on which the treatment liquid is applied,
A developing processing line disposed on the upper or lower side of the pre-processing line, and performing developing processing on the substrate;
It is provided between the pre-treatment line and the application line, a first transfer unit for conveying the substrate from the pre-treatment line to the application line,
A second conveying part arranged in series with respect to the first conveying part, and conveying the substrate coated with the processing liquid to the conveying line;
A third conveying part arranged in series with respect to the first conveying part, and conveying the substrate from the conveying line to the developing processing line through an external device;
A substrate processing apparatus including a fourth transfer unit disposed in series with the first transfer unit and transferring the substrate on which the development processing has been performed from the development processing line. 제1항에 있어서, 상기 제1 반송부와 상기 제2 반송부 사이에 마련되며, 상기 처리액이 도포된 상기 기판에 감압 건조 처리를 행하는 감압 건조부와,
상기 반송 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 상기 감압 건조 처리가 이루어진 상기 기판을 가열하는 가열부를 포함하고,
상기 제1 반송부는 상기 처리액이 도포된 상기 기판을 상기 도포 라인으로부터 상기 감압 건조부에 반송하고,
상기 제2 반송부는 상기 감압 건조 처리가 이루어진 상기 기판을 상기 감압 건조부로부터 상기 가열부에 반송하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 1, It is provided between the first transfer section and the second transfer section, and the reduced pressure drying unit for performing a reduced pressure drying treatment on the substrate to which the treatment liquid is applied,
It is disposed on the upper or lower side of the transport line, and includes a heating unit for heating the substrate subjected to the reduced pressure drying process,
The first transfer unit transfers the substrate on which the treatment liquid is applied, from the application line to the reduced-pressure drying unit,
The second transfer unit is a substrate processing apparatus for transferring the substrate subjected to the reduced pressure drying treatment from the reduced pressure drying unit to the heating unit. 제2항에 있어서, 상기 감압 건조부의 상측 또는 하측에 배치되며, 상기 가열부에 의해서 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하고,
상기 제2 반송부는, 상기 가열부로부터 상기 냉각부에 상기 기판을 반송하며, 또한 상기 냉각부에 의해서 냉각된 상기 기판을 상기 냉각부로부터 상기 반송 라인에 반송하는 것인 기판 처리 장치. According to claim 2, It is disposed on the upper or lower side of the reduced pressure drying unit, and includes a cooling unit for cooling the substrate heated by the heating unit,
The second transfer unit transfers the substrate from the heating unit to the cooling unit, and further transfers the substrate cooled by the cooling unit from the cooling unit to the transfer line. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 라인에는, 상기 기판에 관리용 코드를 기록하는 타이틀러가 마련되는 것인 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a titler for recording management codes on the substrate is provided on the transport line. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 현상 처리가 이루어진 상기 기판을 가열하는 현상 가열부를 포함하고,
상기 제4 반송부는 상기 현상 처리 라인으로부터 상기 현상 가열부에 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치. The development heating part according to any one of claims 1 to 4, which is arranged in series with respect to the first conveyance part and heats the substrate on which the development process has been performed.
The fourth transfer unit transfers the substrate from the developing processing line to the developing heating unit. 전처리 라인에 의해서 전처리가 이루어진 기판을, 상기 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포 라인에 반송하는 제1 반송 공정과,
상기 처리액이 도포된 상기 기판을, 상기 도포 라인의 상측 또는 하측에 배치된 반송 라인에 반송하는 제2 반송 공정과,
상기 처리액이 도포된 상기 기판을, 상기 반송 라인에 의해서 반송하는 제3 반송 공정과,
상기 처리액이 도포된 상기 기판을, 상기 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 현상 처리를 행하는 현상 처리 라인에 외부 장치를 통해 반송하는 제4 반송 공정과,
상기 현상 처리가 이루어진 상기 기판을, 상기 현상 처리 라인으로부터 반송하는 제5 반송 공정을 포함하고,
상기 제1 반송 공정에서는, 상기 전처리 라인과 상기 도포 라인 사이에 마련된 제1 반송부에 의해서 상기 기판이 상기 도포 라인에 반송되고,
상기 제2 반송 공정에서는, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치된 제2 반송부에 의해서 상기 기판이 상기 반송 라인에 반송되고,
상기 제4 반송 공정에서는, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치된 제3 반송부에 의해서 상기 기판이 상기 외부 장치를 통해 상기 현상 처리 라인에 반송되고,
상기 제5 반송 공정에서는, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치된 제4 반송부에 의해서 상기 기판이 상기 현상 처리 라인으로부터 반송되는 것인 기판 처리 방법. A first conveying step of conveying the substrate pre-treated by the pre-treatment line to the pre-treatment line in parallel with the pre-treatment line and applying the treatment liquid to the substrate;
A second conveying step of conveying the substrate on which the treatment liquid is applied, to a conveying line disposed above or below the applying line;
A third conveying step of conveying the substrate coated with the treatment liquid by the conveying line,
A fourth conveying step of disposing the substrate on which the treatment liquid is applied, on an upper side or a lower side of the pretreatment line, and conveying the developing treatment line through an external device to a developing treatment line for performing developing treatment;
And a fifth conveying step of conveying the substrate on which the developing treatment has been performed from the developing treatment line,
In the first transfer step, the substrate is transferred to the application line by a first transfer section provided between the pre-treatment line and the application line,
In the second conveying step, the substrate is conveyed to the conveying line by a second conveying part arranged in series with the first conveying part,
In the fourth conveying step, the substrate is conveyed to the developing processing line through the external device by a third conveying part arranged in series with the first conveying part,
In the fifth conveying step, the substrate processing method wherein the substrate is conveyed from the developing processing line by a fourth conveying part arranged in series with the first conveying part.
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