KR20190052800A - Power amplifier with integrated passive device - Google Patents

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KR20190052800A
KR20190052800A KR1020170148532A KR20170148532A KR20190052800A KR 20190052800 A KR20190052800 A KR 20190052800A KR 1020170148532 A KR1020170148532 A KR 1020170148532A KR 20170148532 A KR20170148532 A KR 20170148532A KR 20190052800 A KR20190052800 A KR 20190052800A
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power amplifier
matching circuit
variable capacitor
ferroelectric material
dielectric
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Inventor
김동수
육종민
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전자부품연구원
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Abstract

The present invention relates to a power amplifier using an integrated passive device. The power amplifier comprises a variable capacitor having a ferroelectric material of which a dielectric rate is changed, as a dielectric. Therefore, the optimal output power and efficiency characteristics can be maintained by changing an impedance of an input matching circuit and an output matching circuit.

Description

집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기 {Power amplifier with integrated passive device}[0001] The present invention relates to a power amplifier using an integrated passive element,

본 발명은 전력 증폭기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집적 수동 소자를 이용해 소형의 가변 증폭기를 구현한 낮춘 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power amplifier, and more particularly, to a power amplifier using a passive integrated passive element implementing a compact variable amplifier using an integrated passive element.

최근 GaN(Gallium Nitride)이 전력 증폭기의 소자로 많이 활용되고 있는데, GaN은 높은 밴드갭과 항복전압 특성으로 인한 고내압 고출력 특성, 우수한 고주파 특성, 고온 동작 특성 및 낮은 출력 임피던스 특성 등을 가져 고주파, 고출력 소자로의 가장 적합한 재료로 평가된다.Recently, GaN (Gallium Nitride) is widely used as a power amplifier device. GaN has characteristics such as high voltage and high output characteristic, high frequency characteristic, high temperature operation characteristic and low output impedance characteristic due to high bandgap and breakdown voltage characteristics, It is evaluated as the most suitable material for high output devices.

초소형, 고기능 전력 증폭기가 요구되는 펨토셀과 피코셀 등의 이동 통신 모듈과 레이더 송수신 모듈 등의 국방 및 항공 분야에 적용하기 위해 소형화된 GaN MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 전력 증폭기가 요구되고 있으나, 국내 GaN 기술의 경우 소자 개발 단계 수준에 있는 상황이다.A miniaturized GaN MMIC (monolithic microwave integrated circuit) power amplifier is required for application to the defense and aviation fields such as mobile communication modules such as femtocell and picocell, which require a very small and high-performance power amplifier, and radar transmission and reception modules. However, Technology is at the stage of device development.

또한, 고가의 GaN/SiC 기판에 L, C, Balun 등의 수동 소자를 구현함으로 인해 GaN MMIC 전력 증폭기의 가격은 구조적으로 높을 수밖에 없는 한계가 있어, MMIC 전력 증폭기와 같이 유사한 특성 및 크기를 가지면서 저가격 구조의 새로운 전력 증폭기가 요구되고 있다.In addition, GaN MMIC power amplifiers are structurally expensive due to the implementation of passive elements such as L, C, and Balun on expensive GaN / SiC substrates. Therefore, they have similar characteristics and sizes as MMIC power amplifiers A new power amplifier with a low cost structure is required.

그리고 기존의 전력 증폭기의 경우 고정된 입력 및 출력 매칭 회로로 인해 외부 온도 등의 환경 변화 등에 따라 최적의 전력 증폭기 특성을 유지하기가 어려운 문제가 있으므로 개선이 요청된다.In the case of conventional power amplifiers, it is difficult to maintain optimal power amplifier characteristics due to environmental changes such as external temperature due to a fixed input and output matching circuit.

공개특허공보 제10-2011-0070313호 (2011년 06월 24일 공개)Published Japanese Patent Application No. 10-2011-0070313 (published on June 24, 2011)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 집적 수동 소자를 이용해 전력 증폭기의 입력 및 출력 매칭 회로를 구성하고 강유전성 물질을 커패시터의 유전체로 사용하여 조정 기능을 가지는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the problems described above and to provide a power amplifier that uses an integrated passive element to configure an input and output matching circuit of a power amplifier and uses a ferroelectric material as a dielectric of a capacitor, .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기는, 유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a power amplifier using an integrated passive element, including a variable capacitor including a ferroelectric material having a variable dielectric constant as a dielectric.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 상기 강유전성 물질은 BST인 것을 특징으로 한다.In the power amplifier using the integrated passive element of the present invention, the ferroelectric material is BST.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 상기 가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The power amplifier using the integrated passive element of the present invention may further include an inductor connected in series with the variable capacitor to constitute an LC resonant circuit.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 상기 LC 공진회로는 입력 매칭 회로에 위치하여 드레인 전압 파형과 드레인 전류 파형의 오버래핑 부분을 줄이는 것을 특징으로 한다.In the power amplifier using the integrated passive element of the present invention, the LC resonance circuit is located in the input matching circuit, and the overlapped portion of the drain voltage waveform and the drain current waveform is reduced.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 출력 매칭 회로에 위치하고 강유전성 물질을 유전체로 구비한 병렬 가변 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.A power amplifier using an integrated passive element according to the present invention includes a parallel variable capacitor having a ferroelectric material as a dielectric and located in an output matching circuit.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 상기 가변 커패시터는, 실리콘 소재의 기판에 내장되는 것을 특징으로 한다.In the power amplifier using the integrated passive element of the present invention, the variable capacitor is embedded in a substrate made of a silicon material.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기는, 유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 입력 매칭 회로, 유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 출력 매칭 회로, 및 상기 입력 매칭 회로와 상기 출력 매칭 회로 사이에 위치한 GaN 트랜지스터를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a power amplifier using an integrated passive element, including: an input matching circuit including a variable capacitor having a ferroelectric material whose dielectric constant is varied as a dielectric; a ferroelectric material having a variable dielectric constant as a dielectric; An output matching circuit including a variable capacitor, and a GaN transistor located between the input matching circuit and the output matching circuit.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 상기 입력 매칭 회로는, 가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the power amplifier using the integrated passive element of the present invention, the input matching circuit may further include an inductor connected in series with the variable capacitor to constitute an LC resonant circuit.

본 발명의 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기에 따르면, 집적 수동 소자를 이용해 전력 증폭기를 구현하여 기존의 전력 증폭기와 크기 및 성능이 뒤지지 않으면서 제조 단가를 줄일 수 있다.According to the power amplifier using the integrated passive element of the present invention, a power amplifier can be implemented using an integrated passive element, thereby reducing manufacturing cost without lagging in size and performance compared to the conventional power amplifier.

또한 강유전성 물질을 집적 수동 소자 커패시터의 유전체로 사용함으로써 외부 DC 바이어스를 통한 커패시턴스 변화가 가능하고, 이를 통해 입력 매칭 회로 및 출력 매칭 회로의 임피던스를 변화시켜 최적의 출력 전력 및 효율 특성을 유지할 수 있다.Also, by using a ferroelectric material as a dielectric of an integrated passive device capacitor, it is possible to change the capacitance through an external DC bias, thereby changing the impedance of the input matching circuit and the output matching circuit to maintain optimal output power and efficiency characteristics.

그리고 외부 온도 등의 환경 변화 및 드레인 바이어스(drain bias) 변화가 요구되는 다양한 회로들에서 최적의 전력 증폭기 특성을 확보할 수 있도록 매칭 회로를 변화 시킬 수 있다.The matching circuit can be changed so as to secure an optimal power amplifier characteristic in various circuits requiring environmental changes such as an external temperature and a drain bias change.

이를 통해 초소형, 고기능 전력 증폭기가 요구되는 펨토셀, 피코셀 등의 이동통신과 레이더 송수신 모듈 등에 활용 가능하다.Thus, it can be applied to mobile communication such as femtocell and picocell which requires a very small and high performance power amplifier, and a radar transmission / reception module.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기의 모습을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기의 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 전압과 드레인 전압/전류의 파형을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 LC 공진회로를 이용해 2차 하모닉을 제어하는 모습을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a power amplifier according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a circuit diagram of a power amplifier according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing waveforms of a gate voltage and a drain voltage / current according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state where a second harmonic is controlled using an LC resonant circuit according to an embodiment of the present invention.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the term in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

본 발명은 전력 증폭기와 관련한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.The present invention relates to a power amplifier. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기(100)의 모습을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기(100)의 회로 구성을 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 전압과 드레인 전압/전류의 파형을 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 LC 공진회로를 이용해 2차 하모닉을 제어하는 모습을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a power amplifier 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of a power amplifier 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram illustrating a control of a second harmonic using an LC resonant circuit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하면 본 실시예의 전력 증폭기(100)는 입력 매칭 회로(10), 출력 매칭 회로(20) 및 그 사이에 위치한 GaN(Gallium Nitride) 트랜지스터(30)를 포함하여 구성된다.1 to 4, the power amplifier 100 of the present embodiment includes an input matching circuit 10, an output matching circuit 20, and a GaN (Gallium Nitride) transistor 30 located therebetween.

이때 전력 증폭기(100)는 집적 수동 소자(integrated passive device, IPD)를 이용해 입력 매칭 회로(10) 및 출력 매칭 회로(20)를 구현한다. 입력 매칭 회로(10) 및 출력 매칭 회로(20)의 집적 수동 소자는 실리콘 소재의 기판(11, 12)에 내장되어 소형화가 가능하다. 이를 통해 기존의 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 타입 전력 증폭기와 견줄 수 있는 크기 및 성능을 유지하면서 제조 단가를 줄일 수 있다.At this time, the power amplifier 100 implements the input matching circuit 10 and the output matching circuit 20 using an integrated passive device (IPD). The integrated passive elements of the input matching circuit 10 and the output matching circuit 20 are embedded in the silicon substrates 11 and 12 and can be miniaturized. This can reduce manufacturing costs while maintaining the size and performance comparable to existing monolithic microwave integrated circuit (MMIC) type power amplifiers.

입력 매칭 회로(10)는 입력 전압(input)과 GaN 트랜지스터(30) 사이에 직렬 연결된 커패시터(C4) 및 인덕터(L2), 일단이 커패시터(C4)와 인덕터(L2) 사이에 연결되고 타단은 접지된 가변 커패시터(C5), 일단이 인덕터(L2)와 GaN 트랜지스터(30) 사이에 연결되고 타단이 접지되며 서로 직렬 연결된 인덕터(L3)와 가변 커패시터(C6)를 포함한다. 이때 인덕터(L3)와 가변 커패시터(C6)는 LC 공진회로(12)를 이룬다.The input matching circuit 10 has a capacitor C4 and an inductor L2 connected in series between the input voltage input and the GaN transistor 30 and one end connected between the capacitor C4 and the inductor L2, And an inductor L3 and a variable capacitor C6 that are connected in series between the inductor L2 and the GaN transistor 30 and the other end is grounded. At this time, the inductor L3 and the variable capacitor C6 form the LC resonant circuit 12.

그리고 입력 매칭 회로(10)는 공급 전압(Vg)과 GaN 트랜지스터(30) 사이에 직렬 연결된 인덕터(L1) 및 저항(R), 일단이 공급 전압(Vg)과 인덕터(L1) 사이에 연결되고 타단이 접지되며 서로 병렬 연결된 복수의 커패시터(C1, C2, C3)를 포함하여 구성된다.The input matching circuit 10 includes an inductor L1 and a resistor R connected in series between the supply voltage Vg and the GaN transistor 30 and one end connected between the supply voltage Vg and the inductor L1, And a plurality of capacitors (C1, C2, C3) connected in parallel to each other.

출력 매칭 회로(20)는 GaN 트랜지스터(30)와 출력 전압(output) 사이에 직렬 연결된 인덕터(L5, L6) 및 커패시터(C10), 일단이 인덕터(L5)와 인덕터(L6) 사이에 연결되고 타단은 접지되며 서로 직렬 연결된 인덕터(L7) 및 가변 커패시터(C11), 일단이 인덕터(L6)와 커패시터(C10) 사이에 연결되고 타단은 접지되며 서로 직렬된 인덕터(L8) 및 가변 커패시터(C12)를 포함한다.The output matching circuit 20 includes inductors L5 and L6 and a capacitor C10 connected in series between the GaN transistor 30 and the output voltage output and one end connected between the inductor L5 and the inductor L6, An inductor L8 and a variable capacitor C12 which are grounded and connected to each other in series and which are connected in series between the inductor L7 and the variable capacitor C11, one end of which is connected between the inductor L6 and the capacitor C10, .

그리고 출력 매칭 회로(20)는 GaN 트랜지스터(30)와 드레인 전압(Vdd) 사이에 직렬 연결된 인덕터(L4), 일단이 인덕터(L4)와 드레인 전압(Vdd) 사이에 연결되고 타단이 접지되며 서로 병렬 연결된 복수의 커패시터(C7, C8, C9)를 포함하여 구성된다.The output matching circuit 20 includes an inductor L4 connected in series between the GaN transistor 30 and the drain voltage Vdd, one end connected between the inductor L4 and the drain voltage Vdd, the other end grounded, And a plurality of capacitors C7, C8, and C9 connected thereto.

이렇듯 입력 매칭 회로(10)는 가변 커패시터(C5, C6)를 포함하고, 출력 매칭 회로(20)는 가변 커패시터(C11, C12)를 포함한다.Thus, the input matching circuit 10 includes the variable capacitors C5 and C6, and the output matching circuit 20 includes the variable capacitors C11 and C12.

가변 커패시터(C5, C6, C11, C12)는 DC 바이어스 전압에 따라 유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한다. The variable capacitors C5, C6, C11, and C12 are provided with a ferroelectric material whose dielectric constant varies according to the DC bias voltage.

이때 가변 커패시터(C5, C6, C11, C12)에 포함된 강유전성 물질은 예를 들어 BST일 수 있으며 기판 위에 MOCVD, Sputtering, PLD 등의 방법을 이용하여 박막으로 증착할 수 있다.The ferroelectric material included in the variable capacitors C5, C6, C11, and C12 may be, for example, BST. The ferroelectric material may be deposited as a thin film on the substrate using MOCVD, sputtering, or PLD.

가변 커패시터(C5, C6, C11, C12)를 구현하는 방법으로는 MIM(Metal Insulator Metal 방식과 Interdigital 방식이 있다. MIM 방식은 금속 기반 커패시터 제작 기술로서 커패시터의 가변율 및 비선형성을 증대시킬 수 있는 반면 공정이 까다롭다. Interdigital 방식은 제작 공정이 용이하고 선형성이 높으나 가변율이 비교적 낮은 단점을 가진다.As a method of implementing the variable capacitors C5, C6, C11, and C12, there are MIM (Metal Insulator Metal type and Interdigital type), which can increase the variable rate and nonlinearity of the capacitor, On the other hand, the process is difficult. The interdigital method has a disadvantage that the manufacturing process is easy and the linearity is high, but the variable rate is relatively low.

가변 커패시터(C5, C6, C11, C12)는 기판 위에 BST를 증착하고, 그 위에 도체 전극을 적층하여 제조할 수 있다.The variable capacitors C5, C6, C11, and C12 may be fabricated by depositing BST on a substrate and laminating a conductive electrode thereon.

이러한 가변 커패시터(C5, C6, C11, C12)를 이용함으로써 입력 매칭 회로(10) 및 출력 매칭 회로(20)의 임피던스를 변화시켜 최적의 출력 전력 및 효율 특성을 유지할 수 있다.By using the variable capacitors C5, C6, C11, and C12, the impedance of the input matching circuit 10 and the output matching circuit 20 can be changed to maintain optimum output power and efficiency characteristics.

한편 입력 매칭 회로(10)에 포함된 LC 공진회로(12)는 도 4와 같이 2차 하모닉을 제어하여 도 3과 같이 드레인 전압 파형과 드레인 전류 파형의 오버래핑 부분을 줄일 수 있다.On the other hand, the LC resonant circuit 12 included in the input matching circuit 10 can control the second harmonic as shown in FIG. 4 to reduce overlapping portions of the drain voltage waveform and the drain current waveform as shown in FIG.

도 3에서 상단 좌측은 2차 하모닉이 제어되지 않은 게이트 전압의 타임 도메인(time-domain) 파형을 나타내고 상단 우측은 이에 대응하는 드레인 전압/전류의 타임 도메인 파형을 나타낸다.In FIG. 3, upper left shows the time-domain waveform of the gate voltage whose second harmonic is not controlled, and upper right shows the time domain waveform of the corresponding drain voltage / current.

또한 도 3에서 하단 좌측은 2차 하모닉이 제어된 게이트 전압의 타임 도메인 파형을 나타내고 하단 우측은 이에 대응하는 드레인 전압/전류의 타임 도메인 파형을 나타낸다.3, the lower left shows the time domain waveform of the gate voltage controlled by the second harmonic and the lower right shows the time domain waveform of the corresponding drain voltage / current.

도 3의 상단 우측 파형에 비해 하단 우측 파형은 LC 공진회로(12)에서 2차 하모닉을 제어함에 따라 드레인 전압 파형과 드레인 전류 파형의 오버래핑 부분을 줄이고 있음을 확인할 수 있다.3, it can be seen that the lower right waveform reduces the overlapping portion of the drain voltage waveform and the drain current waveform by controlling the second harmonic in the LC resonant circuit 12. FIG.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다. 또한, 본 명세서와 도면에서 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein. Furthermore, although specific terms are used in this specification and the drawings, they are used in a generic sense only to facilitate the description of the invention and to facilitate understanding of the invention, and are not intended to limit the scope of the invention.

10: 입력 매칭 회로
12: LC 공진회로
20: 출력 매칭 회로
30: GaN 트랜지스터
100: 전력 증폭기10: Input matching circuit
12: LC resonance circuit
20: Output matching circuit
30: GaN transistor
100: Power amplifier

Claims (8)

유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터;
를 포함하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.A variable capacitor comprising a ferroelectric material having a dielectric constant changing as a dielectric;
The power amplifier comprising: 제1항에 있어서,
상기 강유전성 물질은 BST인 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.The method according to claim 1,
Wherein the ferroelectric material is BST. 제1항에 있어서,
상기 가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.The method according to claim 1,
An inductor connected in series with the variable capacitor to constitute an LC resonance circuit;
Wherein the power amplifier further comprises: 제3항에 있어서,
상기 LC 공진회로는 입력 매칭 회로에 위치하여 드레인 전압 파형과 드레인 전류 파형의 오버래핑 부분을 줄이는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.The method of claim 3,
Wherein the LC resonant circuit is located in the input matching circuit to reduce overlapping portions of the drain voltage waveform and the drain current waveform. 제4항에 있어서,
출력 매칭 회로에 위치하고 강유전성 물질을 유전체로 구비한 병렬 가변 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.5. The method of claim 4,
And a parallel variable capacitor located in the output matching circuit and having a ferroelectric material as a dielectric. 제1항에 있어서,
상기 가변 커패시터는,
실리콘 소재의 기판에 내장되는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.The method according to claim 1,
The variable capacitor includes:
A power amplifier using an integrated passive element, the power amplifier being embedded in a silicon substrate. 유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 입력 매칭 회로;
유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 출력 매칭 회로; 및
상기 입력 매칭 회로와 상기 출력 매칭 회로 사이에 위치한 GaN 트랜지스터;
를 포함하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.An input matching circuit including a variable capacitor having a ferroelectric material whose dielectric constant is varied as a dielectric;
An output matching circuit including a variable capacitor having a ferroelectric material whose dielectric constant is changed as a dielectric; And
A GaN transistor located between the input matching circuit and the output matching circuit;
The power amplifier comprising: 제7항에 있어서,
상기 입력 매칭 회로는,
가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기.8. The method of claim 7,
Wherein the input matching circuit comprises:
An inductor connected in series with the variable capacitor to constitute an LC resonance circuit;
Wherein the power amplifier further comprises:
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