KR20190134577A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20190134577A
KR20190134577A KR1020190154362A KR20190154362A KR20190134577A KR 20190134577 A KR20190134577 A KR 20190134577A KR 1020190154362 A KR1020190154362 A KR 1020190154362A KR 20190154362 A KR20190154362 A KR 20190154362A KR 20190134577 A KR20190134577 A KR 20190134577A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
gas injection
plasma
space
Prior art date
Application number
KR1020190154362A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102176986B1 (en
Inventor
한정훈
이상돈
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020190154362A priority Critical patent/KR102176986B1/en
Publication of KR20190134577A publication Critical patent/KR20190134577A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102176986B1 publication Critical patent/KR102176986B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method for processing a substrate, comprising the following steps of: (A) mounting at least one substrate on a substrate support unit installed in a process chamber; (B) rotating the substrate support unit on which the substrate is mounted; and (C) locally spraying a source gas, a reaction gas, and a purge gas onto the substrate support unit, wherein the step (C) includes spraying the source gas to a first space division area, spraying the purge gas to a second space division area, spraying the reaction gas to a third space division area, and spraying the purge gas to a fourth space division area, and the step (B) includes rotating the substrate support unit so that the substrate sequentially passes through the first space division area to which the source gas is sprayed, the second space division area to which the purge gas is sprayed, the third space division area to which the reaction gas is sprayed, and the fourth space division area to which the purge gas is sprayed.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, a substrate processing apparatus and a substrate using the substrate processing apparatus to increase the deposition uniformity of the thin film deposited on the substrate by spatially separating the source gas and the reactive gas injected on the substrate. It is about a processing method.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern should be formed on a surface of a substrate. Semiconductor manufacturing processes such as a thin film deposition process, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by removing the thin film of the selectively exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed in an optimal environment for the process, and in recent years, many substrate processing apparatuses that perform deposition or etching processes using plasma are widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.The substrate processing apparatus using plasma includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for etching and patterning a thin film.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a chamber 10, a plasma electrode 20, a susceptor 30, and a gas ejection means 40.

챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.Chamber 10 provides a reaction space for a substrate processing process. At this time, one bottom surface of the chamber 10 communicates with an exhaust port 12 for exhausting the reaction space.

플라즈마 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The plasma electrode 20 is installed above the chamber 10 to seal the reaction space.

플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.One side of the plasma electrode 20 is electrically connected to an RF (Radio Frequency) power source 24 through the matching member 22. In this case, the RF power source 24 generates RF power and supplies the RF power to the plasma electrode 20.

또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.In addition, the central portion of the plasma electrode 20 is in communication with the gas supply pipe 26 for supplying the source gas for the substrate processing process.

정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching member 22 is connected between the plasma electrode 20 and the RF power supply 24 to match the load impedance and the source impedance of the RF power supplied from the RF power supply 24 to the plasma electrode 20.

서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The susceptor 30 supports a plurality of substrates W installed in the chamber 10 and loaded from the outside. The susceptor 30 is an opposing electrode facing the plasma electrode 20, and is electrically grounded through the lifting shaft 32 for elevating the susceptor 30.

승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The lifting shaft 32 is lifted up and down by a lifting device (not shown). At this time, the lifting shaft 32 is wrapped by the bellows 34 sealing the lifting shaft 32 and the bottom surface of the chamber 10.

가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사홀(44)을 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed below the plasma electrode 20 so as to face the susceptor 30. At this time, a gas diffusion space 42 through which the source gas supplied from the gas supply pipe 26 penetrating the plasma electrode 20 is formed between the gas injection means 40 and the plasma electrode 20. The gas injection means 40 uniformly injects the source gas to the entire portion of the reaction space through the plurality of gas injection holes 44 communicated with the gas diffusion space 42.

이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사함과 아울러 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급해 반응 공간에 전자기장을 형성함으로써 상기 전자기장에 의해 기판(W) 상에 형성되는 플라즈마를 이용해 기판(W) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.Such a general substrate processing apparatus loads the substrate W into the susceptor 30, and then sprays a predetermined source gas into the reaction space of the chamber 10 and supplies RF power to the plasma electrode 20. By forming an electromagnetic field in the reaction space, a predetermined thin film on the substrate W is formed by using a plasma formed on the substrate W by the electromagnetic field.

그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 상기 소스 가스가 분사되는 공간과 상기 플라즈마가 형성되는 공간이 동일하기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다.However, the general substrate processing apparatus has the following problems because the space where the source gas is injected and the space where the plasma is formed are the same.

첫째, 기판(W) 상에 플라즈마가 형성되기 때문에 플라즈마에 의해 기판(W)이 손상될 수 있다.First, since plasma is formed on the substrate W, the substrate W may be damaged by the plasma.

둘째, 서셉터의 상부 전영역에 형성되는 플라즈마 밀도의 불균일로 인하여 기판(W)에 증착되는 박막 물질의 균일도가 불균일하고, 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.Second, the uniformity of the thin film material deposited on the substrate W is uneven due to the nonuniformity of the plasma density formed in the entire upper region of the susceptor, and there is a difficulty in controlling the film quality of the thin film material.

셋째, 서셉터의 상부 전영역에 플라즈마가 형성되기 때문에 기판(W)이 아닌 공정 챔버 내에 증착되는 소스 물질의 누적 두께가 빠르게 증가함으로써 공정 챔버의 세정 주기가 짧아지게 된다.Third, since plasma is formed in the entire upper region of the susceptor, the cumulative thickness of the source material deposited in the process chamber rather than the substrate W is rapidly increased, thereby shortening the cleaning cycle of the process chamber.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems. A substrate treating apparatus and a substrate treating method using the same may further increase the deposition uniformity of a thin film deposited on a substrate by spatially separating a source gas and a reactive gas injected onto a substrate. To provide a technical problem.

또한, 본 발명은 박막의 막질 제어를 용이하게 하고, 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same, which facilitate the film quality control of the thin film and minimize the cumulative thickness deposited in the chamber to improve particles.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 방사 형태로 설치되어 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되며, 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간의 내측과 외측 사이에 상이한 밀도를 가지는 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support at least one substrate; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; And a plurality of gas injection modules installed in the chamber lid in a radial form so as to oppose the substrate support locally, and locally inject gas supplied to at least one gas injection space provided between the ground electrodes onto the substrate support. And a gas injection unit having a gas injection module, wherein some of the gas injection modules form plasma having different densities between the inside and the outside of the gas injection space.

상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스 중 어느 한 종류의 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Part of the gas injection module is characterized in that any one of a source gas, a reaction gas, and a purge gas to be supplied to the gas injection space into a plasma to spray on the substrate.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 상기 일부의 가스 분사 모듈은 가스 분사 공간에 공급되는 반응 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하고; 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되어 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 그대로 기판 상에 분사하거나 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Part of the gas injection module of the plurality of gas injection module to plasma the reaction gas supplied to the gas injection space and to spray on the substrate; Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is alternately disposed with the partial gas injection modules to supply a source gas, a reaction gas, a mixed gas of the source gas and the reaction gas, and a purge gas supplied to a gas injection space. Any type of gas selected from among the above is characterized in that it is sprayed on the substrate as it is or the plasma is sprayed on the substrate.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 방사 형태로 설치되어 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되며, 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 접지 전극들 사이에 배치되도록 상기 가스 분사 공간에 삽입 설치되되, 상기 가스 분사 공간의 내측과 외측 사이에 상이한 면적을 가지도록 형성된 플라즈마 전극 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support at least one substrate; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; And a plurality of gas injection modules installed in the chamber lid in a radial form so as to oppose the substrate support locally, and locally inject gas supplied to at least one gas injection space provided between the ground electrodes onto the substrate support. And a gas injection unit having a gas injection unit, wherein some of the plurality of gas injection modules are inserted into the gas injection space so as to be disposed between the ground electrodes, and have a different area between the inside and the outside of the gas injection space. It characterized in that it comprises a plasma electrode member formed to have a.

상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스 중 어느 한 종류의 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.The gas injection module may plasma-inject one of a source gas, a reaction gas, and a purge gas into the substrate according to the plasma power supplied to the plasma electrode member and inject the gas into a substrate. It is done.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간에 공급되는 반응 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.The gas injection module of the plurality of gas injection modules may plasma-react the reaction gas supplied to the gas injection space according to the plasma power supplied to the plasma electrode member to inject the plasma onto the substrate.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되고; 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 그대로 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is alternately disposed with the partial gas injection modules; A source gas, a reactive gas, a mixed gas of the source gas and the reactive gas, and a purge gas, which are supplied to the gas injection space, are sprayed onto the substrate as it is.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 가스 분사 공간에 삽입 설치된 상기 플라즈마 전극 부재를 포함하도록 구성되어 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되고; 상기 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is configured to include the plasma electrode member inserted into the gas injection space and alternately disposed with the partial gas injection modules; Plasmaize any one kind of gas selected from a source gas, a reaction gas, a mixed gas of the source gas and the reaction gas, and a purge gas supplied to a gas injection space according to the plasma power supplied to the plasma electrode member. It is characterized by spraying on.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 방사 형태로 설치되어 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되며, 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 활성화하여 상기 기판 상에 분사하며, 상기 기판 상에 분사되는 활성화된 가스는 상기 기판의 내측과 외측 간에 상이한 활성화 밀도를 가지는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support at least one substrate; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; And a plurality of gas injection modules installed in the chamber lid in a radial form so as to oppose the substrate support locally, and locally inject gas supplied to at least one gas injection space provided between the ground electrodes onto the substrate support. And a gas injection unit having a gas injection module, wherein a part of the gas injection modules of the plurality of gas injection modules activates the gas supplied to the gas injection space and injects the gas onto the substrate. It is characterized by having a different activation density between the inside and outside of the substrate.

상기 기판 상에 분사되는 활성화된 가스는 상기 기판의 내측에서 외측으로 갈수록 증가하는 활성화 밀도를 가지는 것을 특징으로 한다.The activated gas injected onto the substrate has an activation density that increases from the inside to the outside of the substrate.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 한다.Some of the gas injection modules of the plurality of gas injection modules may form a plasma in the gas injection space to activate the gas.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 상기 일부의 가스 분사 모듈은 가스 분사 공간에 공급되는 반응 가스를 활성화하여 기판 상에 분사하고; 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되어 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 그대로 기판 상에 분사하거나 활성화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.A part of the gas injection modules of the plurality of gas injection modules activates a reaction gas supplied to a gas injection space and sprays the reaction gas onto a substrate; Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is alternately disposed with the partial gas injection modules to supply a source gas, a reaction gas, a mixed gas of the source gas and the reaction gas, and a purge gas supplied to a gas injection space. It is characterized in that the injection of any one kind of gas selected from the as it is or sprayed on the substrate as it is activated.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A); 상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 방사 형태로 배치되고 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간을 가지는 복수의 가스 분사 모듈을 통해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함하며, 상기 단계(C)에서, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간의 내측과 외측 사이에 상이한 밀도를 가지는 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: mounting at least one substrate on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And a gas supplied to the gas ejection space through a plurality of gas ejection modules disposed radially in a chamber lid covering the upper portion of the process chamber and having at least one gas ejection space provided between ground electrodes. And (C) locally injecting the gas injection modules of the plurality of gas injection modules to form plasma having different densities between the inside and the outside of the gas injection space. The gas supplied to the gas injection space is plasma-formed and sprayed onto the substrate.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A); 상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 방사 형태로 배치되고 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간을 가지는 복수의 가스 분사 모듈을 통해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함하며, 상기 단계(C)에서, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간의 내측과 외측 사이에 상이한 면적을 가지도록 형성되어 상기 접지 전극들 사이에 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: mounting at least one substrate on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And a gas supplied to the gas ejection space through a plurality of gas ejection modules disposed radially in a chamber lid covering the upper portion of the process chamber and having at least one gas ejection space provided between ground electrodes. And (C) locally injecting the gas injector into the gas injecting space, wherein the gas injecting module of some of the plurality of gas injecting modules is formed to have a different area between an inner side and an outer side of the gas injecting space. In accordance with the plasma power supplied to the plasma electrode member disposed between the ground electrode to form a plasma in the gas injection space, characterized in that the gas is plasma-injected onto a substrate.

상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스 중 어느 한 종류의 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Part of the gas injection module is characterized in that any one of a source gas, a reaction gas, and a purge gas to be supplied to the gas injection space into a plasma to spray on the substrate.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 상기 일부의 가스 분사 모듈은 가스 분사 공간에 공급되는 반응 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사하고; 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되어 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 그대로 기판 상에 분사하거나 플라즈마화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.Part of the gas injection module of the plurality of gas injection module to plasma the reaction gas supplied to the gas injection space and to spray on the substrate; Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is alternately disposed with the partial gas injection modules to supply a source gas, a reaction gas, a mixed gas of the source gas and the reaction gas, and a purge gas supplied to a gas injection space. Any type of gas selected from among the above is characterized in that it is sprayed on the substrate as it is or the plasma is sprayed on the substrate.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A); 상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 방사 형태로 배치되고 접지 전극들 사이에 마련된 적어도 하나의 가스 분사 공간을 가지는 복수의 가스 분사 모듈을 통해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함하며, 상기 단계(C)에서, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 활성화하여 상기 기판 상에 분사하며, 상기 기판 상에 분사되는 활성화된 가스는 상기 기판의 내측과 외측 간에 상이한 활성화 밀도를 가지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: mounting at least one substrate on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And a gas supplied to the gas ejection space through a plurality of gas ejection modules disposed radially in a chamber lid covering the upper portion of the process chamber and having at least one gas ejection space provided between ground electrodes. And (C) locally injecting the gas into the gas ejection space by activating a gas supplied to the gas ejection space. The activated gas injected onto the substrate has a different activation density between the inside and the outside of the substrate.

상기 기판 상에 분사되는 활성화된 가스는 상기 기판의 내측에서 외측으로 갈수록 증가하는 활성화 밀도를 가지는 것을 특징으로 한다.The activated gas injected onto the substrate has an activation density that increases from the inside to the outside of the substrate.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스를 활성화시키는 것을 특징으로 한다.Some of the gas injection modules of the plurality of gas injection modules may form a plasma in the gas injection space to activate the gas.

상기 복수의 가스 분사 모듈 중 상기 일부의 가스 분사 모듈은 가스 분사 공간에 공급되는 반응 가스를 활성화하여 기판 상에 분사하고; 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 각각은 상기 일부의 가스 분사 모듈과 교대로 배치되어 가스 분사 공간에 공급되는 소스 가스, 반응 가스, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스의 혼합 가스, 및 퍼지 가스 중에서 선택되는 어느 한 종류의 가스를 그대로 기판 상에 분사하거나 활성화하여 기판 상에 분사하는 것을 특징으로 한다.A part of the gas injection modules of the plurality of gas injection modules activates a reaction gas supplied to a gas injection space and sprays the reaction gas onto a substrate; Each of the remaining gas injection modules of the plurality of gas injection modules is alternately disposed with the partial gas injection modules to supply a source gas, a reaction gas, a mixed gas of the source gas and the reaction gas, and a purge gas supplied to a gas injection space. It is characterized in that the injection of any one kind of gas selected from the as it is or sprayed on the substrate as it is activated.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 설치되어 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함할 수 있다. 상기 복수의 가스 분사 모듈 중에서 일부의 가스 분사 모듈은 퍼지 가스가 공급되는 복수개의 가스 분사 공간을 포함하되, 상기 가스 분사 공간들 중에서 일부의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention comprises a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support at least one substrate; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; And a gas injector installed in the chamber lid and having a plurality of gas injector modules that locally inject gas onto the substrate support. Some gas injection modules of the plurality of gas injection modules may include a plurality of gas injection spaces to which purge gas is supplied, and plasma may be formed in some gas injection spaces among the gas injection spaces.

본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 일부의 가스 분사 공간에 형성된 플라즈마를 이용하여 퍼지 가스를 플라즈마화하여 분사할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the partial gas injection module may inject the purge gas into plasma using plasma formed in the gas injection space.

본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 가스 분사 공간들 중에서 상기 일부의 가스 분사 공간을 제외한 나머지 가스 분사 공간에 공급되는 퍼지 가스를 그대로 분사할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the gas injection module may partially inject the purge gas supplied to the gas injection space other than the gas injection space of the gas injection spaces.

본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 일부의 가스 분사 모듈은 상기 일부의 가스 분사 공간에만 배치되는 플라즈마 전극 부재를 포함하되, 상기 일부의 가스 분사 공간을 통해 플라즈마화된 퍼지 가스를 분사함과 아울러 상기 가스 분사 공간들 중에서 상기 일부의 가스 분사 공간을 제외한 나머지 가스 분사 공간을 통해 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스를 분사할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the part of the gas injection module includes a plasma electrode member disposed only in the part of the gas injection space, and injecting the plasmaized purge gas through the part of the gas injection space and In addition, the purge gas in a non-plasma state may be injected through the gas injection spaces excluding the gas injection spaces of the gas injection spaces.

본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 상기 일부의 가스 분사 모듈은 개구부가 마련된 접지 프레임, 상기 접지 프레임에 삽입되는 절연 부재, 및 상기 절연 부재에 삽입되는 플라즈마 전극 부재를 포함할 수 있다. 상기 접지 프레임은 상기 개구부를 공간적으로 분리하여 상기 가스 분사 공간들을 마련하는 접지 격벽 부재를 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 전극 부재는 상기 일부의 가스 분사 공간에만 배치되도록 상기 절연 부재에 삽입될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the gas injection module may include a ground frame having an opening, an insulating member inserted into the ground frame, and a plasma electrode member inserted into the insulating member. The ground frame may include a ground partition member that spatially separates the opening to provide the gas injection spaces. The plasma electrode member may be inserted into the insulating member so as to be disposed only in the partial gas injection space.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A); 상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함할 수 있다. 상기 단계(C)는 제 1 공간 분할 영역에 상기 소스 가스를 분사하고, 제 2 공간 분할 영역에 플라즈마화된 퍼지 가스를 분사하며, 제 3 공간 분할 영역에 상기 반응 가스를 분사하고, 제 4 공간 분할 영역에 플라즈마화된 퍼지 가스를 분사할 수 있다. 상기 단계(B)는 상기 기판이 상기 소스 가스가 분사된 제 1 공간 분할 영역, 상기 플라즈마화된 퍼지 가스가 분사된 제 2 공간 분할 영역, 상기 반응 가스가 분사된 제 3 공간 분할 영역, 및 상기 플라즈마화된 퍼지 가스가 분사된 제 4 공간 분할 영역을 순차적으로 통과하도록 상기 기판 지지부를 회전시킬 수 있다.The substrate processing method according to the present invention comprises the steps of (A) seating at least one substrate on a substrate support installed in the process chamber; Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And (C) locally injecting a source gas, a reaction gas, and a purge gas onto the substrate support. In the step (C), the source gas is injected into a first space divided region, the plasma purged gas is injected into a second space divided region, the reaction gas is injected into a third space divided region, and a fourth space is provided. Plasmaized purge gas may be injected into the divided region. In the step (B), the substrate may include a first spatial division region in which the source gas is injected, a second spatial division region in which the plasmalized purge gas is injected, a third spatial division region in which the reactive gas is injected, and the The substrate support may be rotated so as to sequentially pass through the fourth space division region where the plasmated purge gas is injected.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A); 상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함할 수 있다. 상기 단계(C)는 제 1 공간 분할 영역에 소스 가스를 분사하고, 제 2 공간 분할 영역에 퍼지 가스를 분사하며, 제 3 공간 분할 영역에 플라즈마화된 반응 가스를 분사하고, 제 4 공간 분할 영역에 퍼지 가스를 분사할 수 있다. 상기 단계(B)는 상기 기판이 상기 소스 가스가 분사된 제 1 공간 분할 영역, 상기 퍼지 가스가 분사된 제 2 공간 분할 영역, 상기 플라즈마화된 반응 가스가 분사된 제 3 공간 분할 영역, 및 상기 퍼지 가스가 분사된 제 4 공간 분할 영역을 순차적으로 통과하도록 상기 기판 지지부를 회전시킬 수 있다.The substrate processing method according to the present invention comprises the steps of (A) seating at least one substrate on a substrate support installed in the process chamber; Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And (C) locally injecting a source gas, a reaction gas, and a purge gas onto the substrate support. In step (C), the source gas is injected into the first space divided region, the purge gas is injected into the second space divided region, the plasma reacted reaction gas is injected into the third space divided region, and the fourth space divided region is used. Purge gas can be injected into the. In the step (B), the substrate may include a first spatial division region in which the source gas is injected, a second spatial division region in which the purge gas is injected, a third spatial division region in which the plasmalized reaction gas is injected, and the The substrate support may be rotated so as to sequentially pass through the fourth space division region through which the purge gas is injected.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 다음과 같은 효과가 있다.According to the means for solving the above problems, the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the present invention has the following effects.

첫째, 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되어 배치된 복수의 가스 분사 모듈 각각의 내부에 플라즈마를 형성하여 플라즈마에 의해 플라즈마화된 가스를 기판 상에 분사함으로써 플라즈마에 의한 기판의 손상을 방지할 수 있다.First, plasma damage may be prevented by forming a plasma in each of the plurality of gas injection modules disposed spatially separated on the substrate support to inject a gas plasmad by the plasma onto the substrate.

둘째, 복수의 가스 분사 모듈 각각을 통해 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 복수의 기판 상에 국부적으로 분사함으로써 각 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 공정 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있다.Second, by spatially separating the source gas and the reaction gas through each of the plurality of gas injection modules to locally spray on the plurality of substrates, the deposition uniformity of the thin films deposited on each substrate may be increased, and the film quality of the thin films may be easily controlled. It is possible to improve the particles by minimizing the cumulative thickness deposited in the process chamber.

셋째, 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈에 설치된 방사 형태의 플라즈마 전극 부재를 이용하여 가스 공급 공간의 내측에서 외측으로 점점 증가하는 밀도를 가지는 플라즈마를 형성해 가스를 플라즈마화하여 기판 상에 분사함으로써 기판 지지부의 회전에 따른 기판의 영역별 각속도 편차를 보상하여 기판의 전체 영역에 균일한 두께의 박막 물질을 형성할 수 있다.Third, a plasma having a density gradually increasing from the inside of the gas supply space to the outside is formed by using a radial plasma electrode member installed in at least one gas injection module of the plurality of gas injection modules, thereby converting the gas into a plasma on the substrate. By spraying, the angular velocity variation for each region of the substrate due to the rotation of the substrate support may be compensated to form a thin film material having a uniform thickness in the entire region of the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈에서 분사되는 가스를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 기판 지지부의 회전에 따른 각속도 편차의 보상 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 가스 분사 모듈을 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 6은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 배면 사시도 및 배면도이다.
도 7은 도 5에 도시된 I-I' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 가스 분사부의 다양한 구동 방법을 설명하기 위한 파형도이다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 도 14에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 발명의 변형 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 다양한 변형 실시 예를 설명하기 위한 표이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a gas injected from the gas injection module shown in FIG.
FIG. 4 is a plan view illustrating a method of compensating an angular velocity deviation according to the rotation of the substrate support shown in FIG. 2.
FIG. 5 is an exploded perspective view schematically illustrating the gas injection module illustrated in FIG. 2.
6 is a rear perspective view and a rear view for explaining the gas injection module shown in FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along the line II ′ of FIG. 5.
8 to 12 are waveform diagrams illustrating various driving methods of the gas injection unit in the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram for describing first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.
FIG. 14 is a diagram for describing first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present disclosure.
FIG. 15 is a diagram for describing a modification of the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 14.
16 is a table for describing various modified embodiments of the first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the modified embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈에서 분사되는 가스를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view for explaining a gas injected from the gas injection module shown in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.2 and 3, a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate support 120, and a gas injector 130. It is configured to include.

공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통된다.The process chamber 110 provides a reaction space for a substrate processing process (eg, a thin film deposition process). The bottom or side surface of the process chamber 110 is in communication with an exhaust pipe (not shown) for exhausting the gas of the reaction space.

챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 가스 분사부(130)가 삽입 설치되는 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)는 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격되도록 챔버 리드(115)에 방사 형태로 형성될 수 있다.The chamber lid 115 is installed on the process chamber 110 to cover the top of the process chamber 110 and is electrically grounded. The chamber lid 115 supports the gas injector 130 and includes a plurality of module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d into which the gas injector 130 is inserted. In this case, the plurality of module installation units 115a, 115b, 115c, and 115d may be radially formed in the chamber lid 115 so as to be spaced in units of 90 degrees so as to be symmetrical in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115. have.

도 2에서는 챔버 리드(115)가 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 이때, 복수의 모듈 설치부 각각은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 상호 대칭되도록 구비된다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.In FIG. 2, the chamber lid 115 is illustrated as having four module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d. However, the chamber lid 115 is not limited thereto, and the chamber lid 115 may be symmetrical to each other based on a center point. However, N may be provided with a module installation part of a natural number). At this time, each of the plurality of module mounting portion is provided to be mutually symmetrical in the diagonal direction with respect to the center point of the chamber lead 115. Hereinafter, it will be assumed that the chamber lid 115 includes the first to fourth module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d.

기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치되어 전기적으로 플로팅(Floating) 된다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.The substrate support part 120 is rotatably installed in the process chamber 110 and electrically floated. The substrate support part 120 is supported by a rotating shaft (not shown) penetrating the center bottom surface of the process chamber 110. The rotation shaft rotates in response to the driving of the shaft driving member (not shown) to rotate the substrate support part 120 in a predetermined direction (for example, counterclockwise direction). In addition, the rotating shaft exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 is sealed by a bellows (not shown) installed on the lower surface of the process chamber 110.

상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)는 원판 형태를 가질 수 있다. 그리고, 상기 기판(W)은 반도체 기판 또는 웨이퍼가 될 수 있다. 이 경우, 기판 처리 공정의 생산성 향상을 위해 기판 지지부(120)에는 복수의 기판(W)이 일정한 간격을 가지도록 원 형태로 배치되는 것이 바람직하다.The substrate support part 120 supports at least one substrate W loaded from an external substrate loading device (not shown). In this case, the substrate support part 120 may have a disc shape. In addition, the substrate W may be a semiconductor substrate or a wafer. In this case, in order to improve the productivity of the substrate processing process, the substrate support part 120 may be disposed in a circle shape such that the plurality of substrates W have a predetermined interval.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치된다. 이러한 가스 분사부(130)는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 상에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 분사함으로써 제 1 및 제 2 가스의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 각 기판(W) 상에 증착되도록 한다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d formed in the chamber lid 115. The gas injector 130 may react with the mutual reaction of the first and second gases by spatially separating and injecting the first and second gases onto the plurality of substrates W rotated by the rotation of the substrate supporter 120. Thereby allowing a predetermined thin film material to be deposited on each substrate W. FIG.

상기 제 1 가스는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)가 될 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 알루미늄(Al) 등을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)을 함유하여 이루어진 소스 가스는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.The first gas may be a source gas including a thin film material to be deposited on the substrate (W). The source gas may include silicon (Si), titanium group elements (Ti, Zr, Hf, etc.), aluminum (Al), and the like. For example, the source gas containing silicon (Si) may be silane (Silane; SiH 4), disilane (Disilane; Si 2 H 6), trisilane (Si 3 H 8), TEOS (Tetraethylorthosilicate), DCS (Dichlorosilane), HCD ( Hexachlorosilane), TriDMA dimethylaminosilane (TriDMAS), and trisylylamine (TSA).

상기 제 2 가스는 전술한 소스 가스와 반응하여 소스 가스에 함유된 박막 물질이 기판(W) 상에 증착되도록 하는 반응 가스(Reactant Gas)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The second gas may be made of a reactant gas that reacts with the above-described source gas so that the thin film material contained in the source gas is deposited on the substrate (W). For example, the reaction gas may be formed of at least one of nitrogen (N 2), oxygen (O 2), nitrogen dioxide (N 2 O), and ozone (O 3).

상기 가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치된 챔버 리드(115)에 방사 형태로 설치된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injector 130 is radially formed in the chamber leads 115 inserted into the first to fourth module installation parts 115a, 115b, 115c, and 115d of the chamber leads 115, respectively. It is configured to include the gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d).

제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 기판 지지부(120) 상의 공간적으로 분리되도록 정의된 제 1 내지 제 4 공간 분할 영역(SDA1, SDA2, SDA3, SDA4) 각각에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 하향 분사한다. 이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 공간 분할 영역(SDA1, SDA2, SDA3, SDA4)을 통과하게 되고, 이에 따라, 각 기판(W)의 상면에는 제 1 및 제 2 가스의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d may be disposed in each of the first to fourth spatial division regions SDA1, SDA2, SDA3, and SDA4 defined to be spatially separated on the substrate support 120. The first and second gases are spatially separated and injected downward. Accordingly, each of the plurality of substrates W mounted on the substrate support part 120 passes through the first to fourth spatial division regions SDA1, SDA2, SDA3, and SDA4 according to the rotation of the substrate support part 120. Accordingly, a predetermined thin film material is deposited on the upper surface of each substrate W by the mutual reaction of the first and second gases.

제 1 가스 분사 모듈(130a)은 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상의 소정 영역에 정의된 제 1 공간 분할 영역(SDA1)에 국부적으로 대향된다. 이러한, 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 기판 지지부(120) 상의 제 1 공간 분할 영역(SDA1)에 하향 분사한다.The first gas injection module 130a is inserted into and installed in the first module mounting portion 115a of the chamber lid 115 so as to locally face the first space division region SDA1 defined in a predetermined region on the substrate support 120. do. The first gas injection module 130a forms a plasma in at least one gas injection space to which the first gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing the first gas supplied to the gas injection space (or Activation) and downwardly spray the first plasmaized gas PG1 into the first spatial division region SDA1 on the substrate support 120.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 챔버 리드(115)의 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상의 소정 영역에 정의된 제 2 공간 분할 영역(SDA2)에 국부적으로 대향된다. 이때, 상기 제 2 공간 분할 영역(SDA2)은 전술한 제 1 공간 분할 영역(SDA1)과 공간적으로 분리된다. 이러한, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 2 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 기판 지지부(120) 상의 제 2 공간 분할 영역(SDA2)에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted into the second module mounting portion 115b of the chamber lid 115 and locally faces the second space division region SDA2 defined in a predetermined region on the substrate support 120. do. In this case, the second space partitioning area SDA2 is spatially separated from the first space partitioning area SDA1 described above. The second gas injection module 130b forms a plasma in at least one gas injection space to which the second gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing the second gas supplied to the gas injection space (or Activation), and the second plasmaized gas PG2 is injected downward into the second space division area SDA2 on the substrate support 120.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 챔버 리드(115)의 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상의 소정 영역에 정의된 제 3 공간 분할 영역(SDA3)에 국부적으로 대향된다. 이때, 상기 제 3 공간 분할 영역(SDA2)은 전술한 제 1 및 제 2 공간 분할 영역(SDA1, SDA2) 각각과 공간적으로 분리되고, 기판 지지부(120)의 중심부를 기준으로 제 1 공간 분할 영역(SDA1)과 대각선 방향을 따라 대칭된다. 이러한, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 기판 지지부(120) 상의 제 3 공간 분할 영역(SDA3)에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted into and installed in the third module mounting portion 115c of the chamber lid 115 so as to locally face the third space division region SDA3 defined in a predetermined region on the substrate support 120. do. In this case, the third spatial division area SDA2 is spatially separated from each of the above-described first and second spatial division areas SDA1 and SDA2, and the first spatial partition area SDA2 is based on the center of the substrate support part 120. SDA1) is symmetrical along the diagonal direction. The third gas injection module 130c forms a plasma in at least one gas injection space to which the first gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing the first gas supplied to the gas injection space (or Activation) and downwardly spray the plasmalized first gas PG1 into the third spatial division region SDA3 on the substrate support 120.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 챔버 리드(115)의 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상의 소정 영역에 정의된 제 4 공간 분할 영역(SDA4)에 국부적으로 대향된다. 이때, 상기 제 4 공간 분할 영역(SDA4)은 전술한 제 1 및 제 3 공간 분할 영역(SDA1, SDA3) 각각과 공간적으로 분리되고, 기판 지지부(120)의 중심부를 기준으로 제 2 공간 분할 영역(SDA2)과 대각선 방향을 따라 대칭된다. 이러한, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 2 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 기판 지지부(120) 상의 제 4 공간 분할 영역(SDA4)에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d is inserted into the fourth module mounting portion 115d of the chamber lid 115 and locally faces the fourth space division region SDA4 defined in a predetermined region on the substrate support 120. do. In this case, the fourth spatial division region SDA4 is spatially separated from each of the first and third spatial division regions SDA1 and SDA3 described above, and the second spatial division region S is based on the center of the substrate support 120. SDA2) and symmetrical along the diagonal direction. The fourth gas injection module 130d forms a plasma in at least one gas injection space to which the second gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing the second gas supplied to the gas injection space (or Activation), and the second plasmaized gas PG2 is injected downward into the fourth spatial division region SDA4 on the substrate support 120.

한편, 전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 고정된 상태에서 기판 지지부(120) 상의 공간 분할 영역(SDA1, SDA2, SDA3, SDA4) 각각에 가스를 국부적으로 분사하기 때문에 기판 지지부(120)의 회전에 따른 각속도에 따라 기판(W)의 영역마다 가스 노출 시간이 상이하게 된다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(120)의 중심부(CP)에 인접한 기판(W)의 내측 영역(IA)은 제 1 각속도(ω1)에 따라 회전하게 되고, 기판 지지부(120)의 외곽부에 인접한 기판(W)의 외측 영역(OA)은 제 2 각속도(ω2)에 따라 회전하게 된다. 이에 따라, 기판(W)의 외측 영역(OA)은 기판(W)의 내측 영역(IA)에 비해 상대적으로 빠르게 회전하기 때문에 기판(W)의 외측 영역(OA)의 가스 노출 시간은 기판(W)의 내측 영역(IA)에 비해 상대적으로 짧게 된다.On the other hand, each of the above-described first to fourth gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d) is a localized gas to each of the spatial partitions (SDA1, SDA2, SDA3, SDA4) on the substrate support 120 in a fixed state The gas exposure time is different for each region of the substrate W according to the angular velocity due to the rotation of the substrate support 120. For example, as shown in FIG. 4, the inner region IA of the substrate W adjacent to the central portion CP of the substrate support 120 rotates according to the first angular velocity ω1, and the substrate support portion ( The outer region OA of the substrate W adjacent to the outer portion of the 120 rotates according to the second angular velocity ω2. Accordingly, since the outer region OA of the substrate W rotates relatively quickly compared to the inner region IA of the substrate W, the gas exposure time of the outer region OA of the substrate W is determined by the substrate W. FIG. It becomes relatively short compared with the inner side area IA of ().

전술한 각속도에 따른 가스 노출 시간을 보상하기 위해, 본 발명에 따라 기판 처리 장치는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각의 가스 분사 공간에 형성되는 플라즈마의 밀도를 기판 지지부(120)의 중심부(CP)에 인접한 가스 분사 공간의 내측에서 외측으로 갈수록 높게 형성해 기판(W)의 외측 영역(OA)에 분사되는 플라즈마화된 가스의 플라즈마화 밀도(또는 량)를 증가시킨다. 여기서, 플라즈마화 밀도(또는 량)는 가스 분사 공간(212)에 형성되는 플라즈마에 의해 가스 분사 공간(212)에서 플라즈마화(또는 활성화)되는 가스의 양을 의미한다.In order to compensate the gas exposure time according to the aforementioned angular velocity, the substrate processing apparatus according to the present invention measures the density of the plasma formed in the gas injection space of each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d. It is formed from the inside of the gas injection space adjacent to the center portion CP of the substrate support part 120 toward the outside so as to increase the plasma density (or amount) of the plasmaized gas injected into the outer region OA of the substrate W. Let's do it. Here, the plasma density (or amount) refers to the amount of gas to be plasma (or activated) in the gas injection space 212 by the plasma formed in the gas injection space (212).

이와 같은, 본 발명에 따라 기판 처리 장치는 복수의 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(120) 상에 공간적으로 분리되도록 방사 형태로 배치된 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 이용해 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사함으로써 기판 상에 증착되는 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 기판 지지부(120)의 회전에 따른 기판(W)의 영역별 각속도 편차를 보상하여 기판(W)의 전체 영역에 균일한 두께의 박막 물질을 형성할 수 있다.As described above, according to the present invention, the substrate processing apparatus includes a plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d disposed in a radial shape so as to be spatially separated on the substrate support 120 supporting the plurality of substrates W. By separating the plasma first and second gas to be sprayed onto the substrate to facilitate the film quality control of the thin film material deposited on the substrate, the substrate (W) according to the rotation of the substrate support unit 120 By compensating the angular velocity deviation of each region of the substrate), a thin film material having a uniform thickness may be formed on the entire region of the substrate W. FIG.

도 5는 도 2에 도시된 가스 분사 모듈을 개략적으로 나타내는 분해 사시도이고, 도 6은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 배면 사시도 및 배면도이며, 도 7은 도 5에 도시된 I-I' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.FIG. 5 is an exploded perspective view schematically illustrating the gas injection module illustrated in FIG. 2, and FIG. 6 is a rear perspective view and a rear view for explaining the gas injection module illustrated in FIG. 2, and FIG. 7 is II shown in FIG. 5. 'Is a cross-sectional view showing a cross section of a line.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 접지 프레임(210), 절연 부재(230), 및 플라즈마 전극 부재(250)를 포함하여 구성된다.5 to 7, each of the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d includes a ground frame 210, an insulation member 230, and a plasma electrode member 250.

접지 프레임(210)은 하면이 개구되는 적어도 하나 이상의 가스 분사 공간(212)을 가지되, 평면적으로 사다리꼴(또는 방사) 형태를 가지도록 상자 형태로 형성된다. 이러한 접지 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 모듈 설치부에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다.The ground frame 210 has at least one gas injection space 212 in which a lower surface thereof is opened, and is formed in a box shape so as to have a trapezoidal (or radial) shape in plan view. The ground frame 210 is inserted into the module installation portion of the chamber lead 115 and is electrically grounded through the chamber lead 115.

상기 접지 프레임(210)은 지지 플레이트(210a), 접지 측벽들(210b), 및 접지 격벽 부재(210c)를 포함하여 구성된다.The ground frame 210 includes a support plate 210a, ground sidewalls 210b, and a ground partition member 210c.

지지 플레이트(210a)는 일측 단변이 타측 단변보다 상대적으로 작은 폭(또는 길이)을 가지는 사다리꼴 형태의 평면을 가지도록 형성된다. 이때, 지지 플레이트(210a)의 일측 단변은 챔버 리드(115)의 중심부에 인접하고, 지지 플레이트(210a)의 타측 단변은 챔버 리드(115)의 외곽부에 인접하다. 이러한 지지 플레이트(210a)에는 절연 부재 지지 홀(214), 및 가스 공급 홀(216)이 형성된다.The support plate 210a is formed such that one short side has a trapezoidal plane having a width (or length) that is relatively smaller than the other short side. In this case, one short side of the support plate 210a is adjacent to the center of the chamber lid 115, and the other short side of the support plate 210a is adjacent to the outer portion of the chamber lid 115. An insulating member support hole 214 and a gas supply hole 216 are formed in the support plate 210a.

절연 부재 지지 홀(214)은 지지 플레이트(210a)의 길이 방향으로 따라 사다리꼴 형태로 형성되어 상기 가스 분사 공간(212)에 연통된다. 이때, 절연 부재 지지 홀(214)은 일측 단변과 타측 단변이 서로 다른 폭을 가지도록 형성된다. 여기서, 절연 부재 지지 홀(214)의 일측 단변은 챔버 리드(115)의 중심부를 향하고, 절연 부재 지지 홀(214)의 타측 단변은 챔버 리드(115)의 외곽부를 향한다. 이에 따라, 절연 부재 지지 홀(214)의 폭은 챔버 리드(115)의 중심 방향(CD)에서 외곽 방향(OD)으로 갈수록 점점 넓어짐으로써 절연 부재 지지 홀(214)은 사다리꼴 형태의 평면을 갖게 된다.The insulating member support hole 214 is formed in a trapezoidal shape along the longitudinal direction of the support plate 210a and communicates with the gas injection space 212. At this time, the insulating member support hole 214 is formed such that one short side and the other short side has different widths. Here, one short side of the insulating member support hole 214 faces the center of the chamber lid 115, and the other short side of the insulating member support hole 214 faces the outer portion of the chamber lid 115. Accordingly, the width of the insulating member support hole 214 becomes wider from the center direction CD of the chamber lid 115 toward the outer direction OD so that the insulating member support hole 214 has a trapezoidal plane. .

복수의 가스 공급 홀(216) 각각은 절연 부재 지지 홀(214)의 양측에 인접한 지지 플레이트(210a)에 일정한 간격으로 형성되어 상기 가스 분사 공간(212)에 연통된다. 이러한 복수의 가스 공급 홀(216) 각각은 가스 공급관(미도시)에 접속되고, 상기 가스 공급관을 통해 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스 또는 제 2 가스를 공급받는다.Each of the plurality of gas supply holes 216 is formed in the support plate 210a adjacent to both sides of the insulating member support hole 214 at regular intervals to communicate with the gas injection space 212. Each of the plurality of gas supply holes 216 is connected to a gas supply pipe (not shown) and receives a first gas or a second gas from a gas supply means (not shown) through the gas supply pipe.

접지 측벽들(210b) 각각은 지지 플레이트(210a)의 가장자리 부분의 하면으로부터 수직하게 돌출되어 지지 플레이트(210a)의 하부에 사다리꼴 형태의 개구부를 마련한다. 이때, 지지 플레이트(210a)의 장변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되는 장변 접지 측벽들은 일측과 타측이 상이한 간격을 가지도록 서로 대향됨으로써 상기 장변 접지 측벽들의 간격은 일측에서 타측으로 갈수록 점점 증가하게 된다. 그리고, 지지 플레이트(210a)의 단변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되는 내측 단변의 접지 측벽과 외측 단변의 접지 측벽은 서로 상이한 폭을 가지도록 대향된다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이때, 상기 장변 접지 측벽들은 접지 전극 부재의 역할을 한다.Each of the ground sidewalls 210b protrudes vertically from the lower surface of the edge portion of the support plate 210a to provide an opening having a trapezoidal shape at the bottom of the support plate 210a. At this time, the long side ground sidewalls protruding vertically from the long side edge portion of the support plate 210a are opposed to each other so that one side and the other side have different intervals, so that the distance of the long side ground sidewalls gradually increases from one side to the other side. Then, the ground sidewall of the inner short side and the ground sidewall of the outer short side protruding perpendicularly from the short side edge portion of the support plate 210a are opposed to each other to have different widths. Each of these ground sidewalls 210b is electrically grounded through the chamber lid 115. In this case, the long side ground sidewalls serve as a ground electrode member.

접지 격벽 부재(210c)는 상면 플레이트(210a)의 중앙부 하면으로부터 수직하게 돌출됨으로써 접지 측벽들(210b)에 의해 마련되는 사다리꼴 형태의 개구부를 공간적으로 분리하여 복수의 가스 분사 공간(212)을 마련한다. 이때, 접지 격벽 부재(210c)의 폭은 지지 플레이트(210a)의 내측 단변으로부터 외측 단변으로 갈수록 점점 증가되도록 형성됨으로써 접지 격벽 부재(210c)는 사다리꼴 형태의 평면을 갖는다. 상기 접지 격벽 부재(210c)는 접지 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극 부재의 역할을 한다.The ground partition wall member 210c protrudes vertically from the lower surface of the central portion of the upper plate 210a to spatially separate the trapezoidal opening provided by the ground sidewalls 210b to provide a plurality of gas injection spaces 212. . At this time, the width of the ground partition member 210c is formed to increase gradually from the inner short side to the outer short side of the support plate 210a, so that the ground partition member 210c has a trapezoidal plane. The ground partition member 210c is integrally or electrically coupled to the ground frame 210 to be electrically grounded through the ground frame 210 to serve as a ground electrode member.

복수의 가스 분사 공간(212) 각각은 접지 프레임(210)의 접지 측벽들(210b)과 접지 격벽 부재(210c)에 의해 사다리꼴 형태의 평면을 가지도록 마련되는 것으로, 지지 플레이트(210a)의 내측 단변으로부터 외측 단변으로 갈수록 점점 넓어지는 면적을 가지도록 형성된다. 이러한 복수의 가스 분사 공간(212) 각각은 절연 부재 지지 홀(214)과 복수의 가스 공급 홀(216)에 중첩된다. 그리고, 복수의 가스 분사 공간(212) 각각에는 복수의 가스 공급 홀(216)을 통해 제 1 가스 또는 제 2 가스가 공급된다.Each of the plurality of gas injection spaces 212 is provided to have a trapezoidal planar surface by the ground sidewalls 210b and the ground partition member 210c of the ground frame 210, and the inner short side of the support plate 210a. It is formed to have an area gradually wider toward the outer short side from. Each of the plurality of gas injection spaces 212 overlaps the insulating member support hole 214 and the plurality of gas supply holes 216. Each of the plurality of gas injection spaces 212 is supplied with a first gas or a second gas through the plurality of gas supply holes 216.

절연 부재(230) 각각은 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(214)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 프레임(210)의 상면에 결합된다. 이러한 절연 부재(230)는 접지 프레임(210)과 플라즈마 전극 부재(250)를 전기적으로 절연시키는 역할을 한다. 이를 위해, 절연 부재(230)는 "T"자 형태의 단면을 가지는 것으로, 접지 프레임(210)의 절연 부재 지지 홀(214)에 삽입되는 몸체(232), 몸체(232)의 상면에 형성되어 접지 프레임(210)의 상면에 지지되는 헤드부(234), 및 헤드부(234)와 몸체(232)를 관통하는 전극 삽입부(236)를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the insulating members 230 is made of an insulating material and inserted into the insulating member support hole 214 formed in the ground frame 210, and is coupled to the upper surface of the ground frame 210 by a fastening member (not shown). The insulating member 230 serves to electrically insulate the ground frame 210 and the plasma electrode member 250. To this end, the insulating member 230 has a cross section having a “T” shape, and is formed on the body 232 and the upper surface of the body 232 inserted into the insulating member support hole 214 of the ground frame 210. It may be configured to include a head portion 234 supported on the upper surface of the ground frame 210, and an electrode insertion portion 236 penetrating the head portion 234 and the body 232.

플라즈마 전극 부재(250)는 도전성 물질로 이루어져 절연 부재(230)의 전극 삽입부(236)에 삽입되어 가스 분사 공간(212) 내부의 중심 부분에 배치된다. 이때, 플라즈마 전극 부재(250)의 하면은 접지 프레임(210)의 하면, 즉 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c) 각각과 동일 선상에 위치한다. 이에 따라, 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)은 전술한 접지 전극 부재와 플라즈마 전극 부재(250)가 소정 간격을 가지도록 교대로 배치되는 구조를 갖는다.The plasma electrode member 250 is made of a conductive material and inserted into the electrode inserting portion 236 of the insulating member 230 and disposed in the center portion of the gas injection space 212. In this case, the lower surface of the plasma electrode member 250 is positioned on the same line as the lower surface of the ground frame 210, that is, each of the ground sidewalls 210b and the ground partition member 210c. Accordingly, each of the gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d has a structure in which the above-described ground electrode member and the plasma electrode member 250 are alternately arranged to have a predetermined interval.

상기 플라즈마 전극 부재(250)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210)의 접지 격벽 부재(210c)와 제 1 거리(d1)만큼 이격됨과 아울러 접지 프레임(210)의 장변 접지 측벽들(210b)과 제 2 거리(d2)만큼 이격된다. 이때, 제 1 및 제 2 거리(d1, d2)는 동일할 수 있다. 이에 따라, 가스 분사 공간(212)은 상기 플라즈마 전극 부재(250)와 상기 접지 격벽 부재(210c) 사이에 마련됨과 아울러 상기 플라즈마 전극 부재(250)와 장변 접지 측벽들(210b) 사이에 마련된다. 이러한 가스 분사 공간(212)에는 전술한 복수의 가스 공급 홀(216)을 통해 제 1 가스 또는 제 2 가스가 공급된다.As illustrated in FIG. 6, the plasma electrode member 250 is spaced apart from the ground partition member 210c of the ground frame 210 by a first distance d1 and the long side ground sidewalls of the ground frame 210. 210b is spaced apart from the second distance d2. In this case, the first and second distances d1 and d2 may be the same. Accordingly, the gas injection space 212 is provided between the plasma electrode member 250 and the ground partition wall member 210c and is provided between the plasma electrode member 250 and the long side ground sidewalls 210b. The gas injection space 212 is supplied with a first gas or a second gas through the plurality of gas supply holes 216 described above.

전술한 각속도에 따른 기판(W)의 영역별 가스 노출 시간을 보상하기 위해, 플라즈마 전극 부재(250)는 사다리꼴 형태(또는 방사 형태)의 평면을 가지도록 형성되어 가스 분사 공간(212)에 배치된다. 즉, 플라즈마 전극 부재(250)는 가스 분사 공간(212)의 내측에서 외측 쪽으로 갈수록 점점 증가하는 폭(또는 면적)을 가지도록 형성된다. 예를 들어, 기판 지지부(120)의 중심부에 인접한 플라즈마 전극 부재(250)의 내측은 제 1 폭을 가지도록 형성되어 가스 분사 공간(212)의 내측에 배치되고, 기판 지지부(120)의 외곽부에 인접한 플라즈마 전극 부재(250)의 외측은 상기 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭을 가지도록 형성되어 가스 분사 공간(212)의 외측에 배치된다. 상기 제 1 및 제 2 폭의 비율은 1:3 내지 1:3.5 범위로 설정될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 기판 지지부(120)의 회전 속도, 기판 지지부(120)에 지지된 기판(W)의 위치, 또는 기판(W)의 크기 등에 의해 변경될 수 있다.In order to compensate the gas exposure time for each region of the substrate W according to the aforementioned angular velocity, the plasma electrode member 250 is formed to have a trapezoidal (or radial) plane and is disposed in the gas injection space 212. . That is, the plasma electrode member 250 is formed to have a width (or area) that gradually increases from the inside of the gas injection space 212 toward the outside. For example, the inside of the plasma electrode member 250 adjacent to the center of the substrate support 120 is formed to have a first width and disposed inside the gas injection space 212, and the outer portion of the substrate support 120 is provided. The outer side of the plasma electrode member 250 adjacent to is formed to have a second width wider than the first width and disposed outside the gas injection space 212. The ratio of the first and second widths may be set in a range of 1: 3 to 1: 3.5, but is not limited thereto, and the rotational speed of the substrate support part 120 and the substrate W supported by the substrate support part 120 are provided. It can be changed by the position of, or the size of the substrate (W).

전술한 플라즈마 전극 부재(250)는 급전 케이블(142)을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속되어 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전원이 공급된다. 이러한 플라즈마 전극 부재(250)는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 발생시킴으로써 가스 분사 공간(212)에 공급되는 가스가 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화되어 기판(W) 상에 분사되도록 한다.The above-described plasma electrode member 250 is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through the feed cable 142, and the plasma power supply unit 140 supplies plasma power. The plasma electrode member 250 generates a plasma in the gas ejection space 212 according to the plasma power supply so that the gas supplied to the gas ejection space 212 is converted into plasma by the plasma and sprayed onto the substrate W. .

상기 가스 분사 공간(212)에 발생되는 플라즈마의 밀도(또는 강도)는 플라즈마 전극 부재(250)의 형상에 의해 가스 분사 공간(212)의 내측에서 외측 쪽으로 갈수록 점점 높아지게 된다. 즉, 플라즈마 전극 부재(250)의 면적이 내측에서 외측으로 갈수록 점점 증가하고, 이로 인해 플라즈마 전극 부재(250)의 면저항이 플라즈마 전극 부재(250)의 내측에서 외측으로 갈수록 감소하게 된다. 이에 따라, 플라즈마 전극 부재(250)의 내측에서 외측으로 갈수록 플라즈마 전원의 세기가 점점 높아짐으로써 가스 분사 공간(212)에 발생되는 플라즈마의 밀도(또는 강도)는 가스 분사 공간(212)의 내측에서 외측으로 갈수록 점점 높아지게 된다. 따라서, 기판(W) 상에 분사되는 플라즈마화된 가스의 밀도(또는 량)는 기판(W)의 내측에서 외측으로 갈수록 증가됨으로써 전술한 기판(W)의 각속도에 따른 기판(W)의 각 영역별 가스 노출 시간이 보상되어 기판(W) 상에 증착되는 박막 물질이 전영역에 걸쳐 균일한 두께를 가지도록 증착된다.The density (or intensity) of the plasma generated in the gas injection space 212 is gradually increased from the inside of the gas injection space 212 toward the outside due to the shape of the plasma electrode member 250. That is, the area of the plasma electrode member 250 gradually increases from the inner side to the outer side, and as a result, the sheet resistance of the plasma electrode member 250 decreases from the inner side to the outer side of the plasma electrode member 250. Accordingly, the intensity (or intensity) of the plasma generated in the gas injection space 212 is increased from the inside of the plasma electrode member 250 toward the outside, so that the density (or intensity) of the plasma generated in the gas injection space 212 is increased from the inside of the gas injection space 212. It gets higher and higher. Therefore, the density (or amount) of the plasmad gas injected onto the substrate W increases from the inside of the substrate W toward the outside, so that each region of the substrate W according to the above-described angular velocity of the substrate W is increased. Star gas exposure time is compensated so that the thin film material deposited on the substrate W is deposited to have a uniform thickness over the entire area.

플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블(142)을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다.The plasma power supply unit 140 generates plasma power having a predetermined frequency, and supplies the plasma power to each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d through the feed cable 142 in common. Or supply them individually.

상기 플라즈마 전원은 고주파 전력, 예를 들어, 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지는 HF(High Frequency) 전력이거나, 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가지는 VHF(Very High Frequency)) 전력일 수 있다.The plasma power supply may be a high frequency power, for example, high frequency (HF) power having a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, or a VHF (Very High Frequency) power having a frequency in the range of 30 MHz to 300 MHz. .

상기 급전 케이블(142)에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속될 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키는 것으로, 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.An impedance matching circuit (not shown) may be connected to the feed cable 142. The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power supply, and may include at least two impedance elements (not shown) including at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

한편 전술한 설명에서, 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)의 접지 프레임(210)이 전술한 접지 격벽 부재(210c)를 포함하도록 구성되고, 상기 접지 격벽 부재(210c)에 의해 접지 프레임(210)에 2개의 가스 분사 공간(212)이 마련되는 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 가스 분사 공간(212)은 하나 또는 3개 이상으로 마련될 수 있다. 만약, 가스 분사 공간(212)이 하나로 이루어지는 경우, 전술한 접지 격벽 부재(210c)는 생략된다. 또한, 가스 분사 공간(212)이 3개 이상으로 이루어지는 경우, 전술한 접지 격벽 부재(210c)는 플라즈마 전극 부재(250)와 교대로 배치되도록 복수로 형성될 수 있다.Meanwhile, in the above description, the ground frame 210 of each gas injection module 130a, 130b, 130c, 130d is configured to include the above-described ground partition wall member 210c and is grounded by the ground partition wall member 210c. Although two gas injection spaces 212 are provided in the frame 210, the present invention is not limited thereto, and one or three gas injection spaces 212 may be provided. If the gas injection space 212 is composed of one, the above-described ground partition member 210c is omitted. In addition, when the gas injection space 212 is formed of three or more, the above-described ground partition member 210c may be formed in plural so as to be alternately disposed with the plasma electrode member 250.

도 8 내지 도 12는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 가스 분사부의 다양한 구동 방법을 설명하기 위한 파형도이다.8 to 12 are waveform diagrams illustrating various driving methods of the gas injection unit in the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 8을 도 3과 결부하면, 제 1 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 동시에 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 동시에 분사할 수 있다. 이때, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 기판 지지부(120)가 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 1 회전하는 1 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 구동된다.Referring to FIG. 8 and FIG. 3, in the driving method of the gas injector according to the first embodiment, plasmas which are spatially separated by simultaneously driving each of the first to fourth gas injecting modules 130a, 130b, 130c, and 130d described above. The first and second gases PG1 and PG2 may be sprayed on the substrate W at the same time. In this case, each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d may be continuously irrespective of one process cycle period in which the substrate support 120 rotates once in a predetermined direction (for example, counterclockwise). Driven by.

도 9를 도 3과 결부하면, 제 2 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 순차적으로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 교대로 분사할 수 있다. 즉, 제 2 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 제 1 가스 분사 모듈(130a)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)만을 분사하는 제 1 공정, 제 2 가스 분사 모듈(130b)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)만을 분사하는 제 2 공정, 제 3 가스 분사 모듈(130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)만을 분사하는 제 3 공정, 및 제 4 가스 분사 모듈(130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)만을 분사하는 제 4 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제 1 내지 제 4 공정을 복수의 공정 싸이클 동안 반복한다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 공정은 상기 1 공정 싸이클 주기마다 순차적으로 수행되거나, 1 공정 싸이클 주기 내에서 순차적으로 수행될 수 있다.9 and 3, in the driving method of the gas injection unit according to the second embodiment, the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d are sequentially driven to be spatially separated from each other. Plasmaized first and second gases PG1 and PG2 may be alternately sprayed onto the substrate W. FIG. That is, the driving method of the gas injector according to the second embodiment uses only the first gas and the second gas injection module 130b to inject only the first gas PG1 that has been plasmaized through only the first gas injection module 130a. A second process of spraying only the plasmaized second gas PG2, a third process of spraying only the plasmated first gas PG1 through only the third gas spraying module 130c, and a fourth gas spraying module 130d And a fourth process of spraying only the second gas PG2 that has been plasma-formed through), and the first to fourth processes are repeated for a plurality of process cycles. In this case, the first to fourth processes may be sequentially performed for each one process cycle period, or may be sequentially performed within one process cycle period.

도 10을 도 3과 결부하면, 제 3 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)과 전술한 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 교대로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 교대로 분사할 수 있다. 즉, 제 3 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 분사하는 제 1 공정, 및 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 분사하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제 1 및 제 2 공정을 복수의 공정 싸이클 동안 반복한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 공정은 상기 1 공정 싸이클 주기마다 교대로 수행되거나, 1 공정 싸이클 주기 내에서 순차적으로 수행될 수 있다.Referring to FIG. 10 and FIG. 3, the driving method of the gas injection unit according to the third embodiment includes the first and third gas injection modules 130a and 130c and the second and fourth gas injection modules 130b and 130d) may be alternately driven to alternately spray the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 onto the substrate W. That is, the driving method of the gas injection unit according to the third embodiment of the present invention includes a first process of injecting the first gas PG1 that has been plasmaized through the first and third gas injection modules 130a and 130c, and the second and second operations. Including the step of injecting the plasma-like second gas (PG2) through the four gas injection module (130b, 130d), the first and second processes are repeated for a plurality of process cycles. In this case, the first and second processes may be alternately performed for each one process cycle, or may be sequentially performed within one process cycle period.

도 11을 도 3과 결부하면, 제 4 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 소정 구간 단위로 구동함과 동시에 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 지속적으로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 분사할 수 있다. 즉, 제 4 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법에서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)은 상기 1 공정 싸이클 주기 단위로 구동과 비구동을 반복하거나, 1 공정 싸이클 주기 내의 일부 구간에만 구동될 수 있다.Referring to FIG. 11 and FIG. 3, in the driving method of the gas injection unit according to the fourth embodiment, the first and third gas injection modules 130a and 130c are driven in predetermined intervals, and at the same time, the second and fourth operations are performed. By continuously driving the gas injection modules 130b and 130d, the first and second gasified plasma gases PG1 and PG2 that are spatially separated may be injected onto the substrate W. That is, in the method of driving the gas injection unit according to the fourth embodiment, the first and third gas injection modules 130a and 130c may repeat driving and non-driven in units of the first process cycle, or may be partially within one process cycle period. It can only be driven in sections.

한편, 제 4 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 소정 구간 단위로 구동함과 동시에 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 지속적으로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 교대로 분사할 수도 있다.Meanwhile, the driving method of the gas injection unit according to the fourth embodiment drives the above-described second and fourth gas injection modules 130b and 130d in units of predetermined sections, and at the same time, the first and third gas injection modules 130a and 130c. ) May be continuously jetted onto the substrate W by plasma-forming first and second gases PG1 and PG2 which are spatially separated.

도 12를 도 3과 결부하면, 제 5 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 교대로 구동함과 동시에 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 지속적으로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 분사할 수 있다. 즉, 제 4 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법에서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)은 상기 1 공정 싸이클 주기마다 교대로 수행되거나, 1 공정 싸이클 주기 내에서 순차적으로 수행될 수 있다.12 and 3, in the driving method of the gas injector according to the fifth embodiment, the first and third gas injection modules 130a and 130c are alternately driven and the second and fourth gas injections are carried out. By continuously driving the modules 130b and 130d, the first and second plasma gases PG1 and PG2 that are spatially separated may be injected onto the substrate W. That is, in the method of driving the gas injection unit according to the fourth embodiment, the first and third gas injection modules 130a and 130c may be alternately performed at each first process cycle or sequentially performed within one process cycle period. Can be.

한편, 제 5 실시 예에 따른 가스 분사부의 구동 방법은 전술한 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 교대로 구동함과 동시에 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 지속적으로 구동하여 공간적으로 분리되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 기판(W) 상에 분사할 수도 있다.Meanwhile, the driving method of the gas injection unit according to the fifth embodiment alternately drives the above-described second and fourth gas injection modules 130b and 130d and simultaneously operates the first and third gas injection modules 130a and 130c. Plasmaized first and second gases PG1 and PG2 that are continuously driven and spatially separated may be sprayed onto the substrate W. FIG.

도 13은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 13 is a diagram for describing first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.

도 13을 참조하면, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 330c, 330d)은 기판 지지부(120) 상에 방사 형태로 배치되는 것으로, 이러한 배치 구조는 전술한 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 13, the first to fourth gas injection modules 330a, 330b, 330c, and 330d are radially disposed on the substrate support 120, and the arrangement structure may be described above with respect to the first to fourth embodiments. Since it is the same as the gas injection module 130a, 130b, 130c, and 130d, duplicate description thereof will be omitted.

제 1 가스 분사 모듈(130b)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 기판 지지부(120) 상의 제 1 공간 분할 영역(SDA1; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성된다.The first gas injection module 130b forms a plasma in at least one gas injection space to which the first gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the first gas supplied to the gas injection space. The first gas PG1, which has been plasma-formed, is injected downward into the first spatial division region SDA1 (see FIG. 2) on the substrate support part 120. The first gas injection module 130a is configured as shown in FIGS. 5 to 7.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 퍼지 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 퍼지 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 기판 지지부(120) 상의 제 2 공간 분할 영역(SDA2; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성된다.The second gas injection module 130b forms a plasma in at least one gas injection space to which purge gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the purge gas supplied to the gas injection space, The plasmaized purge gas PG3 is injected downward into the second spatial division region SDA2 (see FIG. 2) on the substrate support 120. The second gas injection module 130b is configured as shown in FIGS. 5 to 7.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 2 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 기판 지지부(120) 상의 제 3 공간 분할 영역(SDA3; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성된다.The third gas injection module 130c forms a plasma in at least one gas injection space to which the second gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the second gas supplied to the gas injection space. The plasma-formed second gas PG2 is injected downward into the third space division area SDA3 (see FIG. 2) on the substrate support part 120. The third gas injection module 130c is configured as shown in FIGS. 5 to 7.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 퍼지 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 퍼지 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 기판 지지부(120) 상의 제 4 공간 분할 영역(SDA4; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 구성된다.The fourth gas injection module 130d forms a plasma in at least one gas injection space to which purge gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the purge gas supplied to the gas injection space, The plasmaized purge gas PG3 is injected downward into the fourth spatial division region SDA4 (see FIG. 2) on the substrate support 120. The fourth gas injection module 130d is configured as shown in FIGS. 5 to 7.

상기 퍼지 가스는 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(PG1) 및/또는 제 1 가스(PG1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지(Purge)한다. 또한, 상기 퍼지 가스는 제 1 및 제 3 공간 분할 영역(SDA1, SDA3; 도 2 참조) 사이의 제 2 및 제 4 공간 분할 영역(SDA2, SDA4; 도 2 참조) 각각에 분사되기 때문에 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하는 역할도 수행한다. 이를 위해, 상기 퍼지 가스(G3)는 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The purge gas purges the first gas PG1 not deposited on the substrate W and / or the second gas PG2 remaining without reacting with the first gas PG1. In addition, since the purge gas is injected into each of the second and fourth space division regions SDA2 and SDA4 (see FIG. 2) between the first and third space division regions SDA1 and SDA3 (see FIG. 2), It also serves to spatially separate the first gas (PG1) and the plasmalized second gas (PG2). To this end, the purge gas G3 may be formed of at least one gas of nitrogen (N 2), argon (Ar), xenon (Ze), and helium (He).

전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은, 도 8 내지 도 12 중 어느 한 도면에 도시된 파형도에 따라 구동되는 것으로, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 가스의 종류를 제외하고는 도 8 내지 도 12에 대한 설명과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d described above is driven according to the waveform diagram shown in any one of FIGS. 8 to 12. Except for the type of gas injected from each of 130a, 130b, 130c, and 130d, the description is the same as that described with reference to FIGS. 8 to 12, and thus description thereof will be omitted.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 전술한 제 1 가스 분사 모듈(130a)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1), 제 3 가스 분사 모듈(130c)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(PG1) 및/또는 제 1 가스(PG1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.As described above, the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the second exemplary embodiment of the present invention may include a first gas PG1 and a third gas injection module (PG1) plasmaized through the first gas injection module 130a. Plasma-formed purge gas PG3 through the second gas PG2 and second and fourth gas injection modules 130b and 130d that have been plasma-formed through 130c is spatially separated and sprayed onto the substrate W. The thin film material is deposited on the substrate W by the reaction of the plasmalized first and second gases PG1 and PG2, and is not deposited on the substrate W through the plasmalized purge gas PG3. The second gas PG2 remaining without reacting with the first gas PG1 and / or the first gas PG1 which is not present is purged.

도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 14 is a diagram for describing first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present disclosure.

도 14를 참조하면, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 330c, 330d)은 기판 지지부(120) 상에 방사 형태로 배치되는 것으로, 이러한 배치 구조는 전술한 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 14, the first to fourth gas injection modules 330a, 330b, 330c, and 330d are radially disposed on the substrate support 120, and the arrangement structure may be described above with reference to the first to fourth embodiments. Since it is the same as the gas injection module 130a, 130b, 130c, and 130d, duplicate description thereof will be omitted.

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스(G1)가 공급되는 가스 분사 공간을 포함하도록 구성되어 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 1 가스(G1)를 그대로, 즉 플라즈마화되지 않은 상태로 기판 지지부(120) 상의 제 1 공간 분할 영역(SDA1; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 1 가스 분사 모듈(330a)은, 도 5 내지 도 7에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(130a)의 구성에서, 접지 프레임(210)만을 포함하여 구성되는 것으로, 접지 프레임(210)은 지지 플레이트(210a), 지지 플레이트(210a)의 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되어 가스 분사 공간(212)을 마련하는 접지 측벽들(210b), 및 가스 분사 공간(212)에 연통되도록 지지 플레이트(210a)에 형성되어 가스 공급 수단에 연결된 복수의 가스 공급 홀(216)을 포함하여 구성된다.The first gas injection module 330a is configured to include a gas injection space to which the first gas G1 is supplied from a gas supply means (not shown), so that the first gas G1 supplied to the gas injection space is left as it is. That is, the liquid crystal is sprayed downward to the first space division area SDA1 (see FIG. 2) on the substrate support part 120 without being plasmalated. The first gas injection module 330a includes only the ground frame 210 in the configuration of the first gas injection module 130a illustrated in FIGS. 5 to 7, and the ground frame 210 is supported. The support plate 210a to communicate with the plate 210a, the ground sidewalls 210b protruding perpendicularly from the edge of the support plate 210a to provide the gas injection space 212, and the gas injection space 212. It is formed and comprises a plurality of gas supply holes 216 connected to the gas supply means.

제 2 가스 분사 모듈(330b)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 2 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 기판 지지부(120) 상의 제 2 공간 분할 영역(SDA2; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 2 가스 분사 모듈(330b)은, 도 5 내지 도 7에 도시된 제 2 가스 분사 모듈(130b)과 동일한 구성을 갖는다.The second gas injection module 330b forms a plasma in at least one gas injection space to which the second gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the second gas supplied to the gas injection space. The plasma-formed second gas PG2 is injected downward into the second space division area SDA2 (see FIG. 2) on the substrate support part 120. This second gas injection module 330b has the same configuration as the second gas injection module 130b shown in FIGS. 5 to 7.

제 3 가스 분사 모듈(330c)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 1 가스(G1)가 공급되는 가스 분사 공간을 포함하도록 구성되어 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 1 가스(G1)를 그대로, 즉 플라즈마화되지 않은 상태로 기판 지지부(120) 상의 제 3 공간 분할 영역(SDA3; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 3 가스 분사 모듈(330c)은 전술한 상기 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일한 구성을 갖는다.The third gas injection module 330c is configured to include a gas injection space to which the first gas G1 is supplied from a gas supply means (not shown), so that the first gas G1 supplied to the gas injection space is left as it is. That is, the liquid crystal is sprayed downward to the third space division area SDA3 (see FIG. 2) on the substrate support part 120 in a non-plasma state. The third gas injection module 330c has the same configuration as the first gas injection module 330a described above.

제 4 가스 분사 모듈(330d)은 가스 공급 수단(미도시)으로부터 제 2 가스가 공급되는 적어도 하나의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 가스 분사 공간에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화(또는 활성화)하고, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 기판 지지부(120) 상의 제 4 공간 분할 영역(SDA4; 도 2 참조)에 하향 분사한다. 이러한 제 4 가스 분사 모듈(330d)은 전술한 상기 제 2 가스 분사 모듈(330b)과 동일한 구성을 갖는다.The fourth gas injection module 330d forms a plasma in at least one gas injection space to which the second gas is supplied from a gas supply means (not shown), thereby plasmalizing (or activating) the second gas supplied to the gas injection space. The plasma-formed second gas PG2 is injected downward into the fourth spatial division region SDA4 (see FIG. 2) on the substrate support part 120. The fourth gas injection module 330d has the same configuration as the second gas injection module 330b described above.

전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 330c, 330d) 각각은, 도 8 내지 도 12 중 어느 한 도면에 도시된 파형도에 따라 구동되는 것으로, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c)이 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1)를 분사하는 것을 제외하고는 도 8 내지 도 12에 대한 설명과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Each of the first to fourth gas injection modules 330a, 330b, 330c, and 330d described above is driven according to the waveform diagram shown in any one of FIGS. 8 to 12. Since 330a and 330c are the same as those of FIGS. 8 to 12 except that the first gas G1 is not plasma-formed, the description thereof will be omitted.

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c)을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(330b, 330d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 제 1 가스(G1)와 상기 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하게 된다.As described above, the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the third embodiment of the present invention may include the first gas G1 which is not plasmated through the first and third gas injection modules 330a and 330c, The first gas G1 and the plasmatized agent are formed by spatially separating the plasmalized second gas PG2 through the second and fourth gas injection modules 330b and 330d and spraying the same on the substrate W. The thin film material is deposited on the substrate W by the mutual reaction of the two gases PG2.

한편, 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c) 각각이 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1)를 분사하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c) 각각은, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2)를 공급받아 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2)를 분사할 수도 있다.On the other hand, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the third embodiment of the present invention described above, the first and third gas injection modules 330a and 330c respectively spray the first gas G1 that is not plasma-formed. As described above, the present invention is not limited thereto, and each of the first and third gas injection modules 330a and 330c supplies the mixed gas G1 + G2 of the first and second gases, as shown in FIG. 15. It is also possible to inject a mixture gas (G1 + G2) of the first and second gas that has not been converted into plasma.

도 16은 본 발명의 변형 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 다양한 변형 실시 예를 설명하기 위한 표이다.16 is a table for describing various modified embodiments of the first to fourth gas injection modules in the substrate processing apparatus according to the modified embodiment of the present invention.

도 16을 참조하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 다양한 변형 실시 예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, various modified embodiments of the first to fourth gas injection modules will be described with reference to FIG. 16.

제 1 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1), 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the first modified embodiment are classified into first to third groups, and the first gas G1 and the plasmaized purge gas are not plasmaded through the gas injection modules of each group. PG3 and the plasmalized second gas PG2 are spatially separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사 모듈은 도 14에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 2 내지 제 4 가스 분사 모듈 각각은 도 3에 도시된 제 2 내지 제 3 가스 분사 모듈(130b, 130c, 130d) 각각과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. At this time, the first gas injection module is configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 14, and each of the second to fourth gas injection modules is the second to third gas injection module shown in FIG. 3. It is comprised similarly to each of 130b, 130c, 130d.

이러한 제 1 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은, 도 8 내지 도 12 중 어느 한 도면에 도시된 파형도에 따라 구동되는 것으로, 제 1 가스 분사 모듈이 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1)를 분사하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈이 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 분사하는 것을 제외하고는 도 8 내지 도 12에 대한 설명과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.The first to fourth gas injection modules according to the first modified embodiment are driven in accordance with the waveform diagram shown in any one of FIGS. 8 to 12, and the first gas injection module is not plasmaized. Since the gas G1 is injected and the second and fourth gas injection modules inject the plasma-purged purge gas PG3, the description thereof is the same as that described with reference to FIGS. do.

이와 같은 제 1 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 제 1 가스(G1)와 상기 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(G1) 및/또는 제 1 가스(G1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules according to the first modified embodiment and the substrate treating method using the same may include the first gas G1 and the second gas that are not plasmalized through the first gas ejection module. And firstly separating the plasma purged gas PG3 through the fourth gas injection module and the second gas PG2 plasmaated through the third gas injection module and spraying the plasma gas on the substrate W. A predetermined thin film material is deposited on the substrate W by a reaction between the gas G1 and the plasmalized second gas PG2, and is deposited on the substrate W through the plasmalized purge gas PG3. The second gas PG2 remaining without reacting with the first gas G1 and / or the first gas G1 which is not present is purged.

제 2 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1), 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the second modified embodiment may be classified into the first to third groups, and the first gas PG1 plasmaized through the gas injection modules of each group may be in a non-plasma state. The purge gas G3 and the plasmalized second gas PG2 are spatially separated and sprayed on the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈 각각은 도 3에 도시된 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각과 동일하게 구성되고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈 각각은 도 14에 도시된 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. In this case, each of the first and third gas injection modules is the same as each of the first and third gas injection modules 130a and 130c shown in FIG. 3, and each of the second and fourth gas injection modules is shown in FIG. 14. Each of the first and third gas injection modules 130a and 130c shown is identically configured.

이와 같은 제 2 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(PG1) 및/또는 제 1 가스(PG1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.The substrate processing apparatus including the first to fourth gas injection modules according to the second modified embodiment and the substrate processing method using the same include the first gas PG1, the second and the plasma The purge gas G3 in the non-plasma state through the fourth gas injection module and the second gas PG2 in the plasma state through the third gas injection module are spatially separated and sprayed onto the substrate W. A predetermined thin film material is deposited on the substrate W by the mutual reaction of the first and second plasma gases PG1 and PG2, and the substrate W is disposed through the purge gas G3 in a non-plasma state. The second gas PG2 remaining without reacting with the first gas PG1 and / or the first gas PG1 not deposited on the gas is purged.

제 3 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(PG1), 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the third modified embodiment may be classified into the first to third groups, and the first gas PG1 which is not plasmaized through the gas injection modules of each group, and is not plasmatized. The purge gas G3 and the plasmalized second gas PG2 are spatially separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1, 제 2, 및 제 4 가스 분사 모듈은 도 14에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 3 가스 분사 모듈은 도 3에 도시된 제 3 가스 분사 모듈(130c)과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. In this case, the first, second, and fourth gas injection modules are configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 14, and the third gas injection module is the third gas injection module shown in FIG. 3. It is configured similarly to 130c.

이와 같은 제 3 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(G1) 및/또는 제 1 가스(G1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules according to the third modified embodiment and the substrate treating method using the same may include the first gas G1 and the second gas that are not plasmalized through the first gas ejection module. And spatially separating the purge gas G3 in a non-plasma state through the fourth gas injection module and the plasma gasified second gas PG2 through the third gas injection module and spraying the same on the substrate W. A predetermined thin film material is deposited on the substrate W by the mutual reaction between the first non-plasma gas G1 and the second plasma gas PG2, and the purge gas G3 is not in a plasma state. The second gas PG2 remaining without reacting with the first gas G1 and / or the first gas G1 not deposited on the substrate W is purged.

제 4 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the fourth modified embodiment are classified into the first to third groups, and the mixed gas (G1 +) of the first and second gases that are not plasmalized through the gas injection modules of each group. G2), the plasmalized purge gas PG3, and the plasmalized second gas PG2 are spatially separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사 모듈은 도 15에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 2 내지 제 4 가스 분사 모듈 각각은 도 3에 도시된 제 2 내지 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130c, 130d) 각각과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. At this time, the first gas injection module is configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 15, and each of the second to fourth gas injection modules is the second to fourth gas injection module shown in FIG. 3. It is comprised similarly to each of 130b, 130c, 130d.

이와 같은 제 4 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(G1) 및/또는 제 1 가스(G1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules and the substrate treating method using the same according to the fourth modified embodiment may include a mixed gas of the first and second gases that are not plasmaified through the first gas ejection module. The substrate W is spatially separated by (G1 + G2), the purge gas PG3 plasmated through the second and fourth gas injection modules, and the plasma gasified second gas PG2 through the third gas injection module. Sprays onto the substrate to form a predetermined thin film material on the substrate W by the mutual reaction of the non-plasma mixture of the first and second gases G1 + G2 and the plasmated second gas PG2. The first gas G1 and / or the first gas G1 which are not deposited on the substrate W and the second gas PG2 remaining without reacting with the first gas G1 are deposited through the plasma-formed purge gas PG3. do.

제 5 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the fifth modified embodiment are classified into the first to third groups, and the mixed gas (G1 +) of the first and second gases that are not plasmalized through the gas injection modules of each group. G2), the purge gas G3 in the non-plasma state, and the plasma-like second gas PG2 are spatially separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사 모듈은 도 15에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈은 도 14에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되며, 제 3 가스 분사 모듈은 도 3에 도시된 제 3 가스 분사 모듈(130c)과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. In this case, the first gas injection module is configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 15, and the second and fourth gas injection modules are connected to the first gas injection module 330a shown in FIG. 14. The same configuration, the third gas injection module is configured in the same manner as the third gas injection module 130c shown in FIG.

이와 같은 제 5 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(G1) 및/또는 제 1 가스(G1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(PG2)를 퍼지한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules and the substrate treating method using the same according to the fifth modified embodiment may include a mixed gas of the first and second gases not plasmated through the first gas ejection module. (G1 + G2), the purge gas G3 in the non-plasma state through the second and fourth gas injection modules, and the second gas PG2 in the plasma state through the third gas injection module. By spraying on the substrate W, a predetermined reaction is carried out on the substrate W by the mutual reaction of the mixed gas G1 + G2 of the first and second gases that are not plasmaized and the second gas PG2 that is plasmamed. A second thin film material deposited and remaining without reacting with the first gas G1 and / or the first gas G1 not deposited on the substrate W through the purge gas G3 in a non-plasma state; The gas PG2 is purged.

제 6 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 4 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 플라즈마화된 제 2 가스(PG2), 및 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the sixth modified embodiment are classified into the first to fourth groups, and the mixed gases G1 + of the first and second gases that are not plasmalized through the gas injection modules of each group. G2), the second non-plasma gas G2, the second plasma PG2, and the purge gas G3 in the non-plasma state are spatially separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 가스 분사 모듈, 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈, 그리고 제 4 그룹은 제 4 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사 모듈은 도 15에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈은 도 14에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되며, 제 3 가스 분사 모듈은 도 3에 도시된 제 3 가스 분사 모듈(130c)과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group may include a second gas injection module, the third group may include a third gas injection module, and the fourth group may include a fourth gas injection module. In this case, the first gas injection module is configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 15, and the second and fourth gas injection modules are connected to the first gas injection module 330a shown in FIG. 14. The same configuration, the third gas injection module is configured in the same manner as the third gas injection module 130c shown in FIG.

이와 같은 제 6 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 제 2 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2), 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착하고, 플라즈마화되지 않은 상태의 퍼지 가스(G3)를 통해 기판(W)에 증착되지 않은 제 1 가스(G1) 및/또는 제 1 가스(G1)와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스(G2, PG2)를 퍼지한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules according to the sixth modified embodiment and the substrate treating method using the same may include a mixed gas of first and second gases not plasmated through the first gas ejection module. (G1 + G2), the second gas (G2) that is not plasmaded through the second gas injection module, the second gas (PG2) that is plasmamed through the third gas injection module, and the plasma through the fourth gas injection module By purging the unpurified gas purge gas G3 onto the substrate W by spatial separation, the mixed gas G1 + G2 of the first and second non-plasma gases and the second non-plasma gas are injected. (G2) and a predetermined thin film material is deposited on the substrate (W) by the mutual reaction of the plasmaized second gas (PG2), and the substrate (W) through the non-plasmaized purge gas (G3) The first gas G1 and / or the first not deposited on The remaining second gases G2 and PG2 are purged without reacting with the gas G1.

제 7 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈은 제 1 내지 제 4 그룹으로 분류되고, 각 그룹의 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사한다.The first to fourth gas injection modules according to the seventh modified embodiment are classified into the first to fourth groups, and the mixed gas (G1 +) of the first and second gases that are not plasmalized through the gas injection modules of each group. G2), the second non-plasma gas G2, and the second plasma PG2 are plasma-separated and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 그룹은 제 1 가스 분사 모듈, 제 2 그룹은 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈, 그리고 제 3 그룹은 제 3 가스 분사 모듈로 구성될 수 있다. 이때, 제 1 가스 분사 모듈은 도 15에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성되고, 제 2 내지 제 4 가스 분사 모듈은 도 14에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일하게 구성된다.The first group may include a first gas injection module, the second group includes second and fourth gas injection modules, and the third group may include a third gas injection module. In this case, the first gas injection module is configured in the same manner as the first gas injection module 330a shown in FIG. 15, and the second to fourth gas injection modules are configured with the first gas injection module 330a shown in FIG. 14. Same configuration.

이와 같은 제 7 변형 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 1 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 및 제 3 가스 분사 모듈을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 기판(W) 상에 분사함으로써 상기 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 증착한다.The substrate treating apparatus including the first to fourth gas ejection modules and the substrate treating method using the same according to the seventh modified example may include a mixed gas of the first and second gases which are not plasmated through the first gas ejection module. The substrate by spatially separating (G1 + G2), the second gas G2 that is not plasmaized through the second and fourth gas injection modules, and the second gas PG2 that is plasmalized through the third gas injection module. (W) by spraying on the mixed gas (G1 + G2) of the first and second non-plasma gas, the second non-plasma gas (G2), and the plasma of the second gas (PG2) By reaction, a predetermined thin film material is deposited on the substrate W.

이상과 같은 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시 예와 변형 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에서 알 수 있듯이, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 중 어느 하나는 플라즈마화된 제 2 가스(P2)를 분사하고, 나머지 가스 분사 모듈은 플라즈마화되지 않은 제 1 가스(G1), 플라즈마화된 제 1 가스(PG1), 플라즈마화되지 않은 제 2 가스(G2), 플라즈마화된 제 2 가스(G2), 플라즈마화되지 않은 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(G1+G2), 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스의 혼합 가스(PG1+PG2), 플라즈마화되지 않은 퍼지 가스(G3), 플라즈마화된 퍼지 가스(PG3)를 선택적으로 분사하게 된다.As can be seen in the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the first to third and modified embodiments of the present invention as described above, any one of the first to fourth gas injection modules is the plasma-forming second The gas P2 is injected, and the remaining gas injection modules are configured to include the first non-plasma gas G1, the first plasma P1 gas, the second non-plasma gas G2, and the second plasmaized gas. Gas G2, mixed gas (G1 + G2) of the first and second non-plasma gases, mixed gas (PG1 + PG2) of the first and second plasmas, and non-plasmaized purge gas (G3) ), The plasmaized purge gas PG3 is selectively injected.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
120: 기판 지지부 130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈 130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈 130d: 제 4 가스 분사 모듈
140: 플라즈마 전원 공급부110: process chamber 115: chamber lead
120: substrate support 130: gas injection unit
130a: first gas injection module 130b: second gas injection module
130c: third gas injection module 130d: fourth gas injection module
140: plasma power supply

Claims (5)

공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A);
상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및
소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함하고,
상기 단계(C)는 제 1 공간 분할 영역에 상기 소스 가스를 분사하고, 제 2 공간 분할 영역에 플라즈마화된 퍼지 가스를 분사하며, 제 3 공간 분할 영역에 상기 반응 가스를 분사하고, 제 4 공간 분할 영역에 플라즈마화된 퍼지 가스를 분사하며,
상기 단계(B)는 상기 기판이 상기 소스 가스가 분사된 제 1 공간 분할 영역, 상기 플라즈마화된 퍼지 가스가 분사된 제 2 공간 분할 영역, 상기 반응 가스가 분사된 제 3 공간 분할 영역, 및 상기 플라즈마화된 퍼지 가스가 분사된 제 4 공간 분할 영역을 순차적으로 통과하도록 상기 기판 지지부를 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Mounting at least one substrate on a substrate support installed in the process chamber (A);
Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And
Locally spraying a source gas, a reactant gas, and a purge gas onto the substrate support;
In the step (C), the source gas is injected into the first space division region, the plasma purged gas is injected into the second space division region, the reaction gas is injected into the third space division region, and the fourth space is supplied. Injecting the plasmaized purge gas into the divided region,
In the step (B), the substrate may include a first spatial division region in which the source gas is injected, a second spatial division region in which the plasmalized purge gas is injected, a third spatial division region in which the reactive gas is injected, and the And rotating the substrate support so as to sequentially pass through the fourth spatial division region where the plasmated purge gas is injected. 제1항에 있어서, 상기 단계(C)에서,
상기 제 1 공간 분할 영역에는 플라즈마화되지 않은 소스 가스를 분사하고,
상기 제 3 공간 분할 영역에는 플라즈마화된 반응 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 1, wherein in step (C),
Injecting the non-plasma source gas into the first space division region,
And plasma-forming reaction gas is injected into the third space division region. 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 단계(A);
상기 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및
소스 가스, 반응 가스, 및 퍼지 가스를 상기 기판 지지부 상에 국부적으로 분사하는 단계(C)를 포함하고,
상기 단계(C)는 제 1 공간 분할 영역에 소스 가스를 분사하고, 제 2 공간 분할 영역에 퍼지 가스를 분사하며, 제 3 공간 분할 영역에 플라즈마화된 반응 가스를 분사하고, 제 4 공간 분할 영역에 퍼지 가스를 분사하며,
상기 단계(B)는 상기 기판이 상기 소스 가스가 분사된 제 1 공간 분할 영역, 상기 퍼지 가스가 분사된 제 2 공간 분할 영역, 상기 플라즈마화된 반응 가스가 분사된 제 3 공간 분할 영역, 및 상기 퍼지 가스가 분사된 제 4 공간 분할 영역을 순차적으로 통과하도록 상기 기판 지지부를 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Seating at least one substrate in a substrate support installed in the process chamber (A);
Rotating the substrate support on which the substrate is mounted (B); And
Locally spraying a source gas, a reactant gas, and a purge gas onto the substrate support;
In the step (C), the source gas is injected into the first space divided area, the purge gas is injected into the second space divided area, the plasma-reacted reaction gas is injected into the third space divided area, and the fourth space divided area. Spraying purge gas on the
In the step (B), the substrate may include a first spatial division region in which the source gas is injected, a second spatial division region in which the purge gas is injected, a third spatial division region in which the plasmalized reaction gas is injected, and the And rotating the substrate support so as to sequentially pass through the fourth space division region through which the purge gas is injected. 제3항에 있어서, 상기 단계(C)에서,
상기 제 1 공간 분할 영역에는 플라즈마화되지 않은 소스 가스를 분사하고,
상기 제 2 공간 분할 영역에는 플라즈마화되지 않은 퍼지 가스를 분사하며,
상기 제 4 공간 분할 영역에는 플라즈마화되지 않은 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 3, wherein in step (C),
Injecting the non-plasma source gas into the first space division region,
Injecting a non-plasma purge gas into the second space divided region,
And purge gas that is not plasmated is injected into the fourth space division region. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계(C)에서,
상기 제 1 공간 분할 영역에는 상기 기판 지지부가 1 회전하는 1 공정 싸이클 주기 내에서 구간 단위로 상기 소스 가스를 분사하고,
상기 제 3 공간 분할 영역에는 상기 1 공정 싸이클 주기 내에서 구간 단위로 상기 반응 가스를 분사하며,
상기 제 2 공간 분사 영역과 상기 제 4 공간 분할 영역에는 각각 상기 1 공정 싸이클 주기 내에서 지속적으로 상기 퍼지 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4, wherein in step (C):
The source gas is injected into the first space divided area in intervals within one process cycle in which the substrate support is rotated one time.
Injecting the reaction gas into the third space divided region in section units within the first process cycle period,
And the purge gas is continuously injected into the second space spraying region and the fourth space partitioning region within the first process cycle period.
KR1020190154362A 2019-11-27 2019-11-27 Method for processing substrate KR102176986B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190154362A KR102176986B1 (en) 2019-11-27 2019-11-27 Method for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190154362A KR102176986B1 (en) 2019-11-27 2019-11-27 Method for processing substrate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190002144A Division KR102051611B1 (en) 2019-01-08 2019-01-08 Apparatus for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190134577A true KR20190134577A (en) 2019-12-04
KR102176986B1 KR102176986B1 (en) 2020-11-10

Family

ID=69004924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190154362A KR102176986B1 (en) 2019-11-27 2019-11-27 Method for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102176986B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100067081A (en) * 2010-06-01 2010-06-18 주성엔지니어링(주) Thin film manufacturing apparatus and thin film deposition method using the same
KR20110074052A (en) * 2009-12-24 2011-06-30 경희대학교 산학협력단 Method for preparing barrier film for plastic substrate by using low frequency plasma enhanced atomic layer deposition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110074052A (en) * 2009-12-24 2011-06-30 경희대학교 산학협력단 Method for preparing barrier film for plastic substrate by using low frequency plasma enhanced atomic layer deposition
KR20100067081A (en) * 2010-06-01 2010-06-18 주성엔지니어링(주) Thin film manufacturing apparatus and thin film deposition method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102176986B1 (en) 2020-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101503512B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102014877B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170022459A (en) Substrate processing apparatus andsubstrate processing method
KR101690971B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101954758B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101854242B1 (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate using the same
KR101834984B1 (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate using the same
KR101929481B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101561675B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101929405B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20130090287A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101830322B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102051611B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR102176986B1 (en) Method for processing substrate
KR101946312B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170131318A (en) Apparatus for processing substrate
KR102046391B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101951861B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101938267B1 (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate using the same
KR102076512B1 (en) Substrate processing method
KR102405776B1 (en) Substrate processing apparatus andsubstrate processing method
KR102098636B1 (en) Substrate processing method
KR102205349B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20130141409A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102192369B1 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant