KR20190087221A - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 자가 조립 방식을 통해 제조된 디스플레이 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.In recent years, display devices having excellent characteristics such as a thin shape and a flexible shape in the field of display technology have been developed. On the other hand, major displays that are commercialized today are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.However, in the case of an LCD, there is a problem that the reaction time is not fast and the implementation of the flexible is difficult. In the case of the AMOLED, there is a weak point that the life span is short and the mass production yield is not good.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, Has been used as a light source for a display image of an electronic device including a communication device. Accordingly, a method of solving the above problems by implementing a display using the semiconductor light emitting device can be presented.
상술한 디스플레이 장치를 제조할 때, 배선기판 상에 반도체 발광소자를 전사하는 공정이 진행된다. 종래의 전사 공정은 공정시간이 길고, 공정 비용이 매우 높기 때문에, 디스플레이를 양산하기 어렵다는 문제가 있다.In manufacturing the above-described display device, a process of transferring the semiconductor light emitting element onto the wiring board proceeds. The conventional transfer process has a problem that it is difficult to mass produce the display because the process time is long and the process cost is very high.
본 발명의 일 목적은 자가 조립 전사 공정이 가능한 반도체 발광소자 구조를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device structure capable of a self-assembly transfer process.
또한, 본 발명의 또 다른 일 목적은 자가 조립 전사를 통해 디스플레이를 제조함에 있어서, 자가 조립 정확도를 향상시킬 수 있는 구조 및 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a structure and a manufacturing method that can improve self-assembly accuracy in manufacturing a display through self-assembly transfer.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 배선기판, 상기 배선기판 상에 형성되고, 전기장 및 자기장 중 적어도 하나를 형성하는 발광소자 유도층을 구비하는 제1전극 및 상기 제1전극 상측에 배치되어, 상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자를 포함하고, 상기 반도체 발광소자들 각각은 상기 발광소자 유도층과 인력을 형성하는 반응부를 구비하는 것을 특징으로 한다.A display device according to the present invention includes a wiring substrate, a first electrode formed on the wiring substrate, the first electrode including a light emitting element inductor layer forming at least one of an electric field and a magnetic field, And a plurality of semiconductor light emitting devices electrically connected to the one electrode, wherein each of the semiconductor light emitting devices includes a reaction unit for forming attraction with the light emitting device inductive layer.
일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 제1전극 상에 배치되는 제1도전형 전극, 상기 제1도전형 전극 상에 배치되는 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2도전형 반도체층을 포함하고, 상기 반응부는 상기 제1도전형 전극 및 상기 제1도전형 반도체층 사이에 배치될 수 있다.In one embodiment, the present invention provides a light emitting device including a first conductive type electrode disposed on the first electrode, a first conductive type semiconductor layer disposed on the first conductive type electrode, And a second conductive type semiconductor layer disposed on the active layer, wherein the reacting portion may be disposed between the first conductive type electrode and the first conductive type semiconductor layer.
일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 배선기판을 덮고, 복수의 홀을 구비하는 평탄층을 더 포함하고, 상기 복수의 반도체 발광소자들은 상기 복수의 홀 내부에 배치될 수 있다.In one embodiment, the present invention further includes a flat layer covering the wiring substrate and having a plurality of holes, and the plurality of semiconductor light emitting elements may be disposed in the plurality of holes.
일 실시 예에 있어서, 상기 발광소자 유도층은 양전하 및 음전하 중 어느 하나의 전하를 띠는 코팅층이고, 상기 반응부는 도전성 도펀트가 도핑된 반도체층이고, 상기 도펀트의 도핑 농도는 7×e18 이상일 수 있다.In one embodiment, the light emitting device inductive layer is a coating layer having a charge of either a positive charge or a negative charge. The reaction part is a semiconductor layer doped with a conductive dopant, and the doping concentration of the dopant is 7 x e 18 have.
일 실시 예에 있어서, 상기 반응부의 두께는 0.5 내지 3㎛일 수 있다.In one embodiment, the thickness of the reaction part may be 0.5 to 3 탆.
일 실시 예에 있어서, 상기 발광소자 유도층은 자성을 띠는 박막 자석이고, 상기 반응부는 상기 박막 자석과 인력을 형성하는 자성체일 수 있다.In one embodiment, the light emitting device inductive layer may be a thin film magnet having magnetism, and the reaction section may be a magnetic substance forming attraction with the thin film magnet.
일 실시 예에 있어서, 상기 복수의 홀은 제1형상으로 형성되는 제1홀 및 상기 제1형상과 다른 제2형상으로 형성되는 제2홀을 포함하고, 상기 제1홀에는 상기 제1형상에 대응하는 제1반도체 발광소자가 배치되고, 상기 제2홀에는 상기 제2형상에 대응하는 제2반도체 발광소자가 배치될 수 있다.In one embodiment, the plurality of holes may include a first hole formed in a first shape and a second hole formed in a second shape different from the first shape, and the first hole may be formed in the first shape A corresponding first semiconductor light emitting device may be disposed, and a second semiconductor light emitting device corresponding to the second shape may be disposed in the second hole.
본 발명에 따르면, 반도체 발광소자의 전사 공정이 반도체 발광소자 분산액을 기판 위에 도포함으로써 완료될 수 있기 때문에, 전사 공정이 매우 간단해진다. 이를 통해, 디스플레이 장치의 제조 시간 및 비용을 절감할 수 있게 된다.According to the present invention, since the transferring process of the semiconductor light emitting element can be completed by applying the dispersion of the semiconductor light emitting element on the substrate, the transferring process is greatly simplified. As a result, the manufacturing time and cost of the display device can be reduced.
또한, 본 발명에 따르면, 서로 다른 종류의 반도체 발광소자를 단일 공정으로 전사하는 것이 가능해진다. Further, according to the present invention, it becomes possible to transfer different types of semiconductor light emitting devices into a single process.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 11a 및 11b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 전극구조를 나타내는 개념도이다.
도 12는 제1전극 및 금속 합금층의 단면도이다.
도 13은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 14는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 하면도이다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 16은 서로 다른 형상의 홀을 이용한 전사 공정을 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are cross-sectional views taken along line BB and CC of Fig.
4 is a conceptual diagram showing a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
9 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device of FIG.
10 is a cross-sectional view of a display device according to the present invention.
11A and 11B are conceptual diagrams showing an electrode structure of a display device according to the present invention.
12 is a sectional view of the first electrode and the metal alloy layer.
13 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to the present invention.
14 is a bottom view of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
15A to 15C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device of the present invention.
16 is a conceptual diagram showing a transfer process using holes having different shapes.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation device, a slate PC, , A Tablet PC, an Ultra Book, a digital TV, a desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustrated example, the information processed in the control unit of the
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, twistable, collapsible, and curlable, which can be bent by an external force. For example, a flexible display can be a display made on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded or rolled like paper while maintaining the display characteristics of conventional flat panel displays.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state where the flexible display is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In the first state, the display area may be a curved surface in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state). As shown in the figure, the information displayed in the second state may be time information output on the curved surface. Such visual information is realized by independently controlling the emission of a sub-pixel arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for implementing one color.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in detail with reference to the drawings.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of a portion A of FIG. 1, FIGS. 3 A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2, FIG. 4 is a conceptual view of a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B, a
상기 디스플레이 장치(100)는 제1기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함한다.The
제1기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The
상기 제1기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 제1기판(110) 상에 위치할 수 있다.The
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 제1기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 제1기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.The insulating
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 제1기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, the conductive
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring again to FIG. 5, the
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.
예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A and 3B, the
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor
또한, 복수의 반도체 발광소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element array may include a plurality of semiconductor light emitting elements having different brightness values. Each of the semiconductor
또한, 반도체 발광소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광소자일 수 있다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Also, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, the semiconductor light emitting devices grown on the transparent dielectric substrate can be used. The semiconductor light emitting devices may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device. Since the semiconductor
도시에 의하면, 반도체 발광소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, the
형광체층(180)은 반도체 발광소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.(R), green (G), and blue (B) unit pixels may be implemented by combining the semiconductor
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.5A, each of the semiconductor
이 경우, 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor
도 5b를 참조하면, 반도체 발광소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W having a yellow phosphor layer for each individual device. In this case, a
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.The semiconductor
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.Also, even if a square semiconductor
상기에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a novel manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. The conductive
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)과 대향하도록 배치한다.A
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광소자(150)를 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(sapphire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the
상기 반도체 발광소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size at which a display device can be formed.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the
또한, 상기 반도체 발광소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Further, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor
이상에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method and structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. For example, a vertical semiconductor light emitting device may be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In the modifications or embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the previous example, and the description is replaced with the first explanation.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.8 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual view illustrating a vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, to be.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) vertical semiconductor light emitting device.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광소자(250)를 포함한다.The display device includes a
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.A conductive
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.If the semiconductor
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion 231 having conductivity in the thickness direction and a portion 232 having no conductivity.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive
이와 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Thus, the semiconductor
상기 반도체 발광소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor
수직형 반도체 발광소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.9, the vertical type semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring to FIG. 8 again, a
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied to a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, as described above.
상술한 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 배선기판 상에 반도체 발광소자를 전사하여야 한다. 본 발명에서 사용되는 반도체 발광소자는 수십 마이크로 미터의 크기를 가지기 때문에, 전사 자체가 어려울 뿐 아니라 전사 시간이 매우 오래 걸린다는 문제가 있다. In order to manufacture the above-described display device, the semiconductor light emitting device must be transferred onto the wiring board. Since the semiconductor light emitting device used in the present invention has a size of several tens of micrometers, there is a problem that the transfer itself is difficult and the transfer time is very long.
본 발명은 자가조립 공정을 통해 전사 시간을 단축시키기 위한 발명으로서, 자가조립 공정에 따라 제조된 디스플레이 장치를 제시한다. The present invention provides a display device manufactured according to a self-assembly process for shortening a transfer time through a self-assembly process.
도 10은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 단면도이고, 도 11a 및 11b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 전극구조를 나타내는 개념도이고, 도 12는 제1전극 및 금속 합금층의 단면도이고, 도 13은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면도이고, 도 14는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 하면도이다. FIG. 10 is a cross-sectional view of a display device according to the present invention, FIGS. 11A and 11B are conceptual diagrams showing an electrode structure of a display device according to the present invention, FIG. 12 is a cross-sectional view of a first electrode and a metal alloy layer, Sectional view of a semiconductor light emitting device according to the present invention, and Fig. 14 is a bottom view of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는 배선기판(310), 제1전극(320), 반도체 발광소자(350)를 포함할 수 있다. 이하, 상술한 구성요소에 대하여 구체적으로 설명한다.The display device according to the present invention may include a
상기 제1전극(320)은 상기 배선기판(310) 상에 형성되고 전기장 및 자기장 중 적어도 하나를 형성하는 발광소자 유도층을 구비할 수 있다. 구제적으로, 도 12를 참조하면, 상기 발광소자 유도층(322)은 전극층(321) 하측에 배치될 수 있다. 상기 발광소자 유도층(322)은 반도체 발광소자 전사시 반도체 발광소자들이 제1전극으로 이동하도록 유도하는 역할을 한다.The
상기 발광소자 유도층(322)은 크게 두 종류이다. The light emitting device
첫 번째로, 상기 발광소자 유도층은 양전하 및 음전하 중 어느 하나의 전하를 띠는 코팅층일 수 있다. 이러한 경우, 발광소자 유도층(322)은 전기장을 형성하며, 전하를 띠는 물체와 인력 또는 척력을 형성한다. First, the light emitting device inductive layer may be a coating layer having a positive charge or a negative charge. In this case, the light emitting element
이를 위해, 상기 발광소자 유도층(322)은 전하를 띠는 나노 코팅층으로 이루어질 수 있다. 도 12와 같이, 상기 나노 코팅층은 상기 전극층(321) 하측에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 상기 나노 코팅층은 상기 전극층(321)의 상측 또는 표면 전체에 배치될 수 있다.For this purpose, the light emitting device
두 번째로, 상기 발광소자 유도층(322)은 자성체로 이루어질 수 있다. 이러한 경우, 상기 발광소자 유도층(322)은 자기장을 형성하여 자성 물질과 인력 또는 척력을 형성한다.Secondly, the light emitting
이를 위해, 상기 발광소자 유도층(322)은 박막 자석으로 이루어질 수 있다. 상기 박막 자석은 강자성체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 자성은 Sm-Co)로 이루어질 수 있다. 상기 박막 자석은 반도체 발광소자의 면적 대비 10 내지 200%의 면적으로 형성될 수 있다.For this, the light emitting device
한편, 제1전극에 구비된 자성체는 별도의 층으로 구성되지 않고, 전극층 자체에 포함될 수 있다. 이러한 경우, 제1전극(320)은 두 개의 층으로 이루어지지 않고, 단일층으로 이루어질 수 있다.On the other hand, the magnetic substance provided to the first electrode is not formed as a separate layer but may be included in the electrode layer itself. In this case, the
상기 발광소자 유도층(322)을 이루는 물질의 종류에 따라 반도체 발광소자에 포함된 특정 물질의 종류가 달라질 수 있다. The type of the specific material included in the semiconductor light emitting device may vary depending on the type of the material forming the light emitting
도 13을 참조하면, 반도체 발광소자(350)는 상술한 수직형 반도체 발광소자와 같이, p형 전극(356b, 이하, 제1도전형 전극), p형 반도체층(355, 이하 제1도전형 반도체층), 활성층(354), n형 반도체층(353, 이하, 제2도전형 반도체층) 및 n형 전극(352, 이하, 제2도전형 전극)을 구비한다. 추가적으로, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 상기 발광소자 유도층과 인력을 형성하는 반응부를 더 포함할 수 있다. 13, the semiconductor
추가적으로, 반도체 발광소자(350)는 절연층(357)을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 SiO2 또는 SiNx로 이루어질 수 있으며, 반도체 발광소자의 측면을 덮는다. In addition, the semiconductor
반응부(356a)는 상기 제1전형 전극(356b)과 상기 제1도전형 반도체층(355) 사이에 배치될 수 있다. 상기 발광소자 유도층과 인력을 형성하도록 상기 반응부(356a)는 두 종류로 이루어질 수 있다. The
첫 번째, 상기 발광소자 유도층(322)이 전기장을 형성하도록 이루어지는 경우, 상기 반응부(356a)는 도전성 도펀트가 도핑된 반도체층일 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 상기 반응부(356a)는 상기 제2도전형 반도체층(353)과 마찬가지로, n형 반도체층으로서, n-GaN 과 같은 질화물 반도체층이 될 수 있다.First, when the light emitting device
이때, 상기 반응부(356a)에 도핑된 도전성 도펀트의 도핑 농도는 7×e18 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 반응부(356a)에 도핑된 도펀트가 질소와 같은 n 도펀트이고, 상기 도핑 농도 이상으로 도핑되는 경우, 상기 반응부(356a)에 충분한 음전하가 형성된다. 상기 발광소자 유도층이 양전하를 띠는 경우, 반도체 발광소자 전사시 상기 반도체 발광소자와 제1전극 사이에 전기적 인력이 형성된다.At this time, the doping concentration of the conductive dopant doped in the
한편, 상기 반도체 발광소자와 제1전극 사이에 충분한 전기적 인력이 형성되도록, 상기 반응부(356a)의 두께는 0.5 내지 3㎛인 것이 바람직하다. Meanwhile, the thickness of the
한편, 상기 반응부(356a)가 도전성 도펀트가 도핑된 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 전극(356b)은 Au 및 Cu 중 적어도 하나로 이루어지는 것이 바람직하며, 그 계면에 접착력 향상을 위해 Ti, Cr 및 Pt 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 전극(356b)의 두께는 100nm 내지 2㎛인 것이 바람직하다. When the
두 번째, 상기 발광소자 유도층(322)이 자기장을 형성하도록 이루어지는 경우, 상기 발광소자 유도층과 상기 반응부(356a) 사이에 자기적 인력이 형성되도록, 상기 반응부(356a)는 자성체로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 반응부(356a)는 강자성체 및 상자성체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응부(356a)는 강자성체인 Sm-Co 또는 Ni, Co 및 Fe를 베이스로 하는 상자성체일 수 있다. 여기서, 상기 반응부(356a)의 두께는 0.01nm 내지 5㎛일 수 있다.Second, when the light emitting device
한편, 상기 반응부(356a)는 상기 제1도전형 전극(356b)와 별도의 층을 형성하지 않고, 상기 반응부(356a)를 자성을 띄는 도전형 물질로 구성하여, 상기 반응부(356a)와 상기 제1도전형 전극(356b)를 일체형 전극으로 구성할 수 있다.The
도 14와 같이, 상기 반응부(356a) 및 제1도전형 전극(356b)은 상기 제1도전형 반도체층(355) 보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. 이는, 반도체 발광소자(350)의 전사 정확도를 향상시키기 위함이다.As shown in FIG. 14, the
한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 상기 배선기판(310)을 덮고 복수의 홀을 구비하는 평탄층(340)을 더 포함할 수 있다. 상기 평탄층은 광투과성 물질로 이루어질 수 있다. Meanwhile, the display device according to the present invention may further include a
상기 평탄층(340)에 형성되는 홀은 상기 제1전극(320)이 형성되는 영역에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 상기 홀(341)로 인하여, 상기 반도체 발광소자(350)를 전사 하기전 상기 제1전극(320)은 외부로 노출된다. The holes formed in the
상기 제1전극(320)의 일부분만 외부로 노출된 상태에서 상기 반도체 발광소자를 전사시킬 경우, 상기 반도체 발광소자(350)은 외부로 노출된 제1전극(320) 상에 선택적으로 전사된다. 상술한 바와 같이, 상기 홀(341)은 전사 공정에서 상기 반도체 발광소자가 특정한 위치에 결합되도록 하는 역할을 한다.When the semiconductor light emitting device is transferred in a state in which only a part of the
한편, 상기 홀(341)은 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 11a와 같이, 상기 홀(341)은 원형으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 도 11b을 참조하면 상기 홀(341)은 사각형 형태로 형성될 수 있다. Meanwhile, the
상기 홀(341)의 형상에 따라 상기 제1전극(320) 상에 전사될 수 있는 반도체 발광소자(350)의 형태가 달라질 수 있다. 구체적으로, 도 11a와 같이 상기 홀(341)이 원형인 경우, 상기 제1전극(320) 상에는 원형 반도체 발광소자(350)가 전사될 수 있다. 이와 달리, 도 11b와 같이 상기 홀(341)이 사각형인 경우, 상기 제1전극(320) 상에는 사각형 반도체 발광소자(350)가 전사될 수 있다. The shape of the semiconductor
한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 상기 반도체 발광소자(350)와 상기 제1전극(320)을 접착시키는 금속 접착층을 더 포함할 수 있다. 도 1 및 도 5에 도시된 바와 같이, 금속 접착층(360)은 반도체 발광소자(350)와 제1전극(320) 사이에 배치된다. Meanwhile, the display device according to the present invention may further include a metal bonding layer for bonding the semiconductor
금속 접착층(360)은 도전성 물질을 포함한다. 예를 들면, 금속 접착층(360)은 Sn, Ag, Cu, Pb, Al, Bi, Cd, Fe, In, Ni, Sb, Zn, Co 및 Au 중 적어도 어느 한 원소 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 바람직하게는, 금속 접착층(360)은 Cu, Pb, Al, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 한 원소 또는 이들의 원소들의 합성물일 수 있다.The
금속 접착층(360)은 제1전극(320) 상에 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성한다. 이어서, 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정으로 금속층이 패터닝되어서 형성될 수 있다.The
디스플레이 장치를 상술한 구조대로 구성할 경우, 반도체 발광소자의 전사시간을 단축시킬 수 있게 된다. 이하에서는, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.When the display device is constituted by the above structure, the transfer time of the semiconductor light emitting device can be shortened. Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to the present invention will be described.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.15A to 15C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device of the present invention.
먼저, 도 15a와 같이, 배선 기판(310) 상에 제1전극(320) 및 금속 접착층(360)을 형성한 후, 상기 배선기판(310), 제1전극(320) 및 금속 접착층(360)을 덮도록 평탄층(340)을 형성한다.15A, the
이후, 홀 가공을 통해, 상기 금속 접착층(360)에 대응하는 위치에 복수의 홀(341)을 형성한다. 이에 따라, 상기 금속 접착층(360)이 외부로 노출된다.Thereafter, through holes, a plurality of
한편, 상기 제1전극(320)은 상술한 바와 같이 전기력 또는 자기력을 발생시키는 발광소자 유도층을 포함한다. Meanwhile, the
이후, 도 15b와 같이, 반도체 발광소자들(350)이 분산되어 있는 분산액을 상기 금속 접착층(360)이 도포된 배선 기판(310) 상에 도포한다. 상기 분산액을 도포할 경우, 상기 제1전극(320)에 구비된 발광소자 유도층과 반도체 발광소자들(350) 각각에 구비된 반응부 간의 인력이 형성된다. 이에 따라, 상기 반도체 발광소자들(350)이 상기 홀(341) 내부로 삽입되며, 도 15c와 같이, 상기 금속 접착층(360)에 접착된다. 반도체 발광소자들(350) 각각은 상기 금속 접착층(360)을 통해 상기 제1전극(320)과 전기적으로 연결된다.15B, a dispersion liquid in which the semiconductor
상술한 방식으로, 반도체 발광소자를 전사시킬 경우, 반도체 발광소자를 일일이 전극 위로 이동시킬 필요가 없게 된다. When the semiconductor light emitting element is transferred in the above-described manner, it is not necessary to individually move the semiconductor light emitting element over the electrode.
한편, 도 16과 같이, 홀들(341a 내지 341b)의 형상을 다르게 형성하는 경우, 특정 위치에 특정 형상의 반도체 발광소자가 접착되도록 할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수의 홀은 제1형상으로 형성되는 제1홀(341a) 및 상기 제1형상과 다른 형상으로 형성되는 제2홀(341b)을 포함할 수 있다.On the other hand, when the shapes of the
상기 제1홀(341a)에는 제1형상에 대응하는 제1반도체 발광소자(350a)만 배치될 수 있고, 상기 제2홀(341b)에는 제2형상에 대응하는 제2반도체 발광소자(350b)만 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이, 홀을 세 종류의 형상으로 형성한 후, 세 종류의 반도체 발광소자가 혼합된 분산을 도포하는 경우, R, G, B 반도체 발광소자에 대한 전사를 한번에 수행할 수 있게 된다. Only the first semiconductor
이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described display device using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and the method of the embodiments described above, but all or a part of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made to the embodiments It is possible.
Claims (7)
배선기판;
상기 배선기판 상에 형성되고, 전기장 및 자기장 중 적어도 하나를 형성하는 발광소자 유도층을 구비하는 제1전극; 및
상기 제1전극 상측에 배치되어, 상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자를 포함하고,
상기 반도체 발광소자들 각각은,
상기 발광소자 유도층과 인력을 형성하는 반응부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.In a display device including a plurality of semiconductor light emitting elements,
A wiring board;
A first electrode formed on the wiring board and having a light emitting element inductor layer forming at least one of an electric field and a magnetic field; And
And a plurality of semiconductor light emitting elements disposed above the first electrode and electrically connected to the first electrode,
Each of the semiconductor light-
And a reaction part forming attraction with the light emitting element inductive layer.
상기 제1전극 상에 배치되는 제1도전형 전극;
상기 제1도전형 전극 상에 배치되는 제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층; 및
상기 활성층 상에 배치되는 제2도전형 반도체층을 포함하고,
상기 반응부는,
상기 제1도전형 전극 및 상기 제1도전형 반도체층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
A first conductive type electrode disposed on the first electrode;
A first conductive semiconductor layer disposed on the first conductive type electrode;
An active layer disposed on the first conductive semiconductor layer; And
And a second conductive type semiconductor layer disposed on the active layer,
The reaction unit includes:
Wherein the first conductive type semiconductor layer is disposed between the first conductive type electrode and the first conductive type semiconductor layer.
상기 배선기판을 덮고, 복수의 홀을 구비하는 평탄층을 더 포함하고,
상기 복수의 반도체 발광소자들은 상기 복수의 홀 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a flat layer covering the wiring board and having a plurality of holes,
Wherein the plurality of semiconductor light emitting elements are disposed in the plurality of holes.
상기 발광소자 유도층은 양전하 및 음전하 중 어느 하나의 전하를 띠는 코팅층이고,
상기 반응부는 도전성 도펀트가 도핑된 반도체층이고,
상기 도펀트의 도핑 농도는 7×e18 이상인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method of claim 3,
Wherein the light emitting element inductor layer is a coating layer having a positive charge or a negative charge,
The reaction part is a semiconductor layer doped with a conductive dopant,
Wherein a doping concentration of the dopant is 7 x e 18 or more.
상기 반응부의 두께는 0.5 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the thickness of the reaction part is 0.5 to 3 占 퐉.
상기 발광소자 유도층은 자성을 띠는 박막 자석이고,
상기 반응부는 상기 박막 자석과 인력을 형성하는 자성체인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method of claim 3,
Wherein the light emitting element inductive layer is a thin film magnet having magnetism,
Wherein the reaction unit is a magnetic body that forms attraction with the thin film magnet.
상기 복수의 홀은 제1형상으로 형성되는 제1홀 및 상기 제1형상과 다른 제2형상으로 형성되는 제2홀을 포함하고,
상기 제1홀에는 상기 제1형상에 대응하는 제1반도체 발광소자가 배치되고, 상기 제2홀에는 상기 제2형상에 대응하는 제2반도체 발광소자가 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 3,
Wherein the plurality of holes include a first hole formed in a first shape and a second hole formed in a second shape different from the first shape,
Wherein a first semiconductor light emitting element corresponding to the first shape is disposed in the first hole and a second semiconductor light emitting element corresponding to the second shape is disposed in the second hole.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |