KR20190005750A - Plasma processing apparatus - Google Patents

Plasma processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20190005750A
KR20190005750A KR1020180076974A KR20180076974A KR20190005750A KR 20190005750 A KR20190005750 A KR 20190005750A KR 1020180076974 A KR1020180076974 A KR 1020180076974A KR 20180076974 A KR20180076974 A KR 20180076974A KR 20190005750 A KR20190005750 A KR 20190005750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
plasma
substrate mounting
electrode portions
Prior art date
Application number
KR1020180076974A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102121655B1 (en
Inventor
마사토 미나미
요시히코 사사키
히토시 사이토
와타루 마치야마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190005750A publication Critical patent/KR20190005750A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102121655B1 publication Critical patent/KR102121655B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Provided is a plasma processing apparatus capable of suppressing an influence, of the application of high-frequency power to an electrode part mounted thereon with a target substrate, on peripheral members when plasma processing is simultaneously performed on a plurality of target substrates. The plasma processing apparatus (1) includes: a first electrode part (41a), a second electrode part (41b), a ceramic ring part, and a dielectric member (44). The first electrode part (41a), which plasmarizes processing gas supplied to a processing space by a plasma forming part (31) and receives high frequency power, forms a first substrate loading surface (51) for enabling one substrate (G) to be treated to be loaded thereon. The second electrode part (41b), which receives high frequency power and made of metal, is prepared to be spaced apart and adjacent to the first electrode part (41a) and forms a second substrate loading surface (52) for enabling another substrate to be treated to be loaded thereon. The ceramic ring part is prepared at a position surrounding both sides of the first and second substrate loading surfaces (51, 52). The dielectric member (44) is prepared on the lower side of the ring part, which is prepared at a corresponding position, and based on a dielectric having a lower dielectric constant compared to that of ceramics.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은 피처리 기판에 대해서 플라즈마화된 처리 가스를 공급해서, 플라즈마 처리를 실시하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a technique for supplying plasma processing gas to a substrate to be processed and performing plasma processing.

액정 표시 장치(LCD) 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조에 있어서는, 피처리 기판인 유리 기판에 플라즈마화된 처리 가스를 공급해서, 에칭 처리나 성막 처리 등의 플라즈마 처리를 행하는 공정이 있다. 예를 들면 플라즈마 처리는, 진공 분위기가 형성되는 처리 용기 내에 마련된 탑재대 위에 기판을 탑재한 상태에서 실시된다.BACKGROUND ART [0002] In the production of a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), there is a process of supplying a plasma-processed process gas to a glass substrate, which is a substrate to be processed, and performing plasma processing such as etching process or film forming process. For example, plasma processing is carried out in a state where a substrate is mounted on a mounting table provided in a processing container in which a vacuum atmosphere is formed.

예를 들면 특허문헌 1에는, 진공조 내에 배치된 전극판의 표면에, 종횡으로 연장하는 홈을 형성하고, 이 홈 내에 절연 부재를 배치함으로써, 절연 부재에 의해 둘러싸인 복수의 전극판 표면에 각각 기판을 배치하고, 복수의 기판에 일괄해서 에칭 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치가 기재되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a structure in which grooves extending vertically and horizontally are formed on the surface of an electrode plate disposed in a vacuum chamber and insulating members are disposed in the grooves, And a plurality of substrates are collectively subjected to an etching treatment.

또, 특허문헌 2, 3에는, 전극 위에 복수의 기판을 탑재해서 플라즈마 처리를 행할 때에, 전극의 주위에 여러 유전체를 배치하는 기술이 기재되어 있다(특허문헌 2에 있어, 알루미늄제의 기판 탑재대의 볼록부를 둘러싸는 유전체 링이나, 제 1 및 제 2 유전체 커버. 특허문헌 3에 있어, 페데스탈(pedestal) 전극을 이루는 금속판의 상면에 배치되는 유전체판이나, 상기 유전체판 위에 기판을 반송하는 세라믹스제의 트레이).In Patent Documents 2 and 3, there is disclosed a technique of disposing various dielectrics around electrodes when a plurality of substrates are mounted on an electrode and a plasma process is performed (see Patent Document 2, Patent Document 3 discloses a dielectric ring arranged on the upper surface of a metal plate constituting a pedestal electrode or a dielectric plate made of ceramics for carrying a substrate on the dielectric plate tray).

그렇지만 이들 특허문헌 1~3 중 어느 것에도, 복수의 피처리 기판을 인접해서 배치한 상태에서 플라즈마 처리를 행할 때에, 이들 피처리 기판의 주위에 배치되어 있는 부재에 대해서, 각 전극부에 인가되는 고주파 전력이 미치는 영향 및 그 대책에 대해서는 검토되어 있지 않다.However, in any of these Patent Documents 1 to 3, when plasma processing is performed in a state where a plurality of substrates to be processed are disposed adjacent to each other, The influence of the high-frequency power and its countermeasures have not been studied.

일본 특허 제5094307호 : 단락 0011~0015, 도 1, 2Japanese Patent No. 5094307: paragraphs 0011 to 0015, Figs. 1 and 2 일본 특허 공개 평성 7-30468호 : 제6란의 39행째 ~ 제7란의 12행째, 도 1Japanese Patent Laid-open No. Hei 7-30468: line 39 to line 6 in the sixth column, line 12 in the seventh column, 일본 특허 제4361045호 : 단락 0028, 0029, 도 1, 3Japanese Patent No. 4361045: paragraphs 0028, 0029, Figs. 1 and 3

본 발명은 이러한 사정에 근거해서 이루어진 것이고, 그 목적은 복수의 피처리 기판에 대해서 동시에 플라즈마 처리를 행할 때에, 피처리 기판이 탑재되는 전극부에의 고주파 전력의 인가가 주위의 부재에 미치는 영향을 억제하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method which are capable of reducing the influence of application of high frequency power to peripheral members on an electrode unit on which a substrate to be processed is mounted, And a plasma processing apparatus capable of suppressing the plasma processing.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판에 대해, 플라즈마화된 처리 가스에 의한 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, A plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus for performing plasma processing on a substrate to be processed by a plasma processing gas,

상기 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간을 구성함과 아울러, 상기 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부, 및 상기 처리 공간의 진공 배기를 행하는 진공 배기부에 접속된 처리 용기와,A processing gas supply unit for supplying a processing gas to the processing space and a processing vessel connected to a vacuum exhaust unit for performing vacuum evacuation of the processing space;

상기 처리 공간에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 형성부와, A plasma forming unit for plasma-forming the process gas supplied to the process space,

상기 처리 공간 내에 마련되고, 그 상면이 하나의 피처리 기판을 탑재하기 위한 제 1 기판 탑재면을 구성함과 아울러, 고주파 전력이 인가되는 금속제의 제 1 전극부와, A first electrode unit provided on the upper surface of the processing space to constitute a first substrate mounting surface for mounting a substrate to be processed and to which a high frequency power is applied;

상기 처리 공간 내의 상기 제 1 전극부로부터 이간해서 인접하는 위치에 마련되고, 그 상면이 상기 하나의 피처리 기판과는 상이한 다른 피처리 기판을 탑재하기 위한 제 2 기판 탑재면을 구성함과 아울러, 고주파 전력이 인가되는 금속제의 제 2 전극부와, A second substrate mounting surface for mounting another substrate to be processed which is provided at a position adjacent to the first electrode portion in the processing space and whose upper surface is different from the one substrate to be processed, A second electrode part made of metal to which a high frequency electric power is applied,

상방측에서 보아, 상기 제 1 기판 탑재면의 주위, 및 상기 제 2 기판 탑재면의 주위의 양쪽을 둘러싸는 세라믹스제의 링부와, A ring portion made of ceramics surrounding both the periphery of the first substrate mounting surface and the periphery of the second substrate mounting surface as viewed from above,

상기 제 1 및 제 2 기판 탑재면의 사이에 위치하는 링부의 하면측에 마련되고, 상기 세라믹스보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재And a dielectric member provided on a lower surface side of the ring portion positioned between the first and second substrate mounting surfaces and made of a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the ceramics,

를 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit.

본 발명에 따르면, 제 1 전극부의 상면측의 제 1 기판 탑재면의 주위, 및, 상기 제 1 전극부로부터 이간해서 인접하는 위치에 마련된 제 2 전극부의 상면측의 제 2 기판 탑재면의 주위의 양쪽을 둘러싸도록 마련된 세라믹스제의 링부 중, 제 1 및 제 2 기판 탑재면의 사이에 위치하는 링부의 하면측에, 상기 세라믹스보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재를 배치하고 있으므로, 해당 위치의 링부에 작용하는 전계 강도의 영향을 저감할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the second substrate mounting surface on the second substrate mounting surface on the upper surface side of the second electrode portion provided on the periphery of the first substrate mounting surface on the upper surface side of the first electrode portion and the portion adjacent to the first electrode portion, Since a dielectric member made of a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the ceramics is disposed on the lower surface side of the ring portion located between the first and second substrate mounting surfaces of the ring portion made of ceramics provided so as to surround both sides, It is possible to reduce the influence of the electric field intensity acting on the substrate.

도 1은 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 플라즈마 처리 장치에 마련되어 있는 제 1 및 제 2 전극부의 평면도이다.
도 3은 상기 제 1 및 제 2 전극부와 관련되는 종단 측면도이다.
도 4는 비교 형태의 제 1 및 제 2 전극부와 관련되는 종단 측면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 제 1 및 제 2 전극부에의 알루미나 용사 작업을 나타내는 모식도이다.
도 6은 비교 형태에 따른 제 1 및 제 2 전극부에의 알루미나 용사 작업을 나타내는 모식도이다.
도 7은 다른 실시 형태의 제 1 및 제 2 전극부와 관련되는 종단 측면도이다.
도 8은 또 다른 실시 형태의 제 1 및 제 2 전극부와 관련되는 종단 측면도이다.
도 9는 링부의 표면의 전계 강도의 시뮬레이션 결과를 나타내는 설명도이다.1 is a longitudinal side view of a plasma processing apparatus according to an embodiment.
2 is a plan view of first and second electrode portions provided in the plasma processing apparatus.
3 is a longitudinal side view related to the first and second electrode portions.
4 is a longitudinal side view related to the first and second electrode portions of the comparison type.
5 is a schematic view showing an alumina spraying operation on the first and second electrode portions according to the embodiment.
6 is a schematic view showing alumina spraying work on the first and second electrode portions according to the comparative form.
7 is a longitudinal side view related to the first and second electrode portions of another embodiment;
8 is a longitudinal side view related to the first and second electrode portions of still another embodiment.
Fig. 9 is an explanatory diagram showing the simulation result of the electric field intensity of the surface of the ring portion. Fig.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 구성에 대해, 도 1~3을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, the configuration of the plasma processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to Figs.

본 예의 플라즈마 처리 장치(1)는 유도 결합 플라즈마를 생성해서, 사각형의 피처리 기판인 예를 들면 G6 하프 기판에 대해, 에칭 처리나 애싱 처리 등의 유도 결합 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리를 행한다. G6 하프 기판은 G6 사이즈(1500mm×1850mm)의 기판의 장변의 길이를 절반으로 분할한 사이즈의 기판이며, 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED : Organic Light Emitting Diode)를 이용한 유기 EL 디스플레이에 적용되는 것이다. 이하의 설명에서는, 이 G6 하프 기판을 기판(G)이라고 한다.The plasma processing apparatus 1 of the present embodiment generates an inductively coupled plasma and performs a plasma process using an inductively coupled plasma such as an etching process or an ashing process on a quadrangular target substrate, for example, a G6 half substrate. The G6 half substrate is a substrate in which the length of a long side of a substrate of G6 size (1500 mm x 1850 mm) is divided into half, and is applied to an organic EL display using, for example, an organic light emitting diode (OLED) . In the following description, the G6 half substrate is referred to as a substrate G.

본 예의 플라즈마 처리 장치(1)는 도전성 재료, 예를 들면 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지고, 전기적으로 접지된 각통 형상의 기밀한 처리 용기(10)을 구비하고 있다. 처리 용기(10)는 예를 들면 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나, 석영 등에 의해 구성된 유전체 창(2)에 의해, 안테나실(11) 및 처리 공간(12)으로 상하로 구획되어 있다.The plasma processing apparatus 1 of the present embodiment is provided with a conductive material, for example, an airtight processing vessel 10 made of aluminum whose inner wall surface is anodized and electrically grounded. The processing vessel 10 is vertically partitioned into an antenna chamber 11 and a processing space 12 by a dielectric window 2 made of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) or quartz .

처리 용기(10)에 있어서의 안테나실(11)의 측벽(111)과 처리 공간(12)의 측벽(121)의 사이에는 내측으로 돌출하는 지지 부재(13)가 마련되어 있고, 이 지지 부재(13) 위에 유전체 창(2)이 탑재된다. 처리 용기(10)의 측면에는, 플라즈마 처리되는 기판(G)을 수수할 때에, 게이트 밸브(15)의 개폐가 행해지는 반입출구(14)가 마련되어 있다.A supporting member 13 protruding inward is provided between the side wall 111 of the antenna chamber 11 and the side wall 121 of the processing space 12 in the processing vessel 10, The dielectric window 2 is mounted. On the side surface of the processing vessel 10 is provided a loading and unloading outlet 14 through which the gate valve 15 is opened and closed when the substrate G to be subjected to plasma processing is received.

유전체 창(2)의 하면측에는, 가스 공급부(21)가 끼워져 있다. 예를 들면 가스 공급부(21)는 그 내면 또는 외면이 양극 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성 재료에 의해 구성되고, 전기적으로 접지되어 있다(접지 상태에 대해서는 도시 생략). 가스 공급부(21)의 내부에는 수평으로 연장하는 가스 유로(22)가 형성되고, 가스 공급부(21)의 하면에는 상기 가스 유로(22)로부터 아래쪽을 향해 연장하는 복수의 가스 토출 구멍(23)이 마련되어 있다. On the lower surface side of the dielectric window 2, a gas supply part 21 is fitted. For example, the inner or outer surface of the gas supply part 21 is made of a conductive material such as anodized aluminum or the like, and is electrically grounded (the grounded state is not shown). A plurality of gas discharging holes 23 extending downward from the gas flow path 22 are formed in the lower surface of the gas supplying part 21, Lt; / RTI >

한편, 가스 공급부(21)의 상면에는, 유전체 창(2)을 관통하고, 상기 가스 유로(22)에 연통하는 가스 공급관(24)이 접속되어 있다. 또한 가스 공급관(24)은 처리 용기(10)의 천정을 관통해서 그 외측으로 연장되고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(25)에 접속되어 있다. 가스 공급부(21)나 가스 공급관(24), 처리 가스 공급계(25)는 본 예의 처리 가스 공급부에 상당한다.On the other hand, a gas supply pipe 24 communicating with the gas flow path 22 is connected to the upper surface of the gas supply part 21 through the dielectric window 2. The gas supply pipe 24 extends to the outside of the ceiling of the processing vessel 10 and is connected to a processing gas supply system 25 including a processing gas supply source, a valve system, and the like. The gas supply unit 21, the gas supply pipe 24, and the process gas supply system 25 correspond to the process gas supply unit of this embodiment.

안테나실(11) 내에는, 고주파(RF) 안테나(3)가 배열되어 있다. 고주파 안테나(3)는 구리나 알루미늄 등의 양호한 도전성의 금속으로 이루어지는 안테나선(31)을 환상이나 소용돌이 형상 등의 임의의 형상으로 배치해서 구성되고, 절연 부재로 이루어지는 스페이서(32)에 의해 유전체 창(2)으로부터 이간해서 마련되어 있다. 또한, 고주파 안테나(3)는 복수의 안테나부를 갖는 다중 안테나이어도 좋다.In the antenna chamber 11, a high frequency (RF) antenna 3 is arranged. The high frequency antenna 3 is constituted by disposing an antenna line 31 made of a good conductive metal such as copper or aluminum in an arbitrary shape such as an annular shape or a spiral shape and is formed by a spacer 32 made of an insulating member, (2). The high-frequency antenna 3 may be a multiple antenna having a plurality of antenna portions.

안테나선(31)의 단자(33)에는 안테나실(11)의 위쪽으로 연장하는 급전 부재(34)가 접속되고, 이 급전 부재(34)의 상단측에는, 급전선(35) 및 정합기(36)를 통해서 고주파 전원(37)이 접속되어 있다. 그리고, 고주파 전원(37)으로부터 고주파 안테나(3)에 대해서, 예를 들면 주파수 13.56MHz의 고주파 전력을 공급하면, 처리 공간(12) 내에 유도 전계가 형성된다.A feeder member 34 extending upward from the antenna chamber 11 is connected to the terminal 33 of the antenna line 31. A feeder line 35 and a matching device 36 are connected to the upper end of the feeder member 34, A high frequency power source 37 is connected. When high frequency power of, for example, a frequency of 13.56 MHz is supplied to the high frequency antenna 3 from the high frequency power source 37, an induction field is formed in the processing space 12.

이 결과, 가스 공급부(21)로부터 공급된 처리 가스가 이 유도 전계에 의해 플라즈마화되어, 유도 결합 플라즈마가 생성된다.As a result, the process gas supplied from the gas supply unit 21 is converted into plasma by the induction field to generate inductively coupled plasma.

안테나선(31)이나 단자(33)~고주파 전원(37)에 이르는 구성은 본 예의 플라즈마 형성부에 상당한다.The configuration that leads to the antenna line 31 and the terminal 33 to the high frequency power source 37 corresponds to the plasma forming portion of this embodiment.

처리 공간(12) 내의 하부측에는, 복수 예를 들면 2매의 G6 하프 기판(G)을, 서로 이간해서 인접하는 위치에 탑재하기 위한 제 1 전극부(41a) 및 제 2 전극부(41b)가 유전체 창(2)을 사이에 두고 고주파 안테나(3)와 대향하는 위치에 배치되어 있다. 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)는 공통의 하단측 전극(42) 위에 마련되고, 제 1 전극부(41a)와 하단측 전극(42), 및 제 2 전극부(41b)와 하단측 전극(42)은 각각, 서로의 접촉면을 통해서 전기적으로 도통하고 있다. 예를 들면 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)나 하단측 전극(42)은 알루미늄이나 스테인리스 등으로 구성된다.The first electrode portion 41a and the second electrode portion 41b for mounting a plurality of, for example, two G6 half substrates G at positions adjacent to each other at a distance from each other are provided on the lower side in the processing space 12. [ And is disposed at a position facing the high frequency antenna 3 with the dielectric window 2 therebetween. The first and second electrode portions 41a and 41b are provided on the common lower electrode 42 and include a first electrode portion 41a and a lower electrode 42 and a second electrode portion 41b, Each of the side electrodes 42 is electrically connected to each other through a contact surface. For example, the first and second electrode portions 41a and 41b and the lower electrode 42 are made of aluminum or stainless steel.

제 1 전극부(41a)의 표면은 제 1 기판 탑재면(51)을 구성하고, 하나의 기판(G)이 탑재된다. 또, 제 2 전극부(41b)의 상면은 제 2 기판 탑재면(52)을 구성하고, 상기 하나의 기판(G)과는 상이한 다른 기판(G)이 탑재되는, 이들 하나의 기판(G) 및 다른 기판(G)에 대해서는, 공통의 플라즈마 처리가 실시된다. 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)는 각각 평면에서 보아 사각형 형상의 금속판에 의해 구성되어 있다. 또, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)에 대해서도, 기판(G)의 형상에 맞춰서 평면에서 보아 사각형 형상으로 구성되어 있다.The surface of the first electrode portion 41a constitutes a first substrate mounting surface 51, and one substrate G is mounted. The upper surface of the second electrode portion 41b constitutes a second substrate mounting surface 52 and a substrate G different from the one substrate G is mounted. And the other substrate G are subjected to a common plasma treatment. The first and second electrode portions 41a and 41b are each formed by a rectangular metal plate in plan view. As shown in Fig. 2, the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52 are also formed in a rectangular shape in plan view in conformity with the shape of the substrate G. As shown in Fig.

도 1 ~ 3에 나타내는 바와 같이, 본 예의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 제 1 전극부(41a), 제 2 전극부(41b)는 사각형 형상의 금속판의 장변의 방향을 맞추고, 서로 이간해서 인접하는 위치에 배치되어 있다.As shown in Figs. 1 to 3, in the plasma processing apparatus 1 of the present embodiment, the first electrode portion 41a and the second electrode portion 41b are formed by aligning the long side of the rectangular metal plate, And are disposed at adjacent positions.

제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 상면 및 사방의 측면에는, 예를 들면 절연성의 피막인 알루미나의 용사막(45)이 형성되어 있다. 또한, 예를 들면 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)을 구성하는 용사막(45)의 내부에는, 도시하지 않는 척용의 전극이 배열되고, 미도시의 직류 전원으로부터 공급되는 직류 전력에 의해 생기는 정전 흡착력을 이용해서 기판(G)을 흡착 유지할 수 있다.On the top and side surfaces of the first and second electrode portions 41a and 41b, for example, a thermal sprayed film 45 made of alumina, which is an insulating film, is formed. In addition, for example, electrodes for a chuck (not shown) are arranged in the interior of the thermal sprayed film 45 constituting the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, and DC power supplied from a DC power supply The substrate G can be attracted and held using the electrostatic attraction force generated by the substrate W.

상술의 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)를 하면측으로부터 지지하는 하단측 전극(42)은 절연 부재(46)에 의해 하면측으로부터 지지되어 있다. 예를 들면 절연 부재(46)는 사각형 형상의 링체로서 구성되고, 하단측 전극(42)의 주연부, 및 해당 하단측 전극(42)을 측면으로부터 덮는 후술의 측부 절연 부재(73)를 하면측으로부터 지지한다.The lower electrode 42 supporting the above described first and second electrode portions 41a and 41b from the lower surface side is supported by the insulating member 46 from the lower surface side. For example, the insulating member 46 is formed as a rectangular ring body, and a side insulating member 73, which will be described later, which covers the periphery of the lower electrode 42 and the lower electrode 42 from the side, .

또, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)와, 하단측 전극(42)과, 처리 용기(10)의 바닥판을 상하 방향으로 관통하도록, 복수개의 승강 핀(미도시)이 마련되고, 구동 기구(미도시)를 이용해서 각 승강 핀을 승강시킬 수 있다. 이들 승강 핀의 승강 동작에 의해, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)으로부터 승강 핀의 선단부가 돌출하고, 외부의 기판 반송 기구와의 사이에서의 기판(G)의 수수가 행해진다.A plurality of elevating pins (not shown) are provided so as to vertically penetrate the first and second electrode portions 41a and 41b, the lower electrode 42, and the bottom plate of the processing vessel 10 , And the lift mechanism (not shown). By the elevating and lowering operation of the elevating pins, the tip portions of the elevating pins protrude from the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, and the substrate G is conveyed to and from an external substrate conveying mechanism .

또한, 하단측 전극(42)에는, 급전선(53), 및 정합기(54)를 통해서 고주파 전원(55)이 접속되어 있다. 플라즈마 처리중에, 이 고주파 전원(55)으로부터 고주파 전력을 공급함으로써, 하단측 전극(42)을 통해서 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에 바이어스용의 고주파 전력이 인가된다.A high-frequency power source 55 is connected to the lower-side electrode 42 via a feeder line 53 and a matching unit 54. [ Frequency power is supplied from the high-frequency power source 55 to the first and second electrode portions 41a and 41b via the lower-end electrode 42 during the plasma processing.

처리 용기(10)의 바닥판과, 절연 부재(46)와, 하단측 전극(42)에 의해 둘러싸인 공간은 처리 공간(12)으로부터 기밀하게 구획되고, 처리 용기(10)의 바닥판에, 상술의 승강 핀이나 급전선(53) 등을 통과시키는 개구를 마련해도, 처리 공간(12) 내는 진공 분위기로 유지되어 있다.The space enclosed by the bottom plate of the processing vessel 10, the insulating member 46 and the bottom electrode 42 is airtightly partitioned from the processing space 12 and is provided on the bottom plate of the processing vessel 10, The processing space 12 is maintained in a vacuum atmosphere even when an opening for passing the elevating pin or the feeder line 53 of the processing space 12 is provided.

제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 내부에는, 예를 들어 둘레 방향으로 연장하는 환상의 칠러 유로(411)가 마련되어 있다. 이 칠러 유로(411)에는, 칠러 유닛(도시하지 않음)로부터 소정 온도의 열 전도 매체, 예를 들면 가르덴(등록상표)이 순환 공급되고, 열 전도 매체의 온도를 조절함으로써, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b) 위에 탑재된 각 기판(G)의 처리 온도를 제어한다.Inside the first and second electrode portions 41a and 41b, for example, an annular chiller flow path 411 extending in the circumferential direction is provided. In the chiller flow path 411, a heat conduction medium such as Garden (registered trademark) at a predetermined temperature is circulatingly supplied from a chiller unit (not shown), and the temperature of the heat conduction medium is controlled, Thereby controlling the processing temperatures of the substrates G mounted on the two electrode portions 41a and 41b.

또, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 내부에는, 하단측 전극(42)측으로부터 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)을 향해서, 각 전극부(41a, 41b) 내를 상하 방향으로 관통하는 복수의 가스 공급로(412)가 마련되어 있다. 가스 공급로(412)는 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)에 탑재된 기판(G)의 이면을 향해서, 전열용의 가스 예를 들면 헬륨(He) 가스를 공급한다.The electrode portions 41a and 41b are formed in the first and second electrode portions 41a and 41b from the lower electrode 42 side toward the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, A plurality of gas supply passages 412 penetrating in the vertical direction are provided. The gas supply path 412 supplies a heat transfer gas, for example, helium (He) gas toward the back surface of the substrate G mounted on the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52.

또 하단측 전극(42)은 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)측의 각 가스 공급로(412)에 전열용의 가스를 공급하는 전열용의 가스의 확산판으로서도 이용된다. 예를 들면 하단측 전극(42)의 상면에는, 홈부가 형성되어 있다. 그리고, 하단측 전극(42)위에 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)를 배치함으로써, 이들의 전극부(41a, 41b)의 하면과 홈부에 의해 둘러싸인 가스 유로(421)가 구성됨과 아울러, 각 가스 공급로(412)의 하단이 가스 유로(421)에 연통한 상태로 된다. 해당 가스 유로(421)에는 전열용의 가스의 공급 배관(미도시)이 접속되어 있다.The lower electrode 42 is also used as a diffusing plate for heat transfer gas for supplying heat transfer gas to the gas supply passages 412 on the first and second electrode portions 41a and 41b. For example, on the upper surface of the lower-side electrode 42, a groove portion is formed. By disposing the first and second electrode portions 41a and 41b on the lower side electrode 42, the gas flow path 421 surrounded by the lower surface of the electrode portions 41a and 41b and the groove portion is formed, , And the lower end of each gas supply path 412 is in communication with the gas flow path 421. And a gas supply pipe (not shown) for transferring heat is connected to the gas flow channel 421.

또한 하단측 전극(42)의 상면의 주연부와 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 사이, 및 하단측 전극(42)의 하면의 주연부와 절연 부재(46)의 사이, 절연 부재(46)와 처리 용기(10)의 저면의 사이에는, 각각 시일 부재인 O링(49)이 마련되어 있다.Between the periphery of the upper surface of the lower electrode 42 and the first and second electrode portions 41a and 41b and between the periphery of the lower surface of the lower electrode 42 and the insulating member 46, Ring 49, which is a seal member, is provided between the bottom surface of the processing container 10 and the bottom surface of the processing container 10, respectively.

또, 처리 용기(10)의 바닥면의 배기구(16)에는 배기로(17)를 통해서 진공 배기 기구(18)가 접속되어 있다. 이 진공 배기 기구(18)에는 도시하지 않는 압력 조정부가 접속되어 있고, 이것에 의해 처리 용기(10) 내가 소망의 진공도로 유지되도록 구성되어 있다. 배기로(17)나 진공 배기 기구(18)는 본 예의 진공 배기부에 상당한다.A vacuum exhaust mechanism 18 is connected to the exhaust port 16 on the bottom surface of the processing vessel 10 through an exhaust passage 17. A pressure adjusting unit (not shown) is connected to the vacuum exhaust mechanism 18 so that the processing vessel 10 is maintained at a desired degree of vacuum. The exhaust passage 17 and the vacuum exhaust mechanism 18 correspond to the vacuum evacuation portion of this embodiment.

도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에는, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 주위를 둘레 전체에 걸쳐서 각각 둘러싸도록, 알루미나 등의 절연성 세라믹스로 이루어지는 링부(6)가 배치되어 있다.2, the first and second electrode portions 41a and 41b are formed with insulating ceramics such as alumina and the like so as to surround the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, And a ring portion 6 made of a metal material.

이 링부(6)는 플라즈마 발생 공간에 면하도록 배치되어 있으므로, 이 링부(6)를 통해서, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)(제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)) 위의 2매의 기판(G)에 플라즈마를 각각 집중시킬 수 있다.The first and second electrode portions 41a and 41b (the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52) are connected to the ring portion 6 through the ring portion 6, ) Plasma can be concentrated on the two substrates G above.

예를 들면 링부(6)의 상면은 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 상면과 높이 위치가 나란히 배치되고, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b) 중 적어도 상부의 측면은 둘레 전체에 걸쳐서 링부(6)에 의해 둘러싸인다. 도 2에 나타내는 바와 같이 링부(6)는 장척의 복수의 띠 형상 부재를 조합해서 구성되고, 사각형 형상의 프레임의 중앙부를 횡단하도록 1개의 띠 형상 부재를 배치한 형상으로 구성되어 있다. 환언하면, 링부(6)는 대략 7 세그먼트 디스플레이로 표시한 「8」의 글자를 좌우로 회전시킨 형상으로 구성되어 있다고도 할 수 있다. 또한, 도 2에 있어서 띠 형상 부재의 개별적인 도시를 생략하고, 조립 후의 링부(6)의 형상을 일체로 표시하고 있다.For example, the upper surface of the ring portion 6 is disposed in parallel with the upper surface of the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, and at least the upper surface of the first and second electrode portions 41a and 41b Is surrounded by the ring portion 6 over the entire circumference. As shown in Fig. 2, the ring portion 6 is formed by combining a plurality of elongated band-shaped members, and has a shape in which one band-shaped member is arranged so as to traverse a central portion of the rectangular frame. In other words, the ring portion 6 may be configured to have a shape in which the letter " 8 " represented by the approximately 7-segment display is rotated to the left and right. In Fig. 2, the individual shapes of the strip-shaped members are omitted, and the shapes of the ring portions 6 after assembly are shown integrally.

예를 들면 링부(6)를 구성하는 띠 형상 부재의 두께는 5~30mm의 범위 내의 값, 띠 형상 부재의 폭 치수는 10~60mm의 범위 내의 값으로 각각 구성되어 있다. 이때, 상기 제 1 기판 탑재면(51)과 제 2 기판 탑재면(52)의 이간 간격은 상기 띠 형상 부재의 폭 치수에 대응하는 10~60mm(G6 하프 기판(G)의 단변의 길이(750mm)의 2/25~1/75)의 범위 내의 값으로 설정되어 있다.For example, the thickness of the strip-shaped member constituting the ring portion 6 is a value within a range of 5 to 30 mm, and the width dimension of the strip-shaped member is a value within a range of 10 to 60 mm. The gap between the first substrate mounting surface 51 and the second substrate mounting surface 52 is 10 to 60 mm corresponding to the width of the band member (the length of the short side of the G6 half substrate G 25/1 to 75/25 of the above-mentioned range).

또한, 링부(6)의 하면측에는, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)를 일체로서 보았을 때의 4 측면, 및 그 아래에 위치하는 하단측 전극(42)의 측면을 덮도록 측부 절연 부재(73)가 배치되어 있다. 측부 절연 부재(73)는 예를 들면 알루미나 등의 절연성의 세라믹스나 폴리테트라 플루오로 에틸렌 등의 절연성의 수지에 의해 구성되고, 평면에서 보아 사각형 형상의 링체로 되어 있다.The lower side of the ring portion 6 is provided with side insulating portions 41a and 41b so as to cover the four side surfaces when the first and second electrode portions 41a and 41b are integrally formed and the side surfaces of the lower side electrode 42 positioned therebelow, A member 73 is disposed. The side insulating member 73 is made of insulating resin such as an insulating ceramics such as alumina or polytetrafluoroethylene, and is formed into a rectangular ring shape in plan view.

또, 측부 절연 부재(73) 및 절연 부재(46)의 외주측에는, 이들 측부 절연 부재(73) 및 절연 부재(46)의 측면을 덮는 외측 링부(74)가 배치되어 있다. 예를 들면 외측 링부(74)는 상술의 링부(6)와 동일한 세라믹스제이며, 평면에서 보아 사각형 형상의 링체로 되어 있다.An outer ring portion 74 covering side surfaces of the side insulating member 73 and the insulating member 46 is disposed on the outer peripheral side of the side insulating member 73 and the insulating member 46. [ For example, the outer ring portion 74 is made of the same ceramics as the above-mentioned ring portion 6, and is a rectangular ring body in plan view.

링부(6)의 사각형 모양의 프레임은 상술의 측부 절연 부재(73) 및 외측 링부(74)의 상면에 배치된다. 또 측부 절연 부재(73)의 하면은 절연 부재(46)로 지지되어 있다.The rectangular frame of the ring portion 6 is disposed on the upper surface of the side insulating member 73 and the outer ring portion 74 described above. The lower surface of the side insulating member 73 is supported by an insulating member 46.

여기서, 도 4에 비교 형태로서 나타내는 구성은 하단측 전극(42) 위에, 해당 하단측 전극(42)의 상면 전체를 덮는 대형의 전극부(40)를 마련하고 있다. 그리고, 전극부(40)의 상면 중앙을 횡단하도록 오목부(400)를 형성하고, 해당 오목부(400) 내에 링부(6)의 일부를 배치함으로써, 제 1 기판 탑재면(51)과 제 2 기판 탑재면(52)을 분리했다.4, a large-sized electrode portion 40 is provided on the lower-side electrode 42 so as to cover the entire upper surface of the lower-side electrode 42. A concave portion 400 is formed so as to traverse the center of the upper surface of the electrode portion 40 and a portion of the ring portion 6 is disposed in the concave portion 400. The first substrate mounting surface 51 and the second The substrate mounting surface 52 was removed.

또한, 이하에 설명하는 도 4~8의 각 도면에 있어, 도 1~3을 이용해서 설명한 것과 공통의 구성 요소에 대해서는, 도 1~3에서 이용한 것과 공통의 부호를 부여하고 있다.In the drawings of Figs. 4 to 8 to be described below, constituent elements common to those described with reference to Figs. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals as those used in Figs.

그런데, 후술의 실시예에 시뮬레이션 결과를 나타내는 바와 같이, 비교 형태에 있어서는, 제 1 기판 탑재면(51)과 제 2 기판 탑재면(52)을 분리하는 링부(6)의 배치 위치의 전계 강도가 높아져 버리는 것을 알 수 있다. 링부(6)의 배치 위치에서 전계 강도가 높아지면, 링부(6)를 구성하는 세라믹스가 깎여 파티클이 발생하고, 기판(G)을 오염시키는 요인으로 되어 버린다.As shown in the simulation results in the following embodiments, in the comparative example, the electric field intensity at the arrangement position of the ring portion 6 for separating the first substrate mounting surface 51 and the second substrate mounting surface 52 is It can be seen that it increases. When the electric field strength becomes higher at the arrangement position of the ring portion 6, the ceramics constituting the ring portion 6 are scraped off and particles are generated, which causes the substrate G to be contaminated.

특히, 사각형 형상의 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)이 장변의 방향을 맞추어 인접해서 배치되는 경우에는, 전계 강도가 높아지는 영역이 광범위에 걸쳐서, 파티클 발생의 문제도 현저하게 될 우려가 있다. 이 점에서, 제 1 기판 탑재면(51)과 제 2 기판 탑재면(52)의 간격을 넓게 할 수 있으면, 전계 강도를 저감할 수 있을 가능성도 있지만, 플라즈마 처리 장치 전체가 대형화해 버리기 때문에 현실적이지 않다.Particularly, when the rectangular first and second substrate mounting surfaces 51 and 52 are disposed adjacent to each other in the long side direction, there is a possibility that the area where the electric field intensity is high ranges over a wide range, . In this respect, if the interval between the first substrate mounting surface 51 and the second substrate mounting surface 52 can be increased, the electric field intensity may be reduced. However, since the entire plasma processing apparatus becomes larger in size, It is not.

그래서 도 1, 3에 나타내는 바와 같이 본 예의 플라즈마 처리 장치(1)는 하단측 전극(42) 위에 2개의 전극부(제 1 전극부(41a), 제 2 전극부(41b))를 서로 이간해서 배치하고, 제 1 기판 탑재면(51)의 주위, 및 제 2 기판 탑재면(52)의 주위의 양쪽을 둘러싸도록 링부(6)를 마련했다. 그리고 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52) 사이에 위치하는 링부(6)의 하면측에, 링부(6)를 구성하는 세라믹스의 유전율보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재(44)를 배치함으로써, 링부(6)의 배치 위치에 있어서의 전계 강도를 저감할 수 있었다(후술의 실시예의 시뮬레이션 결과 참조).Thus, as shown in Figs. 1 and 3, the plasma processing apparatus 1 of the present embodiment is configured such that two electrode portions (the first electrode portion 41a and the second electrode portion 41b) are separated from each other on the lower electrode 42 And the ring portion 6 is provided so as to surround both the periphery of the first substrate mounting surface 51 and the periphery of the second substrate mounting surface 52. A dielectric member 44 made of a dielectric material having a lower dielectric constant than the dielectric constant of the ceramics constituting the ring portion 6 is provided on the lower surface side of the ring portion 6 located between the first and second substrate mounting surfaces 51, It is possible to reduce the electric field intensity at the arrangement position of the ring portion 6 (see the simulation result of the embodiment described later).

도 1, 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 유전체 부재(44)는 간격을 두고 대향하는 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 측면과, 링부(6)의 하면과, 하단측 전극(42)의 상면으로 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련되어 있다.In the plasma processing apparatus 1 shown in Figs. 1 and 3, the dielectric member 44 has the side surfaces of the first and second electrode portions 41a and 41b opposed to each other with an interval, the lower surface of the ring portion 6, And is filled in a space surrounded by the upper surface of the lower electrode 42.

비유전률이 약 9~11 정도인 알루미나에 의해 링부(6)를 구성하는 경우, 해당 알루미나보다 유전율이 작은 유전체로서는, 불소 수지(예를 들면 폴리테트라 플루오로 에틸렌의 비유전률은 약 2 정도)나 석영(비유전률은 약 4 정도)을 예시할 수 있다.When the ring portion 6 is constituted by alumina having a relative dielectric constant of about 9 to 11, a fluororesin (for example, a relative dielectric constant of polytetrafluoroethylene is about 2) or the like is used as the dielectric material having a dielectric constant smaller than that of the alumina Quartz (relative dielectric constant of about 4).

또, 오목부(400)를 형성한 비교예와 관련되는 전극부(40)와 비교해서, 평면에서 보아 사각형 형상의 금속판에 의해 구성된 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)는 용사 노즐(7)에 의한 용사막(45)의 형성 작업이 실시하기 쉽고, 치밀한 용사막(45)을 형성할 수 있다고 하는 이점도 있다.The first and second electrode portions 41a and 41b constituted by the rectangular metal plate in plan view as compared with the electrode portion 40 relating to the comparative example in which the concave portion 400 is formed are formed in the spraying nozzle It is easy to carry out the formation of the thermal sprayed coating 45 by the thermal spray coating 7, and there is an advantage that a dense thermal spray coating 45 can be formed.

즉, 실시 형태에 따른 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에는, 용사막(45)을 형성해야 할 오목부가 존재하지 않기 때문에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 용사막(45)의 피형성면에 대해서 용사 노즐(7)로부터의 용사재의 토출각을 거의 직각으로 해서 용사를 행할 수 있다. 이 결과, 용사재 입자의 부착 밀도가 높고 치밀한 용사막(45)을 형성할 수 있다.That is, since the first and second electrode portions 41a and 41b according to the embodiment do not have recesses in which the thermal spray coating 45 should be formed, Spraying can be performed with the discharge angle of the sprayed material from the spraying nozzle 7 almost perpendicular to the forming surface. As a result, a dense thermal spraying film 45 having a high deposition density of the thermal sprayed particles can be formed.

이것에 대해서 도 6(a) 및 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 링부(6)를 배치하는 오목부(400)가 형성된 비교 형태에 따른 전극부(40)는 오목부(400)의 내측면에 용사막(45)을 형성할 때의 용사 노즐(7)로부터의 용사재의 토출각이 50~60°정도로 되어 버린다. 이 결과, 토출각을 거의 직각으로 했을 경우와 비교해서, 용사재 입자의 부착 밀도가 낮아지고, 치밀성이 나쁜 용사막(45)이 형성되고, 플라즈마와의 사이에서의 이상 방전이 발생하고, 기판(G)에 대해서 정상적인 플라즈마 처리를 행할 수 없을 우려도 있다.6 (a) and 6 (b), the electrode part 40 according to the comparative example in which the concave part 400 for disposing the ring part 6 is formed is formed in the inside of the concave part 400 The spraying angle of the thermal sprayed material from the spraying nozzle 7 when the thermal sprayed coating 45 is formed on the side becomes about 50 to 60 degrees. As a result, as compared with the case where the angle of discharge is almost perpendicular, the deposition density of the sprayed material particles is lowered and the thermal sprayed film 45 with poor denseness is formed, and an abnormal discharge with the plasma is generated, There is a possibility that normal plasma processing can not be performed on the substrate G.

이 점에서, 치밀한 용사막(45)을 형성 가능한 실시 형태에 따른 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)는 플라즈마와의 사이에서의 이상 방전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.In this regard, the first and second electrode portions 41a and 41b according to the embodiment capable of forming the dense thermal sprayed film 45 can effectively suppress the occurrence of abnormal discharge with respect to the plasma.

이상으로 설명한 구성을 구비하는 플라즈마 처리 장치(1)에는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 마련되어 있다. 이 제어부(100)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 프로그램에는 제어부(100)로부터 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신하고, 미리 설정된 스텝을 진행시킴으로써 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 실시하도록 명령이 작성되어 있다. 이 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체 예를 들면 플렉시브 디스크, 콤팩트 디스크, MO(광학 자기 디스크) 등의 도시하지 않는 기억부에 저장되고, 제어부(100)로 인스톨된다.In the plasma processing apparatus 1 having the above-described configuration, a control unit 100 including a computer is provided, for example. The control unit 100 includes a program, a memory, and a data processing unit including a CPU. The control unit 100 transmits a control signal to each unit of the plasma processing apparatus 1 and advances a predetermined step An instruction is issued to perform plasma processing on the substrate G. This program is stored in a storage unit (not shown) such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, and an MO (optical magnetic disk), and is installed in the control unit 100.

상술의 구성을 구비하는 플라즈마 처리 장치(1)의 작용에 대해 설명한다.The operation of the plasma processing apparatus 1 having the above-described configuration will be described.

처음에 플라즈마 처리 장치(1)의 게이트 밸브(15)를 열면, 도시하지 않는 기판 반송 기구에 의해 처리 공간(12) 내에 기판(G)이 반입된다. 그리고, 제 1 기판 탑재면(51)으로부터 복수의 승강 핀을 돌출시킴으로써, 기판(G)을 승강 핀으로 지지한다. 처리 공간(12) 내로부터 기판 반송 기구를 퇴피시킨 후, 승강 핀을 하강시킴으로써, 제 1 기판 탑재면(51) 측에 하나의 기판(G)이 탑재된다. 그 다음으로, 제 2 기판 탑재면(52) 측의 승강 핀을 이용해서 마찬가지의 동작을 반복함으로써, 제 2 기판 탑재면(52)에 다른 기판(G)이 탑재된다. 또한, 2매의 기판(G)을 횡 방향으로 배열한 상태에서 반송하는 것이 가능한 기판 반송 기구를 이용하고, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)에 대해서 동시에 기판(G)의 반송, 수수를 행하여도 좋다.First, when the gate valve 15 of the plasma processing apparatus 1 is opened, the substrate G is carried into the processing space 12 by a substrate transporting mechanism (not shown). Then, a plurality of lift pins are projected from the first substrate mounting surface 51, thereby supporting the substrate G with the lift pins. After the substrate transport mechanism is retracted from within the processing space 12, the substrate G is mounted on the first substrate mounting surface 51 side by lowering the lift pins. Subsequently, another substrate G is mounted on the second substrate mounting surface 52 by repeating the same operation using the elevating pins on the second substrate mounting surface 52 side. It is also possible to use a substrate transport mechanism capable of transporting two substrates G in a state in which they are arranged in a transverse direction and to transport substrates G on the first and second substrate mounting surfaces 51, , And transfer may be performed.

그 다음으로, 용사막(45) 내의 도시하지 않은 척 전극에 직류 전력을 공급해서, 기판(G)을 흡착 유지한다.Next, DC power is supplied to a chuck electrode (not shown) in the solvent film 45 to hold the substrate G by suction.

처리 공간(12) 내로부터 기판 반송 기구를 퇴피시킨 후, 게이트 밸브(15)를 닫아 처리 가스 공급계(25)로부터 공급된 처리 가스(예를 들면 에칭 가스)를 가스 공급부(21) 내에 확산시키고, 가스 토출 구멍(23)을 통해서 처리 공간(12) 내에 공급한다. 또, 배기구(16)로부터 배기로(17)를 통해서 진공 배기 기구(18)를 향해서 처리 공간(12) 내의 진공 배기를 행함으로써, 처리 공간(12) 내를 예를 들면 0.66~26.6 Pa(5~200 mTorr) 정도의 압력 분위기로 조절한다.The substrate transport mechanism is retracted from within the processing space 12 and then the gate valve 15 is closed to diffuse the process gas (for example, etching gas) supplied from the process gas supply system 25 into the gas supply unit 21 , And the gas discharge hole (23). Vacuum is exhausted from the exhaust port 16 through the exhaust path 17 to the vacuum exhaust mechanism 18 to evacuate the processing space 12 to a pressure of, for example, 0.66 to 26.6 Pa (5 To about 200 mTorr).

또, 기판(G)의 온도 상승이나 온도 변화를 회피하기 위해서, 가스 공급로(412)를 통해서, 전열용의 가스인 He 가스를 기판(G)의 이면 측에 공급한다.He gas, which is a heat transfer gas, is supplied to the back side of the substrate G through the gas supply path 412 in order to avoid temperature rise and temperature change of the substrate G. [

그 다음으로, 고주파 전원(37)으로부터 고주파 안테나(3)에 상술의 13.56MHz의 고주파 전력을 인가하고, 이것에 의해 유전체 창(2)을 통해서 처리 공간(12) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이렇게 해서 형성된 유도 전계에 의해, 처리 공간(12) 내에 공급된 처리 가스가 플라즈마화하고, 고밀도의 유도 결합 플라즈마가 생성된다. 이 플라즈마에 의해, 기판(G)에 대한 플라즈마 처리, 예를 들면 기판(G)의 소정의 막에 대한 플라즈마 에칭이 행해진다.Next, the above-mentioned high-frequency power of 13.56 MHz is applied from the high-frequency power source 37 to the high-frequency antenna 3, thereby forming a uniform induction field in the processing space 12 through the dielectric window 2 . By the induced electric field thus formed, the processing gas supplied into the processing space 12 is converted into a plasma, and a high-density inductively coupled plasma is generated. By this plasma, plasma processing for the substrate G, for example, plasma etching for a predetermined film of the substrate G, is performed.

이때, 고주파 전원(55)으로부터 바이어스용의 고주파 전력을 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에 인가함으로써, 처리 가스의 플라즈마가 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b) 측으로 끌려서, 수직성이 높은 에칭 처리를 진행시킬 수 있다. 또, 기판(G)의 주위에는 절연 부재인 세라믹스제의 링부(6)가 마련되어 있는 것에 의해, 플라즈마가 기판(G) 측으로 끌려서, 기판(G) 위에 플라즈마를 집중시켜 에칭 속도를 향상시킬 수 있다.At this time, by applying high-frequency power for bias from the high-frequency power source 55 to the first and second electrode portions 41a and 41b, the plasma of the process gas is drawn toward the first and second electrode portions 41a and 41b, It is possible to advance the etching treatment with high verticality. Since the ring portion 6 made of ceramics as the insulating member is provided around the substrate G, the plasma is attracted toward the substrate G, and the plasma can be concentrated on the substrate G to improve the etching speed .

이때, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 사이에 배치된 링부(6)의 하면측에, 링부(6)를 구성하는 세라믹스의 유전율보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재(44)를 배치함으로써, 해당 링부(6)의 배치 위치에 있어서의 전계 강도를 저감할 수 있다. At this time, a dielectric member 44 made of a dielectric material having a lower dielectric constant than the dielectric constant of the ceramics constituting the ring portion 6 is provided on the lower surface side of the ring portion 6 disposed between the first and second electrode portions 41a and 41b. It is possible to reduce the electric field strength at the arrangement position of the ring part 6. [

이 결과, 링부(6)를 구성하는 세라믹스가 깍이는 것에 따른 파티클의 발생을 억제하고, 플라즈마 처리중의 기판(G)에 대한 오염의 발생을 저감할 수 있다.As a result, generation of particles due to the cutting of the ceramics constituting the ring portion 6 can be suppressed, and the occurrence of contamination of the substrate G during the plasma processing can be reduced.

또, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)로서 평면에서 보아 사각형 형상의 금속판을 이용하고, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 표면에 치밀한 용사막(45)이 형성되어 있는 것에 의해, 플라즈마 처리중의 이상 방전의 발생을 억제하고, 기판(G)에 대해서 정상적인 플라즈마 처리를 행할 수 있다.A metal plate having a rectangular shape in plan view is used as the first and second electrode portions 41a and 41b and a dense thermal film 45 is formed on the surfaces of the first and second electrode portions 41a and 41b It is possible to suppress the occurrence of an abnormal discharge during plasma processing and to perform normal plasma processing on the substrate G. [

미리 설정된 시간, 플라즈마 에칭을 실시하면, 처리 가스나 전열용의 가스의 공급을 정지함과 아울러, 고주파 안테나(3) 및 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에의 고주파 전력의 인가를 정지해서, 플라즈마 처리를 종료한다. 이 후, 처리 공간(12) 내의 압력 조정을 행하고, 기판(G)의 흡착 유지를 해제해서 반입시와는 반대의 순서로 처리 후의 기판(G)을 반출한다.When the plasma etching is performed for a predetermined time, the supply of the process gas or the heat transfer gas is stopped and the application of the high frequency power to the high frequency antenna 3 and the first and second electrode portions 41a and 41b is stopped And the plasma process is terminated. Thereafter, the pressure in the processing space 12 is adjusted to release the suction of the substrate G, and the processed substrate G is carried out in the reverse order to the carrying-out.

본 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 제 1 전극부(41a)의 상면측의 제 1 기판 탑재면(51)의 주위, 및, 해당 제 1 전극부(41a)로부터 이간해서 인접하는 위치에 배치된 제 2 전극부(41b)의 상면측의 제 2 기판 탑재면(52)의 주위의 양쪽을 둘러싸도록 마련된 세라믹스제의 링부(6) 중, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 사이에 위치하는 링부(6)의 하면측에, 상기 세라믹스보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재(44)를 배치하고 있다.According to the plasma processing apparatus 1 of the present embodiment, the periphery of the first substrate mounting surface 51 on the upper surface side of the first electrode portion 41a and the periphery of the first substrate mounting surface 51 adjacent to the first electrode portion 41a Of the ring portion 6 made of ceramics provided so as to surround both the periphery of the second substrate mounting surface 52 on the upper surface side of the second electrode portion 41b disposed at the position where the first and second substrate mounting surfaces 51, and 52, a dielectric member 44 made of a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the ceramics is disposed on the lower surface side of the ring portion 6.

이 결과, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 사이에 배치된 링부(6)에 있어서의 전계 강도를 저감할 수 있으므로, 예를 들면 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 배치 간격을 넓혀서 상기 전계 강도를 저감하는 경우와 비교해서, 플라즈마 처리 장치(1)의 대형화를 피하면서, 전계 강도의 상승에 수반하는 링부(6)로부터의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.As a result, the electric field strength in the ring portion 6 disposed between the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52 can be reduced. Therefore, for example, the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, It is possible to suppress generation of particles from the ring portion 6 accompanied by an increase in the electric field intensity while avoiding enlargement of the plasma processing apparatus 1, have.

여기서 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)을 구성하는 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)는, 도 1~3을 이용해서 설명한, 서로 대향하는 측면이 평탄한, 평면에서 보아 사각형 형상의 금속판에 의해 구성하는 경우로 한정되지 않는다.Here, the first and second electrode portions 41a and 41b constituting the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52 are formed in a planar manner, But the present invention is not limited to the case of a rectangular metal plate.

예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 전극부(41a', 41b')의 서로 대향하는 각 측면의 하부측의 위치에, 각각, 상대의 전극부(41b', 41a') 측을 향해서 돌출하고, 선단부가 서로 마주 향하도록 배치되는 플랜지 형상의 돌출부(413)를 형성해도 좋다. 또한, 서로 마주 향하도록 배치된 돌출부(413)의 선단부끼리는 접촉하고 있지 않아도 좋고, 이들 선단부끼리의 사이에 수 mm 정도의 틈새가 형성되어 있어도 좋다.For example, as shown in Fig. 7, the electrode portions 41b 'and 41a' of the opposed electrode portions 41b 'and 41a' are provided at positions on the lower side of the mutually opposing sides of the first and second electrode portions 41a 'and 41b' Like protruding portion 413, which is protruded toward the side and faces the end portions, may be formed. Further, the tip portions of the projecting portions 413 arranged to face each other may not be in contact with each other, and a gap of about several mm may be formed between the tip portions.

이때, 유전체 부재(44)는 간격을 두고 대향하는 제 1 및 제 2 전극부(41a', 41b')의 측면과, 링부(6)의 하면과, 제 1 및 제 2 전극부(41a', 41b')의 각 돌출부(413, 413)의 상면에 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련된다.At this time, the dielectric member 44 has the side surfaces of the first and second electrode portions 41a 'and 41b' facing each other with a gap, the lower surface of the ring portion 6, and the first and second electrode portions 41a ' 413 'of the first and second protrusions 41a, 41b'.

본 예에서는, 용사막(45)이 형성되어 있지 않은 하단측 전극(42)의 상면을, 용사막(45)이 형성된 돌출부(413)로 덮음으로써, 플라즈마와 하단측 전극(42)의 사이의 절연성을 향상시키고, 이상 방전의 발생을 더 억제할 수 있다.The upper surface of the lower electrode 42 on which the thermal sprayed film 45 is not formed is covered with the projected portion 413 on which the thermal sprayed film 45 is formed so that the distance between the plasma and the lower electrode 42 It is possible to improve the insulating property and further suppress the occurrence of the abnormal discharge.

또한, 돌출부(413)를 마련한 제 1 및 제 2 전극부(41a', 41b')에의 용사막(45)의 형성시에도, 용사 처리는 제 1 및 제 2 전극부(41a', 41b')의 조합 전에 행해지므로, 돌출부(413)의 상면에 대해서는, 용사 노즐(7)로부터의 용사재의 토출각을 거의 직각으로 해서 용사를 행할 수 있어, 치밀한 용사막(45)의 형성이 가능하다.The spraying process is performed in the same manner as the first and second electrode portions 41a 'and 41b' even when the thermal sprayed film 45 is formed on the first and second electrode portions 41a 'and 41b' The spraying can be performed with the discharge angle of the thermal sprayed material from the thermal spray nozzle 7 almost perpendicular to the upper surface of the projection 413 so that a dense thermal spray film 45 can be formed.

이 외, 도 8에 나타내는 예에서는, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에 더해서, 하단측 전극도 제 1 및 제 2 하단측 전극(42a, 42b)으로 분할되어 있다.In addition, in the example shown in Fig. 8, in addition to the first and second electrode portions 41a and 41b, the lower-end electrode is also divided into the first and second lower-end electrodes 42a and 42b.

즉, 상기 제 1 전극부(41a)는 서로 전기적으로 도통하는 제 1 하단측 전극(42a)위에 마련되고, 또, 제 2 전극부(41b)는 제 1 하단측 전극(42a)으로부터 이간해서 인접하는 위치에 배치되고, 제 2 전극부(41b)와 서로 전기적으로 도통하는 제 2 하단측 전극(42b) 상에 마련되어 있다.That is, the first electrode portion 41a is provided on the first lower-side electrode 42a electrically connected to each other, and the second electrode portion 41b is provided adjacent to the first lower-side electrode 42a And is provided on the second lower-side electrode 42b, which is electrically connected to the second electrode portion 41b.

제 1 전극부(41a)와 제 1 하단측 전극(42a)의 사이, 제 2 전극부(41b)와 제 2 하단측 전극(42b)의 사이에는, 각 가스 공급로(412)를 향해서 전열용의 가스를 공급하기 위한 가스 유로(421)가 형성된다.The gas is supplied to the respective gas supply passages 412 between the first electrode portion 41a and the first lower electrode 42a and between the second electrode portion 41b and the second lower electrode 42b, A gas flow path 421 for supplying a gas of a predetermined temperature is formed.

또, 고주파 전원(55)은 제 1 및 제 2 하단측 전극(42a, 42b)에 각각 접속되고, 이들 제 1 및 제 2 하단측 전극(42a, 42b)을 통해서 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에 고주파 전력이 인가된다.The high frequency power source 55 is connected to the first and second lower side electrodes 42a and 42b and is connected to the first and second electrode portions 42a and 42b through the first and second lower side electrodes 42a and 42b. 41a, and 41b.

도 8에 나타내는 예에 있어서, 절연 부재(46)는 사각형 형상의 링체와, 해당 링체의 2개의 장변의 중간점을 연결하는 봉체를 조합해서 구성되고, 평면에서 보았을 때 「日의 글자」로 되어 있다. 그리고 유전체 부재(44)는 간격을 두고 대향하는 상기 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)의 측면 및 제 1 및 제 2 하단측 전극(42a, 42b)의 측면과, 링부(6)의 하면과 절연 부재(46)로 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련되어 있다. 예를 들면 유전체 부재(44)는 상기 봉체인 절연 부재(46)에 의해 지지되어 있다.In the example shown in Fig. 8, the insulating member 46 is formed of a combination of a rectangular ring body and a ring connecting the midpoints of the two long sides of the ring body, and is a "letter of the day" have. The dielectric member 44 is disposed between the side surfaces of the first and second electrode portions 41a and 41b and the side surfaces of the first and second lower side electrodes 42a and 42b, And is filled in a space surrounded by the lower surface and the insulating member 46. For example, the dielectric member 44 is supported by the insulating member 46 as the rod.

또한, 상기 봉체인 절연 부재(46)를 마련해서 유전체 부재(44)를 지지하는 방법을 대신해서, 제 1 및 제 2 하단측 전극(42a, 42b) 측으로부터 플랜지 형상의 지지 부재를 돌출시켜, 해당 지지 부재에 의해 유전체 부재(44)를 지지해도 좋다.Instead of the method of supporting the dielectric member 44 by providing the insulative member 46 as the rod, a flange-shaped support member may be protruded from the first and second lower-side electrodes 42a and 42b, And the dielectric member 44 may be supported by the supporting member.

여기서, 처리 공간(12)의 바닥부에 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)를 배치하는 방법은, 도 1, 3, 7, 8에 나타내는, 사각형 형상의 링체로서 구성된 절연 부재(46)의 상면에, 하단측 전극(42)(또는 제 1 하단측 전극(42a), 제 2 하단측 전극(42b)), 제 1 전극부(41a), 제 2 전극부(41b)(또는 제 1 전극부(41a'), 제 2 전극부(41b')), 유전체 부재(44), 링부(6), 측부 절연 부재(73), 외측 링부(74)를 포함한 조립 구조체(기판(G)의 탑재대에 상당한다)를 마련하는 경우로 한정되지 않는다.The method of disposing the first and second electrode portions 41a and 41b at the bottom of the processing space 12 is the same as the method of disposing the insulating member 46 The lower electrode 42 (or the first lower-side electrode 42a, the second lower-side electrode 42b), the first electrode portion 41a, the second electrode portion 41b (The substrate G) including the first electrode portion 41a ', the second electrode portion 41b', the dielectric member 44, the ring portion 6, the side insulating member 73 and the outer ring portion 74, The present invention is not limited to this case.

예를 들면 하단측 전극(42)과 처리 용기(10)의 바닥판의 사이를 기밀하게 연결하는 자유롭게 신축하는 벨로우즈를 마련하고, 해당 벨로우즈의 내측에, 상기 저판을 관통하도록 자유롭게 승강하는 지주를 배치하고, 해당 지주의 상단부에 절연 부재를 통해서 하단측 전극(42)을 접속해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 처리 용기(10)의 바닥판에는, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)에 각각 대응하는 위치에, 도시하지 않는 복수의 수수 핀 등의 기판 수수 기구가 각각 마련되어 있고, 지주가 하강함으로써, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)으로부터 수수 핀이 돌출하고, 외부의 기판 반송 기구와의 사이에서의 기판(G)의 수수는 수수 핀을 통해서 행해진다.For example, a freely expanding and contracting bellows for airtightly connecting the lower-side electrode 42 and the bottom plate of the processing vessel 10 is provided, and a post which freely ascends and descends through the bottom plate is disposed inside the bellows And the lower electrode 42 may be connected to the upper end of the support via an insulating member. In this case, for example, on the bottom plate of the processing container 10, a plurality of transferring mechanisms such as transferring pins (not shown) are provided at positions corresponding to the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, respectively The receiving pins are projected from the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52 and the transfer of the substrate G to and from the external substrate transfer mechanism is performed through the transfer pins All.

또한, 처리 용기(10)에서 형성되는 플라즈마는 유도 결합 플라즈마를 형성하는 고주파 안테나(3), 유전체 창(2)을 구비하는 경우로 한정되는 것은 아니다. 유전체 창(2)이 아닌 비자성의 금속, 예를 들면 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구성됨과 아울러, 처리 용기(10)로부터 절연된 금속벽(금속창)을 통해서 고주파 안테나(3)가 마련된 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 이 경우, 처리 가스는 가스 공급부(21)로부터가 아닌 금속벽에 가스 샤워 기구를 마련해서 공급해도 좋다.In addition, the plasma formed in the processing vessel 10 is not limited to the case of including the high frequency antenna 3 and the dielectric window 2 forming the inductively coupled plasma. It is also applicable to a case where the high frequency antenna 3 is provided through a metal wall (metal window) insulated from the processing vessel 10 and composed of a non-magnetic metal such as aluminum or an aluminum alloy other than the dielectric window 2 can do. In this case, the process gas may be supplied not by the gas supply unit 21 but by providing a gas shower mechanism on the metal wall.

또한, 상술의 각 실시 형태에 있어서는, 처리 가스를 유도 결합에 의해 플라즈마화해서 플라즈마 처리를 행하는 예에 대해 설명했지만, 플라즈마 형성부가 처리 가스를 플라즈마화하는 방법은 이 예로 한정되지 않는다.In each of the above-described embodiments, the plasma processing is performed by inductively coupling the processing gas. However, the method of plasma-processing the processing gas into plasma is not limited to this example.

금속제의 가스 공급부(21)와 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b) 사이에 고주파 전력을 인가해서 용량 결합을 형성하고, 처리 가스를 플라즈마화하는 용량 결합 플라즈마나, 처리 공간(12)에 마이크로파를 도입해서 처리 가스를 플라즈마화하는 마이크로파 플라즈마를 이용해서 플라즈마 처리를 행해도 좋다. 이들의 경우에도, 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에는 플라즈마 형성용이나 이온 인입용의 고주파 전력이 인가된다.A capacitive coupling plasma for applying a high frequency power between the metal gas supply unit 21 and the first and second electrode units 41a and 41b to form a capacitive coupling and plasmaize the process gas, Plasma processing may be performed using a microwave plasma that introduces a microwave and converts the processing gas into a plasma. In these cases, the first and second electrode portions 41a and 41b are also subjected to high-frequency power for plasma generation or ion attraction.

그래서 이들 플라즈마 형성 방법에 있어서도, 제 1 및 제 2 기판 탑재면(51, 52)의 사이에 마련되는 링부(6)의 하면측에 유전체 부재(44)를 마련하고, 해당 링부(6)의 배치 위치에 있어서의 전계 강도의 저감을 도모해도 좋다.Thus, in these plasma forming methods, the dielectric member 44 is provided on the lower surface side of the ring portion 6 provided between the first and second substrate mounting surfaces 51 and 52, and the arrangement of the ring portions 6 The electric field intensity at the position may be reduced.

또, 본 예의 플라즈마 처리 장치(1)를 이용해서 실시되는 플라즈마 처리의 종류는 상술의 에칭 처리나 애싱 처리로 한정되는 것이 아니고, 기판(G)에 대한 성막 처리이어도 좋다.The type of the plasma treatment performed using the plasma processing apparatus 1 of the present embodiment is not limited to the etching treatment or the ashing treatment described above and may be a film formation treatment on the substrate G.

또, 기판(G)의 종류에 대해서도 상술의 G6 하프 기판의 예로 한정되지 않고, 다른 사이즈의 사각형 기판이어도 좋다. 또한, FPD용의 사각형 기판에 한정하지 않고, 태양 전지 등의 다른 용도의 사각형 기판을 처리하는 경우에도 본 발명은 적용 가능하다. 이 외, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판에도 본 발명은 적용하는 것이 가능하다.The type of the substrate G is not limited to the above-described G6 half substrate, but may be a rectangular substrate of another size. Further, the present invention is applicable not only to a rectangular substrate for FPD but also to a rectangular substrate for other purposes such as a solar cell. In addition, the present invention can be applied to a circular substrate such as a semiconductor wafer.

[실시예][Example]

(시뮬레이션)(simulation)

링부(6)의 하면측에 유전체 부재(44)를 마련한 경우와 마련하지 않는 경우에 있어서의 링부(6)의 표면에 발생하는 전계 강도의 다름을 시뮬레이션에 의해 확인했다.A difference in electric field intensity occurring on the surface of the ring portion 6 when the dielectric member 44 was provided on the lower surface side of the ring portion 6 and when the dielectric member 44 was not provided was confirmed by simulation.

A. 시뮬레이션 조건A. Simulation conditions

(실시예 1) 폭 35 mm, 두께 10 mm의 세라믹스제의 판재(비유전률 : 9.9, 링부(6)에 상당한다)의 하면측에, 폭 35 mm, 두께 35 mm의 폴리테트라 플루오로 에틸렌성의 유전체 부재(44)(비유전률 : 2.0)을 배치하고, 이들 세라믹스제의 판재, 및 유전체 부재(44)의 양 측면에 제 1 및 제 2 전극부(41a, 41b)에 상당하는 알루미늄을 배치한 시뮬레이션 모델을 작성했다. 해당 모델은 도 3, 도 7에 나타내는 실시 형태에 대응한다. 그리고, 알루미늄에 소정의 RF 전압을 인가한 경우에 있어서, 상면 측으로 노출하고 있는 알루미늄, 및 세라믹스제의 판재의 각 위치에 있어서의 전계 강도를 시뮬레이션했다.(Example 1) A polytetrafluoroethylene-based material having a width of 35 mm and a thickness of 35 mm was formed on the lower surface side of a plate material (relative permittivity: 9.9, ring portion 6) made of ceramics having a width of 35 mm and a thickness of 10 mm A dielectric member 44 (relative dielectric constant: 2.0) was disposed, and aluminum corresponding to the first and second electrode portions 41a and 41b was disposed on both sides of the plate member made of these ceramics and the dielectric member 44 I created a simulation model. The model corresponds to the embodiment shown in Figs. 3 and 7. Then, in the case where a predetermined RF voltage was applied to aluminum, the electric field intensity at each position of the plate material made of aluminum and ceramics exposed to the upper surface side was simulated.

(실시예 2) 유전체 부재(44)의 두께를 60mm로 한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 실시했다. 본 모델은 도 8에 나타내는 실시 형태에 대응한다.(Example 2) A simulation similar to that of Example 1 was performed except that the thickness of the dielectric member 44 was 60 mm. This model corresponds to the embodiment shown in Fig.

(비교예 1) 유전체 부재(44)를 마련하지 않은 점과 세라믹스제의 판재의 하면측에도 알루미늄을 배치한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 시뮬레이션을 실시했다. 본 모델은 도 4에 나타내는 비교 형태에 대응한다.(Comparative Example 1) A simulation similar to that of Example 1 was conducted except that the dielectric member 44 was not provided and aluminum was disposed also on the lower surface side of the ceramic plate material. This model corresponds to the comparison form shown in Fig.

B. 시뮬레이션 결과B. Simulation Results

실시예 1, 2 및 비교예 1의 시뮬레이션 결과를 도 9에 나타낸다. 도 9의 횡축은 링부(6)에 상당하는 세라믹스제의 판재의 폭 치수의 중심 위치를 원점으로 했을 때의 폭 방향의 좌표 위치 [m]를 나타내고, 종축은 각 위치에 있어서의 전계 강도 [arbitrary unit]를 나타낸다. 실시예 1, 2의 시뮬레이션 결과는 거의 동일하므로, 1개의 실선으로 나타내고, 비교예 1의 시뮬레이션 결과는 파선으로 나타내고 있다.The simulation results of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 are shown in Fig. The horizontal axis in Fig. 9 represents the coordinate position [m] in the width direction when the center position of the width dimension of the plate material made of ceramics corresponding to the ring portion 6 is taken as the origin, and the vertical axis shows the electric field strength [arbitrary unit]. The simulated results of Examples 1 and 2 are almost the same, so they are shown by one solid line, and the simulation results of Comparative Example 1 are shown by broken lines.

도 9에 나타내는 실시예 1, 2의 결과에 의하면, 하면측에 유전체 부재(44)가 배치된 세라믹스제의 판재에 있어서는, 폭 방향의 중심 위치에서 전계 강도가 가장 낮고, 폭 방향의 단부를 향하여 서서히 전계 강도가 상승한 후, 급격하게 전계 강도가 상승하는 분포가 형성되는 것을 알았다.According to the results of Examples 1 and 2 shown in Fig. 9, in the case of a ceramic plate made of a ceramic material in which the dielectric member 44 is disposed on the lower surface side, the electric field intensity is lowest at the center position in the width direction, It was found that after the electric field strength was gradually increased, a distribution in which the electric field intensity was abruptly increased was formed.

또, 실시예 1의 시뮬레이션에 관해서는, 5~35mm의 범위 내에서 유전체 부재(44)의 두께를 변화시킨 복수의 시뮬레이션 모델을 작성해서 시뮬레이션을 행했다. 이들 시뮬레이션의 결과에 대해서도, 도 9에 나타내는 실시예 1의 결과와 거의 같았다.With regard to the simulation of the first embodiment, a plurality of simulation models in which the thickness of the dielectric member 44 was varied within a range of 5 mm to 35 mm were created and simulations were performed. The results of these simulations were almost the same as those of Example 1 shown in Fig.

이것에 대해서, 비교예 1에서는, 급격하게 전계 강도가 상승하는 위치보다 내측의 영역에서는 평탄한 전계 강도 분포가 형성되고, 그 값은 어느 위치에 있어서도 실시예 1, 2의 전계 강도보다 높게 되어 있다.On the other hand, in Comparative Example 1, a flat electric field intensity distribution was formed in a region on the inner side from a position where the electric field intensity was abruptly increased, and the value was higher than that of Examples 1 and 2 in any positions.

이들 시뮬레이션 결과로부터, 도 4에 나타내는 전극부(40)의 오목부(400) 내에 링부(6)를 배치하는 방법에 비해, 도 3, 7, 8에 나타내는 링부(6)의 하면측에 해당 링부(6)를 구성하는 세라믹스보다 유전율이 낮은 유전체 부재(44)를 마련하는 방법을 채용함으로써, 링부(6)의 표면의 전계 강도를 저하시키는 것이 가능하는 것을 알 수 있다.The results of these simulations show that the ring portion 6 is provided on the lower surface side of the ring portion 6 shown in Figs. 3, 7 and 8 in comparison with the method of disposing the ring portion 6 in the concave portion 400 of the electrode portion 40 shown in Fig. It is possible to reduce the electric field strength of the surface of the ring portion 6 by adopting the method of providing the dielectric member 44 having a dielectric constant lower than that of the ceramics constituting the ring portion 6. [

G : 기판 1 : 플라즈마 처리 장치
10 : 처리 용기 12 : 처리 공간
18 : 진공 배기 기구 21 : 가스 공급부
3 : 고주파 안테나 41a, 41a' : 제 1 전극부
41b, 41b' : 제 2 전극부 412 : 가스 공급로
413 : 돌출부 42 : 하단측 전극
42a : 제 1 하단측 전극 42b : 제 2 하단측 전극
421 : 가스 유로 44 : 유전체 부재
45 : 용사막 51 : 제 1 기판 탑재면
52 : 제 2 기판 탑재면 6 : 링부G: substrate 1: plasma processing device
10: processing vessel 12: processing space
18: vacuum exhaust mechanism 21: gas supply part
3: High-frequency antenna 41a, 41a ': First electrode part
41b, 41b ': second electrode part 412: gas supply path
413: protruding portion 42: bottom electrode
42a: first lower-side electrode 42b: second lower-side electrode
421: gas channel 44: dielectric member
45: thermal spraying film 51: first substrate mounting surface
52: second substrate mounting surface 6: ring portion

Claims (10)

피처리 기판에 대해, 플라즈마화된 처리 가스에 의한 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간을 구성함과 아울러, 상기 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부, 및 상기 처리 공간의 진공 배기를 행하는 진공 배기부에 접속된 처리 용기와,
상기 처리 공간에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 형성부와,
상기 처리 공간 내에 마련되고, 그 상면이 하나의 피처리 기판을 탑재하기 위한 제 1 기판 탑재면을 구성함과 아울러, 고주파 전력이 인가되는 금속제의 제 1 전극부와,
상기 처리 공간 내의 상기 제 1 전극부로부터 이간해서 인접하는 위치에 마련되고, 그 상면이 상기 하나의 피처리 기판과는 상이한 다른 피처리 기판을 탑재하기 위한 제 2 기판 탑재면을 구성함과 아울러, 고주파 전력이 인가되는 금속제의 제 2 전극부와,
상방측에서 보아, 상기 제 1 기판 탑재면의 주위, 및 상기 제 2 기판 탑재면의 주위의 양쪽을 둘러싸는 세라믹스제의 링부와,
상기 제 1 및 제 2 기판 탑재면의 사이에 위치하는 링부의 하면측에 마련되고, 상기 세라믹스보다 유전율이 낮은 유전체로 이루어지는 유전체 부재
를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
1. A plasma processing apparatus for performing a plasma process on a substrate to be processed by plasma processing gas,
A processing gas supply unit for supplying a processing gas to the processing space and a processing vessel connected to a vacuum exhaust unit for performing vacuum evacuation of the processing space;
A plasma forming unit for plasma-forming the process gas supplied to the process space,
A first electrode unit provided on the upper surface of the processing space to constitute a first substrate mounting surface for mounting a substrate to be processed and to which a high frequency power is applied;
A second substrate mounting surface for mounting another substrate to be processed which is provided at a position adjacent to the first electrode portion in the processing space and whose upper surface is different from the one substrate to be processed, A second electrode part made of metal to which a high frequency electric power is applied,
A ring portion made of ceramics surrounding both the periphery of the first substrate mounting surface and the periphery of the second substrate mounting surface as viewed from above,
And a dielectric member provided on a lower surface side of the ring portion positioned between the first and second substrate mounting surfaces and made of a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the ceramics,
Wherein the plasma processing apparatus further comprises:
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극부 및 제 2 전극부는 상기 제 1 및 제 2 전극부와 전기적으로 도통하는 공통의 하단측 전극 위에 마련되고, 상기 하단측 전극을 통해서 상기 제 1 및 제 2 전극부에 고주파 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode portion and the second electrode portion are provided on a common lower-end electrode electrically connected to the first and second electrode portions, and high-frequency power is applied to the first and second electrode portions through the lower- Is applied to the plasma processing apparatus.
제 2 항에 있어서,
상기 유전체 부재는, 간격을 두고 대향하는 상기 제 1 및 제 2 전극부의 측면과, 상기 링부의 하면과, 상기 하단측 전극의 상면으로 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the dielectric member is provided so as to be filled in a space surrounded by a side surface of the first and second electrode portions opposed to each other with an interval, a lower surface of the ring portion, and an upper surface of the lower electrode.
제 2 항에 있어서,
간격을 두고 대향하는 상기 제 1 및 제 2 전극부의 각 측면의 하부측의 위치에는, 각각, 상대의 전극부측을 향해서 돌출하고, 선단부가 서로 마주 향하도록 배치된 플랜지 형상의 돌출부가 형성되어 있는 것과,
상기 유전체 부재는, 간격을 두고 대향하는 상기 제 1 및 제 2 전극부의 측면과, 상기 링부의 하면과, 상기 제 1 및 제 2 전극부의 각 돌출부의 상면에 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
3. The method of claim 2,
A flange-shaped protruding portion protruding toward the counterpart electrode side and arranged so that their tip ends are opposed to each other are formed at the positions on the lower sides of the respective side surfaces of the first and second electrode portions facing each other at intervals ,
The dielectric member is provided so as to be filled in a space surrounded by the side surfaces of the first and second electrode portions opposed to each other with a space, the lower surface of the ring portion, and the upper surface of each protrusion of the first and second electrode portions .
제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 전극부와 하단측 전극의 사이, 및 상기 제 2 전극부와 하단측 전극의 사이에는, 각각, 상기 제 1 및 제 2 전극부 내를 상하 방향으로 관통하는 복수의 가스 공급로를 거쳐서, 상기 제 1 및 제 2 기판 탑재면 위에 탑재된 피처리 기판의 이면을 향해서 전열용의 가스를 공급하기 위한 가스 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
5. The method according to any one of claims 2 to 4,
A plurality of gas supply passages passing through the first and second electrode portions in the vertical direction are provided between the first electrode portion and the lower electrode and between the second electrode portion and the lower electrode, And a gas flow path for supplying a heat transfer gas toward the back surface of the target substrate mounted on the first and second substrate mounting surfaces is formed.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극부는 서로 전기적으로 도통하는 제 1 하단측 전극 위에 마련되고, 상기 제 2 전극부는 상기 제 1 하단측 전극으로부터 이간해서 인접하는 위치에 배치되고, 상기 제 2 전극부와 서로 전기적으로 도통하는 제 2 하단측 전극 위에 마련되는 것과,
상기 제 1 및 제 2 하단측 전극을 통해서 상기 제 1 및 제 2 전극부에 고주파 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode portion is provided on a first lower-side electrode electrically connected to each other, the second electrode portion is disposed at a position adjacent to the first lower-side electrode, and the second electrode portion is electrically connected to the second electrode portion The second lower-side electrode,
And a high-frequency power is applied to the first and second electrode portions through the first and second lower-side electrodes.
제 6 항에 있어서,
상기 유전체 부재는 간격을 두고 대향하는 상기 제 1 및 제 2 전극부의 측면 및 제 1 및 제 2 하단측 전극의 측면과, 상기 링부의 하면에 둘러싸인 공간에 충전되도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the dielectric member is provided so as to be filled in a space surrounded by side surfaces of the first and second electrode portions facing each other with a gap and side surfaces of the first and second lower side electrodes and the lower surface of the ring portion, .
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 전극부와 제 1 하단측 전극의 사이, 및 상기 제 2 전극부와 제 2 하단측 전극의 사이에는, 각각, 상기 제 1 및 제 2 전극부 내를 상하 방향으로 관통하는 복수의 가스 공급로를 거쳐서, 상기 제 1 및 제 2 기판 탑재면 위에 탑재된 피처리 기판의 이면을 향해서 전열용의 가스를 공급하기 위한 가스 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
8. The method according to claim 6 or 7,
A plurality of gas passing through the first and second electrode portions in the vertical direction are provided between the first electrode portion and the first lower-side electrode, and between the second electrode portion and the second lower- Wherein a gas flow path for supplying a heat transfer gas toward the back surface of the target substrate mounted on the first and second substrate mounting surfaces via a supply path is formed.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 6 항, 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 기판 탑재면을 포함하는 제 1 전극부의 상면, 및 측면, 및, 상기 제 2 기판 탑재면을 포함하는 제 2 전극부의 상면, 및 측면은 절연성의 피막에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 6, and 7,
The upper surface and the side surface of the first electrode portion including the first substrate mounting surface and the upper surface and the side surface of the second electrode portion including the second substrate mounting surface are covered with an insulating film. Processing device.
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 6 항, 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 링부를 구성하는 세라믹스는 알루미나이며, 상기 유전체 부재를 구성하는 유전체는 불소 수지 또는 석영인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 6, and 7,
Wherein the ceramics constituting the ring portion is alumina, and the dielectric constituting the dielectric member is fluororesin or quartz.
KR1020180076974A 2017-07-06 2018-07-03 Plasma processing apparatus KR102121655B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-133016 2017-07-06
JP2017133016A JP6969182B2 (en) 2017-07-06 2017-07-06 Plasma processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190005750A true KR20190005750A (en) 2019-01-16
KR102121655B1 KR102121655B1 (en) 2020-06-10

Family

ID=64989932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180076974A KR102121655B1 (en) 2017-07-06 2018-07-03 Plasma processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6969182B2 (en)
KR (1) KR102121655B1 (en)
CN (1) CN109216148B (en)
TW (1) TWI754077B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017936A (en) * 2019-05-28 2020-12-01 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus
CN112017936B (en) * 2019-05-28 2024-05-31 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020093059A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093037A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093036A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093055A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093054A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093041A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093060A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093043A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093047A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093046A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093056A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093058A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093042A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
JP2020093057A (en) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社三洋物産 Game machine
EP3933065A4 (en) * 2019-03-01 2022-08-17 NHK Spring Co., Ltd. Stage, and method for manufacturing stage
CN113179676B (en) * 2019-11-27 2024-04-09 东芝三菱电机产业***株式会社 Active gas generating device
JP7015425B1 (en) * 2020-09-08 2022-02-02 日本発條株式会社 Stage and its manufacturing method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730468A (en) 1993-07-15 1995-01-31 Hitachi Ltd Receiving system of field bus
KR20050041926A (en) * 2003-10-31 2005-05-04 동경 엘렉트론 주식회사 Electrostatic absorption apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2009076816A (en) * 2007-09-25 2009-04-09 Ulvac Japan Ltd Plasma processing device
JP4361045B2 (en) 2005-10-12 2009-11-11 パナソニック株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20090132511A (en) * 2008-06-19 2009-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Focus ring and plasma process apparatus
KR20150146408A (en) * 2014-06-23 2015-12-31 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 Tray and wafer holding apparatus
KR20160091210A (en) * 2015-01-22 2016-08-02 주식회사 원익아이피에스 Substrate supporting module and substrate processing apparatus having the same
JP2016197587A (en) * 2015-04-03 2016-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ Plasma processing apparatus, shield ring, and member for shield ring

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039836A (en) * 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
JP5227197B2 (en) * 2008-06-19 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 Focus ring and plasma processing apparatus
JP6305825B2 (en) * 2014-05-12 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus and exhaust structure used therefor
JP6540022B2 (en) * 2014-12-26 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 Mounting table and plasma processing apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730468A (en) 1993-07-15 1995-01-31 Hitachi Ltd Receiving system of field bus
KR20050041926A (en) * 2003-10-31 2005-05-04 동경 엘렉트론 주식회사 Electrostatic absorption apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4361045B2 (en) 2005-10-12 2009-11-11 パナソニック株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2009076816A (en) * 2007-09-25 2009-04-09 Ulvac Japan Ltd Plasma processing device
JP5094307B2 (en) 2007-09-25 2012-12-12 株式会社アルバック Plasma processing equipment
KR20090132511A (en) * 2008-06-19 2009-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Focus ring and plasma process apparatus
KR20150146408A (en) * 2014-06-23 2015-12-31 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 Tray and wafer holding apparatus
KR20160091210A (en) * 2015-01-22 2016-08-02 주식회사 원익아이피에스 Substrate supporting module and substrate processing apparatus having the same
JP2016197587A (en) * 2015-04-03 2016-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ Plasma processing apparatus, shield ring, and member for shield ring

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017936A (en) * 2019-05-28 2020-12-01 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus
CN112017936B (en) * 2019-05-28 2024-05-31 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN109216148A (en) 2019-01-15
JP6969182B2 (en) 2021-11-24
TW201921483A (en) 2019-06-01
JP2019016697A (en) 2019-01-31
KR102121655B1 (en) 2020-06-10
CN109216148B (en) 2021-01-19
TWI754077B (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190005750A (en) Plasma processing apparatus
US11130142B2 (en) Showerhead having a detachable gas distribution plate
US7837828B2 (en) Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device
KR101876873B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101850355B1 (en) Plasma processing apparatus
US10714370B2 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
KR20170092135A (en) Plasma processing container and plasma processing apparatus
KR102061415B1 (en) Plasma processing apparatus and gas shower head
KR102218686B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101760982B1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR20190019965A (en) Plasma processing apparatus
US9011634B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW202121567A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method ensuring the rigidity of the protective frame that protects the edge portion of the substrate
KR20200051505A (en) Placing table and substrate processing apparatus
US10593522B2 (en) Electrostatic chuck, placing table and plasma processing apparatus
TWI809543B (en) Plasma Etching Equipment
TW201901838A (en) Gate valve device and substrate processing system
JP6794937B2 (en) Plasma processing equipment
KR100683255B1 (en) Plasma processing apparatus and exhausting device
KR102500590B1 (en) Plasma processing apparatus
TW202233023A (en) Plasma processing device and method for manufacturing same, and plasma processing method capable of achieving stabilization of discharge even when the plasma processing device is enlarged
JP2023067033A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2023017479A (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20040025094A (en) Plasma processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant