KR20190042419A - Semiconductor manufacturing device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a semiconductor manufacturing device, which places a semiconductor chip (a die) on a substrate of a finally delaminated adhesion sheet or the like with high precision. The semiconductor manufacturing device has: a die supply unit; a pick-up head picking up a die from the die supply unit to vertically reverse the same; a bonding head picking up the die from the pick-up head to load the die on an upper surface of a transparent substrate with a circuit forming surface of the die down; a standard mark for identifying a position of the die when loading the die on the substrate; a camera photographing the die and the standard mark from a lower portion of the substrate; and a lighting device irradiating light to the die and the standard mark obliquely from the lower portion.

Description

반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device,

본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 예를 들어 팬 아웃형 웨이퍼 레벨 패키지용의 다이 플레이스에 적용 가능하다.The present disclosure relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and is applicable to, for example, a die place for a fan-out type wafer level package.

팬 아웃형 웨이퍼 레벨 패키지(Fan Out Wafer Level Package: FOWLP)는, 칩 면적을 초과하는 넓은 영역에 재배선층을 형성하는 패키지이다. FOWLP의 제법으로서, 점착 시트 상에 배치된 복수의 반도체 칩을 밀봉 수지로 일괄 밀봉함으로써, 복수의 반도체 칩과 복수의 반도체 칩을 덮는 밀봉 수지를 구비하는 밀봉체를 형성한 후, 밀봉체로부터 점착 시트를 박리하고, 계속해서 밀봉체의 점착 시트가 부착되어 있던 면 상에 재배선층을 형성하는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2014-210909호 공보(특허문헌 1)). 특허문헌 1에서는, 점착 시트는 지지체와 지지체 상에 적층된 점착제층을 구비하고, 점착 시트 상에 반도체 칩이 플립 칩 본더나 다이 본더를 사용해서 배치된다.A Fan Out Wafer Level Package (FOWLP) is a package that forms a rewiring layer over a wide area exceeding a chip area. As a method of producing FOWLP, a plurality of semiconductor chips arranged on a pressure-sensitive adhesive sheet are collectively sealed with a sealing resin to form a sealing body including a plurality of semiconductor chips and a sealing resin covering the plurality of semiconductor chips, There is known a method in which a sheet is peeled off and a re-wiring layer is subsequently formed on the surface to which the adhesive sheet of the sealing member is attached (for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2014-210909 (Patent Document 1)). In Patent Document 1, the pressure sensitive adhesive sheet has a support and a pressure sensitive adhesive layer laminated on the support, and the semiconductor chip is disposed on the pressure sensitive adhesive sheet using a flip chip bond or a die bonder.

일본 특허 공개 제2014-210909호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-210909

본 개시의 과제는, 최종적으로 박리되는 점착 시트 등의 기판에 반도체 칩(다이)을 고정밀도로 플레이스하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus which places a semiconductor chip (die) with high precision on a substrate such as an adhesive sheet which is finally peeled off.

본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.An outline of representative examples of the present disclosure will be briefly described below.

즉, 반도체 제조 장치는, 다이 공급부와, 상기 다이 공급부로부터 다이를 픽업해서 상하 반전하는 픽업 헤드와, 상기 픽업 헤드로부터 상기 다이를 픽업해서 상기 다이의 회로 형성면을 아래로 해서 투명한 기판의 상면에 상기 다이를 적재하는 본딩 헤드와, 상기 다이를 상기 기판에 적재할 때의 상기 다이의 위치를 인식하기 위한 기준 마크와, 상기 기판의 하방으로부터 상기 다이 및 상기 기준 마크를 촬상하는 카메라와, 상기 다이 및 상기 기준 마크를 비스듬히 하방으로부터 광을 조사하는 조명 장치를 구비한다.That is, the semiconductor manufacturing apparatus includes a die supply unit, a pick-up head picking up a die from the die supply unit and inverting the wafer from the pick-up head and picking up the die from the pickup head, A reference mark for recognizing the position of the die when the die is mounted on the substrate; a camera for imaging the die and the reference mark from below the substrate; And an illumination device for irradiating the reference mark obliquely from below.

상기 반도체 제조 장치에 의하면, 다이 플레이스의 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the semiconductor manufacturing apparatus, the precision of the die place can be improved.

도 1은 실시예 1에 관한 플립 칩 본더의 개략 상면도이다.
도 2는 도 1에서 화살표 A 방향에서 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 도 1의 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다.
도 5는 도 1의 워크의 구성 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 1의 플립 칩 본더의 다이 플레이스 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 변형예 1에 관한 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다.
도 8은 변형예 2에 관한 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다.
도 9는 변형예 3에 관한 플립 칩 본더의 워크 구성 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 변형예 4에 관한 플립 칩 본더의 워크의 구성 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 실시예 2에 관한 다이 본더의 개략 상면도이다.
도 12는 도 11에서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
도 13은 도 11의 다이 본더의 다이 플레이스 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a schematic top view of a flip chip bonder according to a first embodiment.
Fig. 2 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed in the direction of arrow A in Fig.
Fig. 3 is a schematic sectional view showing the main part of the die supply portion of Fig. 1; Fig.
Fig. 4 is a schematic top view showing the layout of the flip chip bonder of Fig. 1;
5 is a cross-sectional view for explaining the configuration and die placement of the work of Fig. 1;
6 is a flowchart illustrating a die-placing method of the flip chip bonder of FIG.
7 is a schematic top view showing the layout of a flip chip bonder according to Modification 1. Fig.
8 is a schematic top view showing the layout of the flip chip bonder according to the second modification.
9 is a cross-sectional view for explaining a work configuration and a die-place of a flip chip bonder according to a third modification.
10 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a work of a flip chip bonder according to Modification 4 and a die-place.
11 is a schematic top view of the die bonder according to the second embodiment.
Fig. 12 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed in the direction of arrow A in Fig.
13 is a flowchart for explaining a die-placing method of the die bonder of Fig.

이하, 실시예 및 변형예에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 단, 이하의 설명에서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해서, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것이 아니다.Hereinafter, embodiments and modifications will be described with reference to the drawings. In the following description, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and repeated explanation may be omitted. In addition, the drawings are schematically shown in terms of the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with the actual shape in order to make the explanation more clear, but they are merely examples and do not limit the interpretation of the present invention.

[실시예 1][Example 1]

도 1은 실시예 1에 관한 플립 칩 본더의 개략 상면도이다. 도 2는 도 1에서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.1 is a schematic top view of a flip chip bonder according to a first embodiment. Fig. 2 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed in the direction of arrow A in Fig.

반도체 제조 장치인 플립 칩 본더(10)는, 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 반전 기구부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5)와, 기판 공급부(6K)와, 기판 반출부(6H)와, 각 부의 동작을 감시해서 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.The flip chip bonder 10 which is a semiconductor manufacturing apparatus is roughly divided into a die supply section 1, a pickup section 2, an inversion mechanism section 3, a bonding section 4, a carry section 5, A substrate feeding portion 6K, a substrate carrying portion 6H, and a control device 7 for monitoring and controlling the operation of each portion.

먼저, 다이 공급부(1)는, 기판 등의 워크(W)에 실장하는 다이(D)를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 유지하는 웨이퍼 유지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)과, 웨이퍼 링 공급부(도시하지 않음)를 갖는다. 다이 공급부(1)는, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이(D)를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다. 웨이퍼 링 공급부는, 웨이퍼 링이 수납된 웨이퍼 카세트를 갖고, 순차 웨이퍼 링을 다이 공급부(1)에 공급하여, 새로운 웨이퍼 링으로 교환한다. 다이 공급부(1)는, 원하는 다이를 웨이퍼 링으로부터 픽업할 수 있도록, 픽업 포인트에 웨이퍼 링을 이동한다. 웨이퍼 링은, 웨이퍼가 고정되고, 다이 공급부(1)에 설치 가능한 지그이다.First, the die supply unit 1 supplies a die D mounted on a workpiece W such as a substrate. The die supply section 1 includes a wafer holding table 12 holding the wafer 11, a lifting unit 13 indicated by a dotted line pushing the die D from the wafer 11, (Not shown). The die feeder 1 moves in the X and Y directions by driving means (not shown) to move the pick-up die D to the position of the push-up unit 13. The wafer ring supply section has a wafer cassette accommodating a wafer ring, and sequentially supplies the wafer ring to the die supply section 1 and exchanges for a new wafer ring. The die feeder 1 moves the wafer ring to the pick-up point so that the desired die can be picked up from the wafer ring. The wafer ring is a jig that is fixed to the wafer and can be installed on the die supply unit 1. [

픽업부(2)는, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 흡착하는 콜릿부(22)와, 콜릿부(22)를 선단에 구비하여 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(23)를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 이와 같은 구성에 의해, 픽업 헤드(21)는, 다이를 픽업하고, 반전 기구부(3)에 이동하여, 반전 기구부(3)에 흡착된다.The pick-up section 2 includes a collet section 22 for picking up the die D from the die supply section 1, a pick-up head 21 for picking up the die D with the collet section 22 at the tip thereof And a Y driver 23 for moving the pickup head 21 in the Y direction. The pick-up head 21 has respective driving portions (not shown) for moving the collet portion 22 up, down, and move in the X-direction. With this configuration, the pick-up head 21 picks up the die, moves to the inversion mechanism section 3, and is attracted to the inversion mechanism section 3. [

반전 기구부(3)는, 도 2에 파선으로 나타낸 바와 같이, 픽업 헤드(21)를 180도 회전시켜, 다이(D)의 표면(패턴 형성면)을 반전시켜서 하면을 향하게 하고, 다이(D)를 본딩 헤드(41)에 전달하는 자세로 한다. 반전 기구부의 다른 방법으로서는, 도 2의 인출도에 도시하는 바와 같이 반전 기구부를 픽업 헤드(21)에 설치하고, 픽업 헤드와 함께 이동시키는 방법, 또는 다이의 표리를 회전할 수 있는 스테이지 유닛을 설치하여, 픽업한 다이(D)를 일단 스테이지 유닛에 적재하는 방법 등이 있다.2, the pickup head 21 is rotated 180 degrees so that the surface (pattern forming surface) of the die D is reversed so as to face the bottom, and the die D is moved in the reverse direction, To the bonding head (41). As another method of the inversion mechanism section, as shown in the drawing diagram of Fig. 2, the inversion mechanism section may be provided on the pickup head 21 and moved together with the pickup head, or a stage unit capable of rotating the front and back of the die may be installed , And a method of once loading the picked up die D onto the stage unit.

본딩부(4)는, 반전한 다이(D)를 픽업 헤드(21)로부터 수취하여, 반송되어 온 워크(W) 상에 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿부(42)를 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 워크(W)의 위치 인식 마크(기준 마크)(PM)(도 4 참조)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)와, 후술하는 경사광 조명 장치(45)(도 4 참조)를 갖는다. 또한, 워크(W)의 검사를 행하는 기판 인식 카메라를 구비하고 있어도 된다. 이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 픽업 헤드(21)로부터 반전한 다이(D)를 수취하여, 다이 인식 카메라(33)의 촬상 데이터에 기초해서 픽업 위치·자세를 보정하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 워크(W)에 다이(D)를 본딩한다.The bonding section 4 receives the inverted die D from the pick-up head 21 and bonds it onto the transferred workpiece W. The bonding section 4 includes a bonding head 41 having a collet section 42 for holding and holding the die D at the tip thereof in the same manner as the pickup head 21 and a bonding head 41 for moving the bonding head 41 in the Y direction A substrate recognition camera 44 for picking up a position recognition mark (reference mark) PM (see FIG. 4) of the work W and recognizing the bonding position, and an oblique light illuminator (See Fig. 4). Further, a substrate recognition camera for inspecting the workpiece W may be provided. With this arrangement, the bonding head 41 receives the die D inverted from the pickup head 21, corrects the pickup position and posture based on the image pickup data of the die recognition camera 33, The die D is bonded to the work W based on the imaging data of the recognition camera 44. [

반송부(5)는, 워크(W)가 X 방향으로 이동하는 반송 레일(51, 52)을 구비한다. 반송 레일(51, 52)은 평행하게 설치된다. 이와 같은 구성에 의해, 기판 공급부(6K)로부터 워크(W)를 반출하여, 반송 레일(51, 52)을 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩한 후 기판 반출부(6H)까지 이동하여, 기판 반출부(6H)에 워크(W)를 전달한다. 워크(W)에 다이(D)를 본딩하는 중에, 기판 공급부(6K)는 새로운 워크(W)를 반출하고, 반송 레일(51, 52) 상에서 대기한다.The carry section 5 has transport rails 51 and 52 on which the work W moves in the X direction. The conveying rails 51 and 52 are installed in parallel. With such a configuration, the work W is carried out from the substrate supply part 6K, moved to the bonding position along the transport rails 51 and 52, moved to the substrate take-out part 6H after bonding, And transfers the work W to the portion 6H. The substrate supply unit 6K unloads the new work W and stands by on the transport rails 51 and 52 while bonding the die D to the work W.

도 3은 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 다이 공급부(1)는, 웨이퍼 링(14)을 유지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 유지되어 복수의 다이(D)가 점착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)과, 다이(D)를 상방으로 밀어올리기 위한 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 소정의 다이(D)를 픽업하기 위해서, 밀어올림 유닛(13)은, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 상하 방향으로 이동하고, 다이 공급부(1)는 수평 방향으로 이동하도록 되어 있다.3 is a schematic sectional view showing the main part of the die supply portion. 3, the die supply unit 1 includes an extender ring 15 for holding the wafer ring 14, and a dicing unit 15 held by the wafer ring 14 and having a plurality of dies D adhered thereto A support ring 17 for horizontally positioning the tape 16 and a lifting unit 13 for lifting the die D upward. In order to pick up a predetermined die D, the push-up unit 13 is moved up and down by a drive mechanism (not shown), and the die supply unit 1 is moved in the horizontal direction.

다이 공급부(1)는, 다이(D)의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 유지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 유지되어 있는 다이싱 테이프(16)는 잡아 당겨져, 다이(D)의 간격은 넓어진다. 그러한 상태에서, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 하방으로부터 다이(D)를 밀어올림으로써, 다이 공급부(1)는 다이(D)의 픽업성을 향상시키고 있다.The die supply section 1 lowers the expanding ring 15 holding the wafer ring 14 when the die D is lifted. As a result, the dicing tape 16 held by the wafer ring 14 is pulled, and the interval of the dies D is widened. In such a state, by pushing up the die D from below the die by the push-up unit 13, the die feeding section 1 improves the pick-up performance of the die D.

도 4는 도 1의 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다. 플립 칩 본더(10)는, 워크(W)가 X 방향으로 반송되고, 다이(D)가 Y 방향으로 반송되는 장치 배치이다.Fig. 4 is a schematic top view showing the layout of the flip chip bonder of Fig. 1; The flip chip bonder 10 is a device arrangement in which the workpiece W is transported in the X direction and the die D is transported in the Y direction.

다이 공급부(1)의 X축 부방향측(도면의 좌측)에 웨이퍼 링 공급부(18)가 설치되고, Y축 정방향측(도면의 상측)에 본딩 위치(BP)가 설치된다. 반송 레일(51, 52)은 X축 방향으로 연장되고, 워크(W)가 X축 정방향(도면의 좌측에서 우측)으로 이동하여, 본딩 위치(BP)에 보내진다. 웨이퍼 링(14)은, 웨이퍼 링 공급부(18)로부터 X축 정방향(도면의 좌측에서 우측)으로 반송되어, 다이 공급부(1)에 보내진다. 위치(DP)는, 픽업 헤드(21)가 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 위치(PP)는, 본딩 헤드(41)가 픽업 헤드(21)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 본딩 위치(BP)는, 본딩 헤드(41)가 다이(D)를 워크(W)에 적재하는 위치이며, 위치(WP)는, 다음 워크(W)가 대기하는 위치이다. 또한, 도 4에 도시하고 있지 않지만, 반송 레일(51, 52)의 X축 부방향측(도면의 좌측)에 기판 공급부(6K)가 배치되고, X축 정방향측(도면의 우측)에 기판 반출부(6H)가 배치된다.A wafer ring supply section 18 is provided on the X axis direction side (left side in the drawing) of the die supply section 1 and a bonding position BP is provided on the Y axis positive side (upper side in the figure). The transport rails 51 and 52 extend in the X axis direction and the work W moves in the X axis normal direction (from the left to the right in the drawing) and is sent to the bonding position BP. The wafer ring 14 is conveyed from the wafer ring supply section 18 in the X-axis positive direction (from left to right in the drawing) and sent to the die supply section 1. [ The position DP is a position at which the pick-up head 21 picks up the die D from the die supply part 1. [ The position PP is a position at which the bonding head 41 picks up the die D from the pick-up head 21. The bonding position BP is a position where the bonding head 41 mounts the die D on the work W and a position WP is a position where the next work W stands by. Although not shown in Fig. 4, the substrate supply unit 6K is disposed on the X-axis direction side (left side in the figure) of the conveyance rails 51 and 52, A portion 6H is disposed.

도 5는 도 1의 워크의 구조 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이며, 본딩 위치에서의 워크, 다이, 카메라, 조명의 배치를 도시하는 도면이다. 워크(W)는, 위치 인식 마크(PM)를 갖는 캐리어인 유리 기판(101)과 유리 기판(101) 상에 설치된 점착제(102)를 포함하고, 복수의 다이가 탑재 가능하다. 유리 기판(101)의 하면측에 패키지 사이즈에 맞춘 위치 인식 마크(PM)가 형성된다. 워크(W)는, 최종적으로는 다이(D)로부터 박리되고, 유리 기판(101)은, 위치 인식 마크(PM)를 재형성 하거나 하여 다시 사용된다. 다이(D)는, 패턴 형성면이 아래를 향해서(페이스 다운으로) 콜릿부(42)에 흡착되어 있다. 기판 인식 카메라(44)는, 다이(D)의 바로 아래에 배치되어, 유리 기판(101) 및 점착제(102)를 통해서 다이(D)의 위치를 인식한다. 따라서, 유리 기판(101) 및 점착제(102)는 투명하다. 복수의 경사광 조명 장치(45)는, 각각 위치 인식 마크(PM) 및 다이(D)를 비스듬히 아래로부터 광을 조사한다. 경사광 조명 장치(45)에 의해, 유리 기판의 정반사가 없이, 위치 인식 마크(PM) 및 다이(D)의 표면을 관측할 수 있다.Fig. 5 is a cross-sectional view for explaining the structure and die place of the work of Fig. 1, and shows the arrangement of a work, a die, a camera, and an illumination at a bonding position. The workpiece W includes a glass substrate 101 which is a carrier having a position recognition mark PM and a pressure-sensitive adhesive 102 which is provided on the glass substrate 101, and a plurality of dies can be mounted thereon. A position recognition mark PM matching the package size is formed on the lower surface side of the glass substrate 101. [ The work W is finally peeled off from the die D and the glass substrate 101 is used again by re-forming the position recognition marks PM. The die D is attracted to the collet portion 42 with the pattern formation surface facing downward (facedown). The substrate recognition camera 44 is disposed immediately below the die D and recognizes the position of the die D through the glass substrate 101 and the adhesive 102. [ Therefore, the glass substrate 101 and the pressure-sensitive adhesive 102 are transparent. The plurality of oblique light illuminating devices 45 irradiate light from obliquely below the position recognition mark PM and the die D, respectively. The oblique light illumination device 45 can observe the surface of the position recognition mark PM and the die D without specular reflection of the glass substrate.

제어 장치(7)는, 플립 칩 본더(10)의 각 부의 동작을 감시해서 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다. 예를 들어, 제어 장치(7)는, 기판 인식 카메라(44) 및 기판 인식 카메라(44)로부터의 화상 정보, 본딩 헤드(41)의 위치 등의 각종 정보를 도입하여, 본딩 헤드(41)의 본딩 동작 등 각 구성 요소의 각 동작을 제어한다.The control device 7 includes a memory for storing a program (software) for monitoring and controlling the operation of each part of the flip chip bonder 10 and a central processing unit (CPU) for executing a program stored in the memory. For example, the control device 7 introduces various information such as image information from the substrate recognition camera 44 and the substrate recognition camera 44, the position of the bonding head 41, And controls the operation of each component such as bonding operation.

이어서, 실시예 1에 관한 플립 칩 본더의 다이 플레이스 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대해서 도 6을 사용해서 설명한다. 도 6은 도 1의 플립 칩 본더의 다이 플레이스 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.Next, the die-placing method (semiconductor device manufacturing method) of the flip chip bonder according to the first embodiment will be described with reference to Fig. 6 is a flowchart illustrating a die-placing method of the flip chip bonder of FIG.

스텝 S1: 제어 장치(7)는, 픽업 헤드(21)에 의해 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업한다.Step S1: The control device 7 picks up the die D from the die feeder 1 by the pick-up head 21. Then,

스텝 S2: 제어 장치(7)는, 픽업 헤드(21)를 반전시켜, 다이(D)의 회로 형성면의 반대의 면(이면)을 위로 한다.Step S2: The control device 7 reverses the pickup head 21 so that the opposite surface (back surface) of the die D is opposite to the circuit forming surface.

스텝 S3: 제어 장치(7)는, 다이(D)를 본딩 헤드(41)에 전달한다. 즉, 본딩 헤드(41)는 픽업 헤드(21)로부터 다이(D)를 픽업한다.Step S3: The control device 7 transfers the die D to the bonding head 41. [ That is, the bonding head 41 picks up the die D from the pick-up head 21.

스텝 S4: 제어 장치(7)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 유리 기판(101)의 위치 인식 마크(PM)를 인식한다.Step S4: The control device 7 recognizes the position recognition mark PM of the glass substrate 101 by the substrate recognition camera 44. [

스텝 S5: 제어 장치(7)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 다이(D)의 회로 형성면(표면)의 패턴을 인식한다. 하부로부터 유리너머로 경사광 조명을 비추고, 다이(D)의 에지를 플레이스 직전까지 인식한다. 이때는, 동시·1 시야의 인식이 바람직하다.Step S5: The control device 7 recognizes the pattern of the circuit formation surface (surface) of the die D by the substrate recognition camera 44. [ Illuminates oblique light over the glass from the bottom and recognizes the edge of the die D until just before the place. At this time, it is preferable to recognize the simultaneous and one field of view.

스텝 S6: 제어 장치(7)는, 인식 결과를 연산한다. 위치 인식 마크(PM)를 인식해서 플레이스 위치를 산출하고, 다이(D)를 인식해서 다이 위치를 산출한다.Step S6: The control device 7 calculates the recognition result. Recognizes the position recognition mark PM, calculates the place position, recognizes the die D, and calculates the die position.

스텝 S7: 제어 장치(7)는, 연산 결과에 기초해서 본딩 헤드(41)를 이동하여, 다이(D)의 위치를 보정한다.Step S7: The control device 7 moves the bonding head 41 based on the calculation result and corrects the position of the die D.

스텝 S8: 제어 장치(7)는, 다이(D)를 워크(W) 상에 적재(플레이스)한다.Step S8: The control device 7 loads (places) the die D on the work W.

또한, 스텝 S1 전에, 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이(D)가 부착된 다이싱 테이프(16)를 유지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 링 공급부(18)에 저장하고, 플립 칩 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(7)는, 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 링 공급부(18)로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 워크(W)를 준비하고, 플립 칩 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(7)는, 기판 공급부(6K)에서 워크(W)를 반송 레일(51, 52)에 적재한다.Before the step S1, the wafer ring holding the dicing tape 16 with the die D divided from the wafer 11 is stored in the wafer ring supply unit 18, and the flip chip bonder 10 ). The control device 7 supplies the wafer ring 14 from the wafer ring supply section 18 filled with the wafer ring 14 to the die supply section 1. [ Further, the work W is prepared and brought into the flip chip bonder 10. The control device 7 loads the work W on the transport rails 51 and 52 in the substrate supply section 6K.

또한, 스텝 S8 후에, 제어 장치(7)는 기판 반출부(6H)에서 반송 레일(51, 52)로부터 다이(D)가 본딩된 워크(W)를 취출한다. 플립 칩 본더(10)로부터 워크(W)를 반출한다. 그 후, 워크(W)의 점착제(102) 상에 배치된 복수의 다이(반도체 칩)를 밀봉 수지로 일괄 밀봉함으로써, 복수의 반도체 칩과 복수의 반도체 칩을 덮는 밀봉 수지를 구비하는 밀봉체를 형성한 후, 밀봉체로부터 워크(W)를 박리하고, 계속해서 밀봉체의 워크(W)가 부착되어 있던 면 상에 재배선층을 형성해서 FOWLP를 제조한다.After step S8, the control unit 7 takes out the work W to which the die D is bonded from the conveying rails 51 and 52 at the board take-out unit 6H. The work W is taken out from the flip chip bonder 10. [ Thereafter, a plurality of dies (semiconductor chips) arranged on the pressure-sensitive adhesive 102 of the workpiece W are collectively sealed with a sealing resin so that a sealing material comprising a plurality of semiconductor chips and a sealing resin covering the plurality of semiconductor chips The workpiece W is peeled off from the sealing member and subsequently the rewiring layer is formed on the surface to which the workpiece W of the sealing member is attached to manufacture FOWLP.

<변형예><Modifications>

이하, 대표적인 변형예에 대해서, 몇 가지 예시한다. 이하의 변형예의 설명에서, 상술한 실시예에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시예와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고, 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 상술한 실시예에서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시예의 일부, 및 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에서, 적절히 복합적으로 적용될 수 있다.Hereinafter, some representative variations will be exemplified. In the description of the following modified examples, the same reference numerals as those of the above-described embodiments can be used for parts having the same configuration and function as those described in the above embodiment. It should be noted that the description of these portions can be appropriately made to the descriptions in the above-described embodiments within the scope not technically contradictory. In addition, some or all of the above-described embodiments, and all or part of the plurality of modifications, may be appropriately and complexly applied within a range not technically contradictory.

(변형예 1)(Modified Example 1)

도 7은 변형예 1에 관한 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다. 실시예 1(도 1)에서는, 워크(W)는 X 방향으로 반송되고, 다이(D)는 Y 방향으로 반송되는 장치 배치이었지만, 변형예 1에 관한 플립 칩 본더(10A)에서는, 워크(W) 및 다이(D)는 모두 X 방향으로 반송되는 장치 배치이다.7 is a schematic top view showing the layout of a flip chip bonder according to Modification 1. Fig. In the first embodiment (Fig. 1), the work W is transferred in the X direction and the die D is transferred in the Y direction. In the flip chip bonder 10A according to the first modification, And the die D are all arranged in the X direction.

다이 공급부(1)의 Y축 부방향측(도면의 하측)에 웨이퍼 링 공급부(18)가 설치되고, X축 정방향측(도면의 우측)에 본딩 위치(BP)가 설치된다. 다이 공급부(1)의 상방에 반송 레일(51, 52)이 설치되고, 워크(W)가 X축 정방향(도면의 좌측에서 우측)으로 이동하여, 기판 스테이지(46)에 보내진다. 그 후, 기판 스테이지(46)는, Y축 정방향(도면 아래에서 위)으로 이동해서 워크(W)를 본딩 위치(BP)에 반송한다. 웨이퍼 링(14)은, 웨이퍼 링 공급부(18)로부터 Y축 정방향(도면 아래에서 위)으로 반송되어, 다이 공급부(1)에 보내진다. 위치(DP)는, 픽업 헤드(21)가 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 위치(PP)는, 본딩 헤드(41)가 픽업 헤드(21)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 위치(BP)는, 본딩 헤드(41)가 다이(D)를 워크(W)에 적재하는 위치이며, 위치(WP)는, 다음 워크(W)가 대기하는 위치이다. 또한, 도 7에 도시하고 있지 않지만, 반송 레일(51, 52)의 X축 부방향측(도면의 좌측)에 기판 공급부(6K)가 배치되고, X축 정방향측(도면의 우측)에 기판 반출부(6H)가 배치된다.A wafer ring supply section 18 is provided on the Y axis direction side (lower side in the drawing) of the die supply section 1 and a bonding position BP is provided on the X axis positive side (right side of the drawing). Conveying rails 51 and 52 are provided above the die feeder 1 and the workpiece W is moved in the X-axis normal direction (left to right in the drawing) and sent to the substrate stage 46. Thereafter, the substrate stage 46 moves in the Y-axis normal direction (upward from the drawing) to transport the work W to the bonding position BP. The wafer ring 14 is conveyed from the wafer ring supply section 18 in the Y-axis positive direction (downward from the drawing) and sent to the die supply section 1. The position DP is a position at which the pick-up head 21 picks up the die D from the die supply part 1. [ The position PP is a position at which the bonding head 41 picks up the die D from the pick-up head 21. The position BP is a position at which the bonding head 41 loads the die D onto the work W and the position WP is a position where the next work W stands by. Although not shown in Fig. 7, the substrate supply unit 6K is disposed on the X-axis direction side (left side in the drawing) of the conveying rails 51 and 52, A portion 6H is disposed.

(변형예 2)(Modified example 2)

도 8은 변형예 2에 관한 플립 칩 본더의 레이아웃을 나타내는 개략 상면도이다. 실시예(도 1)에서는, 워크(W)는 X 방향으로 반송되고, 다이(D)는 Y 방향으로 반송되는 장치 배치이었지만, 변형예 2에 관한 플립 칩 본더(10B)에서는, 워크(W)는 Y 방향으로 반송되고, 다이(D)는 X 방향으로 반송되는 장치 배치이다.8 is a schematic top view showing the layout of the flip chip bonder according to the second modification. In the embodiment (Fig. 1), the work W is transported in the X direction and the die D is transported in the Y direction. In the flip chip bonder 10B according to the second modification, Is transferred in the Y direction, and the die D is transferred in the X direction.

다이 공급부(1)의 Y축 부방향측(도면의 하측)에 웨이퍼 링 공급부(18)가 설치되고, X축 정방향측(도면의 우측)에 본딩 위치(BP)가 설치된다. 워크(W)가 워크 급배부(61)로부터 Y축 정방향(도면 아래에서 위)으로 이동하여, 기판 스테이지(46)에 보내진다. 그 후, 기판 스테이지(46)는, 워크(W)를 본딩 위치(BP)에 반송한다. 본딩 후에는 기판 스테이지(46)는 워크(W)를 Y축 부방향(도면 위에서 아래)으로 반송하여, 워크(W)는 워크 급배부(61)에 보내진다. 웨이퍼 링(14)은, 웨이퍼 링 공급부(18)로부터 Y축 정방향(도면 아래에서 위)으로 반송되어, 다이 공급부(1)에 보내진다. 위치(DP)는, 픽업 헤드(21)가 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 위치(PP)는, 본딩 헤드(41)가 픽업 헤드(21)로부터 다이(D)를 픽업하는 위치이다. 위치(BP)는, 본딩 헤드(41)가 다이(D)를 워크(W)에 적재하는 위치이며, 위치(WP)는, 다음 워크(W)가 대기하는 위치이다. 변형예 2에서는, 기판 공급부(6K) 및 기판 반출부(6H) 대신에 워크 급배부(61)를 웨이퍼 링 공급부(18)의 우측 이웃에 배치하고 있으므로, 실시예 1 및 변형예 2보다도 다이 본더의 평면적을 작게 할 수 있다.A wafer ring supply section 18 is provided on the Y axis direction side (lower side in the drawing) of the die supply section 1 and a bonding position BP is provided on the X axis positive side (right side of the drawing). The work W moves from the workpiece feeding portion 61 in the Y-axis normal direction (downward from the drawing) and is sent to the substrate stage 46. Thereafter, the substrate stage 46 conveys the work W to the bonding position BP. After the bonding, the substrate stage 46 conveys the work W in the Y-axis direction (downward in the drawing), and the work W is sent to the work feeding portion 61. The wafer ring 14 is conveyed from the wafer ring supply section 18 in the Y-axis positive direction (downward from the drawing) and sent to the die supply section 1. The position DP is a position at which the pick-up head 21 picks up the die D from the die supply part 1. [ The position PP is a position at which the bonding head 41 picks up the die D from the pick-up head 21. The position BP is a position at which the bonding head 41 loads the die D onto the work W and the position WP is a position where the next work W stands by. The workpiece feeding portion 61 is disposed adjacent to the right side of the wafer ring feeding portion 18 in place of the substrate feeding portion 6K and the substrate carrying portion 6H in Modification Example 2, It is possible to reduce the planarity of the surface.

(변형예 3)(Modification 3)

도 9는 변형예 3에 관한 플립 칩 본더의 워크의 구조 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이며, 본딩 위치에서의 워크, 다이, 본딩 스테이지, 카메라, 조명의 배치를 도시하는 도면이다. 실시예 1에서는, 워크(W)는 유리 기판을 포함하고 있지만, 변형예 3에 관한 플립 칩 본더(10C)의 워크(W)는 테이프를 포함한다.9 is a cross-sectional view for explaining a structure of a work and a die place of a flip chip bonder according to Modification 3 and showing the arrangement of a work, a die, a bonding stage, a camera, and an illumination at a bonding position. In the first embodiment, the work W includes a glass substrate, but the work W of the flip chip bonder 10C according to the third modification includes a tape.

변형예 3에 관한 워크(W)는, 캐리어인 테이프(103)와 테이프(103) 상에 설치된 점착제(102)를 포함하고, 복수의 다이가 탑재 가능하다. 본딩 스테이지(BS)는 투명 기판(유리 기판)을 포함하고, 본딩 스테이지(BS)의 유리 기판의 하면측에 위치 인식 마크(PM)가 형성된다. 다이(D)는, 패턴 형성면이 아래를 향해서(페이스 다운으로) 콜릿부(42)에 흡착되어 있다. 기판 인식 카메라(44)는, 다이(D)의 바로 아래에 배치되어, 본딩 스테이지(BS), 테이프(103) 및 점착제(102)를 통해서 다이(D)의 위치를 인식한다. 따라서, 테이프(103) 및 점착제(102)는 투명하다. 복수의 경사광 조명 장치(45)는, 각각 위치 인식 마크(PM) 및 다이(D)를 비스듬히 아래로부터 광을 조사한다. 경사광 조명 장치(45)에 의해, 본딩 스테이지(BS)의 유리 기판의 정반사가 없이, 위치 인식 마크(PM) 및 다이(D)의 표면을 관측할 수 있다.The workpiece W according to Modification Example 3 includes a tape 103 as a carrier and a pressure-sensitive adhesive 102 provided on the tape 103, and a plurality of dies can be mounted thereon. The bonding stage BS includes a transparent substrate (glass substrate), and a position recognition mark PM is formed on the lower surface side of the glass substrate of the bonding stage BS. The die D is attracted to the collet portion 42 with the pattern formation surface facing downward (facedown). The substrate recognition camera 44 is disposed directly below the die D and recognizes the position of the die D via the bonding stage BS, the tape 103 and the adhesive 102. [ Therefore, the tape 103 and the pressure-sensitive adhesive 102 are transparent. The plurality of oblique light illuminating devices 45 irradiate light from obliquely below the position recognition mark PM and the die D, respectively. The oblique light illumination device 45 can observe the surface of the position recognition mark PM and the die D without specular reflection of the glass substrate of the bonding stage BS.

(변형예 4)(Variation 4)

도 10은 변형예 4에 관한 플립 칩 본더의 워크의 구조 및 다이 플레이스를 설명하기 위한 단면도이며, 본딩 위치에서의 워크, 다이, 본딩 스테이지, 카메라, 조명의 배치를 도시하는 도면이다. 변형예 4에 관한 플립 칩 본더(10D)의 워크(W)는, 실시예 1과 마찬가지의 유리 기판(104)을 포함하고 있지만, 변형예 3과 마찬가지로, 또한 워크(W)의 유리 기판(104) 아래에 투명 기판(유리 기판)을 포함하는 본딩 스테이지(BS)를 설치하고, 본딩 스테이지(BS)의 유리 기판의 하면측에 위치 인식 마크(PM)가 형성된다. 이에 의해, 다이 플레이스되는 유리 기판에는 위치 인식 마크(PM)를 형성할 필요는 없으며, 재생도 용이해진다.10 is a cross-sectional view for explaining a structure of a work of a flip chip bonder according to Modification 4 and a die place, and shows the arrangement of a work, a die, a bonding stage, a camera, and an illumination at a bonding position. The work W of the flip chip bonder 10D according to Modification Example 4 includes the same glass substrate 104 as that of Embodiment 1, A bonding stage BS including a transparent substrate (glass substrate) is provided below the glass substrate of the bonding stage BS and a positional recognition mark PM is formed on a lower surface side of the glass substrate of the bonding stage BS. Thereby, it is not necessary to form the position recognition mark PM on the glass substrate to be die-placed, and the regeneration becomes easy.

[실시예 2][Example 2]

도 11은 실시예 2에 관한 다이 본더의 개략 상면도이다. 도 12는 도 11에서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.11 is a schematic top view of the die bonder according to the second embodiment. Fig. 12 is a view for explaining the operation of the pick-up head and the bonding head when viewed in the direction of arrow A in Fig.

반도체 제조 장치인 다이 본더(10E)는, 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2E), 중간 스테이지부(3E)와, 본딩부(4E)와, 반송부(5)와, 기판 공급부(6K)와, 기판 반출부(6H)와, 각 부의 동작을 감시해서 제어하는 제어 장치(7)를 갖는다.The die bonder 10E which is a semiconductor manufacturing apparatus mainly comprises a die supply section 1, a pickup section 2E, an intermediate stage section 3E, a bonding section 4E, a carry section 5, A substrate feeding portion 6K, a substrate carrying portion 6H, and a control device 7 for monitoring and controlling the operation of each portion.

픽업부(2E)는, 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어 올려진 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿부(22)(도 12도 참조)를 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿부(22)를 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 또한, 실시예 2의 픽업부(2)는, 실시예 1과는 달리, 픽업 헤드(21)를 180도 회전해서 다이의 표리를 반전하는 기능은 갖고 있지 않다.The pick-up section 2E includes a pick-up head 21 for picking up the dies D, a Y-drive section 23 of a pick-up head for moving the pick-up head 21 in the Y- (Not shown) for rotating and moving in the X direction. The pick-up head 21 has a collet portion 22 (see Fig. 12) for sucking and holding the push-up die D at the tip thereof, picks up the die D from the die supply portion 1, (31). The pick-up head 21 has respective driving portions (not shown) for moving the collet portion 22 up, down, and move in the X-direction. Unlike the first embodiment, the pickup unit 2 of the second embodiment does not have a function of rotating the pickup head 21 by 180 degrees and inverting the front and back of the die.

중간 스테이지부(3E)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.The intermediate stage portion 3E has an intermediate stage 31 for temporarily loading the die D and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31. [

본딩부(4E)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하여, 반송되어 오는 워크(W) 상에 본딩한다. 본딩부(4E)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿부(42)(도 12도 참조)를 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 워크(W)의 위치 인식 마크(PM)(도 5 참조)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)와, 경사광 조명 장치(45)(도 5 참조)를 갖는다. 또한, 워크(W)의 검사를 행하는 기판 인식 카메라를 구비하고 있어도 된다. 워크(W)의 구성은, 실시예(도 5), 변형예 3(도 9) 및 변형예 4(도 10) 중 어느 구성이어도 상관없다. 이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하여, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초해서 워크(W)에 다이(D)를 본딩한다.The bonding section 4E picks up the dies D from the intermediate stage 31 and bonds them onto the work W to be transported. The bonding section 4E includes a bonding head 41 having a collet section 42 (see FIG. 12) for holding and holding the die D at the tip thereof in the same manner as the pick-up head 21, A substrate recognition camera 44 for picking up a position recognition mark PM (see FIG. 5) of the work W and recognizing the bonding position, a Y-drive section 43 for moving the workpiece W in the Y- (See Fig. 5). Further, a substrate recognition camera for inspecting the workpiece W may be provided. The configuration of the work W may be any of the embodiment (Fig. 5), the modification 3 (Fig. 9), and the modification 4 (Fig. 10). With this arrangement, the bonding head 41 corrects the pickup position and posture based on the image pickup data of the stage recognition camera 32, picks up the die D from the intermediate stage 31, (D) is bonded to the work (W) based on the image pickup data of the workpiece (44).

이어서, 실시예 2에 관한 다이 본더의 다이 플레이스 방법(반도체 장치의 제조 방법)에 대해서 도 13을 사용해서 설명한다. 도 13은 도 11의 다이 본더의 다이 플레이스 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.Next, the die-placing method (semiconductor device manufacturing method) of the die bonder according to the second embodiment will be described with reference to Fig. 13 is a flowchart for explaining a die-placing method of the die bonder of Fig.

스텝 S1: 제어 장치(7)는, 픽업 헤드(21)에 의해 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업한다.Step S1: The control device 7 picks up the die D from the die feeder 1 by the pick-up head 21. Then,

스텝 S2D: 제어 장치(7)는, 픽업 헤드(21)에 의해 다이(D)를 중간 스테이지(31) 상에 적재한다.Step S2D: The control device 7 loads the die D onto the intermediate stage 31 by the pick-up head 21.

스텝 S3D: 제어 장치(7)는, 다이(D)를 본딩 헤드(41)에 전달한다. 즉, 본딩 헤드(41)는 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업한다.Step S3D: The control device 7 transfers the die D to the bonding head 41. That is, the bonding head 41 picks up the die D from the intermediate stage 31.

스텝 S4: 제어 장치(7)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 유리 기판(101)의 위치 인식 마크(PM)를 인식한다.Step S4: The control device 7 recognizes the position recognition mark PM of the glass substrate 101 by the substrate recognition camera 44. [

스텝 S5: 제어 장치(7)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 다이(D)의 에지를 인식한다. 하부로부터 유리너머로 경사광 조명을 비추어, 다이(D)의 에지를 플레이스 직전까지 인식한다. 이때는, 동시·1 시야의 인식이 바람직하다.Step S5: The control device 7 recognizes the edge of the die D by the board recognition camera 44. The edge of the die (D) is recognized until just before the place by illuminating oblique light from the bottom over the glass. At this time, it is preferable to recognize the simultaneous and one field of view.

스텝 S6: 제어 장치(7)는, 인식 결과를 연산한다. 위치 인식 마크(PM)를 인식해서 플레이스 위치를 산출하고, 다이(D)를 인식해서 다이 위치를 산출한다.Step S6: The control device 7 calculates the recognition result. Recognizes the position recognition mark PM, calculates the place position, recognizes the die D, and calculates the die position.

스텝 S7: 제어 장치(7)는, 연산 결과에 기초하여, 본딩 헤드(41)를 이동하고, 다이(D)의 위치를 보정한다.Step S7: The control device 7 moves the bonding head 41 and corrects the position of the die D based on the calculation result.

스텝 S8: 제어 장치(7)는, 다이(D)를 워크(W) 상에 적재(플레이스)한다.Step S8: The control device 7 loads (places) the die D on the work W.

또한, 스텝 S1보다 앞의 동작은, 실시예 1의 동작과 마찬가지이다. 또한, 본딩 후의 워크(W)의 취출 반출 동작은 실시예 1과 마찬가지이다. FOWLP는 실시예 1과 마찬가지로 제조된다.The operation before step S1 is the same as the operation of the first embodiment. The take-out and take-out operation of the workpiece W after bonding is similar to that of the first embodiment. FOWLP was prepared in the same manner as in Example 1.

실시예 및 변형예에서는, 워크가 유리 기판인 경우에는, 워크 또는 투명성을 확보한 스테이지에 정해진 패키지 사이즈의 표시(위치 인식 마크)를 붙이고, 워크가 테이프인 경우에는, 투명성을 확보한 스테이지에 패키지 사이즈의 표시를 붙인다. 이에 의해, 워크너머로 인식·실장이 가능해지고, 플레이스 직전까지 다이 위치를 인식·보정을 할 수 있다. 따라서, 최종적으로 박리되는 유리나 테이프 상에 다이를 고정밀도로 플레이스할 수 있다. 워크가 유리이면 위치 인식 마크를 고정밀도로 제작할 수 있으며, 재이용도 가능하다.In the embodiment and the modified example, when the work is a glass substrate, display of a predetermined package size (position recognition mark) is attached to the work or the stage securing transparency, and when the work is a tape, We attach mark of size. As a result, recognition and mounting can be performed over the work, and the die position can be recognized and corrected just before the place. Therefore, the die can be placed on the glass or tape to be finally peeled with high precision. If the work is glass, the position recognition mark can be produced with high accuracy and can be reused.

또한, 페이스 다운(Face Down)의 경우에는, 또한 유리너머로 다이 표면의 패턴을 인식해서 위치 정렬을 행할 수 있다. 이에 의해, 플레이스하는 기준의 정밀도를 보다 높게 유지할 수 있다. 플레이스의 정밀도가 좋아짐으로써, FOWLP의 재배선층을 용이하게 할 수 있다.Further, in the case of face down, positional alignment can be performed by recognizing the pattern of the die surface over the glass. Thereby, the accuracy of the reference to be placed can be kept higher. By improving the precision of the place, the rewiring layer of the FOWLP can be easily made.

이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.While the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments and the modified examples, the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and needless to say, various modifications are possible.

예를 들어, 실시예에서는 유리 기판의 하면측에 위치 인식 마크(PM)를 형성해서 행하고 있지만, 레이저광의 조사 등으로 일시적으로 위치 인식 마크(PM)를 형성해서 다이(D)의 위치 인식을 행해도 된다. 이에 의해, 다이 플레이스되는 유리 기판에는 위치 인식 마크(PM)를 형성할 필요가 없으며, 재생도 용이해지고, 품종 교환 등에 의해 다이 사이즈나 다이 플레이스 위치의 변경도 레이저 조사 위치의 데이터 변경 등으로 가능하게 되어, 작업을 간략화할 수 있다.For example, in the embodiment, the position recognition mark PM is formed on the lower surface side of the glass substrate. However, the position recognition mark PM is temporarily formed by irradiation with laser light or the like to recognize the position of the die D . Thereby, it is not necessary to form the position recognition mark PM on the die-placed glass substrate and it is easy to regenerate, and the die size and the die position can be changed by the kind exchange or the like, So that the operation can be simplified.

또한, 유리 기판의 하면측의 위치 인식 마크(PM)는, 다이 플레이스되는 기판이나, 테이프를 포함하는 워크의 투명 유리제의 장치 스테이지가 아니라, 품종마다의 투명 유리제의 위치 인식 마크(PM)를 형성한 위치 인식 기판을 사용해도 된다. 이에 의해, 품종 교환 시에는 이 위치 인식 기판을 교환함으로써 간편하게 행할 수 있고, 자동 교환 등도 용이해진다.The position recognition mark PM on the lower surface side of the glass substrate forms the position recognition mark PM made of transparent glass for each type of product instead of the device stage of the transparent glass of the substrate to be die- A position-recognizing substrate may be used. Thus, at the time of product type exchange, the position recognition board can be easily exchanged, and automatic exchange and the like can be facilitated.

또한, 위치 인식 기판은 실시예의 다이 플레이스되는 유리 기판을 사용해도 된다.Further, the position-recognizing substrate may be a glass substrate on which the embodiment is to be placed.

1: 다이 공급부
2: 픽업부
21: 픽업 헤드
22: 콜릿부
3: 반전 기구부
4: 본딩부
41: 본딩 헤드
42: 콜릿부
44: 기판 인식 카메라
45: 경사광 조명 장치
7: 제어 장치
10: 플립 칩 본더
10E: 다이 본더
11: 웨이퍼
13: 밀어올림 유닛
D: 다이
W: 워크
101: 유리 기판
102: 점착제
103: 테이프
104: 유리 기판
PM: 위치 인식 마크
BS: 본딩 스테이지1:
2: Pickup section
21: Pickup head
22: Collet portion
3:
4:
41: bonding head
42: Collet portion
44: Substrate recognition camera
45: inclined light illumination device
7: Control device
10: flip chip bonder
10E: die bonder
11: wafer
13: Push-up unit
D: Die
W: Walk
101: glass substrate
102: Adhesive
103: tape
104: glass substrate
PM: Position recognition mark
BS: Bonding stage

Claims (18)

반도체 제조 장치에 있어서,
다이 공급부와,
상기 다이 공급부로부터 다이를 픽업해서 상하 반전시키는 픽업 헤드와,
상기 픽업 헤드로부터 상기 다이를 픽업해서 상기 다이의 회로 형성면을 아래로 해서 투명한 기판의 상면에 상기 다이를 적재하는 본딩 헤드와,
상기 다이를 상기 기판에 적재할 때의 상기 다이의 위치를 인식하기 위한 기준 마크와,
상기 기판의 하방으로부터 상기 다이 및 상기 기준 마크를 촬상하는 카메라와,
상기 다이 및 상기 기준 마크를 비스듬히 하방으로부터 광을 조사하는 조명 장치
를 구비하는, 반도체 제조 장치.In a semiconductor manufacturing apparatus,
A die supply section,
A pick-up head for picking up a die from the die supply unit and inverting the die,
A bonding head for picking up the die from the pick-up head and placing the die on the upper surface of the transparent substrate with the circuit forming surface of the die down,
A reference mark for recognizing the position of the die when the die is loaded on the substrate,
A camera for picking up the die and the reference mark from below the substrate;
An illumination device for irradiating the die and the reference mark obliquely from below;
And a semiconductor manufacturing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 기판은 유리 기판과 상기 유리 기판의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고,
상기 기준 마크는 상기 유리 기판의 하면측에 구비하는, 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate comprises a glass substrate and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the glass substrate,
And the reference mark is provided on a lower surface side of the glass substrate. 제1항에 있어서,
상기 카메라의 상방에 위치하는 투명한 스테이지를 더 구비하고,
상기 기판은 테이프와 상기 테이프의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고,
상기 기준 마크는 상기 스테이지의 하면에 구비하는, 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a transparent stage positioned above the camera,
Wherein the substrate has a tape and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the tape,
And the reference mark is provided on a lower surface of the stage. 제1항에 있어서,
웨이퍼 링을 저장하는 웨이퍼 링 공급부와,
기판 공급부와,
기판 반출부
를 더 구비하고,
상기 웨이퍼 링은, 상기 웨이퍼 링 공급부로부터 제1 방향으로 반송되어 상기 다이 공급부에 보내지고,
상기 기판은, 상기 기판 공급부로부터 상기 제1 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 다이는, 상기 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 다이가 적재된 상기 기판은, 상기 본딩 위치로부터 상기 제1 방향으로 반송되어 상기 기판 반출부에 보내지는, 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
A wafer ring supply for storing the wafer ring,
A substrate supply unit,
The substrate-
Further comprising:
Wherein the wafer ring is conveyed in the first direction from the wafer ring supply unit and is sent to the die supply unit,
Wherein the substrate is transported in the first direction from the substrate supply unit and is sent to a bonding position,
The die is transported in a second direction different from the first direction and is sent to the bonding position,
Wherein the substrate on which the die is mounted is transported in the first direction from the bonding position and is sent to the substrate carry-out section. 제1항에 있어서,
웨이퍼 링을 저장하는 웨이퍼 링 공급부와,
기판 공급부와,
기판 반출부
를 더 구비하고,
상기 기판은, 상기 기판 공급부로부터 제1 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 다이는, 상기 제1 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 다이가 적재된 상기 기판은, 상기 본딩 위치로부터 상기 제1 방향으로 반송되어 상기 기판 반출부에 보내지고,
상기 웨이퍼 링은, 상기 웨이퍼 링 공급부로부터 상기 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 반송되어 상기 다이 공급부에 보내지는, 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
A wafer ring supply for storing the wafer ring,
A substrate supply unit,
The substrate-
Further comprising:
The substrate is transported in the first direction from the substrate supply unit and is sent to the bonding position,
The die is transported in the first direction and sent to the bonding position,
Wherein the substrate on which the die is loaded is transported in the first direction from the bonding position and is sent to the substrate carry-
Wherein the wafer ring is transported from the wafer ring supply unit in a second direction different from the first direction and is sent to the die supply unit. 제1항에 있어서,
웨이퍼 링을 저장하는 웨이퍼 링 공급부와,
기판 급배부
를 더 구비하고,
상기 다이는, 제1 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 웨이퍼 링은, 상기 웨이퍼 링 공급부로부터 상기 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 반송되어 상기 다이 공급부에 보내지고,
상기 기판은 상기 기판 급배부로부터 제2 방향으로 반송되어 본딩 위치에 보내지고,
상기 다이가 적재된 기판은, 상기 본딩 위치로부터 상기 제2 방향과는 반대 방향으로 반송되어 상기 기판 급배부에 보내지는, 반도체 제조 장치.The method according to claim 1,
A wafer ring supply for storing the wafer ring,
Substrate feeding portion
Further comprising:
The die is transported in a first direction and sent to a bonding position,
The wafer ring is transferred from the wafer ring supply unit in a second direction different from the first direction and is sent to the die supply unit,
The substrate is transported in the second direction from the substrate feeding portion and is sent to the bonding position,
Wherein the substrate on which the die is mounted is transported in a direction opposite to the second direction from the bonding position and is sent to the substrate feeding portion. 반도체 제조 장치에 있어서,
다이 공급부와,
상기 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 픽업 헤드와,
상기 픽업 헤드가 픽업한 다이가 적재되는 중간 스테이지와,
상기 중간 스테이지에 적재된 다이를 픽업해서 상기 다이의 회로 형성면을 위로 해서 투명한 기판의 상면에 상기 다이를 적재하는 본딩 헤드와,
상기 다이를 상기 기판에 적재할 때의 상기 다이의 위치를 인식하기 위한 기준 마크와,
상기 기판의 하방으로부터 상기 다이 및 상기 기준 마크를 촬상하는 카메라와,
상기 다이 및 상기 기준 마크를 비스듬히 하방으로부터 광을 조사하는 조명 장치
를 구비하는, 반도체 제조 장치.In a semiconductor manufacturing apparatus,
A die supply section,
A pick-up head for picking up a die from the die supply unit,
An intermediate stage on which the pickup picked up by the pickup head is loaded,
A bonding head for picking up the die loaded on the intermediate stage and placing the die on the upper surface of the transparent substrate with the circuit forming surface of the die raised,
A reference mark for recognizing the position of the die when the die is loaded on the substrate,
A camera for picking up the die and the reference mark from below the substrate;
An illumination device for irradiating the die and the reference mark obliquely from below;
And a semiconductor manufacturing apparatus. 제7항에 있어서,
상기 기판은, 유리 기판과 상기 유리 기판의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고,
상기 기준 마크는, 상기 유리 기판의 하면측에 구비하는, 반도체 제조 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the substrate comprises a glass substrate and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the glass substrate,
Wherein the reference mark is provided on a lower surface side of the glass substrate. 제7항에 있어서,
상기 카메라의 상방에 위치하는 투명한 스테이지를 더 구비하고,
상기 기판은, 테이프와 상기 테이프의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고,
상기 기준 마크는, 상기 스테이지의 하면에 구비하는, 반도체 제조 장치.8. The method of claim 7,
Further comprising a transparent stage positioned above the camera,
Wherein the substrate includes a tape and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the tape,
Wherein the reference mark is provided on a lower surface of the stage. 제7항에 있어서,
상기 기판은, 유리 기판과 상기 유리 기판의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고,
상기 카메라의 상방에 위치하는 투명한 스테이지를 구비하고,
상기 기준 마크는, 상기 스테이지의 하면에 구비하는, 반도체 제조 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the substrate comprises a glass substrate and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the glass substrate,
And a transparent stage located above the camera,
Wherein the reference mark is provided on a lower surface of the stage. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
(a) 다이 및 기준 마크를 촬상하는 카메라와, 상기 다이 및 상기 기준 마크를 비스듬히 하방으로부터 광을 조사하는 조명 장치를 구비하는 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
(b) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 유지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
(c) 유리 기판과 상기 유리 기판의 상면에 설치되는 점착제를 구비하고, 상기 기준 마크를 상기 유리 기판의 하면측에 구비하는 기판을 준비하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하는 공정과,
(e) 픽업된 상기 다이를 상기 기판에 적재하는 공정
을 구비하고,
상기 (e) 공정은, 픽업된 상기 다이 및 상기 기준 마크를 상기 카메라에 의해 상기 기판의 하방으로부터 촬상하면서, 픽업된 상기 다이를 상기 기판의 상면에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device,
(a) a step of preparing a semiconductor manufacturing apparatus including a camera for imaging a die and a reference mark, and an illumination device for diagonally irradiating the die and the reference mark from below,
(b) preparing a wafer ring holding a dicing tape having a die,
(c) preparing a substrate having a glass substrate and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the glass substrate, the substrate having the reference mark on a lower surface side of the glass substrate,
(d) picking up the die from the wafer ring,
(e) a step of loading the picked-up die onto the substrate
And,
Wherein the step of (e) picks up the picked-up die and the reference mark from below the substrate by the camera, and loads the picked-up die onto the upper surface of the substrate. 제11항에 있어서,
상기 (d) 공정은, 픽업한 상기 다이를 상하 반전시키는 공정을 더 갖고,
상기 (e) 공정은, 상하 반전된 상기 다이를 픽업하여, 상기 다이의 회로 형성면을 아래로 상기 기판에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The step (d) further includes a step of vertically inverting the picked-up die,
Wherein the step (e) picks up the vertically inverted die, and loads the circuit formation surface of the die down onto the substrate. 제11항에 있어서,
상기 (d) 공정은, 픽업한 상기 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정을 더 갖고,
상기 (e) 공정은, 상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이를 픽업하여, 상기 다이의 회로 형성면을 위로 상기 기판에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The step (d) further includes a step of loading the picked-up die onto the intermediate stage,
Wherein the step (e) picks up the die loaded on the intermediate stage and loads the circuit forming surface of the die onto the substrate. 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 (e) 공정은, 상기 카메라의 인식 결과에 기초해서 픽업된 상기 다이의 위치를 보정해서 상기 기판에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 12 or 13,
Wherein the step (e) corrects the position of the die picked up based on the recognition result of the camera and loads the die on the substrate. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
(a) 다이 및 본딩 스테이지에 구비하는 기준 마크를 촬상하는 카메라와, 상기 다이 및 상기 기준 마크를 비스듬히 하방으로부터 광을 조사하는 조명을 구비하는 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
(b) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 유지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
(c) 테이프와 상기 테이프의 상면에 설치되는 점착제를 구비하는 기판을 준비하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼 링으로부터 상기 다이를 픽업하는 공정과,
(e) 픽업된 상기 다이를 상기 기판에 적재하는 공정
을 구비하고,
상기 (e) 공정은, 픽업된 상기 다이 및 상기 기준 마크를 상기 카메라에 의해 상기 기판의 하방으로부터 촬상하면서, 픽업된 상기 다이를 상기 기판의 상면에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device,
(a) a step of preparing a semiconductor manufacturing apparatus having a camera for picking up a reference mark provided on a die and a bonding stage, and illumination for irradiating the die and the reference mark obliquely from below with light,
(b) preparing a wafer ring holding a dicing tape having a die,
(c) preparing a substrate having a tape and a pressure-sensitive adhesive provided on an upper surface of the tape,
(d) picking up the die from the wafer ring,
(e) a step of loading the picked-up die onto the substrate
And,
Wherein the step of (e) picks up the picked-up die and the reference mark from below the substrate by the camera, and loads the picked-up die onto the upper surface of the substrate. 제15항에 있어서,
상기 (d) 공정은, 픽업한 상기 다이를 상하 반전하는 공정을 더 갖고,
상기 (e) 공정은, 상하 반전된 상기 다이를 픽업하는, 반도체 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
The step (d) further includes a step of vertically inverting the picked-up die,
The step (e) picks up the die that has been vertically inverted. 제15항에 있어서,
상기 (d) 공정은, 픽업한 상기 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정을 더 갖고,
상기 (e) 공정은, 상기 중간 스테이지에 적재된 상기 다이를 픽업하는, 반도체 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
The step (d) further includes a step of loading the picked-up die onto the intermediate stage,
The step (e) picks up the die loaded on the intermediate stage. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 (e) 공정은, 상기 카메라의 인식 결과에 기초해서 픽업된 상기 다이의 위치를 보정해서 상기 기판에 적재하는, 반도체 장치의 제조 방법.18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein the step (e) corrects the position of the die picked up based on the recognition result of the camera and loads the die on the substrate.
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