KR20200022678A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20200022678A KR1020180098580A KR20180098580A KR20200022678A KR 20200022678 A KR20200022678 A KR 20200022678A KR 1020180098580 A KR1020180098580 A KR 1020180098580A KR 20180098580 A KR20180098580 A KR 20180098580A KR 20200022678 A KR20200022678 A KR 20200022678A
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Abstract

기판 처리 장치 및 방법이 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 부상시키는 부상 스테이지와, 상기 부상 스테이지에 구비된 진공 홀의 유량을 검출하는 유량계와, 상기 검출된 유량을 참조하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단하는 제어부, 및 상기 판단 결과에 따라 이물질의 존재 여부를 통지하는 알람부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판에 대한 코팅, 프린팅 또는 패턴 형성 등의 작업을 위하여 스테이지상에서 기판이 수평 방향으로 이동할 수 있다. 이 때, 기판의 안정적인 이동을 위하여 기판은 스테이지의 상부에서 일정 거리만큼 이격된 상태로 이동할 수 있다.
기판을 부상시키기 위하여 스테이지는 에어 홀 및 진공 홀을 구비할 수 있다. 에어 홀은 에어를 분사하고, 진공 홀은 에어를 흡입할 수 있다. 에어 홀 및 진공 홀에 의한 압력으로 기판은 스테이지에 대한 균일한 거리를 유지할 수 있게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 전체 영역에 대하여 작용하는 압력을 균일하게 유지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 부상시키는 부상 스테이지와, 상기 부상 스테이지에 구비된 진공 홀의 유량을 검출하는 유량계와, 상기 검출된 유량을 참조하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단하는 제어부, 및 상기 판단 결과에 따라 이물질의 존재 여부를 통지하는 알람부를 포함한다.
상기 부상 스테이지는 복수의 영역으로 분할되고, 상기 유량계는 상기 분할된 부상 스테이지에 영역별로 배치되어 해당 영역의 진공 홀의 유량을 검출한다.
상기 제어부는 상기 검출된 유량을 사전에 설정된 기준 유량과 비교하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단한다.
상기 제어부는 상기 검출된 유량의 변화량을 참조하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 진공 홀에서 에어를 흡입하는 에어 흡입부와, 상기 진공 홀로 에어를 공급하는 보조 에어 공급부, 및 상기 진공 홀에 연결된 메인 배관을 상기 에어 흡입부에 연결된 흡입 배관 또는 상기 에어 공급부에 연결된 공급 배관으로 연결하는 경로 전환 밸브를 더 포함한다.
상기 제어부는 상기 판단 결과에 따라 상기 경로 전환 밸브를 제어한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 부상 스테이지의 표면을 따라 이동하면서 상기 부상 스테이지의 표면에 존재하는 이물질을 흡입하는 이물질 흡입부를 더 포함한다.
본 발명의 기판 처리 방법의 일 면(aspect)은, 기판이 부상하는 단계와, 상기 부상 스테이지에 구비된 진공 홀의 유량이 유량계에 의해 검출되는 단계와, 상기 검출된 유량이 참조되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계, 및 상기 판단 결과에 따라 이물질의 존재 여부가 통지되는 단계를 포함한다.
상기 부상 스테이지는 복수의 영역으로 분할되고, 상기 유량계는 상기 분할된 부상 스테이지에 영역별로 배치되어 해당 영역의 진공 홀의 유량을 검출한다.
상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계는 상기 검출된 유량이 사전에 설정된 기준 유량과 비교되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계를 포함한다.
상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계는 상기 검출된 유량의 변화량이 참조되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계를 포함한다.
상기 기판 처리 방법은 상기 진공 홀에 연결된 메인 배관을 상기 진공 홀에서 에어를 흡입하는 에어 흡입부에 연결된 흡입 배관 또는 상기 진공 홀로 에어를 공급하는 보조 에어 공급부에 연결된 공급 배관으로 연결하는 단계를 더 포함한다.
상기 흡입 배관 및 상기 공급 배관 중 상기 메인 배관에 연결되는 배관은 상기 판단 결과에 따라 결정된다.
상기 기판 처리 방법은 상기 부상 스테이지의 표면에 존재하는 이물질을 흡입하는 단계를 더 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판이 부상하는 것을 나타낸 도면이다.
도 3은 부상 스테이지의 진공 홀에 이물질이 유입된 것을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 부상 스테이지의 평면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 이물질 흡입부의 동작을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하여 기판이 부상하는 것을 나타낸 도면이고, 도 3은 부상 스테이지의 진공 홀에 이물질이 유입된 것을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 부상 스테이지(110), 에어 공급부(120), 에어 배관(130), 에어 흡입부(140), 진공 배관(150), 압력계(160), 유량계(170), 제어부(180) 및 알람부(181)를 포함하여 구성된다.
부상 스테이지(110)는 기판(SB)을 부상시키는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 부상 스테이지(110)는 에어 홀(111) 및 진공 홀(112)을 포함할 수 있다. 에어 홀(111) 및 진공 홀(112)은 부상 스테이지(110)의 전체 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
에어 홀(111)을 통하여 부상 스테이지(110)의 상부 표면으로 에어가 분사되고, 진공 홀(112)을 통하여 부상 스테이지(110)의 상부 표면으로부터 에어가 흡입될 수 있다. 에어 홀(111) 및 진공 홀(112)에 의하여 형성된 부상 스테이지(110)의 상부 표면상의 압력으로 인하여 도 2에 도시된 바와 같이 기판(SB)이 부상할 수 있다.
본 발명에서 기판(SB)은 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)와 같은 반도체 패널일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
에어 공급부(120)는 에어 홀(111)을 통하여 에어를 분사하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 에어 공급부(120)에 의하여 가압된 에어는 에어 홀(111)을 통하여 부상 스테이지(110)의 상부에서 분사될 수 있다. 에어 펌프가 에어 공급부(120)의 역할을 수행할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 에어 배관(130)은 에어 공급부(120)에 의하여 가압된 에어의 이동 경로를 제공할 수 있다.
에어 흡입부(140)는 진공 홀(112)을 통하여 에어를 흡입하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 에어 흡입부(140)에 의하여 가압된 에어는 진공 홀(112)을 통하여 부상 스테이지(110)의 상부에서 흡입될 수 있다. 진공 펌프가 에어 흡입부(140)의 역할을 수행할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
진공 배관(150)은 에어 흡입부(140)에 의하여 가압된 에어의 이동 경로를 제공할 수 있다. 진공 배관(150)은 메인 배관(151) 및 분기 배관(152)을 포함할 수 있다. 메인 배관(151)은 진공 홀(112)에 연결되고, 분기 배관(152)은 에어 흡입부(140)에 연결될 수 있다.
압력계(160)는 진공 배관(150)을 흐르는 에어의 압력을 측정하는 역할을 수행한다. 유량계(170)는 진공 홀(112)을 통하여 이동하는 에어의 유량을 검출하는 역할을 수행한다. 이를 위하여, 유량계(170)는 진공 배관(150)을 통과하는 에어의 유량을 검출할 수 있다.
한편, 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는 경우 부상 스테이지(110)의 상부에서 부상하고 있는 기판(SB)의 형태가 변형될 수 있다. 도 3은 이물질(OB)이 존재하고 있는 진공 홀(112)에 의하여 기판(SB)의 형태가 변형된 것을 도시하고 있다. 기판(SB)의 형태가 변형되는 경우 기판(SB)의 표면이 돌출될 수 있으며, 이로 인해 기판(SB)의 표면에 대한 작업이 원활하게 수행되지 않을 수 있다. 예를 들어, 기판(SB)의 표면에 레지스트액을 도포하는 경우 레지스트액의 두께가 균일하지 않게 형성될 수 있는 것이다.
제어부(180)는 유량계(170)에 의하여 검출된 유량을 참조하여 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부를 판단하는 역할을 수행한다. 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는 경우의 유량은 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하지 않는 경우의 유량에 비하여 작게 형성될 수 있다. 부상 스테이지(110)에 구비된 전체 진공 홀(112) 중 어느 하나에도 이물질(OB)이 존재하는 경우 전체 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하지 않는 경우에 비하여 유량이 작아질 수 있는 것이다.
예를 들어, 제어부(180)는 유량계(170)에 의하여 검출된 유량(이하, 검출 유량이라 한다)을 사전에 설정된 기준 유량과 비교하여 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부를 판단할 수 있다. 즉, 검출 유량이 기준 유량보다 작은 경우 제어부(180)는 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
또는, 제어부(180)는 검출 유량의 변화량을 참조하여 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부를 판단할 수 있다. 진공 홀(112)을 통한 에어 흡입이 수행되는 도중에 유량계(170)는 지속적으로 유량을 검출할 수 있다. 제어부(180)는 검출 유량이 급격하게 작아지는 경우 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
알람부(181)는 제어부(180)의 판단 결과에 따라 이물질(OB)의 존재 여부를 통지하는 역할을 수행한다. 알람부(181)는 시각적 또는 청각적 방식으로 이물질(OB)의 존재 여부 통지를 수행할 수 있다. 이를 위하여, 알람부(181)는 이물질(OB)의 존재 여부를 표시하는 디스플레이부(미도시) 및 경보음을 출력하는 스피커(미도시)를 포함할 수 있다.
작업자는 알람부(181)의 통지를 참조하여 진공 홀(112)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부를 확인하고, 해당 진공 홀(112)에서 이물질(OB)을 제거하는 작업을 수행할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 기판 처리 장치의 동작을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)는 부상 스테이지(210), 에어 공급부(221), 보조 에어 공급부(222), 에어 배관(230), 에어 흡입부(240), 진공 배관(250), 압력계(260), 유량계(270), 제어부(280), 알람부(281) 및 경로 전환 밸브(290)를 포함하여 구성된다.
부상 스테이지(210), 에어 공급부(221), 에어 배관(230), 에어 흡입부(240), 압력계(260), 유량계(270), 제어부(280) 및 알람부(281)의 기능은 전술한 부상 스테이지(110), 에어 공급부(120), 에어 배관(130), 에어 흡입부(140), 압력계(160), 유량계(170), 제어부(280) 및 알람부(281)의 기능과 동일하거나 유사하므로 이하 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
에어 공급부(221)는 에어 홀(211)을 통하여 에어를 분사하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 에어 흡입부(240)는 진공 홀(212)을 통하여 에어를 흡입하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 에어 흡입부(240)에 의하여 가압된 에어는 진공 홀(212)을 통하여 부상 스테이지(210)의 상부에서 흡입될 수 있다. 보조 에어 공급부(222)는 진공 홀(212)로 에어를 공급하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 보조 에어 공급부(222)에 의하여 가압된 에어는 진공 홀(212)을 통해 부상 스테이지(210)의 상부로 분사될 수 있다.
진공 배관(250)은 메인 배관(251), 흡입 배관(252) 및 공급 배관(253)을 포함할 수 있다. 메인 배관(251)은 진공 홀(212)에 연결되고, 흡입 배관(252)은 에어 흡입부(240)에 연결되며, 공급 배관(253)은 보조 에어 공급부(222)에 연결될 수 있다.
메인 배관(251)은 경로 전환 밸브(290)를 통하여 흡입 배관(252) 또는 공급 배관(253)에 연결되어 에어 흡입부(240) 또는 보조 에어 공급부(222)에 의하여 가압된 에어의 이동 경로를 제공할 수 있다. 경로 전환 밸브(290)는 메인 배관(251)을 흡입 배관(252) 또는 공급 배관(253)으로 연결하는 역할을 수행한다.
제어부(280)는 유량계(270)에 의하여 검출된 유량을 참조하여 진공 홀(212)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부를 판단할 수 있다. 또한, 제어부(280)는 진공 홀(212)에 이물질(OB)이 존재하는지 여부에 대한 판단 결과에 따라 경로 전환 밸브(290)를 제어할 수 있다. 진공 홀(212)에 이물질(OB)이 존재하지 않는 것으로 판단되는 경우 제어부(280)는 메인 배관(251)과 흡입 배관(252)이 연결되도록 경로 전환 밸브(290)를 제어할 수 있다. 한편, 진공 홀(212)에 이물질(OB)이 존재하는 것으로 판단되는 경우 제어부(280)는 메인 배관(251)과 공급 배관(253)이 연결되도록 경로 전환 밸브(290)를 제어할 수 있다.
제어부(280)에 의한 경로 전환 밸브(290) 제어에 따라 에어 흡입부(240)에 의하여 가압된 에어가 메인 배관(251) 및 흡입 배관(252)을 통하여 이동하거나, 보조 에어 공급부(222)에 의하여 가압된 에어가 메인 배관(251) 및 공급 배관(253)을 통하여 이동할 수 있다.
도 5는 에어 공급부(221) 및 에어 흡입부(240)에 의하여 발생된 부상 스테이지(210)의 상부 표면 에어 흐름에 의하여 기판(SB)이 부상하고 있는 것을 도시하고 있다. 도 6은 보조 에어 공급부(222)에 의하여 가압된 에어가 부상 스테이지(210)의 상부 표면으로 분사되고 있는 것을 도시하고 있다.
보조 에어 공급부(222)에 의하여 가압된 에어가 부상 스테이지(210)의 진공 홀(212)을 통하여 분사됨에 따라 진공 홀에 유입된 이물질(OB)이 진공 홀에서 배출될 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 부상 스테이지의 평면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)는 부상 스테이지(310), 에어 공급부(320), 에어 배관(330), 에어 흡입부(340), 진공 배관(350), 압력계(360), 유량계(370), 제어부(380) 및 알람부(381)를 포함하여 구성된다.
부상 스테이지(310), 에어 공급부(320), 에어 배관(330), 에어 흡입부(340), 진공 배관(350), 압력계(360), 유량계(370), 제어부(380) 및 알람부(381)의 기능은 전술한 부상 스테이지(110), 에어 공급부(120), 에어 배관(130), 에어 흡입부(140), 진공 배관(150), 압력계(160), 유량계(170), 제어부(180) 및 알람부(381)의 기능과 동일하거나 유사하므로 이하 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 7 및 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 부상 스테이지(310)는 복수의 영역으로 분할될 수 있다. 각 분할 영역(AR1~AR6)은 에어 홀(311) 및 진공 홀(312)을 포함할 수 있다. 각 분할 영역(AR1~AR6)에 포함된 에어 홀(311) 및 진공 홀(312)의 수는 동일할 수 있으며, 상이할 수도 있다.
유량계(370)는 부상 스테이지(310)의 분할된 영역(AR1~AR6)별로 배치되어 해당 영역에 배치된 진공 홀(312)의 유량을 검출할 수 있다. 각 분할 영역(AR1~AR6)별로 메인 배관(351)이 진공 홀(312)에 연결되어 진공 홀(312)을 통과하는 에어의 이동 경로가 제공될 수 있다. 메인 배관(351)을 따라 이동한 에어는 분기 배관(352)을 통하여 에어 흡입부(340)로 이동할 수 있다. 메인 배관(351) 별로 구비된 각 유량계(370)는 대응하는 메인 배관(351)을 통과하는 에어의 유량을 검출하여, 검출 결과를 제어부(380)로 전달할 수 있다.
제어부(380)는 복수의 유량계(370)로부터 전달된 유량 검출 결과를 참조하여 복수의 분할 영역(AR1~AR6) 중 어느 영역의 진공 홀(312)에 이물질(OB)이 유입되었는지를 판단할 수 있다. 그리하여, 제어부(380)는 이물질(OB)이 유입된 분할 영역에 대한 정보를 알람부(381)를 통하여 작업자에게 통지할 수 있다. 작업자는 알람부(381)를 통하여 확인된 분할 영역에 대한 이물질(OB) 처리 작업을 수행할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(400)는 부상 스테이지(410), 에어 공급부(421), 보조 에어 공급부(422), 에어 배관(430), 에어 흡입부(440), 진공 배관(450), 압력계(460), 유량계(470), 제어부(480), 알람부(481) 및 경로 전환 밸브(490)를 포함하여 구성된다.
부상 스테이지(410), 에어 공급부(421), 에어 배관(430), 에어 흡입부(440), 진공 배관(450), 압력계(460), 유량계(470), 제어부(480) 및 알람부(481)의 기능은 전술한 부상 스테이지(110), 에어 공급부(120), 에어 배관(130), 에어 흡입부(140), 진공 배관(150), 압력계(160), 유량계(170), 제어부(180) 및 알람부(181)의 기능과 동일하거나 유사하므로 이하 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
에어 흡입부(440)는 진공 홀을 통하여 에어를 흡입하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 에어 흡입부(440)에 의하여 가압된 에어는 진공 홀을 통하여 부상 스테이지(410)의 상부에서 흡입될 수 있다. 보조 에어 공급부(422)는 진공 홀로 에어를 공급하기 위한 압력을 발생시키는 역할을 수행한다. 보조 에어 공급부(422)에 의하여 가압된 에어는 진공 홀을 통해 부상 스테이지(410)의 상부로 분사될 수 있다.
진공 배관(450)은 메인 배관(451), 흡입 배관(452) 및 공급 배관(453)을 포함할 수 있다. 메인 배관(451)은 진공 홀에 연결되고, 흡입 배관(452)은 에어 흡입부(440)에 연결되며, 공급 배관(453)은 보조 에어 공급부(422)에 연결될 수 있다.
메인 배관(451)은 경로 전환 밸브(490)를 통하여 흡입 배관(452) 또는 공급 배관(453)에 연결되어 에어 흡입부(440) 또는 보조 에어 공급부(422)에 의하여 가압된 에어의 이동 경로를 제공할 수 있다. 경로 전환 밸브(490)는 메인 배관(451)을 흡입 배관(452) 또는 공급 배관(453)으로 연결하는 역할을 수행한다.
메인 배관(451)은 상부 스테이지의 분할된 영역별로 구비되어 해당 영역의 진공 홀에 연결될 수 있다. 메인 배관(451) 별로 유량계(470)가 구비되어 각 유량계(470)는 해당 메인 배관(451)을 통과하는 에어의 유량을 검출할 수 있다. 각 유량계(470)에 의하여 검출된 결과는 제어부(480)로 전달될 수 있다.
제어부(480)는 복수의 유량계(470)로부터 전달된 유량 검출 결과를 참조하여 복수의 분할 영역 중 이물질(OB)이 유입된 진공 홀을 포함하고 있는 분할 영역을 판단할 수 있다. 그리하여, 제어부(480)는 이물질(OB)이 유입된 분할 영역으로 에어가 분사되도록 해당 경로 전환 밸브(490)를 제어할 수 있다. 경로 전환 밸브(490)가 대응하는 메인 배관(451) 및 공급 배관(453)을 연결함에 따라 보조 에어 공급부(422)에 의하여 가압된 에어가 해당 분할 영역의 진공 홀로 유입되어 이물질(OB)이 제거될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 이물질 흡입부의 동작을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(200, 400)는 이물질 흡입부(500)를 더 포함할 수 있다.
이물질 흡입부(500)는 부상 스테이지(210, 410)의 표면을 따라 이동하면서 부상 스테이지(210, 410)의 표면에 존재하는 이물질(OB)을 흡입하는 역할을 수행한다. 보조 에어 공급부(222, 422)에 의하여 에어가 가압됨에 따라 이물질(OB)이 진공 홀(212, 412)에서 배출될 수 있다. 배출된 이물질(OB)은 부상 스테이지(210, 410)의 상부면에 안착할 수 있다.
이물질 흡입부(500)는 부상 스테이지(210, 410)의 표면을 따라 이동하면서 이물질(OB)을 흡입할 수 있다. 부상 스테이지(210, 410)의 표면에서 이물질(OB)이 제거됨에 따라 이물질(OB)에 의한 다른 진공 홀(212, 412)의 막힘 현상이 방지될 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200, 300, 400: 기판 처리 장치
110, 210, 310, 410: 부상 스테이지
111, 211, 311, 411: 에어 홀
112, 212, 312, 412: 진공 홀
120, 221, 320, 421: 에어 공급부
130, 230, 330, 430: 에어 배관
140, 240, 340, 440: 에어 흡입부
150, 250, 350, 450: 진공 배관
151, 251, 351, 451: 메인 배관
152, 352: 분기 배관
160, 260, 360, 460: 압력계
170, 270, 370, 470: 유량계
180, 280, 380, 480: 제어부
181, 281, 371, 481: 알람부
222, 422: 보조 에어 공급부
252, 452: 흡입 배관
253, 453: 공급 배관
290, 490: 경로 전환 밸브
500: 이물질 흡입부
AR1~AR6: 분할 영역
OB: 이물질
SB: 기판

Claims (14)

  1. 기판을 부상시키는 부상 스테이지;
    상기 부상 스테이지에 구비된 진공 홀의 유량을 검출하는 유량계;
    상기 검출된 유량을 참조하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단하는 제어부; 및
    상기 판단 결과에 따라 이물질의 존재 여부를 통지하는 알람부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 부상 스테이지는 복수의 영역으로 분할되고,
    상기 유량계는 상기 분할된 부상 스테이지이 영역별로 배치되어 해당 영역의 진공 홀의 유량을 검출하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 검출된 유량을 사전에 설정된 기준 유량과 비교하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 검출된 유량의 변화량을 참조하여 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부를 판단하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 진공 홀에서 에어를 흡입하는 에어 흡입부;
    상기 진공 홀로 에어를 공급하는 보조 에어 공급부; 및
    상기 진공 홀에 연결된 메인 배관을 상기 에어 흡입부에 연결된 흡입 배관 또는 상기 보조 에어 공급부에 연결된 공급 배관으로 연결하는 경로 전환 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 판단 결과에 따라 상기 경로 전환 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 부상 스테이지의 표면을 따라 이동하면서 상기 부상 스테이지의 표면에 존재하는 이물질을 흡입하는 이물질 흡입부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 기판이 부상하는 단계;
    상기 부상 스테이지에 구비된 진공 홀의 유량이 유량계에 의해 검출되는 단계;
    상기 검출된 유량이 참조되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계; 및
    상기 판단 결과에 따라 이물질의 존재 여부가 통지되는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 부상 스테이지는 복수의 영역으로 분할되고,
    상기 유량계는 상기 분할된 부상 스테이지이 영역별로 배치되어 해당 영역의 진공 홀의 유량을 검출하는 기판 처리 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계는 상기 검출된 유량이 사전에 설정된 기준 유량과 비교되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계는 상기 검출된 유량의 변화량이 참조되어 상기 진공 홀에 이물질이 존재하는지 여부가 판단되는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 진공 홀에 연결된 메인 배관을 상기 진공 홀에서 에어를 흡입하는 에어 흡입부에 연결된 흡입 배관 또는 상기 진공 홀로 에어를 공급하는 보조 에어 공급부에 연결된 공급 배관으로 연결하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 흡입 배관 및 상기 공급 배관 중 상기 메인 배관에 연결되는 배관은 상기 판단 결과에 따라 결정되는 기판 처리 방법.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 부상 스테이지의 표면에 존재하는 이물질을 흡입하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021193824A1 (ko) * 2020-03-26 2021-09-30
CN114777826A (zh) * 2022-04-01 2022-07-22 深圳中科飞测科技股份有限公司 气浮承载设备
CN114559382A (zh) * 2022-04-01 2022-05-31 深圳中科飞测科技股份有限公司 气浮承载装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110097615A (ko) * 2010-02-24 2011-08-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치
JP2014118221A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Toray Eng Co Ltd 基板浮上装置
KR101640434B1 (ko) * 2015-12-21 2016-07-19 (주)에스티글로벌 유량 측정 방식을 이용한 웨이퍼 베이킹 설비의 배기관 오염물질 제거장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002041375A1 (ja) * 2000-11-15 2004-03-25 株式会社ニコン 搬送方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイスの製造方法
JP2005150124A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
CN100394574C (zh) * 2005-12-08 2008-06-11 北京圆合电子技术有限责任公司 具有流量控制的平台真空气路***及其控制方法
KR101327495B1 (ko) * 2007-06-27 2013-11-08 세메스 주식회사 척 테이블 세정 장치 및 세정 방법
JP4898641B2 (ja) * 2007-11-28 2012-03-21 ヤマハ発動機株式会社 部品移載装置
JP2009158819A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Mitsumi Electric Co Ltd ロードロック室の大気開放方法、ロードロック装置及び半導体製造装置
JP5437134B2 (ja) * 2010-03-31 2014-03-12 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置
JP6319193B2 (ja) * 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110097615A (ko) * 2010-02-24 2011-08-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치
JP2014118221A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Toray Eng Co Ltd 基板浮上装置
KR101640434B1 (ko) * 2015-12-21 2016-07-19 (주)에스티글로벌 유량 측정 방식을 이용한 웨이퍼 베이킹 설비의 배기관 오염물질 제거장치

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