KR20200080205A - Producing method of mask integrated frame - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a frame integrated mask. According to the present invention, the manufacturing method of a frame integrated mask used for a pixel formation process on a silicon wafer comprises the steps of: (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered; (b) disposing the substrate upside down to adhere an edge portion of a second surface opposite to the first surface of the mask onto a frame; (c) separating the substrate from the mask; and (d) attaching the mask and the frame by welding. According to the present invention, an ultra-high definition pixel of a micro display may be implemented.

Description

프레임 일체형 마스크의 제조 방법 {PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}Method of manufacturing a frame-integrated mask {PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실리콘 웨이퍼 상에 화소를 형성할 때 사용하고, 프레임과 마스크가 일체를 이루어 마스크의 변형을 방지함에 따라 고해상도를 구현할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a frame-integrated mask. More specifically, it relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask that can be used to form a pixel on a silicon wafer and can realize high resolution as the frame and mask are integrally formed to prevent deformation of the mask.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, a study on an electroforming method in thin plate manufacturing has been conducted. The electroplating method is a method in which an anode and a cathode body are immersed in an electrolytic solution, and a metal thin plate is electrodeposited on the surface of the cathode body by applying a power source, and thus a mass production is expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, as a technique for forming a pixel in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method, which deposits an organic substance in a desired position by closely bonding a thin metal mask to a substrate, is mainly used.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크 박막을 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용하는데, 고정시키는 과정에서 대면적 마스크의 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.In the conventional OLED manufacturing process, after manufacturing the mask thin film, the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame, and there is a problem in that the alignment of the large area mask does not work well during the fixing process. In addition, in the process of welding and fixing to the frame, the thickness of the mask film was too thin and the area was large, so there was a problem that the mask was struck or warped by a load.

초고화질의 OLED 제조 공정에서는 수 ㎛의 미세한 정렬의 오차도 화소 증착의 실패로 이어 질 수 있으므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the ultra-high-quality OLED manufacturing process, even fine alignment errors of several μm can lead to failure of pixel deposition, so it is necessary to develop technologies that can prevent deformation such as a mask being crushed or distorted, and clarify alignment. This is true.

한편, 최근에는 VR(virtual reality) 기기에 적용되는 마이크로 디스플레이(micro display)가 주목받고 있다. 마이크로 디스플레이는 VR 기기에서 사용자의 바로 눈 앞에서 영상을 나타내기 위해, 기존의 디스플레이들보다 더욱 작은 화면 크기를 가지면서도, 작은 화면 내에서 고화질을 구현해야 한다. 따라서, 기존의 초고화질의 OLED 제조 공정에 사용되는 마스크보다 크기가 작은 마스크 패턴과, 화소 증착 공정 전에 마스크의 더욱 미세한 정렬이 필요한 실정이다.Meanwhile, recently, a micro display applied to a virtual reality (VR) device has attracted attention. In order to display an image in front of a user's eyes in a VR device, a micro display has to have a smaller screen size than existing displays and implement high image quality in a small screen. Accordingly, a mask pattern having a smaller size than a mask used in a conventional ultra-high-definition OLED manufacturing process and a finer alignment of the mask are required before the pixel deposition process.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마이크로 디스플레이(micro display)의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of realizing ultra-high definition pixels of a micro display.

또한, 본 발명은 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of improving the stability of pixel deposition by making the alignment of the mask clear.

본 발명의 상기의 목적은, 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계; (b) 기재를 뒤집어 배치하여 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계; (c) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계; (d) 마스크와 프레임을 용접하여 부착하는 단계;를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer, comprising: (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered; (b) placing the substrate upside down and adhering the edge portion of the second side opposite to the first side of the mask on the frame; (c) separating the substrate from the mask; (D) welding and attaching the mask and the frame; is achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계; (b) 기재를 뒤집어 배치하여 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계; (c) 전주 도금을 수행하여 마스크와 프레임을 부착하는 단계; (d) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer, comprising: (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered; ; (b) placing the substrate upside down and adhering the edge portion of the second side opposite to the first side of the mask on the frame; (c) attaching the mask and the frame by performing electroplating; (d) separating the substrate from the mask; is achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.

(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고, (d) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역에 레이저를 조사하여 마스크와 프레임을 용접 부착할 수 있다.In the step (b), the mask rim portion and the frame are adhered via the adhesive portion, and in the step (d), the mask and the frame may be welded by irradiating a laser to the inner region than the region where the adhesive portion is formed.

(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고, (c) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측의 하부 영역 일부를 노출시키고, 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착할 수 있다.In step (b), the mask rim portion and the frame are adhered via the adhesive portion, and in step (c), a portion of the lower region inside the region where the adhesive portion is formed is exposed, and the mask and frame are plated by electrodeposition of a plating film. Can.

(b) 단계에서, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 프레임에 접착되고, (d) 단계 이후, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태를 유지할 수 있다.In step (b), the mask is adhered to the frame in a state of receiving a tensile force in the outer direction, and after the step (d), the mask may maintain a state of receiving a tensile force in the outer direction.

(e) 접착부가 형성된 영역과 마스크와 프레임이 부착된 영역 사이에 레이저를 조사하여 마스크 테두리 부분을 레이저 트리밍 하는 단계; (f) 접착부를 세정하여 레이저 트리밍 된 마스크 테두리 부분을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.(e) laser trimming the edge of the mask by irradiating a laser between the area where the adhesive portion is formed and the mask and the frame are attached; (f) washing the adhesive portion may further include a step of peeling off the laser trimmed mask edge portion.

(a) 단계는, (a1) 절연부가 제1 면 상에 형성된 전도성의 기재를 준비하는 단계; (a2) 기재의 노출된 표면에서 도금막이 형성되어 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크가 제조되는 단계;를 포함할 수 있다.Step (a) comprises: (a1) preparing a conductive substrate having an insulating portion formed on a first surface; (a2) a plated film is formed on the exposed surface of the substrate to produce a mask including a plurality of mask patterns.

(a) 단계와 (b) 단계 사이에서, 마스크의 제2 면 상의 테두리 부분을 제외한 나머지 영역의 일부에 제2 절연부를 형성하고, (c) 단계에서, 프레임과 접착된 영역과 제2 절연부가 형성된 영역을 제외한 마스크의 제2 면 상의 노출된 영역에 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착할 수 있다.Between steps (a) and (b), a second insulating portion is formed on a portion of the remaining area except for the border portion on the second surface of the mask, and in step (c), the region and the second insulating portion bonded to the frame A mask and a frame may be plated by electrodepositing a plating film on the exposed areas on the second surface of the mask except for the formed area.

프레임은, 마스크와 연결되는 연결 프레임; 및 연결 프레임의 하부에 일체로 연결되며, 마스크 및 연결 프레임을 지지하는 지지 프레임을 포함하고, 연결 프레임은 원형 링 형상이며, 마스크의 형상은 원형일 수 있다.The frame includes a connecting frame connected to the mask; And it is integrally connected to the lower portion of the connection frame, and includes a support frame for supporting the mask and the connection frame, the connection frame is a circular ring shape, the shape of the mask may be circular.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마이크로 디스플레이(micro display)의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that can realize ultra-high-definition pixels of a micro display.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, it is possible to improve the stability of pixel deposition by clearly aligning the mask.

도 1은 종래의 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 4는 도 2의 A-A' 측단면도이다.
도 5 및 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7 및 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 9는 도 2의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 장치에 적용한 상태를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus using a conventional FMM.
2 is a schematic view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram showing a mask pattern according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional side view taken along line AA′ in FIG. 2.
5 and 6 are schematic diagrams showing a process for manufacturing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
7 and 8 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 2 is applied.
10 is a schematic diagram showing a state in which a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention is applied to an OLED pixel deposition apparatus.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.For a detailed description of the present invention, which will be described later, reference is made to the accompanying drawings that illustrate, by way of example, specific embodiments in which the present invention may be practiced. These examples are described in detail enough to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in relation to one embodiment. In addition, it should be understood that the location or placement of individual components within each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if appropriately described, is limited only by the appended claims, along with all ranges equivalent to those claimed. In the drawings, similar reference numerals refer to the same or similar functions across various aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those skilled in the art to easily implement the present invention.

도 1은 종래의 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus 200 using a conventional FMM 100.

도 1을 참조하면, 일반적으로 OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1, in general, the OLED pixel deposition apparatus 200 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a coolant line 350 is disposed, and an organic material source from a lower portion of the magnet plate 300. It includes a deposition source supply 500 for supplying (600).

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의한 인력으로 FMM(100)이 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.Between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500, a target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed. The FMM 100 that allows the organic material source 600 to be deposited for each pixel may be disposed on the target substrate 900 in close contact or very close. The magnet 310 generates a magnetic field, and the FMM 100 may be in close contact with the target substrate 900 due to attraction by the magnetic field.

FMM(100)은 대상 기판(900)에 밀착되기 전에 얼라인(align)이 필요하다. 하나의 마스크 또는 복수의 마스크는 프레임(800)에 결합될 수 있다. 프레임(800)은 OLED 화소 증착 장치(200) 내에 고정 설치되고, 마스크는 별도의 부착, 용접 공정을 거쳐 프레임(800)에 결합될 수 있다.The FMM 100 needs to be aligned before being in close contact with the target substrate 900. One mask or a plurality of masks can be coupled to the frame 800. The frame 800 is fixedly installed in the OLED pixel deposition apparatus 200, and the mask may be coupled to the frame 800 through a separate attachment and welding process.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴(PP)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic material source 600 while reciprocating the left and right paths, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may pass through the pattern PP formed in the FMM mask 100. Therefore, it may be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic source 600 that has passed through the pattern of the FMM mask 100 can act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴(PP)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴(PP)을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent uneven deposition of the pixel 700 by the shadow effect, the pattern PP of the FMM mask 100 may be inclined (S) (or formed in a tapered shape (S)). . Since the organic material sources 600 passing through the pattern PP in the diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the pixel 700 may be uniformly deposited with a thickness as a whole.

도 1에서 FMM(100)은 스틱형(Stick-Type) 또는 플레이트형(Plate-Type)으로 제조되어 대면적의 대상 기판(900)에 대하여 화소 증착 공정을 수행할 수 있다. 다만, 최근에 VR(virtual reality) 기기에 적용되는 마이크로 디스플레이(micro display)는 대면적의 대상 기판(900)이 아닌, 실리콘 웨이퍼에 대하여 화소 증착 공정을 수행할 수 있다. 마이크로 디스플레이는 화면이 사용자의 눈 앞에 바로 위치하게 되므로, 대면적의 크기보다는 약 1 ~ 2인치 크기 정도로 작은 화면을 가지게 된다. 이에 더하여, 사용자의 눈 앞에 가까이 위치하기 때문에 해상도는 더욱 높게 구현될 필요가 있다.In FIG. 1, the FMM 100 is manufactured in a stick-type or plate-type to perform a pixel deposition process on a large-area target substrate 900. However, in recent years, a micro display applied to a virtual reality (VR) device may perform a pixel deposition process on a silicon wafer, not on a large-area target substrate 900. The micro display has a screen that is about 1 to 2 inches smaller than the size of a large area because the screen is positioned directly in front of the user's eyes. In addition, the resolution needs to be implemented higher because it is located close to the user's eyes.

따라서, 본 발명은 대면적의 대상 기판(900)에 대한 화소 형성 공정에서 사용하기 보다는, 200mm, 300mm, 450mm 급의 실리콘 웨이퍼 상에서 화소 형성 공정을 진행하되 초고화질로서 화소를 형성할 수 있는 프레임 일체형 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention, rather than used in the pixel forming process for the target substrate 900 of a large area, the pixel forming process is performed on a silicon wafer of 200mm, 300mm, 450mm class, but an ultra high-definition pixel can be formed. It is an object to provide a mask.

예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 실리콘 웨이퍼의 경우, 반도체 공정에서 개발된 기술을 활용하여 유리기판에 비해 미세하고 정밀한 공정이 가능하므로 고해상도 마이크로 디스플레이의 기판으로 채용될 수 있다. 그리고, 본 발명은 이러한 실리콘 웨이퍼 상에 화소를 형성할 수 있는 프레임 일체형 마스크인 것을 특징으로 한다.For example, the current QHD image quality is 500 to 600 PPI (pixel per inch), and the pixel size reaches about 30 to 50㎛, and for 4K UHD and 8K UHD high image quality, higher than ~860 PPI and ~1600 PPI It has the same resolution. A micro display applied directly to a VR device, or a micro display used by being inserted into a VR device, aims to achieve an ultra-high quality of about 2,000 PPI or higher, and the pixel size reaches about 5 to 10 μm. In the case of a silicon wafer, it can be employed as a substrate of a high-resolution micro display because it is possible to perform a finer and more precise process than a glass substrate by utilizing a technology developed in a semiconductor process. And, the present invention is characterized in that it is a frame-integrated mask capable of forming pixels on such a silicon wafer.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 나타내는 개략도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 패턴(DP, PP)을 나타내는 개략도로서, 도 3의 (a)는 도 2의 마스크(20) 부분의 평면도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 B-B' 확대 측단면도이다. 도 4는 도 2의 A-A' 측단면도이다.2 is a schematic view showing a frame-integrated mask 10 according to an embodiment of the present invention. 3 is a schematic view showing a mask pattern (DP, PP) according to an embodiment of the present invention, Figure 3 (a) is a plan view of the portion of the mask 20 of Figure 2, Figure 3 (b) is Figure 3 It is an enlarged side sectional view of BB' of (a). 4 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 2.

본 발명은 실리콘 웨이퍼를 대상 기판(900)[도 6 및 도 7 참조]으로 하여 화소 증착 공정을 수행하기 위해, 마스크(20)가 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가지는 것을 특징으로 한다. 마스크(20)의 형상이 실리콘 웨이퍼에 대응한다는 의미는, 마스크(20)가 실리콘 웨이퍼와 동일한 크기의 형상을 가지거나, 실리콘 웨이퍼와 크기는 상이하지만 동일한 형상을 가지며 동축을 이룬 상태까지 포함하는 것임을 밝혀둔다. 또한, 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가진 마스크(20)는 프레임(30)과 일체로 연결되어 마스크 정렬을 명확하게 하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the mask 20 has a shape corresponding to the silicon wafer in order to perform the pixel deposition process using the silicon wafer as the target substrate 900 (see FIGS. 6 and 7 ). The meaning of the shape of the mask 20 corresponds to the silicon wafer is that the mask 20 has the same size shape as the silicon wafer, or is different from the size of the silicon wafer, but has the same shape and includes a coaxial state. Reveal. In addition, the mask 20 having a shape corresponding to the silicon wafer is integrally connected to the frame 30, and is characterized in that mask alignment is clear.

도 2를 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)는 마스크(20) 및 프레임(30)을 포함하고, 프레임(30)의 일부 표면에 마스크(20)가 부착될 수 있다. 마스크(20) 중 프레임(30)에 부착되지 않고 마스크 패턴(DP, PP)이 형성된 부분을 마스크 바디부(20a), 프레임(30)에 일부 부착된 부분을 마스크 지지부(20b)로 나타낸다. 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 형성된 위치에 따라 명칭과 부호를 달리 기재하였지만, 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 분리된 영역이 아니며, 동일한 재질을 가지며 일체로 연결되는 구성이다. 다시 말해, 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 마스크(20)를 형성하는 전주 도금(electroforming) 공정에서 전착 도금되어 동시에 형성되는 도금막 또는 마스크(20: 20a, 20b)의 각 부분이다. 이하의 설명에서 마스크 바디부(20a), 마스크 지지부(20b)는 도금막 또는 마스크(20: 20a, 20b)와 혼용되어 사용될 수 있다.Referring to FIG. 2, the frame-integrated mask 10 includes a mask 20 and a frame 30, and a mask 20 may be attached to some surfaces of the frame 30. The part of the mask 20 that is not attached to the frame 30 and is formed with mask patterns DP and PP is shown as a mask body part 20a and a part attached to the frame 30 as a mask support part 20b. The mask body portion 20a and the mask support portion 20b have different names and symbols according to the formed position, but the mask body portion 20a and the mask support portion 20b are not separate regions and have the same material and are integrally formed. It is a connected configuration. In other words, the mask body portion 20a and the mask support portion 20b are each part of a plating film or a mask 20: 20a, 20b that is simultaneously formed by electrodeposition plating in an electroforming process for forming the mask 20. to be. In the following description, the mask body portion 20a and the mask support portion 20b may be used in combination with a plated film or a mask 20: 20a, 20b.

마스크(20)는 인바(invar) 또는 슈퍼 인바(super invar) 재질인 것이 바람직하고, 원형의 실리콘 웨이퍼에 대응하도록 원형의 형상일 수 있다. 마스크(20)는 200mm, 300mm, 450mm 등의 실리콘 웨이퍼에 상응하는 크기를 가질 수 있다.The mask 20 is preferably made of an invar or super invar material, and may have a circular shape to correspond to a circular silicon wafer. The mask 20 may have a size corresponding to a silicon wafer such as 200 mm, 300 mm, and 450 mm.

종래의 마스크는 대면적 기판에 대응하도록 사각, 다각형 등의 형태를 가진다. 그리고, 이 마스크에 대응하도록 프레임도 사각, 다각형 등의 형태를 가지게 되며, 마스크가 각진 모서리를 포함하므로, 모서리에 스트레스(stress)가 집중되는 문제점이 발생할 수 있다. 스트레스가 집중되면 마스크의 일부분에만 다른 힘이 작용하게 되므로, 마스크가 뒤틀리거나 일그러질 수 있고, 이는 화소 정렬의 실패로 이어질 수 있다. 특히나, 2,000 PPI 이상의 초고화질에서는 마스크의 모서리에 스트레스가 집중되는 것을 피해야 한다.The conventional mask has a shape of a square, a polygon, etc. to correspond to a large area substrate. In addition, the frame also has a shape of a square, a polygon, and the like to correspond to the mask, and since the mask includes an angled edge, a problem in which stress is concentrated at the edge may occur. When the stress is concentrated, a different force acts on only a part of the mask, and the mask may be distorted or distorted, which may lead to pixel alignment failure. In particular, stress should be avoided at the edges of the mask in ultra-high quality of 2,000 PPI or higher.

따라서, 본 발명의 마스크(20)는 원형의 형상을 가짐에 따라, 모서리를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 모서리가 없으므로, 마스크(20)의 특정 부분에 다른 힘이 작용하게 되는 문제를 해소할 수 있고, 원형 테두리를 따라서 스트레스가 균일하게 분산될 수 있다. 이에 따라, 마스크(20)가 뒤틀리거나 일그러지지 않고, 화소 정렬을 명확히 하는데 기여할 수 있게 되며, 2,000 PPI 이상의 마스크 패턴(PP)을 구현할 수 있는 이점을 지닌다. 본 발명은 열팽창계수가 낮은 원형의 실리콘 웨이퍼와, 스트레스가 테두리를 따라 균일하게 분산되는 원형의 마스크(20)를 대응시켜 화소 증착 공정을 수행함에 따라, 약 5~10㎛ 정도에 이르는 화소를 증착할 수 있게 된다.Therefore, as the mask 20 of the present invention has a circular shape, it is characterized in that it does not include corners. Since there are no edges, the problem that different forces act on a specific portion of the mask 20 can be solved, and the stress can be uniformly distributed along the circular border. Accordingly, the mask 20 is not distorted or distorted, it is possible to contribute to clarifying pixel alignment, and has an advantage of implementing a mask pattern PP of 2,000 PPI or more. According to the present invention, as a pixel deposition process is performed by matching a circular silicon wafer having a low thermal expansion coefficient and a circular mask 20 in which stress is uniformly distributed along an edge, pixels reaching about 5 to 10 μm are deposited. I can do it.

도 3의 (a)를 참조하면, 마스크 바디부(20a)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 마이크로 디스플레이 하나에 대응하는 패턴으로서, 대각선의 길이가 약 1~2 인치 정도일 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부가 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상, 또는 상부에서 하부로 갈수록 패턴 폭이 넓어지는 형상을 가질 수 있다. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(20)에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, a plurality of display patterns DP may be formed on the mask body 20a. The display pattern DP is a pattern corresponding to one micro display, and may have a diagonal length of about 1 to 2 inches. When the display pattern DP is enlarged, a plurality of pixel patterns PP corresponding to R, G, and B can be confirmed. The pixel patterns PP may have a shape in which a side portion is inclined, a taper shape, or a shape in which the pattern width is widened from the top to the bottom. A number of pixel patterns PP form a cluster to form one display pattern DP, and a plurality of display patterns DP may be formed on the mask 20.

즉, 본 명세서에서 디스플레이 패턴(DP)은 패턴 하나를 나타내는 개념은 아니며, 하나의 디스플레이에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)들이 군집된 개념으로 이해되어야 한다. 이하에서는 화소 패턴(PP)을 마스크 패턴(PP)과 혼용한다.That is, in this specification, the display pattern DP is not a concept representing one pattern, and it should be understood that a plurality of pixel patterns PP corresponding to one display are clustered. Hereinafter, the pixel pattern PP is mixed with the mask pattern PP.

마스크 패턴(PP)은 대략 테이퍼 형상을 가질 수 있고, 패턴 폭은 수 내지 십수㎛의 크기, 바람직하게는 약 5~10㎛의 크기(2,000 PPI 이상의 해상도)로 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 PR을 통한 패터닝 [도 5 참조], 레이저 가공 등을 통해 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 마스크 패턴(PP)은 도 3에서 상술한 화소 패턴(PP)/디스플레이 패턴(DP)의 구성과 동일하다.The mask pattern PP may have an approximately tapered shape, and the pattern width may be formed to a size of several to tens of μm, preferably about 5 to 10 μm (resolution of 2,000 PPI or more). The mask pattern PP may be formed through patterning through PR [see FIG. 5 ], laser processing, or the like, but is not limited thereto. The mask pattern PP is the same as the configuration of the pixel pattern PP/display pattern DP described above with reference to FIG. 3.

프레임(30)은 마스크(20) 또는 도금막(20)의 적어도 일부에 접합될 수 있다. 더 상세하게는, 마스크(20)에서 마스크 패턴(PP)이 형성된 영역인 마스크 바디부(20a)의 영역을 제외한 나머지 영역인 마스크 지지부(20b)가 프레임(30)에 접합될 수 있다.The frame 30 may be bonded to at least a portion of the mask 20 or the plated film 20. More specifically, the mask support portion 20b, which is a region other than the region of the mask body portion 20a, which is the region where the mask pattern PP is formed, may be bonded to the frame 30.

마스크(20)를 쳐지거나 뒤틀리지 않게 팽팽하게 지지할 수 있도록, 프레임(30)은 마스크(20)의 테두리를 둘러싸는 형상을 가지는 것이 바람직하다. The frame 30 preferably has a shape surrounding the rim of the mask 20 so that the mask 20 can be tightly supported without being struck or distorted.

더 살펴보면, 프레임(30)은 마스크(20)와 연결되는 연결 프레임(31) 및 연결 프레임(31)의 하부에서 연결 프레임(31)과 일체로 연결되며, 마스크(20) 및 연결 프레임(31)을 지지하는 지지 프레임(35)을 포함할 수 있다.Looking further, the frame 30 is integrally connected to the connecting frame 31 and the connecting frame 31 connected to the mask 20 and the lower portion of the connecting frame 31, the mask 20 and the connecting frame 31 It may include a support frame 35 for supporting.

이 중에서, 연결 프레임(31)은 마스크(20)의 형상에 대응되면서도, 마스크(20)의 테두리[마스크 지지부(20b)]와 연결될 수 있도록 원형인 것이 바람직하고, 연결 프레임(31)이 마스크 바디부(20a)의 마스크 패턴(PP)을 가리지 않도록, 중공 형태, 링 형태를 가지는 것이 바람직하다. 즉, 연결 프레임(31)은 원형 링 형상을 가질 수 있다. 한편, 지지 프레임(35)은 연결 프레임(31)의 하부에서 일체로 연결되는 형상이라면, 원형 링 형상, 사각 링 형상 등 가운데 부분이 비어있는 범위 내에서 다양한 형상을 가질 수 있다. 본 발명에서는 사각 링 형상의 지지 프레임(35)을 상정하여 도시한다.Among them, the connection frame 31 is preferably circular so as to correspond to the shape of the mask 20 and to be connected to the rim of the mask 20 (mask support 20b), and the connection frame 31 is a mask body It is preferable to have a hollow shape and a ring shape so as not to cover the mask pattern PP of the portion 20a. That is, the connection frame 31 may have a circular ring shape. On the other hand, if the support frame 35 is a shape that is integrally connected from the bottom of the connection frame 31, the center portion such as a circular ring shape, a square ring shape may have various shapes within an empty range. In the present invention, a square ring-shaped support frame 35 is assumed and illustrated.

도 2 및 도 4를 참조하면, 마스크(20)의 외주 방향을 따라, 연결 프레임(31)에 부착된 마스크(20)[마스크 지지부(20b)]의 폭(W)은 일정할 수 있다. 즉, 원형 마스크(20)의 테두리[마스크 지지부(20b)] 모든 부분과 연결 프레임(31)이 부착되는 면적이 일정할 수 있다. 마스크(20) 테두리의 모든 부분에서 연결 프레임(31)과 부착되는 면적이 일정하게 되므로, 스트레스가 균일하게 분산되는 효과를 가지며, 마스크(20)를 원형으로 형성함에 따라 스트레스가 균일하게 분산되는 효과가 더욱 향상될 수 있다.2 and 4, along the outer circumferential direction of the mask 20, the width W of the mask 20 (mask support 20b) attached to the connection frame 31 may be constant. That is, the area to which all the parts of the frame (mask support portion 20b) of the circular mask 20 and the connection frame 31 are attached may be constant. Since the area to be attached to the connecting frame 31 is constant in all parts of the rim of the mask 20, it has an effect of uniformly distributing stress and an effect of uniformly distributing stress as the mask 20 is formed in a circular shape. Can be further improved.

한편, 마스크(20)는 마스크(20)의 외주[마스크 지지부(20b)]에서 프레임 방향으로 인장력(F)이 가해진 상태로 프레임(30)[연결 프레임(31)]과 일체로 연결될 수 있다. 프레임 방향은 마스크(20) 외주 접선에 수직한 방향, 또는 방사(radial) 방향이 대응할 수 있다. 이러한 인장력(F)은 프레임(30) 상에 마스크(20)가 일체로 전착되는 전주 도금 공정 조건과, 상온보다 높은 온도에서 전착 후 상온으로 온도 하강에 따른 온도 차에 의한 마스크(20)의 수축에 의해 유발될 수 있다. 인장력(F)은 마스크(20)의 외주에서 방사 방향으로 가해지게 되므로, 마스크(20)의 외주 특정 부분에 스트레스가 집중되는 것을 방지하고, 마스크(20)와 프레임(30)을 팽팽한 상태로 연결되도록 하여 마스크 패턴(PP)의 정렬을 유지하는데 기여할 수 있다.Meanwhile, the mask 20 may be integrally connected to the frame 30 (connection frame 31) in a state in which a tensile force F is applied in the frame direction from the outer circumference (mask support portion 20b) of the mask 20. The frame direction may correspond to a direction perpendicular to the outer circumferential tangent of the mask 20 or a radial direction. The tensile force (F) is the contraction of the mask (20) due to the temperature difference according to the temperature drop according to the temperature of the electroplating process in which the mask (20) is electrodeposited integrally on the frame (30) and electrodeposition at a temperature higher than room temperature. Can be caused by. Since the tensile force F is applied in the radial direction from the outer periphery of the mask 20, it prevents stress from being concentrated on a specific portion of the outer periphery of the mask 20 and connects the mask 20 and the frame 30 in a tight state. This can contribute to maintaining the alignment of the mask pattern PP.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는, 마스크(20)가 프레임(30)과 일체로 연결되므로, 프레임(30)만을 OLED 화소 증착 장치(200)로 이동하고 설치하는 과정만으로 마스크(20)의 정렬이 완료될 수 있다.In addition, the frame-integrated mask 10 of the present invention, since the mask 20 is integrally connected to the frame 30, only the frame 30 is moved to the OLED pixel deposition apparatus 200 and the mask 20 is only installed. ) Can be completed.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.5 and 6 are schematic diagrams showing a process for manufacturing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

도 5의 (a)를 참조하면, 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 전도성 기재(41)를 준비한다. 전도성 기재(41)를 포함하는 모판(mother plate; 40)은 전주 도금에서 음극체(cathode)로 사용될 수 있다. 원형의 마스크(20)를 전주 도금할 수 있도록, 전도성 기재(41)도 그에 대응하는 원 형상인 것이 바람직하지만, 이에 제한되지는 않는다. 전도성 기재(41)가 원 형상이 아닌 다각형이라도 프레임(30)에 마스크(20)를 붙인 후[도 6의 (a) 참조], 원 형상으로 레이저 트리밍(laser trimming) 할 수 있다[도 6의 (e) 참조].Referring to (a) of FIG. 5, a conductive substrate 41 is prepared so that electroforming may be performed. The mother plate 40 including the conductive substrate 41 may be used as a cathode in electroplating. In order to be able to electroplate the circular mask 20, the conductive substrate 41 is also preferably a circular shape corresponding thereto, but is not limited thereto. Even if the conductive substrate 41 is a polygon having a non-circular shape, after attaching the mask 20 to the frame 30 (see FIG. 6(a)), laser trimming may be performed in a circular shape (FIG. 6 ). (e) see].

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(40)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(20)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다. 또한, 다결정 기판 소재의 경우에는 전주 도금막의 열팽창 계수를 감소시키기 위한 열처리 공정에 의해 결정립 간의 불균일한 특성으로 인해 마스크에 형성된 패턴의 위치가 달라질 수 있고, 이는 화소의 증착 위치의 변경으로 이어지는 문제가 있다.As a conductive material, in the case of metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced in a metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and a conductive polymer In the case of a substrate, there is a high likelihood that impurities are contained, and strength. Acid resistance may be vulnerable. Elements that prevent the electric field from being uniformly formed on the surface of the mother plate 40, such as metal oxides, impurities, inclusions, and grain boundaries, are referred to as "defects". Due to the defect, a uniform electric field is not applied to the cathode body of the above-described material, so that a part of the plating film 20 may be formed non-uniformly. In addition, in the case of a polycrystalline substrate material, the position of the pattern formed on the mask may be changed due to the non-uniform characteristics between grains by a heat treatment process to reduce the thermal expansion coefficient of the electroplated film, which leads to a change in the deposition position of the pixel. have.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막(20) 및 도금막 패턴(PP)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수 내지 십수㎛의 크기, 바람직하게는 약 5~10㎛의 크기(2,000 PPI 이상의 해상도)로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.In implementing ultra-high-definition pixels having a UHD level or higher, unevenness of the plating layer 20 and the plating layer pattern PP may adversely affect the formation of the pixels. Since the pattern width of the FMM and shadow mask can be formed to a size of several to tens of μm, preferably about 5 to 10 μm (resolution of 2,000 PPI or more), even defects of several μm size have a large specific gravity in the pattern size of the mask. It is large enough to occupy.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In addition, in order to remove defects in the cathode material of the above-described material, an additional process for removing metal oxide, impurities, etc. may be performed, and in this process, other defects such as etching of the cathode material may be caused. have.

따라서, 본 발명은 단결정 실리콘 재질의 기재(41)를 사용할 수 있다. 전도성을 가지도록, 기재(41)는 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(41)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(41)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, the present invention can use a single crystal silicon base material 41. To have conductivity, the substrate 41 may be doped with a high concentration of 10 19 or more. Doping may be performed on the entirety of the substrate 41 or may be performed only on the surface portion of the substrate 41.

도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 표면결함 없이 표면 상태가 균일한 도금막(20)[또는, 마스크(20)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 마스크(20)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of doped single crystal silicon, since there are no defects, a plating film 20 (or mask 20) having a uniform surface state can be generated without surface defects due to uniform electric field formation on all surfaces during electroforming. There is an advantage. The uniform mask 20 can further improve the quality level of the OLED pixel. In addition, since there is no need to perform an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage in that the process cost is reduced and productivity is improved.

또한, 실리콘 재질의 기재(41)를 사용함에 따라서, 필요에 따라 기재(41)의 표면을 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)하는 과정만으로 절연부(45)를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부(45)는 도금막(20)의 전착을 방지하는 역할을 하여 도금막(20)의 패턴(PP)을 형성할 수 있다.In addition, according to the use of the base material 41 made of a silicon material, if necessary, the surface of the base material 41 is oxidized (Oxidation), there is an advantage that can form the insulating portion 45 only by nitriding (Nitridation). The insulating portion 45 serves to prevent electrodeposition of the plating film 20 to form a pattern PP of the plating film 20.

다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 기재(41)의 적어도 일면 상에 절연부(45)를 형성할 수 있다. 절연부(45)는 패턴을 가지고 형성될 수 있고, 테이퍼 또는 역테이퍼 형상의 음각 패턴(46)에 의해 패턴을 가질 수 있다. 절연부(45)는 기재(41)의 일면 상에 돌출되도록(양각으로) 형성한 부분으로서, 도금막(20)의 생성을 방지하도록, 절연 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 절연부(45)는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 절연부(45)는 기재(41) 상에 증착 등의 방법으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 형성할 수 있고, 기재(41)를 베이스로 하여 산화(Thermal Oxidation), 열 질화(Thermal Nitiridation) 방법을 사용할 수도 있다. 프린팅 방법 등을 이용하여 포토레지스트를 형성할 수도 있다. 포토레지스트를 사용하여 패턴을 형성할 때에는 다중 노광 방법, 영역마다 노광 강도를 다르게 하는 방법 등을 사용할 수 있다. 절연부(45)는 후술할 도금막(20)보다는 두껍도록 약 5㎛ ~ 20㎛의 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 모판(40)이 제조될 수 있다.Next, referring to (b) of FIG. 5, an insulating portion 45 may be formed on at least one surface of the substrate 41. The insulating portion 45 may be formed with a pattern, and may have a pattern by an intaglio pattern 46 in a tapered or reverse tapered shape. The insulating portion 45 is a portion formed to protrude (embossed) on one surface of the substrate 41, and may have insulating properties to prevent the formation of the plated film 20. Accordingly, the insulating portion 45 may be formed of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride. The insulating part 45 may form silicon oxide or silicon nitride on the substrate 41 by vapor deposition or the like, and based on the substrate 41, a thermal oxidation or thermal nitridation method is used. You can also use A photoresist may be formed using a printing method or the like. When forming a pattern using a photoresist, a multiple exposure method, a method of varying exposure intensity for each region, and the like can be used. The insulating portion 45 may have a thickness of about 5 μm to 20 μm to be thicker than the plating film 20 to be described later. Accordingly, the mother plate 40 can be manufactured.

후술할 전주 도금 과정에서 기재(41)의 노출된 표면으로부터 도금막(20)이 형성되고, 절연부(45)가 배치될 영역에서는 도금막(20)의 생성이 방지되어 패턴(PP)이 형성될 수 있다. 모판(40)은 도금막(20)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 몰드, 음극체와 병기하여 사용될 수 있다.In the electroplating process, which will be described later, the plating film 20 is formed from the exposed surface of the substrate 41, and in the region where the insulation portion 45 is to be disposed, the formation of the plating film 20 is prevented to form the pattern PP. Can be. Since the mother plate 40 can be formed up to a pattern in the process of forming the plated film 20, it can be used in parallel with a mold and a cathode body.

다음으로, 도 5의 (c)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(미도시)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(40)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체 사이에 형성된 전기장으로 인해 도금막(20: 20a, 20b)이 모판(40)의 표면에서 전착되어 생성될 수 있다. 다만, 전도성 기재(41)의 노출된 표면(46)에서만 도금막(20)이 생성되며, 절연부(45) 표면에서는 도금막(20)이 생성되지 않으므로, 도금막(20)에 패턴(PP)[도 3의 (b) 참조]이 형성될 수 있다.Next, referring to (c) of FIG. 5, a positive electrode body (not shown) facing the mother plate 40 (or the negative electrode body 40) is prepared. The positive electrode body (not shown) may be immersed in a plating solution (not shown), and the mother board 40 may be partially or partially immersed in the plating solution (not shown). Due to the electric field formed between the mother plate 40 (or the negative electrode body 40) and the opposite positive electrode body, the plating films 20: 20a, 20b may be generated by being electrodeposited on the surface of the mother plate 40. However, since the plating film 20 is generated only on the exposed surface 46 of the conductive substrate 41, and the plating film 20 is not generated on the surface of the insulating portion 45, the pattern PP is applied to the plating film 20. ) (See (b) of FIG. 3) may be formed.

도금액은 전해액으로서, 마스크 바디부(20a) 및 마스크 지지부(20b)를 구성할 도금막(20)의 재료가 될 수 있다. 일 실시 예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(20)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수 있다. 다른 실시 예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(20)으로 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(20)에 대한 도금액을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(20)을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명한다.The plating solution is an electrolytic solution, and may be a material of the plating film 20 that will constitute the mask body portion 20a and the mask support portion 20b. In an embodiment, when an Invar thin plate, which is an iron nickel alloy, is prepared as the plating film 20, a mixed solution of a solution containing Ni ions and a solution containing Fe ions may be used as a plating solution. In another embodiment, when a thin film of Super Invar, which is an iron nickel cobalt alloy, is manufactured as a plating film 20, a mixed solution of a solution containing Ni ions, a solution containing Fe ions, and a solution containing Co ions is used. It can also be used as a plating solution. Inba thin plate, super inba thin plate can be used as a FMM (Fine Metal Mask) and a shadow mask in the manufacture of OLED. And, for the Invar thin plate, the coefficient of thermal expansion is about 1.0 X 10 -6 /℃, and for the Super Invar thin plate, the thermal expansion coefficient is about 1.0 X 10 -7 /℃. Since it is very low, there is little risk of deformation of the pattern shape of the mask by thermal energy, and thus it is mainly used in high resolution OLED manufacturing. In addition to this, the plating solution for the desired plating film 20 can be used without limitation, and in this specification, it will be described assuming a main example of manufacturing the Invar thin plate 20.

기재(41) 표면으로부터 도금막(20)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 절연부(45)의 상단을 넘기 전까지만 도금막(20)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 절연부(45)의 두께보다 도금막(20)의 두께가 더 작을 수 있다. 도금막(20)은 절연부(45)의 패턴 공간에 채워지며 전착되므로, 절연부(45)의 패턴과 역상을 가지는 테이퍼 형상을 가지며 생성될 수 있다.Since the plating film 20 is thickened while being electrodeposited from the surface of the substrate 41, it is preferable to form the plating film 20 only until the upper end of the insulating portion 45 is crossed. That is, the thickness of the plated film 20 may be smaller than the thickness of the insulating portion 45. Since the plated film 20 is filled and electrodeposited in the pattern space of the insulating portion 45, it may be generated with a tapered shape having a reversed shape to the pattern of the insulating portion 45.

절연부(45)가 절연 특성을 가지므로, 절연부(45)와 양극체 사이에서는 전기장이 형성되지 않거나, 도금이 수행되기 어려운 정도의 미약한 전기장만이 형성된다. 따라서, 모판(40)에서 도금막(20)이 생성되지 않는, 절연부(45)에 대응하는 부분은 도금막(20)의 패턴, 홀(Hole) 등을 구성한다. 다시 말해, 패턴화(46)된 절연부(45) 각각은 마스크 바디부(20a)의 R, G, B에 대응하는 마스크 패턴(PP)을 형성할 수 있다. 마스크 패턴(PP)의 측단면의 형상은 대략 테이퍼 형상으로 기울어지게 형성될 수 있고, 기울어진 각도는 약 45° 내지 65°일 수 있다.Since the insulating portion 45 has insulating properties, an electric field is not formed between the insulating portion 45 and the positive electrode body, or only a weak electric field is formed to the extent that plating is difficult to be performed. Therefore, the portion corresponding to the insulating portion 45, in which the plating film 20 is not generated in the mother board 40, forms a pattern, a hole, or the like of the plating film 20. In other words, each of the patterned 46 insulating portions 45 may form a mask pattern PP corresponding to R, G, and B of the mask body portion 20a. The shape of the side cross-section of the mask pattern PP may be formed to be inclined in an approximately tapered shape, and the inclined angle may be about 45° to 65°.

한편, 도금막(20)을 형성한 후에 도금막(20)에 열처리를 수행할 수 있다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다. 일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 따라서, 모판(40)[또는, 기재(41)]과 마스크(20)가 부착된 상태에서 열처리를 수행하면, 모판(40)의 절연부(45)가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 도금막(20)으로부터 모판(40)[또는, 기재(41)]을 분리한 후, 마스크 패턴(PP)을 가지는 마스크(20)에 열처리를 수행하여도 인바 박판의 열팽창계수를 낮추는 효과가 있다.Meanwhile, after forming the plating film 20, heat treatment may be performed on the plating film 20. The heat treatment may be performed at a temperature of 300°C to 800°C. Generally, the thermal expansion coefficient of the invar thin plate produced by electroforming is higher than that of the inba thin plate produced by rolling. Thus, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing heat treatment on the thin film of the Invar, and a slight deformation may occur in the thin film of the Invar during the heat treatment. Therefore, when heat treatment is performed while the mother plate 40 (or the substrate 41) and the mask 20 are attached, the mask pattern PP formed in the space portion occupied by the insulating portion 45 of the mother plate 40 The shape is maintained constant, there is an advantage that can prevent the micro-deformation due to heat treatment. In addition, after separating the base plate 40 (or the substrate 41) from the plated film 20, even if heat treatment is performed on the mask 20 having the mask pattern PP, the effect of lowering the thermal expansion coefficient of the invar thin plate There is.

따라서, 마스크(100)의 열팽창계수를 더 낮춤에 따라, ㎛ 스케일의 패턴(PP)의 변형을 방지하고, 초고화질의 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(20)를 제조할 수 있는 이점이 있다.Therefore, as the thermal expansion coefficient of the mask 100 is further lowered, it is possible to prevent the deformation of the pattern PP of the µm scale and to manufacture the mask 20 capable of depositing ultra-high-definition OLED pixels. .

다음으로, 도 6의 (a)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 프레임(30)의 상부에 도 5의 (c)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 5의 (c) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다. 프레임(30)[연결 프레임(31)]은 도금막(20)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.Next, referring to (a) of FIG. 6, the mother plate 40 (or the cathode body 40) is lifted out of the plating solution (not shown). Then, the structure of FIG. 5(c) is placed upside down on the upper portion of the frame 30. Conversely, the frame 30 may be placed inverted in the structure of FIG. 5(c). The frame 30 (the connecting frame 31) may have a shape surrounding the plated film 20.

도금막(20)이 접촉하는 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에는 접착부(50)가 형성될 수 있다. 접착부(50)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(50)에 의해, 도금막(20)의 테두리 중 적어도 일부가 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 접착 고정될 수 있다.An adhesive portion 50 may be formed on an upper portion of the frame 30 (the connection frame 31) in which the plating film 20 contacts. As the adhesive of the adhesive portion 50, an epoxy resin adhesive or the like can be used. By the adhesive portion 50, at least a part of the rim of the plated film 20 may be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 (connecting frame 31).

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 절연부(45)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연부(45)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 6의 (c) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 6의 (c)의 기판(41) 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to (b) of FIG. 6, the insulating portion 45 may be removed. Only the insulating portion 45 such as photoresist, silicon oxide, and silicon nitride is removed, and a known technique that does not affect the rest of the configuration can be used without limitation. On the other hand, when the insulating portion is composed of silicon oxide and silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the process of FIG. 6(c) below may be performed immediately. Silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 may be separated/removed together through the substrate 41 separation process of FIG. 6C.

다음으로, 도 6의 (c)를 참조하면, 도금막(20)으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 마스크(20) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 접착부(50)를 개재하여 프레임(30)에 접착된 마스크(20)의 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 6C, the conductive substrate 41 can be separated from the plated film 20. The conductive substrate 41 may be separated in the upper direction of the mask 20 and the frame 30. When the conductive substrate 41 is separated, the form of the mask 20 bonded to the frame 30 via the adhesive portion 50 appears.

한편, 도 6의 (c) 단계까지 수행한 구조체의 경우에는, 마스크(20)와 프레임(30)을 접착시키기 위해 접착부(50)가 필수적으로 잔존하게 된다. 접착부(50)의 접착제는 마스크(20)를 임시로 고정하는 효과는 있으나, 접착제와 인바 마스크(20)의 열팽창 계수가 상이하여, 화소 형성 공정에서 온도변화에 따라 접착제가 마스크(20)를 뒤틀리게 하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 접착제가 공정 가스와 반응하여 생성된 오염물질이 OLED의 화소에 악영향을 줄 수 있고, 접착제 자체에 포함된 유기 솔벤트 등의 아웃 가스가 화소 공정 챔버를 오염시키거나 불순물로서 OLED 화소에 증착되는 악영향을 유발할 수 있다. 또한, 접착제가 점차 제거됨에 따라 마스크(20)가 프레임(30)에서 이탈하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 접착부(50)를 세정할 필요가 있으나, 접착부(50)와 마스크 지지부(20b)가 접착되어 있어 외부에서 접착부(50)를 세정하기 어렵고, 무리하게 접착부(50)를 세정하는 중에 마스크(20)에 변형이 발생할 가능성도 존재한다. 게다가, 접착부(50)를 세정하여 모두 제거하였을 경우, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 부착시키기 위한 다른 방안이 강구된다.Meanwhile, in the case of the structure performed up to step (c) of FIG. 6, the adhesive portion 50 essentially remains to bond the mask 20 and the frame 30. The adhesive of the adhesive portion 50 has an effect of temporarily fixing the mask 20, but the thermal expansion coefficient of the adhesive and the invar mask 20 is different, so that the adhesive twists the mask 20 according to a temperature change in the pixel forming process. Can cause problems. In addition, contaminants generated by the reaction of the adhesive with the process gas may adversely affect the pixels of the OLED, and outgass such as organic solvent contained in the adhesive itself contaminate the pixel process chamber or are deposited on the OLED pixels as impurities. It may cause adverse effects. In addition, as the adhesive is gradually removed, a problem that the mask 20 is released from the frame 30 may occur. Accordingly, it is necessary to clean the adhesive portion 50, but it is difficult to clean the adhesive portion 50 from the outside because the adhesive portion 50 and the mask support portion 20b are adhered to, and the mask during excessively washing the adhesive portion 50 There is also a possibility that deformation occurs in (20). In addition, when all of the adhesive parts 50 are cleaned and removed, other methods for integrally attaching the mask 20 and the frame 30 are devised.

따라서, 본 발명은 도 6의 (d) 내지 (f)와 같은 공정을 수행하여, 마스크(20)에 영향을 주지 않고, 접착부(50)만을 완전히 제거할 수 있다. 그리고, 접착부(50)를 대체하여 용접부(20c)를 마스크(20)와 프레임(30) 사이에 개재시켜, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 부착시킨 프레임 일체형 마스크(10)를 제공할 수 있다.Therefore, the present invention can perform the process as shown in Figure 6 (d) to (f), without affecting the mask 20, it is possible to completely remove only the adhesive portion (50). Then, by replacing the adhesive portion 50, the welding portion 20c is interposed between the mask 20 and the frame 30 to provide a frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally attached. can do.

도 6의 (d)를 참조하면, 테두리 부분의 도금막(20b)을 이용하여 도금막(20b)과 프레임(30) 간에 레이저 용접(LW)을 수행할 수 있다. 레이저를 테두리 부분의 마스크 지지부(20b) 상부에 조사하면, 마스크 지지부(20b)의 일부가 용융되어 용접부(20c)가 생성될 수 있다. 구체적으로 레이저는 접착부(50)가 형성된 영역보다 내측 영역에 조사될 필요가 있다. 이후 공정에서 프레임(30) 외측[또는, 도금막(20)의 외측면]으로부터 세정액을 침투하여 접착부(50)를 제거해야 하므로, 용접부(20c)는 접착부(50)보다 내측에 생성해야 한다. 또한, 프레임(30)의 모서리쪽에 가깝게 용접부(20c)를 형성해야 도금막(20)과 프레임(30) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접부(20c)는 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 도금막(20b)과 동일한 재질을 가지고 도금막(20b)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 한편, 설명의 편의를 위해, 도 6에서 용접부(20c)가 다소 두께가 있는 것처럼 도시되었으나, 실제로는 용접부(20c)의 두께는 무시할만큼 작으며, 도금막(20b)의 두께에 영향을 주지 않음을 밝혀둔다.Referring to (d) of FIG. 6, laser welding (LW) may be performed between the plating film 20b and the frame 30 using the plating film 20b at the edge portion. When the laser is irradiated on the upper portion of the mask support portion 20b of the edge portion, a part of the mask support portion 20b may be melted to form a welding portion 20c. Specifically, the laser needs to be irradiated to the inner region than the region where the adhesive portion 50 is formed. In the subsequent process, since the cleaning part 50 must be removed by penetrating the cleaning solution from the outside of the frame 30 (or the outside surface of the plating film 20), the welding part 20c should be generated inside the adhesion part 50. In addition, it is necessary to form the welding portion 20c close to the edge of the frame 30 to reduce the excitation space between the plated film 20 and the frame 30 as much as possible to increase adhesion. The welding portion 20c may be generated in the form of a line or a spot, and may be a medium that integrally connects the plating film 20b and the frame 30 with the same material as the plating film 20b. have. On the other hand, for convenience of description, in FIG. 6, the welded portion 20c is shown as having some thickness, but in reality, the thickness of the welded portion 20c is negligibly small and does not affect the thickness of the plated film 20b. Reveals.

도 6의 (a) 단계에서 접착부(50)에 도금막(20)이 접착될 때, 도금막(20)은 프레임(30) 방향, 또는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 접착될 수 있다. 그리하여 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(20)를 프레임(30)에 임시 접착하게 된다. 이 상태에서, 도 6의 (d)와 같은 레이저 용접(LW)을 수행하면, 마스크(20)는 외측으로 인장력을 받는 상태로 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 용접될 수 있게 된다. 따라서, 이후 공정에서 접착부(50)를 제거하더라도 외측 방향으로 인장력이 가해지며 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 상태를 유지할 수 있게 된다.When the plated film 20 is adhered to the adhesive portion 50 in step (a) of FIG. 6, the plated film 20 may be adhered to the frame 30 in a direction in which the tensile force is applied. Thus, the mask 20 stretched to the side of the frame 30 is temporarily adhered to the frame 30. In this state, when performing laser welding (LW) as shown in FIG. 6(d), the mask 20 can be welded to the upper portion of the frame 30 (connecting frame 31) in a state of receiving tensile force to the outside. do. Therefore, even if the adhesive portion 50 is removed in a subsequent process, a tensile force is applied in an outward direction and it is possible to maintain a state in which the tension is pulled toward the frame 30.

다음으로, 도 6의 (e)를 참조하면, 접착부(50)에 대응하는 도금막(20)의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 도금막(20b)과 박리막(20d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 도금막(20b)에서 박리막(20d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 도금막(20)으로부터 박리막(20d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(20d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(50)와 접착된 상태를 유지한다.Next, referring to (e) of FIG. 6, the laser L is irradiated to the region boundary of the plated film 20 corresponding to the adhesive portion 50 to separate between the plated film 20b and the release film 20d. Lines can be formed. That is, the peeling film 20d may be separated from the plating film 20 by performing laser trimming by irradiating a laser L to the boundary of the peeling film 20d in the plating film 20b. However, the release film 20d does not come off immediately and maintains the adhesive state with the adhesive portion 50.

다음으로, 도 5의 (f)를 참조하면, 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(20)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(50)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to (f) of FIG. 5, the adhesive portion 50 may be cleaned (C). According to the adhesive, a known cleaning material can be used without limitation, and the cleaning liquid can penetrate from the side surface of the plating film 20 to clean (C) the adhesive portion 50. Accordingly, the adhesive portion 50 can be completely removed.

이어서, 도금막(20)에서 분리된 박리막(20d)을 박리(P)한다. 박리막(20d)은 접착부(50)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 도금막(20)과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Next, the peeling film 20d separated from the plating film 20 is peeled (P). The peeling film 20d is detached from the plated film 20 instead of being bonded to the frame 30 by removing the adhesive portion 50 and can be removed immediately.

다음으로, 도 6의 (g)를 참조하면, 마스크(20)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(50)가 없고, 접착부(50)의 제거를 위해서 도금막(20)의 테두리(20b) 일부[박리막(20d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 도금막(20)에는 전혀 영향이 없게 된다.Next, referring to (g) of FIG. 6, the frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the frame-integrated mask 10 of the present invention does not have an adhesive portion 50 and removes only a part of the rim 20b of the plated film 20 (peel film 20d) to remove the adhesive portion 50, the pixel process There is no effect on the contributing plating film 20.

도 7 및 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.7 and 8 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention.

도 7의 (a) 내지 (c)는 도 5의 (a) 내지 (c)와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.7(a) to (c) are the same as in FIGS. 5(a) to (c), detailed descriptions thereof will be omitted.

다음으로, 도 7의 (d)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 제2 절연부(47)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(47)는 제1 절연부(45)와 동일한 재질인 것이 바람직하다. 제2 절연부(47)는 제1 도금막(20')의 테두리 영역(48)을 제외한 나머지 영역 상에 형성할 수 있다. 즉, 제2 절연부(47)는 제1 절연부(45)와 제1 도금막(20')을 전부 커버하고, 제1 도금막 테두리(20b)의 일부를 커버할 수 있다. 제1 도금막(20')의 테두리 영역(48)은 노출될 수 있다.Next, referring to (d) of FIG. 7, the mother plate 40 (or the cathode body 40) is lifted out of the plating solution (not shown). Then, the second insulating portion 47 can be formed. It is preferable that the second insulating portion 47 is made of the same material as the first insulating portion 45. The second insulating portion 47 may be formed on the remaining regions except for the edge region 48 of the first plating layer 20 ′. That is, the second insulating part 47 may cover the first insulating part 45 and the first plating film 20 ′, and may cover a part of the first plating film border 20b. The edge region 48 of the first plating layer 20 ′ may be exposed.

다음으로 도 8의 (a)를 참조하면, 프레임(30)의 상부에 도 7의 (d)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 7의 (d) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다. 프레임(30)은 제1 도금막(20')을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 바람직하게는 프레임(30)은 제1 도금막(20')의 노출 영역(49)을 제외한 나머지 테두리 영역(48)에 대응하는 형상을 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 8(a), the structure of FIG. 7(d) is placed on the upper part of the frame 30 by turning it over. Conversely, the frame 30 may be placed upside down on the structure (d) of FIG. 7. The frame 30 may have a shape surrounding the first plating film 20 ′. Preferably, the frame 30 may have a shape corresponding to the remaining edge regions 48 except for the exposed region 49 of the first plated film 20'.

제1 도금막(20')이 접촉하는 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에는 접착부(50)가 형성될 수 있다. 접착부(50)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(50)에 의해, 제1 도금막(20')의 테두리가 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 접착 고정될 수 있다. 접착부(50)와 접착되는 제1 도금막(20')의 테두리 부분은 추후에 제거되므로, 박리막(20d)[도 8의 (e) 참고]이라고 지칭한다. 또한, 설명의 편의를 위해 접착부(50)와 박리막(20d)의 폭이 다소 과장되게 도시되었음을 밝혀둔다. 접착부(50)는 제2 도금막(20c)을 형성하기 전에 제1 도금막(20')을 프레임(30)에 임시로 접착 고정할 정도의 범위에 코팅하면 충분하다.An adhesive portion 50 may be formed on an upper portion of the frame 30 (the connection frame 31) that the first plated film 20' contacts. As the adhesive of the adhesive portion 50, an epoxy resin adhesive or the like can be used. By the adhesive portion 50, the rim of the first plated film 20' may be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 (connection frame 31). Since the rim portion of the first plated film 20' to be adhered to the adhesive portion 50 is later removed, it is referred to as a release film 20d (see FIG. 8(e)). Also, for convenience of description, it is revealed that the widths of the adhesive portion 50 and the release film 20d are slightly exaggerated. Before forming the second plating film 20c, the adhesive portion 50 is sufficient to coat the first plating film 20' in a range sufficient to temporarily adhere and fix the frame 30 to the frame 30.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 전주 도금을 수행하여, 제2 도금막(20c)을 전착할 수 있다. 제2 도금막(20c)은 제2 절연부(47)와 접착부(50) 사이에 노출된 제1 도금막(20')의 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착될 수 있다. 제1 도금막(20')의 노출된 표면(49)으로부터 제2 도금막(20c)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 제2 절연부(47)의 상단을 넘기 전까지만 제2 도금막(20c)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제2 절연부(47)의 두께보다 제2 도금막(20c)의 두께가 더 작을 수 있다. 제2 도금막(20c)이 제1 도금막(20')의 노출된 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착되면서, 제1 도금막(20')과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 이때, 제2 도금막(20c)은 제1 도금막(20')의 테두리(20b)에 일체로 연결되며 전착되므로, 프레임(30) 방향[프레임(30) 내측 방향], 또는 외측 방향으로 인장력을 가하는 상태를 가지며 제1 도금막(20')을 지지할 수 있다. 그리하여, 별도로 마스크를 인장하고 정렬하는 과정을 수행할 필요없이, 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(20)를 프레임(30)과 일체로 형성할 수 있게 된다.Next, referring to (b) of FIG. 8, electroplating may be performed to electrodeposit the second plating film 20c. The second plated film 20c may be electrodeposited on the inner surface of the frame 49 and the surface 49 of the first plated film 20 ′ exposed between the second insulating portion 47 and the adhesive portion 50. . Since the second plated film 20c is thickened while being electrodeposited from the exposed surface 49 of the first plated film 20', the second plated film 20c is only provided until the upper end of the second insulating portion 47 is exceeded. It is preferred to form. That is, the thickness of the second plating layer 20c may be smaller than the thickness of the second insulating portion 47. As the second plating film 20c is electrodeposited on the exposed surface 49 of the first plating film 20' and the inner surface of the frame 30, the first plating film 20' and the frame 30 are integrated. It can be a medium that connects to. At this time, since the second plated film 20c is integrally connected and electrodeposited to the rim 20b of the first plated film 20', the tensile force in the frame 30 direction (the frame 30 inner direction), or the outer direction It has a state of applying and can support the first plating film 20'. Thus, it is possible to integrally form the mask 20 stretched to the side of the frame 30 tightly without the need to perform the process of tensioning and aligning the mask separately.

한편, 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)을 형성한 후에, 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)에 열처리를 수행할 수 있다.Meanwhile, after forming the first plating films 20a and 20b and the second plating film 20c, heat treatment may be performed on the first plating films 20a and 20b and the second plating films 20c.

다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 제1 절연부(45) 및 제2 절연부(47)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 제1 절연부(45) 및 제2 절연부(47)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 8의 (d) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 8의 (d)의 기판 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to (c) of FIG. 8, the first insulating portion 45 and the second insulating portion 47 may be removed. Only the first insulating portion 45 and the second insulating portion 47 such as photoresist, silicon oxide, and silicon nitride are removed, and a known technique that does not affect the rest of the configuration can be used without limitation. On the other hand, when the insulating portion is composed of silicon oxide and silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the process of FIG. 8(d) below may be performed immediately. Silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 may be separated/removed together through the substrate separation process of FIG. 8D.

다음으로, 도 8의 (d)를 참조하면, 제1 도금막(20')으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 마스크(20) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 마스크(20)와 마스크(20)를 지지하는 프레임(30)이 일체로 형성된 형태가 나타난다.Next, referring to (d) of FIG. 8, the conductive substrate 41 may be separated from the first plating film 20 ′. The conductive substrate 41 may be separated in the upper direction of the mask 20 and the frame 30. When the conductive substrate 41 is separated, a form in which the mask 20 and the frame 30 supporting the mask 20 are integrally formed.

한편, 도 8의 (d) 단계까지 수행한 프레임 일체형 마스크에는 접착부(50)가 잔존하게 된다. 접착부(50)의 효과 및 문제점은 도 6에서 상술한 바와 동일하다. 따라서, 본 발명은 도 8의 (e) 및 (f)와 같은 공정을 수행하여, 도금막(20)에 영향을 주지 않고, 접착부(50)만을 완전히 제거할 수 있다.On the other hand, the adhesive portion 50 remains in the frame-integrated mask performed up to step (d) of FIG. 8. The effects and problems of the adhesive portion 50 are the same as described above in FIG. 6. Therefore, the present invention can perform the process as shown in Figure 8 (e) and (f), without affecting the plating film 20, it is possible to completely remove only the adhesive portion (50).

도 8의 (e)를 참조하면, 접착부(50)에 대응하는 제1 도금막(20')의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 제1 도금막(20')과 박리막(20d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 제1 도금막(20')에서 박리막(20d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 제1 도금막(20')으로부터 박리막(20d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(20d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(50)와 접착된 상태를 유지한다.Referring to (e) of FIG. 8, the laser L is irradiated to the region boundary of the first plating film 20 ′ corresponding to the adhesive portion 50 to irradiate the first plating film 20 ′ and the peeling film 20d. A separation line can be formed between them. That is, the laser film is irradiated to the boundary of the peeling film 20d in the first plating film 20' to separate the peeling film 20d from the first plating film 20' by laser trimming. can do. However, the release film 20d does not come off immediately and maintains the adhesive state with the adhesive portion 50.

다음으로, 도 8의 (f)를 참조하면, 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(20)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(50)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to FIG. 8(f), the adhesive portion 50 may be cleaned (C). According to the adhesive, a known cleaning material can be used without limitation, and the cleaning liquid can penetrate from the side surface of the plating film 20 to clean (C) the adhesive portion 50. Accordingly, the adhesive portion 50 can be completely removed.

이어서, 제1 도금막(20')에서 분리된 박리막(20d)을 박리(P)한다. 박리막(20d)은 접착부(50)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 제1 도금막(20')과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Next, the peeling film 20d separated from the first plating film 20' is peeled (P). The peeling film 20d is detached from the first plated film 20' and not detached from the frame 30 by the adhesive portion 50 being removed, and can be removed immediately.

다음으로, 도 8의 (g)를 참조하면, 마스크(20)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(50)가 없고, 접착부(50)의 제거를 위해서 제1 도금막(20')의 테두리(20b) 일부[박리막(20d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)에는 전혀 영향이 없게 된다.Next, referring to FIG. 8(g), the frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the frame-integrated mask 10 of the present invention does not have an adhesive portion 50 and removes only a part of the border 20b (peel film 20d) of the first plated film 20' for removal of the adhesive portion 50, There is no effect on the first plating films 20a and 20b and the second plating films 20c contributing to the pixel process.

프레임(30)도 강성을 확보하면서 마스크(20)와 열팽창계수가 유사하도록, 전도성을 가지는 인바, 슈퍼 인바, SUS, Ti 등의 메탈 재질을 채용하는 것이 바람직하며, 마스크(20)와 동일한 인바, 슈퍼 인바 재질을 채용하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, OLED 화소 증착 공정에서 열에 의한 프레임(30)의 변형을 막기 위해 열변형율이 적은 재질을 채용하는 것이 바람직하다.It is preferable to adopt a metal material such as conductive invar, super invar, SUS, Ti, etc. so that the frame 30 has a similar thermal expansion coefficient to the mask 20 while securing rigidity, and the same invar as the mask 20, It is more preferable to adopt a super invar material. In addition, in order to prevent the deformation of the frame 30 due to heat in the OLED pixel deposition process, it is preferable to employ a material having a low thermal strain rate.

도 9는 도 2의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.9 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 2 is applied.

도 9를 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)를 실리콘 웨이퍼인 대상 기판(900)과 밀착시키고, 프레임(30) 부분만을 OLED 화소 증착 장치(200)에 내부에 고정시키는 것만으로 마스크(10)의 정렬이 완료될 수 있다. 원형의 마스크(20)는 연결 프레임(31)에 일체로 연결되어 그 테두리가 팽팽하게 지지되고, 테두리 전체에서 스트레스가 균일하게 분산되므로, 하중에 의해 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지될 수 있다. 이에 따라, 화소 증착에 필요한 마스크(10)의 정렬을 명확하게 할 수 있다.Referring to FIG. 9, the frame-integrated mask 10 is in close contact with the target substrate 900 which is a silicon wafer, and only the portion of the frame 30 is fixed to the OLED pixel deposition apparatus 200 therein. Alignment can be completed. The circular mask 20 is integrally connected to the connecting frame 31 so that the rim is tightly supported and stress is uniformly distributed throughout the rim, so that deformation such as being struck or distorted by a load can be prevented. Accordingly, alignment of the mask 10 required for pixel deposition can be clarified.

도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 장치에 적용한 상태를 나타내는 개략도이다.10 is a schematic diagram showing a state in which a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention is applied to an OLED pixel deposition apparatus.

도 10을 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10')는 원형의 마스크(20) 및 마스크에 일체로 연결된 프레임(30)을 포함할 수 있다. 이 점은 도 2의 프레임 일체형 마스크(10)와 동일하다. 차이점은 프레임 일체형 마스크(10')의 지지 프레임(35)은 프레임(30)[도 3 및 도 9 참조]처럼 곧바로 OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치되는 것이 아니며, OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)에 끼워지는 구성이다.Referring to FIG. 10, the frame-integrated mask 10 ′ may include a circular mask 20 and a frame 30 integrally connected to the mask. This is the same as the frame-integrated mask 10 of FIG. 2. The difference is that the support frame 35 of the frame-integrated mask 10' is not directly fixedly installed inside the OLED pixel deposition apparatus 200 like the frame 30 (see FIGS. 3 and 9), and the OLED pixel deposition apparatus ( 200) It is configured to be fitted to the recessed portion 801 of the frame 800 fixedly installed therein.

지지 프레임(35)에는 함몰부(801)에 끼워질 수 있는 돌출부(37)가 더 형성될 수 있고, 제조된 프레임 일체형 마스크(10')를 OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)에 끼울 수 있다. 함몰부(801)는 복수개의 프레임 일체형 마스크(10')에 형성된 지지 프레임(35) 또는 돌출부(37)에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.The support frame 35 may be further formed with a projection 37 that can be fitted into the depression 801, and the frame integrally installed with the manufactured frame 10' is fixedly installed inside the OLED pixel deposition apparatus 200 ( 800) can be fitted to the depression 801. The depression 801 may be formed in a shape corresponding to the support frame 35 or the protrusion 37 formed on the plurality of frame-integrated masks 10'.

미리 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)가 가이드 레일(guide rail) 역할을 하여, 제조된 프레임 일체형 마스크(10')를 함몰부(801)에 끼워서 슬라이딩 하는 것만으로 마스크의 정렬을 완료할 수 있다. 일 예로, 사각형 형태의 지지 프레임(35)은 함몰부(801)에 끼워지면 유동하지 않고 단단히 고정될 수 있다. 다른 예로, 평행한 한 쌍의 직선 형태인 지지 프레임(35)을 구비한 경우, 지지 프레임(35)은 슬라이딩 형태로 함몰부(801)에 끼워질 수도 있고, 복수개의 프레임 일체형 마스크(10')를 슬라이딩 형태로 밀어서 배치하는 것도 가능하다.The recess 801 of the pre-installed frame 800 serves as a guide rail, and the alignment of the mask can be completed by simply sliding the inserted frame-integrated mask 10' into the recess 801 and sliding it. Can. For example, when the rectangular shape of the support frame 35 is fitted into the depression 801, it may be fixed without flowing. As another example, when a pair of parallel supporting frames 35 are provided, the supporting frames 35 may be fitted into the depressions 801 in a sliding form, and a plurality of frame-integrated masks 10' It is also possible to arrange the sliding by sliding.

위와 같이, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가지는 마스크(20)를 포함하므로, 마스크(20) 테두리 전체에서 스트레스가 균일하게 분산되어 초미세의 마스크 패턴(PP)을 구비할 수 있으며, 마이크로 디스플레이에서 2,000 PPI 이상의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는 마스크(20)를 형성함과 동시에 프레임(30)에 일체형으로 구성하고, 마스크(20)와 대응하는 형상의 연결 프레임(31)에 스트레스를 균일하게 분산시키도록 일체로 연결됨에 따라, 마스크(20)의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는, 마스크(20)가 프레임(30)과 일체로 연결되므로, 프레임(30)만을 OLED 화소 증착 장치(200)로 이동하고 설치하는 과정만으로 마스크(20)의 정렬이 완료될 수 있는 효과가 있다.As described above, since the frame-integrated masks 10 and 10 ′ of the present invention include a mask 20 having a shape corresponding to a silicon wafer, stress is uniformly distributed throughout the rim of the mask 20 and the ultrafine mask pattern (PP) may be provided, and there is an effect of realizing an ultra-high definition pixel of 2,000 PPI or more in a micro display. In addition, the frame-integrated masks 10 and 10' of the present invention form a mask 20 and are integrally formed with the frame 30 and stress the connecting frame 31 of a shape corresponding to the mask 20. As it is integrally connected to uniformly disperse, it is possible to prevent deformation of the mask 20 and to make alignment clear. In addition, the frame-integrated masks 10 and 10' of the present invention, since the mask 20 is integrally connected to the frame 30, only the frame 30 is moved to the OLED pixel deposition apparatus 200 and installed. There is an effect that the alignment of the mask 20 can be completed.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments, as described above, but is not limited to the above embodiments, and can be varied by those skilled in the art to which the invention pertains without departing from the spirit of the invention. Modifications and modifications are possible. Such modifications and variations are to be regarded as falling within the scope of the invention and appended claims.

10, 10': 프레임 일체형 마스크
20: 마스크, 도금막
20a: 마스크 바디부
20b: 마스크 지지부
30: 프레임
31: 연결 프레임
35: 지지 프레임
40: 모판
100: 종래의 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask)
200, 300: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
PP: 화소 패턴, 마스크 패턴10, 10': Frame-integrated mask
20: mask, plating film
20a: mask body
20b: mask support
30: frame
31: connecting frame
35: support frame
40: bed
100: conventional mask, shadow mask, FMM (Fine Metal Mask)
200, 300: OLED pixel deposition device
DP: display pattern
PP: pixel pattern, mask pattern

Claims (9)

실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계;
(b) 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계;
(c) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;
(d) 마스크와 프레임을 용접하여 부착하는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer,
(a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered;
(b) bonding the edge portion of the second side opposite to the first side of the mask on the frame;
(c) separating the substrate from the mask;
(d) welding and attaching the mask and the frame;
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a. 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계;
(b) 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계;
(c) 전주 도금을 수행하여 마스크와 프레임을 부착하는 단계;
(d) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer,
(a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered;
(b) bonding the edge portion of the second side opposite to the first side of the mask on the frame;
(c) attaching the mask and the frame by performing electroplating;
(d) separating the substrate from the mask;
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a. 제1항에 있어서,
(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고,
(d) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역에 레이저를 조사하여 마스크와 프레임을 용접 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
In step (b), the mask edge portion and the frame are bonded via an adhesive portion,
In the step (d), a method of manufacturing a frame-integrated mask, wherein the mask and the frame are welded by irradiating a laser to an area inside the area where the adhesive portion is formed. 제2항에 있어서,
(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고,
(c) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측의 하부 영역 일부를 노출시키고, 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 2,
In step (b), the mask edge portion and the frame are bonded via an adhesive portion,
In step (c), a method of manufacturing a frame-integrated mask is performed by exposing a portion of a lower region inside the region where the adhesive portion is formed and depositing a plating film to deposit the mask and the frame. 제1항에 있어서,
(b) 단계에서, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 프레임에 접착되고,
(d) 단계 이후, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태를 유지하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
In step (b), the mask is adhered to the frame in a state of receiving a tensile force in the outer direction,
After the step (d), the mask remains in a state of receiving a tensile force in the outer direction, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 제1항 또는 제2항에 있어서,
(e) 접착부가 형성된 영역과 마스크와 프레임이 부착된 영역 사이에 레이저를 조사하여 마스크 테두리 부분을 레이저 트리밍 하는 단계;
(f) 접착부를 세정하여 레이저 트리밍 된 마스크 테두리 부분을 박리하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
(e) laser trimming the edge of the mask by irradiating a laser between the area where the adhesive portion is formed and the mask and the frame are attached;
(f) washing the adhesive portion and peeling off the laser trimmed mask edge portion
The method of manufacturing a frame-integrated mask further comprising a. 제1항 또는 제2항에 있어서,
(a) 단계는,
(a1) 절연부가 제1 면 상에 형성된 전도성의 기재를 준비하는 단계;
(a2) 기재의 노출된 표면에서 도금막이 형성되어 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크가 제조되는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
Step (a),
(a1) preparing a conductive substrate having an insulating portion formed on a first surface;
(a2) a plated film is formed on the exposed surface of the substrate to produce a mask including a plurality of mask patterns;
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a. 제2항에 있어서,
(a) 단계와 (b) 단계 사이에서, 마스크의 제2 면 상의 테두리 부분을 제외한 나머지 영역의 일부에 제2 절연부를 형성하고,
(c) 단계에서, 프레임과 접착된 영역과 제2 절연부가 형성된 영역을 제외한 마스크의 제2 면 상의 노출된 영역에 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 2,
Between steps (a) and (b), a second insulating portion is formed in a part of the remaining areas except for the border portion on the second surface of the mask,
In the step (c), the method of manufacturing the frame-integrated mask, wherein the mask and the frame are plated by electrodepositing the plating film on the exposed areas on the second surface of the mask except for the area bonded to the frame and the area where the second insulating portion is formed. 제1항에 있어서,
프레임은,
마스크와 연결되는 연결 프레임; 및
연결 프레임의 하부에 일체로 연결되며, 마스크 및 연결 프레임을 지지하는 지지 프레임
을 포함하고,
연결 프레임은 원형 링 형상이며,
마스크의 형상은 원형인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
The frame,
A connection frame connected to the mask; And
Support frame that is integrally connected to the lower part of the connection frame and supports the mask and the connection frame
Including,
The connecting frame has a circular ring shape,
The shape of the mask is circular, and a method for manufacturing a frame-integrated mask.
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