KR20180098527A - Cleaning agent composition for electronic materials, detergent raw solution, and cleaning method for electronic materials - Google Patents
Cleaning agent composition for electronic materials, detergent raw solution, and cleaning method for electronic materials Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180098527A KR20180098527A KR1020187012807A KR20187012807A KR20180098527A KR 20180098527 A KR20180098527 A KR 20180098527A KR 1020187012807 A KR1020187012807 A KR 1020187012807A KR 20187012807 A KR20187012807 A KR 20187012807A KR 20180098527 A KR20180098527 A KR 20180098527A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tertiary amine
- cleaning
- water
- electronic materials
- detergent
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 25
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 26
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]-n,n-dimethylethanamine Chemical compound CN(C)CCOCCN(C)C GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- TXXWBTOATXBWDR-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetramethylhexane-1,6-diamine Chemical compound CN(C)CCCCCCN(C)C TXXWBTOATXBWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- BHUXAQIVYLDUQV-UHFFFAOYSA-N 1-(diethylamino)propan-2-ol Chemical compound CCN(CC)CC(C)O BHUXAQIVYLDUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(diethylamino)ethoxy]-n,n-diethylethanamine Chemical compound CCN(CC)CCOCCN(CC)CC MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N ethyl 5-methylthiadiazole-4-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1N=NSC=1C TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- ZYWUVGFIXPNBDL-UHFFFAOYSA-N n,n-diisopropylaminoethanol Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCO ZYWUVGFIXPNBDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 slicing and dicing) Chemical compound 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- MWGRRMQNSQNFID-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropoxy)propan-2-ol Chemical compound CC(C)COCC(C)O MWGRRMQNSQNFID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAOZQNBBEXGXBN-UHFFFAOYSA-N 1-(dipropylamino)propan-2-ol Chemical compound CCCN(CCC)CC(C)O LAOZQNBBEXGXBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LORVPHHKJFSORQ-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O LORVPHHKJFSORQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPWSGYSCKAXGQD-UHFFFAOYSA-N 1-[di(propan-2-yl)amino]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CN(C(C)C)C(C)C IPWSGYSCKAXGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJOVIRMWPFJSTR-UHFFFAOYSA-N 1-butan-2-yloxypropan-2-ol Chemical compound CCC(C)OCC(C)O KJOVIRMWPFJSTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQCZPFJGIXHZMB-UHFFFAOYSA-N 1-tert-Butoxy-2-propanol Chemical compound CC(O)COC(C)(C)C GQCZPFJGIXHZMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKQVUWHSUOGDEI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butan-2-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCC(C)OCCOCCO KKQVUWHSUOGDEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBUMQODMPXCGAY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butan-2-yloxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCC(C)OC(C)COC(C)CO DBUMQODMPXCGAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEDAZIATFCZWTA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxy-2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound C(CCC)OC(COCCO)(CC)CC DEDAZIATFCZWTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)CO WMDZKDKPYCNCDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUFRRBHGGJPNGG-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propan-2-yloxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(C)OC(C)COC(C)CO HUFRRBHGGJPNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POIVWEXWFKSJHL-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)propan-2-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)O POIVWEXWFKSJHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLFJDTBDJOPSEQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butan-2-yloxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCC(C)OCCOCCOCCO NLFJDTBDJOPSEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVJGVGAUZWVCBW-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(CC)OC(C)COC(C)COC(C)CO GVJGVGAUZWVCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylpropoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)COCCOCCO YJTIFIMHZHDNQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYJYPLBZBGLWJW-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylpropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(C)COC(C)COC(C)CO LYJYPLBZBGLWJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FETMDPWILVCFLL-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propan-2-yloxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)OCCOCCOCCO FETMDPWILVCFLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBDQVFGGGVTGDI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propan-2-yloxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(C)OC(C)COC(C)COC(C)CO JBDQVFGGGVTGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCOCCOCCOCCO KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GICQWELXXKHZIN-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCOCCO GICQWELXXKHZIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJSNIWUHRQAZOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-methylpropoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)COCCOCCOCCO AJSNIWUHRQAZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAUZVHMWNUHESY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-methylpropoxy)propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(C)COC(C)COC(C)COC(C)CO VAUZVHMWNUHESY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSQCKFRRGUFBEE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCOCCOCCO JSQCKFRRGUFBEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSVOLJGTUZXMGQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC(C)(C)C XSVOLJGTUZXMGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAISFOKTTIQKLN-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(C)(C)OCCCOCCCO AAISFOKTTIQKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropan-1-ol Chemical compound CCCCOCCCO NTKBNCABAMQDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBSGXZBOFKJGMG-UHFFFAOYSA-N 3-propan-2-yloxypropan-1-ol Chemical compound CC(C)OCCCO GBSGXZBOFKJGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMHUNKYFIPTKDH-UHFFFAOYSA-N C(C)OC(C)COC(C)CO.COC(C)COC(C)CO Chemical compound C(C)OC(C)COC(C)CO.COC(C)COC(C)CO RMHUNKYFIPTKDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKSLJGWUXJYZRR-UHFFFAOYSA-N CN(CCN(CCC)CCC)CCN(CCC)CCC Chemical compound CN(CCN(CCC)CCC)CCN(CCC)CCC MKSLJGWUXJYZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010805 inorganic waste Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- KHDDHEBEVNRFAT-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetra(propan-2-yl)hexane-1,6-diamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCCCCCN(C(C)C)C(C)C KHDDHEBEVNRFAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQIRZNNBUNOXTQ-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetraethylpentane-1,5-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCCCN(CC)CC OQIRZNNBUNOXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNOJGXHXKATOKI-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetramethylpentane-1,5-diamine Chemical compound CN(C)CCCCCN(C)C DNOJGXHXKATOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHDLNXKJCPLCRO-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]-n',n'-diethyl-n-methylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCN(C)CCN(CC)CC PHDLNXKJCPLCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UICCSKORMGVRCB-UHFFFAOYSA-N n-[2-(diethylamino)ethyl]-n',n'-diethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCNCCN(CC)CC UICCSKORMGVRCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVORTHDQVBZOO-UHFFFAOYSA-N n-[2-[di(propan-2-yl)amino]ethyl]-n',n'-di(propan-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCNCCN(C(C)C)C(C)C DVVORTHDQVBZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000010815 organic waste Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C11D11/0047—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명의 전자재료용의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 3급 아민(A) 및 물(B)을 포함하는 세정제 조성물로서, 상기 3급 아민(A)의 비점이, 1 기압 하에서 130~250℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하이다. 상기 세정제 조성물은, 매우 소량(저농도) 사용하더라도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.The cleaning composition for an electronic material of the present invention is a detergent composition comprising a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropy with water, wherein the tertiary amine (A) has a boiling point of 130 And the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B) in the detergent composition to the tertiary amine (A) B) in the azeotropic mixture is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A). The detergent composition can remove particles adhering to the electronic material even if a very small amount (low concentration) is used. Moreover, even if there is no washing process for washing the detergent component, the detergent composition for electronic materials It is possible to provide a cleaning method including a cleaning step of the undiluted solution and the electronic material.
Description
본 발명은 전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a detergent composition for electronic materials, a detergent stock solution, and a cleaning method for electronic materials.
최근, 전자 업계에서는, 정보화, 에너지 절약화, 저탄소화 사회로의 변천에 동반하여, 전자부품의 소형화, 고성능화가 급속히 진전되고 있다. 그리고, 그 배경에는, 연마, 평탄화의 기술이 크게 관여하고 있다.BACKGROUND ART In recent years, in the electronics industry, miniaturization and high performance of electronic components are rapidly progressing along with the transition to informatization, energy saving, and low carbon society. In the background, techniques of polishing and planarization are largely involved.
예를 들면, 반도체 관련 분야에서는, CMOS나 TTL등의 디지털 IC 제조시의 리소그라피 공정에 있어서, 미세한 회로 패턴을 정확하고 고효율로 전사할 목적으로, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 인화규산유리(PSG)등의 절연박막의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 또한, 하드디스크(Hard disk Drive, HDD)등의 자기디스크를 취급하는 분야에서는, 디스크 표면과 자기헤드의 간격을 나노 차수로 억제하여, 기록밀도와 신뢰성을 양립시키기 위해, 디스크 표면의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 더욱이, 반도체조명(LED)등의 광디바이스나, 대 전력용 다이오드, 트랜지스터 등의 파워 디바이스를 취급하는 분야에서는 연마 공정에 의해, 사파이어(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN)등의 기판 표면의 요철, 변질, 오염개소를 제거하여, 제품의 성능이나 수율을 향상시키고 있다.For example, in the field of semiconductors, silicon oxide (SiO 2 ) formed on a silicon wafer for the purpose of transferring a fine circuit pattern accurately and with high efficiency in a lithography process in manufacturing a digital IC such as CMOS or TTL, Silicon nitride (Si 3 N 4 ), Polishing and planarization of insulating thin films such as phosphorus silicate glass (PSG) are performed. In the field of handling a magnetic disk such as a hard disk drive (HDD), in order to suppress the gap between the disk surface and the magnetic head to a nano order, and to make both the recording density and the reliability compatible, . Furthermore, in the field of handling optical devices such as semiconductor light-emitting diodes (LED), power devices such as diodes and transistors for large power, sapphire (Al 2 O 3 ) The surface of the substrate such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) is removed to improve the performance and yield of the product.
상기 연마 방법으로는, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 또는 세리아(CeO2)등의 미립자를 수(水)계 용매 등에 분산시킨 연마제(슬러리)를 사용한 화학기계 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 및 다이아몬드 등의 경질입자를 박어넣은, 브러시, 패드, 휠 등에 의해 기계적으로 연마하는 방법 등이 있다.Examples of the polishing method include chemical mechanical polishing (polishing) using an abrasive (slurry) in which fine particles such as silica (SiO 2 ) , alumina (Al 2 O 3 ), or ceria (CeO 2 ) Polishing, CMP), mechanical polishing with hard particles such as diamond, brush, pad, wheel and the like.
그러나, 어느 방법에 있어서도, 연마 후의 전자재료에는 대량의 연마입자나 연마 부스러기 등(이하, 파티클이라고 기재한다)이 부착하여, 성능이나 수율의 저하를 초래하였다. 따라서, 이것들을 제거하는 세정공정이 필요불가결하고, 파티클을 기능적이고도 효율적으로 제거하는 세정제 조성물의 개발이 급선무가 되고 있다. 이와 같은 세정제 조성물로서, 예를 들면, 하기의 세정제 조성물이 개시되어 있다.However, in any of the methods, a large amount of abrasive grains, abrasive grains, and the like (hereinafter referred to as particles) adhere to the polished electronic material, resulting in deterioration of performance and yield. Therefore, a cleaning process for removing these components is indispensable, and development of a cleaning composition for removing the particles functionally and efficiently has become a pressing need. As such a detergent composition, for example, the following detergent composition is disclosed.
특허문헌1에 기재된 세정제 조성물은, 플루오린계 음이온성 계면활성제와 제4급 암모늄 수산화물을 함유하고 있고, 임의 성분으로서 알칸올아민을 포함한다.이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 반도체 웨이퍼 표면의 파티클의 제거에 적절하다는 것이 나타나 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 계면활성제 등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수로 고려되고 있다.The detergent composition disclosed in Patent Document 1 contains a fluorine-based anionic surfactant and a quaternary ammonium hydroxide, and includes an alkanolamine as an optional ingredient. According to this document, the detergent composition has a particle Lt; / RTI > However, the detergent composition contains a nonvolatile surfactant and the like, and a washing process for washing the detergent composition after the cleaning process is considered to be essential.
특허문헌2에 기재된 세정제 조성물은, 알킬아민류, 방향족 디아민류, 요소류, 티오우레아류, 아조화합물, 함질소복소환(含窒素複素環)화합물 및 특정의 아미노산류를 함유하고 있다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 구리 배선이 실시된 반도체 표면의 산화동 및 파티클의 제거에 적절한 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비화발성의 산(예를 들면, 글리신)등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.The detergent composition described in
특허문헌3에 기재된 세정제 조성물은, 글리신, 아크릴산계 중합체, 특정의 비이온성 화합물 및 물을 포함한다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 화학기계연마(CMP) 용의 슬러리에서 비롯되는 파티클의 제거에 적절하다고 하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 산(예를 들면, 글리신)이나 중합체 등이 함유되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.The detergent composition described in
[선행기술문헌][Prior Art Literature]
(특허문헌1) 특허 제3624809호 공보(Patent Document 1) Patent No. 3624809
(특허문헌2) 특허 제4821082호 공보(Patent Document 2) Patent No. 4821082
(특허문헌3) 특개 2008-147449호 공보(Patent Document 3) JP 2008-147449 A
본 발명은, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 세정 대상물에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액, 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a cleaning agent for electronic materials which can remove particles adhering to a cleaning object even if a very small amount (low concentration) is used, And a cleaning method of the composition, the stock solution, and the electronic material.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 물과 공비성(共沸性)을 나타내는 3급 아민(A)및 물(B)을 특정 비율로 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 하기의 항 1 내지 9이다.The present inventors have intensively studied in order to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that the above problems can be solved by using tertiary amines (A) and water (B), which exhibit azeotropic properties with water, And completed the present invention. That is, the present invention is the following items 1 to 9.
항1, 물과 공비성을 나타내는 3급 아민(A) 및 물(B)을 포함한 세정제 조성물로서, 상기 3급 아민(A)의 비점이, 1 기압 하에서 130~250℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비(共沸) 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전자재료용의 세정제 조성물.Item 1: A detergent composition comprising tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropic properties with water, wherein the tertiary amine (A) has a boiling point of 130 to 250 ° C under 1 atmospheric pressure, Wherein the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) and the water (B) in the tertiary amine (A) Wherein the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture is less than or equal to the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture.
항2. 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (1):R1-O-[CH2-CH(X)-O]n-H (식 (1)중, R1은 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, n은 1~3을 나타내고, X는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(C)를 포함하고, 상기 글리콜계 용제(C)의 비점이, 1 기압 하에서 120~275℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(C)와 상기 물(B)의 합계 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율(%)이, 글리콜계 용제(C) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전항1에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항3. 상기 3급 아민(A)이, 일반식 (2):(R2)R3N-CH2-CH(Y)-OH (식 (2)중, R2 및 R3은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Y는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 모노아민(A1), 및 일반식 (3):(R4)R5N-C2H4-Z-C2H4-NR6(R7)(식 (3)중, R4, R5, R6 및 R7은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Z는 -CH2-, -(CH2)2-, -O-, -NH-, 또는 -N(CH3)- 을 나타낸다)으로 나타내지는 폴리아민(A2)의 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전항1 또는 전항2에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항4. 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 상기 3급 아민(A)의 중량 비율(A/(A+B))이, 1/100000 이상인 전항 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Section 4. The electronic material according to any one of items 1 to 3, wherein the weight ratio (A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) ≪ / RTI >
항5. 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)과 상기 글리콜계 용제(C)의 합계 중의 상기 3급 아민(A)과 상기 글리콜계 용제(C)의 합계의 중량 비율((A+C)/(A+B+C))이, 1/100000 이상인 전항2 내지 4 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Item 5. (A + C) / ((C)) of the tertiary amine (A) and the glycol solvent (C) in the total of the tertiary amine (A), the water (B) and the glycol solvent A + B + C)) is not less than 1/100000.
항6. 전항1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하기 위한 상기 3급 아민(A) 및 상기 물(B)을 포함한 세정제 원액.Section 6. A detergent stock solution comprising the tertiary amine (A) and the water (B) for preparing the detergent composition for electronic materials according to any one of items 1 to 5 above.
항7. 전항1 내지 5중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.Item 7. A cleaning method of an electronic material characterized by comprising a cleaning step of an electronic material using the cleaning composition for an electronic material according to any one of items 1 to 5.
항8. 세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 전항7에 기재된 전자재료의 세정방법.Section 8. A cleaning method of an electronic material according to the item 7, characterized in that it does not include a washing step.
항9. 전자재료의 파티클의 제거공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전항7 또는 전항8의 전자재료의 세정방법.Section 9. A cleaning method of an electronic material according to the item 7 or 8, characterized by comprising a step of removing particles of an electronic material.
본 발명에 의하면, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to remove particles adhered to an electronic material even by using a very small amount (low concentration), and even if there is no washing step for washing the cleaning agent component, It is possible to provide a detergent composition, a method for cleaning the undiluted solution and an electronic material.
본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 3급 아민(A) 및 물(B)을 포함하고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, 50℃ ~150℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에서도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 나타내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.The detergent composition of the present invention comprises a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropy with water, wherein the amount of the tertiary amine (A) and the water (B) in the detergent composition The weight ratio (%) of the tertiary amine (A) is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotropic mixture composed of the tertiary amine (A) and water (B) It exhibits an action effect of not leaving any residue of the cleaning agent even at a time of drying for a short time of several minutes to several tens of minutes under the condition of about 150 占 폚 and is therefore excellent in safety and productivity.
또한, 본 발명의 세정제 조성물은 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (1):R1-O-[CH2-CH(X)-O]n-H(식 (1)중, R1은 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, n은 1~3을 나타내고, X는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(C)를 포함하는 경우, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(C)와 상기 물(B)의 합계 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율(%)이, 글리콜계 용제(C) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, 50℃ ~150℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 타나내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.Further, the detergent composition of the present invention further, the formula represents the azeotropic water and (1) of the R 1- O- [CH 2- CH ( X) -O] n- H ( formula (1), R 1 (C) represented by the general formula (1) is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n is 1 to 3, and X represents hydrogen or a methyl group), the glycol solvent (C) in the azeotropic mixture composed of the glycol-based solvent (C) and the water (B) in the total amount of the glycol-based solvent (C) , It is excellent in safety and productivity because it exhibits an action effect of not leaving any residue of the cleaning agent even when dried in a short time of several minutes to several tens of minutes under the condition of about 50 ° C to 150 ° C, for example.
도 1은 세정제 조성물의 파티클 제거방법을 타나내는 일 예에 의한 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a method for removing particles of a cleaning agent composition. FIG.
본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 3급 아민(A)(이하, (A)성분이라 함) 및 물(B)(이하, (B)성분이라 함)을 포함하고, 3급 아민의 비점이 1 기압 하(평상시 압력하에서, 표준 대기압 하)에서 130~250℃ 이고, 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하(3급 아민의 배합 비율이 물과의 공비 혼합물의 조성비 이하)이다. 제3급 아민(A)의 비점이 1 기압 하에서 130℃ 미만이면, 상기 세정제 조성물의 원액에 인화의 위험성이 발생하고, 수송, 보관 등의 취급이 곤란하게 된다. 한편, 제3급 아민(A)의 비점이 1 기압 하에서 250℃ 를 초과하면, 물과의 공비 혼합물을 형성하기 어렵고, 건조성이 악화된다. 따라서, 인화성 및 건조성의 점에서 바람직하게는, 140~240℃ 정도, 보다 바람직하게는, 150~230℃ 정도이다.The detergent composition of the present invention comprises a tertiary amine (A) (hereinafter referred to as component (A)) and water (B (hereinafter referred to as component (B) (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B) is 130 to 250 DEG C under 1 atmospheric pressure (under a normal pressure and a standard atmospheric pressure) ) Is equal to or less than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotrope composed of the tertiary amine (A) and water (B) (the mixing ratio of the tertiary amine is less than the composition ratio of the azeotropic mixture with water). If the boiling point of the tertiary amine (A) is less than 130 캜 under 1 atmospheric pressure, there is a risk of flammability in the undiluted solution of the detergent composition, and handling such as transportation and storage becomes difficult. On the other hand, if the boiling point of the tertiary amine (A) exceeds 250 占 폚 under 1 atm, it is difficult to form an azeotropic mixture with water, and dryability deteriorates. Therefore, it is preferably about 140 to 240 占 폚, and more preferably about 150 to 230 占 폚, from the viewpoint of flammability and drying property.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A)및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하이다. 상기 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물은, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점(定沸點) 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의, 공비 혼합물 중의 (A)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 100℃ 이하의 유분(留分)을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다. The detergent composition of the present invention is characterized in that the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) to the tertiary amine (A) and the water (B) in the total of the tertiary amine (A) Is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotropic mixture. The azeotrope mixture composed of the tertiary amine (A) and water (B) means a composition in which the mixture of the tertiary amine (A) and the water (B) forms an azeotrope (a constant boiling point mixture) do. The weight ratio of (A) in the azeotropic mixture when the mixture of the tertiary amine (A) and water (B) forms an azeotropic mixture can be obtained, for example, at a boiling point of 100 DEG C And the following fractions are analyzed by the gas coloring method and quantified in accordance with the absolute calibration curve method.
상기 (A)성분으로는, 물과 공비성을 나타내고, 1 기압 하에서 비점이 130~250℃ 정도의 3급 아민이면, 각종 공지의 것을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 파티클의 제거력과 건조성의 점으로부터, 하기의 일반식 (2)으로 나타내지는 모노아민(A1)(이하, (A1)성분이라 함), 및 하기 일반식 (3)으로 나타내지는 폴리아민(A2)(이하, (A2)성분이라 함)이 특히 바람직하다. (A)성분은, (A1) 성분 또는 (A2)성분 중의 어느 하나의 성분이라도 좋고, 양 쪽의 성분을 포함해도 좋다.As the component (A), various known compounds can be used without particular limitation, provided that they exhibit an azeotropic property with water and are tertiary amines having a boiling point of 130 to 250 ° C at 1 atm. Concretely, from the viewpoint of particle removal power and drying property, a monoamine (A1) (hereinafter referred to as a component (A1)) represented by the following general formula (2) and a polyamine represented by the following general formula (A2) (hereinafter referred to as component (A2)) is particularly preferable. The component (A) may be any one of the components (A1) and (A2) and may contain both components.
일반식 (2):(R2)R3N-CH2-CH(Y)-OH(2): (R 2 ) R 3 N-CH 2 - CH (Y) -OH
(식 (2)중, R2 및 R3은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Y는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)(In the formula (2), R 2 and R 3 each represent the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and Y represents hydrogen or a methyl group)
일반식 (3):(R4)R5N―C2H4―Z―C2H4―NR6(R7)(3): (R 4 ) R 5 N-C 2 H 4 -Z-C 2 H 4 -NR 6 (R 7 )
(식 (3)중, R4, R5, R6, 및 R7은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Z는 -CH2-, -(CH2)2-, -O-, -NH-, 또는 -N(CH3)- 을 나타낸다)(In the formula (3), R 4 , R 5 , R 6 , And R 7 represent the same or different alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms and Z represents -CH 2 -, - (CH 2 ) 2 -, -O-, -NH-, or -N (CH 3 ) - )
상기 일반식 (2)중, R2 및 R3의 알킬기는, 탄소수 2~3이 바람직하고, 2이 더욱 바람직하다. 또한, Y는 수소가 바람직하다. In the general formula (2), the alkyl group of R 2 and R 3 preferably has 2 to 3 carbon atoms, and more preferably 2. Y is preferably hydrogen.
상기 일반식 (3)중, R4, R5, R6, 및 R7의 알킬기는, 탄소수 1~2가 바람직하고, 1이 더욱 바람직하다. 또한, Z는, -CH2-, -(CH2)2-, 또는 -O-가 바람직하고, -CH2- 또는 -(CH2)2- 가 더욱 바람직하다. In the general formula (3), R 4 , R 5 , R 6 , And the alkyl group of R < 7 > are preferably 1 to 2 carbon atoms, and more preferably 1. Further, Z is preferably -CH 2 -, - (CH 2 ) 2 -, or -O-, more preferably -CH 2 - or - (CH 2 ) 2 -.
상기 (A1) 성분으로는, 예를 들면, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-(디에틸아미노)에탄올, 2-(디이소프로필아미노)에탄올, 2-(디-n-프로필아미노)에탄올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 1-디에틸아미노-2-프로판올, 1-디이소프로필아미노-2-프로판올 및 1-디-n-프로필아미노-2-프로판올 등을 예로 들수 있다. 이것들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, 2-(디에틸아미노)에탄올, 2-(디이소프로필아미노)에탄올 및 1-디에틸아미노-2-프로판올으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이 바람직하다. Examples of the above component (A1) include 2- (diethylamino) ethanol, 2- (diisopropylamino) ethanol, 2- Dimethylamino-2-propanol, 1-diethylamino-2-propanol, 1-diisopropylamino-2-propanol and 1-di-n-propylamino-2-propanol. These may be used singly or in combination of two or more. Among these, from the group consisting of 2- (diethylamino) ethanol, 2- (diisopropylamino) ethanol and 1-diethylamino-2-propanol from the viewpoint of low removal power of particles and low risk of ignition At least one selected is preferable.
상기 (A2)성분으로는, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라메틸펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라이소프로필펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라-n-프로필펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라이소프로필헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라-n-프로필헥사메틸렌디아민, 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르, 비스(2-디에틸아미노에틸)에테르, 비스(2-디이소프로필아미노에틸)에테르, 비스(2-디-n-프로필아미노에틸)에테르, 1,1,7,7-테트라메틸디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라에틸디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라-n-프로필디에틸렌트리아민, N,N,N',N'',N''-펜타메틸디에틸렌트리아민, 4-메틸-1,1,7,7-테트라에틸디에틸렌트리아민, 4-메틸-1,1,7,7-테트라이소프로필디에틸렌트리아민 및 4-메틸-1,1,7,7-테트라-n-프로필디에틸렌트리아민 등을 예로 들수 있다. 이것들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, N,N,N',N'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르 및 N,N,N',N'',N''-펜타메틸디에틸렌트리아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이 바람직하다. Examples of the component (A2) include N, N, N ', N'-tetramethylpentamethylenediamine, N, N, N', N'-tetraethylpentamethylenediamine, N, N ', N'-tetramethylhexamethylenediamine, N, N, N', N'-tetrapropylenediamine, N, N ', N'-tetraethylhexamethylenediamine, N, N, N', N'-tetraisopropylhexamethylenediamine, N, (2-diethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether, bis , 7-tetramethyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetraethyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetraisopropyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetra -n-propyl diethylene tri , N, N, N ', N' ', N' '-pentamethyldiethylenetriamine, 4-methyl-1,1,7,7-tetraethyldiethylenetriamine, 7,7-tetraisopropyldiethylenetriamine and 4-methyl-1,1,7,7-tetra-n-propyldiethylenetriamine. These may be used singly or in combination of two or more. Among these, N, N, N ', N'-tetramethylhexamethylenediamine, bis (2-dimethylaminoethyl) ether and N, N, N' , N ", N " -pentamethyldiethylenetriamine, and the like.
상기 (B)성분으로는, 초순수, 순수, 정제수, 증류수, 이온 교환수 및 수도물 등을 예로 들수 있다.Examples of the component (B) include ultrapure water, pure water, purified water, distilled water, ion-exchanged water and tap water.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(A/(A+B))이, 1/100000 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, 1/80000 이상이고, 더욱 바람직하게는, 1/20000 이상이고, 더욱 바람직하게는, 1/5000 이상이다. The detergent composition of the present invention preferably has a weight ratio (A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total of the components (A) and (B) desirable. More preferably, it is 1/80000 or more, more preferably 1/20000 or more, and still more preferably 1/5000 or more.
본 발명의 세정제 조성물은, 파티클 제거성의 점에서, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (1):R1-O-[CH2-CH(X)-O]n-H (식 (1)중, R1은 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, n은 1~3을 나타내고, X는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(C)(이하, (C)성분이라 함)을 포함하고, 상기 글리콜계 용제(C)의 비점이, 1 기압 하에서 120~275℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(C)와 상기 물(B)의 합계 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율(%)이, 글리콜계 용제(C) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율 이하 포함하는 것이 바람직하다. The detergent composition of the present invention is preferably a compound represented by the general formula (1): R 1 O- [CH 2 -CH (X) -O] n- , A glycol solvent (C) (hereinafter referred to as a component (C)) represented by the general formula (1), R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n represents 1 to 3 and X represents hydrogen or a methyl group) (C) in the total amount of the glycol solvent (C) and the water (B) in the detergent composition, and the boiling point of the glycol solvent (C) is 120 to 275 deg. Of the glycol-based solvent (C) in the azeotropic mixture composed of the glycol-based solvent (C) and water (B).
상기의 글리콜계 용제(C) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물은, (C) 및 (B)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 글리콜계 용제 (C) 및 물(B)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의 공비 혼합물 중의 (C)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 100℃ 이하의 유분을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다.The azeotrope mixture consisting of the glycol-based solvent (C) and water (B) means a composition wherein the mixture of (C) and (B) forms an azeotrope (maintenance point mixture). The weight ratio of (C) in the azeotropic mixture when the mixture of the glycol-based solvent (C) and water (B) forms an azeotropic mixture may be, for example, Is analyzed by the gas coloring method and quantified in accordance with the absolute calibration curve method.
상기 일반식 (1)중, R1의 알킬기는, 탄소수 1~3이 바람직하고, 1~2가 더욱 바람직하다. 또한, X는 메틸기가 바람직하다. 또한, n은, 2~3이 바람직하고, 3이 더욱 바람직하다. In the general formula (1), the alkyl group of R 1 preferably has 1 to 3 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms. X is preferably a methyl group. Furthermore, n is preferably 2 to 3, more preferably 3.
상기 (C)성분으로는, 예를 들면, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-tert-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-tert-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-tert-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-tert-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-tert-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-sec-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-tert-부틸에테르 등을 예로 들수 있다. 이것들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜도 좋다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이 바람직하다. Examples of the component (C) include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol mono-n- Ethylene glycol mono-sec-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol monoisopropyl ether, Butyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monoisobutyl ether, propylene glycol mono-sec-butyl ether, propylene glycol mono-tert-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethyl Diethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol mono-sec-butyl ether, diethylene glycol mono-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether Dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol monoisopropyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol mono-sec Butyl ether, dipropylene glycol mono-tert-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol mono-n-propyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol mono n-butyl ether, triethylene glycol monoisobutyl Ether, triethylene glycol mono-sec-butyl ether, triethylene glycol mono-tert-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol mono-n-propyl ether, tripropylene glycol mono Isopropyl ether, tripropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monoisobutyl ether, tripropylene glycol mono-sec-butyl ether, tripropylene glycol mono-tert-butyl ether and the like. These may be used singly or in combination of two or more. Of these, at least one species selected from the group consisting of diethylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether and tripropylene glycol monomethyl ether is preferable in view of low particle removing power and low risk of ignition Do.
또한, (C)성분은, 건조성이 양호한 점 및 세정제 원액의 인화를 억제할 수 있는 점에서 그 1 기압 하의 비점이 120~275℃ 정도, 바람직하게는 130~260℃ 정도, 더욱 바람직하게는 140~250℃ 정도이다.The component (C) has a boiling point of about 120 to 275 deg. C, preferably about 130 to 260 deg. C, more preferably about 1 to 200 deg. C under one atmospheric pressure because of good drying property and suppression of printing of the cleaning agent solution 140 ~ 250 ℃.
또한, (C)성분을 가하는 경우, 본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (A)성분과 (B)성분과 (C)성분의 합계 중의 (A)성분과 (C)성분의 중량 비율((A+C)/(A+B+C))이, 1/100000 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, 1/80000 이상이고, 더욱 바람직하게는, 1/20000 이상이고, 더욱 바람직하게는, 1/5000 이상이다.When the component (C) is added, the detergent composition of the present invention has a weight ratio ((A + C) of the component (A) to the component (C) in the total of the component (A), the component ) / (A + B + C)) is preferably 1/100000 or more from the viewpoint of particle removability. More preferably, it is 1/80000 or more, more preferably 1/20000 or more, and still more preferably 1/5000 or more.
본 발명의 세정제 조성물 중의 (A)성분 및 (B)성분의 합계 비율, 또는, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 합계 비율은, 80중량% 이상이 바람직하고, 90중량% 이상이 보다 바람직하고, 95중량% 이상이 더욱 바람직하고, 98중량% 이상이 더욱 바람직하고, 100중량%이 보다 더욱 바람직하다. The total proportion of the component (A) and the component (B) in the detergent composition of the present invention or the total ratio of the components (A), (B) and (C) is preferably 80% by weight or more, Or more, more preferably 95 wt% or more, further preferably 98 wt% or more, further preferably 100 wt% or more.
본 발명의 세정제 조성물은, (A)성분 및 (B)성분, 필요에 따라서 (C)성분을 각종 공지의 수단으로 혼합함으로써 조제한다. The detergent composition of the present invention is prepared by mixing the component (A) and the component (B), and if necessary, the component (C) by various known means.
본 발명의 세정제 조성물은, 전자재료의 세정제로 이용된다. 전자재료로는, 예를 들면, 포토마스크, 광학렌즈, 진공방전관, 터치패널, 표시 디바이스용 유리 등의 유리가공품, 금속마스크, 팔레트, 리드프레임, 자기디스크, 히트싱크 등의 금속가공품, 유리에폭기판, 폴리이미드기판, 종이패놀기판, 플라스틱 몰드 부품 등의 수지가공품, 실리콘(Si), 사파이어(Al2O3), 탄화규소(SiC), 다이아몬드 (C), 질화갈륨(GaN), 인화갈륨(GaP), 비화갈륨(GaAs), 인화인듐(InP)등의 웨이퍼 및 이들의 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 모깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공품, 더욱이, 이들 물품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반발송 할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등이 포함된다.The detergent composition of the present invention is used as a detergent for electronic materials. Examples of the electronic material include a glass processed product such as a photomask, an optical lens, a vacuum discharge tube, a touch panel, a glass for a display device, a metal processed product such as a metal mask, a pallet, a lead frame, a magnetic disk, a heat sink, (Si), sapphire (Al 2 O 3 ) , silicon carbide (SiC), diamond (C), gallium nitride (GaN), and phosphorous (Such as slicing and dicing), grinding (back grinding, blasting, etc.), fillet (beveling, barrel, etc.), and wafers such as gallium (GaP), gallium arsenide (GaAs), and indium phosphide (Lapping, polishing, buffing, etc.), as well as tools, carriers, and magazines used to machine, mount, weld, clean, and ship these items.
또한, 전자재료로는, 인쇄회로기판, 플렉시블 회로기판, 세라믹 배선기판, 반도체소자, 반도체 패키징, 자기 매체, 파워 모듈 및 카메라 모듈 등의 전자부품, 더욱이, 이들의 부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등을 예로 들수 있다.Examples of the electronic material include electronic parts such as a printed circuit board, a flexible circuit board, a ceramic wiring board, a semiconductor element, a semiconductor packaging, a magnetic medium, a power module and a camera module, A mechanism, a carrier, a magazine, and the like used for cleaning and transportation.
본 발명의 세정제 조성물은, 건조성에 영향이 없는 범위에서, 각종 공지의 첨가제를 배합하여도 좋다.첨가제로서, 구체적으로는, 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 고분자형 계면활성제, 킬레이트제, 산화방지제, 방청제, 봉공(封孔)처리제, pH조정제 및 소포제 등을 예로 들수 있다.The detergent composition of the present invention may be blended with various known additives to the extent that the drying property is not affected. Specific examples of the additives include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants , A polymer type surfactant, a chelating agent, an antioxidant, a rust inhibitor, a sealing agent, a pH adjusting agent and a defoaming agent.
물로 희석함으로써, 상기 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하는 것이 가능한 세정제 원액도 본 발명의 하나이다. 본 발명의 세정제 원액에는, 파티클의 세정에 유효한 성분이 농축되어 있고, 효율이 양호한 수송, 보관이 가능하게 된다. 또한, 이 세정제 원액은 소량으로도 우수한 세정성을 발현하기 때문에, 사용시에 물에 희석할 때, 물의 중량 비율을 높일 수 있고, 비용, 환경부담이 저감되는 점에서도 우수하다.A cleaning agent stock solution capable of preparing a detergent composition for electronic materials by diluting with water is one of the present invention. The detergent stock solution of the present invention is concentrated in effective components for cleaning particles, and can be transported and stored with good efficiency. The detergent raw solution exhibits excellent detergency even in a small amount. Therefore, when diluted with water at the time of use, the weight ratio of water can be increased, and the cost and environment burden are also reduced.
본 발명의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법도 본 발명의 하나이다. 세정공정은, 본 발명에 관한 세정제 조성물을 파티클이 부착된 전자재료에 접촉시켜서, 파티클을 씻어내는 공정이다. 상기 세정방법은, 각종 공지의 린즈제에 의해 전자재료로부터 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정을 포함하지 않아도 좋다. 이것에 의해, 세탁 공정에 드는 비용 및 시간의 삭감이 가능하게 된다. 세정 대상이 되는 파티클은 특히 한정되지는 않지만, 대표적인 것으로서 예를 들면, 기계연마 연마(CMP) 및 기계적 연마에 사용되는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2) 등의 미립자, 다이아몬드, 석류석, 스텐레스, 강, 철, 동, 아연, 알루미늄, 세라믹, 유리, 규사, 플라스틱 등의 경질입자 및 상기 전자재료를, 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 면깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공할 때에 발생하는, 부스러기, 파편, 연마 가루, 더욱이, 상기 전자재료 및 전자부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때에 발생하는 유기물 찌꺼기, 무기물 찌꺼기 등을 예로 들수 있다.A cleaning method including a cleaning process of an electronic material using the cleaning composition of the present invention is also one of the present invention. The cleaning step is a step of bringing the cleaning composition according to the present invention into contact with the electronic material to which the particles are attached to wash the particles. The cleaning method may not include a washing step for rinsing the cleaning agent component from the electronic material with various known rinsing agents. As a result, the cost and time required for the washing process can be reduced. Examples of the particles to be cleaned include, but not limited to, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) , ceria (CeO 2 ), and the like used for mechanical polishing (CMP) (Slicing, dicing, etc.), grinding (back grinding, polishing) of hard particles such as fine particles, diamond, garnet, stainless steel, steel, iron, copper, zinc, aluminum, ceramics, glass, Machining, mounting and welding of the above electronic materials and electronic parts, which are generated during the processing of polishing (lapping, polishing, buffing, etc.), cutting (beveling, barrel etc.) , Organic wastes and inorganic wastes generated when cleaning and transporting wastes.
그 다른 파티클로는, 예를 들면, 상기 전자재료 및 전자부품의 제조공정 전반에 있어서, 물품에 부착하는 먼지, 티글 등을 예로 들수 있다.Examples of the other particles include dust, tigl, and the like adhering to the article in the entire manufacturing process of the electronic material and the electronic component.
본 발명의 세정제 조성물을 파티클이 부착한 부품에 접촉시켜서, 물품을 세정하는 수단은 한정되지 않고, 세정수단으로는, 예를 들면, 침지 세정, 샤워 세정, 스프레이 세정, 초음파 세정, 액(液)중 분사 세정, 직동식 세정(다이렉트패스(ダイレクトパス)(등록상표))등을 예로 들수 있다. 또한, 공지의 세정 장치로서, 예를 들면, 특개 평7-328565호 공보, 특개 2000-189912호 공보, 특개 2001-932호 공보, 특개 2005-144441호 공보 등을 예로 들수 있다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물 및 세정제 원액은, 비위험물이기 때문에, 연소되지 않는다. 그 때문에 방폭설비도 필요하지 않게 되고, 샤워 세정이나 스프레이 세정에도 적함한다.The means for cleaning the article by bringing the cleaning composition of the present invention into contact with the particle-attached component is not limited. Examples of the cleaning means include immersion cleaning, shower cleaning, spray cleaning, ultrasonic cleaning, Direct injection cleaning (Direct Path (registered trademark)), and the like. As known cleaning apparatuses, there are, for example, those disclosed in JP-A-7-328565, JP-A-2000-189912, JP-A-2001-932, and JP-A-2005-144441. Further, since the detergent composition and the detergent stock solution of the present invention are non-hazardous substances, they are not burned. Therefore, no explosion-proof equipment is required, and it is also suitable for shower cleaning and spray cleaning.
본 발명의 세정제 조성물은, 건조공정에서 용이하게 발휘시키는 것이 가능하기 때문에, 세정 후의 물품에 찌꺼기가 잔존하지 않는다. 그 때문에, 물품의 세탁 공정을 생략할 수 있다. 다만, 필요에 따라서, 본 발명과 동일한 세정제 또는 각종 공지의 린스제로 행구는 것이 가능하다. 린스제로는, 순수 및 이온 교환수 등의 물, 메틸알코올, 에틸알코올 및 이소프로필알코올 등의 알코올 류를 예로 들수 있다.Since the detergent composition of the present invention can be easily exhibited in the drying process, no residue remains on the article after cleaning. Therefore, the washing process of the article can be omitted. However, if necessary, it is possible to carry out the same cleaning agent or various known rinsing agents as in the present invention. Rinsing agents include water such as pure water and ion exchange water, and alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol and isopropyl alcohol.
[실시예][Example]
이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명 방법을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 실시예중, 부(部) 또는 %는 중량 기준이다. 또한, 이하의 세정제 원액에 사용된 각종 3급 아민(A) 및 글리콜계 용제(C)에 대하여, 그 구조, 1 기압 하에서의 비점, 물과의 공비 혼합물의 조성비(중량 비율)에 대하여, 표 2, 표 3에 나타낸다. Hereinafter, the method of the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, parts or% are based on weight. With respect to various tertiary amines (A) and glycol solvent (C) used in the following detergent stock solution, the composition, the boiling point under 1 atm, and the composition ratio (weight ratio) , Are shown in Table 3.
[ 공비 혼합물의 조성비][Composition ratio of azeotropic mixture]
200ml의 가지형상 플라스크에, (A)성분 25 중량부, 이온 교환수 100 중량부를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 혼합하고, (A)성분을 포함하는 수용액을 조제하였다. 계속해서, 상기 가지형상 플라스크에 이론 단수 N=10에 상당하는 증류 칼럼, T자 형상 관, 온도계 및 리비히 냉각기를 접속하였다. 계속해서, 1 기압 하, 상기 가지형상 플라스크를 오일 욕조에서 가열하여, 혼합 용액을 비등시킴으로써, 비점 100℃ 이하의 유분만을 채취하였다.25 parts by weight of the component (A) and 100 parts by weight of ion-exchanged water were placed in a 200 ml eggplant type flask and thoroughly mixed by a magnetic stirrer to prepare an aqueous solution containing the component (A). Subsequently, a distillation column, a T-shaped tube, a thermometer and a Lvih cooler corresponding to theoretical number of stages N = 10 were connected to the egg-shaped flask. Subsequently, the branched flask was heated in an oil bath under 1 atm, and the mixed solution was boiled to collect only oil fractions having a boiling point of 100 占 폚 or lower.
다음으로, 상기 유분에 있어서의 상기 (A)성분을, 가스착색법 6850 Network GC System(Agilent Technoloies 社製)에 있어서, 절대검량곡선법에 따라 정량하였다. 또한 (C)성분에 대해서도 (A)성분과 바꾸어 마찬가지의 방법으로 정량하였다.Next, the above component (A) in the above fraction was quantitatively determined by the gas chromatographic method 6850 Network GC System (manufactured by Agilent Technologies) according to the absolute calibration curve method. The component (C) was also quantified by the same method in place of the component (A).
1.세정제 원액의 조제1. Preparation of detergent stock solution
조제예1Preparation Example 1
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 2-(디에틸아미노)에탄올(DEAE) 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPGMME) 80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. , 20 parts by weight of 2- (diethylamino) ethanol (DEAE) as the component (A), 80 parts by weight of dipropylene glycol monomethyl ether (DPGMME) as the component (C) And the mixture was sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
조제예2Preparation example 2
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 DEAE 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르(TPGMME) 80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of DEAE as the component (A), 80 parts by weight of tripropylene glycol monomethyl ether (TPGMME) as a component (C) and a stirrer piece were charged, To prepare a detergent stock solution.
조제예3Preparation Example 3
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 N,N,N',N', -테트라메틸헥사메틸렌디아민(TMHMDA) 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 TPGMME80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of N, N, N ', N', - tetramethylhexamethylenediamine (TMHMDA) as the component (A), 80 parts by weight of TPGMME as a component (C) And the mixture was thoroughly stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock detergent solution.
조제예4Preparation Example 4
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 TMHMDA 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르(DEGMBE) 80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of TMHMDA as the component (A), 80 parts by weight of diethylene glycol mono-n-butyl ether (DEGMBE) as a component (C) and a stirrer piece were placed, To sufficiently prepare a detergent stock solution.
조제예5Preparation Example 5
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르(BDMAEE) 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 DEGMBE 80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 20 parts by weight of bis (2-dimethylaminoethyl) ether (BDMAEE) as a component (A), 80 parts by weight of DEGMBE as a component (C) and a stirrer piece were placed in a beaker, To sufficiently prepare a detergent stock solution.
조제예6Preparation Example 6
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 DEAE 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of DEAE as a component (A), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
조제예7Preparation Example 7
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 TMHMDA 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of TMHMDA as the component (A), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
조제예8Preparation Example 8
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 BDMAEE 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water, 100 parts by weight of BDMAEE as a component (A) and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
비교 조제예1Comparative Preparation Example 1
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 N-부틸디에탄올 아민 (BDEA) 20 중량부, 상기 (C)성분으로서 테트라에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(TEGMME) 80 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. , 20 parts by weight of N-butyl diethanolamine (BDEA) as the component (A), 80 parts by weight of tetraethylene glycol monomethyl ether (TEGMME) as a component (C) and a stirrer piece , And the mixture was sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock detergent solution.
비교 조제예2Comparative Preparation Example 2
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 BDEA 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water, 100 parts by weight of BDEA as the component (A), and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
비교 조제예3Comparative Preparation Example 3
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로서 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올(AEAE) 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchange water, 100 parts by weight of 2- (2-aminoethylamino) ethanol (AEAE) as the component (A) and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock solution of a detergent .
비교 조제예4Comparative Preparation Example 4
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (C)성분으로서 폴리옥시에틸렌알킬에테르(POEAE) 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of polyoxyethylene alkyl ether (POEAE) as component (C), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
비교 조제예5Comparative Preparation Example 5
비커에 이온 교환수 100 중량부, 상기 (A)성분으로 하여 디에틸아민(DEA) 100 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water as a component (A), 100 parts by weight of diethylamine (DEA) and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.
비교 조제예6Comparative Preparation Example 6
이온 교환수를 세정제 원액으로 사용하였다. Ion exchanged water was used as the cleaning agent stock solution.
2.세정제 원액의 인화성2. Flammability of detergent stock solution
[인화성의 평가방법 ][Evaluation method of flammability]
각각의 세정제 원액의 인화점을, 클리블랜드(Cleveland 개방법 JIS K2265-4)에 준거하여 측정하고, 인화성을 이하의 기준으로 평가하였다. 표 1에 결과를 보였다. The flash point of each detergent solution was measured in accordance with Cleveland (Cleveland method, JIS K2265-4), and the flammability was evaluated according to the following criteria. Table 1 shows the results.
[인화성의 평가 기준][Evaluation Criteria for Flammability]
○:인화점 없음, 또는 인화점이 100℃ 이상○: No flash point, or a flash point of 100 ° C or higher
×:인화점이 100℃ 미만X: less than 100 占 폚 of the flash point
3.세정제 조성물의 파티클 제거성3. Particle Removability of Detergent Composition
[오염액의 조제][Preparation of contaminated liquid]
스크루관(용량 20mL)(A)에 아세톤(和光純工業(株)製, 순도 99.5% 이상) 9.9g과 결정성 실리카 필러(상품명「클리스트라이트(クリスタライト) VX-S2」, (株)龍森製, 평균 입자직경 5μm) 0.1g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 1%의 오염액(A)을 10g 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(A')에 오염액(A) 1g과 아세톤 9g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 0.1%의 오염액(A')을 10g 조제하였다. 9.9 g of acetone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity of 99.5% or more) and 9.9 g of crystalline silica filler (trade name: CLISTLITE VX-S2) were added to a screw tube (capacity 20 mL) (Average particle diameter: 5 μm, manufactured by Ryonsumori Co., Ltd.) was added and 10 g of a contaminated liquid (A) having a concentration of 1% was prepared by shaking well. Subsequently, 1 g of the contaminated liquid (A) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (A ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (A') having a concentration of 0.1%.
마찬가지로, 스크루관(B)에 아세톤 9.9g과 구상 실리카(상품명「Sciqas」, 堺化工業(株)製, 평균 입자직경 1μm) 0.1g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 1%의 오염액(B)을 10g 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(B')에 오염액(B) 1g과 아세톤 9g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 0.1%의 오염액(B')을 10g 조제하였다. Similarly, 9.9 g of acetone and 0.1 g of spherical silica (trade name "Sciqas", manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter 1 μm) were added to the screw tube B and shaken thoroughly to prepare a contaminated liquid B) was prepared. Then, 1 g of the contaminated liquid (B) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (B ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (B') having a concentration of 0.1%.
마찬가지로, 스크루관(C)에 아세톤 9.9g과 알루미나입자(상품명「정밀연마용α-알루미나」, 和光純工業(株)製, 평균 입자직경 0.5μm) 0.1g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 1%의 오염액(C)을 10g 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(C')에 오염액(C) 1g과 아세톤 9g을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 0.1%의 오염액(C')을 10g 조제하였다. Similarly, 9.9 g of acetone and 0.1 g of alumina particles (trade name "α-alumina for precision polishing", manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., average particle diameter 0.5 μm) were added to the screw tube C and shaken well, 10 g of a contaminated liquid (C) having a concentration of 1% was prepared. Subsequently, 1 g of the polluted liquid (C) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (C ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (C') having a concentration of 0.1%.
[시험용 웨이퍼의 제작][Preparation of Wafer for Test]
다음으로, 오염액(A) 0.02g을 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)製, 직경 φ 4인치)의 중심에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(A)를 제작하였다. 또한, 오염액(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지로 고순도 실리콘 웨이퍼에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')을 제작하였다. Next, 0.02 g of the contaminated liquid (A) was dropped to the center of a high purity silicon wafer (diameter: 4 inches, manufactured by Asuzon Co., Ltd.) and naturally dried to prepare a test wafer (A). The test wafers (B), (C), and (A ') to (C') were dripped onto the high-purity silicon wafers, (C ').
[파티클 제거성의 평가방법][Method for Evaluating Particle Removability]
실시예1Example 1
도 1에 나타나듯이, 비커(1)(용량 1000mL, 직경 φ 110mm, 높이 150mm)에 조제예1의 세정제 원액 40.0g(2), 이온 교환수 960.0g(3) 및 교반기 피스(4)를 넣고, 자석 교반기 (5)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/50로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 800rpm으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(A)(6)를 넣고, 스텐레스 클립(7) 및 스텐레스 봉(8)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 10 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(A)를 꺼내서, 온도 80℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 10 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. 1, 40.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 960.0 g (3) of ion-exchanged water, and 9.4 g of a stirrer piece (4) were placed in a beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)] of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/50 to obtain a detergent composition Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the test wafer A was taken out of the solution, and dried in a wind-drier set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.
다음으로, 광학현미경(1000배율)을 사용하여, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(A)의 오염 개소를 무작위로 5개소 관찰하여, 잔존하는 파티클의 총수을 구했다. 한편, 이것과 마찬가지의 방법에 의해, 상기 오염액(A)에서 오염된 직후의 웨이퍼 표면에 부착하는 파티클의 총수도 구하고, 다음 식에 의해 파티클 제거율을 산출하였다. 이 평가를 실시예 하나당 5회 행하고, 파티클 제거율의 평균값을 구하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다. 표 4에 결과를 보인다(이하 동일).Next, using the optical microscope (1000 magnification), the contaminated portions of the test wafer (A) after cleaning and drying were observed randomly at five places to obtain the total number of remaining particles. On the other hand, the total number of particles adhering to the surface of the wafer immediately after contamination in the contaminated liquid (A) was determined by the same method as this, and the particle removal rate was calculated by the following equation. This evaluation was carried out five times for each example, and an average value of particle removal ratios was obtained, and the particle removability was evaluated based on the following evaluation criteria. The results are shown in Table 4 (hereafter, the same).
파티클 제거율(%)=(오염 직후의 파티클 총수 - 세정 후에 남아 있는 파티클 총수)/오염 직후의 파티클 총수 ×100Particle removal rate (%) = (total number of particles immediately after contamination-total number of particles remaining after cleaning) / total number of particles immediately after contamination 100
[파티클 제거성의 평가 기준][Evaluation Criteria of Particle Removability]
◎:파티클 제거율이 90% 이상⊚: 90% or more of particle removal rate
○:파티클 제거율이 70% 이상 90% 미만○: Particle removal rate is 70% or more and less than 90%
△:파티클 제거율이 50% 이상 70% 미만?: Particle removal rate is 50% or more and less than 70%
×:파티클 제거율이 50% 미만X: Particle removal rate is less than 50%
또한, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 파티클 제거성을 평가하였다.In addition, the removal performance of the wafers (B), (C) and (A ') to (C') after the cleaning and drying was evaluated in the same manner.
실시예2Example 2
도 1에 나타나듯이, 비커(1)(용량 1000mL, 직경 φ 110mm, 높이 150mm)에 조제예1의 세정제 원액 20.0g(2), 이온 교환수 980.0g(3) 및 교반기 피스(4)를 넣고, 자석 교반기 (5)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/100로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 800rpm으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(A)(6)를 넣고, 스텐레스 클립(7) 및 스텐레스 봉(8)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 10 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(A)을 꺼내서, 온도 80℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 10 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. 1, 20.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 980.0 g (3) of ion-exchanged water and 4 parts of the stirrer piece (4) were added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)] of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/100 by a magnetic stirrer Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the wafer for test A was taken out of the solution, and dried in a circulating air dryer set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (A)~(C) 및 (A')~(C')에 대하여, 실시예1과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.
실시예3Example 3
도 1에 나타나듯이, 비커(1)(용량 1000mL, 직경 φ 110mm, 높이 150mm)에 조제예1의 세정제 원액 1.0g(2), 이온 교환수 999.0g(3 및 교반기 피스(4)를 넣고, 자석 교반기 (5)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/2000로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 800rpm으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(A)(6)를 넣고, 스텐레스 클립(7) 및 스텐레스 봉(8)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 10 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(A)을 꺼내서, 온도 80℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 10 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 1.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 999.0 g of ion-exchanged water (3, and a stirrer piece (4)) was added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)) of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/2000 to obtain a detergent composition Then, while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, the test wafer (A) 6 was placed in the solution, and the test wafer (A) 6 was fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar (8) The test wafer A was taken out from the solution and dried for 10 minutes in a dry air dryer set at a temperature of 80 DEG C. The test wafers (B), (C) and (A ') - (C '), Followed by washing and drying in this order.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (A)~(C) 및 (A')~(C')에 대하여, 실시예1과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.
실시예4Example 4
도 1에 나타나듯이, 비커(1)(용량 1000mL, 직경 φ 110mm, 높이 150mm)에 조제예1의 세정제 원액 0.2g(2), 이온 교환수 999.8g(3) 및 교반기 피스(4)를 넣고, 자석 교반기 (5)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/10000로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 800rpm으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(A)(6)를 넣고, 스텐레스 클립(7) 및 스텐레스 봉(8)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 10 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(A)을 꺼내서, 온도 80℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 10 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(B), (C) 및 (A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 0.2 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 999.8 g (3) of ion-exchanged water and 4 g of the stirrer piece (4) were added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)) of the component (A), the component (B) and the component (C) is 1/10000, and the mixture is stirred with the magnetic stirrer Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the wafer for test A was taken out of the solution, and dried in a circulating air dryer set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (A)~(C) 및 (A')~(C')에 대하여, 실시예1과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.
실시예5~18, 비교예1~8Examples 5 to 18 and Comparative Examples 1 to 8
실시예1과 마찬가지의 방법으로, 표 4에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이 1/2000 또는 1/10000로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 파티클 제거성을 평가하였다.(A + C) / (A + B + C)] was diluted to 1/2000 or 1/10000 in the same manner as in Example 1, and each of the cleaning agent solutions was diluted with particles And the removability was evaluated.
비교예9Comparative Example 9
비교조제예5의 세정제 원액은, 인화점이 100℃ 미만이기 때문에, 평가하지 않았다.The detergent stock solution of Comparative Preparation Example 5 was not evaluated because the flash point was less than 100 캜.
비교예10Comparative Example 10
도 1에 나타나듯이, 비커(1)(용량 1000mL, 직경 φ 110mm, 높이 150mm)에 이온 교환수 1000g(3) 및 교반기 피스(4)를 넣고, 자석 교반기의 회전 속도를 800rpm으로 조절하였다. 이어서, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(A)(6)를 넣고, 스텐레스 클립(7) 및 스텐레스 봉(8)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 10 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(A)를 꺼내서, 온도 80℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 10 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(A')~(C')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 1000 g (3) of ion-exchanged water and a stirrer piece (4) were placed in a beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, height 150 mm) and the rotation speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar (8). Thereafter, the test wafer A was taken out of the solution, and dried in a wind-drier set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. Also, the test wafers A 'to C' were cleaned and dried in the same manner.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (A)~(C) 및 (A')~(C')에 대하여, 실시예1과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.
4.세정제 조성물의 건조성4. Drying of the detergent composition
[건조성의 평가방법 ][Evaluation method of drying property]
실시예1Example 1
스크루관(용량 100mL)에 조제예1의 세정제 원액 4.0g, 이온 교환수 96.0g을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/50로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 다음으로, 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)제조, 직경 φ 4인치)의 중심에 이 세정제 조성물을 0.05g 적하하여, 80℃ 로 조절한 순풍 건조기 속에서 20 분간 정치시켰다. 그리고, 건조 후의 웨이퍼 표면을 눈으로 관찰하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.4.0 g of the cleaning agent solution of Preparation Example 1 and 96.0 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity 100 mL), and the mixture was shaken well and the mixing ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/50. Next, 0.05 g of the detergent composition was dropped onto the center of a high-purity silicon wafer (diameter: 4 inches, manufactured by Asuzon Co., Ltd.) and allowed to stand in a circulating air dryer adjusted to 80 캜 for 20 minutes. Then, the surface of the dried wafer was visually observed, and the dryness of the cleaning composition was evaluated based on the following evaluation criteria.
[건조성의 평가 기준][Evaluation Criteria of Dryness]
○:세정제 조성물의 찌꺼기 없음○: No residue of detergent composition
×:세정제 조성물의 찌꺼기 있음X: Residue of detergent composition
실시예2Example 2
스크루관(용량 100mL)에 조제예1의 세정제 원액 2.0g, 이온 교환수 98.0g을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/100로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예1과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.2.0 g of the detergent solution of Preparation Example 1 and 98.0 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity 100 mL), and the mixture was shaken well and the mixing ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/100. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [
실시예3Example 3
스크루관(용량 100mL)에 조제예1의 세정제 원액 0.1g, 이온 교환수 99.9g을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/2000로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예1과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.0.1 g of the crude detergent solution of Preparation Example 1 and 99.9 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity: 100 mL) and the mixture was shaken well and the mixing ratio [(A + C) ) / (A + B + C)] was 1/2000. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [
실시예4Example 4
스크루관(용량 100mL)에 조제예1의 세정제 원액 0.02g, 이온 교환수 99.98g을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이, 1/10000로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예1과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.0.02 g of the cleaning agent solution of Preparation Example 1 and 99.98 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity: 100 mL) and thoroughly shaken to prepare a blend ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/10000. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [
실시예5~18, 비교예1~8Examples 5 to 18 and Comparative Examples 1 to 8
실시예1과 마찬가지의 방법으로, 표 4에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(A+C)/(A+B+C)]이 1/2000 또는 1/10000로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.(A + C) / (A + B + C)] was diluted to 1/2000 or 1/10000 in the same manner as in Example 1, and each of the detergent compositions was diluted with each detergent composition The composition was evaluated.
비교예10Comparative Example 10
이온 교환수를 사용하여, 실시예1과 마찬가지의 순서에 의해, 건조성을 평가하였다.Drying was evaluated by the same procedure as in Example 1 using ion-exchanged water.
1: 비커
2: 세정제 원액
3: 이온 교환수
4: 교반기 피스
5: 자석 교반기
6: 시험용 웨이퍼
7: 스텐레스 클립
8: 스텐레스 봉1: Beaker
2: Detergent solution
3: Ion exchange water
4: stirrer piece
5: Magnetic stirrer
6: Test wafer
7: Stainless steel clip
8: Stainless steel rods
Claims (9)
상기 3급 아민(A)의 비점이, 1 기압 하에서 130~250℃ 이고,
상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 3급 아민(A)의 중량 비율(%)이, 3급 아민(A) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 3급 아민(A)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.A detergent composition comprising a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting water and azeotropic properties,
The tertiary amine (A) has a boiling point of 130 to 250 캜 under 1 atm,
The weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) and the water (B) Wherein the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture is lower than that of the tertiary amine
Cleaner composition for electronic materials.
물과 공비성을 나타내는 일반식 (1):
R1-O-[CH2-CH(X)-O]n-H
(식 (1)중, R1은 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, n은 1~3을 나타내고, X는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(C)를 포함하고,
상기 글리콜계 용제(C)의 비점이, 1 기압 하에서 120~275℃ 이고,
상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(C)와 상기 물(B)의 합계 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율(%)이, 글리콜계 용제(C) 및 물(B)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(C)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.The method according to claim 1,
General formula (1) showing water and azeotropy:
R 1 -O- [CH 2 -CH (X) -O] n H
(C) a glycol-based solvent represented by the formula (1) wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n represents 1 to 3, and X represents hydrogen or a methyl group,
The glycol-based solvent (C) has a boiling point of 120 to 275 ° C under 1 atm,
Wherein the weight ratio (%) of the glycol solvent (C) in the total of the glycol solvent (C) and the water (B) in the detergent composition is in the range of Based solvent (C) in the mixture is less than or equal to the weight ratio of the glycol-
Cleaner composition for electronic materials.
상기 3급 아민(A)이, 일반식 (2):
(R2)R3N-CH2-CH(Y)-OH
(식 (2)중, R2 및 R3은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Y는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 모노아민(A1), 및
일반식 (3):
(R4)R5N-C2H4-Z-C2H4-NR6(R7)
(식 (3)중, R4, R5, R6 및 R7은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1~3의 알킬기를 나타내고, Z는 -CH2-, -(CH2)2-, -O-, -NH-, 또는 -N(CH3)- 을 나타낸다)로 나타내지는 폴리아민(A2)의 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the tertiary amine (A) is a compound represented by the general formula (2):
(R 2 ) R 3 N-CH 2 - CH (Y) -OH
(In the formula (2), R 2 and R 3 each represent the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and Y represents hydrogen or a methyl group), and
The general formula (3)
(R 4 ) R 5 N-C 2 H 4 -Z-C 2 H 4 -NR 6 (R 7 )
(In the formula (3), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; Z represents -CH 2 -, - (CH 2 ) 2- , -O-, -NH- or -N (CH 3 ) And a polyamine (A2) represented by the following general formula
Cleaner composition for electronic materials.
상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)의 합계 중의 상기 3급 아민(A)의 중량 비율(A/(A+B))이, 1/100000 이상인,
전자재료용의 세정제 조성물.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B)
Cleaner composition for electronic materials.
상기 3급 아민(A)과 상기 물(B)과 상기 글리콜계 용제(C)의 합계 중의 상기 3급 아민(A)과 상기 글리콜계 용제(C)의 합계의 중량 비율((A+C)/(A+B+C))이, 1/100000 이상인 전자재료용의 세정제 조성물.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
(A + C) / ((C)) of the tertiary amine (A) and the glycol solvent (C) in the total of the tertiary amine (A), the water (B) and the glycol solvent A + B + C)) is 1/100000 or more.
세정제 원액.A cleaning agent composition for electronic materials according to any one of claims 1 to 5, which comprises the tertiary amine (A) and the water (B)
Detergent solution.
전자재료의 세정방법.A cleaning method for an electronic material, comprising the step of cleaning an electronic material using the cleaning composition for an electronic material according to any one of claims 1 to 5,
Method of cleaning electronic materials.
세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,
전자재료의 세정방법.8. The method of claim 7,
Characterized in that it does not include a washing step,
Method of cleaning electronic materials.
전자재료의 세정방법.The method of claim 7 or 8, further comprising a step of removing particles of the electronic material.
Method of cleaning electronic materials.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2015-254252 | 2015-12-25 | ||
JP2015254252 | 2015-12-25 | ||
PCT/JP2016/088131 WO2017110885A1 (en) | 2015-12-25 | 2016-12-21 | Cleaning agent composition for electronic material, cleaning agent stock solution, and method for cleaning electronic material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180098527A true KR20180098527A (en) | 2018-09-04 |
KR102635269B1 KR102635269B1 (en) | 2024-02-13 |
Family
ID=59089545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187012807A KR102635269B1 (en) | 2015-12-25 | 2016-12-21 | Cleaning composition for electronic materials, detergent solution, and cleaning method for electronic materials |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6593441B2 (en) |
KR (1) | KR102635269B1 (en) |
CN (1) | CN108779419B (en) |
WO (1) | WO2017110885A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130025913A (en) * | 2010-07-09 | 2013-03-12 | 가켄 테크 가부시키가이샤 | Liquid concentrate for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method |
WO2015060379A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 荒川化学工業株式会社 | Recyclable azeotropic cleaning agent for industrial use, method for cleaning article, method for recycling azeotropic cleaning agent for industrial use, azeotropic cleaning agent for industrial use recycled by said recycling method, and cleaning/recycling apparatus |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101449774B1 (en) * | 2006-12-21 | 2014-10-14 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | Liquid cleaner for the removal of post-etch residues |
CN101412950A (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | Cleaning liquid for plasma etching residue |
JP5556658B2 (en) * | 2008-08-27 | 2014-07-23 | 荒川化学工業株式会社 | Cleaning composition for lead-free solder flux removal and lead-free solder flux removal system |
WO2011027673A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | 荒川化学工業株式会社 | Cleaning agent for removal of, removal method for, and cleaning method for water-soluble, lead-free solder flux |
JP2012186470A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | Cleaner for copper wiring semiconductor |
CN102827708A (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-19 | 安集微电子(上海)有限公司 | Plasma etching residue cleaning fluid |
CN102827707A (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-19 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | Plasma etching residue cleaning fluid |
KR101880305B1 (en) * | 2011-12-16 | 2018-07-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Cleaning composition using electronic material |
JP2013157516A (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Advanced Technology Materials Inc | Cleaning agent for copper wiring semiconductors |
JP2014049521A (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Advanced Technology Materials Inc | Cleaning agent for copper wiring semiconductor |
JP6226144B2 (en) * | 2014-02-27 | 2017-11-08 | 荒川化学工業株式会社 | Detergent composition stock solution, detergent composition and cleaning method |
JP6487630B2 (en) * | 2014-05-20 | 2019-03-20 | 化研テック株式会社 | Stock solution for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method |
-
2016
- 2016-12-21 WO PCT/JP2016/088131 patent/WO2017110885A1/en active Application Filing
- 2016-12-21 KR KR1020187012807A patent/KR102635269B1/en active IP Right Grant
- 2016-12-21 CN CN201680070975.9A patent/CN108779419B/en active Active
- 2016-12-21 JP JP2017537334A patent/JP6593441B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130025913A (en) * | 2010-07-09 | 2013-03-12 | 가켄 테크 가부시키가이샤 | Liquid concentrate for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method |
WO2015060379A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 荒川化学工業株式会社 | Recyclable azeotropic cleaning agent for industrial use, method for cleaning article, method for recycling azeotropic cleaning agent for industrial use, azeotropic cleaning agent for industrial use recycled by said recycling method, and cleaning/recycling apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102635269B1 (en) | 2024-02-13 |
WO2017110885A1 (en) | 2017-06-29 |
JP6593441B2 (en) | 2019-10-30 |
JPWO2017110885A1 (en) | 2017-12-28 |
CN108779419A (en) | 2018-11-09 |
CN108779419B (en) | 2021-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI513815B (en) | Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring | |
EP2596091B1 (en) | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use | |
CN1426452A (en) | Detergent composition | |
CN1918698A (en) | Cleaning liquid for substrate for semiconductor device and cleaning method | |
EP1576072A2 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
CN1875090A (en) | Cleaning agent for substrate and cleaning method | |
CN1420161A (en) | Substrate surface cleaning liquid and cleaning method | |
JP2005260213A (en) | Cleaning liquid for substrate for semiconductor device and cleaning method | |
KR20150133641A (en) | Cleaning composition and cleaning method | |
KR101956388B1 (en) | Cleaning solution composition for sapphire wafer | |
KR101751553B1 (en) | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use | |
TW201831664A (en) | Semiconductor substrate cleaning agent | |
JP2001107098A (en) | Cleaning fluid composition for cleaning non-iron metal | |
JP2014036136A (en) | Substrate cleaning liquid for semiconductor device and cleaning method of substrate for semiconductor device | |
KR20180098527A (en) | Cleaning agent composition for electronic materials, detergent raw solution, and cleaning method for electronic materials | |
CN113881510A (en) | Chemical mechanical polishing cleaning solution and use method thereof | |
JP5623318B2 (en) | Detergent composition for precision parts | |
JP2014101410A (en) | Cleaning agent for magnetic disk substrate | |
JP6100669B2 (en) | Cleaning liquid composition | |
JP7215978B2 (en) | Cleaning composition and cleaning method | |
JP2015203047A (en) | Substrate cleaning liquid for semiconductor device and method for cleaning substrate for semiconductor device | |
WO2010064558A1 (en) | Composition for cyanoacrylate adhesive separation, and removal method for same adhesive | |
WO2023243661A1 (en) | Cleaning composition for adhesives | |
JP2018127573A (en) | Rinse agent for electronic material | |
WO2022047053A1 (en) | Post chemical mechanical planarization (cmp) cleaning |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |