KR20190052029A - 도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법 - Google Patents

도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법 Download PDF

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KR20190052029A
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히로시 가미가
노리아키 노가미
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도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐 분말과, 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 용제와, 유기 바인더를 포함하고, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말이 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말의 표면에, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는 은 텔루륨 피복 유리 분말인 도전성 페이스트를 제공한다.

Description

도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법
본 발명은, 태양전지의 전극용 페이스트 재료로서 적합한 도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, pn 접합에 의한 반도체로 이루어지는 태양전지의 전극용 페이스트 재료로서, 은 분말(銀粉), 바인더, 용제, 유리 프릿 등을 함유하는 도전성 페이스트가 사용되고 있다. 이와 같은 도전성 페이스트를 이용하여, 태양전지의 수광면측의 질화 규소로 대표되는 반사 방지층 상에 임의의 패턴의 표면 전극의 배선을 형성하고 있다.
이러한 가운데, 유리 프릿으로서 산화 텔루륨을 포함하는 텔루륨계 유리 프릿(이하, 「텔루륨계 유리 분말」이라고 칭하기도 함)을 이용함으로써, 반사 방지층을 개재하여 반도체와 접속(「파이어 스루(fire-through)」라고 칭하기도 함)을 행할 때의 전기 저항을 낮추어 양호한 태양전지 특성이 얻어지는 도전성 페이스트가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
또, Ti, Bi, Zn, Y, In 및 Mo로부터 선택되는 1종의 금속 또는 금속 화합물의 미세한 분말을 포함함으로써, 높은 도전성과 뛰어난 접착력을 갖는 표면 전극을 형성할 수 있는 도전성 페이스트가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
일본국 특개2011-96747호 공보 일본국 특개2005-243500호 공보
태양전지의 전극 용도로서, 더욱 접촉 저항을 낮추어 양호한 태양전지 특성이 얻어지는 태양전지의 전극용 페이스트 재료 및 도전성 페이스트가 요구되고 있다.
본 발명은, 종래의 상기 여러 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 태양전지의 전극 용도에 이용한 경우에, 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 것이 가능한 도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들의 검토에 의하면, 상기 특허문헌 1(일본국 특개2011-96747호 공보)과 상기 특허문헌 2(일본국 특개2005-243500호 공보)의 기재 내용을 조합했다고 하더라도, 상승적인 효과는 발생하지 않고, 태양전지의 발전 효율은 향상하지 않는 것을 알았다. 즉, 산화 텔루륨을 포함하는 유리 프릿(텔루륨계 유리 분말)을 이용한 도전성 페이스트에 있어서의 유리 프릿의 일부를, 예를 들면, 인듐(In) 분말로 치환해도, 태양전지의 발전 효율은 거의 변하지 않는 것을 지견(知見)했다.
그러나, 본 발명들이 앞서 제안한 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호에 있어서 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말을 이용한 도전성 페이스트에 인듐(In) 분말을 첨가하면, 발전 효율이 향상된 태양전지가 얻어지는 것을 지견했다.
본 발명은, 본 발명자들에 의한 상기 지견에 의거하는 것이며, 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로는, 이하와 같다. 즉,
본 발명의 도전성 페이스트는, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐 분말과, 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 용제와, 유기 바인더를 포함하고,
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말이, 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말의 표면에, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는 은 텔루륨 피복 유리 분말인 것을 특징으로 한다.
상기 인듐 분말의 배합량이, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말에 함유되는 텔루륨 질량에 대하여, 인듐 질량/(인듐 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)이, 0.05∼0.5의 범위인 것이 바람직하다.
상기 텔루륨계 유리 분말이, 아연, 납, 비스무스, 규소 및 알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은, 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말을, 은 착체 용액에 첨가한 후, 환원제를 첨가하여 표면에 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 형성시킴으로써 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻는 공정과,
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐 분말과, 용제와, 유기 바인더를 혼합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 태양전지의 제조 방법은, 반사 방지층 상에 본 발명의 도전성 페이스트를 인쇄 또는 도포하고, 소성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 태양전지의 전극 용도에 이용한 경우에, 태양전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있는 도전성 페이스트 및 그 제조 방법, 그리고 태양전지의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 유리 중의 텔루륨 질량에 대한 In 질량의 비율(In/(In＋Te)과 태양전지의 변환 효율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
(도전성 페이스트)
본 발명의 도전성 페이스트는, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐(In) 분말과, 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 용제와, 유기 바인더를 포함하고, 추가로 필요에 따라 기타 성분을 함유한다.
＜은을 포함하는 도전성 분말＞
상기 은을 포함하는 도전성 분말로는, 은 분말 또는 은을 표면에 갖는 금속 분말, 또는 도전성 페이스트를 가열했을 때에 은을 생성하는 분말(예를 들면, 산화은)인 것이 바람직하다.
도전성 페이스트에 있어서의 상기 은을 포함하는 도전성 분말의 배합량은, 70 질량％ 이상 92 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 은을 포함하는 도전성 분말의 레이저 회절식 입도 분포 측정법에 의한 체적 기준의 입자 지름 분포에 있어서의 누적 50％ 입자 지름(D50)은, 1㎛ 이상 3㎛ 이하인 것이 바람직하다.
상기 은을 포함하는 도전성 분말의 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 구상(球狀), 편평상(扁平狀), 봉상(棒狀), 선상이나 부정형상이면 되고, 그들 형상의 조합이나 평균 입경이 다른 것의 조합이어도 된다.
＜인듐(In) 분말＞
상기 In 분말은, 금속 In 분말 또는 은을 포함하는 In 분말인 것이 바람직하다. 본 발명의 효과를 갖는 데 있어, 상기 In 분말에 포함되는 In 이외의 다른 원소는 20 질량％ 미만인 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서는, In 분말은 금속 In 분말인 경우를 예로 들고 있지만, In과 은의 합금의 분말이나 In 분말을 은으로 피복한 분말이어도 마찬가지의 효과를 나타낼 수 있다.
상기 In 분말이 은을 포함하는 경우에는, 그 은량에 맞추어, 은을 포함하는 도전성 분말(예를 들면, 은 분말)의 은량을 조정하면 된다.
상기 In 분말에 포함되는 In과 은 이외의 다른 원소로는, 도전성이 높은 원소(예를 들면, 금, 구리, 알루미늄) 또는 실리콘에 대하여 n형 도펀트가 되는 원소가 포함되어 있어도 된다.
상기 In 분말은, 입자 표면이 산화되어 있어도 되지만, 전체로서 산화물 분말(In2O3)로 되어 있는 것은 포함되지 않는다.
상기 In 분말의 주사형 전자현미경(SEM)에 의한 입자 지름(SEM 입자 지름)은, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1㎛ 이상 40㎛ 이하가 바람직하고, 태양전지의 핑거 전극에 사용하는 점에서, 1㎛ 이상 10㎛ 이하가 보다 바람직하다.
상기 In 분말의 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 구상, 편평상, 봉상, 선상, 부정형상 등을 들 수 있다.
상기 In 분말의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 테트라에틸렌글리콜 등의 고비점 용제 중에서 In의 잉곳을 그 융점 이상의 온도로 가열·융해하고, 지방산이나 지방산 아미드 등의 존재하에서 강(强)교반한 후, 급냉하는 방법 등으로 얻을 수 있다.
또, 상기 In 분말은, 산화를 방지하기 위해 고비점 용제 중에 존재하고 있는 상태에서, 도전성 페이스트 제조 시에 배합해도 된다.
＜은 텔루륨 피복 유리 분말＞
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말은, 텔루륨(Te)을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말의 표면에, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 상세에 대해서는, 일본국 특원2016-161348호 명세서의 단락 [0012]∼[0030]에 기재된 ＜텔루륨계 유리 분말＞, ＜은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층＞을 참조하는 것으로 한다. 또, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 상세에 대해서는, 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호 명세서의 단락 [0012]∼[0036]에 기재된 ＜텔루륨계 유리 분말＞, ＜은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층＞을 참조하는 것으로 한다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 도전성 페이스트에 있어서의 배합량은, 도전성 페이스트의 전량에 대하여, 1 질량％ 이상 5 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 배합량이, 1 질량％ 미만이면, 파이어 스루가 불충분하게 되는 경우가 있어, 태양전지의 직렬 저항이 높아지는 경우가 있다. 한편, 상기 배합량이 5 질량％를 넘으면, 저항 성분의 증가로 인해 라인 저항이 높아져, 태양전지의 발전 효율이 악화되는 경우가 있다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말은, 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호 명세서에 기재되어 있는 바와 같이, 텔루륨계 유리 분말 표면 상에 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 물질이 존재하고 있고, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층이란, 텔루륨계 유리 분말 표면 상에 존재하는 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 물질로서, 상기 은과 텔루륨을 주성분으로 한다는 것은, 은과 텔루륨의 합계가 피복층 중의 주성분(50 질량％ 이상 100 질량％ 이하)인 것을 의미한다. 또, 상기 피복층 중의 Ag 및 Te는, 각각 10 질량％ 이상 포함되는 것으로 한다.
상기 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층의 두께는, 10nm 이상 200nm 이하가 바람직하고, 20nm 이상 150nm 이하가 보다 바람직하다.
상기 텔루륨계 유리 분말 중의 텔루륨의 함유량으로는, 20 질량％ 이상이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 태양전지의 발전 효율의 향상(파이어 스루성에 의한 전극의 옴 저항(ohmic resistance)의 저감)을 위해서는, 30 질량％ 이상이 바람직하고, 40 질량％ 이상 90 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 상기 텔루륨의 함유량은, 형광 X선에 의한 조성 분석을 행한 경우에 있어서, 유리 분말 중에 포함되는 함유량으로 한다.
상기 텔루륨계 유리 분말에 포함되는 텔루륨 이외의 성분으로는, 예를 들면, 비스무스(Bi), 아연(Zn), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 붕소(B), 규소(Si), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 망간(Mn), 철(Fe), 바나듐(V), 인(P), 납(Pb), 안티몬(Sb), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr) 및 란탄(La)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 아연, 납, 비스무스, 규소 및 알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 텔루륨계 유리 분말 중의 텔루륨은, 산화물, 금속 및 합금 중 어느 형태여도 되고, 산화물은 이산화텔루륨(TeO2)인 것이 바람직하다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 입도 분포로서, 누적 10％ 입자 지름(D10)은, 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하가 바람직하고, 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하가 보다 바람직하며, 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하가 특히 바람직하다. 또, 누적 50％ 입자 지름(D50)은, 0.1㎛ 이상 20㎛ 이하가 바람직하고, 0.3㎛ 이상 10㎛ 이하가 보다 바람직하며, 1㎛ 이상 5㎛ 이하가 특히 바람직하다. 또, 누적 90％ 입자 지름(D90)은, 1㎛ 이상 60㎛ 이하가 바람직하고, 1.5㎛ 이상 30㎛ 이하가 보다 바람직하며, 1.5㎛ 이상 20㎛ 이하가 특히 바람직하다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 입도 분포는, 예를 들면, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, 니키소 가부시키가이샤 제조의 마이크로트랙)에 의해 측정할 수 있다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 BET 비(比)표면적으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.1㎡/g 이상 70㎡/g 이하가 바람직하고, 0.5㎡/g 이상 10㎡/g 이하가 보다 바람직하다.
상기 BET 비표면적은, 예를 들면, 시판의 BET 비표면적 측정 장치 등을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말은, 지방산 등의 유기물로 이루어지는 표면 처리제로 표면이 피복되어 있어도 된다.
상기 이외의 점에 대해서도, 본 발명에 이용하는 은 텔루륨 피복 유리 분말에 대해서는, 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호 명세서에 기재된 은 텔루륨 피복 유리 분말을 참조할 수 있다.
또, 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호 명세서에 기재된 은 텔루륨 피복 유리 분말이 아니어도, 은과 텔루륨의 합금, 금속간 화합물 및 비정질 중 어느 것을 구비한 분말(예를 들면, 일본국 특원2016-006613호 명세서에 기재된 은 피복 텔루륨 분말)과, 인듐(In) 분말의 양쪽이 존재하도록 도전성 페이스트를 구성하는 것이라면, 본 발명의 효과를 나타낼 가능성은 있다.
상기 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는 은 텔루륨 피복 유리 분말을 도전성 페이스트에 이용한 경우에, 피복층을 갖지 않는 텔루륨계 유리 분말에 비해 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 것이 가능한 이유로서, 도전성 페이스트의 소성 온도보다도 낮은 온도대(帶)에 있어서 텔루륨계 유리 분말의 내부에 은이 확산함으로써 텔루륨계 유리 분말 내에도 도통(導通) 경로를 형성하는 것이 용이해지는 것이 예상된다. 또, 도전성 페이스트의 점도가 피복층을 갖지 않는 텔루륨계 유리 분말에 비해 올라가기 어렵기 때문에, 용제를 더하여(은을 포함하는 도전성 분말의 배합량을 낮추어) 점도를 낮출 필요성이 적다. 그 때문에, 소성 후의 도전막의 도전성이 향상하고, 결과적으로, 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 것이 생각된다.
상기 In 분말은, 은 텔루륨 피복 유리 분말의 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 기능을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 In 분말의 배합량으로는, 도전성 페이스트 중의(본 실시형태에서는 은 텔루륨 피복 유리 분말 중의) 텔루륨 함유량(질량)에 대하여, 인듐 질량/(인듐 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)이, 0.05∼0.5의 범위인 것이 바람직하고, 0.1∼0.3의 범위가 보다 바람직하다. 상기 인듐 질량/(인듐 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)이 0.05 미만이면, 파이어 스루에의 보조 효과가 거의 없어지고, 0.5를 넘으면 저항 성분이 많아지기 때문에 악영향이 나타나, 태양전지의 발전 효율이 악화 경향이 된다.
또, 본 발명에서의 In 분말의 배합량의 계산에 있어서의 「은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 함유량」이란, 은 텔루륨 피복 유리 분말을 형광 X선에 의해 조성 분석한 Te 함유량의 질량％에, 도전성 페이스트 중의 은 텔루륨 피복 유리 분말의 질량％를 곱한 값으로 한다.
즉, 후술하는 실시예와 비교예에 있어서, 은 텔루륨 피복 유리 분말을 형광 X선에 의해 조성 분석한 Te 함유량의 질량％의 값과, 그 값으로부터 은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 은 이외의 텔루륨 등의 금속이 산화물이라고 하여 재계산한 경우의 값을 병기하고 있지만, 상기의 도전성 페이스트 중의 In 분말의 배합량의 계산에 있어서는, 형광 X선에 의한 분석 결과의 텔루륨 함유량의 질량％의 값을 그대로 이용하는 것으로 했다.
상기 In 분말과 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말의 조합이, 더욱 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 것이 가능한 이유로는, 소성 시의 온도 상승에 수반하여, 태양전지의 반사 방지층인 SiN 층과 텔루륨 또는 텔루륨의 산화물이 반응하고(파이어 스루), 도통 경로를 형성하는 동시에 은의 확산이 일어나 도통을 확보하는 것으로 추측된다. 이때에, In이 은 및 텔루륨과 합금화하여, 용해 온도를 저하시킴으로써 상기의 반응이 일어나기 쉬워진다. 또는, 각각의 금속이 가까이에 존재하기 때문에 보다 반응이 일어나기 쉬워져, 소성 후의 도전막의 도전성과 태양전지로서의 도전성이 향상하고, 결과적으로, 태양전지의 발전 효율을 향상시키는 것이 생각된다.
＜유기 바인더＞
상기 유기 바인더로는, 태양전지의 전극 용도로서 800℃ 부근에서 소성하는 수지 조성물로서 이용되어 온 열분해성을 갖는 것이면 특별히 제한은 없고, 공지의 수지를 이용할 수 있으며, 예를 들면, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐 알코올류, 폴리비닐 피롤리돈류, 아크릴 수지, 알키드 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리우레탄계 수지, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 페놀계 수지, 지방족계 석유 수지, 초산(酢酸)비닐계 수지, 초산비닐-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리비닐부티랄 등의 부티랄 수지 유도체의 유기 바인더 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
＜용제＞
상기 용제는, 상기 유기 바인더를 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 공지의 용제를 이용할 수 있으며, 도전성 페이스트의 제조에 있어서 상기 유기 바인더를 미리 용해, 혼합하여 이용하는 것이 바람직하다.
상기 용제로는, 예를 들면, 디옥산, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸셀로솔브아세테이트, 부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디아세톤알코올, 테르피네올, 메틸에틸케톤, 벤질알코올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
＜기타 성분＞
상기 기타 성분으로는, 예를 들면, 계면활성제, 분산제, 점도 조정제 등을 들 수 있다.
(도전성 페이스트의 제조 방법)
본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은, 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말을, 은 착체 용액에 첨가한 후, 환원제를 첨가하여 표면에 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 형성시킴으로써 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻는 공정과,
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐(In) 분말과, 용제와, 유기 바인더를 혼합하는 공정을 갖고, 추가로 필요에 따라 기타 공정을 갖는다.
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻는 공정에 대해서는, 일본국 특원2016-161348호 명세서의 단락 [0031]∼[0042]에 기재된 「은 텔루륨 피복 유리 분말의 제조 방법」을 참조할 수 있다. 또, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻는 공정에 대해서는, 일본국 특원2016-161348호를 우선권 주장한 일본국 특원2017-048982호 및 PCT/JP2017/010548호 명세서의 단락 [0037]∼[0048]에 기재된 「은 텔루륨 피복 유리 분말의 제조 방법」을 참조할 수 있다.
또, 상기 In 분말은, 그대로 페이스트에 첨가해도 되고, 미리 은 텔루륨 피복 유리 분말과 혼합한 후에 첨가해도 된다.
상기 혼합하는 공정으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 은을 포함하는 도전성 분말, 인듐 분말, 은 텔루륨 피복 유리 분말, 유기 바인더, 용제, 및 필요에 따라 기타 성분을, 초음파 분산, 디스퍼(disper), 트리플 롤 밀, 볼 밀, 비드 밀, 2축 니더, 자공전(自公轉)식 교반기 등을 이용하여 혼합할 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 점도는, 콘플레이트 타입 점도계를 이용하여, 25℃, 1rpm값에서, 100Pa·s 이상 1,000Pa·s 이하가 되도록 각각의 배합량을 조정하는 것이 바람직하다. 상기 점도가 100Pa·s 미만이면, 저점도의 영역에서는 「번짐」이 발생하는 경우가 있고, 1,000Pa·s를 넘으면, 고점도의 영역에서 「끊김」이라는 인쇄 문제가 발생하는 경우가 있다.
본 발명의 은 텔루륨 피복 유리 분말 및 In 분말을 함유한 상기 도전성 페이스트는, 종래의 도전성 페이스트와 비교하여, 소성형 태양전지의 전극, 여러 가지 전자 부품의 전극이나 회로 등을 형성하기 위한 도전성 페이스트로서 적합하게 이용 가능하다.
(태양전지의 제조 방법)
본 발명의 태양전지의 제조 방법은, 반사 방지층 상에 본 발명의 도전성 페이스트를 인쇄 또는 도포하고, 소성하는 공정을 갖고, 추가로 필요에 따라 기타 공정을 갖는다.
상기 반사 방지층은 실리콘 웨이퍼 상에 제작되어 있다.
상기 태양전지의 제조 방법에 의해 얻어진 태양전지는, 본 발명의 도전성 페이스트를 이용하여 제조되어 있으므로, 더욱 접촉 저항을 낮출 수 있어, 양호한 태양전지 특성이 얻어진다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
- 은 텔루륨 피복 유리 분말의 제작 -
텔루륨계 유리 분말은, 조성으로서 형광 X선에 의한 분석 결과가 Te: 69.5 질량％, Bi: 23.8 질량％, Zn: 6.8 질량％이며, 산화물로서 계산하면 TeO2: 67.4 질량％, Bi2O3: 25.5 질량％, ZnO: 7.0 질량％로 하여, 연화점 334℃, 밀도 5.2g/㎤인 것을 10g 준비했다.
상기 형광 X선에 의한 분석은, 니혼 덴시 가부시키가이샤 제조, JSX-3201을 이용하고, 전압 30kV, 전류 0.080mA, 라이브 타임 400sec, 패스: Air에서 행하였다. 이하 마찬가지이다.
은 함유량이 32 질량％인 질산은 수용액 3.47g을 순수(純水) 787g이 교반되어 있는 상태의 1L 비이커에 혼합하여 희석해, 은을 1.11g 포함하는 질산은 수용액으로 했다.
계속해서, 이 비이커 중에 착체화제로서의 28 질량％의 암모니아수 2.5g을 첨가하고, 은 암민 착염 수용액을 얻었다(pH는 11). 이 은 암민 착염 수용액의 액체 온도를 30℃로 한 후, 상기 텔루륨계 유리 분말을 10g 투입했다. 그 직후에, 환원제로서의 히드라진 0.3g, 은 콜로이드[용매는 순수, 함유하는 나노 입자 은의 투과형 전자현미경(TEM)에 의한 입자 지름(TEM 입자 지름)은 5nm∼40nm이고, 나노 입자 은량은 0.01g(수용액 중의 은량에 대하여 0.001배)] 10.3g 및 순수 20g을 미리 혼합한 것을 투입하고, 숙성 시간(미환원 은이 액 중에 남지 않도록 하는 대기 시간)을 5분간으로 하여, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 상기 텔루륨계 유리 분말 표면에 형성시켰다.
환원제 투입으로부터 5분간 후에, 은 피복 유리 분말 함유 슬러리를 흡인 여과하고, 순수를 이용하여 세정 후 액의 전기 전도율이 0.5mS/m 이하가 될 때까지 수세하여, 케이크를 얻었다. 얻어진 케이크를 75℃의 진공 건조기에서 10시간 건조시켜, 실시예 1의 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻었다.
상기 흡인 여과 시의 액의 pH는 9.6이고, ICP 발광 분석(SII사 제조, SPS5100)한바, Te가 89.7ppm이었다.
다음으로, 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말에 대해서, 형광 X선을 이용하여 조성 분석을 행한바, Ag: 17.3 질량％, Te: 56.0 질량％, Bi: 20.9 질량％, Zn: 5.9 질량％인 것을 알았다.
여기에서, Ag 이외의 조성은 산화물로서 함유량을 계산하면, Ag: 14.6 질량％, TeO2: 59.4 질량％, Bi2O3: 19.8 질량％, ZnO: 6.2 질량％이다.
다음으로, 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말에 대해서, 이하와 같이 하여, 여러 특성의 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타냈다.
[입도 분포]
은 텔루륨 피복 유리 분말의 입도 분포는, 레이저 회절식 입도 분포 장치[니키소 가부시키가이샤 제조의 마이크로트랙 입도 분포 측정 장치(Microtrac사 제조, MT3300EXII)]에 의해 측정하여, 누적 10％ 입자 지름(D10), 누적 50％ 입자 지름(D50) 및 누적 90％ 입자 지름(D90)을 구했다.
[BET 비표면적]
은 텔루륨 피복 유리 분말의 BET 비표면적은, 비표면적 측정 장치(장치명: Macsorb, Mountech사 제조)를 이용하여 질소 흡착에 의한 BET 1점법으로 측정했다. 또, BET 비표면적의 측정에 있어서, 측정 전의 탈기 조건은 60℃에서 10분간으로 했다.
- In 분말의 제작 -
용제로서 테트라에틸렌글리콜 100g 중에서 In의 99.99 질량％ 잉곳 96g을 170℃로 가열하여 In을 융해한 후, 에틸렌비스카프린산을 첨가하여 710rpm으로 강 교반한 후, 급냉함으로써, 금속 In으로 이루어지는 In 분말을 얻었다.
얻어진 In 분말의 SEM 입자 지름은 10㎛∼400㎛이고, 150 메시의 체를 통과시켜, 입경을 10㎛∼100㎛로 했다.
다음으로, 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말 및 In 분말을 이용하고, 이하와 같이 하여, 도전성 페이스트를 제작했다.
- 도전성 페이스트의 제작 -
상기 은 텔루륨 피복 유리 분말(은 함유량 17.3 질량％) 1.677 질량％, 은 분말(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조, AG-2.5-8F, 누적 50％ 입자 지름(D50)＝ 1.5㎛) 90.0 질량％, 상기 In 분말 0.096 질량％, 비히클(에틸셀룰로오스 10cps 30 질량％(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 부틸카르비톨아세테이트 용액) 0.41 질량％, 비히클(EU-5638, 아크릴 수지 46.1 질량％ 부틸카르비톨아세테이트 용액, 닛폰 카바이드 고교 가부시키가이샤 제조) 2.40 질량％, 용제(CS-12, JNC 가부시키가이샤 제조, 텍사놀) 3.11 질량％, 용제(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 부틸카르비톨아세테이트) 1.54 질량％, 스테아린산 마그네슘(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 0.26 질량％, 및 올레인산(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 0.51 질량％가 되도록 칭량하고, 자공전식 교반 장치(가부시키가이샤 싱키 제조, ARE-310)에 의해 혼합(예비 혼련(混練))한 후, 트리플 롤(EXAKT사 제조, M-80S)에 의해 혼련함으로써, 도전성 페이스트를 얻었다.
은 텔루륨 피복 유리 분말의 형광 X선을 이용한 조성 분석에서의 Te 함유량은 56.0 질량％이기 때문에, 은 텔루륨 피복 유리 분말 1.677 질량％에 있어서의 Te 질량은 0.94 질량％가 되고, In 분말의 In량(0.096 질량％)에 대하여, In 질량/(In 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)＝0.09가 된다.
얻어진 도전성 페이스트의 점도를 측정한 후, 그 점도에 맞추어 텍사놀과 부틸카르비톨의 질량비 1:1의 혼합 용제를 페이스트량에 대하여 적량(適量)(실시예 1에서는 0.35 질량％)을 추가로 첨가하여, 점도계(브룩필드사 제조, HBDV-IIIULTRA)에 CPE-52의 콘플레이트를 이용하여 1rpm의 5분 값과 5rpm의 1분 값에 대해서 측정한 경우에 있어서의 1rpm에서의 점도가 290±20Pa·s, 5rpm에서의 점도가 70±2Pa·s가 되도록 점도 조정했다.
이 범위의 1rpm의 5분 값과 5rpm의 1분 값에 의한 고품질인 인쇄 패턴에서, 이하에 나타내는 바와 같이 도전성 페이스트의 성능 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 도전성 페이스트를 이용하고, 이하와 같이 하여, 태양전지를 제작했다.
＜태양전지의 제작＞
태양전지용 실리콘 기판(105Ω/□) 상에, 스크린 인쇄기(마이크로테크사 제조, MT-320T)를 이용하여 기판 이면에, 알루미늄 페이스트(도요 알루미늄 가부시키가이샤 제조, 알솔라 14-7021)를 이용하여 154mm□의 솔리드 패턴을 형성했다.
열풍 건조기를 이용하여 200℃에서 10분간 건조시켰다.
기판 표면에, 실시예 1의 도전성 페이스트를 이용하여 40㎛ 폭의 핑거 전극과, 트리플 버스 바 전극을 형성했다.
열풍 건조기를 이용하여 200℃에서 10분간 건조시켰다.
고속 소성 IR로(닛폰 가이시 가부시키가이샤 제조)를 이용하여, 피크 시의 온도(소성 온도)를 820℃로 하여 in-out 21sec에서 고속 소성했다. 이상에 의해, 태양전지를 제작했다.
＜태양전지 특성의 평가＞
제작한 태양전지에 대해서, WACOM사 제조 솔라 시뮬레이터를 이용하여 태양전지 특성을 평가했다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.86％였다. 결과를 표 2에 나타냈다.
＜체적 저항률의 평가＞
Si 기판 상에 실시예 1의 도전성 페이스트를 이하의 조건에서 스크린 인쇄하고, 도전막을 형성했다.
· 인쇄 장치: 마이크로테크사 제조 MT-320T
· 판: 선 폭 500㎛, 라우팅(routing) 37.5mm, 250 메시, 선 지름 23㎛
· 인쇄 조건: 스퀴지압 180Pa, 인쇄 속도 80mm/s, 클리어런스 1.3mm
얻어진 막을, 대기 순환식 건조기를 이용하여, 150℃에서 10분간의 조건에서 가열 처리했다.
이어서, 고속 소성로를 이용하여, 피크 온도 820℃, in-out 21sec로 소성을 행하여, 도전막을 제작했다.
다음으로, 얻어진 도전막을 표면 조도계(가부시키가이샤 도쿄 세이미츠 제조, 서프컴 480B-12)를 이용하여, Si 기판 상에서 막을 인쇄하고 있지 않은 부분과 도전막의 부분과의 단차를 측정함으로써, 도전막의 평균 두께를 측정했다.
다음으로, 디지털 멀티미터(가부시키가이샤 에이디시 제조, R7451A)를 이용하여, 도전막의 길이(간격)의 위치 저항값을 측정했다. 각 도전막의 사이즈(평균 두께, 폭, 길이)로부터, 도전막의 체적을 구하고, 이 체적과 측정된 저항값으로부터, 도전막의 체적 저항률을 구한바, 1.88μΩ·cm였다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서, 텔루륨계 유리 분말의 조성이, 형광 X선에 의한 분석 결과로 Te: 51.3 질량％, Pb: 38.6 질량％, Zn: 10.0 질량％로서 납을 포함하는 것이고, 연화점 421℃, 밀도 5.1g/㎤인 것으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻었다.
다음으로, 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말(Pb 포함)에 대해서, 형광 X선을 이용하여 조성 분석을 행한바, Ag: 10.4 질량％, Te: 46.3 질량％, Pb: 34.1 질량％, Zn: 9.2 질량％ 포함하는 것을 알았다.
실시예 1과 마찬가지로 하여, Ag 이외의 조성을 산화물로서 함유량을 계산하면, Ag: 9.4 질량％, TeO2: 48.1 질량％, PbO: 32.6 질량％, ZnO: 9.9 질량％이다.
또, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 은 텔루륨 피복 유리 분말의 여러 특성의 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타냈다.
여과액의 pH는 9.6이고, ICP 발광 분석(SII사 제조, SPS5100)한바, Te가 93ppm이고, Pb가 1ppm 이하였다.
다음으로, 얻어진 은 텔루륨 피복 유리 분말(Pb 포함)을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트를 제작하고, 텍사놀과 부틸카르비톨의 질량비 1:1의 혼합 용제를 페이스트량에 대하여 적량(실시예 2에서는 0.42 질량％) 첨가하고, 1rpm에서의 점도가 290±20Pa·s, 5rpm에서의 점도가 70±2Pa·s가 되도록 점도 조정했다.
은 텔루륨 피복 유리 분말의 형광 X선을 이용한 조성 분석에서의 Te 함유량은 46.3 질량％이기 때문에, 은 텔루륨 피복 유리 분말 1.677 질량％에 있어서의 Te 질량은 0.78 질량％로 산출되어, In 분말 0.096 질량％에 대하여, In 질량/(In 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)＝0.11이 된다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 태양전지를 제작하고, 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.55％였다.
또, 도전막의 체적 저항률은 1.98μΩ·cm였다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서, In 분말을 첨가하지 않고 은 텔루륨 피복 유리 분말의 배합량을 1.77 질량％로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.68％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 2.03μΩ·cm였다.
(비교예 2)
실시예 2에 있어서, In 분말을 첨가하지 않고 은 텔루륨 피복 유리 분말(Pb 포함)의 배합량을 1.77 질량％로 한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.38％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 1.92μΩ·cm였다.
(비교예 3)
실시예 1에 있어서, 은 텔루륨 피복 유리 분말을 대신하여, 은 텔루륨 피복 유리 분말의 원료인 텔루륨계 유리 분말을 1.6 질량％ 이용하고, 은 분말(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조, AG-2.5-8F, 누적 50％ 입자 지름(D50)＝1.5㎛)을 90.2 질량％, In 분말을 0.1 질량％(In 질량/(In 질량＋텔루륨계 유리 분말 중의 텔루륨 질량)＝0.1)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.50％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 2.00μΩ·cm였다.
(비교예 4)
비교예 3에 있어서, In 분말을 첨가하지 않는 것 이외에는, 비교예 3과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.51％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 1.98μΩ·cm였다.
(비교예 5)
비교예 3에 있어서, In 분말 대신에, In의 배합량은 동일해지도록 산화 인듐 분말(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조)을 0.121 질량％ 첨가하고, 은 분말(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조, AG-2.5-8F, 누적 50％ 입자 지름(D50)＝1.5㎛)을 90.2 질량％로 한 것 이외에는, 비교예 3과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 18.27％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 1.99μΩ·cm였다.
(비교예 6)
실시예 1에 있어서, 유리 분말을, 텔루륨을 함유하고 있지 않은 시판품 ASF-1898B(아사히 가라스 가부시키가이샤 제조, 붕규산 유리, 연화점 438℃, 밀도 3.4g/㎤)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 은 피복 유리 분말을 얻었다. 이 경우, 유리 분말에는 텔루륨이 포함되어 있지 않기 때문에, 유리 표면이 은에 의해 피복된다.
실시예 1과 도전성 페이스트의 비교 평가를 행하기 위해, 은 분말(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조, AG-2.5-8F, 누적 50％ 입자 지름(D50)＝1.5㎛)을 87.6 질량％, In 분말 0.10 질량％, 이산화텔루륨(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 2.4 질량％(In 질량/(In 질량＋텔루륨 질량)＝0.05), 상기 은 피복 유리 분말을 1.58 질량％, 파이어 스루 조제(助劑)로서, 산화비스무스(DOWA 하이테크 가부시키가이샤 제조) 0.19 질량％, 비히클(에틸셀룰로오스 10cps 30 질량％(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 부틸카르비톨아세테이트 용액) 0.41 질량％, 비히클(EU-5638, 아크릴 수지 46.1 질량％ 부틸카르비톨아세테이트 용액, 닛폰 카바이드 고교 가부시키가이샤 제조) 2.38 질량％, 용제(CS-12, JNC 가부시키가이샤 제조, 텍사놀) 1.56 질량％, 용제(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조, 부틸카르비톨아세테이트) 3.03 질량％, 스테아린산 마그네슘(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 0.25 질량％, 및 올레인산(와코 준야쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 0.51 질량％가 되도록 칭량하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트를 제작하고, 도전성 페이스트의 성능을 평가했다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 태양전지를 제작하고, 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다. 얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 17.83％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 2.63μΩ·cm였다.
(비교예 7)
비교예 6에 있어서, In 분말을 첨가하지 않고 은 피복 유리 분말의 배합을 1.68 질량％로 한 것 이외에는, 비교예 6과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트 및 태양전지를 제작하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트의 성능 및 태양전지 특성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타냈다.
얻어진 태양전지의 변환 효율은, 소성 온도 820℃에서 17.85％였다. 또, 도전막의 체적 저항률은 2.68μΩ·cm였다.
[표 1]
Figure pct00001
[표 2]
Figure pct00002
상기의 결과로부터, 실시예 1 및 2의 은 텔루륨 피복 유리 분말 및 In 분말을 배합한 도전성 페이스트는, In 분말을 이용하지 않는 경우, 또는 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖고 있지 않은 텔루륨계 유리 분말을 이용한 경우와 비교하여, 체적 저항률이 낮은 도전막을 얻을 수 있고, 또한 태양전지의 변환 효율을 향상시키는 효과를 갖는 것을 알았다.
또, 비교예 3과 비교예 4의 비교에 의해, 은 텔루륨 피복이 없는 경우에는, In 분말을 첨가해도 태양전지의 변환 효율이나 도전막의 체적 저항률에는 거의 차이가 보이지 않는 것을 알았다.
또, 비교예 3∼5의 비교에 의해, 산화 In 분말을 첨가해도 태양전지의 변환 효율이나 도전막의 체적 저항률은 향상하지 않고, 오히려 악화되는 것을 알았다. 이것은, 은 텔루륨 피복 유리에서도 마찬가지의 것이 예상된다.
또, 실시예 및 비교예 6과 7의 비교에 의해, 유리에 텔루륨이 포함되어 있지 않은 경우에는, 마찬가지로 은 피복하는 처리를 행하여 얻어진 은 피복 유리 분말을 이용한 경우라도, In 분말의 첨가 효과는 보이지 않는 것을 알았다.
다음으로, 실시예 1에 있어서, In 분말과 은 텔루륨 피복 유리의 양비(量比)를 바꾸어, 인듐(In) 질량/(인듐(In) 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨(Te) 질량)을 변화시킨 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 페이스트에 첨가하는 In량의 적정 범위에 대해서 조사한 결과를, 표 3 및 도 1에 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00003
표 3 및 도 1의 결과로부터, In 분말의 배합량으로는, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말에 함유되는 텔루륨 질량에 대하여, 인듐 질량/(인듐 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)이 0.05∼0.5가 되는 범위가 바람직하고, 0.1∼0.3이 되는 범위가 보다 바람직한 것을 알았다.
산업상 이용 가능성
본 발명의 은 텔루륨 피복 유리 분말은, 여러 가지 전자 부품의 전극이나 회로를 형성하기 위한 도전성 페이스트 재료로서 이용 가능하고, 특히 태양전지의 전극용 도전성 페이스트로서 적합하게 이용 가능하다.

Claims (5)

  1. 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐 분말과, 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 용제와, 유기 바인더를 포함하고,
    상기 은 텔루륨 피복 유리 분말이, 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말의 표면에, 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 갖는 은 텔루륨 피복 유리 분말인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인듐 분말의 배합량이, 상기 은 텔루륨 피복 유리 분말에 함유되는 텔루륨 질량에 대하여, 인듐 질량/(인듐 질량＋은 텔루륨 피복 유리 분말 중의 텔루륨 질량)이 0.05∼0.5의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 텔루륨계 유리 분말이, 아연, 납, 비스무스, 규소 및 알루미늄으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  4. 텔루륨을 20 질량％ 이상 포함하는 텔루륨계 유리 분말을, 은 착체 용액에 첨가한 후, 환원제를 첨가하여 표면에 은과 텔루륨을 주성분으로 하는 피복층을 형성시킴으로써 은 텔루륨 피복 유리 분말을 얻는 공정과,
    상기 은 텔루륨 피복 유리 분말과, 은을 포함하는 도전성 분말과, 인듐 분말과, 용제와, 유기 바인더를 혼합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트의 제조 방법.
  5. 반사 방지층 상에 제 1 항 내지 제 3 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 인쇄 또는 도포하고, 소성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법.
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