KR20190046609A - Laser Processing Apparatus - Google Patents

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스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a laser processing apparatus which performs processing with two laser beams, and can measure the strength of reflected light from each of the two laser beams. A diverging and converging optical system diverges the laser beams incident along an incidence path into a first processing path and a second processing path according to a polarizing direction. A first reflective light and a second reflective light individually incident to the diverging and converging optical system along the first processing path and second processing path are joined to a measurement path other than the incidence path. The first reflective light and second reflective light joined to the measurement route are diverged to another path by a diverging element. A first light detector measures the intensity of the first reflective light which was diverged from the diverging element, and a second light detector measures the intensity of the second reflective light which was diverged from the diverging element.

Description

레이저가공장치{Laser Processing Apparatus}[0001] The present invention relates to a laser processing apparatus,

본 출원은 2017년 10월 26일에 출원된 일본 특허출원 제2017-206874호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-206874, filed on October 26, The entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은 레이저가공장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus.

프린트배선기판에 대한 천공 등을 행하는 레이저가공장치에 있어서, 가공대상물로부터의 반사광을 검출하여 가공상태를 판정하는 기술이 공지이다. 예를 들면, 레이저발진기로부터 출사되고 가공대상물인 다층기판에서 반사된 반사광의 반사광강도로부터, 레이저광을 제어하는 레이저가공장치가 공지이다(특허문헌 1).[0002] In a laser processing apparatus that performs perforation or the like on a printed wiring board, a technique for detecting reflected light from an object to be processed and determining a processing state is known. For example, there is known a laser processing apparatus for controlling laser light based on reflected light intensity of reflected light emitted from a laser oscillator and reflected by a multilayer substrate which is an object to be processed (Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2000-126880호Patent Document 1: JP-A-2000-126880

레이저가공효율을 높이기 위하여, 레이저발진기로부터 출력된 레이저빔을 2분기시키고, 2개의 레이저빔으로 레이저가공(2축가공)을 행하는 레이저가공장치가 이용되고 있다. 2축가공을 행하는 경우에, 가공상태를 판정하기 위하여, 2개의 레이저빔마다 반사광을 측정해야 한다.In order to increase the laser machining efficiency, a laser machining apparatus for performing laser machining (two-axis machining) with two laser beams output from a laser oscillator is used. In the case of performing biaxial machining, the reflected light must be measured for each of the two laser beams in order to determine the machining state.

본 발명의 목적은, 2개의 레이저빔으로 가공을 행하고, 2개의 레이저빔마다 반사광의 강도를 측정하는 것이 가능한 레이저가공장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a laser machining apparatus capable of machining with two laser beams and measuring the intensity of reflected light for each of the two laser beams.

본 발명의 일 관점에 의하면,According to one aspect of the present invention,

레이저빔의 분기 및 합류를 행하는 분기합류광학계로서, 상기 분기합류광학계에 대한 입사경로를 따라 상기 분기합류광학계에 입사하는 레이저빔을 편광방향에 따라 제1 가공경로 및 제2 가공경로로 분기시키고, 상기 제1 가공경로 및 상기 제2 가공경로를 따라 상기 분기합류광학계에 각각 입사하는 제1 반사광 및 제2 반사광을, 상기 입사경로와는 다른 측정경로에 합류시키는 상기 분기합류광학계와,A branching and splitting optical system for splitting and joining a laser beam, comprising: a splitting means for splitting a laser beam incident on the branching and splitting optical system along an incident path to the branching and splitting optical system into a first processing path and a second processing path according to a polarization direction, The branch merging optical system for merging the first reflected light and the second reflected light respectively incident on the branch merging optical system along the first processing path and the second processing path into a measurement path different from the incident path,

상기 측정경로에 합류된 상기 제1 반사광 및 상기 제2 반사광을 다른 경로로 분기시키는 분기소자와,A branching element for branching the first reflected light and the second reflected light joined to the measurement path to different paths;

상기 분기소자에서 분기된 상기 제1 반사광의 강도를 측정하는 제1 광검출기와, A first photodetector for measuring the intensity of the first reflected light branched by the branching element,

상기 분기소자에서 분기된 상기 제2 반사광의 강도를 측정하는 제2 광검출기를 갖는 레이저가공장치가 제공된다.And a second photodetector for measuring the intensity of the second reflected light branched from the branching element.

제1 가공경로와 제2 가공경로의 2개의 레이저빔으로 가공을 행할 수 있다. 2개의 레이저빔마다 반사광의 강도를 측정하는 것이 가능하다.Processing can be performed with the two laser beams of the first processing path and the second processing path. It is possible to measure the intensity of the reflected light for each of the two laser beams.

도 1은 실시예에 의한 레이저가공장치의 개략도이다.
도 2에 있어서, 도 2의 (a), 도 2의 (b), 및 도 2의 (c)는, 각각 가공 전, 가공 도중, 및 가공 후의 가공대상물의, 1개의 피가공점의 단면도이다.
도 3에 있어서, 도 3의 (a)는 가공대상물(50)의 일부의 개략 평면도이며, 도 3의 (b)는 가공대상물에 대한 펄스레이저빔의 입사, 및 제1 빔주사기, 제2 빔주사기(도 1)의 구동기간을 나타내는 타이밍차트이다.
도 4는 실시예에 의한 레이저가공장치를 이용하여 천공가공을 행하는 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 5는 다른 실시예에 의한 레이저가공장치에 있어서의 가공대상물에 대한 펄스레이저빔의 입사, 및 제1 빔주사기, 제2 빔주사기의 구동기간을 나타내는 타이밍차트이다.
도 6은 다른 실시예에 의한 레이저가공장치를 이용하여 천공가공을 행하는 순서를 나타내는 플로차트이다.1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to an embodiment.
2 (a), 2 (b) and 2 (c) are sectional views of one object to be processed before, during, and after processing, respectively .
3 (a) is a schematic plan view of a part of the object to be processed 50, and Fig. 3 (b) is a plan view showing a state in which a pulse laser beam is incident on an object to be processed, And a driving period of the syringe (Fig. 1).
4 is a flow chart showing a procedure of performing drilling using the laser processing apparatus according to the embodiment.
Fig. 5 is a timing chart showing the incidence of the pulsed laser beam on the object to be processed in the laser machining apparatus according to another embodiment, and the drive periods of the first beam syringe and the second beam syringe.
6 is a flow chart showing a procedure for performing drilling using a laser machining apparatus according to another embodiment.

도 1~도 4를 참조하여, 실시예에 의한 레이저가공장치에 대하여 설명한다.A laser processing apparatus according to an embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

도 1은 실시예에 의한 레이저가공장치의 개략도이다. 레이저광원(10)이 가공용 펄스레이저빔을 출력한다. 레이저광원(10)에는, 예를 들면 탄산가스레이저가 이용된다.1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to an embodiment. The laser light source 10 outputs the working pulse laser beam. For the laser light source 10, for example, a carbon dioxide gas laser is used.

레이저광원(10)으로부터 출력된 펄스레이저빔이 입사경로(Pi)를 따라 분기합류광학계(11)에 입사한다. 분기합류광학계(11)는, 입사경로(Pi)를 따라 입사하는 레이저빔을, 편광방향에 따라, 가공대상물(50)을 향하는 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)로 분기시킨다. 또한, 가공대상물(50)에서 반사되고, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)를 각각 반대방향으로 진행하는 제1 반사광 및 제2 반사광을, 입사경로(Pi)와는 다른 측정경로(Pm)에 합류시킨다.The pulse laser beam output from the laser light source 10 is incident on the branching and joining optical system 11 along the incident path Pi. The branching and joining optical system 11 branches the laser beam incident along the incident path Pi to the first processing path P1 and the second processing path P2 toward the object 50 in accordance with the polarization direction . The first reflected light and the second reflected light which are reflected by the object 50 and travel in the opposite directions to the first processing path P1 and the second processing path P2 respectively are measured for different from the incident path Pi And join the path Pm.

분기합류광학계(11)는, 예를 들면 제1 편광빔스플리터(12), 제1 편광광학소자(13A), 및 제2 편광광학소자(13B)를 포함한다. 제1 편광빔스플리터(12)는, 입사경로(Pi)를 따라 입사하는 레이저빔의 P편광성분을 투과시키고, S편광성분을 반사한다. P편광성분과 S편광성분의 파워가 동일해지도록, 입사하는 레이저빔의 편광방향이 조정되어 있다. 제1 편광빔스플리터(12)를 투과한 P편광성분이 제1 가공경로(P1)를 따라 전반하고, 제1 편광빔스플리터(12)에서 반사된 S편광성분이 제2 가공경로(P2)를 따라 전반한다.The branch merging optical system 11 includes, for example, a first polarizing beam splitter 12, a first polarizing optical element 13A, and a second polarizing optical element 13B. The first polarization beam splitter 12 transmits the P polarized light component of the laser beam incident along the incident path Pi and reflects the S polarized light component. The polarization direction of the incident laser beam is adjusted such that the powers of the P-polarized light component and the S-polarized light component become the same. The P polarization component transmitted through the first polarization beam splitter 12 propagates along the first processing path P1 and the S polarization component reflected by the first polarization beam splitter 12 propagates through the second processing path P2 According to.

제1 편광광학소자(13A)는, 제1 가공경로(P1)에 배치되어 있다. 제1 가공경로(P1)를 왕로와 귀로로 2회 통과하는 레이저빔은, 그 편광방향을 90° 회전시킨다. 이로써, 제1 가공경로(P1)를 되돌아오는 제1 반사광은, 제1 편광빔스플리터(12)에서 반사된다. 제2 편광광학소자(13B)는, 제2 가공경로(P2)에 배치되어 있다. 제2 가공경로(P2)를 왕로와 귀로로 2회 통과하는 레이저빔은, 그 편광방향을 90° 회전시킨다. 이로써, 제2 가공경로(P2)를 되돌아오는 제2 반사광은, 제1 편광빔스플리터(12)를 투과한다. 제1 편광광학소자(13A) 및 제2 편광광학소자(13B)에는, 예를 들면 1/4 파장판을 이용할 수 있다.The first polarizing optical element 13A is disposed in the first processing path P1. The laser beam that passes through the first processing path P1 twice through the forward path and the return path rotates its polarization direction by 90 degrees. Thus, the first reflected light returning from the first processing path (P1) is reflected by the first polarized beam splitter (12). The second polarizing optical element 13B is disposed in the second processing path P2. The laser beam that passes through the second processing path P2 twice through the forward path and the return path rotates its polarization direction by 90 degrees. Thus, the second reflected light returning to the second processing path P2 is transmitted through the first polarized beam splitter 12. As the first polarizing optical element 13A and the second polarizing optical element 13B, for example, a 1/4 wavelength plate can be used.

분기합류광학계(11)와 가공대상물(50)의 사이의 제1 가공경로(P1)에, 제1 빔주사기(20A) 및 제1 집광렌즈(22A)가 배치되어 있다. 마찬가지로, 제2 가공경로(P2)에, 제2 빔주사기(20B) 및 제2 집광렌즈(22B)가 배치되어 있다. 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)의 옆에, 각각 제1 빔댐퍼(21A) 및 제2 빔댐퍼(21B)가 배치되어 있다.The first beam syringe 20A and the first condenser lens 22A are disposed in the first processing path P1 between the branch merging optical system 11 and the object 50. [ Similarly, in the second processing path P2, the second beam syringe 20B and the second condenser lens 22B are arranged. A first beam damper 21A and a second beam damper 21B are disposed next to the first processing path P1 and the second processing path P2, respectively.

가공대상물(50)이 스테이지(45)에 유지되어 있다. 스테이지(45)는, 가공대상물(50)을, 그 표면(피가공면)에 평행한 이차원방향(x방향과 y방향)으로 이동시키는 기능을 갖는다. 가공대상물(50)은, 예를 들면 프린트기판이며, 레이저빔에 의하여 천공가공이 행해진다.The object to be processed 50 is held on the stage 45. The stage 45 has a function of moving the object 50 in a two-dimensional direction (x direction and y direction) parallel to the surface (work surface) thereof. The object to be processed 50 is, for example, a printed substrate, and is subjected to drilling by a laser beam.

제1 빔주사기(20A)는, 레이저빔을 이차원방향으로 주사한다. 제1 빔주사기(20A)로서, 예를 들면 한 쌍의 가동미러를 갖는 갈바노스캐너를 이용할 수 있다. 주사된 레이저빔이 제1 집광렌즈(22A)에 의하여 가공대상물(50)의 피가공면에 집광된다. 제1 집광렌즈(22A)로서, 예를 들면 fθ렌즈가 이용된다. 제1 빔주사기(20A)는, 제1 빔댐퍼(21A)를 향하여 레이저빔을 편향시키는 기능을 갖는다. 레이저빔이 제1 빔댐퍼(21A)를 향하여 편향되어 있는 상태일 때, 레이저빔은 가공대상물(50)에 입사하지 않는다.The first beam syringe 20A scans the laser beam in two dimensions. As the first beam syringe 20A, for example, a galvano scanner having a pair of movable mirrors can be used. And the scanned laser beam is condensed on the surface to be processed of the object 50 by the first condenser lens 22A. As the first condenser lens 22A, for example, an f? Lens is used. The first beam syringe 20A has a function of deflecting the laser beam toward the first beam damper 21A. When the laser beam is deflected toward the first beam damper 21A, the laser beam is not incident on the object 50 to be processed.

제2 가공경로(P2)에 배치된 제2 빔주사기(20B), 제2 집광렌즈(22B), 및 제2 가공경로(P2)의 옆에 배치된 제2 빔댐퍼(21B)는, 각각 제1 빔주사기(20A), 제1 집광렌즈(22A), 및 제1 빔댐퍼(21A)와 동일한 기능을 갖는다.The second beam syringe 20B and the second condenser lens 22B disposed in the second processing path P2 and the second beam damper 21B disposed in the side of the second processing path P2, The first beam condenser lens 22A, and the first beam damper 21A.

제1 가공경로(P1)를 반대방향으로 전반하여 제1 편광빔스플리터(12)에서 반사된 제1 반사광, 및 제2 가공경로(P2)를 반대방향으로 전반하여 제1 편광빔스플리터(12)를 투과한 제2 반사광은, 측정경로(Pm)에 합류한다. 측정경로(Pm)에 합류한 제1 반사광 및 제2 반사광이, 제2 편광빔스플리터(30)에 입사한다. 제2 편광빔스플리터(30)는, 제1 반사광과 제2 반사광을 다른 경로로 분기시키는 분기소자로서의 기능을 갖는다. 제2 편광빔스플리터(30)에서 분기된 후의 2개의 경로에, 각각 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)가 배치되어 있다. 제1 반사광 및 제2 반사광이, 각각 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)에 입사한다.The first reflected light reflected by the first polarized beam splitter 12 and the second processed path P2 are propagated in the opposite direction to the first polarized beam splitter 12 by propagating the first processing path P1 in the opposite direction, Passes through the measurement path Pm. The first reflected light and the second reflected light joined to the measurement path Pm enter the second polarization beam splitter 30. The second polarization beam splitter 30 has a function as a branching element for branching the first reflected light and the second reflected light to different paths. The first optical detector 31A and the second optical detector 31B are disposed in two paths after branched by the second polarization beam splitter 30, respectively. The first reflected light and the second reflected light are incident on the first photodetector 31A and the second photodetector 31B, respectively.

제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)는, 각각 제1 반사광 및 제2 반사광의 강도를 측정한다. 측정결과가 제어장치(40)에 입력된다.The first photodetector 31A and the second photodetector 31B measure the intensities of the first reflected light and the second reflected light, respectively. The result of the measurement is inputted to the control device 40.

제어장치(40)는, 레이저광원(10)으로부터 출력되는 펄스레이저빔의 출력타이밍 및 출력파워를 제어한다. 또한, 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)를 제어함으로써, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)를 전반하는 레이저빔을 주사한다. 또한, 스테이지(45)를 제어함으로써, 가공대상물(50)을 목표로 하는 위치로 이동시킨다.The control device 40 controls the output timing and the output power of the pulsed laser beam output from the laser light source 10. Further, by controlling the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B, a laser beam for carrying the first processing path P1 and the second processing path P2 is scanned. Further, by controlling the stage 45, the object 50 is moved to the target position.

기억장치(41)에, 가공에 필요한 정보, 예를 들면 가공대상물(50) 상의 복수의 피가공점의 위치정보, 가공순서를 지령하는 정보, 레이저조사조건 등이 기억되어 있다. 레이저조사조건에는, 펄스폭, 출력파워, 피가공점의 각각에 입사시키는 쇼트수 등이 포함된다. 제어장치(40)는, 레이저가공 중에 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)로 측정된 반사광의 강도의 검출결과를, 피가공점의 각각에 대응하여 기억장치(41)에 기억시키는 기능을 갖는다.Information necessary for machining, for example, position information of a plurality of machining points on the object 50, information for instructing the machining order, laser irradiation conditions, and the like are stored in the storage device 41. [ The laser irradiation conditions include the pulse width, the output power, the number of shots to be incident on each of the processing points, and the like. The control device 40 outputs the detection result of the intensity of the reflected light measured by the first photodetector 31A and the second photodetector 31B during the laser processing to the storage device 41 corresponding to each of the processing points And has a function of storing.

제어장치(40)는, 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)에 의하여 각각 검출된 피가공점마다의 반사광의 강도에 따라, 피가공점마다 레이저빔의 조사조건을 결정하는 기능을 갖는다. 제1 가공경로(P1)를 전반하여 가공대상물(50)에 입사하는 레이저빔의 조사조건과, 제2 가공경로(P2)를 전반하여 가공대상물(50)에 입사하는 레이저빔의 조사조건은, 따로따로 조정하는 것이 가능하다.The control device 40 determines the irradiation conditions of the laser beam for each of the processing points according to the intensity of the reflected light for each of the processing points detected by the first photodetector 31A and the second photodetector 31B Function. The irradiation condition of the laser beam incident on the object 50 in front of the first processing path P1 and the irradiation condition of the laser beam incident on the object 50 in front of the second processing path P2, It is possible to adjust separately.

다음으로, 도 2의 (a)~도 2의 (c)를 참조하여, 가공대상물(50)의 가공 전의 구조, 가공 도중 단계의 구조, 및 가공 후의 구조에 대하여 설명한다.Next, with reference to Figs. 2 (a) to 2 (c), the structure before machining of the object 50, the structure during the machining, and the structure after machining will be described.

도 2의 (a)는, 가공 전의 가공대상물(50)의, 1개의 피가공점의 근방부분의 단면도이다. 유리 에폭시 등의 유전체기판(51)의 내층에, 내층도체막(52)이 배치되어 있다. 유전체기판(51)의 피가공면에 표면도체막(53)이 배치되고, 이면에 이면도체막(54)이 배치되어 있다.2 (a) is a cross-sectional view of the vicinity of one processing point of the object to be processed 50 before processing. An inner conductor film 52 is disposed on the inner layer of the dielectric substrate 51 such as glass epoxy. A surface conductor film 53 is disposed on the surface to be processed of the dielectric substrate 51 and a back conductor film 54 is disposed on the back surface.

도 2의 (b)는 가공용 펄스레이저빔을 1쇼트 입사시킨 후의, 가공대상물(50)의 부분단면도이다. 펄스레이저빔의 1쇼트의 입사에 의하여, 표면도체막(53)을 관통하는 오목부(55)가 형성된다. 표면도체막(53)의 아래의 유전체기판(51)의 일부도 레이저조사에 의하여 제거되고, 오목부(55)는 내층도체막(52)의 상면보다 약간 얕은 위치까지 도달한다.2 (b) is a partial cross-sectional view of the object to be processed 50 after one shot of the pulse laser beam for processing is incident. By the incidence of one shot of the pulsed laser beam, a concave portion 55 penetrating the surface conductor film 53 is formed. A part of the dielectric substrate 51 under the surface conductor film 53 is also removed by laser irradiation and the recess 55 reaches a position slightly shallower than the upper surface of the inner conductor film 52.

도 2의 (c)는 가공 후의 가공대상물(50)의 부분단면도이다. 도 2의 (b)에 나타낸 가공시부터 펄스에너지밀도가 작은 펄스레이저빔을 1쇼트 또는 복수쇼트 입사시킨다. 이로써, 오목부(55)가 내층도체막(52)의 상면까지 도달하고, 내층도체막(52)이 노출된다.2 (c) is a partial cross-sectional view of the object to be processed 50 after processing. 2 (b), a pulse laser beam having a small pulse energy density is incident on one shot or a plurality of shots. Thereby, the concave portion 55 reaches the upper surface of the inner conductor film 52, and the inner conductor film 52 is exposed.

도 2의 (b)에 나타낸 가공시의 펄스에너지밀도의 편차, 유전체기판(51) 내의 유리섬유의 밀도의 편차, 표면도체막(53)의 두께의 편차 등에 따라, 1쇼트로 형성되는 오목부(55)의 깊이에도 편차가 발생한다. 오목부(55)가 내층도체막(52)에 도달하고, 내층도체막(52)의 일부분이 노출되는 경우도 있다. 내층도체막(52)이 노출되면, 반사광의 강도가 커진다. 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)(도 1)로, 각각 제1 반사광의 강도 및 제2 반사광의 강도를 측정함으로써, 도 2의 (b)에 나타낸 1쇼트로 가공된 오목부(55)의 깊이, 크기 등의 가공상황에 관한 정보를 얻을 수 있다.The deviation of the density of the glass fibers in the dielectric substrate 51 and the variation in the thickness of the surface conductor film 53, etc., as shown in Fig. 2 (b) A deviation also occurs in the depth of the recess 55. The concave portion 55 may reach the inner conductor film 52 and a portion of the inner conductor film 52 may be exposed. When the inner conductor film 52 is exposed, the intensity of the reflected light becomes large. The intensity of the first reflected light and the intensity of the second reflected light are respectively measured by the first photodetector 31A and the second photodetector 31B (FIG. 1) Information on the processing conditions such as the depth and the size of the concave portion 55 can be obtained.

1쇼트째의 가공으로 이미 내층도체막(52)이 노출되어 있는 상태일 때에, 규정된 조사조건으로 2쇼트째 이후의 가공을 행하면, 내층도체막(52)이 받는 데미지가 커진다. 이 경우에는, 2쇼트째 이후의 펄스레이저빔의 펄스에너지밀도를 저하시키거나, 쇼트수를 감소시키는 것이 바람직하다.When the inner conductor film 52 is exposed in the process of the first shot, if the processing after the second shot is performed under the prescribed irradiation conditions, the damage to the inner conductor film 52 becomes large. In this case, it is preferable to lower the pulse energy density of the pulsed laser beam of the second shot or later, or reduce the number of shot pulses.

다음으로, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)를 참조하여, 펄스레이저빔의 입사와, 입사위치의 이동순서에 대하여 설명한다.Next, with reference to Fig. 3 (a) and Fig. 3 (b), a description will be given of the incidence of the pulsed laser beam and the movement of the incidence position.

도 3의 (a)는 가공대상물(50)의 일부의 개략 평면도이다. 가공대상물(50)의 피가공면에 복수의 주사영역(61)이 획정되어 있다. 1개의 주사영역(61)은, 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)(도 1)로 주사 가능한 크기이다. 1개의 주사영역(61)이 제1 가공경로(P1)를 전반하는 레이저빔으로 가공되고, 다른 1개의 주사영역(61)이 제2 가공경로(P2)를 전반하는 레이저빔에 의하여 가공된다.3 (a) is a schematic plan view of a part of the object 50 to be processed. A plurality of scan areas 61 are defined on the surface to be processed of the object 50. [ One scanning area 61 is of a size that can be scanned by the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B (Fig. 1). One scanning area 61 is processed into a laser beam for carrying the first processing path P1 and the other one scanning area 61 is machined by a laser beam for carrying the second processing path P2.

주사영역(61)의 각각의 내부에, 복수의 피가공점(62)이 획정되어 있다. 복수의 피가공점(62)에 차례로 펄스레이저빔을 입사시킴으로써, 천공가공을 행한다. 본 실시예에서는, 먼저, 1개의 주사영역(61) 내의 모든 피가공점(62)에, 도 2의 (b)에 나타낸 표면도체막(53)을 관통하는 오목부(55)를 형성한다. 그 후, 동일한 주사영역(61) 내의 각 피가공점(62)에 2쇼트째 이후의 레이저펄스를 입사시키고, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이 오목부(55)를 파 들어간다. 2쇼트째 이후의 레이저펄스는, 1개의 피가공점(62)에 연속하여 입사시킨다. 이와 같이, 1쇼트째를 모든 피가공점(62)에 입사시킨 후, 2쇼트째 이후의 가공을 행하는 방법은, 사이클가공이라고 불린다.A plurality of processing points 62 are defined in each of the scanning regions 61. [ The pulsed laser beam is incident on the plurality of processing points 62 in sequence, thereby performing the boring processing. In this embodiment, first, recesses 55 penetrating the surface conductor film 53 shown in FIG. 2B are formed in all the processing points 62 in one scanning region 61. Thereafter, the second and subsequent laser pulses are incident on each of the processing points 62 in the same scanning area 61, and the laser beam enters the concave portion 55 as shown in Fig. 2 (c). The second and subsequent laser pulses are successively incident on one working point 62. [ As described above, the method of making the first shot after entering the all the processing points 62 and then performing the processing after the second shot is called cycle processing.

도 3의 (b)는 가공대상물(50)에 대한 펄스레이저빔의 입사, 및 제1 빔주사기(20A), 제2 빔주사기(20B)(도 1)의 구동기간을 나타내는 타이밍차트이다. 기간(T1)에 있어서, 도 2의 (b)에 나타낸 표면도체막(53)의 가공이 행해진다. 기간(T1)에 있어서는, 복수의 피가공점(62)의 각각에 대한 레이저펄스(LP1)의 출력과, 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)의 구동을 교대로 반복한다. 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)에 의하여 주사된 레이저빔 입사위치가 피가공점(62)으로 세팅된 후, 레이저펄스(LP1)가 출력된다.Fig. 3B is a timing chart showing the incidence of the pulsed laser beam on the object 50 and the driving period of the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B (Fig. 1). In the period T1, the surface conductor film 53 shown in Fig. 2B is machined. In the period T1, the output of the laser pulse LP1 to each of the plurality of processing points 62 and the driving of the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B are alternately repeated . After the laser beam incident position scanned by the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B is set to the processing point 62, a laser pulse LP1 is output.

기간(T2) 및 기간(T3)에 있어서, 도 2의 (c)에 나타낸 유전체기판(51)의 가공이 행해진다. 기간(T2)에 있어서는, 복수의 피가공점(62)에 1개씩 레이저펄스(LP2)를 입사시킨다. 마찬가지로, 기간(T3)에 있어서도, 복수의 피가공점(62)에 1개씩 레이저펄스(LP3)를 입사시킨다. 도 3의 (b)에서는, 도 2의 (c)에 나타낸 공정에서 1개의 피가공점(62)에 2개의 레이저펄스(LP2, LP3)를 입사시키는 예를 나타내고 있다. 다만, 1개의 피가공점(62)에 입사시키는 쇼트수는, 조사하는 펄스레이저빔의 펄스에너지밀도, 내층도체막(52)까지의 깊이, 유전체기판(51)의 재질 등에 따라 최적인 개수로 설정된다. 도 2의 (c)에 나타낸 공정에서 1개의 레이저펄스만을 입사시키는 경우에는, 도 3의 (b)에 나타낸 기간(T3)의 처리는 불필요하다.In the period T2 and the period T3, the dielectric substrate 51 shown in Fig. 2C is machined. In the period T2, laser pulses LP2 are incident on the plurality of processing points 62 one by one. Likewise, in the period T3, the laser pulse LP3 is incident on the plurality of processing points 62 one by one. Fig. 3B shows an example in which two laser pulses LP2 and LP3 are incident on one working point 62 in the process shown in Fig. 2C. The number of shot to be incident on one working point 62 depends on the pulse energy density of the pulsed laser beam to be irradiated, the depth to the inner conductor film 52, the material of the dielectric substrate 51, Respectively. When only one laser pulse is incident in the process shown in Fig. 2C, the process of the period T3 shown in Fig. 3B is unnecessary.

다음으로, 도 4를 참조하여 본 실시예에 의한 레이저가공장치를 이용하여 천공가공하는 순서에 대하여 설명한다.Next, with reference to Fig. 4, a description will be given of the procedure of drilling using the laser machining apparatus according to the present embodiment.

도 4는 본 실시예에 의한 레이저가공장치를 이용하여 천공가공을 행하는 순서를 나타내는 플로차트이다. 먼저, 제어장치(40)(도 1)가 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)를 제어하고, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)의 레이저빔의 입사위치를, 최초로 가공해야 할 피가공점(62)(도 3의 (a))의 위치로 세팅시킨다(스텝 S1). 피가공점(62)의 위치는, 기억장치(41)에 기억되어 있다. 제1 빔주사기(20A) 및 제2 빔주사기(20B)가 세팅되면, 제어장치(40)가 레이저광원(10)을 제어하고, 1쇼트의 펄스레이저빔을 출력시킨다(스텝 S2). 이로써, 도 2의 (b)에 나타낸 오목부(55)가 형성된다.Fig. 4 is a flowchart showing a procedure for performing drilling using the laser machining apparatus according to the present embodiment. First, the control device 40 (Fig. 1) controls the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B, and the laser beams of the first processing path P1 and the second processing path P2 The incidence position is set to the position of the first machining point 62 (FIG. 3A) to be machined (step S1). The position of the machining point 62 is stored in the storage device 41. When the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B are set, the control device 40 controls the laser light source 10 to output a pulse laser beam of one shot (step S2). Thus, the concave portion 55 shown in Fig. 2 (b) is formed.

제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)를 각각 반대방향으로 전반하는 제1 반사광 및 제2 반사광의 강도가 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)(도 1)로 측정된다. 제어장치(40)(도 1)는, 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)에 의하여 측정된 제1 반사광 및 제2 반사광의 강도의 검출결과를 취득하고, 피가공점(62)마다 제1 반사광 및 제2 반사광의 강도의 측정결과를 기억장치(41)에 기억시킨다(스텝 S3).The intensity of the first reflected light and the second reflected light propagating in the opposite direction to the first processing path P1 and the second processing path P2 are the same as those of the first photodetector 31A and the second photodetector 31B ). The control device 40 (FIG. 1) acquires the detection results of the intensities of the first reflected light and the second reflected light measured by the first photodetector 31A and the second photodetector 31B, 62 to store the measurement results of the intensities of the first reflected light and the second reflected light in the storage device 41 (step S3).

주사영역(61)(도 1) 내의 모든 피가공점(62)에 대한 1쇼트째의 레이저빔의 입사가 종료된 경우에는, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)의 레이저빔의 입사위치를, 각각 최초의 피가공점(62)의 위치로 세팅시킨다(스텝 S5). 주사영역(61)(도 1) 내에 가공하지 않은 피가공점(62)이 남아 있는 경우에는, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)의 레이저빔의 입사위치를, 다음으로 가공해야 할 피가공점(62)의 위치로 세팅시키고(스텝 S4), 스텝 S2 및 S3을 반복하여 실행한다.When the incidence of the laser beam of the first shot to all of the processing points 62 in the scanning area 61 (Fig. 1) is completed, the laser beams of the first processing path P1 and the second processing path P2 The incident positions of the beams are set to the positions of the first machining points 62 (step S5). When the unprocessed working point 62 remains in the scanning area 61 (Fig. 1), the incident positions of the laser beams of the first processing path P1 and the second processing path P2 are shifted to the next Is set to the position of the machining point 62 to be machined (step S4), and steps S2 and S3 are repeatedly executed.

스텝 S5 후에, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)마다, 기억장치(41)에 기억되어 있는 피가공점(62)(도 3의 (a))에 대응하는 반사광의 강도에 근거하여, 레이저빔의 조사조건을 결정한다(스텝 S6).After step S5, the intensity of the reflected light corresponding to the processing point 62 (FIG. 3 (a)) stored in the storage device 41 for each of the first processing path P1 and the second processing path P2 The irradiation condition of the laser beam is determined (step S6).

이하, 조사조건의 결정방법에 대하여 설명한다. 예를 들면, 반사광의 강도가 표준값보다 높은 경우, 1쇼트째의 가공에서 이미 내층도체막(52)(도 2의 (b))의 일부가 노출되어 있다고 생각된다. 반사광의 강도가 높을수록, 내층도체막(52)이 노출되어 있는 면적이 크다고 생각된다. 내층도체막(52)이 노출되어 있는 상태일 때, 내층도체막(52)의 손상을 억제하기 위하여, 2쇼트째 이후의 펄스레이저빔의 조사에 의한 에너지투입량을 표준값보다 감소시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 반사광의 강도가 높을수록, 에너지투입량을 감소시키는 것이 바람직하다. 에너지투입량은, 1펄스당 에너지밀도(펄스에너지밀도), 또는 조사하는 쇼트수에 따라 조정할 수 있다. 펄스에너지밀도를 조정하는 데에는, 펄스폭 및 레이저펄스의 강도 중 적어도 일방을 조정하면 된다.Hereinafter, a method of determining irradiation conditions will be described. For example, when the intensity of the reflected light is higher than the standard value, it is considered that part of the inner conductor film 52 (FIG. 2 (b)) has already been exposed in the processing of the first shot. It is considered that the higher the intensity of the reflected light is, the larger the exposed area of the inner conductor film 52 is. It is preferable to reduce the amount of energy input by irradiation of the pulse laser beam after the second shot with respect to the standard value in order to suppress the damage of the inner conductor film 52 when the inner conductor film 52 is exposed. For example, it is preferable that the intensity of the reflected light is higher and the amount of energy input is reduced. The energy input can be adjusted according to the energy density per pulse (pulse energy density) or the number of shots to be irradiated. At least one of the pulse width and the intensity of the laser pulse may be adjusted to adjust the pulse energy density.

반사광의 강도와, 2쇼트째 이후의 펄스레이저빔의 조사조건의 관계는, 미리 다양한 평가실험을 행하여 결정해 두고, 기억장치(41)에 기억해 두면 된다. 제어장치(40)는, 기억장치(41)에 기억되어 있는 이 관계를 참조하여, 2쇼트째 이후의 조사조건을 결정한다.The relationship between the intensity of the reflected light and the irradiation condition of the pulse laser beam after the second shot may be determined by performing various evaluation experiments in advance and stored in the storage device 41. [ The control device 40 refers to this relationship stored in the storage device 41 to determine irradiation conditions for the second and subsequent shots.

조사조건을 결정한 후, 제어장치(40)는, 스텝 S6에서 결정된 조사조건으로 피가공점(62)에 레이저조사를 행한다(스텝 S7). 이 조사에 의하여, 도 2의 (c)에 나타낸 오목부(55)가 형성되고, 오목부(55)의 바닥면에 내층도체막(52)이 노출된다.After determining the irradiation conditions, the control device 40 performs laser irradiation on the processing point 62 with the irradiation conditions determined in step S6 (step S7). 2 (c) is formed, and the inner conductor film 52 is exposed on the bottom surface of the recess 55. As shown in Fig.

주사영역(61)(도 1) 내의 모든 피가공점(62)에 대한 2쇼트째 이후의 레이저빔의 입사가 종료된 경우에는, 현재 가공되고 있는 주사영역(61)의 가공을 종료한다. 가공하지 않은 주사영역(61)이 남아 있는 경우에는, 스테이지(45)를 구동한 후, 도 4에 나타낸 처리를 다시 실행한다.When the incidence of the laser beam after the second shot with respect to all the processing points 62 in the scanning area 61 (Fig. 1) is terminated, the machining of the scanning area 61 currently being processed is terminated. When the unprocessed scanning region 61 remains, after the stage 45 is driven, the processing shown in Fig. 4 is executed again.

주사영역(61)(도 1) 내에, 2쇼트째 이후의 레이저빔의 입사가 행해져 있지 않은 피가공점(62)이 남아 있는 경우에는, 제1 가공경로(P1) 및 제2 가공경로(P2)의 레이저빔의 입사위치를 다음으로 가공해야 할 피가공점(62)의 위치로 세팅시킨다(스텝 S8). 그 후, 스텝 S6 및 S7을 실행한다.In the case where the machining point 62 in which the laser beam after the second shot has not yet been made remains in the scan area 61 (Fig. 1), the first machining path P1 and the second machining path P2 ) To the position of the machining point 62 to be machined next (step S8). Thereafter, steps S6 and S7 are executed.

다음으로, 스텝 S6에서 결정된 조사조건으로 레이저조사를 행하는(스텝 S7) 방법의 구체예에 대하여 설명한다.Next, a specific example of the method of performing laser irradiation with the irradiation condition determined in step S6 (step S7) will be described.

제1 가공경로(P1)의 조사조건과 제2 가공경로(P2)의 조사조건이 동일한 경우, 제어장치(40)는 레이저광원(10)으로부터 출력되는 펄스레이저빔의 펄스폭을, 결정된 조사조건이 되도록 조정한다. 그 외에, 레이저광원(10)으로부터 출력되는 펄스레이저빔의 쇼트수를 조정해도 된다.When the irradiation conditions of the first processing path P1 and the irradiation conditions of the second processing path P2 are the same, the control device 40 changes the pulse width of the pulsed laser beam output from the laser light source 10, . In addition, the number of shot pulses of the pulsed laser beam output from the laser light source 10 may be adjusted.

제1 가공경로(P1)의 조사조건과 제2 가공경로(P2)의 조사조건이 다른 경우에는, 예를 들면 이하에 설명하는 몇 가지의 구체적인 방법에 의하여 가공경로마다 조사조건을 조정한다.When the irradiation conditions of the first processing path P1 and the irradiation conditions of the second processing path P2 are different from each other, the irradiation conditions are adjusted for each processing path by, for example, some specific methods described below.

제1 구체예에서는, 제1 가공경로(P1)와 제2 가공경로(P2)에서 쇼트수를 다르게 한다. 제어장치(40)는, 제1 가공경로(P1)와 제2 가공경로(P2)에서 필요한 쇼트수가 많은 쪽에 근거하여 레이저광원(10)을 제어한다. 필요한 쇼트수가 적은 쪽의 가공경로에서는, 제어장치(40)가 제1 빔주사기(20A) 또는 제2 빔주사기(20B)를 제어하고, 여분의 레이저펄스를 제1 빔댐퍼(21A) 또는 제2 빔댐퍼(21B)에 입사시킨다.In the first specific example, the number of shots is made different in the first processing path P1 and the second processing path P2. The control device 40 controls the laser light source 10 on the basis of the side of the first processing path P1 and the second processing path P2 that requires a large number of shorts. The control device 40 controls the first beam syringe 20A or the second beam syringe 20B and supplies the extra laser pulses to the first beam damper 21A or second And enters the beam damper 21B.

제2 구체예에서는, 제1 편광빔스플리터(12)에 의한 레이저빔의 분기비를 조정함으로써, 제1 가공경로(P1)를 전반하는 레이저빔의 강도와 제2 가공경로(P2)를 전반하는 레이저빔의 강도를 다르게 한다. 제1 편광빔스플리터(12)에 의한 분기비의 조정은, 제1 편광빔스플리터(12)의 앞에 레이저빔의 편광방향을 미세조정하는 광학소자를 배치하고, 편광방향을 미세조정함으로써 행할 수 있다.In the second specific example, by adjusting the split ratio of the laser beam by the first polarizing beam splitter 12, the intensity of the laser beam propagating through the first processing path P1 and the intensity of the laser beam propagating through the second processing path P2 Make the intensity of the laser beam different. The adjustment of the splitting ratio by the first polarization beam splitter 12 can be performed by disposing an optical element for finely adjusting the polarization direction of the laser beam in front of the first polarization beam splitter 12 and finely adjusting the polarization direction .

다음으로, 본 실시예에 의한 레이저가공장치가 갖는 우수한 효과에 대하여 설명한다.Next, an excellent effect of the laser machining apparatus according to the present embodiment will be described.

본 실시예에서는, 1쇼트째의 가공시에 발생하는 반사광의 강도에 따라, 2쇼트째 이후의 조사조건을 결정함으로써, 가공품질의 향상을 도모할 수 있다. 예를 들면, 내층도체막(52)(도 2의 (c))의 손상을 억제할 수 있다.In this embodiment, the irradiation conditions after the second shot are determined in accordance with the intensity of the reflected light generated at the time of processing the first shot, thereby improving the processing quality. For example, damage to the inner conductor film 52 (Fig. 2 (c)) can be suppressed.

또한, 본 실시예에서는, 제1 가공경로(P1)를 되돌아오는 제1 반사광과, 제2 가공경로(P2)를 되돌아오는 제2 반사광을 공통의 측정경로(Pm)(도 1)에 합류시킨 후, 분기시킴으로써 제1 반사광의 강도와 제2 반사광의 강도를 따로따로 측정하고 있다. 이로 인하여, 가공경로마다, 입사 레이저빔의 가공경로로부터 반사광을 분기시키는 구성에 비하여, 광학소자의 개수를 삭감시킬 수 있다.In this embodiment, the first reflected light returning the first processing path P1 and the second reflected light returning the second processing path P2 are joined to a common measuring path Pm (Fig. 1) The intensity of the first reflected light and the intensity of the second reflected light are separately measured. As a result, the number of optical elements can be reduced in comparison with the configuration in which the reflected light is branched from the processing path of the incident laser beam for each processing path.

또, 본 실시예에서는, 2쇼트째 이후의 조사조건이 2개의 가공경로의 사이에서 다른 경우여도, 가공경로마다 따로따로 조사조건을 조정하는 것이 가능하다. 그 결과, 2개의 가공경로에서 가공되는 2개의 피가공점(62)의 양방의 가공품질을 높일 수 있다.In this embodiment, it is possible to adjust the irradiation conditions separately for each processing path, even if the irradiation conditions for the second shot and thereafter are different between the two processing paths. As a result, the machining quality of both of the two machining points 62 machined in the two machining paths can be improved.

다음으로, 도 5 및 도 6을 참조하여, 다른 실시예에 의한 레이저가공장치에 대하여 설명한다. 이하, 도 1~도 4에 나타낸 실시예와 공통의 구성에 대해서는 설명을 생략한다.Next, a laser machining apparatus according to another embodiment will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig. Hereinafter, the description of the common configuration with the embodiment shown in Figs. 1 to 4 will be omitted.

도 5는 본 실시예에 의한 레이저가공장치에 있어서의 가공대상물(50)에 대한 펄스레이저빔의 입사, 및 제1 빔주사기(20A), 제2 빔주사기(20B)(도 1)의 구동기간을 나타내는 타이밍차트이다. 도 3의 (b)에 나타낸 실시예에서는, 1개의 피가공점(62)에 1쇼트째의 레이저펄스(LP1)를 입사시킨 후, 다음의 피가공점(62)에 1쇼트째의 레이저펄스(LP1)를 입사시켰다. 본 실시예에서는, 1개의 피가공점(62)에 1쇼트째의 레이저펄스(LP1)를 입사시킨 후, 계속해서 2쇼트째 이후의 레이저펄스(LP2)를 동일한 피가공점(62)에 입사시킨다. 1개의 피가공점(62)의 가공이 완료되면, 다음의 피가공점(62)의 가공을 행한다. 이와 같은 가공 방법은, 버스트가공이라고 불린다.5 is a graph showing the relationship between the incidence of the pulsed laser beam on the object 50 in the laser machining apparatus according to the present embodiment and the drive of the first beam syringe 20A and the second beam syringe 20B Fig. In the embodiment shown in FIG. 3 (b), laser pulses LP1 of the first shot are incident on one machining point 62, laser pulses LP1 of the first shot are applied to the next machining point 62, (LP1). In this embodiment, the laser pulse LP1 of the first shot is incident on one working point 62, and then the laser pulse LP2 of the second and subsequent shots is incident on the same working point 62 . When machining of one machining point 62 is completed, the next machining point 62 is machined. Such a machining method is called a burst machining.

도 6은 본 실시예에 의한 레이저가공장치를 이용하여 천공가공을 행하는 순서를 나타내는 플로차트이다. 2개의 가공경로의 레이저빔의 입사위치를 각각 피가공점(62)의 위치로 세팅하는 처리(스텝 S11), 및 1쇼트의 펄스레이저빔을 출력시키는 처리(스텝 S12)는, 도 4에 나타낸 실시예의 스텝 S1 및 스텝 S2의 처리와 동일하다.Fig. 6 is a flowchart showing a procedure for performing drilling using the laser machining apparatus according to the present embodiment. (Step S11) for setting the incident positions of the laser beams of the two processing paths to the position of the processing point 62 and processing (step S12) for outputting one shot of the pulsed laser beam are the same as the processing Is the same as the processing in steps S1 and S2 of the embodiment.

1쇼트의 레이저펄스를 출력시킨 후, 제어장치(40)(도 1)는, 제1 광검출기(31A) 및 제2 광검출기(31B)로 측정된 제1 반사광의 강도 및 제2 반사광의 강도의 측정결과를 취득한다(스텝 S13). 2개의 가공경로마다, 스텝 S13에서 취득된 반사광의 강도의 측정결과에 근거하여 2쇼트째 이후의 레이저빔의 조사조건을 결정한다(스텝 S14).After outputting one shot of laser pulses, the controller 40 (Fig. 1) controls the intensity of the first reflected light measured by the first photodetector 31A and the intensity of the second reflected light measured by the second photodetector 31B (Step S13). On the basis of the measurement result of the intensity of the reflected light obtained in step S13 for each of the two machining paths, the irradiation conditions of the laser beams after the second shot are determined (step S14).

조사조건을 결정한 후, 제어장치(40)는, 스텝 S14에서 결정된 조사조건으로 피가공점(62)에 대한 레이저조사를 행한다(스텝 S15). 이 조사에 의하여, 도 2의 (c)에 나타낸 오목부(55)가 형성되고, 오목부(55)의 바닥면에 내층도체막(52)이 노출된다.After determining the irradiation conditions, the control device 40 performs laser irradiation of the processing point 62 with the irradiation conditions determined in step S14 (step S15). 2 (c) is formed, and the inner conductor film 52 is exposed on the bottom surface of the recess 55. As shown in Fig.

주사영역(61)(도 3의 (a)) 내에 가공하지 않은 피가공점(62)이 남아 있는 경우에는, 2개의 가공경로의 레이저빔의 입사위치를, 각각 다음의 피가공점(62)의 위치로 세팅시킨다(스텝 S16). 그 후, 스텝 S12에서 스텝 S15까지의 처리를 반복한다. 주사영역(61) 내의 모든 피가공점(62)의 가공이 종료되면, 현재 가공 중의 주사영역(61)에 대한 처리를 종료한다.3 (a)), the incident positions of the laser beams of the two machining paths are set to be the machining points 62 at the next machining point 62, respectively, (Step S16). Thereafter, the processing from step S12 to step S15 is repeated. When the machining of all of the machining points 62 in the scan area 61 is completed, the process for the scan area 61 during the current machining is terminated.

본 실시예에 있어서도, 도 1~도 4에 나타낸 실시예와 동일한 효과가 얻어진다. 또, 본 실시예에서는, 1개의 피가공점(62)에 대한 1쇼트째의 가공과, 2쇼트째 이후의 가공이 연속하여 행해지기 때문에, 반사광의 강도의 측정결과를 기억장치(41)에 기억시키지 않고, 반사광의 강도 측정 후, 즉시 2쇼트째 이후의 조사조건을 결정한다.Also in this embodiment, the same effect as that of the embodiment shown in Figs. 1 to 4 is obtained. In this embodiment, since the processing of the first shot and the processing of the second shot after the one processing point 62 are continuously performed, the measurement result of the intensity of the reflected light is stored in the storage device 41 Immediately after measuring the intensity of the reflected light without storing it, the irradiation conditions for the second and subsequent shots are immediately determined.

상술한 각 실시예는 예시이며, 다른 실시예에서 나타낸 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것은 말할 것도 없다. 복수의 실시예의 동일한 구성에 의한 동일한 작용효과에 대해서는 실시예별로 순차 언급하지 않는다. 또한, 본 발명은 상술한 실시예에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명할 것이다.It is needless to say that each of the above-described embodiments is an example, and partial substitutions or combinations of the configurations shown in the other embodiments are possible. The same operational effects of the same configurations of the plurality of embodiments are not sequentially referred to the embodiments. Further, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

10 레이저광원
11 분기합류광학계
12 제1 편광빔스플리터
13A 제1 편광광학소자
13B 제2 편광광학소자
20A 제1 빔주사기
20B 제2 빔주사기
21A 제1 빔댐퍼
21B 제2 빔댐퍼
22A 제1 집광렌즈
22B 제2 집광렌즈
30 제2 편광빔스플리터
31A 제1 광검출기
31B 제2 광검출기
40 제어장치
41 기억장치
45 스테이지
50 가공대상물
51 유전체기판
52 내층도체막
53 표면도체막
54 이면도체막
55 오목부
61 주사영역
62 피가공점10 laser light source
11th junction optical system
12 1st polarization beam splitter
13A First polarized optical element
13B Second polarizing optical element
20A first beam syringe
20B second beam syringe
21A first beam damper
21B second beam damper
22A first condensing lens
22B Second condensing lens
30 second polarization beam splitter
31A first photodetector
31B second photodetector
40 control device
41 storage device
45 stage
50 object to be processed
51 dielectric substrate
52 inner layer conductor film
53 Surface conductor film
54,
55 concave portion
61 scan area
62 Work point

Claims (5)

레이저빔의 분기 및 합류를 행하는 분기합류광학계로서, 상기 분기합류광학계에 대한 입사경로를 따라 상기 분기합류광학계에 입사하는 레이저빔을 편광방향에 따라 제1 가공경로 및 제2 가공경로로 분기시키고, 상기 제1 가공경로 및 상기 제2 가공경로를 따라 상기 분기합류광학계에 각각 입사하는 제1 반사광 및 제2 반사광을, 상기 입사경로와는 다른 측정경로에 합류시키는 상기 분기합류광학계와,
상기 측정경로에 합류된 상기 제1 반사광 및 상기 제2 반사광을 다른 경로로 분기시키는 분기소자와,
상기 분기소자에서 분기된 상기 제1 반사광의 강도를 측정하는 제1 광검출기와,
상기 분기소자에서 분기된 상기 제2 반사광의 강도를 측정하는 제2 광검출기를 갖는 레이저가공장치.A branching and splitting optical system for splitting and joining a laser beam, comprising: a splitting means for splitting a laser beam incident on the branching and splitting optical system along an incident path to the branching and splitting optical system into a first processing path and a second processing path according to a polarization direction, The branch merging optical system for merging the first reflected light and the second reflected light respectively incident on the branch merging optical system along the first processing path and the second processing path into a measurement path different from the incident path,
A branching element for branching the first reflected light and the second reflected light joined to the measurement path to different paths;
A first photodetector for measuring the intensity of the first reflected light branched by the branching element,
And a second photodetector for measuring the intensity of the second reflected light branched from the branching element. 제 1 항에 있어서,
상기 분기합류광학계는,
상기 입사경로를 따라 입사하는 레이저빔의 일부의 성분을 투과시켜 상기 제1 가공경로로 전반시키고, 일부의 성분을 반사시켜 상기 제2 가공경로로 전반시키는 제1 편광빔스플리터와,
상기 제1 반사광이 상기 제1 편광빔스플리터에서 반사되도록 상기 제1 가공경로를 전반하는 레이저빔의 편광방향을 회전시키는 제1 편광광학소자와,
상기 제2 반사광이 상기 제1 편광빔스플리터를 투과하도록 상기 제2 가공경로를 전반하는 레이저빔의 편광방향을 회전시키는 제2 편광광학소자를 포함하는 레이저가공장치.The method according to claim 1,
The branch junction optical system includes:
A first polarization beam splitter which transmits a part of a laser beam incident along the incident path and propagates the component to the first processing path and reflects a part of the component to be propagated to the second processing path;
A first polarizing optical element for rotating the polarization direction of the laser beam propagating through the first processing path so that the first reflected light is reflected by the first polarizing beam splitter,
And a second polarizing optical element for rotating the polarization direction of the laser beam propagating through the second processing path so that the second reflected light transmits through the first polarizing beam splitter. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1 광검출기 및 상기 제2 광검출기에 의하여 각각 검출된 상기 제1 반사광의 강도 및 상기 제2 반사광의 강도에 따라, 상기 제1 가공경로 및 상기 제2 가공경로를 전반하여 가공대상물에 입사하는 레이저빔의 조사조건을 조정하는 제어장치를, 더 갖는 레이저가공장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The first and second photodetectors respectively detect the intensity of the first reflected light and the intensity of the second reflected light, respectively, And a control device for adjusting an irradiation condition of the laser beam. 제 3 항에 있어서,
상기 제어장치는, 상기 제1 가공경로를 전반하여 가공대상물에 입사하는 레이저빔의 조사조건과, 상기 제2 가공경로를 전반하여 가공대상물에 입사하는 레이저빔의 조사조건을 따로따로 조정하는 기능을 갖는 레이저가공장치.The method of claim 3,
The control device has a function of separately adjusting an irradiation condition of the laser beam incident on the object to be processed in the first processing path and an irradiation condition of the laser beam incident on the object in front of the second processing path . 제 3 항에 있어서,
상기 제1 가공경로를 전반하는 레이저빔을 주사하는 제1 빔주사기와,
상기 제2 가공경로를 전반하는 레이저빔을 주사하는 제2 빔주사기와,
가공대상물 상의 복수의 피가공점의 위치를 기억하는 기억장치를 더 갖고,
상기 제어장치는, 상기 제1 광검출기 및 상기 제2 광검출기에서 검출된 검출결과를, 복수의 상기 피가공점의 각각에 대응하여 상기 기억장치에 기억시키며,
복수의 상기 피가공점에 입사시키는 레이저빔의 조사조건을, 상기 피가공점에 대응하여 상기 기억장치에 기억된 측정결과에 근거하여 결정하는 레이저가공장치.The method of claim 3,
A first beam syringe for scanning a laser beam for carrying out the first processing path,
A second beam syringe for scanning a laser beam for carrying out the second processing path,
Further comprising a storage device for storing positions of a plurality of processing points on the object,
The control device stores the detection results detected by the first photodetector and the second photodetector in the storage device corresponding to each of the plurality of the processing points,
Wherein the irradiation condition of the laser beam to be incident on the plurality of the processing points is determined based on the measurement result stored in the storage device corresponding to the processing point.
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