KR20190086129A - 엘이디 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

엘이디 모듈 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20190086129A
KR20190086129A KR1020180004283A KR20180004283A KR20190086129A KR 20190086129 A KR20190086129 A KR 20190086129A KR 1020180004283 A KR1020180004283 A KR 1020180004283A KR 20180004283 A KR20180004283 A KR 20180004283A KR 20190086129 A KR20190086129 A KR 20190086129A
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윤영민
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주식회사 루멘스
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Abstract

엘이디 모듈 제조방법이 개시된다. 이 엘이디 모듈 제조방법은, 기판 상에 하나 이상의 엘이디 칩을 마운팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 상기 엘이디 칩의 상면을 노출시키고 상기 엘이디 칩의 측면과 접하는 반사벽을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사벽은 반사성 수지로 형성되고, 상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 외측 경사면을 포함한다.

Description

엘이디 모듈 및 그 제조방법{LED MODULE AND METHOD FOR MAKING THE SAME}
본 발명은 엘이디 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 기판 상에 마운팅된 엘이디 칩의 측면을 매우 적은 부피의 반사부가 덮도록 형성된 엘이디 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
PCB(Printed Circuit Board) 등과 같은 기판 상에 복수의 엘이디 칩이 마운팅되어 제조된 칩온보드형(Chip On board)형 엘이디 모듈이 알려져 있다. 이러한 엘이디 모듈은 그 자체로 디스플레이 모듈로 이용되거나 또는 디스플레이 모듈의 백라이트 유닛으로 이용될 수 있다. 기판 상에 엘이디 칩이 직접 마운팅된 엘이디 모듈은, 많은 장점들이 있음에도 불구하고, 엘이디 칩이 수용된 리플렉터가 기판 상에 실장되는 패키지 온 보드형 엘이디 모듈과 비교할 때, 광의 지향각을 줄이거나 반사율을 높이는데 한계가 있다. 이에 대하여, 기판 상에서 엘이디 칩들 사이의 빈 공간 전체를 반사성을 갖는 수지로 채워 넣는 기술이 제안된 바 있다. 그러나, 이 기술은 반사성 수지 재료의 사용량이 많은 문제점과 반사성 수지가 엘이디 칩의 측면 외에도 상면을 덮어서 광의 효율을 떨어뜨릴 우려가 있다는 문제점을 갖는다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반사성 수지로 형성되는 반사부가 기판 상에 마운팅된 엘이디 칩의 상면을 제외하고 그 엘이디 칩의 측면을 매우 적은 부피만으로 덮고 있는 엘이디 모듈을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 반사성 수지로 형성된 반사부가 기판 상에 마운팅된 엘이디 칩의 상면을 제외하고 엘이디 칩의 측면을 매우 적은 부피만으로 덮고 있는 엘이디 모듈을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따른 엘이디 모듈 제조방법은, 기판 상에 하나 이상의 엘이디 칩을 마운팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 상기 엘이디 칩의 상면을 노출시키고 상기 엘이디 칩의 측면과 접하는 반사벽을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사벽은 반사성 수지로 형성되고, 상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 외측 경사면을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사벽을 형성하는 단계는, 상기 기판 상의 반사성 수지가 상기 엘이디 칩의 측면을 따라 경화되어 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 반사벽을 형성하는 단계는, 상기 엘이디 칩의 상면과 측면을 가리도록 상기 엘이디 칩을 수용하는 칩 포켓과, 상하 개방형으로 상기 칩 포켓 주변에 형성된 복수의 충전홀을 포함하는 3D 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사벽을 형성하는 단계는, 상기 복수의 충전홀에 반사성 수지를 충전하는 단계와, 상기 3D 마스크를 상기 기판으로부터 제거하여 상기 기판 상에 복수의 반사성 수지 아일랜드를 형성하는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사벽을 형성하는 단계는, 상기 반사성 수지 아일랜드를 형성했던 반사성 수지가 상기 기판 상에 퍼진 후 상기 엘이디 칩의 측면을 덮어 상기 반사벽을 형성하도록, 상기 반사성 수지를 가열 및 경화시키는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성 수지를 가열 및 경화시키는 단계는 상기 반사성 수지를 가경화 온도에서 가경화시키는 단계와, 상기 반사성 수지를 상기 가경화 온도보다 높은 완전 경화 온도에서 완전 경화시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성 수지는 에폭시 수지와 TiO2를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 3D 마스크는 상기 기판 상에 위치한 복수의 엘이디 칩을 수용하는 복수의 칩 포켓과, 상기 복수의 칩 포켓 각각과 중첩되지 않으면서 상기 칩 포켓 각각의 주변을 둘러싸는 배열로 형성된 복수의 충전홀을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 3D 마스크는 전후 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수와, 좌우 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수와, 대각선 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수가 같다.
일 실시예에 따라. 상기 3D 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계에서, 상기 칩 포켓의 내부 천장면과 상기 엘이디 칩의 상면 사이에 갭을 형성시킬 수 있는 3D 마스크가 이용된다.
일 실시예에 따라. 상기 3D 마스크는 SUS 스틸 재료로 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성 수지를 충전하는 단계는, 상기 3D 마스크 위로 반사성 수지를 도포한 후, 스퀴징에 의해, 상기 반사성 수지를 상기 복수의 충전홀에 충전킨다.
일 실시예에 따라, 상기 완전 경화시키는 단계는 오븐 경화를 이용한다.
본 발명의 일측면에 따른 엘이디 모듈은, 기판; 상기 기판 상에 마운팅된 하나 이상의 엘이디 칩; 반사성 수지로 형성되되, 상기 엘이디 칩의 상면을 노출시키고 상기 엘이디 칩의 측면을 덮는 반사벽을 포함하며, 상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 면을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 모듈은 반사성 수지로 형성되고, 상기 반사벽의 외측에서 상기 기판의 상면을 덮고 있는 반사성막을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성막은 상기 기판 상에 도포된 반사성 수지가 상기 기판 상에 형성된 것이고, 상기 반사벽은 상기 반사성 수지가 상기 엘이디 칩의 측면을 따라 상기 엘이디 칩의 상단까지 형성된 것이다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성막은 상기 기판 상에 도포된 반사성 수지가 상기 기판 상에 형성된 것이고, 상기 반사벽은 상기 반사성 수지가 상기 엘이디 칩의 측면을 따라 상기 엘이디 칩의 상단 부근까지 올라가 경화되어 형성된 것이다.
일 실시예에 따라, 상기 반사성막은 상기 반사벽과 이어져 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 반사벽은 에폭시 수지와 TiO2를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 엘이디 모듈은, 기판; 상기 기판 상에 플립칩 방식으로 마운팅되며, 상기 기판 상에서 행렬 배열로 어레이된 복수의 엘이디 칩; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판을 덮는 반사성막과 상기 엘이디 칩 각각의 측면을 덮는 반사벽을 포함하며, 상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 외측 경사면을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 외측 경사면은 상기 반사성막과 이어져 형성된다.
도 1은 다수의 엘이디 칩을 기판 상에 마운팅하는 단계를 설명하기 위한 평면도이고,
도 2는 도 1의 A-A를 따라 취해진 단면도이고,
도 3은 다수의 엘이디 칩이 마운팅되어 있는 기판 상면에 3D 마스크를 배치하는 단계를 설명하기 위한 평면도이고,
도 4는 도 3의 B-B를 따라 취해진 단면도이고,
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 3D 마스크를 이용하여 기판 상면의 엘이디 칩과 이격된 영역에 반사성 수지 아일랜드들을 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면이고,
도 7은 반사성 수지 가경화 단계를 설명하기 위한 도면이고,
도 8 및 도 9는 반사성 수지를 최종 경화하여 엘이디 칩 측면을 덮는 반사부를 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면이고
도 10 은 반사성 수지 아일랜드들을 형성하는 단계 직후의 사진이고,
도 11는 반사성 수지의 가경화 단계 직후의 사진이고,
도 12은 반사성 수지의 완전 경화에 의해 반사부를 형성하는 단계 직후의 사진이며,
도 13은 엘이디 칩 주변에 형성된 반사부의 일부를 확대 도시한 사진이고,
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 모듈의 지향각 분포 곡선과 비교예 1 및 비교예 2에 따른 엘이디 모듈의 지향각 분포 곡선을 비교하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 및 이에 관한 설명은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 제공된다. 따라서 도면들 및 설명이 본 고안의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 될 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 모듈 제조방법은, 디스플레이 모듈로 이용되거나 또는 디스플레이 모듈의 백라이트 유닛에 적합한 엘이디 모듈을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 크게 엘이디 칩 마운팅 단계와, 3D 마크스 배치 단계와, 반사성 수지 아일랜드 형성 단계와, 반사성 수지 가경화 단계와, 반사성 수지의 최종 경화를 통한 반사부 형성 단계를 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 엘이디 칩 마운팅 단계에서는, 예컨대, PCB(Printed Circuit Board)일 수 있는 기판(1) 상에 다수의 엘이디 칩(2)이 마운팅된다. 실제로는 하나의 기판(1) 상에 2040개개의 엘이디 칩(2)이 행렬 배열로 마운팅되지만, 도 1 및 도 2에는, 이해의 편의를 위해, 기판(1)의 일부 영역과 그 일부 영역(1)에 마운팅된 9개의 엘이디 칩(2)만이 보이도록 도시되어 있다. 이때, 상기 엘이디 칩(2) 각각은 서로 다른 극성을 갖는 한 쌍의 전극패드(2a, 2b; 도 3 참조)를 하부에 구비하고, 그 한 쌍의 전극패드(2a, 2b; 도 3 참조)가 기판(1) 상에 형성된 한 쌍의 전극(미도시됨)과 본딩되는 플립칩형 엘이디 칩으로 되어 있다. 따라서, 상기 엘이디 칩(2)은 상부에 전극패드가 요구되지 않으며, 따라서, 엘이디 칩(2)과 기판(1) 사이를 연결하는 본딩 와이어도 필요로 하지 않는다. 이는 이하 설명되는 반사부(3)를 기판(1) 상에 형성하는 것을 가능 또는 용이하게 해준다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 3D 마크스 배치 단계에서는, 다수의 엘이디 칩(2)이 마운팅되어 있는 기판(1)의 상면과 접하도록 3D 마스크(5)가 배치된다. 상기 3D 마스크(5)는, 기판(1)을 전체적으로 덮는 크기 및 형상을 갖는 것으로서, 복수의 엘이디 칩(2)에 대응되게 형성된, 도 3에서 은선(hidden line)으로 표시된, 복수의 칩 포켓(51)과, 상기 복수의 칩 포켓(51)과 중첩되지 않도록 상기 복수의 칩 포켓(51) 주변을 둘러싸도록 배열된 복수의 충전홀(52)을 포함한다. 복수의 칩 포켓(51) 각각은, 엘이디 칩(1)을 수용하여 그 엘이디 칩(1)의 측면과 상면을 모두 가리도록 형성된 것으로서, 이하 설명되는 반사성 수지 충전시, 반사성 수지가(1)가 엘이디 칩(1)의 측면과 상면에 도달하지 못하도록 막는 역할을 한다. 또한 상기 충전홀(52) 각각은 상기 기판(1) 상의 상기 엘이디 칩(1)과 이격된 위치들 각각에 반사성 수지 아일랜드(Ri; 도 6 참조)들을 형성하도록 제공되는 것이다.
본 실시예에서는, 전후 좌우 방향으로는 이웃하는 두 칩포켓(51, 51) 사이에 4개의 충전홀(52)이 일정 간격으로 배열되어 있고, 대각선 방향으로도 이웃하는 두 칩 포켓(51, 51) 사이에 4개의 충전홀(52)들이 형성되어 있다.
상기 3D 마스크(5)가 상기 기판(1) 상에 배치될 때, 상기 칩 포켓(5) 내에 상기 엘이디 칩(2)이 수용되어, 상기 엘이디 칩(2)의 측면과 상면이 상기 3D 마스크(5)에 의해 완전히 가려질 수 있다. 상기 칩 포켓(51)의 깊이, 즉, 상기 기판(1)과 접해 있는 칩 포켓(51)의 하부 개방단으로부터 상기 칩 포켓(51)의 천장면까지의 높이는, 상기 기판(1)과 접해 있는 상기 엘이디 칩(2)의 전극패드 저면으로부터 상기 엘이디 칩(2)의 상면까지의 높이보다 크며, 이에 의해, 상기 칩 포켓(51)의 내부 천장면과 상기 엘이디 칩(2)의 상면 사이에는 일정 갭이 존재하여, 3D 마스크(5)의 내부 천장면과 엘이디 칩(2)이 부딪혀 야기될 수 있는 엘이디 칩(2)의 손상을 방지한다. 또한, 엘이디 칩(2)의 측면 손상을 막기 위해, 상기 칩 포켓(51)의 내부 측면과 상기 엘이디 칩(2)의 측면 사이에도 갭이 존재한다.
이때, 상기 3D 마스크(5)는 원치 않는 휨, 트위스팅, 벤딩 발생의 문제점, 그리고, 반사성 수지 충전을 위한, 스퀴징 공정에서 약기될 수 있는 스크래치 문제점을 막기 위해 SUS 스틸 재료로 제작되는 것이 바람직하다. 이때, 상부는 막혀 있고 하부만 오픈된 칩 포켓(51)과 상하 개방형으로 상기 기판(1)에 형성된 복수의 충전홀(52)를 포함하는 3D 형상으로 3D 마스크(5)를 얻기 위해, SUS 스틸판을 정밀 레이저 가공하여, 전술한 것과 같은 3D 마스크(5)를 제작한다.
상기 반사성 수지 아일랜드 형성 단계는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 액상 또는 겔상의 백색 반사성 수지(R)를 3D 마스크(5)의 충전홀(52)들에 채우는 것(도 5에 도시)과, 반사성 수지(R)가 어느 정도 굳은 상태에서 3D 마스크(5)를 기판(1)로부터 제거하는 것(도 6에 도시)을 포함한다. 반사성 수지(R)는 에폭시 수지에 TiO2와 같은 반사성 입자들을 혼합하여 형성된다. 반사성 수지(R)는 스퀴즈 이용한 스퀴징 공정에 의해 충전홀(52)들에 채워진다. 스퀴징 공정은 3D 마스크(5) 상으로 도포된 유동성을 갖는 반사성 수지를 스퀴지를 이용하여 충전홀(52)에 채워 넣는 것을 포함한다. 이때, 충전홀(52)들의 개수와 충전홀(52)들의 전체 체적에 의해 기판(1) 상에 도포되는 반사성 수지(R)의 양이 결정되며, 충전홀(52)들의 배열 패턴에 의해, 이하 설명되는 가경화 및 최종경화를 거친 후 기판(1) 상에서의 반사성 수지(R)의 두께 균일도가 결정될 수 있다. 반사성 수지(R)를 3D 마스크(1) 상에 도포하고, 스퀴즈(S)를 이용한 스퀴징 공정을 통해, 반사성 수지(R)를 충전홀(52)들에 채울 때, 상기 엘이디 칩(1)은 칩 포켓(51)에 수용된 채 외부에 대하여 가려지므로, 반사성 수지(R)로부터 격리된 상태로 존재할 수 있다. 용어 "반사성 수지 아일랜드"는 반사성 수지와 같은 것으로 단지 도 6에 도시된 것과 같이 섬과 같이 고립된 형태로 존재할 때의 상태를 다른 상태와 구분하기 위해. 별도의 도면 부호 "Ri"로 지시되고 별도의 용어인 "반사성 수지 아일랜드"로 표현된다.
도 6에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 3D 마스크(5)가 기판(1)의 표면으로부터 제거되면, 엘이디 칩(2)이 마운팅되어 있는 기판(1) 상에는 복수개의 반사성 수지 아일랜드(Ri)들이 형성된다. 이때, 전술한 충전홀들의 배열로 인하여, 전후 방향, 좌우 방향, 및 대각선 방향 모두에서 이웃하는 두 엘이디 칩(2) 사이에는 복수의 수지 아일랜드(Ri)가 n개씩 형성된다. 또한, 3D 마스크(5) 제거시, 수지 아일랜드(Ri)를 형성하는 반사성 수지가 3D 마스크(5)를 따라 올라오는 것을 막기 위해 충전홀(52)에 이형재를 발라둘 수도 있다.
도 7을 참조하면, 복수의 수지 아일랜드(Ri)를 형성하고 있는 에폭시 기반 반사성 수지(R)에 열을 가하면서 그 반사성 수지(R)가 기판(1)의 상면에서 충분한 시간 동안 퍼지게 한 후 100℃에서 가경화화는 단계가 수행된다. 가경화 단계 없이 반사성 수지(R)가 충분하게 퍼지도록 한 후 165℃에서 완전 경화시킬 수도 있지만, 이 경우, 반사성 수지(R)이 충분히 퍼지지 못한 상태에서 경화되어 의도한 형상의 반사부 형성이 어렵고 불량 발생이 많아진다. 도 7에는 도 6에 도시된 수지 아일랜드(Ri)로부터 완만한 산 형태로 변형되어 기판(1) 상에 보다 넓게 퍼진 후 100℃ 가경화에 의해 형태를 유지하고 있는 반사성 수지(R)가 도시되어 있다.
가경화 단계 후, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 열을 더 가하여 반사성 수지(R)가 더 퍼지게 한 후 165℃에서 완전 경화하는 단계가 수행된다. 상기 완전 경화 단계는 에폭시를 포함하는 반사성 수지(R)가 충분하게 퍼진 상태에서 경화될 수 있도록, 오랜 시간 열을 가할 수 있는 오븐에서 수행된다. 이때, 앞선 가경화 단계도 오븐에서 수행되는 것이 바람직하다.
도 8에 도시된 완전 경화 직전에는 엘이디 칩(2)과 일정 거리 범위 밖 영역에서 반사성 수지(R)가 기판(1) 상에 거의 균일한 두께로 존재하며, 엘이디 칩(2)과 인접한 영역에서는 반사성 수지(R)가 계면 장력에 의해 상기 엘이디 칩(2)의 측면을 타고 상기 엘이디 칩(2)의 측면 상단 부근까지 올라간다.
도 9에 도시된 완전 경화 완화 완료 후에는 반사성 수지(R)가 165℃에서 완전히 경화되어, 상기 엘이디 칩(2)의 측면들을 전체적으로 덮는 반사벽(42)과 반사벽(42)의 외측에서 거의 균일한 두께로 기판(1)의 상면을 덮고 있는 반사성막(41)을 일체로 포함하는 반사부(4)가 형성된다. 상기 반사벽(42)은 상기 엘이디 칩(2)측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩(2)의 측면과 멀어지는 방향으로 기판(1)을 향해 연장된 외측 경사면(421)를 포함한다. 상기 반사벽(42)의 내측면은 경사각 없이 상기 엘이디 칩(2)의 측면들과 전체적으로 접하고 있어서 지향각을 좁히는데 크게 기여하고, 상기 반사벽(42)의 외측 경사면(421)은 반사성 수지의 사용량을 줄이는데 크게 기여한다. 또한, 상기 반사벽(42)은, 별도의 몰드나 금형 없이 반사성 수지가 계면장력에 의해 엘이디 칩(2)의 측면을 타고 엘이디 칩(2)의 측면의 상단까지 올라감으로써 자연스럽게 형성되는 것이다.
도 7 내지 도 9에 도시된 에폭시 수지를 기반으로 한 반사성 수지는 충분한 퍼짐 시간을 갖도록 오븐 내에서 가경화 과정과 완전 경화(즉, 최종 경화) 과정을 거친다. 가경화와 완전 경화를 모두 수행하는데 소요되는 시간은 대략 1시간 정도로 긴 시간이 소요되므로, 리플로우 가열이 아닌 오븐 가열을 이용한다.
도 10 은 도 6에 도시된 것과 같은 반사성 수지 아일랜드들을 형성하는 단계 직후의 사진을 보인 것으로서, 이를 참조하면, 충전홀 형상과 거의 동일한 사각 형상을 갖는 반사성 수지 아일랜드 들과 엘이디 칩들이 함께 행렬 배열을 이루고 있음을 알 수 있다
도 11은 도 7에 도시된 것과 같은 가경화 단계 직후의 사진을 보인 것으로서, 넓게 그러나 불균일하게 퍼진 채 가경화된 반사성 수지가 엘이디 칩의 점유 영역을 제외한 기판 상의 대부분 영역을 덮고 있음을 알 수 있다. 이때에는 반사성 수지가 엘이디 칩의 측면 중간 높이보다 낮은 높이까지 타고 올라가 있을 수 있다.
도 12는 반사성 수지의 완전 경화에 의해 반사부를 형성하는 단계 직후의 사진을 보인 것으로서, 이 상태에서는, 반사성 수지로 형성된 반사부가 거의 균일한 두께로 기판의 상면을 덮고 있되, 반사성 수지 일부가 엘이디 칩의 측면 상단까지 타고 올라간 후 경화되어, 엘이디 칩의 상면을 제외한 나머지 면은 모두 반사부에 의해 가려진다.
도 13은 에폭시 기반의 반사성 수지로 형성된 반사부가 엘이디 칩의 측면을 모두 덮고 있고 엘이디 칩의 상면만이 외부로 노출된 상태를 잘 보여주는 사진이다. 엘이디 칩 측면의 상단으로부터 반사부의 일부가 아래로 그리고 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 경사지게 연장된 형태 또한 도 13에서 볼 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 모듈의 지향각 분포 곡선과 비교예 1 및 비교예 2에 따른 엘이디 모듈의 지향각 분포 곡선을 비교하기 위한 도면이다. 도 14에서, 비교예 1은 다른 조건이 동일하되 엘이디 칩의 상면과 측면이 모두 오픈된 상태의 엘이디 칩 시료의 광 지향각 분포 곡선을 보여주고, 비교예 2는 리플렉터 내측에 엘이디 칩이 수용된 엘이디 칩 시료의 광 지향각 분포 곡선을 보여주고, 전술한 반사부의 반사벽이 엘이디 칩 측면을 모두 덮고 있는 엘이디 칩의 상면만을 오픈한 본 실시예에 있어서의 광 지향각 분포 곡선을 보여준다. 도 14로부터, 본 실시예가 비교예 1 및 비교예 2와 비교할 때 훨씬 작은 광 지향각 특성을 가질 수 있음을 알 수 있다.
1……………………………기판
2……………………………엘이디 칩
5……………………………마스크
51…………………………… 포켓
52……………………………충전홀
42……………………………반사벽
421…………………………외측 경사면

Claims (20)

  1. 기판 상에 하나 이상의 엘이디 칩을 마운팅하는 단계; 및
    상기 기판 상에 상기 엘이디 칩의 상면을 노출시키고 상기 엘이디 칩의 측면과 접하는 반사벽을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 반사벽은 반사성 수지로 형성되고,
    상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 외측 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 반사벽을 형성하는 단계는, 상기 기판 상의 반사성 수지가 상기 엘이디 칩의 측면을 따라 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 반사벽을 형성하는 단계는,
    상기 엘이디 칩의 상면과 측면을 가리도록 상기 엘이디 칩을 수용하는 칩 포켓과, 상하 개방형으로 상기 칩 포켓 주변에 형성된 복수의 충전홀을 포함하는 3D 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 반사벽을 형성하는 단계는,
    상기 복수의 충전홀에 반사성 수지를 충전하는 단계와,
    상기 3D 마스크를 상기 기판으로부터 제거하여 상기 기판 상에 복수의 반사성 수지 아일랜드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 반사벽을 형성하는 단계는,
    상기 반사성 수지 아일랜드를 형성했던 반사성 수지가 상기 기판 상에 퍼진 후 상기 엘이디 칩의 측면을 덮어 상기 반사벽을 형성하도록, 상기 반사성 수지를 가열 및 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 반사성 수지를 가열 및 경화시키는 단계는 상기 반사성 수지를 가경화 온도에서 가경화시키는 단계와, 상기 반사성 수지를 상기 가경화 온도보다 높은 완전 경화 온도에서 완전 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 반사성 수지는 에폭시 수지와 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  8. 청구항 3에 있어서, 상기 3D 마스크는 상기 기판 상에 위치한 복수의 엘이디 칩을 수용하는 복수의 칩 포켓과, 상기 복수의 칩 포켓 각각과 중첩되지 않으면서 상기 칩 포켓 각각의 주변을 둘러싸는 배열로 형성된 복수의 충전홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  9. 청구항 3에 있어서, 상기 3D 마스크는 전후 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수와, 좌우 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수와, 대각선 방향으로 이웃하는 두 칩 포켓 사이의 충전홀 수가 같은 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  10. 청구항 3에 있어서, 상기 3D 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계에서, 상기 칩 포켓의 내부 천장면과 상기 엘이디 칩의 상면 사이에 갭을 형성시킬 수 있는 3D 마스크가 이용되는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  11. 청구항 3에 있어서, 상기 3D 마스크는 SUS 스틸 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  12. 청구항 4에 있어서, 상기 반사성 수지를 충전하는 단계는, 상기 3D 마스크 위로 반사성 수지를 도포한 후, 스퀴징에 의해, 상기 반사성 수지를 상기 복수의 충전홀에 충전시키는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  13. 청구항 6에 있어서, 상기 완전 경화시키는 단계는 오븐 경화를 이용하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈 제조방법.
  14. 기판;
    상기 기판 상에 마운팅된 하나 이상의 엘이디 칩;
    반사성 수지로 형성되되, 상기 엘이디 칩의 상면을 노출시키고 상기 엘이디 칩의 측면을 덮는 반사벽을 포함하며,
    상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 면을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  15. 청구항 14에 있어서, 반사성 수지로 형성되고, 상기 반사벽의 외측에서 상기 기판의 상면을 덮고 있는 반사성막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 반사성막은 상기 기판 상에 도포된 반사성 수지가 상기 기판 상에 형성된 것이고, 상기 반사벽은 상기 반사성 수지가 상기 엘이디 칩의 측면을 따라 상기 엘이디 칩의 상단까지 형성된 것임을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 반사성막은 상기 반사벽과 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  18. 청구항 14에 있어서, 상기 반사벽은 에폭시 수지와 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  19. 기판;
    상기 기판 상에 플립칩 방식으로 마운팅되며, 상기 기판 상에서 행렬 배열로 어레이된 복수의 엘이디 칩;
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판을 덮는 반사성막과 상기 엘이디 칩 각각의 측면을 덮는 반사벽을 포함하며,
    상기 반사벽은 상기 엘이디 칩의 측면 상단으로부터 상기 엘이디 칩의 측면과 멀어지는 방향으로 연장된 외측 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 외측 경사면은 상기 반사성막과 이어져 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.
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