KR20180111226A - Method for coating continuous thin layer in reel to reel manner on probe pin of test socket - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 프로브 핀이 일정한 간격으로 배열되는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 종래 습식 도금 방법으로 형성하던 니켈 배리어 층(Ni)/금 전극 층(Au)을 보다 친환경적이고, 접촉 저항은 줄이고 물리적 손상은 최소화하면서 반복적인 테스트를 원활하게 수행하는 건식 박막 코팅 방법으로 형성하되, 이를 연속적으로 처리하기 위하여 전체 공정 챔버 내부에서 릴 상태로 감겨지는 베어 스트립에 연속 스퍼터링 공정을 이용하여 상기 제1 및 제2박막 코팅을 순차 처리하고, 연속 박막 처리하는 다수의 DC 마그네트론 스퍼터링 존은 이웃하게 배치하여 스트립이 통과하는 투입구 및 배출구가 일렬로 연계되는 R2R(Reel to Reel) 방식의 연속 박막 코팅 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for coating a reel-to-reel thin film on a strip in which probe pins are arranged at regular intervals, and more particularly, to a method of coating a reel-to- The present invention relates to a dry thin film coating method which is environmentally friendly, and which performs repetitive testing smoothly while reducing contact resistance and minimizing physical damage. In order to continuously process the same, a continuous sputtering process is performed on a bare strip wound in a reel inside the entire process chamber A plurality of DC magnetron sputtering zones for successively processing the first and second thin film coatings and performing a continuous thin film process are disposed adjacent to each other to form a R2R (Reel to Reel) method in which the inlet and outlet through which the strip passes are connected in a row To a continuous thin film coating method.
일반적으로 BGA(ball grid array) 타입의 반도체 기기는 최종적으로 검사 장치에 의해 각종 전기 시험을 통한 특성 측정 또는 불량 검사를 받게 된다. 이때, 검사 장치에 설치된 검사용 인쇄회로기판의 회로 패턴과 BGA 타입 반도체 기기의 콘택 볼을 전기적으로 연결하기 위해 테스트 소켓이 사용된다.In general, a ball grid array (BGA) type semiconductor device is finally subjected to characteristic measurement or defect inspection through various electrical tests by an inspection apparatus. At this time, a test socket is used to electrically connect the circuit pattern of the inspection printed circuit board provided in the inspection apparatus with the contact ball of the BGA type semiconductor apparatus.
이러한 테스트 소켓에는 다수의 프로브 핀이 하우징에 소정 규칙으로 설치되고 있다. 최근 부품 수가 많아지고 데이터의 빠른 처리와 저 소비 전력을 위하여 프로브 핀이 점차 미세화 되어 가는데, 포고(Pogo) 핀을 포함하여 종래의 프로브 핀은 미세 패턴에 적극적으로 대응하지 못하여 프로브 핀의 콘택 특성이 악화되는 문제점이 있다.In this test socket, a plurality of probe pins are installed in a predetermined rule in the housing. In recent years, as the number of components increases and the probe pins become finer for faster data processing and lower power consumption, the conventional probe pins including the Pogo pins can not actively respond to the fine patterns, There is a problem that it becomes worse.
특히, 최근 DRAM 제품은 파인 볼 피치(Fine ball pitch)의 간격이 0.35mm 이하로 축소되는 경향에 있기 때문에, 프로브 핀의 미세화가 절실하다.Particularly, in recent DRAM products, since the interval of fine ball pitch tends to be reduced to 0.35 mm or less, miniaturization of the probe pin is urgent.
이하, 도 1을 참조하면, 종래 기술의 테스트 소켓(2)의 프로브 핀(4)은 검사 대상인 패키지의 하부 볼 단자와 접촉하는 상부 콘택 영역, 상부 콘택 영역 하부에서 연장되고 일측으로 대략 알파벳 C 형태 혹은 활 형태로 만곡되는 중앙 탄성 영역, 및 중앙 탄성 영역 하부에 연장되고 테스트 장치와 연결되는 하부 콘택 영역을 포함한다.1, the
이때 중앙 탄성 영역은 반도체 기기(6)가 테스트 소켓에 안착될 때, 테스트 대상인 반도체 기기(6)의 하부 볼 단자가 상부 탄성 영역을 가압할 때 발생하는 충격을 완화하면서 안정적으로 접촉을 유도 하는 역할을 수행한다.At this time, when the
위와 같이, 종래에 절삭 가공으로 제작되는 원기둥 형태의 포고(Pogo) 핀을 정밀 금형 기반 프레스 공정으로 가공하여 가격 경쟁력과 생산성을 크게 향상시킨 측면이 있지만, 전술한 프로브 핀(4)의 구조 개선만으로는 프로브 핀(4)의 신뢰성 및 내구성 문제를 다 해결하기 곤란하며, 특히 반도체 패키지의 외부 신호 단자인 도전 볼과 접촉하는 프로브 핀(4)의 팁(tip) 부분에 대한 표면 처리에 대한 연구는 거의 이루어지지 않고 있는 현실이다. As described above, there is a method of processing a Pogo pin of a cylindrical shape, which is conventionally manufactured by cutting, by a precision mold-based press process, thereby improving price competitiveness and productivity. However, only by improving the structure of the
한편, 지금까지 프로브 핀(4)은 주로 습식 박막 코팅(wet thin film coating)에 의하여 표면 처리가 이루어진다. 따라서 이러한 습식 박막 코팅은 공정에 따라 산/염기성 수용액, 유기 용매, 발암성 물질, 부식성 물질, 독성 물질 등을 사용하기 때문에, 작업상 안전사고 문제, 사용 물질의 폐수 처리에 따른 원가상승 문제, 그리고 주변 환경오염 문제 등이 제기된다.Meanwhile, until now, the
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 안전사고 문제, 원가상승 문제, 및 환경오염 문제를 제공하는 습식 박막 코팅을 사용하지 않는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a reel of a strip that does not use a wet film coating to provide a safety problem, To-reel thin film coating method.
본 발명의 다른 목적은 도전 볼과 반복적으로 접촉하는 프로브 핀의 팁 부분에 대한 표면 처리에 건식 박막 코팅 처리하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of coating a reel-to-reel thin film of a strip which is subjected to a dry thin film coating on a surface treatment for a tip portion of a probe pin repeatedly contacting with a conductive ball.
본 발명의 또 다른 목적은 박막 코팅 두께를 최소화 하더라도 높은 표면 경도와 낮은 전기 저항을 구현하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a reel-to-reel thin film coating method of a strip which realizes high surface hardness and low electrical resistance even if the thickness of the thin film coating is minimized.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법은 전체 공정 챔버 내부를 진공 처리하는 단계, 릴 상태의 베어 스트립을 일정한 속도로 피딩시켜 스트립 전 처리 존으로 안내하는 단계, 상기 베어 스트립을 전 처리하는 단계, 상기 전 처리된 베어 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 제1스퍼터링 존으로 안내하는 단계, 상기 베어 스트립에 베리어 층을 증착하여 제1박막 코팅 스트립을 제공하는 단계, 상기 제1박막 코팅 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 제2스퍼터링 존으로 안내하는 단계, 상기 제1박막 코팅 스트립에 전극 층을 증착하여 제2박막 코팅 스트립을 제공하는 단계, 및 상기 제2박막 코팅 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 릴 상태로 권취하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of coating a reel-to-reel thin film of a strip according to the present invention, comprising the steps of: vacuum processing the entire process chamber; Treating the pre-processed bare strip at a speed and guiding it to a first sputtering zone, depositing a barrier layer on the bare strip to form a pre- 1 thin film coating strip, feeding the first thin film coating strip at the rate and directing it to a second sputtering zone, depositing an electrode layer on the first thin film coating strip to provide a second thin film coating strip And winding the second thin film coating strip into a reel state by feeding at the rate.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.As described above, according to the method of the present invention, the following effects can be expected.
첫째, 최근 습식 박막 코팅 공정은 국내 환경 규제 정책에 의해 어려운 환경에 처해 있는데, 대부분의 표면 처리 업체들이 동남아로 이전하는 상황이라 프로브 핀의 박막 코팅 처리를 해외에 의존해야 하는 상황도 발생할 수 있으며, 본 발명의 건식 박막 코팅 공정에 의한 프로브 핀의 표면 처리를 통하여 국내 표면 처리 업체들은 해외로 이전하지 않아도 되고 환경 부담금도 부담하지 않으며, 표면 처리 비용 상승을 억제하여 결국 제품 경쟁력을 높이고 실업률을 낮추어 경제적이다.First, the recent wet film coating process is in a difficult environment due to domestic environmental regulation policy. Since most surface treatment companies are moving to Southeast Asia, it may happen that the thin film coating process of probe pin needs to be dependent on foreign countries, Through the surface treatment of the probe pin by the dry thin film coating process of the present invention, the domestic surface treatment companies do not have to transfer to overseas, do not bear the environmental burden, suppress the increase of the surface treatment cost and ultimately increase the product competitiveness, to be.
둘째, 본래 프로브 핀의 내구성 및 전기 전도성을 개선하기 위해서는 니켈/금 도금막의 두께를 높여야 하고, 결국 원가상승으로 귀결되고, DC 스퍼터링 박막 코팅에 의하면, 니켈/금 도금막의 두께를 높이지 않아도 높은 표면경도와 낮은 전기 저항을 구현할 수 있기 때문에 수율이 개선된다.Second, in order to improve the durability and electric conductivity of the probe pin, it is necessary to increase the thickness of the nickel / gold plating film, resulting in cost increase. According to the DC sputtering thin film coating, The yield can be improved because it can realize hardness and low electrical resistance.
도 1은 종래 기술에 의한 테스트 소켓을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명에 의하여 리본 형태로 제공되는 프로브 핀의 구성을 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 박막 처리 시스템의 개념을 나타내는 구성도.
도 4는 본 발명에 의한 제1 및 제2박막 코팅 스트립이 처리되는 개념도.
도 5는 본 발명에 의한 박막 코팅 방법을 나타내는 순서도.
도 6은 본 발명에 의한 프로브 핀이 스트립으로 제공되는 방법을 나타내는 순서도.1 is a cross-sectional view showing a test socket according to the prior art;
2 is a perspective view showing a configuration of a probe pin provided in the form of a ribbon according to the present invention;
3 is a block diagram showing the concept of a thin film processing system according to the present invention.
FIG. 4 is a conceptual view of processing the first and second thin film coating strips according to the present invention. FIG.
5 is a flowchart showing a thin film coating method according to the present invention.
6 is a flow diagram illustrating a method in which a probe pin according to the present invention is provided as a strip;
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and how to achieve them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. The dimensions and relative sizes of layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.Embodiments described herein will be described with reference to plan views and cross-sectional views, which are ideal schematics of the present invention. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are produced according to the manufacturing process. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 전체 진공 챔버 내에서 다수의 스퍼터링 존을 연속 통과하는 프로브 핀의 연속 박막 처리 시스템의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a continuous thin film processing system of a probe pin continuously passing through a plurality of sputtering zones in the entire vacuum chamber according to the present invention having the above-described structure will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 프로브 핀은 설명의 편의를 위하여 번인(burn-in) 테스트 소켓에 사용되는 것으로 설명하겠지만, 여기에 제한되는 것은 아니고 최종(final) 테스트 소켓에도 사용될 수 있다.The probe pin of the present invention will be described as being used in a burn-in test socket for convenience of explanation, but it is not limited thereto and can also be used in a final test socket.
테스트 소켓(Test socket)은, 패키지 IC, MCM 등의 반도체 집적 회로 장치, 집적 회로가 형성된 웨이퍼 등의 반도체 기기의 전기적 검사에서, 검사 대상인 반도체 기기의 접속 단자(가령, 도전 볼)와, 테스트 장치의 접속 단자(가령, 콘택 패드)를 서로 전기적으로 접속하기 위하여, 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되는 것으로 한다.The test socket is used for electrically testing a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit device such as a package IC or an MCM or a wafer on which an integrated circuit is formed by connecting a connection terminal (for example, a conductive ball) (For example, a contact pad) of the semiconductor device and the test device.
이러한 테스트 소켓(도 1의 2 참조)의 경우 일반적으로 테스트 공정에서 기기의 내구성 및 신뢰성을 검증하기 위하여 반도체 기기(도 1의 6 참조)를 테스트 소켓(2)에 장착하고, 이를 DUT(Device under Test) 보드(도시되지 않음)에 결합한 후 테스트를 수행하게 된다.In this test socket (see 2 in FIG. 1), a semiconductor device (see 6 in FIG. 1) is mounted on the
가령, 테스트 소켓(2)이 반도체 기기(6)를 수용한 상태에서 반도체 기기(2)의 도전 볼(도시되지 않음)과 전기적 접촉을 통해 패키지의 전기적 성질을 테스트하게 되는데, 접촉 저항은 줄이고, 물리적 손상을 최소화하면서 반복적인 테스트를 원활하게 수행할 수 있는 프로브 핀(10)이 요구된다.For example, the
도 2를 참조하면, 본 발명에서 프로브 핀(10)은 연속 공정이 가능하도록 스트립(104)으로 제공된다. 스트립(104)은, 소정 폭을 가지는 판상의 리본 형태로 제공될 수 있다. 즉 스트립(104)은 리본(R)에 다수의 프로브 핀(10)이 일정 간격으로 배열된다. 이러한 베어 스트립(104a)은 강성 및 탄성을 가지는 구리(Cu) 혹은 구리(Cu)/베릴륨(Be) 합금 등의 판 소재로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the present invention, the
따라서 스트립(104)은 구리(Cu)등의 소재가 길이 방향으로 무한 연장되는 리본 형태의 베어 스트립(104a)과, 베어 스트립(104a) 상에 배리어 층(Ni)이 증착되는 제1박막 코팅 스트립(104b), 그리고 제1박막 코팅 스트립(104b) 상에 전극 층(Au)이 증착되는 제2박막 코팅 스트립(104c) 구간을 모두 포함할 수 있다.Therefore, the
스트립(104)은 프레스 공정에 의하여 형성되는 복수의 프로브 핀(10)을 포함한다. 프로브 핀(10)은, 검사 대상인 반도체 기기의 볼 단자와 접촉하는 핀 헤드(10a), 핀 헤드(10a) 하부에서 연장되는 비 직선 형태의 핀 바디(10b), 및 핀 바디(10b) 하부에 연장되고 테스트 장치와 연결되는 핀 레그(10c)를 포함한다. 정밀 금형의 프레스 공정에 의하여 프로브 핀(10)은 0.35㎜ 이하 미세 피치에 능동적으로 대처할 수 있다.The
테스트 기기의 도전 패드와 접촉하는 핀 레그(10c)와 비교할 때 핀 헤드(10a)는 단부에 팁(tip)이 제공되는데, 도전 볼의 형성 과정에서 표면에 도포되는 자연 산화막이 통전을 방해하지 않도록 팁(tip)은 산화막을 깨는 기능을 수행할 수 있다. 특히 팁(tip)은 반복적인 테스트에도 불구하고 도전 볼의 자연 산화막을 통과할 수 있도록 후술하는 니켈(Ni)/금(Au) 도금막이 더욱 균일하게 코팅될 필요성이 높다. 따라서 프로브 핀(10)의 상부 헤드(10a) 중 팁(tip) 영역은 내구성과 전기 전도성이 더욱 강화될 필요가 있다.The tip of the
특히, 프로브 핀(10)의 핀 바디(10b)는 반도체 기기의 검사 시, 테스트 소켓(도 1의 2 참조)이 반도체 기기(도 1의 6 참조)에 의하여 가압되더라도 그 충격을 흡수하는 동시에 전기적 연결을 유지할 수 있도록 직선 형태는 바람직하지 않고, 지그재그 혹은 나선형태로 제공되어야 물리적 충격을 흡수하고, 손상을 최소화할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예에서는 다양한 형태의 비 직선 형태를 취할 수 있다. Particularly, when the semiconductor device is inspected, the
즉, 핀 바디(10b)는 반복적인 도전 볼과 프로브 핀(10) 간의 접촉으로 인해 프로브 핀(10)의 탄성이 감소되어 상호 접촉의 신뢰성 및 내구성이 떨어지는 것을 방지하기 위한 것도 있지만, 도전 볼은 그 사이즈(혹은 직경)가 일정하지 않아 일정한 수직 편차(tolerance)가 발생하기 마련인데, 핀 바디(10b)는 이러한 도전 볼의 수직 편차에도 불구하고 콘택 패일(contact fail)이 발생하지 않게 하는 기능을 수행한다. In other words, although the
도 3 및 도 4를 참조하면, 이러한 프로브 핀(10)이 일정한 간격으로 배열되는 스트립(104)을 릴-투-릴 방식으로 연속해서 박막 처리하는 시스템(100)은, 프로브 핀(10)이 일정한 간격으로 배열되는 베어 스트립(104a)을 연속하여 박막 처리하는 전체 공정 챔버(102), 전체 공정 챔버(102) 일측에 구비되고, 공정 전 베어 스트립(104a)이 연속적으로 감겨지는 스트립 로드 랩핑 롤(110), 상기 박막 처리 수율을 개선하기 위하여 베어 스트립(104a)을 전 처리하는 스트립 전 처리 존(120, 130), 베어 스트립(104a)에 배리어 층(Ni)을 증착 하는 제1박막 코팅 스트립(104b)의 제1스퍼터링 존(140), 배리어 층(Ni)에 전극 층(Au)을 증착 하는 제2박막 코팅 스트립(104c)의 제2스퍼터링 존(150), 및 전체 공정 챔버(102) 타측에 구비되고, 공정 후 제2박막 코팅 스트립(104c)이 연속적으로 감겨지는 스트립 언로드 랩핑 롤(160)을 포함한다.Referring to FIGS. 3 and 4, a
전체 공정 챔버(102)는, 릴 상태로 권취 되는 스트립(104)의 프로브 핀(104)에 스퍼터링 공정을 이용하여 배리어 층(Ni)/전극 층(Au)의 박막을 연속적으로 증착 처리하는 밀폐된 공간이며, 진공 처리 된다. 가령, 상부 일측의 진공 펌프(108)에 의하여 0.1 내지 1 mTorr의 압력으로 진공 처리될 수 있다. 전체 공정 챔버(102)에는 아르곤 등의 공정 가스가 제공될 수 있다.The
스트립 로드 랩핑 롤(110)은, 연속적인 프로브 핀(10)의 제조를 위한 릴-투-릴(reel-to-reel) 공정의 시작점으로서, 전체 공정 챔버(102)의 선단에 설치된다. 스트립 로드 랩핑 롤(110)에는 공전 전 베어 스트립(104a)이 권취 된다.The strip
스트립 언로드 랩핑 롤(160)은, 공정 후 제2박막 코팅 스트립(104c)이 권취되어 외부로 공급될 수 있으며, 전체 공정 챔버(102)의 후단에 설치될 수 있다.The strip
스트립 로드 랩핑 롤(110)에서 공정 전 베어 스트립(104a)이 일정하게 풀어지고, 스트립 전 처리 존(120, 130), 제1스퍼터링 존(140), 및 제2스퍼터링 존(150)을 일정한 속도로 통과하며, 다시 공정 후 제2박막 코팅 스트립(104c)이 일정하게 감겨지도록 그 캐리어 속도를 제어하는 스트립 피딩 롤(170)을 더 포함할 수 있다.The pre-processing
가령, 스트립 피딩 롤(170)은, 드라이버로서 스트립(104)이 박막 처리되는 스트립 릴-투-릴 제조 장치의 모든 제조 공정을 주도한다. 특히, 동력에 의하여 회전하는 스트립 피딩 롤(170)은, 스트립(104)의 양측 가장자리에 일정한 간격으로 배열되고 캐리어 홀(RH)에 대응되는 캐리어 핀 혹은 기어를 포함할 수 있다. For example, the
특히, 공전 전 베어 스트립(104a)이 권취 되어 있는 스트립 로드 피팅 롤(110)은 풀리면서 더 작은 원을 형성하고, 반대로 공전 후 제2박막 코팅 스트립(104c)이 권취 되는 스트립 언로드 피팅 롤(160)은 감기면서 더 큰 원을 형성하게 되기 때문에, 캐리어 속도가 초기 속도와 최종 속도에 큰 차이가 발생한다. In particular, the strip load
캐리어 속도의 차이는 결과적으로 박막 코팅의 두께 편차를 가져오고, 본래 박막 코팅 두께를 균일성을 보장하기 위한 본 발명의 취지에 반한다. 이에 스트립 로드/언로드 피딩 롤(110, 160)은 캐리어 속도를 제어하여 박막 코팅 두께를 일정하게 조절하는 기능을 수행한다.The difference in carrier speed results in a thickness variation of the thin film coating and is counter to the intent of the present invention in order to ensure uniform thickness of the thin film coating in essence. The strip load / unload feeding
베어 스트립(104a)을 전 처리하는 스트립 전 처리 존(120, 130)은 스트립 클리닝 존(120) 및/또는 스트립 히팅 존(130)을 포함할 수 있다.The
스트립 클리닝 존(120)은, 프로브 핀(10)과 박막 코팅 간에 접착력을 향상시켜주기 위한 전 처리로서 플라즈마 클리닝을 수행한다. 가령, 본 발명의 R2R 방식의 건식 박막 코팅은 배리어 층(Ni)/전극 층(Au) 반도체 메탈 도금막의 스퍼터링 공정의 일종이기 때문에 청정한 작업 환경이 필수적이며 작업 수율을 결정하는 중요한 요소가 된다. The
일례로, 무선주파수 안테나(122)가 설치되고, 여기에 전원이 인가되면 무선주파수 에너지를 방사하여 플라즈마를 클리닝을 수행한다. 따라서 프로브 핀(10)에 산화막 등이 존재하면 배리어 층(Ni)과의 결속이 저해되기 때문에, 산화막 등은 플라즈마 클리닝을 통하여 제거될 수 있다.For example, a
스트립 히팅 존(130)은, 전술한 프로브 핀(10)과 박막 코팅 간의 접착력이 매우 중요하기 때문에, 접착력을 향상시키기 위하여 히터(132)를 이용하여 프로브 핀(10)을 가열 수행한다. 가령, 프로브 핀(10) 상에 배리어 층(Ni)을 증착하기 가장 적합한 온도로 예열이 필요하다.Since the adhesive force between the
이와 같이 각 존(120, 130, 140, 150)이 독립적으로 설계되면, 각 존(120, 130, 140, 150)의 타켓 물질이 서로 영향을 주지 않도록 차단하는 기능을 수행할 수 있어, 성질이 상이한 각 스퍼터링 공정을 연속적으로 수행하면서도 서로 간섭하지 않는 장점이 있다.If the
전체 공정 챔버(102) 내부에서 릴 상태로 감겨지는 베어 스트립(104a)에 스퍼터링 공정을 이용하여 제1 및 제2박막 코팅(104b, 104c)을 연속적으로 증착 처리하기 위하여, 공통적으로 아르곤 공정 가스가 제공되고, 스트립 전 처리 존(120, 130), 제1스퍼터링 존(140), 및 제2스퍼터링 존(150)이 이웃하게 배치되며, 이러한 각 존(120, 130, 140, 150)에는 베어 스트립(104a), 제1박막 코팅 스트립(104b), 및 제2박막 코팅 스트립(104c)이 순차 통과하는 투입구(feeding inlet)와 배출구(feeding outlet)가 각각 일렬로 연계된다. 따라서 제1스퍼터링 존(140)의 출구는 제2스퍼터링 존(150)의 입구가 될 수 있다. In order to continuously deposit the first and second
스트립 제1스퍼터링 존(140)은, 구리 베릴륨 합금(Cu-Be alloy)의 소재 금속으로 형성되는 프로브 핀(10)에 배리어 층(Ni)을 코팅하는 증착 기능을 수행한다. 배리어 층(Ni)은 접촉 저항을 감축하기 위하여 니켈(Ni) 혹은 티타늄(Ti)이나 크롬(Cr) 등이 사용될 수 있다.The strip first sputtering
가령, 번인(burn-in) 테스트 소켓은 150℃ 이상의 고온에서 반도체 기기의 도전 볼과 5,000회 이상 테스트를 반복해도 그 접촉 상태에 이상이 없어야 하고, 특히 접촉 저항이 낮아야 하기 때문에, 탄성 및 강성이 우수한 구리 베릴륨 합금(Cu-Be alloy) 상에 배리어 층(Ni)이 더 제공된다.For example, a burn-in test socket should be free of any abnormality in its contact state even after repeated testing of the conductive ball of a semiconductor device at a temperature of 150 ° C or higher for 5,000 or more times. In particular, A barrier layer (Ni) is further provided on an excellent copper-beryllium alloy (Cu-Be alloy).
스트립 제2스퍼터링 존(150)은, 전술한 배리어 층(Ni) 상부에 전극 층(Au)을 코팅하는 증착 기능을 수행한다. The strip
가령, 도전 볼과 주로 접촉하는 프로브 핀의 팁(tip) 부분에서 내구성이 저하되고 전기 전도성이 악화되는 경향이 큰데, 팁(tip) 부분의 표면 경도를 높이고 전기 저항을 저감할 수 있는 전극 층(Au)이 요구된다.For example, there is a tendency that the tip portion of the probe pin, which is mainly in contact with the conductive ball, has a low durability and deteriorates the electrical conductivity. In this case, an electrode layer capable of increasing the surface hardness of the tip portion and reducing the electrical resistance Au) is required.
특히, 본 발명의 경우, 이러한 전극 층(Au)의 형성을 위하여 습식 코팅을 하게 되면, 전극 층(Au)의 두께가 커질 수밖에 없는데, 두께가 두꺼운 전극 층(Au)은 원가 상승의 원인이 되어 바람직하지 않다.Particularly, in the case of the present invention, if wet coating is performed for forming the electrode layer (Au), the thickness of the electrode layer (Au) increases. However, the thick electrode layer (Au) It is not preferable.
이에 본 발명은 표면 경도를 높이고, 전기 저항을 낮추기 위하여 배리어 층(Ni) 상에 전극 층(Au)을 코팅함에 있어서 전극 층(Au)의 두께를 최소화하면서도 원가 상승을 억제하기 위하여 건식 박막 코팅 방법에 의한다. 예컨대, 본 발명의 바람직한 실시예서는 프로브 핀(10)에 니켈 배리어 층(Ni)과 금 전극 층(Au)을 스퍼터링 방법으로 연속 코팅함으로써, 전술한 배리어 층(Ni)과 전극 층(Au)이 습식 박막 코팅 방법과 비교하여 더 치밀하고 미세하게 증착되며, 최소한의 두께를 가지고도 높은 표면 경도와 낮은 전기 저항을 구현할 수 있다.Accordingly, the present invention provides a method for coating an electrode layer (Au) on a barrier layer (Ni) in order to increase the surface hardness and lower the electrical resistance, and to minimize the thickness of the electrode layer (Au) . For example, in a preferred embodiment of the present invention, the barrier layer Ni and the electrode layer Au are formed by continuously coating the
전술한 바와 같이, 구리(Cu) 혹은 구리(Cu)/베릴륨(Be) 합금으로 구성되는 프로브 핀(10)의 팁(tip) 부분은 반도체 기기의 도전 볼과 직접 접촉하는 부분으로써 반복적인 검사 공정에 의하여 표면 경도가 저하되기 쉽고 전기 저항이 증가하여 정상적인 전기적 검사를 수행할 수 없는 한계를 해결하기 위하여, 배리어 층(Ni)과 전극 층(Au)의 코팅이 필수적인데, 배리어 층(Ni)과 전극 층(Au)은 기존의 습식 박막 공정에 의해서는 코팅 막이 치밀하지 못하여 여전히 물성이 악화되고, 검사 불량을 초래하게 되지만, 건식 박막 공정을 적용한 후에는 프로브 핀(10)의 내구성과 신뢰성이 동시에 개선될 수 있게 된다.As described above, the tip portion of the
앞서 강조한 바와 같이, 반도체 기기의 도전 볼과 직접 접촉하는 프로브 핀(10)의 팁(tip)에 배리어 층(Ni)/전극 층(Au)의 박막을 균일하게 코팅하는 것이 프로브 핀(10)의 물리적 손상을 최소화하고 접촉 저항을 저감하는데 핵심적 공정이며, 이에 적합한 박막 코팅 방법이 요구된다.Uniformly coating the thin film of the barrier layer (Ni) / the electrode layer (Au) on the tip of the probe pin (10) which is in direct contact with the conductive ball of the semiconductor device, It is a key process to minimize physical damage and reduce contact resistance, and a suitable method for thin film coating is required.
스퍼터링 방법에는 DC 스퍼터링, MF 스퍼터링, RF 스퍼터링, 혹은 마그네트론 스퍼터링 등 다양한 방법이 있으나, 본 발명의 경우 프로브 핀(10)의 팁(tip) 부분의 집중적인 박막 코팅에 최적화 되는 DC 마그네트론 스퍼터링 공정을 소개한다.Various methods such as DC sputtering, MF sputtering, RF sputtering, or magnetron sputtering are available for the sputtering method. However, in the present invention, a DC magnetron sputtering process optimized for intensive thin film coating of the tip portion of the
제1스퍼터링 존(140)은 자기장을 발생시키는 DC 마그네트론 제1스퍼터링 증착기(142)를 포함하고, 전술한 자기장은 제1타겟 물질(144) 주위의 전자를 머무르게 하여 제1타겟 물질(144) 표면의 이온화를 진행시키며, 제1타켓 물질(144)에서 방출되는 입자는 베어 스트립(104a)으로 이동하여 프로브 핀(10)에 박막 처리된다. 이때, DC 마그네트론 제1스퍼터링 증착기(142)는 제1타겟 물질(144)과 프로브 핀(10) 사이에 일정한 간격을 갖도록 배치되고, 이러한 간격은 증착 목적 및 용도에 따라 변경 가능한데, 팁(tip) 부분의 균일 박막 처리를 위하여 제어 될 수 있다.The
한편, 전체 진공 챔버(102) 내부의 아르곤(Ar) 반응 가스는 제1스퍼터링 존(140)에 공급된 상태에 있고, 존(140) 내부에서 음극에 음의 전압을 가하면 음극과 양극 사이에 전기장이 형성되고, 전기장에 노출된 아르곤(Ar) 반응 가스는 아르곤 양이온(Ar+)으로 이온화되면서 베어 스트립(104a)과 음극 사이에 플라즈마가 발생하며, 음극에 장착된 제1타겟 물질(144)은 아르곤 양이온에 의하여 방출되고 프로브 핀(10)으로 날아가 팁(tip)에 증착된다. 이때, 제1타켓 물질(144)을 음극으로 하고, 베어 스트립(104a)을 양극으로 할 때, 타켓 쪽 음극의 각도 조절이 가능하기 때문에, 프로브 핀(10)의 팁(tip) 부분에서 역시 균일 박막 처리를 제어할 수 있다.The argon (Ar) reaction gas in the
제2스퍼터링 존(150)은 DC 마그네트론 제2스퍼터링 증착기(152) 및 제2타켓 물질(154)이 적어도 한 쌍 이상 설치되고, 제2박막 코팅 스트립(104b)이 DC 마그네트론 제2스퍼터링 증착기(152)와 일정 간격 및 일정 각도를 두고 통과하는데, 이때 제2타켓 물질(154)이 음극에 위치하고, 제2박막 코팅 스트립(104b)은 양극에 위치하기 때문에, 존(150) 내부에 플라즈마가 형성되면 아르곤(Ar) 반응 가스가 아르곤 양이온(Ar+)으로 플라즈마화 되어 제2타켓 물질(154)과 충돌하며, 충돌로 인하여 방출되는 제2타켓 물질(154)은 프로브 핀(10) 상에 증착될 수 있다.The
제2스퍼터링 존(150) 내부에 제공되는 아르곤(Ar) 반응 가스는 플라즈마 반응에 의하여 제2타켓 물질(154)을 충돌시켜 프로브 핀(10) 상에 증착함으로써, 팁(tip) 부분에는 전극 층(Au)이 형성된다. The argon (Ar) reaction gas provided in the
일례로, 프로브 핀(10)은 리본 상에 일정 간격으로 배치되는데, 핀 레그(10c)의 반대 방향이고, 핀 헤드(10a)의 팁(tip) 부분이 통과하는 방향으로 증착기(142, 152), 및 타켓 물질(144, 154)을 배치할 수 있고, 전술한 바와 같이 팁(tip) 부분과의 거리를 제어하거나 팁 부분과의 각도를 제어하면서, 플라즈마 양이온에 의하여 타켓 물질(144, 154)을 증발시켜 이를 팁(tip) 부분으로 유도할 수 있어, 팁(tip) 부분의 박막 두께 및 균일도를 개선할 수 있다.For example, the probe pins 10 are arranged at regular intervals on the ribbon, opposite to the
가령, 제1박막 코팅 스트립 제1스퍼터링 존(140)은 DC 마그네트론 제1스퍼터링 증착기(142), 및 제1타켓 물질(144)을 한 쌍 이상 구비하고, 베어 스트립(104a)이 DC 마그네트론 제1스퍼터링 증착기(142)와 제1타켓 물질(144)과 일정 간격을 두고 통과하되, 상기 간격을 조절하여 니켈 배리어 층(Ni)의 두께를 제어할 수 있다.For example, the first thin film coating strip first sputtering
또한, 제2박막 코팅 스트립 제2스퍼터링 존(150)은 DC 마그네트론 제2스퍼터링 증착기(152), 및 제2타켓 물질(154)을 한 쌍 이상 구비하고, 제1박막 코팅 스트립(104b)이 DC 마그네트론 제2스퍼터링 증착기(152)와 제2타켓 물질(154)과 일정 각도를 두고 통과하되, 상기 각도를 조절하여 금 전극 층(Au)의 균일성을 제어할 수 있다. The second thin film coating strip
본 발명의 다른 실시예에서는 프로브 핀(10)은 단독 활 타입(Bow-shape)을 예로 들고 있지만, 그 밖에도 프로브 핀은 핀치 타입(Pinch-type), 포고 타입(Pogo-type)으로 그 적용 범위를 확장하는 것을 반대하지 않는다. 가령, 프로브 핀을 포고 핀 타입을 하는 경우, 프로브 핀을 다수의 판재 형태의 부품으로 성형하고, 이를 크로스 형태로 조립하면 원형 포고 핀과 같은 콘택 효과를 가져 올 수 있는데, 이와 같은 판재 형태의 다수 부품을 필름 형태로 제공할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 프로브 핀이 일정한 간격으로 배열되는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a reel-to-reel thin film coating method of a strip in which probe pins of the present invention are arranged at regular intervals will be described with reference to the drawings.
도 5를 참조하면, 베어 스트립(104a)을 릴(reel) 상태로 전체 공정 챔버(102) 내부에 설치한다.(S110)5, the
이때 베어 스트립(104a)은 아래와 같이 프레스 공정 처리 후 릴 상태로 제공된다. 가령, 도 6을 참조하면, 스트립(104a)의 프레스 공정 처리는, 베어 스트립(104a)이 구리(Cu) 혹은 구리(Cu)/베릴륨(Be) 합금의 리본(R) 형태로 제공되는 단계(S112), 리본의 양측 에지가 천공되어 캐리어 홀(RH)이 형성되는 단계(S114), 리본 중앙의 양측 캐리어 홀(RH) 사이에 리본(R)의 일부가 제거되어 프로브 핀(10)이 형성되는 단계(S116), 및 리본(R)의 다른 일부가 절곡되어 핀 가이드(RG)가 형성되는 단계(S118)의 순서로 진행될 수 있다. 한편 프로브 핀(10)의 탄성 바디(10b)는 핀 가이드(RG)가 형성될 때 함께 절곡될 수 있다.At this time, the
전체 공정 챔버(102) 내부를 진공 처리한다.(S120) 진공 펌프(108)를 이용하여 일정한 압력으로 진공 처리된다. The inside of the
릴 상태의 베어 스트립(104a)을 일정한 속도로 피딩시켜 스트립 클리닝 존(120)으로 안내한다.(S122) 베어 스트립(104a)을 플라즈마 클리닝 처리한다.(S130) 프로브 핀(10)의 표면에 산화막 등이 제거될 수 있다.The
한편에서 스트립 피딩 롤(170)에는 캐리어 핀 혹은 캐리어 기어가 구비되고, 다른 한편에서 베어 스트립(104a)에는 양측 에지에 캐리어 홀(RH)이 구비되며, 이들이 일정한 간격으로 상호 연계되어 있기 때문에, 스트립 피딩 롤(170)에 의하여 베어 스트립(104a)이 원하는 속도로 견인될 수 있다. 이와 같이 견인된 프로브 핀(10)에 플라즈마 전 처리를 수행하여 프로브 핀(10)과 배리어 층(Ni) 간에 결속을 강화할 수 있다.On the other hand, the
플라즈마 클리닝 처리된 베어 스트립(104a)을 피딩시켜 다시 스트립 히팅 존(130)으로 안내한다.(S132) 베어 스트립(104a)을 히팅 처리한다.(S140). The plasma cleaning treatment feeds the
다시 견인된 프로브 핀(10)에 가열 전 처리를 수행하여 프로브 핀(10)과 배리어 층(Ni) 간의 결속을 더 강화할 수 있다.It is possible to further strengthen the bond between the
전 처리된 베어 스트립(104a)을 피딩시켜 제1스퍼터링 존(140)으로 안내한다.(S142) 베어 스트립(104a)에 배리어 층(Ni)을 증착하여 제1박막 코팅 스트립(104b)을 제공한다.(S150)The pre-processed
제1박막 코팅 스트립(104b)은 DC 마그네트론 제1스퍼터링 증착기(142)와 제1타켓 물질(144)로부터 일정 간격을 두고 통과하고, 팁(tip)의 균일 박막 증착을 위하여 상기 간격은 제어될 수 있다.The first thin
제1박막 코팅 스트립(104b)을 피딩시켜 제2스퍼터링 존(150)으로 안내한다.(S152) 제1박막 코팅 스트립(104b)에 전극 층(Au)을 증착하여 제2박막 코팅 스트립(104c)을 제공한다.(S160)The first thin
제2박막 코팅 스트립(104c)은 제2마그네트론 스퍼터링 증착기(152)와 제2타켓 물질(154)과 일정 각도를 유지한 채 통과하며, 팁(tip)의 균일 박막 증착을 위하여 상기 각도는 제어될 수 있다.The second thin
제2박막 코팅 스트립(104c)을 일정한 속도로 피딩시켜 다시 릴(reel) 상태로 권취한다.(S162)The second thin
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 지금까지 프로브 핀의 구조를 개선하여 프로브 핀의 신뢰성 및 내구성 문제를 해결하였으나, 반도체 기기의 외부 신호 단자인 도전 볼과 접촉하는 팁 부분에 대한 표면 처리에 대한 연구는 거의 이루어지지 않았으며, 특히 표면 경도를 강화하고 접촉 저항을 낮추어 주는 건식 박막 코팅에 대하여는 시도된 바가 없기 때문에, 구리(Cu)/베릴륨(Be) 합금의 프로브 핀 상에 니켈 배리어 층(Ni)/금 전극 층(Au)을 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 처리하되, R2R 방식으로 연속 처리하여 대량 생산을 구현하는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.As described above, the present invention has solved the problem of reliability and durability of the probe pin by improving the structure of the probe pin so far. However, (Ni) barrier layer (Ni) on the probe pin of a copper (Cu) / beryllium (Be) alloy because there has been no attempt to dry film coating which enhances the surface hardness and lowers the contact resistance. / Gold electrode layer (Au) is processed by DC magnetron sputtering, and the mass production is realized by continuous processing by the R2R method. Many other modifications will be possible to those skilled in the art, within the scope of the basic technical idea of the present invention.
100: 박막 처리 시스템
102: 전체 공정 챔버
104: 스트립
104a: 베어 스트립
104b: 제1박막 코팅 스트립
104c: 제2박막 코팅 스트립
110: 스트립 로드 랩핑 롤
120: 스트립 클리닝 존
130: 스트립 히팅 존
140: 제1스퍼터링 존
150: 제2스퍼터링 존
160: 스트립 언로드 랩핑 롤
170: 스트립 피딩 롤100: thin film processing system 102: entire process chamber
104:
104b: first thin
110: strip strip wrapping roll 120: strip cleaning zone
130: strip heating zone 140: first sputtering zone
150: second sputtering zone 160: strip unloading wrapping roll
170: strip feeding roll
Claims (9)
릴 상태의 베어 스트립을 일정한 속도로 피딩시켜 스트립 전 처리 존으로 안내하는 단계;
상기 베어 스트립을 전 처리하는 단계;
상기 전 처리된 베어 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 제1스퍼터링 존으로 안내하는 단계;
상기 베어 스트립에 배리어 층을 증착하여 제1박막 코팅 스트립을 제공하는 단계;
상기 제1박막 코팅 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 제2스퍼터링 존으로 안내하는 단계;
상기 제1박막 코팅 스트립에 전극 층을 증착하여 제2박막 코팅 스트립을 제공하는 단계; 및
상기 제2박막 코팅 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 릴 상태로 권취하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.Vacuum processing the entire process chamber;
Feeding a reel-shaped bare strip at a constant speed and guiding it to a strip preprocessing zone;
Pretreating the bare strip;
Feeding the pretreated bare strip at the speed and guiding it to a first sputtering zone;
Depositing a barrier layer on the bare strip to provide a first thin film coating strip;
Feeding the first thin film coating strip at the rate and guiding it to a second sputtering zone;
Depositing an electrode layer on the first thin film coating strip to provide a second thin film coating strip; And
And coating the second thin film coating strip at the speed to wind up the reel in a reeled state.
릴 상태의 베어 스트립을 일정한 속도로 피딩시켜 스트립 전 처리 존으로 안내하는 단계, 혹은 상기 제2박막 코팅 스트립을 상기 속도로 피딩시켜 릴 상태로 권취하는 단계는,
캐리어 핀 혹은 캐리어 기어를 포함하는 스트립 피딩 롤을 이용하며, 상기 베어 스트립 혹은 상기 제2박막 코팅 스트립의 양측 에지에 일정 간격으로 형성되는 캐리어 홀과 연계하여 상기 베어 스트립 혹은 상기 제2박막 코팅 스트립을 견인하는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of feeding the reel-shaped bare strip at a constant speed to guide the reel-shaped bare strip to the strip preprocessing zone, or winding the reel-
A carrier strip or a carrier strip is used and in combination with carrier strips formed on both edges of the bare strip or the second strip coating strip at regular intervals, the bare strip or the second strip coating strip To-roll thin film coating method.
상기 스트립은 프로브 핀이 리본 형태로 피딩될 수 있도록, 상기 프로브 핀이 일정 간격으로 배열되게 프레스 가공 처리되며, 상기 프레스 가공 처리를 통하여 상기 프로브 핀은 0.35mm 이하의 피치가 확보되는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.The method according to claim 1,
Wherein the strip is press-processed such that the probe pins are arranged at regular intervals so that the probe pins can be fed in a ribbon shape, and the pitch of the probe pins is secured to 0.35 mm or less through the pressing processing A method for coating a reel-to-reel thin film of a strip.
상기 베어 스트립을 전 처리하는 단계는,
상기 프로브 핀에 플라즈마 전 처리를 수행하여 상기 프로브 핀과 상기 배리어 층 간에 결속을 강화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.The method of claim 3,
Wherein the step of pretreating the bare strip comprises:
And applying a plasma pretreatment to the probe pin to strengthen binding between the probe pin and the barrier layer.
상기 베어 스트립을 전 처리하는 단계는,
상기 프로브 핀에 가열 전 처리를 수행하여 상기 프로브 핀과 상기 배리어 층 간의 결속을 더 강화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the step of pretreating the bare strip comprises:
Further comprising the step of pre-heating the probe pin to further strengthen the bond between the probe pin and the barrier layer.
상기 전체 공정 챔버 내부를 진공 처리하는 단계 이전에, 상기 베어 스트립을 릴 상태로 상기 전체 공정 챔버 내에 설치하는 단계를 더 포함하고, 상기 단계는,
상기 베어 스트립이 구리(Cu) 혹은 구리(Cu)/베릴륨(Be) 합금의 리본 형태로 제공되는 단계;
상기 리본 양측 에지에 상기 리본이 천공되어 캐리어 홀이 형성되는 단계;
상기 양측 캐리어 홀 사이에 상기 리본의 일부가 제거되어 프로브 핀이 형성되는 단계; 및
상기 리본의 다른 일부가 절곡되어 핀 가이드가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of installing the bare strip in the entire process chamber in a reeled state prior to the step of vacuuming the entire process chamber,
Providing the bare strip in the form of a ribbon of copper (Cu) or copper (Cu) / beryllium (Be) alloy;
Forming a carrier hole by punching the ribbon at both sides of the ribbon;
A portion of the ribbon is removed between the two side carrier holes to form a probe pin; And
And forming a pin guide by bending another portion of the ribbon. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
상기 프로브 핀은, 검사 대상인 반도체 기기의 도전 볼과, 테스트 장치의 콘택 패드를 서로 전기적으로 접속하기 위하여, 상기 반도체 기기와 상기 테스트 장치 사이에 배치되는 테스트 소켓에 사용되고, 상기 도전 볼의 단자와 접촉하는 핀 헤드, 상기 콘택 패드와 연결되는 핀 레그, 및 상기 핀 헤드와 상기 핀 레그 사이에서 비 직선 형태로 연결되는 핀 바디를 포함하고, 상기 핀 헤드의 단부에는 상기 도전 볼과 반복적인 접촉에도 내구성과 전기 전도성을 유지하도록 팁(tip)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.The method according to claim 6,
Wherein the probe pin is used in a test socket disposed between the semiconductor device and the test apparatus for electrically connecting the conductive ball of the semiconductor device to be inspected and the contact pad of the test apparatus to each other, And a pin body connected in a non-linear manner between the pin head and the pin leg, wherein an end portion of the pin head is provided with durability And further comprising a tip to maintain the electrical conductivity of the reel-to-reel thin film.
상기 베어 스트립에 배리어 층을 증착하는 단계에 있어서,
상기 제1박막 코팅 스트립은 제1마그네트론 스퍼터링 증착기와 제1타켓 물질로부터 일정 간격을 두고 통과하고, 상기 팁의 균일 박막 증착을 위하여 상기 간격이 제어되는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.8. The method of claim 7,
In the step of depositing the barrier layer on the bare strip,
Wherein the first thin film coating strip passes through the first magnetron sputtering evaporator and the first target material at regular intervals and the gap is controlled for uniform thin film deposition of the tip. Coating method.
상기 제1박막 코팅 스트립에 전극 층을 증착하는 단계에 있어서,
상기 제2박막 코팅 스트립은 제2마그네트론 스퍼터링 증착기와 제2타켓 물질과 일정 각도를 유지하고 통과하며, 상기 팁의 균일 박막 증착을 위하여 상기 각도가 제어되는 것을 특징으로 하는 스트립의 릴-투-릴 박막 코팅 방법.8. The method of claim 7,
Depositing an electrode layer on the first thin film coating strip,
Wherein the second thin film coating strip passes through and passes through a second magnetron sputtering evaporator and a second target material at a constant angle and the angle is controlled for uniform thin film deposition of the tip. Thin film coating method.
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|---|---|---|---|
| KR1020170041866A KR101992627B1 (en) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | Method for coating continuous thin layer in reel to reel manner on probe pin of test socket |
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