KR20200031002A

KR20200031002A - 표시장치

Info

Publication number: KR20200031002A
Application number: KR1020180129168A
Authority: KR
Inventors: 김기욱; 김광민; 김양완; 나지수
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-09-12
Filing date: 2018-10-26
Publication date: 2020-03-23
Also published as: TWI832895B; TW202032341A

Abstract

입력감지센서는 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들과 복수 개의 제2 센싱영역들로 구분되며, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖는다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각은 복수 개의 제1 감지전극들과 복수 개의 제2 감지전극들의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 감지전극들의 개구부들은 제1 배열을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 배치된 감지전극들의 개구부들은 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 좀 더 상세히는 입력감지센서를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.

텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 표시장치들의 입력장치로써 키보드 또는 마우스 등을 포함한다. 또한, 표시장치들은 입력장치로써 터치센서를 구비한다.

본 발명의 목적은 센싱 감도가 향상된 입력감지센서를 표시장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광영역들을 포함하는 표시패널 및 상기 표시패널 상측에 배치되고, 감지영역과 배선영역을 포함하는 입력감지센서를 포함한다. 상기 입력감지센서는 상기 감지영역에 배치되고, 상기 발광영역들에 대응하는 개구부들이 형성된 복수 개의 제1 감지전극들, 상기 감지영역에 배치되고, 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 교차하며, 상기 발광영역들에 대응하는 개구부들이 형성된 복수 개의 제2 감지전극들, 및 상기 배선영역에 배치되고, 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들에 연결된 신호라인들을 포함한다. 상기 감지영역 중 적어도 일부 영역은 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들과 복수 개의 제2 센싱영역들로 구분되며, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖는다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각은 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 제1 배열을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는다.

상기 발광영역들은 제1 면적의 제1 발광영역, 상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 발광영역 및 상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 발광영역을 포함한다.

상기 제1 배열의 상기 개구부들과 상기 제2 배열의 상기 개구부들은 상기 제1 발광영역에 대응하는 제1 개구부, 상기 제2 발광영역에 대응하는 제2 개구부, 및 상기 제3 발광영역에 대응하는 제3 개구부를 포함한다.

상기 발광영역들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 발광영역들은 제1 발광영역 그룹으로 정의되고 및 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 배치된 발광영역들은 제2 발광영역 그룹으로 정의된다. 상기 제1 발광영역 그룹 및 상기 제2 발광영역 그룹 각각은 n x n 행렬로 배열된 셀유닛들을 포함하고, 여기서 n은 10 이상의 자연수이다. 상기 셀유닛들은 제1 셀유닛들과 제2 셀유닛들을 포함한다. 상기 제1 셀유닛들 각각은 대각선 방향으로 배치된 상기 제1 발광영역과 상기 제3 발광영역을 포함한다. 상기 제2 셀유닛들 각각은 상기 대각선 방향으로 배치된 상기 제2 발광영역과 상기 제3 발광영역을 포함한다. 상기 제1 발광영역 그룹의 상기 제1 셀유닛들과 상기 제2 셀유닛들은 제1 배열을 갖고, 상기 제2 발광영역 그룹의 상기 제1 셀유닛들과 상기 제2 셀유닛들은 상기 제1 발광영역 그룹의 상기 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는다. 여기서 n은 홀수 일 수 있다.

상기 제1 셀유닛들 각각의 상기 제3 발광영역은 제1 타입 발광영역이고, 상기 제2 셀유닛들 각각의 상기 제3 발광영역은 제2 타입 발광영역이며, 상기 제1 타입 발광영역과 상기 제2 타입 발광영역은 평면상 형상이 상이할 수 있다.

상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극과 제2 감지전극의 단선 지점들이 정의하는 제1 경계패턴은, 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극과 제2 감지전극의 단선 지점들이 정의하는 제2 경계패턴과 상이할 수 있다.

상기 입력감지센서는 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들에 절연된 더미패턴을 더 포함한다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 p x q 행렬로 배열되고, 여기서 p 및 q는 5 이상의 자연수이다. 상기 더미패턴은 상기 p x q 행렬로 배열된 센싱영역들 중 (k, j)의 센싱영역, (k+1, j)의 센싱영역, (k, j+1)의 센싱영역, (k+1, j+1)의 센싱영역이 형성하는 영역의 중심에 배치되고, 여기서 k는 p이하의 자연수이고, j는 q 이하의 자연수이다.

상기 적어도 일부 영역은 내측 감지영역으로 정의되고, 상기 감지영역은 상기 내측 감지영역의 외측에 배치된 외측 감지영역을 더 포함한다. 상기 외측 감지영역은 상기 제1 센싱영역들에 인접한 제3 센싱영역들 및 상기 제2 센싱영역들에 인접한 제4 센싱영역들을 포함한다. 상기 복수 개의 제3 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 상기 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제3 배열을 갖고, 상기 복수 개의 제4 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 상기 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제4 배열을 갖는다.

상기 복수 개의 제3 센싱영역들의 면적은 상기 복수 개의 제1 센싱영역들의 면적과 다르다.

상기 적어도 일부 영역은 제1 내측 감지영역으로 정의되고, 상기 감지영역은 상기 제1 내측 감지영역에 인접한 제2 내측 감지영역을 더 포함한다. 상기 제2 내측 감지영역은 상기 제1 센싱영역들에 인접한 제3 센싱영역들 및 상기 제2 센싱영역들에 인접한 제4 센싱영역들을 포함하고, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들, 상기 복수 개의 제3 센싱영역들과 상기 복수 개의 제4 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖는다. 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 상기 복수 개의 개구부들을 정의하는 메쉬라인을 포함한다. 상기 복수 개의 개구부들은 제1 면적의 제1 개구부들, 상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 개구부들, 및 상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 개구부들을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 제1 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제3 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상 및 상기 제2 형상과 다른 제3 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제4 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상, 상기 제2 형상, 및 상기 제3 형상과 다른 제4 형상을 갖는다.

상기 복수 개의 제1 감지전극들은 제1 방향으로 나열되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 상기 복수 개의 제1 감지전극들 각각은 상기 제2 방향으로 나열된 제1 센서부들 및 상기 제1 센서부들 중 인접한 센서부들 사이에 배치된 제1 연결부들을 포함한다. 상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 상기 제1 방향으로 나열된 제2 센서부들 및 상기 제2 센서부들 중 인접한 센서부들 사이에 배치된 제2 연결부들을 포함한다. 상기 제1 연결부들 및 상기 제2 연결부들 중 어느 하나는 상기 제1 센서부들, 상기 제2 센서부들과 다른 층 상에 배치되고, 다른 하나는 같은 층 상에 배치된다.

상기 입력감지센서는, 상기 제1 센서부들의 내측에 배치된 제1 플로팅 패턴들 및 상기 제2 센서부들의 내측에 배치된 제2 플로팅 패턴들을 더 포함한다.

상기 입력감지센서는, 상기 제1 플로팅 패턴들을 연결하는 제3 연결부들을 더 포함한다.

상기 제1 플로팅 패턴들 중 적어도 하나는, 중심부, 상기 제2 방향 내에서, 상기 중심부의 양측에 배치된 연장부들을 포함한다. 상기 연장부들 각각은 상기 제3 연결부들 중 대응하는 제3 연결부에 연결된다.

상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각은, 상기 제1 연결부들 중 대응하는 제1 연결부, 상기 제1 센서부들 중 상기 제2 방향 내에서 상기 대응하는 제1 연결부의 일측에 배치된 제1 센서부의 절반 및 타측에 배치된 제1 센서부의 절반, 상기 제2 연결부들 중 대응하는 제2 연결부 및 상기 제1 방향 내에서 상기 대응하는 제2 연결부의 일측에 배치된 제2 센서부의 절반 및 타측에 배치된 제2 센서부의 절반을 포함한다.

상기 신호라인들은, 상기 복수 개의 제1 감지전극들 중 짝수 번째 전극들의 일단을 통해 전기적으로 연결된 제1 신호라인들, 상기 복수 개의 제1 감지전극들 중 홀수 번째 전극들의 타단을 통해 전기적으로 연결된 제2 신호라인들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들에 전기적으로 연결된 제3 신호라인들을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널 및 상기 표시패널 상측에 배치된 입력감지센서를 포함한다. 상기 입력감지센서는 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 교차하는 복수 개의 제2 감지전극들을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 제1 면적의 제1 개구부들, 상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 개구부들, 및 상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 개구부들을 정의하는 메쉬라인을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들이 배치된 영역 중 적어도 일부 영역은 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들과 복수 개의 제2 센싱영역들로 구분되며, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖는다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각은 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함한다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 제1 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖는다.

상기 표시패널은 상기 제1 개구부들에 대응하는 제1 발광영역들, 상기 제2 개구부들에 대응하는 제2 발광영역들, 및 상기 제3 개구부들에 대응하는 제3 발광영역들을 포함한다. 상기 제1 발광영역들, 상기 제2 발광영역들, 및 상기 제3 발광영역들은 복수 개의 발광영역 행들을 정의하도록 배열된다. 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 첫번째 발광영역 행의 첫번째 발광영역은 상기 제1 발광영역들 중 하나이고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 첫번째 발광영역 행의 첫번째 발광영역은 상기 제2 발광영역들 중 하나이다.

상기 복수 개의 제1 감지전극들과 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극의 메쉬라인과 제2 감지전극의 메쉬라인의 단선 지점들이 정의하는 제1 경계패턴은, 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극의 메쉬라인과 제2 감지전극의 메쉬라인의 단선 지점들이 정의하는 제2 경계패턴과 상이하다.

본 발명에 따르면, 감지영역에 전면적으로(completely) 감지전극들이 배치됨으로써 입력 감지 신뢰도가 향상될 수 있다.

2종 이상의 센싱영역들을 형성하여 입력감지센서의 설계 자유도가 향상된다. 2종 이상의 센싱영역들에 배치된 메쉬라인들이 형성하는 형상들이 서로 다르더라도 감도 편차는 최소화될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 절연층의 확대된 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다.
도 6c 및 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 부분 단면도이다.
도 6e는 도 6b의 AA 영역에 대한 확대된 평면도이다.
도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다.
도 7b는 도 7a의 제1 센싱영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 7c는 도 7b의 제1 센싱영역의 코너영역들에 대한 확대한 평면도이다.
도 7d는 도 7b의 제1 센싱영역의 교차영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 7e는 도 7a의 제2 센싱영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 7f는 도 7b의 제2 센싱영역의 코너영역들에 대한 확대한 평면도이다.
도 7g는 도 7b의 제2 센싱영역의 교차영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 7h는 제1 센싱영역의 제1 경계패턴과 제2 센싱영역의 제2 경계패턴을 비교한 도면이다.
도 7i는 도 7a의 BB 영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 CC 영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다.
도 9b는 도 9a의 일부 영역에 대한 확대한 평면도이다.
도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 교차영역에 확대한 평면도이다.
도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 사시도이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 사시도이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 1에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 표시면(DD-IS)을 통해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 표시면(DD-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DD-IS)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다.

이하에서 설명되는 각 부재들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 동일한 도면 부호를 참조한다.

본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면을 구비한 표시장치(DD)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시장치(DD)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함하고, 예컨대, 다각 기둥형 표시면을 포함할 수도 있다.

본 실시예에 따른 표시장치(DD)는 리지드 표시장치일 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 플렉서블 표시장치(DD)일 수 있다. 플렉서블 표시장치(DD)는 폴딩 가능한 폴더블 표시장치 또는 일부 영역이 밴딩된 밴딩형 표시장치를 포함할 수 있다.

본 실시예에서 핸드폰 단말기에 적용될 수 있는 표시장치(DD)를 예시적으로 도시하였다. 도시하지 않았으나, 메인보드에 실장된 전자모듈들, 카메라 모듈, 전원모듈 등이 표시장치(DD)과 함께 브라켓/케이스 등에 배치됨으로써 핸드폰 단말기를 구성할 수 있다. 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 테블릿, 자동차 네비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등에 적용될 수 있다.

도 1에 도시된 것과 같이, 표시면(DD-IS)은 이미지(IM)가 표시되는 이미지 영역(DD-DA) 및 이미지 영역(DD-DA)에 인접한 베젤 영역(DD-NDA)을 포함한다. 베젤 영역(DD-NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 도 1에는 이미지(IM)의 일 예로 아이콘 이미지들을 도시하였다.

도 1에 도시된 것과 같이, 이미지 영역(DD-DA)은 실질적으로 사각형상일 수 있다. "실질적으로 사각형상"이란 수학적 의미의 사각형상을 포함할 뿐만 아니라 꼭지점 영역(또는 코너 영역)에 꼭지점이 정의되지 않고 곡선의 경계가 정의된 사각형상을 포함한다.

베젤 영역(DD-NDA)은 이미지 영역(DD-DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 이미지 영역(DD-DA)의 형상과 베젤 영역(DD-NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.

도 2a 내지 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 단면도이다. 도 2a 내지 2d는 제2 방향축(DR2)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 단면을 도시하였다. 도 2a 내지 2d는 표시장치(DD)를 구성하는 기능성 부재들의 적층관계를 설명하기 위해 단순하게 도시되었다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 표시패널, 입력감지센서, 반사방지부재(anti-reflector), 및 윈도우를 포함할 수 있다. 표시패널, 입력감지센서, 반사방지부재, 및 윈도우 중 적어도 일부의 구성들은 연속공정에 의해 형성되거나, 적어도 일부의 구성들은 접착부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 도 2a 내지 2d에는 접착부재로써 광학 투명 접착부재(OCA)이 예시적으로 도시되었다. 이하에서 설명되는 접착부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 반사방지부재 및 윈도우는 다른 구성으로 대체되거나 생략될 수 있다.

도 2a 내지 도 2d에 있어서, 입력감지센서, 반사방지부재, 및 윈도우 중 다른 구성과 연속공정을 통해 형성된 해당 구성은 "층"으로 표현된다. 입력감지센서, 반사방지부재, 및 윈도우 중 다른 구성과 접착부재를 통해 결합된 구성은 "패널"로 표현된다. 패널은 베이스면을 제공하는 베이스층, 예컨대 합성수지 필름, 복합재료 필름, 유리 기판 등을 포함하지만, "층"은 상기 베이스층이 생략될 수 있다. 다시 말해, "층"으로 표현되는 상기 유닛들은 다른 유닛이 제공하는 베이스면 상에 배치된다.

이하, 입력감지센서, 반사방지부재, 윈도우는 베이스층의 유/무에 따라 입력감지패널(ISP), 반사방지패널(RPP), 윈도우패널(WP) 또는 입력감지층(ISL), 반사방지층(RPL), 윈도우층(WL)로 지칭될 수 있다.

도 2a에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 표시패널(DP), 입력감지층(ISL), 반사방지패널(RPP), 및 윈도우패널(WP)을 포함할 수 있다. 입력감지층(ISL)은 표시패널(DP)에 직접 배치된다. 본 명세서에서 "B의 구성이 A의 구성 상에 직접 배치된다"는 것은 A의 구성과 B의 구성 사이에 별도의 접착층/접착부재이 배치되지 않는 것을 의미한다. B 구성은 A 구성이 형성된 이후에 A구성이 제공하는 베이스면 상에 연속공정을 통해 형성된다.

표시패널(DP)과 표시패널(DP) 상에 직접 배치된 입력감지층(ISL)을 포함하여 표시모듈(DM)로 정의될 수 있다. 표시모듈(DM)과 반사방지패널(RPP) 사이, 반사방지패널(RPP)과 윈도우패널(WP) 사이 각각에 광학 투명 접착부재(OCA)가 배치된다.

표시패널(DP)은 이미지를 생성하고, 입력감지층(ISL)은 외부입력(예컨대, 터치 이벤트)의 좌표정보를 획득한다. 별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 표시패널(DP)의 하면에 배치된 보호부재를 더 포함할 수 있다. 보호부재와 표시패널(DP)은 접착부재를 통해 결합될 수 있다. 이하에서 설명되는 도 2b 내지 도 2d의 표시장치들(DD) 역시 보호부재를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널 또는 퀀텀닷 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널의 발광층은 유기발광물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷, 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널로 설명된다.

반사방지패널(RPP)은 윈도우패널(WP)의 상측으로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지패널(RPP)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다. 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer) 자체 또는 보호필름이 반사방지패널(RPP)의 베이스층으로 정의될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지패널(RPP)은 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 소정의 배열을 갖는다. 표시패널(DP)에 포함된 화소들의 발광컬러들을 고려하여 컬러필터들의 배열이 결정될 수 있다. 반사방지패널(RPP)은 컬러필터들에 인접한 블랙매트릭스를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지패널(RPP)은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우패널(WP)은 베이스층(WP-BS)및 차광패턴(WP-BZ)을 포함한다. 베이스층(WP-BS)는 유리 기판 및/또는 합성수지 필름 등을 포함할 수 있다. 베이스층(WP-BS)은 단층으로 제한되지 않는다. 베이스층(WP-BS)은 접착부재로 결합된 2 이상의 필름들을 포함할 수 있다.

차광패턴(WP-BZ)은 베이스층(WP-BS)에 부분적으로 중첩한다. 차광패턴(WP-BZ)은 베이스층(WP-BS)의 배면에 배치되고, 차광패턴(WP-BZ)은 실질적으로 표시장치(DD)의 베젤 영역(DD-NDA)을 정의할 수 있다. 차광패턴(WP-BZ)이 미배치된 영역은 표시장치(DD)의 이미지 영역(DD-DA)을 정의할 수 있다. 윈도우패널(WP)로 한정할 때, 차광패턴(WP-BZ)이 배치된 영역은 윈도우패널(WP)의 차광영역으로 정의되고, 차광패턴(WP-BZ)이 미배치된 영역은 윈도우패널(WP)의 투과영역으로 정의된다.

차광패턴(WP-BZ)은 다층구조를 가질 수 있다. 다층구조는 유색의 컬러층과 검정의 차광층을 포함할 수 있다. 유색의 컬러층과 검정의 차광층은 증착, 인쇄, 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 별도로 도시하지는 않았으나, 윈도우패널(WP)은 베이스층(WP-BS)의 전면에 배치된 기능성 코팅층을 더 포함할 수 있다. 기능성 코팅층은 지문 방지층, 반사 방지층, 및 하드 코팅층 등을 포함할 수 있다. 이하에서 참조되는 도 2b 내지 도 2d에 있어서, 윈도우패널(WP) 및 윈도우층(WL)은 베이스층(WP-BS) 및 차광패턴(WP-BZ)의 구분없이 간략히 도시되었다.

도 2b 및 도 2c에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 표시패널(DP), 입력감지패널(ISP), 반사방지패널(RPP), 및 윈도우패널(WP)을 포함할 수 있다. 입력감지패널(ISP)과 반사방지패널(RPP)의 적층 순서는 변경될 수 있다.

도 2d에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 표시패널(DP), 입력감지층(ISL), 반사방지층(RPL), 및 윈도우층(WL)을 포함할 수 있다. 도 2a에 도시된 표시장치(DD) 대비 접착부재들(OCA)이 생략되고, 표시패널(DP)에 제공하는 베이스면 상에 입력감지층(ISL), 반사방지층(RPL), 및 윈도우층(WL)이 연속공정으로 형성되었다. 입력감지층(ISL)과 반사방지층(RPL)의 적층 순서는 변경될 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다.

도 3a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED) 및 상부 절연층(TFL)을 포함한다. 도 1에 도시된 이미지 영역(DD-DA) 및 베젤 영역(DD-NDA)에 대응하는 표시영역(DP-DA)과 비표시영역(DP-NDA)이 표시패널(DP)에 정의될 수 있다. 본 실시예에서 영역과 영역이 대응한다는 것은 서로 중첩한다는 것을 의미하고 동일한 면적/형상을 갖는 것으로 제한되지 않는다.

베이스층(BL)은 적어도 하나의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.

회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 절연층은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 상기 회로 소자는 신호라인들, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.

표시 소자층(DP-OLED)은 적어도 유기발광 다이오드들을 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막과 같은 유기막을 더 포함할 수 있다.

상부 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함한다. 일부 박막은 광학 효율을 향상시키기 위해 배치되고, 일부 박막은 유기발광 다이오드들을 보호하기 위해 배치된다. 상부 절연층(TFL)에 대한 상세한 설명은 후술한다.

도 3b에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 봉지기판(ES) 및 베이스층(BL)과 봉지기판(ES)을 결합하는 실런트(SM)를 포함한다. 봉지기판(ES)은 표시 소자층(DP-OLED)으로부터 소정의 갭(GP)을 두고 이격될 수 있다. 베이스층(BL) 및 봉지기판(ES)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 실런트(SM)는 유기 접착부재 또는 프릿 등을 포함할 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 확대된 단면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 절연층(TFL)의 확대된 단면도이다. 도 5a의 표시패널(DP)은 도 3a의 표시패널(DP)을 기준으로 도시하였다.

도 4에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL, 이하 신호라인들), 복수 개의 신호패드들(DP-PD, 이하 신호패드들) 및 복수 개의 화소들(PX, 이하 화소들)을 포함할 수 있다.

표시영역(DP-DA)은 화소들(PX)이 배치된 영역으로 정의될 수 잇다. 화소들(PX) 각각은 유기발광 다이오드와 그에 연결된 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로(GDC), 신호라인들(SGL), 신호패드들(DP-PD) 및 화소 구동회로는 도 3a 및 도 3b에 도시된 회로 소자층(DP-CL)에 포함될 수 있다.

구동회로(GDC)는 주사 구동회로를 포함할 수 있다. 주사 구동회로는 복수 개의 주사 신호들(이하, 주사 신호들)을 생성하고, 주사 신호들을 후술하는 복수 개의 주사 라인들(GL, 이하 주사 라인들)에 순차적으로 출력한다.　주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.

주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

신호라인들(SGL)은 주사 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL)을 포함한다. 주사 라인들(GL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 연결된다. 제어신호 라인(CSL)은 주사 구동회로에 제어신호들을 제공할 수 있다.

신호라인들(SGL)은 표시영역(DP-DA) 및 비표시영역(DP-NDA)에 중첩한다. 신호라인들(SGL)은 패드부 및 라인부를 포함할 수 있다. 라인부는 표시영역(DP-DA) 및 비표시영역(DP-NDA)에 중첩한다. 패드부는 라인부의 말단에 배치된다. 패드부는 비표시영역(DP-NDA)에 배치되고, 신호패드들(DP-PD) 중 대응하는 신호패드에 중첩한다. 비표시영역(DP-NDA) 중 신호패드들(DP-PD)이 배치된 영역은 패드영역(DP-PA)으로 정의될 수 있다. 패드영역(DP-PA)은 미도시된 회로기판이 접속될 수 있다.

실질적으로 화소(PX)에 연결된 라인부가 신호라인들(SGL)의 대부분을 구성한다. 라인부는 화소(PX)의 트랜지스터들(T1, T2, 도 5a 참조)에 연결된다. 라인부는 단층/다층 구조를 가질 수 있고, 라인부는 일체의 형상(single body)이거나, 2 이상의 부분들을 포함할 수 있다. 2 이상의 부분들은 서로 다른 층 상에 배치되고, 2 이상의 부분들 사이에 배치된 절연층을 관통하는 컨택홀을 통해 서로 연결될 수 있다.

도 5a는 트랜지스터들(T1, T2) 및 발광다이오드(OLED)에 대응하는 표시패널(DP)의 부분 단면을 도시하였다. 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.

본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 무기막인 버퍼막(BFL), 제1 무기막(10) 및 제2 무기막(20)을 포함하고, 유기막(30)을 포함할 수 있다. 버퍼막(BFL)은 적층된 복수 개의 무기막을 포함할 수 있다. 도 5a에는 스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)를 구성하는 제1 반도체 패턴(OSP1), 제2 반도체 패턴(OSP2), 제1 제어전극(GE1), 제2 제어전극(GE2), 제1 입력전극(DE1), 제1 출력전극(SE1), 제2 입력전극(DE2), 제2 출력전극(SE2)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 제1 내지 제4 관통홀(CH1 내지 CH4) 역시 예시적으로 도시되었다.

표시 소자층(DP-OLED)은 유기발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다

유기막(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 유기막(30)을 관통하는 제5 관통홀(CH5)을 통해 제2 출력전극(SE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 다른 개구부들과 구분하기 위해 발광 개구부로 명명된다.

도 5a에 도시된 것과 같이, 표시영역(DP-DA)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 발광 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.

정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 발광 개구부(OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 유기물질 및/또는 무기물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 소정의 유색 컬러광을 생성할 수 있다.

발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치된다.

도 5a 및 도 5b에 도시된 것과 같이, 제2 전극(CE) 상에 상부 절연층(TFL)이 배치된다. 상부 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다. 본 실시예와 같이 상부 절연층(TFL)은 캡핑층(CPL)과 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다.

캡핑층(CPL)은 제2 전극(CE) 상에 배치되고 제2 전극(CE)에 접촉한다. 캡핑층(CPL)은 유기물질을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 캡핑층(CPL) 상에 배치되고 캡핑층(CPL)에 접촉한다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되고 제1 무기층(IOL1)에 접촉한다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치되고 유기층(OL)에 접촉한다.

캡핑층(CPL)은 후속의 공정 예컨대 스퍼터링 공정으로부터 제2 전극(CE)을 보호하고, 유기발광 다이오드(OLED)의 출광효율을 향상시킨다. 캡핑층(CPL)은 제1 무기층(IOL1)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.

제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 유기층(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호한다. 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(OL)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.

본 발명의 일 실시예에서 캡핑층(CPL)과 제1 무기층(IOL1) 사이에 무기층, 예컨대 LiF층이 더 배치될 수 있다. LiF층은 발광소자(OLED)의 출광효율을 향상시킬 수 있다.

도 6a은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(ISL)의 단면도이다. 도 6b은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(ISL)의 평면도이다. 도 6d 및 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(ISL)의 부분 단면도이다. 도 6e는 도 6b의 AA 영역에 대한 확대된 평면도이다. 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다. 이하 설명되는 입력감지층(ISL)은 입력감지층(ISP, 도 2b 참조)에도 동일하게 적용될 수 있다.

도 6a에 도시된 것과 같이, 입력감지층(ISL)는 제1 절연층(IS-IL1), 제1 도전층(IS-CL1), 제2 절연층(IS-IL2), 제2 도전층(IS-CL2), 및 제3 절연층(IS-IL3)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(IS-IL1)은 상부 절연층(TFL) 상에 직접 배치된다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 절연층(IS-IL1)은 생략될 수 있다. 도 6a에서 표시패널(DP)은 간략히 도시되었다.

제1 도전층(IS-CL1) 및 제2 도전층(IS-CL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향축(DR3)을 따라 적층된 다층구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 투명 도전층들과 금속층들 중 적어도 2이상을 포함할 수 있다. 다층구조의 도전층은 서로 다른 금속을 포함하는 금속층들을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 그라핀을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 도전층(IS-CL1) 및 제2 도전층(IS-CL2) 각각은 3층의 금속층 구조, 예컨대, 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.

제1 도전층(IS-CL1) 및 제2 도전층(IS-CL2) 각각은 복수 개의 도전패턴들을 포함한다. 이하, 제1 도전층(IS-CL1)은 제1 도전패턴들을 포함하고, 제2 도전층(IS-CL2)은 제2 도전패턴들을 포함하는 것으로 설명된다. 제1 도전패턴들과 제2 도전패턴들 각각은 감지전극들 및 이에 연결된 신호라인들을 포함할 수 있다.

제1 절연층(IS-IL1) 내지 제3 절연층(IS-IL3) 각각은 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(IS-IL1) 및 제2 절연층(IS-IL2)은 무기물을 포함하는 무기막일 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 절연층(IS-IL3)은 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

도 6b에 도시된 것과 같이, 입력감지층(ISL)는 표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA)과 비표시영역(DP-NDA)에 대응하는 감지영역(IS-DA)과 배선영역(IS-NDA)을 포함할 수 있다. 감지영역(IS-DA)은 후술하는 제1 전극 그룹(EG1) 및 제2 전극 그룹(EG2)이 배치된 영역으로 정의될 수 있다.

입력감지층(ISL)는 제1 전극 그룹(EG1), 제2 전극 그룹(EG2), 제1 전극 그룹(EG1) 중 대응하는 일부의 전극에 전기적으로 연결된 제1 신호라인 그룹(SG1), 제1 전극 그룹(EG1) 중 다른 일부의 전극에 전기적으로 연결된 제2 신호라인 그룹(SG2), 및 제2 전극 그룹(EG2)에 전기적으로 연결된 제3 신호라인 그룹(SG3)을 포함할 수 있다. 제1 신호라인 그룹(SG1), 제2 신호라인 그룹(SG2), 및 제3 신호라인 그룹(SG3)은 배선영역(IS-NDA)에 배치된다.

본 실시예에서 입력감지층(ISL)는 뮤츄얼캡 방식으로 외부입력을 감지하는 정전용량식 터치센서일 수 있다. 제1 전극 그룹(EG1)과 제2 전극 그룹(EG2) 중 어느 하나는 검출 신호(detection signal)을 수신하고, 다른 하나는 제1 전극 그룹(EG1)과 제2 전극 그룹(EG2) 사이의 정전용량 변화량을 출력 신호로써 출력한다.

제1 전극 그룹(EG1)은 복수 개의 제1 감지전극들을 포함한다. 제1 전극 그룹(EG1)은 1번째 내지 i(여기서 i는 2 이상의 자연수)번째 전극들을 포함한다. 10개의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10)을 포함하는 제1 전극 그룹(EG1)을 예시적으로 도시하였다. 1번째 내지 10번째 전극들(IE1-1 내지 IE1-10)은 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 갖는다. 1번째 내지 10번째 전극들(IE1-1 내지 IE1-10)은 제1 방향(DR1) 내에서 패드영역(IS-PA1, IS-PD2, IS-PD3)으로부터 멀어지도록 나열된다.

제2 전극 그룹(EG2)은 복수 개의 제2 감지전극들을 포함한다. 제2 전극 그룹(EG2)은 1번째 내지 j(여기서 j는 2 이상의 자연수)번째 전극들을 포함한다. 8개의 전극들(IE2-1 내지 IE2-8)을 포함하는 전극 그룹(EG2)을 예시적으로 도시하였다. 1번째 내지 8번째 전극들((IE2-1 내지 IE2-8)은 1번째 내지 10번째 전극들(IE1-1 내지 IE1-10)과 교차한다. 1번째 내지 8번째 전극들((IE2-1 내지 IE2-8)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 갖는다.

제1 신호라인 그룹(SG1)은 제1 신호라인들을 포함한다. 제1 신호라인 그룹(SG1)은 1번째 내지 k(여기서 k는 i/2보다 작거나 같은 자연수 중에서 가장 큰 자연수)번째 신호라인들을 포함한다. 본 실시예에서 제1 신호라인 그룹(SG1)은 5개의 제1 신호라인들을 포함한다.

상기 1번째 내지 k번째 신호라인들은 상기 1번째 내지 i(여기서 i는 2 이상의 자연수)번째 전극들 중 홀수 번째 전극들에 순차적으로 연결되거나 짝수 번째 전극들에 순차적으로 연결된다. 본 실시예에서 5개의 제1 신호라인들은 10개의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10) 중 짝수번째 전극들에 각각 연결된다. 도 6b에 있어서, 5개의 제1 신호라인들은 짝수번째 전극들의 우측 일단들에 각각 연결된 것으로 도시되었다.

제2 신호라인 그룹(SG2)은 제2 신호라인들을 포함한다. 제2 신호라인 그룹(SG2)은 1번째 내지 k(여기서 k는 i/2보다 작거나 같은 자연수 중에서 가장 큰 자연수)번째 신호라인들을 포함한다. 본 실시예에서 제2 신호라인 그룹(SG2)은 5개의 제2 신호라인들을 포함한다. 본 실시예에서 5개의 제2 신호라인들은 10개의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10) 중 홀수번째 전극들에 각각 연결된다. 제2 신호라인들은 홀수번째 전극들의 좌측 일단들에 각각 연결된 것으로 도시되었다. 다시말해, 제1 신호라인들이 대응하는 전극의 일단에 연결될 때, 제2 신호라인들은 대응하는 전극의 타단에 연결된다.

제3 신호라인 그룹(SG3)은 제3 신호라인들을 포함한다. 제3 신호라인들은 제2 전극 그룹(EG2)의 1번째 내지 j번째 전극들에 각각 연결된다. 1번째 내지 8번째 전극들(IE2-1 내지 IE2-8)의 하측 일단들에 각각 연결된 8개의 제3 신호라인들을 예시적으로 도시하였다.

제1 신호라인들의 일부분은 제1 패드영역(IS-PA1)에 배치되고, 제2 신호라인들의 일부분은 제2 패드영역(IS-PA2)에 배치되고, 제3 신호라인들의 일부분은 제3 패드영역(IS-PA3)에 배치된다.

제1 전극 그룹(EG1)의 전극들 각각은 복수 개의 제1 센서부들(SP1)과 복수 개의 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 제1 센서부들(SP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된다. 제1 연결부들(CP1) 각각은 제1 센서부들(SP1)은 중 인접하는 2개의 제1 센서부들(SP1)을 연결한다.

제2 전극 그룹(EG2)의 전극들 각각은 복수 개의 제2 센서부들(SP2)과 복수 개의 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 제2 센서부들(SP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 제2 연결부들(CP2) 각각은 제2 센서부들(SP2)은 중 인접하는 2개의 제2 센서부들(SP2)을 연결한다.

제1 전극 그룹(EG1)의 전극과 제2 전극 그룹(EG2)의 전극은 서로 절연된다. 도 6b에는 제1 연결부(CP1)이 제2 연결부(CP2)와 교차하는 실시예를 도시하였다. 복수 개의 제1 센서부들(SP1), 복수 개의 제1 연결부들(CP1), 복수 개의 제2 센서부들(SP2), 및 복수 개의 제2 연결부들(CP2) 중 일부는 도 6a에 도시된 제1 도전층(IS-CL1)을 패터닝하여 형성하고, 다른 일부는 도 6a에 도시된 제2 도전층(IS-CL2)을 패터닝하여 형성할 수 있다.

도 6b를 참조하면, 감지영역(IS-DA)은 중 적어도 일부 영역은 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다. 본 실시예에 따르면 감지영역(IS-DA) 전체가 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)로 구분되나 이에 제한되지 않는다.

복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)은 서로 동일한 면적을 갖는다. 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)은 각각은 제1 전극 그룹(EG1)의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10)과 제2 전극 그룹(EG2)의 전극들(IE2-1 내지 IE2-8)의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함한다. 교차영역은제1 연결부(CP1)와 제2 연결부(CP2)가 인접하게 배치된 영역이다.

도 6c에 도시된 것과 같이, 복수 개의 제1 연결부들(CP1)는 제1 도전층(IS-CL1)으로부터 형성되고, 복수 개의 제1 센서부들(SP1), 복수 개의 제2 센서부들(SP2), 및 복수 개의 제2 연결부들(CP2)은 제2 도전층(IS-CL2)으로부터 형성될 수 있다. 제2 절연층(IS-IL2)을 관통하는 컨택홀들(CNT-I)을 통해서 제1 센서부들(SP1)과 제1 연결부(CP1)가 접속될 수 있다. 본 실시예에서 제1 센서부들(SP1) 및 제2 센서부들(SP2)과 다른층 상에 배치된 제1 연결부(CP1)는 브릿지 패턴으로 정의될 수 있다.

본 실시예에서 복수 개의 제1 연결부들(CP1)과 복수 개의 제2 연결부들(CP2)이 서로 교차하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 제1 연결부들(CP1) 각각은 제2 연결부들(CP2)에 비중첩하도록 "∧"의 굽은선 및/또는 "∨"의 굽은선 형태로 변형될 수 있다. "∧"의 굽은선 및/또는 "∨"의 굽은선 형태의 제1 연결부들(CP1)은 평면 상에서 제2 센서부들(SP2)에 중첩할 수 있다.

제1 신호라인 그룹(SG1), 제2 신호라인 그룹(SG2), 및 제3 신호라인 그룹(SG3)은 제2 도전층(IS-CL2, 도 6a 참조)으로부터 형성될 수 있다. 제2 도전층(IS-CL2)으로부터 형성된 제1 신호라인 그룹(SG1)의 2개의 신호라인들(SG1-4, SG1-5)이 도 6d에 도시되었다. 별도로 도시하지 않았으나, 제1 신호라인 그룹(SG1), 제2 신호라인 그룹(SG2), 및 제3 신호라인 그룹(SG3)은 제1 도전층(IS-CL1, 도 6a 참조)으로부터 형성된 라인부를 더 포함할 수 있다. 제2 도전층(IS-CL2)으로부터 형성된 라인부와 제1 도전층(IS-CL1)으로부터 형성된 라인부는 제2 절연층(IS-IL2)을 관통하는 컨택홀들을 통해서 연결될 수 있다.

도 6e에는 표시패널(DP, 도 6a 참조)의 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)의 배치관계를 도시하였다. 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)은 도 5a를 참조하여 설명한 발광영역(PXA)과 같이 정의된다.

본 실시예에서 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)은 서로 다른 면적을 갖는다. 제1 발광영역(PXA-R)은 제1 면적을 갖고, 제2 발광영역(PXA-B)은 제2 면적을 갖고, 및 제3 발광영역(PXA-G)은 제3 면적을 가질 수 있다. 제3 발광영역들(PXA-G)은 2개의 다른 타입의 발광영역들을 포함할 수 있다. 제1 타입의 제3 발광영역(PXA-G)과 제2 타입의 제3 발광영역(PXA-G)은 면적은 같지만 평면상 형상이 다를 수 있다. 제1 타입의 제3 발광영역(PXA-G)은 제2 타입의 제3 발광영역(PXA-G)을 평면상에서 90도 회전한 형상을 가질 수 있다. 제1 타입의 제3 발광영역들(PXA-G)은 제2 타입의 제3 발광영역들(PXA-G)과 제2 방향(DR2) 내에서 교번하게 배치될 수 있다.

도 6e에 도시된 제1 전극 그룹(EG1)의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10) 및 제2 전극 그룹(EG2)의 전극들(IE2-1 내지 IE2-8)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 도 6e은 도 6b에 도시된 제1 센서부(SP1)의 AA 영역을 확대 도시하였다.

제1 센서부(SP1)는 제1 면적의 제1 개구부들(OP-MR), 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 개구부들(OP-MB), 및 제1 면적 및 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 개구부들(OP-MG)을 정의하는 메쉬라인(ML)을 포함한다. 제1 개구부들(OP-MR), 제2 개구부들(OP-MB), 및 제3 개구부들(OP-MG)의 면적의 비교 관계는 제1 발광영역들(PXA-R), 제2 발광영역들(PXA-B), 및 제3 발광영역들(PXA-G)의 면적의 비교 관계에 대응하나, 그 비율이 동일한 것으로 제한되지 않는다.

제3 개구부들(OP-MG)은 2개의 다른 타입의 개구부들을 포함할 수 있다. 교번하게 배치된 제1 타입의 제3 개구부들(OP-MG)과 제2 타입의 제3 개구부들(OP-MG)은 평면상 형상이 다를 수 있다.

도 4를 참조하여 설명한 복수 개의 화소들(PX)은 레드광을 생성하는 레드화소, 블루광을 생성하는 블루화소, 및 그린광을 생성하는 그린화소를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)는 레드화소, 블루화소, 그린화소에 각각 대응할 수 있다.

다시 도 6e를 참조하면, 제1 발광영역들(PXA-R), 제2 발광영역들(PXA-B), 및 제3 발광영역들(PXA-G)은 3개 타입의 발광영역 행들(PL1, PL2, PL3)을 정의할 수 있다. 제1 타입의 발광영역 행(PL1)과 제2 타입의 발광영역 행(PL2) 각각은 교번하게 배치된 제1 발광영역들(PXA-R)과 제2 발광영역들(PXA-B)을 포함할 수 있다. 제1 타입의 발광영역 행(PL1)의 어느 하나의 열에 제1 발광영역(PXA-R)과 제2 발광영역(PXA-B) 중 하나가 배치되고, 제2 타입의 발광영역 행(PL2)의 상기 어느 하나의 열에는 제1 발광영역(PXA-R)과 제2 발광영역(PXA-B) 중 다른 하나가 배치된다.

제1 타입의 발광영역 행들(PL1)과 제2 타입의 발광영역 행들(PL2)은 열 방향을 따라, 도 6e에서는 제1 방향(DR1), 교번하게 배치된다. 제1 타입의 발광영역 행(PL1)과 제2 타입의 발광영역 행(PL2) 사이에 제3 타입의 발광영역 행(PL3)이 배치된다. 제3 타입의 발광영역 행(PL3)은 제3 발광영역들(PXA-G)만을 포함할 수 있다.

도 6f를 참조하면, 본 실시예에 따른 입력감지층(ISL)은 도 6b를 참조하여 설명한 입력감지층(ISL) 대비 제1 전극 그룹(EG1) 및 제2 전극 그룹(EG2)에 대한 신호라인 그룹의 연결관계가 상이하다.

제1 전극 그룹(EG1)의 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-10)의 우측 일단들은 제1 신호라인 그룹(SG10)의 신호라인들에 연결된다. 제2 전극 그룹(EG2)의 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-8)의 하측 일단들은 제2 신호라인 그룹(SG20)의 신호라인들에 연결된다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-8)의 상측 일단들은 제3 신호라인 그룹(SG30)의 신호라인들에 연결된다.

도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서(IS)의 평면도이다. 도 7b는 도 7a의 제1 센싱영역(S1)에 대한 확대한 평면도이다. 도 7c는 도 7b의 제1 센싱영역(S1)의 코너영역들(S1-C1 내지 S1-C4)에 대한 확대한 평면도이다. 도 7d는 도 7b의 제1 센싱영역(S1)의 교차영역(S1-CA)에 대한 확대한 평면도이다. 도 7e는 도 7a의 제2 센싱영역(S2)에 대한 확대한 평면도이다. 도 7f는 도 7b의 제2 센싱영역(S2)의 코너영역들에 대한 확대한 평면도이다. 도 7g는 도 7b의 제2 센싱영역(S2)의 교차영역에 대한 확대한 평면도이다. 도 7h는 제1 센싱영역의 제1 경계패턴과 제2 센싱영역의 제2 경계패턴을 비교한 도면이다. 도 7i는 도 7a의 BB 영역에 대한 확대한 평면도이다. 이하, 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 7a에 도시된 것과 같이, 감지영역(IS-DA)은 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다. 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)은 가상선으로 구분된 것이다. 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)은 동일한 규칙(이하 제1 규칙)이 적용된 영역으로써, 제1 전극 그룹(EG1) 및 제2 전극 그룹(EG2)이 배치된 영역 중 일부이다. 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)은 상기 제1 규칙과 다른 동일한 규칙(이하, 제2 규칙)이 적용된 영역으로써, 제1 전극 그룹(EG1) 및 제2 전극 그룹(EG2)이 배치된 영역 중 일부이다.

교번하게 배치된 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)은 p x q 행렬로 배열될 수 있다. 여기서 p 및 q는 5 이상의 자연수일 수 있다.

도 7b 내지 도 7d를 참조하여 제1 규칙에 대해 설명한다. 도 7b에 도시된 것과 같이, 제1 센싱영역(S1)은 제1 연결부(CP1), 제2 방향(DR2) 내에서 제1 연결부(CP1)의 일측에 배치된 절반의 제1 센서부(SP1), 및 제2 방향(DR2) 내에서 제1 연결부(CP1)의 타측에 배치된 또 다른 절반의 제1 센서부(SP1)를 포함한다. 제1 센싱영역(S1)은 제2 연결부(CP2), 제1 방향(DR1) 내에서 제2 연결부(CP2)의 일측에 배치된 절반의 제2 센서부(SP2), 및 제1 방향(DR1) 내에서 제2 연결부(CP2)의 타측에 배치된 또 다른 절반의 제2 센서부(SP2)를 포함한다. 본 실시예에서 2개의 제2 연결부(CP2)가 배치된 제1 센싱영역(S1)을 예시적으로 도시하였다. 제2 연결부(CP2)는 제1 센서부(SP1), 제1 연결부(CP1), 및 제2 센서부(SP2)과 다른 층 상에 배치되고, 예컨대 제1 도전층(CL1, 도 6a 참조)으로부터 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제2 연결부(CP2)는 브릿지 패턴으로 정의될 수 있다.

도 7c를 참조하면, 제1 센싱영역(S1)에는 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)이 배치된다. 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 제1 센싱영역(S1)에 배치된 발광영역들은 제1 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다.

제1 발광영역 그룹의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 n x n 행렬로 배열된 셀유닛들(CU1, CU2)을 포함하고, 여기서 n은 10 이상의 자연수이다.

1번째 행(1stL), n번째 행(n-thL), 2번째 행(2ndL), 1번째 열(1stC), 2번째 열(2ndC), 및 n번째 열(n-thC)에 대해서 간략히 표시하였다. 셀유닛들은 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)을 포함한다.

제1 셀유닛들(CU1) 각각은 대각선 방향(DR4, 또는 제4 방향)으로 배치된 제1 발광영역(PXA-R)과 제3 발광영역(PXA-G)을 포함한다. 제2 셀유닛들(CU2) 각각은 대각선 방향(DR4)으로 배치된 제2 발광영역(PXA-B)과 제3 발광영역(PXA-G)을 포함한다.

제1 발광영역 그룹의 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)은 제1 배열을 갖는다. n x n 행렬의 셀유닛들 중 각행은 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)이 교번하게 배치된다. 홀수 번째 행의 1번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)일 때, 짝수 번째 행의 1번째 셀유닛은 제2 셀유닛(CU2)일 수 있다.

도 7c에 도시된 것과 같이, 제1 발광영역 그룹의 1번째 행의 1번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)이고, 1번째 행의 n번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)일 수 있다. 제1 발광영역 그룹의 마직막 행의 1번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)이고, n번재 행(n-thL)의 n번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)일 수 있다. 도 7c에 도시된 것과 같이, 제1 센싱영역(S1)에 대응하는 1번째 발광영역 행의 1번째 발광영역은 제1 발광영역(PXA-R)일 수 있다.

제1 발광영역 그룹의 제1 셀유닛들(CU1) 및 제2 셀유닛들(CU2)이 제1 배열을 갖는다는 것은 제1 센싱영역(S1)에 배치된 제1 개구부들(OP-MR), 제2 개구부들(OP-MB), 및 제3 개구부들(OP-MG)이 제1 배열을 갖는 것과 동일할 수 있다. 제1 개구부(OP-MR), 제2 개구부(OP-MB), 및 제3 개구부(OP-MG)는 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)에 일대일 대응하기 때문이다.

도 7d를 참조하면, 2개의 제2 연결부들(CP2)이 이격된 2개의 제2 센서부(SP2)을 연결한다. 2개의 제2 연결부들(CP2)과 2개의 제2 센서부(SP2) 사이에는 제1 내지 제4 접속영역들(CNT-A1 내지 CNT-A4)이 형성된다.

제1 내지 제4 접속영역들(CNT-A1 내지 CNT-A4) 각각에 4개의 컨택홀들(CNT-I)이 형성될 수 있다. 제1 접속영역(CNT-A1) 및 제2 접속영역(CNT-A2)은 제2 발광영역(PXA-B)을 중심으로 형성되고, 제3 접속영역(CNT-A3) 및 제4 접속영역(CNT-A4)은 제1 발광영역(PXA-R)을 중심으로 형성될 수 있다.

제2 연결부(CP2)는 제1 센서부(SP1)의 메쉬라인과 교차한다. 제2 연결부(CP2)는 교차 영역 내에서 제1 센서부(SP1)의 메쉬라인을 대체할 수 있다. 제2 연결부(CP2)의 메쉬라인과 제1 센서부(SP1)의 메쉬라인은 교차지점들을 제외하고 중첩하지 않는다. 제2 연결부(CP2)의 메쉬라인과 제1 센서부(SP1)의 메쉬라인은 제1 개구부들(OP-MR), 제2 개구부들(OP-MB), 및 제3 개구부들(OP-MG)을 대체하는 개구부를 정의할 수 있다.

도 7e 내지 도 7g를 참조하여 제2 규칙에 대해 설명한다. 도 7e에 도시된 제2 센싱영역(S2)은 도 7b에 도시된 제1 센싱영역(S1)과 유사한 구조를 갖는다. 도 7f를 참조하면, 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 제2 센싱영역(S2)에 배치된 발광영역들은 제2 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다.

제2 발광영역 그룹의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 n x n 행렬로 배열된 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)을 포함한다. 제2 발광영역 그룹의 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)은 도 7c를 참조하여 설명한 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는다.

제2 배열은 도 7c의 제1 배열과 비교하여 제1 셀유닛들(CU1)과 제2 셀유닛들(CU2)의 위치가 서로 바뀐 것 일 수 있다. 홀수 번째 행의 첫번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)일 때, 짝수 번째 행의 첫번째 셀유닛은 제1 셀유닛(CU1)일 수 있다.

도 7f에 도시된 것과 같이, 제2 발광영역 그룹의 1번째 행(1stL)의 첫번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)이고, 1번째 행(1stL)의 n번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)일 수 있다. 제2 발광영역 그룹의 n번째 행(n-thL)의 첫번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)이고, n번째 행(n-thL)의 n번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)일 수 있다. 도 7f에 도시된 것과 같이, 제2 센싱영역(S2)에 대응하는 첫번째 발광영역 행의 첫번째 발광영역은 제1 발광영역(PXA-R)이 아닌, 제2 발광영역(PXA-B)일 수 있다.

제2 발광영역 그룹의 제1 셀유닛들(CU1) 및 제2 셀유닛들(CU2)이 제2 배열을 갖는다는 것은 제2 센싱영역(S2)에 배치된 제1 개구부들(OP-MR), 제2 개구부들(OP-MB), 및 제3 개구부들(OP-MG)이 제2 배열을 갖는 것과 동일한 의미를 갖는다.

도 7g에 도시된 것과 같이, 2개의 제2 연결부들(CP2)이 절반의 제2 센서부들(SP2)을 연결한다. 제2 센싱영역(S2)의 교차 영역은 제1 센싱영역(S1)의 교차 영역과 유사한 구조를 가질 수 있다.

도 7g를 참조하면, 2개의 제2 연결부들(CP2)과 2개의 제2 센서부(SP2) 사이에는 제1 내지 제4 접속영역들(CNT-A1 내지 CNT-A4)이 형성된다. 제1 접속영역(CNT-A1) 및 제2 접속영역(CNT-A2)은 제1 발광영역(PXA-R)을 중심으로 형성되고, 제3 접속영역(CNT-A3) 및 제4 접속영역(CNT-A4)은 제2 발광영역(PXA-B)을 중심으로 형성될 수 있다.

도 7c 및 도 7f에 도시된 것과 같이, 같은 행에서 인접한 제1 발광영역 그룹과 제2 발광영역 그룹이 서로 다른 발광영역 배열을 갖는 이유는 제1 발광영역 그룹과 제2 발광영역 그룹 각각이 홀수 개의 행과 홀수 개의 열을 갖기 때문이다. 그와 더불어 도 6e를 참조하여 설명한 제1 타입의 발광영역 행(PL1), 제2 타입의 발광영역 행(PL2), 및 제3 타입의 발광영역 행(PL3)의 배치가 반복되기 때문이다.

본 발명의 일 실시예에서 제1 발광영역 그룹과 제2 발광영역 그룹이 홀수 개의 행 또는 홀수 개의 열을 갖지 않더라도 도 6e를 참조하여 설명한 제1 발광영역(PXA-R), 제2 발광영역(PXA-B), 및 제3 발광영역(PXA-G)의 배치관계를 제1 센싱영역(S1)과 제2 센싱영역(S2)에 따라 변경함으로써 동일한 결과를 달성할 수도 있다.

도 7c 및 도 7f를 참조하면, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 경계는 메쉬라인의 단선 지점들에 의해 정의될 수 있다 도 7c의 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 단선 지점들은 도 7h에 도시된 제1 경계패턴(BP1)을 정의한다. 도 7f의 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 단선 지점들은 도 7h에 도시된 제2 경계패턴(BP2)을 정의한다. 제1 경계패턴(BP1)과 제2 경계패턴(BP2)은 단선 지점들을 최단거리로 연결한 것이다.

제1 경계패턴(BP1)과 제2 경계패턴(BP2)은 서로 다른 형상을 갖는다. 앞서 설명한 것과 같이, 제1 센싱영역(S1)의 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG) 또는 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 제1 배열을 갖고, 제2 센싱영역(S2)의 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG) 또는 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)은 제2 배열을 갖기 때문이다.

또한, 상술한 이유에 의해 제1 센싱영역(S1)의 메쉬라인은 제1 형상을 갖고, 제2 센싱영역(S2)의 메쉬라인은 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖는다. 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)은 메쉬라인(ML)에 의해 정의되기 때문에 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG) 배열을 변화시키기 위해서는 메쉬라인(ML)의 변형이 요구된다.

도 7i에 도시된 것과 같이, 입력감지센서(IS)는 제1 전극 그룹(EG1)의 전극들(IE1-1 내지 IE1-10) 및 제2 전극 그룹(EG2)의 전극들(IE2-1 내지 IE2-8)에 절연된 더미패턴(DDP)을 더 포함할 수 있다. 더미패턴(DDP)을 감지전극들과 이격된 플로팅 패턴일 수 있다. 더미패턴(DDP)은 제1 센서부들(SP1) 및 제2 센서부들(SP2)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서 더미패턴(DDP)은 제2 도전층(CL2)으로부터 형성될 수 있다.

더미패턴(DDP)은 도 7a를 참조하여 설명한 p x q 행렬로 배열된 센싱영역들 중 (k, j)의 센싱영역, (k+1, j)의 센싱영역, (k, j+1)의 센싱영역, (k+1, j+1)의 센싱영역이 형성하는 영역의 중심에 배치된다. 여기서 k는 p이하의 자연수 이고, j는 q이하의 자연수이다. 더미패턴(DDP)은 4개의 인접한 센싱영역들의 경계에 배치되어 서로 다른 행 또는 서로 다른 열에 배치된 전극들 사이의 기생캡을 감소시킨다.

도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서(IS)의 평면도이다. 도 8b는 도 8a의 CC 영역에 대한 확대한 평면도이다. 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서(IS)의 평면도이다. 이하, 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 8a 및 도 8b에 도시된 것과 같이, 감지영역(IS-DA)은 내측 감지영역(IS-DA1)과 내측 감지영역(IS-DA1)의 외측에 배치된 외측 감지영역(IS-DA2)를 포함할 수 있다. 내측 감지영역(IS-DA1)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 것과 같이, 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다.

외측 감지영역(IS-DA2)은 몇 개 그룹의 센싱영역들을 더 포함할 수 있다. 외측 감지영역은 제3 센싱영역들(S3) 및 제4 센싱영역들(S4)을 더 포함할 수 있다. 제3 센싱영역들(S3) 및 제4 센싱영역들(S4)은 서로 동일한 면적을 갖고, 제1 센싱영역들(S1)과 다른 면적을 가질 수 있다. 본 실시예와 같이, 제3 센싱영역들(S3) 및 제4 센싱영역들(S4)은 제1 센싱영역들(S1) 보다 작은 면적을 가질 수 있다.

제3 센싱영역들(S3)은 제1 센싱영역들(S1)에 인접하게 배치되고, 제4 센싱영역들(S4)은 제2 센싱영역들(S2)에 인접하게 배치된다. 제3 센싱영역(S3)은 제1 센싱영역(S1)의 외측에 연속적으로 배치된다. 제4 센싱영역(S4)은 제2 센싱영역(S2)의 외측에 연속적으로 배치된다.

복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G, 도 6e 참조) 중 제3 센싱영역(S3)에 배치된 발광영역들은 제3 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다. 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 제4 센싱영역(S4)에 배치된 발광영역들은 제4 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다.

제3 센싱영역들(S3) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제3 배열을 갖는다. 제3 센싱영역들(S3)은 제1 센싱영역(S1) 및 제2 센싱영역(S2) 대비 작은 면적을 갖기 때문에 적은 개수의 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG, 도 6 e 참조)을 포함한다.

제4 센싱영역들(S4) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG, 도 6 e 참조)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제4 배열을 갖는다.

제4 배열은 제3 배열과 다르다. 이에 대해 도 7c, 도 7f, 도 8b를 참조하여 설명한다. 도 7c에 도시된 것과 같이, 제1 발광영역 그룹의 1번째 행(1stL)의 1번째 셀유닛이 제1 셀유닛(CU1)이기 때문에, 제1 발광영역 그룹의 좌측에 배치된 제3 발광영역 그룹의 1번째 행의 n번째 셀유닛은 제2 셀유닛(CU2)이다. 그에 비해 도 7f에 도시된 것과 같이, 제2 발광영역 그룹의 1번째 행의 1번째 셀유닛이 제2 셀유닛(CU2)이기 때문에, 제4 발광영역 그룹의 n번째 셀유닛은 제1 셀유닛(CU1)이다. 이렇게 제3 발광영역 그룹과 제4 발광영역 그룹의 대응하는 위치에 배치된 셀유닛은 서로 다르다. 대응하는 위치에 배치된 셀유닛이 서로 다르다는 것은 대응하는 위치에 배치된 개구부(OP-MR, OP-MB, OP-MG)가 서로 다르다는 것과 동일한 의미를 갖는다.

외측 감지영역(IS-DA2)은 제5 센싱영역들(S5), 제6 센싱영역들(S6), 및 제7 센싱영역들(S7)을 더 포함할 수도 있다. 제5 센싱영역들(S5), 제6 센싱영역들(S6)은 제3 센싱영역들(S3) 및 제4 센싱영역들(S4) 처럼 각각의 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)이 상술한 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 배열을 갖는다. 제5 센싱영역들(S5), 제6 센싱영역들(S6)은 제1 센싱영역(S1)과 제2 센싱영역(S2)의 하측에 배치될 수 있다. 제7 센싱영역들(S7)은 다른 센싱영역들(S1 내지 S6) 보다 작은 면적을 가질 수 있다.

도 8c에 도시된 것과 같이, 감지영역(IS-DA)은 제1 내측 감지영역(IS-DA10)과 제2 내측 감지영역(IS-DA20)을 포함할 수 있다. 제1 내측 감지영역(IS-DA10)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 것과 같이, 복수 개의 제1 센싱영역들(S1)과 복수 개의 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다.

제2 내측 감지영역(IS-DA20)은 복수 개의 제3 센싱영역들(S3)과 복수 개의 제4 센싱영역들(S4)로 구분될 수 있다. 제3 센싱영역(S3)과 제4 센싱영역(S4)은 제1 센싱영역(S1) 및 제2 센싱영역(S2)과 동일한 면적을 갖는다.

제3 센싱영역들(S3)은 제1 센싱영역들(S1)에 인접하게 배치되고, 제4 센싱영역들(S4)은 제2 센싱영역들(S2)에 인접하게 배치된다. 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G, 도 6e 참조) 중 제3 센싱영역(S3)에 배치된 발광영역들은 제3 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다. 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G) 중 제4 센싱영역(S4)에 배치된 발광영역들은 제4 발광영역 그룹으로 정의될 수 있다.

제3 센싱영역들(S3) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 제1 배열과 동일한 배열을 가질 수 있다. 그러나, 제3 센싱영역들(S3)의 경계패턴(이하, 제3 경계패턴)은 도 7h에 도시된 제1 경계패턴(BP1) 및 제2 경계패턴(BP2)과 다른 형상을 가질 수 있다. 다시 말해 제3 센싱영역(S3)의 메쉬라인은 제1 형상 및 제2 형상과 다른 제3 형상을 가질 수 있다.

제4 센싱영역들(S4) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)은 도 6a 내지 도 7i를 참조하여 설명한 제2 배열과 동일한 배열을 가질 수 있다. 그러나, 제4 센싱영역들(S4)의 경계패턴(이하, 제4 경계패턴)은 도 7h에 도시된 제1 경계패턴(BP1) 및 제2 경계패턴(BP2)과 다른 형상을 가질 수 있다. 다시 말해 제4 센싱영역(S4)의 메쉬라인은 제1 형상 및 제2 형상과 다른 제4 형상을 가질 수 있다.

본 실시예에서 제3 센싱영역들(S3) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)은 제4 센싱영역들(S4) 각각에 배치된 개구부들(OP-MR, OP-MB, OP-MG)과 다른 배열을 갖는다. 따라서 상기 제3 형상은 제4 형상과 다를 수 밖에 없다.

도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서(IS)의 평면도이다. 도 9b는 도 9a의 일부 영역에 대한 확대한 평면도이다. 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 교차영역에 확대한 평면도이다. 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지센서의 평면도이다. 이하, 도 6a 내지 도 8c를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 9a에 도시된 것과 같이, 입력감지센서(IS)는 제1 센서부들(SP1)의 내측에 배치된 제1 플로팅 패턴들(FP1) 및 제2 센서부들(SP2)의 내측에 배치된 제2 플로팅 패턴들(FP2)을 더 포함할 수 있다. 제1 플로팅 패턴들(FP1) 및 제2 플로팅 패턴들(FP2)은 입력감지센서(IS)와 표시패널(예. 도 6a 참조) 사이의 기생캡을 감소시킬 수 있다.

입력감지센서(IS)는 상기 제1 플로팅 패턴들(FP1)을 연결하는 플로팅 연결부들(BP, 이하 제3 연결부)을 더 포함할 수도 있다. 제3 연결부들(BP)은 도 6a에 도시된 제1 도전층(CL1)으로부터 형성될 수 있다. 제3 연결부들(BP)은 제2 센서부(SP2)에 중첩할 수 있다.

도 9a에 도시된 것과 같이, 입력감지센서(IS)는 더미 신호라인(GSL)을 더 포함할 수 있다. 더미 신호라인(GSL)은 소정의 바이어스 전압, 예컨대 그라운드 전압을 수신할 수 있다. 더미 신호라인(GSL)은 상기 제1 플로팅 패턴들(FP1)에 연결될 수 있다. 더미 신호라인(GSL)은 감지영역(IS-DA)에서의 노이즈를 감지하기 위한 전기적 신호들을 제공받을 수 있다.

더미 신호라인(GSL)은 도 6a에 도시된 제2 도전층(CL2)으로부터 형성될 수 있다. 더미 신호라인(GSL)과 제1 신호라인 그룹(SG1) 및 제2 신호라인 그룹(SG2) 사이의 교차영역에는 신호라인 연결부(BP-S, 이하 제4 연결부)이 배치될 수도 있다.

도 9b에는 4개의 제1 감지전극들(IE1-2 내지 IE1-5)의 일부분과 가장 우측의 제2 감지전극(IE2-8)이 확대 도시되었다. 더미 신호라인(GSL)은 홀수 번째 제1 감지전극들(IE1-3 및 IE1-5)의 내측에 배치된 제1 플로팅 패턴들(FP1)과 직접 연결될 수 있다. 짝수 번째 제1 감지전극들(IE1-2, IE1-4)은 제4 연결부 (BP-S)을 통해서 대응하는 신호라인들SG1-, SG1-2)과 연결될 수 있다. 제4 연결부 (BP-S)은 도 6a에 도시된 제1 도전층(CL1)으로부터 형성될 수 있다.

도 9b에 도시된 것과 같이, 제1 플로팅 패턴들(FP1) 중 적어도 하나는 중심부(FP1-10), 제2 방향(DR2) 내에서, 중심부(FP1-10)의 양측에 배치된 연장부들(FP1-20, FP1-30)을 포함할 수 있다. 연장부들(FP1-20, FP1-30) 각각은 대응하는 제3 연결부(BP)에 연결된다. 제1 플로팅 패턴들(FP1) 중 제2 방향(DR2) 내에서 양측 말단에 배치된 제1 플로팅 패턴들(FP1)은 다른 제1 플로팅 패턴들(FP1)과 다른 형상을 가질 수 있다. 상술한 말단에 배치된 제1 플로팅 패턴들(FP1)은 중심부와 중심부의 일측에 배치된 1개의 연장부만을 포함할 수도 있다.

도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 교차영역(S1-CA)을 확대 도시하였다. 도 9c는 도 7d에 대응하는 영역을 도시하였다. 도 9c는 도 9a 및 도 9b에 도시된 것과 달리 2개의 제3 연결부들(BP)을 포함하는 교차영역을 도시하였다.

2개의 제3 연결부들(BP)은 2개의 제2 연결부들(CP2)의 외측에 배치될 수 있다. 2개의 제3 연결부들(BP)과 2개의 제1 플로팅 패턴들(FP1) 사이에는 4개의 접속영역들이 형성될 수 있다. 4개의 접속영역들 각각에는 4개의 컨택홀들(CNT-I)이 배치될 수 있다.

도 9d에 도시된 것과 같이, 더미 신호라인(GSL)은 복수 개 제공될 수 있다. 제1 전극 그룹(EG1)의 전극들과 동일한 개수의 더미 신호라인(GSL)이 배치될 수 있다. 더미 신호라인들(GSL) 각각은 대응하는 제1 감지전극의 내측에 배치된 제1 플로팅 패턴들(FP1)에 연결될 수 있다.

도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 사시도이다. 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(ISL)의 평면도이다. 도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 사시도이다. 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(ISL)의 평면도이다. 도 10a 내지 도 11b에 있어서 "층" 타입의 입력감지센서가 예시적으로 도시되었다.

도 10a에 도시된 것과 같이, 표시모듈(DM)은 평면상에서 내측으로 오목한 노치영역(NTA)이 정의된다. 표시패널(DP) 및 입력감지층(ISL) 각각에 노치영역(NTA)가 정의되되, 각각의 노치영역(NTA)이 반드시 동일할 필요는 없다. 노치영역(NTA)은 제2 방향(DR2) 내에서 중심영역에 정의될 수 있다. 다만, 노치영역(NTA)이 정중앙에 배치될 것으로 제한되지 않는다.

도 10b에 도시된 것과 같이, 노치영역(NTA)에 의해 제1 전극 그룹(EG1) 및 제2 전극 그룹(EG2)의 형상이 변형될 수 있다. 제1 신호라인 그룹(SG1) 및 제2 신호라인 그룹(SG2)의 배치 및 배열은 도 6b의 입력감지층(ISL)의 그것들과 실질적으로 동일할 수 있다.

도 10b에 도시된 것과 같이, 노치영역(NTA)이 형성되었기 때문에 10번째 전극(IE1-10)은 2개의 부분으로 나뉠수 있다. 2개의 부분은 더미 연결라인(DSL)에 의해 연결될 수 있다. 제2 전극 그룹(EG2)의 네번째 내지 여섯번째 전극(IE2-4 내지 IE2-6)은 다른 전극들 대비 작은 길이를 가질 수 있다.

감지영역(IS-DA) 중 2개의 부분으로 나뉜 10번째 전극(IE1-10)에 대응하는 영역(NTA-A)을 제외한 나머지 감지영역(IS-DA)은 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다. 10번째 전극(IE1-10)에 대응하는 영역(NTA-A)은 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)로 구분되거나, 이들과 다른 센싱영역들로 구분될 수도 있다.

도 11a에 도시된 것과 같이, 표시모듈(DM)은 평면상에서 홀영역(HA)이 정의된다. 표시패널(DP) 및 입력감지층(ISL) 각각의 일부 영역이 제거되어 홀영역(HA)이 정의된다. 표시패널(DP) 및 입력감지층(ISL)의 홀영역(HA)이 반드시 동일할 필요는 없다. 홀영역(HA)은 광신호의 이동 통로일 수 있다. 표시모듈(DM)에는 복수 개의 홀영역(HA)이 정의될 수도 있다.

표시패널(DP)의 홀영역(HA)은 복수 개의 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 6c 참고)에 대응하는 영역이 제거되어 형성된다. 입력감지층(ISL)의 홀영역(HA)은 센서부(SP1, SP2)가 제거된 영역일 수 있다.

도 11b에 도시된 것과 같이, 홀영역(HA)에 의해 제1 전극 그룹(EG1), 제2 전극 그룹(EG2)의 형상이 변형될 수 있다. 제1 신호라인 그룹(SG1), 및 제2 신호라인 그룹(SG2)의 배치 및 배열은 도 6b의 입력감지층(ISL)의 그것과 실질적으로 동일할 수 있다.

입력감지층(ISL)의 홀영역(HA)은 제1 전극 그룹(EG1)과 제2 전극 그룹(EG2)의 교차영역에 배치될 수 있다. 이때, 입력감지층(ISL)의 홀영역(HA)의 주변에는 더미 연결라인(미도시)이 배치될 수도 있다. 예컨대, 더미 연결라인은 홀영역(HA)을 우회하여 단절된 제1 전극 그룹(EG1), 제2 전극 그룹(EG2)의 전극을 연결할 수 있다.

감지영역(IS-DA) 중 홀영역(HA)에 인접한 일부의 영역(HA-A)을 제외하고, 대부분의 감지영역(IS-DA)은 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)로 구분될 수 있다. 홀영역(HA)에 인접한 일부의 감지영역은 제1 센싱영역들(S1)과 제2 센싱영역들(S2)과 다른 센싱영역들로 구분될 수도 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

BP-S: 제4 연결부
BP: 제3 연결부
BP1: 제1 경계패턴
BP2: 제2 경계패턴
CNT-A1, CNT-A2, CNT-A3, CNT-A4 : 접속영역
CU1: 제1 셀유닛
CU2: 제2 셀유닛
DDP: 더미패턴
FP1: 제1 플로팅 패턴
FP2: 제2 플로팅 패턴
OP-MB: 제2 개구부
OP-MG: 제3 개구부
OP-MR: 제1 개구부
PXA-B: 제2 발광영역
PXA-G: 제3 발광영역
PXA-R: 제1 발광영역
S1: 제1 센싱영역
S2: 제2 센싱영역

Claims

발광영역들을 포함하는 표시패널; 및
상기 표시패널 상측에 배치되고, 감지영역과 배선영역을 포함하는 입력감지센서를 포함하고,
상기 입력감지센서는,
상기 감지영역에 배치되고, 상기 발광영역들에 대응하는 개구부들이 형성된 복수 개의 제1 감지전극들;
상기 감지영역에 배치되고, 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 교차하며, 상기 발광영역들에 대응하는 개구부들이 형성된 복수 개의 제2 감지전극들; 및
상기 배선영역에 배치되고, 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들에 연결된 신호라인들을 포함하고,
상기 감지영역 중 적어도 일부 영역은 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들과 복수 개의 제2 센싱영역들로 구분되며, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각은 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함하고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 제1 배열을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 발광영역들은,
제1 면적의 제1 발광영역;
상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 발광영역; 및
상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 발광영역을 포함하는 표시장치.
제2 항에 있어서,
상기 제1 배열의 상기 개구부들과 상기 제2 배열의 상기 개구부들은 상기 제1 발광영역에 대응하는 제1 개구부, 상기 제2 발광영역에 대응하는 제2 개구부, 및 상기 제3 발광영역에 대응하는 제3 개구부를 포함하는 표시장치.
제3 항에 있어서,
상기 발광영역들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 발광영역들은 제1 발광영역 그룹으로 정의되고 및 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 배치된 발광영역들은 제2 발광영역 그룹으로 정의되고,
상기 제1 발광영역 그룹 및 상기 제2 발광영역 그룹 각각은 n x n 행렬로 배열된 셀유닛들을 포함하고, 여기서 n은 10 이상의 자연수이고,
상기 셀유닛들은 제1 셀유닛들과 제2 셀유닛들을 포함하고,
상기 제1 셀유닛들 각각은 대각선 방향으로 배치된 상기 제1 발광영역과 상기 제3 발광영역을 포함하고,
상기 제2 셀유닛들 각각은 상기 대각선 방향으로 배치된 상기 제2 발광영역과 상기 제3 발광영역을 포함하고,
상기 제1 발광영역 그룹의 상기 제1 셀유닛들과 상기 제2 셀유닛들은 제1 배열을 갖고, 상기 제2 발광영역 그룹의 상기 제1 셀유닛들과 상기 제2 셀유닛들은 상기 제1 발광영역 그룹의 상기 제1 배열과 다른 제2 배열을 갖는 표시장치.
제4 항에 있어서,
여기서 n은 홀수 인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제4 항에 있어서,
상기 제1 셀유닛들 각각의 상기 제3 발광영역은 제1 타입 발광영역이고, 상기 제2 셀유닛들 각각의 상기 제3 발광영역은 제2 타입 발광영역이며,
상기 제1 타입 발광영역과 상기 제2 타입 발광영역은 평면상 형상이 상이한 표시장치.
제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극과 제2 감지전극의 단선 지점들이 정의하는 제1 경계패턴은,
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극과 제2 감지전극의 단선 지점들이 정의하는 제2 경계패턴과 상이한 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 입력감지센서는 상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들에 절연된 더미패턴을 더 포함하고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 p x q 행렬로 배열되고, 여기서 p 및 q는 5 이상의 자연수이고,
상기 더미패턴은 상기 p x q 행렬로 배열된 센싱영역들 중 (k, j)의 센싱영역, (k+1, j)의 센싱영역, (k, j+1)의 센싱영역, (k+1, j+1)의 센싱영역이 형성하는 영역의 중심에 배치되고, 여기서 k는 p이하의 자연수이고, j는 q 이하의 자연수인 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 적어도 일부 영역은 내측 감지영역으로 정의되고, 상기 감지영역은 상기 내측 감지영역의 외측에 배치된 외측 감지영역을 더 포함하고,
상기 외측 감지영역은 상기 제1 센싱영역들에 인접한 제3 센싱영역들 및 상기 제2 센싱영역들에 인접한 제4 센싱영역들을 포함하고,
상기 복수 개의 제3 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 상기 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제3 배열을 갖고, 상기 복수 개의 제4 센싱영역들 각각의 상기 개구부들은 상기 제1 배열 및 상기 제2 배열과 다른 제4 배열을 갖는 표시장치.
제9 항에 있어서,
상기 복수 개의 제3 센싱영역들의 면적은 상기 복수 개의 제1 센싱영역들의 면적과 다른 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 적어도 일부 영역은 제1 내측 감지영역으로 정의되고, 상기 감지영역은 상기 제1 내측 감지영역에 인접한 제2 내측 감지영역을 더 포함하고,
상기 제2 내측 감지영역은 상기 제1 센싱영역들에 인접한 제3 센싱영역들 및 상기 제2 센싱영역들에 인접한 제4 센싱영역들을 포함하고, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들, 상기 복수 개의 제3 센싱영역들과 상기 복수 개의 제4 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖고,
상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 상기 복수 개의 개구부들을 정의하는 메쉬라인을 포함하고,
상기 복수 개의 개구부들은 제1 면적의 제1 개구부들, 상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 개구부들, 및 상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 개구부들을 포함하고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 제1 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제3 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상 및 상기 제2 형상과 다른 제3 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제4 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상, 상기 제2 형상, 및 상기 제3 형상과 다른 제4 형상을 갖는 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 감지전극들은 제1 방향으로 나열되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며,
상기 복수 개의 제1 감지전극들 각각은 상기 제2 방향으로 나열된 제1 센서부들 및 상기 제1 센서부들 중 인접한 센서부들 사이에 배치된 제1 연결부들을 포함하고,
상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 상기 제1 방향으로 나열된 제2 센서부들 및 상기 제2 센서부들 중 인접한 센서부들 사이에 배치된 제2 연결부들을 포함하고,
상기 제1 연결부들 및 상기 제2 연결부들 중 어느 하나는 상기 제1 센서부들, 상기 제2 센서부들과 다른 층 상에 배치되고, 다른 하나는 같은 층 상에 배치되는 표시장치.
제12 항에 있어서,
상기 입력감지센서는,
상기 제1 센서부들의 내측에 배치된 제1 플로팅 패턴들; 및
상기 제2 센서부들의 내측에 배치된 제2 플로팅 패턴들을 더 포함하는 표시장치.
제13 항에 있어서,
상기 입력감지센서는, 상기 제1 플로팅 패턴들을 연결하는 제3 연결부들을 더 포함하는 표시장치.
제14 항에 있어서,
상기 제1 플로팅 패턴들 중 적어도 하나는,
중심부;
상기 제2 방향 내에서, 상기 중심부의 양측에 배치된 연장부들을 포함하고,
상기 연장부들 각각은 상기 제3 연결부들 중 대응하는 제3 연결부에 연결된 표시장치.
제12 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각은,
상기 제1 연결부들 중 대응하는 제1 연결부;
상기 제1 센서부들 중 상기 제2 방향 내에서 상기 대응하는 제1 연결부의 일측에 배치된 제1 센서부의 절반 및 타측에 배치된 제1 센서부의 절반;
상기 제2 연결부들 중 대응하는 제2 연결부; 및
상기 제1 방향 내에서 상기 대응하는 제2 연결부의 일측에 배치된 제2 센서부의 절반 및 타측에 배치된 제2 센서부의 절반을 포함하는 표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 신호라인들은,
상기 복수 개의 제1 감지전극들 중 짝수 번째 전극들의 일단을 통해 전기적으로 연결된 제1 신호라인들;
상기 복수 개의 제1 감지전극들 중 홀수 번째 전극들의 타단을 통해 전기적으로 연결된 제2 신호라인들; 및
상기 복수 개의 제2 감지전극들에 전기적으로 연결된 제3 신호라인들을 포함하는 표시장치.
표시패널; 및
상기 표시패널 상측에 배치된 입력감지센서를 포함하고,
상기 입력감지센서는,
복수 개의 제1 감지전극들; 및
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 교차하는 복수 개의 제2 감지전극들을 포함하고,
상기 복수 개의 제1 감지전극들 및 상기 복수 개의 제2 감지전극들 각각은 제1 면적의 제1 개구부들, 상기 제1 면적과 다른 제2 면적의 제2 개구부들, 및 상기 제1 면적 및 상기 제2 면적 다른 제3 면적의 제3 개구부들을 정의하는 메쉬라인을 포함하고,
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들이 배치된 영역 중 적어도 일부 영역은 교번하게 배치된 복수 개의 제1 센싱영역들과 복수 개의 제2 센싱영역들로 구분되며, 상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들은 서로 동일한 면적을 갖고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들과 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각은 상기 복수 개의 제1 감지전극들과 상기 복수 개의 제2 감지전극들의 교차영역들 중 대응하는 교차영역을 포함하고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 제1 형상을 갖고, 상기 복수 개의 제2 센싱영역 각각에 배치된 상기 메쉬라인은 상기 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖는 표시장치.
제18 항에 있어서,
상기 표시패널은 상기 제1 개구부들에 대응하는 제1 발광영역들, 상기 제2 개구부들에 대응하는 제2 발광영역들, 및 상기 제3 개구부들에 대응하는 제3 발광영역들을 포함하고,
상기 제1 발광영역들, 상기 제2 발광영역들, 및 상기 제3 발광영역들은 복수 개의 발광영역 행들을 정의하도록 배열되고,
상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 첫번째 발광영역 행의 첫번째 발광영역은 상기 제1 발광영역들 중 하나이고,
상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 첫번째 발광영역 행의 첫번째 발광영역은 상기 제2 발광영역들 중 하나인 표시장치.
제18 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제1 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극의 메쉬라인과 제2 감지전극의 메쉬라인의 단선 지점들이 정의하는 제1 경계패턴은,
상기 복수 개의 제1 감지전극들과 복수 개의 제2 감지전극들 중 상기 복수 개의 제2 센싱영역들 각각에 대응하는 제1 감지전극의 메쉬라인과 제2 감지전극의 메쉬라인의 단선 지점들이 정의하는 제2 경계패턴과 상이한 표시장치.