KR20180109770A - PHOTORESIST COMPOSITION INCLUDING COMPOUND having VINYLPHENYLOXY moiety - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a photoresist composition including a compound having vinylphenyloxy group represented by chemical formula A or B. The photoresist composition has high transparency after a thermal curing process, excellent photo-crosslinking properties, and low moisture absorption.

Description

비닐페닐옥시기를 가지는 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물 {PHOTORESIST COMPOSITION INCLUDING COMPOUND having VINYLPHENYLOXY moiety}PHOTORESIST COMPOSITION INCLUDING COMPOUND WITH VINYLPHENYLOXY moiety [0002]

본 발명은 비닐페닐옥시기를 가지는 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열경화 공정 이후의 투과도가 높고 광가교 특성이 우수하며 수분 흡습이 낮아 우수한 특성을 구현할 수 있는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist composition comprising a compound having a vinylphenyloxy group, and more particularly, to a photoresist composition containing a compound having a vinylphenyloxy group, and more particularly, to a photoresist composition having a high transparency after a thermal curing process, .

TFT-LCD, OLED 등 박막 디스플레이소자와 반도체 소자에 사용되는 물질들을 노광공정을 통해 마스크 원판의 회로설계를 웨이퍼로 전사하기 위해서는 매개체가 필요한데 그 매개체를 포토레지스트(photoresist, PR)라 한다. In order to transfer the circuit design of the mask master plate to the wafer through the exposure process, a medium is required, which is called a photoresist (PR), in a thin film display device such as a TFT-LCD or an OLED and a semiconductor device.

이러한 포토레지스트는 특정 파장의 빛을 받아 현상액에서의 용해도가 변하는 특성을 이용해 후속 현상처리 과정 중 빛을 받은 부분과 그렇지 않은 부분을 선택적으로 제거할 수 있는 물질을 말한다.The photoresist refers to a material capable of selectively removing light-exposed portions and non-light-treated portions during a subsequent development process using the characteristic that the solubility of the developer is changed by receiving light of a specific wavelength.

일반적으로 많이 사용되는 포토레지스트는 현상액을 이용하여 빛에 의하여 선택적으로 변화된 부분을 제거하게 되는데, 빛을 받은 부위가 현상액에 의해 잘 녹는 경우를 포지티브 레지스트(positive resist), 그 반대를 네가티브 레지스트(negative resist)라고 한다Generally, a commonly used photoresist removes a portion selectively changed by light using a developing solution. When a light-receiving region is well-dissolved by a developer, it is called a positive resist, and vice versa is a negative resist resist)

포토레지스트를 이용하여 액정표시장치 또는 반도체의 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는 먼저, 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포하고, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고, 이를 알칼리성 수계 현상액 등으로 현상함으로써, 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 이와 같이 패턴된 포토레지스트 막을 마스크로 사용하여 상기 금속막 또는 절연막을 건식 또는 습식 에칭한 다음, 남은 포토레지스트막을 제거하여 기판 상에 미세 회로를 형성하게 된다.In order to form a fine circuit pattern such as a liquid crystal display device or a semiconductor integrated circuit by using a photoresist, a photoresist composition is uniformly coated or coated on an insulating film or a conductive metal film formed on the substrate, , A photoresist composition coated thereon is exposed and developed with an alkaline aqueous developer or the like to form a pattern of a desired shape. The metal film or the insulating film is dry-etched or wet-etched using the patterned photoresist film as a mask, and then the remaining photoresist film is removed to form a fine circuit on the substrate.

한편, 액정표시소자의 유기 절연막, R.G.B., 블랙 메트릭스, 포토 스페이서, UV 오버코트 등에 사용되는 패턴을 형성하기 위해 제조공정에 사용되는 감광성 수지는 평탄성과 투과성 등의 기본적인 물성과 더불어, 내열성이 우수한 재료가 요구된다.On the other hand, a photosensitive resin used in a manufacturing process for forming a pattern to be used for an organic insulating film, RGB, black matrix, photo-spacer, UV overcoat, etc. of a liquid crystal display element has basic properties such as flatness and transparency, Is required.

이와 관련한 종래 기술로서, 한국등록특허공보 제10-0731327호(2007.06.15) 및 한국공개특허공보 제10-2016-0057931호(2016.05.24)는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 포토레지스트 조성물로서 다가 아크릴 모노머를 사용하고 있다. As a related art, Korean Patent Registration No. 10-0731327 (Jun. 15, 2007) and Korean Unexamined Patent Application Publication No. 10-2016-0057931 (May 26, 2014) are related to a photoresist composition, Acrylic monomer is used.

그러나 상기 선행기술들에서 사용되는 다가 아크릴 모노머는 포토레지스트 조성물 재료들과의 상용성 및 광 가교에 의한 패턴 형성이 우수한 장점을 갖고 있으나, 고온 공정시에 분해되어 투과도가 저하되는 문제가 있고 수분 흡습 특성으로 인해 TFT-LCD 또는 OLED 디스플레이의 수명이 저하되는 문제가 있었다.However, the polyacrylic monomers used in the prior arts have the advantages of compatibility with photoresist composition materials and pattern formation by photo-crosslinking, but they degrade to degrade the transparency during high temperature processing, The lifetime of the TFT-LCD or the OLED display is degraded.

따라서 미세 회로 패턴을 제조시 열경화 공정 이후의 투과도가 높고 광가교 특성이 우수하며, 수분 흡습이 낮은 광가교성 모노머 재료 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물의 개발의 필요성은 지속적으로 요구되고 있는 실정이다.Therefore, there is a continuing need to develop a photo-crosslinkable monomer material and a photoresist composition containing the same that have a high transparency, a high photo-crosslinking property, and a low moisture absorption, after the thermosetting process in the production of a microcircuit pattern.

한국등록특허공보 제10-0731327호(2007.06.15)Korean Patent Registration No. 10-0731327 (Jun. 15, 2007) 한국공개특허공보 제10-2016-0057931호(2016.05.24)Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2016-0057931 (2016.05.24)

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 분자내에 특정한 구조를 가지는 화합물을 광가교성 모노머로서 사용함으로써, 열경화 공정 이후의 투과도가 높고 광가교 특성이 우수하며, 수분 흡습이 낮은 신규한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a novel photoresist composition having a high transparency after a heat curing process, excellent light-crosslinking properties, and low moisture absorption by using a compound having a specific structure in a molecule as a photocrosslinkable monomer .

상기 과제를 위해, 본 발명은 하기 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 0.5 내지 98 중량부, 라디칼에 의해 가교가 되는 광중합성 화합물 0 내지 90 중량부, UV에 의하여 라디칼이 생성되는 광개시제 0.1 내지 15 중량부, 아크릴 중합체 0 내지 40 중량부 및 용매 0 내지 80 중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물.In order to achieve the above object, the present invention provides a photoresist composition comprising 0.5 to 98 parts by weight of a compound containing a vinylphenyloxy group represented by the following formula (A) or (B) per 100 parts by weight of the photoresist composition, From 0 to 90 parts by weight of a photopolymerizable compound, from 0.1 to 15 parts by weight of a photoinitiator wherein radicals are generated by UV, from 0 to 40 parts by weight of an acrylic polymer and from 0 to 80 parts by weight of a solvent.

[화학식 A](A)

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 [화학식 A]에서, In the above formula (A)

상기 Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C5의 알킬기이고,R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkyl group,

상기 R1 내지 R4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,Each of R 1 to R 4 is the same or different and is independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 of the alkoxy group, a substituted or An unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 aryloxy group, -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted alkylsilyl of C 6 -C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 group, a substituted or And any one selected from the group consisting of a substituted C 6 -C 30 arylsilyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen group,

상기 연결기 Y1은 단일결합, CH2 및 O 중에서 선택되는 어느 하나이고, The linking group Y 1 is any one selected from a single bond, CH 2 and O,

상기 연결기 L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬에테르기 중에서 선택되는 어느 하나이거나 하기 구조식 La이며,The linking group L is a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group , A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkylene group, hwandoen C 6 -C 50 aryl group, a substituted or non-substituted, or to which is selected from the group unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted of C 2 -C 50 unsubstituted C 1 -C 30 alkyl ethers of the formula one is La ,

[구조식 La][Structural Formula La]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 구조식 La에서,In the structural formula La,

상기 치환기 R5 및 R6은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,The substituents R 5 and R 6 are the same or different and are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, An unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy group, a cyano group, and a halogen group,

상기 n1은 1 내지 4의 정수이되, n1이 2이상인 경우에 괄호내 각각의,

Figure pat00003
부분들은 서로 동일하거나 상이하고,N1 is an integer of 1 to 4, and when n1 is 2 or more,
Figure pat00003
The moieties may be the same or different from each other,

상기 n은 1 내지 3의 정수이되, 상기 n이 2 이상인 경우에 각각의 연결기 L은 서로 동일하거나 상이하고,N is an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, each of the linking groups L is the same or different from each other,

상기 치환기 D1은 하기 [구조식 A3]이며,The substituent D1 is represented by the following formula [A3]

[구조식 A3][Structural formula A3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 구조식 A3에서, In the structural formula A3,

상기 "-*"는 상기 Y1과 결합되는 결합 사이트를 의미하고,Quot; - * "means a binding site to be bound to Y 1 ,

상기 구조식 A3 내 치환기 R8 내지 R12는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이다.Substituents R 8 to R 12 in the structural formula A 3 are the same or different and independently of each other hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 a cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 of the A substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, unsubstituted C 1 -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted arylamine group of unsubstituted C 6 -C 30 group, an egg of a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 A silyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylsilyl group, a cyano group, which is one selected from a nitro group, a halogen group.

[화학식 B] [Chemical Formula B]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 [화학식 B]에서, In the above formula (B)

상기 M은 탄소원자 또는 하기 구조식 1이며,Wherein M is a carbon atom or the following structural formula 1,

[구조식 1][Structural formula 1]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 구조식 1내 "-*"는 각각 상기 화학식 B내 연결기 L1 내지 L4와 결합되는 결합사이트를 의미하며, 상기 구조식 1내 "-*"가 결합되지 않은 방향족고리내 탄소원자는 수소 또는 중수소와 결합되고,In the formula 1, " - * "means a bonding site in which the bonding group L 1 to L 4 in the formula B is bonded, and the carbon atom in the aromatic ring to which" - * "is not bonded in the formula 1 is hydrogen or deuterium Coupled,

상기 치환기 Ra와 R1 내지 R4는 상기 화학식 A에서 정의된 바와 동일하며, Wherein the substituents R a and R 1 to R 4 are the same as defined in formula A above,

상기 연결기 Y2 내지 Y4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 단일결합, CH2 및 O 중에서 선택되는 어느 하나이고,The connecting groups Y 2 to Y 4 are the same or different from each other and independently selected from a single bond, CH2 and O,

상기 연결기 L1 내지 L4 는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 알킬아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C60의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느하나이며,The linking groups L 1 to L 4 are the same or different from each other, and each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl ether group, a substituted or an unsubstituted C 7 -C 20 alkyl aryl group, a substituted or an alkenyl group, a substituted or non-substituted of unsubstituted C 7 -C 20 aryl alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 unsubstituted C 2 alkenyl -C 30 group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkynyl of the group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 60 cycloalkyl any one group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, selected from substituted or unsubstituted heteroaryl group of C2-C60 ring of a ,

상기 m은 1 내지 3의 정수이되, 상기 m이 2 이상인 경우에 괄호내 각각의

Figure pat00007
부분들은 서로 동일하거나 상이하고,M is an integer of 1 to 3, and when m is 2 or more, each of parentheses
Figure pat00007
The moieties may be the same or different from each other,

상기 치환기 D2 내지 D4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 하기 [구조식 B3]이며,The substituents D 2 to D 4 are the same or different and independently of each other are the following formula [B3]

[구조식 B3][Structural formula B3]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 구조식 B3에서, In the above formula B3,

상기 "-*"는 상기 Y2 내지 Y4와 결합되는 결합 사이트를 의미하고,The symbol "- *" means a binding site bound to Y 2 to Y 4 ,

상기 구조식 B3 내 치환기 R8 내지 R12는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,Substituents R 8 to R 12 in the structural formula B 3 are the same or different and independently of one another are hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group , A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 a cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy of A substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthio group, al hwandoen C 1 -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 A silyl group, a substituted or unsubstituted aryl silyl group of the unsubstituted C 6 -C 30, a cyano group, a nitro group, any one selected from the group consisting of a halogen group,

상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서의 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, C1-C24의 알킬기, C1-C24의 할로겐화된 알킬기, C2-C24의 알케닐기, C2-C24의 알키닐기, C1-C24의 헤테로알킬기, C6-C24의 아릴기, C7-C24의 아릴알킬기, C2-C24의 헤테로아릴기, C2-C24의 헤테로아릴알킬기, C1-C24의 알콕시기, C1-C24의 알킬아미노기, C6-C24의 아릴아미노기, C1-C24의 헤테로 아릴아미노기, C1-C24의 알킬실릴기, C6-C24의 아릴실릴기, C6-C24의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.Wherein Formula A] and [Chemical Formula B] "substituted" in the "substituted or unsubstituted" in the heavy hydrogen, a cyano group, a halogen group, a hydroxyl group, a nitro group, an alkyl group of C 1 -C 24, C 1 -C A C 2 -C 24 alkyl group, a C 2 -C 24 alkenyl group, a C 2 -C 24 alkynyl group, a C 1 -C 24 heteroalkyl group, a C 6 -C 24 aryl group, a C 7 -C 24 arylalkyl group , A C 2 -C 24 heteroaryl group, a C 2 -C 24 heteroarylalkyl group, a C 1 -C 24 alkoxy group, a C 1 -C 24 alkylamino group, a C 6 -C 24 arylamino group, C 1 It means -C 24 heteroaryl which is substituted with an amino group, one or more substituents selected from the group consisting of aryloxy alkyl silyl group of C 1 -C 24, C 6 -C 24 arylsilyl group, C 6 -C 24 in the do.

본 발명에 따른 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물이 포함된 포토레지스트 조성물은 광투과도, 특히 열경화 공정 이후의 투과도가 높고 광가교 특성이 우수하며, 수분 흡습성이 우수한 특성을 가질 수 있다.The photoresist composition containing the compound having a vinylphenyloxy group represented by the formula (A) or (B) according to the present invention has a high light transmittance, particularly a high transparency after the thermosetting step, It can have a characteristic of excellent hygroscopicity.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail. Unless otherwise defined, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In general, the nomenclature used herein is well known and commonly used in the art.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

본 발명은 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 0.5 내지 98 중량부, 광중합성 화합물 0 내지 90 중량부, 광개시제 0.1 내지 15 중량부, 아크릴 중합체 0 내지 40 중량부 및 용매 0 내지 80 중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다. The present invention relates to a photoresist composition comprising 0.5 to 98 parts by weight of a compound containing a vinylphenyloxy group represented by the following formula (A) or (B), 0 to 90 parts by weight of a photopolymerizable compound, 15 parts by weight, 0 to 40 parts by weight of an acrylic polymer, and 0 to 80 parts by weight of a solvent.

이때, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는, 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물은 벤젠고리에 치환기 Ra를 포함하는 비닐기가 결합하고, 상기 비닐기의 파라(para) 위치에 산소원자가 결합한 '비닐페닐옥시기'를 기본 골격으로 포함하되, 상기 산소원자와 연결기(L 또는 L1)가 결합된 구조를 기술적 특징으로 하며, 상기 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물을 포토레지스트의 조성물내 광가교성 모노머로서 사용하는 경우 광 투과도가 높고 광가교 특성이 우수하며 수분 흡습성이 낮은 개선된 특성을 나타낼 수 있다.Herein, the compound having a vinylphenyloxy group represented by the above-mentioned formula (A) or (B) is a compound in which a vinyl group containing a substituent group R a is bonded to a benzene ring and an oxygen atom (L or L1) is bonded to the oxygen atom, and the compound containing the vinylphenyloxy group is photocrosslinked in the composition of the photoresist. When used as a monomer, it can exhibit improved properties such as high light transmittance, excellent light-crosslinking property and low moisture-absorbing property.

한편, 본 발명에서의 상기 "치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기", "치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기" 등에서의 상기 알킬기 또는 아릴기의 범위를 고려하여 보면, 상기 C1-C30의 알킬기 및 C6-C50의 아릴기의 탄소수의 범위는 각각 상기 치환기가 치환된 부분을 고려하지 않고 비치환된 것으로 보았을 때의 알킬 부분 또는 아릴 부분을 구성하는 전체 탄소수를 의미하는 것이다. 예컨대, 파라위치에 부틸기가 치환된 페닐기는 C4의 부틸기로 치환된 C6의 아릴기에 해당하는 것으로 보아야 한다. In consideration of the range of the alkyl group or aryl group in the "substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group" and "substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group" in the present invention , The carbon numbers of the C 1 -C 30 alkyl group and the C 6 -C 50 aryl group are each an alkyl group or an aryl group constituting the alkyl moiety or the aryl moiety when it is considered that the substituent is not substituted, Means the number of carbon atoms. For example, a phenyl group substituted with a butyl group at the para position should be considered to correspond to a C 6 aryl group substituted with a C 4 butyl group.

본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴기는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 5 내지 7원, 바람직하게는 5 또는 6원을 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 또한 상기 아릴기에 치환기가 있는 경우 이웃하는 치환기와 서로 융합 (fused)되어 고리를 추가로 형성할 수 있다.The aryl group which is a substituent used in the compound of the present invention is an organic radical derived from an aromatic hydrocarbon by one hydrogen elimination and includes a single or fused ring system containing 5 to 7 atoms, preferably 5 or 6 atoms, When a substituent is present in the aryl group, the adjacent substituent may be fused with each other to form a ring.

상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, o-비페닐기, m-비페닐기, p-비페닐기, o-터페닐기, m-터페닐기, p-터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 인데닐, 플루오레닐기, 테트라히드로나프틸기, 페릴렌일, 크라이세닐, 나프타세닐,플루오란텐일등과 같은 방향족 그룹을 들 수 있고, 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 아미노기 (-NH2, -NH(R), -N(R')(R''), R'과 R"은 서로 독립적으로 C1-C10의 알킬기이며, 이 경우 "알킬아미노기"라 함), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, C1-C24의 알킬기, C1-C24의 할로겐화된 알킬기, C2-C24의 알케닐기, C2-C24의 알키닐기, C1-C24의 헤테로알킬기, C6-C24의 아릴기, C7-C24의 아릴알킬기, C2-C24의 헤테로아릴기 또는 C2-C24의 헤테로아릴알킬기로 치환될 수 있다.Specific examples of the aryl group include a phenyl group, o-biphenyl group, m-biphenyl group, p-biphenyl group, o-terphenyl group, m- terphenyl group, p- terphenyl group, naphthyl group, anthryl group, An aromatic group such as a pyridyl group, an indenyl group, a fluorenyl group, a tetrahydronaphthyl group, a perylenyle, a crycenyl, a naphthacenyl, a fluoranthene and the like, and at least one hydrogen atom of the aryl group may be substituted with a deuterium atom, atom, a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, a silyl group, an amino group (-NH2, -NH (R), -N (R ') (R''),R' and R "are independently from each other C 1 -C 10 an alkyl group, in which case the "alkyl group" hereinafter), an amidino group, a hydrazine group, a hydrazone jongi, a carboxyl group, a sulfonic acid group, phosphoric acid group, an alkyl group, a halogenated alkyl group of C 1 -C 24 in C 1 -C 24, C of 2 -C 24 alkenyl group, a C 2 -C 24 alkynyl group of, C 1 -C 24 heterocyclic group, C 6 -C 24 aryl group, C 7 -C 24 arylalkyl group, C 2 -C 24 of the A heteroaryl group or a C 2 -C 24 heteroarylalkyl group.

본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 헤테로아릴기는 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리 원자가 탄소인 C2-C24의 고리 방향족 시스템을 의미하며, 상기 고리들은 융합(fused)되어 고리를 형성할 수 있다. 그리고 상기 헤테로아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.The heteroaryl group which is a substituent used in the compound of the present invention is a C 2 -C 8 alkyl group having 1, 2 or 3 hetero atoms selected from N, O, P, Si, S, Ge, Se and Te, Refers to a 24 ring aromatic system, which rings can be fused to form a ring. And at least one hydrogen atom of the heteroaryl group may be substituted with the same substituent as the aryl group.

또한 본 발명에서 사용되는 치환기인 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the alkyl group as a substituent used in the present invention include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, iso-amyl and hexyl. The hydrogen atoms of the above hydrogen atoms can be substituted with the same substituents as those in the aryl group.

본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소부틸옥시, sec-부틸옥시, 펜틸옥시, iso-아밀옥시, 헥실옥시 등을 들 수 있고, 상기 알콕시기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.Specific examples of the alkoxy group used as the substituent in the compound of the present invention include methoxy, ethoxy, propoxy, isobutyloxy, sec-butyloxy, pentyloxy, isoamyloxy, hexyloxy, At least one hydrogen atom in the alkoxy group may be substituted with the same substituent as in the case of the aryl group.

본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있고, 상기 실릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하다.Specific examples of the silyl group used as the substituent in the compound of the present invention include trimethylsilyl, triethylsilyl, triphenylsilyl, trimethoxysilyl, dimethoxyphenylsilyl, diphenylmethylsilyl, diphenylvinylsilyl, methylcyclobutylsilyl , And dimethylpurylsilyl. At least one hydrogen atom of the silyl group may be substituted with the same substituent as the aryl group.

또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어, 상기 화학식 A내 치환기 D1은 [구조식 A3]이고, 상기 화학식 B내 치환기 D2 내지 D4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 [구조식 B3]일 수 있고, 이경우에 상기 화학식 A의 구조식 A3내 치환기 R8 내지 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 비닐기이고, 상기 화학식 B의 구조식B3내 치환기 R8 내지 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 비닐기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 A의 구조식 A3내 치환기 R8 내지 R12 중 하나 또는 두 개가 치환 또는 비치환된 비닐기이고 나머지는 수소 또는 중수소이며, 상기 화학식 B의 구조식B3내 치환기 R8 내지 R12 중 하나 또는 두 개가 치환 또는 비치환된 비닐기이고 나머지는 수소 또는 중수소일 수 있다.In the photoresist composition of the present invention, the substituent D 1 in the formula (A) is the [formula A3], the substituents D 2 to D 4 in the formula B are the same or different, can, and the structural formula of the formula (a) in this case A3 within the substituent R 8 to R at least one of 12 is substituted or unsubstituted, and a vinyl group ring, the structural formula of formula B B3 within the substituent R 8 to R 12, at least one of which is a substituted or And more preferably one or two of the substituents R 8 to R 12 in the structural formula A 3 of the formula (A) is a substituted or unsubstituted vinyl group and the remainder is hydrogen or deuterium, One or two of the substituents R 8 to R 12 in B 3 may be a substituted or unsubstituted vinyl group and the remainder may be hydrogen or deuterium.

또한, 상기 화학식 A 및 화학식 B내 상기 치환기 R1 내지 R4와 Ra는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다.The substituents R 1 to R 4 and R a in the formulas (A) and (B) may be the same or different and independently of each other may be hydrogen or deuterium.

또한, 상기 화학식 A내 상기 n1은 1 또는 2이고, 상기 화학식 B내 m은 1 또는 2일 수 있다.In the formula (A), n1 may be 1 or 2, and m in the formula (B) may be 1 or 2.

한편, 본 발명에서의 포토레지스트 조성물에 있어, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물의 구체적인 예로서는 하기 표 1에 기재된 화합물 M1 내지 M66 중의 어느 하나로 표시되는 화합물이 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. In the photoresist composition of the present invention, specific examples of the compound having a vinylphenyloxy group represented by the above-mentioned formula (A) or (B) include a compound represented by any one of the compounds M1 to M66 May be used, but is not limited thereto.

Figure pat00009
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Figure pat00010
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Figure pat00011
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Figure pat00012
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본 발명에 따른 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물은 포토레지스트 조성물내에 광가교성 모노머로서 포함되어 UV, 자외선 등과 같은 광에 의해 패턴을 형성하는 포토레지스트용 재료로 사용될 수 있고, 상기 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물을 포함하는 포토레지스트 조성물은 디스플레이용이나 전자재료용 포토레지스트 조성물에 사용하는 경우에, 용매나 아크릴 모노머와의 상용성이 우수하고 광가교 특성, 투과도 및 내수분 흡습 특성이 우수하여 TFT-LCD용 및 OLED용 포토레지스트 등으로 사용시 수율 및 성능을 향상시킬 수 있다.The compound containing a vinylphenyloxy group represented by the above-mentioned formula (A) or (B) according to the present invention is contained in the photoresist composition as a photocrosslinking monomer and is used as a photoresist for forming a pattern by light such as UV, And a photoresist composition containing a compound containing the vinylphenyloxy group is excellent in compatibility with a solvent or an acrylic monomer when used in a photoresist composition for a display or an electronic material, , Transparency and water absorption properties, and thus yield and performance can be improved when used for TFT-LCD and OLED photoresist.

한편, 본 발명의 감광성 포토레지스트 조성물의 보다 바람직한 실시예로서, 이는 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 1 내지 98 중량부, 광중합성 화합물 0 내지 80 중량부, 광개시제 0.1 내지 15 중량부, 아크릴 중합체 0 내지 40 중량부 및 용매 0 내지 80 중량부를 함유할 수 있다.On the other hand, as a more preferred embodiment of the photosensitive photoresist composition of the present invention, it is preferable that 1 to 98 parts by weight of the compound containing the vinylphenyloxy group, 0 to 80 parts by weight of the photopolymerizable compound, 0.1 to 15 parts by weight, 0 to 40 parts by weight of an acrylic polymer and 0 to 80 parts by weight of a solvent.

또한 더욱 바람직하게는, 본 발명의 감광성 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 5 내지 98 중량부, 광중합성 화합물 0 내지 70 중량부, 광개시제 0.2 내지 10 중량부, 아크릴 중합체 0 내지 40 중량부 및 용매 0 내지 80 중량부를 함유할 수 있다.More preferably still, the photosensitive photoresist composition of the present invention comprises 5 to 98 parts by weight of the compound containing the vinylphenyloxy group, 0 to 70 parts by weight of the photopolymerizable compound, 0.2 to 10 parts by weight of the photoinitiator, 0 to 40 parts by weight of an acrylic polymer and 0 to 80 parts by weight of a solvent.

또한 다른 실시예에 따라, 본 발명의 감광성 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 5 내지 98 중량부, 광중합성 화합물 0 내지 80 중량부, 광개시제 0.1 내지 15 중량부 중량부를 함유할 수 있다.According to another embodiment, the photosensitive photoresist composition of the present invention may further comprise 5 to 98 parts by weight of a compound containing a vinylphenyloxy group represented by the above-mentioned formula (A) or (B) per 100 parts by weight of the photoresist composition, 0 to 80 parts by weight of a photopolymerizable compound, and 0.1 to 15 parts by weight of a photoinitiator.

여기서, 상기 광중합성 화합물은 한 개 혹은 두 개 이상의 아크릴기, 메타아크릴기 또는 비닐기를 포함한 화합물로 광개시제가 UV에 의하여 라디칼이 생성되고 생성된 라디칼에 의해 가교가 되는 화합물을 의미한다. 상기 광중합제는 헥실(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트 및 헥사데실(메타)아크릴레이트 등의 알킬아크릴레이트 또는; 알킬메타아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타아크릴산, 글리시딜아크릴레이트, 스틸렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.Herein, the photopolymerizable compound means a compound containing one or two or more acryl groups, methacrylic groups or vinyl groups, and the photoinitiator is a compound which is produced by UV and is crosslinked by the produced radical. The photopolymerization agent may be an alkyl acrylate such as hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate and hexadecyl (meth) acrylate; (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, (Meth) acrylate, trimethylol propane di (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, acrylic acid, methacrylic acid, glycidyl acrylate, .

이때 상기 광중합성 화합물의 함량은 상기 포토레지스트 조성물 100 중량부를 기준으로 0 내지 90 중량부, 바람직하게는 0 내지 80 중량부일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0 내지 70 중량부일 수 있다. In this case, the content of the photopolymerizable compound may be 0 to 90 parts by weight, preferably 0 to 80 parts by weight, more preferably 0 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photoresist composition.

또한, 본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물은 광개시제 또는 아크릴 중합체 또는 용매를 추가적으로 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않고 기타 공지의 포토레지스트 조성물에 사용되는 물질을 추가적으로 포함할 수 있다In addition, the photoresist composition according to the present invention may further include a photoinitiator, an acrylic polymer or a solvent, and may additionally include materials used in other known photoresist compositions without limitation thereto

보다 구체적으로, 본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물은 패턴 특성 조절과 내열성 등의 박막물성을 부여하기 위하여 아크릴 중합체 또는 측쇄에 아크릴 불포화 결합을 갖는 아크릴 중합체 등을 선택적으로 사용할 수 있다. More specifically, the photoresist composition according to the present invention can be selectively used as an acrylic polymer or an acrylic polymer having an acryl unsaturated bond in its side chain in order to impart physical properties of a thin film, such as controlling pattern characteristics and heat resistance.

상기 아크릴 중합체로는 하기에 기재된 단량체들을 포함하는 단량체들의 공중합체로서 단량체의 예로는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트 및 헥사데실(메타)아크릴레이트,이소보닐(메타)아크릴레이트, 다만틸(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 아크릴산, 메타아크릴산, 스틸렌, 아세톡시스틸렌, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜 메타아크릴레이트, 이타코닉산, 말레익산무수물, 말레익산모노알킬 에스터, 모노알킬 퓨말레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트,2,3-에폭시시클로헥실(메타)아크릴레이트,3,4-에폭시시클로헥실메틸(메타)아크릴레이트, 3-에틸옥세탄-3-메틸(메타)아크릴레이트, N-메틸말레이미드, N-부틸말레이미드, N-페닐말레이미드, (메타)아크릴아미드 등을 들 수 있으며, 이들을 각각 단독으로 또는 2종 이상을 중합하여 사용할 수 있으며, 여기서, 상기 아크릴중합체의 함량은 상기 포토레지스트 조성물 100 중량부를 기준으로 0 내지 40 중량부를 포함하는 것이 바람직하다.The acrylic polymer is a copolymer of monomers including the monomers described below. Examples of monomers include monomers such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (Meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl Acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, Acrylic acid, methacrylic acid, styrene, acetoxystyrene, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, itaconic acid, maleic anhydride, maleic acid monoalkyl ester, , 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 2,3-epoxycyclohexyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (Meth) acrylate, N-methylmaleimide, N-butylmaleimide, N-phenylmaleimide and (meth) acrylamide. These may be used alone or in combination of two or more thereof , And the content of the acrylic polymer is preferably 0 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the photoresist composition.

또한, 상기 광개시제로는 페닐비페닐케톤, 치오잔톤(thioxanthone), 이소프로필치오잔톤, 디에틸치오잔톤, 벤조페논, 1-벤질-1-디메틸아미노-1-(4-모폴리노-벤조일)프로판, 1-히드록시-1-벤조일시클로헥산, 2-모폴릴-2-(4-메틸머캅토) 벤조일프로판, 에틸안트라퀴논, 4-벤조일-4-메틸디페닐설파이드, 벤조인부틸에테르, 2-히드록시-2-벤조일프로판, 2-히드록시-2-(4-이소프로필)벤조일프로판, 4-부틸벤조일트리클로로메탄, 4-페녹시벤조일디클로로메탄, 디페닐-2,4,6-트리메틸벤조일포스핀옥사이드, 벤조일포름산메틸, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄, 2-메틸-4,6-비스 (트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-나프틸-4,6-비스 (트리클로로메틸)-s-트리아진, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카바졸-3-일]-에타논-1-(O-아세틸옥심), 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.Examples of the photoinitiator include phenylbiphenyl ketone, thioxanthone, isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzophenone, 1-benzyl-1-dimethylamino-1- (4-morpholino-benzoyl) Propane, 1-hydroxy-1-benzoylcyclohexane, 2-morpholyl-2- (4-methylmercapto) benzoyl propane, ethyl anthraquinone, 4-benzoyl- 2-hydroxy-2-benzoylpropane, 2-hydroxy-2- (4-isopropyl) benzoylpropane, 4-butylbenzoyl trichloromethane, 4-phenoxybenzoyl dichloromethane, (Trichloromethyl) -s-triazine, 2-phenyl-4-thiophene, 2-methyl- (Trichloromethyl) -s-triazine, 2-naphthyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 1- [ ) -9H-carbazol-3-yl] -ethanone- 1- (O-acetyloxime), 1- (o- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] ethanone and 2- (o-benzoyloxime) And octanedione groups.

이때 상기 광개시제의 함량은 상기 포토레지스트 조성물 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 15 중량부일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 10 중량부일 수 있다. The content of the photoinitiator may be 0.1 to 15 parts by weight, more preferably 0.2 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photoresist composition.

또한, 상기 용매는 상기 포토레지스트 조성물을 용해하는데 선택적으로 사용될 뿐만 아니라, 우수한 코팅성과 투명한 박막을 얻기 위해 사용되며, 이러한 용매로는 유기용매를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 유기용매는 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부티로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄 및 옥탄 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 여기서, 상기 용매의 함량은 상기 포토레지스트 조성물 100 중량부를 기준으로 0 내지 80 중량부를 포함하는 것이 바람직하다.Further, the solvent is used not only to selectively dissolve the photoresist composition but also to obtain excellent coating properties and a transparent thin film. As such a solvent, it is preferable to use an organic solvent. The organic solvent is selected from the group consisting of ethyl acetate, butyl acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ethyl ether, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate (EEP), ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate PGMEA), propylene glycol methyl ether, propylene glycol propyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol methyl acetate, diethylene glycol ethyl acetate, acetone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, dimethyl form N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), gamma -butyrolactone, diethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, Diglyme, , Tetrahydrofuran (THF), methanol, ethanol, propanol, iso-propanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol Recycled ethyl ether, dipropylene glycol methyl ether, toluene, xylene, hexane, heptane and octane, wherein the content of the solvent is 0 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the photoresist composition .

또한, 본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물은 필요에 따라, 적색, 녹색, 청색 및 블랙으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 색재 안료를 더 포함하여, 컬러 매트릭스용 포토레지스트 조성물 또는 블랙 매트릭스용 포토레지스트 조성물로 제조될 수 있다. The photoresist composition according to the present invention may further comprise at least one colorant pigment selected from the group consisting of red, green, blue, and black, as necessary, to form a photoresist composition for a color matrix or a photoresist composition for a black matrix . ≪ / RTI >

이때 첨가되는 컬러 색재 안료의 함량은 포토레지스트의 사용 조건에 적절하게 선택될 수 있으며, 예를 들면 상기 포토레지스트 조성물 100 중량부를 기준으로 1 내지 50 중량부, 더 바람직하게는 5 내지 30 중량부일 수 있다. 상기 색재 안료의 함량이 이러한 범위를 만족하는 경우, 얻어지는 컬러필터의 색순도 및 휘도 특성이 매우 우수할 수 있다.The content of the coloring material pigment to be added may be appropriately selected according to the conditions of use of the photoresist. For example, it may be 1 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photoresist composition have. When the content of the color material pigment satisfies this range, the color purity and luminance characteristic of the obtained color filter can be very excellent.

또한, 상기 블랙 안료는 통상적으로 사용되는 카본블랙 분산체를 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The black pigment may be a conventionally used carbon black dispersion, but is not limited thereto.

또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 컬러필터, 유기발광소자(OLED), 조명장치, TFT-LCD, 금속 센서, 태양전지, 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET) 및 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT)에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용될 수 있다. In addition, the photoresist composition according to the present invention may be applied to various devices such as a color filter, an organic light emitting diode (OLED), a lighting device, a TFT-LCD, a metal sensor, a solar cell, an integrated circuit, an organic field- (O-TFT). ≪ / RTI >

이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments. It will be apparent, however, to those skilled in the art that these embodiments are for further explanation of the present invention and that the scope of the present invention is not limited thereby.

상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물을 합성하는 방법에 대하여 예시하면, 하기 반응식 1과 같다. A method for synthesizing a compound having a vinylphenyloxy group represented by the above formula (A) or (B) is illustrated in the following reaction formula (1).

[반응식 1] [Reaction Scheme 1]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 반응식 1은 상기 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 중 일부에 대한 합성 메커니즘을 나타낸 것이며, 적절히 치환기를 변경하여 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 다양한 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물을 합성할 수 있다.Reaction Scheme 1 shows a synthetic mechanism for a part of the compounds having vinylphenyloxy group and compounds having various vinylphenyloxy groups represented by Formula A or Formula B can be synthesized by appropriately changing the substituent.

합성예 1: 화합물 M2의 제조 Synthesis Example 1: Preparation of Compound M2

합성예Synthetic example 1-1. 2-( 1-1. 2-( tosyloxy토 실록 )ethyl ) ethyl acrylate의acrylate 제조 Produce

500 mL 반응기에 Pyridine 200 ml를 넣고 질소분위기 하에 2-hydroxyethyl acrylate Molecular Weight: 116.12 20.0 g(172.2 mmol)을 가한다. 반응플라스크를 0℃로 냉각한 뒤 p-toluenesulfonyl chloride 36.1 g(189.5 mmol)을 교반하면서 30분 동안 천천히 가한다. 반응용기를 60℃로 가열하여 15시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 에틸아세테이트 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 2-(tosyloxy)ethyl acrylate 42.3 g (수율 91%)을 제조하였다.In a 500-mL reactor, add 200 mL of pyridine and add 2-hydroxyethyl acrylate Molecular Weight: 116.12 20.0 g (172.2 mmol) in a nitrogen atmosphere. After cooling the reaction flask to 0 ° C, 36.1 g (189.5 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride is added slowly with stirring for 30 minutes. The reaction vessel is heated to 60 DEG C and stirred for 15 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The residue was purified by column chromatography using a mixed solvent of hexane and ethyl acetate (5: 1) to give 42.3 g (yield 91%) of 2- (tosyloxy) ethyl acrylate.

합성예 1-2. 2-(4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)ethyl acrylate의 제조Synthesis Example 1-2. Preparation of 2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) ethyl acrylate

250 mL 반응기에 DMSO 150 ml를 넣고 질소분위기 하에서 4-(1-hydroxyethyl)phenol Molecular Weight: 138.16 9.2g (66.6 mmol)과 NaOH 2.66g (66.6 mmol)을 가한 후 30분간 교반한다. 반응기에 2-(tosyloxy)ethyl acrylate Molecular Weight: 270.30 15g (55.5 mmol)을 가한 후 80℃에서 10시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 디클로로메탄 3:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 2-(4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)ethyl acrylate 10.6 g (수율 81%)을 제조하였다.Add 150 ml of DMSO to a 250 ml reactor and add 9.2 g (66.6 mmol) of 4- (1-hydroxyethyl) phenol Molecular Weight: 138.16 and 2.66 g (66.6 mmol) of NaOH under nitrogen atmosphere and stir for 30 minutes. To the reactor, 15 g (55.5 mmol) of 2- (tosyloxy) ethyl acrylate Molecular Weight: 270.30 was added and the mixture was stirred at 80 ° C for 10 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The residue was purified by column chromatography using a mixed solvent of hexane and dichloromethane (3: 1) to obtain 10.6 g of 2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) .

합성예 1-3. 화합물 M2의 제조Synthesis Example 1-3. Preparation of Compound M2

250 ml 반응기에 DMSO 100 mL와 2-(4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)ethyl acrylate 10.0 g (42.3 mmol)을 넣고 염화아연 1.0 g과 트리플루오로아세틱에시드 0.3 g을 넣은 후 140℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 상온으로 냉각한 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 건조한다. 감압 농축한 후 헥산으로 컬럼 정제하여 화합물 M2 2-(4-vinylphenoxy)ethyl acrylate 5.4 g (수율 59%)을 제조하였다.In a 250 ml reactor, add 100 ml of DMSO and 10.0 g (42.3 mmol) of 2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) ethyl acrylate and add 1.0 g of zinc chloride and 0.3 g of trifluoroacetic acid. Lt; / RTI > After completion of the reaction, the reaction mixture is cooled to room temperature and extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer is dried using MgSO 4 . The mixture was concentrated under reduced pressure and then purified by column chromatography with hexane to obtain 5.4 g (yield 59%) of compound M2 2- (4-vinylphenoxy) ethyl acrylate.

합성예 2: 화합물 M9의 제조Synthesis Example 2: Preparation of compound M9

합성예 2-1. Propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate)의 제조 Synthesis Example 2-1. Preparation of propane-1,3-diyl bis (4-methylbenzenesulfonate)

500 mL 반응기에 Pyridine 200 ml를 넣고 질소분위기 하에 propane-1,3-diol 10.0 g(131.4 mmol)을 가한다. 반응플라스크를 0℃로 냉각한 뒤 p-toluenesulfonyl chloride 55.1g(289.1 mmol)을 교반하면서 30분 동안 천천히 가한다. 반응용기를 50℃로 가열하여 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 2회 씻어준다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 에틸아세테이트 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate) 41.9 g (수율 83%)을 제조하였다.Add 200 mL of pyridine to a 500 mL reactor and add 10.0 g (131.4 mmol) of propane-1,3-diol under nitrogen atmosphere. After cooling the reaction flask to 0 ° C, 55.1 g (289.1 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride is added slowly for 30 minutes with stirring. The reaction vessel is heated to 50 < 0 > C and stirred for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate, and the organic layer was separated. The ethyl acetate layer was washed twice with distilled water. The organic layer was dried over MgSO4 and concentrated under reduced pressure. The residue was purified by column chromatography using a mixture of hexane and ethyl acetate (5: 1) to give 41.9 g of propane-1,3-diyl bis (4-methylbenzenesulfonate) Respectively.

합성예 2-2. 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone의 제조Synthesis Example 2-2. Preparation of 1,1 '- ((propane-1,3-diylbis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanone

500 mL 반응기에 DMSO 200 ml을 넣고 질소분위기 하에서 propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate) 18.0 g(46.8 mmol)을 가한다. Sodium 4-acetylphenolate Molecular Weight: 158.13 17.8 g (112.3 mmol) 을 반응기에 가한 후 50℃에서 20시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 디클로로메탄 5:1 용매로 컬럼 정제하여 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone 11.4 g (수율 78%)을 제조하였다.200 mL of DMSO is added to a 500 mL reactor, and 18.0 g (46.8 mmol) of propane-1,3-diyl bis (4-methylbenzenesulfonate) is added under a nitrogen atmosphere. Sodium 4-acetylphenolate Molecular Weight: 158.13 17.8 g (112.3 mmol) was added to the reactor and stirred at 50 ° C for 20 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated under reduced pressure, and purified by column chromatography using a 5: 1 mixture of hexane and dichloromethane to give 1,1 '- ((propane-1,3-diylbis (oxy) 1-phenylene)) diethanone (yield: 78%).

합성예 2-3. 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol 의 제조Synthesis Example 2-3. Preparation of 1,1 '- ((propane-1,3-diylbis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanol

250 ml 반응기에 메탄올 100 mL와 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone 10.0 g (32.0 mmol)을 넣은 뒤 0℃로 냉각한 후 Sodium borohyride Molecular Weight: 37.83 0.73 g (19.2mmol)을 4회에 나누어 가한다. 실온에서 5시간 동안 교반한다. 반응 완료 후 50 ml 증류수를 넣고 1N HCl 용액으로 pH를 7로 중화한다. 디클로로메탄 100 mL를 넣어 추출한 후 증류수로 세척한다. 디클로로메탄층을 무수 MgSO4를 이용하여 건조 후 여과한 후 감압 농축하여 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene)) 9.6 g (수율 95%)를 제조하였다.100 ml of methanol and 100 ml of 1,1 '- (propane-1,3-diylbis (oxy)) bis (4,1-phenylene) diethanone were placed in a 250 ml reactor and cooled to 0 ° C Sodium borohydide Molecular Weight: 37.83 0.73 g (19.2 mmol) was added in four portions. Stir at room temperature for 5 hours. After completion of the reaction, add 50 ml of distilled water and neutralize the pH to 7 with 1N HCl solution. Extract 100 mL of dichloromethane and wash with distilled water. The dichloromethane layer was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered and concentrated under reduced pressure to obtain 9.6 g of 1,1 '- ((propane-1,3-diylbis (oxy)) bis %).

합성예 2-4. 화합물 M9의 제조Synthesis Example 2-4. Preparation of compound M9

100 ml 반응기에 DMSO 70 mL와 1,1'-((propane-1,3-diylbis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol 7.0 g (22.1 mmol)을 넣고 염화아연 0.7 g과 트리플루오로아세틱에시드 0.3 g을 넣은 후 140℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 상온으로 냉각한 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 건조한다. 감압 농축한 후 헥산으로 컬럼 정제하여 화합물 M9 1,3-bis(4-vinylphenoxy)propane 4.1 g (수율 66%)을 제조하였다.In a 100 ml reactor, 70 ml of DMSO and 7.0 g (22.1 mmol) of 1,1 '- (propane-1,3-diylbis (oxy) 0.3 g of fluoroacetic acid was added thereto, followed by stirring at 140 占 폚 for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture is cooled to room temperature and extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer is dried using MgSO 4 . The mixture was concentrated under reduced pressure and then subjected to column purification using hexane to obtain 4.1 g (yield: 66%) of compound M9 1,3-bis (4-vinylphenoxy) propane.

합성예 3: 화합물 M37의 제조Synthesis Example 3: Preparation of compound M37

합성예 3-1. 1,3-phenylenebis(methylene) bis(4-methylbenzenesulfonate)의 제조Synthesis Example 3-1. Preparation of 1,3-phenylenebis (methylene) bis (4-methylbenzenesulfonate)

500 mL 반응기에 Pyridine 300 ml를 넣고 질소분위기 하에 1,3-phenylenedimethanol 25.0 g(180.9 mmol)을 가한다. 반응플라스크를 0℃로 냉각한 뒤 p-toluenesulfonyl chloride 75.9 g(398.1 mmol)을 교반하면서 60분 동안 천천히 가한다. 반응용기를 50℃로 가열하여 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수 300ml와 에틸아세테이트 300ml로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 에틸아세테이트 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 1,3-phenylenebis(methylene) bis(4-methylbenzenesulfonate) 68.7g (수율 85%)을 제조하였다.300 mL of pyridine is added to a 500 mL reactor, and 25.0 g (180.9 mmol) of 1,3-phenylenedimethanol is added under a nitrogen atmosphere. After cooling the reaction flask to 0 ° C, 75.9 g (398.1 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride is added slowly with stirring for 60 minutes. The reaction vessel is heated to 50 < 0 > C and stirred for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with 300 ml of distilled water and 300 ml of ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The residue was subjected to column purification using a mixed solvent of hexane and ethyl acetate (5: 1) to obtain 68.7 g (yield: 85%) of 1,3-phenylenebis (methylene) bis (4-methylbenzenesulfonate) .

합성예 3-2. 1,1'-(((1,3-phenylenebis(methylene))bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone의 제조Synthesis Example 3-2. Preparation of 1,1 '- ((1,3-phenylenebis (methylene) bis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanone

500 mL 반응기에 DMSO 300 ml를 넣고 질소분위기 하에서 1,3-phenylenebis(methylene) bis(4-methylbenzenesulfonate) 30 g (67.2 mmol)을 가한다. Sodium 4-acetylphenolate 25.5 g (161.3 mmol) 을 반응기에 가한 후 50℃에서 30시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수 400ml와 에틸아세테이트 400ml로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수 400ml로 2회 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 디클로로메탄 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 1,1'-(((1,3-phenylenebis(methylene))bis(oxy))bis (4,1-phenylene))diethanone 17.6 g (수율 70%)을 제조하였다.300 mL of DMSO is added to a 500 mL reactor, and 30 g (67.2 mmol) of 1,3-phenylenebis (methylene) bis (4-methylbenzenesulfonate) is added under a nitrogen atmosphere. Sodium 4-acetylphenolate (25.5 g, 161.3 mmol) was added to the reactor, followed by stirring at 50 ° C for 30 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with 400 ml of distilled water and 400 ml of ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed twice with 400 ml of distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated under reduced pressure, and then purified by column chromatography using a mixed solvent of hexane and dichloromethane (5: 1) to obtain 1,1 '- (((1,3-phenylenebis (methylene) ) bis (4,1-phenylene)) diethanone (yield: 70%).

합성예 3-3. 1,1'-(((1,3-phenylenebis(methylene))bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol의 제조Synthesis Example 3-3. Preparation of 1,1 '- ((1,3-phenylenebis (methylene) bis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanol

250 ml 반응기에 메탄올 150 mL와 1,1'-(((1,3-phenylenebis(methylene)) bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone 15 g (40.1 mmol)을 넣은 뒤 0℃로 냉각한 후 sodium borohyride 0.91 g (34.8 mmol)을 10분간 4회에 나누어 가한다. 실온에서 5시간 동안 교반한다. 반응 완료 후 50 ml 증류수를 넣고 1N HCl 용액으로 pH 7로 중화한다. 디클로로메탄 100 mL를 넣어 추출한 후 증류수로 세척한다. 유기층을 무수 MgSO4를 이용하여 건조 후 여과한 후 감압 농축하여 1,1'-(((1,3-phenylenebis(methylene))bis(oxy))bis(4,1-phenylene)) 14.6 g (수율 96%)를 제조하였다.In a 250 ml reactor, add 150 ml of methanol and 15 g (40.1 mmol) of 1,1 '- ((1,3-phenylenebis (methylene) After cooling to 0 ° C, 0.91 g (34.8 mmol) of sodium borohydride is added in four portions over 10 minutes. Stir at room temperature for 5 hours. After completion of reaction, add 50 ml of distilled water and neutralize to pH 7 with 1N HCl solution. Extract 100 mL of dichloromethane and wash with distilled water. The organic layer was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered and concentrated under reduced pressure to obtain 14.6 g of (1, 3-phenylenebis (methylene) bis (oxy)) bis Yield: 96%).

합성예 3-4. 화합물 M37의 제조Synthesis Example 3-4. Preparation of compound M37

250 ml 반응기에 DMSO 140 mL와 1,1'-(((1,3-phenylenebis (methylene))bis(oxy))bis(4,1-phenylene)) 14.0 g (37.0 mmol)을 넣고 염화아연 1.2 g과 트리플루오로아세틱에시드 0.4 g을 넣은 후 140℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 상온으로 냉각한 후 증류수200ml와 에틸아세테이트 200ml로 추출한다. 에틸아세테이트 층을 증류수 200ml로 세척한 후 유기층을 MgSO4를 사용하여 건조한다. 감압 농축한 후 헥산으로 컬럼 정제하여 화합물 M37 1,3-bis((4-vinylphenoxy)methyl)benzene 8.9 g (수율 70%)을 제조하였다.To a 250 ml reactor, add 140 mL of DMSO and 14.0 g (37.0 mmol) of 1,1 '- ((1,3-phenylenebis (methylene) g and 0.4 g of trifluoroacetic acid, and the mixture is stirred at 140 DEG C for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with 200 ml of distilled water and 200 ml of ethyl acetate. The ethyl acetate layer was washed with 200 ml of distilled water, and the organic layer was dried over MgSO 4 . The mixture was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography with hexane to obtain 8.9 g (yield: 70%) of compound M37 1,3-bis ((4-vinylphenoxy) methyl) benzene.

합성예 4: 화합물 M48의 제조Synthesis Example 4: Preparation of compound M48

합성예 4-1. 2-methyl-2-((tosyloxy)methyl)propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate)의 제조Synthesis Example 4-1. Preparation of 2-methyl-2 - ((tosyloxy) methyl) propane-1,3-diyl bis (4-methylbenzenesulfonate)

500 mL 반응기에 Pyridine 200 ml를 넣고 질소분위기 하에 2-(hydroxymethyl)-2-methylpropane-1,3-diol 5.0 g(83.2 mmol)을 가한다. 반응플라스크를 0℃로 냉각한 뒤 p-toluenesulfonyl chloride 55.6 g(291.2 mmol)을 교반하면서 30분 동안 천천히 가한다. 반응용기를 80℃로 가열하여 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 에틸아세테이트 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 2-methyl-2-((tosyloxy)methyl)propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate 37.8 g (수율 78%)을 제조하였다.In a 500 mL reactor, add 200 mL of pyridine and add 5.0 g (83.2 mmol) of 2- (hydroxymethyl) -2-methylpropane-1,3-diol under nitrogen atmosphere. After cooling the reaction flask to 0 ° C, 55.6 g (291.2 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride was added slowly with stirring for 30 minutes. The reaction vessel is heated to 80 DEG C and stirred for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated under reduced pressure, and then purified by column chromatography with a 5: 1 mixed solvent of hexane and ethyl acetate to give 2-methyl-2- ((tosyloxy) methyl) propane-1,3-diyl bis 4-methylbenzenesulfonate (37.8 g, yield 78%).

합성예 4-2. 1,1'-(((2-((4-acetylphenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone의 제조Synthesis Example 4-2. Preparation of 1,1 '- (((2 - ((4-acetylphenoxy) methyl) -2-methylpropane-1,3-diyl) bis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanone

250 mL 반응기에 DMSO 120 ml를 넣고 질소분위기 하에서 2-methyl-2-((tosyloxy)methyl)propane-1,3-diyl bis(4-methylbenzenesulfonate) 12 g (20.6 mmol)을 가한다. Sodium 4-acetylphenolate 11.7 g (74.1 mmol) 을 반응기에 가한 후 50℃에서 30시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 2회 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 디클로로메탄 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 1,1'-(((2-((4-acetylphenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanone 7.0 g (수율 72%)을 제조하였다.To a 250 mL reactor, add 120 mL of DMSO and add 12 g (20.6 mmol) of 2-methyl-2 - ((tosyloxy) methyl) propane-1,3-diyl bis (4-methylbenzenesulfonate) in a nitrogen atmosphere. Sodium 4-acetylphenolate (11.7 g, 74.1 mmol) was added to the reactor, followed by stirring at 50 ° C for 30 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate, and the organic layer was separated. The ethyl acetate layer was washed twice with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The residue was subjected to column purification using a mixed solvent of hexane and dichloromethane (5: 1) to give 1,1 '- (((2 - ((4-acetylphenoxy) methylpropane-1,3-diyl) bis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanone in a yield of 72%.

합성예 4-3. 1,1'-(((2-((4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol의 제조Synthesis Example 4-3. Bis (4,1-phenylene)) diethanol of bis (1,1 '- (((2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) methyl) -2-methylpropane-1,3- Produce

250 ml 반응기에 메탄올 100 mL와 1,1'-(((2-((4-acetylphenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene)) 20 g (42.1 mmol)을 넣은 뒤 0℃로 냉각한 후 sodium borohyride 1.31 g (34.8 mmol)을 4회에 나누어 가한다. 실온에서 5시간 동안 교반한다. 반응 완료 후 50 ml 증류수를 넣고 HCl 희석액으로 pH 7로 중화한다. 디클로로메탄 100 mL를 넣어 추출한 후 증류수로 세척한다. 유기층을 무수 MgSO4를 이용하여 건조 후 여과한 후 감압 농축하여 1,1'-(((2-((4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol 18.8 g (수율 93%)를 제조하였다.(4-acetylphenoxy) methyl-2-methylpropane-1,3-diyl) bis (oxy)) bis (4,1-phenylene) 20 g (42.1 mmol) of sodium borohydride are added to the mixture, and the mixture is cooled to 0 ° C. Then, 1.31 g (34.8 mmol) of sodium borohydride is added in four portions. Stir at room temperature for 5 hours. After completion of the reaction, add 50 ml of distilled water and neutralize to pH 7 with diluted HCl. Extract 100 mL of dichloromethane and wash with distilled water. The organic layer was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered, and concentrated under reduced pressure to give 1,1 '- (((2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) methyl) -2-methylpropane- bis (oxy)) bis (4,1-phenylene)) diethanol (yield: 93%).

합성예 4-4. 화합물 M48의 제조Synthesis Example 4-4. Preparation of compound M48

250 ml 반응기에 DMSO 110 mL와 1,1'-(((2-((4-(1-hydroxyethyl)phenoxy)methyl)-2-methylpropane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(4,1-phenylene))diethanol 10.0 g (20.8 mmol)을 넣고 염화아연 1.5 g과 트리플루오로아세틱에시드 0.5 g을 넣은 후 140℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 상온으로 냉각한 후 증류수 200ml와 에틸아세테이트 200ml로 추출한다. 에틸아세테이트 층을 증류수 200ml로 세척한후 유기층을 MgSO4를 사용하여 건조한다. 감압 농축한 후 헥산으로 컬럼 정제하여 화합물 M48 4,4'-((2-methyl-2-((4-vinylphenoxy)methyl)propane-1,3-diyl)bis(oxy))bis(vinylbenzene) 4.5 g (수율 51%)을 제조하였다.In a 250 ml reactor, 110 ml of DMSO and 1, 1 '- (((2- (4- (1-hydroxyethyl) phenoxy) methyl) -2-methylpropane- , 1-phenylene)) diethanol (10.0 g, 20.8 mmol) were added, and 1.5 g of zinc chloride and 0.5 g of trifluoroacetic acid were added thereto, followed by stirring at 140 ° C. for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with 200 ml of distilled water and 200 ml of ethyl acetate. The ethyl acetate layer was washed with 200 ml of distilled water, and the organic layer was dried over MgSO 4 . After concentrating under reduced pressure, the product was purified by column chromatography with hexane to obtain 4,4 '- ((2-methyl-2- (4-vinylphenoxy) methyl) propane-1,3-diyl) bis g (yield: 51%).

합성예 5: 화합물 M50의 제조Synthesis Example 5: Preparation of compound M50

합성예 5-1. propane-1,2,3-triyl tris(4-methylbenzenesulfonate)의 제조Synthesis Example 5-1. propane-1,2,3-triyl tris (4-methylbenzenesulfonate)

500 mL 반응기에 Pyridine 300 ml를 넣고 질소분위기 하에 propane-1,1,3-triol 10.0 g(108.6 mmol)을 가한다. 반응플라스크를 0℃로 냉각한 뒤 p-toluenesulfonyl chloride 74.5 g(391.0 mmol)을 교반하면서 30분 동안 천천히 가한다. 반응용기를 70℃로 가열하여 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 에틸아세테이트 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 propane-1,2,3-triyl tris(4-methylbenzenesulfonate) 42.8 g (수율 71%)을 제조하였다.300 mL of pyridine is placed in a 500 mL reactor and 10.0 g (108.6 mmol) of propane-1,1,3-triol is added under nitrogen atmosphere. After cooling the reaction flask to 0 ° C, 74.5 g (391.0 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride is added slowly with stirring for 30 minutes. The reaction vessel is heated to 70 占 폚 and stirred for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate. The organic layer was separated, and the ethyl acetate layer was washed with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated under reduced pressure, and purified by column chromatography with a 5: 1 mixed solvent of hexane and ethyl acetate to give 42.8 g (yield: 71%) of propane-1,2,3-triyl tris (4-methylbenzenesulfonate) ).

합성예 5-2. tris(4-acetylphenoxy)-1,2,3-propane의 제조Synthesis Example 5-2. Preparation of tris (4-acetylphenoxy) -1,2,3-propane

250 mL 반응기에 DMSO 120 ml를 넣고 질소분위기 하에서 propane-1,1,3-triyl tris(4-methylbenzenesulfonate) 10 g (18.0 mmol)을 가한다. Sodium 4-acetylphenolate 10.3 g (64.9 mmol) 을 반응기에 가한 후 50℃에서 30시간 동안 교반한다. 반응종료 후 증류수와 에틸아세테이트로 추출하여 유기물을 분리한 후 에틸아세테이트 층을 증류수로 2회 세척한다. 유기층을 MgSO4를 사용하여 수분을 제거하고, 감압 농축한 후 헥산과 디클로로메탄 5:1 혼합용매로 컬럼 정제하여 tris(4-acetylphenoxy)-1,2,3-propane 7.0 g (수율 72%)을 제조하였다.In a 250 mL reactor, add 120 mL of DMSO and add 10 g (18.0 mmol) of propane-1,1,3-triyl tris (4-methylbenzenesulfonate) in a nitrogen atmosphere. Sodium 4-acetylphenolate (10.3 g, 64.9 mmol) was added to the reactor, followed by stirring at 50 ° C for 30 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with distilled water and ethyl acetate, and the organic layer was separated. The ethyl acetate layer was washed twice with distilled water. The organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated under reduced pressure, and purified by column chromatography using a mixed solvent of hexane and dichloromethane (5: 1) to obtain 7.0 g of tris (4-acetylphenoxy) -1,2,3- .

합성예 5-3. tris(4-(1-hydroxyethylphenoxy))-1,2,3-propane의 제조Synthesis Example 5-3. Preparation of tris (4- (1-hydroxyethylphenoxy)) - 1,2,3-propane

250 ml 반응기에 메탄올 120 mL와 tris(4-acetylphenoxy)-1,2,3-propane Molecular Weight: 446.49 15 g (33.6 mmol)을 넣은 뒤 0℃로 냉각한 후 sodium borohyride 1.14 g (30.2 mmol)을 4회에 나누어 가한다. 실온에서 5시간 동안 교반한다. 반응 완료 후 60 ml 증류수를 넣고 HCl 희석액으로 pH 7로 중화한다. 디클로로메탄 100 mL를 넣어 추출한 후 증류수로 세척한다. 유기층을 무수 MgSO4를 이용하여 건조 후 여과한 후 감압 농축하여 tris(4-(1-hydroxyethylphenoxy))-1,2,3-propane Molecular Weight: 452.54 14.4 g (수율 95%)를 제조하였다.In a 250 ml reactor, add 120 mL of methanol and 15 g (33.6 mmol) of tris (4-acetylphenoxy) -1,2,3-propane Molecular Weight: 446.49, cool to 0 ° C and add 1.14 g (30.2 mmol) of sodium borohydride It is divided into four times. Stir at room temperature for 5 hours. After completion of the reaction, add 60 ml of distilled water and neutralize to pH 7 with diluted HCl. Extract 100 mL of dichloromethane and wash with distilled water. The organic layer was dried over anhydrous MgSO 4, filtered, and concentrated under reduced pressure to obtain 14.4 g (yield 95%) of tris (4- (1-hydroxyethylphenoxy)) - 1,2,3-propane Molecular Weight: 452.54.

합성예 5-4. 화합물 M50의 제조Synthesis Example 5-4. Preparation of compound M50

500 ml 반응기에 DMSO 250 mL와 tris(4-(1-hydroxyethylphenoxy))-1,2,3-propane Molecular Weight: 452.54 25.0 g (55.2 mmol)을 넣고 염화아연 3.0 g과 트리플루오로아세틱에시드 1.0 g을 넣은 후 130℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응종료 후 상온으로 냉각한 후 증류수 400ml와 에틸아세테이트 400ml로 추출한다. 에틸아세테이트 층을 증류수 400ml로 세척한후 유기층을 MgSO4를 사용하여 건조한다. 감압 농축한 후 헥산으로 컬럼 정제하여 화합물 M48 2-(4-vinylphenoxy)-1,3-bis(4-vinylphenoxy)propane 13.6 g (수율 62%)을 제조하였다.In a 500 ml reactor, add 250 mL of DMSO and 25.0 g (55.2 mmol) of tris (4- (1-hydroxyethylphenoxy)) - 1,2,3-propane Molecular Weight: 452.54 and add 3.0 g of zinc chloride and 1.0 g of trifluoroacetic acid g, and the mixture is stirred at 130 DEG C for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and extracted with 400 ml of distilled water and 400 ml of ethyl acetate. The ethyl acetate layer was washed with 400 ml of distilled water, and the organic layer was dried using MgSO 4 . The mixture was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography with hexane to obtain 13.6 g (yield 62%) of a compound M48 2- (4-vinylphenoxy) -1,3-bis (4-vinylphenoxy) propane.

합성예 6: 아크릴 중합체 (P1) 제조Synthesis Example 6: Preparation of acrylic polymer (P1)

500 ml 반응기에 히드록시에틸메타아크릴레이트 15 g, 아크릴산10 g, 시클로헥실메타아크릴레이트 20 g, 그리시딜메타아크릴레이트 15 g, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 용매 140 g 및 개시제 2,2'-azo-bisisobutyronitrile 2 g을 넣고 질소하에서 65℃로 10시간 반응한 후 실온으로 냉각하여 투명한 고분자 중합체를 제조하였다. A 500 ml reactor was charged with 15 g of hydroxyethyl methacrylate, 10 g of acrylic acid, 20 g of cyclohexyl methacrylate, 15 g of glycidyl methacrylate, 140 g of diethylene glycol dimethyl ether solvent and 20 g of 2,2'-azo- 2 g of bisisobutyronitrile was added, and the mixture was reacted under nitrogen at 65 ° C for 10 hours, and then cooled to room temperature to prepare a transparent polymer.

이와 같이 제조한 아크릴중합체의 분자량은 15,000 g/mol이었으며 다분산지수는 1.6이었다. The acrylic polymer thus prepared had a molecular weight of 15,000 g / mol and a polydispersity index of 1.6.

실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 4Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4

하기 표 2의 조성에 따라, (A) 비닐페닐옥시 모노머, (B) 광중합성 모노머, (C) 아크릴중합체, (D) 광개시제 및 (E) 용매를 하기 표 2에 기재된 조성비로 갈색 반응기에 넣고 10 시간 동안 교반하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.(A) a vinylphenyloxy monomer, (B) a photopolymerizable monomer, (C) an acrylic polymer, (D) a photoinitiator and (E) a solvent in a composition ratio shown in Table 2, And stirred for 10 hours to prepare a photoresist composition.

실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 4에서 사용한 첨가제의 종류는 하기에 기재된 바와 같다.The types of additives used in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 4 are as described below.

(A) 비닐페닐옥시기 포함 모노머(A) a vinylphenyloxy group-containing monomer

M2: 2-(4-비닐페녹시)에틸아크릴레이트M2: 2- (4-vinylphenoxy) ethyl acrylate

M9: 1,3-비스(4-비닐페녹시)프로판M9: 1,3-bis (4-vinylphenoxy) propane

M37: 1,3-비스((4-비닐페녹시)메틸)벤젠M37: 1,3-bis ((4-vinylphenoxy) methyl) benzene

M48: 4,4'-((2-메틸-2-((4-비닐페녹시)메틸)프로판-1,3-디일)비스(옥시))비스 (비닐벤젠)M48: 4,4 '- ((2-methyl-2 - ((4-vinylphenoxy) methyl) propane-

M50: 2-(4-비닐페녹시)-1,3-비스(4-비닐페녹시)프로판M50: 2- (4-vinylphenoxy) -1,3-bis (4-vinylphenoxy) propane

(B) 광중합성 화합물: (B) Photopolymerizable compound:

B1: 옥탄디올 디아크릴레이트 B1: octanediol diacrylate

B2: 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트B2: Diethylene glycol diacrylate

B3: 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트B3: trimethylolpropane triacrylate

B4; 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트B4; Dipentaerythritol hexaacrylate

(C) 아크릴중합체:(C) Acrylic polymer:

P1: 합성예 6에서 제조된 중합체 P1: Polymer prepared in Synthesis Example 6

(D) 광중합 개시제:(D) Photopolymerization initiator:

D1: 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온 D1: 1- (o-Acetyloxime) -1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-

D2: 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온D2: 2- (o-benzoyloxime) -1- [4- (phenylthio) phenyl] -1,2-octanedione

D3: 2-메틸-4,6-비스 (트리클로로메틸)-s-트리아진D3: 2-Methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine

D4: 디에틸치오잔톤 D4: Diethylthioxanthone

(E) 용매:(E) Solvent:

E1: 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트E1: Propylene glycol methyl ether acetate

실시예Example 조성(중량부)Composition (parts by weight) 비닐페닐옥시기모노머Vinylphenyloxime monomer 광중합성
화합물Photopolymerization
compound 아크릴중합체Acrylic polymer 광중합 개시제Photopolymerization initiator 용매menstruum 1One M2(30)M2 (30) D1(1.0)D1 (1.0) E1(69.0)E1 (69.0) 22 M9 (25)M9 (25) B1(5)B1 (5) D2(1.0)D2 (1.0) E1(69.0)E1 (69.0) 33 M37(30)M37 (30) D3(1.0)D3 (1.0) E1(69.0)E1 (69.0) 44 M48(25)M48 (25) D4(1.5)D4 (1.5) E1(73.5)E1 (73.5) 55 M50(25)M50 (25) D1(1.0),D4(0.5)D1 (1.0), D4 (0.5) E1(73.5)E1 (73.5) 66 M2(95)M2 (95) B1(3)B1 (3) D4(2.0)D4 (2.0) 77 M48(83)M48 (83) B2(15)　B2 (15) D3(2.0)D3 (2.0) 88 M2(25)M2 (25) B1(7)B1 (7) P1(10)P1 (10) D2(1.0)D2 (1.0) E1(57.0)E1 (57.0) 99 M9 (20)M9 (20) B2(10)B2 (10) P1(10)P1 (10) D4(1.0)D4 (1.0) E1(59.0)E1 (59.0) 1010 M37(20)M37 (20) B3(5)B3 (5) P1(10)P1 (10) D3(1.5)D3 (1.5) E1(63.5)E1 (63.5) 1111 M48(18)M48 (18) B4(5)B4 (5) P1(15)P1 (15) D4(1.5)D4 (1.5) E1(60.5)E1 (60.5) 1212 M50(25)M50 (25) P1(13)P1 (13) D1(1.0)D1 (1.0) E1(61.0)E1 (61.0) 비교예 1Comparative Example 1 B1(30)B1 (30) P1(10)P1 (10) D1(1.0)D1 (1.0) E1(59.0)E1 (59.0) 비교예 2Comparative Example 2 B2(25)B2 (25) P1(10)P1 (10) D2(1.0)D2 (1.0) E1(64.0)E1 (64.0) 비교예 3Comparative Example 3 B3(30)B3 (30) D3(1.0)D3 (1.0) E1(69.0)E1 (69.0) 비교예 4Comparative Example 4 B4(25)B4 (25) P1(10)P1 (10) D4(1.5)D4 (1.5) E1(64.0)E1 (64.0)

실험예 1: 투과도 평가Experimental Example 1: Evaluation of permeability

유리 기판 위에 상기 표 2에 따른 포토레지스트 조성물을 4 μm로 스핀 코팅하고 300 mJ/cm2으로 UV 조사한 후 250℃에서 1시간 동안 경화시켜 가교된 시편을 제조하였다. 가교된 포토레지스트 조성물을 UV-vis을 사용하여 400 nm에서 UV 투과도를 측정하였다. The photoresist composition according to Table 2 was spin-coated on the glass substrate at 4 μm and irradiated with UV at 300 mJ / cm 2 , followed by curing at 250 ° C. for 1 hour to prepare cross-linked specimens. The crosslinked photoresist composition was measured for UV transmittance at 400 nm using a UV-vis.

실험예 2: 흡습율 평가Experimental Example 2: Evaluation of moisture absorption rate

유리기판의 무게를 측정한 후 유리기판 위에 포토레지스트 조성물을 10 μm로 스핀코팅하고 300 mJ/cm2으로 UV 조사한 후 250℃에서 1시간동안 경화시켜 가교된 시편을 제조하였다. 시편을 23℃에서 24시간 동안 증류수에 담근 후 꺼내어 표면 물기를 제거한 후 유리기판의 무게를 측정하여 흡습율을 측정하였다.After the weight of the glass substrate was measured, the photoresist composition was spin-coated on the glass substrate at 10 μm, UV-irradiated at 300 mJ / cm 2 , and cured at 250 ° C. for 1 hour to prepare crosslinked specimens. The specimens were immersed in distilled water for 24 hours at 23 ° C, removed from the surface water, and weighed to determine the moisture absorption rate.

흡습율 = (흡습 후 포토레지스트의 순무게/가교 후 포토레지스트의 순무게-1)*100Moisture absorption rate = (net weight of photoresist after moisture absorption / net weight of photoresist after crosslinking -1) * 100

실험예 3: 광가교도 평가Experimental Example 3: Evaluation of photocrosslinking degree

유리 기판 위에 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하고 300 mJ/cm2으로 UV 조사하여 시편을 제조하였다. 가교된 포토레지스트 조성물을 분취한 후 FT-IR을 사용하여 UV 조사 전후의 940 cm-1 부근 피크의 면적변화량(A)과 기준 피크 1510 cm-1 부근 피크의 면적(B)에서의 흡수 피크의 상대적인 강도를 측정하여 계산하였다. 광가교도는 하기 식 1에 따라 계산한다.A photoresist composition was spin-coated on a glass substrate and subjected to UV irradiation at 300 mJ / cm 2 to prepare specimens. The cross-linked photoresist composition was fractionated, and then the amount of change (A) of the peak near 940 cm -1 before and after UV irradiation and the peak of the absorption peak at the peak area (B) near the reference peak of 1510 cm -1 were measured using FT- Relative strength was measured and calculated. The photo-crosslinking degree is calculated according to the following equation (1).

<식 1> <Formula 1>

광가교도(%)= (A/B) X 100Optical crosslinking degree (%) = (A / B) X 100

광경화율 평가 결과는 하기 표 3에 기재하였다.The evaluation results of the photosetting rate are shown in Table 3 below.

실시예Example 투과도 (%)Permeability (%) 흡습율 (%)Moisture absorption rate (%) 광가교도 (%)Photocrosslinking (%) 1One 9898 1.41.4 9696 22 9595 1.21.2 9898 33 9797 1.51.5 9696 44 9898 1.31.3 9999 55 9797 1.01.0 9999 66 9898 0.80.8 9797 77 9696 1.31.3 9898 88 9696 0.60.6 9797 99 9696 0.80.8 9696 1010 9797 0.50.5 9696 1111 9696 0.80.8 9797 1212 9696 0.50.5 9999 비교예 1Comparative Example 1 9090 5.85.8 9090 비교예 2Comparative Example 2 9292 5.15.1 8989 비교예 3Comparative Example 3 9292 4.74.7 8888 비교예 4Comparative Example 4 9191 5.35.3 9191

상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 12의 포토레지스트 조성물로 형성되는 박막은 흡습율이 낮고, 고온 공정 후의 투과도가 비교예에 비해 현저하게 높았다. 또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 비교예 1 내지 4의 조성물에 비해 광가교도가 현저하게 높은 결과를 나타냄을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3, the thin films formed from the photoresist compositions of Examples 1 to 12 of the present invention had a low moisture absorption rate and a markedly higher transmittance after the high temperature process than the comparative example. In addition, it was confirmed that the photoresist composition of the present invention exhibited a significantly higher photo-crosslinking degree than the compositions of Comparative Examples 1 to 4.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

Claims (9)

포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 0.5 내지 98 중량부, 라디칼에 의해 가교가 되는 광중합성 화합물 0 내지 90 중량부, UV에 의하여 라디칼이 생성되는 광개시제 0.1 내지 15 중량부, 아크릴 중합체 0 내지 40 중량부 및 용매 0 내지 80 중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물.
[화학식 A]
Figure pat00014

상기 [화학식 A]에서,
상기 Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C5의 알킬기이고,
상기 R1 내지 R4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 연결기 Y1은 단일결합, CH2 및 O 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 연결기 L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬에테르기 중에서 선택되는 어느 하나이거나 하기 구조식 La이며,
[구조식 La]
Figure pat00015

상기 구조식 La에서,
상기 치환기 R5 및 R6은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 n1은 1 내지 4의 정수이되, n1이 2이상인 경우에 괄호내 각각의,
Figure pat00016
부분들은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 n은 1 내지 3의 정수이되, 상기 n이 2 이상인 경우에 각각의 연결기 L은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 치환기 D1은 하기 [구조식 A3]이며,
[구조식 A3]
Figure pat00017

상기 구조식 A3에서,
상기 "-*"는 상기 Y1과 결합되는 결합 사이트를 의미하고,
상기 구조식 A3 내 치환기 R8 내지 R12는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이다.

[화학식 B]
Figure pat00018

상기 [화학식 B]에서,
상기 M은 탄소원자 또는 하기 구조식 1이며,
[구조식 1]
Figure pat00019

상기 구조식 1내 "-*"는 각각 상기 화학식 B내 연결기 L1 내지 L4와 결합되는 결합사이트를 의미하며, 상기 구조식 1내 "-*"가 결합되지 않은 방향족고리내 탄소원자는 수소 또는 중수소와 결합되고,
상기 치환기 Ra와 R1 내지 R4는 상기 화학식 A에서 정의된 바와 동일하며,
상기 연결기 Y2 내지 Y4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 단일결합, CH2 및 O 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 연결기 L1 내지 L4 는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 알킬아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C20의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C60의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느하나이며,
상기 m은 1 내지 3의 정수이되, 상기 m이 2 이상인 경우에 괄호내 각각의
Figure pat00020
부분들은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 치환기 D2 내지 D4는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 하기 [구조식 B3]이며,
[구조식 B3]
Figure pat00021

상기 구조식 B3에서,
상기 "-*"는 상기 Y2 내지 Y4와 결합되는 결합 사이트를 의미하고,
상기 구조식 B3 내 치환기 R8 내지 R12는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서의 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, C1-C24의 알킬기, C1-C24의 할로겐화된 알킬기, C2-C24의 알케닐기, C2-C24의 알키닐기, C1-C24의 헤테로알킬기, C6-C24의 아릴기, C7-C24의 아릴알킬기, C2-C24의 헤테로아릴기, C2-C24의 헤테로아릴알킬기, C1-C24의 알콕시기, C1-C24의 알킬아미노기, C6-C24의 아릴아미노기, C1-C24의 헤테로 아릴아미노기, C1-C24의 알킬실릴기, C6-C24의 아릴실릴기, C6-C24의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.0.5 to 98 parts by weight of a compound containing a vinylphenyloxy group represented by the following formula (A) or (B), 0 to 90 parts by weight of a photopolymerizable compound which is crosslinked by a radical with respect to 100 parts by weight of the photoresist composition, 0.1 to 15 parts by weight of a photoinitiator wherein radicals are generated by UV, 0 to 40 parts by weight of an acrylic polymer and 0 to 80 parts by weight of a solvent.
(A)
Figure pat00014

In the above formula (A)
R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 5 alkyl group,
Each of R 1 to R 4 is the same or different and is independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 of the alkoxy group, a substituted or An unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthioxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 aryloxy group, -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted alkylsilyl of C 6 -C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 group, a substituted or And any one selected from the group consisting of a substituted C 6 -C 30 arylsilyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen group,
The linking group Y 1 is any one selected from a single bond, CH 2 and O,
The linking group L is a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 7 -C 20 arylalkylene group , A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkylene group, hwandoen C 6 -C 50 aryl group, a substituted or non-substituted, or to which is selected from the group unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted of C 2 -C 50 unsubstituted C 1 -C 30 alkyl ethers of the formula one is La ,
[Structural Formula La]
Figure pat00015

In the structural formula La,
The substituents R 5 and R 6 are the same or different and are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, An unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy group, a cyano group, and a halogen group,
N1 is an integer of 1 to 4, and when n1 is 2 or more,
Figure pat00016
The moieties may be the same or different from each other,
N is an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, each of the linking groups L is the same or different from each other,
The substituent D1 is represented by the following formula [A3]
[Structural formula A3]
Figure pat00017

In the structural formula A3,
Quot; - * "means a binding site to be bound to Y 1 ,
Substituents R 8 to R 12 in the structural formula A 3 are the same or different and independently of one another are hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group , A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 a cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy of A substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthio group, al hwandoen C 1 -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 A silyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylsilyl group, a cyano group, which is one selected from a nitro group, a halogen group.

[Chemical Formula B]
Figure pat00018

In the above formula (B)
Wherein M is a carbon atom or the following structural formula 1,
[Structural formula 1]
Figure pat00019

In the formula 1, " - * "means a bonding site in which the bonding group L 1 to L 4 in the formula B is bonded, and the carbon atom in the aromatic ring to which" - * "is not bonded in the formula 1 is hydrogen or deuterium Coupled,
Wherein the substituents R a and R 1 to R 4 are the same as defined in formula A above,
The connecting groups Y 2 to Y 4 are the same or different from each other and independently selected from a single bond, CH2 and O,
The linking groups L 1 to L 4 are the same or different from each other, and each independently represents a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl ether group, a substituted or an unsubstituted C 7 -C 20 alkyl aryl group, a substituted or an alkenyl group, a substituted or non-substituted of unsubstituted C 7 -C 20 aryl alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 unsubstituted C 2 alkenyl -C 30 group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkynyl of the group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 60 cycloalkyl any one group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, selected from substituted or unsubstituted heteroaryl group of C2-C60 ring of a ,
M is an integer of 1 to 3, and when m is 2 or more, each of parentheses
Figure pat00020
The moieties may be the same or different from each other,
The substituents D 2 to D 4 are the same or different and independently of each other are the following formula [B3]
[Structural formula B3]
Figure pat00021

In the above formula B3,
The symbol "- *" means a binding site bound to Y 2 to Y 4 ,
Substituents R 8 to R 12 in the structural formula B 3 are the same or different and independently of one another are hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group , A substituted or unsubstituted C 2 -C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 a cycloalkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy of A substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkylthio group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylthio group, al hwandoen C 1 -C 30 alkyl amine group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 A silyl group, a substituted or unsubstituted aryl silyl group of the unsubstituted C 6 -C 30, a cyano group, a nitro group, any one selected from the group consisting of a halogen group,
Wherein Formula A] and [Chemical Formula B] "substituted" in the "substituted or unsubstituted" in the heavy hydrogen, a cyano group, a halogen group, a hydroxyl group, a nitro group, an alkyl group of C 1 -C 24, C 1 -C A C 2 -C 24 alkyl group, a C 2 -C 24 alkenyl group, a C 2 -C 24 alkynyl group, a C 1 -C 24 heteroalkyl group, a C 6 -C 24 aryl group, a C 7 -C 24 arylalkyl group , A C 2 -C 24 heteroaryl group, a C 2 -C 24 heteroarylalkyl group, a C 1 -C 24 alkoxy group, a C 1 -C 24 alkylamino group, a C 6 -C 24 arylamino group, C 1 It means -C 24 heteroaryl which is substituted with an amino group, one or more substituents selected from the group consisting of aryloxy alkyl silyl group of C 1 -C 24, C 6 -C 24 arylsilyl group, C 6 -C 24 in the do. 제1항에 있어서,
상기 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물 5 내지 98 중량부, 라디칼에 의해 가교가 되는 광중합성 화합물 0 내지 80 중량부, UV에 의하여 라디칼이 생성되는 광개시제 0.1 내지 15 중량부 중량부를 포함하는 포토레지스트 조성물.The method according to claim 1,
The photoresist composition is prepared by mixing 5 to 98 parts by weight of a compound containing a vinylphenyloxy group represented by the above formula (A) or (B) with 100 parts by weight of a photoresist composition, a photopolymerizable compound 0 To 80 parts by weight of a photoinitiator, and 0.1 to 15 parts by weight of a photoinitiator wherein a radical is generated by UV. 제1항에 있어서,
상기 화학식 A의 구조식 A3내 치환기 R8 내지 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 비닐기이고,
상기 화학식 B의 구조식B3내 치환기 R8 내지 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 비닐기인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.The method according to claim 1,
At least one of the substituents R 8 to R 12 in the structural formula A 3 in the formula (A) is a substituted or unsubstituted vinyl group,
At least one of the substituents R 8 to R 12 in the structural formula B3 of the formula (B) is a substituted or unsubstituted vinyl group. 제3항에 있어서,
상기 화학식 A의 구조식 A3내 치환기 R8 내지 R12 중 하나 또는 두 개가 치환 또는 비치환된 비닐기이고 나머지는 수소 또는 중수소이며,
상기 화학식 B의 구조식B3내 치환기 R8 내지 R12 중 하나 또는 두 개가 치환 또는 비치환된 비닐기이고 나머지는 수소 또는 중수소인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.The method of claim 3,
One or two of the substituents R 8 to R 12 in the structural formula A3 in the formula (A) is a substituted or unsubstituted vinyl group and the other is hydrogen or deuterium,
Wherein one or two of the substituents R 8 to R 12 in the structural formula B3 of the formula (B) is a substituted or unsubstituted vinyl group and the remainder is hydrogen or deuterium. 제1항에 있어서,
상기 화학식 A 및 화학식 B내 상기 치환기 R1 내지 R4와 Ra는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소 또는 중수소인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.The method according to claim 1,
The substituents R 1 to R 4 and Ra in the above formulas (A) and (B) are the same or different, and independently of each other, hydrogen or deuterium. 제1항에 있어서,
상기 화학식 A내 상기 n1은 1 또는 2이고,
상기 화학식 B내 m은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.The method according to claim 1,
Wherein n1 in the formula (A) is 1 or 2,
Wherein m in Formula B is 1 or 2. 제1항에 있어서,
상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 비닐페닐옥시기를 포함하는 화합물은 하기 화합물 M3 내지 M63 중의 어느 하나로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
Figure pat00022

Figure pat00023

Figure pat00024

Figure pat00025
The method according to claim 1,
Wherein the compound containing a vinylphenyloxy group represented by the above formula (A) or (B) is a compound represented by any one of the following compounds M3 to M63.
Figure pat00022

Figure pat00023

Figure pat00024

Figure pat00025
 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,
적색, 녹색, 청색 및 블랙으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 색재 안료가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein at least one colorant pigment selected from the group consisting of red, green, blue and black is further included. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 포토레지스트 조성물은 TFT-LCD, 컬러필터, 유기발광소자(OLED), 조명장치, 금속 센서, 태양전지, 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET) 및 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT)에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The photoresist composition may be applied to various types of devices such as a TFT-LCD, a color filter, an OLED, a lighting device, a metal sensor, a solar cell, an integrated circuit, an organic FET (O- &Lt; / RTI &gt; wherein the photoresist composition is used in any one of the apparatuses selected from the group consisting of photoresist compositions.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000314961A (en) * 1999-04-28 2000-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd Negative type image recording material
JP2005231255A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd Lithographic method and original plate of lithographic plate
KR100731327B1 (en) 2005-12-22 2007-06-25 주식회사 삼양이엠에스 Negative photoresist composition
KR20140064529A (en) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성디스플레이 주식회사 Photosensitive polymer, resist composition including the photosensitive polymer and method for preparing resist patter using the resist composition
KR20160057931A (en) 2014-11-14 2016-05-24 주식회사 삼양사 New negative photoresist composition

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000314961A (en) * 1999-04-28 2000-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd Negative type image recording material
JP2005231255A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd Lithographic method and original plate of lithographic plate
KR100731327B1 (en) 2005-12-22 2007-06-25 주식회사 삼양이엠에스 Negative photoresist composition
KR20140064529A (en) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성디스플레이 주식회사 Photosensitive polymer, resist composition including the photosensitive polymer and method for preparing resist patter using the resist composition
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