KR102280187B1 - Producing method of mask integrated frame - Google Patents

Abstract

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 프레임 일체형 마스크의 제조 방법은, 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계; (b) 기재를 뒤집어 배치하여 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계; (c) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계; (d) 마스크와 프레임을 용접하여 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask. A method for manufacturing a frame-integrated mask according to the present invention is a method for manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer, (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered to do; (b) adhering the edge portion of the second surface opposite to the first surface of the mask on the frame by turning the substrate upside down; (c) separating the substrate from the mask; (d) welding and attaching the mask and the frame.

Description

프레임 일체형 마스크의 제조 방법 {PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}Manufacturing method of frame-integrated mask {PRODUCING METHOD OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실리콘 웨이퍼 상에 화소를 형성할 때 사용하고, 프레임과 마스크가 일체를 이루어 마스크의 변형을 방지함에 따라 고해상도를 구현할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask. More particularly, it relates to a method of manufacturing a frame-integrated mask that is used when forming a pixel on a silicon wafer and can achieve high resolution by forming a frame and a mask as one unit to prevent deformation of the mask.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, in the manufacture of thin plates, research on an electroforming method has been conducted. The electroplating method immerses the anode body and the cathode body in an electrolyte, and applies power to electrodeposit a thin metal plate on the surface of the cathode body, so that an ultra-thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, as a technology for forming a pixel in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method is mainly used to deposit an organic material at a desired position by attaching a thin metal mask to the substrate.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크 박막을 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용하는데, 고정시키는 과정에서 대면적 마스크의 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.In the existing OLED manufacturing process, after manufacturing the mask thin film, the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame, but there was a problem in that the large-area mask was not well aligned during the fixing process. In addition, since the thickness of the mask film is too thin and has a large area during welding and fixing to the frame, there is a problem in that the mask is sagged or twisted by a load.

초고화질의 OLED 제조 공정에서는 수 ㎛의 미세한 정렬의 오차도 화소 증착의 실패로 이어 질 수 있으므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the ultra-high-definition OLED manufacturing process, even a micro-alignment error of several μm can lead to the failure of pixel deposition. Therefore, it is necessary to develop a technology that can prevent deformation such as sagging or warping of the mask and clarify alignment. the current situation.

한편, 최근에는 VR(virtual reality) 기기에 적용되는 마이크로 디스플레이(micro display)가 주목받고 있다. 마이크로 디스플레이는 VR 기기에서 사용자의 바로 눈 앞에서 영상을 나타내기 위해, 기존의 디스플레이들보다 더욱 작은 화면 크기를 가지면서도, 작은 화면 내에서 고화질을 구현해야 한다. 따라서, 기존의 초고화질의 OLED 제조 공정에 사용되는 마스크보다 크기가 작은 마스크 패턴과, 화소 증착 공정 전에 마스크의 더욱 미세한 정렬이 필요한 실정이다.Meanwhile, recently, a micro display applied to a VR (virtual reality) device is attracting attention. In order to display an image right in front of the user's eyes in a VR device, the micro display has to have a smaller screen size than existing displays, and high quality must be realized within a small screen. Therefore, a mask pattern smaller in size than a mask used in the existing ultra-high-definition OLED manufacturing process and a finer alignment of the mask before the pixel deposition process are required.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마이크로 디스플레이(micro display)의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of realizing ultra-high-resolution pixels of a micro display.

또한, 본 발명은 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask capable of improving the stability of pixel deposition by clarifying the alignment of the mask.

본 발명의 상기의 목적은, 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계; (b) 기재를 뒤집어 배치하여 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계; (c) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계; (d) 마스크와 프레임을 용접하여 부착하는 단계;를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask used in a process for forming a pixel on a silicon wafer, the method comprising: (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered; (b) adhering the edge portion of the second surface opposite to the first surface of the mask on the frame by turning the substrate upside down; (c) separating the substrate from the mask; (d) welding and attaching the mask and the frame; including, achieved by a method of manufacturing a frame-integrated mask.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계; (b) 기재를 뒤집어 배치하여 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계; (c) 전주 도금을 수행하여 마스크와 프레임을 부착하는 단계; (d) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel forming process on a silicon wafer, comprising the steps of (a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered ; (b) adhering the edge portion of the second surface opposite to the first surface of the mask on the frame by turning the substrate upside down; (c) attaching the mask and the frame by performing electroplating; (d) separating the substrate from the mask;

(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고, (d) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역에 레이저를 조사하여 마스크와 프레임을 용접 부착할 수 있다.In step (b), the mask edge portion and the frame are bonded through the bonding portion, and in step (d), the mask and the frame may be welded and attached by irradiating a laser to an area inside the area where the bonding portion is formed.

(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고, (c) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측의 하부 영역 일부를 노출시키고, 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착할 수 있다.In step (b), the mask edge part and the frame are adhered through the adhesive part, and in step (c), a part of the lower region inside the region where the adhesive part is formed is exposed, and the mask and the frame are plated and attached by electrodepositing the plating film. can

(b) 단계에서, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 프레임에 접착되고, (d) 단계 이후, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태를 유지할 수 있다.In step (b), the mask may be adhered to the frame in a state of receiving a tensile force in an outward direction, and after step (d), the mask may maintain a state of receiving a tensile force in an outward direction.

(e) 접착부가 형성된 영역과 마스크와 프레임이 부착된 영역 사이에 레이저를 조사하여 마스크 테두리 부분을 레이저 트리밍 하는 단계; (f) 접착부를 세정하여 레이저 트리밍 된 마스크 테두리 부분을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.(e) laser trimming the edge of the mask by irradiating a laser between the area where the adhesive portion is formed and the area where the mask and the frame are attached; (f) cleaning the adhesive portion may further include peeling the laser-trimmed mask edge portion.

(a) 단계는, (a1) 절연부가 제1 면 상에 형성된 전도성의 기재를 준비하는 단계; (a2) 기재의 노출된 표면에서 도금막이 형성되어 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크가 제조되는 단계;를 포함할 수 있다.(a) step, (a1) preparing a conductive substrate in which an insulating portion is formed on the first surface; (a2) forming a plating film on the exposed surface of the substrate to prepare a mask including a plurality of mask patterns; may include.

(a) 단계와 (b) 단계 사이에서, 마스크의 제2 면 상의 테두리 부분을 제외한 나머지 영역의 일부에 제2 절연부를 형성하고, (c) 단계에서, 프레임과 접착된 영역과 제2 절연부가 형성된 영역을 제외한 마스크의 제2 면 상의 노출된 영역에 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착할 수 있다.Between steps (a) and (b), a second insulating portion is formed in a portion of the remaining region except for the edge portion on the second surface of the mask, and in step (c), the region bonded to the frame and the second insulating portion The mask and the frame may be attached by plating by electrodepositing a plating film on the exposed area on the second surface of the mask except for the formed area.

프레임은, 마스크와 연결되는 연결 프레임; 및 연결 프레임의 하부에 일체로 연결되며, 마스크 및 연결 프레임을 지지하는 지지 프레임을 포함하고, 연결 프레임은 원형 링 형상이며, 마스크의 형상은 원형일 수 있다.The frame may include a connection frame connected to the mask; and a support frame integrally connected to the lower portion of the connection frame and supporting the mask and the connection frame, wherein the connection frame has a circular ring shape, and the shape of the mask may be circular.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마이크로 디스플레이(micro display)의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect of realizing ultra-high-definition pixels of a micro display.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크의 정렬을 명확하게 하여 화소 증착의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the stability of the pixel deposition by clarifying the alignment of the mask.

도 1은 종래의 FMM을 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 4는 도 2의 A-A' 측단면도이다.
도 5 및 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7 및 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 9는 도 2의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 장치에 적용한 상태를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using a conventional FMM.
2 is a schematic diagram illustrating a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram illustrating a mask pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a side cross-sectional view AA′ of FIG. 2 .
5 and 6 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
7 and 8 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 2 is applied.
10 is a schematic diagram illustrating a state in which a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention is applied to an OLED pixel deposition apparatus.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0023] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the detailed description set forth below is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions in various aspects, and the length, area, thickness, etc., and the shape thereof may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention.

도 1은 종래의 FMM(100)을 이용한 OLED 화소 증착 장치(200)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 200 using a conventional FMM 100 .

도 1을 참조하면, 일반적으로 OLED 화소 증착 장치(200)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , in general, the OLED pixel deposition apparatus 200 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated, a coolant line 350 is disposed, and an organic material source from a lower portion of the magnet plate 300 . and a deposition source supply unit 500 for supplying 600 .

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 FMM(100)이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의한 인력으로 FMM(100)이 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500 . The FMM 100 , which causes the organic material source 600 to be deposited for each pixel, may be closely attached to the target substrate 900 or disposed in close proximity to the target substrate 900 . The magnet 310 may generate a magnetic field, and the FMM 100 may be in close contact with the target substrate 900 by attractive force by the magnetic field.

FMM(100)은 대상 기판(900)에 밀착되기 전에 얼라인(align)이 필요하다. 하나의 마스크 또는 복수의 마스크는 프레임(800)에 결합될 수 있다. 프레임(800)은 OLED 화소 증착 장치(200) 내에 고정 설치되고, 마스크는 별도의 부착, 용접 공정을 거쳐 프레임(800)에 결합될 수 있다.The FMM 100 needs to be aligned before being in close contact with the target substrate 900 . One mask or a plurality of masks may be coupled to the frame 800 . The frame 800 may be fixedly installed in the OLED pixel deposition apparatus 200 , and the mask may be coupled to the frame 800 through a separate attachment and welding process.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 FMM 마스크(100)에 형성된 패턴(PP)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. FMM 마스크(100)의 패턴을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic material source 600 while reciprocating left and right paths, and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply unit 500 pass through the pattern PP formed on the FMM mask 100 . Thus, it may be deposited on one side of the target substrate 900 . The deposited organic material source 600 passing through the pattern of the FMM mask 100 may act as a pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, FMM 마스크(100)의 패턴(PP)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴(PP)을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 due to the shadow effect, the pattern PP of the FMM mask 100 may be formed to be inclined S (or formed to have a tapered shape S). . Since the organic material sources 600 passing through the pattern PP in a diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700 , the pixel 700 may be deposited with a uniform thickness as a whole.

도 1에서 FMM(100)은 스틱형(Stick-Type) 또는 플레이트형(Plate-Type)으로 제조되어 대면적의 대상 기판(900)에 대하여 화소 증착 공정을 수행할 수 있다. 다만, 최근에 VR(virtual reality) 기기에 적용되는 마이크로 디스플레이(micro display)는 대면적의 대상 기판(900)이 아닌, 실리콘 웨이퍼에 대하여 화소 증착 공정을 수행할 수 있다. 마이크로 디스플레이는 화면이 사용자의 눈 앞에 바로 위치하게 되므로, 대면적의 크기보다는 약 1 ~ 2인치 크기 정도로 작은 화면을 가지게 된다. 이에 더하여, 사용자의 눈 앞에 가까이 위치하기 때문에 해상도는 더욱 높게 구현될 필요가 있다.In FIG. 1 , the FMM 100 may be manufactured in a stick-type or plate-type, so that a pixel deposition process may be performed on a large-area target substrate 900 . However, a micro display recently applied to a virtual reality (VR) device may perform a pixel deposition process on a silicon wafer instead of a large-area target substrate 900 . Since the screen of the micro display is positioned right in front of the user's eyes, the micro display has a small screen of about 1 to 2 inches rather than a large area. In addition, since it is located close to the user's eyes, the resolution needs to be higher.

따라서, 본 발명은 대면적의 대상 기판(900)에 대한 화소 형성 공정에서 사용하기 보다는, 200mm, 300mm, 450mm 급의 실리콘 웨이퍼 상에서 화소 형성 공정을 진행하되 초고화질로서 화소를 형성할 수 있는 프레임 일체형 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, rather than being used in the pixel forming process for the large-area target substrate 900, the pixel forming process is performed on 200mm, 300mm, and 450mm class silicon wafers, but a frame-integrated frame capable of forming pixels with ultra-high resolution The purpose is to provide a mask.

예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 실리콘 웨이퍼의 경우, 반도체 공정에서 개발된 기술을 활용하여 유리기판에 비해 미세하고 정밀한 공정이 가능하므로 고해상도 마이크로 디스플레이의 기판으로 채용될 수 있다. 그리고, 본 발명은 이러한 실리콘 웨이퍼 상에 화소를 형성할 수 있는 프레임 일체형 마스크인 것을 특징으로 한다.For example, in the case of the current QHD image quality, the pixel size reaches about 30-50㎛ with 500-600 PPI (pixel per inch), and in the case of 4K UHD and 8K UHD high-definition, higher ~860 PPI, ~1600 PPI resolution, etc. A micro display applied directly to a VR device or a micro display used by inserting a VR device aims for an ultra-high resolution of about 2,000 PPI or higher, and the size of the pixel reaches about 5 to 10 μm. In the case of a silicon wafer, it can be used as a substrate for a high-resolution micro-display because it can be processed more precisely and finely than a glass substrate by utilizing a technology developed in the semiconductor process. And, the present invention is characterized in that it is a frame-integrated mask capable of forming a pixel on such a silicon wafer.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크(10)를 나타내는 개략도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 패턴(DP, PP)을 나타내는 개략도로서, 도 3의 (a)는 도 2의 마스크(20) 부분의 평면도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 B-B' 확대 측단면도이다. 도 4는 도 2의 A-A' 측단면도이다.2 is a schematic diagram illustrating a frame-integrated mask 10 according to an embodiment of the present invention. 3 is a schematic view showing mask patterns DP and PP according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 (a) is a plan view of a portion of the mask 20 of FIG. 2, and FIG. 3 (b) is FIG. 3 BB' is an enlarged cross-sectional side view of (a). 4 is a side cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 2 .

본 발명은 실리콘 웨이퍼를 대상 기판(900)[도 6 및 도 7 참조]으로 하여 화소 증착 공정을 수행하기 위해, 마스크(20)가 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가지는 것을 특징으로 한다. 마스크(20)의 형상이 실리콘 웨이퍼에 대응한다는 의미는, 마스크(20)가 실리콘 웨이퍼와 동일한 크기의 형상을 가지거나, 실리콘 웨이퍼와 크기는 상이하지만 동일한 형상을 가지며 동축을 이룬 상태까지 포함하는 것임을 밝혀둔다. 또한, 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가진 마스크(20)는 프레임(30)과 일체로 연결되어 마스크 정렬을 명확하게 하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the mask 20 has a shape corresponding to the silicon wafer in order to perform the pixel deposition process using the silicon wafer as the target substrate 900 (see FIGS. 6 and 7 ). Meaning that the shape of the mask 20 corresponds to the silicon wafer means that the mask 20 has the same size as the silicon wafer or is different from the silicon wafer but has the same shape and is coaxial. make it clear In addition, the mask 20 having a shape corresponding to the silicon wafer is integrally connected to the frame 30 to clarify the mask alignment.

도 2를 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)는 마스크(20) 및 프레임(30)을 포함하고, 프레임(30)의 일부 표면에 마스크(20)가 부착될 수 있다. 마스크(20) 중 프레임(30)에 부착되지 않고 마스크 패턴(DP, PP)이 형성된 부분을 마스크 바디부(20a), 프레임(30)에 일부 부착된 부분을 마스크 지지부(20b)로 나타낸다. 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 형성된 위치에 따라 명칭과 부호를 달리 기재하였지만, 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 분리된 영역이 아니며, 동일한 재질을 가지며 일체로 연결되는 구성이다. 다시 말해, 마스크 바디부(20a)와 마스크 지지부(20b)는 마스크(20)를 형성하는 전주 도금(electroforming) 공정에서 전착 도금되어 동시에 형성되는 도금막 또는 마스크(20: 20a, 20b)의 각 부분이다. 이하의 설명에서 마스크 바디부(20a), 마스크 지지부(20b)는 도금막 또는 마스크(20: 20a, 20b)와 혼용되어 사용될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the frame-integrated mask 10 includes a mask 20 and a frame 30 , and the mask 20 may be attached to some surfaces of the frame 30 . A portion of the mask 20 on which the mask patterns DP and PP are formed without being attached to the frame 30 is represented as a mask body portion 20a, and a portion partially attached to the frame 30 is represented by a mask support portion 20b. The mask body part 20a and the mask support part 20b have different names and symbols depending on the positions where they are formed, but the mask body part 20a and the mask support part 20b are not separate regions, they have the same material and are integrally formed. It is a connected configuration. In other words, the mask body portion 20a and the mask support portion 20b are electrodeposited in an electroforming process for forming the mask 20 to form a plating film or each portion of the mask 20: 20a, 20b. am. In the following description, the mask body part 20a and the mask support part 20b may be used interchangeably with the plating film or the masks 20: 20a, 20b.

마스크(20)는 인바(invar) 또는 슈퍼 인바(super invar) 재질인 것이 바람직하고, 원형의 실리콘 웨이퍼에 대응하도록 원형의 형상일 수 있다. 마스크(20)는 200mm, 300mm, 450mm 등의 실리콘 웨이퍼에 상응하는 크기를 가질 수 있다.The mask 20 is preferably made of an invar or super invar material, and may have a circular shape to correspond to a circular silicon wafer. The mask 20 may have a size corresponding to a silicon wafer of 200 mm, 300 mm, 450 mm, or the like.

종래의 마스크는 대면적 기판에 대응하도록 사각, 다각형 등의 형태를 가진다. 그리고, 이 마스크에 대응하도록 프레임도 사각, 다각형 등의 형태를 가지게 되며, 마스크가 각진 모서리를 포함하므로, 모서리에 스트레스(stress)가 집중되는 문제점이 발생할 수 있다. 스트레스가 집중되면 마스크의 일부분에만 다른 힘이 작용하게 되므로, 마스크가 뒤틀리거나 일그러질 수 있고, 이는 화소 정렬의 실패로 이어질 수 있다. 특히나, 2,000 PPI 이상의 초고화질에서는 마스크의 모서리에 스트레스가 집중되는 것을 피해야 한다.A conventional mask has a shape of a rectangle, a polygon, etc. to correspond to a large-area substrate. In addition, the frame also has the shape of a square or polygon to correspond to the mask, and since the mask includes angled corners, a problem in which stress is concentrated at the corners may occur. When the stress is concentrated, different forces are applied to only a part of the mask, and thus the mask may be distorted or distorted, which may lead to pixel alignment failure. In particular, it is necessary to avoid the concentration of stress on the edge of the mask in the ultra-high resolution of 2,000 PPI or higher.

따라서, 본 발명의 마스크(20)는 원형의 형상을 가짐에 따라, 모서리를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 모서리가 없으므로, 마스크(20)의 특정 부분에 다른 힘이 작용하게 되는 문제를 해소할 수 있고, 원형 테두리를 따라서 스트레스가 균일하게 분산될 수 있다. 이에 따라, 마스크(20)가 뒤틀리거나 일그러지지 않고, 화소 정렬을 명확히 하는데 기여할 수 있게 되며, 2,000 PPI 이상의 마스크 패턴(PP)을 구현할 수 있는 이점을 지닌다. 본 발명은 열팽창계수가 낮은 원형의 실리콘 웨이퍼와, 스트레스가 테두리를 따라 균일하게 분산되는 원형의 마스크(20)를 대응시켜 화소 증착 공정을 수행함에 따라, 약 5~10㎛ 정도에 이르는 화소를 증착할 수 있게 된다.Accordingly, the mask 20 of the present invention is characterized in that it has a circular shape and does not include an edge. Since there are no corners, it is possible to solve the problem that different forces are applied to a specific part of the mask 20 , and stress can be uniformly distributed along the circular rim. Accordingly, the mask 20 is not distorted or distorted, and it is possible to contribute to clarifying pixel alignment, and has the advantage of implementing a mask pattern PP of 2,000 PPI or more. According to the present invention, the pixel deposition process is performed by matching a circular silicon wafer with a low coefficient of thermal expansion and a circular mask 20 in which stress is uniformly distributed along the edge, thereby depositing pixels having a size of about 5 to 10 μm. be able to do

도 3의 (a)를 참조하면, 마스크 바디부(20a)에는 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 형성될 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)은 마이크로 디스플레이 하나에 대응하는 패턴으로서, 대각선의 길이가 약 1~2 인치 정도일 수 있다. 디스플레이 패턴(DP)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)을 확인할 수 있다. 화소 패턴(PP)들은 측부가 기울어진 형상, 테이퍼(Taper) 형상, 또는 상부에서 하부로 갈수록 패턴 폭이 넓어지는 형상을 가질 수 있다. 수많은 화소 패턴(PP)들은 군집을 이루어 디스플레이 패턴(DP) 하나를 구성하며, 복수의 디스플레이 패턴(DP)이 마스크(20)에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A , a plurality of display patterns DP may be formed on the mask body 20a. The display pattern DP is a pattern corresponding to one micro display, and may have a diagonal of about 1 to 2 inches. When the display pattern DP is enlarged, a plurality of pixel patterns PP corresponding to R, G, and B may be identified. The pixel patterns PP may have a shape in which the side is inclined, a taper shape, or a shape in which the pattern width increases from the top to the bottom. Numerous pixel patterns PP are grouped to form one display pattern DP, and a plurality of display patterns DP may be formed on the mask 20 .

즉, 본 명세서에서 디스플레이 패턴(DP)은 패턴 하나를 나타내는 개념은 아니며, 하나의 디스플레이에 대응하는 복수의 화소 패턴(PP)들이 군집된 개념으로 이해되어야 한다. 이하에서는 화소 패턴(PP)을 마스크 패턴(PP)과 혼용한다.That is, in the present specification, the display pattern DP is not a concept representing one pattern, and it should be understood as a concept in which a plurality of pixel patterns PP corresponding to one display are clustered. Hereinafter, the pixel pattern PP is mixed with the mask pattern PP.

마스크 패턴(PP)은 대략 테이퍼 형상을 가질 수 있고, 패턴 폭은 수 내지 십수㎛의 크기, 바람직하게는 약 5~10㎛의 크기(2,000 PPI 이상의 해상도)로 형성될 수 있다. 마스크 패턴(PP)은 PR을 통한 패터닝 [도 5 참조], 레이저 가공 등을 통해 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 마스크 패턴(PP)은 도 3에서 상술한 화소 패턴(PP)/디스플레이 패턴(DP)의 구성과 동일하다.The mask pattern PP may have a substantially tapered shape, and the pattern width may be formed to have a size of several to tens of μm, preferably about 5 to 10 μm (resolution of 2,000 PPI or more). The mask pattern PP may be formed through patterning through PR (see FIG. 5 ), laser processing, or the like, but is not limited thereto. The mask pattern PP has the same configuration as the pixel pattern PP/display pattern DP described above with reference to FIG. 3 .

프레임(30)은 마스크(20) 또는 도금막(20)의 적어도 일부에 접합될 수 있다. 더 상세하게는, 마스크(20)에서 마스크 패턴(PP)이 형성된 영역인 마스크 바디부(20a)의 영역을 제외한 나머지 영역인 마스크 지지부(20b)가 프레임(30)에 접합될 수 있다.The frame 30 may be bonded to the mask 20 or at least a portion of the plating layer 20 . In more detail, the mask support part 20b that is the remaining region of the mask 20 excluding the region of the mask body part 20a that is the region where the mask pattern PP is formed may be bonded to the frame 30 .

마스크(20)를 쳐지거나 뒤틀리지 않게 팽팽하게 지지할 수 있도록, 프레임(30)은 마스크(20)의 테두리를 둘러싸는 형상을 가지는 것이 바람직하다. The frame 30 preferably has a shape surrounding the rim of the mask 20 so that the mask 20 can be tightly supported without sagging or twisting.

더 살펴보면, 프레임(30)은 마스크(20)와 연결되는 연결 프레임(31) 및 연결 프레임(31)의 하부에서 연결 프레임(31)과 일체로 연결되며, 마스크(20) 및 연결 프레임(31)을 지지하는 지지 프레임(35)을 포함할 수 있다.In more detail, the frame 30 is integrally connected with the connection frame 31 connected to the mask 20 and the connection frame 31 under the connection frame 31 , and the mask 20 and the connection frame 31 . It may include a support frame 35 for supporting the.

이 중에서, 연결 프레임(31)은 마스크(20)의 형상에 대응되면서도, 마스크(20)의 테두리[마스크 지지부(20b)]와 연결될 수 있도록 원형인 것이 바람직하고, 연결 프레임(31)이 마스크 바디부(20a)의 마스크 패턴(PP)을 가리지 않도록, 중공 형태, 링 형태를 가지는 것이 바람직하다. 즉, 연결 프레임(31)은 원형 링 형상을 가질 수 있다. 한편, 지지 프레임(35)은 연결 프레임(31)의 하부에서 일체로 연결되는 형상이라면, 원형 링 형상, 사각 링 형상 등 가운데 부분이 비어있는 범위 내에서 다양한 형상을 가질 수 있다. 본 발명에서는 사각 링 형상의 지지 프레임(35)을 상정하여 도시한다.Among them, the connection frame 31 is preferably circular so that it can be connected to the edge of the mask 20 (mask support portion 20b) while corresponding to the shape of the mask 20, and the connection frame 31 is the mask body. It is preferable to have a hollow shape or a ring shape so as not to cover the mask pattern PP of the portion 20a. That is, the connection frame 31 may have a circular ring shape. On the other hand, if the support frame 35 is integrally connected at the lower portion of the connection frame 31 , it may have various shapes within a range in which the center portion is empty, such as a circular ring shape or a square ring shape. In the present invention, a support frame 35 having a rectangular ring shape is assumed and illustrated.

도 2 및 도 4를 참조하면, 마스크(20)의 외주 방향을 따라, 연결 프레임(31)에 부착된 마스크(20)[마스크 지지부(20b)]의 폭(W)은 일정할 수 있다. 즉, 원형 마스크(20)의 테두리[마스크 지지부(20b)] 모든 부분과 연결 프레임(31)이 부착되는 면적이 일정할 수 있다. 마스크(20) 테두리의 모든 부분에서 연결 프레임(31)과 부착되는 면적이 일정하게 되므로, 스트레스가 균일하게 분산되는 효과를 가지며, 마스크(20)를 원형으로 형성함에 따라 스트레스가 균일하게 분산되는 효과가 더욱 향상될 수 있다.2 and 4 , along the outer circumferential direction of the mask 20 , the width W of the mask 20 (mask support part 20b ) attached to the connection frame 31 may be constant. That is, an area to which all portions of the rim (mask support portion 20b) of the circular mask 20 and the connection frame 31 are attached may be constant. Since the area to be attached to the connection frame 31 at all parts of the edge of the mask 20 becomes constant, the stress is uniformly distributed, and the stress is uniformly distributed as the mask 20 is formed in a circular shape. can be further improved.

한편, 마스크(20)는 마스크(20)의 외주[마스크 지지부(20b)]에서 프레임 방향으로 인장력(F)이 가해진 상태로 프레임(30)[연결 프레임(31)]과 일체로 연결될 수 있다. 프레임 방향은 마스크(20) 외주 접선에 수직한 방향, 또는 방사(radial) 방향이 대응할 수 있다. 이러한 인장력(F)은 프레임(30) 상에 마스크(20)가 일체로 전착되는 전주 도금 공정 조건과, 상온보다 높은 온도에서 전착 후 상온으로 온도 하강에 따른 온도 차에 의한 마스크(20)의 수축에 의해 유발될 수 있다. 인장력(F)은 마스크(20)의 외주에서 방사 방향으로 가해지게 되므로, 마스크(20)의 외주 특정 부분에 스트레스가 집중되는 것을 방지하고, 마스크(20)와 프레임(30)을 팽팽한 상태로 연결되도록 하여 마스크 패턴(PP)의 정렬을 유지하는데 기여할 수 있다.On the other hand, the mask 20 may be integrally connected with the frame 30 (connection frame 31 ) in a state in which a tensile force F is applied in the frame direction from the outer periphery of the mask 20 (mask support portion 20b ). The frame direction may correspond to a direction perpendicular to the outer tangent line of the mask 20 or a radial direction. This tensile force (F) is the shrinkage of the mask 20 due to the temperature difference according to the electroplating process conditions in which the mask 20 is integrally electrodeposited on the frame 30 and the temperature drop to room temperature after electrodeposition at a temperature higher than room temperature. can be caused by Since the tensile force F is applied from the outer periphery of the mask 20 in the radial direction, stress is prevented from being concentrated on a specific portion of the outer periphery of the mask 20 and the mask 20 and the frame 30 are connected in a taut state. This may contribute to maintaining the alignment of the mask pattern PP.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는, 마스크(20)가 프레임(30)과 일체로 연결되므로, 프레임(30)만을 OLED 화소 증착 장치(200)로 이동하고 설치하는 과정만으로 마스크(20)의 정렬이 완료될 수 있다.In addition, in the frame-integrated mask 10 of the present invention, since the mask 20 is integrally connected with the frame 30 , only the frame 30 is moved to the OLED pixel deposition apparatus 200 and only the mask 20 is installed. ) can be sorted.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.5 and 6 are schematic views illustrating a process of manufacturing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

도 5의 (a)를 참조하면, 전주 도금(electroforming)을 수행할 수 있도록, 전도성 기재(41)를 준비한다. 전도성 기재(41)를 포함하는 모판(mother plate; 40)은 전주 도금에서 음극체(cathode)로 사용될 수 있다. 원형의 마스크(20)를 전주 도금할 수 있도록, 전도성 기재(41)도 그에 대응하는 원 형상인 것이 바람직하지만, 이에 제한되지는 않는다. 전도성 기재(41)가 원 형상이 아닌 다각형이라도 프레임(30)에 마스크(20)를 붙인 후[도 6의 (a) 참조], 원 형상으로 레이저 트리밍(laser trimming) 할 수 있다[도 6의 (e) 참조].Referring to FIG. 5A , a conductive substrate 41 is prepared to perform electroforming. A mother plate 40 including a conductive substrate 41 may be used as a cathode in electroplating. It is preferable that the conductive substrate 41 also has a circular shape corresponding thereto so that the circular mask 20 can be electroplated, but the present invention is not limited thereto. Even if the conductive substrate 41 has a polygonal shape rather than a circular shape, after attaching the mask 20 to the frame 30 (refer to FIG. 6(a) ), laser trimming may be performed in a circular shape (see FIG. 6 ). (e) see].

전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(40)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(20)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다. 또한, 다결정 기판 소재의 경우에는 전주 도금막의 열팽창 계수를 감소시키기 위한 열처리 공정에 의해 결정립 간의 불균일한 특성으로 인해 마스크에 형성된 패턴의 위치가 달라질 수 있고, 이는 화소의 증착 위치의 변경으로 이어지는 문제가 있다.As a conductive material, in the case of a metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and a conductive polymer In the case of a base material, it is highly likely to contain impurities, and strength. Acid resistance, etc. may be weak. Elements that prevent the uniform formation of an electric field on the surface of the mother plate 40, such as metal oxides, impurities, inclusions, and grain boundaries, are referred to as “defects”. Due to the defect, a uniform electric field may not be applied to the cathode body made of the above-described material, so that a portion of the plating layer 20 may be non-uniformly formed. In addition, in the case of a polycrystalline substrate material, the position of the pattern formed on the mask may vary due to the non-uniform characteristics between grains by the heat treatment process to reduce the thermal expansion coefficient of the electroplating film, which leads to a change in the deposition position of the pixel. there is.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막(20) 및 도금막 패턴(PP)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수 내지 십수㎛의 크기, 바람직하게는 약 5~10㎛의 크기(2,000 PPI 이상의 해상도)로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.In realizing a UHD level or higher ultra-high-definition pixel, the non-uniformity of the plating film 20 and the plating film pattern PP may adversely affect the formation of the pixel. Since the FMM and shadow mask pattern width can be formed in a size of several to tens of μm, preferably of about 5 to 10 μm (resolution of 2,000 PPI or more), even defects of several μm size have a large proportion in the pattern size of the mask. is large enough to occupy

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In addition, in order to remove defects in the anode body made of the above material, an additional process for removing metal oxides, impurities, etc. may be performed, and in this process, other defects such as etching of the cathode body material may be induced. there is.

따라서, 본 발명은 단결정 실리콘 재질의 기재(41)를 사용할 수 있다. 전도성을 가지도록, 기재(41)는 10¹⁹ 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(41)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(41)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, in the present invention, the substrate 41 made of single crystal silicon may be used. To have conductivity, the substrate 41 may be doped with a high concentration ^{of 10 19 or more.} Doping may be performed on the entire substrate 41 , or may be performed only on the surface portion of the substrate 41 .

도핑된 단결정 실리콘의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 표면결함 없이 표면 상태가 균일한 도금막(20)[또는, 마스크(20)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 마스크(20)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of doped single crystal silicon, since there are no defects, a plating film 20 (or mask 20) having a uniform surface state can be generated without surface defects due to uniform electric field formation over the entire surface during electroplating. there is an advantage The uniform mask 20 may further improve the quality level of the OLED pixel. And, since there is no need to perform an additional process for removing and resolving defects, there is an advantage in that process costs are reduced and productivity is improved.

또한, 실리콘 재질의 기재(41)를 사용함에 따라서, 필요에 따라 기재(41)의 표면을 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)하는 과정만으로 절연부(45)를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부(45)는 도금막(20)의 전착을 방지하는 역할을 하여 도금막(20)의 패턴(PP)을 형성할 수 있다.In addition, as the silicon substrate 41 is used, there is an advantage in that the insulating portion 45 can be formed only by oxidizing and nitridation of the surface of the substrate 41 if necessary. The insulating portion 45 may serve to prevent electrodeposition of the plating layer 20 , thereby forming the pattern PP of the plating layer 20 .

다음으로, 도 5의 (b)를 참조하면, 기재(41)의 적어도 일면 상에 절연부(45)를 형성할 수 있다. 절연부(45)는 패턴을 가지고 형성될 수 있고, 테이퍼 또는 역테이퍼 형상의 음각 패턴(46)에 의해 패턴을 가질 수 있다. 절연부(45)는 기재(41)의 일면 상에 돌출되도록(양각으로) 형성한 부분으로서, 도금막(20)의 생성을 방지하도록, 절연 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 절연부(45)는 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 절연부(45)는 기재(41) 상에 증착 등의 방법으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 형성할 수 있고, 기재(41)를 베이스로 하여 산화(Thermal Oxidation), 열 질화(Thermal Nitiridation) 방법을 사용할 수도 있다. 프린팅 방법 등을 이용하여 포토레지스트를 형성할 수도 있다. 포토레지스트를 사용하여 패턴을 형성할 때에는 다중 노광 방법, 영역마다 노광 강도를 다르게 하는 방법 등을 사용할 수 있다. 절연부(45)는 후술할 도금막(20)보다는 두껍도록 약 5㎛ ~ 20㎛의 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 모판(40)이 제조될 수 있다.Next, referring to FIG. 5B , the insulating portion 45 may be formed on at least one surface of the substrate 41 . The insulating portion 45 may be formed to have a pattern, and may have a pattern by an engraved pattern 46 having a tapered or reverse tapered shape. The insulating portion 45 is formed to protrude (embossed) on one surface of the substrate 41 , and may have insulating properties to prevent the formation of the plating film 20 . Accordingly, the insulating portion 45 may be formed of any one of photoresist, silicon oxide, and silicon nitride. The insulating portion 45 may form silicon oxide or silicon nitride on the substrate 41 by a method such as vapor deposition, and using the substrate 41 as a base, oxidation (thermal oxidation) and thermal nitridation (thermal nitridation) methods are used. can also be used. A photoresist may be formed using a printing method or the like. When a pattern is formed using a photoresist, a multiple exposure method, a method of varying the exposure intensity for each area, or the like may be used. The insulating portion 45 may have a thickness of about 5 μm to 20 μm to be thicker than the plating layer 20 to be described later. Accordingly, the mother plate 40 can be manufactured.

후술할 전주 도금 과정에서 기재(41)의 노출된 표면으로부터 도금막(20)이 형성되고, 절연부(45)가 배치될 영역에서는 도금막(20)의 생성이 방지되어 패턴(PP)이 형성될 수 있다. 모판(40)은 도금막(20)의 생성 과정에서 패턴까지 형성할 수 있으므로, 몰드, 음극체와 병기하여 사용될 수 있다.In the electroplating process to be described later, the plating film 20 is formed from the exposed surface of the substrate 41 , and the formation of the plating film 20 is prevented in the region where the insulating part 45 is to be disposed, so that the pattern PP is formed. can be Since the mother plate 40 can form a pattern in the process of forming the plating film 20 , it can be used in combination with a mold and a cathode body.

다음으로, 도 5의 (c)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체(미도시)를 준비한다. 양극체(미도시)는 도금액(미도시)에 침지되어 있고, 모판(40)은 전부 또는 일부가 도금액(미도시)에 침지되어 있을 수 있다. 모판(40)[또는, 음극체(40)]과 대향하는 양극체 사이에 형성된 전기장으로 인해 도금막(20: 20a, 20b)이 모판(40)의 표면에서 전착되어 생성될 수 있다. 다만, 전도성 기재(41)의 노출된 표면(46)에서만 도금막(20)이 생성되며, 절연부(45) 표면에서는 도금막(20)이 생성되지 않으므로, 도금막(20)에 패턴(PP)[도 3의 (b) 참조]이 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 5C , an anode body (not shown) facing the mother plate 40 (or the cathode body 40 ) is prepared. The anode body (not shown) may be immersed in a plating solution (not shown), and the mother plate 40 may be fully or partially immersed in a plating solution (not shown). Due to the electric field formed between the mother plate 40 (or the cathode body 40 ) and the opposing anode body, the plating films 20 : 20a and 20b may be electrodeposited on the surface of the mother plate 40 . However, since the plating film 20 is generated only on the exposed surface 46 of the conductive substrate 41 and the plating film 20 is not formed on the surface of the insulating part 45 , the pattern PP is formed on the plating film 20 . ) [see Fig. 3 (b)] may be formed.

도금액은 전해액으로서, 마스크 바디부(20a) 및 마스크 지지부(20b)를 구성할 도금막(20)의 재료가 될 수 있다. 일 실시 예로, 철니켈합금인 인바(Invar) 박판을 도금막(20)으로서 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액 및 Fe 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수 있다. 다른 실시 예로, 철니켈코발트합금인 슈퍼 인바(Super Invar) 박판을 도금막(20)으로 제조하는 경우, Ni 이온을 포함하는 용액, Fe 이온을 포함하는 용액 및 Co 이온을 포함하는 용액의 혼합액을 도금액으로 사용할 수도 있다. 인바 박판, 슈퍼 인바 박판은 OLED의 제조에 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 그리고, 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10^-6/℃, 슈퍼 인바 박판은 열팽창계수가 약 1.0 X 10^-7/℃ 정도로 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 주로 사용된다. 이 외에도 목적하는 도금막(20)에 대한 도금액을 제한없이 사용할 수 있으며, 본 명세서에서는 인바 박판(20)을 제조하는 것을 주된 예로 상정하여 설명한다.The plating liquid is an electrolyte, and may be a material of the plating film 20 constituting the mask body portion 20a and the mask support portion 20b. For example, when an Invar thin plate, which is an iron-nickel alloy, is manufactured as the plating film 20 , a mixed solution of a solution containing Ni ions and a solution containing Fe ions may be used as a plating solution. In another embodiment, when a super Invar thin plate, which is an iron-nickel cobalt alloy, is manufactured as the plating film 20, a mixed solution of a solution containing Ni ions, a solution containing Fe ions, and a solution containing Co ions It can also be used as a plating solution. Invar thin plate and Super Invar thin plate can be used as FMM (Fine Metal Mask) and shadow mask in OLED manufacturing. And, the thin Invar plate has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 ^-6 /℃, and the super thin plate has a coefficient of thermal expansion of about 1.0 X 10 ^-7 /℃ Since it is very low, there is little concern that the pattern shape of the mask may be deformed by thermal energy, so it is mainly used in manufacturing high-resolution OLEDs. In addition to this, a plating solution for the desired plating film 20 may be used without limitation, and in the present specification, the manufacturing of the thin Invar plate 20 will be described as a main example.

기재(41) 표면으로부터 도금막(20)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 절연부(45)의 상단을 넘기 전까지만 도금막(20)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 절연부(45)의 두께보다 도금막(20)의 두께가 더 작을 수 있다. 도금막(20)은 절연부(45)의 패턴 공간에 채워지며 전착되므로, 절연부(45)의 패턴과 역상을 가지는 테이퍼 형상을 가지며 생성될 수 있다.Since the plating film 20 becomes thick as it is electrodeposited from the surface of the substrate 41 , it is preferable to form the plating film 20 only until it exceeds the upper end of the insulating portion 45 . That is, the thickness of the plating layer 20 may be smaller than the thickness of the insulating portion 45 . Since the plating layer 20 is electrodeposited and filled in the pattern space of the insulating part 45 , it may be formed to have a tapered shape having an opposite phase to the pattern of the insulating part 45 .

절연부(45)가 절연 특성을 가지므로, 절연부(45)와 양극체 사이에서는 전기장이 형성되지 않거나, 도금이 수행되기 어려운 정도의 미약한 전기장만이 형성된다. 따라서, 모판(40)에서 도금막(20)이 생성되지 않는, 절연부(45)에 대응하는 부분은 도금막(20)의 패턴, 홀(Hole) 등을 구성한다. 다시 말해, 패턴화(46)된 절연부(45) 각각은 마스크 바디부(20a)의 R, G, B에 대응하는 마스크 패턴(PP)을 형성할 수 있다. 마스크 패턴(PP)의 측단면의 형상은 대략 테이퍼 형상으로 기울어지게 형성될 수 있고, 기울어진 각도는 약 45° 내지 65°일 수 있다.Since the insulating part 45 has insulating properties, no electric field is formed between the insulating part 45 and the anode body, or only a weak electric field to the extent that plating is difficult to perform is formed. Accordingly, a portion corresponding to the insulating portion 45 in which the plating film 20 is not formed in the mother plate 40 constitutes a pattern, a hole, and the like of the plating film 20 . In other words, each of the patterned insulating portions 45 may form a mask pattern PP corresponding to R, G, and B of the mask body portion 20a. The shape of the side cross-section of the mask pattern PP may be inclined in a substantially tapered shape, and the inclined angle may be about 45° to 65°.

한편, 도금막(20)을 형성한 후에 도금막(20)에 열처리를 수행할 수 있다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다. 일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 따라서, 모판(40)[또는, 기재(41)]과 마스크(20)가 부착된 상태에서 열처리를 수행하면, 모판(40)의 절연부(45)가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 도금막(20)으로부터 모판(40)[또는, 기재(41)]을 분리한 후, 마스크 패턴(PP)을 가지는 마스크(20)에 열처리를 수행하여도 인바 박판의 열팽창계수를 낮추는 효과가 있다.Meanwhile, after the plating film 20 is formed, heat treatment may be performed on the plating film 20 . The heat treatment may be performed at a temperature of 300 °C to 800 °C. In general, compared to the thin Invar plate produced by rolling, the thin Invar plate produced by electroplating has a higher coefficient of thermal expansion. Thus, it is possible to lower the coefficient of thermal expansion by performing heat treatment on the thin Invar plate, and a slight deformation may occur in the thin Invar plate during this heat treatment process. Therefore, when the heat treatment is performed while the mother plate 40 (or the substrate 41 ) and the mask 20 are attached, the mask pattern PP formed in the space occupied by the insulating portion 45 of the mother plate 40 . There is an advantage that the shape of the shape is kept constant and it is possible to prevent fine deformation due to heat treatment. In addition, the effect of lowering the coefficient of thermal expansion of the thin Invar plate even when heat treatment is performed on the mask 20 having the mask pattern PP after separating the mother plate 40 (or the substrate 41 ) from the plating film 20 . there is

따라서, 마스크(100)의 열팽창계수를 더 낮춤에 따라, ㎛ 스케일의 패턴(PP)의 변형을 방지하고, 초고화질의 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(20)를 제조할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, as the coefficient of thermal expansion of the mask 100 is further lowered, there is an advantage in that it is possible to prevent deformation of the pattern PP of the μm scale and to manufacture the mask 20 capable of depositing ultra-high-resolution OLED pixels. .

다음으로, 도 6의 (a)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 프레임(30)의 상부에 도 5의 (c)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 5의 (c) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다. 프레임(30)[연결 프레임(31)]은 도금막(20)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 6A , the mother plate 40 (or the negative electrode body 40 ) is lifted out of the plating solution (not shown). Then, the structure of FIG. 5 ( c ) is turned over and disposed on the upper part of the frame 30 . Conversely, it is also possible to arrange the frame 30 upside down in the structure of Figure 5 (c). The frame 30 (connection frame 31 ) may have a shape surrounding the plating film 20 .

도금막(20)이 접촉하는 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에는 접착부(50)가 형성될 수 있다. 접착부(50)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(50)에 의해, 도금막(20)의 테두리 중 적어도 일부가 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 접착 고정될 수 있다.An adhesive part 50 may be formed on the frame 30 (connection frame 31 ) to which the plating film 20 is in contact. The adhesive of the adhesive part 50 may be an epoxy resin-based adhesive or the like. By the adhesive part 50 , at least a portion of the edge of the plating film 20 may be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 (connection frame 31 ).

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 절연부(45)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연부(45)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 6의 (c) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 6의 (c)의 기판(41) 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to FIG. 6B , the insulating portion 45 may be removed. A known technique in which only the insulating portion 45 made of photoresist, silicon oxide, silicon nitride, or the like is removed and does not affect the rest of the configuration may be used without limitation. On the other hand, when the insulating portion is formed of silicon oxide or silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the process of FIG. 6(c) below may be performed directly. Silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 may be separated/removed together through the substrate 41 separation process of FIG. 6C .

다음으로, 도 6의 (c)를 참조하면, 도금막(20)으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 마스크(20) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 접착부(50)를 개재하여 프레임(30)에 접착된 마스크(20)의 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 6C , the conductive substrate 41 may be separated from the plating film 20 . The conductive substrate 41 may be separated in an upper direction of the mask 20 and the frame 30 . When the conductive substrate 41 is separated, the shape of the mask 20 adhered to the frame 30 through the adhesive part 50 appears.

한편, 도 6의 (c) 단계까지 수행한 구조체의 경우에는, 마스크(20)와 프레임(30)을 접착시키기 위해 접착부(50)가 필수적으로 잔존하게 된다. 접착부(50)의 접착제는 마스크(20)를 임시로 고정하는 효과는 있으나, 접착제와 인바 마스크(20)의 열팽창 계수가 상이하여, 화소 형성 공정에서 온도변화에 따라 접착제가 마스크(20)를 뒤틀리게 하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 접착제가 공정 가스와 반응하여 생성된 오염물질이 OLED의 화소에 악영향을 줄 수 있고, 접착제 자체에 포함된 유기 솔벤트 등의 아웃 가스가 화소 공정 챔버를 오염시키거나 불순물로서 OLED 화소에 증착되는 악영향을 유발할 수 있다. 또한, 접착제가 점차 제거됨에 따라 마스크(20)가 프레임(30)에서 이탈하게 되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 접착부(50)를 세정할 필요가 있으나, 접착부(50)와 마스크 지지부(20b)가 접착되어 있어 외부에서 접착부(50)를 세정하기 어렵고, 무리하게 접착부(50)를 세정하는 중에 마스크(20)에 변형이 발생할 가능성도 존재한다. 게다가, 접착부(50)를 세정하여 모두 제거하였을 경우, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 부착시키기 위한 다른 방안이 강구된다.On the other hand, in the case of the structure performed up to step (c) of FIG. 6 , the adhesive part 50 essentially remains in order to adhere the mask 20 and the frame 30 . Although the adhesive of the adhesive part 50 has an effect of temporarily fixing the mask 20 , the thermal expansion coefficients of the adhesive and the invar mask 20 are different, so that the adhesive distorts the mask 20 according to the temperature change in the pixel formation process. problems may arise. In addition, contaminants generated by the reaction of the adhesive with the process gas may adversely affect the pixels of the OLED, and outgas such as organic solvents contained in the adhesive itself contaminate the pixel process chamber or are deposited on the OLED pixels as impurities. may cause adverse effects. In addition, as the adhesive is gradually removed, a problem in that the mask 20 is separated from the frame 30 may occur. Accordingly, it is necessary to clean the adhesive part 50, but it is difficult to clean the adhesive part 50 from the outside because the adhesive part 50 and the mask support part 20b are adhered. There is also the possibility that deformation may occur in (20). In addition, when all of the adhesive part 50 is cleaned and removed, another method for integrally attaching the mask 20 and the frame 30 is devised.

따라서, 본 발명은 도 6의 (d) 내지 (f)와 같은 공정을 수행하여, 마스크(20)에 영향을 주지 않고, 접착부(50)만을 완전히 제거할 수 있다. 그리고, 접착부(50)를 대체하여 용접부(20c)를 마스크(20)와 프레임(30) 사이에 개재시켜, 마스크(20)와 프레임(30)을 일체로 부착시킨 프레임 일체형 마스크(10)를 제공할 수 있다.Accordingly, in the present invention, only the adhesive portion 50 can be completely removed without affecting the mask 20 by performing the same process as in FIGS. 6 (d) to (f). In addition, a frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally attached to each other by interposing the welding portion 20c between the mask 20 and the frame 30 by replacing the adhesive portion 50 is provided. can do.

도 6의 (d)를 참조하면, 테두리 부분의 도금막(20b)을 이용하여 도금막(20b)과 프레임(30) 간에 레이저 용접(LW)을 수행할 수 있다. 레이저를 테두리 부분의 마스크 지지부(20b) 상부에 조사하면, 마스크 지지부(20b)의 일부가 용융되어 용접부(20c)가 생성될 수 있다. 구체적으로 레이저는 접착부(50)가 형성된 영역보다 내측 영역에 조사될 필요가 있다. 이후 공정에서 프레임(30) 외측[또는, 도금막(20)의 외측면]으로부터 세정액을 침투하여 접착부(50)를 제거해야 하므로, 용접부(20c)는 접착부(50)보다 내측에 생성해야 한다. 또한, 프레임(30)의 모서리쪽에 가깝게 용접부(20c)를 형성해야 도금막(20)과 프레임(30) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접부(20c)는 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 도금막(20b)과 동일한 재질을 가지고 도금막(20b)과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 한편, 설명의 편의를 위해, 도 6에서 용접부(20c)가 다소 두께가 있는 것처럼 도시되었으나, 실제로는 용접부(20c)의 두께는 무시할만큼 작으며, 도금막(20b)의 두께에 영향을 주지 않음을 밝혀둔다.Referring to FIG. 6D , laser welding (LW) may be performed between the plating film 20b and the frame 30 by using the plating film 20b at the edge. When a laser is irradiated onto the upper portion of the mask support portion 20b of the edge portion, a portion of the mask support portion 20b may be melted to form a weld portion 20c. Specifically, the laser needs to be irradiated to the inner region than the region where the adhesive part 50 is formed. In a subsequent process, since it is necessary to remove the adhesive part 50 by penetrating the cleaning solution from the outside of the frame 30 (or, the outer surface of the plating film 20 ), the welding part 20c should be generated inside the adhesive part 50 . In addition, when the welding portion 20c is formed close to the edge of the frame 30 , the floating space between the plating film 20 and the frame 30 can be reduced as much as possible and adhesion can be increased. The welding portion 20c may be formed in the form of a line or a spot, and may have the same material as the plating film 20b and be a medium for integrally connecting the plating film 20b and the frame 30. there is. On the other hand, for convenience of explanation, although the welding portion 20c is illustrated as having a somewhat thick thickness in FIG. 6, the thickness of the welding portion 20c is negligibly small and does not affect the thickness of the plating film 20b. reveal the

도 6의 (a) 단계에서 접착부(50)에 도금막(20)이 접착될 때, 도금막(20)은 프레임(30) 방향, 또는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 접착될 수 있다. 그리하여 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(20)를 프레임(30)에 임시 접착하게 된다. 이 상태에서, 도 6의 (d)와 같은 레이저 용접(LW)을 수행하면, 마스크(20)는 외측으로 인장력을 받는 상태로 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 용접될 수 있게 된다. 따라서, 이후 공정에서 접착부(50)를 제거하더라도 외측 방향으로 인장력이 가해지며 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 상태를 유지할 수 있게 된다.When the plating film 20 is adhered to the bonding part 50 in the step (a) of FIG. 6 , the plating film 20 may be adhered in a state of receiving a tensile force in the frame 30 direction or the outside direction. Thus, the mask 20 pulled taut toward the frame 30 is temporarily adhered to the frame 30 . In this state, when laser welding (LW) as shown in FIG. 6(d) is performed, the mask 20 is welded to the upper portion of the frame 30 (connection frame 31) while receiving a tensile force to the outside. do. Therefore, even if the adhesive part 50 is removed in a subsequent process, a tensile force is applied in the outward direction and it is possible to maintain a state in which it is tautly pulled toward the frame 30 .

다음으로, 도 6의 (e)를 참조하면, 접착부(50)에 대응하는 도금막(20)의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 도금막(20b)과 박리막(20d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 도금막(20b)에서 박리막(20d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 도금막(20)으로부터 박리막(20d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(20d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(50)와 접착된 상태를 유지한다.Next, referring to FIG. 6E , a laser L is irradiated to the region boundary of the plating film 20 corresponding to the bonding portion 50 to separate the plating film 20b and the peeling film 20d. line can be formed. That is, the exfoliation layer 20d can be separated from the plating layer 20 by laser trimming by irradiating the laser L to the boundary between the exfoliation layer 20d from the plating layer 20b. However, the peeling film 20d does not come off immediately, but maintains an adhesive state with the adhesive part 50 .

다음으로, 도 5의 (f)를 참조하면, 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(20)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(50)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to FIG. 5F , the adhesive part 50 may be cleaned (C). A known cleaning material may be used without limitation depending on the adhesive, and the cleaning solution may penetrate from the side of the plating film 20 to clean (C) the adhesive part 50 . Accordingly, the adhesive part 50 can be completely removed.

이어서, 도금막(20)에서 분리된 박리막(20d)을 박리(P)한다. 박리막(20d)은 접착부(50)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 도금막(20)과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Next, the peeling film 20d separated from the plating layer 20 is peeled (P). Since the release film 20d is separated from the plating film 20 rather than being adhered to the frame 30 by removing the adhesive portion 50 , it can be immediately peeled off.

다음으로, 도 6의 (g)를 참조하면, 마스크(20)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(50)가 없고, 접착부(50)의 제거를 위해서 도금막(20)의 테두리(20b) 일부[박리막(20d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 도금막(20)에는 전혀 영향이 없게 된다.Next, referring to FIG. 6G , the frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the frame-integrated mask 10 of the present invention does not have an adhesive part 50 and removes only a part of the edge 20b of the plating film 20 (the peeling film 20d) in order to remove the adhesive part 50 , it is necessary for the pixel process. The contributing plating film 20 is not affected at all.

도 7 및 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.7 and 8 are schematic views showing a process of manufacturing a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention.

도 7의 (a) 내지 (c)는 도 5의 (a) 내지 (c)와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.7(a) to (c) are the same as those of (a) to (c) of FIG. 5 , and thus a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 도 7의 (d)를 참조하면, 모판(40)[또는, 음극체(40)]을 도금액(미도시) 바깥으로 들어올린다. 그리고, 제2 절연부(47)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(47)는 제1 절연부(45)와 동일한 재질인 것이 바람직하다. 제2 절연부(47)는 제1 도금막(20')의 테두리 영역(48)을 제외한 나머지 영역 상에 형성할 수 있다. 즉, 제2 절연부(47)는 제1 절연부(45)와 제1 도금막(20')을 전부 커버하고, 제1 도금막 테두리(20b)의 일부를 커버할 수 있다. 제1 도금막(20')의 테두리 영역(48)은 노출될 수 있다.Next, referring to FIG. 7D , the mother plate 40 (or the negative electrode body 40 ) is lifted out of the plating solution (not shown). In addition, the second insulating portion 47 may be formed. The second insulating part 47 is preferably made of the same material as the first insulating part 45 . The second insulating portion 47 may be formed on the remaining region except for the edge region 48 of the first plating layer 20 ′. That is, the second insulating part 47 may cover all of the first insulating part 45 and the first plating layer 20 ′, and may cover a part of the first plating layer edge 20b. The edge region 48 of the first plating layer 20 ′ may be exposed.

다음으로 도 8의 (a)를 참조하면, 프레임(30)의 상부에 도 7의 (d)의 구조물을 뒤집어서 배치한다. 반대로, 도 7의 (d) 구조물에 프레임(30)을 뒤집어서 배치할 수도 있다. 프레임(30)은 제1 도금막(20')을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 바람직하게는 프레임(30)은 제1 도금막(20')의 노출 영역(49)을 제외한 나머지 테두리 영역(48)에 대응하는 형상을 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 8( a ), the structure of FIG. 7 ( d ) is turned over and disposed on the upper portion of the frame 30 . Conversely, it is also possible to arrange the frame 30 upside down in the structure of (d) of FIG. 7 . The frame 30 may have a shape surrounding the first plating layer 20 ′. Preferably, the frame 30 may have a shape corresponding to the remaining edge area 48 except for the exposed area 49 of the first plating layer 20 ′.

제1 도금막(20')이 접촉하는 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에는 접착부(50)가 형성될 수 있다. 접착부(50)의 접착제는 에폭시 수지계 접착제 등을 사용할 수 있다. 접착부(50)에 의해, 제1 도금막(20')의 테두리가 프레임(30)[연결 프레임(31)] 상부에 접착 고정될 수 있다. 접착부(50)와 접착되는 제1 도금막(20')의 테두리 부분은 추후에 제거되므로, 박리막(20d)[도 8의 (e) 참고]이라고 지칭한다. 또한, 설명의 편의를 위해 접착부(50)와 박리막(20d)의 폭이 다소 과장되게 도시되었음을 밝혀둔다. 접착부(50)는 제2 도금막(20c)을 형성하기 전에 제1 도금막(20')을 프레임(30)에 임시로 접착 고정할 정도의 범위에 코팅하면 충분하다.An adhesive part 50 may be formed on the frame 30 (connection frame 31 ) to which the first plating film 20 ′ contacts. The adhesive of the adhesive part 50 may be an epoxy resin-based adhesive or the like. By the adhesive part 50 , the edge of the first plating film 20 ′ may be adhesively fixed to the upper portion of the frame 30 (connection frame 31 ). Since the edge portion of the first plating film 20' adhered to the adhesive part 50 is removed later, it is referred to as a release film 20d (refer to FIG. 8(e)). In addition, for convenience of explanation, the widths of the adhesive part 50 and the peeling film 20d are shown to be somewhat exaggerated. It is sufficient if the adhesive part 50 is coated in a range to the extent that the first plating film 20 ′ is temporarily adhesively fixed to the frame 30 before the second plating film 20c is formed.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 전주 도금을 수행하여, 제2 도금막(20c)을 전착할 수 있다. 제2 도금막(20c)은 제2 절연부(47)와 접착부(50) 사이에 노출된 제1 도금막(20')의 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착될 수 있다. 제1 도금막(20')의 노출된 표면(49)으로부터 제2 도금막(20c)이 전착되면서 두꺼워지기 때문에, 제2 절연부(47)의 상단을 넘기 전까지만 제2 도금막(20c)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제2 절연부(47)의 두께보다 제2 도금막(20c)의 두께가 더 작을 수 있다. 제2 도금막(20c)이 제1 도금막(20')의 노출된 표면(49) 및 프레임(30)의 내측면 상에서 전착되면서, 제1 도금막(20')과 프레임(30)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. 이때, 제2 도금막(20c)은 제1 도금막(20')의 테두리(20b)에 일체로 연결되며 전착되므로, 프레임(30) 방향[프레임(30) 내측 방향], 또는 외측 방향으로 인장력을 가하는 상태를 가지며 제1 도금막(20')을 지지할 수 있다. 그리하여, 별도로 마스크를 인장하고 정렬하는 과정을 수행할 필요없이, 팽팽하게 프레임(30) 측으로 당겨진 마스크(20)를 프레임(30)과 일체로 형성할 수 있게 된다.Next, referring to FIG. 8B , the second plating film 20c may be electrodeposited by performing electroplating. The second plating film 20c may be electrodeposited on the surface 49 of the first plating film 20 ′ exposed between the second insulating portion 47 and the bonding portion 50 and the inner surface of the frame 30 . . Since the second plating film 20c is electrode-deposited from the exposed surface 49 of the first plating film 20 ′ and thickens, the second plating film 20c is formed only until it exceeds the upper end of the second insulating portion 47 . It is preferable to form That is, the thickness of the second plating layer 20c may be smaller than the thickness of the second insulating portion 47 . While the second plating film 20c is electrodeposited on the exposed surface 49 of the first plating film 20' and the inner surface of the frame 30, the first plating film 20' and the frame 30 are integrated. It can be a medium that connects At this time, since the second plating film 20c is integrally connected to the edge 20b of the first plating film 20' and is electrodeposited, the tensile force is applied in the frame 30 direction (the inner direction of the frame 30) or the outer direction. The first plating film 20 ′ may be supported while having a state in which . Thus, it is possible to form the mask 20 tautly pulled toward the frame 30 integrally with the frame 30 without the need to separately tension and align the mask.

한편, 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)을 형성한 후에, 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)에 열처리를 수행할 수 있다.Meanwhile, after the first plating films 20a and 20b and the second plating film 20c are formed, heat treatment may be performed on the first plating films 20a and 20b and the second plating film 20c.

다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 제1 절연부(45) 및 제2 절연부(47)를 제거할 수 있다. 포토레지스트, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 제1 절연부(45) 및 제2 절연부(47)만을 제거하고, 나머지 구성에는 영향을 주지 않는 공지의 기술을 제한없이 사용할 수 있다. 한편, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 절연부가 구성된 경우에는 이들을 제거하는 단계를 생략하고, 아래의 도 8의 (d) 공정을 곧바로 수행할 수도 있다. 전도성 기판(41)에 일체화되어 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물은 도 8의 (d)의 기판 분리 공정을 통해 같이 분리/제거 될 수 있다.Next, referring to FIG. 8C , the first insulating part 45 and the second insulating part 47 may be removed. A known technique in which only the first insulating portion 45 and the second insulating portion 47 made of photoresist, silicon oxide, silicon nitride, or the like is removed and does not affect the rest of the configuration may be used without limitation. On the other hand, when the insulating portion is formed of silicon oxide or silicon nitride, the step of removing them may be omitted, and the process (d) of FIG. 8 below may be performed directly. The silicon oxide and silicon nitride formed integrally with the conductive substrate 41 may be separated/removed together through the substrate separation process of FIG. 8D .

다음으로, 도 8의 (d)를 참조하면, 제1 도금막(20')으로부터 전도성 기판(41)을 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)은 마스크(20) 및 프레임(30)의 상부 방향으로 분리할 수 있다. 전도성 기판(41)이 분리되면, 마스크(20)와 마스크(20)를 지지하는 프레임(30)이 일체로 형성된 형태가 나타난다.Next, referring to FIG. 8D , the conductive substrate 41 may be separated from the first plating film 20 ′. The conductive substrate 41 may be separated in an upper direction of the mask 20 and the frame 30 . When the conductive substrate 41 is separated, the mask 20 and the frame 30 supporting the mask 20 are integrally formed.

한편, 도 8의 (d) 단계까지 수행한 프레임 일체형 마스크에는 접착부(50)가 잔존하게 된다. 접착부(50)의 효과 및 문제점은 도 6에서 상술한 바와 동일하다. 따라서, 본 발명은 도 8의 (e) 및 (f)와 같은 공정을 수행하여, 도금막(20)에 영향을 주지 않고, 접착부(50)만을 완전히 제거할 수 있다.On the other hand, the adhesive part 50 remains in the frame-integrated mask performed up to step (d) of FIG. 8 . Effects and problems of the adhesive part 50 are the same as those described above with reference to FIG. 6 . Therefore, in the present invention, only the adhesive part 50 can be completely removed without affecting the plating film 20 by performing the same process as in FIGS. 8(e) and (f).

도 8의 (e)를 참조하면, 접착부(50)에 대응하는 제1 도금막(20')의 영역 경계에 레이저(L)를 조사하여 제1 도금막(20')과 박리막(20d) 사이에 분리 선을 형성할 수 있다. 즉, 제1 도금막(20')에서 박리막(20d)의 경계에 레이저(L)를 조사하여 레이저 트리밍(laser trimming) 함에 따라 제1 도금막(20')으로부터 박리막(20d)을 분리할 수 있다. 하지만, 박리막(20d)이 곧바로 떼어져 나가는 것은 아니며 접착부(50)와 접착된 상태를 유지한다.Referring to (e) of FIG. 8 , the first plating film 20' and the peeling film 20d are irradiated with a laser L to the boundary of the region of the first plating film 20 ′ corresponding to the bonding portion 50 . A dividing line can be formed between them. That is, the exfoliation layer 20d is separated from the first plating layer 20' by laser trimming by irradiating the laser L to the boundary of the exfoliation layer 20d from the first plating layer 20'. can do. However, the peeling film 20d does not come off immediately, but maintains an adhesive state with the adhesive part 50 .

다음으로, 도 8의 (f)를 참조하면, 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 접착제에 따라 공지의 세정 물질을 제한없이 사용할 수 있고, 도금막(20)의 측면으로부터 세정액이 침투하여 접착부(50)를 세정(C)할 수 있다. 이에 따라 접착부(50)를 완전히 제거할 수 있다.Next, referring to (f) of FIG. 8 , the adhesive part 50 may be cleaned (C). A known cleaning material may be used without limitation depending on the adhesive, and the cleaning solution may penetrate from the side of the plating film 20 to clean (C) the adhesive part 50 . Accordingly, the adhesive part 50 can be completely removed.

이어서, 제1 도금막(20')에서 분리된 박리막(20d)을 박리(P)한다. 박리막(20d)은 접착부(50)가 제거되어 프레임(30)과 접착된 상태가 아니고, 제1 도금막(20')과 분리되어 있으므로, 곧바로 떼어질 수 있다.Next, the peeling film 20d separated from the first plating layer 20' is peeled (P). Since the release film 20d is separated from the first plating film 20 ′ rather than being adhered to the frame 30 by removing the adhesive portion 50 , it can be immediately peeled off.

다음으로, 도 8의 (g)를 참조하면, 마스크(20)와 프레임(30)이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크(10)가 완성된다. 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10)는 접착부(50)가 없고, 접착부(50)의 제거를 위해서 제1 도금막(20')의 테두리(20b) 일부[박리막(20d)]만을 제거하므로, 화소 공정에 기여하는 제1 도금막(20a, 20b) 및 제2 도금막(20c)에는 전혀 영향이 없게 된다.Next, referring to FIG. 8G , the frame-integrated mask 10 in which the mask 20 and the frame 30 are integrally formed is completed. Since the frame-integrated mask 10 of the present invention does not have an adhesive part 50, and only a part of the edge 20b of the first plating film 20' (the peeling film 20d) is removed for the removal of the adhesive part 50, The first plating films 20a and 20b and the second plating films 20c contributing to the pixel process are not affected at all.

프레임(30)도 강성을 확보하면서 마스크(20)와 열팽창계수가 유사하도록, 전도성을 가지는 인바, 슈퍼 인바, SUS, Ti 등의 메탈 재질을 채용하는 것이 바람직하며, 마스크(20)와 동일한 인바, 슈퍼 인바 재질을 채용하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, OLED 화소 증착 공정에서 열에 의한 프레임(30)의 변형을 막기 위해 열변형율이 적은 재질을 채용하는 것이 바람직하다.It is preferable to employ a metal material such as Invar, Super Invar, SUS, Ti, etc. having conductivity so that the frame 30 also has the same coefficient of thermal expansion as the mask 20 while ensuring rigidity, and the same as the mask 20, Invar, It is more preferable to employ a super invar material. In addition, in order to prevent deformation of the frame 30 due to heat in the OLED pixel deposition process, it is preferable to employ a material having a low thermal deformation rate.

도 9는 도 2의 프레임 일체형 마스크를 적용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.9 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus to which the frame-integrated mask of FIG. 2 is applied.

도 9를 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10)를 실리콘 웨이퍼인 대상 기판(900)과 밀착시키고, 프레임(30) 부분만을 OLED 화소 증착 장치(200)에 내부에 고정시키는 것만으로 마스크(10)의 정렬이 완료될 수 있다. 원형의 마스크(20)는 연결 프레임(31)에 일체로 연결되어 그 테두리가 팽팽하게 지지되고, 테두리 전체에서 스트레스가 균일하게 분산되므로, 하중에 의해 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지될 수 있다. 이에 따라, 화소 증착에 필요한 마스크(10)의 정렬을 명확하게 할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the mask 10 can be formed by simply attaching the frame-integrated mask 10 to the target substrate 900 , which is a silicon wafer, and fixing only the frame 30 to the OLED pixel deposition apparatus 200 inside. Sorting can be completed. The circular mask 20 is integrally connected to the connection frame 31 so that its edge is tightly supported, and stress is uniformly distributed throughout the edge, so that deformation such as sagging or twisting by a load can be prevented. Accordingly, it is possible to clarify the alignment of the mask 10 required for pixel deposition.

도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 장치에 적용한 상태를 나타내는 개략도이다.10 is a schematic diagram illustrating a state in which a frame-integrated mask according to another embodiment of the present invention is applied to an OLED pixel deposition apparatus.

도 10을 참조하면, 프레임 일체형 마스크(10')는 원형의 마스크(20) 및 마스크에 일체로 연결된 프레임(30)을 포함할 수 있다. 이 점은 도 2의 프레임 일체형 마스크(10)와 동일하다. 차이점은 프레임 일체형 마스크(10')의 지지 프레임(35)은 프레임(30)[도 3 및 도 9 참조]처럼 곧바로 OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치되는 것이 아니며, OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)에 끼워지는 구성이다.Referring to FIG. 10 , the frame-integrated mask 10 ′ may include a circular mask 20 and a frame 30 integrally connected to the mask. This point is the same as the frame-integrated mask 10 of FIG. 2 . The difference is that the support frame 35 of the frame-integrated mask 10' is not directly fixedly installed inside the OLED pixel deposition apparatus 200 like the frame 30 (see FIGS. 3 and 9), and the OLED pixel deposition apparatus ( 200) is configured to be fitted into the recessed portion 801 of the frame 800 fixedly installed therein.

지지 프레임(35)에는 함몰부(801)에 끼워질 수 있는 돌출부(37)가 더 형성될 수 있고, 제조된 프레임 일체형 마스크(10')를 OLED 화소 증착 장치(200) 내부에 고정 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)에 끼울 수 있다. 함몰부(801)는 복수개의 프레임 일체형 마스크(10')에 형성된 지지 프레임(35) 또는 돌출부(37)에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.A protrusion 37 that can be fitted into the depression 801 may be further formed in the support frame 35 , and the manufactured frame-integrated mask 10 ′ is fixedly installed inside the OLED pixel deposition apparatus 200 ( 800) can be inserted into the depression 801. The depression 801 may be formed in a shape corresponding to the support frame 35 or the protrusion 37 formed in the plurality of frame-integrated masks 10 ′.

미리 설치된 프레임(800)의 함몰부(801)가 가이드 레일(guide rail) 역할을 하여, 제조된 프레임 일체형 마스크(10')를 함몰부(801)에 끼워서 슬라이딩 하는 것만으로 마스크의 정렬을 완료할 수 있다. 일 예로, 사각형 형태의 지지 프레임(35)은 함몰부(801)에 끼워지면 유동하지 않고 단단히 고정될 수 있다. 다른 예로, 평행한 한 쌍의 직선 형태인 지지 프레임(35)을 구비한 경우, 지지 프레임(35)은 슬라이딩 형태로 함몰부(801)에 끼워질 수도 있고, 복수개의 프레임 일체형 마스크(10')를 슬라이딩 형태로 밀어서 배치하는 것도 가능하다.The pre-installed recessed part 801 of the frame 800 serves as a guide rail, so that the mask alignment can be completed just by sliding the manufactured frame-integrated mask 10' into the recessed part 801. can For example, when the rectangular support frame 35 is inserted into the recessed portion 801, it may be firmly fixed without moving. As another example, when the support frame 35 in the form of a pair of parallel straight lines is provided, the support frame 35 may be fitted into the depression 801 in a sliding form, and a plurality of frame-integrated masks 10 ′). It is also possible to dispose by pushing in a sliding form.

위와 같이, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는 실리콘 웨이퍼에 대응하는 형상을 가지는 마스크(20)를 포함하므로, 마스크(20) 테두리 전체에서 스트레스가 균일하게 분산되어 초미세의 마스크 패턴(PP)을 구비할 수 있으며, 마이크로 디스플레이에서 2,000 PPI 이상의 초고화질 화소를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는 마스크(20)를 형성함과 동시에 프레임(30)에 일체형으로 구성하고, 마스크(20)와 대응하는 형상의 연결 프레임(31)에 스트레스를 균일하게 분산시키도록 일체로 연결됨에 따라, 마스크(20)의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크(10, 10')는, 마스크(20)가 프레임(30)과 일체로 연결되므로, 프레임(30)만을 OLED 화소 증착 장치(200)로 이동하고 설치하는 과정만으로 마스크(20)의 정렬이 완료될 수 있는 효과가 있다.As described above, since the frame-integrated masks 10 and 10' of the present invention include the mask 20 having a shape corresponding to a silicon wafer, stress is uniformly distributed over the entire rim of the mask 20 to form an ultra-fine mask pattern. (PP) may be provided, and there is an effect of realizing ultra-high-resolution pixels of 2,000 PPI or more in a micro display. In addition, the frame-integrated mask 10 , 10 ′ of the present invention is integrally formed with the frame 30 while forming the mask 20 , and stress is applied to the connection frame 31 having a shape corresponding to the mask 20 . As they are integrally connected to uniformly disperse the mask 20 , there is an effect of preventing deformation of the mask 20 and clarifying alignment. In addition, in the frame-integrated masks 10 and 10 ′ of the present invention, since the mask 20 is integrally connected with the frame 30 , only the frame 30 is moved to the OLED pixel deposition apparatus 200 and installed only through the process of installation. There is an effect that the alignment of the mask 20 can be completed.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and is not limited to the above-described embodiments, and various methods can be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains within the scope of the present invention. Transformation and change are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention and the appended claims.

10, 10': 프레임 일체형 마스크
20: 마스크, 도금막
20a: 마스크 바디부
20b: 마스크 지지부
30: 프레임
31: 연결 프레임
35: 지지 프레임
40: 모판
100: 종래의 마스크, 새도우 마스크, FMM(Fine Metal Mask)
200, 300: OLED 화소 증착 장치
DP: 디스플레이 패턴
PP: 화소 패턴, 마스크 패턴10, 10': Frame-integrated mask
20: mask, plating film
20a: mask body part
20b: mask support
30: frame
31: connecting frame
35: support frame
40: bed
100: conventional mask, shadow mask, FMM (Fine Metal Mask)
200, 300: OLED pixel deposition device
DP: display pattern
PP: pixel pattern, mask pattern

Claims (9)

실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계;
(b) 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계;
(c) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;
(d) 마스크와 프레임을 용접하여 부착하는 단계;
를 포함하며,
(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고,
(d) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측 영역에 레이저를 조사하여 마스크와 프레임을 용접 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method for manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel formation process on a silicon wafer, comprising:
(a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered;
(b) adhering an edge portion of a second surface opposite to the first surface of the mask on the frame;
(c) separating the substrate from the mask;
(d) attaching the mask and the frame by welding;
includes,
In step (b), the mask edge portion and the frame are bonded through the bonding portion,
In step (d), a method of manufacturing a frame-integrated mask, in which the mask and the frame are welded and attached by irradiating a laser to the inner region than the region where the adhesive portion is formed. 실리콘 웨이퍼 상의 화소 형성 공정에 사용되는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서,
(a) 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크의 제1 면이 접착된 기재를 준비하는 단계;
(b) 마스크의 제1 면에 대향하는 제2 면의 테두리 부분을 프레임 상에 접착하는 단계;
(c) 전주 도금을 수행하여 마스크와 프레임을 부착하는 단계;
(d) 기재를 마스크로부터 분리하는 단계;
를 포함하며,
(b) 단계에서, 접착부를 개재하여 마스크 테두리 부분과 프레임이 접착되고,
(c) 단계에서, 접착부가 형성된 영역보다 내측의 하부 영역 일부를 노출시키고, 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method for manufacturing a frame-integrated mask used in a pixel formation process on a silicon wafer, comprising:
(a) preparing a substrate to which a first surface of a mask including a plurality of mask patterns is adhered;
(b) adhering an edge portion of a second surface opposite to the first surface of the mask on the frame;
(c) attaching the mask and the frame by performing electroplating;
(d) separating the substrate from the mask;
includes,
In step (b), the mask edge portion and the frame are bonded through the bonding portion,
In step (c), a method of manufacturing a frame-integrated mask, in which a portion of a lower region inside the region where the adhesive portion is formed is exposed, and a plating film is electrodeposited to attach the mask and the frame by plating. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
(b) 단계에서, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태로 프레임에 접착되고,
(d) 단계 이후, 마스크는 외측 방향으로 인장력을 받는 상태를 유지하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
In step (b), the mask is adhered to the frame under tension in the outward direction,
After step (d), the mask is maintained in a state that is subjected to a tensile force in the outward direction, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 제1항 또는 제2항에 있어서,
(e) 접착부가 형성된 영역과 마스크와 프레임이 부착된 영역 사이에 레이저를 조사하여 마스크 테두리 부분을 레이저 트리밍 하는 단계;
(f) 접착부를 세정하여 레이저 트리밍 된 마스크 테두리 부분을 박리하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.3. The method of claim 1 or 2,
(e) laser trimming the edge of the mask by irradiating a laser between the area where the adhesive portion is formed and the area where the mask and the frame are attached;
(f) peeling off the laser-trimmed edge of the mask by cleaning the adhesive
Further comprising, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 제1항 또는 제2항에 있어서,
(a) 단계는,
(a1) 절연부가 제1 면 상에 형성된 전도성의 기재를 준비하는 단계;
(a2) 기재의 노출된 표면에서 도금막이 형성되어 복수의 마스크 패턴을 포함하는 마스크가 제조되는 단계;
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.3. The method of claim 1 or 2,
(a) step,
(a1) preparing a conductive substrate in which an insulating portion is formed on the first surface;
(a2) forming a plating film on the exposed surface of the substrate to prepare a mask including a plurality of mask patterns;
Including, a method of manufacturing a frame-integrated mask. 제2항에 있어서,
(a) 단계와 (b) 단계 사이에서, 마스크의 제2 면 상의 테두리 부분을 제외한 나머지 영역의 일부에 제2 절연부를 형성하고,
(c) 단계에서, 프레임과 접착된 영역과 제2 절연부가 형성된 영역을 제외한 마스크의 제2 면 상의 노출된 영역에 도금막을 전착하여 마스크와 프레임을 도금 부착하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Between steps (a) and (b), forming a second insulating portion in a portion of the remaining region except for the edge portion on the second surface of the mask,
In step (c), the mask and the frame are plated and attached to the exposed area on the second surface of the mask except for the area bonded to the frame and the area where the second insulating part is formed. 제1항에 있어서,
프레임은,
마스크와 연결되는 연결 프레임; 및
연결 프레임의 하부에 일체로 연결되며, 마스크 및 연결 프레임을 지지하는 지지 프레임
을 포함하고,
연결 프레임은 원형 링 형상이며,
마스크의 형상은 원형인, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.According to claim 1,
frame is,
a connecting frame connected to the mask; and
A support frame integrally connected to the lower part of the connection frame and supporting the mask and the connection frame
including,
The connecting frame is in the shape of a circular ring,
A method for manufacturing a frame-integrated mask, wherein the shape of the mask is circular.

Images