KR20200013403A - Liquid supply unit and substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20200013403A KR1020180088567A KR20180088567A KR20200013403A KR 20200013403 A KR20200013403 A KR 20200013403A KR 1020180088567 A KR1020180088567 A KR 1020180088567A KR 20180088567 A KR20180088567 A KR 20180088567A KR 20200013403 A KR20200013403 A KR 20200013403A
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Abstract

The present invention relates to a liquid supply unit and a substrate processing apparatus, which include a cleaning member supplying cleaning liquid toward an outer side surface of a liquid supply nozzle. While the cleaning member supplies the cleaning liquid, the liquid supply nozzle is rotated so that a surface of the liquid supply nozzle is cleaned without omission.

Description

액 공급 유닛 및 기판 처리 장치{Liquid supply unit and substrate processing apparatus}Liquid supply unit and substrate processing apparatus

본 발명은 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노즐을 세척하는 부재를 구비한 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid supply unit and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a liquid supply unit and a substrate processing apparatus having a member for washing a nozzle.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각, 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에서는 노즐을 통해 처리액을 기판에 공급하게 된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as deposition, photography, etching, and cleaning are performed. In each process, the processing liquid is supplied to the substrate through the nozzle.

처리액이 기판에 공급될 때, 노즐의 외측면에 처리액이 묻는 경우, 이들 처리액은 파티클로 작용하여 후속 처리되는 기판을 오염시킨다.When the processing liquid is supplied to the substrate, when the processing liquid is buried on the outer surface of the nozzle, these processing liquids act as particles to contaminate the substrate to be subsequently processed.

도 1에는 노즐을 세척하는 일 예를 개시한다. 도 1에 따르면, 상면이 개구된 박스상의 하우징 내부에 신나(THINNER) 등의 세척액을 분사할 수 있는 세척액 공급부재 및 건조가스를 분사할 수 있는 건조가스 공급부재가 구비된다. 노즐이 하우징에 삽입되면, 세척액 공급부재 및 건조가스 공급부재에 의해 노즐이 세척 및 건조된다.1 discloses an example of cleaning a nozzle. According to FIG. 1, a cleaning solution supply member capable of injecting a cleaning solution such as thinner and the like and a dry gas supply member capable of injecting dry gas are provided in a housing on a box having an upper surface. When the nozzle is inserted into the housing, the nozzle is washed and dried by the cleaning liquid supply member and the dry gas supply member.

그러나 도 1에 도시된 방식으로 노즐이 세척될 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 세척액이 직접적으로 공급되지 않는 부분(X)은 세척이 잘 이루어지지 않는다.However, when the nozzle is washed in the manner shown in FIG. 1, as shown in FIG. 2, the portion X in which the washing liquid is not directly supplied is not washed well.

대한민국 공개특허공보 제10-2007-0036865호(2007.04.04.)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2007-0036865 (2007.04.04.)

본 발명은 노즐의 외측면 전체 영역을 효율적으로 세척할 수 있는 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid supply unit and a substrate processing apparatus capable of efficiently washing the entire outer surface of the nozzle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일실시예는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵과, 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과, 지지유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛을 포함하며, 액 공급 유닛은, 액 공급 노즐을 지지하는 지지대와, 액 공급 노즐의 외측면을 향해 세척액을 공급하는 세척 부재를 포함한다.One embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a liquid supply unit having a cup having a processing space with an open top, a support unit for supporting a substrate in the processing space, and a liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit. The liquid supply unit includes a support for supporting the liquid supply nozzle and a cleaning member for supplying the cleaning liquid toward the outer surface of the liquid supply nozzle.

상기 세척 부재는 지지대에 장착될 수 있다.The cleaning member may be mounted to the support.

상기 액 공급 유닛에는, 액 공급 노즐이 복수개 제공되고, 세척 부재는 복수개의 액 공급 노즐 각각에 대응되도록 복수개가 제공될 수 있다.The liquid supply unit may be provided with a plurality of liquid supply nozzles, and a plurality of cleaning members may be provided to correspond to each of the plurality of liquid supply nozzles.

상기 복수개의 액 공급 노즐은, 제1방향을 따라 배열되고, 세척 부재 및 이와 대응되는 액 공급 노즐은 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배열될 수 있다.The plurality of liquid supply nozzles may be arranged along a first direction, and the cleaning member and the liquid supply nozzles corresponding thereto may be arranged along a second direction perpendicular to the first direction.

상기 액 공급 노즐은, 그 길이방향의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 지지대에 장착될 수 있다.The liquid supply nozzle may be mounted to the support to be rotatable about the central axis in the longitudinal direction.

상기 세척 부재는, 액 공급 노즐을 향해 세척액을 분사하는 세척액 공급부와, 액 공급 노즐을 향해 건조 가스를 분사하는 건조 가스 공급부를 포함할 수 있다.The washing member may include a washing liquid supply unit for spraying the washing liquid toward the liquid supply nozzle, and a drying gas supply unit for spraying dry gas toward the liquid supply nozzle.

상기 액 공급 노즐의 표면에 홈이 제공될 수 있다.Grooves may be provided on the surface of the liquid supply nozzle.

상기 홈은 상부에서 바라볼 때 링 형상일 수 있다.The groove may have a ring shape when viewed from the top.

상기 세척 부재는, 홈을 향해 직접 세척액을 공급하도록 제공될 수 있다.The cleaning member may be provided to supply the cleaning liquid directly toward the groove.

상기 액 공급 노즐에 나선 형상의 홈이 형성될 수 있다.A spiral groove may be formed in the liquid supply nozzle.

본 발명의 일실시예는 액 공급 유닛을 제공한다. 액 공급 유닛은, 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 노즐과, 액 공급 노즐을 지지하는 지지대와, 지지대에 설치되고, 액 공급 노즐의 외측면에 세척액을 공급하는 세척 부재를 포함한다.One embodiment of the present invention provides a liquid supply unit. The liquid supply unit includes a liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to the substrate, a support for supporting the liquid supply nozzle, and a cleaning member provided on the support and supplying the cleaning liquid to the outer surface of the liquid supply nozzle.

상기 액 공급 노즐은, 그 길이방향 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공될 수 있다.The liquid supply nozzle may be provided to be rotatable about its longitudinal center axis.

상기 액 공급 노즐의 표면에 링 형상의 홈이 제공될 수 있다.A ring-shaped groove may be provided on the surface of the liquid supply nozzle.

상기 액 공급 노즐의 표면에 나선 형상의 홈이 제공될 수 있다.A spiral groove may be provided on the surface of the liquid supply nozzle.

상기 세척 부재는 홈을 향해 세척액을 직접 공급하도록 제공될 수 있다.The cleaning member may be provided to directly supply the cleaning liquid toward the groove.

본 발명의 일실시예는 액 공급 노즐을 세척하는 방법을 제공한다. 액 공급 노즐을 세척하는 방법은, 세척 부재가 액 공급 노즐로 세척액을 토출하는 동안에 액 공급 노즐은 그 중심축을 기준으로 회전된다.One embodiment of the present invention provides a method of cleaning a liquid supply nozzle. In the method of washing the liquid supply nozzle, the liquid supply nozzle is rotated about its central axis while the cleaning member discharges the cleaning liquid to the liquid supply nozzle.

상기 액 공급 노즐은 그 표면에 링 형상의 홈이 형성되고, 세척 부재는 홈을 향해 세척액을 공급할 수 있다.The liquid supply nozzle may have a ring-shaped groove formed on a surface thereof, and the cleaning member may supply the cleaning liquid toward the groove.

본 발명의 일실시예에 의하면, 세척액 공급 중 액 공급 노즐이 회전하게 되므로, 액 공급 노즐의 외측면 전체 영역을 효율적으로 세척할 수 있다According to one embodiment of the present invention, since the liquid supply nozzle is rotated during the supply of the washing liquid, the entire area of the outer surface of the liquid supply nozzle can be efficiently washed.

또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 액 공급 노즐에 나선 형상의 홈이 제공되므로, 세척액이 나선 형상의 홈을 따라 흐르면서 액 공급 노즐의 외측면 전체 영역을 효율적으로 세척할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, since the spiral groove is provided in the liquid supply nozzle, the entire area of the outer surface of the liquid supply nozzle may be efficiently washed while the cleaning liquid flows along the spiral groove.

도 1은 노즐을 세척하는 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에 개시된 구성을 통해 세척 중인 노즐의 평단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 9는 도 5의 액처리 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9의 액 공급 유닛을 보여주는 정면도이다.
도 11은 도 10의 액 공급 노즐의 단면도이다.
도 12는 도 10의 액 공급 노즐의 다른 실시예의 평면도이다.
도 13은 도 9의 액 공급 유닛의 저면도이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 액 공급 노즐을 세척하는 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 15와 도 16은 각각 세척액 및 건조 가스로 액 공급 노즐을 세척하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing an example of cleaning the nozzle.
FIG. 2 is a plan sectional view of the nozzle being cleaned through the configuration disclosed in FIG. 1. FIG.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or development block of FIG. 3.
5 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 5.
7 is a plan sectional view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG.
FIG. 8 is a front sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 7.
9 is a plan view illustrating the liquid processing unit of FIG. 5.
10 is a front view showing the liquid supply unit of FIG.
FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid supply nozzle of FIG. 10.
12 is a plan view of another embodiment of the liquid supply nozzle of FIG. 10.
FIG. 13 is a bottom view of the liquid supply unit of FIG. 9.
14 is a flowchart illustrating a method of washing a liquid supply nozzle according to an embodiment of the present invention.
15 and 16 are views sequentially illustrating a process of washing a liquid supply nozzle with a washing liquid and a drying gas, respectively.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a more clear description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.3 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus illustrating the application block or the developing block of FIG. 3, and FIG. 5 is the substrate processing apparatus of FIG. 3. Top view of the.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a processing module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the X-axis direction 12, and the direction perpendicular to the X-axis direction 12 when viewed from the top. A direction perpendicular to both the X axis direction 12 and the Y axis direction 14 is referred to as the Y axis direction 14.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 conveys the board | substrate W from the container 10 in which the board | substrate W was accommodated to the processing module 30, and accommodates the processed board | substrate W in the container 10. FIG. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the Y-axis direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 with respect to the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed in the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the Y-axis direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealed container 10 such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed on the load port 22 by an operator or by a transfer means (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 having a longitudinal direction in the Y-axis direction 14 is provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the Z axis direction 16, and the Z axis direction 16. Can be provided to be movable accordingly.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs an application process and a development process on the substrate W. FIG. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. As shown in FIG. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the development blocks 30b. According to one example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and may be provided in the same structure with each other. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5, the application block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid treatment chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate (W). The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveyance chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the X-axis direction 12. The conveying chamber 3400 is provided with a conveying unit 3420. The transfer unit 3420 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to one example, the conveying unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, and the hand A has a forward and backward movement, a rotation about the Z-axis direction 16, and a Z-axis direction. It may be provided to be movable along 16. The conveyance chamber 3400 may be provided with a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the X-axis direction 12, and the conveying unit 3420 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.6 is a diagram illustrating an example of a hand of the carrier robot of FIG. 5. Referring to FIG. 6, hand A has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inward from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 may be provided to support edge regions of the substrate W. As shown in FIG. By way of example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.4 and 5, a plurality of heat treatment chambers 3200 may be provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400.

도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. FIG. 7 is a plan sectional view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 5, and FIG. 8 is a front sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 7. The heat treatment chamber 3200 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a cuboid. A sidewall of the housing 3210 is formed with an inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits. The inlet can be kept open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the entrance. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the Y-axis direction 14. According to one example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. According to one example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which a cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3322, a cover 3234, and a heater 3333. The heating plate 3322 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3322 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. The heater 3333 is provided in the heating plate 3322. The heater 3333 may be provided as a heating resistor to which a current is applied. The heating plate 3322 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the Z-axis direction 16. The lift pins 3238 may receive the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230, lower the substrate W onto the heating plate 3322, or lift the substrate W from the heating plate 3322 to external the heating unit 3230. Turn over to the conveying means. In one example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space in which the lower portion is opened. The cover 3234 is positioned above the heating plate 3322 and moved up and down by the driver 3236. When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3322, the space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3322 is provided as a heating space for heating the substrate W.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The conveying plate 3240 is generally provided in a disc shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. The notch 3244 is formed at the edge of the conveying plate 3240. The notch 3344 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand A of the transfer robot 3420. In addition, the notch 3344 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand A, and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the upper and lower positions of the hand A and the conveying plate 3240 are changed at the position where the hand A and the conveying plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W is moved between the hand A and the conveying plate 3240. Delivery takes place. The conveying plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and moved along the guide rail 3249 by the driver 3246. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3322. The guide groove 3324 extends from the end of the conveying plate 3240 to the inside of the conveying plate 3240. The guide grooves 3322 are provided in the longitudinal direction along the Y-axis direction 14, and the guide grooves 3324 are positioned to be spaced apart from each other along the X-axis direction 12. The guide groove 3324 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 히터 유닛(1200) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The heating of the substrate W is performed in a state where the substrate W is directly placed on the heater unit 1200, and the cooling of the substrate W is performed by the conveying plate 3240 on which the substrate W is placed. Is made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is performed well. According to one example, the conveying plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in the heat treatment chambers of some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas during heating of the substrate W to improve the adhesion rate of the substrate W to the photoresist. According to one example, the gas may be a hexamethyldisilane gas.

다시 도 4와 도 5를 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3420)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. 4 and 5, the liquid treatment chamber 3600 is provided in plurality. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3420. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at a location adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602. Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. FIG. The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquids. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied onto the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied onto the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are liquids of the same kind, both of which may be photoresists.

도 10은 도 5의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 액 처리 챔버(3602)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 액 공급 유닛(3660) 그리고 대기포트(3670)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3610) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3680)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 대기포트(3670)는 액 공급 유닛(3660) 일측에 구비된다. 액 공급 유닛(3660)을 통한 기판으로의 액 공급 전후에 액 공급 유닛(3660)이 대기포트(3670)에 대기한다. 대기포트(3670)에서 액 공급 유닛(3660)이 세척되고, 변질된 처리액을 토출한다. 10 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 5. Referring to FIG. 10, the liquid processing chamber 3602 has a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, a liquid supply unit 3660, and a standby port 3670. Housing 3610 is generally provided in the shape of a cuboid. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The inlet can be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. The upper wall of the housing 3610 may be provided with a fan filter unit 3680 to form a downdraft in the housing 3610. Cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided such that the substrate W is rotatable during the liquid treatment. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640. The standby port 3670 is provided at one side of the liquid supply unit 3660. The liquid supply unit 3660 waits for the standby port 3670 before and after the liquid supply to the substrate through the liquid supply unit 3660. The liquid supply unit 3660 is washed at the atmospheric port 3670 to discharge the deteriorated processing liquid.

도 10은 도 9의 액 공급 유닛을 보여주는 정면도이다. 도 11은 도 10의 액 공급 노즐의 단면도이다. 도 12는 도 10의 액 공급 노즐의 다른 실시예의 평면도이다. 도 13은 도 9의 액 공급 유닛의 저면도이다. 10 is a front view showing the liquid supply unit of FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid supply nozzle of FIG. 10. 12 is a plan view of another embodiment of the liquid supply nozzle of FIG. 10. FIG. 13 is a bottom view of the liquid supply unit of FIG. 9.

도 10 내지 도 13을 참조하면, 액 공급 유닛(3660)은, 액 공급 노즐(1100), 지지대(1200) 그리고, 세척 부재(1300)를 포함한다. 10 to 13, the liquid supply unit 3660 includes a liquid supply nozzle 1100, a support 1200, and a cleaning member 1300.

액 공급 노즐(1100)은 기판으로 처리액을 공급한다. 지지대(1200)는 액 공급 노즐(1100)을 지지한다. 지지대(1100)는 앞서 기술한 지지유닛(3640) 상부와 지지유닛(3640) 일측에 액 공급 노즐(1100)이 대기하도록 제공된 대기 포트(3670)를 왕복할 수 있도록 제공된다. The liquid supply nozzle 1100 supplies the processing liquid to the substrate. The support 1200 supports the liquid supply nozzle 1100. The support 1100 is provided to reciprocate the standby port 3670 provided to the liquid supply nozzle 1100 to the upper side of the support unit 3640 and the support unit 3640 described above.

세척 부재(1300)는 액 공급 노즐(1100)이 대기 포트에서 대기 중일 때, 액 공급 노즐(1100)의 표면을 세척한다. 세척 부재(1300)는 액 공급 노즐(1100) 일측에 위치되도록 지지대(1300)에 장착된다.The cleaning member 1300 cleans the surface of the liquid supply nozzle 1100 when the liquid supply nozzle 1100 is at the standby port. The cleaning member 1300 is mounted to the support 1300 to be located at one side of the liquid supply nozzle 1100.

지지대(1200)에는 액 공급 노즐(1100)이 복수개 제공된다. 세척 부재(1300)는 복수개의 액 공급 노즐(1100) 각각에 대응되도록 복수개가 지지대(1200)에 장착된다. 복수개의 액 공급 노즐(1100)은 지지대(1200)의 길이방향에 수직한 제1방향(D1)을 따라 배열되고, 세척 부재(1300)와 대응되는 액 공급 노즐(1100)은 지지대의 길이 방향을 따라 배열된다.The support 1200 is provided with a plurality of liquid supply nozzles 1100. The cleaning member 1300 is mounted to the support 1200 to correspond to each of the plurality of liquid supply nozzles 1100. The plurality of liquid supply nozzles 1100 are arranged along a first direction D1 perpendicular to the longitudinal direction of the support 1200, and the liquid supply nozzles 1100 corresponding to the cleaning member 1300 may extend in the longitudinal direction of the support. Are arranged accordingly.

도 11을 참조하면, 액 공급 노즐(1100)은 그 길이방향 중심축을 기준으로 회전 가능하게 지지대(1200)에 장착된다. 액 공급 노즐(1100)은 지지대(1200)에 제공된 노즐 구동기(1210)에 의해 회전된다. 액 공급 노즐(1100)이 원활하게 회전되도록 액 공급 노즐(1100)과 지지대(1200) 사이에 베어링(1110)이 설치된다.Referring to FIG. 11, the liquid supply nozzle 1100 is mounted to the support 1200 to be rotatable about its longitudinal center axis. The liquid supply nozzle 1100 is rotated by the nozzle driver 1210 provided on the support 1200. The bearing 1110 is installed between the liquid supply nozzle 1100 and the support 1200 so that the liquid supply nozzle 1100 rotates smoothly.

다시 도 10을 참조하면, 세척 부재(1300)는 세척액 공급부(1310), 건조 가스 공급부(1320)을 포함한다. 세척액 공급부(1310)는 액 공급 노즐(1100)을 향해 세척액을 분사한다. 건조 가스 공급부(1320)은 액 공급 노즐(1200)을 향해 건조 가스를 분사한다. 세척액은 신너로 제공되고, 건조 가스는 질소 가스로 제공된다.Referring back to FIG. 10, the cleaning member 1300 includes a cleaning solution supply unit 1310 and a dry gas supply unit 1320. The washing liquid supply unit 1310 sprays the washing liquid toward the liquid supply nozzle 1100. The dry gas supply unit 1320 sprays the dry gas toward the liquid supply nozzle 1200. The washing liquid is provided as thinner and the drying gas is provided as nitrogen gas.

액 공급 노즐(1100)의 표면에 홈(1170)이 제공된다. 홈(1170)은 상부에서 바라볼 때 링 형상으로 제공된다. 세척 부재(1300)는 홈(1170)을 향해 직접 세척액을 공급하도록 배치된다. 세척 부재(1300)로부터 공급된 세척액은 홈(1170) 내부에 일부 채워진 후, 액 공급 노즐(1100)의 표면을 타고 아래 방향으로 흐르면서 액 공급 노즐(1100)의 외측면을 세척한다.The groove 1170 is provided on the surface of the liquid supply nozzle 1100. The groove 1170 is provided in a ring shape when viewed from the top. The cleaning member 1300 is arranged to supply the cleaning liquid directly toward the groove 1170. After the cleaning solution supplied from the cleaning member 1300 is partially filled into the groove 1170, the cleaning solution 1300 flows downward through the surface of the liquid supply nozzle 1100, thereby cleaning the outer surface of the liquid supply nozzle 1100.

도 12를 참조하면, 액 공급 노즐(1100)은 다른 실시예로써, 홈(1170)이 나선 형태로 제공될 수 있다. 홈(1170)이 나선 형태로 제공될 경우, 액 공급 노즐(1100)은 회전되지 않게 제공된다. 액 공급 노즐(1100) 회전 없이 세척액이 나선형태의 홈(1170)을 따라 흐르면서 아래로 흘러 액 공급 노즐(1100)의 표면을 세척하게 된다.12, in another embodiment, the liquid supply nozzle 1100 may be provided with a groove 1170 in a spiral form. When the groove 1170 is provided in a spiral form, the liquid supply nozzle 1100 is provided not to rotate. The washing liquid flows down along the spiral groove 1170 without rotating the liquid supply nozzle 1100 to clean the surface of the liquid supply nozzle 1100.

도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 액 공급 노즐을 세척하는 방법을 나타내는 플로우차트이다. 도 15와 도 16은 각각 세척액 및 건조 가스로 액 공급 노즐을 세척하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.14 is a flowchart illustrating a method of cleaning a liquid supply nozzle according to an embodiment of the present invention. 15 and 16 are views sequentially illustrating a process of washing a liquid supply nozzle with a washing liquid and a drying gas, respectively.

도 14 내지 도 16을 참조하면, 액 공급 노즐을 세척하는 방법은, 세척단계(S1000)와, 건조단계(S2000)를 포함한다. 세척단계(S1000)에서 액 공급 노즐(1100)은 대기 포트에 위치된 상태에서 회전되기 시작한다. 세척 부재(1300)가 회전하는 액 공급 노즐(1100)을 향해 세척액을 공급한다. 이때, 세척 부재(1300)는 홈(1170)을 향해 세척액을 직접 분사한다. 14 to 16, the method of washing the liquid supply nozzle includes a washing step S1000 and a drying step S2000. In the washing step (S1000), the liquid supply nozzle 1100 starts to rotate in a state where it is located in the standby port. The cleaning member 1300 supplies the cleaning solution toward the rotating liquid supply nozzle 1100. At this time, the cleaning member 1300 directly sprays the cleaning liquid toward the groove 1170.

건조단계(S2000)에서 세척 부재(1300)는 세척액 공급을 중단하고, 액 공급 노즐(1100)을 향해 건조가스를 공급한다.In the drying step S2000, the cleaning member 1300 stops the supply of the cleaning liquid and supplies the dry gas toward the liquid supply nozzle 1100.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. 4 and 5, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. These buffer chambers are hereinafter referred to as front buffers 3802 (front buffer). The front end buffers 3802 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other along the vertical direction. The other portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40. These buffer chambers are called rear buffers 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural numbers and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front end buffers 3802 and the back end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates (W). The substrate W stored in the front end buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3420. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is loaded or unloaded by the transfer robot 3420 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b include the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a. Are provided in a substantially similar structure and arrangement, and thus description thereof is omitted. However, in the developing block 30b, the liquid processing chambers 3600 are all provided to the developing chamber 3600 which supplies the developing solution to develop the substrate.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.The upper end of the interface frame 4100 may be provided with a fan filter unit to form a downdraft therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the addition process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. Can be. The plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. The additional process chambers 4200 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W to be transported between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the development block 30b temporarily stays during the transport. The interface buffer 4400 may be provided in plurality, and the plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The conveying member 4600 may be provided by one or a plurality of robots. According to one example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 conveys the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( The substrate W may be transported between 50, and a second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, the hand moving forward and backward, rotating about an axis parallel to the Z axis direction 16, and Z It may be provided to be movable along the axial direction 16.

위와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예에 의하면, 세척액 공급 중 액 공급 노즐(1100)이 회전하게 되므로, 액 공급 노즐(1100)의 표면이 빠짐없이 세척된다. 특히, 액 공급 노즐(1100)에 홈(1170)이 제공되므로, 세척액이 더 원활히 액 공급 노즐(1110)의 표면에 확산될 수 있다.According to one embodiment of the present invention configured as described above, since the liquid supply nozzle 1100 is rotated during the supply of the cleaning liquid, the surface of the liquid supply nozzle 1100 is washed without omission. In particular, since the groove 1170 is provided in the liquid supply nozzle 1100, the washing liquid may be more smoothly diffused onto the surface of the liquid supply nozzle 1110.

이상 상세한 설명은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 바탕으로 상세히 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판을 처리하는 모든 장치에 적용 가능하다.The detailed description has been described in detail based on the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the example described above, and is applicable to any apparatus for processing a substrate.

앞서 상세한 설명에서는, 액 공급 노즐(1100)이 제1방향(D1)을 따라 복수개가 배열된 것으로 설명하였다. 그러나, 액 공급 노즐(1100)이 1개만 제공되고, 세척부재(1300)도 1개만 제공될 수도 있을 것이다. 또한, 액 공급 노즐(1100)에 홈(1170)이 제공된 것으로 설명하였으나, 액 공급 노즐(1100)에 홈(1170)이 제공되지 않을 수도 있을 것이다. In the above detailed description, it has been described that the liquid supply nozzle 1100 is arranged in plural along the first direction D1. However, only one liquid supply nozzle 1100 may be provided, and only one cleaning member 1300 may be provided. In addition, although the groove 1170 is described as being provided in the liquid supply nozzle 1100, the groove 1170 may not be provided in the liquid supply nozzle 1100.

또한, 앞서 상세한 설명에서는, 세척액 공급시 액 공급 노즐(1100)이 회전되는 상태인 것으로 설명하였다. 그러나, 액 공급 노즐(1100)이 정지된 상태에서 세척액을 공급받고, 홈(1170)에 충분한 용량의 세척액이 모인 후, 액 공급 노즐(1100)이 회전해 상대적으로 큰 두께의 세척액을 액 공급 유닛(1100) 표면에 확산시킬 수도 있을 것이다.In addition, in the above detailed description, it was described that the liquid supply nozzle 1100 is rotated when the washing liquid is supplied. However, after the washing liquid is supplied while the liquid supply nozzle 1100 is stopped and the washing liquid of sufficient capacity is collected in the groove 1170, the liquid supply nozzle 1100 rotates to supply the washing liquid having a relatively large thickness. (1100) may be diffused to the surface.

경우에 따라서는, 세척단계(S1000) 중 액 공급 노즐(1100)의 회전수가 변경될 수도 있을 것이다. 세척단계(S1000) 중 세척 부재(1300)는 세척액 공급 방향을 상하 좌우로 이동시킬 수도 있을 것이다.In some cases, the rotation speed of the liquid supply nozzle 1100 may be changed during the cleaning step S1000. The washing member 1300 during the washing step S1000 may move the washing liquid supply direction up and down and left and right.

1000: 액 공급 유닛 1100: 액 공급 노즐
1110: 베어링 1170: 홈
1200: 지지대 1210: 노즐 구동기
1300: 세척 부재 1310: 세척액 공급부
1320: 건조 가스 공급부 D1: 제1방향
D2: 제2방향1000: liquid supply unit 1100: liquid supply nozzle
1110: bearing 1170: groove
1200: support 1210: nozzle driver
1300: cleaning member 1310: cleaning solution supply
1320: dry gas supply unit D1: first direction
D2: second direction

Claims (17)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
상부가 개방된 처리 공간을 가지는 컵;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛;
상기 지지유닛에 지지된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 노즐을 가지는 액 공급 유닛을 포함하며,
상기 액 공급 유닛은,
상기 액 공급 노즐을 지지하는 지지대;
상기 액 공급 노즐의 외측면을 향해 세척액을 공급하는 세척 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A cup having a processing space open at the top;
A support unit for supporting a substrate in the processing space;
A liquid supply unit having a liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit,
The liquid supply unit,
A support for supporting the liquid supply nozzle;
And a cleaning member for supplying a cleaning liquid toward an outer surface of the liquid supply nozzle.
제1항에 있어서,
상기 세척 부재는 상기 지지대에 장착된 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the cleaning member is mounted to the support.
제2항에 있어서,
상기 액 공급 유닛에는, 상기 액 공급 노즐이 복수개 제공되고,
상기 세척 부재는 복수개의 상기 액 공급 노즐 각각에 대응되도록 복수개가 제공된 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The liquid supply unit is provided with a plurality of liquid supply nozzles,
And a plurality of cleaning members are provided to correspond to each of the plurality of liquid supply nozzles.
제3항에 있어서,
상기 복수개의 액 공급 노즐은, 제1방향을 따라 배열되고,
상기 세척 부재 및 이와 대응되는 상기 액 공급 노즐은 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The plurality of liquid supply nozzles are arranged along the first direction,
And the cleaning member and the liquid supply nozzle corresponding thereto are arranged along a second direction perpendicular to the first direction.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서,
상기 액 공급 노즐은, 그 길이방향의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 상기 지지대에 장착된 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the liquid supply nozzle is mounted to the support so as to be rotatable about the central axis in the longitudinal direction.
제5항에 있어서,
상기 세척 부재는,
상기 액 공급 노즐을 향해 상기 세척액을 분사하는 세척액 공급부와,
상기 액 공급 노즐을 향해 건조 가스를 분사하는 건조 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The cleaning member,
A washing liquid supply unit spraying the washing liquid toward the liquid supply nozzle;
And a dry gas supply unit for injecting dry gas toward the liquid supply nozzle.
제5항에 있어서,
상기 액 공급 노즐의 표면에 홈이 제공된 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
A substrate processing apparatus provided with a groove on the surface of the liquid supply nozzle.
제7항에 있어서,
상기 홈은 상부에서 바라볼 때 링 형상인 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
The groove is substrate processing apparatus having a ring shape when viewed from the top.
제8항에 있어서,
상기 세척 부재는, 상기 홈을 향해 직접 세척액을 공급하도록 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 8,
The cleaning member is provided to supply a cleaning liquid directly toward the groove.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나에 있어서,
상기 액 공급 노즐에 나선 형상의 홈이 형성된 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
A substrate processing apparatus in which a spiral groove is formed in the liquid supply nozzle.
기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛에 있어서,
기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 노즐;
상기 액 공급 노즐을 지지하는 지지대;
상기 지지대에 설치되고, 상기 액 공급 노즐의 외측면에 세척액을 공급하는 세척 부재를 포함하는 액 공급 유닛.
In the liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate,
A liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate;
A support for supporting the liquid supply nozzle;
And a cleaning member installed on the support and supplying a cleaning liquid to an outer surface of the liquid supply nozzle.
제11항에 있어서,
상기 액 공급 노즐은, 그 길이방향 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 액 공급 유닛.
The method of claim 11,
The liquid supply nozzle is provided to be rotatable about the longitudinal center axis thereof.
제12항에 있어서,
상기 액 공급 노즐의 표면에 링 형상의 홈이 제공된 액 공급 유닛.
The method of claim 12,
A liquid supply unit provided with a ring-shaped groove on the surface of the liquid supply nozzle.
제11항에 있어서,
상기 액 공급 노즐의 표면에 나선 형상의 홈이 제공된 액 공급 유닛.
The method of claim 11,
A liquid supply unit provided with a spiral groove on the surface of the liquid supply nozzle.
제13항에 있어서,
상기 세척 부재는 상기 홈을 향해 세척액을 직접 공급하도록 제공된 액 공급 유닛.
The method of claim 13,
And the cleaning member is provided to directly supply the cleaning liquid toward the groove.
상기 청구항 12의 액 공급 유닛에서 상기 액 공급 노즐을 세척하는 방법에 있어서,
상기 세척 부재가 상기 액 공급 노즐로 세척액을 토출하는 동안에 상기 액 공급 노즐은 그 중심축을 기준으로 회전되는 액 공급 노즐의 세척 방법.
In the method of washing the liquid supply nozzle in the liquid supply unit of claim 12,
And the liquid supply nozzle is rotated about its central axis while the cleaning member discharges the cleaning liquid to the liquid supply nozzle.
제16항에 있어서,
상기 액 공급 노즐은 그 표면에 링 형상의 홈이 형성되고,
상기 세척 부재는 상기 홈을 향해 세척액을 공급하는 액 공급 노즐의 세척 방법.The method of claim 16,
The liquid supply nozzle is formed with a ring-shaped groove on the surface thereof,
And the cleaning member supplies a cleaning liquid toward the groove.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001334198A (en) * 2000-03-24 2001-12-04 Tokyo Electron Ltd Coat processing method and coat processing device
KR100489654B1 (en) * 1998-05-25 2005-08-01 삼성전자주식회사 Cleaning device for chemical injection nozzle
KR20070036865A (en) 2005-09-30 2007-04-04 세메스 주식회사 A cleaning device of a nozzle

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100489654B1 (en) * 1998-05-25 2005-08-01 삼성전자주식회사 Cleaning device for chemical injection nozzle
JP2001334198A (en) * 2000-03-24 2001-12-04 Tokyo Electron Ltd Coat processing method and coat processing device
KR20070036865A (en) 2005-09-30 2007-04-04 세메스 주식회사 A cleaning device of a nozzle

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