KR20190048934A - Light emitting display device and method for driving the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a light emitting display device and an operating method thereof capable of preventing deterioration in image quality caused by inadequate compensation for a threshold voltage of an operating transistor by identifying whether the threshold voltage of the operating transistor has been changed and determining whether to execute a threshold voltage sensing mode. According to an embodiment of the present invention, the light emitting display device includes: a display panel including data lines, scan lines, and pixels placed in intersecting areas of the data and scan lines; a display panel operating part applying data voltages to the data lines and applying scan signals to the scan lines; and a timing control part controlling timing for the operation of the display panel operating part. The timing control part operates the display panel operating part in a first threshold voltage sensing mode, in which threshold voltages of operating transistors of pixels are sensed, if a trigger signal and a turn-off signal of the display device are inputted. The timing control part operates the display panel operating part in the first threshold voltage sensing mode, in which the threshold voltages of the operating transistors of the pixels are sensed, if the turn-off signal of the display device is inputted but the trigger signal is not inputted. The length of time required for a second threshold voltage sensing mode is shorter than the length of time required for the first threshold voltage sensing mode.

Description

발광 표시장치와 그의 구동방법{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting display device and a method of driving the same,

본 명세서는 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display and a driving method thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 발광 표시장치(LED: Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, in recent years, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and a light emitting display (LED) have been used.

이들 중에서 발광 표시장치는 발광소자(light emitting element)로서 유기 발광층을 이용하는 유기발광 표시장치, 발광소자로서 양자점 발광층을 이용하는 양자점 표시장치, 및 발광소자로서 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)를 이용하는 발광 다이오드 표시장치로 구분될 수 있다. 발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.Among them, the light emitting display includes an organic light emitting display using an organic light emitting layer as a light emitting element, a quantum dot display using a quantum dot light emitting layer as a light emitting element, and a light emitting element using a micro light emitting diode And a diode display device. The light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has excellent viewing angle, and has a high response speed.

발광 표시장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 데이터 라인들과 스캔 라인들의 교차부들에 형성된 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔 라인들에 스캔 신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터 라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다.The light emitting display includes a display panel having pixels formed at intersections of data lines, scan lines, data lines and scan lines, a scan driver for supplying scan signals to the scan lines, And a data driver for supplying the data.

화소들 각각은 발광소자(light emitting element), 게이트 전극의 전압에 따라 발광소자에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터라인의 데이터전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 스캔 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압을 소정의 기간 동안 유지하기 위한 스토리지 커패시터를 포함한다.Each of the pixels includes a light emitting element, a driving transistor for adjusting the amount of current supplied to the light emitting element according to the voltage of the gate electrode, a data driver for driving the data voltage of the data line in response to the scan signal of the scan line A scan transistor for supplying the gate electrode of the transistor, and a storage capacitor for maintaining the voltage of the gate electrode of the drive transistor for a predetermined period of time.

이때, 발광소자에 공급되는 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류(Ids)는 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.At this time, the drain-source current Ids of the driving transistor supplied to the light emitting element can be expressed by Equation (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

수학식 1에서, k'는 구동 트랜지스터의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 비례 계수, Vgs는 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압, Vth는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 의미한다.In Equation 1, k 'denotes a proportional coefficient determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor, Vgs denotes a gate-source voltage of the driving transistor, and Vth denotes a threshold voltage of the driving transistor.

한편, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)과 전자 이동도(mobility)은 발광 표시장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 열화 등의 원인으로 인하여 화소마다 달라질 수 있다. 즉, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하는 경우 발광소자에 공급되는 전류는 동일하여야 하나, 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자 이동도의 차이로 인하여 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도 발광소자에 공급되는 전류가 화소마다 달라질 수 있다.On the other hand, the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor may vary from pixel to pixel due to process variations in manufacturing the light emitting display device or deterioration of the driving transistor due to long-term driving. That is, when the same data voltage is applied to the pixels, the current supplied to the light emitting element should be the same. However, even if the same data voltage is applied to the pixels due to the difference between the threshold voltage and the electron mobility of the driving transistor between the pixels, The current supplied to the device may be different for each pixel.

화소들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하기 위한 문턱전압 센싱 모드의 구동 기간은 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 검출하기 위한 전자 이동도 센싱 모드의 구동 기간보다 길다. 상대적으로 긴 기간이 소요되는 문턱전압 센싱 모드는 발광 표시장치의 전원이 꺼질 때 수행되며(OFF RS 모드), 상대적으로 짧은 기간이 소요되는 전자 이동도 센싱 모드는 발광 표시장치의 전원이 켜지자마자(ON RF 모드), 그리고 발광 표시장치의 구동 중에 수행된다(RT Sensing 모드).The driving period of the threshold voltage sensing mode for detecting the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels is longer than the driving period of the electron mobility sensing mode for detecting the electron mobility of the driving transistor of each of the pixels. The threshold voltage sensing mode, which takes a relatively long period of time, is performed when the power of the light emitting display device is turned off (OFF RS mode), and the electron mobility sensing mode, which takes a relatively short period of time, ON RF mode), and during the operation of the light emitting display (RT Sensing mode).

한편, 문턱전압 센싱 모드는 소요 시간이 길기 때문에, 사용자가 발광 표시장치의 턴-오프를 요청한 때, 예를 들어 사용자가 리모콘으로 발광 표시장치를 턴-오프한 때부터 문턱전압 센싱 모드를 수행한 후 실질적으로 발광 표시장치가 턴-오프 되기까지의 기간이 길다. 즉, 문턱전압 센싱 모드로 인해 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간이 길다. 이로 인해, 문턱전압 센싱 모드의 수행을 최소화하기 위해 발광 표시장치가 미리 정해진 소정의 시간보다 길게 턴-온된 경우에만 수행되도록 설정되어 있다. 하지만, 발광 표시장치가 미리 정해진 소정의 시간보다 짧게 턴-온되는 경우, 화소들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않을 수 있으며, 이로 인해 화질 저하가 발생할 수 있다.On the other hand, since the threshold voltage sensing mode requires a long time, when the user requests the turn-off of the light-emitting display device, for example, when the user turns on the light-emitting display device with the remote control, The period from when the light emitting display device is turned on to when the light emitting display device is turned off is substantially long. That is, the turn-off time of the light-emitting display device is long due to the threshold voltage sensing mode. Therefore, in order to minimize the performance of the threshold voltage sensing mode, it is set to be performed only when the light emitting display device is turned on longer than a predetermined time. However, when the light emitting display is turned on shorter than a predetermined time, the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels may not be properly compensated, and image quality degradation may occur.

본 명세서는 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정함으로써 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있는 발광 표시장치와 그의 구동방법을 제공한다.The present invention relates to a light emitting display device capable of preventing generation of picture quality deterioration due to poor threshold voltage of a driving transistor by determining whether a threshold voltage of a driving transistor fluctuates or not and determining whether to perform a threshold voltage sensing mode, .

본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 데이터 라인들, 스캔 라인들, 및 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들의 교차 영역들에 배치된 화소들을 포함하는 표시패널; 데이터 라인들에 데이터 전압들을 인가하고, 스캔 라인들에 스캔신호들을 인가하는 표시패널 구동부; 및 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 구비한다. 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호와 트리거 신호가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되고 트리거 신호가 입력되지 않는 경우, 표시패널 구동부를 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧다.A light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a display panel including data lines, scan lines, and pixels arranged at intersections of the data lines and the scan lines; A display panel driver for applying data voltages to the data lines and applying scan signals to the scan lines; And a timing control section for controlling the operation timing of the display panel driving section. When the turn-off signal and the trigger signal of the display device are inputted, the timing controller drives the display panel driver in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of the driving transistors of the pixels. When the turn-off signal of the display device is input and the trigger signal is not input, the timing controller drives the display panel driver in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of the driving transistors of the pixels. The time taken for the second threshold voltage sensing mode is shorter than the time taken for the first threshold voltage sensing mode.

본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법은 사용자가 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경화한 경우 트리거 신호와 턴-오프 신호를 출력하고, 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경과하지 않은 경우 트리거 신호를 출력하지 않고 턴-오프 신호를 출력하는 단계; 트리거 신호와 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계; 및 트리거 신호가 입력되지 않고 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계를 포함한다. 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧다.According to an embodiment of the present invention, when the user requests turn-off of the display device, when the turn-on time of the display device is set to the first time, the trigger signal and the turn- Outputting a turn-off signal without outputting a trigger signal when the turn-on time of the display device does not pass the first time; Driving in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of driving transistors of pixels of a display panel when a trigger signal and a turn-off signal are input; And driving in a second threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of the driving transistors of the pixels of the display panel when a turn-off signal is input without inputting the trigger signal. The time taken for the second threshold voltage sensing mode is shorter than the time taken for the first threshold voltage sensing mode.

본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 시간을 경과하지 않았더라도, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터를 센싱하고, 제2 센싱 데이터를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 시간보다 짧게 구동되는 경우에도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment of the present invention, even if the turn-on duration of the light-emitting display device does not pass the predetermined time, when there is a turn-off request of the light-emitting display device from the user, To sense the second sensing data, and analyzes the second sensing data to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode. Therefore, even when the turn-on duration of the light emitting display device is driven shorter than the predetermined time, it is possible to determine whether the threshold voltage sensing mode is performed or not by determining whether the threshold voltage of the driving transistor fluctuates, The threshold voltage of the driving transistor can not be compensated properly, and image quality degradation can be prevented from occurring.

또한, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간의 길이는 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간의 길이를 짧게 함으로써, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널의 모든 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널의 모든 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간을 크게 늘리지 않고도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present invention, the length of the second period of the second threshold voltage sensing mode is shorter than the length of the second period of the first threshold voltage sensing mode, so that, in the second threshold voltage sensing mode, It is possible to reduce the time taken to sense the source voltages of the driving transistors of the display panel to be larger than the time taken to sense the source voltages of the driving transistors of all the pixels of the display panel in the first threshold voltage sensing mode. As a result, one embodiment of the present invention can determine whether or not the threshold voltage sensing mode is performed by determining whether the threshold voltage of the driving transistor fluctuates without significantly increasing the turn-off time of the light emitting display device.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 5는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 6은 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 7은 전자 이동도 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.
도 9는 도 8의 S105 단계를 상세히 보여주는 흐름도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail.
4 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor .
FIG. 5 is a timing chart showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the first threshold voltage sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.
FIG. 6 is a timing chart showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the second threshold voltage sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the electron mobility sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.
8 is a flowchart illustrating a method of driving a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flow chart showing the step S105 of FIG. 8 in detail.

명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명의 핵심 구성과 관련이 없는 경우 및 본 발명의 기술분야에 공지된 구성과 기능에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다. 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, detailed descriptions of configurations and functions known in the technical field of the present invention and those not related to the core configuration of the present invention can be omitted. The meaning of the terms described herein should be understood as follows.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The terms " X-axis direction ", " Y-axis direction ", and " Z-axis direction " should not be construed solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having directionality.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term " at least one " includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of " at least one of the first item, the second item and the third item " means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 발광소자로 유기발광소자를 이용하는 유기발광 표시장치 또는 발광소자로 마이크로 발광 다이오드를 이용하는 마이크로 발광 표시장치일 수 있다.The light emitting display according to one embodiment of the present invention may be an organic light emitting display using an organic light emitting diode as a light emitting element or a micro light emitting display using a micro light emitting diode as a light emitting element.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a block diagram illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 연성필름(122)들, 스캔 구동부(130), 소스 회로보드(140), 제1 연성 케이블(150), 제어 회로보드(160), 타이밍 제어부(170), 메모리(180), 전압 공급부(190), 시스템 온 칩(200), 시스템 회로보드(210), 및 제2 연성 케이블(160)들을 포함한다.1 and 2, a light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 110, a data driver 120, a flexible film 122, a scan driver 130, a source circuit board A system controller 140, a first flexible cable 150, a control circuit board 160, a timing controller 170, a memory 180, a voltage supplier 190, a system-on-chip 200, a system circuit board 210, And a second flexible cable 160.

표시패널(110)은 하부 기판(111)과 상부 기판(112)을 포함할 수 있다. 하부 기판(111)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 형성될 수 있으며, 상부 기판(112)은 유리 기판, 플라스틱 필름, 봉지 필름, 또는 배리어 필름으로 형성될 수 있다.The display panel 110 may include a lower substrate 111 and an upper substrate 112. The lower substrate 111 may be formed of a glass substrate or a plastic film, and the upper substrate 112 may be formed of a glass substrate, a plastic film, a sealing film, or a barrier film.

표시패널(110)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(110)에는 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.The display panel 110 includes a display area AA and a non-display area NDA provided around the display area AA. The display area AA is an area where pixels P are formed to display an image. In the display panel 110, the data lines D1 to Dm, m are positive integers of 2 or more, reference voltage lines R1 to Rp, p is a positive integer of 2 or more, scan lines S1 to Sn, n Is a positive integer of 2 or more), and the sensing signal lines SE1 to SEn are provided. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may intersect the scan lines S1 to Sn and the sensing signal lines SE1 to SEn. The data lines D1 to Dm and the reference voltage lines R1 to Rp may be parallel to each other. The scan lines S1 to Sn and the sensing signal lines SE1 to SEn may be parallel to each other.

화소(P)들 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준전압 라인들(R1~Rp) 중 어느 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 3과 같이 발광소자(light emitting element, EL)와 발광소자(EL)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.Each of the pixels P includes one of the data lines D1 to Dm, one of the reference voltage lines R1 to Rp, one of the scan lines S1 to Sn, and one of the sensing signal lines SE1 to SEn, respectively. Each of the pixels P of the display panel 10 may include a light emitting element EL and a plurality of transistors for supplying current to the light emitting element EL as shown in FIG. A detailed description of each of the pixels P of the display panel 10 will be given later with reference to FIG.

데이터 구동부(120)와 스캔 구동부(130)는 표시패널 구동부로 칭해질 수 있다.The data driver 120 and the scan driver 130 may be referred to as a display panel driver.

데이터 구동부(120)는 도 2와 같이 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(integrated circuit)(121)들을 포함할 수 있다. 도 2에서는 데이터 구동부(120)가 8 개의 소스 드라이브 IC(121)들을 포함하는 것을 예시하였으나, 소스 드라이브 IC(121)의 개수는 이에 한정되지 않는다.The data driver 120 may include at least one source driver IC (integrated circuits) 121 as shown in FIG. Although the data driver 120 includes eight source drive ICs 121 in FIG. 2, the number of the source drive ICs 121 is not limited thereto.

각 소스 드라이브 IC(121)는 각 연성필름(122) 상에 실장될 수 있다. 각 연성필름(122)은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 각 연성필름(122)은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 각 연성필름(122)은 하부기판(111)과 소스 회로보드(140)에 부착될 수 있다. 각 연성필름(122)은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 하부 기판(111)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 각 소스 드라이브 IC(121)는 데이터 라인들에 연결될 수 있다.Each source drive IC 121 may be mounted on each flexible film 122. Each flexible film 122 may be a tape carrier package or a chip on film. Each flexible film 122 can be bent or bent. Each flexible film 122 may be attached to the lower substrate 111 and the source circuit board 140. Each flexible film 122 may be attached on the lower substrate 111 by a tape automated bonding (TAB) process using an anisotropic conductive film, whereby each source drive IC 121 is connected to a data line Lt; / RTI >

각 소스 드라이브 IC(121)는 도 2와 같이 데이터전압 공급부(121A), 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter, 이하 "ADC"라 칭함, 121B), 및 스위칭부(121C)를 포함할 수 있다.Each of the source drive ICs 121 may include a data voltage supply unit 121A, an analog digital converter (ADC) 121B, and a switching unit 121C, as shown in FIG.

데이터전압 공급부(121A)는 데이터 라인들에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(121A)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 데이터와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력받는다. 디지털 데이터는 보상 비디오 데이터(CVDATA), 제1 및 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA1, PDATA2) 중 어느 하나일 수 있다.A data voltage supply unit 121A is connected to the data lines to supply data voltages. The data voltage supply unit 121A receives the digital data and the data timing control signal DCS from the timing control unit 170. [ The digital data may be either the compensated video data (CVDATA), the first and second sensing digital data (PDATA1, PDATA2).

데이터전압 공급부(121A)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 발광 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 표시 모드는 화소(P)들이 발광하여 화상을 표시하는 모드이다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 발광소자(EL)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다.The data voltage supplier 121A receives the compensated video data (CVDATA) in the display mode and converts the compensated video data (CVDATA) into the luminescent data voltages according to the data timing control signal (DCS) and applies them to the data lines. The display mode is a mode in which pixels P emit light to display an image. The light emission data voltage is a voltage for causing the light emitting element EL of the pixel P to emit light at a predetermined luminance.

데이터전압 공급부(121A)는 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 제1 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)을 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱하는 문턱전압 센싱 모드이다.The data voltage supplier 121A receives the first sensing digital data PDATA1 in the first threshold voltage sensing mode and the second threshold voltage sensing mode and receives the first sensing digital data PDATA1 according to the data timing control signal DCS, Into a first sensing data voltage and applies it to the data lines. The first threshold voltage sensing mode and the second threshold voltage sensing mode are a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the first sensing data voltage to compensate the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels P Voltage sensing mode.

데이터전압 공급부(121A)는 전자 이동도 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 제2 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도(mobility)를 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 전자 이동도 센싱 모드이다.The data voltage supply unit 121A receives the second sensing digital data PDATA2 in the electron mobility sensing mode and converts the second sensing digital data PDATA2 into the second sensing data voltage in accordance with the data timing control signal DCS. To the data lines. The electron mobility sensing mode is an electron mobility sensing mode for sensing the source voltage of the driving transistor DT according to the second sensing data voltage to compensate for the electron mobility of the driving transistor of each of the pixels P .

ADC(121B)는 제1 문턱전압 센싱 모드, 제2 문턱전압 센싱 모드, 및 전자 이동도 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD1/SD2/SD3)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제1 센싱 데이터(SD1)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제2 센싱 데이터(SD2)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제3 문턱전압 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제3 센싱 데이터(SD3)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다.The ADC 121B converts the voltages sensed from the reference voltage lines into digital data sensing data SD1 / SD2 / SD3 in the first threshold voltage sensing mode, the second threshold voltage sensing mode, and the electron mobility sensing mode And outputs it to the timing control section 170. The ADC 121B converts the voltages sensed from the reference voltage lines in the first threshold voltage sensing mode into the first sensing data SD1 and outputs the first sensing data SD1 to the timing controller 170. [ The ADC 121B converts the voltages sensed from the reference voltage lines into the second sensing data SD2 in the second threshold voltage sensing mode and outputs the second sensing data SD2 to the timing controller 170. [ The ADC 121B converts the voltages sensed from the reference voltage lines into the third sensing data SD3 in the third threshold voltage sensing mode and outputs the third sensing data SD3 to the timing controller 170. [

스위칭부(121C)는 기준전압 라인들과 전압 공급부(190) 사이의 접속을 스위칭하고, 기준전압 라인들(R1~Rz)과 ADC(140) 사이의 접속을 스위칭한다. 이를 위해, 스위칭부(121C)는 도 3과 같이 각 기준전압 라인과 전압 공급부(190) 사이에 접속되는 제1 스위치(SW1)와 각 기준전압 라인과 ADC(121B) 사이에 접속되는 제2 스위치(SW2)를 포함할 수 있다.The switching unit 121C switches the connection between the reference voltage lines and the voltage supply 190 and switches the connection between the reference voltage lines R1 to Rz and the ADC 140. [ 3, the switching unit 121C includes a first switch SW1 connected between each reference voltage line and the voltage supply unit 190, a second switch SW1 connected between each reference voltage line and the ADC 121B, (SW2).

스캔 구동부(130)는 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)를 포함한다. 스캔신호 출력부(131)는 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 인가한다. 스캔신호 출력부(131)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호들을 생성하여 스캔 라인들(S1~Sn)에 인가한다.The scan driver 130 includes a scan signal output unit 131 and a sensing signal output unit 132. The scan signal output unit 131 is connected to the scan lines S1 to Sn to apply scan signals. The scan signal output unit 131 generates scan signals according to a scan timing control signal SCS input from the timing controller 170 and applies the scan signals to the scan lines S1 to Sn.

센싱신호 출력부(132)는 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호들을 인가한다. 센싱신호 출력부(132)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호들을 생성하여 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 인가한다.The sensing signal output unit 132 is connected to the sensing signal lines SE1 to SEn to apply sensing signals. The sensing signal output unit 132 generates sensing signals according to the sensing timing control signal SENCS input from the timing controller 170 and applies the sensing signals to the sensing signal lines SE1 to SEn.

스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(110)의 하부 기판(111)에 부착되는 게이트 연성필름 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 집적회로(integrated circuit)와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다.The scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may include a plurality of transistors and may be formed directly in the non-display area NDA of the display panel 110 in a gate driver in panel (GIP) manner. Alternatively, the scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may be mounted on a gate flexible film formed in the form of a driving chip and attached to the lower substrate 111 of the display panel 110 . In this case, the scan signal output unit 131 and the sensing signal output unit 132 may be formed in a chip form like an integrated circuit.

소스 회로보드(140)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제1 커넥터(151)들을 포함할 수 있다. 소스 회로보드(140)는 제1 커넥터(151)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board) 또는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The source circuit board 140 may include first connectors 151 for connection to the first flexible cables 150. The source circuit board 140 may be connected to the first flexible cables 150 through the first connectors 151. [ The source circuit board 50 may be a flexible printed circuit board or a printed circuit board.

제어 회로보드(160)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제2 커넥터(152)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제2 커넥터(152)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다. The control circuit board 160 may include second connectors 152 for connection to the first flexible cables 150. The control circuit board 160 may be connected to the first flexible cables 150 through the second connectors 152.

도 1에서는 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160)가 복수의 제1 커넥터(151)들과 복수의 제2 커넥터(152)들을 통해 복수의 제1 연성 케이블(150)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160) 각각은 하나의 제1 커넥터(151)와 하나의 제2 커넥터(152)를 통해 하나의 제1 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다.1, the source circuit board 140 and the control circuit board 160 are connected to a plurality of first flexible cables 150 through a plurality of first connectors 151 and a plurality of second connectors 152 However, the present invention is not limited thereto. That is, each of the source circuit board 140 and the control circuit board 160 may be connected to one first flexible cable 150 through one first connector 151 and one second connector 152.

타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 디지털 비디오 데이터(VDATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The timing controller 170 receives the digital video data VDATA and timing signals from the system-on-chip 200. The timing signals may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock.

타이밍 제어부(170)는 데이터전압 공급부(121A), 스캔신호 출력부(131), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 제어신호들은 데이터전압 공급부(121A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(131)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The timing controller 170 generates control signals for controlling the operation timings of the data voltage supplier 121A, the scan signal output unit 131, and the sensing signal output unit 132. [ The control signals include a data timing control signal DCS for controlling the operation timing of the data voltage supply unit 121A, a scan timing control signal SCS for controlling the operation timing of the scan signal output unit 131, And a sensing timing control signal (SENCS) for controlling the operation timing of the unit (132).

타이밍 제어부(170)는 발광 표시장치를 표시 모드, 제1 문턱전압 센싱 모드, 제2 문턱전압 센싱 모드, 및 전자 이동도 센싱 모드 중 어느 하나로 제어할 수 있다.The timing controller 170 may control the light emitting display device to one of a display mode, a first threshold voltage sensing mode, a second threshold voltage sensing mode, and an electron mobility sensing mode.

표시 모드는 화소(P)들에 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따른 발광 데이터전압들을 공급함으로써 화소(P)들을 발광시키는 모드이다.The display mode is a mode for emitting pixels P by supplying emission data voltages according to the compensation video data (CVDATA) to the pixels (P).

제1 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들에 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)에 따른 제1 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 제1 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제1 센싱 데이터(SD1)로 센싱하는 모드이다. 제1 문턱전압 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-오프되기 전에 수행되거나 생략될 수 있다.The first threshold voltage sensing mode supplies a first sensing data voltage according to the first sensing digital data PDATA1 to the pixels P and a predetermined sensing data voltage Vdata of the pixels P through the reference voltage lines R1- It is a mode to sense voltages. Specifically, the first threshold voltage sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the first sensing data voltage as the first sensing data SD1 in order to compensate the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels P to be. The first threshold voltage sensing mode may be performed or omitted before the light emitting display is turned off.

제2 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들에 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)에 따른 제1 센싱 데이터전압들을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제2 센싱 데이터(SD2)로 센싱하는 모드이다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 문턱전압 센싱 모드 이전에 수행되거나 생략될 수 있다.The second threshold voltage sensing mode supplies the first sensing data voltages according to the first sensing digital data PDATA1 to the pixels P and supplies the first sensing data voltages to the predetermined pixels of the pixels P through the reference voltage lines R1 to Rp. It is a mode to sense voltages. The second threshold voltage sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the first sensing data voltage with the second sensing data SD2. The second threshold voltage sensing mode may be performed or omitted before the first threshold voltage sensing mode.

전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들에 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)에 따른 제2 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제3 센싱 데이터(SD3)로 센싱하는 모드이다. 전자 이동도 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-오프되자마자 표시패널(110)에 화상을 표시하기 전에 수행되거나 생략될 수 있다. 또한, 전자 이동도 센싱 모드는 표시패널(110)이 화상을 표시하는 중에 표시패널(110)의 일부 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 제3 센싱 데이터(SD3)로 센싱하기 위해 수행될 수 있다.The electron mobility sensing mode supplies the second sensing data voltage according to the second sensing digital data PDATA2 to the pixels P and supplies the second sensing data voltage according to the predetermined voltage Vp of the pixels P through the reference voltage lines R1- . Specifically, the electron mobility sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the second sensing data voltage with the third sensing data SD3 to compensate for the electron mobility of the driving transistor of each of the pixels P to be. The electron mobility sensing mode may be performed or omitted before displaying the image on the display panel 110 as soon as the light emitting display is turned off. In addition, the electron mobility sensing mode may be performed to sense the source voltages of the driving transistors of some pixels of the display panel 110 to the third sensing data SD3 while the display panel 110 displays an image.

타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(VDATA)를 보상 비디오 데이터(CVDATA)로 변환한다. 타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다.The timing controller 170 converts the digital video data VDATA into the compensated video data CVDATA using the compensation data CDATA stored in the memory 180 in the display mode. The timing control unit 170 outputs the compensated video data CVDATA and the data timing control signal DCS to the data voltage supply unit 121A in the display mode and supplies the scan timing control signal SCS to the scan signal output unit 131 And outputs the sensing timing control signal SENCS to the sensing signal output section 132. [

타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제1 센싱 데이터(SD1)는 제1 문턱전압 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제1 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The timing controller 170 outputs the first sensing digital data PDATA1 and the data timing control signal DCS stored in the memory 180 to the data voltage supply unit 121A in the first threshold voltage sensing mode, (SCS) to the scan signal output unit 131, and outputs the sensing timing control signal (SENCS) to the sensing signal output unit (132). The timing controller 170 receives the first sensing data SD1 from the ADC 121B in the first threshold voltage sensing mode and generates new compensation data CDATA according to the first sensing data SD1, ). That is, the timing controller 170 updates the compensation data CDATA stored in the memory 180 by reflecting the first sensing data SD1 sensed in the first threshold voltage sensing mode. The first sensing data SD1 is data obtained by converting the source voltage of the driving transistor in accordance with the first sensing data voltage from the ADC 121B to digital data in each pixel P in the first threshold voltage sensing mode.

타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받으며, 제2 센싱 데이터(SD2)에 따라 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 제2 문턱전압 센싱 모드는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 결정하기 위해 수행되므로, 제1 문턱전압 센싱 모드보다 짧은 기간 동안 수행되는 것이 바람직하다. 제2 센싱 데이터(SD2)는 제2 문턱전압 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제1 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The timing controller 170 outputs the first sensing digital data PDATA1 and the data timing control signal DCS stored in the memory 180 to the data voltage supply unit 121A in the second threshold voltage sensing mode, (SCS) to the scan signal output unit 131, and outputs the sensing timing control signal (SENCS) to the sensing signal output unit (132). The timing controller 170 receives the second sensing data SD2 from the ADC 121B in the second threshold voltage sensing mode and determines whether to drive in the first threshold voltage sensing mode according to the second sensing data SD2 do. Since the second threshold voltage sensing mode is performed to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode, the second threshold voltage sensing mode is preferably performed for a shorter period of time than the first threshold voltage sensing mode. The second sensing data SD2 is data obtained by converting the source voltage of the driving transistor according to the first sensing data voltage from the ADC 121B to digital data in each pixel P in the second threshold voltage sensing mode.

타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제2 센싱 비디오 데이터(PDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 다른 데이터이다. 타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제3 센싱 데이터(SD3)를 입력받을 수 있으며, 제3 센싱 데이터(SD3)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 전자 이동도 센싱 모드에서 센싱되는 제3 센싱 데이터(SD3)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제3 센싱 데이터(SD3)는 전자 이동도 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제2 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The timing control unit 170 outputs the second sensing video data PDATA2 and the data timing control signal DCS stored in the memory 180 to the data voltage supply unit 121A in the electron mobility sensing mode and supplies the scan timing control signal SCS to the scan signal output unit 131 and outputs the sensing timing control signal SENCS to the sensing signal output unit 132. [ The second sensing digital data PDATA2 is different from the first sensing digital data PDATA1. The timing control unit 170 can receive the third sensing data SD3 from the ADC 121B in the electron mobility sensing mode and generate new compensation data CDATA according to the third sensing data SD3, 180). That is, the timing controller 170 updates the compensation data CDATA stored in the memory 180 by reflecting the third sensing data SD3 sensed in the electron mobility sensing mode. The third sensing data SD3 is data obtained by converting the source voltage of the driving transistor corresponding to the second sensing data voltage from the ADC 121B to digital data in each pixel P in the case of the electron mobility sensing mode.

또한, 타이밍 제어부(170)는 데이터 구동부(120)의 스위치부(121C)의 제1 스위치(SW1)를 제어하기 위한 제1 스위치 제어신호(SCS1)와 제2 스위치(SW2)들을 제어하기 위한 제2 스위치 제어신호(SCS2)를 생성하여 출력할 수 있다.The timing controller 170 controls the first switch SW1 of the switch unit 121C of the data driver 120 and the first switch control signal SCS1 for controlling the second switch SW2. 2 switch control signal SCS2.

또한, 타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 표시장치의 턴-오프 여부를 지시하는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 제1 문턱전압 센싱 모드 수행을 지시하는 트리거 신호(TRS)를 입력받을 수 있다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드를 구동하지 않고 바로 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)만이 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 결정하기 위해 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동한다.The timing controller 170 receives a turn-off signal TOS indicating the turn-off state of the display device from the system-on-chip 200 and a trigger signal TRS indicating the first threshold voltage sensing mode ) Can be input. When the turn-off signal TOS and the trigger signal TRS of the display device are inputted, the timing controller 170 drives the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode without driving the second threshold voltage sensing mode do. The timing controller 170 drives in the second threshold voltage sensing mode to determine whether to drive the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode when only the turn-off signal TOS of the display device is input.

또한, 타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 표시장치의 턴-온 여부를 지시하는 표시장치의 턴-온 신호를 입력받을 수 있다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-온 신호가 입력되는 경우, 화상을 표시하기 전에 표시패널 구동부를 전자 이동도 센싱 모드로 구동한다.In addition, the timing controller 170 may receive a turn-on signal of the display device that indicates whether the display device is turned on from the system-on-chip 200. [ When the turn-on signal of the display device is input, the timing controller 170 drives the display panel driver in the electron mobility sensing mode before displaying the image.

나아가, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드가 종료되는 경우 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 또한, 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드 종료 후에 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할 필요가 없는 경우에도 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다.In addition, the timing controller 170 outputs the drive end signal DES to the system on chip 200 when the first threshold voltage sensing mode ends. The timing controller 170 outputs the drive end signal DES to the system on chip 200 even when it is not necessary to drive the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode after the end of the second threshold voltage sensing mode .

타이밍 제어부(170)는 직렬 데이터 통신 수신부(receiver, RX)를 포함함에 비해, 직렬 데이터 통신 송신부(transmitter, TX)를 포함하지 않으므로, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)를 시스템 온 칩(200)으로부터 직렬 데이터 통신 인터페이스로 입력받는데 비해, 구동 종료 신호(DES)를 하이/로우 전압 신호로 시스템 온 칩(200)에 출력한다.The timing control unit 170 includes a serial data communication receiver (RX) but does not include a serial data communication transmitter (TX), so that the turn-off signal (TOS) and the trigger signal (TRS) On chip 200 to the serial data communication interface, while outputting the drive end signal DES to the system on chip 200 as a high / low voltage signal.

메모리(180)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 저장한다. 타이밍 제어부(170)는 메모리(180)로부터 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 읽고(read), 제1 센싱 데이터(SD1)와 제2 센싱 데이터(SD2)를 이용하여 연산하여 산출된 새로운 보상 데이터(CDATA)를 쓰기(write)할 수 있다. 메모리(180)는 휘발성 메모리들과 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는 DDR 메모리이고, 비휘발성 메모리는 NAND 플래쉬 메모리일 수 있다.The memory 180 stores the first sensing digital data PDATA1, the second sensing digital data PDATA2, and the compensation data CDATA. The timing controller 170 reads the first sensing digital data PDATA1, the second sensing digital data PDATA2 and the compensation data CDATA from the memory 180 and outputs the first sensing data SD1, It is possible to write new compensation data CDATA calculated by using the second sensing data SD2. Memory 180 may include volatile memories and non-volatile memory. The volatile memory may be a DDR memory, and the nonvolatile memory may be a NAND flash memory.

전압 공급부(190)는 시스템 회로보드(210)로부터 인가되는 메인 전원으로부터 기준전압(VREF)을 생성하여 데이터 구동부(120)의 소스 드라이브 IC(121)들에 공급한다. 그 외에, 전원 공급부(190)는 메인 전원으로부터 고전위 전압에 해당하는 제1 전원 전압과 저전위 전압에 해당하는 제2 전원 전압을 생성하여 표시패널(110)에 공급할 수 있으며, 구동 전압들을 소스 드라이브 IC들(121A), 스캔신호 출력부(131), 센싱신호 출력부(132), 타이밍 제어부(170), 및 메모리(180)에 공급할 수 있다.The voltage supplier 190 generates a reference voltage VREF from the main power source applied from the system circuit board 210 and supplies the reference voltage VREF to the source driver ICs 121 of the data driver 120. In addition, the power supply unit 190 may generate a first power supply voltage corresponding to a high potential voltage and a second power supply voltage corresponding to a low potential voltage from the main power supply and supply the generated power supply voltage to the display panel 110, To the drive ICs 121A, the scan signal output unit 131, the sensing signal output unit 132, the timing control unit 170, and the memory 180. [

타이밍 제어부(170), 메모리(180), 및 전압 공급부(190)는 제어 회로보드(160) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)와 전압 공급부(190)는 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 제어 회로보드(160)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.The timing control unit 170, the memory 180, and the voltage supply unit 190 may be mounted on the control circuit board 160. In this case, the timing control unit 170 and the voltage supply unit 190 may be formed in a chip form like an integrated circuit. The control circuit board 160 may be a flexible printed circuit board or a printed circuit board.

시스템 온 칩(200)은 시스템 회로보드(210) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 시스템 온 칩(200)은 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.The system-on-chip 200 may be mounted on the system circuit board 210. In this case, the system-on-chip 200 can be formed in a chip form like an integrated circuit. The system circuit board 210 may be a flexible printed circuit board or a printed circuit board.

제어 회로보드(160)는 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제3 커넥터(221)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제3 커넥터(221)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다. 시스템 회로보드(210)은 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제4 커넥터(222)들을 포함할 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 제4 커넥터(222)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다.The control circuit board 160 may include third connectors 221 for connection to the second flexible cables 220. [ The control circuit board 160 may be connected to the second flexible cables 220 through the third connectors 221. The system circuit board 210 may include fourth connectors 222 for connection to the second flexible cables 220. The system circuit board 210 may be connected to the second flexible cables 220 through the fourth connectors 222. [

도 1에서는 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)가 복수의 제3 커넥터(221)들과 복수의 제4 커넥터(222)들을 통해 복수의 연성 케이블(220)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)는 하나의 제3 커넥터(221)와 하나의 제4 커넥터(222)를 통해 하나의 제2 연성 케이블(220)에 연결될 수 있다.1 illustrates that the control circuit board 160 and the system circuit board 210 are connected to the plurality of flexible cables 220 through the plurality of third connectors 221 and the plurality of fourth connectors 222 , But is not limited thereto. That is, the control circuit board 160 and the system circuit board 210 may be connected to one second flexible cable 220 through one third connector 221 and one fourth connector 222.

도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail.

도 3에서는 설명의 편의를 위해 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 제u(u는 1≤u≤p을 만족하는 양의 정수) 기준전압 라인(Ru), 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔 라인(Sk), 및 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속된 화소(P), 데이터전압 공급부(121A), ADC(121B), 스위칭부(121C)의 제1 스위치(SW1)와 제2 스위치(SW2)만을 도시하였다.In FIG. 3, for the sake of convenience of explanation, a data line Dj (j is a positive integer satisfying 1? J? M) data line Dj, a u (u is a positive integer satisfying 1? A pixel P connected to a line Ru, a kth (k is a positive integer satisfying 1? K? N) scan line Sk and a kth sensing signal line SEk, a data voltage supply unit 121A Only the first switch SW1 and the second switch SW2 of the ADC 121B and the switching unit 121C are shown.

도 3을 참조하면, 표시패널(10)의 화소(P)는 발광소자(EL), 구동 트랜지스터(DT), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터들(ST2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 3, the pixel P of the display panel 10 includes a light emitting element EL, a driving transistor DT, a first switching transistor ST1, a second switching transistor ST2, and a capacitor Cst ).

발광소자(EL)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광소자(EL)는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 또는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)로 구현될 수 있다. 이 경우, 발광소자(EL)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 발광소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광소자(EL)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위 전압보다 낮은 저전위 전압이 공급되는 제2 전원 라인(VSL)에 접속될 수 있다.The light emitting element EL emits light in accordance with the current supplied through the driving transistor DT. The light emitting device EL may be implemented as an organic light emitting diode or a micro light emitting diode. In this case, the light emitting device EL includes an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode can do. In the light emitting device EL, when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. The anode electrode of the light emitting element EL is connected to the source electrode of the driving transistor DT and the cathode electrode can be connected to the second power supply line VSL to which a low potential voltage lower than the high potential voltage is supplied.

구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원 라인(EVL)으로부터 발광소자(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 발광소자(EL)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압이 인가되는 제1 전원 라인(EVL)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT adjusts the current flowing from the first power supply line (EVL) supplied with the first power supply voltage to the light emitting element (EL) according to the voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first switching transistor ST1, the source electrode thereof is connected to the anode electrode of the light emitting element EL, and the drain electrode thereof is connected to the first And may be connected to a power supply line (EVL).

제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터 라인(Dj)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속시킨다. 제1 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔 라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터 라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal of the kth scan line Sk to connect the jth data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT. The first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the kth scan line Sk and the first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the gate electrode of the first driving transistor DT1. .

제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호에 의해 턴-온되어 제u 기준전압 라인(Ru)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속되고, 제1 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal of the kth sensing signal line SEk to connect the u th reference voltage line Ru to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second switching transistor ST3 is connected to the kth sensing signal line SEk and the first electrode thereof is connected to the u th reference voltage line Ru and the second electrode is connected to the source of the driving transistor DT Can be connected to the electrode.

제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.It should be noted that the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode. That is, the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.

커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.The capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The capacitor Cst stores the difference voltage between the gate voltage of the driving transistor DT and the source voltage.

구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 도 4, 도 5, 및 도 6의 타이밍 도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a thin film transistor. Although the driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in FIG. 3, the present invention is not limited thereto. shall. The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the timing charts of Figs. 4, 5, and 6 can be appropriately modified to match the characteristics of the P-type MOSFET.

도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.4 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor .

도 4를 참조하면, 표시 모드에서 1 프레임 기간은 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2)을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 발광 데이터전압(EVdata)을 공급하고, 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광소자(EL)가 발광하는 기간이다. 제1 기간(t1)은 1 수평 기간일 수 있다. 1 수평 기간은 1 수평 라인의 화소(P)들에 데이터전압들이 공급되는 기간을 가리킨다.Referring to FIG. 4, one frame period in the display mode may include a first period t1 and a second period t2. The first period t1 is a period in which the light emission data voltage EVdata is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT and the source electrode is initialized to the reference voltage VREF. The second period t2 is a period during which the light emitting element EL emits light in accordance with the current Ids of the driving transistor DT. The first period t1 may be one horizontal period. One horizontal period indicates a period during which the data voltages are supplied to the pixels P of one horizontal line.

제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)와 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급되고, 제2 기간(t2) 동안 게이트 오프 전압(Voff)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk and the kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk are supplied as the gate-on voltage Von during the first period t1, And is supplied to the gate-off voltage Voff during the second period t2. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate on voltage Von and turned off by the gate off voltage Voff.

제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급될 수 있다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급될 수 있다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다. 이에 따라, 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되고, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다. 이로 인해, 표시 모드에서는 제u 기준 전압 라인(Ru)에 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다.The first switch control signal SCS1 may be supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 and the second period t2. The second switch control signal SCS2 may be supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 and the second period t2. Each of the first and second switches SW1 and SW2 may be turned on by a first logic level voltage and turned off by a second logic level voltage. Accordingly, during the first period t1 and the second period t2 of the display mode, the first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 , And the second switch SW2 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2. Therefore, in the display mode, the reference voltage VREF is supplied from the reference voltage supply circuit 190 to the u th reference voltage line Ru.

이하에서는, 도 3과 도 4를 결부하여 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P during the first period t1 and the second period t2 of the display mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터 라인(Dj)의 발광 데이터 전압(EVdata)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.First, during the first period t1, the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. During the first period t1, the second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. The light emitting data voltage EVdata of the jth data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the first switching transistor ST1 during the first period t1. The reference voltage VREF of the u th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the first period t1.

두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-오프된다.Second, during the second period t2, the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. During the second period t2, the second switching transistor ST2 is turned off by the kth sensing signal SENSk of the gate-off voltage Voff supplied to the kth sensing signal line SEk.

제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따른 전류(Ids)는 발광소자(EL)로 흐른다. 이로 인해, 발광소자(EL)는 발광한다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 "구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따라 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류(Ids)"를 "구동 트랜지스터의 전류(Ids)"로 정의한다.The current Ids corresponding to the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT flows to the light emitting element EL during the second period t2. As a result, the light emitting element EL emits light. Hereinafter, for convenience of explanation, "current Ids flowing through the driving transistor DT" in accordance with the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT is referred to as " (Ids) ".

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 표시 모드에서 발광 데이터 전압(EVdata)을 화소(P)에 공급한다. 발광 데이터 전압(EVdata)은 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상한 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따라 생성된 데이터 전압이다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)의 발광소자(EL)를 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자 이동도에 의존하지 않는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)들의 휘도 균일도를 높일 수 있다.As described above, one embodiment of the present invention supplies the emission data voltage (EVdata) to the pixel P in the display mode. The emission data voltage EVdata is a data voltage generated according to the compensated video data CVDATA that compensates the digital video data DATA using the compensation data CDATA. As a result, according to one embodiment of the present invention, the light emitting device EL of the pixel P emits light in accordance with the threshold voltage of the driving transistor DT and the current Ids of the driving transistor DT, can do. Thus, one embodiment of the present invention can increase the luminance uniformity of the pixels P.

도 5는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.FIG. 5 is a timing chart showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the first threshold voltage sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.

도 5를 참조하면, 제1 문턱전압 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제4 기간들(t1'~t4')을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1')은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2')은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)을 공급하는 기간이다. 제3 기간(t3')은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제4 기간(t4')은 휴지 기간이다.Referring to FIG. 5, one frame period in the first threshold voltage sensing mode may include first to fourth periods t1 'to t4'. The first period t1 'is a period for initializing the source electrode of the driving transistor DT to the reference voltage VREF. The second period t2 'is a period for supplying the first sensing data voltage SVdata1 to the gate electrode of the driving transistor DT. The third period t3 'is a period for sensing the source voltage of the driving transistor DT. The fourth period t4 'is a rest period.

제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2')과 제3 기간(t3') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2 'and the third period t3'. The kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk is supplied as the gate-on voltage Von during the first to third periods t1 'to t3'. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate on voltage Von and turned off by the gate off voltage Voff.

제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 내지 제4 기간(t4') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1'), 제2 기간(t2') 및 제4 기간(t4') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제3 기간(t3') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다.The first switch control signal SCS1 is supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 'and is supplied to the second logic level voltage V2 during the second to fourth periods t4' do. The second switch control signal SCS2 is supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 ', the second period t2' and the fourth period t4 ', and the third period t3 &Apos; ') < / RTI > Each of the first and second switches SW1 and SW2 may be turned on by a first logic level voltage and turned off by a second logic level voltage.

이하에서는, 도 3과 도 5를 결부하여 제1 문턱전압 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P in the first threshold voltage sensing mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

첫 번째로, 제1 기간(t1') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.First, during the first period t1 ', the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ', the first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 and the second switch SW2 is turned on by the second logic level And is turned off by the second switch control signal SCS2 of the voltage V2.

제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the reference voltage supply circuit 190 to the u th reference voltage line Ru due to the turn-on of the first switch SW1 during the first period t1 '. The reference voltage VREF of the u th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the first period t1 '. That is, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage VREF.

두 번째로, 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.Secondly, during the second period t2 ', the first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the kth scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ', the first switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the second logic level And is turned off by the second switch control signal SCS2 of the voltage V2.

제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)이 공급된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 '. Also, since the first switching transistor ST1 is turned on during the second period t2 ', the first sensing data voltage SVdata1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT.

제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata1-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth1)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 5와 같이 "SVdata1-Vth1"까지 상승한다. 즉, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata1-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is greater than the threshold voltage of the driving transistor DT during the second period t2 ' The current flows until the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode reaches the threshold voltage Vth1. As a result, the source voltage of the driving transistor DT rises to " SVdata1 - Vth1 " as shown in Fig. That is, the threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 '.

세 번째로, 제3 기간(t3') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3') 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.Third, during the third period t3 ', the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During a third period t3 ', the first switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the first logic level And is turned on by the second switch control signal SCS2 of the voltage V1.

제3 기간(t3') 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제3 기간(t3') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다. 따라서, ADC(121B)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.The u th reference voltage line Ru is connected to the ADC 121B due to the turn-on of the second switch SW2 during the third period t3 '. The source electrode of the driving transistor DT is connected to the ADC 121B through the u th reference voltage line Ru due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the third period t3 '. Therefore, the ADC 121B can sense the source voltage of the driving transistor DT, that is, "SVdata1-Vth1".

네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.Fourth, during the fourth period t4 ', the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2, the first switch SW1, and the second switch SW2 are both turned off.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 실시예는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth1)이 반영된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압 "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage " SVdata1-Vth1 " of the driving transistor DT in which the threshold voltage Vth1 of the driving transistor DT is reflected in the first threshold voltage sensing mode .

도 6은 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.FIG. 6 is a timing chart showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the second threshold voltage sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.

도 6을 참조하면, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제4 기간들(t1"~t4")을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2")은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)을 공급하는 기간이다. 제3 기간(t3")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제4 기간(t4")은 휴지 기간이다.Referring to FIG. 6, one frame period in the second threshold voltage sensing mode may include first through fourth periods t1 '' to t4 ''. The first period t1 is a period for initializing the source electrode of the driving transistor DT to the reference voltage VREF. The second period t2 " (SVdata1). The third period t3 " is a period for sensing the source voltage of the driving transistor DT. The fourth period t4 " is the idle period.

제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2")과 제3 기간(t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2 '' and the third period t3 ''. The kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk is supplied to the gate-on voltage Von during the first to third periods t1 'to t3' '. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate on voltage Von and turned off by the gate off voltage Voff.

제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 내지 제4 기간(t2"~t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1"), 제2 기간(t2") 및 제4 기간(t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제3 기간(t3") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다.The first switch control signal SCS1 is supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 ", and the second logic level voltage V2 during the second to fourth periods t2 & The second switch control signal SCS2 is supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 ", the second period t2" and the fourth period t4 " Is supplied to the first logic level voltage V1 during the third period t3 ". Each of the first and second switches SW1, SW2 is turned on by the first logic level voltage, Can be turned off by a voltage.

이하에서는, 도 3과 도 6을 결부하여 제2 문턱전압 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P in the second threshold voltage sensing mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

첫 번째로, 제1 기간(t1") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.First, during the first period t1 ", the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ' 1 switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 and the second switch SW2 is turned on by the second switch control of the second logic level voltage V2 And is turned off by the signal SCS2.

제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied to the u th reference voltage line Ru from the reference voltage supply circuit 190 due to the turn-on of the first switch SW1 during the first period t1 & the reference voltage VREF of the u-th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the period t1 ". That is, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage VREF.

두 번째로, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.Second, during the second period t2 ", the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ' 1 switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the second switch control of the second logic level voltage V2 And is turned off by the signal SCS2.

제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)이 공급된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 ". Further, during the second period t2 " 1 switching transistor ST1 is turned on, the first sensing data voltage SVdata1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT.

제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata1-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다. 한편, 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이가 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이보다 짧다. 예를 들어, 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이는 전자 이동도 센싱 모드의 제2 기간(t2^)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 이로 인해, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 6과 같이 제1 문턱전압 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압인 "Vdata1-Vth1"보다 낮은 "SVdata1-Vth2"까지 상승한다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata1-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is greater than the threshold voltage of the driving transistor DT during the second period t2 ", the driving transistor DT The length of the second period t2 "of the second threshold voltage sensing mode is shorter than the length of the second period t2 'of the first threshold voltage sensing mode. For example, the length of the second period t2 " of the second threshold voltage sensing mode may be substantially the same as the length of the second period t2 " of the electron mobility sensing mode. In the voltage sensing mode, the source voltage of the driving transistor DT rises to " SVdata1-Vth2 " lower than the source voltage of the driving transistor DT in the first threshold voltage sensing mode as shown in Fig.

세 번째로, 제3 기간(t3") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.Third, during the third period t3 ", the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the third period t3 " 1 switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the second switch control of the first logic level voltage V1 And is turned on by the signal SCS2.

제3 기간(t3") 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제3 기간(t3") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다. 따라서, ADC(121B)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata1-Vth2"를 센싱할 수 있다.The u th reference voltage line Ru is connected to the ADC 121B due to the turn-on of the second switch SW2 during the third period t3 ". During the third period t3 ", the second switching transistor ST2), the source electrode of the driving transistor DT is connected to the ADC 121B via the u < th > reference voltage line Ru. Therefore, the ADC 121B can sense the source voltage of the driving transistor DT, that is, " SVdata1-Vth2 ".

네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.Fourth, during the fourth period t4 ', the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2, the first switch SW1, and the second switch SW2 are both turned off.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이를 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이보다 짧게 조정한다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다.As described above, one embodiment of the present invention adjusts the length of the second period t2 " of the second threshold voltage sensing mode to be shorter than the length of the second period t2 'of the first threshold voltage sensing mode . As a result, one embodiment of the present invention can reduce the time taken to sense the source voltages of the driving transistors DT of all the pixels P of the display panel 110 in the second threshold voltage sensing mode to the first threshold voltage sensing mode The time required to sense the source voltages of the driving transistors DT of all the pixels P of the display panel 110 can be reduced.

또한, 본 명세서의 일 실시예에서는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제2 센싱 데이터(SD2)가 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상하기 위한 것이 아니라, 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단하여 제1 문턱전압 센싱 모드를 수행할지를 결정하기 위한 것이다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에서는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(SVdata1-Vth2)이 제1 문턱전압 센싱 모드에서와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 정확하게 반영하고 있을 필요가 없으며, 어느 정도, 대략 70~80% 이상 반영하고 있으면 충분하다.In one embodiment of the present invention, the second sensing data SD2 sensed in the second threshold voltage sensing mode is not used to compensate the digital video data DATA, And determines whether to perform the first threshold voltage sensing mode. Accordingly, in one embodiment of the present invention, the source voltage (SVdata1-Vth2) of the driving transistor DT sensed in the second threshold voltage sensing mode is set to the threshold voltage of the driving transistor DT as in the first threshold voltage sensing mode It is not necessary to accurately reflect it, and it is sufficient if it reflects to some extent about 70 to 80% or more.

도 7은 전자 이동도 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.FIG. 7 is a graph showing the relationship between the scan signal and the sensing signal supplied to the pixel in the electron mobility sensing mode, the first and second switch control signals supplied to the first and second switches, Fig.

도 7을 참조하면, 제1 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1^~t3^)을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1^)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2^)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터전압(SVdata1)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제3 기간(t3^)은 휴지 기간이다.Referring to FIG. 7, in the first sensing mode, one frame period may include the first to third periods t1 ^ to t3 ^. The first period t1 ^ is a period for initializing the source electrode of the driving transistor DT to the reference voltage VREF. The second period t2 ^ is a period for applying the first sensing data voltage SVdata1 to the gate electrode of the driving transistor DT and sensing the source voltage of the driving transistor DT. The third period t3 ^ is the idle period.

제k 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2^) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1^)과 제2 기간(t2^) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2 ^. The kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk is supplied as the gate-on voltage Von during the first period t1 ^ and the second period t2 ^.

제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1^) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 기간(t2^)과 제3 기간(t3^) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1^)과 제3 기간(t3^) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제2 기간(t2^) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다.The first switch control signal SCS1 is supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 ^ and the second logic level voltage V1 during the second period t2 ^ (V2). The second switch control signal SCS2 is supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 ^ and the third period t3 ^, and during the second period t2 ^ (V1).

이하에서는, 도 3과 도 7을 결부하여 전자 이동도 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P in the electron mobility sensing mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

첫 번째로, 제1 기간(t1^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1^) 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.First, during the first period t1 ^, the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. The first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 and the second switch SW2 is turned on by the second logic level V1 during the first period t1 ^ And is turned off by the second switch control signal SCS2 of the voltage V2.

제1 기간(t1^) 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1^) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the reference voltage supply circuit 190 to the u th reference voltage line Ru due to the turn-on of the first switch SW1 during the first period t1 ^. The reference voltage VREF of the u th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the first period t1 ^. That is, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the reference voltage VREF.

두 번째로, 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.Second, during the second period t2 ^, the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During a second period t2 ^, the first switch SW1 is turned off by the first switch control signal SCS1 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the first logic level And is turned on by the second switch control signal SCS2 of the voltage V1.

제2 기간(t2^) 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2^) 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제2 기간(t2^) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)이 공급된다. 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)은 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)보다 낮은 전압이다. 제2 기간(t2^) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 ^. Also, the reference voltage line Ru is connected to the ADC 121B due to the turn-on of the second switch SW2 during the second period t2 ^. The second sensing data voltage SVdata2 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the first switching transistor ST1 during the second period t2 ^. The second sensing data voltage SVdata2 is lower than the first sensing data voltage SVdata1. The source electrode of the driving transistor DT is connected to the ADC 121B through the u th reference voltage line Ru due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the second period t2 ^.

제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata2-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata2-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is larger than the threshold voltage Vth of the driving transistor DT during the second period t2 ^ (DT) flows current.

이때, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.At this time, the current of the driving transistor DT can be defined as shown in Equation (2).

Figure pat00002
Figure pat00002

수학식 2에서, "Ids"는 구동 트랜지스터(DT)의 전류, "K"는 전자 이동도, "Cox"는 절연막의 커패시턴스, "W"는 구동 트랜지스터(DT)의 채널 폭, "L"은 구동 트랜지스터(DT)의 채널 길이를 의미한다.&Quot; W " is the channel width of the driving transistor DT, " L " is the capacitance of the driving transistor DT, Quot; means the channel length of the driving transistor DT.

구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례하므로, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도가 클수록 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량은 더욱 커진다.The current of the driving transistor DT is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT as shown in Equation 2 and therefore the rising amount of the source voltage Vs of the driving transistor DT during the second period t2 ^ Is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT. That is, as the electron mobility of the driving transistor DT increases, the amount of rise of the source voltage Vs of the driving transistor DT during the second period t2 ^ becomes larger.

결국, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량이 달라지며, 도 5에서는 전자 이동도(K)에 따른 소스 전압(Vs)의 상승량을 α로 정의하였다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 전자 이동도(K)에 따라 도 7과 같이 "VREF+α"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2^) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 전압이 센싱된다.5 shows the relationship between the electron mobility K of the driving transistor DT and the electron mobility K of the driving transistor DT during the second period t2 ^ Is defined as?. The source voltage of the driving transistor DT rises to " VREF + alpha " as shown in Fig. 7 in accordance with the electron mobility K. Therefore, the voltage reflecting the electron mobility K of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 ^.

네 번째로, 제4 기간(t4') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.Fourth, during the fourth period t4 ', the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2, the first switch SW1, and the second switch SW2 are both turned off.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 전자 이동도 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 구동 트랜지스터의 소스 전압 "VREF+α"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage " VREF + alpha " of the driving transistor in which the electron mobility K of the driving transistor DT is reflected in the electron mobility sensing mode.

도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.8 is a flowchart illustrating a method of driving a light emitting display according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 도 8을 결부하여 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 제1 문턱전압 센싱 모드와 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a first threshold voltage sensing mode and a second threshold voltage sensing mode driving method of the light emitting display according to one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

첫 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하였는지를 판단한다. 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간을 판단하기 위한 타이머를 포함할 수 있다. (도 8의 S101)First, the system-on-chip 200 determines whether the turn-on duration of the light-emitting display device has passed the first time. The system-on-chip 200 may include a timer for determining a turn-on duration of the light emitting display. (S101 in Fig. 8)

두 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과한 경우, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있을 때 발광 표시장치를 턴-오프하기 전에 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 위한 트리거 신호(TRS) 출력을 예약한다. (도 8의 S102)Second, the system-on-chip 200 turns off the light emitting display when there is a turn-off request of the light emitting display from the user when the turn-on duration of the light emitting display has passed the first time And reserves a trigger signal (TRS) output for driving in the first threshold voltage sensing mode. (S102 in Fig. 8)

세 번째로, 시스템 온 칩(200)은 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 예를 들어 사용자가 리모콘으로 발광 표시장치를 턴-오프하는 경우, 예약된 트리거 신호(TRS)를 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 함께 타이밍 제어부(170)로 출력한다.Thirdly, the system-on-chip 200 may transmit a reserved trigger signal TRS when the user turns off the light emitting display with the remote controller, for example, when there is a turn-off request of the light emitting display from the user And outputs it to the timing controller 170 together with the turn-off signal TOS of the display device.

타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. (도 8의 S103)The timing controller 170 drives the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode when the turn-off signal TOS of the display device and the trigger signal TRS are input. The timing control unit 170 receives the first sensing data SD1 sensed from the display panel 110 and generates new compensation data CDATA according to the first sensing data SD1, . That is, the timing controller 170 updates the compensation data CDATA stored in the memory 180 by reflecting the first sensing data SD1 sensed in the first threshold voltage sensing mode. (S103 in Fig. 8)

네 번째로, 시스템 온 칩(200)은 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하지 않은 경우, 트리거 신호(TRS) 출력을 예약하지 않는다. 이때, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 시스템 온 칩(200)은 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하며, 트리거 신호(TRS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하지 않는다.Fourth, the system-on-chip 200 does not reserve the trigger signal (TRS) output when the turn-on duration of the light emitting display has not passed the first time. At this time, when there is a turn-off request of the light emitting display device from the user, the system on chip 200 outputs the turn-off signal TOS of the display device to the timing control part 170, And does not output to the control unit 170.

또한, 시스템 온 칩(200)은 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 없는 경우, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)를 타이밍 제어부(170)로 출력하지 않으며, 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과하였는지를 계속해서 판단한다. (도 8의 S104)In addition, the system-on-chip 200 does not output the turn-off signal TOS of the display device to the timing controller 170 when there is no turn-off request of the light-emitting display device from the user, The on-duration continues to determine if the first time has elapsed. (S104 in Fig. 8)

다섯 번째로, 타이밍 제어부(170)는 트리거 신호(TRS)는 입력되지 않고 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)만이 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받을 수 있다. Fifth, when the trigger signal TRS is not input but only the turn-off signal TOS of the display device is input, the timing controller 170 drives the display panel driver in the second threshold voltage sensing mode. Accordingly, the timing controller 170 can receive the second sensing data SD2 sensed from the display panel 110. [

타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단한다. 도 8의 S106 단계에 대한 자세한 설명은 도 9를 결부하여 후술한다. (도 8의 S105) The timing controller 170 analyzes the second sensing data SD2 to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode. Specifically, the timing controller 170 analyzes the second sensing data SD2 to determine whether the threshold voltage of the driving transistor DT has changed in a predetermined number of pixels or more. A detailed description of the step S106 of FIG. 8 will be made later with reference to FIG. (S105 in Fig. 8)

여섯 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었다고 판단되는 경우, 표시패널 구동부(110)를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동한다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)는 표시패널(110)로부터 센싱된 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. (도 8의 S106)Sixth, when the timing controller 170 determines that the threshold voltage of the driving transistor DT has changed in a predetermined number or more of pixels P as a result of analyzing the second sensing data SD2, 110 in the first threshold voltage sensing mode. In this case, the timing controller 170 receives the first sensing data SD1 sensed from the display panel 110, generates new compensation data CDATA according to the first sensing data SD1, . That is, the timing controller 170 updates the compensation data CDATA stored in the memory 180 by reflecting the first sensing data SD1 sensed in the first threshold voltage sensing mode. (S106 in Fig. 8)

일곱 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제1 문턱전압 센싱 모드가 종료되는 경우와 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되지 않았다고 판단되는 경우, 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 구동 종료 신호(DES)를 입력받으면, 표시장치를 턴-오프한다. (도 8의 S107)The timing controller 170 analyzes the second sensing data SD2 when the first threshold voltage sensing mode ends and the threshold voltage of the driving transistor DT at a predetermined number of pixels or more as a result of analyzing the second sensing data SD2. And outputs a drive end signal DES to the system on chip 200 when it is determined that the drive end signal DES has not been changed. Upon receiving the drive end signal DES from the timing controller 170, the system-on-chip 200 turns off the display device. (S107 in Fig. 8)

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 제1 시간을 경과하지 않았더라도, 사용자로부터 발광 표시장치의 턴-오프 요청이 있는 경우, 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터(SD2)를 센싱하고, 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-온 지속 시간이 미리 정해진 제1 시간보다 짧게 구동되는 경우에도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 제대로 보상되지 않아 화질 저하가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, even if the turn-on duration of the light-emitting display device does not pass the predetermined first time, when there is a turn-off request of the light-emitting display device from the user, The driving unit is driven in the second threshold voltage sensing mode to sense the second sensing data SD2 and the second sensing data SD2 to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode. Therefore, in one embodiment of the present invention, even if the turn-on duration of the light emitting display device is driven shorter than the first predetermined time, it is possible to determine whether the threshold voltage sensing mode is performed or not, Therefore, the threshold voltage of the driving transistor can not be compensated properly, and image quality degradation can be prevented from occurring.

또한, 도 5 및 도 6을 결부하여 설명한 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 제2 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2")의 길이는 제1 문턱전압 센싱 모드의 제2 기간(t2')의 길이를 짧게 함으로써, 제2 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간을 제1 문턱전압 센싱 모드에서 표시패널(110)의 모든 화소(P)들의 구동 트랜지스터(DT)들의 소스 전압들을 센싱하는데 걸리는 시간보다 크게 줄일 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 발광 표시장치의 턴-오프 소요 시간을 크게 늘리지 않고도 구동 트랜지스터의 문턱전압의 변동 여부를 파악하여 문턱전압 센싱 모드 수행 여부를 결정할 수 있다.5 and 6, the length of the second period t2 " of the second threshold voltage sensing mode is shorter than the length of the second period t2 " of the first threshold voltage sensing mode The time taken to sense the source voltages of the driving transistors DT of all the pixels P of the display panel 110 in the second threshold voltage sensing mode can be shortened in the first threshold voltage sensing mode, It is possible to reduce the time required for sensing the source voltages of the driving transistors DT of all the pixels P of the organic light emitting display 110. As a result, It is possible to determine whether the threshold voltage sensing mode is performed or not by determining whether the threshold voltage of the driving transistor fluctuates without increasing the threshold voltage.

한편, 본 명세서의 일 실시예에서는 설명의 편의를 위해 표시장치의 턴-오프 신호(TOS), 트리거 신호(TRS), 및 구동 종료 신호(TOS)가 출력되거나 출력되지 않는다고 설명하였다. 하지만, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 출력되는 경우는 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 제1 로직 값으로 출력되는 경우를 가리키고, 표시장치의 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 출력되지 않는 경우는 턴-오프 신호(TOS)와 트리거 신호(TRS)가 제2 로직 값으로 출력되는 경우를 가리킬 수 있다. 또한, 구동 종료 신호(TOS)가 출력되는 경우는 구동 종료 신호(TOS)가 하이 전압 신호로 출력되는 경우를 가리키고, 구동 종료 신호(TOS)가 출력되지 않는 경우는 구동 종료 신호(TOS)가 로우 전압 신호로 출력되는 경우를 가리킬 수 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, the turn-off signal (TOS), the trigger signal (TRS), and the drive end signal (TOS) of the display device are not outputted or outputted for convenience of explanation. However, when the turn-off signal TOS of the display device and the trigger signal TRS are outputted, the turn-off signal TOS of the display device and the trigger signal TRS are outputted as the first logic value The turn-off signal TOS and the trigger signal TRS are output as the second logic value when the turn-off signal TOS of the display device and the trigger signal TRS are not outputted. When the drive end signal TOS is output, the drive end signal TOS is output as the high voltage signal. When the drive end signal TOS is not output, And may be output as a voltage signal.

도 9는 도 8의 S105 단계를 상세히 보여주는 흐름도이다.FIG. 9 is a flow chart showing the step S105 of FIG. 8 in detail.

도 9를 참조하면, 첫 번째로, 1 프레임 기간 동안 화소(P)들에 블랙 데이터 전압을 인가하여 화소(P)들이 블랙을 표시하도록 한다.Referring to FIG. 9, first, a black data voltage is applied to the pixels P during one frame period so that the pixels P display black.

구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 1 프레임 기간 동안 메모리(180)에 저장된 블랙 비디오 데이터를 데이터 타이밍 제어신호(DCS)와 함께 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 데이터전압 공급부(121A)는 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 블랙 비디오 데이터를 블랙 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 출력한다. 스캔신호 출력부(131)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호들을 생성하여 스캔 라인들에 출력하고, 센싱신호 출력부(132)는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호들을 생성하여 센싱신호 라인들에 출력한다. 이에 따라, 화소(P)들 각각은 스캔 신호가 인가될 때 블랙 데이터 전압을 인가받으며, 이에 따라 블랙을 표시한다. (도 9의 S201)Specifically, the timing controller 170 outputs the black video data stored in the memory 180 for one frame period to the data voltage supplier 121A together with the data timing control signal DCS, and outputs the scan timing control signal SCS And outputs the sensing timing control signal SENCS to the sensing signal output unit 132. [ The data voltage supply unit 121A converts the black video data into the black data voltage according to the data timing control signal DCS and outputs the data to the data lines. The scan signal output unit 131 generates scan signals according to the scan timing control signal SCS and outputs the scan signals to the scan lines. The sensing signal output unit 132 generates sensing signals according to a sensing timing control signal SENCS. And outputs them to the sensing signal lines. Accordingly, each of the pixels P receives a black data voltage when a scan signal is applied, thereby displaying black. (S201 in Fig. 9)

두 번째로, 타이밍 제어부(170)는 표시패널 구동부를 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받는다.Secondly, the timing controller 170 drives the display panel driver in the second threshold voltage sensing mode and receives the second sensing data SD2.

구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제2 문턱전압 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받는다. (도 9의 S202)Specifically, the timing controller 170 outputs the first sensing digital data PDATA1 and the data timing control signal DCS stored in the memory 180 to the data voltage supply unit 121A in the second threshold voltage sensing mode, And outputs the timing control signal SCS to the scan signal output unit 131 and the sensing timing control signal SENCS to the sensing signal output unit 132. [ The timing controller 170 receives the second sensing data SD2 from the ADC 121B in the second threshold voltage sensing mode. (S202 in Fig. 9)

세 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 여부를 결정한다.Thirdly, the timing controller 170 analyzes the second sensing data SD2 to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode.

구체적으로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석한 결과 소정의 개수 이상의 화소(P)들에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 변동되었는지를 판단한다.Specifically, the timing controller 170 analyzes the second sensing data SD2 to determine whether the threshold voltage of the driving transistor DT has changed in a predetermined number of pixels or more.

예를 들어, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2) 중에서 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수를 산출한다. 기준 범위는 상한 기준 값과 하한 기준 값 사이의 범위를 포함할 수 있다. 상한 기준 값은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 포지티브 쉬프트된 경우에 해당하는지를 판단하기 위한 값이며, 하한 기준 값은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 네거티브 쉬프트된 경우에 해당하는지를 판단하기 위한 값이다. 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 데이터(SD2)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 기준 범위를 벗어나는 경우 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 보상이 필요한 만큼 쉬프트되었다고 판단할 수 있다.For example, the timing controller 170 calculates the number of second sensing data SD2 that deviate from the reference range out of the second sensing data SD2. The reference range may include a range between the upper limit reference value and the lower limit reference value. The upper limit reference value is a value for determining whether or not the threshold voltage of the driving transistor DT corresponds to a positive shift and the lower limit reference value is a value for determining whether the threshold voltage of the driving transistor DT corresponds to a case where the threshold voltage is negatively shifted to be. The timing controller 170 may determine that the threshold voltage of the driving transistor DT is shifted by the amount required for compensation when the second sensing data SD2 is out of the reference range of the threshold voltage of the driving transistor DT.

그리고 나서, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인지를 판단한다. 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압의 보상이 필요한 화소(P)의 개수가 충분히 많다고 판단할 수 있다. 그러므로, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우, 표시패널(110)의 화소(P)들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 보상할 필요가 있다고 판단할 수 있다. Then, the timing controller 170 determines whether the number of second sensing data SD2 that deviate from the reference range is equal to or greater than a reference value. The timing controller 170 can determine that the number of pixels P requiring compensation of the threshold voltage of the driving transistor DT is sufficiently large when the number of the second sensing data SD2 out of the reference range is equal to or greater than the reference value . Therefore, the timing controller 170 determines that it is necessary to compensate the threshold voltages of the driving transistors of the pixels P of the display panel 110 when the number of the second sensing data SD2 out of the reference range is equal to or greater than the reference value can do.

따라서, 타이밍 제어부(170)는 기준 범위를 벗어나는 제2 센싱 데이터(SD2)의 개수가 기준 값 이상인 경우 표시패널 구동부를 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하며, 그렇지 않은 경우 구동 종료 신호(DES)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. (도 9의 S203)Accordingly, the timing controller 170 drives the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode when the number of the second sensing data SD2 out of the reference range is equal to or greater than the reference value, And outputs it to the system on chip 200. (S203 in Fig. 9)

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 표시패널 111: 하부 기판
112: 상부 기판 120: 데이터 구동부
121: 소스 드라이브 IC 121A: 데이터전압 공급부
121B: 아날로그 디지털 컨버터 121C: 스위칭부
122: 연성필름 130: 스캔 구동부
131: 스캔신호 출력부 132: 센싱신호 출력부
140: 소스 회로보드 150: 제1 연성 케이블
160: 제어 회로보드 170: 타이밍 제어부
180: 메모리 190: 전압 공급부
200: 시스템 온 칩 210: 시스템 회로보드
220: 제2 연성 케이블110: display panel 111: lower substrate
112: upper substrate 120: data driver
121: Source drive IC 121A: Data voltage supply unit
121B: Analogue digital converter 121C:
122: flexible film 130: scan driver
131: scan signal output unit 132: sensing signal output unit
140: source circuit board 150: first flexible cable
160: control circuit board 170: timing control unit
180: memory 190: voltage supply
200: system on chip 210: system circuit board
220: Second flexible cable

Claims (17)

데이터 라인들, 스캔 라인들, 및 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들의 교차 영역들에 배치된 화소들을 포함하는 표시패널;
상기 데이터 라인들에 데이터 전압들을 인가하고, 상기 스캔 라인들에 스캔신호들을 인가하는 표시패널 구동부; 및
상기 표시패널 구동부의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 구비하고,
상기 타이밍 제어부는 표시장치의 턴-오프 신호와 트리거 신호가 입력되는 경우, 표시패널 구동부를 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하고,
상기 타이밍 제어부는 상기 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되고 상기 트리거 신호가 입력되지 않는 경우, 표시패널 구동부를 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하며,
상기 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.A display panel including data lines, scan lines, and pixels disposed at intersections of the data lines and the scan lines;
A display panel driver for applying data voltages to the data lines and applying scan signals to the scan lines; And
And a timing controller for controlling the operation timing of the display panel driver,
Wherein when the turn-off signal and the trigger signal of the display device are inputted, the timing controller drives the display panel driver in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of the driving transistors of the pixels,
Wherein the timing controller is driven in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of the driving transistors of the pixels when the turn-off signal of the display device is input and the trigger signal is not input,
Wherein the time required for the second threshold voltage sensing mode is shorter than the time required for the first threshold voltage sensing mode. 제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 표시패널 구동부로부터 제2 센싱 데이터를 입력받고, 기준 범위를 벗어나는 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 기준 값 이상인 경우 상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the timing controller receives the second sensing data from the display panel driver in the second threshold voltage sensing mode and is driven in the first threshold voltage sensing mode when the number of the second sensing data out of the reference range is equal to or greater than a reference value Emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 기준 범위를 벗어나는 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 상기 기준 값보다 작은 경우 구동 종료 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the timing controller outputs a driving end signal when the number of the second sensing data that is out of the reference range is smaller than the reference value. 제 3 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부로 디지털 비디오 데이터를 출력하는 시스템 온 칩을 더 구비하고,
상기 표시장치의 턴-오프 신호와 상기 트리거 신호는 직렬 데이터 통신으로 상기 시스템 온 칩으로부터 상기 타이밍 제어부로 입력되고, 상기 구동 종료 신호는 상기 타이밍 제어부로부터 상기 시스템 온 칩으로 하이/로우 전압 신호로 출력되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method of claim 3,
Further comprising a system-on-chip for outputting digital video data to the timing controller,
The turn-off signal and the trigger signal of the display device are input to the timing control section from the system on chip in serial data communication, and the drive end signal is output from the timing control section to the system on chip as a high / Emitting display device. 제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 제1 문턱전압 센싱 모드와 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
상기 표시패널 구동부는 상기 제1 문턱전압 센싱 모드와 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 디지털 데이터를 제1 센싱 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하고,
상기 제1 문턱전압 센싱 모드의 상기 제1 센싱 데이터 전압은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드의 상기 제1 센싱 데이터 전압과 동일한 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the timing controller supplies the first sensing digital data to the display panel driver in the first threshold voltage sensing mode and the second threshold voltage sensing mode,
Wherein the display panel driver converts the first sensing digital data into a first sensing data voltage and applies the first sensing data voltage to the data lines in the first threshold voltage sensing mode and the second threshold voltage sensing mode,
Wherein the first sensing data voltage in the first threshold voltage sensing mode is the same as the first sensing data voltage in the second threshold voltage sensing mode. 제 5 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 시스템 온 칩으로부터 표시 장치의 턴-온 신호가 입력되는 경우, 상기 화소들의 구동 트랜지스터들의 전자 이동도들을 센싱하는 전자 이동도 센싱 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.6. The method of claim 5,
Wherein the timing controller is driven in an electron mobility sensing mode for sensing electron mobilities of driving transistors of the pixels when a turn-on signal of the display device is input from the system-on-chip. 제 6 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
상기 표시패널 구동부는 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 제2 센싱 디지털 데이터를 제2 센싱 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하고,
상기 제1 센싱 데이터 전압은 상기 제2 센싱 데이터 전압보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the timing control unit supplies the second sensing digital data to the display panel driving unit in the electron mobility sensing mode,
Wherein the display panel driver converts the second sensing digital data into a second sensing data voltage and applies the second sensing data voltage to the data lines in the electron mobility sensing mode,
Wherein the first sensing data voltage is higher than the second sensing data voltage. 제 7 항에 있어서,
상기 화소들 각각은,
발광소자;
상기 발광소자에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터;
스캔 라인의 스캔신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인의 접속을 스위칭하는 제1 트랜지스터; 및
센싱신호 라인의 센싱신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 기준전압 라인의 접속을 스위칭하는 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.8. The method of claim 7,
Each of the pixels includes:
A light emitting element;
A driving transistor for supplying a driving current to the light emitting element;
A first transistor for switching a connection between a gate electrode of the driving transistor and a data line according to a scan signal of the scan line; And
A second transistor for switching connection between a source electrode of the driving transistor and a reference voltage line according to a sensing signal of the sensing signal line; And
And a capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭보다 크고, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭은 상기 제2 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.9. The method of claim 8,
Wherein the pulse width of the scan signal in the first threshold voltage sensing mode is greater than the pulse width of the scan signal in the second threshold voltage sensing mode and the pulse width of the sensing signal in the first threshold voltage sensing mode is greater than the pulse width of the second And the threshold voltage sensing mode is larger than the pulse width of the sensing signal in the threshold voltage sensing mode. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭은 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 스캔신호의 펄스 폭보다 크고, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭은 상기 전자 이동도 센싱 모드에서 상기 센싱신호의 펄스 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.9. The method of claim 8,
Wherein the pulse width of the scan signal in the first threshold voltage sensing mode is greater than the pulse width of the scan signal in the electron mobility sensing mode and the pulse width of the sensing signal in the first threshold voltage sensing mode is less than the electron mobility And the sensing signal is greater than the pulse width of the sensing signal in the sensing mode. 제 4 항에 있어서,
상기 시스템 온 칩은 사용자가 상기 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 상기 표시장치의 턴-오프 신호와 함께 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein the system-on-chip outputs a trigger signal to the timing controller together with a turn-off signal of the display device when the user requests turn-off of the display device. 제 11 항에 있어서,
상기 시스템 온 칩은 상기 표시장치의 턴-온 지속 시간이 제1 시간을 경과한 경우 상기 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하고, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 상기 제1 시간을 경과하지 않은 경우 상기 트리거 신호를 상기 타이밍 제어부로 출력하지 않는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.12. The method of claim 11,
The system-on-chip outputs the trigger signal to the timing controller when a turn-on duration of the display device has passed a first time, and the turn-on time of the display device is less than the first time And does not output the trigger signal to the timing controller. 제 1 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 표시장치의 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 상기 제1 문턱전압 센싱 모드 또는 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 전에 블랙 비디오 데이터를 상기 표시패널 구동부에 공급하며,
상기 표시패널 구동부는 상기 블랙 비디오 데이터를 블랙 데이터 전압으로 변환하여 상기 데이터 라인들에 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the timing controller supplies black video data to the display panel driver before driving in the first threshold voltage sensing mode or the second threshold voltage sensing mode when a turn-off signal of the display device is input,
Wherein the display panel driver converts the black video data into a black data voltage and applies the black data voltage to the data lines. 제 1 항에 있어서,
상기 표시패널 구동부는
상기 데이터 라인들에 상기 데이터 전압들을 인가하는 데이터 구동부; 및
상기 스캔 라인들에 상기 스캔 신호들을 인가하는 스캔 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
The display panel driver
A data driver for applying the data voltages to the data lines; And
And a scan driver for applying the scan signals to the scan lines. 사용자가 표시장치의 턴-오프를 요청하는 경우, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 제1 시간을 경화한 경우 트리거 신호와 턴-오프 신호를 출력하고, 상기 표시장치의 턴-온 시간이 상기 제1 시간을 경과하지 않은 경우 상기 트리거 신호를 출력하지 않고 상기 턴-오프 신호를 출력하는 단계;
상기 트리거 신호와 상기 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 표시패널의 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱전압들을 센싱하는 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계; 및
상기 트리거 신호가 입력되지 않고 상기 턴-오프 신호가 입력되는 경우, 상기 표시패널의 상기 화소들의 상기 구동 트랜지스터들의 상기 문턱전압들을 센싱하는 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계를 포함하고,
상기 제2 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간은 상기 제1 문턱전압 센싱 모드에 걸리는 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.Off time of the display device when the user requests the turn-off of the display device, and outputs a trigger signal and a turn-off signal when the turn-on time of the display device has hardened the first time, Outputting the turn-off signal without outputting the trigger signal when the first time has not elapsed;
Driving in a first threshold voltage sensing mode for sensing threshold voltages of driving transistors of pixels of the display panel when the trigger signal and the turn-off signal are input; And
Driving in a second threshold voltage sensing mode for sensing the threshold voltages of the driving transistors of the pixels of the display panel when the trigger signal is not input and the turn-off signal is input,
Wherein the time required for the second threshold voltage sensing mode is shorter than the time required for the first threshold voltage sensing mode. 제 15 항에 있어서,
상기 제1 문턱전압 센싱 모드 또는 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하기 전에 상기 화소들을 블랙으로 표시하는 단계를 더 포함하는 발광 표시장치의 구동방법.16. The method of claim 15,
And displaying the pixels in black before driving in the first threshold voltage sensing mode or the second threshold voltage sensing mode. 제 15 항에 있어서,
상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동할지 결정하기 위해 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계는,
상기 표시패널을 구동하는 표시패널 구동부를 상기 제2 문턱전압 센싱 모드로 구동하여 상기 표시패널 구동부로부터 제2 센싱 데이터를 입력받고, 기준 범위를 벗어난 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 기준 값 이상인 경우 상기 제1 문턱전압 센싱 모드로 구동하는 단계; 및
상기 기준 범위를 벗어난 상기 제2 센싱 데이터의 개수가 상기 기준 값보다 작은 경우 구동 종료 신호를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 구동방법.16. The method of claim 15,
Wherein the driving in the second threshold voltage sensing mode to determine whether to drive in the first threshold voltage sensing mode comprises:
A display panel driver for driving the display panel is driven in the second threshold voltage sensing mode to receive second sensing data from the display panel driver and when the number of the second sensing data out of the reference range is equal to or greater than a reference value, Driving in a first threshold voltage sensing mode; And
And outputting a driving end signal when the number of the second sensing data out of the reference range is smaller than the reference value.
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