KR20200046255A - Manufacturing method of silicon nitride having excellent heat dissipation properties - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a silicon nitride substrate having high heat dissipation properties, which comprises the steps of: preparing a Si_3N_4-based substrate; forming a hydroxy (-OH) group on a surface of the Si_3N_4 substrate; forming a solution in which graphene oxide is dispersed; forming a Si_3N_4-based substrate coated with the graphene oxide; and obtaining a graphene-coated Si_3N_4-based substrate and, more specifically, to a manufacturing method of a silicon nitride substrate having high heat dissipation properties, capable of effectively heat transfer.

Description

고방열성 질화규소 기판의 제조방법{Manufacturing method of silicon nitride having excellent heat dissipation properties}Manufacturing method of silicon nitride having excellent heat dissipation properties

본 발명은 질화규소 기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Si3N4계 기판에 화학적 결합을 형성하는 하이드록시(hydroxy, -OH)기가 형성되므로 Si3N4계 기판과 그래핀 코팅층 사이의 접착력을 증진시킬 수 있고, Si3N4계 기판에 형성된 그래핀 코팅층이 열확산을 증가시켜 효과적으로 열전달을 할 수 있으며, 열전도도 특성도 개선될 수 있는 고방열성 질화규소 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a silicon nitride substrate, and more particularly, Si 3 N 4 based hydroxy (hydroxy, -OH) to form a chemical bond to the substrate group is formed Si 3 N 4 type between the substrate and the graphene coating layer It is possible to improve the adhesion of the graphene coating layer formed on the Si 3 N 4 substrate to increase the thermal diffusion can effectively transfer heat, and also relates to a method of manufacturing a highly heat-resistant silicon nitride substrate capable of improving the thermal conductivity properties.

최근 전력의 변환과 제어를 고효율로 수행하는 파워디바이스(전력반도체소자)에 대한 요구가 산업계 및 관련 연구 분야로부터 절실해지고 있다. 파워디바이스의 고출력밀도로 인하여 발생하는 큰 온도변화에 노출되는 회로기판은 전극과 기판의 접합부에 높은 응력을 발생시키기 때문에 방열기판에는 높은 열전도율은 물론, 뛰어난 기계적 특성도 요구되고 있다. 2. Description of the Related Art Recently, a demand for a power device (power semiconductor device) that performs power conversion and control with high efficiency has been desperately demanded by industry and related research fields. A circuit board exposed to a large temperature change caused by a high output density of a power device generates high stress at a junction between an electrode and a substrate, and thus a high heat conductivity as well as excellent mechanical properties are required.

파워디바이스용 방열기판의 소재로서의 질화규소는 기계적 특성이 우수하지만, 열전도 특성이 낮아서 방열소재로는 적합하지 않은 것으로 평가되었다. 그런데, 최근 질화규소의 열전도도의 이론 열전도도(theoretical thermal conductivity)가 질화알루미늄의 열전도도 값까지 높일 수 있다는 연구결과가 발표되면서 다시 방열소재로써 각광을 받고 있다. 질화규소는 우수한 기계적 특성을 나타내고, 열전도 특성을 높일 수 있다면, 고주파수 영역에서도 안정적인 차세대 방열기판 재료로서 기대되고 있다.Silicon nitride as a material for a heat dissipation substrate for a power device is excellent in mechanical properties, but it has been evaluated as not suitable as a heat dissipation material due to its low thermal conductivity. However, recently, as a result of the study that the theoretical thermal conductivity of silicon nitride can increase the thermal conductivity value of aluminum nitride, it has been spotlighted again as a heat dissipation material. Silicon nitride is expected to be a stable next-generation heat dissipation substrate material in the high-frequency region, as long as it exhibits excellent mechanical properties and can increase thermal conductivity.

대한민국 등록특허공보 제10-1246978호Republic of Korea Registered Patent Publication No. 10-1246978

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 Si3N4계 기판에 화학적 결합을 형성하는 하이드록시(hydroxy, -OH)기가 형성되므로 Si3N4계 기판과 그래핀 코팅층 사이의 접착력을 증진시킬 수 있고, Si3N4계 기판에 형성된 그래핀 코팅층이 열확산을 증가시켜 효과적으로 열전달을 할 수 있으며, 열전도도 특성도 개선될 수 있는 고방열성 질화규소 기판의 제조방법을 제공함에 있다. The problem to be solved by the present invention can improve the adhesion between the Si 3 N 4 based hydroxy (hydroxy, -OH) to form a chemical bond to the substrate group is formed Si 3 N 4 based substrate and the graphene coating layer, The graphene coating layer formed on the Si 3 N 4 -based substrate is to provide a method of manufacturing a highly heat-resistant silicon nitride substrate capable of effectively performing heat transfer by increasing thermal diffusion and improving thermal conductivity characteristics.

본 발명은, Si3N4계 기판을 준비하는 단계와, 상기 Si3N4계 기판을 산(acid) 용액에 담그고 산(acid) 처리하여 가수분해 반응을 유도하면서 상기 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(-OH)기가 형성되게 하는 단계와, 용매에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 첨가하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계와, 상기 하이드록시(-OH)기가 형성된 Si3N4계 기판 표면에 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 코팅하고 건조하여 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 형성하는 단계 및 상기 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 열환원 처리하여 상기 그래핀옥사이드가 그래핀으로 변화되게 하여 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함하는 고방열성 질화규소 기판의 제조방법을 제공한다. The present invention, Si 3 N 4 system comprising the steps of: preparing a substrate, the Si 3 N 4 based dipping the substrate to acid (acid) solution with the acid (acid) treatment lead to the hydrolysis reaction the Si 3 N 4 based substrate Forming a hydroxy (-OH) group on the surface, and adding a graphene oxide (Graphene oxide) powder to the solvent to form a solution in which graphene oxide is dispersed, and the hydroxy (-OH) group formed Si 3 N 4 system by coating and drying the yes pin oxide dispersed solution to the substrate surface of graphene oxide, the method comprising forming a Si 3 N 4 based substrate coated and the yes pin oxide coated Si 3 N 4 based It provides a method of manufacturing a high heat dissipation silicon nitride substrate comprising the step of heat-reducing the substrate to change the graphene oxide to graphene to obtain a graphene-coated Si 3 N 4 based substrate.

상기 산 용액은 질산(HNO3) 및 인산(H3PO4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 산(acid)을 포함할 수 있다.The acid solution may include at least one acid selected from the group consisting of nitric acid (HNO 3 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ).

상기 산 처리는 60∼90℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The acid treatment is preferably performed at a temperature of 60 to 90 ° C.

상기 열환원 처리는 비활성 가스 분위기에서 600∼900℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The heat reduction treatment is preferably carried out in an inert gas atmosphere at a temperature of 600 to 900 ° C.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계는, 상기 용매에 상기 그래핀옥사이드 분말을 첨가하는 단계와, 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가된 용매를 교반하는 단계 및 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가되어 교반된 용매를 탈가스(degassing) 처리를 하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 수득하는 단계를 포함할 수 있다.Forming a solution in which the graphene oxide is dispersed includes adding the graphene oxide powder to the solvent, stirring the solvent to which the graphene oxide powder is added, and the graphene oxide powder is added. The degassing treatment of the stirred solvent may include a step of obtaining a solution in which graphene oxide is dispersed.

상기 그래핀옥사이드 분말은 상기 용매 1㎖에 0.1∼2 mg의 중량으로 첨가하는 것이 바람직하다.The graphene oxide powder is preferably added in a weight of 0.1 to 2 mg to 1 ml of the solvent.

상기 용매는 물(H2O)을 포함할 수 있다.The solvent may include water (H 2 O).

상기 Si3N4계 기판을 준비하는 단계는, α-Si3N4 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계와, 상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버에 장입하는 단계와, 상기 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 실시하는 단계와, 진공 상태에서 상기 챔버 내로 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 조성하는 단계 및 상기 혼합 분말을 가압하면서 소결하여 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함할 수 있다.The preparing of the Si 3 N 4 -based substrate comprises: mixing α-Si 3 N 4 powder, MgO powder, and Y 2 O 3 powder to form a mixed powder, and vacuum hot-pressing the mixed powder. press) charging into the chamber of the equipment, performing N 2 gas purging to remove impurities in the chamber, and flowing N 2 gas into the chamber in a vacuum to create an N 2 gas atmosphere. It may include a step of forming and sintering while pressing the mixed powder to obtain a Si 3 N 4 based substrate.

상기 MgO 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The MgO powder is preferably mixed with 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 Y2O3 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼7중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The Y 2 O 3 powder is preferably mixed with 0.1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 혼합 분말은 5∼60 MPa의 압력으로 가압하는 것이 바람직하다.It is preferable to pressurize the mixed powder at a pressure of 5 to 60 MPa.

상기 소결은 N2 가스 분위기에서 1600∼2000 ℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The sintering is preferably performed at a temperature of 1600 to 2000 ° C in an N 2 gas atmosphere.

상기 질화규소 기판의 제조방법은 소결하여 수득한 Si3N4계 기판 표면의 불순물을 제거하기 위하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method of the silicon nitride substrate may further include a step of grinding and polishing to remove impurities on the surface of the Si 3 N 4 based substrate obtained by sintering.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 AlN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다.In the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, AlN powder may be further mixed in the solvent.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 BN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다.In the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, BN powder may be further mixed in the solvent.

본 발명에 의하면, Si3N4계 기판에 화학적 결합을 형성하는 하이드록시(hydroxy, -OH)기가 형성되므로 Si3N4계 기판과 그래핀 코팅층 사이의 접착력을 증진시킬 수 있고, Si3N4계 기판에 형성된 그래핀 코팅층이 열확산을 증가시켜 효과적으로 열전달을 할 수 있으며, 열전도도 특성도 개선될 수 있다.According to the present invention, Si 3 N 4-hydroxy (hydroxy, -OH) to form a chemical bond to the substrate-based group is formed Si 3 N 4 system it is possible to enhance the adhesion between the substrate and the graphene coating layer, Si 3 N The graphene coating layer formed on the 4- based substrate can effectively heat transfer by increasing thermal diffusion, and thermal conductivity characteristics can also be improved.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고방열성 질화규소 기판의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판의 미세구조를 보여주는 주사전자현미경(scanning electron microscope; SEM) 사진이다.
도 3a 내지 도 3c는 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판의 미세구조를 보여주는 주사전자현미경(SEM) 사진이다. 1 is a view illustrating a method of manufacturing a highly heat-resistant silicon nitride substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
2A to 2C are scanning electron microscope (SEM) photographs showing the microstructure of a Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 1.
3A to 3C are scanning electron microscope (SEM) photographs showing the microstructure of a graphene-coated Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 2.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those of ordinary skill in the art to fully understand the present invention and may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. It does not work.

발명의 상세한 설명 또는 청구범위에서 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 당해 구성요소만으로 이루어지는 것으로 한정되어 해석되지 아니하며, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.In the description or claims of the present invention, when any one component "includes" another component, it is not limited to being interpreted as being composed only of the corresponding component unless specifically stated otherwise, and other components are further added. It should be understood that it can be included.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고방열성 질화규소 기판의 제조방법은, Si3N4계 기판을 준비하는 단계와, 상기 Si3N4계 기판을 산(acid) 용액에 담그고 산(acid) 처리하여 가수분해 반응을 유도하면서 상기 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(-OH)기가 형성되게 하는 단계와, 용매에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 첨가하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계와, 상기 하이드록시(-OH)기가 형성된 Si3N4계 기판 표면에 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 코팅하고 건조하여 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 형성하는 단계 및 상기 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 열환원 처리하여 상기 그래핀옥사이드가 그래핀으로 변화되게 하여 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함한다. Preparation of high heat radiation silicon nitride substrate according to an embodiment of the present invention, Si 3 N and the step of preparing a four-based substrate, dipping the Si 3 N 4 based substrate to acid (acid) solution to acid (acid) treatment While inducing a hydrolysis reaction, a step of forming a hydroxy (-OH) group on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate, and adding a graphene oxide powder to a solvent to form a solution in which graphene oxide is dispersed And forming a graphene oxide-coated Si 3 N 4 -based substrate by coating and drying the solution on which the graphene oxide is dispersed on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate on which the hydroxy (-OH) group is formed. And subjecting the graphene oxide-coated Si 3 N 4 -based substrate to a thermal reduction treatment to change the graphene oxide to graphene to obtain a graphene-coated Si 3 N 4 -based substrate.

상기 산 용액은 질산(HNO3) 및 인산(H3PO4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 산(acid)을 포함할 수 있다.The acid solution may include at least one acid selected from the group consisting of nitric acid (HNO 3 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ).

상기 산 처리는 60∼90℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The acid treatment is preferably performed at a temperature of 60 to 90 ° C.

상기 열환원 처리는 비활성 가스 분위기에서 600∼900℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The heat reduction treatment is preferably carried out in an inert gas atmosphere at a temperature of 600 to 900 ° C.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계는, 상기 용매에 상기 그래핀옥사이드 분말을 첨가하는 단계와, 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가된 용매를 교반하는 단계 및 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가되어 교반된 용매를 탈가스(degassing) 처리를 하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 수득하는 단계를 포함할 수 있다.Forming a solution in which the graphene oxide is dispersed includes adding the graphene oxide powder to the solvent, stirring the solvent to which the graphene oxide powder is added, and the graphene oxide powder is added. The degassing treatment of the stirred solvent may include a step of obtaining a solution in which graphene oxide is dispersed.

상기 그래핀옥사이드 분말은 상기 용매 1㎖에 0.1∼2 mg의 중량으로 첨가하는 것이 바람직하다.The graphene oxide powder is preferably added in a weight of 0.1 to 2 mg to 1 ml of the solvent.

상기 용매는 물(H2O)을 포함할 수 있다.The solvent may include water (H 2 O).

상기 Si3N4계 기판을 준비하는 단계는, α-Si3N4 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계와, 상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버에 장입하는 단계와, 상기 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 실시하는 단계와, 진공 상태에서 상기 챔버 내로 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 조성하는 단계 및 상기 혼합 분말을 가압하면서 소결하여 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함할 수 있다.The preparing of the Si 3 N 4 -based substrate comprises: mixing α-Si 3 N 4 powder, MgO powder, and Y 2 O 3 powder to form a mixed powder, and vacuum hot-pressing the mixed powder. press) charging into the chamber of the equipment, performing N 2 gas purging to remove impurities in the chamber, and flowing N 2 gas into the chamber in a vacuum to create an N 2 gas atmosphere. It may include a step of forming and sintering while pressing the mixed powder to obtain a Si 3 N 4 based substrate.

상기 MgO 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The MgO powder is preferably mixed with 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 Y2O3 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼7중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The Y 2 O 3 powder is preferably mixed with 0.1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 혼합 분말은 5∼60 MPa의 압력으로 가압하는 것이 바람직하다.It is preferable to pressurize the mixed powder at a pressure of 5 to 60 MPa.

상기 소결은 N2 가스 분위기에서 1600∼2000 ℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The sintering is preferably performed at a temperature of 1600 to 2000 ° C in an N 2 gas atmosphere.

상기 질화규소 기판의 제조방법은 소결하여 수득한 Si3N4계 기판 표면의 불순물을 제거하기 위하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method of the silicon nitride substrate may further include a step of grinding and polishing to remove impurities on the surface of the Si 3 N 4 based substrate obtained by sintering.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 AlN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다.In the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, AlN powder may be further mixed in the solvent.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 BN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다.In the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, BN powder may be further mixed in the solvent.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고방열성 질화규소 기판의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a highly heat-resistant silicon nitride substrate according to a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 발명의 발명자들은 열전도도가 우수한 소재를 기본으로 열전도도를 증가시키는 연구를 진행하였고, 무기입자 또는 무기입자 형태나 배열 등을 조절함으로써 열전도도를 증가시키는 연구도 진행하고 있다. The inventors of the present invention have conducted research to increase the thermal conductivity based on a material having excellent thermal conductivity, and are also conducting a study to increase the thermal conductivity by controlling the shape or arrangement of inorganic particles or inorganic particles.

본 발명의 발명자들은 흑연(graphite), 탄소나노튜브(CNT), 탄소섬유(carbon fiber), 그래핀(graphene) 등의 탄소 재료를 이용하여 열전도도가 높고 기계적 물성이 우수한 복합재료 분야에 특히 관심을 가졌다. 그래핀(graphene)의 경우 다이아몬드보다 2배 높은 열전도도를 갖고 있으며, 기계적 특성도 매우 우수한 것으로 알려져 있다. The inventors of the present invention are particularly interested in the composite material field having high thermal conductivity and excellent mechanical properties by using carbon materials such as graphite, carbon nanotubes (CNT), carbon fibers, and graphene. Had. Graphene has two times higher thermal conductivity than diamond and is known to have excellent mechanical properties.

세라믹 복합재료의 열전도도는 필러의 열전도도가 높을수록 높아지고, 열전도도는 마이크로 사이즈의 필러 사용시 급격히 증가하며, 필러의 배향이 복합재료의 열전도도를 상승시킨다. The thermal conductivity of the ceramic composite material increases as the thermal conductivity of the filler increases, and the thermal conductivity increases rapidly when a micro-sized filler is used, and the orientation of the filler increases the thermal conductivity of the composite material.

이러한 점을 고려하여 질화규소의 표면에 열전도도가 매우 우수한 그래핀을 코팅하여 배향성을 향상시켜 방열성을 향상시킨 질화규소 기판을 개발하였다.In view of this, a silicon nitride substrate having improved heat dissipation properties by coating a graphene with very good thermal conductivity on the surface of silicon nitride to improve orientation was developed.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고방열성 질화규소 기판의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다. 1 is a view illustrating a method of manufacturing a highly heat-resistant silicon nitride substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, Si3N4계 기판을 준비한다. Referring to FIG. 1, a Si 3 N 4 based substrate is prepared.

질화규소는 강한 공유결합으로 인하여 자기확산(self-diffusion)이 어렵고 1900℃ 정도의 고온에서 열분해되기 때문에 소결온도가 제한되는 난소결성 재료이다. 이러한 점을 고려하여 Y2O3, MgO 등의 산화물을 첨가하여 액상 소결로 기판화 공정을 수행한다. Silicon nitride is a sintering-resistant material in which sintering temperature is limited because it is difficult to self-diffusion due to strong covalent bonding and thermally decomposes at a high temperature of about 1900 ° C. In consideration of this, a substrate sintering process is performed by adding an oxide such as Y 2 O 3 or MgO to the liquid phase sintering.

이를 위해 α-Si3N4 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하고, 상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버에 장입한 후, 상기 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 실시하고, 진공 상태에서 상기 챔버 내로 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 조성한 다음, 상기 혼합 분말을 가압하면서 소결하여 Si3N4계 기판을 수득한다. To this end, a mixed powder is formed by mixing α-Si 3 N 4 powder, MgO powder and Y 2 O 3 powder, and after loading the mixed powder in a chamber of a vacuum hot press equipment, the inside of the chamber In order to remove the impurities of the N 2 gas purging (purging), and flowing N 2 gas into the chamber in a vacuum to create an N 2 gas atmosphere, and then sintering while pressing the mixed powder Si 3 N 4 system A substrate is obtained.

상기 MgO 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The MgO powder is preferably mixed with 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 Y2O3 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼7중량부를 혼합하는 것이 바람직하다.The Y 2 O 3 powder is preferably mixed with 0.1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.

상기 혼합 분말은 5∼60 MPa의 압력으로 가압하는 것이 바람직하다.It is preferable to pressurize the mixed powder at a pressure of 5 to 60 MPa.

상기 소결은 N2 가스 분위기에서 1600∼2000 ℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The sintering is preferably performed at a temperature of 1600 to 2000 ° C in an N 2 gas atmosphere.

소결하여 수득한 Si3N4계 기판 표면의 불순물을 제거하기 위하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시할 수도 있다. Grinding and polishing may also be performed to remove impurities on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate obtained by sintering.

준비된 Si3N4계 기판을 산(acid) 용액에 담그고 산(acid) 처리하여 가수분해 반응을 유도하면서 상기 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(-OH)기가 형성되게 한다.The prepared Si 3 N 4 -based substrate is immersed in an acid solution and acid-treated to induce a hydrolysis reaction, so that a hydroxy (-OH) group is formed on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate.

상기 산 용액은 질산(HNO3) 및 인산(H3PO4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 산(acid)을 포함할 수 있다. 상기 산 처리는 60∼90℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The acid solution may include at least one acid selected from the group consisting of nitric acid (HNO 3 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ). The acid treatment is preferably performed at a temperature of 60 to 90 ° C.

Si3N4계 기판과 그래핀층의 접착력을 향상시키는 방법으로 화학적 기능을 이용한 자기조립 코팅(SAC, Self-Assembled Coating)법을 적용한다. 질화규소와 같이 공유결합이 강한 소재의 표면을 코팅하기 위해서 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(hydroxy, -OH)기를 형성하며 화학적 결합을 유도함으로써 Si3N4계 기판과 코팅 소재의 접착력을 증진시킬 수 있다. 이를 Si3N4계 기판 표면에 -OH기를 형성시켜주는 가수분해(hydrolysis) 과정이 필요하다. Si3N4계 기판을 산(acid) 처리하여 하이드록시기를 형성한 후에 그래핀의 코팅을 진행한다. 그래핀의 코팅은 후술하는 바와 같이 그래핀옥사이드(Graphene oxide)를 Si3N4계 기판에 코팅(흡착)하고 환원(reduction)을 수행하여 그래핀으로 환원하여 배향한다. 자기조립 코팅(SAC)법을 이용하여 Si3N4계 기판 표면의 코팅 접착력을 높이고 방열성을 향상시켜 질화규소 기판 자체의 열전도 특성을 유지 및 향상시킬 수 있다. As a method of improving the adhesion between the Si 3 N 4 -based substrate and the graphene layer, a self-assembled coating (SAC) method using a chemical function is applied. In order to coat the surface of a material having a strong covalent bond such as silicon nitride, hydroxy (hydroxy, -OH) groups are formed on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate, and chemical bonding is induced to increase the adhesion between the Si 3 N 4 -based substrate and the coating material. Can be promoted. This requires a hydrolysis process to form -OH groups on the Si 3 N 4 -based substrate surface. After the Si 3 N 4 -based substrate is acid treated to form a hydroxyl group, coating of graphene proceeds. The coating of graphene is oriented by coating (adsorption) of graphene oxide on a Si 3 N 4 -based substrate and reduction to graphene as described below. The self-assembly coating (SAC) method can be used to increase the coating adhesion of the Si 3 N 4 -based substrate surface and improve heat dissipation, thereby maintaining and improving the thermal conductivity properties of the silicon nitride substrate itself.

용매에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 첨가하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성한다. 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액은, 용매에 그래핀옥사이드 분말을 첨가하고, 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가된 용매를 교반한 후, 상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가되어 교반된 용매를 탈가스(degassing) 처리를 하여 수득할 수 있다. 상기 그래핀옥사이드 분말은 상기 용매 1㎖에 0.1∼2 mg의 중량으로 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 용매는 물(H2O)을 포함할 수 있다. Graphene oxide powder is added to the solvent to form a solution in which graphene oxide is dispersed. The solution in which the graphene oxide is dispersed, adds graphene oxide powder to the solvent, stirs the solvent to which the graphene oxide powder is added, and degassing the stirred solvent by adding the graphene oxide powder. ) Can be obtained by treatment. The graphene oxide powder is preferably added in a weight of 0.1 to 2 mg to 1 ml of the solvent. The solvent may include water (H 2 O).

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성할 때, AlN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다. 이 경우에 Si3N4계 기판 표면에는 후술하는 그래핀 뿐만 아니라 AlN도 함께 형성되게 된다. AlN 분말을 더 혼합하게 되면, 열전도도를 개선할 수 있는 장점이 있다. 상기 AlN 분말은 상기 용매 1㎖에 0.001∼0.5 mg의 중량으로 첨가하는 것이 바람직하다.When forming a solution in which the graphene oxide is dispersed, AlN powder may be further mixed in the solvent. In this case, not only graphene described later but also AlN is formed on the surface of the Si 3 N 4 substrate. When the AlN powder is further mixed, there is an advantage of improving the thermal conductivity. The AlN powder is preferably added in a weight of 0.001 to 0.5 mg to 1 ml of the solvent.

상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성할 때, BN 분말을 상기 용매에 더 혼합할 수도 있다. 이 경우에 Si3N4계 기판 표면에는 후술하는 그래핀 뿐만 아니라 BN도 함께 형성되게 된다. BN 분말을 더 혼합하게 되면, 열전도도를 개선할 수 있는 장점이 있다. 상기 BN 분말은 상기 용매 1㎖에 0.001∼0.5 mg의 중량으로 첨가하는 것이 바람직하다.When forming a solution in which the graphene oxide is dispersed, BN powder may be further mixed in the solvent. In this case, not only graphene described later but also BN is formed on the surface of the Si 3 N 4 substrate. When the BN powder is further mixed, there is an advantage of improving the thermal conductivity. The BN powder is preferably added in a weight of 0.001 to 0.5 mg to 1 ml of the solvent.

상기 하이드록시(-OH)기가 형성된 Si3N4계 기판 표면에 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 코팅하고 건조하여 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 형성한다. On the surface of the Si 3 N 4 based substrate on which the hydroxy (-OH) group is formed, a solution in which the graphene oxide is dispersed is coated and dried to form a Si 3 N 4 based substrate coated with graphene oxide.

상기 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 열환원 처리하여 상기 그래핀옥사이드가 그래핀으로 변화되게 하여 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판을 수득한다. 상기 열환원 처리는 비활성 가스 분위기에서 600∼900℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.The graphene oxide-coated Si 3 N 4 -based substrate is heat-reduced to change the graphene oxide to graphene, thereby obtaining a graphene-coated Si 3 N 4 -based substrate. The heat reduction treatment is preferably carried out in an inert gas atmosphere at a temperature of 600 to 900 ° C.

산(acid) 처리를 실시하면 Si3N4 기판에 OH기가 형성되고, 이렇게 형성된 OH기는 그래핀옥사이드와의 수소결합(hydrogen bonding)을 통해 코팅층(coating layer)을 형성할 수 있게 되며, 열환원(heat reduction) 과정을 통해 수소결합(hydrogen bonding)에서 형성된 …H-O-H…를 승화(sublimation)하는 동시에 Si3N4계 기판과의 접착력(adhesion)을 향상시키고, 그래핀옥사이드를 그래핀으로 환원을 하는 과정을 동시에 진행함으로써 기능성 코팅층(functional coating layer)인 그래핀층(graphene layer)이 형성될 수 있다.When the acid treatment is performed, an OH group is formed on the Si 3 N 4 substrate, and the formed OH group can form a coating layer through hydrogen bonding with graphene oxide, and heat reduction is performed. (heat reduction) formed through hydrogen bonding (hydrogen bonding) through the process ... HOH… The graphene layer, which is a functional coating layer, is improved by simultaneously sublimating and improving adhesion to a Si 3 N 4 -based substrate and simultaneously reducing graphene oxide to graphene. layer) may be formed.

Si3N4계 기판과 그래핀층 사이의 접착력(adhesion)이 개선되고 Si3N4계 기판 전체에 코팅된 그래핀이 열확산을 증가시켜 효과적으로 열전달을 할 수 있고, 그래핀층(graphene layer)의 영향으로 비열의 변화가 발생하여 열전도도 특성도 개선될 수 있다.The adhesion between the Si 3 N 4 -based substrate and the graphene layer is improved, and the graphene coated on the entire Si 3 N 4 -based substrate increases heat diffusion to effectively conduct heat transfer, and the effect of the graphene layer As specific heat changes occur, the thermal conductivity characteristics may also be improved.

이하에서, 본 발명에 따른 실험예를 구체적으로 제시하며, 다음에 제시하는 실험예에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, experimental examples according to the present invention are specifically presented, and the present invention is not limited to the experimental examples presented below.

<실험예 1><Experimental Example 1>

Si3N4계 분말을 다음과 같은 방법으로 소결하여 소결체를 제조하였다. 구체적으로, α-Si3N4(UBE SN-E10, SSA (BET) 9~13 m2/g, α-phase crystal > 95%) 분말을 주원료로 93 wt%를 사용하였고, 여기에 소결조제로 MgO 분말(고순도화학, Magnesia powder, 99%)와 Y2O3 분말(Cerac, Yttria powder, 325mesh, 99.9%)을 각각 5 wt%와 2 wt%를 첨가하여 혼합 분말을 준비하였다. 상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버(chamber)에 장입하였다. 가압소결 수행 전에 상기 챔버(chamber) 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 3회 실시하였다. 퍼징(Purging)을 실시한 챔버에 진공 상태에서 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 형성하였다. 30 MPa의 압력으로 상기 혼합 분말을 가압하면서 1900℃까지 승온한 후, 5시간 동안 N2 분위기에서 가압소결을 실시하였다. The sintered body was prepared by sintering the Si 3 N 4 powder in the following manner. Specifically, α-Si 3 N 4 (UBE SN-E10, SSA (BET) 9 ~ 13 m 2 / g, α-phase crystal> 95%) powder was used as the main raw material 93 wt%, here to sintering aid Furnace MgO powder (high purity chemical, Magnesia powder, 99%) and Y 2 O 3 powder (Cerac, Yttria powder, 325mesh, 99.9%) were prepared by adding 5 wt% and 2 wt%, respectively, to prepare a mixed powder. The mixed powder was loaded into a chamber of a vacuum hot press equipment. Before performing pressure sintering, N 2 gas purging was performed three times to remove impurities in the chamber. N 2 gas atmosphere was formed by flowing N 2 gas in a vacuum in a chamber where purging was performed. The mixture was heated to 1900 ° C while pressing the mixed powder under a pressure of 30 MPa, and then pressurized and sintered in an N 2 atmosphere for 5 hours.

표면의 불순물을 제거하기 위하여 소결체에 대하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시하고, 가공하여 10×10 mm의 Si3N4계 기판으로 제조하였다. In order to remove the impurities on the surface, grinding and polishing were performed on the sintered body, and processed to prepare a 10 × 10 mm Si 3 N 4 based substrate.

이렇게 제조된 Si3N4계 기판에 대하여 아르키메데스 원리(Archimedes' principle)을 이용하여 밀도(density)를 측정하였다.The density of the Si 3 N 4 -based substrate thus prepared was measured using the Archimedes' principle.

<실험예 2><Experimental Example 2>

증류수에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 1 mg/㎖의 농도로 첨가하고, 24 시간 동안 교반(stirring) 한 후, 탈가스(degassing) 처리를 하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 수득하였다. Graphene oxide powder was added to distilled water at a concentration of 1 mg / ml, and after stirring for 24 hours, degassing was performed to obtain a solution in which graphene oxide was dispersed.

증류수에 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판을 첨가하고, 초음파 세정을 1시간 동한 수행한 뒤, 80℃ 건조기에서 24시간 동안 충분히 건조시켰다. The Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 1 was added to distilled water, and ultrasonic cleaning was performed for 1 hour, followed by sufficiently drying in an 80 ° C. dryer for 24 hours.

건조된 Si3N4계 기판을 질산 용액에 담그고, Si3N4계 기판과 코팅 소재의 접착력 증진을 위한 하이드록시(-OH)기 형성을 위해 63% 질산 용액을 80℃로 유지하고 1시간 동안 반응시켜 가수분해 반응을 유도하였다. The dried Si 3 N 4 based substrate was immersed in a nitric acid solution, and a 63% nitric acid solution was maintained at 80 ° C. for 1 hour to form a hydroxy (-OH) group for enhancing adhesion between the Si 3 N 4 based substrate and the coating material. During the reaction, a hydrolysis reaction was induced.

그래핀옥사이드가 분산된 용액에 하이드록시기가 형성된 Si3N4계 기판을 담가서 딥코팅(deep coating) 한 다음, 건조기에서 80℃ 온도로 24시간 건조시켜 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하였다. The Si 3 N 4 based substrate having a hydroxy group formed in the solution in which the graphene oxide is dispersed is dip-coated and then dried at a temperature of 80 ° C. for 24 hours in a dryer to coat the Si 3 N 4 coated graphene oxide. A substrate was obtained.

그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 튜브로 장입하고, N2 가스 분위기에서 승온속도 5℃/min으로 하여 700℃로 승온하고, 700℃에서 2시간 동안 유지하여 그래핀옥사이드를 그래핀으로 열환원 처리하여 그래핀으로 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하였다. The graphene oxide-coated Si 3 N 4 substrate is charged into a tube, heated to 700 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min in an N 2 gas atmosphere, and maintained at 700 ° C. for 2 hours to graphene oxide. Heat reduction treatment with a pin yielded a Si 3 N 4 based substrate coated with graphene.

그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판의 미세구조는 주사전자현미경(scanning electron microscope; SEM)(JEOL, JSM-7100F, Aztec)을 이용하여 분석하였다. The microstructure of the graphene-coated Si 3 N 4 based substrate was analyzed using a scanning electron microscope (SEM) (JEOL, JSM-7100F, Aztec).

실험예 1 및 실험예 2에 따라 제조된 기판들의 열분석은 NETZSCH LFA467 장비를 이용하여 열확산도와 비열을 측정하였다. 소재의 열확산률은 시간에 대하여 온도가 변화하는 동안의 각각의 고유한 전도성에 의해 열이 전파되는 속도로 결정된다. 열확산도가 높은 소재는 열전파가 빠르다. 열전도도(λ)는 열확산도(α)와 비열(Cp) 및 밀도(ρ)의 함수로 다음의 수학식 1과 같이 정의된다.For thermal analysis of the substrates prepared according to Experimental Example 1 and Experimental Example 2, the thermal diffusivity and specific heat were measured using NETZSCH LFA467 equipment. The thermal diffusivity of a material is determined by the rate at which heat is propagated by each unique conductivity during temperature changes over time. Materials with high thermal diffusivity have fast heat propagation. Thermal conductivity (λ) is defined as Equation 1 below as a function of thermal diffusivity (α), specific heat (C p ), and density (ρ).

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

열확산도를 측정하는 대표적인 방법으로 레이저 플래쉬(laser flash) 법이 있다. 분석을 하고자 하는 온도에서 소재를 안정화한 후, 순간적인 에너지 펄스(레이저 등의 에너지원)을 이용하여 소재 한쪽 면을 가열하고, 소재 반대 면의 온도변화를 시간에 따라 분석하여 기록한다. 열손실이 없다는 가정을 전제로, 등방성 및 단열성 소재를 가정하여 파커(Parker)는 열확산도를 계산하기 위한 방법을 제안하였다. 열확산도는 온도변화의 기록에 의해 결정된다. 열확산도는 소재의 두께(L)와 반대 면이 최고온도의 중간에 도달하기 위한 시간(t1/2)에 의해 다음의 수학식 2와 같이 정의된다. A laser flash method is a typical method for measuring the thermal diffusivity. After stabilizing the material at the temperature to be analyzed, one side of the material is heated using an instantaneous energy pulse (an energy source such as a laser), and the temperature change on the opposite side of the material is analyzed and recorded over time. On the premise that there is no heat loss, Parker proposed a method for calculating the thermal diffusivity assuming isotropic and insulating materials. The thermal diffusivity is determined by recording the temperature change. The thermal diffusivity is defined by the following Equation 2 by the time (t 1/2 ) for the thickness (L) of the material and the opposite surface to reach the middle of the highest temperature.

[수학식 2][Equation 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

위 수학식 2의 관계는 단열성 소재라는 이상적인 조건과 순간적인 펄스 가열을 가정하고 있다. 따라서 실험환경에 따른 수정된 조건들이 제안되었다. 예를 들어 열손실, 펄스 가열 지속시간의 한정, 일정하지 않은 펄스 가열, 복합 또는 비균일성 구조 등을 변수로 제어하는 조건 등이 이에 해당한다. The relationship of Equation 2 above assumes an ideal condition of an insulating material and instantaneous pulse heating. Therefore, modified conditions according to the experimental environment were proposed. For example, heat loss, limited duration of pulse heating, non-uniform pulse heating, conditions for controlling composite or non-uniformity structures as variables, and the like.

실험예 1 및 실험예 2에 따라 제조된 기판의 특성을 측정하여 비교 분석한 결과를 아래의 표 1에 나타냈다. 일반적인 Si3N4의 밀도는 3.19 g/cm3으로 알려져 있다. Si3N4 소결체의 밀도는 첨가되는 소결조제의 종류와 양에 따라 이론 밀도와의 차이가 발생할 수 있다. 실험예 1 및 실험예 2에 따라 제조된 기판의 밀도는 이론밀도 대비 약 99% 이상의 밀도를 갖는 것으로 분석되었다. Table 1 below shows the results of comparative analysis by measuring the properties of the substrates prepared according to Experimental Example 1 and Experimental Example 2. The density of typical Si 3 N 4 is known to be 3.19 g / cm 3 . The density of the Si 3 N 4 sintered body may differ from the theoretical density depending on the type and amount of the sintering aid to be added. The density of the substrates prepared according to Experimental Example 1 and Experimental Example 2 was analyzed to have a density of about 99% or more compared to the theoretical density.

SamplesSamples 실험예 1Experimental Example 1 실험예 2Experimental Example 2 Si3N4계 기판Si 3 N 4 series substrate 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판Graphene coated Si 3 N 4 based substrate Density (g/cm3)Density (g / cm 3 ) 3.183.18 3.183.18 3.183.18 3.183.18

Si3N4는 일반적으로 실온에서 약 0.7 J/gK의 비열을 갖는 것으로 알려져 있다. 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판(그래핀이 코팅되지 않은 Si3N4계 기판)은 약 0.71 J/gK의 비열을 나타냈으며, 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판(Si3N4계 기판에 하이드록시기를 형성하고 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판)은 실온에서 약 0.93 ~ 0.99 J/gK의 값을 갖는 것으로 분석되었다. Si 3 N 4 is generally known to have a specific heat of about 0.7 J / gK at room temperature. Experimental Example 1 A Si 3 N 4 based substrate prepared according to (graphene the uncoated Si 3 N 4 based substrate) is a showed a specific heat of about 0.71 J / gK, prepared according to Experimental Example 2 of graphene-coated The Si 3 N 4 based substrate (Si 3 N 4 based substrate having hydroxyl groups formed on a Si 3 N 4 based substrate and graphene coated) was analyzed to have a value of about 0.93 to 0.99 J / gK at room temperature.

실험예 1 및 실험예 2에 따라 제조된 기판의 미세구조를 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 분석하여 도 2a 내지 도 3c에 나타내었다. 도 2a 내지 도 2c는 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판의 미세구조를 보여주고, 도 3a 내지 도 3c는 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판의 미세구조를 보여준다. The microstructures of the substrates prepared according to Experimental Example 1 and Experimental Example 2 were analyzed using a scanning electron microscope (SEM) and are shown in FIGS. 2A to 3C. 2A to 2C show the microstructure of a Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 1, and FIGS. 3A to 3C show a graphene coated Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 2 Shows the microstructure of

도 2a 내지 도 3c를 참조하면, 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판(그래핀이 코팅되지 않은 Si3N4계 기판)의 미세구조는 침상의 구조를 갖는 Si3N4가 형성된 것으로 분석되었다. 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판(Si3N4계 기판에 하이드록시기를 형성하고 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판)의 경우 그래핀이 얇고 투명하게 표면에 흡착되어 있으며, Si3N4 기판의 표면과 그래핀층의 접합(adhesion)도 매우 잘 형성된 것으로 판단되었다. 질산 처리를 실시하여 Si3N4 기판에 OH기를 형성하였으며, 이렇게 형성된 OH기는 그래핀옥사이드와의 수소결합(hydrogen bonding)을 통해 코팅층(coating layer)을 형성할 수 있게 되며, 열환원(heat reduction) 과정을 통해 수소결합(hydrogen bonding)에서 형성된 …H-O-H…를 승화(sublimation)하는 동시에 Si3N4 기판과의 접착력(adhesion)을 향상시키고, 그래핀옥사이드를 그래핀으로 환원을 하는 과정을 동시에 진행함으로써 기능성 코팅층(functional coating layer)인 그래핀층(graphene layer)이 형성된다. The Figures 2a Referring to Figure 3c, in Experimental Example prepared Si according to 1 3 N 4 based substrate microstructure of the (graphene Si 3 N 4 based substrate is not coated) is Si 3 N 4 having a structure of needle-like It was analyzed that it was formed. For the graphene-coated Si 3 N 4 -based substrate prepared according to Experimental Example 2 (a Si 3 N 4 -based substrate with hydroxyl groups formed on a Si 3 N 4 -based substrate and graphene coated), the graphene is thin and transparent It was judged to be very well formed, and the adhesion of the surface of the Si 3 N 4 substrate and the graphene layer was also very well formed. An OH group was formed on the Si 3 N 4 substrate by performing nitric acid treatment, and the formed OH group can form a coating layer through hydrogen bonding with graphene oxide, and heat reduction is performed. ) Formed through hydrogen bonding through the process… HOH… Graphene layer, which is a functional coating layer, is improved by simultaneously sublimating and improving adhesion to a Si 3 N 4 substrate and simultaneously reducing graphene oxide to graphene. ) Is formed.

아래의 표 2에 실험예 1 및 실험예 2에 따라 제조된 기판의 열확산도와 열전도도를 나타내었다. Table 2 below shows the thermal diffusivity and thermal conductivity of the substrates prepared according to Experimental Example 1 and Experimental Example 2.

SamplesSamples 비교예Comparative example 실시예Example Si3N4계 기판Si 3 N 4 series substrate 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판Graphene coated Si 3 N 4 based substrate Thermal diffusivity (mm2/s)Thermal diffusivity (mm 2 / s) 28.83728.837 29.86729.867 30.30530.305 30.41730.417 Thermalconductivity(W/mK)Thermalconductivity (W / mK) 72.67272.672 88.688.6 92.992.9 96.896.8

표 2를 참조하면, 실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판(그래핀이 코팅되지 않은 Si3N4계 기판)의 열확산도(thermal diffusivity)는 실온에서 약 28 mm2/s의 열확산도를 나타낸 반면, 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판(Si3N4계 기판에 하이드록시기를 형성하고 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판)은 실온에서 약 30 mm2/s 이상의 열확산도를 나타냈다. 따라서, 그래핀을 Si3N4 기판 위에 증착하고 접착력(adhesion)을 개선하여 기능성층(functional layer)을 형성하면 10% 이상의 열확산도 개선 효과가 있는 것으로 판단된다. Referring to Table 2, the thermal diffusivity of the Si 3 N 4 based substrate (Si 3 N 4 based substrate without graphene coating) prepared according to Experimental Example 1 was about 28 mm 2 / s at room temperature. While showing the thermal diffusivity, the graphene-coated Si 3 N 4 based substrate prepared according to Experimental Example 2 (Si 3 N 4 based substrate forming a hydroxyl group on a Si 3 N 4 based substrate and graphene coated) It showed a thermal diffusivity of about 30 mm 2 / s or higher at room temperature. Therefore, it is judged that the thermal diffusivity improvement effect of more than 10% is obtained by depositing graphene on a Si 3 N 4 substrate and improving adhesion to form a functional layer.

실험예 1에 따라 제조된 Si3N4계 기판(그래핀이 코팅되지 않은 Si3N4계 기판)의 열전도도(thermal conductivity)는 실온에서 약 72 W/mK의 값을 나타냈다. 실험예 2에 따라 제조된 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판(Si3N4계 기판에 하이드록시기를 형성하고 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판)은 실온에서 약 90 W/mK 이상의 값을 나타냈다. 이러한 결과는 열전도도 계산에 있어 열확산도와 밀도 및 비열의 차이로 인하여 나타난 것으로 분석되었다. 기판 전체에 코팅된 그래핀이 Si3N4계 기판과의 접착력(adhesion) 개선으로 인하여 열확산을 증가시켜 효과적으로 열전달을 했기 때문으로 판단된다. 또한, 코팅된 그래핀층(graphene layer)의 영향으로 비열의 변화가 발생하여 전체 열전도도 증가에 영향을 준 것으로 판단된다.Experimental thermal conductivity (thermal conductivity) of the Si 3 N 4 based substrate (yes the Si 3 N 4 based substrate that is not coated pin) prepared according to Example 1 showed a value of about 72 W / mK at room temperature. Prepared according to Experimental Example 2 of graphene is coated with Si 3 N 4 based substrate (Si 3 N 4 type on a substrate to form a hydroxy yes The coated Si 3 N 4 based substrate pin) is at room temperature of about 90 W / mK or more was shown. It was analyzed that these results were due to differences in thermal diffusivity, density and specific heat in the calculation of thermal conductivity. It is judged that graphene coated on the entire substrate effectively heat-transfers by increasing the thermal diffusion due to improvement of adhesion with the Si 3 N 4 -based substrate. In addition, it is judged that a specific heat change occurred due to the influence of the coated graphene layer, thereby affecting the overall thermal conductivity.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described in detail, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art.

Claims (15)

Si3N4계 기판을 준비하는 단계;
상기 Si3N4계 기판을 산(acid) 용액에 담그고 산(acid) 처리하여 가수분해 반응을 유도하면서 상기 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(-OH)기가 형성되게 하는 단계;
용매에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 첨가하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계;
상기 하이드록시(-OH)기가 형성된 Si3N4계 기판 표면에 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 코팅하고 건조하여 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 형성하는 단계; 및
상기 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 열환원 처리하여 상기 그래핀옥사이드가 그래핀으로 변화되게 하여 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
Preparing a Si 3 N 4 based substrate;
Immersing the Si 3 N 4 -based substrate in an acid solution and treating it with an acid to induce a hydrolysis reaction to form a hydroxy (-OH) group on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate;
Forming a solution in which graphene oxide is dispersed by adding graphene oxide powder to a solvent;
Forming a Si 3 N 4 based substrate coated with graphene oxide by coating and drying the solution on which the graphene oxide is dispersed on the surface of the Si 3 N 4 based substrate on which the hydroxy (-OH) group is formed; And
And subjecting the graphene oxide-coated Si 3 N 4 -based substrate to heat-reduction treatment to change the graphene oxide to graphene to obtain a graphene-coated Si 3 N 4 -based substrate. Method for manufacturing a silicon nitride substrate.
제1항에 있어서, 상기 산 용액은 질산(HNO3) 및 인산(H3PO4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 산(acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the acid solution comprises at least one acid selected from the group consisting of nitric acid (HNO 3 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ).
제1항에 있어서, 상기 산 처리는 60∼90℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method for manufacturing a silicon nitride substrate according to claim 1, wherein the acid treatment is performed at a temperature of 60 to 90 ° C.
제1항에 있어서, 상기 열환원 처리는 비활성 가스 분위기에서 600∼900℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method for manufacturing a silicon nitride substrate according to claim 1, wherein the heat reduction treatment is performed at a temperature of 600 to 900 ° C in an inert gas atmosphere.
제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계는,
상기 용매에 상기 그래핀옥사이드 분말을 첨가하는 단계;
상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가된 용매를 교반하는 단계; 및
상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가되어 교반된 용매를 탈가스(degassing) 처리를 하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
According to claim 1, The step of forming a solution in which the graphene oxide is dispersed,
Adding the graphene oxide powder to the solvent;
Stirring the solvent to which the graphene oxide powder is added; And
A method of manufacturing a silicon nitride substrate comprising the step of obtaining a solution in which graphene oxide is dispersed by degassing a solvent in which the graphene oxide powder is added and stirred.
제5항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드 분말은 상기 용매 1㎖에 0.1∼2 mg의 중량으로 첨가하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 5, wherein the graphene oxide powder is added in a weight of 0.1 to 2 mg to 1 ml of the solvent.
제1항에 있어서, 상기 용매는 물(H2O)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the solvent comprises water (H 2 O).
제1항에 있어서, 상기 Si3N4계 기판을 준비하는 단계는,
α-Si3N4 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계;
상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버에 장입하는 단계;
상기 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 실시하는 단계;
진공 상태에서 상기 챔버 내로 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 조성하는 단계; 및
상기 혼합 분말을 가압하면서 소결하여 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
According to claim 1, The step of preparing the Si 3 N 4 based substrate,
mixing α-Si 3 N 4 powder, MgO powder and Y 2 O 3 powder to form a mixed powder;
Charging the mixed powder into a chamber of a vacuum hot press equipment;
Performing N 2 gas purging to remove impurities in the chamber;
Creating an N 2 gas atmosphere by flowing N 2 gas into the chamber in a vacuum state; And
And sintering while pressing the mixed powder to obtain a Si 3 N 4 based substrate.
제8항에 있어서, 상기 MgO 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the MgO powder is mixed with 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.
제8항에 있어서, 상기 Y2O3 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0.1∼7중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the Y 2 O 3 powder is mixed with 0.1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the α-Si 3 N 4 powder.
제8항에 있어서, 상기 혼합 분말은 5∼60 MPa의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the mixed powder is pressurized at a pressure of 5 to 60 MPa.
제8항에 있어서, 상기 소결은 N2 가스 분위기에서 1600∼2000 ℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the sintering is performed at a temperature of 1600 to 2000 ° C in an N 2 gas atmosphere.
제8항에 있어서, 소결하여 수득한 Si3N4계 기판 표면의 불순물을 제거하기 위하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 8, further comprising the step of grinding and polishing to remove impurities on the surface of the Si 3 N 4 -based substrate obtained by sintering.
제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 AlN 분말을 상기 용매에 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.
The method of claim 1, wherein in the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, the AlN powder is further mixed with the solvent.
제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 BN 분말을 상기 용매에 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법.The method of claim 1, wherein in the step of forming the solution in which the graphene oxide is dispersed, the BN powder is further mixed with the solvent.
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