KR20180111550A - 웨이퍼 척 - Google Patents

웨이퍼 척 Download PDF

Info

Publication number
KR20180111550A
KR20180111550A KR1020180033865A KR20180033865A KR20180111550A KR 20180111550 A KR20180111550 A KR 20180111550A KR 1020180033865 A KR1020180033865 A KR 1020180033865A KR 20180033865 A KR20180033865 A KR 20180033865A KR 20180111550 A KR20180111550 A KR 20180111550A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
vacuum
suction
wafer chuck
suction cups
Prior art date
Application number
KR1020180033865A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102484162B1 (ko
Inventor
마이클 렘리 라이트
Original Assignee
소닉스, 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소닉스, 인코퍼레이티드 filed Critical 소닉스, 인코퍼레이티드
Publication of KR20180111550A publication Critical patent/KR20180111550A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102484162B1 publication Critical patent/KR102484162B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/223—Supports, positioning or alignment in fixed situation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • G01N29/06—Visualisation of the interior, e.g. acoustic microscopy
    • G01N29/0654—Imaging
    • G01N29/069—Defect imaging, localisation and sizing using, e.g. time of flight diffraction [TOFD], synthetic aperture focusing technique [SAFT], Amplituden-Laufzeit-Ortskurven [ALOK] technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/023—Solids
    • G01N2291/0231—Composite or layered materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

웨이퍼 척(wafer chuck)은, 웨이퍼를 지지하도록 구성되어 있는 제1 측면부를 갖는 지지 구조체, 및 지지 구조체의 제1 측면부에 형성되어 있는 진공 영역을 포함한다. 진공 영역은 지지 구조체의 제1 측면부의 오목한 표면으로부터 연장되어 있는 링에 의해 적어도 부분적으로 경계져 있을 수 있다. 웨이퍼 척은 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵을 더 포함하고, 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상은 지지 구조체를 통해 연장되어 있는 채널과 연결되어 있다. 하나 이상의 진공원이 채널과 유체 연통하고, 진공원은 채널을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있다.

Description

웨이퍼 척{WAFER CHUCK}
본 출원은 2017년 3월 31일에 출원된 미국 가 특허 출원 62/479,464의 이익을 주장하며, 이 미국 가 특허 출원의 전체 내용은 참조로 통합되어 있다.
스캐닝 음향 현미경은, 반도체 산업에서, 예컨대 결합형 웨이퍼 쌍의 내부에 있는 공기형 결함(내부 계면에서 발생할 수 있음)에 대해, 결합형 웨이퍼 쌍을 비파괴적으로 검사하기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 뒤틀린 결합형 웨이퍼 쌍을 검사는 경우, 그러한 검사에 어려움이 있을 수 있다. 어떤 반도체 제품은 특히 배면 조사형(BSI 또는 BI) 센서, 상보적인 금속 산화물 반도체(CMOS) 제품, 및 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS) 센서와 같은, 뒤틀림을 받기 쉬운 결합형 반도체 쌍을 줄 수 있다. 이는 이들 반도체 제품에 존재하는 결합형 웨이퍼 쌍에 있는 재료 층의 열팽창 계수(CTE)의 차이로 인한 것일 수 있다. 과거에는, 결합형 웨이퍼 쌍은 보통 약 300 ㎛ 내로 수평이거나 평평하였지만, 최근에는 결합형 웨이퍼는 종종 최대 약 5 - 6 mm의 뒤틀림을 포함한다. 웨이퍼 결합 공정이 끝남에 따라, 뒤틀림은 약 1 - 2 mm로 줄어들 수 있지만, 그럼에도 불구하고, 이 뒤틀림은 스캐닝 음향 현미경 등을 사용하는 검사에 여전히 문제를 줄 수 있다.
초음파로 검사하기 전에, 예컨대 약 1.5 m/s에 이를 수 있는 속도로 스캐닝하는 동안에 결합형 웨이퍼 쌍을 고정시키기 위해, 결합형 웨이퍼 쌍은 웨이퍼 척 상에 배치될 수 있다. 웨이퍼 척은, 예컨대 다른 크기의 웨이퍼를 지지하고 그 웨웨이퍼와 진공 시일을 형성하기 위한 다양한 진공 링을 포함함으로써 결합형 웨이퍼 쌍을 제자리에 유지시키기 위해 어떤 형태의 진공을 포함할 수 있다.
종래 기술의 웨이퍼 척은, 검사될 결합형 웨이퍼 쌍은 적절한 진공 시일(결합형 웨이퍼 쌍을 제자리에 유지시키기 위해 필요할 수 있음)을 생성하기 위해 충분히 평평할 것이라고 가정할 수 있다. 즉, 충분한 진공 시일이 형성될 수 있다면, 결합형 웨이퍼 쌍에 대해 사용되는 재료 및 두께에 따라 최소 뒤틀림(예컨대, 약 300 ㎛ 이하)이 더욱 더 줄어들 수 있다. 그러나, 많은 형태의 결합형 웨이퍼 제품(예컨대, 위에어 언급된 것)은, 스캐닝 음향 현미경으로 검사하기 위해 종래 기술의 웨이퍼 척에 충분한 진공 시일을 웨이퍼가 형성하기에는 너무 많은 뒤틀림을 포함한다. 이를 위해, 종래 기술에서, 충분한 시일을 제공하는 기술은, 손으로 또는 기계 기구(결합형 웨이퍼 제품을 잠재적으로 손상시킬 수 있음)를 사용하여 웨이퍼를 아래로 누르는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 예컨대 스캐닝 음향 현미경으로 검사하기 위해, 뒤틀린 결합형 웨이퍼 쌍을 지지하고 고정하는 개선된 웨이퍼 척이 필요하다.
첨부 도면은 다양한 대표적인 실시 형태를 더 충분히 설명하기 위해 설명될 시각적인 표현을 제공하며, 개시된 대표적인 실시 형태 및 그의 내재적인 이점을 더 잘 이해하기 위해 당업자에 의해 사용될 수 있다. 도면은 축척에 맞게 그려질 필요는 없고, 대신에, 여기서 설명하는 장치, 시스템, 및 방법의 원리를 도시한다는 것에 강조가 주어진다. 이들 도면에서, 동일한 참조 번호는 대응하는 요소를 나타낸다.
도 1은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 상면 사시도이다.
도 2는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 상면도이다.
도 3은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 저면도이다.
도 4는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 절취도이다.
도 5는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 단면도이다.
도 6은 흡입이 가해지기 전에 뒤틀린 웨이퍼를 유지하고 있는, 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 측면도를 나타낸다.
도 7은 흡입이 가해지고 있을 때 웨이퍼를 유지하고 있는, 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척의 측면도를 나타낸다.
도 8은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 시스템을 나타낸다.
도 9는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 방법의 흐름도를 도시한다.
여기서 설명되는 다양한 방법, 시스템, 기구, 및 장치는 일반적으로 예컨대 여기서 개시되는 웨이퍼 척을 사용하여 스캐닝 음향 현미경으로 겸사하기 위해 뒤틀린 결합형 웨이퍼 쌍을 고정시키고 지지하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명은 많은 다른 형태의 실시 형태가 가능하지만, 특정 실시 형태가 도면에 나타나 있고 본 명세에서 상세히 셜명될 것이며, 본 개시는 본 발명의 원리의 일 예로서 생각되어야 하며 또한 본 발명을 나타나 있고 설명되는 특정 실시 형태에 한정하고자 하는 것은 아님을 이해할 것이다. 아래의 설명에서, 유사한 참조 번호는 도면 중의 여러 도에서 동일하거나 유사하거나 또는 대응하는 부분을 설명하기 위해 사용될 수 있다.
본 명세서에서, 제1, 제2, 정상, 바닥 등과 같은 관계적 용어는, 한 실체 또는 행위를 다른 실체 또는 행위와 구별하기 위해서만 사용될 수 있고, 그러한 실체 또는 행위 사이에 실제적인 그러한 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 암시하는 것은 아니다. "포함한다", "포함하는", "갖는다", "갖는" 또는 이의 다른 변형어는 비배타적인 포함을 포괄하도록 되어 있으며, 따라서 일련의 요소를 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는, 그들 요소만 포함하는 것은 아니고, 명시적으로 열거되지 않은 또는 그러한 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 내재적인 다른 요소도 포함할 수 있다. 어떤 요소를 "포함한다" 라고 할 때, 그 요소는, 더 많은 구속 요건 없이, 그 요소를 포함하는 는 공정, 방법, 물품 또는 장치에서 추가적인 동일한 요소의 존재를 배제하지 않는다.
본 명세서서 전체에 걸쳐 "하나의 실시 형태", "어떤 실시 형태", "일 실시 형태", "실행예(들)", "양태(들)" 또는 유사한 용어는, 실시 형태와 관련하여 설명되는 특정한 사항, 구조 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 실시 형태에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐 여러 곳에 존재하는 그러한 문구는 반드시 모두 동일한 실시 형태를 언급하는 것은 아니다. 또한, 특정한 사항, 구조 또는 특징은 제한 없이 하나 이상의 실시 형태에서 어떤 적절한 방식으로도 조합될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "또는"은 포괄적인 것으로 또는 임의의 하나 또는 임의의 조합을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 그러므로, "A, B 또는 C"는 "A; B; C; A 및 B; A 및 C; B 및 C; A, B 및 C 중의 어느 하나"를 의미한다. 이러한 정의에 대한 예외는, 요소, 기능, 단계 또는 행위의 조합이 어떤 식으로 원래 서로 배타적일 때에만 생길 것이다. 또한, 문법적인 접속사는, 다른 언급이 없거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않다면, 접속된 절, 문장, 단어 등의 모든 이접적 조합 및 접속적인 조합을 표현하는 것이다. 따라서, "또는" 이라는 용어는 일반적으로 "및/또는" 등을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 언급된 모든 문헌은 본원에 전체적으로 참조로 관련된다. 단수 표현의 항목은, 명시적인 다른 언급이 없거나 문맥으로부터 명확하지 않다면, 복수 표현의 항목도 포함하고 또한 그 반대도 가능한 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 값의 범위는 한정적인 것이 아니고, 다른 언급이 없다면, 대신에 그 범위 내에 있는 임의의 그리고 모든 값을 개별적으로 말하는 것이고, 그 범위 내에 있는 각각의 개별적인 값은 마치 본 명세서에 개별적으로 언급되는 것처럼 명세서에 포함된다. "약", "대략" 등의 단어는, 수치 값을 동반하는 경우, 당업자는 아는 바와 같이, 의도된 목적을 위해 만족스럽게 작용하기 위해 어떤 편차를 나타내는 것으로 해석되어야 한다. 본 명세서에서 값 및/또는 수치 값의 범위는 단지 예로서 제공된 것이고, 설명되는 실시 형태의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 명세서에 제공되는 임의의 그리고 모든 예 또는 예시적인 언어("예컨대", "∼와 같은" 등)는, 실시 형태를 더 잘 나타내기 위한 것에 불과하며 그 실시 형태의 범위를 한정하지 않는다. 본 명세서 내의 언어는 실시 형태의 실행에 본질적인 청구되지 않은 요소를 나타내는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
도시의 단순성과 명료성을 위해, 도들 간에 참조 번호가 반복되어, 대응하거나 유사한 요소를 나타낼 수 있다. 많은 상세는 본 명세서에서 설명되는 실시 형태의 이해를 제공하기 위해 제시된다. 실시 형태는 이들 상세 없이 실행될 수 있다. 다른 경우, 잘 알려져 있는 방법, 절차, 및 부품은 설명되는 실시 형태를 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세히 설명되지 않았다. 설명은 본 명세서에서 설명되는 실시 형태의 범위에 제한되는 것으로 생각되어서는 아니 된다.
이하의 설명에서, "제1", "제2", "정상", "바닥", "위", "아래", "위쪽", "아래쪽" 등의 용어는 편의를 위한 단어이고, 한정적인 용어로서 해석되지 않아야 함을 이해할 것이다. 또한, 기구 및 장치라는 용어는 본 명세서에서 상호 교환적으로 사용될 수 있다.
일반적으로, 여기서 설명되는 장치, 시스템, 및 방법은 예컨대 스캐닝 음향 현미경 등으로 검사하기 위해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척을 위해 구성될 수 있고 또한 그러한 웨이퍼 척을 포함할 수 있다.
여기서 설명되는 바와 같은 "웨이퍼"는, 예컨대 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS), 나노 전기 기계 시스템(NEMS), 마이크로 전자장치 및 광학 전자 장치, 상보적인 금속 산화물 반도체(CMOS) 시스템 등 중의 하나에 사용되는, 반도체 산업에서 알려려 있는 바와 같은 결합형 웨이퍼 쌍을 포함할 수 있다. 따라서, 본 개시 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같은 웨이퍼는, 특히, 집적 회로의 제작에 사옹되는 전자 장치, 웨이퍼 기반 태양 전지용 광발전에 사용되는 예컨대 결정질 실리콘과 같은 반도체 재료의 하나 이상의 비교적 얇은 슬라이스를 포함할 수 있다. 웨이퍼는 웨이퍼 안에 또한 그에 위에 형성되는 마이크로 전자 장치를 위한 기판으로서 역할할 수 있고, 이 경우 웨이퍼는 도핑 또는 이온 주입, 엣칭, 다양한 재료의 증착, 포토리소그래픽 패터닝 등과 같은 복수의 미세 제작 처리 단계를 거칠 수 있다. 여기서 논의되는 바와 같이, 웨이퍼는 마이크로 전자 장치의 기계적으로 비교적 안정적이고 기밀한 밀봉된 캡슐화를 제공하기 위해 결합될 수 있고, 따라서, 여기서 설명되고 본 개시 전체에 걸쳐 사용되는 웨이퍼는 결합형 웨이퍼 쌍을 포함할 수 있고, 이 결합형 웨이퍼 쌍은 직접 결합, 표면 활성화 결합, 플라즈마 활성화 결합, 양극 결합, 공정(eutectic) 결합, 유리 프릿(frit) 결합, 접착제 결합, 열압축 결합, 반응성 결합, 일시적 액상 확산 결합 등과 같은 기술로 형성될 수 있다.
여기서 설명되고 본 개시 전체에 걸쳐 사용되는 웨이퍼는 또한 또는 대신에 "뒤틀린" 웨이퍼 및 "뒤틀리지 않은" 웨이퍼를 포함할 수 있다. 뒤틀리지 않은 웨이퍼는, 웨이퍼의 표면과 실질적으로 일치하는 평면에 대해 측정할 때 또는 웨이퍼의 축선 또는 중심선에 대해 측정할 때, 웨이퍼 표면 중의 하나 이상에 걸쳐 약 300 ㎛ 이하의 뒤틀림을 갖는 웨이퍼를 포함할 수 있다. 반대로, 여기서 설명되는 바와 같은 뒤틀린 웨이퍼는 약 300 ㎛ 보다 큰 뒤틀림을 갖는 웨이퍼를 포함할 수 있다. 어떤 경우에, 뒤틀린 웨이퍼는 약 1 - 6 mm 만큼의 뒤틀림을 포함할 수 있다. 예컨대, 뒤틀린 웨이퍼는 결합형 웨이퍼 쌍에 존재하는 재료 층의 열팽창 계수(CTE)의 차이의 결과로 결합형 웨이퍼 쌍에서 나타날 수 있다. 이는 배면 조사형(BSI 또는 BI) 센서, 상보적인 CMOS 제품, MEMS 센서 등과 같은 어떤 반도체 제품에서 특히 일반적일 수 있다.
웨이퍼는 다양한 크기와 형상을 포함할 수 있고, 웨이퍼는 특정한 크기, 형상, 두께, 무게, 기하학적 구조, 재료 또는 다른 특성에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 예컨대, 결합형 웨이퍼 쌍은 일반적으로 5개 내지 6개의 표준 크기, 즉 2-인치, 4-인치, 5-인치, 6-인치, 8-인치 및 12-인치 웨이퍼로 주어질 수 있고, 6-인치, 8-인치 및 12-인치 웨이퍼가 가장 일반적이다. 따라서, 웨이퍼는 이들 "표준" 크기 중의 하나 이상을 포함할 수 있고, 또는 웨이퍼는 다른 크기를 가질 수 있다.
여기서 설명되고 본 개시 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같은 "웨이퍼 척"은, 예컨대 스캐닝 음향 현미경 등으로 검사하기 위해 웨이퍼를 지지하고 안정화시키며 유지하거나 또는 고정시키도록 구성된 장치, 시스템 또는 적절한 기구를 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼 척을 논의할 때 지지, 안정화, 유지, 고정 및 유사한 용어 중 어느 하나의 언급은, 반대되는 명시적인 언급이 없거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않다면, 임의의 또한 모든 그러한 용어를 포함하는 것으로 이해될 것이다.
일반적으로, 여기서 설명되는 장치, 시스템, 및 방법은, 뒤틀린 웨이퍼가 실질적으로 평평하게 되거나 뒤틀림이 풀리도록 그 뒤틀린 웨이퍼를 끌어당길 수 있는(또는 조작할 수 있는) 웨이퍼 척을 포함하거나 이용할 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, "실질적으로 평평한" 또는 "실질적으로 뒤틀림이 풀린"은, 웨이퍼 표면 중의 하나 이상에 걸쳐 약 300 ㎛ 이하의 뒤틀림을 갖는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 본 기술에 따른 웨이퍼 척은, 뒤틀린 웨이퍼가 웨이퍼 척 상에 배치되어 고정되면, 웨이퍼의 뒤틀림이 풀리도록 그 뒤틀린 웨이퍼를 끌어 당기도록 구성될 수 있고, 이는 스캐닝 음향 현미경 등으로 검사하는데에 유리할 수 있다. 어떤 경우에, 웨이퍼를 평평하게 끌어 당기는 웨이퍼 척은 검사 후에도 웨이퍼의 평평도를 유지할 수 있다.
일반적으로, 본 기술에 따른 웨이퍼 척은 서로 다른 웨이퍼 크기와 형상을 위한 서로 다른 영역, 예컨대 서로 다른 웨이퍼 직경을 위한 2개 이상의 영역을 포함할 수 있고, 이들 영역은 서로 다른 웨이퍼 직경에 대응하는 하나 이상의 링에 의해 경계질 수 있다. 웨이퍼 척은 각 영역에 있는 하나 이상의 진공 구멍 및 각 영역에 있는 복수의 흡입 컵을 포함할 수 있다, 흡입 컵은 웨이퍼 척의 다른 영역 및 구조 위에서 부착될 수 있고, 그래서, 뒤틀린 웨이퍼가 웨이퍼 척 상에 배치되면, 그 웨이퍼는 처음에 흡입 컵 상에 안착되고, 그런 다음, 흡입 컵이 압축되어 웨이퍼의 서로 다른 뒤틀린 영역들이 흡입 컵에 동시에 접촉할 수 있게 된다. 이 공정을 더 수용하기 위해, 흡입 컵은 진공원과 유체 연통하는 체널과 연결될 수 있고, 예컨대, 뒤틀린 웨이퍼를 흡입 컵에 끌어 당기기 위해 흡입이 채널을 통해 가해진다. 이렇게 해서, 흡입 컵을 통해 진공이 가해지면, 흡입 컵이 웨이퍼를 끌어 당겨, 그 웨이퍼가 실질적으로 평평하게 지지 포스트 등에 안착되고, 예컨대 지지 포스트는 웨이퍼 척에 포함되어 있는 영역을 경계짓는 링과 동일한 높이에 배치된다. 또한, 검사를 위해 웨이퍼를 지지 포스트에 아래로 끌어당기고 또한 웨이퍼를 웨이퍼 척에 고정시키는 것을 더 도와주기 위해 흡입이 웨이퍼 척에 배치되어 있는 진공 구멍을 통해 웨이퍼 척에 포함되어 있는 적절한 영역에 추가로 공급될 수 있다. 본질적으로, 웨이퍼가 링 또는 다른 영역 경계에 접촉할 때까지 흡입 컵이 뒤틀린 웨이퍼의 서로 다른 부분을 끌어 당길 수 있고, 그런 다음에, 웨이퍼가 실질적으로 평평하게 되고 웨이퍼 척에 고정되도록, 진공 구멍을 통해 가해지는 흡입이 웨이퍼를 계속 끌어당길 수 있다.
도 1은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척(100)의 상면 사시도이고, 도 2는 웨이퍼 척(100)의 상면도이다. 특히, 도 1은 웨이퍼(101)(대표적인 형태로 나타나 있고, 여기서 웨이퍼는 참조의 용이를 위해 실질적으로 투명하게 있음)를 유지하는 웨이퍼 척(100)을 나타낸다. 일반적으로, 웨이퍼 척(100)은 지지 구조체(110)를 포함할 수 있는데, 이 지지 구조체는 웨이퍼(101)를 지지하도록 구성된 제1 측면부(112), 및 제1 측면부(112)의 반대편에 배치되는 제2 측면부(114)를 가지고 있다. 어떤 실행에서, 제1 측면부(112)는 웨이퍼 척(100)의 정상부이고, 제2 측면부(114)는 웨이퍼 척(100)의 바닥부이다.
지지 구조체(110), 및 웨이퍼 척(100)의 다른 부분은, 세라믹 또는 금속 중의 하나 이상을 비제한적으로 포함하여, 종래 기술의 웨이퍼 척과 동일하거나 유사한 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체(110)는 스테인레스 강 또는 양극 처리된 알루미늄으로 형성될 수 있다.
여기서 논의하는 바와 같이, 웨이퍼 척(100)은 웨이퍼(101)를 유지하도록 크기 결정되고 성형될 수 있고, 웨이퍼(101)를 제자리에 유지시키고 또한 뒤틀린 형상 또는 표면을 포함하는 웨이퍼(101)의 뒤들림을 풀기 위해 어떤 형태의 진공 또는 다른 흡입을 포함할 수 있다. 이를 위해, 웨이퍼 척(100)은 지지 구조체(110)의 제1 측면(112)에 형성되어 있는 하나 이상의 진공 영역, 예컨대 제1 진공 영역(120) 및 제2 진공 영역(130)을 포함할 수 있다.
도면에 나타나 있는 바와 같이, 제1 진공 영역(120)은, 지지 구조체(110)의 제1 측면부(112)의 오목한 표면(116)으로부터 연장되어 있는 링(예컨대, 도면에 나타나 있는 바와 같은 제1 링(122))에 의해 적어도 부분적으로 경계질 수 있다. 제2 진공 영역(130)은 제1 진공 영역(120)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있으며, 제2 진공 영역(130)은 적어도 부분적으로 제1 링(122)에 의해 또한 적어도 부분적으로 지지 구조체(110)의 제1 측면부(112)의 오목한 표면(116)으로부터 연장되어 있는 제2 링(132)에 의해 경계져 있다. 따라서, 제2 링(132)은 제1 링(122) 보다 큰 직경을 가질 수 있다. 도면에 나타나 있는 바와 같이, 제2 링(132)은 지지 구조체(110)의 주변부를 형성할 수 있다.
진공 영역은 서로 다른 크기의 웨이퍼에 대응하도록 크기 결정되고 성형될 수 있다. 예컨대, 제1 링(122)과 제2 링(132) 중의 하나 이상은 미리 결정된 웨이퍼 크기에 맞도록, 예컨대, 제1 크기를 갖는 웨이퍼(101)를 제1 진공 영역(120)에 배치하고 또한 제2 크기를 갖는 웨이퍼를 제2 진공 영역(130)에 배치하도록 크기 결정되고 성형될 수 있다. 이렇게 해서, 웨이퍼 척(100)은 다양한 크기의 웨이퍼(101)를 지지할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 척(100)은 2-인치, 4-인치, 5-인치, 6-인치, 8-인치, 및 12-인치 직경 웨이퍼(101) 중의 하나 이상을 지지할 수 있다.
웨이퍼 척(100)의 지지 구조체(110)에 포함되어 있는 링 각각은 웨이퍼(101), 예컨대 특정 크기와 형상의 웨이퍼(101)와 결합하기 위한 접촉면을 포함할 수 있다. 이렇게 해서, 제1 링(122)은 제1 접촉면(124)을 포함할 수 있고 제2 링(132)은 제2 접촉면(134)을 포함할 수 있으며, 제1 접촉면(124)과 제2 접촉면(134)은 실질적으로 동일 평면 내에 있다. "실질적으로 동일 평면 내에 있다"라는 말은, 웨이퍼(101)를 검사하는 기술에서 허용 가능한 공차, 예컨대 약 300㎛ 내에 있음을 의미하는 것으로 이해하면 될 것이다. 대안적인 실시 형태에서, 제1 접촉면(124)과 제2 접촉면(134)은 서로 다른 z-축 높이에 배치되는데, 즉 실질적으로 동일 평면 내에 있지 않도록 배치된다. 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 지지 구조체(110)의 오목한 표면(116)의 평평하지 않는 경사면(예컨대, 아래에서 설명하는 바와 같은 배출용임) 때문에, 오목한 표면(116) 위쪽의 제1 접촉면(124)과 제2 접촉면(134) 중 하나 이상의 높이는 제1 링(122)과 제2 링(132) 중 하나 이상의 길이를 따라 변할 수 있다. 즉, 어떤 실행에서, 제1 접촉면(124)과 제2 접촉면(134)의 높이는 오목한 표면(116)에 대해 변할 수 있지만, z-축 또는 평평하지 않는 오목한 경사면(116)과는 별개인 다른 기준점에 대해서 동일할 수 있다.
웨이퍼 척(100)은 진공 영역 중의 하나 이상에 배치되는 복수의 흡입 컵(140)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 진공 영역(120)은 하나 이상의 흡입 컵(140)을 포함할 수 있고 제2 진공 영역(130)은 하나 이상의 흡입 컵(140)을 포함할 수 있다. 따라서, 각 진공 영역은 흡입 컵(140)을 포함할 수 있다. 복수의 흡입 컵(140) 각각은 접촉면(144)에 연결되어 있는 스템(142)을 포함할 수 있고, 접촉면(144)은 웨이퍼(101)를 지지하도록 구성되어 있고 스템(142)은 접촉면(144)을 지지하도록 구성되어 있다. 흡입 컵(140) 및 더 구체적으로는 그의 접촉면(144)은 하나 이상의 압축성 재료로 만들어질 수 있다. 구체적으로, 흡입 컵(140), 보다 구체적으로는 그의 접촉면(144)은 흡입 컵(140)의 z-축 높이를 변화시키기에(예컨대, 여기서 설명하는 바와 같은 하나 이상의 진공원(160)에 의해 흡입이 가해지면 웨이퍼(101)가 링과 포스트(170) 중의 하나 이상과 접촉할 수 있도록) 충분히 압축될 수 있지만, 또한 웨이퍼(101)를 지지하기에 충분히 강성적일 수 있다.
복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상은 지지 구조체(110)를 통해 연장되어 있는 채널(146)과 연결될 수 있다. 따라서 채널(146)은 지지 구조체(110)의 제1 측면부(112)로부터 지지 구조체(110)의 제2 측면부(114)까지 연장되어 있을 수 있다. 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 하나 이상의 진공원(160)이 채널(146)과 유체 연통할 수 있으며, 진공원(160) 중의 적어도 하나는 채널(146)을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있다. 어떤 실행에서, 웨이퍼 척(100)에 있는 복수의 흡입 컵(140) 각각은 채널(146)과 연결되는데, 예컨대, 웨이퍼 척(100)에 있는 복수의 흡입 컵(140) 각각은 흡입 컵이 연결되는 그 자신의 채널(146)을 포함할 수 있다. 다른 실행에서, 웨이퍼 척(100)에 있는 복수의 흡입 컵(140) 중의 일부만 채널(146)과 연결된다.
흡입 컵(140)이 채널(146)과 연결된다 라는 것은, 채널(146)이 흡입 컵(140) 내부에 배치되는 경우, 채널(146)이 공동부(148)(예컨대, 아래에서 설명하는 도 4 참조) 또는 흡입 컵(140)이 배치되는 다른 구조체(예컨대, 도면에 나타나 있는 바와 같은 스탠드오프(141)) 내부에 수용되는 경우, 또는 흡입 컵(140)이 채널(146)을 통해 가해지는 흡입의 경로(예컨대, 흡입에 의해 생기는 유동 경로) 내에 배치되는 다른 경우를 포함하는 것으로 이해하면 된다. 이렇게 해서, 웨이퍼(101)가 흡입 컵(140) 중의 하나 이상의 접촉면(144)에 배치되면, 채널(146)을 통해 가해지는 흡입에 의해 웨이퍼(101)(뒤틀려 있을 수 있음)는 복수의 흡입 컵(140) 각각 및 링 중의 하나와 접촉하게 되며, 그리하여 웨이퍼(101)가 끌어 당겨져 그 웨이퍼의 뒤틀림이 완화된다.
위에서 논의한 바와 같이, 채널(146)은 흡입 컵(140) 내부에 배치될 수 있다. 어러한 실행에서, 채널(146)은 복수의 흡입 컵(140) 중 하나 이상의 스템(142)과 접촉면(144)을 통해 배치될 수 있다.
위에서 논의한 바와 같이, 복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상은 스탠드오프(141) 내부에 배치될 수 있다. 이 스탠드오프(141)는, 흡입 컵(140)이 수용되는 공동부(148)(지지 구조체(110)를 통과함)를 둘러싸는 하나 이상의 벽(143) 또는 다른 구조체를 포함할 수 있다. 스탠드오프(141)(예컨대, 스탠드오프(141)의 벽(143)의 정상 표면(145))의 z-축 높이는 링 중 하나 이상의 접촉면(제1 링(122)의 제1 접촉면(124) 및 제2 링(132)의 제2 접촉 표면(134))의 z-축 높이에 대응할 수 있다. 또한, 흡입 컵(140)의 접촉면(144)의 z-축 높이는 링의 접촉면의 z-축 높이와 스탠드오프(141)의 벽(143)의 정상 표면(145)의 z-축 높이 중 하나 이상 보다 높게 배치될 수 있다. 이렇게 해서, 복수의 흡입 컵(140) 각각의 접촉면(144)은 어떤 실행에서 스탠드오프(141)의 높이로 압축될 수 있다. 또한, 복수의 흡입 컵(140) 중 하나 이상의 높이는 스템(142)의 운동을 통해 z-축(102)을 따라 조절될 수 있다. 이렇게 해서, 흡입 컵(140)의 접촉면(144)의 z-축 높이는 예컨대 웨이퍼(101)의 뒤틀림에 따라 조절될 수 있다.
위에서 논의한 바와 같이, 채널(146)은 흡입 컵(140)을 수용하는 스탠드오프(141) 내부에 배치될 수 있다. 이렇게 해서, 채널(146)은 흡입 컵(140)의 스템(142) 및 접촉면(144)과 별개일 수 있다.
웨이퍼 척(100)은, 진공 영역 중의 하나 이상에 배치되어 있고 지지 구조체(111)를 통해 연장되어 있는 복수의 진공 구멍(150)을 더 포함할 수 있다. 진공원(160) 중의 하나 이상은 복수의 진공 구멍(150)과 유체 연통할 수 있으며, 진공원(160) 중의 하나 이상은 복수의 진공 구멍(150)을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있다. 따라서, 어떤 실행예는, 하나 이상의 진공원(160)에 의해 제공되는 흡입을 갖는 채널(146)과 연결되는 하나 이상의 흡입 컵(140), 및 하나 이상의 진공원(160)에 의해 제공되는 흡입을 갖는 하나 이상의 진공 구멍(150)(채널(146)과는 별개의 것임) 모두를 포함한다.
복수의 진공 구멍(150) 중의 하나 이상은 오목한 표면(116)을 통해 배치될 수 있다. 예컨대, 일 실행에서, 진공 구멍(150) 각각은 오목한 표면(116)을 통해 배치된다. 또한 또는 대신에 다른 구성이 가능한데, 예컨대, 복수의 진공 구멍(150) 중의 하나 이상은 링 중의 하나 이상(예컨대, 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체(110)의 주변부를 형성하는 제2 링(132)) 또는 지지 구조체(110)의 다른 부분을 통해 배치된다. 어떤 실시 형태는 진공 구멍(150)을 전혀 포함하지 않을 수 있고, 대신에 여기서 설명하는 바와 같은 채널(146)만 포함할 수 있다.
예컨대 스캐닝 음향 현미경으로 검사하기 위해, 진공 구멍(150)과 채널(140)은 서로 협력하여, 웨이퍼(101)의 뒤틀림을 완화하고 또한 웨이퍼(101)를 웨이퍼 척(100)에 유지시키고 고정시킬 수 있다. 예컨대, 위에서 논의한 바와 같이, 복수의 흡입 컵(140) 중 하나 이상의 접촉면(144)은, 링, 스탠드오프(141), 또는 지지 구조체(110)의 다른 부분 중 하나 이상의 z-축 높이 위쪽의 적어도 제1 높이(H1)로 돌출할 수 있다(예컨대, 아래에서 설명하는 도 5 참조). 제1 높이(H1)는 약 1 - 2 mm일 수 있고, 이 높이는 웨이퍼(101)에 포함되어 있는 최대 약 2 mm의 뒤틀림에 대해 사용될 수 있다. 다른 치수가 또한 또는 대신에 가능하다. 이렇게 해서, 지지 구조체(110) 상에 배치되는 웨이퍼(101)는, 진공원(160)에 의해 흡입이 제공되기 전에, 처음에 복수의 흡입 컵(140)(특정 진공 영역에 있거나 또는 복수의 진공 영역에 걸쳐 있는)에 안착될 수 있다. 진공원(160)에 의해 흡입이 웨이퍼(101)에 가해지면, 웨이퍼(101)는 복수의 흡입 컵(140)(특정 진공 영역에 있거나 복수의 진공 영역에 걸쳐 있는) 각각 및 링과 접촉할 수 있고, 그리하여 웨이퍼(101)가 끌어 당겨져 그 웨이퍼의 뒤틀림이 완화된다. 복수의 흡입 컵(140) 각각 및 링과 접촉하는 웨이퍼(101)는 또한 또는 대신에 특정 진공 영역에서 또는 복수의 진공 영역에 걸쳐 시일을 형성할 수 있다. 예컨대, 도면에 나타나 있는 바와 같이, 웨이퍼가 예컨대 (채널(146) 또는 진공 구멍(150) 중의 하나 이상을 통해) 진공원의 흡입에 의해 아래로 끌어 당겨져 웨이퍼(101)가 제1 링(122)의 제1 접촉면(124)과 결합함으로써, 웨이퍼(101)는 제1 링(122)과 시일을 형성할 수 있다. 또한, 복수의 진공 구멍(150)이 진공 영역에 배치될 수 있고 지지 구조체(110)를 통해 연장되어 있을 수 있으며, 하나 이상의 진공원(160)은 복수의 진공 구멍(150)과 유체 연통하고 복수의 진공 구멍(150)을 통해 흡입을 제공하여 웨이퍼(101)를 고정시키고 또한 링과의 시일을 유지하도록 구성된다. 하나 이상의 진공원(160)은 또한 또는 대신에 복수의 진공 구멍(150)을 통해 흡입을 가하여 웨이퍼(101)를 더 끌어당기도록 구성될 수 있고, 따라서 웨이퍼(101)의 뒤틀림이 더 완화될 수 있다.
진공 구멍(150)은 예컨대 아래에서 설명하는 바와 같은 배출을 위해 또는 다른 목적으로 서로 정렬될 수 있다. 예컨대, 그리고 도 2에 가장 잘 나타나 있는 바와 같이, 복수의 진공 구멍(150) 중의 2개 이상은, 일 축선, 예컨대, 지지 구조체(110)의 중심선을 나타내는 중심 축선(104)을 따라 서로 정렬될 수 있다. 어떤 실행에서, 웨이퍼 척(100) 내의 각 진공 영역은 적어도 2개의 진공 구멍(150)을 포함하는데, 예컨대 진공 영역의 각 측에서 하나의 진공 구멍을 포함한다.
진공 구멍(150) 중의 하나 이상은 또한 또는 대신에 예컨대 웨이퍼(101)의 검사 중에, 더 구체적으로는, 물 또는 다른 액체가 웨이퍼 척(100)의 진공 영역 중의 하나 이상에 들어가는 경우, 웨이퍼 척(100)으로부터 유체를 배출시키기 위해 사용될 수 있다. 이렇게 해서, 오목한 표면(116)은 복수의 진공 구멍(150) 중 하나 이상의 쪽으로 경사질 수 있다. 이를 위해, 웨이퍼 척(100) 또는 웨이퍼 척(100)을 포함하는 시스템(1000)(도 8 참조)은, 진공원(160)과 복수의 진공 구멍(150) 중의 하나 이상 사이에 있는 진공 라인(162)에서 물 분리기(168)를 포함할 수 있다. 이렇게 헤서, 진공 구멍(150) 중의 하나 이상으로부터의 흡입에 의해, 웨이퍼 척(100)에 존재하는 물(또는 다른 액체)가 웨이퍼 척(100)으로부터 제거될수 있다.
아래에서 더 설명하는 바와 같이, 하나 이상의 진공원(160)을 복수의 진공 구멍(150)(및 채널(146))에 연결하는 하나 이상의 진공 라인(162)이 있을 수 있다. 일반적으로, 진공 라인(162)은 지지 구조체(110)의 제2 측면부(114)에 연결되고 그에 배치될 수 있다.
여기서 논의하는 바와 같이, 웨이퍼 척(100), 또는 웨이퍼 척(100)을 포함하는 시스템(1000)(도 8 참조)은 하나 이상의 진공원(160)을 포함할 수 있고, 진공원(160) 중의 하나 이상은 진공 구멍(150) 및 흡입 컵(140) 중의 하나 이상과 연결되어 있는 채널(146)과 유체 연통한다. 진공원(160)은 채널(146)들이 모두 단일의 진공 라인(162)(예컨대, 또는 동일한 진공원(160)에 연결되는 복수의 진공 라인(162)) 상에 있도록 구성될 수 있거나, 또는 진공원(160)은 채널(146)들이 서로 다른 진공 라인(162) 상에 있도록 구성될 수 있다. 유사하게, 진공원(160)은 진공 구멍(150)들이 모두 단일의 진공 라인(162)(예컨대, 또는 동일한 진공원(160)에 연결되는 복수의 진공 라인(162)) 상에 있도록 구성될 수 있고, 또는 진공원(160)은 진공 구멍(150)이 다른 진공 라인(162) 상에 있도록 구성될 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 진공(160)은 서로 다른 진공 영역이 서로 다른 진공 라인(162) 상에 있도록 구성될 수 있다. 대신에 진공원(160)은, 복수의 진공 영역이 동일한 진공 라인(162)(예컨대, 또는 동일한 진공원(160)에 연결되는 복수의 진공 라인(162)) 상에 있도록 구성될 수 있다. 예컨대, 진공 영역 중의 하나 이상은 흡입 컵(140) 또는 어떤 흡입 컵(140) 또는 진공 구멍(150) 또는 어떤 진공 구멍(150)과 동일한 라인 상에 있을 수 있다.
진공원(160)과 진공 라인(162)의 경우에 채널(146), 진공 구멍, 및 진공 영역(예컨대, 제1 진공 영역(120) 및 제2 진공 영역(130)) 중의 하나 이상에 대한 어떤 구성을 설명했지만, 거의 무한한 수의 구성이 가능하고 각 구성은 본 개시의 범위에 포함됨을 이해할 것이다.
예컨대, 어떤 실행에서, 진공원(160)은, 복수의 진공 구멍(150)(또는 어떤 진공 구멍(150)) 각각과 유체 연통하는 제1 진공원(164) 및 채널(146)(또는 어떤 채널(146))과 유체 연통하는 제2 진공원(166)을 포함한다. 대안적으로, 단일 진공원(160)이 복수의 진공 구멍(150)과 채널(146) 각각과 유체 연통할 수 있다. 다른 실행에서, 진공원(160)은, 제1 진공 영역(120)에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍(150) 및 제1 진공 영역(120)에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵(140)(즉, 흡입 컵(140)과 연결되어 있는 채널(146))과 유체 연통하는 제1 진공원(164), 및 제2 진공 영역(130)에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍(150) 및 제2 진공 영역(130)에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵(140)(즉, 흡입 컵(140)과 연결되어 있는 채널(146))과 유체 연통하는 제2 진공원(166)을 포함한다. 대신에 제1 진공원(164)은, 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 모두에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍(150)과 유체 연통할 수 있고, 제2 진공원(166)은 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 모두에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵(140)(즉, 흡입 컵(140)과 연결되어 있는 채널(146))과 유체 연통할 수 있다. 대안적으로, 단일 진공원(160)이 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 모두에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍(150)과 복수의 흡입 컵(140)(즉, 흡입 컵(140)과 연결되어 있는 채널(146)) 각각과 유체 연통할 수 있다.
위에서 논의한 바와 같이, 하나 이상의 진공원(160)을 하나 이상의 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍(150) 및 복수의 흡입 컵(140)(즉, 흡입 컵(140)과 연결되어 있는 채널(146))에 연결하기 위한 거의 무한한 수의 구성이 가능함을 이해할 것이다. 또한, 하나 이상의 진공원(160)은 도 2에 나타나 있는 바와 같은 단지 2개의 진공원(160)이 아니라, 어떤 수의 진공원(160)이라도 포함할 수 있다. 진공원(160)의 수 또는 진공원(160)의 크기 또는 파워는, 진공원(160)이 웨이퍼(101)를 실질적으로 평평하게 끌어당기기에 충분한 능력을 제공하는 것을 보장하도록 선택될 수 있다.
여기서 설명하는 바와 같이 그리고 도면에 나타나 있는 바와 같이, 제2 진공 영역(130)은 복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상을 포함할 수 있고, 제2 진공 영역에 있는 복수의 흡입 컵(140) 중 적어도 하나는 진공원(160)을 통해 흡입을 제공하기 위한 채널(146)과 연결된다. 따라서, 진공 영역 각각은 흡입 컵(140) 안에 또는 그 주위에 흡입을 제공하기 위한 채널(146)과 연결되는 흡입 컵(140)을 포함할 수 있다. 또한, 여기서 설명하는 바와 같은 복수의 진공 구멍(150)이 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 각각에 배치될 수 있고, 복수의 진공 구멍(150)은 지지 구조체(110)를 통해 연장되어 있다. 하나 이상의 진공원(160)은 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 각각에 있는 복수의 진공 구멍(150)과 유체 연통할 수 있다.
웨이퍼 척(100)은 자체의 형상으로 있는 절취부(118), 예컨대, 지지 구조체(110) 자체에 있는 절취부(118)를 더 포함할 수 있다. 이렇게 해서, 제1 진공 영역(120)과 제2 진공 영역(130) 중의 하나 이상은 지지 구조체(110)의 절취부(118)에 의해 더 경계질 수 있다. 절취부(118)는 예컨대 웨이퍼(101)를 웨이퍼 척(100) 상으로 또한 그로부터 신속히 이동시키기 위한, 또는 웨이퍼 척(100) 자체를 이동시키는 것과 같은 다른 목적을 위한 배치 로봇의 아암을 수용하도록 크기 결정되고 성형될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(101)는 웨이퍼 척(100) 안으로 또한 그 밖으로 신속하고 쉽게 이동될 수 있고, 웨이퍼 척(100) 자체는 스캐닝 음향 현미경 안으로 또한 그 밖으로 신속하고 쉽게 이동할 수 있다.
웨이퍼 척(100)은 진공 영역 중의 하나 이상에 배치되는 복수의 포스트(170)를 더 포함할 수 있다. 도면에 나타나 있는 바와 같이, 포스트(170)는 지지 구조체(110)의 오목한 표면(116)으로부터 연장되어 있을 수 있다. 복수의 포스트(170) 각각은 예컨대 실질적으로 원통형인 형상을 갖는 기둥으로서 성형될 수 있다. 복수의 포스트(170) 중의 하나 이상은 링 중 하나 이상의 접촉면의 높이에 대응하는 높이를 가질 수 있는데, 예컨대, 포스트(170)는 일반적으로 제1 링(122)의 제1 접촉면(124)과 제2 링(132)의 제2 접촉면(134) 중의 하나 이상과 동일 평면 내에 있는 높이를 가질 수 있다. 다른 실행예에서, 복수의 포스트(170) 중의 하나 이상은 링 중의 하나 이상의 접촉면의 높이 아래에 있는 높이를 갖는다. 복수의 포스트(170)는, 웨이퍼 척(100)에 배치되어 있는 웨이퍼(101)에 흡입이 가해지면 웨이퍼(101)의 미리 결정된 평평도를 유지하도록 구성될 수 있다. 또한, 복수의 포스트(170)의 수 및 크기는, 미리 결정된 지지를 웨이퍼(101)에 제공하면서, 웨이퍼(101)와 접촉하는 표면적을 최소화하도록 선택될 수 있다.
포스트(170)는 종래 기술의 다른 웨이퍼 척에 대해 개선을 나타낼 수 있다. 구체적으로, 종래 기술의 다른 웨이퍼 척은, 검사를 위해 웨이퍼(101)를 유지할 때 웨이퍼(101)와 접촉하는 비교적 큰 표면적을 갖는 더 많은 수의 평평한 표면을 포함할 수 있다. 그러나, 본 교시에서, 웨이퍼 척(100)은 예컨대 진공 영역 주위에 배치되는 링 외에 포스트(170)를 포함할 수 있는데, 이들 포스트는 웨이퍼(101)를 유지시키는데에 도움을 주기 위해 지지를 제공할 수 있고 또한 또는 대신에 웨이퍼(101)의 미리 결정된 평평도를 유지하는데에 도움을 줄 수 있다. 포스트(170)가 없으면, 진공 영역 내에서의 흡입으로 인해 웨이퍼(101)가 링 사이에서 아래로 휘어질 수 있으며, 그래서 웨이퍼(101)에 대한 원하는 평평도를 얻을 수 없게 된다. 그러나, 비교적 큰 표면적을 갖는 다른 요소로 포스트(170)가 대체되면, 웨이퍼(101)가 제거 중에 웨이퍼 척(101)에 부착될 수 있다. 따라서, 포스트(170)의 크기, 형상 및 수는, 웨이퍼(101)가 웨이퍼 척(100)으로부터 제거되는 동안에 웨이퍼(101)에 대한 부착을 완화시키면서, 미리 결정된 지지 및 미리 결정된 평평도를 얻도록 선택되고 설계될 수 있다.
도 3은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척(100)의 저면도이다. 구체적으로, 도 3은 도 1 및 2에 나타나 있는 웨이퍼 척(100)의 저면도이다. 도 3에 나타나 있는 실행에서, 더 작은 웨이퍼(점선(320)으로 표시되어 있음)를 위한 제1 진공 영역에 있는 흡입 컵(즉, 흡입 컵과 연결되어 있는 채널(146)) 및 진공 구멍(150) 각각은, 이들 요소에 흡입이 실질적으로 동시에 가해지도록, 제1 진공원(164)과 유체 연통하는 진공 라인(162)에 연결되어 있다, 유사하게, 더 큰 웨이퍼(점선(320)의 외부에 배치되는 것)를 위한 제2 진공 영역(130)에 있는 채널(146)과 진공 구멍(150)은 제2 진공원(166)과 유체 연통하는 진공 라인(162)에 연결되어 있다,
도 3에 나타나 있는 바와 같이, 채널(146)과 진공 구멍(150) 중의 하나 이상이 단일의 진공원(160)에 의해 제어될 수 있도록 진공 라인(162) 중의 하나 이상은 단일 진공 라인(162)으로 수렴할 수 있다. 대안적으로, 예컨대, 채널(146)과 진공 구멍(150) 각각의 개별적이고 독립적인 제어를 위해, 진공 라인(162)은 채널(146) 및 진공 구멍(150) 각각에 개별적으로 연결될 수 있고 하나 이상의 진공원(160)에 대해 독립적으로 있을 수 있다.
도 4는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 척(100)의 절취도이고, 도 5는 도 4에 있는 절취된 웨이퍼 척(100)의 단면도이다. 이들 도는 지지 구조체(110)를 통해 연장되어 있는 채널(146)과 진공 구멍(150), 및 진공 라인(162)에 대한 그것들의 연결을 명확히 나타내며, 도 4 및 5의 실시 형태는 흡입 컵(140) 자체 내부에 형성되어 있는 채널(146)을 포함한다. 구체적으로, 이 실시 형태에서, 채널(146)은 흡입 컵(140)의 스템(142)을 통해 진공 라인(162)에서부터 흡입 컵(140)의 접촉면(144)까지 연장되어 있다. 따라서, 이 실시 형테에서, 채널(146)은 흡입 컵(140)에 일체적으로 되어 있다.
도 5에 나타나 있는 바와 같이, 복수의 흡입 컵(140) 중 하나 이상의 접촉면(144)은 제1 링(122)과 제2 링(132) 모두의 z-축 높이(502) 위쪽의 적어도 제1 높이(H1)로 돌출할 수 있다. 복수의 흡입 컵(140) 중 하나 이상의 접촉면(144)의 제1 높이(H1)는 또한 또는 대신에 z-축(102)을 따라 조절될 수 있다. 이를 위해, 웨이퍼 척(100)은 흡입 컵의 운동을 제공하기 위해 흡입 컵(140)의 스템(142)에 연결되는 하나 이상의 액츄에이터(예컨대, 유압 피스톤/실린더와 같은 유압 액츄에이터), 모터, 기어, 벨트 등을 포함할 수 있다. 흡입 컵(140)의 운동을 위한 다른 구성이 또한 또는 대신에 가능하다. 또한 또는 대신에, 각기 다른 길이의 스템(142)을 갖는 다른 흡입 컵(140)이 예컨대 서로 다른 종류 또는 크기의 웨이퍼(101)를 위해 제공될 수 있다. 이렇게 해서, 흡입 컵(140)은 웨이퍼 척(100)에서 제거될 수 있고 또한 교체 가능하다. 유사하게, 접촉면(144)은 또한 또는 대신에 다른 흡입 컵(140) 간에 다를 수 있다.
도 6은 흡입이 가해지기 전에 웨이퍼(101)를 유지하는 본 발명에 따른 웨이퍼 척(100)의 측면도를 나타내고, 도 7은 흡입이 가해지고 있을 때 웨이퍼(101)를 유지하는 웨이퍼 척(100)의 측면도를 나타낸다. 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상은 웨이퍼 척(100)의 나머지 위쪽의 적어도 제1 높이(H1)로 돌출할 수 있다. 이렇게 해서, 웨이퍼(101)가 처음에 웨이퍼 척(100) 상에 배치되면, 그 웨이퍼(101)는 예컨대 웨이퍼(101)의 뒤틀림에 따라 복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상에 의해 지지될 수 있다. 그런 다음에, 예컨대 복수의 흡입 컵(140) 중의 하나 이상에 포함되어 있거나 그와 연결되어 있는 채널을 통해 웨이퍼(101)에 진공이 가해질 수 있다. 웨이퍼(101)가 뒤틀려쟈 있더라도, 그 흡입에 의해 웨이퍼(101)가 각 흡입 컵(140) 상으로 아래로 끌어 당겨지게 된다. 흡입 컵(140)은 압축 가능하므로(예컨대, 흡입 컵(140)의 접촉면은 웨이퍼 척(100)의 링 위쪽의 높이(H1)와 같은 양 만큼 압축될 수 있음), 채널을 통해 가해지는 흡입에 의해 웨이퍼(101)가 아래로 끌어 당겨져 복수의 흡입 컵(140) 각각과 접촉하게 될 뿐만 아니라, 또한 흡입에 의해 웨이퍼(101)가 아래로 끌어 당겨져 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체(예컨대, 진공 영역 주위에 배치되어 있는 링)와도 접촉할 수 있다. 이리하여, 도 7에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼(101)가 실질적으로 평평하게 될 수 있다. 따라서, 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 웨이퍼(101)는 처음에 뒤틀려 있을 수 있지만, 도 7에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼(101)가 웨이퍼 척(100)에 고정되면, 그 웨이퍼(101)는 실질적으로 평평하게 되거나 뒤틀림이 풀릴 수 있고, 또는 뒤틀림이 완화되거나 줄어들 수 있다. 웨이퍼(101)가 채널로부터의 흡입을 통해 아래로 끌어 당겨져 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체(예컨대, 진공 영역의 링)와 접촉하면, 시일이 형성될 수 있고, 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체에 포함되어 있는 진공 구멍이, 예컨대 스캐닝 음향 현미경으로 검사하기 위해, 웨이퍼(101)를 웨이퍼 척(100)의 지지 구조체에 안정적으로 유지할 수 있다. 또한 또는 대신에, 진공 구멍은 웨이퍼(101)의 뒤틀림을 완화할 수 있다. 예컨대, 채널은 흡입을 가하여 웨이퍼 척(101)과 시일을 형성할 수 있고 진공 구멍은 웨이퍼(101)를 실질적으로 평평하게 하는 기능을 수행할 수 있다. 따라서, 일 실행에서, 진공 구멍만이 웨이퍼(101)의 뒤틀림을 완화할 수 있고, 다른 실행에서는 채널만이 웨이퍼(101)의 뒤틀림을 완화할 수 있으며, 또 다른 실행에서는 진공 구멍과 채널 모두의 조합이 웨이퍼(101)의 뒤틀림을 완화할 수 있다.
다시 도 6을 참조하면, 도면에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼(101)는 처음에 뒤틀려 있을 수 있음을 알 것이다. 예컨대 웨이퍼(101)가 처음에 웨이퍼 척(100) 상에 배치될 때 복수의 흡입 컵(140) 각각의 접촉면과 여전히 접촉하고 그 접촉면과 시일을 형성할 수 있는 경우, 뒤틀림은 최소일 수 있다. 웨이퍼(101)가 처음에 웨이퍼 척(100) 상에 배치될 때 시일을 형성하기 위해 복수의 흡입 컵(140) 중의 일부하고만 접촉하는 경우, 뒤틀림은 대신에 더 클 수 있다. 이렇게 해서, 흡입이 채널을 통해(예컨대, 흡입 컵을 통해) 가해지면, 흡입은 웨이퍼(101)를 다른 흡입 컵(140) 상으로 아래로 끌어당기는 작용을 할 수 있고, 그런 다음 그 다른 흡입 컵이 그의 채널을 통해 웨이퍼(101)에 흡입을 가할 수 있다. 이렇게 해서, 흡입 컵(140) 각각은 결국 웨이퍼(101)와 접촉하여 그 웨이퍼와 시일을 형성할 수 있다. 또 다른 일부 실시 형태에서, 뒤틀림이 커서 웨이퍼(101)는 복수의 흡입 컵(140) 중의 일부와 접촉하게 되지만, 처음에 웨이퍼 척(100) 상에 배치될 때 그 일부의 흡입 컵과 시일을 형성하지 않는다. 이러한 경우, 흡입이 채널을 통해(예컨대, 흡입 컵을 통해) 가해질 때, 즉 웨이퍼(101)를 흡입 컵(140) 쪽으로 들어당겨 시일을 형성하기에 충분한 힘이 있을 때, 시일이 생성될 수 있다.
도 8은 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 시스템(1000)을 도시한다. 이 시스템(1000)은 웨이퍼 척(100), 스캐닝 음향 현미경(810), 하나 이상의 진공원(160)(예컨대, 제1 진공원(164) 및 제2 진공원(166)), 물 분리기(168), 배치 로봇(820), 제어기(830), 계산 장치(840), 데이타 네트워크(850),및 다른 자원(resource)(860)을 포함할 수 있다.
시스템(1000) 내의 웨이퍼 척(100)은 예컨대 도 1 - 7을 참조하여 여기서 설명한 웨이퍼 척(100) 중 임의의 것과 동일하거나 유사할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 척(100)은, 각기 복수의 진공 영역 및 복수의 흡입 컵을 갖는 하나 이상의 진공 영역을 포함할 수 있고, 흡입 컵 중의 하나 이상은 흡입을 제공하기 위한 채널과 연결되어 있다. 웨이퍼 척(100)의 설계에 의해, 웨이퍼가 그 웨이퍼 척 상에 배치되고 채널과 진공 구멍 중의 하나 또는 모두를 통해 흡입이 가해지면, 웨이퍼의 뒤틀림이 완화될 수 있다. 흡입은 진공원(160)(예컨대, 제1 진공원(164) 및 제2 진공원(166))에 의해 제공될 수 있고, 웨이퍼 척(100)의 진공 구멍과 채널에 진공원(160)을 연결하는 진공 라인에 물 분리기(168)가 배치될 수 있다.
웨이퍼 척(100)은 스캐닝 음향 현미경(810)에 사용되도록 구성될 수 있고, 스캐닝 음향 현미경에 의한 검사를 위해 웨이퍼 척(100)은 웨이퍼를 유지시키거나 고정시킨다. 웨이퍼 척(100)은 또한 또는 대신에 웨이퍼의 뒤틀림을 완화할 수 있고, 그래서 스캐닝 음향 현미경(810)에 의한 개선된 검사를 용이하게 해준다. 스캐닝 음향 현미경(810)은 여기서 설명한 또는 종래 기술에 알려져 있는 어떤 것이라도 될 수 있다. 다른 실행에서, 스캐닝 음향 현미경(810)은 웨이퍼 척(100)에 의해 고정되는 웨이퍼의 검사, 측정 또는 분석을 위한 다른 장비로 보충되거나 대체될 수 있다.
배치 로봇(820)은 웨이퍼 척(100), 웨이퍼 또는 스캐닝 음향 현미경(810) 중의 하나 이상을 서로에 대해 위치시키기 위해 사용될 수 있다. 제어되는 운동을 달성하기 위한 다양한 장치와 기술이 본 기술 분야에 알려져 있고, 배치 로봇(820)은 이들 장치 및 기술 중 어떤 것이라도 포함할 수 있다. 배치 로봇(820)은 예컨대 스텝퍼 모터, 인코딩되는 DC 모터, 기어, 벨트, 풀리, 웜 기어, 나사, 로봇 아암 등의 다양한 조합을 비제한적으로 포함할 수 있다.
제어기(830)는 시스템(100)의 구성품 중의 하나 이상과 그의 제어를 위해 연통할 수 있다. 예컨대, 제어기(830)는 하나 이상의 진공원(160)과 연통할 수 있고, 이 경우 제어기(830)는 진공원(160) 또는 그의 구성품(예컨대, 진공원(160)에 포함되어 있거나 진공 라인에 배치되어 있는 밸브 등)에 대한 제어를 통해 웨이퍼 척(100)에 있는 진공 영역 중의 하나 이상에서 흡입을 제어하도록 구성되어 있다. 제어기(830)는 또한 또는 대신에 웨이퍼 척(100) 및 그의 구성품, 스캐닝 음향 현미경(810), 물 분리기(168), 배치 로봇(820), 다른 자원(860), 및 이것들의 조합을 제어하기 위해 사용될 수 있다.
제어기(830)는 프로세서(832) 및 메모리(834)를 포함하거나 또는 그와 연통할 수 있다. 제어기(830)는 시스템(1000)의 구성품 중의 하나 이상과 연통 관계로 전자적으로 연결될 수 있다(예컨대, 유선 또는 유선으로). 제어기(830)는, 제어 신호, 구동 신호, 파워 신호, 센서 신호 등을 송수신하기 위한 입력부 및 출력부와 함께, 프로세서(832), 마이크로프로세서, 마이크로제어기, 적용 특정적 집적 회로, 프로그램가능한 게이트 어레이, 다른 디지털 및/또는 아날로그 구성품, 및 이것들의 조합을 비제한적으로 포함하는 여기서 설명한 시스템(1000)의 다양한 구성품을 제어하는데에 적합한 소프트웨어 및/또는 처리 회로의 어떤 조합이라도 포함할 수 있다. 어떤 실행에서, 제어기(830)는, 작동 시스템을 실행시키고 (예컨대, 제어기(830)에 연결되어 있는 디스플레이 또는 시스템(100)의 다른 구성품에) 그래픽 사용자 인터페이스를 제공하는 것과 같은 관련 기능을 제공하고, 시스템(1000)의 구성품의 작동을 위한 규칙과 지시를 설정 및 제공하며, 감지된 정보를 지시로 변환시키고 또한 아래에서 설명하는 것과 같은 통신 인터페이스(852)를 통해 웹 서버 또는 호스트 원격 오퍼레이터 및/또는 활동을 작동시키기 위해 충분한 계산 능력을 가지고 있는 프로세서(832) 또는 다른 처리 회로를 포함할 수 있다.
프로세서(832)는 여기서 설명하거나 또는 종래 기술에 알려져 있는 어떤 것이라도 될 수 있다. 프로세서(832)는 제어기(830)에 포함될 수 있고, 또는 그 제어기(830)와는 별개의 것일 수 있는데, 예컨대, 프로세서는 제어기(830) 또는 시스템(1000)의 다른 구성품과 연통하는 계산 장치(840)에 포함될 수 있다. 일 실행예에서, 프로세서(832)는 시스템(1000)의 구성품을 작동시키고 제어하기 위한 어플리케이션을 관리하는 서버에 포함되거나 그와 연통할 수 있다.
메모리(834)는 여기서 설명하거나 또는 종래 기술에 알려져 있는 어떤 것이라도 될 수 있다. 메모리(834)는 컴퓨터 코드를 포함할 수 있고 예컨대 진공원(160) 또는 밸브를 제어하기 위한 지시와 같은 데이타를 저장할 수 있다. 메모리(834)는 또한 또는 대신에 웨이퍼 척(100) 또는 시스템(1000)의 성능과 관련된 데이타를 저장할 수 있다. 메모리(834)에는, 실행을 위해 프로세서(832)에 대한 지시를 제공하는 컴퓨터 실행 가능한 코드가 저장될 수 있다. 메모리(834)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체를 포함할 수 있다.
시스템(1000)은 제어기(830)를 비제한적으로 포함하는 시스템(1000)의 구성품 중의 하나 이상과 연통하는 계산 장치(840)를 포함할 수 있다. 계산 장치(840)는 사용자 인터페이스, 예컨대, 그래픽 사용자 인터페이스, 텍스트 또는 명령 라인 인터페이스, 음성 제어 인터페이스, 및/또는 제스쳐 기반 인터페이스를 포함할 수 있다. 일반적으로, 사용자 인터페이스는 작동자의 상호 작용을 위한 적절한 디스플레이를 계산 장치(840) 상에 생성할 수 있다. 실행에서, 사용자 인터페이스는 시스템(1000)의 구성품 중의 하나 이상의 작동을 제어할 수 있고 또한 제어기(830), 프로세서(832) 및 다른 자원(860)에 대한 접근 및 그와의 연통을 제공할 수 있다. 따라서, 계산 장치(840)는 시스템(1000) 내의 다른 참가 요소를 관리하고, 모니터링하며 그와 연통하거나 또는 다른 식으로 그와 상호 작용하기 위해 작동자 등에 의해 작동되는 장치를 시스템(1000) 내에 포함할 수 있다. 이는 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 네트워크 컴퓨터, 태블릿, 스마트폰 또는 여기서 고려되는 바와 같은 시스템(1000)에 참가할 수 있는 다른 장치를 포함할 수 있다. 일 실행에서, 계산 장치(840)는 시스템(1000) 내의 다른 참가 요소와 일체적이다.
데이타 네트워크(850)는 시스템(1000) 내의 참가 요소 사이에 데이타 및 제어 정보를 전달하는데에 적합한 어떤 네트워크(들) 또는 인터네트워크(들)라도 될 수 있다. 이는 시스템(1000) 내의 참가 요소들 사이에 데이타를 전달하기 위해 사용될 수 있는, 인터넷과 같은 공공 네트워크, 개인 네트워크, 3세대(예컨대, 3G 또는 IMT-2000), 4세대(예컨대, LTE(E-UTRA) 또는 WiMAX-Advanced(IEEE 802.16m) 및/또는 다른 기술을 사용하는 공중 교환 전화망 또는 이동 통신망과 같은 전기 통신망, 및 다양한 기업 지역망 또는 근거리 통신망 또한 다른 스위치, 라우터, 허브, 게이트웨이 등을 포함할 수 있다. 데이타 네트워크(850)는 유선 또는 무선 네트워크 또는 이것들의 조합을 포함할 수 있다. 당업자는, 시스템(1000)에 나타나 있는 참가 요소는 데이타 네트워크(850)에 의해 연결될 필요가 없고 따라서 데이타 네트워크(850)와는 독립적인 다른 참가 요소와 함께 작용하도록 구성될 수 있음을 또한 알 것이다.
데이타 네트워크(850)를 통한 통신 또는 시스템(1000)의 다른 구성품 사이의 다른 통신은 하나 이상의 통신 인터페이스(852)를 통해 제공될 수 있다. 통신 인터페이스(852)는 예컨대 계산 등이 개별적인 계산 장치(840)에서 수행될 수 있도록 예컨대 Wi-Fi 수신기 및 송신기를 포함할 수 있다. 더 일반적으로, 통신 인터페이스(852)는 시스템(1000)의 구성품 중 임의의 것이 서로 연통하도록 적합하게 될 수 있다. 따라서, 통신 인터페이스(852)는 시스템(1000)의 구성품 중의 하나 이상에 존재할 수 있다. 통신 인터페이스(852)는 네트워크 인터페이스 등을 포함하거나 그와 통신 관계로 연결될 수 있다. 통신 인터페이스(852)는 시스템(1000)의 구성품을 데이타 네트워크(850)를 통해 원격 장치(예컨대, 원격 컴퓨터 등과 같은 계산 장치(840))에 통신 관계로 연결하는데에 적합한 하드웨어 및 소프트웨어의 어떤 조합이라도 포함할 수 있다. 예컨대 그리고 비제한적으로, 이는 IEEE 802.11 표준(또는 이의 변종)에 따른 유선 또는 무선 이더넷(Ethernet) 연결 작동을 위한 전자 장치 또는 단범위 또는 장범위 무선 네트워킹 요소 등을 포함할 수 있다. 이는 블루투스(Bluetooth) 또는 적외선 송수신기와 같은 단범위 테이타 통신을 위한 하드웨어를 포함할 수 있고, 이는 인터넷과 같은 데이타 네트워크에 연결되는 근거리 통신망 등에 연결되기 위해 사용될 수 있다. 이는 또한 또는 대신에 WiMAX 연결 또는 무선 통신망 연결(예컨대, CDMA, GSM, LTE 또는 다른 적절한 프로토콜 또는 프로토콜의 조합을 사용함)을 위한 하드웨어/소프트웨어를 포함할 수 있다. 추가적으로, 제어기(830)는 예컨대 업데이트 등을 불러오기 위해 데이타 네트워크(852)에 자율적으로 연결되어, 통신 인터페이스(852)가 연결되는 임의의 네트워크에서 시스템(1000)의 구성품의 참가를 제어하도록 구성될 수 있다.
시스템(1000)은 다른 자원(860)을 포함할 수 있다. 어떤 실행예에서, 다른 자원(860)은 카메라, 파워 소스, 센서, 데이타베이스, 밸브 등을 포함할 수 있다. 다른 자원(860)은 또한 또는 대신에 키보드, 터치패드, 컴퓨터 마우스, 스위치, 다이얼, 버튼 등과 같은 입력 장치, 및 디스플레이, 스피커 또는 다른 오디오 트랜스듀서, 발광 다이오드, 또는 다른 조명 또는 디스플레이 요소 등과 같은 출력 장치를 포함할 수 있다. 시스템(1000)의 다른 자원(860)은 또한 또는 대신에 예컨대 외부 컴퓨터, 외부 하드웨어, 외부 기기 또는 데이타 획득 시스템 등에 연결되기 위한 다양한 케이블 연결부 및/또는 하드웨어 어댑터를 포함할 수 있다.
도 9는 대표적인 실시 형태에 따른 웨이퍼 검사 방법(900)의 흐름도를 나타낸다. 이 방법(900)은 여기서 설명하는 바와 같은 웨이퍼 척의 사용을 포함할 수 있다.
블럭 902에 나타나 있는 바와 같이, 본 방법(900)은 웨이퍼 척의 제1 측면부에서 웨이퍼를 수용하는 것을 포함할 수 있다. 웨이퍼 척은 웨이퍼의 크기와 형상에 대응하는 하나 이상의 진공 영역을 포함할 수 있고, 진공 영역 각각은 웨이퍼를 수용하기 위한 흡입 컵을 포함한다. 따라서, 웨이퍼 척 상에 웨이퍼를 수용하는 것은, 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상의 접촉면 상에 웨이퍼를 수용하는 것을 포함할 수 있다. 웨이퍼는 배치 로봇 등으로부터 수용될 수 있고, 예컨대, 배치 로봇은 웨이퍼를 미리 결정된 정렬로 웨이퍼 척 상에 배치하도록 프로그램되어 있다.
블럭 904에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 진공 영역 중의 적어도 하나의 위에 웨이퍼를 정렬시키는 것을 포함할 수 있다. 웨이퍼의 정렬은 배치 로봇 등에 의해 수행되거나 또는 작동자에 의해 수동으로 수행될 수 있다. 위에서 논의한 바와 같이, 어떤 실행예에서, 배치 로봇은 웨이퍼를 미리 결정된 정렬로 웨이퍼 척 상에 배치하도록 프로그램될 수 있고, 그래서 웨이퍼의 추가 정렬이 필요 없다. 또한, 이렇게 해서, 웨이퍼를 웨이퍼 척 상에 배치하기 전에, 즉 배치 로봇의 프로그래밍을 통해 정렬이 이루어질 수 있다.
블럭(906)에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 제1 흡입을 웨이퍼에 가하는 것을 포함할 수 있다. 제1 흡입은 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상과 연결되어 있는 채널을 채널을 통해 웨이퍼에 가해질 수 있다. 제1 흡입에 의해 웨이퍼가 웨이퍼 척 쪽으로 끌어 당겨지는 것이 용이하게 될 수 있고, 그래서 웨이퍼가 복수의 흡입 컵 각각 및 웨이퍼 척의 제1 측면부에 형성되어 있는 진공 영역을 적어도 부분적으로 경계짓는 링과 접촉하게 된다. 그리하여 제1 흡입은 예컨대 웨이퍼를 아래로 끌어당겨 흡입 컵 및 진공 영역을 경계짓는 링에 접촉시킴으로써 웨이퍼의 뒤틀림을 완화할 수 있다.
블럭 908에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 웨이퍼 척 상에 있는 진공 영역에서 시일을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 시일은 웨이퍼에 작용하는 제1 흡입에 의해 형성될 수 있고, 제1 흡입에 의해 웨이퍼의 본체가 흡입 컵 및 적어도 부분적으로 웨이퍼 척 상의 진공 영역을 경계짓는 링 쪽으로 끌어 당겨지게 된다.
블럭 910에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 복수의 진공 구멍을 통해 웨이퍼에 제2 흡입을 가하여, 웨이퍼를 웨이퍼 척의 오목한 표면 쪽으로 끌어 당겨 그 웨이퍼의 뒤틀림을 더 완화하는 것을 포함할 수 있다. 제2 흡입은 또한 또는 대신에 스캐닝 음향 현미경에 의한 검사를 위해 웨이퍼를 웨이퍼 척에 더 유지 및 고정시키는 것을 포함할 수 있다.
어떤 실행예에서, 제1 흡입 및 제2 흡입은 단일의 진공원을 사용하여 가해진다. 다른 실행에서, 제1 흡입 및 제2 흡입은 개별적인 진공원을 사용하여 가해진다. 시스템이 단일의 진공원 또는 복수의 진공원을 사용하는지에 상관 없이, 제1 흡입과 제2 흡입은 웨이퍼 검사 전과 중에 동시에, 예컨대 연속적으로 가해질 수 있음을 이해할 것이다. 제1 흡입과 제2 흡입은 대신에 밸브 등을 제어하여 다른 시간에, 예컨대 서로 다른 진공원 또는 동일한 진공원을 사용하여 가해질 수 있다.
블럭 912에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 예컨대 웨이퍼 척에 포함되어 있는 하나 이상의 포스트를 사용하여 웨이퍼를 지지하는 것을 포함할 수 있다. 포스트는 또한 또는 대신에 웨이퍼 척 상에 있는 웨이퍼의 미리 결정된 평평도를 유지하는데에 도움을 줄 수 있다.
블럭 914에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 웨이퍼에 가해지는 흡입을 제어하는 것, 예컨대 제1 흡입과 제2 흡입 중의 하나 이상을 제어하는 것을 포함할 수 있다. 이는 웨이퍼 척에 포함되어 있는 채널과 진공 구멍 중의 적어도 하나와 유체 연통하는 하나 이상의 진공원을 제어하는 것을 포함할 수 있다. 이는 또한 또는 대신에 하나 이상의 진공 라인에 포함되어 있는 하나 이상의 밸브를 제어하는 것을 포함할 수 있다. 어떤 실행에서, 흡입 제어는 웨이퍼에 대한 손상을 완화하기 위해 그 웨이퍼에 가해지는 흡입을 제한하는 것을 포함할 수 있다. 다른 실행에서, 흡입 제어는 단순히, 하나 이상의 진공원을 온 및 오프시키거나, 예컨대 시스템에서 흡입을 가하거나 흡입을 가하지 않는 이진(binary) 제어의 형태로 복수의 진공원 중의 어느 진공원이 흡입을 가하게 할지를 선택하는 것을 포함한다. 따라서, 흡입 제어는 웨이퍼 검사 전에 이루어지거나 프로그램될 수 있다. 어떤 실행에서, 흡입 제어는 검사될 웨이퍼의 종류, 검사될 웨이퍼의 크기, 웨이퍼의 뒤틀림 정도, 웨이퍼 척의 종류 또는 크기, 스캐닝 음향 현미경의 종류 또는 파라미터 등 중의 하나 이상에 근거하여 결정된다.
블럭 916에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 웨이퍼의 미리 결정된 평평도를 유지하는 것을 포함할 수 있다. 웨이퍼의 미리 결정된 평평도는 스캐닝 음향 현미경에 의한 충분한 검사를 위해 웨이퍼의 뒤틀림을 완화할 수 있다. 미리결정된 평평도는 웨이퍼의 표면에 걸쳐 약 300 ㎛ 이하의 뒤틀림일 수 있다. 다른 실행예에서, 미리 결정된 평평도는 웨이퍼의 표면에 걸쳐 약 50 ㎛ 이하의 뒤틀림, 또는 웨이퍼의 표면에 걸쳐 약 25 ㎛ 이하의 뒤틀림일 수 있다. 미리 결정된 평평도는, 웨이퍼에 가해지는 흡입을 제어하고 웨이퍼 척의 흡입 컵의 위치를 제어하며 또한 웨이퍼 척 자체의 위치 또는 웨이퍼 척에 대한 웨이퍼의 위치 및 이것들의 조합을 제어하여 유지될 수 있다. 미리 결정된 평평도는 또한 또는 대신에 웨이퍼 척의 형상에 의해 유지될 수 있다.
블럭 918에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 스캐닝 음향 현미경을 사용하여 웨이퍼를 검사하는 것을 포함할 수 있다. 검사는 또한 또는 대신에 다른 도구 또는 기구의 사용을 포함할 수 있다. 웨이퍼의 검사는, 검사 전에 또는 검사 중에 웨이퍼의 미리 결정된 평평도를 유지함으로써 용이하게 되거나 개선될 수 있다.
블럭 920에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 예컨대 웨이퍼의 검사 중에, 특히, 물 또는 다른 액체가 웨이퍼 척의 진공 영역 중의 하나 이상 안으로 들어가면 복수의 진공 구멍 중의 하나 이상을 통해 액체를 배출하는 것을 포함할 수 있다. 어떤 실행에서, 배출 목적을 위해, 단지 하나의 진공 영역이 웨이퍼의 검사에 사용되고 있더라도, 예컨대 각 진공 영역에 모여 있는 물을 제거하기 위해, 각 진공 영역에서 흡입이 가해진다.
블럭 922에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 하나 이상의 진공원과 복수의 진공 구멍 중의 하나 이상 사이에 있는 진공 라인에서 액체(예컨대, 물)를 다른 유체(예컨대, 공기)로부터 분리하는 것을 포함할 수 있다. 이를 위해 물 분리기 등을 사용할 수 있다.
블럭 924에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 예컨대 웨이퍼 척으로부터 물의 제거를 용이하게 하기 위해 웨이퍼에 가해지는 흡입을 해제하는 것을 포함할 수 있다.
블럭 926에 나타나 있는 바와 같이, 상기 방법(900)은 웨이퍼 척으로부터 물을 제거하는 것을 포함할 수 있다.
상기 방법(900)은 또한 또는 대신에 예컨대 웨이퍼 척의 표면 상에 있는 물을 제거하기 위해 검사될 새로운 웨이퍼를 웨이퍼 척 상에 배치하기 전에 웨이퍼 척에서 "블로우-오프(blow-off)" 작업을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 상기 방법(900)은 또한 또는 대신에 웨이퍼 척을 스캐닝 음향 현미경에 배치하고 그 스캐닝 음향 현미경으로부터 웨이퍼 척을 제거하는, 예컨대 한 웨이퍼 척을 다른 웨이퍼 척으로 교체하는 것을 포함할 수 있다.
상기 시스템, 장치, 방법, 공정 등은 특정 용도에 적합한 하드웨어, 소프트웨어, 또는 이것들의 조합으로 실현될 수 있다. 하드웨어는 범용 컴퓨터 및/또는 전용 계산 장치를 포함할 수 있다. 이는 내장 및/또는 외장 메모리와 함께 하나 이상의 마이크로프로세서, 마이크로제어기, 내장형 마이크로제어기, 프로그램가능한 디지털 신호 처리기 또는 다른 프로그램가능한 장치 또는 처리 회로에서의 실현을 포함한다. 이는 또한 또는 대신에 하나 이상의 적용 특정적 집적 회로, 프로그램가능한 게이트 어레이, 프로그램가능한 어레이 논리 요소, 또는 전자 신호를 처리하도록 구성될 수 있는 다른 장치(들)를 포함할 수 있다. 또한, 전술한 공정 또는 장치의 실현은, 상기 장치 및 프로세서의 이종 조합, 프로세서 구조 또는 다른 하드웨어와 소프트웨어의 조합 중의 하나에서 실행되도록 저장되고 컴파일링되거나 또는 해석되는 C, C++와 같은 객체 지향 프로그래밍 언어, 또는 다른 고 레벨 또는 저 레벨 프로그래밍 언어(어셈블리 언어, 하드웨어 설명 언어, 데이타베이스 프로그래밍 언어 및 기술을 포함하는)와 같은 구조화된 프로그래밍 언어를 사용하여 생성되는 컴퓨터 실행 가능한 코드를 포함할 수 있다. 다른 실행예에서, 상기 방법은 이의 단계를 수행하는 시스템에서 실시될 수 있고, 많은 방식으로 장치에 걸쳐 분산될 수 있다. 동시에, 처리는 전술한 다양한 시스템과 같은 장치에 걸쳐 분산될 수 있거나 또는 모든 기능이 전용의 독립적인 장치 또는 다른 하드웨어에 통합될 수 있다. 다른 실행예에서, 전술한 공정과 관련된 단계를 수행하기 위한 수단은 전술한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 중 어떤 것이라도 포함할 수 있다. 모든 그러한 치환 및 조합이 본 개시의 범위에 포함된다.
여기서 개시된 실시 형태는, 하나 이상의 계산 장치에서 실행될 때 임의의 단계 및/또는 모든 단계를 수행하는 컴퓨터 실행 가능한 코드 또는 컴퓨터 사용 가능한 코드를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 포함할 수 있다. 코드는 컴퓨터 메모리(프로그램이 실행되는 메모리(예컨대, 프로세서와 관련된 랜덤 액세스 메모리)일 수 있음), 또는 디스크 드라이브, 플래시 메모리, 또는 다른 광학적, 전자기적, 자기적, 적외선 또는 다른 장치 또는 장치의 조합과 같은 저장 장치에 비일시적 방식으로 저장될 수 있다. 다른 실행에서, 전술한 시스템 및 방법 중 어떤 것도 컴퓨터 실행 가능한 코드 및/또는 그로부터의 입력 또는 출력을 전달하는 적절한 전송 또는 전파 매체에서 실시될 수 있다.
전술한 장치, 시스템 및 방법은 예시적으로 주어진 것이고 제한적이지 않음을 알 것이다. 반대되는 명확한 언급이 없으면, 개시된 단계들은 본 개시의 범위에서 벗어남이 없이 수정되거나, 보충되거나, 생략되며 그리고/또는 순서 변경될 수 있다. 많은 변화, 추가, 생략 및 다른 수정이 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 위의 설명과 도면에 있는 방법 단계의 순서 또는 제시는, 특정한 순서가 명백히 필요하지 않거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않으면, 언급된 단계를 수행하는 이 순서를 필요로 하는 것은 아니다.
여기서 설명한 실행의 방법 단계는, 다른 의미가 명백히 제공되어 있지 않거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않으면, 다음 청구 범위의 특허성에 부합하는, 그러한 방법 단계가 수행되게 하는 어떤 적절한 방법이라도 포함하도록 되어 있다. 그래서, 예컨대, X 단계의 수행은, 원격 사용자, 원격 처리 자원(예컨대, 서버 또는 클라우드 컴퓨터) 또는 기계와 같은 다른 상대가 X 단계를 수행하게 하기 위한 적절한 방법을 포함한다. 유사하게, X, Y 및 Z 단계의 수행은, X, Y 및 Z 단계를 수행하여 그러한 단계의 이득을 얻기 위해 그러한 다른 개별적 대상 또는 자원의 조합을 관리하거나 제어하는 방법을 포함할 수 있다. 따라서, 여기서 설명한 실시의 방법 단계는, 다른 의미가 명백히 제공되어 있지 않거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않으면, 하나 이상의 다른 상대 또는 실체가 다음 청구 범위의 특허성에 부합하는 단계를 수행하게 하는 적절한 방법을 포함하도록 되어 있다. 이러한 상대 또는 실체는 다른 상대 또는 실체의 관리 또는 제어를 받을 필요는 없고, 또한 특정한 관할권 내에 있을 필요가 없다.
또한, 위의 방법은 예시적으로 제공된 것임을 알아야 한다. 반대되는 명시적인 언급이 없으면, 개시된 단계들은 본 개시의 범위에서 벗어남이 없이 수정되거나, 보충되거나, 생략되거며 그리고/또는 순서 변경될 수 있다.
전술한 방법과 시스템은 예시적으로 주어진 것이고 제한적이지 않음을 알 것이다. 많은 변화, 추가, 생략 및 다른 수정이 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 위의 설명과 도면에 있는 방법 단계의 순서 또는 제시는, 특정한 순서가 명백히 필요하지 않거나 또는 문맥으로부터 명확하지 않으면, 언급된 단계를 수행하는 이 순서를 필요로 하는 것은 아니다. 따라서, 특정 실시 형태를 나타내고 설명했지만, 형태 및 상세에 있어 다양한 변경 및 수정이 본 개시의 범위에서 벗어남이 없이 이루어질 수 있고 또한 다음의 청구 범위로 규정되어 있는 바와 같은 본 개시의 일부분을 형성하도록 되어 있음이 당업자에게 명백할 것이며, 청구 범위는 법률로 허용 가능한 가장 넓은 의미로 해석되어야 한다.
여기서 상세히 설명한 다양한 대표적인 실시 형태가 예시적으로 또한 비제한적으로 주어졌다. 당업자는, 첨부된 청구 범위 내에 유지되는 등가적인 실시 형태를 얻게 해주는, 설명된 실시 형태의 형태와 상세에 있어 다양한 변경이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (25)

  1. 웨이퍼 척(wafer chuck)으로서,
    웨이퍼를 지지하도록 구성되어 있는 제1 측면부를 갖는 지지 구조체;
    상기 지지 구조체의 제1 측면부에 형성되어 있고, 지지 구조체의 제1 측면부의 오목한 표면으로부터 연장되어 있는 링에 의해 적어도 부분적으로 경계져 있는 진공 영역;
    상기 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵 - 상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상은 상기 지지 구조체를 통해 연장되어 있는 채널과 연결되어 있음 -; 및
    상기 채널과 유체 연통하는 하나 이상의 진공원을 포함하고,
    상기 채널을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있는 하나 이상의 진공원을 포함하는, 웨이퍼 척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은, 상기 진공 영역에 배치되어 있고 상기 지지 구조체를 통해 연장되어 있는 복수의 진공 구멍을 포함하고, 상기 하나 이상의 진공원은 상기 복수의 진공 구멍과 유체 연통하고 복수의 진공 구멍을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있는, 웨이퍼 척.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 진공원은, 상기 복수의 진공 구멍과 유체 연통하는 제1 진공원, 및 상기 채널과 유체 연통하는 제2 진공원을 포함하는, 웨이퍼 척.
  4. 제2항에 있어서,
    단일 진공원이 상기 복수의 진공 구멍과 채널 각각과 유체 연통하는, 웨이퍼 척.
  5. 제1항에 있어서,
    흡입이 상기 하나 이상의 진공원에 의해 제공되기 전에, 상기 지지 구조체 상에 배치되어 있는 웨이퍼가 처음에 상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상에 안착되도록, 상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상의 접촉면이 상기 링의 z-축 높이 위쪽의 적어도 제1 높이(H1)로 돌출해 있는, 웨이퍼 척.
  6. 제5항에 있어서,
    흡입이 상기 하나 이상의 진공원에 의해 상기 웨이퍼에 가해지면, 웨이퍼는 상기 복수의 흡입 컵 각각 및 링과 접촉하여, 웨이퍼가 끌어 당겨져 그 웨이퍼의 뒤틀림이 완화되는, 웨이퍼 척.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 흡입 컵 각각 및 링과 접촉하는 웨이퍼는 상기 진공 영역에서 시일을 형성하는, 웨이퍼 척.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은, 상기 진공 영역에 배치되어 있고 상기 지지 구조체를 통해 연장되어 있는 복수의 진공 구멍을 더 포함하고, 하나 이상의 진공원은 복수의 진공 구멍과 유체 연통하고 또한 복수의 진공 구멍을 통해 흡입을 제공하도록 구성되어 있어, 웨이퍼를 고정하고 시일을 유지하며, 상기 하나 이상의 진공원은 복수의 진공 구멍을 통해 흡입을 가하여 웨이퍼를 더 끌어당기고 또한 웨이퍼의 뒤틀림을 더 완화하도록 구성되어 있는, 웨이퍼 척.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 진공 영역은 제1 진공 영역이고, 상기 링은 제1 링이고,
    상기 웨이퍼 척은 상기 제1 진공 영역을 둘러싸는 제2 진공 영역을 더 포함하고, 제2 진공 영역은 상기 제1 링에 의해 적어도 부분적으로 경계져 있고 또한 상기 지지 구조체의 제1 측면부의 오목한 표면으로부터 연장되어 있는 제2 링에 의해 적어도 부분적으로 경계져 있으며, 상기 제2 링은 제1 링 보다 큰 직경을 가지며, 상기 제2 진공 영역은 상기 채널와 연결되어 있는 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상을 포함하는, 웨이퍼 척.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 상기 제1 진공 영역과 제2 진공 영역 각각에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍을 더 포함하고, 상기 복수의 진공 구멍은 상기 지지 구조체를 통해 연장되어 있으며, 상기 하나 이상의 진공원은 상기 복수의 진공 구멍과 유체 연통하는, 웨이퍼 척.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하나 이상의 진공원은,
    상기 제1 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍 및 제1 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵과 유체 연통하는 제1 진공원, 및
    상기 제2 진공 영역에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍 및 제2 진공 영역에 베치되어 있는 복수의 흡입 컵과 유체 연통하는 제2 진공원을 포함하는, 웨이퍼 척.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 하나 이상의 진공원은,
    상기 제1 진공 영역과 제2 진공 영역 모두에 배치되어 있는 복수의 진공 구멍과 유체 연통하는 제1 진공원, 및
    상기 제1 진공 영역과 제2 진공 영역 모두에 배치되어 있는 복수의 흡입 컵과 유체 연통하는 제2 진공원을 포함하는, 웨이퍼 척.
  13. 제10항에 있어서,
    단일 진공원이 상기 제1 진공 영역과 제2 진공 영역 모두에 있는 복수의 진공 구멍 및 복수의 흡입 컵 각각과 유체 연통하는, 웨이퍼 척.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 링과 제2 링 중의 하나 이상은 미리 결정된 웨이퍼 크기와 일치하도록 크기 결정되고 성형되어 있으며, 상기 제1 링은 제1 접촉면을 가지며 제2 링은 제2 접촉면을 가지며, 상기 제1 접촉면과 제2 접촉면은 실질적으로 동일 평면 내에 있는, 웨이퍼 척.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 흡입 컵의 하나 이상의 접촉면은 상기 제1 링과 제2 링 모두의 z-축 높이 위쪽의 적어도 제1 높이(H1)로 돌출해 있는, 웨이퍼 척.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 상기 하나 이상의 진공원과 연통하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 진공 영역에서의 흡입을 제어하도록 구성되어 있는, 웨이퍼 척.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 상기 진공 영역에 배치되는 복수의 포스트를 더 포함하고, 상기 복수의 포스트는, 흡입이 웨이퍼에 가해지면 웨이퍼의 미리 결정된 평평도를 유지하도록 구성되어 있고, 상기 복수의 포스트의 수 및 크기는, 미리 결정된 지지를 웨이퍼에 제공하면서, 웨이퍼와 접촉하는 표면적을 최소화하도록 선택되는, 웨이퍼 척.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 흡입 컵 각각은 접촉면에 연결되는 스템을 포함하고, 접촉면은 웨이퍼를 지지하도록 구성되어 있는, 웨이퍼 척.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상의 높이는 z-축을 따르는 스템의 운동을 통해 조절될 수 있는, 웨이퍼 척.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 채널은 상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상의 스템과 접촉면을 통해 배치되어 있는, 웨이퍼 척.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 흡입 컵 각각은 스탠드오프(standoff) 내부에 배치되어 있고, 상기 스태드오프의 높이는 상기 링의 접촉면의 z-축 높이에 대응하며, 상기 채널은 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상을 수용하는 상기 스탠드오프 내부에 배치되어 있는, 웨이퍼 척.
  22. 웨이퍼 척의 제1 측면부에서 웨이퍼를 수용하는 단계; 및
    상기 웨이퍼가 복수의 흡입 컵 각각 및 웨이퍼 척의 제1 측면부에 형성되어 있는 진공 영역을 적어도 부분적으로 경계짓는 링과 접촉하도록, 상기 복수의 흡입 컵 중의 하나 이상과 연결되어 있는 채널을 통해 제1 흡입을 웨이퍼에 가하여웨이퍼의 뒤틀림을 완화하는 단계를 포함하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    복수의 진공 구멍을 통해 제2 흡입을 웨이퍼에 가하여 웨이퍼를 웨이퍼 척의 오목한 표면 쪽으로 끌어당기고 웨이퍼의 뒤틀림을 더 완화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 흡입과 제2 흡입 중의 하나 이상을 제어하고 웨이퍼의 미리 결정된 평평도를 유지하는 단계를 더 포함하는 방법.
  25. 제22항에 있어서,
    스캐닝 음향 현미경을 사용하여 웨이퍼를 검사하는 단계를 더 포함하는 방법.
KR1020180033865A 2017-03-31 2018-03-23 웨이퍼 척 KR102484162B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762479464P 2017-03-31 2017-03-31
US62/479,464 2017-03-31
US15/637,044 2017-06-29
US15/637,044 US10663434B2 (en) 2017-03-31 2017-06-29 Wafer chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180111550A true KR20180111550A (ko) 2018-10-11
KR102484162B1 KR102484162B1 (ko) 2023-01-02

Family

ID=61906614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180033865A KR102484162B1 (ko) 2017-03-31 2018-03-23 웨이퍼 척

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10663434B2 (ko)
EP (1) EP3382749B1 (ko)
JP (1) JP7253875B2 (ko)
KR (1) KR102484162B1 (ko)
CN (1) CN108695223B (ko)
TW (1) TWI762590B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102397545B1 (ko) * 2017-05-02 2022-05-12 삼성전자주식회사 척 스테이지 이물질 감지 장치
CN113167768A (zh) * 2018-10-05 2021-07-23 Sonix公司 用于超声检查的***、方法和设备
KR102581541B1 (ko) 2019-07-22 2023-09-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 측정 장치
PL3772089T3 (pl) * 2019-07-30 2021-10-25 Semsysco Gmbh Urządzenie do manipulowania podłożem do płytek półprzewodnikowych
US11199562B2 (en) 2019-08-08 2021-12-14 Western Digital Technologies, Inc. Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same
KR20210024319A (ko) 2019-08-21 2021-03-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사장치
CN111211083B (zh) * 2020-01-13 2022-07-26 长江存储科技有限责任公司 晶圆承载装置
KR20210097535A (ko) * 2020-01-30 2021-08-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 척
WO2022055482A1 (en) * 2020-09-09 2022-03-17 Jabil Inc. Design enhanced 3d printed support block
US11728204B2 (en) * 2020-10-23 2023-08-15 Kla Corporation High flow vacuum chuck
KR102607809B1 (ko) * 2021-06-25 2023-11-29 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치
TWI803152B (zh) * 2022-01-18 2023-05-21 達裕科技股份有限公司 改善翹曲問題的晶圓載板
WO2023165701A1 (de) 2022-03-03 2023-09-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zum fixieren eines substrates
CN114939852B (zh) * 2022-06-06 2023-02-24 深圳宜美智科技股份有限公司 高精度可移动真空吸附平台及高精度检测设备
CN117542787B (zh) * 2024-01-09 2024-03-19 北京锐洁机器人科技有限公司 一种晶圆边缘吸附装置及其吸附控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62221130A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Toshiba Corp 真空チヤツク装置
WO2003071599A1 (fr) * 2002-02-19 2003-08-28 Olympus Corporation Dispositif d'aspiration de substrat
US7292427B1 (en) * 2004-10-12 2007-11-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Pin lift chuck assembly for warped substrates

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03270048A (ja) 1990-03-19 1991-12-02 Fujitsu Ltd 真空チャック
JPH0464216A (ja) 1990-07-04 1992-02-28 Canon Inc 基板チャック装置
US6257564B1 (en) * 1998-05-15 2001-07-10 Applied Materials, Inc Vacuum chuck having vacuum-nipples wafer support
US6164633A (en) * 1999-05-18 2000-12-26 International Business Machines Corporation Multiple size wafer vacuum chuck
US6513796B2 (en) * 2001-02-23 2003-02-04 International Business Machines Corporation Wafer chuck having a removable insert
US6756751B2 (en) * 2002-02-15 2004-06-29 Active Precision, Inc. Multiple degree of freedom substrate manipulator
US6805338B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-19 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer chuck assembly for a semiconductor processing device
JP4579004B2 (ja) 2005-02-23 2010-11-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US8267143B2 (en) * 2009-04-16 2012-09-18 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for mechanically debonding temporary bonded semiconductor wafers
CN102270596B (zh) * 2010-06-02 2013-09-11 上海微电子装备有限公司 吸盘及其承片台
JP2012146783A (ja) 2011-01-11 2012-08-02 Murata Mfg Co Ltd 基板吸着装置
ES2887358T3 (es) * 2011-12-30 2021-12-22 Grifols Sa Inhibidor de Alfa1-Proteinasa para demorar el comienzo o progresión de exacerbaciones pulmonares
TWM457014U (zh) * 2013-02-27 2013-07-11 Wen-Yang Chen 超薄晶圓吸取盤
TWM463906U (zh) * 2013-06-25 2013-10-21 N Tec Corp 晶圓分區吸附結構
JP5861677B2 (ja) * 2013-07-08 2016-02-16 株式会社安川電機 吸着構造、ロボットハンドおよびロボット
US9576827B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for wafer level bonding
US9960070B2 (en) * 2014-12-06 2018-05-01 Kla-Tencor Corporation Chucking warped wafer with bellows

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62221130A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Toshiba Corp 真空チヤツク装置
WO2003071599A1 (fr) * 2002-02-19 2003-08-28 Olympus Corporation Dispositif d'aspiration de substrat
US7292427B1 (en) * 2004-10-12 2007-11-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Pin lift chuck assembly for warped substrates

Also Published As

Publication number Publication date
US20180284071A1 (en) 2018-10-04
CN108695223B (zh) 2024-03-22
EP3382749B1 (en) 2022-12-07
KR102484162B1 (ko) 2023-01-02
EP3382749A1 (en) 2018-10-03
TW201838088A (zh) 2018-10-16
TWI762590B (zh) 2022-05-01
JP2019004133A (ja) 2019-01-10
US10663434B2 (en) 2020-05-26
JP7253875B2 (ja) 2023-04-07
CN108695223A (zh) 2018-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180111550A (ko) 웨이퍼 척
US5417408A (en) Wafer holding apparatus for holding a wafer
US10431489B2 (en) Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
US20160118290A1 (en) Vertical no-spin process chamber
US10586727B2 (en) Suction stage, lamination device, and method for manufacturing laminated substrate
JP2005116842A (ja) ウェーハ吸着ステージ及びウェーハの吸着方法
JP2012191037A (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP4671841B2 (ja) 対象物間の脱ガス方法および脱ガス装置
JPWO2020084983A1 (ja) 基板貼り合わせ装置、算出装置、基板貼り合わせ方法および算出方法
JP5164785B2 (ja) 支持装置
JP2008034553A (ja) 基板保持装置
JPWO2014087760A1 (ja) 基板搬送前室機構
JP2010226039A (ja) ウエハ保持装置、半導体製造装置およびウエハ吸着方法
JP2016152334A (ja) プローブ装置
JP2014203967A (ja) チャックテーブル
JP2009071195A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP6440416B2 (ja) 処理装置、処理方法及びデバイスの製造方法
US11443965B2 (en) Wafer to wafer bonding apparatuses
CN102246266A (zh) 常温接合装置
KR20090023950A (ko) 웨이퍼 척 조립체
TWI614821B (zh) 產生及保持半導體晶圓及晶圓中繼器之間的真空狀態之系統及方法
JP2013055360A (ja) 支持装置及び支持方法
KR20150086100A (ko) 이송장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송방법
TWI447845B (zh) 真空平台及晶圓卸載方法
KR20070020580A (ko) 기판 지지장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant