KR20180098527A - Cleaning agent composition for electronic materials, detergent raw solution, and cleaning method for electronic materials - Google Patents

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Abstract

본 발명의 전자재료용의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함하는 세정제 조성물로서, 상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이다. 상기 세정제 조성물은, 매우 소량(저농도) 사용하더라도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.The cleaning composition for an electronic material of the present invention is a detergent composition comprising a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropy with water, wherein the tertiary amine (A) has a boiling point of 130 And the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B) in the detergent composition to the tertiary amine (A) B) in the azeotropic mixture is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A). The detergent composition can remove particles adhering to the electronic material even if a very small amount (low concentration) is used. Moreover, even if there is no washing process for washing the detergent component, the detergent composition for electronic materials It is possible to provide a cleaning method including a cleaning step of the undiluted solution and the electronic material.

Description

전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법Cleaning agent composition for electronic materials, detergent raw solution, and cleaning method for electronic materials

본 발명은 전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a detergent composition for electronic materials, a detergent stock solution, and a cleaning method for electronic materials.

최근, 전자 업계에서는, 정보화, 에너지 절약화, 저탄소화 사회로의 변천에 동반하여, 전자부품의 소형화, 고성능화가 급속히 진전되고 있다. 그리고, 그 배경에는, 연마, 평탄화의 기술이 크게 관여하고 있다.BACKGROUND ART In recent years, in the electronics industry, miniaturization and high performance of electronic components are rapidly progressing along with the transition to informatization, energy saving, and low carbon society. In the background, techniques of polishing and planarization are largely involved.

예를 들면, 반도체 관련 분야에서는, ＣＭＯＳ나 ＴＴＬ등의 디지털 ＩＣ 제조시의 리소그라피 공정에 있어서, 미세한 회로 패턴을 정확하고 고효율로 전사할 목적으로, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 산화규소(ＳｉＯ２), 질화규소(Ｓｉ３Ｎ４), 인화규산유리(ＰＳＧ)등의 절연박막의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 또한, 하드디스크(Hard disk Drive, ＨＤＤ)등의 자기디스크를 취급하는 분야에서는, 디스크 표면과 자기헤드의 간격을 나노 차수로 억제하여, 기록밀도와 신뢰성을 양립시키기 위해, 디스크 표면의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 더욱이, 반도체조명(ＬＥＤ)등의 광디바이스나, 대 전력용 다이오드, 트랜지스터 등의 파워 디바이스를 취급하는 분야에서는 연마 공정에 의해, 사파이어(Ａｌ２Ｏ３), 탄화규소(ＳｉＣ), 질화갈륨(ＧａＮ)등의 기판 표면의 요철, 변질, 오염개소를 제거하여, 제품의 성능이나 수율을 향상시키고 있다.For example, in the field of semiconductors, silicon oxide (SiO 2 ) formed on a silicon wafer for the purpose of transferring a fine circuit pattern accurately and with high efficiency in a lithography process in manufacturing a digital IC such as CMOS or TTL, Silicon nitride (Si 3 N 4 ), Polishing and planarization of insulating thin films such as phosphorus silicate glass (PSG) are performed. In the field of handling a magnetic disk such as a hard disk drive (HDD), in order to suppress the gap between the disk surface and the magnetic head to a nano order, and to make both the recording density and the reliability compatible, . Furthermore, in the field of handling optical devices such as semiconductor light-emitting diodes (LED), power devices such as diodes and transistors for large power, sapphire (Al 2 O 3 ) The surface of the substrate such as silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) is removed to improve the performance and yield of the product.

상기 연마 방법으로는, 실리카(ＳｉＯ２), 알루미나(Ａｌ２Ｏ３) 또는 세리아(ＣｅＯ２)등의 미립자를 수(水)계 용매 등에 분산시킨 연마제(슬러리)를 사용한 화학기계 연마(Chemical Mechanical Polishing, ＣＭＰ) 및 다이아몬드 등의 경질입자를 박어넣은, 브러시, 패드, 휠 등에 의해 기계적으로 연마하는 방법 등이 있다.Examples of the polishing method include chemical mechanical polishing (polishing) using an abrasive (slurry) in which fine particles such as silica (SiO 2 ) , alumina (Al 2 O 3 ), or ceria (CeO 2 ) Polishing, CMP), mechanical polishing with hard particles such as diamond, brush, pad, wheel and the like.

그러나, 어느 방법에 있어서도, 연마 후의 전자재료에는 대량의 연마입자나 연마 부스러기 등(이하, 파티클이라고 기재한다)이 부착하여, 성능이나 수율의 저하를 초래하였다. 따라서, 이것들을 제거하는 세정공정이 필요불가결하고, 파티클을 기능적이고도 효율적으로 제거하는 세정제 조성물의 개발이 급선무가 되고 있다. 이와 같은 세정제 조성물로서, 예를 들면, 하기의 세정제 조성물이 개시되어 있다.However, in any of the methods, a large amount of abrasive grains, abrasive grains, and the like (hereinafter referred to as particles) adhere to the polished electronic material, resulting in deterioration of performance and yield. Therefore, a cleaning process for removing these components is indispensable, and development of a cleaning composition for removing the particles functionally and efficiently has become a pressing need. As such a detergent composition, for example, the following detergent composition is disclosed.

특허문헌１에 기재된 세정제 조성물은, 플루오린계 음이온성 계면활성제와 제４급 암모늄 수산화물을 함유하고 있고, 임의 성분으로서 알칸올아민을 포함한다.이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 반도체 웨이퍼 표면의 파티클의 제거에 적절하다는 것이 나타나 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 계면활성제 등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수로 고려되고 있다.The detergent composition disclosed in Patent Document 1 contains a fluorine-based anionic surfactant and a quaternary ammonium hydroxide, and includes an alkanolamine as an optional ingredient. According to this document, the detergent composition has a particle Lt; / RTI > However, the detergent composition contains a nonvolatile surfactant and the like, and a washing process for washing the detergent composition after the cleaning process is considered to be essential.

특허문헌２에 기재된 세정제 조성물은, 알킬아민류, 방향족 디아민류, 요소류, 티오우레아류, 아조화합물, 함질소복소환(含窒素複素環)화합물 및 특정의 아미노산류를 함유하고 있다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 구리 배선이 실시된 반도체 표면의 산화동 및 파티클의 제거에 적절한 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비화발성의 산(예를 들면, 글리신)등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.The detergent composition described in Patent Document 2 contains alkylamines, aromatic diamines, ureas, thioureas, azo compounds, nitrogen-nitrogen heterocycle (nitrogen-containing heterocyclic ring) compounds and specific amino acids. According to this document, it is disclosed that this detergent composition is suitable for removal of copper oxide and particles on a semiconductor surface subjected to copper wiring. However, the detergent composition contains a non-fugitive acid (for example, glycine), and it is considered that a washing process for washing them after the cleaning process is essential.

특허문헌３에 기재된 세정제 조성물은, 글리신, 아크릴산계 중합체, 특정의 비이온성 화합물 및 물을 포함한다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 화학기계연마(ＣＭＰ) 용의 슬러리에서 비롯되는 파티클의 제거에 적절하다고 하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 산(예를 들면, 글리신)이나 중합체 등이 함유되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.The detergent composition described in Patent Document 3 includes glycine, an acrylic acid-based polymer, a specific nonionic compound and water. According to this document, it is disclosed that this detergent composition is suitable for the removal of particles originating from a slurry for chemical mechanical polishing (CMP). However, the detergent composition contains a nonvolatile acid (e.g., glycine) or a polymer and is considered to be indispensable for a washing process for washing them after the cleaning process.

[선행기술문헌][Prior Art Literature]

(특허문헌１) 특허 제３６２４８０９호 공보(Patent Document 1) Patent No. 3624809

(특허문헌２) 특허 제４８２１０８２호 공보(Patent Document 2) Patent No. 4821082

(특허문헌３) 특개 ２００８-１４７４４９호 공보(Patent Document 3) JP 2008-147449 A

본 발명은, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 세정 대상물에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액, 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a cleaning agent for electronic materials which can remove particles adhering to a cleaning object even if a very small amount (low concentration) is used, And a cleaning method of the composition, the stock solution, and the electronic material.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 물과 공비성(共沸性)을 나타내는 ３급 아민(Ａ)및 물(Ｂ)을 특정 비율로 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 하기의 항 1 내지 9이다.The present inventors have intensively studied in order to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that the above problems can be solved by using tertiary amines (A) and water (B), which exhibit azeotropic properties with water, And completed the present invention. That is, the present invention is the following items 1 to 9.

항1, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함한 세정제 조성물로서, 상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비(共沸) 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전자재료용의 세정제 조성물.Item 1: A detergent composition comprising tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropic properties with water, wherein the tertiary amine (A) has a boiling point of 130 to 250 ° C under 1 atmospheric pressure, Wherein the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) and the water (B) in the tertiary amine (A) Wherein the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture is less than or equal to the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture.

항２. 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ (식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하고, 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전항１에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Section 2. Further, R 1 O- [CH 2 -CH (X) -O] n H (wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) represented by the general formula (1) (C) represented by the following general formula (1), wherein n represents 1 to 3 and X represents hydrogen or a methyl group, wherein the boiling point of the glycol solvent (C) is 120 to 275 deg. (%) Of the glycol-based solvent (C) in the total amount of the glycol-based solvent (C) and the water (B) in the detergent composition is not less than The detergent composition for electronic materials according to the above 1, wherein the weight ratio of the glycol-based solvent (C) in the azeotropic mixture is lower than or equal to the weight ratio of the glycol-based solvent (C) in the azeotropic mixture.

항３. 상기 ３급 아민(Ａ)이, 일반식 (２)：(Ｒ２)Ｒ３Ｎ-ＣＨ２-ＣＨ(Ｙ)-ＯＨ (식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｙ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 모노아민(Ａ１), 및 일반식 (３)：(Ｒ４)Ｒ５Ｎ-Ｃ２Ｈ４-Ｚ-Ｃ２Ｈ４-ＮＲ６(Ｒ７)(식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６ 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타낸다)으로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)의 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전항１ 또는 전항２에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Section 3. Wherein the tertiary amine (A) is a compound represented by the general formula (2): (R 2 ) R 3 N-CH 2 -CH (Y) -OH wherein R 2 and R 3 are the same or different, (R 4 ) R 5 N-C 2 H 4 -Z-C 2 H (wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and Y represents hydrogen or a methyl group) 4- NR 6 (R 7 ) (wherein R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are the same or different alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms and Z is -CH 2 -, - (CH 2 ) 2 -, -O-, -NH- or -N (CH 3 ) Or a polyamine (A2) represented by the following formula (1) or (2).

항４. 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인 전항 １ 내지 ３ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Section 4. The electronic material according to any one of items 1 to 3, wherein the weight ratio (A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) ≪ / RTI >

항５. 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 전항２ 내지 ４ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.Item 5. (A + C) / ((C)) of the tertiary amine (A) and the glycol solvent (C) in the total of the tertiary amine (A), the water (B) and the glycol solvent A + B + C)) is not less than 1/100000.

항６. 전항１ 내지 ５ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하기 위한 상기 ３급 아민(Ａ) 및 상기 물(Ｂ)을 포함한 세정제 원액.Section 6. A detergent stock solution comprising the tertiary amine (A) and the water (B) for preparing the detergent composition for electronic materials according to any one of items 1 to 5 above.

항７. 전항１ 내지 ５중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.Item 7. A cleaning method of an electronic material characterized by comprising a cleaning step of an electronic material using the cleaning composition for an electronic material according to any one of items 1 to 5.

항８. 세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 전항７에 기재된 전자재료의 세정방법.Section 8. A cleaning method of an electronic material according to the item 7, characterized in that it does not include a washing step.

항９. 전자재료의 파티클의 제거공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전항７ 또는 전항８의 전자재료의 세정방법.Section 9. A cleaning method of an electronic material according to the item 7 or 8, characterized by comprising a step of removing particles of an electronic material.

본 발명에 의하면, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to remove particles adhered to an electronic material even by using a very small amount (low concentration), and even if there is no washing step for washing the cleaning agent component, It is possible to provide a detergent composition, a method for cleaning the undiluted solution and an electronic material.

본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함하고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, ５０℃ ~１５０℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에서도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 나타내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.The detergent composition of the present invention comprises a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting azeotropy with water, wherein the amount of the tertiary amine (A) and the water (B) in the detergent composition The weight ratio (%) of the tertiary amine (A) is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotropic mixture composed of the tertiary amine (A) and water (B) It exhibits an action effect of not leaving any residue of the cleaning agent even at a time of drying for a short time of several minutes to several tens of minutes under the condition of about 150 占 폚 and is therefore excellent in safety and productivity.

또한, 본 발명의 세정제 조성물은 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ(식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하는 경우, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, ５０℃ ~１５０℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 타나내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.Further, the detergent composition of the present invention further, the formula represents the azeotropic water and (1) of the R 1- O- [CH 2- CH ( X) -O] n- H ( formula (1), R 1 (C) represented by the general formula (1) is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n is 1 to 3, and X represents hydrogen or a methyl group), the glycol solvent (C) in the azeotropic mixture composed of the glycol-based solvent (C) and the water (B) in the total amount of the glycol-based solvent (C) , It is excellent in safety and productivity because it exhibits an action effect of not leaving any residue of the cleaning agent even when dried in a short time of several minutes to several tens of minutes under the condition of about 50 ° C to 150 ° C, for example.

도 1은 세정제 조성물의 파티클 제거방법을 타나내는 일 예에 의한 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a method for removing particles of a cleaning agent composition. FIG.

본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ)(이하, (Ａ)성분이라 함) 및 물(Ｂ)(이하, (Ｂ)성분이라 함)을 포함하고, ３급 아민의 비점이 １ 기압 하(평상시 압력하에서, 표준 대기압 하)에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하(３급 아민의 배합 비율이 물과의 공비 혼합물의 조성비 이하)이다. 제３급 아민(Ａ)의 비점이 １ 기압 하에서 １３０℃ 미만이면, 상기 세정제 조성물의 원액에 인화의 위험성이 발생하고, 수송, 보관 등의 취급이 곤란하게 된다. 한편, 제３급 아민(Ａ)의 비점이 １ 기압 하에서 ２５０℃ 를 초과하면, 물과의 공비 혼합물을 형성하기 어렵고, 건조성이 악화된다. 따라서, 인화성 및 건조성의 점에서 바람직하게는, １４０~２４０℃ 정도, 보다 바람직하게는, １５０~２３０℃ 정도이다.The detergent composition of the present invention comprises a tertiary amine (A) (hereinafter referred to as component (A)) and water (B (hereinafter referred to as component (B) (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B) is 130 to 250 DEG C under 1 atmospheric pressure (under a normal pressure and a standard atmospheric pressure) ) Is equal to or less than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotrope composed of the tertiary amine (A) and water (B) (the mixing ratio of the tertiary amine is less than the composition ratio of the azeotropic mixture with water). If the boiling point of the tertiary amine (A) is less than 130 캜 under 1 atmospheric pressure, there is a risk of flammability in the undiluted solution of the detergent composition, and handling such as transportation and storage becomes difficult. On the other hand, if the boiling point of the tertiary amine (A) exceeds 250 占 폚 under 1 atm, it is difficult to form an azeotropic mixture with water, and dryability deteriorates. Therefore, it is preferably about 140 to 240 占 폚, and more preferably about 150 to 230 占 폚, from the viewpoint of flammability and drying property.

본 발명의 세정제 조성물은, 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ)및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이다. 상기 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물은, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점(定沸點) 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의, 공비 혼합물 중의 (Ａ)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 １００℃ 이하의 유분(留分)을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다. The detergent composition of the present invention is characterized in that the weight ratio (%) of the tertiary amine (A) to the tertiary amine (A) and the water (B) in the total of the tertiary amine (A) Is not more than the weight ratio of the tertiary amine (A) in the azeotropic mixture. The azeotrope mixture composed of the tertiary amine (A) and water (B) means a composition in which the mixture of the tertiary amine (A) and the water (B) forms an azeotrope (a constant boiling point mixture) do. The weight ratio of (A) in the azeotropic mixture when the mixture of the tertiary amine (A) and water (B) forms an azeotropic mixture can be obtained, for example, at a boiling point of 100 DEG C And the following fractions are analyzed by the gas coloring method and quantified in accordance with the absolute calibration curve method.

상기 (Ａ)성분으로는, 물과 공비성을 나타내고, １ 기압 하에서 비점이 １３０~２５０℃ 정도의 ３급 아민이면, 각종 공지의 것을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 파티클의 제거력과 건조성의 점으로부터, 하기의 일반식 (２)으로 나타내지는 모노아민(Ａ１)(이하, (Ａ１)성분이라 함), 및 하기 일반식 (３)으로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)(이하, (Ａ２)성분이라 함)이 특히 바람직하다. (Ａ)성분은, (Ａ１) 성분 또는 (Ａ２)성분 중의 어느 하나의 성분이라도 좋고, 양 쪽의 성분을 포함해도 좋다.As the component (A), various known compounds can be used without particular limitation, provided that they exhibit an azeotropic property with water and are tertiary amines having a boiling point of 130 to 250 ° C at 1 atm. Concretely, from the viewpoint of particle removal power and drying property, a monoamine (A1) (hereinafter referred to as a component (A1)) represented by the following general formula (2) and a polyamine represented by the following general formula (A2) (hereinafter referred to as component (A2)) is particularly preferable. The component (A) may be any one of the components (A1) and (A2) and may contain both components.

일반식 (２)：(Ｒ２)Ｒ３Ｎ-ＣＨ２-ＣＨ(Ｙ)-ＯＨ(2): (R 2 ) R 3 N-CH 2 - CH (Y) -OH

(식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｙ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)(In the formula (2), R 2 and R 3 each represent the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and Y represents hydrogen or a methyl group)

일반식 (３)：(Ｒ４)Ｒ５Ｎ―Ｃ２Ｈ４―Ｚ―Ｃ２Ｈ４―ＮＲ６(Ｒ７)(3): (R 4 ) R 5 N-C 2 H 4 -Z-C 2 H 4 -NR 6 (R 7 )

(식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６, 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타낸다)(In the formula (3), R 4 , R 5 , R 6 , And R 7 represent the same or different alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms and Z represents -CH 2 -, - (CH 2 ) 2 -, -O-, -NH-, or -N (CH 3 ) - )

상기 일반식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３의 알킬기는, 탄소수 ２~３이 바람직하고, ２이 더욱 바람직하다. 또한, Ｙ는 수소가 바람직하다. In the general formula (2), the alkyl group of R 2 and R 3 preferably has 2 to 3 carbon atoms, and more preferably 2. Y is preferably hydrogen.

상기 일반식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６, 및 Ｒ７의 알킬기는, 탄소수 １~２가 바람직하고, １이 더욱 바람직하다. 또한, Ｚ는, -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, 또는 -Ｏ-가 바람직하고, -ＣＨ２- 또는 -(ＣＨ２)２- 가 더욱 바람직하다. In the general formula (3), R 4 , R 5 , R 6 , And the alkyl group of R < 7 > are preferably 1 to 2 carbon atoms, and more preferably 1. Further, Z is preferably -CH 2 -, - (CH 2 ) 2 -, or -O-, more preferably -CH 2 - or - (CH 2 ) 2 -.

상기 (Ａ１) 성분으로는, 예를 들면, ２-(디메틸아미노)에탄올, ２-(디에틸아미노)에탄올, ２-(디이소프로필아미노)에탄올, ２-(디-ｎ-프로필아미노)에탄올, １-디메틸아미노-２-프로판올, １-디에틸아미노-２-프로판올, １-디이소프로필아미노-２-프로판올 및 １-디-ｎ-프로필아미노-２-프로판올 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, ２-(디에틸아미노)에탄올, ２-(디이소프로필아미노)에탄올 및 １-디에틸아미노-２-프로판올으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다. Examples of the above component (A1) include 2- (diethylamino) ethanol, 2- (diisopropylamino) ethanol, 2- Dimethylamino-2-propanol, 1-diethylamino-2-propanol, 1-diisopropylamino-2-propanol and 1-di-n-propylamino-2-propanol. These may be used singly or in combination of two or more. Among these, from the group consisting of 2- (diethylamino) ethanol, 2- (diisopropylamino) ethanol and 1-diethylamino-2-propanol from the viewpoint of low removal power of particles and low risk of ignition At least one selected is preferable.

상기 (Ａ２)성분으로는, 예를 들면, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라에틸펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라이소프로필펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라-ｎ-프로필펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라에틸헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라이소프로필헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라-ｎ-프로필헥사메틸렌디아민, 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르, 비스(２-디에틸아미노에틸)에테르, 비스(２-디이소프로필아미노에틸)에테르, 비스(２-디-ｎ-프로필아미노에틸)에테르, １,１,７,７-테트라메틸디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라에틸디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라-ｎ-프로필디에틸렌트리아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ''-펜타메틸디에틸렌트리아민, ４-메틸-１,１,７,７-테트라에틸디에틸렌트리아민, ４-메틸-１,１,７,７-테트라이소프로필디에틸렌트리아민 및 ４-메틸-１,１,７,７-테트라-ｎ-프로필디에틸렌트리아민 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르 및 Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ''-펜타메틸디에틸렌트리아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다. Examples of the component (A2) include N, N, N ', N'-tetramethylpentamethylenediamine, N, N, N', N'-tetraethylpentamethylenediamine, N, N ', N'-tetramethylhexamethylenediamine, N, N, N', N'-tetrapropylenediamine, N, N ', N'-tetraethylhexamethylenediamine, N, N, N', N'-tetraisopropylhexamethylenediamine, N, (2-diethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether, bis , 7-tetramethyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetraethyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetraisopropyldiethylenetriamine, 1,1,7,7-tetra -n-propyl diethylene tri , N, N, N ', N' ', N' '-pentamethyldiethylenetriamine, 4-methyl-1,1,7,7-tetraethyldiethylenetriamine, 7,7-tetraisopropyldiethylenetriamine and 4-methyl-1,1,7,7-tetra-n-propyldiethylenetriamine. These may be used singly or in combination of two or more. Among these, N, N, N ', N'-tetramethylhexamethylenediamine, bis (2-dimethylaminoethyl) ether and N, N, N' , N ", N " -pentamethyldiethylenetriamine, and the like.

상기 (Ｂ)성분으로는, 초순수, 순수, 정제수, 증류수, 이온 교환수 및 수도물 등을 예로 들수 있다.Examples of the component (B) include ultrapure water, pure water, purified water, distilled water, ion-exchanged water and tap water.

본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (Ａ)성분과 (Ｂ)성분의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, １／８００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／２００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／５０００ 이상이다. The detergent composition of the present invention preferably has a weight ratio (A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total of the components (A) and (B) desirable. More preferably, it is 1/80000 or more, more preferably 1/20000 or more, and still more preferably 1/5000 or more.

본 발명의 세정제 조성물은, 파티클 제거성의 점에서, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ (식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)(이하, (Ｃ)성분이라 함)을 포함하고, 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하 포함하는 것이 바람직하다. The detergent composition of the present invention is preferably a compound represented by the general formula (1): R 1 O- [CH 2 -CH (X) -O] n- , A glycol solvent (C) (hereinafter referred to as a component (C)) represented by the general formula (1), R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n represents 1 to 3 and X represents hydrogen or a methyl group) (C) in the total amount of the glycol solvent (C) and the water (B) in the detergent composition, and the boiling point of the glycol solvent (C) is 120 to 275 deg. Of the glycol-based solvent (C) in the azeotropic mixture composed of the glycol-based solvent (C) and water (B).

상기의 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물은, (Ｃ) 및 (Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 글리콜계 용제 (Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의 공비 혼합물 중의 (Ｃ)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 １００℃ 이하의 유분을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다.The azeotrope mixture consisting of the glycol-based solvent (C) and water (B) means a composition wherein the mixture of (C) and (B) forms an azeotrope (maintenance point mixture). The weight ratio of (C) in the azeotropic mixture when the mixture of the glycol-based solvent (C) and water (B) forms an azeotropic mixture may be, for example, Is analyzed by the gas coloring method and quantified in accordance with the absolute calibration curve method.

상기 일반식 (１)중, Ｒ１의 알킬기는, 탄소수 １~３이 바람직하고, １~２가 더욱 바람직하다. 또한, Ｘ는 메틸기가 바람직하다. 또한, ｎ은, ２~３이 바람직하고, ３이 더욱 바람직하다. In the general formula (1), the alkyl group of R 1 preferably has 1 to 3 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms. X is preferably a methyl group. Furthermore, n is preferably 2 to 3, more preferably 3.

상기 (Ｃ)성분으로는, 예를 들면, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜도 좋다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다. Examples of the component (C) include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol mono-n- Ethylene glycol mono-sec-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol monoisopropyl ether, Butyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monoisobutyl ether, propylene glycol mono-sec-butyl ether, propylene glycol mono-tert-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, Diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethyl Diethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol mono-sec-butyl ether, diethylene glycol mono-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether Dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol monoisopropyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monoisobutyl ether, dipropylene glycol mono-sec Butyl ether, dipropylene glycol mono-tert-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol mono-n-propyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol mono n-butyl ether, triethylene glycol monoisobutyl Ether, triethylene glycol mono-sec-butyl ether, triethylene glycol mono-tert-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tripropylene glycol mono-n-propyl ether, tripropylene glycol mono Isopropyl ether, tripropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monoisobutyl ether, tripropylene glycol mono-sec-butyl ether, tripropylene glycol mono-tert-butyl ether and the like. These may be used singly or in combination of two or more. Of these, at least one species selected from the group consisting of diethylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether and tripropylene glycol monomethyl ether is preferable in view of low particle removing power and low risk of ignition Do.

또한, (Ｃ)성분은, 건조성이 양호한 점 및 세정제 원액의 인화를 억제할 수 있는 점에서 그 １ 기압 하의 비점이 １２０~２７５℃ 정도, 바람직하게는 １３０~２６０℃ 정도, 더욱 바람직하게는 １４０~２５０℃ 정도이다.The component (C) has a boiling point of about 120 to 275 deg. C, preferably about 130 to 260 deg. C, more preferably about 1 to 200 deg. C under one atmospheric pressure because of good drying property and suppression of printing of the cleaning agent solution 140 ~ 250 ℃.

또한, (Ｃ)성분을 가하는 경우, 본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (Ａ)성분과 (Ｂ)성분과 (Ｃ)성분의 합계 중의 (Ａ)성분과 (Ｃ)성분의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, １／８００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／２００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／５０００ 이상이다.When the component (C) is added, the detergent composition of the present invention has a weight ratio ((A + C) of the component (A) to the component (C) in the total of the component (A), the component ) / (A + B + C)) is preferably 1/100000 or more from the viewpoint of particle removability. More preferably, it is 1/80000 or more, more preferably 1/20000 or more, and still more preferably 1/5000 or more.

본 발명의 세정제 조성물 중의 (Ａ)성분 및 (Ｂ)성분의 합계 비율, 또는, (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 합계 비율은, ８０중량％ 이상이 바람직하고, ９０중량％ 이상이 보다 바람직하고, ９５중량％ 이상이 더욱 바람직하고, ９８중량％ 이상이 더욱 바람직하고, １００중량％이 보다 더욱 바람직하다. The total proportion of the component (A) and the component (B) in the detergent composition of the present invention or the total ratio of the components (A), (B) and (C) is preferably 80% by weight or more, Or more, more preferably 95 wt% or more, further preferably 98 wt% or more, further preferably 100 wt% or more.

본 발명의 세정제 조성물은, (Ａ)성분 및 (Ｂ)성분, 필요에 따라서 (Ｃ)성분을 각종 공지의 수단으로 혼합함으로써 조제한다. The detergent composition of the present invention is prepared by mixing the component (A) and the component (B), and if necessary, the component (C) by various known means.

본 발명의 세정제 조성물은, 전자재료의 세정제로 이용된다. 전자재료로는, 예를 들면, 포토마스크, 광학렌즈, 진공방전관, 터치패널, 표시 디바이스용 유리 등의 유리가공품, 금속마스크, 팔레트, 리드프레임, 자기디스크, 히트싱크 등의 금속가공품, 유리에폭기판, 폴리이미드기판, 종이패놀기판, 플라스틱 몰드 부품 등의 수지가공품, 실리콘(Ｓｉ), 사파이어(Ａｌ２Ｏ３), 탄화규소(ＳｉＣ), 다이아몬드 (Ｃ), 질화갈륨(ＧａＮ), 인화갈륨(ＧａＰ), 비화갈륨(ＧａＡｓ), 인화인듐(ＩｎＰ)등의 웨이퍼 및 이들의 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 모깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공품, 더욱이, 이들 물품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반발송 할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등이 포함된다.The detergent composition of the present invention is used as a detergent for electronic materials. Examples of the electronic material include a glass processed product such as a photomask, an optical lens, a vacuum discharge tube, a touch panel, a glass for a display device, a metal processed product such as a metal mask, a pallet, a lead frame, a magnetic disk, a heat sink, (Si), sapphire (Al 2 O 3 ) , silicon carbide (SiC), diamond (C), gallium nitride (GaN), and phosphorous (Such as slicing and dicing), grinding (back grinding, blasting, etc.), fillet (beveling, barrel, etc.), and wafers such as gallium (GaP), gallium arsenide (GaAs), and indium phosphide (Lapping, polishing, buffing, etc.), as well as tools, carriers, and magazines used to machine, mount, weld, clean, and ship these items.

또한, 전자재료로는, 인쇄회로기판, 플렉시블 회로기판, 세라믹 배선기판, 반도체소자, 반도체 패키징, 자기 매체, 파워 모듈 및 카메라 모듈 등의 전자부품, 더욱이, 이들의 부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등을 예로 들수 있다.Examples of the electronic material include electronic parts such as a printed circuit board, a flexible circuit board, a ceramic wiring board, a semiconductor element, a semiconductor packaging, a magnetic medium, a power module and a camera module, A mechanism, a carrier, a magazine, and the like used for cleaning and transportation.

본 발명의 세정제 조성물은, 건조성에 영향이 없는 범위에서, 각종 공지의 첨가제를 배합하여도 좋다.첨가제로서, 구체적으로는, 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 고분자형 계면활성제, 킬레이트제, 산화방지제, 방청제, 봉공(封孔)처리제, ｐＨ조정제 및 소포제 등을 예로 들수 있다.The detergent composition of the present invention may be blended with various known additives to the extent that the drying property is not affected. Specific examples of the additives include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants , A polymer type surfactant, a chelating agent, an antioxidant, a rust inhibitor, a sealing agent, a pH adjusting agent and a defoaming agent.

물로 희석함으로써, 상기 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하는 것이 가능한 세정제 원액도 본 발명의 하나이다. 본 발명의 세정제 원액에는, 파티클의 세정에 유효한 성분이 농축되어 있고, 효율이 양호한 수송, 보관이 가능하게 된다. 또한, 이 세정제 원액은 소량으로도 우수한 세정성을 발현하기 때문에, 사용시에 물에 희석할 때, 물의 중량 비율을 높일 수 있고, 비용, 환경부담이 저감되는 점에서도 우수하다.A cleaning agent stock solution capable of preparing a detergent composition for electronic materials by diluting with water is one of the present invention. The detergent stock solution of the present invention is concentrated in effective components for cleaning particles, and can be transported and stored with good efficiency. The detergent raw solution exhibits excellent detergency even in a small amount. Therefore, when diluted with water at the time of use, the weight ratio of water can be increased, and the cost and environment burden are also reduced.

본 발명의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법도 본 발명의 하나이다. 세정공정은, 본 발명에 관한 세정제 조성물을 파티클이 부착된 전자재료에 접촉시켜서, 파티클을 씻어내는 공정이다. 상기 세정방법은, 각종 공지의 린즈제에 의해 전자재료로부터 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정을 포함하지 않아도 좋다. 이것에 의해, 세탁 공정에 드는 비용 및 시간의 삭감이 가능하게 된다. 세정 대상이 되는 파티클은 특히 한정되지는 않지만, 대표적인 것으로서 예를 들면, 기계연마 연마(ＣＭＰ) 및 기계적 연마에 사용되는 실리카(ＳｉＯ２), 알루미나(Ａｌ２Ｏ３), 세리아(ＣｅＯ２) 등의 미립자, 다이아몬드, 석류석, 스텐레스, 강, 철, 동, 아연, 알루미늄, 세라믹, 유리, 규사, 플라스틱 등의 경질입자 및 상기 전자재료를, 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 면깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공할 때에 발생하는, 부스러기, 파편, 연마 가루, 더욱이, 상기 전자재료 및 전자부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때에 발생하는 유기물 찌꺼기, 무기물 찌꺼기 등을 예로 들수 있다.A cleaning method including a cleaning process of an electronic material using the cleaning composition of the present invention is also one of the present invention. The cleaning step is a step of bringing the cleaning composition according to the present invention into contact with the electronic material to which the particles are attached to wash the particles. The cleaning method may not include a washing step for rinsing the cleaning agent component from the electronic material with various known rinsing agents. As a result, the cost and time required for the washing process can be reduced. Examples of the particles to be cleaned include, but not limited to, silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) , ceria (CeO 2 ), and the like used for mechanical polishing (CMP) (Slicing, dicing, etc.), grinding (back grinding, polishing) of hard particles such as fine particles, diamond, garnet, stainless steel, steel, iron, copper, zinc, aluminum, ceramics, glass, Machining, mounting and welding of the above electronic materials and electronic parts, which are generated during the processing of polishing (lapping, polishing, buffing, etc.), cutting (beveling, barrel etc.) , Organic wastes and inorganic wastes generated when cleaning and transporting wastes.

그 다른 파티클로는, 예를 들면, 상기 전자재료 및 전자부품의 제조공정 전반에 있어서, 물품에 부착하는 먼지, 티글 등을 예로 들수 있다.Examples of the other particles include dust, tigl, and the like adhering to the article in the entire manufacturing process of the electronic material and the electronic component.

본 발명의 세정제 조성물을 파티클이 부착한 부품에 접촉시켜서, 물품을 세정하는 수단은 한정되지 않고, 세정수단으로는, 예를 들면, 침지 세정, 샤워 세정, 스프레이 세정, 초음파 세정, 액(液)중 분사 세정, 직동식 세정(다이렉트패스(ダイレクトパス)(등록상표))등을 예로 들수 있다. 또한, 공지의 세정 장치로서, 예를 들면, 특개 평７-３２８５６５호 공보, 특개 ２０００-１８９９１２호 공보, 특개 ２００１-９３２호 공보, 특개 ２００５-１４４４４１호 공보 등을 예로 들수 있다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물 및 세정제 원액은, 비위험물이기 때문에, 연소되지 않는다. 그 때문에 방폭설비도 필요하지 않게 되고, 샤워 세정이나 스프레이 세정에도 적함한다.The means for cleaning the article by bringing the cleaning composition of the present invention into contact with the particle-attached component is not limited. Examples of the cleaning means include immersion cleaning, shower cleaning, spray cleaning, ultrasonic cleaning, Direct injection cleaning (Direct Path (registered trademark)), and the like. As known cleaning apparatuses, there are, for example, those disclosed in JP-A-7-328565, JP-A-2000-189912, JP-A-2001-932, and JP-A-2005-144441. Further, since the detergent composition and the detergent stock solution of the present invention are non-hazardous substances, they are not burned. Therefore, no explosion-proof equipment is required, and it is also suitable for shower cleaning and spray cleaning.

본 발명의 세정제 조성물은, 건조공정에서 용이하게 발휘시키는 것이 가능하기 때문에, 세정 후의 물품에 찌꺼기가 잔존하지 않는다. 그 때문에, 물품의 세탁 공정을 생략할 수 있다. 다만, 필요에 따라서, 본 발명과 동일한 세정제 또는 각종 공지의 린스제로 행구는 것이 가능하다. 린스제로는, 순수 및 이온 교환수 등의 물, 메틸알코올, 에틸알코올 및 이소프로필알코올 등의 알코올 류를 예로 들수 있다.Since the detergent composition of the present invention can be easily exhibited in the drying process, no residue remains on the article after cleaning. Therefore, the washing process of the article can be omitted. However, if necessary, it is possible to carry out the same cleaning agent or various known rinsing agents as in the present invention. Rinsing agents include water such as pure water and ion exchange water, and alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol and isopropyl alcohol.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명 방법을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 실시예중, 부(部) 또는 ％는 중량 기준이다. 또한, 이하의 세정제 원액에 사용된 각종 ３급 아민(Ａ) 및 글리콜계 용제(Ｃ)에 대하여, 그 구조, １ 기압 하에서의 비점, 물과의 공비 혼합물의 조성비(중량 비율)에 대하여, 표 ２, 표 ３에 나타낸다. Hereinafter, the method of the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, parts or% are based on weight. With respect to various tertiary amines (A) and glycol solvent (C) used in the following detergent stock solution, the composition, the boiling point under 1 atm, and the composition ratio (weight ratio) , Are shown in Table 3.

[ 공비 혼합물의 조성비][Composition ratio of azeotropic mixture]

２００ｍｌ의 가지형상 플라스크에, (Ａ)성분 ２５ 중량부, 이온 교환수 １００ 중량부를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 혼합하고, (Ａ)성분을 포함하는 수용액을 조제하였다. 계속해서, 상기 가지형상 플라스크에 이론 단수 Ｎ＝１０에 상당하는 증류 칼럼, T자 형상 관, 온도계 및 리비히 냉각기를 접속하였다. 계속해서, １ 기압 하, 상기 가지형상 플라스크를 오일 욕조에서 가열하여, 혼합 용액을 비등시킴으로써, 비점 １００℃ 이하의 유분만을 채취하였다.25 parts by weight of the component (A) and 100 parts by weight of ion-exchanged water were placed in a 200 ml eggplant type flask and thoroughly mixed by a magnetic stirrer to prepare an aqueous solution containing the component (A). Subsequently, a distillation column, a T-shaped tube, a thermometer and a Lvih cooler corresponding to theoretical number of stages N = 10 were connected to the egg-shaped flask. Subsequently, the branched flask was heated in an oil bath under 1 atm, and the mixed solution was boiled to collect only oil fractions having a boiling point of 100 占 폚 or lower.

다음으로, 상기 유분에 있어서의 상기 (Ａ)성분을, 가스착색법 ６８５０　Network GC System(Agilent Technoloies 社製)에 있어서, 절대검량곡선법에 따라 정량하였다. 또한 (Ｃ)성분에 대해서도 (Ａ)성분과 바꾸어 마찬가지의 방법으로 정량하였다.Next, the above component (A) in the above fraction was quantitatively determined by the gas chromatographic method 6850 Network GC System (manufactured by Agilent Technologies) according to the absolute calibration curve method. The component (C) was also quantified by the same method in place of the component (A).

１.세정제 원액의 조제1. Preparation of detergent stock solution

조제예１Preparation Example 1

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ２-(디에틸아미노)에탄올(ＤＥＡＥ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(ＤＰＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. , 20 parts by weight of 2- (diethylamino) ethanol (DEAE) as the component (A), 80 parts by weight of dipropylene glycol monomethyl ether (DPGMME) as the component (C) And the mixture was sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

조제예２Preparation example 2

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＤＥＡＥ ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르(ＴＰＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of DEAE as the component (A), 80 parts by weight of tripropylene glycol monomethyl ether (TPGMME) as a component (C) and a stirrer piece were charged, To prepare a detergent stock solution.

조제예３Preparation Example 3

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ', -테트라메틸헥사메틸렌디아민(ＴＭＨＭＤＡ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 ＴＰＧＭＭＥ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of N, N, N ', N', - tetramethylhexamethylenediamine (TMHMDA) as the component (A), 80 parts by weight of TPGMME as a component (C) And the mixture was thoroughly stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock detergent solution.

조제예４Preparation Example 4

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＴＭＨＭＤＡ ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르(ＤＥＧＭＢＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water in a beaker, 20 parts by weight of TMHMDA as the component (A), 80 parts by weight of diethylene glycol mono-n-butyl ether (DEGMBE) as a component (C) and a stirrer piece were placed, To sufficiently prepare a detergent stock solution.

조제예５Preparation Example 5

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르(ＢＤＭＡＥＥ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 ＤＥＧＭＢＥ ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 20 parts by weight of bis (2-dimethylaminoethyl) ether (BDMAEE) as a component (A), 80 parts by weight of DEGMBE as a component (C) and a stirrer piece were placed in a beaker, To sufficiently prepare a detergent stock solution.

조제예６Preparation Example 6

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＤＥＡＥ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of DEAE as a component (A), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

조제예７Preparation Example 7

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＴＭＨＭＤＡ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of TMHMDA as the component (A), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

조제예８Preparation Example 8

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＢＤＭＡＥＥ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water, 100 parts by weight of BDMAEE as a component (A) and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

비교 조제예１Comparative Preparation Example 1

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 Ｎ-부틸디에탄올 아민 (ＢＤＥＡ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 테트라에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(ＴＥＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. , 20 parts by weight of N-butyl diethanolamine (BDEA) as the component (A), 80 parts by weight of tetraethylene glycol monomethyl ether (TEGMME) as a component (C) and a stirrer piece , And the mixture was sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock detergent solution.

비교 조제예２Comparative Preparation Example 2

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＢＤＥＡ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water, 100 parts by weight of BDEA as the component (A), and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

비교 조제예３Comparative Preparation Example 3

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ２-(２-아미노에틸아미노)에탄올(ＡＥＡＥ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchange water, 100 parts by weight of 2- (2-aminoethylamino) ethanol (AEAE) as the component (A) and a stirrer piece were put in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a stock solution of a detergent .

비교 조제예４Comparative Preparation Example 4

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 폴리옥시에틸렌알킬에테르(ＰＯＥＡＥ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion-exchanged water, 100 parts by weight of polyoxyethylene alkyl ether (POEAE) as component (C), and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

비교 조제예５Comparative Preparation Example 5

비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로 하여 디에틸아민(ＤＥＡ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다. 100 parts by weight of ion exchanged water as a component (A), 100 parts by weight of diethylamine (DEA) and a stirrer piece were placed in a beaker and sufficiently stirred by a magnetic stirrer to prepare a detergent stock solution.

비교 조제예６Comparative Preparation Example 6

이온 교환수를 세정제 원액으로 사용하였다. Ion exchanged water was used as the cleaning agent stock solution.

２.세정제 원액의 인화성2. Flammability of detergent stock solution

[인화성의 평가방법 ][Evaluation method of flammability]

각각의 세정제 원액의 인화점을, 클리블랜드(Cleveland 개방법 ＪＩＳ　Ｋ２２６５-４)에 준거하여 측정하고, 인화성을 이하의 기준으로 평가하였다. 표 １에 결과를 보였다. The flash point of each detergent solution was measured in accordance with Cleveland (Cleveland method, JIS K2265-4), and the flammability was evaluated according to the following criteria. Table 1 shows the results.

[인화성의 평가 기준][Evaluation Criteria for Flammability]

○：인화점 없음, 또는 인화점이 １００℃ 이상○: No flash point, or a flash point of 100 ° C or higher

×：인화점이 １００℃ 미만X: less than 100 占 폚 of the flash point

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

３.세정제 조성물의 파티클 제거성3. Particle Removability of Detergent Composition

[오염액의 조제][Preparation of contaminated liquid]

스크루관(용량 ２０ｍＬ)(Ａ)에 아세톤(和光純工業(株)製, 순도 ９９.５％ 이상) ９.９ｇ과 결정성 실리카 필러(상품명「클리스트라이트(クリスタライト)　ＶＸ-Ｓ２」, (株)龍森製, 평균 입자직경 ５μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ａ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ａ')에 오염액(Ａ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ａ')을 １０ｇ 조제하였다. 9.9 g of acetone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity of 99.5% or more) and 9.9 g of crystalline silica filler (trade name: CLISTLITE VX-S2) were added to a screw tube (capacity 20 mL) (Average particle diameter: 5 μm, manufactured by Ryonsumori Co., Ltd.) was added and 10 g of a contaminated liquid (A) having a concentration of 1% was prepared by shaking well. Subsequently, 1 g of the contaminated liquid (A) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (A ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (A') having a concentration of 0.1%.

마찬가지로, 스크루관(Ｂ)에 아세톤 ９.９ｇ과 구상 실리카(상품명「Ｓｃｉｑａｓ」, 堺化工業(株)製, 평균 입자직경 １μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ｂ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ｂ')에 오염액(Ｂ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ｂ')을 １０ｇ 조제하였다. Similarly, 9.9 g of acetone and 0.1 g of spherical silica (trade name "Sciqas", manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter 1 μm) were added to the screw tube B and shaken thoroughly to prepare a contaminated liquid B) was prepared. Then, 1 g of the contaminated liquid (B) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (B ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (B') having a concentration of 0.1%.

마찬가지로, 스크루관(Ｃ)에 아세톤 ９.９ｇ과 알루미나입자(상품명「정밀연마용α-알루미나」, 和光純工業(株)製, 평균 입자직경 ０.５μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ｃ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ｃ')에 오염액(Ｃ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ｃ')을 １０ｇ 조제하였다. Similarly, 9.9 g of acetone and 0.1 g of alumina particles (trade name "α-alumina for precision polishing", manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., average particle diameter 0.5 μm) were added to the screw tube C and shaken well, 10 g of a contaminated liquid (C) having a concentration of 1% was prepared. Subsequently, 1 g of the polluted liquid (C) and 9 g of acetone were placed in the other screw tube (C ') and shaken well to prepare 10 g of a contaminated liquid (C') having a concentration of 0.1%.

[시험용 웨이퍼의 제작][Preparation of Wafer for Test]

다음으로, 오염액(Ａ) ０.０２ｇ을 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)製, 직경 φ ４인치)의 중심에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(Ａ)를 제작하였다. 또한, 오염액(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지로 고순도 실리콘 웨이퍼에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')을 제작하였다. Next, 0.02 g of the contaminated liquid (A) was dropped to the center of a high purity silicon wafer (diameter: 4 inches, manufactured by Asuzon Co., Ltd.) and naturally dried to prepare a test wafer (A). The test wafers (B), (C), and (A ') to (C') were dripped onto the high-purity silicon wafers, (C ').

[파티클 제거성의 평가방법][Method for Evaluating Particle Removability]

실시예１Example 1

도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ４０.０ｇ(２), 이온 교환수 ９６０.０ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／５０로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)를 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. 1, 40.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 960.0 g (3) of ion-exchanged water, and 9.4 g of a stirrer piece (4) were placed in a beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)] of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/50 to obtain a detergent composition Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the test wafer A was taken out of the solution, and dried in a wind-drier set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.

다음으로, 광학현미경(１０００배율)을 사용하여, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(Ａ)의 오염 개소를 무작위로 ５개소 관찰하여, 잔존하는 파티클의 총수을 구했다. 한편, 이것과 마찬가지의 방법에 의해, 상기 오염액(Ａ)에서 오염된 직후의 웨이퍼 표면에 부착하는 파티클의 총수도 구하고, 다음 식에 의해 파티클 제거율을 산출하였다. 이 평가를 실시예 하나당 5회 행하고, 파티클 제거율의 평균값을 구하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다. 표 ４에 결과를 보인다(이하 동일).Next, using the optical microscope (1000 magnification), the contaminated portions of the test wafer (A) after cleaning and drying were observed randomly at five places to obtain the total number of remaining particles. On the other hand, the total number of particles adhering to the surface of the wafer immediately after contamination in the contaminated liquid (A) was determined by the same method as this, and the particle removal rate was calculated by the following equation. This evaluation was carried out five times for each example, and an average value of particle removal ratios was obtained, and the particle removability was evaluated based on the following evaluation criteria. The results are shown in Table 4 (hereafter, the same).

파티클 제거율(％)＝(오염 직후의 파티클 총수 - 세정 후에 남아 있는 파티클 총수)／오염 직후의 파티클 총수 ×１００Particle removal rate (%) = (total number of particles immediately after contamination-total number of particles remaining after cleaning) / total number of particles immediately after contamination 100

[파티클 제거성의 평가 기준][Evaluation Criteria of Particle Removability]

◎：파티클 제거율이 ９０％ 이상⊚: 90% or more of particle removal rate

○：파티클 제거율이 ７０％ 이상 ９０％ 미만○: Particle removal rate is 70% or more and less than 90%

△：파티클 제거율이 ５０％ 이상 ７０％ 미만?: Particle removal rate is 50% or more and less than 70%

×：파티클 제거율이 ５０％ 미만X: Particle removal rate is less than 50%

또한, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 파티클 제거성을 평가하였다.In addition, the removal performance of the wafers (B), (C) and (A ') to (C') after the cleaning and drying was evaluated in the same manner.

실시예２Example 2

도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ２０.０ｇ(２), 이온 교환수 ９８０.０ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. 1, 20.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 980.0 g (3) of ion-exchanged water and 4 parts of the stirrer piece (4) were added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)] of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/100 by a magnetic stirrer Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the wafer for test A was taken out of the solution, and dried in a circulating air dryer set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.

세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.

실시예３Example 3

도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 １.０ｇ(２), 이온 교환수 ９９９.０ｇ(３ 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／２０００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 1.0 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 999.0 g of ion-exchanged water (3, and a stirrer piece (4)) was added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)) of the component (A), the component (B) and the component (C) is reduced to 1/2000 to obtain a detergent composition Then, while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, the test wafer (A) 6 was placed in the solution, and the test wafer (A) 6 was fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar (8) The test wafer A was taken out from the solution and dried for 10 minutes in a dry air dryer set at a temperature of 80 DEG C. The test wafers (B), (C) and (A ') - (C '), Followed by washing and drying in this order.

세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.

실시예４Example 4

도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.２ｇ(２), 이온 교환수 ９９９.８ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 0.2 g (2) of the crude detergent solution of Preparation Example 1, 999.8 g (3) of ion-exchanged water and 4 g of the stirrer piece (4) were added to the beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, (A + C) / (A + B + C)) of the component (A), the component (B) and the component (C) is 1/10000, and the mixture is stirred with the magnetic stirrer Was prepared. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution while the rotational speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar . Thereafter, the wafer for test A was taken out of the solution, and dried in a circulating air dryer set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. The test wafers (B), (C) and (A ') to (C') were also washed and dried in the same manner.

세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.

실시예５~１８, 비교예１~８Examples 5 to 18 and Comparative Examples 1 to 8

실시예１과 마찬가지의 방법으로, 표 ４에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이 １／２０００ 또는 １／１００００로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 파티클 제거성을 평가하였다.(A + C) / (A + B + C)] was diluted to 1/2000 or 1/10000 in the same manner as in Example 1, and each of the cleaning agent solutions was diluted with particles And the removability was evaluated.

비교예９Comparative Example 9

비교조제예５의 세정제 원액은, 인화점이 １００℃ 미만이기 때문에, 평가하지 않았다.The detergent stock solution of Comparative Preparation Example 5 was not evaluated because the flash point was less than 100 캜.

비교예１０Comparative Example 10

도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 이온 교환수 １０００ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하였다. 이어서, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)를 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다. As shown in Fig. 1, 1000 g (3) of ion-exchanged water and a stirrer piece (4) were placed in a beaker 1 (capacity 1000 mL, diameter 110 mm, height 150 mm) and the rotation speed of the magnetic stirrer was adjusted to 800 rpm. Subsequently, the test wafer (A) 6 was placed in the solution, and the wafer (A) 6 was cleaned for 10 minutes at room temperature while being fixed by a stainless steel clip (7) and a stainless steel bar (8). Thereafter, the test wafer A was taken out of the solution, and dried in a wind-drier set at a temperature of 80 캜 for 10 minutes. Also, the test wafers A 'to C' were cleaned and dried in the same manner.

세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.The removability of the wafers (A) to (C) and (A ') to (C') after cleaning and drying was evaluated on the basis of evaluation criteria equivalent to those in Example 1.

４.세정제 조성물의 건조성4. Drying of the detergent composition

[건조성의 평가방법 ][Evaluation method of drying property]

실시예１Example 1

스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ４.０ｇ, 이온 교환수 ９６.０ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／５０로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 다음으로, 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)제조, 직경 φ ４인치)의 중심에 이 세정제 조성물을 ０.０５ｇ 적하하여, ８０℃ 로 조절한 순풍 건조기 속에서 ２０ 분간 정치시켰다. 그리고, 건조 후의 웨이퍼 표면을 눈으로 관찰하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.4.0 g of the cleaning agent solution of Preparation Example 1 and 96.0 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity 100 mL), and the mixture was shaken well and the mixing ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/50. Next, 0.05 g of the detergent composition was dropped onto the center of a high-purity silicon wafer (diameter: 4 inches, manufactured by Asuzon Co., Ltd.) and allowed to stand in a circulating air dryer adjusted to 80 캜 for 20 minutes. Then, the surface of the dried wafer was visually observed, and the dryness of the cleaning composition was evaluated based on the following evaluation criteria.

[건조성의 평가 기준][Evaluation Criteria of Dryness]

○：세정제 조성물의 찌꺼기 없음○: No residue of detergent composition

×：세정제 조성물의 찌꺼기 있음X: Residue of detergent composition

실시예２Example 2

스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ２.０ｇ, 이온 교환수 ９８.０ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.2.0 g of the detergent solution of Preparation Example 1 and 98.0 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity 100 mL), and the mixture was shaken well and the mixing ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/100. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [

실시예３Example 3

스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.１ｇ, 이온 교환수 ９９.９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／２０００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.0.1 g of the crude detergent solution of Preparation Example 1 and 99.9 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity: 100 mL) and the mixture was shaken well and the mixing ratio [(A + C) ) / (A + B + C)] was 1/2000. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [

실시예４Example 4

스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.０２ｇ, 이온 교환수 ９９.９８ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.0.02 g of the cleaning agent solution of Preparation Example 1 and 99.98 g of ion-exchanged water were added to a screw tube (capacity: 100 mL) and thoroughly shaken to prepare a blend ratio of (A + C ) / (A + B + C)] was 1/10000. Hereinafter, the drying properties of the detergent composition were evaluated in the same manner as in Example 1. [

실시예５~１８, 비교예１~８Examples 5 to 18 and Comparative Examples 1 to 8

실시예１과 마찬가지의 방법으로, 표 ４에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이 １／２０００ 또는 １／１００００로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.(A + C) / (A + B + C)] was diluted to 1/2000 or 1/10000 in the same manner as in Example 1, and each of the detergent compositions was diluted with each detergent composition The composition was evaluated.

비교예１０Comparative Example 10

이온 교환수를 사용하여, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 건조성을 평가하였다.Drying was evaluated by the same procedure as in Example 1 using ion-exchanged water.

Figure pct00004
Figure pct00004

１: 비커
２: 세정제 원액
３: 이온 교환수
４: 교반기 피스
５: 자석 교반기
６: 시험용 웨이퍼
７: 스텐레스 클립
８: 스텐레스 봉1: Beaker
2: Detergent solution
3: Ion exchange water
4: stirrer piece
5: Magnetic stirrer
6: Test wafer
7: Stainless steel clip
8: Stainless steel rods

Claims (9)

물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함한 세정제 조성물로서,
상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고,
상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.A detergent composition comprising a tertiary amine (A) and water (B) exhibiting water and azeotropic properties,
The tertiary amine (A) has a boiling point of 130 to 250 캜 under 1 atm,
The weight ratio (%) of the tertiary amine (A) in the total of the tertiary amine (A) and the water (B) Wherein the weight ratio of the tertiary amine (A) in the mixture is lower than that of the tertiary amine
Cleaner composition for electronic materials. 제1항에 있어서,
물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：
Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ
(식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하고,
상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고,
상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.The method according to claim 1,
General formula (1) showing water and azeotropy:
R 1 -O- [CH 2 -CH (X) -O] n H
(C) a glycol-based solvent represented by the formula (1) wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, n represents 1 to 3, and X represents hydrogen or a methyl group,
The glycol-based solvent (C) has a boiling point of 120 to 275 ° C under 1 atm,
Wherein the weight ratio (%) of the glycol solvent (C) in the total of the glycol solvent (C) and the water (B) in the detergent composition is in the range of Based solvent (C) in the mixture is less than or equal to the weight ratio of the glycol-
Cleaner composition for electronic materials. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 ３급 아민(Ａ)이, 일반식 (２)：
(Ｒ２)Ｒ３Ｎ-ＣＨ２-ＣＨ(Ｙ)-ＯＨ
(식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｙ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 모노아민(Ａ１), 및
일반식 (３)：
(Ｒ４)Ｒ５Ｎ-Ｃ２Ｈ４-Ｚ-Ｃ２Ｈ４-ＮＲ６(Ｒ７)
(식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６ 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타낸다)로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)의 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
전자재료용의 세정제 조성물.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the tertiary amine (A) is a compound represented by the general formula (2):
(R 2 ) R 3 N-CH 2 - CH (Y) -OH
(In the formula (2), R 2 and R 3 each represent the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and Y represents hydrogen or a methyl group), and
The general formula (3)
(R 4 ) R 5 N-C 2 H 4 -Z-C 2 H 4 -NR 6 (R 7 )
(In the formula (3), R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; Z represents -CH 2 -, - (CH 2 ) 2- , -O-, -NH- or -N (CH 3 ) And a polyamine (A2) represented by the following general formula
Cleaner composition for electronic materials. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인,
전자재료용의 세정제 조성물.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(A / (A + B)) of the tertiary amine (A) in the total amount of the tertiary amine (A) and the water (B)
Cleaner composition for electronic materials. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 전자재료용의 세정제 조성물.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
(A + C) / ((C)) of the tertiary amine (A) and the glycol solvent (C) in the total of the tertiary amine (A), the water (B) and the glycol solvent A + B + C)) is 1/100000 or more. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하기 위한 상기 ３급 아민(Ａ) 및 상기 물(Ｂ)을 포함하는,
세정제 원액.A cleaning agent composition for electronic materials according to any one of claims 1 to 5, which comprises the tertiary amine (A) and the water (B)
Detergent solution. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는,
전자재료의 세정방법.A cleaning method for an electronic material, comprising the step of cleaning an electronic material using the cleaning composition for an electronic material according to any one of claims 1 to 5,
Method of cleaning electronic materials. 제7항에 있어서,
세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,
전자재료의 세정방법.8. The method of claim 7,
Characterized in that it does not include a washing step,
Method of cleaning electronic materials. 제7항 또는 제8항에 있어서, 전자재료의 파티클의 제거공정을 포함하는 것을 특징으로 하는,
전자재료의 세정방법.The method of claim 7 or 8, further comprising a step of removing particles of the electronic material.
Method of cleaning electronic materials.
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