KR101561675B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간; 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간; 및 상기 공정 챔버의 상부에 설치되며, 상기 기판 지지부 쪽으로 일정한 높이를 가지도록 나란하게 돌출되어 공간적으로 분리되는 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간을 마련하는 공간 형성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing uniformity of a thin film material and facilitating control of film quality of a thin film material by separating a plasma space and a source gas injection space, A process chamber; A substrate support disposed in the process chamber and supporting the substrate; A plasma forming space for ejecting a plasma onto the substrate; A source gas injection space for injecting a source gas onto the substrate; And a space forming member provided on the upper portion of the process chamber and spaced apart from the plasma generating space by a predetermined height so as to have a constant height toward the substrate supporting portion and the source gas injecting space. .
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of separating a plasma space and a source gas injection space to increase uniformity of a thin film material and facilitate control of film quality of the thin film material.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of the substrate. For this purpose, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.Plasma-based substrate processing apparatuses include a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for patterning a thin film, and the like.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general substrate processing apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a
챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.The
플라즈마 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The
플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 40MHz의 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.One side of the
또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.Further, the central portion of the
정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching
서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The
승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The
가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사홀(44)을 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed below the
이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사함과 아울러 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급해 반응 공간에 전자기장을 형성함으로써 상기 전자기장에 의해 기판(W) 상에 형성되는 플라즈마를 이용해 기판(W) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.Such a general substrate processing apparatus loads a substrate W onto a
그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 소스 가스가 분사 공간과 플라즈마 공간이 동일하기 때문에 반응 공간에 형성되는 플라즈마 밀도의 균일도에 따라 기판(W)에 증착되는 박막 물질의 균일도가 결정되고, 이로 인해 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.However, in a general substrate processing apparatus, since the source gas is equal to the injection space and the plasma space, the uniformity of the thin film material deposited on the substrate W is determined according to the uniformity of the plasma density formed in the reaction space, There is difficulty in controlling membrane quality.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which can separate the plasma space and the source gas injection space to increase the uniformity of the thin film material and facilitate the control of the film quality of the thin film material. .
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간과 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간이 분리되도록 형성되어 상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하여 구성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a processing chamber; A substrate support rotatably installed in the process chamber to support a plurality of substrates; And an electrode part formed on the substrate supporting part to separate a plasma generating space for ejecting a plasma on the substrate and a source gas injecting space for injecting a source gas onto the substrate, .
상기 플라즈마 형성 공간은 복수로 형성되고, 상기 소스 가스 분사 공간은 복수의 플라즈마 형성 공간 사이사이에 공간적으로 분리되도록 복수로 형성될 수 있다.The plurality of plasma generating spaces may be formed, and the plurality of plasma generating spaces may be spatially separated between the plurality of plasma generating spaces.
상기 전극부는 전기적으로 접지되어 상기 공정 챔버의 상부를 덮도록 설치되고, 상기 복수의 플라즈마 형성 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 삽입 홀과 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀, 및 상기 복수의 소스 가스 분사 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀을 가지는 접지 프레임; 상기 접지 프레임의 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 상기 기판 지지부 쪽으로 나란하게 돌출되어 상기 복수의 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간을 마련하는 복수의 공간 형성 부재; 상기 복수의 삽입 홀 각각에 삽입된 복수의 절연 부재; 상기 복수의 절연 부재 각각을 관통하여 상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 배치됨과 아울러 상기 플라즈마 전원 공급부에 전기적으로 접속된 복수의 플라즈마 전극 부재; 반응 가스 공급부로부터 공급되는 반응 가스를 상기 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀 각각에 공급하는 반응 가스 공급 부재; 및 소스 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스를 상기 복수의 제 3 가스 공급 홀 각각에 공급하는 소스 가스 공급 부재를 포함하여 구성될 수 있다.Wherein the electrode portion is electrically grounded to cover an upper portion of the process chamber and includes a plurality of insertion holes and a plurality of first and second gas supply holes formed to overlap with the plurality of plasma forming spaces, A ground frame having a plurality of third gas supply holes formed to overlap the injection space; A plurality of space forming members protruding in parallel to the substrate supporting portion so as to have a predetermined height from a lower surface of the ground frame to provide the plurality of plasma forming spaces and the source gas injecting spaces; A plurality of insulating members inserted into each of the plurality of insertion holes; A plurality of plasma electrode members disposed in each of the plurality of plasma generating spaces through the plurality of insulating members, respectively, and electrically connected to the plasma power supply unit; A reaction gas supply member for supplying a reaction gas supplied from the reaction gas supply unit to each of the plurality of first and second gas supply holes; And a source gas supply member for supplying the source gas supplied from the source gas supply unit to each of the plurality of third gas supply holes.
상기 전극부는 전기적으로 접지되어 상기 공정 챔버의 상부를 덮도록 설치되고, 상기 복수의 플라즈마 형성 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 삽입 홀과 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀, 및 상기 복수의 소스 가스 분사 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀을 가지는 접지 프레임; 상기 접지 프레임의 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 상기 기판 지지부 쪽으로 나란하게 돌출되어 상기 복수의 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간을 마련하는 복수의 공간 형성 부재; 상기 복수의 삽입 홀 각각에 삽입된 복수의 절연 부재; 상기 복수의 절연 부재 각각을 관통하여 상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 배치됨과 아울러 상기 플라즈마 전원 공급부에 전기적으로 접속된 복수의 플라즈마 전극 부재; 반응 가스 공급부로부터 공급되는 반응 가스를 상기 제 1 및 제 2 가스 공급 홀 중 적어도 하나의 가스 공급 홀에 공급하는 반응 가스 공급 부재; 및 퍼지 가스 공급부로부터 공급되는 퍼지 가스를 상기 제 1 및 제 2 가스 공급 홀 중 나머지 하나의 가스 공급 홀에 공급하는 퍼지 가스 공급 부재; 및 소스 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스를 상기 복수의 제 3 가스 공급 홀 각각에 공급하는 소스 가스 공급 부재를 포함하여 구성될 수 있다.Wherein the electrode portion is electrically grounded to cover an upper portion of the process chamber and includes a plurality of insertion holes and a plurality of first and second gas supply holes formed to overlap with the plurality of plasma forming spaces, A ground frame having a plurality of third gas supply holes formed to overlap the injection space; A plurality of space forming members protruding in parallel to the substrate supporting portion so as to have a predetermined height from a lower surface of the ground frame to provide the plurality of plasma forming spaces and the source gas injecting spaces; A plurality of insulating members inserted into each of the plurality of insertion holes; A plurality of plasma electrode members disposed in each of the plurality of plasma generating spaces through the plurality of insulating members, respectively, and electrically connected to the plasma power supply unit; A reaction gas supply member for supplying a reaction gas supplied from a reaction gas supply unit to at least one gas supply hole of the first and second gas supply holes; And a purge gas supply member for supplying a purge gas supplied from the purge gas supply unit to the other one of the first and second gas supply holes; And a source gas supply member for supplying the source gas supplied from the source gas supply unit to each of the plurality of third gas supply holes.
상기 전극부는 상기 기판 상에 퍼지 가스(Purge Gas)를 분사하기 위한 복수의 퍼지 가스 분사 공간을 더 포함하여 구성되고, 상기 복수의 퍼지 가스 분사 공간 각각은 인접한 한 쌍의 소스 가스 분사 공간 사이에 마련된 한 쌍의 플라즈마 형성 공간 사이에 공간적으로 분리되도록 형성되거나, 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 공간 사이에 공간적으로 분리되도록 형성될 수 있다.Wherein the electrode unit further comprises a plurality of purge gas injection spaces for injecting a purge gas onto the substrate, wherein each of the plurality of purge gas injection spaces is provided between a pair of adjacent source gas injection spaces Or may be formed to be spatially separated between a pair of plasma forming spaces or spatially separated between the plasma forming space and the source gas space.
상기 전극부는 전기적으로 접지되어 상기 공정 챔버의 상부를 덮도록 설치되고, 상기 복수의 플라즈마 형성 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 삽입 홀과 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀, 상기 복수의 소스 가스 분사 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀, 및 상기 복수의 퍼지 가스 분사 공간에 중첩되도록 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀을 가지는 접지 프레임; 상기 접지 프레임의 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 상기 기판 지지부 쪽으로 나란하게 돌출되어 상기 복수의 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간 및 상기 복수의 퍼지 가스 분사 공간을 마련하는 복수의 공간 형성 부재; 상기 복수의 삽입 홀 각각에 삽입된 복수의 절연 부재; 상기 복수의 절연 부재 각각을 관통하여 상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 배치됨과 아울러 상기 플라즈마 전원 공급부에 전기적으로 접속된 복수의 플라즈마 전극 부재; 반응 가스 공급부로부터 공급되는 반응 가스를 상기 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀 각각에 공급하는 반응 가스 공급 부재; 소스 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스를 상기 복수의 제 3 가스 공급 홀 각각에 공급하는 소스 가스 공급 부재; 및 퍼지 가스 공급부로부터 공급되는 퍼지 가스를 상기 복수의 제 4 가스 공급 홀 각각에 공급하는 퍼지 가스 공급 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The electrode unit is electrically grounded to cover an upper portion of the process chamber. The electrode unit includes a plurality of insertion holes formed to overlap with the plurality of plasma generating spaces, a plurality of first and second gas supply holes, A plurality of third gas supply holes formed to overlap with the space, and a plurality of fourth gas supply holes formed to overlap the plurality of purge gas injection spaces; A plurality of space forming members protruding in parallel to the substrate supporting portion so as to have a predetermined height from a lower surface of the ground frame to form the plurality of plasma forming spaces, the source gas injecting space, and the plurality of purge gas injecting spaces; A plurality of insulating members inserted into each of the plurality of insertion holes; A plurality of plasma electrode members disposed in each of the plurality of plasma generating spaces through the plurality of insulating members, respectively, and electrically connected to the plasma power supply unit; A reaction gas supply member for supplying a reaction gas supplied from the reaction gas supply unit to each of the plurality of first and second gas supply holes; A source gas supply member for supplying a source gas supplied from a source gas supply unit to each of the plurality of third gas supply holes; And a purge gas supply member for supplying the purge gas supplied from the purge gas supply unit to each of the plurality of fourth gas supply holes.
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상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 플라즈마 형성 공간과 소스 가스 분사 공간을 공간적으로 분리함으로써 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 함과 아울러 박막 물질의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있으며, 박막 물질이 플라즈마 형성 공간의 주변 및/또는 플라즈마 전극 부재에 증착되지 것을 방지 내지 최소화하여 소스 가스의 사용 효율 및 박막 물질의 균일도를 증가시킬 수 있다.According to the present invention, the substrate processing apparatus according to the present invention can easily control the film quality of the thin film material and improve the step coverage of the thin film material by spatially separating the plasma forming space and the source gas injection space , The use efficiency of the source gas and the uniformity of the thin film material can be increased by preventing or minimizing the thin film material from being deposited on the periphery of the plasma forming space and / or on the plasma electrode member.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 퍼지 가스를 이용한 기판에 증착되지 않은 소스 가스 및/또는 소스 가스와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스를 퍼지시킴으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention can purge the remaining reaction gas without reacting with the source gas and / or the source gas which is not deposited on the substrate using the purge gas, thereby making it easier to control the uniformity of the thin film material and the film quality of the thin film material .
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 전극부를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 전극부를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a schematic view for explaining a general substrate processing apparatus.
2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically showing the electrode unit shown in Fig.
4 is an exploded perspective view schematically showing the electrode portion shown in Fig.
5 and 6 are views for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
7 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in Fig.
9 is a view for explaining a modified example of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in Fig.
11 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in Fig.
13 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in Fig.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 전극부를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 전극부를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.3 is a perspective view schematically showing the electrode unit shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a schematic perspective view of the electrode unit shown in FIG. 3, schematically showing the electrode unit shown in FIG. Fig.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 전극부(130), 전극 커버(140), 플라즈마 전원 공급부(150), 반응 가스 공급부(160), 및 소스 가스 공급부(170)를 포함하여 구성된다.2 to 4, a
공정 챔버(110)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(112)에 연통된다.The
기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치된다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(122)에 의해 지지된다. 상기 회전축(122)은 축 구동 부재(124)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 회전축(122)은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(126)에 감싸여진다.The
상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)은 원판 형태를 가지는 것으로, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼가 일정한 간격을 가지도록 원 형태로 배치된다.The
전극부(130)는 기판 지지부(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 상부에 배치되어 전극 커버(140)에 의해 덮여진다. 이러한 전극부(130)는 플라즈마 형성 공간(S1)을 통해 기판(W) 상에 플라즈마를 분출시키고, 플라즈마 형성 공간(S1)과 공간적으로 분리된 소스 가스 분사 공간(S2)을 통해 기판(W) 상에 소스 가스(SG)를 분사한다. 이때, 상기 플라즈마 형성 공간(S1)은 복수로 형성되고, 소스 가스 분사 공간(S2)은 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 사이사이에 공간적으로 분리되도록 형성된다.The
구체적으로, 전극부(130)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 복수의 공간 형성 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 복수의 플라즈마 전극 부재(240), 반응 가스 공급 부재(250), 및 소스 가스 공급 부재(260)를 포함하여 구성된다.3 and 4, the
접지 프레임(210)은 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치됨으로써 기판 지지부(120)에 지지된 복수의 기판(W) 각각에 대향된다. 이러한 접지 프레임(210)은 전기적으로 접지된다.The
상기 접지 프레임(210)은 복수의 삽입 홀(212), 복수의 제 1 내지 제 3 가스 공급 홀(214, 216, 218)을 포함하도록 형성된다.The
복수의 삽입 홀(212) 각각은 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각의 중심부에 중첩되도록 형성된다. 이때, 복수의 삽입 홀(212) 각각은 직사각 형태를 가지도록 형성된다.Each of the plurality of insertion holes 212 is formed so as to overlap the central portion of each of the plurality of plasma generating spaces S1. At this time, each of the plurality of insertion holes 212 is formed to have a rectangular shape.
복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각은 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 중첩됨과 아울러 복수의 삽입 홀(212) 각각의 일측에 인접하도록 형성된다. 이때, 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각은 복수의 삽입 홀(212) 각각의 길이 방향에 나란하게 배치된다.Each of the plurality of first gas supply holes 214 is overlapped with each of the plurality of plasma generating spaces S1 and adjacent to one side of each of the plurality of insertion holes 212. [ At this time, each of the plurality of first gas supply holes 214 is arranged in parallel with the longitudinal direction of each of the plurality of insertion holes 212.
복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각은 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 중첩됨과 아울러 복수의 삽입 홀(212) 각각의 타측에 인접하도록 형성된다. 이때, 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각은 복수의 삽입 홀(212) 각각의 길이 방향에 나란하게 배치된다.Each of the plurality of second gas supply holes 216 is overlapped with each of the plurality of plasma generating spaces S1 and adjacent to the other side of each of the plurality of insertion holes 212. [ At this time, each of the plurality of second gas supply holes 216 is arranged in parallel to the longitudinal direction of each of the plurality of insertion holes 212.
복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각은 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 중첩됨과 아울러 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각의 일측 또는 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각의 타측에 인접하도록 형성된다. 이때, 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각은 복수의 제 1 또는 제 2 가스 공급 홀(214, 216) 각각에 나란하게 배치된다.Each of the plurality of third gas supply holes 218 is overlapped with each of the plurality of source gas injection spaces S2 and the one or more second gas supply holes 216 of each of the plurality of first gas supply holes 214, Are formed adjacent to the other side of each. At this time, each of the plurality of third gas supply holes 218 is disposed in parallel with each of the plurality of first or second gas supply holes 214, 216.
복수의 공간 형성 부재(220) 각각은 제 1 및 제 2 가스 공급 홀(214, 216) 사이, 및 제 2 및 제 3 가스 공급 홀(216, 218) 사이에 중첩되는 접지 프레임(210)의 하면으로부터 기판 지지부(120) 쪽으로 소정 높이를 가지도록 나란하게 돌출됨으로써 공간적으로 분리되는 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 및 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각을 마련한다. 이때, 복수의 공간 형성 부재(220) 각각은 복수의 삽입 홀(212) 각각의 길이 방향에 나란하게 형성된다. 이에 따라, 하나의 플라즈마 형성 공간(S1)은 하나의 삽입 홀(212)과 삽입 홀(212)의 길이 방향 양측에 인접한 제 1 및 제 2 가스 공급 홀(214, 216)을 중첩되도록 마련된다. 그리고, 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각은 제 3 가스 공급 홀(218) 각각에 중첩되도록 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 사이사이에 마련된다. 이러한 복수의 공간 형성 부재(220) 각각은 전기적으로 접지된 접지 프레임(210)에 일체화됨으로써 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각은 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각을 전기적으로 분리시키는 역할을 한다.Each of the plurality of
복수의 절연 부재(230) 각각은 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 삽입 홀(212) 각각에 삽입된다. 이를 위해, 복수의 절연 부재(230) 각각은 "T"자 형태의 단면을 가지는 것으로, 접지 프레임(210)의 삽입 홀(212)에 삽입되는 몸체(232), 몸체(232)의 상면에 형성되어 접지 프레임(210)의 상면에 지지되는 헤드부(234), 및 헤드부(234)와 몸체(232)를 관통하는 중공부(236)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 복수의 절연 부재(230) 각각은 접지 프레임(210)과 후술될 플라즈마 전극 부재(240) 사이를 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.Each of the plurality of insulating
복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 도전성 물질로 이루어져 절연 부재(230)에 형성된 중공부(236)에 삽입되어 접지 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 플라즈마 형성 공간(S1)에 배치된다. 이때, 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 복수의 공간 형성 부재(220) 각각과 동일한 높이로 돌출되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 "T"자 형태의 단면을 가지도록 형성된다. 이러한 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 급전 케이블(242)을 통해 플라즈마 전원 공급부(150)에 전기적으로 접속된다.Each of the plurality of
반응 가스 공급 부재(250)는 반응 가스 공급부(160)로부터 공급되는 반응 가스를 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀(214, 216) 각각에 공급함으로써 반응 가스가 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀(214, 216) 각각을 통해 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 분사되도록 한다. 이를 위해, 반응 가스 공급 부재(250)는 제 1 메인 가스 관(252), 및 복수의 제 1 분기 가스 관(254)을 포함하여 구성된다.The reaction
제 1 메인 가스 관(252)은 전극 커버(140)를 관통하여 반응 가스 공급부(160)에 연결된다.The first
복수의 제 1 분기 가스 관(254) 각각은 제 1 메인 가스 관(252)으로부터 분기되어 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 1 및 제 2 가스 공급 홀(214, 216) 각각에 연통되도록 접지 프레임(210)에 결합된다.Each of the plurality of first
소스 가스 공급 부재(260)는 소스 가스 공급부(170)로부터 공급되는 소스 가스를 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각에 공급함으로써 소스 가스가 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각을 통해 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 분사되도록 한다. 이를 위해, 소스 가스 공급 부재(260)는 제 2 메인 가스 관(262), 및 복수의 제 2 분기 가스 관(264)을 포함하여 구성된다.The source
제 2 메인 가스 관(262)은 전극 커버(140)를 관통하여 소스 가스 공급부(170)에 연결된다.The second
복수의 제 2 분기 가스 관(264) 각각은 제 2 메인 가스 관(262)으로부터 분기되어 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각에 연통되도록 접지 프레임(210)에 결합된다.Each of the plurality of second
플라즈마 전원 공급부(150)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블(242)을 통해 플라즈마 전원을 전극부(130)의 각 플라즈마 전극 부재(240)에 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma
상기 급전 케이블(242)에는 임피던스 매칭 회로(152)가 접속되어 플라즈마 전원 공급부(150)로부터 각 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로(152)는 커패시터 및 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.An
반응 가스 공급부(160)는 소정의 반응 가스를 전극부(130)의 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 공급한다. 이를 위해, 반응 가스 공급부(160)는 전극 커버(140)의 상면 또는 공정 챔버(110)의 외부에 설치되어 전술한 반응 가스 공급 부재(250)를 통해 전극부(130)의 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 연통된다. 이때, 반응 가스는 소스 가스(SG)와 반응하는 가스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 반응 가스는 질소(N2), 산소(O2), 아산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 이러한 반응 가스는 플라즈마 형성 공간(S1)에서 발생되는 플라즈마에 의해 플라즈마화 되어 기판(W) 상으로 분사됨으로써 소스 가스 분사 공간(S2)으로부터 기판(W) 상에 분사되는 소스 가스(SG)와 반응하여 원하는 박막 물질이 기판(W) 상에 증착되도록 한다.The reaction
소스 가스 공급부(170)는 소정의 소스 가스를 전극부(130)의 각 소스 가스 분사 공간(S2)에 공급한다. 이를 위해, 소스 가스 공급부(170)는 전극 커버(140)의 상면 또는 공정 챔버(110)의 외부에 설치되어 전술한 소스 가스 공급 부재(260)를 통해 전극부(130)의 각 소스 가스 분사 공간(S2)에 연통된다. 이때, 소스 가스(SG)는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하여 이루어지는 것으로, 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 알루미늄(Al) 등을 함유할 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)을 함유하는 소스 가스(SG)는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다. 이러한 소스 가스(SG)는 전술한 반응 가스(RG)와 반응하여 기판(W) 상에 증착됨으로써 기판(W) 상에 소정의 박막 물질을 형성한다.The source
도 5 및 도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면들이다.5 and 6 are views for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.5 and 6, a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described as follows.
먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩하여 안착시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the
그런 다음, 복수의 기판(W)이 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the
이어서, 전극부(130)에 마련된 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 소스 가스(SG)를 공급하여 각 소스 가스 분사 공간(S2)의 하부로 소스 가스(SG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 소스 가스(SG)를 분사한다.Subsequently, the source gas SG is supplied to each of the plurality of source gas injection spaces S2 provided in the
이어서, 전극부(130)에 마련된 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각에 플라즈마 전원을 공급함과 아울러 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 반응 가스(RG)를 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마를 형성함으로써 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마화된 반응 가스를 기판(W) 상으로 분출시킨다. 이때, 플라즈마화된 반응 가스는 플라즈마 형성 공간(S1)에 공급되는 반응 가스(RG)의 유속(또는 흐름)에 의해 플라즈마 형성 공간(S1)의 하부로 분출된다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W)에서는 각 소스 가스 분사 공간(S2)으로부터 분사되는 소스 가스(SG)와 플라즈마 형성 공간(S1)으로부터 분출되는 플라즈마화된 반응 가스가 상호 반응하게 되고, 이로 인해 기판(W) 상에는 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Subsequently, a plasma power source is supplied to each of the plurality of
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서, 소스 가스(SG)를 분사하는 단계와 플라즈마를 분출시키는 단계는 동시에 수행되거나, 순차적으로 수행될 수 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method described above, the step of spraying the source gas (SG) and the step of spraying the plasma may be performed simultaneously or sequentially.
이와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 복수의 기판(W)을 회전시키는 기판 지지부(620)의 상부 전면에 배치된 전극부(130)에 마련되는 플라즈마 형성 공간(S1)과 소스 가스 분사 공간(S1)을 공간적으로 분리함으로써 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 함과 아울러 박막 물질의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있고, 박막 물질이 플라즈마 형성 공간(S1)의 주변 및/또는 플라즈마 전극 부재(240)에 증착되지 것을 방지 내지 최소화하여 소스 가스(SG)의 사용 효율 및 박막 물질의 균일도를 증가시킬 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention can be applied to a plasma processing apparatus including a plasma forming space (not shown) provided in an
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 7 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode unit shown in FIG.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 전극부(430), 전극 커버(140), 플라즈마 전원 공급부(150), 반응 가스 공급부(160), 소스 가스 공급부(170), 및 퍼지(Purge) 가스 공급부(380)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)에서 전극부(330) 및 퍼지 가스 공급부(380)를 제외한 나머지 구성들은 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.7 and 8, a
전극부(330)는 전술한 복수의 플라즈마 형성 공간(S1)과 복수의 소스 분사 공간(S2)을 가지도록 형성되는 것으로, 접지 프레임(210), 복수의 공간 형성 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 복수의 플라즈마 전극 부재(240), 반응 가스 공급 부재(350), 소스 가스 공급 부재(260), 및 퍼지 가스 공급 부재(370)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 전극부(330)에서 반응 가스 공급 부재(350) 및 퍼지 가스 공급 부재(370)를 제외한 나머지 구성들은 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 전극부(130)와 동일하므로 이들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The
반응 가스 공급 부재(350)는 반응 가스 공급부(160)로부터 공급되는 전술한 반응 가스(RG)를 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각에 공급함으로써 반응 가스(RG)가 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각을 통해 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각의 일측에 분사되도록 한다. 이를 위해, 반응 가스 공급 부재(350)는 제 1 메인 가스 관(352), 및 복수의 제 1 분기 가스 관(354)을 포함하여 구성된다.The reaction
제 1 메인 가스 관(352)은 전극 커버(140)를 관통하여 반응 가스 공급부(160)에 연결된다.The first
복수의 제 1 분기 가스 관(354) 각각은 제 1 메인 가스 관(352)으로부터 분기되어 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 각각에 연결통되도록 접지 프레임(210)에 결합된다.Each of the plurality of first
퍼지 가스 공급 부재(370)는 퍼지 가스 공급부(380)로부터 공급되는 퍼지 가스(PG)를 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각에 공급함으로써 퍼지 가스(PG)가 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각을 통해 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각의 타측에 분사되도록 한다. 이를 위해, 퍼지 가스 공급 부재(370)는 제 3 메인 가스 관(372), 및 복수의 제 3 분기 가스 관(374)을 포함하여 구성된다.The purge
제 3 메인 가스 관(372)은 전극 커버(140)를 관통하여 퍼지 가스 공급부(380)에 연결된다.The third
복수의 제 3 분기 가스 관(374) 각각은 제 3 메인 가스 관(372)으로부터 분기되어 접지 프레임(210)에 형성된 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 각각에 연결통되도록 접지 프레임(210)에 결합된다.Each of the plurality of third
퍼지 가스 공급부(380)는 전극 커버(140) 또는 공정 챔버(110) 외부에 설치되어 소정의 퍼지 가스(PG)를 퍼지 가스 공급 부재(370)에 공급한다. 이때, 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지(Purge)하기 위한 것으로, 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 하나의 가스로 이루어질 수 있다.The purge
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.The substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention will now be described.
먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩하여 안착시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the
그런 다음, 복수의 기판(W)이 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the
이어서, 전극부(330)에 마련된 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 소스 가스(SG)를 공급하여 각 소스 가스 분사 공간(S2)의 하부로 소스 가스(SG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 소스 가스(SG)를 분사한다.Subsequently, the source gas SG is supplied to each of the plurality of source gas injection spaces S2 provided in the
이어서, 전극부(330)에 마련된 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각에 플라즈마 전원을 공급함과 아울러 각 플라즈마 형성 공간(S1)의 일측에 반응 가스(RG)를 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마를 형성함으로써 각 플라즈마 형성 공간(S1)에서 플라즈마화된 반응 가스를 기판(W) 상으로 분출시킨다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 회전되는 복수의 기판(W)에서는 각 소스 가스 분사 공간(S2)으로부터 분사되는 소스 가스(SG)와 플라즈마 형성 공간(S1)으로부터 분출되는 플라즈마화된 반응 가스가 상호 반응하게 되고, 이로 인해 기판(W) 상에는 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Subsequently, a plasma power source is supplied to each of the plurality of
그런 다음, 전극부(330)에 마련된 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각에 공급되는 플라즈마 전원을 중단하고, 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 퍼지 가스(PG)를 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)의 하부로 퍼지 가스(PG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 퍼지 가스(PG)를 분사한다. 이에 따라, 복수의 기판(W)에 분사되는 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지한다.Thereafter, the plasma power source supplied to each of the plurality of
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서, 소스 가스(SG)를 분사하는 단계, 플라즈마를 분출시키는 단계 및 퍼지 가스(PG)를 분사하는 단계는 동시에 수행되거나, 순차적으로 수행될 수 있다. 그리고, 퍼지 가스(PG)를 분사하는 단계에서 퍼지 가스(PG)와 함께 각 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마를 형성함으로써 플라즈마화된 퍼지 가스를 기판(W) 상으로 분출시킬 수도 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method described above, the step of jetting the source gas SG, the step of jetting the plasma, and the step of jetting the purge gas PG may be performed simultaneously or sequentially. In the step of spraying the purge gas PG, a plasma power is supplied to each
한편, 전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서, 퍼지 가스(PG)와 반응 가스(RG) 각각은 서로 다른 가스 공급 홀(214, 216) 각각을 통해 분리되어 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 공급되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 서로 동일한 가스 공급 홀(214, 216)에 공급될 수도 있다. 이를 위해, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 전술한 반응 가스 공급 부재(350)는 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 중 일부에 연통됨과 아울러 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 중 일부에 연통된다. 그리고, 전술한 퍼지 가스 공급 부재(370)는 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 중 나머지에 연통됨과 아울러 복수의 제 2 가스 공급 홀(216) 중 나머지에 연통된다. 이에 따라, 퍼지 가스(PG)와 반응 가스(RG) 각각은 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 및 복수의 제 2 가스 공급 홀(216)을 통해 복수의 플라즈마 형성 공간(S1)에 함께 공급된다. 다른 방법으로써, 전술한 반응 가스 공급 부재(350)와 전술한 퍼지 가스 공급 부재(370)는 서로 연통되도록 형성됨으로써 퍼지 가스(PG)와 반응 가스(RG) 각각은 복수의 제 1 가스 공급 홀(214) 및 복수의 제 2 가스 공급 홀(216)을 통해 복수의 플라즈마 형성 공간(S1)에 함께 공급될 수 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method described above, the purge gas (PG) and the reactive gas (RG) are separated through the respective different gas supply holes 214 and 216 and supplied to the respective plasma forming spaces S1 However, the present invention is not limited to this, and may be supplied to the same gas supply holes 214 and 216 as well. 9 and 10, the reaction
이와 같은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 복수의 기판(W)을 회전시키는 기판 지지부(620)의 상부 전면에 배치된 전극부(130)에 마련되는 플라즈마 형성 공간(S1)과 소스 가스 분사 공간(S1)을 공간적으로 분리함으로써 소스 가스(SG)의 사용 효율 및 박막 물질의 균일도를 증가시키고, 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 제어함과 아울러 박막 물질의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있고, 퍼지 가스(PG)를 이용하여 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지시킴으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the second embodiment of the present invention can be applied to a plasma processing apparatus including a plasma forming space (not shown) provided in an
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 12는 도 11에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 11 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in FIG.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치(400)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 전극부(430), 전극 커버(140), 플라즈마 전원 공급부(150), 반응 가스 공급부(160), 소스 가스 공급부(170), 및 퍼지 가스 공급부(380)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치(400)에서 전극부(430) 및 퍼지 가스 공급부(380)를 제외한 나머지 구성들은 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.11 and 12, a
전극부(430)는 복수의 플라즈마 형성 공간(S1), 복수의 소스 가스 분사 공간(S2), 및 인접한 한 쌍의 소스 가스 분사 공간(S2) 사이에 마련된 한 쌍의 플라즈마 형성 공간(S1) 사이에 마련된 퍼지 가스 분사 공간(S3)을 포함하여 구성된다. 이를 위해, 전극부(430)는 접지 프레임(310), 복수의 공간 형성 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 복수의 플라즈마 전극 부재(240), 반응 가스 공급 부재(250), 소스 가스 공급 부재(460), 및 퍼지 가스 공급 부재(470)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 전극부(430)에서 접지 프레임(310), 소스 가스 공급 부재(460), 및 퍼지 가스 공급 부재(470)를 제외한 나머지 구성들은 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 전극부(130)와 동일하므로 이들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The
접지 프레임(310)은 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 중첩되도록 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219)을 더 포함하여 이루어지는 것을 제외하고는 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 접지 프레임(210)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다. 즉, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)는 도 3 및 도 4의 접지 프레임(210)에 형성된 인접한 한 쌍의 소스 가스 분사 공간(S2) 사이에 마련된 한 쌍의 플라즈마 형성 공간(S1) 사이에 마련되는 소스 가스 분사 공간(S2)을 퍼지 가스 분사 공간(S3)으로 사용하고, 이에 중첩되는 복수의 제 3 가스 공급 홀(216)을 제 4 가스 공급 홀(219)로 사용한다.3 and 4 except that the
소스 가스 공급 부재(460)는 소스 가스 공급부(170)로부터 공급되는 소스 가스(SG)를 접지 프레임(310)에 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각에 공급함으로써 소스 가스(SG)가 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각을 통해 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 분사되도록 한다. 이를 위해, 소스 가스 공급 부재(460)는 제 2 메인 가스 관(462), 및 복수의 제 2 분기 가스 관(464)을 포함하여 구성된다.The source
제 2 메인 가스 관(462)은 전극 커버(140)를 관통하여 소스 가스 공급부(170)에 연결된다.The second
복수의 제 2 분기 가스 관(464) 각각은 제 2 메인 가스 관(462)으로부터 분기되어 접지 프레임(310)에 형성된 복수의 제 3 가스 공급 홀(218) 각각에 연통되도록 접지 프레임(310)에 결합된다.Each of the plurality of second
퍼지 가스 공급 부재(470)는 퍼지 가스 공급부(380)로부터 공급되는 퍼지 가스(PG)를 접지 프레임(310)에 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각에 공급함으로써 퍼지 가스(PG)가 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각을 통해 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 분사되도록 한다. 이를 위해, 퍼지 가스 공급 부재(470)는 제 3 메인 가스 관(472), 및 복수의 제 3 분기 가스 관(474)을 포함하여 구성된다.The purge
제 3 메인 가스 관(472)은 전극 커버(140)를 관통하여 퍼지 가스 공급부(380)에 연결된다.The third
복수의 제 3 분기 가스 관(474) 각각은 제 3 메인 가스 관(472)으로부터 분기되어 접지 프레임(310)에 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각에 연통되도록 접지 프레임(310)에 결합된다.Each of the plurality of third
퍼지 가스 공급부(380)는 소정의 퍼지 가스(PG)를 전극부(430)에 마련된 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 공급한다. 이를 위해, 퍼지 가스 공급부(380)는 전극 커버(140)의 상면 또는 공정 챔버(110)의 외부에 설치되어 전술한 퍼지 가스 공급 부재(470)에 연통됨으로써 소정의 퍼지 가스(PG)를 전극부(430)의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 연통된다. 이때, 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지(Purge)하기 위한 것으로, 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 하나의 가스로 이루어질 수 있다.The purge
이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.The substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention will now be described.
먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩하여 안착시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the
그런 다음, 복수의 기판(W)이 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the
이어서, 전극부(430)에 마련된 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 소스 가스(SG)를 공급하여 각 소스 가스 분사 공간(S2)의 하부로 소스 가스(SG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 소스 가스(SG)를 분사한다.Subsequently, the source gas SG is supplied to each of the plurality of source gas injection spaces S2 provided in the
이어서, 전극부(430)에 마련된 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각에 플라즈마 전원을 공급함과 아울러 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 반응 가스(RG)를 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마를 형성함으로써 각 플라즈마 형성 공간(S1)에서 플라즈마화된 반응 가스를 기판(W) 상으로 분출시킨다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 회전되는 복수의 기판(W)에서는 각 소스 가스 분사 공간(S2)으로부터 분사되는 소스 가스(SG)와 플라즈마 형성 공간(S1)으로부터 분출되는 플라즈마화된 반응 가스가 상호 반응하게 되고, 이로 인해 기판(W) 상에는 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Subsequently, a plasma power source is supplied to each of the plurality of
그런 다음, 전극부(430)에 마련된 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 퍼지 가스(PG)를 공급하여 각 퍼지 가스 분사 공간(S3)의 하부로 퍼지 가스(PG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 퍼지 가스(PG)를 분사한다. 이에 따라, 복수의 기판(W)에 분사되는 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지한다.Then, a purge gas PG is supplied to each of the plurality of purge gas injection spaces S3 provided in the
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서, 소스 가스(SG)를 분사하는 단계, 플라즈마를 분출시키는 단계 및 퍼지 가스(PG)를 분사하는 단계는 동시에 수행되거나, 순차적으로 수행될 수 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method described above, the step of jetting the source gas SG, the step of jetting the plasma, and the step of jetting the purge gas PG may be performed simultaneously or sequentially.
이와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 복수의 기판(W)을 회전시키는 기판 지지부(120) 상에 소정의 형태로 배치된 전극부(430)에 마련되는 플라즈마 형성 공간(S1)과 소스 가스 분사 공간(S1)을 공간적으로 분리함으로써 소스 가스(SG)의 사용 효율 및 박막 물질의 균일도를 증가시키고, 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 함과 아울러 박막 물질의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있고, 퍼지 가스(PG)를 이용하여 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지시킴으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the third embodiment of the present invention can be applied to a plasma processing apparatus and a substrate processing method in which a plasma is generated in an
도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 전극부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 13 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a part of the electrode portion shown in FIG.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 전극부(530), 전극 커버(140), 플라즈마 전원 공급부(150), 반응 가스 공급부(160), 소스 가스 공급부(170), 및 퍼지 가스 공급부(380)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)에서 전극부(530) 및 퍼지 가스 공급부(380)를 제외한 나머지 구성들은 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.13 and 14, a
전극부(530)는 복수의 플라즈마 형성 공간(S1), 복수의 소스 가스 분사 공간(S2), 및 플라즈마 형성 공간(S1)과 소스 가스 분사 공간(S2) 사이사이에 마련된 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3)을 포함하여 구성된다. 이를 위해, 전극부(530)는 접지 프레임(510), 복수의 공간 형성 부재(520), 복수의 절연 부재(230), 복수의 플라즈마 전극 부재(240), 반응 가스 공급 부재(250), 소스 가스 공급 부재(260), 및 퍼지 가스 공급 부재(570)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 전극부(530)에서 접지 프레임(510), 복수의 공간 형성 부재(520), 및 퍼지 가스 공급 부재(570)를 제외한 나머지 구성들은 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 전극부(130)와 동일하므로 이들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The
접지 프레임(510)은 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 중첩되도록 제 2 가스 공급 홀(216)과 제 3 가스 공급 홀(218) 사이에 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219)을 더 포함하여 이루어지는 것을 제외하고는 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 접지 프레임(210)과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The
복수의 공간 형성 부재(520) 각각은 접지 프레임(510)의 하면으로부터 설정된 간격을 가지도록 소정 높이로 나란하게 돌출되어 복수의 플라즈마 형성 공간(S1), 복수의 소스 가스 분사 공간(S2), 및 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각을 형성하는 것을 제외하고는 도 3 및 도 4에 도시된 전술한 공간 형성 부재(220)와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Each of the plurality of
퍼지 가스 공급 부재(570)는 퍼지 가스 공급부(380)로부터 공급되는 퍼지 가스(PG)를 접지 프레임(510)에 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각에 공급함으로써 퍼지 가스(PG)가 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각을 통해 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 분사되도록 한다. 이를 위해, 퍼지 가스 공급 부재(570)는 제 3 메인 가스 관(572), 및 복수의 제 3 분기 가스 관(574)을 포함하여 구성된다.The purge
제 3 메인 가스 관(572)은 전극 커버(140)를 관통하여 퍼지 가스 공급부(380)에 연결된다.The third
복수의 제 3 분기 가스 관(574) 각각은 제 3 메인 가스 관(572)으로부터 분기되어 접지 프레임(510)에 형성된 복수의 제 4 가스 공급 홀(219) 각각에 연통되도록 접지 프레임(510)에 결합된다.Each of the plurality of third
퍼지 가스 공급부(380)는 소정의 퍼지 가스(PG)를 전극부(430)에 마련된 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 공급한다. 이를 위해, 퍼지 가스 공급부(380)는 전극 커버(140)의 상면 또는 공정 챔버(110)의 외부에 설치되어 전술한 퍼지 가스 공급 부재(570)에 연통됨으로써 소정의 퍼지 가스(PG)를 전극부(530)의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 연통된다. 이때, 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지(Purge)하기 위한 것으로, 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 하나의 가스로 이루어질 수 있다.The purge
이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.The substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will now be described.
먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩하여 안착시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the
그런 다음, 복수의 기판(W)이 안착된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the
이어서, 전극부(530)에 마련된 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 소스 가스(SG)를 공급하여 각 소스 가스 분사 공간(S2)의 하부로 소스 가스(SG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 소스 가스(SG)를 분사한다.The source gas SG is supplied to each of the plurality of source gas injection spaces S2 provided in the
이어서, 전극부(530)에 마련된 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각에 플라즈마 전원을 공급함과 아울러 복수의 플라즈마 형성 공간(S1) 각각에 반응 가스(RG)를 공급하여 각 플라즈마 형성 공간(S1)에 플라즈마를 형성함으로써 각 플라즈마 형성 공간(S1)에서 플라즈마화된 반응 가스를 기판(W) 상으로 분출시킨다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 회전되는 복수의 기판(W)에서는 각 소스 가스 분사 공간(S2)으로부터 분사되는 소스 가스(SG)와 플라즈마 형성 공간(S1)으로부터 분출되는 플라즈마화된 반응 가스가 상호 반응하게 되고, 이로 인해 기판(W) 상에는 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Subsequently, a plasma power source is supplied to each of the plurality of
그런 다음, 전극부(530)에 마련된 복수의 퍼지 가스 분사 공간(S3) 각각에 퍼지 가스(PG)를 공급하여 각 퍼지 가스 분사 공간(S3)의 하부로 퍼지 가스(PG)를 분사함으로써 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 각각에 퍼지 가스(PG)를 분사한다. 이에 따라, 복수의 기판(W)에 분사되는 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지한다.The purge gas PG is supplied to each of the plurality of purge gas injection spaces S3 provided in the
전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서, 소스 가스(SG)를 분사하는 단계, 플라즈마를 분출시키는 단계 및 퍼지 가스(PG)를 분사하는 단계는 동시에 수행되거나, 순차적으로 수행될 수 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method described above, the step of jetting the source gas SG, the step of jetting the plasma, and the step of jetting the purge gas PG may be performed simultaneously or sequentially.
이와 같은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 복수의 기판(W)을 회전시키는 기판 지지부(120) 상에 소정의 형태로 배치된 전극부(530)에 마련되는 플라즈마 형성 공간(S1)과 소스 가스 분사 공간(S1)을 공간적으로 분리함으로써 소스 가스(SG)의 사용 효율 및 박막 물질의 균일도를 증가시키고, 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 함과 아울러 박막 물질의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있고, 퍼지 가스(PG)를 이용하여 기판(W)에 증착되지 않은 소스 가스(SG) 및/또는 소스 가스(SG)와 반응하지 않고 잔존하는 반응 가스(RG)를 퍼지시킴으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the fourth embodiment of the present invention can be applied to a plasma processing apparatus and a substrate processing method in which a plasma is generated in an
한편, 전술한 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시 예들에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 복수의 소스 가스 분사 공간(S2)에 한 종류의 소스 가스(SG)를 공급하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 복수의 소스 가스 분사 공간(S2) 각각에 각기 다른 종류의 소스 가스를 공급할 수도 있다. 이 경우, 기판(W) 상에 각기 다른 박막 물질로 이루어진 다층 박막을 형성할 수 있다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the first to fourth embodiments of the present invention described above, one type of source gas SG is supplied to the plurality of source gas injection spaces S2. However, But it is also possible to supply a different kind of source gas to each of the plurality of source gas injection spaces S2. In this case, a multilayer thin film made of different thin film materials can be formed on the substrate W. [
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
110: 공정 챔버 120: 기판 지지부
130: 전극부 140: 전극 커버
150: 플라즈마 전원 공급부 160: 반응 가스 공급부
170: 소스 가스 공급부 210: 접지 프레임
220: 공간 형성 부재 230: 절연 부재
240: 플라즈마 전극 부재 250: 반응 가스 공급 부재
260: 소스 가스 공급 부재110: process chamber 120: substrate support
130: electrode part 140: electrode cover
150: plasma power supply unit 160: reaction gas supply unit
170: source gas supply unit 210: ground frame
220: space forming member 230: insulating member
240: Plasma electrode member 250: Reaction gas supply member
260: Source gas supply member
Claims (11)
상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하며,
상기 전극부는,
상기 기판 지지부 쪽으로 나란하게 돌출되어 공간적으로 분리되는 복수의 플라즈마 형성 공간과 복수의 소스 가스 분사 공간을 마련하고 전기적으로 접지된 복수의 공간 형성 부재; 및
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 삽입 배치된 플라즈마 전극 부재를 가지며,
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각은 서로 공간적으로 분리되면서 상기 복수의 소스 가스 분사 공간 각각과 공간적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support disposed in the process chamber and supporting the substrate; And
And an electrode portion disposed on the substrate supporting portion,
The electrode unit includes:
A plurality of space forming members provided with a plurality of plasma forming spaces protruding in a direction parallel to the substrate supporting portion and spatially separated from each other and a plurality of source gas ejecting spaces and electrically grounded; And
And a plasma electrode member interposed in each of the plurality of plasma generating spaces,
Wherein the plurality of plasma generating spaces are spatially separated from each other and spatially separated from each of the plurality of source gas jetting spaces.
상기 플라즈마 형성 공간은 상기 복수의 소스 가스 분사 공간 사이사이마다 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plasma generating space is provided between the plurality of source gas jetting spaces.
상기 복수의 플라즈마 전극 부재 각각에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원 공급부;
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부; 및
상기 복수의 소스 가스 분사 공간 각각에 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A plasma power supply for supplying a plasma power to each of the plurality of plasma electrode members;
A reaction gas supply unit for supplying a reaction gas to each of the plurality of plasma forming spaces; And
Further comprising a source gas supply unit for supplying a source gas to each of the plurality of source gas injection spaces.
상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하며,
상기 전극부는,
서로 공간적으로 분리된 복수의 플라즈마 형성 공간;
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각과 공간적으로 분리된 복수의 소스 가스 분사 공간; 및
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 배치된 플라즈마 전극 부재를 가지며,
상기 복수의 소스 가스 분사 공간은 서로 공간적으로 분리된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support disposed in the process chamber and supporting the substrate; And
And an electrode portion disposed on the substrate supporting portion,
The electrode unit includes:
A plurality of plasma forming spaces spatially separated from each other;
A plurality of source gas injection spaces spatially separated from each of the plurality of plasma forming spaces; And
And a plasma electrode member disposed in each of the plurality of plasma generating spaces,
Wherein the plurality of source gas injection spaces are spatially separated from each other.
상기 복수의 플라즈마 전극 부재 각각에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원 공급부;
상기 복수의 플라즈마 형성 공간 각각에 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부; 및
상기 복수의 소스 가스 분사 공간 각각에 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
A plasma power supply for supplying a plasma power to each of the plurality of plasma electrode members;
A reaction gas supply unit for supplying a reaction gas to each of the plurality of plasma forming spaces; And
Further comprising a source gas supply unit for supplying a source gas to each of the plurality of source gas injection spaces.
상기 플라즈마 형성 공간에 공급된 반응 가스는 상기 플라즈마 형성 공간에서 발생되는 플라즈마에 의해 플라즈마화되어 상기 기판 상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 6,
Wherein the reaction gas supplied to the plasma generating space is plasmaized by the plasma generated in the plasma generating space and is injected onto the substrate.
상기 전극부는 상기 기판 상에 퍼지 가스(Purge Gas)를 분사하기 위한 복수의 퍼지 가스 분사 공간을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3, 5, and 6,
Wherein the electrode unit further comprises a plurality of purge gas injection spaces for injecting a purge gas onto the substrate.
상기 복수의 퍼지 가스 분사 공간 각각은 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간 각각과 공간적으로 분리되도록 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간 사이에 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein each of the plurality of purge gas injection spaces is provided between the plasma forming space and the source gas injection space so as to be spatially separated from each of the plasma forming space and the source gas injection space.
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