KR20190038754A - Material deposition arrangement, vacuum deposition system, and methods therefor - Google Patents

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애나벨 호프만
안드레아스 사우어
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트가 설명된다. 재료 증착 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 개구들을 갖는 제1 증착 소스; 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 갖는 제2 증착 소스; 및 하나 또는 그 초과의 제1 개구들, 하나 또는 그 초과의 제2 개구들, 및 제1 파크 포지션으로 일정 각도만큼 이동가능하도록 구성된 적어도 제1 셔터를 갖는 셔터 어레인지먼트를 포함한다.Material deposition arrangements for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber are described. The material deposition arrangement may include a first deposition source having one or more first openings; A second deposition source having one or more second openings; And a shutter arrangement having one or more first apertures, one or more second apertures, and at least a first shutter configured to be movable by a certain angle to the first park position.

Description

재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템, 및 이를 위한 방법들Material deposition arrangement, vacuum deposition system, and methods therefor

[0001] 본 개시내용의 실시예들은 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들, 특히 유기 재료들을 포함하는 층들을 증착하기 위한 증착 장치들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은, 특히 OLED 제조를 위한, 진공 증착 챔버에서 기판 상에 증발 재료(evaporated material)를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(arrangement)들, 진공 증착 시스템들, 및 이를 위한 방법들에 관한 것이다. 추가로, 실시예들은 재료 증착 어레인지먼트들의 컨디셔닝(conditioning)에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to deposition apparatuses for depositing one or more layers on a substrate, in particular layers comprising organic materials. In particular, embodiments of the present disclosure relate to material deposition arrangements for depositing evaporated material on a substrate in a vacuum deposition chamber, particularly for OLED manufacturing, vacuum deposition systems, and methods therefor Lt; / RTI > Additionally, embodiments relate to conditioning of material deposition arrangements.

[0002] 유기 증발기들은 유기 발광 다이오드(OLED)들의 생산을 위한 툴이다. OLED들은 발광 층이 특정한 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특수한 타입의 발광 다이오드이다. 유기 발광 다이오드(OLED)들은 정보를 디스플레이하기 위한, 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드 디바이스들 등의 제조에서 사용된다. OLED들은 또한, 일반 공간 조명을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들에서 가능한 컬러 범위, 휘도, 및 시야각들은 종래의 LCD 디스플레이들의 컬러 범위, 휘도, 및 시야각들보다 더 큰데, 이는 OLED 픽셀들이 광을 직접적으로 방출하고, 백라이트를 필요로 하지 않기 때문이다. 따라서, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 종래의 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 더 적다. 추가로, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가적인 애플리케이션들을 발생시킨다.[0002] Organic evaporators are tools for the production of organic light emitting diodes (OLEDs). OLEDs are special types of light emitting diodes in which the light emitting layer comprises a thin film of certain organic compounds. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of television screens, computer monitors, mobile phones, other hand-held devices, etc. for displaying information. OLEDs can also be used for general spatial illumination. Possible color ranges, brightness, and viewing angles in OLED displays are larger than the color range, brightness, and viewing angles of conventional LCD displays because OLED pixels emit light directly and do not require a backlight. Thus, the energy consumption of OLED displays is significantly less than the energy consumption of conventional LCD displays. In addition, the fact that OLEDs can be fabricated on flexible substrates creates additional applications.

[0003] OLED 재료들은 종종 동시-증발(co-evaporate)된다. 2개 또는 그 초과의 재료들, 예컨대 3개의 재료들이 증발되어 디바이스의 층 구조 중 하나의 층을 형성한다. 2개 또는 그 초과의 증발 소스들을 갖는 소스 조립체가 동시-증발을 위해 사용될 수 있다. 동시-증발은 하나의 층을 증착하기 위한 2개 또는 그 초과의 증발 소스들의 증발 레이트들을 제어하는 데 있어서 난해하다. 제1 증발 소스의 증발 레이트와 제2 증발 소스의 증발 레이트가 서로에 대해 적응될 필요가 있다. 추가로, 예컨대, 라인 소스(line source)들, 즉 증발 재료의 라인을 생성하는 소스들, 및 영역 소스(area source)들, 즉 증발 재료의 2-차원 영역을 생성하는 소스들의 경우에, 증발 소스들의 개별적인 균일성이 중요하다.[0003] OLED materials are often co-evaporated. Two or more materials, such as three materials, are evaporated to form one layer of the layer structure of the device. A source assembly having two or more evaporation sources may be used for co-evaporation. Simultaneous evaporation is difficult to control the evaporation rates of two or more evaporation sources for depositing one layer. The evaporation rate of the first evaporation source and the evaporation rate of the second evaporation source need to be adapted to each other. In addition, for example, in the case of line sources, i. E. Sources that produce lines of evaporation material, and source sources that generate two-dimensional regions of area sources, i. E. Evaporation material, The individual uniformity of the sources is important.

[0004] 상기된 바를 고려하여, 재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템, 및 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하기 위한 방법이 제공된다.[0004] In view of the foregoing, a method is provided for conditioning a material deposition arrangement, a vacuum deposition system, and a material deposition arrangement.

[0005] 일 예에 따르면, 진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트가 제공된다. 재료 증착 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 개구들을 갖는 제1 증착 소스; 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 갖는 제2 증착 소스; 및 하나 또는 그 초과의 제1 개구들, 하나 또는 그 초과의 제2 개구들, 및 제1 파크 포지션(park position)으로 일정 각도(an angle)만큼 이동가능하도록 구성된 적어도 제1 셔터를 갖는 셔터 어레인지먼트를 포함한다.[0005] According to one example, a material deposition arrangement for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber is provided. The material deposition arrangement may include a first deposition source having one or more first openings; A second deposition source having one or more second openings; And a shutter arrangement having at least a first shutter configured to be movable by an angle to one or more first apertures, one or more second apertures, and a first park position, .

[0006] 일 예에 따르면, 진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트가 제공된다. 재료 증착 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 개구들을 갖는 제1 증착 소스; 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 갖는 제2 증착 소스; 및 하나 또는 그 초과의 제1 개구들, 또는 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 선택적으로 덮기 위해, 일정 각도만큼 이동가능하거나 또는 일정 각도만큼 회전가능하도록 구성된 적어도 제1 셔터를 갖는 셔터 어레인지먼트를 포함한다. 부가적으로, 제1 파크 포지션이 제공될 수 있다.[0006] According to one example, a material deposition arrangement for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber is provided. The material deposition arrangement may include a first deposition source having one or more first openings; A second deposition source having one or more second openings; And a shutter arrangement having at least a first shutter configured to be movable by a certain angle or configured to be able to rotate by a certain angle to selectively cover one or more of the first apertures, or one or more of the second apertures do. Additionally, a first park position may be provided.

[0007] 일 예에 따르면, 진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트가 제공된다. 재료 증착 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 개구들을 갖는 제1 증착 소스; 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 갖는 제2 증착 소스; 제1 셔터; 및 하나 또는 그 초과의 제1 개구들의 전방으로 그리고 하나 또는 그 초과의 제2 개구들의 전방으로 일정 각도만큼 제1 셔터를 이동시키기 위한 액추에이터를 포함한다.[0007] According to one example, a material deposition arrangement for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber is provided. The material deposition arrangement may include a first deposition source having one or more first openings; A second deposition source having one or more second openings; A first shutter; And an actuator for moving the first shutter by a certain angle forward of one or more of the first openings and forward of one or more of the second openings.

[0008] 일 예에 따르면, 진공 증착 시스템이 제공된다. 시스템은 진공 증착 챔버; 및 재료 증착 어레인지먼트를 포함한다. 재료 증착 어레인지먼트는 본원에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따라 제공될 수 있다. 예컨대, 재료 증착 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 제1 개구들을 갖는 제1 증착 소스; 하나 또는 그 초과의 제2 개구들을 갖는 제2 증착 소스; 제1 셔터; 및 하나 또는 그 초과의 제1 개구들의 전방으로 그리고 하나 또는 그 초과의 제2 개구들의 전방으로 일정 각도만큼 제1 셔터를 이동시키기 위한 액추에이터를 포함한다.[0008] According to one example, a vacuum deposition system is provided. The system includes a vacuum deposition chamber; And material deposition arrangement. Material deposition arrangements may be provided according to any of the embodiments described herein. For example, the material deposition arrangement may comprise a first deposition source having one or more first openings; A second deposition source having one or more second openings; A first shutter; And an actuator for moving the first shutter by a certain angle forward of one or more of the first openings and forward of one or more of the second openings.

[0009] 일 예에 따르면, 적어도 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 갖는 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 셔터를 이용하여 제1 증착 소스에서 재료들을 차단하는 단계; 제2 증착 소스를 컨디셔닝하는 단계; 제2 증착 소스로 일정 각도만큼 셔터를 이동시키는 단계; 제2 증착 소스에서 재료를 차단하는 단계; 제2 증착 소스를 컨디셔닝하는 단계; 일정 각도만큼 셔터를 이동시키는 단계; 및 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스의 동시-증발에 의해 기판 상에 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.[0009] According to one example, a method is provided for conditioning a material deposition arrangement having at least a first deposition source and a second deposition source. The method comprising: blocking materials at a first deposition source using a shutter; Conditioning a second deposition source; Moving the shutter by a predetermined angle to a second deposition source; Blocking material at a second deposition source; Conditioning a second deposition source; Moving the shutter by a predetermined angle; And depositing a material layer on the substrate by co-evaporation of a first deposition source and a second deposition source.

[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에서 활용될 수 있는 재료 증착 어레인지먼트, 예컨대 증발 소스의 개략적인 측단면도를 도시한다.
도 2a는 본원에서 설명되는 실시예들에서 활용될 수 있는 재료 증착 어레인지먼트, 예컨대 소스 조립체의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 셔터를 갖는 재료 증착 어레인지먼트의 개략적인 부분도를 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 셔터들이 상이한 포지션들에 있는 것으로 도시된, 재료 증착 어레인지먼트의 개략도들을 도시한다.
도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 2개의 셔터들을 갖는 재료 증착 어레인지먼트의 개략적인 부분 투시도를 도시한다.
도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 다른 재료 증착 어레인지먼트의 개략도를 도시한다.
도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트의 개략도를 도시한다.
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 측면 차폐부와 대면하는 증착 소스 및 지지부를 갖는 재료 증착 어레인지먼트의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 8은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략도를 도시한다.
도 9는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 재료 증착 어레인지먼트를 동작시키기 위한 방법 또는 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하는 방법 각각을 예시하는 흐름도를 도시한다.[0010] In the manner in which the above-recited features of the present disclosure can be understood in detail, a more particular description of the present disclosure, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
Figure 1 shows a schematic side cross-sectional view of a material deposition arrangement, e.g., an evaporation source, that may be utilized in the embodiments described herein.
2A shows a schematic cross-sectional view of a material deposition arrangement, e.g., a source assembly, that may be utilized in the embodiments described herein.
Figure 2B shows a schematic partial view of a material deposition arrangement with a shutter, according to embodiments described herein.
Figures 3A-3C illustrate schematic diagrams of material deposition arrangements, illustrated in which the shutters are at different positions, in accordance with the embodiments described herein.
Figure 4 shows a schematic partial perspective view of a material deposition arrangement with two shutters, in accordance with the embodiments described herein.
Figure 5 shows a schematic diagram of another material deposition arrangement in accordance with the embodiments described herein.
6 shows a schematic view of a material deposition arrangement according to embodiments described herein.
Figure 7 shows a schematic side view of a material deposition arrangement having a deposition source and a support facing a side shield, in accordance with embodiments described herein.
Figure 8 shows a schematic view of a vacuum deposition system in accordance with embodiments described herein.
9 illustrates a flow diagram illustrating each method for operating a material deposition arrangement or method for conditioning a material deposition arrangement, according to embodiments described herein.

[0011] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 각각의 도면에 예시된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 제한으로 의도되지 않는다. 예컨대, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해 임의의 다른 실시예와 함께 또는 임의의 다른 실시예에 대해 사용될 수 있다. 본 개시내용이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다.[0011] Reference will now be made in detail to various embodiments, and one or more examples of various embodiments thereof are illustrated in the figures. Each example is provided as an illustration, and is not intended as a limitation. For example, features illustrated or described as part of an embodiment may be used with any other embodiment or for any other embodiment to yield further embodiments. It is intended that the disclosure cover such modifications and variations.

[0012] 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 다르게 특정되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에도 마찬가지로 적용될 수 있다.[0012] In the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same or similar components. In general, only differences for the individual embodiments are described. Unless otherwise specified, the description of parts or aspects in one embodiment may be applied to corresponding parts or aspects in other embodiments as well.

[0013] 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들을 위해 활용될 수 있는 재료 증착 어레인지먼트(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 특히, 재료 증착 어레인지먼트는 진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하도록 구성된다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 재료 증착 어레인지먼트는 재료를 증발시키도록 구성된 도가니(crucible)(110)를 갖는 적어도 하나의 재료 증착 소스(105)를 포함한다. 추가로, 재료 증착 어레인지먼트는 분배 조립체(120), 예컨대 분배 파이프를 포함한다. 분배 조립체는 기판으로 증발 재료를 제공하도록 구성된다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 증착 소스의 분배 조립체(120)는 분배 파이프를 포함할 수 있으며, 그 분배 파이프에는 분배 파이프의 길이를 따라 하나 또는 그 초과의 배출구들 또는 개구들(126)이 제공된다. 전형적으로, 분배 조립체(120)는 도가니(110)에 연결된다.[0013] Figure 1 shows a schematic cross-sectional view of a material deposition arrangement 100 that may be utilized for the embodiments described herein. In particular, the material deposition arrangement is configured to deposit material on a substrate in a vacuum deposition chamber. As illustrated illustratively in FIG. 1, the material deposition arrangement includes at least one material deposition source 105 having a crucible 110 configured to evaporate material. Additionally, the material deposition arrangement includes a distribution assembly 120, such as a distribution pipe. The dispensing assembly is configured to provide an evaporation material to the substrate. 1, the dispensing assembly 120 of at least one deposition source may include a dispensing pipe having one or more outlets or openings along the length of the dispensing pipe, Are provided. Typically, the dispensing assembly 120 is connected to the crucible 110.

[0014] 특히, 분배 조립체(120)의 하단에 개구(113)가 제공될 수 있다. 예컨대, 분배 조립체(120)의 하단에 제공된 개구(113)는, 예컨대 도가니의 상단 벽에 제공된 개구를 통해, 도가니(110)와의 유체 연통을 가능하게 하도록 배열 및 구성될 수 있다.[0014] In particular, an opening 113 may be provided at the lower end of the dispensing assembly 120. For example, the opening 113 provided at the lower end of the distribution assembly 120 may be arranged and configured to enable fluid communication with the crucible 110, for example, through an opening provided in the top wall of the crucible.

[0015] 도가니(110)는 분배 조립체와 유체 연통한다. 증발 재료는 분배 조립체에서 기판 쪽으로 가이딩된다. 예컨대, 분배 조립체(120)는 개구들(126)을 통해 기판(도 1에 도시되지 않음) 상으로 증발 재료를 지향시킨다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트는 라인 소스를 포함할 수 있다. 개구들(126)은 일렬로 배열될 수 있다. 분배 조립체(120)에 의해 라인-형상 증기 플룸(plume)이 생성된다. 라인 소스는, 예컨대 라인의 방향에 수직으로 이동될 수 있다. 라인 소스를 이동시키는 것은 직사각형 기판 상으로의 증발 재료의 증착을 가능하게 한다.[0015] The crucible 110 is in fluid communication with the dispensing assembly. The evaporation material is guided toward the substrate in the dispense assembly. For example, the dispensing assembly 120 directs the evaporation material onto the substrate (not shown in FIG. 1) through the openings 126. According to embodiments of the present disclosure, the material deposition arrangement may comprise a line source. The openings 126 may be arranged in a row. A dispense assembly 120 creates a line-shaped vapor plume. The line source can be moved, for example, perpendicular to the direction of the line. Moving the line source enables the deposition of evaporation material onto a rectangular substrate.

[0016] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 셔터 또는 셔터 조립체는 또한, 포인트 소스(point source)들을 위해 제공될 수 있다.[0016] According to further embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a shutter or shutter assembly in accordance with the embodiments described herein may also be provided for point sources.

[0017] 도 2a는 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트의 더 상세한 개략적인 평면 단면도를 도시한다. 특히, 도 2a는 제1 증착 소스(105A), 제2 증착 소스(105B) 및 제3 증착 소스(105C)를 포함하는 재료 증착 어레인지먼트의 평면 단면도를 도시한다. 3개의 분배 조립체들, 예컨대 분배 파이프들, 및 대응하는 증발 도가니들이 서로 나란히 제공될 수 있다. 따라서, 재료 증착 어레인지먼트는, 예컨대 하나 초과의 종류의 재료가 동시에 증발될 수 있는 증발 소스 어레이로서 제공될 수 있다. 동시-증발은, 예컨대 OLED 디스플레이 제조 동안에, 재료 층들을 증착하기 위해 사용될 수 있다. 재료 증착 어레인지먼트는 2개 또는 그 초과의 증착 소스들(105)을 포함할 수 있다.[0017] Figure 2a shows a more detailed schematic plan cross-sectional view of a material deposition arrangement in accordance with further embodiments described herein. In particular, FIG. 2A shows a planar cross-sectional view of a material deposition arrangement including a first deposition source 105A, a second deposition source 105B, and a third deposition source 105C. Three distribution assemblies, e.g., distribution pipes, and corresponding evaporation crucibles may be provided in parallel with each other. Thus, the material deposition arrangement can be provided, for example, as an evaporation source array in which more than one kind of material can be evaporated at the same time. Simultaneous evaporation can be used to deposit the material layers, e.g. during OLED display manufacturing. The material deposition arrangement may comprise two or more deposition sources 105.

[0018] 재료 증착 어레인지먼트, 즉 증착 소스들은 재료 증착을 위한 프로세스 조건들을 제공하기 위해 컨디셔닝된다. 재료 증착 어레인지먼트의 증착 소스들을 서로 독립적으로 컨디셔닝하는 것이 유익하다. 예컨대, 증착 소스의 재료 증발의 균일성은 재료 증착 어레인지먼트의 증착 소스들 각각에 대해 독립적으로 고려된다. 증착 소스의 균일성은, 예컨대, 개구들(126)의 라인을 따르는 균일성으로서 고려될 수 있다. 균일성은 라인 소스의 라인을 따라 평가 및/또는 조정될 수 있다.[0018] Material deposition arrangements, i.e. deposition sources, are conditioned to provide process conditions for material deposition. It is advantageous to condition the deposition sources of the material deposition arrangement independently of each other. For example, the uniformity of material evaporation of the deposition source is considered independently for each of the deposition sources of the material deposition arrangement. The uniformity of the deposition source can be considered, for example, as uniformity along the lines of the openings 126. The uniformity can be evaluated and / or adjusted along the line of the line source.

[0019] 도 2a에 도시된 바와 같이, 증착 소스들은 본원에서 설명되는 바와 같은 분배 조립체 및 본원에서 설명되는 바와 같은 도가니를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 분배 조립체(120A), 제2 분배 조립체(120b), 및 제3 분배 조립체(120C)는 본원에서 설명되는 바와 같이 분배 파이프로서 구성될 수 있다.[0019] As shown in FIG. 2A, the deposition sources may include a distribution assembly as described herein and a crucible as described herein. For example, the first distribution assembly 120A, the second distribution assembly 120b, and the third distribution assembly 120C may be configured as a distribution pipe as described herein.

[0020] 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 셔터들(210)이 일정 각도(212)만큼 이동될 수 있다. 셔터를 일정 각도만큼 이동시키는 것, 예컨대 축(211)을 중심으로 셔터를 회전시키는 것은 제1 분배 조립체의 하나 또는 그 초과의 개구들(126)의 전방에 셔터를 포지셔닝(position)하는 것을 가능하게 한다. 대안적으로, 셔터는 제2 분배 조립체의 하나 또는 그 초과의 개구들(126)의 전방에, 또는 제3 분배 조립체의 하나 또는 그 초과의 개구들의 전방에 포지셔닝될 수 있다. 더 추가로, 셔터는 파크 포지션에 포지셔닝될 수 있다. 파크 포지션에서, 재료 증착 어레인지먼트의 개구들은 셔터에 의해 덮이지 않는다. 셔터는 재료 증착 어레인지먼트의 분배 조립체들 중 임의의 분배 조립체가 기판 쪽으로 재료를 가이딩하는 것을 차단하지 않는다.[0020] As shown in FIG. 2B, according to embodiments of the present disclosure, one or more of the shutters 210 may be moved by a certain angle 212. Moving the shutter by a certain angle, e.g., rotating the shutter about the axis 211, may enable positioning the shutter in front of one or more of the apertures 126 of the first dispensing assembly do. Alternatively, the shutters may be positioned in front of one or more of the apertures 126 of the second dispensing assembly, or in front of one or more of the apertures of the third dispensing assembly. Still further, the shutter can be positioned at the park position. In the park position, the apertures of the material deposition arrangement are not covered by the shutter. The shutters do not block any of the dispensing assemblies of the material deposition arrangement from guiding the material towards the substrate.

[0021] 하나의 분배 조립체, 즉 하나의 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 개구들의 전방에 셔터를 포지셔닝하는 것은 증착 소스들의 개별적인 컨디셔닝을 가능하게 한다. 추가로, 파크 포지션은 2개 또는 그 초과의 증착 소스들의 동시-증발에 의한 기판 상으로의 재료 증착 어레인지먼트의 재료 증착을 가능하게 한다.[0021] Positioning the shutters in front of one or more openings of one dispensing assembly, i. E. One deposition source, allows for individual conditioning of the deposition sources. In addition, the park position enables material deposition of the material deposition arrangement onto the substrate by co-evaporation of two or more deposition sources.

[0022] 본 개시내용에서, “재료 증착 소스”는 기판 상에 증착될 재료의 소스를 제공하도록 구성된 디바이스 또는 조립체인 것으로 이해될 수 있다. 특히, “재료 증착 소스”는 증착될 재료를 증발시키도록 구성된 도가니 및 기판에 증발 재료를 제공하도록 구성된 분배 조립체를 갖는 디바이스 또는 조립체인 것으로 이해될 수 있다. “기판에 증발 재료를 제공하도록 구성된 분배 조립체”라는 표현은, 분배 조립체가 도 1에서 배출구들 또는 개구들(126)을 통하는 화살표들로 예시적으로 표시된 증착 방향으로 가스성 소스 재료를 가이딩하도록 구성된 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 가스성 소스 재료, 예컨대 OLED 디바이스의 박막을 증착하기 위한 재료는 분배 조립체 내에서 가이딩되고, 하나 또는 그 초과의 배출구들 또는 개구들(126)을 통해 분배 조립체에서 빠져나간다. 예컨대, 분배 조립체, 예컨대 분배 파이프의 하나 또는 그 초과의 배출구들은 증발 방향을 따라 연장되는 노즐들일 수 있다. 전형적으로, 증발 방향은 본질적으로 수평이고, 예컨대, 수평 방향은 도 1에 표시된 x-방향에 대응할 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 기판 배향이 수직인 것으로부터 약간의 편차를 가질 수 있도록, 수평 방향으로부터 약간의 편차, 예컨대 15° 또는 그 미만, 이를테면 7° 또는 그 미만을 갖는 것이 유익할 수 있다.[0022] In this disclosure, " material deposition source " can be understood as being a device or assembly configured to provide a source of material to be deposited on a substrate. In particular, a " material deposition source " can be understood to be a device or assembly having a crucible configured to evaporate the material to be deposited and a dispensing assembly configured to provide the substrate with an evaporation material. The expression " a dispensing assembly configured to provide a substrate with an evaporation material " means that the dispensing assembly is configured to guide the gaseous source material in the deposition direction, which is illustratively indicated by arrows through the outlets or openings 126 in FIG. . Thus, a gaseous source material, such as a material for depositing a thin film of an OLED device, is guided within the dispensing assembly and exits the dispensing assembly through one or more outlets or apertures 126. For example, one or more outlets of a dispensing assembly, e.g., a dispensing pipe, may be nozzles extending along the direction of evaporation. Typically, the evaporation direction is essentially horizontal, e.g., the horizontal direction may correspond to the x-direction shown in Fig. In accordance with typical embodiments, it may be advantageous to have some deviation from the horizontal direction, e.g., 15 degrees or less, such as 7 degrees or less, so that the substrate orientation may have some deviation from being vertical.

[0023] 본 개시내용에서, “도가니”는 도가니를 가열함으로써 증발될 재료를 위한 리저버(reservoir)를 갖는 디바이스로서 이해될 수 있다. 따라서, “도가니”는 소스 재료의 증발과 승화 중 적어도 하나에 의해 소스 재료를 가스로 기화시키기 위해 가열될 수 있는 소스 재료 리저버로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 도가니는 도가니 내의 소스 재료를 가스성 소스 재료로 기화시키기 위한 가열기를 포함한다. 예컨대, 초기에, 증발될 재료는 분말의 형태일 수 있다. 리저버는 증발될 소스 재료, 예컨대 유기 재료를 수용하기 위한 내측 볼륨을 가질 수 있다.[0023] In this disclosure, " crucible " can be understood as a device having a reservoir for the material to be vaporized by heating the crucible. Thus, a " crucible " can be understood as a source material reservoir that can be heated to vaporize the source material by at least one of evaporation and sublimation of the source material. Typically, the crucible comprises a heater for vaporizing the source material in the crucible with a gaseous source material. For example, initially, the material to be vaporized may be in the form of a powder. The reservoir may have an inner volume for receiving a source material to be evaporated, e.g., an organic material.

[0024] 본 개시내용에서, “분배 조립체”는 분배 조립체로부터 기판으로 증발 재료, 특히 증발 재료의 플룸을 제공하도록 구성된 조립체로서 이해될 수 있다. 예컨대, 분배 조립체는 세장형 형상을 가질 수 있는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 분배 파이프는 분배 파이프의 길이를 따라 적어도 하나의 라인으로 배열된 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 갖는 라인 소스를 제공할 수 있다. 따라서, 분배 조립체는, 예컨대 복수의 개구들(또는 세장형 슬릿)이 내부에 배치된 선형 분배 샤워헤드일 수 있다. 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는, 예컨대 증발 도가니로부터 기판으로 증발 재료가 제공 또는 가이딩될 수 있는, 인클로저(enclosure), 중공 공간, 또는 파이프를 가질 수 있다. 샤워헤드는 중공 공간의 내부에, 그 공간의 외부와 비교하여 더 높은 압력, 예컨대 10배 또는 그 초과만큼 더 높은 압력을 제공할 수 있다.[0024] In this disclosure, " dispensing assembly " can be understood as an assembly configured to provide a plume of evaporation material, in particular evaporation material, from a dispensing assembly to a substrate. For example, the dispensing assembly may include a dispensing pipe that may have a elongated shape. For example, a distribution pipe as described herein may provide a line source having a plurality of openings and / or nozzles arranged in at least one line along the length of the distribution pipe. Thus, the dispensing assembly may be, for example, a linear dispense showerhead having a plurality of openings (or elongated slits) disposed therein. The showerhead as understood herein may have an enclosure, a hollow space, or a pipe, for example, from which evaporation material may be provided or guided from the evaporation crucible to the substrate. The showerhead can provide a higher pressure in the interior of the hollow space, such as 10 times higher or even higher, as compared to the exterior of the space.

[0025] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 길이는, 적어도, 증착될 기판의 높이에 대응할 수 있다. 특히, 분배 파이프의 길이는 증착될 기판의 높이보다 적어도 10 % 또는 심지어 20 %만큼 더 길 수 있다. 예컨대, 분배 파이프의 길이는 1.3 m 또는 그 초과, 예컨대 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다. 따라서, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서 균일한 증착이 제공될 수 있다. 대안적인 구성에 따르면, 분배 조립체는 수직 축을 따라 배열될 수 있는 하나 또는 그 초과의 포인트 소스들을 포함할 수 있다.[0025] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the length of the distribution pipe may correspond at least to the height of the substrate to be deposited. In particular, the length of the distribution pipe may be at least 10% or even 20% longer than the height of the substrate to be deposited. For example, the length of the distribution pipe may be 1.3 m or more, such as 2.5 m or more. Thus, a uniform deposition can be provided at the upper end of the substrate and / or the lower end of the substrate. According to an alternative arrangement, the dispensing assembly may include one or more point sources that may be arranged along a vertical axis.

[0026] 도 2a에 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 증착 소스의 분배 조립체는 분배 파이프의 길이에 수직인 비원형 단면을 갖는 분배 파이프로서 구성될 수 있다. 예컨대, 분배 파이프의 길이에 수직인 단면은 삼각형으로서 둥근 코너들 및/또는 컷-오프 코너들을 갖는 삼각형일 수 있다. 예컨대, 도 2a는 분배 파이프들의 길이에 수직인 실질적인 삼각형 단면을 갖는 3개의 분배 파이프들을 도시한다. 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예와 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 각각의 분배 조립체는 각각의 증발 도가니와 유체 연통한다.[0026] 2A, according to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the dispensing assembly of at least one deposition source may have a non-circular cross-section perpendicular to the length of the dispensing pipe May be configured as a distribution pipe. For example, the cross-section perpendicular to the length of the distribution pipe may be triangular with rounded corners and / or cut-off corners as triangles. For example, Figure 2a shows three distribution pipes having a substantially triangular cross-section perpendicular to the length of the distribution pipes. According to embodiments that may be combined with any other embodiment described herein, each dispensing assembly is in fluid communication with a respective evaporating crucible.

[0027] 예컨대 도 1, 도 2a, 및 도 2b를 참조하여 설명되는 바와 같은 적어도 하나의 증착 소스(105)의 특징들에 대한 설명이 또한, 2개 또는 그 초과의 증착 소스들(105)을 갖는 재료 증착 어레인지먼트(100)의 다른 증착 소스들에도 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.[0027] A description of the features of at least one deposition source 105 as described with reference to, for example, Figures 1, 2A, and 2B may also be applied to material deposition with two or more deposition sources 105 It should be understood that the invention is also applicable to other deposition sources of the array 100. [

[0028] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예와 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 그리고 도 2a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발기 제어 하우징(180)이 적어도 하나의 재료 증착 소스에 인접하게 제공될 수 있다. 특히, 증발기 제어 하우징은 증발기 제어 하우징에서 대기압을 유지하도록 구성될 수 있고, 그리고 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 냉각 제어 유닛, 가열 제어 유닛, 전력 공급부 및 측정 디바이스로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 엘리먼트를 하우징하도록 구성된다.[0028] According to some embodiments, which may be combined with any other embodiment described herein, and as exemplarily shown in FIG. 2A, an evaporator control housing 180 is provided adjacent to at least one material deposition source . In particular, the evaporator control housing may be configured to maintain atmospheric pressure in the evaporator control housing and may include at least one selected from the group consisting of a switch, a valve, a controller, a cooling unit, a cooling control unit, a heating control unit, a power supply, Of the element.

[0029] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예와 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 조립체, 특히 분배 파이프는 분배 조립체의 내부에 제공된 가열 엘리먼트들에 의해 가열될 수 있다. 가열 엘리먼트들은, 내측 튜브들에 클램핑되거나 또는 다른 방식으로 고정된 가열 와이어들, 예컨대 코팅된 가열 와이어들에 의해 제공될 수 있는 전기 가열기들일 수 있다. 도 2a를 예시적으로 참조하면, 냉각 차폐부(138)가 제공될 수 있다. 냉각 차폐부(138)는, 증착 영역, 즉 기판 및/또는 마스크 쪽으로의 열 복사를 감소시키기 위해 U-형상 냉각 차폐부가 제공되도록 배열된 측벽들을 포함할 수 있다. 예컨대, 냉각 차폐부는, 냉각 유체, 이를테면 물을 위한 도관들이 부착된 또는 내부에 제공된 금속 플레이트들로서 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 냉각 차폐부들을 냉각시키기 위해 열전기 냉각 디바이스들 또는 다른 냉각 디바이스들이 제공될 수 있다. 전형적으로, 분배 파이프의 내측 중공 공간을 둘러싸는 외측 차폐부들, 즉 최외측 차폐부들이 냉각될 수 있다.[0029] According to embodiments which may be combined with any other embodiment described herein, a dispensing assembly, in particular a dispensing pipe, may be heated by heating elements provided within the dispensing assembly. The heating elements may be electric heaters that may be provided by heating wires clamped or otherwise fixed in the inner tubes, such as coated heating wires. Referring to FIG. 2A as an example, a cooling shield 138 may be provided. The cooling shield 138 may include sidewalls arranged to provide a U-shaped cooling shield to reduce thermal radiation to the deposition area, i.e., the substrate and / or the mask. For example, the cooling shield may be provided as metal plates with or provided with conduits for cooling fluid, such as water. Additionally or alternatively, thermoelectric cooling devices or other cooling devices may be provided to cool the cooling shields. Typically, the outer shields, i.e., the outermost shields, surrounding the inner hollow space of the distribution pipe can be cooled.

[0030] 도 2a에서, 예시 목적들을 위해, 분배 조립체들의 배출구들에서 빠져나가는 증발 소스 재료가 화살표들로 표시된다. 분배 조립체들의 본질적인 삼각형 형상으로 인해, 3개의 분배 조립체들로부터 기인하는 증발 원뿔들은 서로 매우 근접하고, 그에 따라, 상이한 분배 조립체들로부터의 소스 재료의 혼합이 개선될 수 있다. 특히, 분배 파이프들의 단면의 형상은 이웃하는 분배 파이프들의 배출구들 또는 노즐들을 서로 근접하게 배치하는 것을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 분배 조립체들의 제1 배출구 또는 노즐과 제2 분배 조립체들의 제2 배출구 또는 노즐은 70 mm 또는 그 미만, 예컨대 50 mm 또는 그 미만, 또는 35 mm 또는 그 미만의 거리를 가질 수 있다.[0030] In Figure 2a, for illustrative purposes, the evaporation source material exiting the outlets of the distribution assemblies is indicated by arrows. Due to the intrinsically triangular shape of the dispensing assemblies, the evaporation cones resulting from the three dispensing assemblies are very close to each other, and thus the mixing of the source material from different dispensing assemblies can be improved. In particular, the cross-sectional shape of the distribution pipes makes it possible to place the outlets or nozzles of neighboring distribution pipes close to one another. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first outlet of the first distribution assemblies or the second outlet or nozzle of the nozzle and second distribution assemblies may be 70 mm or less, such as 50 mm or less, or 35 mm or less.

[0031] 도 2a에 추가로 도시된 바와 같이, 차폐 디바이스, 특히 셰이퍼(shaper) 차폐 디바이스(137)가 냉각 차폐부(138)에 제공, 예컨대 부착될 수 있거나, 또는 냉각 차폐부의 일부로서 제공될 수 있다. 셰이퍼 차폐부들을 제공함으로써, 배출구들을 통해 분배 파이프 또는 파이프들에서 빠져나가는 증기의 방향이 제어될 수 있는데, 즉 증기 방출의 각도가 감소될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 배출구들 또는 노즐들을 통해 제공되는 증발 재료의 적어도 일부가 셰이퍼 차폐부에 의해 차단된다. 따라서, 방출 각도의 폭이 제어될 수 있다.[0031] A shielding device, particularly a shaper shielding device 137, may be provided, e.g., attached to, or provided as part of, the cooling shielding portion 138, as shown further in FIG. 2A. By providing shaper shields, the direction of the vapor exiting the distribution pipe or pipes through the outlets can be controlled, i.e. the angle of vapor emission can be reduced. According to some embodiments, at least a portion of the evaporation material provided through the outlets or nozzles is blocked by the shaper shield. Thus, the width of the emission angle can be controlled.

[0032] 도 3a 내지 도 7에 대하여 더 상세히 도시된 바와 같이, 셔터 또는 셔터 조립체가 셰이퍼 차폐 디바이스(137)에 제공될 수 있고 그리고/또는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)와 연결될 수 있다.[0032] A shutter or shutter assembly may be provided to the shaper shielding device 137 and / or may be coupled to the shaper shielding device 137, as shown in more detail with respect to Figs. 3A-7.

[0033] 도 3a는 재료 증착 어레인지먼트(100)의 일부를 도시한다. 증착 소스들의 개구들(126) 및 셰이퍼 차폐 디바이스(137)가 도시된다. 도 3a의 단면도는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 측면 부분들(317)을 도시한다. 2개의 셔터들(210)이 제공된다. 셔터들(210)은 일정 각도만큼 이동가능하고, 예컨대 축들(211)을 중심으로 회전가능하다. 도 3a는 좌측의 개구(126), 중간의 개구(126), 및 우측의 개구(126)를 도시한다. 개구들은 각각의 증발 소스에 대응한다. 일부 실시예들에 따르면, 증발 소스들은 각각의 개구(126)를 갖는 포인트 소스들일 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 증발 소스들은 라인 소스들일 수 있으며, 각각의 개구(126)는 도 3a 내지 도 3c의 페이퍼 평면에 수직인 라인을 따라 연장되는 복수의 개구들 중 하나이다.[0033] Figure 3A shows a portion of a material deposition arrangement 100. The apertures 126 of the deposition sources and the shaper shielding device 137 are shown. 3A shows side portions 317 of the shaper shielding device 137. As shown in FIG. Two shutters 210 are provided. The shutters 210 are movable by a certain angle and are rotatable about, for example, FIG. 3A shows a left opening 126, an intermediate opening 126, and a right opening 126. FIG. The openings correspond to respective evaporation sources. According to some embodiments, the evaporation sources may be point sources having respective openings 126. According to other embodiments, the evaporation sources may be line sources, and each opening 126 is one of a plurality of openings extending along a line perpendicular to the paper plane of Figs. 3A-3C.

[0034] 본원에서 설명되는 실시예들이, 본 개시내용에 따라, 2개 또는 그 초과의 재료들을 동시-증발시키는 재료 증착 어레인지먼트의 포인트 소스들을 위해 사용될 수 있을지라도, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 셔터 어레인지먼트는 라인 소스들을 위해 유익하게 활용될 수 있다. 예컨대, 셔터 어레인지먼트는 수직으로 또는 본질적으로 수직으로 배향된 라인 소스들을 위해 사용될 수 있다. 예컨대 축을 중심으로 일정 각도만큼 이동되는 하나 또는 그 초과의 셔터들을 갖는 셔터 어레인지먼트는 개구들(126)의 하나 또는 그 초과의 라인들을 효율적으로 차단할 수 있다. 추가로, 도 4, 도 5, 및 도 6에 대하여 더 상세히 설명되는 바와 같이, 셔터 어레인지먼트는 파크 포지션에 제공될 수 있다.[0034] Although the embodiments described herein may be used for point sources of material deposition arrangements that co-evaporate two or more materials in accordance with the present disclosure, the shutter arrangement according to the embodiments described herein, May be advantageously utilized for line sources. For example, the shutter arrangement may be used for line sources oriented vertically or essentially vertically. For example, a shutter arrangement having one or more shutters shifted by an angle about an axis may effectively block one or more lines of openings 126. [ In addition, as will be described in more detail with respect to Figures 4, 5, and 6, shutter arrangement may be provided in the park position.

[0035] 도 3a는 제1 셔터 및 제2 셔터의 포지셔닝을 도시하며, 여기서, 중간 개구(126) 및 우측 개구(126)가 셔터에 의해 차단된다. 좌측 개구(126) 또는 개구들의 각각의 라인은 차단되지 않는다. 증발 재료는 좌측 개구(126), 즉 좌측 개구(126) 또는 좌측 개구들(126)의 라인에 대응하는 분배 조립체로부터 기판 상으로 가이딩될 수 있다. 좌측 분배 조립체, 또는 하나 또는 그 초과의 좌측 개구들 각각에 대응하는 좌측의 증발 소스가 컨디셔닝될 수 있는 한편, 중앙 증발 소스 및 우측 증발 소스는 기판 상의 층 증착에 기여하지 않는다.[0035] 3A shows the positioning of the first shutter and the second shutter, wherein the middle opening 126 and the right opening 126 are blocked by the shutter. The left opening 126 or each line of openings is not blocked. The evaporation material can be guided onto the substrate from the dispensing assembly corresponding to the left opening 126, i.e., the left opening 126 or the left opening 126. [ The left evaporation source corresponding to the left dispensing assembly, or one or more left openings, respectively, can be conditioned while the central evaporation source and the right evaporation source do not contribute to layer deposition on the substrate.

[0036] 도 3b는 제1 셔터 및 제2 셔터의 포지셔닝을 도시하며, 여기서, 중간 개구(126)가 차단되지 않는다. 좌측 증발 소스와 우측 증발 소스 사이의 증발 소스가 컨디셔닝될 수 있는 한편, 좌측 증발 소스 및 우측 증발 소스는 기판 상의 층 증착에 기여하지 않는다. 도 3c는 제1 셔터 및 제2 셔터의 포지셔닝을 도시하며, 여기서, 우측 개구(126)가 차단되지 않는다. 우측 증발 소스가 컨디셔닝될 수 있다. 예컨대 (임의의 순서로) 도 3a 내지 도 3c에 따른 셔터 포지셔닝에 의해 후속하여 증발 소스들을 컨디셔닝한 후에, 제1 셔터 및 제2 셔터는 파크 포지션으로 이동될 수 있고, 그리고 좌측 증착 소스, 우측 증착 소스, 및 좌측 증착 소스와 우측 증착 소스 사이의 증착 소스의 동시-증발에 의한 층, 예컨대 유기 층의 증착이 제공될 수 있다.[0036] FIG. 3B shows the positioning of the first shutter and the second shutter, wherein the intermediate opening 126 is not blocked. The evaporation source between the left evaporation source and the right evaporation source can be conditioned while the left evaporation source and the right evaporation source do not contribute to the layer deposition on the substrate. 3C shows the positioning of the first and second shutters, wherein the right opening 126 is not blocked. The right evaporation source can be conditioned. For example, after conditioning the evaporation sources (by any order) followed by shutter positioning according to FIGS. 3A-3C, the first shutter and the second shutter can be moved to the park position and the left deposition source, Deposition of a layer, such as an organic layer, by co-evaporation of the source and a deposition source between the left deposition source and the right deposition source may be provided.

[0037] 도 4는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 투시도를 도시하며, 여기서, 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 부분들은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 셔터 어레인지먼트의 셔터들(210)을 나타내기 위해 절취된다. 도 4는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 측면 부분(317), 및 예컨대 셰이퍼 차폐 디바이스의 상단 부분(417)을 도시한다. 셔터들(210)은 도 4에 도시된 개구들(126)에 의해 제공된 라인 소스의 라인을 따라 연장된다. 셔터(210)는 라인 소스의 라인을 따라 연장되는 개구들(126)(4개의 개구들이 도시됨)을 덮도록 이동될 수 있다.[0037] FIG. 4 shows a perspective view of the shaper shielding device 137, wherein portions of the shaper shielding device 137 are cut to represent the shutters 210 of the shutter arrangement according to the embodiments described herein. 4 shows a side portion 317 of the shaper shielding device 137 and a top portion 417 of the shaper shielding device, for example. The shutters 210 extend along the line of the line source provided by the openings 126 shown in FIG. The shutter 210 can be moved to cover the openings 126 (four openings shown) extending along the line of the line source.

[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 셰이퍼 차폐 디바이스는 측면 부분들(317), 상단 부분(417), 및 하단 부분을 포함할 수 있다. 셰이퍼 차폐 디바이스는 셰이퍼 박스를 형성한다. 셰이퍼 차폐 디바이스는 기판의 방향으로 개구들 또는 개구들(126)의 열로부터 연장되는 프레임을 포함할 수 있다. 프레임은 개구들 또는 개구들의 열을 둘러쌀 수 있다. 개구들(126) 또는 개구들(126)의 열은 2개 또는 그 초과의 증착 소스들의 동시-증발을 위해 사용될 수 있다.[0038] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shaper shielding device may include side portions 317, a top portion 417, and a bottom portion. The shaper shielding device forms a shaper box. The shaper shielding device may include a frame extending from the rows of openings or openings 126 in the direction of the substrate. The frame may surround the openings or the rows of openings. The rows of openings 126 or openings 126 may be used for simultaneous evaporation of two or more deposition sources.

[0039] 예컨대, 하나 또는 그 초과의 셔터들(210)을 포함하는 셔터 어레인지먼트는 셰이퍼 차폐 디바이스, 즉 셰이퍼 박스에 탑재될 수 있다. 셰이퍼 차폐 디바이스에 셔터 어레인지먼트를 탑재하는 것이 유익한데, 이는 컴포넌트들 둘 모두가 규칙적으로 유지보수, 예컨대 세정되기 때문이다. 따라서, 셰이퍼 차폐 디바이스에 셔터 어레인지먼트를 탑재하는 것은 셰이퍼 차폐 디바이스와 함께 셔터 어레인지먼트를 분해하는 것을 가능하게 한다. 추가로, 도 7에 대하여 더 상세히 설명되는 바와 같이, 셔터 조립체, 예컨대 제1 셔터 및 제2 셔터를 단시간에 제거하기 위하여, 셔터 어레인지먼트는 용이한 분해를 위해 증착 소스 어레인지먼트에 탑재될 수 있다. 이는 유지보수가 신속하게 수행될 수 있게 한다.[0039] For example, a shutter arrangement including one or more shutters 210 may be mounted on a shaper shielding device, i.e., a shaper box. It is advantageous to mount the shutter arrangement on the shaper shielding device because both components are regularly maintained, e.g. cleaned. Thus, mounting the shutter arrangement on the shaper shielding device makes it possible to disassemble the shutter arrangement with the shaper shielding device. In addition, as will be described in more detail with respect to FIG. 7, in order to remove the shutter assemblies, such as the first shutter and the second shutter, in a short period of time, the shutter arrangement can be mounted on the deposition source arrangement for easy disassembly. This allows maintenance to be performed quickly.

[0040] 도 5는 더 추가적인 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트의 일부를 도시한다. 도 5는 측면 부분들(317)을 갖는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)를 도시한다. 추가로, 상단 부분(417)의 에지가 도 5에 도시된다. 상단 부분(417)의 에지가 완전한 직선이 아닐 수 있을지라도, 셰이퍼 박스는 단면이 본질적인 직사각형인 것으로 고려될 수 있고 그리고/또는 본질적으로 입방형인 것으로 고려될 수 있다.[0040] Figure 5 illustrates a portion of a material deposition arrangement according to further embodiments. FIG. 5 illustrates a shaper shielding device 137 having side portions 317. FIG. In addition, the edge of the top portion 417 is shown in Fig. Although the edge of the top portion 417 may not be a complete straight line, the shaper box may be considered to be essentially rectangular in cross-section and / or considered to be essentially cubic.

[0041] 도 5는 재료 증착 어레인지먼트의 일부를 도시하며, 여기서, 제1 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 노즐들(526)은 하나 또는 그 초과의 개구들(126)을 제공하고, 제2 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 노즐들(526)은 하나 또는 그 초과의 개구들(126)을 제공하며, 제3 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 노즐들(526)은 하나 또는 그 초과의 개구들(126)을 제공한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트에는 2개 또는 그 초과의 증착 소스들이 제공되며, 여기서, 2개 또는 그 초과의 증착 소스들은 기판 상에 하나의 층을 형성하기 위해, 상이한 재료들을 동시-증발시키도록 구성된다.[0041] Figure 5 illustrates a portion of a material deposition arrangement wherein one or more of the first deposition sources 526 provide one or more openings 126 and one of the second deposition sources Or more of the nozzles 526 may provide one or more openings 126 and one or more nozzles 526 of the third deposition source may provide one or more openings 126, . According to the embodiments described herein, two or more deposition sources are provided in a material deposition arrangement, where two or more deposition sources may be used to form one layer on a substrate, To co-evaporate.

[0042] 도 5에 도시된 바와 같이, 셰이퍼 차폐 디바이스(137)는 냉각 차폐부(138)에 연결될 수 있다. 따라서, 셰이퍼 차폐 디바이스(137)는 냉각 차폐부(138)에 의해 수동적으로 냉각될 수 있다. 냉각 차폐부(138)는 능동적 냉각을 가질 수 있다.[0042] As shown in FIG. 5, the shaper shielding device 137 may be connected to the cooling shield 138. Thus, the shaper shielding device 137 can be passively cooled by the cooling shield 138. [ The cooling shield 138 may have active cooling.

[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트는 기판 상에 재료 층을 증착하기 위해 제공될 수 있으며, 여기서, 패턴 마스크, 예컨대 미세 금속 마스크(FMM)가 재료 증착 어레인지먼트와 기판 사이에 제공된다. 패턴 마스크, 예컨대 FMM은 디스플레이의 픽셀 해상도를 제공할 수 있다. 따라서, 패턴 마스크 내의 개구들은 수 미크론의 치수들을 가질 수 있고, 수 미크론의 허용오차로 포지셔닝된다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 일정 각도만큼 이동가능한, 예컨대 축(211)을 중심으로 회전가능한 하나 또는 그 초과의 셔터들을 갖는 셔터 어레인지먼트는 라인 소스들, 특히 수직 기판 증착을 위한 본질적으로 수직으로 배향된 라인 소스들을 위해 유익하게 활용될 수 있다. 라인 소스의 개구들의 라인을 따라 연장되는 회전 또는 스윙 셔터들을 갖는 셔터 어레인지먼트는 라인의 전방에 쉽게 포지셔닝될 수 있고, 예컨대 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같은 파크 포지션에 제공될 수 있으며, 유지보수를 위해 쉽게 제거될 수 있다. 라인 소스들의 개별적인 컨디셔닝은 수직 기판 프로세싱에 유익하며, 그 수직 기판 프로세싱에서, 대면적 기판들의 경우에 마이크로미터 범위에서의 수직 기판 배향 및 패턴 마스크의 수직 배향은 매우 난해하다.[0043] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a material deposition arrangement may be provided for depositing a layer of material on a substrate, wherein a pattern mask, such as a micro-metal mask (FMM) Is provided between the material deposition arrangement and the substrate. A pattern mask, such as FMM, may provide the pixel resolution of the display. Thus, the openings in the pattern mask can have dimensions of several microns and are positioned with a tolerance of several microns. According to embodiments of the present disclosure, a shutter arrangement having one or more shutters that can be moved by a certain angle, e.g., about a shaft 211, can be used for line sources, Lt; / RTI > can be beneficially utilized for line sources oriented with < RTI ID = 0.0 > Shutter arrangements with rotating or swinging shutters extending along the line of openings in the line source can be easily positioned in front of the line and can be provided in a park position, as shown, for example, in FIGS. 5 and 6, Can be easily removed. Separate conditioning of line sources is beneficial to vertical substrate processing, where vertical substrate orientation in the micrometer range and vertical orientation of the pattern mask in the case of large substrate substrates are very difficult in its vertical substrate processing.

[0044] 도 5는 노즐들(526)에 연결된 셰이퍼들(536)을 도시한다. 셰이퍼들(536)은 개별적으로 제공될 수 있는데, 즉, 복수의 노즐들(526) 또는 개구들(126)에 대해, 노즐 또는 개구당 하나의 셰이퍼(536)가 제공된다. 셰이퍼들(536)은 단면이 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형 등일 수 있다. 셰이퍼들(536)은 노즐들(526) 또는 개구들(126)로부터 기판 쪽으로 연장된다. 셰이퍼들(536)은 노즐들 또는 개구들의 증발 플룸의 각도를 제한한다. 방출되는 증기의 제한된 각도는 패턴 마스크, 예컨대 FFM에 대해 수 미크론의 범위의 정밀도를 가능하게 하는 데 유익하다. 셰이퍼들(536)은 2-차원 셰이퍼들, 예컨대, 본질적으로 수평인 주 증발 방향, 이를테면 본질적으로 수직으로 배향된 기판에 대해, 수평 및 수직 방향에서 증발 방출 각도를 제한하는 셰이퍼들일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 셰이퍼들(536)은 개구들(126) 또는 노즐들(526)에 대한 개별적인 셰이퍼들이다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 셰이퍼들(536)은 가열될 수 있다. 셰이퍼들(536)을 가열하는 것은 셰이퍼들 상의 증발 재료의 접착을 감소시키는 데 유익할 수 있다.[0044] FIG. 5 shows the shaper 536 connected to the nozzles 526. FIG. The shaper 536 may be provided separately, i.e., for a plurality of nozzles 526 or apertures 126, one shaper 536 per nozzle or opening is provided. The shaper 536 can be circular, oval, square, rectangular, or the like in cross section. The shaper 536 extends from the nozzles 526 or openings 126 toward the substrate. The shaper 536 limits the angle of the evaporation plume of the nozzles or openings. The limited angle of emitted steam is beneficial in enabling a precision in the range of a few microns for a pattern mask, e.g., FFM. The shaper 536 may be shaper that restricts the evaporation emission angle in horizontal and vertical directions for two-dimensional shaper, e.g., an essentially horizontal, main evaporation direction, such as an essentially vertically oriented substrate. In accordance with some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shaper 536 is an individual shaper for the openings 126 or the nozzles 526. According to further embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the shaper 536 may be heated. Heating the shaper 536 may be beneficial in reducing adhesion of the evaporation material on the shaper.

[0045] 도 5에 도시된 원(511)은 우측 축(211)을 중심으로 회전하는 우측 셔터(210)의 회전을 예시적으로 예시한다. 셔터(210)의 셔터 플레이트(510)의 이동은 원 또는 호 상에서 제공될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 셰이퍼들(536)의 표면과 원(511) 사이에 갭(513)이 제공된다. 따라서, 갭은 하나 또는 그 초과의 셰이퍼들의 표면과 셔터 플레이트(510) 사이에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 갭은 5 mm 또는 그 미만일 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 갭은 0.5 mm 또는 그 초과일 수 있다. 예컨대, 갭은 2 mm 내지 4 mm일 수 있다.[0045] The circle 511 shown in Fig. 5 exemplarily illustrates the rotation of the right shutter 210 rotating about the right axis 211. Fig. The movement of the shutter plate 510 of the shutter 210 may be provided on a circle or a call. A gap 513 is provided between the surface of one or more shaper (s) 536 and the circle 511. Thus, a gap is provided between the shutter plate 510 and the surface of one or more shaper (s). According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the gap may be 5 mm or less. Additionally or alternatively, the gap may be 0.5 mm or more. For example, the gap may be between 2 mm and 4 mm.

[0046] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 셔터(210)의 셔터 플레이트(510)는 오목한 형상을 가질 수 있다. 셔터 플레이트는 축(211) 쪽으로 내측으로 휘어질 수 있다. 이는 셔터(210)가 개구(126)의 전방으로 이동되는 경우에, 증발 재료의 차단을 개선할 수 있다.[0046] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shutter plate 510 of the shutter 210 may have a concave shape. The shutter plate can be bent inward toward the shaft 211 side. This can improve the blocking of the evaporation material when the shutter 210 is moved forward of the opening 126.

[0047] 도 5에서, 셔터들(210), 즉 제1 셔터 및 제2 셔터가 파크 포지션에 있는 것으로 도시된다. 셔터의 파크 포지션은 차폐 디바이스 또는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 하나 또는 그 초과의 측면 부분들(317)에 인접할 수 있다. 도 4 및 도 7에 대하여 이해될 수 있는 바와 같이, 개구(126)의 전방에 단지 셔터 플레이트(510)만이 제공된다. 도 5(및 다른 도면들)에 도시된, 축(211)과 셔터 플레이트 사이의 연결 부분은 증발 재료가 기판에 도달하는 것을 차단하지 않는다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 파크 포지션은 차폐 디바이스 또는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)를 제공하는 프레임의 측면, 예컨대 도 5의 좌측 또는 우측에 있을 수 있다. 파크 포지션은 동시-증발을 위해 활용될 개구들(126) 또는 개구들(126)의 라인에 대하여, 예컨대 어느 한 쪽에서, 외측에 제공될 수 있다.[0047] In Fig. 5, the shutters 210, i.e., the first shutter and the second shutter, are shown in the park position. The park position of the shutter may be adjacent to one or more of the side portions 317 of the shielding device or shaper shielding device 137. Only the shutter plate 510 is provided in front of the opening 126, as can be understood from Figs. The connecting portion between the shaft 211 and the shutter plate, shown in Figure 5 (and other Figures), does not block the evaporation material from reaching the substrate. According to the embodiments described herein, the park position may be on the side of the frame providing the shielding device or shaper shielding device 137, e.g., on the left or right side of FIG. The park position may be provided on the outside of, for example, either side of the line of openings 126 or openings 126 to be utilized for co-evaporation.

[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 셰이퍼 차폐 디바이스(137)는 하나 또는 그 초과의 부가적인 벽들(517)을 포함할 수 있다. 예컨대 재료의 시트에 의해 제공될 수 있는 부가적인 벽(517)은 차폐 플레이트(510)를 위한 인클로저 또는 주변부를 생성할 수 있다. 인클로저는 차폐 디바이스(137)의 측면 부분(317)과 부가적인 벽, 즉 재료 시트 또는 표면 사이에 제공될 수 있다. 인클로저 또는 주변부는 파크 포지션에 있는 셔터, 즉 셔터 플레이트를 위한 공간을 제공할 수 있다.[0048] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shaper shielding device 137 may include one or more additional walls 517. [ Additional walls 517, which may be provided by a sheet of material, for example, may create enclosures or peripheries for the shielding plate 510. The enclosure may be provided between a side portion 317 of the shielding device 137 and an additional wall, i. E. A material sheet or surface. The enclosure or periphery may provide space for a shutter in the park position, i. E. A shutter plate.

[0049] 일부 실시예들에 따르면, 부가적인 벽 또는 표면은, 예컨대 차폐 디바이스 또는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)를 통해, 냉각 차폐부(138)에 의해 수동적으로 냉각될 수 있다. 차폐 디바이스의 간접적으로 냉각되는 표면들은 셔터(210), 즉 셔터 플레이트(510)를 덮고 그리고/또는 둘러싼다. 셔터 플레이트(510)는 증발 재료를 차단함으로써 가열될 수 있다. 표면들이 냉각된 인클로저 또는 주변부는, 기판의 프로세싱, 즉 2개 또는 그 초과의 증착 소스들의 동시-증발 동안 기판에 영향을 미칠 수 있는 상승된 온도를 갖는 셔터 플레이트(510)의 열 부하를 감소시킨다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들, 예들, 또는 변형들과 조합될 수 있는 부가적인 또는 대안적인 변형들에 따르면, 셔터(210), 그리고 특히 셔터 플레이트(510)는 직접적으로, 예컨대 능동적으로 냉각될 수 있다.[0049] According to some embodiments, the additional wall or surface may be passively cooled by the cooling shielding portion 138, for example, through a shielding device or shaper shielding device 137. The indirectly cooled surfaces of the shielding device cover and / or enclose the shutter 210, i.e., the shutter plate 510. The shutter plate 510 can be heated by blocking the evaporation material. The enclosure or periphery where the surfaces are cooled reduces the heat load of the shutter plate 510 with an elevated temperature that can affect the substrate during processing of the substrate, i.e., co-evaporation of two or more deposition sources . According to additional or alternative variations that may be combined with other embodiments, examples, or variations described herein, the shutter 210, and in particular the shutter plate 510, may be directly, e.g., .

[0050] 도 6은 본원에서 설명되는 다른 실시예들, 예컨대 개구들 또는 노즐들 각각에 대한 개별적인 셰이퍼들을 갖는 재료 증착 어레인지먼트들을 위해 또한 사용될 수 있는, 파크 포지션을 위한 인클로저를 도시한다. 추가로, 도 6에 도시된 우측 축(211)을 중심으로 하는 원은 도 5와 비교하여 노즐들(526) 쪽으로 이동된다. 따라서, 도 6에 대하여 설명되는 실시예들에서의 개구들 및/또는 노즐들 사이의 갭은 도 5에 대하여 설명된 갭(513)과 유사할 수 있다.[0050] FIG. 6 illustrates an enclosure for a park position, which may also be used for other embodiments described herein, for example, material deposition arrangements having apertures or individual shaper for each of the nozzles. In addition, a circle about the right axis 211 shown in Fig. 6 is moved toward the nozzles 526 in comparison with Fig. Thus, the apertures and / or gaps between the nozzles in the embodiments described with respect to FIG. 6 may be similar to the gap 513 described with respect to FIG.

[0051] 도 7은 재료 증착 어레인지먼트(100)를 도시한다. 재료 증착 어레인지먼트는 2개 또는 그 초과의 증착 소스들(105)을 포함한다. 증착 소스들(도 7의 측단면도에 하나의 소스가 도시됨) 각각은 도가니(110), 분배 조립체(120), 및 각각의 개구들(126), 예컨대 노즐들을 포함할 수 있다. 도가니(110)에서 증발된 재료는 분배 조립체(120)에 의해 개구들(126)을 통해 진공 챔버 내로 가이딩된다. 예컨대, 증발 재료는 도 7에 도시된 측면 차폐부(710) 쪽으로 또는 기판 쪽으로 가이딩될 수 있다. 증발 방향은 수평 배향에 대하여 수평일 수 있거나, 또는 도 7에 도시된 바와 같이, 상방으로 약간 경사질 수 있다. 증발 방향은 0° 내지 10°로 경사질 수 있다.[0051] FIG. 7 shows a material deposition arrangement 100. The material deposition arrangement includes two or more deposition sources (105). Each of the deposition sources (one source shown in the cross-sectional side view of Figure 7) may include a crucible 110, a dispensing assembly 120, and respective openings 126, e.g., nozzles. The material vaporized in the crucible 110 is guided into the vacuum chamber through the openings 126 by the dispensing assembly 120. For example, the evaporation material may be directed toward the side shield 710 shown in FIG. 7 or toward the substrate. The evaporation direction can be horizontal with respect to the horizontal orientation, or it can be slightly inclined upward as shown in Fig. The evaporation direction can be inclined from 0 DEG to 10 DEG.

[0052] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 재료 증착을 위한 장치는 측면 차폐부(710)를 포함할 수 있다. 측면 차폐부는 재료 소스 어레인지먼트의 회전 유휴 포지션에서 재료 소스 어레인지먼트의 전방에 제공될 수 있다. 측면 차폐부는, 재료 증착 어레인지먼트의 유휴 포지션에서, 재료 증착 어레인지먼트가 유휴 차폐부의 전방으로 이동되도록, 예컨대 일정 각도만큼 유휴 차폐부의 전방으로 이동되도록 제공될 수 있다. 측면 차폐부(710)는 유휴 차폐부일 수 있거나, 또는 일반적으로, 재료 증착 소스 어레인지먼트, 예컨대 2개 또는 그 초과의 증착 소스들을 위한 차폐부일 수 있다.[0052] According to embodiments described herein, an apparatus for depositing a material may include a side shield 710. The side shield may be provided in front of the material source arrangement in the rotational idle position of the material source arrangement. The side shield may be provided to move the material deposition arrangement forward of the idle shield, e.g., forward of the idle shield by a certain angle, in the idle position of the material deposition arrangement. The side shield 710 can be an idle shield or, in general, a material deposition source arrangement, e.g., a shield for two or more deposition sources.

[0053] 일부 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 증발 소스들(105)은 증발기 제어 하우징(180), 예컨대 대기 박스(atmospheric box)에 탑재될 수 있다. 증발기 제어 하우징은 재료 증착 어레인지먼트가 동작되는 진공 챔버의 외부에 연결될 수 있다.[0053] According to some embodiments, two or more evaporation sources 105 may be mounted in an evaporator control housing 180, such as an atmospheric box. The evaporator control housing may be connected to the outside of the vacuum chamber in which the material deposition arrangement operates.

[0054] 2개 또는 그 초과의 증발 소스들이 재료 증착 어레인지먼트를 위한 지지부(780)에 의해 지지될 수 있다. 지지부는 재료 증착 어레인지먼트의 병진 이동을 위해 구성될 수 있다. 지지부는 능동적 및/또는 수동적 자기 엘리먼트들을 위한 하우징을 제공할 수 있다. 능동적 및/또는 수동적 자기 엘리먼트들은 재료 증착 어레인지먼트의 자기 부상 및/또는 자기 구동을 제공할 수 있다. 예컨대, 도 7을 참조하면, 재료 증착 어레인지먼트의 병진 이동은 도 7의 페이퍼 평면에 수직으로 이루어질 수 있다.[0054] Two or more evaporation sources may be supported by the support 780 for material deposition arrangements. The support may be configured for translational movement of the material deposition arrangement. The support may provide a housing for active and / or passive magnetic elements. Active and / or passive magnetic elements may provide magnetic levitation and / or magnetic drive of the material deposition arrangement. For example, referring to FIG. 7, the translational movement of the material deposition arrangement may be perpendicular to the paper plane of FIG.

[0055] 도 7은 상단 부분(417)을 갖는 셰이퍼 차폐 디바이스(137)를 도시한다. 셔터(210)는 상단 부분(417) 및 대응하는 하단 부분에 탑재될 수 있다. 셔터(210)는, 예컨대 회전가능 핀(722)을 이용하여 탑재될 수 있다. 도 7의 단면도는 하나의 셔터, 셔터를 위한 하나의 탑재 어레인지먼트, 및 셔터의 이동을 위한 하나의 액추에이터를 도시한다. 2개 또는 그 초과의 셔터들(210)을 갖는 셔터 어레인지먼트는 대응하는 수의 컴포넌트들을 포함할 수 있다.[0055] FIG. 7 shows a shaper shielding device 137 having a top portion 417. The shutter 210 may be mounted on the upper portion 417 and the corresponding lower portion. The shutter 210 can be mounted using, for example, a rotatable pin 722. [ The cross-sectional view of Figure 7 shows one shutter, one mounting arrangement for the shutter, and one actuator for movement of the shutter. A shutter arrangement having two or more shutters 210 may include a corresponding number of components.

[0056] 액추에이터(726)가 셰이퍼 차폐 디바이스(137)의 하단 부분 아래에 제공된다. 셰이퍼 차폐 디바이스, 즉 셰이퍼 박스는 셔터의 탑재 부분들 및/또는 액추에이터가 증발 재료에 노출되는 것을 차폐할 수 있다. 액추에이터(726)는 모터, 예컨대 음극 모터(shaded-pole motor)일 수 있다. 예컨대, 모터는 자석들(724)을 통해 핀에 결합(engage)될 수 있다. 대안적으로, 핀(722) 또는 셔터의 축에 대한 액추에이터(726)의 직접적인 결합이 제공될 수 있다.[0056] An actuator 726 is provided below the lower end portion of the shaper shielding device 137. The shaper shielding device, i.e., the shaper box, can shield the mounting portions of the shutter and / or the actuator from being exposed to the evaporation material. Actuator 726 may be a motor, such as a shaded-pole motor. For example, the motor may be engageable with the pin via magnets 724. Alternatively, a direct engagement of the actuator 726 with the pin 722 or the axis of the shutter may be provided.

[0057] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 셔터 어레인지먼트는 하나 또는 그 초과의 셔터들(210)을 포함하며, 여기서, 셔터들은 일정 각도만큼 이동가능하다. 예컨대, 셔터들은 축을 중심으로 회전될 수 있다. 예컨대, 축은 핀(722)에 의해 제공될 수 있다.[0057] According to embodiments of the present disclosure, the shutter arrangement includes one or more shutters 210, wherein the shutters are movable by a certain angle. For example, the shutters can be rotated about an axis. For example, the shaft may be provided by a pin 722.

[0058] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 재료 증착 소스 어레인지먼트는 수직 차폐부들(717)을 포함할 수 있다. 도 7은 셰이퍼 차폐 디바이스의 하부 부분에 있는 수직 차폐부(717) 및 셰이퍼 차폐 디바이스의 상부 부분에 있는 수직 차폐부(717)를 도시한다. 하나 또는 그 초과의 수직 차폐부들은 재료 증착 어레인지먼트의 증발 각도를 수직 방향에서 한정할 수 있다. 예컨대, 하나 또는 그 초과의 수직 차폐부들은 증발 소스들(105), 예컨대 2개 또는 그 초과의 증발 소스들(105)의 증발의 각도를 수직 방향에서 한정할 수 있다. 수직 차폐부들은 커버 시트들일 수 있다.[0058] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the material deposition source arrangement may include vertical shields 717. [ Figure 7 shows a vertical shield 717 in the lower portion of the shaper shield device and a vertical shield 717 in the upper portion of the shaper shield device. One or more vertical shields may define the evaporation angle of the material deposition arrangement in the vertical direction. For example, one or more vertical shields may define an angle of vertical evaporation of the evaporation sources 105, e.g., two or more evaporation sources 105, in the vertical direction. The vertical shields may be cover sheets.

[0059] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 셔터 어레인지먼트는 재료 증착 어레인지먼트의 단일 증착 소스, 또는 2개 또는 그 초과의 증착 소스들의 증발 특성들을 컨디셔닝, 즉 평가할 수 있게 한다. 셔터 어레인지먼트는 2개의 셔터들을 포함할 수 있다. 2개의 셔터들은, 예컨대 2개의 증착 소스들로부터의 재료를 차단할 수 있다. 따라서, 3개의 증착 소스들을 갖는 재료 증착 어레인지먼트가 컨디셔닝될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 일정 각도만큼 이동가능한 셔터들을 갖는 셔터 어레인지먼트는 라인 소스의 노즐들 및/또는 개구들의 용이한 차단을 가능하게 한다. 증발 소스 또는 분배 조립체 각각의 복수의 개구들은, 예컨대 회전가능한 하나의 셔터에 의해 차단될 수 있다.[0059] Shutter arrangements in accordance with the embodiments described herein allow for conditioning, i.e., evaluating evaporation characteristics of a single deposition source, or two or more deposition sources, of a material deposition arrangement. The shutter arrangement may include two shutters. The two shutters may block material from, for example, two deposition sources. Thus, a material deposition arrangement having three deposition sources can be conditioned. According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, a shutter arrangement having shutters movable by a certain angle enables easy interception of nozzles and / or apertures in the line source. The plurality of openings in each of the evaporation sources or dispensing assemblies may be blocked by, for example, one shutter that is rotatable.

[0060] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 셔터 어레인지먼트는, 예컨대 증착 소스들에 대해 균일성 및 다른 컨디셔닝이 개별적으로 조정된 후에, 셔터들을 파크 포지션으로 이동시킬 수 있게 한다. 일정 각도만큼 이동가능한, 예컨대 회전가능한 하나 또는 그 초과의 셔터들은, 특히 차폐 디바이스에 의해 형성된 인클로저 내에 있는, 차폐 디바이스의 측면 부분에 인접한 파크 포지션을 가능하게 한다.[0060] The shutter arrangement in accordance with the embodiments described herein allows the shutters to be moved to the park position, e.g., after uniformity and other conditioning are individually adjusted for the deposition sources. One or more shutters that are moveable, e.g., rotatable, by a certain angle enable park positions adjacent to a side portion of the shielding device, particularly within the enclosure formed by the shielding device.

[0061] 도 8은 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따른, 2개 또는 그 초과의 기판들, 예컨대 기판(10) 및 제2 기판(11) 상에 증발 재료를 증착하기 위한 증착 장치(1000)의 개략적인 평면도이다.[0061] 8 is a schematic representation of a deposition apparatus 1000 for depositing evaporation material on two or more substrates, e.g., substrate 10 and second substrate 11, according to some embodiments described herein. Respectively.

[0062] 증착 장치(1000)는 진공 챔버(1001)를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 재료 증착 어레인지먼트(100), 예컨대 증착 소스가 진공 챔버(1001)에 배열된다. 증착 소스의 대향 측들에 위치될 수 있는 제1 증착 영역(201) 및 제2 증착 영역(202)이 진공 챔버(1001)에 제공된다. 제1 증착 영역(201)에 기판(10)이 배열될 수 있고, 제2 증착 영역(202)에 제2 기판(11)이 배열될 수 있다.[0062] The deposition apparatus 1000 includes a vacuum chamber 1001. A material deposition arrangement 100, e.g., a deposition source, in accordance with any of the embodiments described herein is arranged in a vacuum chamber 1001. A first deposition region 201 and a second deposition region 202, which may be located on opposite sides of the deposition source, are provided in the vacuum chamber 1001. [ The substrate 10 can be arranged in the first deposition area 201 and the second substrate 11 can be arranged in the second deposition area 202. [

[0063] 본 개시내용에서, “재료 증착 어레인지먼트”는 본원에서 설명되는 바와 같은, 기판 상의 재료 증착을 위해 구성된 어레인지먼트로서 이해되어야 한다. 특히, “재료 증착 어레인지먼트”는 대면적 기판들 상에, 예컨대 OLED 디스플레이 제조를 위한 유기 재료들의 증착을 위해 구성된 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 예컨대, “대면적 기판”은 0.5 m2 또는 그 초과, 구체적으로는 1 m2 또는 그 초과의 면적을 갖는 주 표면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 대면적 기판은, 약 0.67 m2의 기판(0.73 x 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2의 기판(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2의 기판(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2의 기판(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2의 기판(2.85 m x 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0063] In this disclosure, "material deposition arrangement" should be understood as an arrangement configured for material deposition on a substrate, as described herein. In particular, " material deposition arrangement " can be understood as an arrangement configured for deposition of organic materials on large area substrates, e.g., for OLED display fabrication. For example, a " large area substrate " may have a major surface having an area of 0.5 m 2 or greater, specifically 1 m 2 or greater. In some embodiments, the large area substrate has GEN 4.5 corresponding to a substrate of about 0.67 m 2 (0.73 x 0.92 m), GEN 5 corresponding to a substrate of about 1.4 m 2 (1.1 mx 1.3 m), a height of about 4.29 m 2 corresponding to the substrate (1.95 mx 2.2 m) GEN 7.5 , GEN 8.5, or even, the substrate (2.85 mx 3.05 m) of about 8.7 m 2 corresponding to a substrate (2.2 mx 2.5 m) of approximately 5.7 m 2, which corresponds to 0.0 > 10 < / RTI > Larger generations such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas can similarly be implemented.

[0064] 예컨대, 기판은, 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 붕규산염 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.[0064] For example, the substrate may be formed of any material or material that can be coated by a deposition process, such as glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, ≪ / RTI > and combinations thereof.

[0065] 본 개시내용에서, “진공 증착 챔버”는 진공 증착을 위해 구성된 챔버로서 이해되어야 한다. 본원에서 사용되는 바와 같이, “진공”이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 챔버 내의 압력은 10-5 mbar 내지 약 10-8 mbar, 더 전형적으로는 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 10-6 mbar 내지 약 10-7 mbar일 수 있다.[0065] In this disclosure, "vacuum deposition chamber" should be understood as a chamber configured for vacuum deposition. As used herein, the term " vacuum " can be understood in the sense of a technical vacuum having a vacuum pressure of, for example, less than 10 mbar. Typically, the pressure in the vacuum chamber as described herein is from 10 -5 mbar to about 10 -8 mbar, more typically from 10 -5 mbar to 10 -7 mbar, and even more typically from about 10 -6 mbar To about 10 < -7 > mbar.

[0066] 일부 실시예들에서, 재료 증착 어레인지먼트(100)는 기판(10)을 코팅하기 위한 제1 증착 영역(201) 및 제2 기판(11)을 코팅하기 위한 제2 증착 영역(202)을 순차적으로 지나서 이동하도록 구성될 수 있다. 증착 소스가 제1 증착 영역(201)을 지나서 이동하는 동안에, 복수의 노즐들은 개방될 수 있거나 또는 차단되지 않을 수 있고, 그에 따라, 제1 증착 영역(201)에 배열된 기판(10) 쪽으로 증발 재료가 지향될 수 있다. 기판(10)은 본질적인 수직 배향을 가질 수 있다. 예컨대, 기판(10)은 본질적인 수직 배향으로 기판 캐리어에 의해 홀딩될 수 있으며, 여기서, 기판 캐리어는 진공 챔버(1001)를 통해 기판(10)을 운반하도록 구성될 수 있다. 기판 캐리어는 진공 챔버에서 기판 캐리어 지지부에 의해 지지될 수 있다. 예컨대, 기판 캐리어 지지부는 기판 캐리어를 위한 자기 부상 시스템일 수 있다.[0066] In some embodiments, the material deposition arrangement 100 sequentially passes through a first deposition area 201 for coating the substrate 10 and a second deposition area 202 for coating the second substrate 11 Lt; / RTI > The plurality of nozzles may be open or unblocked while the deposition source is moving past the first deposition zone 201 so that evaporation toward the substrate 10 arranged in the first deposition zone 201 The material can be oriented. The substrate 10 may have an intrinsic vertical orientation. For example, the substrate 10 may be held by the substrate carrier in an essentially vertical orientation, wherein the substrate carrier may be configured to transport the substrate 10 through the vacuum chamber 1001. The substrate carrier may be supported by the substrate carrier support in a vacuum chamber. For example, the substrate carrier support may be a magnetic levitation system for the substrate carrier.

[0067] 캐리어 또는 기판 캐리어는 비-수평 배향, 특히 본질적인 수직 배향으로 기판 및/또는 마스크를 지지하도록 구성될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 “본질적인 수직 배향”은, 중력 벡터와 기판 캐리어의 주 표면 사이의 각도가 +10° 내지 -10°, 구체적으로는 5° 내지 -5°인 배향으로서 이해될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 캐리어의 배향은 운송 동안 및/또는 증착 동안에 (정확하게) 수직이 아니라, 예컨대 0° 내지 -5°, 구체적으로는 -1° 내지 -5°의 경사각으로, 수직 축에 대하여 약간 경사질 수 있다. 음의 각도는, 기판 캐리어가 하방으로 경사진, 즉 프로세싱될 기판 표면이 하방을 향하고 있는 기판 캐리어의 배향을 지칭한다. 증착 동안의 마스크 및 기판의 배향들의 중력 벡터로부터의 편차는 유익할 수 있고, 더 안정적인 증착 프로세스를 발생시킬 수 있거나, 또는 하방을 향하는 배향은 증착 동안에 기판 상의 입자들을 감소시키는 데 적합할 수 있다. 그러나, 운송 동안 및/또는 증착 동안에 마스크 디바이스의 정확한 수직 배향(+/-1°)이 또한 가능하다.[0067] The carrier or substrate carrier may be configured to support the substrate and / or the mask in a non-horizontal orientation, especially an intrinsic vertical orientation. As used herein, " intrinsic vertical orientation " can be understood as an orientation in which the angle between the gravitational vector and the major surface of the substrate carrier is between + 10 ° and -10 °, specifically between 5 ° and -5 °. In some embodiments, the orientation of the substrate carrier is not vertical (precisely) during transport and / or during deposition, for example, at an oblique angle of 0 [deg.] To -5 [ It can be slightly inclined. Negative angles refer to the orientation of the substrate carrier in which the substrate carrier is tilted downward, i.e., the substrate surface to be processed is facing downward. Deviations of the mask and substrate orientations from the gravitational vector during deposition can be beneficial and can result in a more stable deposition process, or a downward orientation can be suitable to reduce particles on the substrate during deposition. However, accurate vertical alignment (+/- 1 [deg.]) Of the mask device during transport and / or during deposition is also possible.

[0068] 일부 실시예들에서, 마스크(20)가 기판(10)의 전방에, 즉 증착 동안에 기판(10)과 증착 소스(100) 사이에 배열될 수 있다. 예컨대, 마스크(20)는 기판 상에 상보적 재료 패턴을 증착하도록 구성된 개구 패턴을 갖는 미세 금속 마스크일 수 있다. 대안적으로, 마스크는 에지 배제 마스크일 수 있다.[0068] In some embodiments, a mask 20 may be arranged between the substrate 10 and the deposition source 100 in front of the substrate 10, i.e. during deposition. For example, the mask 20 may be a micro-metal mask having an opening pattern configured to deposit a complementary material pattern on the substrate. Alternatively, the mask may be an edge exclusion mask.

[0069] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 패턴 마스크, 이를테면 미세 금속 마스크(FFM)를 이용한 재료 증착이 대면적 기판들 상에 제공될 수 있다. 따라서, 재료가 증착될 영역의 사이즈는 예컨대 1.4 m2 또는 그 초과이다. 추가로, 예컨대 디스플레이의 픽셀 생성을 위한 패턴 마스크는 미크론 범위로 패턴을 제공한다. 미크론 범위의 패턴 마스크의 개구들의 포지셔닝 허용오차는 대면적들에 대해 난해할 수 있다. 이는 특히, 수직으로 또는 본질적으로 수직으로 배향된 기판들에 대해 해당된다. 심지어, 패턴 마스크 및/또는 패턴 마스크의 각각의 프레임 상에 작용하는 중력이 패턴 마스크의 포지셔닝 정확도를 저하시킬 수 있다. 따라서, 기판에 패턴 마스크를 척킹하기 위한 개선된 척킹 어레인지먼트가 수직(본질적으로 수직) 기판 프로세싱에 특히 유익하다.[0069] According to the embodiments described herein, material deposition using a pattern mask, such as a fine metal mask (FFM), can be provided on large area substrates. Thus, the size of the region in which the material is to be deposited is, for example, 1.4 m 2 or more. In addition, the pattern mask for pixel creation of the display, for example, provides a pattern in the micron range. The positioning tolerances of the apertures of the pattern mask in the micron range can be complicated for large areas. This is especially true for vertically or essentially vertically oriented substrates. Even gravity acting on each frame of the pattern mask and / or pattern mask can degrade the positioning accuracy of the pattern mask. Thus, improved chucking arrangement for chucking a pattern mask on a substrate is particularly beneficial for vertical (essentially vertical) substrate processing.

[0070] 일부 실시예들에서, 제2 마스크(21)가 제2 기판(11)의 전방에, 즉 제2 기판(11) 상의 증착 동안에 제2 기판(11)과 재료 증착 소스(105) 사이에 배열될 수 있다. 재료 증착 소스 어레인지먼트는 제1 증착 영역(201) 내의 제1 기판들과 제2 증착 영역(202) 내의 제2 기판들을 이어서 증착하기 위해, 도 7(축(701) 참조)에 대하여 설명된 바와 같이 회전할 수 있다. 하나의 기판 상의 재료의 증착을 위해, 재료 증착 어레인지먼트는 화살표(H)를 따라 이동될 수 있다.[0070] In some embodiments, a second mask 21 is arranged between the second substrate 11 and the material deposition source 105 in front of the second substrate 11, i.e. during deposition on the second substrate 11 . The material deposition source arrangement can be used to deposit the first substrates in the first deposition area 201 and the second substrates in the second deposition area 202 as described for FIG. 7 (see axis 701) It can rotate. For deposition of the material on one substrate, the material deposition arrangement can be moved along arrow H.

[0071] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 재료 증착 소스(105)는 3개 또는 그 초과의 증발 도가니들(122), 및 3개 또는 그 초과의 증발 도가니들(122) 중 하나와 각각 유체 연결된 3개 또는 그 초과의 분배 파이프들(121)을 포함할 수 있다. 3개 또는 그 초과의 분배 파이프들은 본질적인 수직 방향으로 본질적으로 서로 평행하게 연장될 수 있다. 분배 파이프들의 길이 방향들을 따라 노즐들이 분배 파이프들에 제공될 수 있다. 예컨대, 10개, 30개 또는 그 초과의 노즐들이 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들 각각의 전방 벽에 제공될 수 있다. 제1 분배 파이프의 노즐들, 제2 분배 파이프의 노즐들, 및/또는 제3 분배 파이프의 노즐들은, 증발 재료의 각각의 플룸들이 기판의 포지션에서 만나도록, 서로에 대하여 경사질 수 있다. 따라서, 복수의 노즐들은 90개 또는 그 초과의 노즐들, 예컨대 약 150개의 노즐들을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스(150)를 채용하는 것은 고 품질 디스플레이 제조, 특히 OLED 제조에 유익할 수 있다.[0071] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the material deposition source 105 may include three or more evaporating crucibles 122, and three or more evaporating crucibles 122 and three or more distribution pipes 121, respectively, that are fluidly connected to one of the plurality of distribution pipes 121, 122, respectively. Three or more distribution pipes may extend essentially parallel to one another in an essentially vertical direction. Nozzles can be provided to the distribution pipes along the longitudinal directions of the distribution pipes. For example, ten, thirty or more nozzles may be provided in the front wall of each of the two or more distribution pipes. The nozzles of the first distribution pipe, the nozzles of the second distribution pipe, and / or the nozzles of the third distribution pipe may be inclined relative to each other such that each plume of evaporation material meets at the position of the substrate. Thus, the plurality of nozzles may include 90 or more nozzles, such as about 150 nozzles. Employing deposition source 150 in accordance with the embodiments described herein may be beneficial for high quality display manufacturing, particularly OLED manufacturing.

[0072] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 증착 영역(201)은 진공 챔버(1001)에서 제2 증착 영역(202)의 반대편에 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 재료 증착 소스(105)는 제1 증착 영역(201)으로부터 제2 증착 영역(202)으로 본질적으로 180°의 각도만큼 회전할 수 있다.[0072] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, a first deposition region 201 may be provided on the opposite side of the second deposition region 202 in the vacuum chamber 1001. In some embodiments, the material deposition source 105 may rotate by an angle of essentially 180 [deg.] From the first deposition area 201 to the second deposition area 202. [

[0073] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프들 또는 분배 조립체들(120)은 가열 엘리먼트들을 포함하는 세장형 튜브들일 수 있다. 증발 도가니(110)는 가열 유닛을 이용하여 증발될 재료, 예컨대 유기 재료를 위한 리저버일 수 있다. 예컨대, 가열 유닛은 증발 도가니의 인클로저 내에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프들은 라인 소스들을 제공할 수 있다.[0073] In accordance with embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution pipes or dispensing assemblies 120 may be elongate tubes that include heating elements. The evaporation crucible 110 may be a reservoir for a material to be evaporated, such as an organic material, using a heating unit. For example, a heating unit may be provided in the enclosure of the evaporation crucible. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution pipes may provide line sources.

[0074] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 분배 파이프들의 길이는 재료가 증착될 기판의 높이에 대응할 수 있다. 대안적으로, 분배 파이프들의 길이는 기판들의 높이보다 더 길 수 있다. 따라서, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서 균일한 증착이 제공될 수 있다. 예컨대, 분배 파이프들의 길이는 1.3 m 또는 그 초과, 예컨대 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다.[0074] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the length of the distribution pipes may correspond to the height of the substrate on which the material is to be deposited. Alternatively, the length of the distribution pipes may be longer than the height of the substrates. Thus, a uniform deposition can be provided at the upper end of the substrate and / or the lower end of the substrate. For example, the length of the distribution pipes may be 1.3 m or more, such as 2.5 m or more.

[0075] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도가니(110) 즉 증발 도가니는 분배 파이프의 하부 단부에 제공될 수 있다. 재료, 예컨대 유기 재료가 증발 도가니에서 증발될 수 있다. 증발 재료는 분배 파이프의 하단에서 분배 파이프에 진입할 수 있고, 분배 파이프 내의 복수의 노즐들을 통해 본질적으로 측방향으로, 예컨대 본질적으로 수직으로 배향된 기판 쪽으로 가이딩될 수 있다.[0075] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the crucible 110, i.e., the evaporation crucible, may be provided at the lower end of the distribution pipe. Materials, such as organic materials, can be evaporated in the evaporation crucible. The evaporation material may enter the dispensing pipe at the bottom of the dispensing pipe and may be guided essentially laterally through the plurality of nozzles in the dispensing pipe, e.g., toward an essentially vertically oriented substrate.

[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트(100)는 소스 트랙(30), 예컨대 선형 가이드 또는 루프형 트랙 상에 제공될 수 있다. 소스 트랙(30)은, 예컨대 수평 방향(H)으로의 재료 증착 소스(105)의 병진 이동을 위해 구성될 수 있다.[0076] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the material deposition arrangement 100 may be provided on a source track 30, e.g., a linear guide or a looped track. The source track 30 may be configured for translational movement of the material deposition source 105, for example, in the horizontal direction H. [

[0077] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 인접 진공 챔버, 예컨대 라우팅 챔버에 대한 진공 밀봉을 가능하게 하는 제1 밸브(1002), 예컨대 게이트 밸브가 제공될 수 있다. 제1 밸브(1002)는 진공 챔버(1001) 내로의 또는 진공 챔버(1001) 밖으로의 기판 또는 마스크의 운송을 위해 개방될 수 있다.[0077] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a first valve 1002, e.g., a gate valve, may be provided to enable vacuum sealing for an adjacent vacuum chamber, e.g., a routing chamber. The first valve 1002 can be opened for transport of the substrate or mask into or out of the vacuum chamber 1001. [

[0078] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 8에 예시적으로 도시된 바와 같이, 추가적인 진공 챔버, 이를테면 유지보수 진공 챔버(1004)가 진공 챔버(1001)에 인접하게 제공될 수 있다. 진공 챔버(1001)와 유지보수 진공 챔버(1004)는 제2 밸브(1003)에 의해 연결될 수 있다. 제2 밸브(1003)는 진공 챔버(1001)와 유지보수 진공 챔버(1004) 사이의 진공 밀봉을 개방 및 폐쇄하도록 구성될 수 있다. 재료 증착 소스(105)는 제2 밸브(1003)가 개방 상태에 있는 동안에 유지보수 진공 챔버(1004)로 이송될 수 있다. 그 후에, 제2 밸브(1003)는 진공 챔버(1001)와 유지보수 진공 챔버(1004) 사이에 진공 밀봉을 제공하기 위해 폐쇄될 수 있다. 제2 밸브(1003)가 폐쇄되는 경우에, 유지보수 진공 챔버(1004)는, 진공 챔버(1001) 내의 진공을 파괴시키지 않으면서, 재료 증착 소스(105)의 유지보수를 위해 통기 및 개방될 수 있다.[0078] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, an additional vacuum chamber, such as a maintenance vacuum chamber 1004, may be provided in the vacuum chamber 1001, as exemplarily shown in FIG. Can be provided adjacently. The vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004 may be connected by a second valve 1003. The second valve 1003 can be configured to open and close the vacuum seal between the vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004. The material deposition source 105 can be transferred to the maintenance vacuum chamber 1004 while the second valve 1003 is in the open state. Thereafter, the second valve 1003 may be closed to provide a vacuum seal between the vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004. When the second valve 1003 is closed, the maintenance vacuum chamber 1004 can be vented and opened for maintenance of the material deposition source 105 without destroying the vacuum in the vacuum chamber 1001 have.

[0079] 일부 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템의 재료 증착 어레인지먼트를 동작시키는 방법들, 및 적어도 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 갖는 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하는 방법들이 제공된다. 도 9는 적어도 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 갖는 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다. 본원에서 개시되는 대응하는 그리고/또는 부가적인 프로세스들에 의해 다른 방법들이 제공될 수 있다. 박스(902)에 의해 표시된 바와 같이, 셔터에 의해 제1 증착 소스에서 재료가 차단된다. 예컨대, 셔터는 제1 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 개구들에 또는 그 하나 또는 그 초과의 개구들의 전방에 포지셔닝된다. 셔터가 제1 증착 소스로부터의 재료를 차단하고 있는 동안에, 제2 증착 소스가 컨디셔닝될 수 있다. 박스(904)에 의해 표시된 바와 같이, 셔터는 제2 증착 소스로 일정 각도만큼 이동된다. 예컨대, 셔터는 축을 중심으로 회전될 수 있다. 셔터는 일정 각도만큼 이동된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 회전에 부가하여, 셔터의 병진 이동이 제공될 수 있다. 회전 축은 셔터의 바디의 외부에, 특히 셔터 플레이트의 바디의 외부에 제공될 수 있다.[0079] According to some embodiments, methods of operating a material deposition arrangement of a processing system and methods of conditioning a material deposition arrangement having at least a first deposition source and a second deposition source are provided. Figure 9 shows a flow diagram illustrating a method for conditioning a material deposition arrangement having at least a first deposition source and a second deposition source. Other methods may be provided by corresponding and / or additional processes disclosed herein. As indicated by box 902, the material is shut off at the first deposition source by the shutter. For example, the shutter is positioned at one or more apertures of the first deposition source or in front of one or more apertures thereof. While the shutter is blocking the material from the first deposition source, the second deposition source may be conditioned. As indicated by box 904, the shutter is moved by a certain angle to the second deposition source. For example, the shutter may be rotated about an axis. The shutter is moved by a certain angle. According to embodiments described herein that can be combined with other embodiments described herein, in addition to rotation, translational movement of the shutter can be provided. The rotation axis may be provided on the exterior of the shutter body, in particular on the exterior of the shutter plate body.

[0080] 박스(906)에 의해 표시된 바와 같이, 셔터에 의해 제2 증착 소스에서 재료가 차단된다. 셔터는 재료를 차단하기 위해, 박스(904)에 의해 표시된 바와 같이 제2 증착 소스로 이동하였다. 예컨대, 셔터는 제2 증착 소스의 하나 또는 그 초과의 개구들에 또는 그 하나 또는 그 초과의 개구들의 전방에 포지셔닝된다. 셔터가 제2 증착 소스로부터의 재료를 차단하고 있는 동안에, 제1 증착 소스가 컨디셔닝될 수 있다. 박스(908)에 의해 표시된 바와 같이, 셔터는 파크 포지션으로 일정 각도만큼 이동된다. 파크 포지션은 제1 증착 소스로부터의 재료 뿐만 아니라 제2 증착 소스로부터의 재료도 차단되는 포지션이다. 예컨대, 셔터는 축을 중심으로 회전될 수 있다. 셔터는 일정 각도만큼 이동된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 회전에 부가하여, 셔터의 병진 이동이 제공될 수 있다. 회전 축은 셔터의 바디의 외부에, 특히 셔터 플레이트의 바디의 외부에 제공될 수 있다. 박스(910)에 의해 표시된 바와 같이, 예컨대 증착 소스들 둘 모두가 컨디셔닝된(박스들(902 및 906)) 후에, 제1 증착 소스와 제2 증착 소스의 동시-증발에 의해 기판 상에 재료 층이 증착된다.[0080] As indicated by box 906, the material is cut off at the second deposition source by the shutter. The shutter has moved to the second deposition source, as indicated by box 904, to block the material. For example, the shutter is positioned at one or more apertures of the second deposition source or in front of one or more apertures thereof. While the shutter is blocking the material from the second deposition source, the first deposition source may be conditioned. As indicated by box 908, the shutter is moved by a certain angle to the park position. The park position is a position at which the material from the first deposition source as well as the material from the second deposition source are blocked. For example, the shutter may be rotated about an axis. The shutter is moved by a certain angle. According to embodiments described herein that can be combined with other embodiments described herein, in addition to rotation, translational movement of the shutter can be provided. The rotation axis may be provided on the exterior of the shutter body, in particular on the exterior of the shutter plate body. As indicated by box 910, after the deposition sources are both conditioned (boxes 902 and 906), a material layer (not shown) is deposited on the substrate by simultaneous evaporation of the first and second deposition sources Is deposited.

[0081] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0081] While the foregoing is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope thereof, and the scope of the present disclosure is defined by the following claims Lt; / RTI >

[0082] 특히, 기재된 설명은 최상의 모드를 포함하는 본 개시내용을 개시하기 위해, 그리고 또한, 당업자로 하여금, 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 제조 및 사용하는 것, 및 임의의 포함된 방법들을 수행하는 것을 포함하여, 설명되는 내용을 실시할 수 있게 하기 위해 예들을 사용한다. 다양한 특정 실시예들이 앞에서 개시되었지만, 위에서 설명된 실시예들의 상호 비-배타적인 특징들은 서로 조합될 수 있다. 특허가능한 범위는 청구항들에 의해 정의되며, 그리고 다른 예들은, 청구항들이 청구항들의 문언과 상이하지 않은 구조적 엘리먼트들을 갖는 경우, 또는 청구항들이 청구항들의 문언과 실질적인 차이들을 갖지 않는 동등한 구조적 엘리먼트들을 포함하는 경우에, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.[0082] In particular, the written description uses examples to disclose the present disclosure, including the best mode, and also to enable any person skilled in the art to make and use any devices or systems, including performing any of the contained methods , And use examples to make it possible to implement the described content. While various specific embodiments have been disclosed above, the mutually exclusive features of the embodiments described above may be combined with one another. A patentable scope is defined by the claims, and other examples include cases where the claims have structural elements that do not differ from the words of the claims, or where the claims include equivalent structural elements that do not have substantial differences from the words of the claims , Are intended to be within the scope of the claims.

Claims (16)

진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(arrangement)(100)로서,
하나 또는 그 초과의 제1 개구들(126)을 갖는 제1 증착 소스(105);
하나 또는 그 초과의 제2 개구들(126)을 갖는 제2 증착 소스(105); 및
상기 하나 또는 그 초과의 제1 개구들 또는 상기 하나 또는 그 초과의 제2 개구들로 일정 각도(an angle)만큼 이동가능하도록 구성된 적어도 제1 셔터(210)를 갖는 셔터 어레인지먼트
를 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트.A material deposition arrangement (100) for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber,
A first deposition source (105) having one or more first openings (126);
A second deposition source (105) having one or more second openings (126); And
A shutter arrangement having at least a first shutter (210) configured to be movable by an angle to the one or more first apertures or the one or more second apertures,
/ RTI >
Material Deposition Arrangement. 제1 항에 있어서,
상기 적어도 제1 셔터는 축(211)을 중심으로 회전가능한,
재료 증착 어레인지먼트.The method according to claim 1,
The at least first shutter is rotatable about an axis 211,
Material Deposition Arrangement. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
하나 또는 그 초과의 제3 개구들(126)을 갖는 제3 증착 소스(105)를 더 포함하며,
상기 셔터 어레인지먼트는,
상기 하나 또는 그 초과의 제2 개구들, 상기 하나 또는 그 초과의 제3 개구들, 및 제2 파크 포지션(park position)으로 일정 각도만큼 이동가능한 제2 셔터를 더 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a third deposition source (105) having one or more third openings (126)
Wherein the shutter arrangement comprises:
Further comprising a second shutter movable by a certain angle to said one or more second openings, said one or more third openings, and a second park position,
Material Deposition Arrangement. 진공 증착 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(100)로서,
하나 또는 그 초과의 제1 개구들(126)을 갖는 제1 증착 소스(105);
하나 또는 그 초과의 제2 개구들(126)을 갖는 제2 증착 소스(105);
제1 셔터(210); 및
상기 하나 또는 그 초과의 제1 개구들의 전방으로 또는 상기 하나 또는 그 초과의 제2 개구들의 전방으로 일정 각도만큼 상기 제1 셔터를 이동시키기 위한 액추에이터
를 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트.A material deposition arrangement (100) for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber,
A first deposition source (105) having one or more first openings (126);
A second deposition source (105) having one or more second openings (126);
A first shutter 210; And
An actuator for moving said first shutter by a certain angle forward of said one or more first openings or forward of said one or more second openings,
/ RTI >
Material Deposition Arrangement. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 셔터는 상기 하나 또는 그 초과의 제1 개구들, 상기 하나 또는 그 초과의 제2 개구들, 또는 제1 파크 포지션으로 일정 각도만큼 이동하는,
재료 증착 어레인지먼트.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the shutter moves at an angle to the one or more first openings, the one or more second openings, or the first park position,
Material Deposition Arrangement. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
셰이퍼 차폐 디바이스(shaper shield device)를 더 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
6. The apparatus of claim 1, further comprising a shaper shield device.
Material Deposition Arrangement. 제6 항에 있어서,
적어도 상기 제1 셔터는 상기 셰이퍼 차폐 디바이스에 탑재되는,
재료 증착 어레인지먼트.The method according to claim 6,
At least the first shutter being mounted on the shaper shielding device,
Material Deposition Arrangement. 제7 항에 있어서,
적어도 상기 제1 셔터는 적어도 상기 셰이퍼 차폐 디바이스의 상단 부분에 탑재되는,
재료 증착 어레인지먼트.8. The method of claim 7,
At least the first shutter is mounted on at least an upper portion of the shaper shielding device,
Material Deposition Arrangement. 제6 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 셰이퍼 차폐 디바이스는 냉각 차폐부에 연결되는,
재료 증착 어레인지먼트.9. The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the shaper shielding device is connected to the cooling shield,
Material Deposition Arrangement. 제6 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 셰이퍼 차폐 디바이스는 파크 포지션을 정의하기 위해 인클로저(enclosure)를 형성하는 부가적인 벽 및 측면 부분을 더 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the shaper shielding device further comprises an additional wall and side portions forming an enclosure to define a park position,
Material Deposition Arrangement. 제6 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 셰이퍼 차폐 디바이스는 파크 포지션을 정의하기 위해 인클로저를 형성하는 부가적인 벽 및 측면 부분을 더 포함하며,
상기 셰이퍼 차폐 디바이스는 냉각 차폐부에 연결되고, 상기 측면 부분 및 상기 부가적인 벽은 상기 냉각 차폐부에 의해 수동적으로 냉각되는,
재료 증착 어레인지먼트.9. The method according to any one of claims 6 to 8,
The shaper shielding device further includes an additional wall and side portions forming an enclosure to define a park position,
Wherein the shaper shielding device is connected to a cooling shield, the side portion and the additional wall being passively cooled by the cooling shield,
Material Deposition Arrangement. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 상기 제1 증착 소스는 라인을 따라 연장되는 복수의 개구들을 갖는 라인 소스이며, 적어도 상기 제1 셔터는 상기 복수의 개구들의 전방에 포지셔닝(position)되도록 상기 일정 각도만큼 이동가능한,
재료 증착 어레인지먼트.12. The method according to any one of claims 1 to 11,
At least the first deposition source is a line source having a plurality of openings extending along a line, at least the first shutter is movable by the predetermined angle to be positioned in front of the plurality of openings,
Material Deposition Arrangement. 진공 증착 시스템(1000)으로서,
진공 증착 챔버; 및
상기 진공 증착 챔버 내의 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 기재된 재료 증착 어레인지먼트(100)
를 포함하는,
진공 증착 시스템.As the vacuum vapor deposition system 1000,
A vacuum deposition chamber; And
The material deposition arrangement (100) according to any one of the claims 1 to 11, in the vacuum deposition chamber,
/ RTI >
Vacuum deposition system. 제13 항에 있어서,
본질적인 수직 배향(orientation)으로 기판을 지지하기 위한 기판 캐리어 지지부를 더 포함하는,
진공 증착 시스템.14. The method of claim 13,
Further comprising a substrate carrier support for supporting the substrate in an essentially vertical orientation,
Vacuum deposition system. 제13 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 재료 증착 어레인지먼트는 상기 재료 증착 어레인지먼트를 부상되어 있는 상태로 병진 이동시키기 위한 지지부를 포함하는,
진공 증착 시스템.15. The method according to any one of claims 13 to 14,
Wherein the material deposition arrangement comprises a support for translatory movement of the material deposition arrangement into a floating state,
Vacuum deposition system. 적어도 제1 증착 소스 및 제2 증착 소스를 갖는 재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝(condition)하기 위한 방법으로서,
셔터를 이용하여 상기 제1 증착 소스에서 재료들을 차단하는 단계;
상기 제2 증착 소스를 컨디셔닝하는 단계;
상기 제2 증착 소스로 일정 각도만큼 상기 셔터를 이동시키는 단계;
상기 제2 증착 소스에서 재료를 차단하는 단계;
상기 제2 증착 소스를 컨디셔닝하는 단계;
일정 각도만큼 상기 셔터를 이동시키는 단계; 및
상기 제1 증착 소스 및 상기 제2 증착 소스의 동시-증발에 의해 기판 상에 재료 층을 증착하는 단계
를 포함하는,
재료 증착 어레인지먼트를 컨디셔닝하기 위한 방법.A method for conditioning a material deposition arrangement having at least a first deposition source and a second deposition source,
Blocking materials at the first deposition source with a shutter;
Conditioning the second deposition source;
Moving the shutter by a predetermined angle to the second deposition source;
Blocking the material at the second deposition source;
Conditioning the second deposition source;
Moving the shutter by a predetermined angle; And
Depositing a material layer on the substrate by co-evaporation of the first deposition source and the second deposition source
/ RTI >
A method for conditioning a material deposition arrangement.
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