KR20200046722A - Encapsulation film - Google Patents

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Abstract

The present application relates to an encapsulation film, a manufacturing method thereof, an organic electronic device including the same, and a method for manufacturing an organic electronic device using the same, wherein a structure capable of blocking moisture or oxygen introduced into the organic electronic device from the outside can be formed and occurrence of a bright spot in the organic electronic device can be prevented. The present invention includes a thermally conductive metal layer, an adsorption layer, and a nitride layer.

Description

봉지 필름 {ENCAPSULATION FILM}Encapsulation film {ENCAPSULATION FILM}

본 출원은 봉지 필름, 이를 포함하는 유기전자장치 및 상기 유기전자장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present application relates to a sealing film, an organic electronic device including the same, and a method for manufacturing the organic electronic device.

유기전자장치(OED; organic electronic device)는 정공 및 전자를 이용하여 전하의 교류를 발생하는 유기 재료층을 포함하는 장치를 의미하며, 그 예로는, 광전지 장치(photovoltaic device), 정류기(rectifier), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 등을 들 수 있다.An organic electronic device (OED) means a device including an organic material layer that generates an alternating charge using holes and electrons, and examples thereof include a photovoltaic device, a rectifier, and the like. And a transmitter and an organic light emitting diode (OLED).

상기 유기전자장치 중 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 기존 광원에 비하여, 전력 소모량이 적고, 응답 속도가 빠르며, 표시장치 또는 조명의 박형화에 유리하다. 또한, OLED는 공간 활용성이 우수하여, 각종 휴대용 기기, 모니터, 노트북 및 TV에 걸친 다양한 분야에서 적용될 것으로 기대되고 있다.Among the organic electronic devices, an organic light emitting diode (OLED) has less power consumption, a faster response speed, and is advantageous in thinning a display device or lighting compared to a conventional light source. In addition, OLED is excellent in space utilization, and is expected to be applied in various fields across various portable devices, monitors, laptops, and TVs.

OLED의 상용화 및 용도 확대에 있어서, 가장 주요한 문제점은 내구성 문제이다. OLED에 포함된 유기재료 및 금속 전극 등은 수분 등의 외부적 요인에 의해 매우 쉽게 산화된다. 또한, OLED 장치 내부에서 발생할 수 있는 아웃 가스에 의해 OLED의 휘점이 발생하는 문제도 존재한다. 즉, OLED를 포함하는 제품은 환경적 요인에 크게 민감하다. 이에 따라 OLED 등과 같은 유기전자장치에 대한 외부로부터의 산소 또는 수분 등의 침투를 효과적으로 차단하고, 동시에 내부에서 발생하는 아웃 가스를 억제하기 위하여 다양한 방법이 제안되어 있다.In the commercialization of OLED and the expansion of its use, the main problem is durability. The organic material and metal electrode included in the OLED are very easily oxidized by external factors such as moisture. In addition, there is a problem in that the bright spots of the OLED are generated by outgass that may occur inside the OLED device. In other words, products containing OLED are highly sensitive to environmental factors. Accordingly, various methods have been proposed to effectively block the penetration of oxygen or moisture from the outside to an organic electronic device such as an OLED, and at the same time to suppress the outgas generated inside.

본 출원은 외부로부터 유기전자장치로 유입되는 수분 또는 산소를 차단할 수 있는 구조의 형성이 가능하고, 유기전자장치의 휘점 발생을 방지할 수 있는 봉지 필름을 제공한다.The present application provides a sealing film capable of forming a structure capable of blocking moisture or oxygen flowing into the organic electronic device from the outside, and preventing the occurrence of bright spots in the organic electronic device.

본 출원은 봉지 필름에 관한 것이다. 상기 봉지 필름은 예를 들면, OLED 등과 같은 유기전자장치를 봉지 또는 캡슐화하는 것에 적용될 수 있다.This application relates to a sealing film. The encapsulation film may be applied to encapsulating or encapsulating organic electronic devices such as OLEDs.

본 명세서에서, 용어 「유기전자장치」는 서로 대향하는 한 쌍의 전극 사이에 정공 및 전자를 이용하여 전하의 교류를 발생하는 유기재료층을 포함하는 구조를 갖는 물품 또는 장치를 의미하며, 그 예로는, 광전지 장치, 정류기, 트랜스미터 및 유기발광다이오드(OLED) 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 출원의 하나의 예시에서 상기 유기전자장치는 OLED일 수 있다.In the present specification, the term "organic electronic device" means an article or device having a structure including an organic material layer that generates an exchange of electric charges by using holes and electrons between a pair of electrodes facing each other, for example The photovoltaic device, a rectifier, a transmitter, an organic light emitting diode (OLED), and the like, but are not limited thereto. In one example of the present application, the organic electronic device may be an OLED.

예시적인 유기전자소자 봉지 필름(20)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 열전도도가 50 내지 800W/mK의 범위 내인 열전도성 금속층(21); 상기 열전도성 금속층(21)의 일면에 형성되고, 밀도 범함수론 근사법(Density Functional Theory)에 의해 계산된 아웃 가스에 대한 흡착 에너지가 0eV 이하인 제 1 무기 성분을 포함하는 흡착층(22); 및 상기 흡착층(22)의 일면에 형성되고, 상기 제 1 무기 성분의 질화물을 포함하는 질화물층(23)을 포함할 수 있다. 상기 질화물층은 흡착층의, 열전도성 금속층이 형성된 면의 반대면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 봉지 필름은 열전도성 금속층, 흡착층 및 질화물층을 순차로 포함할 수 있다. 상기 각 층은 직접적으로 부착될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 중간층이 존재할 수 있다. 본 출원은 상기 구조의 봉지 필름을 사용함에 따라, 유기전자장치 내부에서 발생하는 아웃 가스를 효과적으로 흡착하여 휘점 발생을 방지하고, 가혹한 환경에서 내구 신뢰성이 우수한 유기전자장치를 제공할 수 있다.The exemplary organic electronic device encapsulation film 20 includes, as shown in FIG. 1, a thermally conductive metal layer 21 having a thermal conductivity in a range of 50 to 800 W / mK; An adsorption layer 22 formed on one surface of the thermally conductive metal layer 21 and comprising a first inorganic component having an adsorption energy of 0 eV or less for outgas calculated by a density functional theory; And a nitride layer 23 formed on one surface of the adsorption layer 22 and containing nitride of the first inorganic component. The nitride layer may be formed on the surface opposite to the surface on which the thermally conductive metal layer is formed. That is, the sealing film may sequentially include a thermally conductive metal layer, an adsorption layer, and a nitride layer. Each layer may be directly attached, but is not limited thereto, and other intermediate layers may be present. According to the present application, by using the encapsulation film of the above structure, the outgas generated inside the organic electronic device can be effectively adsorbed to prevent the occurrence of bright spots and to provide an organic electronic device with excellent durability and reliability in harsh environments.

본 출원의 구체예에서, 상기 흡착 에너지의 하한 값은 특별히 한정되지 않으나, -20eV일 수 있다. 상기 아웃 가스의 종류는 특별히 제한되지 않으나, H원자, H2 분자 및/또는 NH3를 포함할 수 있다. 본 출원은 봉지 필름이 아웃 가스에 대한 흡착 에너지가 0eV 이하인 제 1 무기 성분을 포함하는 흡착층 및 상기 제 1 무기 성분의 질화물을 포함하는 질화물층을 포함함으로써, 유기전자소자로 유입되는 수분을 차단함과 동시에, 유기전자장치에서 발생하는 아웃 가스로 인한 휘점을 방지할 수 있다.In an embodiment of the present application, the lower limit value of the adsorption energy is not particularly limited, but may be -20 eV. The type of the outgas is not particularly limited, but may include H atom, H 2 molecule and / or NH 3 . In the present application, the encapsulation film includes an adsorption layer containing a first inorganic component having an adsorption energy of 0 eV or less for an outgas, and a nitride layer containing a nitride of the first inorganic component, thereby blocking moisture from flowing into the organic electronic device. At the same time, it is possible to prevent bright spots caused by outgas generated in the organic electronic device.

본 출원의 구체예에서, 제 1 무기 성분과 휘점 원인 원자 또는 분자들간의 흡착에너지는 범밀도함수론(density functional theory) 기반의 전자구조계산을 통해 계산할 수 있다. 상기 계산은 당업계의 공지의 방법으로 수행할 수 있다. 예를 들어, 본 출원은 결정형 구조를 가지는 제 1 무기 성분의 최밀충진면이 표면으로 드러나는 2차원 slab구조를 만든 다음 구조 최적화를 진행하고, 이 진공 상태의 표면 상에 휘점 원인 분자가 흡착된 구조에 대한 구조최적화를 진행한 다음 이 두 시스템의 총에너지(total energy) 차이에 휘점 원인 분자의 총에너지를 뺀 값을 흡착에너지로 정의했다. 각각의 시스템에 대한 총에너지 계산을 위해 전자-전자 사이의 상호작용을 모사하는 exchange-correlation으로 GGA(generalized gradient approximation) 계열의 함수인 revised-PBE함수를 사용했고, 전자 kinetic energy의 cutoff는 500eV를 사용했으며 역격자공간(reciprocal space)의 원점에 해당되는 gamma point만을 포함시켜 계산했다. 각 시스템의 원자구조를 최적화하기 위해 conjugate gradient법을 사용했으며 원자간의 힘이 0.01 eV/Å 이하가 될 때까지 반복계산을 수행했다. 일련의 계산은 상용코드인 VASP을 통해 수행되었다.In an embodiment of the present application, the adsorption energy between the first inorganic component and the atoms or molecules causing the bright spot can be calculated through electronic structural calculation based on density functional theory. The calculation can be performed by methods known in the art. For example, the present application creates a two-dimensional slab structure in which the closest filling surface of the first inorganic component having a crystalline structure is exposed to the surface, and then proceeds with structure optimization, and a structure in which molecules causing bright spots are adsorbed on the surface of the vacuum state After optimizing the structure for, the value of the difference between the total energy of these two systems minus the total energy of the molecule causing the bright spot was defined as the adsorption energy. For the calculation of total energy for each system, the revised-PBE function, a function of the generalized gradient approximation (GGA) series, was used as the exchange-correlation that simulates the electron-electron interaction, and the cutoff of the electron kinetic energy was 500 eV. It was used and calculated by including only the gamma point corresponding to the origin of the reciprocal space. The conjugate gradient method was used to optimize the atomic structure of each system, and iterative calculations were performed until the interatomic force was less than 0.01 eV / Å. A series of calculations were performed through the commercial code VASP.

상기 제 1 무기 성분의 소재는 상기 봉지 필름이 유기전자장치에 적용되어 유기전자장치의 패널에서 휘점을 방지하는 효과를 가지는 물질이라면 그 소재는 제한되지 않는다. 예를 들어, 제 1 무기 성분은 유기전자소자의 전극 상에 증착되는 산화규소, 질화규소 또는 산질화규소의 무기 증착층에서 발생하는 아웃 가스로서, 예를 들어, H2 가스, 암모니아(NH3) 가스, H+, NH2+, NHR2 또는 NH2R로 예시되는 물질을 흡착할 수 있는 물질일 수 있다. 상기에서, R을 유기기일 수 있고, 예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The material of the first inorganic component is not limited as long as the sealing film is a material that is applied to an organic electronic device and has an effect of preventing a bright spot in a panel of the organic electronic device. For example, the first inorganic component is an outgas generated in an inorganic deposition layer of silicon oxide, silicon nitride or silicon oxynitride deposited on the electrode of the organic electronic device, for example, H 2 gas, ammonia (NH 3 ) gas , H + , NH 2+ , NHR 2 or NH 2 R. In the above, R may be an organic group, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, etc. may be exemplified, but is not limited thereto.

하나의 예시에서, 제 1 무기 성분의 소재는 상기 흡착 에너지 값을 만족하는 한 제한되지 않으며, 금속 또는 비금속일 수 있다. 상기 제 1 무기 성분은 예를 들어, Li, Ni, Ti, Rb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Zn, In, Pt, Pd, Fe, Cr, Si, Zr, Cu, Nb, Y, V 또는 그 배합물을 포함할 수 있으며, 상기 소재의 산화물을 포함할 수 있고, 상기 소재의 합금을 포함할 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 무기 성분은 니켈, 산화니켈, 질화티탄, 철-티탄의 티탄계 합금, 철-망간의 망간계 합금, 마그네슘-니켈의 마그네슘계 합금, 희토류계 합금, 제올라이트, 실리카, 탄소나노튜브, 그라파이트, 알루미노포스페이트 분자체 또는 메조실리카를 포함할 수 있다. 본 출원은 흡착층이 상기의 제 1 무기 성분을 포함함으로써, 유기전자장치 내에서 발생하는 수소를 효율적으로 흡착하면서도, 봉지 필름의 수분 차단성 및 내구 신뢰성을 함께 구현할 수 있다.In one example, the material of the first inorganic component is not limited as long as it satisfies the adsorption energy value, and may be a metal or a non-metal. The first inorganic component is, for example, Li, Ni, Ti, Rb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Zn, In, Pt, Pd, Fe, Cr, Si, Zr, Cu, Nb, It may include Y, V or a combination thereof, may include an oxide of the material, may include an alloy of the material. In one example, the first inorganic component is nickel, nickel oxide, titanium nitride, iron-titanium based alloy, iron-manganese based alloy, magnesium-nickel magnesium based alloy, rare earth based alloy, zeolite, silica, Carbon nanotubes, graphite, aluminophosphate molecular sieves or mesosilica. In the present application, the adsorption layer includes the above-described first inorganic component, thereby efficiently adsorbing hydrogen generated in the organic electronic device, while simultaneously realizing moisture barrier property and durability reliability of the encapsulation film.

본 출원의 구체예에서, 앞서 기술한 바와 같이, 봉지 필름은 상기 열전도성 금속층을 추가로 포함할 수 있다. 본 출원의 열전도성 금속층은 50W/mㆍK 이상, 60W/mㆍK 이상, 70 W/mㆍK 이상, 80 W/mㆍK 이상, 90 W/mㆍK 이상, 100 W/mㆍK 이상, 110 W/mㆍK 이상, 120 W/mㆍK 이상, 130 W/mㆍK 이상, 140 W/mㆍK 이상, 150 W/mㆍK 이상, 200 W/mㆍK 이상 또는 210 W/mㆍK 이상의 열전도도를 가질 수 있다. 상기 열전도도의 상한은 특별히 한정되지 않고, 800 W/mㆍK 이하일 수 있다. 이와 같이 높은 열전도도를 가짐으로써, 봉지 필름 접합 공정 시 접합계면에서 발생된 열을 보다 빨리 방출시킬 수 있다. 또한 높은 열전도도는 유기전자장치 동작 중 축적되는 열을 신속히 외부로 방출시키고, 이에 따라 유기전자장치 자체의 온도는 더욱 낮게 유지시킬 수 있고, 크랙 및 결함 발생은 감소된다. 상기 열전도도는 15 내지 30℃의 온도 범위 중 어느 한 온도에서 측정한 것일 수 있다.In an embodiment of the present application, as described above, the encapsulation film may further include the thermally conductive metal layer. The thermally conductive metal layer of the present application is 50 W / m · K or more, 60 W / m · K or more, 70 W / m · K or more, 80 W / m · K or more, 90 W / m · K or more, 100 W / m · K or more, 110 W / m · K or more, 120 W / m · K or more, 130 W / m · K or more, 140 W / m · K or more, 150 W / m · K or more, 200 W / m · K or more Or it may have a thermal conductivity of 210 W / m · K or more. The upper limit of the thermal conductivity is not particularly limited, and may be 800 W / m · K or less. By having such a high thermal conductivity, heat generated at the bonding interface during the sealing film bonding process can be released more quickly. In addition, the high thermal conductivity quickly releases heat accumulated during the operation of the organic electronic device to the outside, so that the temperature of the organic electronic device itself can be kept lower, and cracks and defects are reduced. The thermal conductivity may be measured at any one of the temperature range of 15 to 30 ℃.

본 명세서에서 용어 「열전도도」란 물질이 전도에 의해 열을 전달할 수 있는 능력을 나타내는 정도이며, 단위는 W/mㆍK로 나타낼 수 있다. 상기 단위는 같은 온도와 거리에서 물질이 열전달하는 정도를 나타낸 것으로서, 거리의 단위(미터)와 온도의 단위(캘빈)에 대한 열의 단위(와트)를 의미한다.In the present specification, the term "thermal conductivity" is a degree indicating the ability of a substance to transfer heat by conduction, and the unit may be expressed in W / m · K. The unit represents the degree of heat transfer of a substance at the same temperature and distance, and means a unit of heat (watt) for a unit of distance (meter) and a unit of temperature (Calvin).

본 출원의 구체예에서, 상기 봉지 필름의 열전도성 금속층은 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 열전도성 금속층의 두께는 5㎛ 내지 200㎛, 10㎛ 내지 100㎛, 20㎛ 내지 90㎛, 30㎛ 내지 80㎛ 또는 40㎛ 내지 75㎛의 범위 내일 수 있다. 본 출원은 상기 열전도성 금속층의 두께를 제어함으로써, 방열 효과가 충분히 구현되면서 박막의 봉지 필름을 제공할 수 있다. 상기 열전도성 금속층은 박막의 메탈 포일(Metal foil) 또는 고분자 기재층에 메탈이 증착되어 있을 수 있다. 상기 열전도성 금속층은 전술한 열전도도를 만족하고, 금속을 포함하는 소재이면 특별히 제한되지 않는다. 열전도성 금속층은 금속, 산화금속, 질화금속, 탄화금속, 옥시질화금속, 옥시붕화금속, 및 그의 배합물 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 열전도성 금속층은 하나의 금속에 1 이상의 금속 원소 또는 비금속원소가 첨가된 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어, 스테인레스 스틸(SUS)을 포함할 수 있다. 또한, 하나의 예시에서 열전도성 금속층은 철, 크롬, 구리, 알루미늄 니켈, 산화철, 산화크롬, 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화인듐, 산화 주석, 산화주석인듐, 산화탄탈룸, 산화지르코늄, 산화니오븀, 및 그들의 배합물을 포함할 수 있다. 열전도성 금속층은 전해, 압연, 가열증발, 전자빔 증발, 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 화학기상증착, 플라즈마 화학기상증착 또는 전자 사이클로트론 공명 소스 플라즈마 화학기상 증착 수단에 의해 증착될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에서, 열전도성 금속층은 반응성 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다.In an embodiment of the present application, the thermally conductive metal layer of the encapsulation film may be transparent and opaque. The thickness of the thermally conductive metal layer may be in the range of 5 μm to 200 μm, 10 μm to 100 μm, 20 μm to 90 μm, 30 μm to 80 μm, or 40 μm to 75 μm. By applying the thickness of the thermally conductive metal layer, the present application can provide a thin film encapsulation film while sufficiently implementing a heat dissipation effect. The thermally conductive metal layer may have metal deposited on a thin metal foil or polymer substrate layer. The thermally conductive metal layer satisfies the aforementioned thermal conductivity, and is not particularly limited as long as it is a material containing a metal. The thermally conductive metal layer may include any one of metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal oxynitride, metal oxyboride, and combinations thereof. For example, the thermally conductive metal layer may include an alloy in which one or more metal elements or nonmetal elements are added to one metal, and may include, for example, stainless steel (SUS). In addition, in one example, the thermally conductive metal layer includes iron, chromium, copper, aluminum nickel, iron oxide, chromium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, indium oxide, tin oxide, tin indium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, and oxidation Niobium, and combinations thereof. The thermally conductive metal layer can be deposited by electrolytic, rolling, heat evaporation, electron beam evaporation, sputtering, reactive sputtering, chemical vapor deposition, plasma chemical vapor deposition or electron cyclotron resonance source plasma chemical vapor deposition means. In one embodiment of the present application, the thermally conductive metal layer may be deposited by reactive sputtering.

종래에는 봉지 필름으로서 니켈-철 합금(Invar)를 통상적으로 많이 사용하였으나, 상기 니켈-철 합금은 가격이 고가이고 열전도도가 떨어지며 재단성이 나쁘다는 단점이 있다. 본 출원은 열전도성 금속층으로서 상기 니켈-철 합금을 사용하지 않으면서도, 유기전자장치의 휘점 발생을 방지하고 방열 특성이 우수한 봉지 필름을 제공한다.Conventionally, a nickel-iron alloy (Invar) is commonly used as a sealing film, but the nickel-iron alloy has disadvantages of high price, poor thermal conductivity, and poor cutability. The present application provides a sealing film having excellent heat dissipation properties and preventing occurrence of bright spots in an organic electronic device without using the nickel-iron alloy as a thermal conductive metal layer.

본 출원의 구체예에서, 봉지 필름은 앞서 기술한 바와 같이, 열전도성 금속층, 흡착층 및 질화물층을 순차로 포함할 수 있다. 상기 봉지 필름에서 흡착층은 50nm 내지 3㎛, 60nm 내지 2.5㎛, 70nm 내지 2㎛, 80nm 내지 1.5㎛, 90nm 내지 1㎛ 또는 95nm 내지 0.5㎛의 두께 범위를 가질 수 있다. 상기 흡착층은 열전도성 금속층의 일면에 증착되어 형성된 무기 증착층일 수 있다. 또한, 상기 질화물층은 상기 흡착층의 일면에 증착되어 형성된 무기 증착층일 수 있다. 상기 질화물층의 두께는 5nm 내지 2㎛, 8nm 내지 1.5㎛, 10nm 내지 1㎛, 12nm 내지 0.8㎛, 15nm 내지 0.5㎛, 16nm 내지 0.3㎛ 또는 17nm 내지 93nm의 두께 범위를 가질 수 있다. 일 예시에서, 상기 질화물층의 두께는 상기 흡착층의 두께보다 더 얇을 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 흡착층에 두께에 대한 질화물층의 두께의 비율은 0.01 내지 0.8, 0.05 내지 0.7, 0.1 내지 0.5 또는 0.15 내지 0.3의 범위 내일 수 있다. 상기 질화물층은 흡착층과 마찬가지로 휘점 발생의 원인이 되는 아웃 가스를 흡착할 수도 있지만, 추가로 catalyst역할로서 수소 등의 아웃가스를 분해하여 투과시키고 흡착층까지 전달하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 흡착층에 포함되는 제 1 무기 성분이 산화되어, 흡착층 표면에 산화물이 생성되는 문제가 발생되는데, 상기 질화물층은 흡착층의 표면 산화를 막아서 아웃 가스의 흡착을 효율적으로 진행할 수 있게 한다. 상기 역할을 고려했을 때, 상기 질화물층은 봉지 필름이 유기전자소자를 봉지할 때, 상기 소자가 위치하는 방향으로 위치할 수 있다. 즉, 상기 질화물층은 상기 유기전자소자 봉지 시, 상기 열전도성 금속층 또는 흡착층 보다 상기 소자 방향으로 가깝게 적용될 수 있다.In an embodiment of the present application, the encapsulation film may sequentially include a thermally conductive metal layer, an adsorption layer, and a nitride layer, as described above. The adsorption layer in the encapsulation film may have a thickness range of 50 nm to 3 μm, 60 nm to 2.5 μm, 70 nm to 2 μm, 80 nm to 1.5 μm, 90 nm to 1 μm, or 95 nm to 0.5 μm. The adsorption layer may be an inorganic deposition layer formed by depositing on one surface of the thermally conductive metal layer. In addition, the nitride layer may be an inorganic deposition layer formed by depositing on one surface of the adsorption layer. The thickness of the nitride layer may have a thickness range of 5nm to 2㎛, 8nm to 1.5㎛, 10nm to 1㎛, 12nm to 0.8㎛, 15nm to 0.5㎛, 16nm to 0.3㎛ or 17nm to 93nm. In one example, the thickness of the nitride layer may be thinner than the thickness of the adsorption layer. In one example, the ratio of the thickness of the nitride layer to the thickness in the adsorption layer may be in the range of 0.01 to 0.8, 0.05 to 0.7, 0.1 to 0.5 or 0.15 to 0.3. The nitride layer may adsorb outgas, which causes the occurrence of bright spots, as in the adsorption layer, but may further decompose and transmit outgas such as hydrogen as a catalyst and transmit it to the adsorption layer. In addition, the first inorganic component contained in the adsorption layer is oxidized, which causes a problem that oxide is generated on the surface of the adsorption layer, and the nitride layer prevents surface oxidation of the adsorption layer so that adsorption of outgas can be efficiently performed. do. When considering the role, the nitride layer may be positioned in a direction in which the device is located when the encapsulation film seals the organic electronic device. That is, the nitride layer may be applied closer to the device direction than the thermally conductive metal layer or the adsorption layer when the organic electronic device is sealed.

하나의 예시에서, 본 출원의 봉지 필름은 상기 열전도성 금속층의 다른 일면에 형성되는 보호층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 보호층은 열전도성 금속층의 양 면 중 흡착층이 형성되는 일면과는 반대 면에 형성될 수 있다. 상기 보호층은 고분자 성분을 포함할 수 있다. 상기 보호층을 구성하는 소재는 특별히 제한되지 않는다. 하나의 예시에서, 상기 보호층은 수분 투과를 차단할 수 있는 방습층일 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 보호층을 구성하는 고분자 성분으로서, 폴리오가노실록산, 폴리이미드, 스티렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리올레핀계 수지 또는 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머, 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머, 폴리카보네이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 엘라스토머, 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머, 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머, 에폭시계 수지 또는 엘라스토머, 실리콘계 수지 또는 엘라스토머, 및 불소계 수지 또는 엘라스토머로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In one example, the encapsulation film of the present application may further include a protective layer formed on the other surface of the thermally conductive metal layer. The protective layer may be formed on a surface opposite to one surface on which the adsorption layer is formed among both surfaces of the thermally conductive metal layer. The protective layer may include a polymer component. The material constituting the protective layer is not particularly limited. In one example, the protective layer may be a moisture-proof layer that can block moisture permeation. In one example, as a polymer component constituting the protective layer, polyorganosiloxane, polyimide, styrene-based resin or elastomer, polyolefin-based resin or elastomer, polyoxyalkylene-based resin or elastomer, polyester-based resin or elastomer, poly Vinyl chloride-based resin or elastomer, polycarbonate-based resin or elastomer, polyphenylene sulfide-based resin or elastomer, polyamide-based resin or elastomer, acrylate-based resin or elastomer, epoxy-based resin or elastomer, silicone-based resin or elastomer, and fluorine-based It may include one or more selected from the group consisting of resins or elastomers, but is not limited thereto.

본 출원의 구체예에서, 상기 보호층과 열전도성 금속층 사이에 점착제 또는 접착제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 점착제 또는 접착제의 소재는 특별히 제한되지 않으며 공지의 재료를 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 점착제 또는 접착제는 아크릴계, 에폭시계, 우레탄계, 실리콘계, 또는 고무계 점착제 또는 접착제일 수 있다. 또한, 일 구체예에서, 상기 점착제 또는 접착제의 소재는 후술하는 봉지층의 소재와 동일하거나 상이할 수 있다.In an embodiment of the present application, an adhesive or an adhesive may be further included between the protective layer and the thermally conductive metal layer. The material of the pressure-sensitive adhesive or adhesive is not particularly limited, and a known material can be used. In one example, the pressure-sensitive adhesive or adhesive may be an acrylic-based, epoxy-based, urethane-based, silicone-based, or rubber-based adhesive or adhesive. In addition, in one embodiment, the material of the pressure-sensitive adhesive or adhesive may be the same or different from the material of the sealing layer to be described later.

본 출원의 구체예에서, 상기 봉지 필름(2)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 질화물층(23)의 일면에 형성되고, 기판 상에 형성된 유기전자소자의 전면을 봉지하는 봉지층(24)을 추가로 포함할 수 있다. 상기 봉지층이 포함될 경우, 상기 봉지 필름은 열전도성 금속층, 흡착층, 질화물층 및 봉지층을 순차로 포함할 수 있다.In an embodiment of the present application, the encapsulation film 2 is formed on one surface of the nitride layer 23, as illustrated in FIG. 2, and encapsulates the entire surface of the organic electronic device formed on the substrate 24 ). When the encapsulation layer is included, the encapsulation film may sequentially include a thermally conductive metal layer, an adsorption layer, a nitride layer, and an encapsulation layer.

하나의 예시에서, 상기 봉지층은 봉지 수지 및 수분 흡착제를 포함할 수 있으며, 상기 봉지층은 점착제층 또는 접착제층일 수 있다.In one example, the encapsulation layer may include an encapsulation resin and a moisture absorbent, and the encapsulation layer may be an adhesive layer or an adhesive layer.

본 발명의 구체예에서, 상기 봉지 수지는 유리전이온도가 0℃ 미만, -10℃ 미만 또는 -30℃ 미만, -50℃ 미만 또는 -60℃ 미만일 수 있다. 상기에서 유리전이온도란, 경화 후의 유리전이온도일 수 있고, 일구체예에서, 약 조사량 1J/cm2 이상의 자외선을 조사한 후의 유리전이온도; 또는 자외선 조사 이후 열경화를 추가로 진행한 후의 유리전이온도를 의미할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the encapsulating resin may have a glass transition temperature of less than 0 ° C, less than -10 ° C or less than -30 ° C, less than -50 ° C, or less than -60 ° C. In the above, the glass transition temperature may be a glass transition temperature after curing, and in one embodiment, a glass transition temperature after irradiating ultraviolet light having a dose of about 1 J / cm 2 or higher; Alternatively, it may mean the glass transition temperature after further performing heat curing after ultraviolet irradiation.

하나의 예시에서, 상기 봉지 수지는 스티렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리올레핀계 수지 또는 엘라스토머, 기타 엘라스토머, 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머, 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머, 폴리카보네이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 엘라스토머, 탄화수소의 혼합물, 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머, 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머, 에폭시계 수지 또는 엘라스토머, 실리콘계 수지 또는 엘라스토머, 불소계 수지 또는 엘라스토머 또는 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다. In one example, the encapsulating resin is a styrene-based resin or elastomer, polyolefin-based resin or elastomer, other elastomers, polyoxyalkylene-based resin or elastomer, polyester-based resin or elastomer, polyvinyl chloride-based resin or elastomer, polycarbonate-based Resins or elastomers, polyphenylene sulfide-based resins or elastomers, mixtures of hydrocarbons, polyamide-based resins or elastomers, acrylate-based resins or elastomers, epoxy-based resins or elastomers, silicone-based resins or elastomers, fluorine-based resins or elastomers or mixtures thereof And the like.

상기에서 스티렌계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 스티렌-에틸렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(SEBS), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SIS), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(ABS), 아크릴로니트릴-스티렌-아크릴레이트 블록 공중합체(ASA), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(SBS), 스티렌계 단독 중합체 또는 이들의 혼합물이 예시될 수 있다. 상기 올레핀계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 고밀도폴리에틸렌계 수지 또는 엘라스토머, 저밀도폴리에틸렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리프로필렌계 수지 또는 엘라스토머 또는 이들의 혼합물이 예시될 수 있다. 상기 엘라스토머로는, 예를 들면, 에스터계 열가소성 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 그 중 올레핀계 열가소성 엘라스토머로서 폴리부타디엔 수지 또는 엘라스토머 또는 폴리이소부틸렌 수지 또는 엘라스토머 등이 사용될 수 있다. 상기 폴리옥시알킬렌계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 폴리옥시메틸렌계 수지 또는 엘라스토머, 폴리옥시에틸렌계 수지 또는 엘라스토머 또는 이들의 혼합물 등이 예시될 수 있다. 상기 폴리에스테르계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계 수지 또는 엘라스토머, 폴리부틸렌 테레프탈레이트계 수지 또는 엘라스토머 또는 이들의 혼합물 등이 예시될 수 있다. 상기 폴리염화비닐계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 폴리비닐리덴 클로라이드 등이 예시될 수 있다. 상기 탄화수소의 혼합물로는, 예를 들면, 헥사트리아코탄(hexatriacotane) 또는 파라핀 등이 예시될 수 있다. 상기 폴리아미드계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 나일론 등이 예시될 수 있다. 상기 아크릴레이트계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 폴리부틸(메타)아크릴레이트 등이 예시될 수 있다. 상기 에폭시계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 비스페놀 A 형, 비스페놀 F 형, 비스페놀 S 형 및 이들의 수첨가물 등의 비스페놀형; 페놀노볼락형이나 크레졸노볼락형 등의 노볼락형; 트리글리시딜이소시아누레이트형이나 히단토인형 등의 함질소 고리형; 지환식형; 지방족형; 나프탈렌형, 비페닐형 등의 방향족형; 글리시딜에테르형, 글리시딜아민형, 글리시딜에스테르형 등의 글리시딜형; 디시클로펜타디엔형 등의 디시클로형; 에스테르형; 에테르에스테르형 또는 이들의 혼합물 등이 예시될 수 있다. 상기 실리콘계 수지 또는 엘라스토머로는, 예를 들면, 폴리디메틸실록산 등이 예시될 수 있다. 또한, 상기 불소계 수지 또는 엘라스토머로는, 폴리트리플루오로에틸렌 수지 또는 엘라스토머, 폴리테트라플루오로에틸렌 수지 또는 엘라스토머, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 수지 또는 엘라스토머, 폴리헥사플루오로프로필렌수지 또는 엘라스토머, 폴리플루오린화비닐리덴, 폴리플루오린화비닐, 폴리플루오린화에틸렌프로필렌 또는 이들의 혼합물 등이 예시될 수 있다.In the above, as the styrene-based resin or elastomer, for example, styrene-ethylene-butadiene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), acrylonitrile-butadiene-styrene block copolymer (ABS), acrylonitrile-styrene-acrylate block copolymers (ASA), styrene-butadiene-styrene block copolymers (SBS), styrenic homopolymers, or mixtures thereof. As the olefin-based resin or elastomer, for example, a high-density polyethylene-based resin or elastomer, a low-density polyethylene-based resin or elastomer, a polypropylene-based resin or elastomer, or a mixture thereof can be exemplified. As the elastomer, for example, an ester-based thermoplastic elastomer, an olefin-based elastomer, a silicone-based elastomer, an acrylic-based elastomer, or mixtures thereof can be used. Among them, a polybutadiene resin or an elastomer or a polyisobutylene resin or an elastomer may be used as the olefin-based thermoplastic elastomer. As the polyoxyalkylene-based resin or elastomer, for example, polyoxymethylene-based resin or elastomer, polyoxyethylene-based resin or elastomer, or mixtures thereof may be exemplified. As the polyester-based resin or elastomer, for example, polyethylene terephthalate-based resin or elastomer, polybutylene terephthalate-based resin or elastomer, or mixtures thereof may be exemplified. As the polyvinyl chloride-based resin or elastomer, polyvinylidene chloride or the like can be exemplified. As the mixture of the hydrocarbons, for example, hexatriacotane or paraffin may be exemplified. As the polyamide-based resin or elastomer, for example, nylon and the like can be exemplified. As the acrylate-based resin or elastomer, for example, polybutyl (meth) acrylate and the like can be exemplified. Examples of the epoxy resin or elastomer include, for example, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, and their bisphenols; Novolac types such as phenol novolac type and cresol novolac type; Nitrogen-containing cyclic forms such as triglycidyl isocyanurate type and hydantoin type; Alicyclic type; Aliphatic type; Aromatic types such as naphthalene type and biphenyl type; Glycidyl types such as glycidyl ether type, glycidyl amine type, and glycidyl ester type; Dicyclo type such as dicyclopentadiene type; Ester type; Ether ester type or mixtures thereof, and the like. As the silicone resin or elastomer, for example, polydimethylsiloxane or the like can be exemplified. Further, as the fluorine-based resin or elastomer, polytrifluoroethylene resin or elastomer, polytetrafluoroethylene resin or elastomer, polychlorotrifluoroethylene resin or elastomer, polyhexafluoropropylene resin or elastomer, polyfluorination Vinylidene, polyfluorinated vinyl, polyfluorinated ethylene propylene, or mixtures thereof, and the like.

상기 나열한 수지 또는 엘라스토머는, 예를 들면, 말레산무수물 등과 그라프트되어 사용될 수도 있고, 나열된 다른 수지 또는 엘라스토머 내지는 수지 또는 엘라스토머를 제조하기 위한 단량체와 공중합되어 사용될 수도 있으며, 그 외 다른 화합물에 의하여 변성시켜 사용할 수도 있다. 상기 다른 화합물의 예로는 카르복실-말단 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체 등을 들 수 있다.The resins or elastomers listed above may be used, for example, by being grafted with maleic anhydride or the like, or may be used by copolymerization with other resins or elastomers or monomers for preparing the resins or elastomers, and modified by other compounds. You can also use it. Examples of the other compound include a carboxyl-terminal butadiene-acrylonitrile copolymer and the like.

하나의 예시에서, 상기 봉지층은 봉지 수지로서 상기 언급한 종류 중에서 올레핀계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머 또는 아크릴계 엘라스토머 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In one example, the encapsulation layer may include an olefin-based elastomer, a silicone-based elastomer, or an acrylic-based elastomer among the aforementioned types, but is not limited thereto.

본 발명의 일구체예에서, 상기 봉지 수지는 올레핀계 수지일 수 있다. 하나의 예시에서, 올레핀계 수지는 부틸렌 단량체의 단독 중합체; 부틸렌 단량체와 중합 가능한 다른 단량체를 공중합한 공중합체; 부틸렌 단량체를 이용한 반응성 올리고머; 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 부틸렌 단량체는 예를 들어, 1-부텐, 2-부텐 또는 이소부틸렌을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the sealing resin may be an olefin-based resin. In one example, the olefinic resin is a homopolymer of butylene monomer; A copolymer obtained by copolymerizing a butylene monomer with another polymerizable monomer; Reactive oligomers using butylene monomers; Or mixtures thereof. The butylene monomer may include, for example, 1-butene, 2-butene or isobutylene.

상기 부틸렌 단량체 혹은 유도체와 중합 가능한 다른 단량체는, 예를 들면, 이소프렌, 스티렌 또는 부타디엔 등을 포함할 수 있다. 상기 공중합체를 사용함으로써, 공정성 및 가교도와 같은 물성을 유지할 수 있어 유기전자장치에 적용 시 점착제 자체의 내열성을 확보할 수 있다.Other monomers polymerizable with the butylene monomer or derivative may include, for example, isoprene, styrene or butadiene. By using the copolymer, properties such as fairness and degree of crosslinking can be maintained, so that heat resistance of the adhesive itself can be secured when applied to an organic electronic device.

또한, 부틸렌 단량체를 이용한 반응성 올리고머는 반응성 관능기를 갖는 부틸렌 중합체를 포함할 수 있다. 상기 올리고머는 중량평균 분자량 500 내지 5000의 범위를 가질 수 있다. 또한, 상기 부틸렌 중합체는 반응성 관능기를 갖는 다른 중합체와 결합되어 있을 수 있다. 상기 다른 중합체는 알킬 (메타)아크릴레이트일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 반응성 관능기는 히드록시기, 카르복실기, 이소시아네이트기 또는 질소 함유기일 수 있다. 또한, 상기 반응성 올리고머와 상기 다른 중합체는 다관능성 가교제에 의해 가교되어 있을 수 있고, 상기 다관능성 가교제는 이소시아네이트 가교제, 에폭시 가교제, 아지리딘 가교제 및 금속 킬레이트 가교제로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상일 수 있다.In addition, the reactive oligomer using the butylene monomer may include a butylene polymer having a reactive functional group. The oligomer may have a weight average molecular weight of 500 to 5000. In addition, the butylene polymer may be combined with other polymers having reactive functional groups. The other polymer may be an alkyl (meth) acrylate, but is not limited thereto. The reactive functional group may be a hydroxy group, a carboxyl group, an isocyanate group or a nitrogen-containing group. In addition, the reactive oligomer and the other polymer may be crosslinked by a polyfunctional crosslinking agent, and the multifunctional crosslinking agent may be at least one selected from the group consisting of isocyanate crosslinking agents, epoxy crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, and metal chelate crosslinking agents.

하나의 예시에서, 본 출원의 봉지 수지는 디엔과 하나의 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 올레핀계 화합물의 공중합체일 수 있다. 여기서, 올레핀계 화합물은 부틸렌 등을 포함할 수 있고, 디엔은 상기 올레핀계 화합물과 중합 가능한 단량체일 수 있으며, 예를 들어, 이소프렌 또는 부타디엔 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 올레핀계 화합물 및 디엔의 공중합체는 부틸 고무일 수 있다.In one example, the encapsulating resin of the present application may be a copolymer of a diene and an olefin-based compound comprising a carbon-carbon double bond. Here, the olefin-based compound may include butylene, and the diene may be a polymerizable monomer with the olefin-based compound, and may include, for example, isoprene or butadiene. For example, the copolymer of diene and olefinic compound containing one carbon-carbon double bond may be butyl rubber.

봉지층에서 상기 수지 또는 엘라스토머 성분은 점착제 조성물이 필름 형상으로 성형이 가능한 정도의 중량평균분자량(Mw: Weight Average Molecular Weight)을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 또는 엘라스토머는 약 10만 내지 200만, 15만 내지 150만 또는 35만 내지 100만 정도의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 중량평균분자량은, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌에 대한 환산 수치를 의미한다. 다만, 상기 언급된 중량평균분자량을 상기 수지 또는 엘라스토머 성분이 반드시 가져야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 수지 또는 엘라스토머 성분의 분자량이 필름을 형성할 정도의 수준이 되지 않는 경우에는 별도의 바인더 수지가 점착제 조성물에 배합될 수 있다.The resin or elastomer component in the encapsulation layer may have a weight average molecular weight (Mw) such that the pressure-sensitive adhesive composition can be molded into a film shape. For example, the resin or elastomer may have a weight average molecular weight of about 100,000 to 2 million, 150,000 to 1.5 million or 350,000 to 1 million. In this specification, the term weight average molecular weight refers to a conversion value for standard polystyrene measured by GPC (Gel Permeation Chromatograph). However, the resin or elastomer component does not necessarily have the above-mentioned weight average molecular weight. For example, if the molecular weight of the resin or elastomer component does not reach a level sufficient to form a film, a separate binder resin may be blended in the pressure-sensitive adhesive composition.

또한, 하나의 예시에서, 본 출원의 봉지층은 봉지 수지와 상용성이 높고, 상기 봉지 수지와 함께 특정 가교 구조를 형성할 수 있는 활성 에너지선 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 봉지 수지는 가교 가능한(cross-linkable) 수지일 수 있다.In addition, in one example, the encapsulation layer of the present application is highly compatible with the encapsulation resin, and may include an active energy ray polymerizable compound capable of forming a specific crosslinked structure with the encapsulation resin. In this case, the encapsulating resin may be a cross-linkable resin.

예를 들어, 본 출원의 봉지층은 봉지 수지와 함께 활성 에너지선의 조사에 의해 중합될 수 있는 다관능성의 활성 에너지선 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 상기 활성 에너지선 중합성 화합물은, 예를 들면, 활성에너지선의 조사에 의한 중합 반응에 참여할 수 있는 관능기, 예를 들면, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기 등과 같은 에틸렌성 불포화 이중결합을 포함하는 관능기, 에폭시기 또는 옥세탄기 등의 관능기를 2개 이상 포함하는 화합물을 의미할 수 있다.For example, the encapsulation layer of the present application may include a polyfunctional active energy ray polymerizable compound that can be polymerized by irradiation of active energy rays together with a sealing resin. The active energy ray polymerizable compound is, for example, a functional group capable of participating in a polymerization reaction by irradiation of active energy rays, for example, a functional group comprising an ethylenically unsaturated double bond such as an acryloyl group or a methacryloyl group. , It may mean a compound containing two or more functional groups such as an epoxy group or an oxetane group.

다관능성의 활성에너지선 중합성 화합물로는, 예를 들면, 다관능성 아크릴레이트(MFA; Multifunctional acrylate)를 사용할 수 있다. As the polyfunctional active energy ray polymerizable compound, for example, multifunctional acrylate (MFA) may be used.

또한, 상기 활성 에너지선 중합성 화합물은 봉지 수지 100 중량부에 대하여 3 중량부 내지 30 중량부, 5 중량부 내지 25 중량부, 8 중량부 내지 20 중량부, 10 중량부 내지 18 중량부 또는 12 중량부 내지 18 중량부로 포함될 수 있다. 본 출원은 상기 범위 내에서, 고온 고습 등 가혹 조건에서도 내구 신뢰성이 우수한 봉지 필름을 제공한다.In addition, the active energy ray polymerizable compound is 3 parts by weight to 30 parts by weight, 5 parts by weight to 25 parts by weight, 8 parts by weight to 20 parts by weight, 10 parts by weight to 18 parts by weight or 12 parts by weight based on 100 parts by weight of the encapsulating resin It may be included in parts by weight to 18 parts by weight. The present application, within the above range, provides a sealing film having excellent durability and reliability even under severe conditions such as high temperature and high humidity.

상기 활성 에너지선의 조사에 의해 중합될 수 있는 다관능성의 활성 에너지선 중합성 화합물은 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 화합물은 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 1,8-옥탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,12-도데세인디올(dodecanediol) 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(dicyclopentanyl) 디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산-1,4-디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)디아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄(adamantane) 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.The polyfunctional active energy ray polymerizable compound that can be polymerized by irradiation with the active energy ray can be used without limitation. For example, the compound is 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,8- Octanediol di (meth) acrylate, 1,12-dodecanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, cyclo Hexane-1,4-dimethanol di (meth) acrylate, tricyclodecanedimethanol (meth) diacrylate, dimethylol dicyclopentane di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylpropane di (meth) acrylic Rate, adamantane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, or mixtures thereof.

다관능성의 활성에너지선 중합성 화합물로는, 예를 들면, 분자량이 1,000 미만이며, 관능기를 2개 이상 포함하는 화합물을 사용할 수 있다. 이 경우, 분자량은 중량평균분자량 또는 통상적인 분자량을 의미할 수 있다. 상기 다관능성의 활성에너지선 중합성 화합물에 포함되는 고리 구조는 탄소환식 구조 또는 복소환식 구조; 또는 단환식 또는 다환식 구조의 어느 것이어도 된다.As the polyfunctional active energy ray polymerizable compound, for example, a compound having a molecular weight of less than 1,000 and containing two or more functional groups can be used. In this case, the molecular weight may mean a weight average molecular weight or a typical molecular weight. The ring structure included in the polyfunctional active energy ray polymerizable compound includes a carbocyclic structure or a heterocyclic structure; Alternatively, any of monocyclic or polycyclic structures may be used.

본 출원의 구체예에서, 봉지층은 라디칼 개시제를 추가로 포함할 수 있다. 라디칼 개시제는 광개시제 또는 열개시제일 수 있다. 광개시제의 구체적인 종류는 경화 속도 및 황변 가능성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들면, 벤조인계, 히드록시 케톤계, 아미노 케톤계 또는 포스핀 옥시드계 광개시제 등을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아니노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논] 및 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등을 사용할 수 있다.In an embodiment of the present application, the encapsulation layer may further include a radical initiator. The radical initiator can be a photoinitiator or a thermal initiator. The specific type of photoinitiator may be appropriately selected in consideration of the curing rate and the possibility of yellowing. For example, benzoin-based, hydroxy-ketone-based, amino-ketone-based or phosphine oxide-based photoinitiators can be used, specifically, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether , Benzoin n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylano acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2 -Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane-1- On, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl-2- (hydroxy-2-propyl) ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-aminoanthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4 -Dimethylthio Xanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, acetophenone dimethylketal, p-dimethylamino benzoic acid ester, oligo [2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl ] Propanone] and 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide.

라디칼 개시제는 활성에너지선 중합성 화합물 100 중량부에 대하여 0.2 중량부 내지 20 중량부, 0.5 내지 18 중량부, 1 내지 15 중량부, 또는 2 중량부 내지 13 중량부의 비율로 포함될 수도 있다. 이를 통해 활성에너지선 중합성 화합물의 반응을 효과적으로 유도하고, 또한 경화 후에 잔존 성분으로 인해 봉지층 조성물의 물성이 악화되는 것을 방지할 수 있다.The radical initiator may be included in a proportion of 0.2 parts by weight to 20 parts by weight, 0.5 to 18 parts by weight, 1 to 15 parts by weight, or 2 parts by weight to 13 parts by weight based on 100 parts by weight of the active energy ray polymerizable compound. Through this, it is possible to effectively induce the reaction of the active energy ray polymerizable compound, and also to prevent the physical properties of the encapsulation layer composition from deteriorating due to the remaining components after curing.

하나의 예시에서, 봉지층은 점착 부여제를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 점착 부여제는 바람직하게 수소화된 환형 올레핀계 중합체일 수 있다. 점착 부여제로는, 예를 들면, 석유 수지를 수소화하여 얻어지는 수소화된 석유 수지를 사용할 수 있다. 수소화된 석유 수지는 부분적으로 또는 완전히 수소화될 수 있으며, 그러한 수지들의 혼합물일 수도 있다. 이러한 점착 부여제는 점착제 조성물과 상용성이 좋으면서도 수분 차단성이 우수하고, 유기 휘발 성분이 낮은 것을 선택할 수 있다. 수소화된 석유 수지의 구체적인 예로는, 수소화된 테르펜계 수지, 수소화된 에스테르계 수지 또는 수소화된 다이사이클로펜타디엔계 수지 등을 들 수 있다. 상기 점착 부여제의 중량평균분자량은 약 200 내지 5,000 일 수 있다. 상기 점착 부여제의 함량은 필요에 따라 적절하게 조절할 수 있다. 예를 들면, 점착 부여제의 함량은 하나의 예시에 따르면, 수지 성분 100 중량부 대비 5 중량부 내지 100 중량부, 8 내지 95 중량부, 10 중량부 내지 93 중량부 또는 15 중량부 내지 90 중량부의 비율로 포함될 수 있다.In one example, the encapsulation layer may further include a tackifier, and the tackifier may be a hydrogenated cyclic olefin polymer. As the tackifier, for example, a hydrogenated petroleum resin obtained by hydrogenating a petroleum resin can be used. Hydrogenated petroleum resins may be partially or fully hydrogenated, or mixtures of such resins. Such a tackifier may be selected from those having good compatibility with the pressure-sensitive adhesive composition but having excellent moisture barrier properties and low organic volatile components. Specific examples of the hydrogenated petroleum resin include hydrogenated terpene-based resins, hydrogenated ester-based resins, or hydrogenated dicyclopentadiene-based resins. The weight average molecular weight of the tackifier may be about 200 to 5,000. The content of the tackifier can be appropriately adjusted as needed. For example, the content of the tackifier is 5 parts to 100 parts by weight, 8 to 95 parts by weight, 8 to 95 parts by weight, 10 parts to 93 parts by weight, or 15 parts to 90 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin component. It can be included in a proportion of wealth.

전술한 바와 같이, 봉지층은 수분 흡착제를 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수분 흡착제(moisture absorbent)」는, 예를 들면, 후술하는 봉지 필름으로 침투한 수분 내지는 습기와의 화학적 반응을 통해 상기를 제거할 수 있는 화학 반응성 흡착제를 의미할 수 있다. As described above, the encapsulation layer may further include a moisture adsorbent. In this specification, the term "moisture absorbent (moisture absorbent)" may mean, for example, a chemically reactive adsorbent capable of removing the above through a chemical reaction with moisture or moisture that has penetrated into a sealing film, which will be described later.

예를 들어, 수분 흡착제는 봉지층 또는 봉지 필름 내에 고르게 분산된 상태로 존재할 수 있다. 여기서 고르게 분산된 상태는 봉지층 또는 봉지 필름의 어느 부분에서도 동일 또는 실질적으로 동일한 밀도로 수분 흡착제가 존재하는 상태를 의미할 수 있다. 상기에서 사용될 수 있는 수분 흡착제로는, 예를 들면, 금속 산화물, 황산염 또는 유기 금속 산화물 등을 들 수 있다. 구체적으로, 상기 황산염의 예로는, 황산마그네슘, 황산나트륨 또는 황산니켈 등을 들 수 있으며, 상기 유기 금속 산화물의 예로는 알루미늄 옥사이드 옥틸레이트 등을 들 수 있다. 상기에서 금속산화물의 구체적인 예로는, 오산화인(P2O5), 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등을 들 수 있고, 금속염의 예로는, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등과 같은 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등과 같은 금속할로겐화물; 또는 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은 금속염소산염 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 봉지층에 포함될 수 있는 수분 흡착제로는 상술한 구성 중 1 종을 사용할 수도 있고, 2 종 이상을 사용할 수도 있다. 하나의 예시에서 수분 흡착제로 2 종 이상을 사용하는 경우 소성돌로마이트(calcined dolomite) 등이 사용될 수 있다.For example, the moisture adsorbent may be present evenly dispersed in the encapsulation layer or encapsulation film. Here, the evenly dispersed state may mean a state in which a water adsorbent is present at the same or substantially the same density in any part of the sealing layer or the sealing film. Examples of the water adsorbent that can be used in the above include metal oxides, sulfates, or organic metal oxides. Specifically, examples of the sulfate include magnesium sulfate, sodium sulfate, or nickel sulfate, and examples of the organic metal oxide include aluminum oxide octylate and the like. Specific examples of the metal oxide in the above, phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ), lithium oxide (Li 2 O), sodium oxide (Na 2 O), barium oxide (BaO), calcium oxide (CaO) or magnesium oxide (MgO ), And examples of the metal salt include lithium sulfate (Li 2 SO 4 ), sodium sulfate (Na 2 SO 4 ), calcium sulfate (CaSO 4 ), magnesium sulfate (MgSO 4 ), and cobalt sulfate (CoSO 4 ), Sulfates such as gallium sulfate (Ga 2 (SO 4 ) 3 ), titanium sulfate (Ti (SO 4 ) 2 ) or nickel sulfate (NiSO 4 ), calcium chloride (CaCl 2 ), magnesium chloride (MgCl 2 ), strontium chloride (SrCl) 2 ), yttrium chloride (YCl 3 ), copper chloride (CuCl 2 ), cesium fluoride (CsF), tantalum fluoride (TaF 5 ), niobium fluoride (NbF 5 ), lithium bromide (LiBr), calcium bromide (CaBr 2 ), Metal halides such as cesium bromide (CeBr 3 ), selenium bromide (SeBr 4 ), vanadium bromide (VBr 3 ), magnesium bromide (MgBr 2 ), barium iodide (BaI 2 ) or magnesium iodide (MgI 2 ); Or metal chlorate such as barium perchlorate (Ba (ClO 4 ) 2 ) or magnesium perchlorate (Mg (ClO 4 ) 2 ), but is not limited thereto. As the moisture adsorbent that may be included in the encapsulation layer, one type of the above-described configuration may be used, or two or more types may be used. In one example, when two or more types of water adsorbents are used, calcined dolomite or the like may be used.

이러한 수분 흡착제는 용도에 따라 적절한 크기로 제어될 수 있다. 하나의 예시에서 수분 흡착제의 평균 입경이 100 내지 15000 nm, 500 nm 내지 10000 nm, 800 nm 내지 8000 nm, 1㎛ 내지 7㎛, 2㎛ 내지 5㎛ 또는 2.5㎛ 내지 4.5㎛로 제어될 수 있다. 본 명세서에서, 입경은 평균입경을 의미할 수 있고, D50 입도분석기로 공지의 방법으로 측정한 것일 수 있다.Such a water adsorbent can be controlled to an appropriate size according to the application. In one example, the average particle diameter of the water adsorbent may be controlled to 100 to 15000 nm, 500 nm to 10000 nm, 800 nm to 8000 nm, 1 μm to 7 μm, 2 μm to 5 μm, or 2.5 μm to 4.5 μm. In this specification, the particle diameter may mean the average particle diameter, and may be measured by a known method with a D50 particle size analyzer.

수분 흡착제의 함량은, 특별히 제한되지 않고, 목적하는 차단 특성을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 본 출원의 봉지 필름은 상기 봉지 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부 또는 10 내지 80 중량부로 포함될 수 있다.The content of the water adsorbent is not particularly limited and may be appropriately selected in consideration of the desired barrier properties. In one example, the sealing film of the present application may be included in 5 to 100 parts by weight or 10 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the sealing resin.

봉지층은 필요한 경우, 수분 차단제를 또한 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수분 차단제(moisture blocker)」는, 수분과의 반응성이 없거나 낮으나, 물리적으로 수분 내지는 습기의 필름 내에서의 이동을 차단하거나 방해할 수 있는 물질을 의미할 수 있다. 수분 차단제로는, 예를 들면, 클레이, 탈크, 침상 실리카, 판상 실리카, 다공성 실리카, 제올라이트, 티타니아 또는 지르코니아 중 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 또한, 수분 차단제는 유기물의 침투가 용이하도록 유기 개질제 등에 의하여 표면 처리가 될 수 있다. 이러한 유기 개질제로는, 예를 들면, 디메틸 벤질 수소화 탈로우 4차 암모늄(dimethyl benzyl hydrogenatedtallow quaternaty ammonium), 디메틸 수소화 탈로우 4차 암모늄(dimethyl dihydrogenatedtallow quaternary ammonium), 메틸 탈로우 비스-2-하이드록시에틸 4차 암모늄(methyl tallow bis-2-hydroxyethyl quaternary ammonium), 디메틸 수소화 탈로우 2-에틸헥실 4차 암모늄(dimethyl hydrogenatedtallow 2-ethylhexyl quaternary ammonium), 디메틸 탈수소화 탈로우 4차 암모늄(dimethyl dehydrogenated tallow quaternary ammonium) 또는 이들의 혼합물인 유기 개질제 등이 사용될 수 있다. If necessary, the encapsulation layer may also include a moisture barrier. In this specification, the term "moisture blocker (moisture blocker)" may refer to a material that has no or low reactivity with moisture, but can physically block or hinder the movement of moisture or moisture in the film. As the moisture barrier, for example, one or two or more of clay, talc, acicular silica, plate silica, porous silica, zeolite, titania or zirconia can be used. In addition, the moisture barrier may be surface treated with an organic modifier or the like to facilitate penetration of organic substances. Such organic modifiers include, for example, dimethyl benzyl hydrogenated tallow quaternaty ammonium, dimethyl dihydrogenated tallow quaternary ammonium, methyl tallow bis-2-hydroxyethyl Methyl tallow bis-2-hydroxyethyl quaternary ammonium, dimethyl hydrogenatedtallow 2-ethylhexyl quaternary ammonium, dimethyl dehydrogenated tallow quaternary ammonium ) Or a mixture thereof, an organic modifier, and the like.

수분 차단제의 함량은, 특별히 제한되지 않고, 목적하는 차단 특성을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.The content of the moisture barrier agent is not particularly limited, and may be appropriately selected in consideration of the desired barrier properties.

봉지층에는 상술한 구성 외에도 용도 및 후술하는 봉지 필름의 제조 공정에 따라 다양한 첨가제가 포함될 수 있다. 예를 들어, 봉지층은 경화성 물질, 가교제 또는 필러 등을 목적하는 물성에 따라 적정 범위의 함량으로 포함할 수 있다.In addition to the above-described configuration, the encapsulation layer may include various additives depending on the application and the manufacturing process of the encapsulation film described later. For example, the encapsulation layer may include a curable material, a crosslinking agent, or a filler in an appropriate range according to the desired physical properties.

상기 봉지층은 2층 이상의 층으로 형성되는 경우, 유기전자소자와 접촉하지 않는 제2층이 상기 수분 흡착제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 2층 이상의 층으로 형성되는 경우, 상기 봉지층 가운데 유기전자소자와 접촉하는 층은 수분 흡착제를 포함하지 않거나 봉지 수지 100 중량부 대비 5중량부 미만 또는 4중량부 미만의 소량으로 수분 흡착제를 포함할 수 있다.When the encapsulation layer is formed of two or more layers, the second layer that does not contact the organic electronic device may include the moisture adsorbent. For example, when it is formed of two or more layers, the layer in contact with the organic electronic device among the encapsulation layers does not contain a moisture absorbent or is less than 5 parts by weight or less than 4 parts by weight compared to 100 parts by weight of the encapsulating resin. It may contain an adsorbent.

구체적으로, 상기 수분 흡착제의 함량은, 상기 봉지 필름이 유기전자소자의 봉지에 적용되는 점을 고려할 때, 소자의 손상 등을 고려하여 제어할 수 있다. 예를 들어, 소자와 접촉하는 제1층에 소량의 수분 흡착제를 구성하거나, 수분 흡착제를 포함하지 않을 수 있다. 하나의 예시에서, 소자와 접촉하는 봉지층 제1층은 봉지 필름이 함유하는 수분 흡착제 전체 질량에 대해서 0 내지 20%의 수분 흡착제를 포함할 수 있다. 또한, 소자와 접촉하지 않는 봉지층은 봉지 필름이 함유하는 수분 흡착제 전체 질량에 대해서 80 내지 100%의 수분 흡착제를 포함할 수 있다.Specifically, the content of the moisture adsorbent may be controlled in consideration of damage to the device and the like, considering that the sealing film is applied to the sealing of the organic electronic device. For example, a small amount of the water adsorbent may be configured in the first layer contacting the device, or the water absorbent may not be included. In one example, the first layer of the encapsulation layer in contact with the device may include 0 to 20% moisture adsorbent relative to the total mass of the moisture adsorbent contained in the encapsulation film. In addition, the sealing layer that does not contact the device may include 80 to 100% of the water adsorbent relative to the total mass of the water adsorbent contained in the sealing film.

예시적인 봉지 필름은, 기재 필름 또는 이형 필름(이하, 「제 1 필름」이라 칭하는 경우가 있다.)을 추가로 포함하고, 상기 봉지층이 상기 기재 또는 이형 필름상에 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 구조는 또한 상기 열전도성 금속층 상에 형성된 기재 또는 이형 필름(이하, 「제 2 필름」이라 칭하는 경우가 있다.)을 추가로 포함할 수 있다.The exemplary encapsulation film may further include a base film or a release film (hereinafter, sometimes referred to as a "first film"), and may have a structure in which the encapsulation layer is formed on the substrate or release film. have. The structure may further include a base material or a release film (hereinafter, sometimes referred to as a "second film") formed on the thermally conductive metal layer.

본 출원에서 사용할 수 있는 상기 제 1 필름의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않는다. 본 출원에서는 상기 제 1 필름으로서, 예를 들면, 이 분야의 일반적인 고분자 필름을 사용할 수 있다. 본 출원에서는, 예를 들면, 상기 기재 또는 이형 필름으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오르에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체 필름, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 출원의 상기 기재 필름 또는 이형 필름의 일면 또는 양면에는 적절한 이형 처리가 수행되어 있을 수도 있다. 기재 필름의 이형 처리에 사용되는 이형제의 예로는 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계 등을 사용할 수 있고, 이 중 내열성 측면에서 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 이형제를 사용하는 것이 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The specific type of the first film that can be used in the present application is not particularly limited. In the present application, as the first film, for example, a general polymer film in this field can be used. In this application, for example, as the substrate or release film, polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film, polyurethane film , Ethylene-vinyl acetate film, ethylene-propylene copolymer film, ethylene-ethyl acrylate copolymer film, ethylene-methyl acrylate copolymer film or polyimide film. In addition, an appropriate release treatment may be performed on one side or both sides of the base film or release film of the present application. As an example of the release agent used for the release treatment of the base film, an alkyd-based, silicone-based, fluorine-based, unsaturated ester-based, polyolefin-based or wax-based or the like can be used, and among them, using an alkyd-based, silicone-based or fluorine-based mold release agent It is preferred, but is not limited thereto.

본 출원에서 상기와 같은 기재 필름 또는 이형 필름(제 1 필름)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 적용되는 용도에 따라서 적절히 선택될 수 있다. 예를 들면, 본 출원에서 상기 제 1 필름의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도일 수 있다. 상기 두께가 10 ㎛ 미만이면 제조 과정에서 기재 필름의 변형이 쉽게 발생할 우려가 있고, 500 ㎛를 초과하면, 경제성이 떨어진다.In the present application, the thickness of the base film or release film (first film) as described above is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the applied application. For example, the thickness of the first film in the present application may be about 10 μm to 500 μm, preferably about 20 μm to 200 μm. If the thickness is less than 10 µm, there is a possibility that deformation of the base film easily occurs in the manufacturing process, and when it exceeds 500 µm, economic efficiency is deteriorated.

본 출원의 봉지 필름에 포함되는 봉지층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 상기 필름이 적용되는 용도를 고려하여 하기의 조건에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 봉지층의 두께는 5 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 정도일 수 있다. 상기 봉지층의 두께는 다층의 봉지층 전체의 두께일 수 있다. 봉지층의 두께가 5 ㎛ 미만일 경우 충분한 수분차단 능력을 발휘할 수 없으며, 200 ㎛ 초과할 경우 공정성을 확보하기가 어려우며, 수분 반응성으로 인하여 두께 팽창이 커서 유기발광소자의 증착막에 손상을 입힐 수 있으며 경제성이 떨어진다.The thickness of the encapsulation layer included in the encapsulation film of the present application is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the following conditions in consideration of the application to which the film is applied. The thickness of the encapsulation layer may be about 5 μm to 200 μm, preferably about 5 μm to 100 μm. The thickness of the encapsulation layer may be the entire thickness of the multilayer encapsulation layer. If the thickness of the encapsulation layer is less than 5 µm, it is impossible to exhibit sufficient moisture blocking ability, and if it exceeds 200 µm, it is difficult to secure fairness. Falls.

본 출원은 또한 유기전자장치에 관한 것이다. 상기 유기전자장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(31); 상기 기판(31) 상에 형성된 유기전자소자(32); 및 상기 유기전자소자(32)를 봉지하는 전술한 봉지필름(20)을 포함할 수 있다. 상기 봉지 필름은 기판 상에 형성된 유기전자소자의 전면, 예를 들면 상부 및 측면을 모두 봉지하고 있을 수 있다. 상기 봉지 필름은 점착제 조성물 또는 접착제 조성물을 가교 또는 경화된 상태로 함유하는 봉지층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층이 기판 상에 형성된 유기전자소자의 전면에 접촉하도록 밀봉하여 유기전자장치가 형성되어 있을 수 있다.The present application also relates to an organic electronic device. The organic electronic device, as shown in Figure 3, the substrate 31; An organic electronic element 32 formed on the substrate 31; And it may include the above-described sealing film 20 for sealing the organic electronic device 32. The encapsulation film may encapsulate the front surface, for example, both the top and side surfaces of the organic electronic device formed on the substrate. The encapsulation film may include an encapsulation layer containing an adhesive composition or an adhesive composition in a crosslinked or cured state. In addition, the organic electronic device may be formed by sealing the sealing layer so as to contact the front surface of the organic electronic device formed on the substrate.

본 출원의 구체예에서, 유기전자소자는 한 쌍의 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기층 및 패시베이션막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기전자소자는 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 상에 형성되고 적어도 발광층을 포함하는 유기층 및 상기 유기층상에 형성되는 제 2 전극층을 포함하고, 상기 제 2 전극층 상에 전극 및 유기층을 보호하는 패시베이션막을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극층은 투명 전극층 또는 반사 전극층일 수 있고, 제 2 전극층 또한, 투명 전극층 또는 반사 전극층일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 유기전자소자는 기판 상에 형성된 투명 전극층, 상기 투명 전극층 상에 형성되고 적어도 발광층을 포함하는 유기층 및 상기 유기층 상에 형성되는 반사 전극층을 포함할 수 있다.In an embodiment of the present application, the organic electronic device may include a pair of electrodes, an organic layer including at least a light emitting layer, and a passivation film. Specifically, the organic electronic device includes a first electrode layer, an organic layer formed on the first electrode layer and including at least a light emitting layer, and a second electrode layer formed on the organic layer, and an electrode and an organic layer on the second electrode layer. It may include a passivation film to protect. The first electrode layer may be a transparent electrode layer or a reflective electrode layer, and the second electrode layer may also be a transparent electrode layer or a reflective electrode layer. More specifically, the organic electronic device may include a transparent electrode layer formed on a substrate, an organic layer formed on the transparent electrode layer and including at least a light emitting layer, and a reflective electrode layer formed on the organic layer.

상기에서 유기전자소자는 예를 들면, 유기발광소자일 수 있다.In the above, the organic electronic device may be, for example, an organic light emitting device.

상기 패시베이션 막은 무기막과 유기막을 포함할 수 있다. 일 구체예에서 상기 무기막은 Al, Zr, Ti, Hf, Ta, In, Sn, Zn 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물 또는 질화물일 수 있다. 상기 무기막의 두께는 0.01㎛ 내지 50㎛ 또는 0.1㎛ 내지 20㎛ 또는 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 하나의 예시에서, 본 출원의 무기막은 도판트가 포함되지 않은 무기물이거나, 또는 도판트가 포함된 무기물일 수 있다. 도핑될 수 있는 상기 도판트는 Ga, Si, Ge, Al, Sn, Ge, B, In, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소 또는 상기 원소의 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 유기막은 발광층을 포함하지 않는 점에서, 전술한 적어도 발광층을 포함하는 유기층과는 구별되며, 에폭시 화합물을 포함하는 유기 증착층일 수 있다.The passivation film may include an inorganic film and an organic film. In one embodiment, the inorganic film may be at least one metal oxide or nitride selected from the group consisting of Al, Zr, Ti, Hf, Ta, In, Sn, Zn and Si. The thickness of the inorganic film may be 0.01 μm to 50 μm or 0.1 μm to 20 μm or 1 μm to 10 μm. In one example, the inorganic film of the present application may be an inorganic material containing no dopant or an inorganic material containing a dopant. The dopant that can be doped is one or more elements selected from the group consisting of Ga, Si, Ge, Al, Sn, Ge, B, In, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni or the element It may be an oxide, but is not limited thereto. Since the organic layer does not include a light emitting layer, it is different from the organic layer including at least the light emitting layer described above, and may be an organic deposition layer containing an epoxy compound.

상기 무기막 또는 유기막은 화학 기상 증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 무기막은 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 무기막으로 사용되는 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 0.01㎛ 내지 50㎛의 두께로 증착할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 유기막의 두께는 2㎛ 내지 20㎛, 2.5㎛ 내지 15㎛, 2.8㎛ 내지 9㎛의 범위내일 수 있다.The inorganic film or organic film may be formed by chemical vapor deposition (CVD). For example, the inorganic film may be silicon nitride (SiNx). In one example, silicon nitride (SiNx) used as the inorganic film may be deposited to a thickness of 0.01 μm to 50 μm. In one example, the thickness of the organic film may be in the range of 2㎛ to 20㎛, 2.5㎛ to 15㎛, 2.8㎛ to 9㎛.

본 출원은 또한, 유기전자장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 상부에 유기전자소자가 형성된 기판에 전술한 봉지 필름이 상기 유기전자소자를 커버하도록 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법은 상기 봉지 필름을 경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 봉지 필름의 경화 단계는 봉지층의 경화를 의미할 수 있고, 상기 봉지 필름이 유기전자소자를 커버하기 전 또는 후에 진행될 수 있다.The present application also provides a method of manufacturing an organic electronic device. The manufacturing method may include applying the encapsulation film described above to the substrate on which the organic electronic device is formed to cover the organic electronic device. In addition, the manufacturing method may include the step of curing the sealing film. The curing step of the encapsulation film may mean curing of the encapsulation layer, and may be performed before or after the encapsulation film covers the organic electronic device.

본 명세서에서 용어 「경화」란 가열 또는 UV 조사 공정 등을 거쳐 본 발명의 점착제 조성물이 가교 구조를 형성하여 점착제의 형태로 제조하는 것을 의미할 수 있다. 또는, 접착제 조성물이 접착제로서 고화 및 부착되는 것을 의미할 수 있다.In the present specification, the term "curing" may mean that the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is formed in the form of an adhesive by heating or UV irradiation process or the like. Alternatively, it may mean that the adhesive composition is solidified and attached as an adhesive.

구체적으로, 기판으로 사용되는 글라스 또는 고분자 필름상에 진공 증착 또는 스퍼터링 등의 방법으로 전극을 형성하고, 상기 전극상에 예를 들면, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등으로 구성되는 발광성 유기 재료의 층을 형성한 후에 그 상부에 전극층을 추가로 형성하여 유기전자소자를 형성할 수 있다. 이어서, 상기 공정을 거친 기판의 유기전자소자의 전면을, 상기 봉지 필름의 봉지층이 덮도록 위치시킨다.Specifically, an electrode is formed on a glass or polymer film used as a substrate by vacuum deposition or sputtering, and a layer of a luminescent organic material composed of, for example, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer on the electrode After forming the electrode layer may be further formed on the upper portion to form an organic electronic device. Subsequently, the front surface of the organic electronic device of the substrate subjected to the above process is positioned to cover the encapsulation layer of the encapsulation film.

본 출원의 봉지 필름은, OLED 등과 같은 유기전자장치의 봉지 또는 캡슐화에 적용될 수 있다. 상기 필름은 외부로부터 유기전자장치로 유입되는 수분 또는 산소를 차단할 수 있는 구조의 형성이 가능하고, 유기전자장치의 휘점 발생을 방지할 수 있다. The encapsulation film of the present application can be applied to encapsulation or encapsulation of organic electronic devices such as OLEDs. The film can form a structure that can block moisture or oxygen flowing into the organic electronic device from the outside, and can prevent the occurrence of bright spots in the organic electronic device.

도 1 내지 2는 본 출원의 하나의 예시에 따른 봉지 필름을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 출원의 하나의 예시에 따른 유기전자장치를 나타내는 단면도이다.1 to 2 are cross-sectional views showing an encapsulation film according to one example of the present application.
3 is a cross-sectional view showing an organic electronic device according to an example of the present application.

이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples according to the present invention and comparative examples not according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited by the examples given below.

실시예Example 1 One

보호층으로서 100㎛ 두께의 PET가 일면에 형성된 열전도성 금속층(알루미늄 foil, 두께 35㎛)상에, 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 흡착층으로서 Ti를 100nm 두께로 증착하였다. 이어서, 상기 흡착층 상에 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 TiN을 20nm로 추가로 증착하여(질화물층) 봉지 필름을 제조하였다.As a protective layer, Ti was deposited to a thickness of 100 nm as an adsorption layer on a thermally conductive metal layer (aluminum foil, 35 µm thick) in which PET having a thickness of 100 µm was formed on one surface. Subsequently, a TiN was further deposited on the adsorption layer using a magnetron sputtering equipment to 20 nm (nitride layer) to prepare a sealing film.

비교예Comparative example 1 One

두께가 80㎛인 Invar를 봉지 필름으로서 사용하였다.Invar having a thickness of 80 μm was used as a sealing film.

비교예Comparative example 2 2

보호층인 100㎛ 두께의 PET가 일면에 형성된 열전도성 금속층(알루미늄 foil, 두께 35㎛)을 봉지 필름으로서 사용하였다.A thermally conductive metal layer (aluminum foil, 35 µm thick) formed on one surface of PET as a protective layer was used as a sealing film.

비교예Comparative example 3 3

TiN을 증착하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 봉지 필름을 제조하였다.An encapsulation film was prepared in the same manner as in Example 1, except that TiN was not deposited.

비교예Comparative example 4 4

보호층으로서 100㎛ 두께의 PET가 일면에 형성된 열전도성 금속층(알루미늄 foil, 두께 35㎛)상에, 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 TiN을 20nm로 추가로 증착하여(질화물층) 봉지 필름을 제조하였다.On the thermally conductive metal layer (aluminum foil, 35 µm thick) on which a PET having a thickness of 100 µm was formed as a protective layer, TiN was further deposited to 20 nm using a magnetron sputtering equipment (nitride layer) to prepare a sealing film.

실험예Experimental example 1 - 수분 투과도 1-moisture permeability

실시예 및 비교예에서 제조한 봉지 필름에 대해 MOCON Aquatran 2를 사용하여 ASTM F 1249 측정 규격에 따라 수분 투과도를 측정하였다.Moisture permeability was measured according to ASTM F 1249 measurement standards using MOCON Aquatran 2 for the encapsulation films prepared in Examples and Comparative Examples.

실험예Experimental example 2 -  2 - VthVth (문턱 전압, threshold voltage) Shift(Threshold voltage) Shift

액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 표시패널은 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 공급하는 스캔 TFT(Thin Film Transistor)와 게이트 전극에 공급되는 데이터 전압에 따라 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode)에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 TFT를 포함한다. 이때, 유기발광다이오드에 공급되는 구동 TFT의 드레인-소스간 전류(Ids)는 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.The display panel of the active matrix type organic light emitting diode display device includes a plurality of pixels arranged in a matrix form. Each of the pixels is a current supplied to an organic light emitting diode according to a data voltage supplied to a scan thin film transistor (TFT) and a gate electrode that supplies a data voltage of the data line in response to the scan signal of the scan line. It includes a driving TFT to adjust the amount of. At this time, the drain-source current (Ids) of the driving TFT supplied to the organic light emitting diode may be expressed as Equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

Ids = k'ㆍ(Vgs-Vth)2 Ids = k 'ㆍ (Vgs-Vth) 2

수학식 1에서, k'는 구동 TFT의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 비례 계수, Vgs는 구동 TFT의 게이트-소스간 전압, Vth는 구동 TFT의　문턱전압을 의미한다.In Equation 1, k 'is a proportional coefficient determined by the structure and physical characteristics of the driving TFT, Vgs is the gate-source voltage of the driving TFT, and Vth is the threshold voltage of the driving TFT.

다만, 상기 구동 TFT의 열화에 의한　문턱전압　쉬프트(shift)로 인해, 화소들 각각의 구동 TFT의　문턱전압(Vth)은 서로 다른 값을 가질 수 있다. 이 경우, 구동 TFT의 드레인-소스간 전류(Ids)는 구동 TFT의　문턱전압(Vth)에 의존하므로, 동일한 데이터 전압을 화소들 각각에 공급하더라도 유기발광다이오드에 공급되는 전류(Ids)는 화소마다 달라진다. 따라서, 동일한 데이터 전압을 화소들 각각에 공급하더라도 화소들 각각의 유기발광다이오드가 발광하는 빛의 휘도가 달라지는 문제점이 발생한다.However, due to the “threshold voltage” shift due to deterioration of the driving TFT, the “threshold voltage Vth” of each driving TFT of the pixels may have different values. In this case, since the drain-source current Ids of the driving TFT depends on the threshold voltage Vth of the driving TFT, even if the same data voltage is supplied to each of the pixels, the current Ids supplied to the organic light emitting diode is for each pixel. Is different. Therefore, even if the same data voltage is supplied to each of the pixels, a problem arises in that the luminance of light emitted by the organic light emitting diodes of each of the pixels varies.

이에 따라, 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 봉지 필름의 적용 여부에 따른 상기 문턱전압(Vth) 시프트 값을 측정하였다. 하기 표 1에 따른 결과에서 문턱 전압 시프트 값이 작을수록 우수한 효과를 나타내는 것이고, 0.23 dVth 이하인 경우 휘점이 발생하지 않고, 우수하다고 분류될 수 있다.Accordingly, the threshold voltage (Vth) shift value according to whether or not the encapsulation film prepared in Examples and Comparative Examples was applied was measured. In the results according to Table 1, the smaller the threshold voltage shift value is, the better the effect is, and when it is 0.23 dVth or less, no bright spot occurs and may be classified as excellent.

실험예Experimental example 3 - 수소 정량 분석 3-Quantitative analysis of hydrogen

실시예 및 비교예에서 제조한 봉지 필름에 대해 진공 건조로에서, 200℃로 1시간 동안 수소 분위기(H2/Ar 10%, 10mTorr) 하에서 수소 열처리한 후, TDS 분석을 통해 수소 정량 분석을 한다.The encapsulation films prepared in Examples and Comparative Examples were subjected to hydrogen heat treatment under a hydrogen atmosphere (H 2 / Ar 10%, 10 mTorr) for 1 hour at 200 ° C. in a vacuum drying furnace, followed by quantitative analysis of hydrogen through TDS analysis.

상기 TDS 분석은 Load-lock chamber에서 1 x 10-3Pa이 될 때까지 배기시킨 후(10분) 측정 chamber로 이송시킨다. 상기 측정 chamber에서 60분간 배기 후, 시료의 온도를 일정한 승온율(0.3℃/s)로 300℃까지 올린다. 설정 온도에 도달 후 일정 온도로 유지(30분)시키면서, 시간에 따른 온도, 압력, QMS 출력을 측정한다. 측정 단위는 wt ppm이고, 1wt ppm은 1kg의 시료에 1mg의 수소가 존재함을 의미한다. 상기 수소 정량 분석은 적어도 0.15wt ppm 이상인 경우 우수하다고 분류하였다.The TDS analysis was evacuated to 1 x 10 -3 Pa in the load-lock chamber (10 minutes) and then transferred to the measurement chamber. After evacuating from the measurement chamber for 60 minutes, the temperature of the sample is raised to 300 ° C at a constant heating rate (0.3 ° C / s). After reaching the set temperature, it maintains at a constant temperature (30 minutes), and measures temperature, pressure, and QMS output over time. The unit of measurement is wt ppm, and 1 wt ppm means that 1 mg of hydrogen is present in 1 kg of sample. The hydrogen quantitative analysis was classified as excellent when at least 0.15 wt ppm or more.

수분 투과도
(g/m2·day)Moisture permeability
(g / m 2 · day) Vth(threshold voltage) Shift
(dVth)Vth (threshold voltage) Shift
(dVth) 수소 정량 분석
(wt ppm)Hydrogen quantitative analysis
(wt ppm) 실시예 1Example 1 < 5x10-5 <5x10 -5 0.190.19 0.170.17 비교예 1Comparative Example 1 < 5x10-5 <5x10 -5 1.191.19 0.080.08 비교예 2Comparative Example 2 < 5x10-5 <5x10 -5 6.426.42 0.010.01 비교예 3Comparative Example 3 < 5x10-5 <5x10 -5 0.320.32 0.120.12 비교예 4Comparative Example 4 < 5x10-5 <5x10 -5 0.250.25 0.140.14

20: 봉지 필름
21: 열전도성 금속층
22: 흡착층
23: 질화물층
24: 봉지층
31: 기판
32: 유기전자소자20: sealing film
21: thermally conductive metal layer
22: adsorption layer
23: nitride layer
24: sealing layer
31: substrate
32: organic electronic device

Claims (17)

열전도도가 50 내지 800W/mㆍK의 범위 내인 열전도성 금속층;
상기 열전도성 금속층의 일면에 형성되고, 밀도 범함수론 근사법(Density Functional Theory)에 의해 계산된 아웃 가스에 대한 흡착 에너지가 0eV 이하인 제 1 무기 성분을 포함하는 흡착층; 및
상기 흡착층의 일면에 형성되고, 상기 제 1 무기 성분의 질화물을 포함하는 질화물층을 포함하는 봉지 필름.A thermally conductive metal layer having a thermal conductivity in the range of 50 to 800 W / m · K;
An adsorption layer formed on one surface of the thermally conductive metal layer and including a first inorganic component having an adsorption energy of 0 eV or less for outgas calculated by a density functional theory (Density Functional Theory); And
An encapsulation film formed on one surface of the adsorption layer, and including a nitride layer containing nitride of the first inorganic component. 제 1 항에 있어서, 아웃 가스는 H원자, H2 분자 또는 NH3를 포함하는 봉지 필름.The encapsulation film of claim 1, wherein the outgas comprises H atom, H 2 molecule or NH 3 . 제 1 항에 있어서, 열전도성 금속층은 금속, 산화금속, 질화금속, 탄화금속, 옥시질화금속, 옥시붕화금속, 및 그의 배합물 중 어느 하나를 포함하는 봉지 필름.The encapsulation film of claim 1, wherein the thermally conductive metal layer comprises any one of metal, metal oxide, metal nitride, metal carbide, metal oxynitride, metal oxyboride, and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 열전도성 금속층은 철, 크롬, 알루미늄, 구리, 니켈, 산화철, 산화 크롬, 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화인듐, 산화 주석, 산화주석인듐, 산화탄탈룸, 산화지르코늄, 산화니오븀, 및 그들의 배합물 중 어느 하나를 포함하는 봉지 필름.The method of claim 1, wherein the thermally conductive metal layer is iron, chromium, aluminum, copper, nickel, iron oxide, chromium oxide, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, indium oxide, tin oxide, tin indium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, An encapsulation film comprising any one of niobium oxide and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 열전도성 금속층은 5㎛ 내지 200㎛의 두께 범위를 가지는 봉지 필름.The encapsulation film of claim 1, wherein the thermally conductive metal layer has a thickness range of 5 μm to 200 μm. 제 1 항에 있어서, 제 1 무기 성분은 Li, Ni, Ti, Rb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Zn, In, Pt, Pd, Fe, Cr, Si, Zr, Cu, Nb, Y, V 또는 그 배합물을 포함하는 봉지 필름.According to claim 1, The first inorganic component is Li, Ni, Ti, Rb, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Zn, In, Pt, Pd, Fe, Cr, Si, Zr, Cu, Nb , Y, V or an encapsulation film. 제 1 항에 있어서, 흡착층은 50nm 내지 3㎛의 두께 범위를 가지는 봉지 필름.The sealing film of claim 1, wherein the adsorption layer has a thickness range of 50 nm to 3 μm. 제 1 항에 있어서, 흡착층은 열전도성 금속층의 일면에 증착되어 형성된 무기 증착층인 봉지 필름.The sealing film according to claim 1, wherein the adsorption layer is an inorganic deposition layer formed by depositing on one surface of the thermally conductive metal layer. 제 1 항에 있어서, 질화물층은 5nm 내지 2㎛의 두께 범위를 가지는 봉지 필름.The sealing film according to claim 1, wherein the nitride layer has a thickness range of 5 nm to 2 μm. 제 1 항에 있어서, 질화물층은 흡착층의 일면에 증착되어 형성된 무기 증착층인 봉지 필름.The sealing film of claim 1, wherein the nitride layer is an inorganic deposition layer formed by depositing on one surface of the adsorption layer. 제 1 항에 있어서, 열전도성 금속층의 다른 일면에 형성된 보호층을 추가로 포함하는 봉지 필름.The encapsulation film of claim 1, further comprising a protective layer formed on the other surface of the thermally conductive metal layer. 제 11 항에 있어서, 보호층은 고분자 성분을 포함하는 봉지 필름.The encapsulation film of claim 11, wherein the protective layer comprises a polymer component. 제 1 항에 있어서, 질화물층의 일면에 형성되고, 기판 상에 형성된 유기전자소자의 전면을 봉지하는 봉지층을 추가로 포함하는 봉지 필름.The sealing film of claim 1, further comprising a sealing layer formed on one surface of the nitride layer and sealing the entire surface of the organic electronic device formed on the substrate. 제 1 항에 있어서, 봉지층은 봉지 수지 및 수분 흡착제를 포함하는 봉지 필름.The sealing film of claim 1, wherein the sealing layer comprises a sealing resin and a moisture adsorbent. 기판; 기판 상에 형성된 유기전자소자; 및 상기 유기전자소자의 전면을 봉지하는 제 1 항에 따른 봉지 필름을 포함하는 유기전자장치.Board; An organic electronic device formed on a substrate; And an encapsulation film according to claim 1 encapsulating the front surface of the organic electronic device. 제 15 항에 있어서, 유기전자소자는 한 쌍의 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기층 및 패시베이션막을 포함하는 유기전자장치.16. The organic electronic device of claim 15, wherein the organic electronic device includes a pair of electrodes, an organic layer including at least a light emitting layer, and a passivation film. 상부에 유기전자소자가 형성된 기판에 제 1 항에 따른 봉지 필름이 상기 유기전자소자를 커버하도록 적용하는 단계를 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.
A method of manufacturing an organic electronic device, comprising applying the encapsulation film according to claim 1 to cover the organic electronic device on a substrate having an organic electronic device formed thereon.
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