KR20190047168A - 디지타이저 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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KR20190047168A
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Abstract

본 발명의 디지타이저는 제1 전극 패턴층; 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 커버층; 및 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제1 열변형 온도 보다 낮은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 중간층을 포함한다.

Description

디지타이저 및 이를 포함하는 표시 장치{DIGITIZER AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 디지타이저 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 사용자의 손에 의한 터치를 감지하기 위한 터치 패널 및 전자기 펜에 의한 터치를 감지하기 위한 디지타이저(digitizer) 중 적어도 하나를 입력 장치로 포함할 수 있다.
디지타이저는 전자기 공진(electromagnetic resonance, EMR) 방식, 감압 방식, 정전 용량 방식 등 다양한 형태로 표시 장치에 적용될 수 있다. 특히 전자기 공진 방식의 경우, 사용자의 손에 의한 터치와 무관하게, 전자기 펜과 디지타이저의 전극 패턴 사이의 전자기 공진에 의해 좌표가 인식되기 때문에, 사용자가 보다 편안하게 전자기 펜을 사용할 수 있다는 장점이 있다.
해결하고자 하는 기술적 과제는, 전극 패턴층에 의한 요철 패턴이 사용자에게 시인되지 않고, 커버층과 전극 패턴층의 박리를 방지할 수 있는 디지타이저 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 디지타이저는, 제1 전극 패턴층; 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 커버층; 및 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제1 열변형 온도 보다 낮은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 중간층을 포함한다.
상기 제1 중간층은 상기 제1 전극 패턴층을 커버하고, 상기 디지타이저는 상기 제1 중간층 및 상기 제1 커버층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 커버층; 상기 제2 커버층과 상기 제1 전극 패턴층 사이에 위치하는 제2 전극 패턴층; 및 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제2 전극 패턴층 사이에 위치하는 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제2 전극 패턴층을 커버하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 중간층; 및 상기 제2 중간층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하는 제2 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 커버층 상에 위치하는 충격 흡수층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 커버층, 상기 제1 전극 패턴층, 상기 기판, 상기 제2 전극 패턴층, 및 상기 제2 커버층의 양 측부 중 적어도 일 측부는 커브드(curved)될 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 점착층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제3 중간층; 및 상기 제2 점착층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제4 중간층을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제2 전극 패턴층에 접하고, 상기 제2 전극 패턴층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하는 제2 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 커버층, 상기 제1 전극 패턴층, 상기 기판, 상기 제2 전극 패턴층, 및 상기 제2 커버층의 양 측부 중 적어도 일 측부는 커브드될 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 전극 패턴층에 접하고, 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 중간층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 커버층; 상기 제2 커버층과 상기 제1 전극 패턴층 사이에 위치하는 제2 전극 패턴층; 및 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제2 전극 패턴층 사이에 위치하는 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제2 전극 패턴층에 접하는 제2 점착층; 및 상기 제2 점착층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 중간층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 패널; 상기 표시 패널의 상부에 위치하는 터치 패널; 상기 표시 패널의 하부에 위치하는 디지타이저를 포함하고, 상기 디지타이저는 제1 전극 패턴층; 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 커버층; 및 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제1 열변형 온도 보다 낮은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 중간층을 포함한다.
상기 제1 중간층은 상기 제1 전극 패턴층을 커버하고, 상기 디지타이저는 상기 제1 중간층 및 상기 제1 커버층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 디지타이저는 상기 제1 커버층 상에 위치하는 충격 흡수층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 디지타이저 및 이를 포함하는 표시 장치는 전극 패턴층에 의한 요철 패턴이 사용자에게 시인되지 않고, 커버층과 전극 패턴층의 박리를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 디지타이저의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 따라서 앞서 설명한 참조 부호는 다른 도면에서도 사용할 수 있다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 과장되게 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(9a)는 터치 패널(30a), 표시 패널(20a), 및 디지타이저(10a)를 포함한다.
터치 패널(30a)은 사용자의 신체(예를 들어, 손가락)가 접촉된 위치에 대한 좌표를 인식함으로써, 입력 장치로서 기능한다.
터치 패널(30a)은 감압 방식, 저항막 방식, 정전 용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식, 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 패널(30a)은 복수의 송신 전극과 복수의 수신 전극을 포함하고, 송신 전극을 통해 순차적으로 전달된 구동 전압이 수신 전극을 통해서 검출될 때, 일부 수신 전극에서 사용자 터치에 의한 정전 용량 변경에 의해 감소된 전압을 검출함으로써, 사용자의 터치 발생을 결정할 수 있다.
표시 패널(20a)은 복수의 화소를 포함하고, 각 화소의 색과 발광 휘도에 따라 영상을 표시할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(20a)은 액정층(liquid crystal layer, LC layer)을 포함하고, 전계에 의해 액정층의 배향을 변형시켜 빛의 편광에 따른 투과량을 조절함으로써 목적하는 영상을 표시할 수 있다. 또한 예를 들어, 표시 패널(20a)은 복수의 화소가 각각의 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함하고, 유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류 량을 조절함으로써 목적하는 영상을 표시할 수도 있다.
디지타이저(10a)는 전자기 공진(electromagnetic resonance, EMR) 방식, 감압 방식, 정전 용량 방식, 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 예시적인 전자기 공진 방식에 대해서는 도 3을 참조하여 후술한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지타이저(10a)는 충격 흡수층(150), 제1 커버층(101), 제1 점착층(111), 제1 중간층(141), 제1 전극 패턴층(131), 기판(120), 제2 전극 패턴층(132), 제2 중간층(142), 제2 점착층(112), 및 제2 커버층(102)을 포함한다.
기판(120)은 절연성 물질로 구성될 수 있다. 절연성 물질은 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함할 수 있다. 기판(120)은 그 상면에 제1 전극 패턴층(131)을 위치시킬 수 있으며, 그 하면에 제2 전극 패턴층(132)을 위치시킬 수 있다. 기판(120)은 제1 전극 패턴층(131)과 제2 전극 패턴층(132)의 직접적인 전기적 접촉을 방지하는 역할을 수행한다.
제1 전극 패턴층(131) 및 제2 전극 패턴층(132)은 도전성 물질로 구성될 수 있다. 도전성 물질은 구리(Cu) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판(120) 양면에 구리 재질의 도전층이 적층된 동박적층판(copper clad laminate, CCL)을 준비하고, 그 도전층이 패턴을 갖도록 식각함으로써, 기판(120), 제1 전극 패턴층(131), 및 제2 전극 패턴층(132)이 형성될 수 있다. 제1 전극 패턴층(131) 및 제2 전극 패턴층(132)의 형상과 기능에 대해서는 도 3을 참조하여 보다 상세히 후술한다.
제1 중간층(141)은 제1 전극 패턴층(131)을 커버할 수 있다. 또한 제2 중간층(142)은 제2 전극 패턴층(132)을 커버할 수 있다.
제1 중간층(141) 및 제2 중간층(142)은 각각 폴리우레탄 아크릴레이트(Polyurethane acrylate)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극 패턴층(131)이 식각되어 형성된 이후, 폴리우레탄 아크릴레이트를 슬릿 코팅(slit coating) 할 수 있다. 제2 중간층(142)도 제1 중간층(141)과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 중간층(141) 및 제2 중간층(142)은 평탄화층일 수 있다. 제1 중간층(141)은 기판(120)과 제1 전극 패턴층(131)의 단차를 평탄화할 수 있다. 따라서, 제1 중간층(141) 상부에 위치하는 층들(111, 101, 150)은 제1 전극 패턴층(131)에 대응하는 요철 패턴 없이 평탄한 형태를 가질 수 있다. 또한 제2 중간층(142)은 기판(120)과 제2 전극 패턴층(132)의 단차를 평탄화할 수 있다. 따라서, 제2 중간층(142) 상부에 위치하는 층들(112, 102)은 제2 전극 패턴층(132)에 대응하는 요철 패턴 없이 평탄한 형태를 가질 수 있다. 여기서 제2 중간층(142)의 상부란 도 2를 기준으로 제2 중간층(142)의 하부를 의미할 수 있다.
제1 점착층(111)은 제1 중간층(141)과 제1 커버층(101) 사이에 위치할 수 있다. 제1 점착층(111)은 PSA(pressure sensitive adhesive), 열경화성 점착제(thermosetting adhesive) 등일 수 있다. 제1 점착층(111)은 제1 중간층(141)과 제1 커버층(101)을 점착시켜 고정할 수 있다.
제2 점착층(112)은 제2 중간층(142)과 제2 커버층(102) 사이에 위치할 수 있다. 제2 점착층(112)은 PSA, 열경화성 점착제 등일 수 있다. 제2 점착층(112)은 제2 중간층(142)과 제2 커버층(102)을 점착시켜 고정할 수 있다.
제1 커버층(101) 및 제2 커버층(102)은 절연성 물질로 구성될 수 있다. 절연성 물질은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 제1 커버층(101) 및 제2 커버층(102)은 그 사이에 위치한 디지타이저(10a)의 회로 소자(131, 132, 120)를 보호하는 역할을 수행한다.
충격 흡수층(150)은 제1 커버층(101) 상에 위치할 수 있다. 충격 흡수층(150)은 표시 패널(20a)과 제1 전극 패턴층(131)의 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 충격 흡수층(150)은 엠보층(embo layer)과 쿠션층(cushion layer)의 적층 구조로 구성될 수 있다. 엠보층은 라미네이션 공정에서 기포를 방지하기 위한 층이고, 쿠션층은 충격 흡수를 위한 층일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 중간층(141)이 제1 전극 패턴층(131)과 기판(120)의 단차를 평탄화시키고, 제2 중간층(142)이 제2 전극 패턴층(132)과 기판(120)의 단차를 평탄화시킨다. 따라서, 충격 흡수층(150)이 요철 패턴 없이 평탄한 형태를 가지게 됨으로써, 제1 전극 패턴층(131) 및 제2 전극 패턴층(132)이 사용자에게 간접적으로 시인되는 것을 방지할 수 있다.
실시예에 따라, 제1 커버층(101) 및 제2 커버층(102)은 각각 제1 열변형 온도 이상에서 열변형될 수 있다.
실시예에 따라, 제1 중간층(141) 및 제2 중간층(142) 각각은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형될 수 있다. 제2 열변형 온도는 제1 열변형 온도보다 낮을 수 있다.
도 3은 디지타이저의 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판(120)의 상부에 제1 전극 패턴층(131)이 위치하고, 기판(120)의 하부에 제2 전극 패턴층(132)이 위치한다. 이는 예시적인 구조로서, 브릿지 구조(bridge structre) 등과 같이 제1 전극 패턴층(131)과 제2 전극 패턴층(132)이 직접적으로 연결되지 않는 다양한 다른 구조가 채용될 수도 있다.
도 3에서는 디지타이저(10a)가 전자기 공진 방식인 것으로 가정하고 설명한다. 제1 전극 패턴층(131)은 루프(loop) 형태이고 제1 방향으로 연장되는 복수의 전극을 포함할 수 있다. 제2 전극 패턴층(132)은 루프 형태이고 제2 방향으로 연장되는 복수의 전극을 포함할 수 있다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직하는 방향일 수 있다.
실시예에 따라, 전자기 펜(8)은 커패시터(81)와 코일(82)을 갖는 공진 회로를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자기 펜(8)으로부터 방출된 자기장 또는 전자기장은 제1 전극 패턴층(131) 및 제2 전극 패턴층(132)에 의해 흡수될 수 있다. 이에 따라, 전자기 펜(8)이 디지타이저(10a)의 어느 지점(좌표)에 근접하여 있는 지를 확인할 수 있다.
또한 예를 들어, 제1 전극 패턴층(131) 및 제2 전극 패턴층(132)은 입력 전류에 따라 자기장 또는 전자기장을 발생시킬 수 있으며, 발생된 자기장 또는 전자기장은 전자기 펜(8)으로 흡수될 수 있다.
이렇게 전자기 펜(8)과 디지타이저(10a)는 상호 통신함으로써 다양한 입력 기능을 수행할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(9b)는 터치 패널(30b), 표시 패널(20b), 및 디지타이저(10b)를 포함한다.
도 4의 표시 장치(9b)는 도 1의 표시 장치(9a)와 달리 양 측부가 커브드(curved)되어 있다. 이때, 터치 패널(30b), 표시 패널(20b), 및 디지타이저(10b)는 양 측부가 커브드될 수 있다. 실시예에 따라, 표시 장치(9b)가 사각형인 경우, 양 측부는 서로 반대편의 측부를 의미할 수 있다.
도시되지 않은 다른 실시예에서 표시 장치는 하나의 측부만 커브드되고 다른 측부는 평탄할 수 있다. 이때, 터치 패널, 표시 패널, 및 디지타이저는 하나의 측부만 커브드되고 다른 측부는 평탄할 수 있다.
터치 패널(30b), 표시 패널(20b), 및 디지타이저(10b) 각각에 대한 설명은 도 1의 터치 패널(30a), 표시 패널(20a), 및 디지타이저(10a)에 대한 설명과 대응하므로, 중복된 설명을 생략한다.
도 4에서 디지타이저(10b)에 대한 도면 부호가 도시되어 있지만, 도 4의 구조는 도 5 내지 8의 디지타이저(10b, 10c, 10d, 10e) 각각에 모두 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면 본 발명의 제2 실시예에 따른 디지타이저(10b)는 제1 커버층(201), 제1 점착층(211), 제1 중간층(241), 제1 전극 패턴층(231), 기판(220), 제2 전극 패턴층(232), 제2 중간층(242), 제2 점착층(212), 및 제2 커버층(202)을 포함한다.
각 층(201, 211, 241, 231, 220, 232, 242, 212, 202)에 대한 설명은 도 2의 각 층(101, 111, 141, 131, 120, 132, 142, 112, 102)과 대응하므로, 중복된 설명은 생략한다. 이하에선 도 2와 차이점 있는 구성에 대해서 설명한다.
디지타이저(10b)는 적어도 하나의 측부가 커브드된 형태이므로, 각 층(201, 211, 241, 231, 220, 232, 242, 212, 202)도 이에 따라 적어도 하나의 측부가 커브드된 형태를 갖는다.
제1 커버층(201) 및 제2 커버층(202)은 각각 제1 열변형 온도 이상에서 열변형될 수 있다. 예를 들어, 제1 커버층(201) 및 제2 커버층(202)이 폴리이미드인 경우, 제1 열변형 온도는 대략 섭씨 400도일 수 있다. 이때, 섭씨 400도 이하에서 디지타이저(10b)에 대한 제조 공정이 수행되는 경우 제1 커버층(201) 및 제2 커버층(202)은 제조 공정 이후에도 원래 형상으로 돌아가려는 탄성을 유지하게 된다. 이러한 탄성은 곡면형 측부를 포함하는 디지타이저에 있어서, 디지타이저 회로부(231, 220, 232)와 커버층(201, 202)의 박리 원인이 될 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 실시예에서 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242) 각각은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형될 수 있다. 즉, 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242) 각각은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되어, 이후 온도가 낮아지더라도 그 열변형된 형상을 유지할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242) 각각은 폴리우레탄 아크릴레이트인 경우 제2 열변형 온도는 대략 섭씨 90도일 수 있다.
예를 들어, 섭씨 90도 이상이라면, 섭씨 400도 이하에서 디지타이저(10b)에 대한 제조 공정이 수행되더라도, 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242)은 제1 커버층(201) 및 제2 커버층(202)의 탄성력에 대항하여 디지타이저(10b)의 곡면형 측부의 형상을 유지시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예에서 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242)은 구조 유지층으로서 기능하며, 커버층(201, 202)과 회로부(231, 220, 232)의 박리를 방지할 수 있다.
또한 도 5에서 도시되진 않았지만, 실시예에 따라, 제1 커버층(201) 상부에 충격 흡수층이 위치할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제1 중간층(241) 및 제2 중간층(242)은 구조 유지층으로서뿐만 아니라, 도 2를 참조하여 설명한 평탄화층으로서 기능할 수도 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 디지타이저(10c)는 제1 커버층(301), 제1 중간층(341), 제1 점착층(311), 제1 전극 패턴층(331), 기판(320), 제2 전극 패턴층(332), 제2 점착층(312), 제2 중간층(342), 및 제2 커버층(302)을 포함한다.
각 층(301, 341, 311, 331, 320, 332, 312, 342, 302)에 대한 설명은 도 5의 각 층(201, 241, 211, 231, 220, 232, 212, 242, 202)과 대응하므로, 중복된 설명은 생략한다.
도 6의 디지타이저(10c)는 도 5의 디지타이저(10b)와 달리, 제1 전극 패턴층(331) 상부에 제1 점착층(311)이 위치하고, 제1 점착층(311)과 제1 커버층(301) 사이에 제1 중간층(341)이 위치한다. 또한, 제2 전극 패턴층(332) 상부에 제2 점착층(312)이 위치하고, 제2 점착층(312)과 제2 커버층(302) 사이에 제2 중간층(342)이 위치한다. 이때, 도 6을 기준으로 제2 전극 패턴층(332) 하부에 제2 점착층(312)이 위치하는 것으로 표현될 수 있다.
도 5를 참조한 설명과 유사하게, 본 실시예에서 제1 중간층(341) 및 제2 중간층(342)은 구조 유지층 및 평탄화층의 기능을 수행할 수 있다. 다만 본 실시예를 도 5의 실시예와 비교했을 때, 각 중간층(341, 342)이 대응하는 커버층(301, 302)에 더 근접하여 위치하므로, 도 5의 실시예보다 구조 유지층의 기능을 더 발휘할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 디지타이저(10d)는 제1 커버층(401), 제3 중간층(451), 제1 점착층(411), 제1 중간층(441), 제1 전극 패턴층(431), 기판(420), 제2 전극 패턴층(432), 제2 중간층(442), 제2 점착층(412), 제4 중간층(452), 및 제2 커버층(302)을 포함한다.
각 층(401, 411, 441, 431, 420, 432, 442, 412, 402)에 대한 설명은 도 5의 각 층(201, 211, 241, 231, 220, 232, 242, 212, 202)과 대응하므로, 중복된 설명은 생략한다.
도 7의 디지타이저(10d)는 도 5의 디지타이저(10b)와 달리, 제3 중간층(451) 및 제4 중간층(452)을 더 포함한다. 제3 중간층(451)은 제1 점착층(411)과 제1 커버층(401) 사이에 위치할 수 있다. 제4 중간층(452)은 제2 점착층(412)과 제2 커버층(402) 사이에 위치할 수 있다. 제3 중간층(451) 및 제4 중간층(452)은 제1 중간층(441) 및 제2 중간층(442)과 유사하게 구성될 수 있으므로 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에서 각 중간층(441, 442, 451, 452)이 모두 평탄화층과 구조 유지층으로서 기능할 수 있다. 다만, 본 실시예에 따르면 제1 전극 패턴층(431) 및 제2 전극 패턴층(432)과 각각 접하는 제1 중간층(441) 및 제2 중간층(442)은 평탄화층으로서의 기능을 중점적으로 발휘할 수 있다. 또한, 제1 커버층(401) 및 제2 커버층(402)에 각각 접하는 제3 중간층(451) 및 제4 중간층(452)은 구조 유지층으로서의 기능을 더 발휘할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 디지타이저를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 디지타이저(10e)는 제1 커버층(501), 제1 점착층(511), 제1 중간층(541), 제1 전극 패턴층(531), 기판(520), 제2 전극 패턴층(532), 제2 점착층(512), 및 제2 커버층(502)을 포함한다.
각 층(501, 511, 541, 531, 520, 532, 512, 502)에 대한 설명은 도 5의 각 층(201, 211, 241, 231, 220, 232, 212, 202)과 대응하므로, 중복된 설명은 생략한다.
도 8의 디지타이저(10e)는 도 5의 디지타이저(10b)와 달리 제2 중간층이 생략된 형태이다. 즉, 디지타이저(10e)에서는 제2 전극 패턴층(532)과 제2 커버층(502) 사이에 제2 중간층이 존재하지 않는다.
표시 패널(20b)이 제1 커버층(501) 상부에 있는 것으로 가정할 때, 충격 흡수층이 표시 패널(20b)과 제1 커버층(501) 사이에 위치할 수 있다. 따라서, 제2 중간층 보다는 제1 중간층(541)이 충격 흡수층의 요철 패턴을 보다 더 평탄화시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 디지타이저(10e)는 평탄화 기능과 구조 유지 기능을 발휘하면서도 그 두께가 저감될 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
9a, 9b: 표시 장치
10a, 10b, 10c, 10d, 10e: 디지타이저
20a, 20b: 표시 패널
30a, 30b: 터치 패널

Claims (15)

  1. 제1 전극 패턴층;
    제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 커버층; 및
    상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제1 열변형 온도 보다 낮은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 중간층을 포함하는
    디지타이저.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 중간층은 상기 제1 전극 패턴층을 커버하고,
    상기 제1 중간층 및 상기 제1 커버층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함하는
    디지타이저.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 커버층;
    상기 제2 커버층과 상기 제1 전극 패턴층 사이에 위치하는 제2 전극 패턴층; 및
    상기 제1 전극 패턴층과 상기 제2 전극 패턴층 사이에 위치하는 기판을 더 포함하는
    디지타이저.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴층을 커버하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 중간층; 및
    상기 제2 중간층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하는 제2 점착층을 더 포함하는
    디지타이저.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 커버층 상에 위치하는 충격 흡수층을 더 포함하는
    디지타이저.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 커버층, 상기 제1 전극 패턴층, 상기 기판, 상기 제2 전극 패턴층, 및 상기 제2 커버층의 양 측부 중 적어도 일 측부는 커브드된(curved),
    디지타이저.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 점착층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제3 중간층; 및
    상기 제2 점착층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제4 중간층을 더 포함하는
    디지타이저.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴층에 접하고, 상기 제2 전극 패턴층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하는 제2 점착층을 더 포함하는
    디지타이저.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 커버층, 상기 제1 전극 패턴층, 상기 기판, 상기 제2 전극 패턴층, 및 상기 제2 커버층의 양 측부 중 적어도 일 측부는 커브드된,
    디지타이저.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극 패턴층에 접하고, 상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 중간층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함하는
    디지타이저.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 커버층;
    상기 제2 커버층과 상기 제1 전극 패턴층 사이에 위치하는 제2 전극 패턴층; 및
    상기 제1 전극 패턴층과 상기 제2 전극 패턴층 사이에 위치하는 기판을 더 포함하는
    디지타이저.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 전극 패턴층에 접하는 제2 점착층; 및
    상기 제2 점착층과 상기 제2 커버층 사이에 위치하고, 상기 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제2 중간층을 더 포함하는
    디지타이저.
  13. 표시 패널;
    상기 표시 패널의 상부에 위치하는 터치 패널;
    상기 표시 패널의 하부에 위치하는 디지타이저를 포함하고,
    상기 디지타이저는
    제1 전극 패턴층;
    제1 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 커버층; 및
    상기 제1 전극 패턴층과 상기 제1 커버층 사이에 위치하고, 상기 제1 열변형 온도보다 낮은 제2 열변형 온도 이상에서 열변형되는 제1 중간층을 포함하는
    표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 중간층은 상기 제1 전극 패턴층을 커버하고,
    상기 디지타이저는
    상기 제1 중간층 및 상기 제1 커버층 사이에 위치하는 제1 점착층을 더 포함하는
    표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 디지타이저는
    상기 제1 커버층 상에 위치하는 충격 흡수층을 더 포함하는
    표시 장치.
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