KR20180095549A - Metal layer laminated transparent conductive film and touch sensor using the same - Google Patents
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Abstract
세선화한 금속 배선층을 형성하는 경우에도, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블이 발생하기 어려운 금속층 적층 투명 도전성 필름 및 그것을 사용한 터치 센서를 제공한다. 본 발명의 금속층 적층 투명 도전성 필름은, 투명 기재 (1) 의 적어도 일방의 면 측에, 수지층 (2), 투명 도전막 (3), 금속층 (4) 을 이 순서로 갖는 금속층 적층 투명 도전성 필름으로서, 상기 수지층은, 수지 100 중량부에 대해 15 ∼ 55 중량부의 무기 산화물 입자를 함유하고, 상기 투명 도전막은, 인듐계 복합 산화물을 함유하는, 금속층 적층 투명 도전성 필름이다.Provided is a metal layer laminated transparent conductive film which is hard to cause wiring troubles due to peeling of a transparent conductive film even when a thinned metal wiring layer is formed, and a touch sensor using the same. The metal layer-laminated transparent conductive film of the present invention is a metal layer-laminated transparent conductive film having a resin layer (2), a transparent conductive film (3) and a metal layer (4) in this order on at least one surface side of a transparent substrate Wherein the resin layer contains 15 to 55 parts by weight of inorganic oxide particles per 100 parts by weight of the resin and the transparent conductive film is a metal layer laminated transparent conductive film containing an indium based composite oxide.
Description
본 발명은, 투명 기재의 적어도 일방의 면에, 수지층, 투명 도전막, 금속층이 형성되어 있는 금속층 적층 투명 도전성 필름 및 그것을 사용한 터치 센서에 관한 것으로, 특히 표시 장치 등의 프레임 협소화에 유용한 기술이다.The present invention relates to a metal layer laminated transparent conductive film having a resin layer, a transparent conductive film and a metal layer formed on at least one surface of a transparent substrate, and a touch sensor using the transparent conductive film, and is particularly useful for narrowing a frame of a display device or the like .
액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이나, 터치 패널 등의 표시 장치에서는, 인듐·주석 복합 산화물 (ITO) 등의 투명 전극이 사용되고 있다. 이 투명 전극에는, 외부로부터 전압을 부여하거나, 투명 전극 상의 전위를 검출할 목적으로 패턴 배선이 접속되어 있다. 패턴 배선으로는, 스크린 인쇄법 등에 의해 은 페이스트를 형성한 것이 널리 사용되고 있다. 일반적으로, 표시 장치에 있어서는, 투명 전극의 주변부를 우회하도록 배선이 패턴 형성된다. 그리고, 가식된 기재 등을 사용함으로써, 이 배선이 외부로부터 시인되지 않도록 표시 장치가 조립된다.In flat panel displays such as liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL displays, and display devices such as touch panels, transparent electrodes such as indium-tin composite oxide (ITO) are used. The pattern wiring is connected to the transparent electrode for the purpose of applying a voltage from the outside or detecting the potential on the transparent electrode. As the pattern wiring, those having a silver paste formed by a screen printing method or the like are widely used. In general, in the display device, the wiring is pattern-formed so as to bypass the periphery of the transparent electrode. By using a decorated substrate or the like, the display device is assembled so that the wiring is not visually recognized from the outside.
표시 장치의 고정세화나 고기능화에 수반하여, 우회 배선의 패턴은 복잡화되는 경향이 있다. 예를 들어, 터치 패널에서는, 다점 입력 (멀티 터치) 이 가능한 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이나, 매트릭스형의 저항막 방식 터치 패널이 최근 각광을 받고 있다. 이들 방식의 터치 패널에서는, 투명 도전성 박막이, 소정 형상 (예를 들어 단책상 (短冊狀)) 으로 패턴화되어 투명 전극을 형성하고, 각 투명 전극과 IC 등의 제어 수단 사이에 패턴 배선이 형성된다. 이와 같이, 배선의 패턴이 복잡화되는 한편으로, 우회 배선이 시인되지 않도록 주변부가 가식된 영역을 보다 좁게 하여, 표시 장치에 있어서의 표시 영역의 면적 비율을 높이는 것 (프레임 협소화) 도 요구되고 있다. 그러나, 전술한 은 페이스트를 인쇄하는 방법에서는, 전극의 선폭을 작게 하는 것에는 한계가 있기 때문에, 표시 장치를 더욱 프레임 협소화하는 것은 곤란하다.The pattern of the bypass wiring tends to become complicated as the display device becomes finer and more sophisticated. For example, projection type capacitive touch panels and matrix type resistive touch panels capable of multi-point input (multi-touch) have been recently spotlighted on the touch panel. In such a touch panel, a transparent conductive thin film is patterned into a predetermined shape (for example, a short rectangular shape) to form a transparent electrode, and pattern wirings are formed between each transparent electrode and a control means such as an IC do. In this manner, it is also required to increase the area ratio of the display area in the display device (frame narrowing) by making the peripheral area of the display device narrower so that the wiring pattern becomes complicated while preventing the bypass wiring from being visible. However, in the above-described method of printing a silver paste, there is a limit in reducing the line width of the electrode, so it is difficult to further narrow the frame of the display device.
표시 장치를 더욱 프레임 협소화하기 위해서는, 패턴 배선을 세선화하고, 또한 배선의 저항의 상승을 억제하기 위해 도전성이 높은 배선 재료를 사용할 필요가 있다. 이러한 관점에서, 기재 상에 투명 도전성 박막을 형성하고, 그 위에 구리로 이루어지는 금속층을 형성한 적층체를 제조하고, 금속층, 투명 도전성 박막을 순차 에칭에 의해 선택 제거하여 패턴화하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1 ∼ 2).In order to further reduce the frame size of the display device, it is necessary to use a highly conductive wiring material in order to thin the pattern wiring and suppress the increase of the resistance of the wiring. From this point of view, there has been proposed a method of forming a laminate in which a transparent conductive thin film is formed on a substrate, a metal layer made of copper is formed thereon, and a metal layer and a transparent conductive thin film are selectively removed by etching to form a pattern (
그러나, 특허문헌 1 ∼ 2 에서, 패턴 배선의 세선화를 진행시켜 가면, 필름 기재로부터 투명 도전층 등이 박리된다는 문제가 발생하는 것이 판명되었다.However, in
그래서, 본 발명의 목적은, 세선화한 금속 배선층을 형성하는 경우에도, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블이 발생하기 어려운 금속층 적층 투명 도전성 필름 및 그것을 사용한 터치 센서를 제공하는 것에 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide a metal layer-laminated transparent conductive film which is less likely to cause wiring trouble due to peeling of the transparent conductive film even when a thinned metal wiring layer is formed, and a touch sensor using the same.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 하기 구성을 채용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어 본 발명에 이르렀다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above-mentioned object can be achieved by employing the following constitution, leading to the present invention.
즉, 본 발명의 금속층 적층 투명 도전성 필름은, 투명 기재의 적어도 일방의 면 측에, 수지층, 투명 도전막, 금속층을 이 순서로 갖는 금속층 적층 투명 도전성 필름으로서, 상기 수지층은, 수지 100 중량부에 대해 15 ∼ 55 중량부의 무기 산화물 입자를 함유하고, 상기 투명 도전막은, 인듐계 복합 산화물을 함유하는, 금속층 적층 투명 도전성 필름인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 있어서의 각종 물성값은, 실시예에 있어서 채용하는 방법에 의해 측정되는 값이다.That is, the metal layer-laminated transparent conductive film of the present invention is a metal layer-laminated transparent conductive film having a resin layer, a transparent conductive film, and a metal layer in this order on at least one surface side of a transparent substrate, Wherein the transparent conductive film contains 15 to 55 parts by weight of inorganic oxide particles per part of the transparent conductive film, and the transparent conductive film is a metal layer-laminated transparent conductive film containing an indium based composite oxide. The various physical property values in the present invention are values measured by the method employed in the examples.
상기 수지층이 소정 범위의 함유량의 무기 산화물 입자를 함유함으로써, 세선화한 금속 배선층을 형성하는 경우에도, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블이 발생하기 어려운 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다. 이 메커니즘은 확실하지는 않지만, 하기와 같다고 생각된다. 투명 기재 상에, 수지층, 투명 도전막, 금속층의 순서로 적층한 경우, 유기물과 무기물의 열 특성 등의 상이에 의해, 수지층과 투명 도전막의 계면이 가장 밀착력이 약한 부분이 되어, 투명 도전막이 박리되는 것으로 생각된다. 이 박리는, 금속층을 적층하지 않은 경우에는 보이지 않으며, 투명 도전막 상에 금속층을 적층시킨 경우에 일어나는 현상이다. 금속층으로부터 응력이 발생함으로써, 가장 밀착력이 취약한 부분인 수지층과 투명 도전막의 계면이 박리되는 것으로 추정된다. 그래서, 수지층과 투명 도전막의 계면의 밀착력을 향상시키기 위해, 수지층 중의 무기 산화물 입자의 함유량을 조정하는 검토를 실시한 결과, 상기 범위의 함유량의 무기 산화물 입자를 함유함으로써 유리한 효과가 발생하는 것을 알 수 있었다. 즉, 수지층의 투명 도전막 측에, 소정량의 무기 입자가 존재함으로써, 금속층을 적층하였을 때의 투명 도전막/수지층의 밀착력을 향상시키고 있는 것으로 생각되며, 이 무기 입자의 함유량을 최적화함으로써, 계면 밀착력이 최적화되어, 배선 트러블 (배선 박리 등) 의 발생을 억제할 수 있는 것으로 생각된다. 계면의 밀착력은, 수지층의 투명 도전막이 형성되는 면의 산술 평균 표면 조도나, 재질 등의 상성 등에 의해 향상시킬 수 있다.It is possible to provide a metal layer-laminated transparent electroconductive film in which the resin layer contains inorganic oxide particles having a content within a predetermined range, whereby wiring troubles are unlikely to occur due to peeling of the transparent electroconductive film even when a thinned metal interconnection layer is formed. This mechanism is not certain, but is thought to be as follows. When the resin layer, the transparent conductive film, and the metal layer are stacked in this order on the transparent substrate, the interface between the resin layer and the transparent conductive film is the portion having the weakest adhesion due to the difference in the thermal characteristics of the organic material and the inorganic material, It is considered that the film is peeled off. This peeling is invisible when the metal layer is not laminated, and occurs when the metal layer is laminated on the transparent conductive film. It is presumed that the interface between the resin layer and the transparent conductive film, which is the portion where the adhesion is weakest, is peeled off because stress is generated from the metal layer. Therefore, in order to improve the adhesion between the resin layer and the transparent conductive film, the content of the inorganic oxide particles in the resin layer was adjusted. As a result, it was found that an advantageous effect was obtained by containing the inorganic oxide particles having the above- I could. That is, it is considered that the presence of a predetermined amount of the inorganic particles on the side of the transparent conductive film of the resin layer improves the adhesion of the transparent conductive film / resin layer when the metal layer is laminated. By optimizing the content of the inorganic particles , It is considered that the interface adhesion is optimized and the occurrence of wiring troubles (such as wire peeling) can be suppressed. The adhesion of the interface can be improved by the arithmetic average surface roughness of the surface on which the transparent conductive film of the resin layer is formed,
본 발명에 있어서의 인듐계 복합 산화물은, 인듐·주석 복합 산화물인 것이 바람직하다. 투명 도전막이 인듐·주석 복합 산화물임으로써, 투명 도전막의 가열 처리에 의한 결정화가 용이하고, 보다 투명성이 높아 도전성이 양호한 투명 도전막을 형성할 수 있음과 함께, 수지층과의 밀착력을 향상시킬 수 있어, 배선 트러블 (배선 박리 등) 을 방지할 수 있다.The indium-based composite oxide in the present invention is preferably an indium-tin composite oxide. Since the transparent conductive film is an indium-tin complex oxide, the transparent conductive film can be easily crystallized by heat treatment, the transparent conductive film can be formed with high transparency, and the adhesion to the resin layer can be improved , Wiring troubles (such as wire peeling) can be prevented.
본 발명에 있어서의 무기 산화물 입자는, 실리카 입자인 것이 바람직하다. 이로써, 터치 패널 등의 표시 장치에서의 반사 특성의 제어가 가능함과 함께, 투명 도전막과의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있어, 상기 작용 효과를 실현하는 데에 있어서 유리해진다.The inorganic oxide particles in the present invention are preferably silica particles. This makes it possible to control the reflection characteristic in a display device such as a touch panel and to further improve the adhesion to the transparent conductive film, which is advantageous in realizing the above action and effect.
본 발명에 있어서의 수지층의 상기 투명 도전막 측의 면의 X 선 광전자 분광 분석법에 의한 Si 의 표면 원소 비율 (원자％) 은 0.1 원자％ ∼ 11 원자％ 인 것이 바람직하다. Si 의 표면 원소 비율이 금속층을 적층하였을 때의 투명 도전막/수지층의 밀착력에 관여하고 있는 것으로 생각되며, Si 가 이 범위의 표면 원소 비율이면, 수지층과 투명 도전막의 계면의 밀착력을 보다 향상시킬 수 있어, 상기 작용 효과를 실현하는 데에 있어서 유리해진다.The surface element ratio (atomic%) of Si in the resin layer of the present invention on the side of the transparent conductive film side by X-ray photoelectron spectroscopy is preferably 0.1 atomic% to 11 atomic%. It is believed that the surface element ratio of Si is related to the adhesion of the transparent conductive film / resin layer when the metal layer is laminated. If Si is the surface element ratio in this range, the adhesion between the resin layer and the transparent conductive film is further improved So that it is advantageous in realizing the above-mentioned action and effect.
본 발명에 있어서의 수지층의 상기 투명 도전막 측의 면의 산술 평균 표면 조도 Ra 가 1 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 산술 평균 표면 조도 Ra 가 이 범위임으로써, 수지층과 투명 도전막의 계면의 밀착력을 보다 향상시킬 수 있어, 상기 작용 효과를 실현하는 데에 있어서 유리해진다.The arithmetic mean surface roughness Ra of the surface of the resin layer on the side of the transparent conductive film in the present invention is preferably 1 nm or less. When the arithmetic mean surface roughness Ra is in this range, the adhesion between the resin layer and the transparent conductive film at the interface can be further improved, which is advantageous in realizing the above action and effect.
본 발명에 있어서의 무기 산화물 입자의 평균 입경은 10 ㎚ ∼ 60 ㎚ 인 것이 바람직하다. 이로써, 터치 패널 등의 표시 장치의 시인성에 영향을 주지 않음과 함께, 수지층과 투명 도전막의 계면의 밀착력을 향상시킬 수 있어, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블을 방지할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic oxide particles in the present invention is preferably 10 nm to 60 nm. As a result, the visibility of the display device such as the touch panel is not affected, and the adhesion between the resin layer and the transparent conductive film can be improved, and wiring trouble due to peeling of the transparent conductive film can be prevented.
본 발명에 있어서의 금속층은, 구리층, 구리 합금층 또는 구리층과 구리 합금층의 적층체인 것이 바람직하다. 상기와 같은 도전성이 높은 금속을 사용함으로써, 저항의 상승을 억제하면서, 패턴 배선의 세선화가 가능하고, 표시 장치 등의 프레임 협소화가 가능해진다.The metal layer in the present invention is preferably a copper layer, a copper alloy layer, or a laminate of a copper layer and a copper alloy layer. By using the metal having high conductivity as described above, it is possible to thin the pattern wiring while suppressing an increase in resistance, and it is possible to narrow the frame of a display device or the like.
본 발명에 있어서의 금속층은 패턴부를 갖고, 금속층의 폭이 가장 좁은 부분이 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 패턴 배선의 세선화에 의해, 표시 장치 등의 프레임 협소화가 가능해진다.It is preferable that the metal layer in the present invention has a pattern portion and the portion where the width of the metal layer is the narrowest is 50 占 퐉 or less. Thinning of the pattern wiring makes it possible to narrow the frame of a display device or the like.
본 발명에 있어서의 금속층의 두께는 100 ㎚ ∼ 200 ㎚ 인 것이 바람직하다. 이로써, 에칭시의 작업 효율을 높일 수 있음과 함께, 세선화한 금속층을 형성하는 경우에도, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블을 방지하는 것이 가능하다.The thickness of the metal layer in the present invention is preferably 100 nm to 200 nm. As a result, it is possible to increase the working efficiency at the time of etching and to prevent wiring troubles due to peeling of the transparent conductive film even in the case of forming a thinned metal layer.
본 발명의 터치 센서는, 상기 금속층 적층 투명 도전성 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속층 적층 투명 도전성 필름에 의하면, 세선화한 금속층을 형성하는 경우에도, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블을 방지하는 것이 가능하다.The touch sensor of the present invention preferably uses the metal layer-laminated transparent conductive film. According to the above-described metal layer-laminated transparent conductive film, even when a thinned metal layer is formed, it is possible to prevent wiring trouble due to peeling of the transparent conductive film.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a metal layer-laminated transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a metal layer-laminated transparent conductive film according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a metal layer-laminated transparent conductive film according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 금속층 적층 투명 도전성 필름의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 전부에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또 설명을 용이하게 하기 위해 확대 또는 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다. 상하 등의 위치 관계를 나타내는 용어는, 단순히 설명을 용이하게 하기 위해 사용되고 있으며, 본 발명의 구성을 한정하는 의도는 일절 없다.An embodiment of the metal layer-laminated transparent conductive film of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, in some or all of the drawings, portions unnecessary for the description are omitted, and portions for enlarging or reducing are shown to facilitate explanation. The terms indicating the positional relationship such as the up and down directions are used merely for facilitating the explanation, and there is no intention to limit the constitution of the present invention at all.
＜금속층 적층 투명 도전성 필름＞≪ Metal layer laminated transparent conductive film &
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이고, 도 2 ∼ 3 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다. 도 1 에 나타내는 금속층 적층 투명 도전성 필름은, 투명 기재 (1) 와, 수지층 (2) 과, 투명 도전막 (3) 과, 금속층 (4) 을 이 순서로 포함하고 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전막 (3) 은, 2 층의 투명 도전막 (제 1 투명 도전막 (31) 및 제 2 투명 도전막 (32)) 을 적층할 수도 있지만, 1 층의 투명 도전막만을 갖고 있거나 또는 3 층 이상의 투명 도전막을 갖고 있어도 된다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (1) 의 표면에는 하드 코트층 (5) 을 가질 수 있다. 하드 코트층 (5) 은, 투명 기재 (1) 의 편면 또는 양면에 형성할 수 있다. 또, 금속층 (4) 은, 금속층 (4) 상에 제 2 금속층을 형성해도 된다. 또한, 도 1 ∼ 3 에 있어서는, 투명 기재 (1) 의 일방의 면에만 수지층 (2), 투명 도전막 (3) 및 금속층 (4) 이 형성된 형태가 도시되어 있지만, 투명 기재 (1) 의 양면에 수지층 (2), 투명 도전막 (3) 및 금속층 (4) 이 형성되어 있어도 된다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a metal layer-laminated transparent conductive film according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 3 are schematic cross-sectional views of a metal layer-laminated transparent conductive film according to another embodiment of the present invention. The metal layer-laminated transparent conductive film shown in Fig. 1 includes a
(투명 기재)(Transparent substrate)
투명 기재로는, 가시광 영역에 있어서 투명한 것이면 특별히 제한되지 않고, 유리나 투명성을 갖는 각종 플라스틱 필름이 사용된다. 금속층 적층 투명 도전성 필름을, 터치 패널의 투명 전극이나 플렉시블 디스플레이 등에 사용하는 경우에는, 투명 기재로서 플라스틱 필름 등의 가요성 필름이 사용되는 것이 바람직하다.The transparent substrate is not particularly limited as far as it is transparent in the visible light region, and various plastic films having glass or transparency are used. When the metal layer laminated transparent conductive film is used for a transparent electrode or a flexible display of a touch panel, it is preferable that a flexible film such as a plastic film is used as the transparent substrate.
플라스틱 필름의 재료로는, 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, 시클로올레핀계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은, 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the material of the plastic film include polyester resin, acetate resin, polyether sulfone resin, polycarbonate resin, polyamide resin, polyimide resin, polyolefin resin, cycloolefin resin, (meth) acrylic Resins, polyvinyl chloride resins, polyvinylidene chloride resins, polystyrene resins, polyvinyl alcohol resins, polyarylate resins, and polyphenylene sulfide resins. Of these, particularly preferred are polyester resins, polycarbonate resins, polyolefin resins and the like.
투명 기재에는, 표면에 미리 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 하도 (下塗) 처리를 실시하여, 투명 기재 상에 형성되는 투명 도전막과의 밀착성을 향상시키도록 해도 된다. 또, 투명 도전막을 형성하기 전에, 필요에 따라 용제 세정이나 초음파 세정 등에 의해, 투명 기재 표면을 제진, 청정화해도 된다.The surface of the transparent substrate is subjected to an etching treatment or undercoating treatment such as sputtering, a corona discharge, a flame, an ultraviolet ray irradiation, an electron beam irradiation, a chemical conversion and an oxidation in advance to improve the adhesion with the transparent conductive film formed on the transparent substrate . Before the formation of the transparent conductive film, the surface of the transparent substrate may be damped and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning or the like, if necessary.
투명 기재로서 플라스틱 필름이 사용되는 경우, 그 두께는 2 ∼ 200 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이 범위이면, 투명 기재의 기계적 강도가 충분하고, 필름을 롤상으로 하여 투명 도전막 등을 연속적으로 형성하는 조작이 가능하다.When a plastic film is used as the transparent substrate, the thickness thereof is preferably in the range of 2 to 200 mu m, more preferably in the range of 10 to 100 mu m. With this range, the mechanical strength of the transparent base material is sufficient, and it is possible to conduct the operation of continuously forming the transparent conductive film or the like by making the film roll.
또, 투명 기재의 투명 도전막 형성면에는, 유전체층, 하드 코트등이 형성되어 있어도 된다. 투명 기재의 투명 도전막 형성면과 반대 측의 면에는, 필요에 따라 하드 코트층, 접착 용이층, 블로킹 방지층 등이 형성되어 있어도 된다. 또, 점착제 등의 적절한 접착 수단을 사용하여 다른 기재가 첩합된 것이나, 다른 기재와 첩합을 위한 점착제층 등에 세퍼레이터 등의 보호층이 가착된 것이어도 된다.A dielectric layer, a hard coat, or the like may be formed on the surface of the transparent substrate on which the transparent conductive film is formed. A hard coat layer, an easy-to-adhere layer, an anti-blocking layer, and the like may be formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface on which the transparent conductive film is formed. It is also possible to use a material to which another base material is bonded using an appropriate adhesive means such as an adhesive or a protective layer such as a separator to which a pressure-sensitive adhesive layer for bonding with another base material is adhered.
(하드 코트층)(Hard coat layer)
투명 기재의 양면 혹은 편면에 하드 코트층을 형성할 수 있다. 이로써, 폴리에스테르계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리카보네이트계 수지 등을 함유하는 투명 기재는 그 자체가 매우 흠집이 나기 쉬운 경향이 있지만, 투명 도전막의 형성이나 패턴화 또는 전자 기기로의 탑재 등의 각 공정에서 투명 기재에 흠집이 생기는 것을 방지하는 것이 가능하다.A hard coat layer can be formed on both sides or one side of the transparent substrate. As a result, a transparent substrate containing a polyester resin, a polyolefin resin, a polycarbonate resin or the like tends to be very scratched by itself, but it is also possible to form a transparent conductive film by forming a transparent conductive film, patterning it, It is possible to prevent scratches on the transparent substrate in the process.
하드 코트층의 형성 재료로는, 하드 코트층 형성 후의 피막으로서 충분한 강도를 갖고, 투명성이 있는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 사용하는 수지로는 열경화형 수지, 열가소형 수지, 자외선 경화형 수지, 전자선 경화형 수지, 이액 혼합형 수지 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 자외선 조사에 의한 경화 처리에서, 간단한 가공 조작으로 효율적으로 하드 코트층을 형성할 수 있는 자외선 경화형 수지가 바람직하다.As the material for forming the hard coat layer, those having sufficient strength as a film after forming the hard coat layer and having transparency can be used without particular limitation. Examples of the resin to be used include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, an ultraviolet-curing resin, an electron beam-curing resin, a dichromatic resin and the like. Among them, in the curing treatment by ultraviolet irradiation, Is preferably an ultraviolet curing type resin that can be formed.
자외선 경화형 수지로는, 폴리에스테르계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 아미드계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등의 각종의 것을 들 수 있고, 자외선 경화형의 모노머, 올리고머, 폴리머 등이 포함된다. 바람직하게 사용되는 자외선 경화형 수지로는, 아크릴계 수지나 에폭시계 수지가 바람직하고, 보다 바람직하게는 아크릴계 수지이다.Examples of the ultraviolet curable resin include various types of resins such as a polyester resin, an acrylic resin, a urethane resin, an amide resin, a silicone resin, and an epoxy resin, and include ultraviolet curable monomers, oligomers, polymers and the like. The ultraviolet curable resin preferably used is preferably an acrylic resin or an epoxy resin, more preferably an acrylic resin.
하드 코트층에는, 필요에 따라 여러 가지 첨가제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 첨가제로서, 미립자, 대전 방지제, 가소제, 계면 활성제, 산화 방지제, 및 자외선 흡수제 등의 상용되는 첨가제를 들 수 있다.Various additives may be added to the hard coat layer as required. As such additives, commercially available additives such as fine particles, antistatic agents, plasticizers, surfactants, antioxidants, and ultraviolet absorbers may be mentioned.
하드 코트층은, 각 경화형 수지와 필요에 따라 첨가하는 가교제, 개시제, 증감제 등을 함유하는 수지 조성물을 투명 기재 상에 도포하고, 수지 조성물이 용제를 함유하는 경우에는, 용제의 건조를 실시하고, 열, 활성 에너지선 또는 그 양방 중 어느 것의 적용에 의해 경화시킴으로써 얻어진다. 열은 공기 순환식 오븐이나 IR 히터 등 공지된 수단을 사용할 수 있지만, 이들 방법에 한정되지 않는다. 활성 에너지선의 예로는 자외선, 전자선, 감마선 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다.The hard coat layer is formed by applying a resin composition containing a curing resin and a crosslinking agent, an initiator, a sensitizer, and the like, which are added as needed, to a transparent substrate, and when the resin composition contains a solvent, , Heat, active energy rays, or both. The heat may be a known means such as an air circulating oven or an IR heater, but is not limited to these methods. Examples of the active energy ray include, but are not limited to, ultraviolet ray, electron ray, gamma ray and the like.
하드 코트층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 0.7 ㎛ ∼ 3 ㎛ 이고, 가장 바람직하게는 0.8 ㎛ ∼ 2 ㎛ 이다. 하드 코트층의 두께가 상기 범위에 있으면, 플라스틱 필름으로부터의 올리고머 등의 저분자량 성분의 석출을 억제할 수 있어, 터치 패널 등의 시인성이 악화되는 것을 방지할 수 있음과 함께, 크랙이나 컬의 발생을 방지할 수 있다.The thickness of the hard coat layer is not particularly limited, but is preferably 0.5 탆 to 5 탆, more preferably 0.7 탆 to 3 탆, and most preferably 0.8 탆 to 2 탆. When the thickness of the hard coat layer is within the above range, precipitation of a low molecular weight component such as an oligomer from the plastic film can be suppressed, deterioration of the visibility of the touch panel and the like can be prevented, Can be prevented.
(수지층)(Resin layer)
수지층은, 반사 특성의 제어나, 투명 도전막 등과의 밀착성의 향상을 목적으로 하여, 투명 기재 상에 형성되는 것이 바람직하다. 특히, 각 공정 상에서 발생할 수 있는 외관 결점의 관점에서, 투명 기재 상에 형성된 하드 코트층 상에 형성되는 것이 바람직하다. 또, 수지층은, 광학 조정층, 언더 코트층 등 상에 형성할 수도 있다. 수지층은 수지 중에 무기 산화물 입자를 함유하고 있다.The resin layer is preferably formed on a transparent substrate for the purpose of controlling the reflection characteristic and improving the adhesion with the transparent conductive film or the like. In particular, it is preferably formed on the hard coat layer formed on the transparent substrate from the viewpoint of appearance defects that may occur in each process. The resin layer may be formed on the optical adjustment layer, the undercoat layer, or the like. The resin layer contains inorganic oxide particles in the resin.
수지층에 함유되는 수지로는, 굴절률이 1.4 ∼ 1.6 정도인 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지, 알키드계 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지를 함유하는 자외선 경화형 수지가 바람직하다.Examples of the resin contained in the resin layer include acrylic resins, urethane resins, melamine resins, alkyd resins, siloxane polymers and organic silane condensates having a refractive index of about 1.4 to 1.6. Ultraviolet rays containing an acrylic resin A curable resin is preferable.
수지층은, 투명 도전막 등과의 밀착성을 향상시켜 박리를 방지하는 관점에서, 무기 산화물 입자를 갖고 있는 것이 바람직하다. 무기 산화물 입자를 형성하는 무기 산화물로는, 예를 들어, 산화규소 (실리카 입자) 입자, 중공 나노 실리카 입자, 산화티탄 입자, 산화알루미늄 입자, 산화아연 입자, 산화주석 입자, 산화지르코늄 입자 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화규소 (실리카 입자) 입자, 산화티탄 입자, 산화알루미늄 입자, 산화아연 입자, 산화주석 입자, 산화지르코늄 입자가 바람직하다. 이들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The resin layer preferably has inorganic oxide particles from the viewpoint of improving the adhesion with the transparent conductive film and the like to prevent peeling. Examples of the inorganic oxide that forms the inorganic oxide particles include particles of silicon oxide (silica particles), hollow nanosilica particles, titanium oxide particles, aluminum oxide particles, zinc oxide particles, tin oxide particles, zirconium oxide particles, . Among these, silicon oxide (silica particle) particles, titanium oxide particles, aluminum oxide particles, zinc oxide particles, tin oxide particles and zirconium oxide particles are preferable. These may be used singly or in combination of two or more.
무기 산화물 입자의 함유량은, 투명 도전막 등과의 밀착성을 향상시켜 박리를 방지하는 관점에서, 수지 100 중량부에 대해 15 중량부 ∼ 55 중량부가 바람직하고, 17 중량부 ∼ 50 중량부인 것이 보다 바람직하고, 20 중량부 ∼ 45 중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the inorganic oxide particles is preferably from 15 parts by weight to 55 parts by weight, more preferably from 17 parts by weight to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin, from the viewpoint of improving adhesion with the transparent conductive film, , More preferably 20 parts by weight to 45 parts by weight.
무기 산화물 입자의 평균 입경은, 10 ㎚ ∼ 60 ㎚ 의 범위가 바람직하고, 15 ㎚ ∼ 35 ㎚ 의 범위가 보다 바람직하다. 또한,「평균 입경」이란, 체적 기준에 의한 입도 분포의 평균 입경 (D50) 으로서, 입자를 수중에 분산시킨 용액을, 광회절/산란법에 의해 측정함으로써 구할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic oxide particles is preferably in the range of 10 nm to 60 nm, more preferably in the range of 15 nm to 35 nm. The " average particle diameter " is the average particle diameter (D 50 ) of the particle size distribution based on the volume standard, which can be obtained by measuring a solution in which particles are dispersed in water by an optical diffraction / scattering method.
수지층은, 그 밖의 무기물을 함유하는 것이 가능하다. 무기물로는, NaF (1.3), Na3AlF6 (1.35), LiF (1.36), MgF2 (1.38), CaF2 (1.4), BaF2 (1.3), LaF3 (1.55), CeF (1.63) 등 (괄호 내의 수치는 굴절률을 나타낸다) 을 들 수 있다.The resin layer can contain other inorganic substances. An inorganic material is, NaF (1.3), Na 3 AlF 6 (1.35), LiF (1.36), MgF 2 (1.38), CaF 2 (1.4), BaF 2 (1.3), LaF 3 (1.55), CeF (1.63) (Numerical values in parentheses indicate refractive index).
수지층은, 상기 재료를 사용하여, 웨트 코팅법 (도공법) 등에 의해 제막할 수 있다. 예를 들어, 투명 도전막으로서 산화주석을 함유하는 산화인듐 (ITO) 을 형성하는 경우, 하지층인 수지층의 표면이 평활하면, 투명 도전층의 결정화 시간을 단축시킬 수도 있다. 이러한 관점에서, 수지층은 웨트 코팅법에 의해 제막되는 것이 바람직하다.The resin layer can be formed by a wet coating method (coating method) or the like using the above materials. For example, when indium oxide (ITO) containing tin oxide is formed as the transparent conductive film, crystallization time of the transparent conductive layer can be shortened if the surface of the resin layer as the ground layer is smooth. From this viewpoint, it is preferable that the resin layer is formed by a wet coating method.
수지층의 두께는, 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하이면 되지만, 20 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 수지층의 두께를 상기 범위 내로 함으로써, 투명성을 확보할 수 있는 데다가, 시인성을 향상시킬 수 있다.The thickness of the resin layer may be 10 nm or more and 100 nm or less, but preferably 20 nm or more and 50 nm or less. When the thickness of the resin layer is within the above range, transparency can be ensured and visibility can be improved.
수지층의 투명 도전막이 형성되는 면의 X 선 광전자 분광법에 의한 Si 의 표면 원소 비율은, 0.1 원자％ ∼ 11 원자％ 인 것이 바람직하고, 0.2 원자％ ∼ 10.5 원자％ 인 것이 보다 바람직하고, 0.3 원자％ ∼ 10.0 원자％ 인 것이 더욱 바람직하다. Si 의 표면 원소 비율이 금속층을 적층하였을 때의 투명 도전막/수지층의 밀착력에 관여하고 있는 것으로 생각하고 있으며, 상기 범위에 있으면, 투명 도전막 등과의 밀착성을 향상시켜 박리를 방지할 수 있다.The surface element ratio of Si by the X-ray photoelectron spectroscopy on the surface of the resin layer on which the transparent conductive film is formed is preferably 0.1 atom% to 11 atom%, more preferably 0.2 atom% to 10.5 atom% % To 10.0 atomic%. It is believed that the surface element ratio of Si is concerned with the adhesion of the transparent conductive film / resin layer when the metal layer is laminated, and if it is in the above range, adhesion with the transparent conductive film or the like is improved and peeling can be prevented.
수지층의 투명 도전막이 형성되는 면의 산술 평균 표면 조도 Ra 는, 1 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 0.8 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위에 있으면, 투명 도전막 등과의 밀착성을 향상시켜 박리를 방지할 수 있다.The arithmetic average surface roughness Ra of the surface on which the transparent conductive film of the resin layer is formed is preferably 1 nm or less, more preferably 0.8 nm or less. Within the above range, adhesion with the transparent conductive film or the like can be improved to prevent peeling.
(투명 도전막)(Transparent conductive film)
투명 도전막은 모두, 금속의 도전성 산화물을 주성분으로 하는 박막, 또는 주금속과 1 종 이상의 불순물 금속을 함유하는 복합 금속 산화물을 주성분으로 하는 박막이다. 이들 도전성 박막은, 투명하고 또한 도전성을 갖는 것이면 그 구성 재료는 특별히 한정되지 않고, Sc, Y, Si, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Mg, Al, Ga, Ti, Ge, In, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Te, I 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종의 금속을 주성분으로 하는 금속 산화물이 바람직하게 사용된다. 투명 도전막의 투명성이나 도전성의 관점에서는, 주금속 원소는 In, Zn, Sn 중 어느 것인 것이 바람직하고, 인듐계 복합 산화물이 가장 바람직하다. 투명 도전막이 주금속과 불순물 금속을 함유하는 복합 금속 산화물인 경우, 불순물 금속으로서도 상기 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속이 바람직하게 사용된다.The transparent conductive film is a thin film mainly composed of a conductive oxide of a metal or a thin film containing as a main component a composite metal oxide containing a main metal and at least one impurity metal. These conductive thin films are not particularly limited as long as they are transparent and have conductivity, and the constituent materials thereof are not particularly limited, and the conductive thin films may be selected from the group consisting of Sc, Y, Si, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Se, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Mg, Al, Ga, Ti, Ge, , Te, and I is preferably used as the metal oxide. From the viewpoint of transparency and conductivity of the transparent conductive film, the main metal element is preferably In, Zn, or Sn, and the indium-based complex oxide is most preferable. When the transparent conductive film is a composite metal oxide containing a main metal and an impurity metal, at least one metal selected from the above group is preferably used as the impurity metal.
투명 도전막의 캐리어 밀도를 상승시켜 투명 도전막을 저저항화하는 관점에 있어서는, 복합 금속 산화물에 있어서의 불순물 금속은, 주금속보다 가전자수가 많은 것이 바람직하게 사용된다. 이와 같은 복합 금속 산화물로는, 인듐·주석 복합 산화물 (ITO), 안티몬 도프 산화주석 (ATO), 알루미늄 도프 산화아연 (AZO), 갈륨 도프 산화아연 (GZO), 인듐 도프 산화아연 (IZO) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 저저항 또한 고투명성의 투명 도전막을 형성하는 관점에 있어서, 인듐·주석 복합 산화물이 가장 바람직하게 사용된다. 이와 같은 인듐·주석 복합 산화물은, 가시광 영역 (380 ㎚ ∼ 780 ㎚) 에서 투과율이 높고, 또한 단위 면적당의 표면 저항값이 낮다는 특징을 갖고 있다.From the viewpoint of raising the carrier density of the transparent conductive film and lowering the resistance of the transparent conductive film, the impurity metal in the composite metal oxide is preferably used in a larger number of electric appliances than the main metal. Examples of such composite metal oxides include indium tin oxide (ITO), antimony doped tin oxide (ATO), aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), indium doped zinc oxide (IZO) . Among them, an indium-tin complex oxide is most preferably used from the viewpoint of forming a transparent conductive film of low resistance and high transparency. The indium-tin composite oxide has such a feature that the transmittance is high in the visible light region (380 nm to 780 nm) and the surface resistance value per unit area is low.
투명 도전막의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법을 예시할 수 있다. 또, 필요로 하는 막 두께에 따라 적절한 방법을 채용할 수도 있다.The method of forming the transparent conductive film is not particularly limited, and conventionally known methods can be employed. Specifically, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method can be exemplified. An appropriate method may be employed depending on the required film thickness.
각 투명 도전막은 결정질이어도 되고, 비정질이어도 된다. 예를 들어, 투명 기재로서 플라스틱 필름이 사용되고, 투명 도전막으로서 스퍼터링법에 의해 ITO 막이 형성되는 경우, 기재의 내열성에 의한 제약이 있기 때문에, 높은 온도에서 스퍼터 제막을 실시할 수 없다. 그 때문에, 제막 직후의 투명 도전막은 비정질막 (일부가 결정화되어 있는 경우도 있다) 으로 되어 있는 경우가 많다. 이와 같은 비정질의 투명 도전막은 결정질의 것에 비해 투과율이 낮고, 가습열 시험 후의 저항 변화가 크다는 등의 문제를 발생시키는 경우가 있다. 이러한 관점에서는, 일단 비정질의 투명 도전막을 형성한 후, 대기 중의 산소 존재하에서 가열함으로써, 결정막으로 전환시켜도 된다. 투명 도전막을 결정화함으로써, 투명성이 향상되고, 저저항화가 도모됨과 함께, 또한 가습열 시험 후의 저항 변화가 작고, 가습열 신뢰성이 향상되는 등의 이점을 가져온다.Each transparent conductive film may be crystalline or amorphous. For example, when a plastic film is used as the transparent substrate and an ITO film is formed as the transparent conductive film by the sputtering method, the sputtering film formation can not be performed at a high temperature because there is a restriction due to heat resistance of the substrate. Therefore, in many cases, the transparent conductive film immediately after the film formation is formed of an amorphous film (a part thereof may be crystallized). Such an amorphous transparent conductive film may have a lower transmittance than that of a crystalline one, and may cause problems such as a large resistance change after the humidification heat test. From this point of view, once an amorphous transparent conductive film is formed, it may be converted into a crystal film by heating in the presence of oxygen in the atmosphere. By crystallizing the transparent conductive film, the transparency is improved, the resistance is lowered, the resistance change after the humidifying heat test is small, and the humidifying heat reliability is improved.
각 투명 도전막의 결정화는, 투명 기재 상에 비정질의 막을 형성 후, 금속층을 제막하기 전에 실시할 수도 있고, 금속층을 제막한 후에 결정화를 실시해도 된다. 또, 에칭 등에 의해 투명 도전성막을 패턴화하는 경우, 투명 도전막의 결정화는, 에칭 가공 전에 실시할 수도 있고, 에칭 가공 후에 실시해도 된다.The crystallization of each transparent conductive film may be carried out after the amorphous film is formed on the transparent substrate, before the metal layer is formed, or after the metal layer is formed. When the transparent conductive film is patterned by etching or the like, the crystallization of the transparent conductive film may be performed before the etching process or after the etching process.
인듐·주석계 복합 산화물층의 표면 저항값은, 바람직하게는 300 Ω/□ 이하이고, 더욱 바람직하게는 270 Ω/□ 이하이다. 이와 같은 표면 저항값이 작은 투명 도전성 필름은, 예를 들어, 스퍼터링법 또는 진공 증착법에 의해, 인듐·주석계 복합 산화물의 비정질층을 경화 수지층 상에 형성한 후, 120 ℃ ∼ 200 ℃ 에서 30 ∼ 90 분간 정도 가열 처리하여, 비정질층을 결정질층으로 변화시킴으로써 얻어진다. 이 전화시키는 수단은, 특별히 한정되지 않지만, 공기 순환식 오븐이나 IR 히터 등이 사용된다.The surface resistance value of the indium-tin composite oxide layer is preferably 300 Ω / □ or less, and more preferably 270 Ω / □ or less. Such a transparent conductive film having a small surface resistance value can be obtained by forming an amorphous layer of an indium-tin composite oxide on a cured resin layer by, for example, a sputtering method or a vacuum deposition method, For about 90 minutes to change the amorphous layer to a crystalline layer. The means for making this telephone is not particularly limited, but an air circulating oven or IR heater is used.
「결정질」의 정의에 대해서는, 투명 기재 상에 투명 도전막이 형성된 투명 도전성 필름을, 20 ℃, 농도 5 중량％ 의 염산에 15 분간 침지한 후, 수세·건조시켜 15 ㎜ 사이의 단자간 저항을 테스터로 측정을 실시하고, 단자간 저항이 10 kΩ 을 초과하지 않는 경우, ITO 막의 결정질로의 전화가 완료된 것으로 한다.For the definition of "crystalline", a transparent conductive film having a transparent conductive film formed on a transparent substrate was immersed in hydrochloric acid of 5 wt% concentration at 20 ° C. for 15 minutes, washed with water and dried, , And when the resistance between terminals is not more than 10 k ?, it is assumed that the telephone to the crystalline of the ITO film is completed.
투명 도전막은, 적어도 1 층의 투명 도전막이 형성된 것인 것이 바람직하지만, 2 층의 투명 도전막을 적층할 수도 있다. 또, 2 층 이상의 투명 도전막을 갖고 있어도 된다. 1 층의 투명 도전막을 형성하는 경우, In2O3 의 중량％ 는 99.5 중량％ ∼ 80 중량％ 가 바람직하고, SnO2 의 중량％ 는 0.5 중량％ ∼ 20 중량％ 가 바람직하다. 2 층의 투명 도전막을 적층하여 투명 도전막을 형성하는 경우, 금속층에 가까운 쪽의 제 1 투명 도전막에 있어서의 In2O3 의 중량％ 는, 99.5 중량％ ∼ 90 중량％ 가 바람직하고, 99 중량％ ∼ 92 중량％ 가 보다 바람직하고, 98 중량％ ∼ 95 중량％ 가 더욱 바람직하다. SnO2 의 중량％ 는, 0.5 중량％ ∼ 10 중량％ 가 바람직하고, 1 중량％ ∼ 8 중량％ 가 보다 바람직하고, 2 중량％ ∼ 5 중량％ 가 더욱 바람직하다. 수지층에 가까운 쪽의 제 2 투명 도전막에 있어서의 In2O3 의 중량％ 는, 95 중량％ ∼ 80 중량％ 가 바람직하고, 93 중량％ ∼ 85 중량％ 가 보다 바람직하고, 92 중량％ ∼ 87 중량％ 가 더욱 바람직하다. SnO2 의 중량％ 는, 5 중량％ ∼ 20 중량％ 가 바람직하고, 7 중량％ ∼ 15 중량％ 가 보다 바람직하고, 8 중량％ ∼ 13 중량％ 가 더욱 바람직하다. 투명 도전막의 비저항을 작게 하는 관점에서는, 제 1 투명 도전막의 불순물 금속 SnO2 의 함유량을, 제 2 투명 도전막의 불순물 금속 SnO2 의 함유량보다 작게 하는 것이 바람직하다.The transparent conductive film is preferably one having at least one transparent conductive film, but two transparent conductive films may be laminated. In addition, two or more transparent conductive films may be provided. In the case of forming a transparent conductive film of one layer, the weight% of In 2 O 3 is preferably 99.5 wt% to 80 wt%, and the weight% of SnO 2 is preferably 0.5 wt% to 20 wt%. When two transparent conductive films are laminated to form a transparent conductive film, the weight percentage of In 2 O 3 in the first transparent conductive film closer to the metal layer is preferably 99.5 wt% to 90 wt%, more preferably 99 wt% To 92% by weight, and more preferably 98% by weight to 95% by weight. The weight percentage of SnO 2 is preferably 0.5 wt% to 10 wt%, more preferably 1 wt% to 8 wt%, and even more preferably 2 wt% to 5 wt%. The weight percentage of In 2 O 3 in the second transparent conductive film near the resin layer is preferably 95% by weight to 80% by weight, more preferably 93% by weight to 85% by weight, More preferably 87% by weight. The weight% of SnO 2 is preferably 5 wt% to 20 wt%, more preferably 7 wt% to 15 wt%, and even more preferably 8 wt% to 13 wt%. From the viewpoint of reducing the resistivity of the transparent conductive film, it is preferable that the first transparent conductive film to reduce the impurity metal content of the SnO 2, the impurity metal content than the second transparent conductive film of SnO 2.
제 1 투명 도전막의 불순물 금속 SnO2 의 함유량을 작게 함으로써 금속층을 에칭 제거하였을 때의 저항 증대가 억제되는 원인은 확실하지 않다. 추정 원인 중 하나로서, 불순물 금속의 함유량이 큰 경우에는, 금속층 제거에 사용되는 에천트 중의 화학종과 불순물 금속의 착 형성 등에 의해 투명 도전성 박막의 캐리어 밀도가 저하되는 경향이 있고, 불순물 금속의 함유량을 작게 함으로써 이와 같은 에천트의 영향에 의한 저항 증대가 억제되는 것을 생각할 수 있다.It is not clear why the resistance increase when the metal layer is etched away by reducing the content of the impurity metal SnO 2 of the first transparent conductive film is suppressed. As one of the probable causes, when the content of the impurity metal is large, the carrier density of the transparent conductive thin film tends to be lowered due to the formation of a chemical species and an impurity metal in the etchant used for removing the metal layer, It is conceivable that resistance increase due to the influence of such an etchant is suppressed.
1 층의 투명 도전막을 형성하는 경우, 투명 도전막의 두께는 10 ∼ 35 ㎚ 인 것이 바람직하다. 2 층의 투명 도전막을 적층하여 투명 도전막을 형성하는 경우, 제 1 투명 도전막의 두께는 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 인 것이 바람직하고, 2 ㎚ ∼ 9 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 3 ㎚ ∼ 8 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 제 2 투명 도전막의 두께는 9 ㎚ ∼ 35 ㎚ 인 것이 바람직하고, 12 ∼ 30 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 15 ∼ 25 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 투명 도전막의 비저항을 작게 하는 관점에서는, 제 1 투명 도전막의 두께가, 제 2 투명 도전막의 두께보다 작아지도록 투명 도전막을 형성하는 것이 바람직하다. 투명 도전막을 고투과율로 하는 관점에서는, 투명 도전막 전체의 두께는 35 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 30 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.In the case of forming a transparent conductive film of one layer, the thickness of the transparent conductive film is preferably 10 to 35 nm. In the case of forming a transparent conductive film by laminating two transparent conductive films, the first transparent conductive film preferably has a thickness of 1 nm to 10 nm, more preferably 2 nm to 9 nm, and more preferably 3 nm to 8 nm More preferable. The thickness of the second transparent conductive film is preferably 9 nm to 35 nm, more preferably 12 to 30 nm, and still more preferably 15 to 25 nm. From the viewpoint of reducing the specific resistance of the transparent conductive film, it is preferable to form the transparent conductive film so that the thickness of the first transparent conductive film becomes smaller than the thickness of the second transparent conductive film. From the viewpoint of setting the transparent conductive film to a high transmittance, the thickness of the entire transparent conductive film is preferably 35 nm or less, and more preferably 30 nm or less.
(보호 필름)(Protective film)
투명 도전성 필름의 파단을 방지하는 관점에서, 투명 도전성 필름에 후술하는 점착제층을 개재하여 보호 필름을 적층하여 투명 도전성 적층체로 할 수 있다. 보호 필름은, 폴리에스테르계 수지를 함유한다. 투명 기재의 양면에 상기 서술한 하드 코트층을 형성함으로써, 투명 기재 자체에 흠집은 생기기 어려워지지만, 보다 단단하여 찢어지기 쉬워진다. 또, 투명 필름 기재가 장척상인 경우에는, 예를 들어 투명 도전막의 형성 공정이나 투명 도전막의 패턴화 공정 등에서, 필름 주행시에 투명 필름 기재에 파단이 발생하기 쉬워진다는 과제가 있다. 보호 필름을 구성하는 폴리에스테르계 수지 필름은, 기계 강도를 향상시키는 관점에서, 1 축 연신 처리나 2 축 연신 처리 등의 연신 처리가 되어 있는 것이 바람직하다. 기계 강도나 내열 특성 향상의 관점에서, 특히 2 축 연신의 처리가 되어 있는 것이 바람직하다. 폴리에스테르계 수지로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지나 폴리에틸렌나프탈레이트계 수지를 들 수 있고, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지가 기계적 특성이나 광학 특성, 입수 용이성의 점에서 바람직하다.From the viewpoint of preventing breakage of the transparent conductive film, a protective film may be laminated on the transparent conductive film via a pressure-sensitive adhesive layer described later to obtain a transparent conductive laminate. The protective film contains a polyester-based resin. By forming the above-mentioned hard coat layer on both surfaces of the transparent substrate, scratches are less likely to occur on the transparent substrate itself, but are harder and more likely to be torn. Further, when the transparent film base material is a long film, for example, there is a problem that the transparent film base material tends to be broken at the time of film running in a process of forming a transparent conductive film or a patterning process of a transparent conductive film. The polyester-based resin film constituting the protective film is preferably subjected to a stretching treatment such as a uniaxial stretching treatment or a biaxial stretching treatment from the viewpoint of improving mechanical strength. From the viewpoint of improving the mechanical strength and heat resistance, it is particularly preferable to be subjected to biaxial stretching treatment. Examples of the polyester-based resin include polyethylene terephthalate-based resin and polyethylene naphthalate-based resin, and a polyethylene terephthalate-based resin is preferable in view of mechanical properties, optical characteristics, and availability.
보호 필름의 두께는 120 ㎛ ∼ 250 ㎛ 이면 되지만, 140 ㎛ ∼ 220 ㎛ 가 보다 바람직하고, 145 ㎛ ∼ 190 ㎛ 가 더욱 바람직하다. 이 범위이면, 컬의 발생을 방지할 수 있음과 함께, 필름을 롤상으로 권취할 때의 작업 효율 등을 향상시킬 수 있다.The thickness of the protective film may be 120 μm to 250 μm, more preferably 140 μm to 220 μm, and even more preferably 145 μm to 190 μm. Within this range, it is possible to prevent the occurrence of curl, and to improve the working efficiency and the like in winding the film into a roll.
(점착제층)(Pressure-sensitive adhesive layer)
점착제층의 형성 재료로는, 투명성을 갖는 것이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있지만, 바람직하게는 아크릴계 점착제, 에폭시계 점착제, 실리콘계 점착제이고, 보다 바람직하게는 아크릴계 점착제이다. 형성되는 점착제층의 건조 두께는 적절히 조정할 수 있지만, 통상적으로 1 ∼ 40 ㎛ 정도이고, 3 ∼ 35 ㎛ 가 바람직하고, 나아가서는 5 ∼ 30 ㎛ 가 바람직하다.The material for forming the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it has transparency. Preferably, the pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive, an epoxy pressure-sensitive adhesive or a silicone pressure-sensitive adhesive, and more preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive. The drying thickness of the pressure-sensitive adhesive layer to be formed can be appropriately adjusted, but is usually about 1 to 40 占 퐉, preferably 3 to 35 占 퐉, and more preferably 5 to 30 占 퐉.
(금속층)(Metal layer)
투명 도전막 상에는 금속층이 형성된다. 또한, 제 1 투명 도전막과 금속층 사이에는, 밀착성 향상이나, 금속층을 구성하는 금속 원소의 투명 도전막으로의 확산 방지 등의 관점에서, 예를 들어 두께가 5 ㎚ 이하인 박막을 형성할 수도 있다. 한편, 금속층을 에칭에 의해 제거하였을 때의 투명 도전막의 표면 저항의 증가를 억제하는 관점에 있어서는, 제 1 투명 도전막 상에 직접 금속층이 형성되는 것이 바람직하다.A metal layer is formed on the transparent conductive film. A thin film having a thickness of 5 nm or less may be formed between the first transparent conductive film and the metal layer, for example, from the viewpoints of improving the adhesion and preventing diffusion of the metal element constituting the metal layer into the transparent conductive film. On the other hand, in view of suppressing an increase in the surface resistance of the transparent conductive film when the metal layer is removed by etching, it is preferable that the metal layer is directly formed on the first transparent conductive film.
금속층의 구성 재료는, 도전성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Cu, Al, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr, Ta, Hf 등의 금속이 바람직하게 사용된다. 또, 이들 금속의 2 종 이상을 함유하는 것이나, 이들 금속을 주성분으로 하는 합금 등도 바람직하게 사용할 수 있다. 금속층의 면 내의 일부를 에칭 등에 의해 제거하여 패턴 배선을 형성하는 경우에는, 금속층의 재료로서 Au, Ag, Cu 등의 도전성이 높은 금속이 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 도전성이 높고, 또한 염가의 재료이기 때문에, 구리층, 구리 합금층 또는 구리층과 구리 합금층의 적층체인 것이 바람직하다.The constituent material of the metal layer is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples of the constituent material of the metal layer include metals such as Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Cu, Al, Co, Cr, Ni, Pb, , W, Zr, Ta, Hf and the like are preferably used. In addition, those containing two or more of these metals, and alloys containing these metals as the main component can also be preferably used. When a part of the surface of the metal layer is removed by etching or the like to form a pattern wiring, a metal having high conductivity such as Au, Ag or Cu is preferably used as the material of the metal layer. Among them, a copper layer, a copper alloy layer, or a laminate of a copper layer and a copper alloy layer is preferable because it is highly conductive and is inexpensive.
금속층은, 막 두께의 균일성이나 성막 효율의 관점에서, 화학 기상 성장법 (CVD) 이나 물리 기상 성장법 (PVD) 등의 진공 성막법이나, 도금법 (전해 도금, 무전해 도금) 등에 의해 성막되는 것이 바람직하다. 또, 이들 제막 방법의 복수를 조합해도 된다. 그 중에서도, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 전자빔 증착법 등의 물리 기상 성장법이 바람직하고, 스퍼터링법이 특히 바람직하다.The metal layer is formed by a vacuum film formation method such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), a plating method (electrolytic plating, electroless plating) or the like from the viewpoints of uniformity of film thickness and film forming efficiency . A plurality of these film forming methods may be combined. Among them, a physical vapor phase growth method such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and an electron beam vapor deposition method is preferable, and a sputtering method is particularly preferable.
금속층의 두께는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 금속층의 면 내의 일부를 에칭 등에 의해 제거하여 패턴 배선을 형성하는 경우에는, 형성 후의 패턴 배선이 원하는 저항값을 갖도록 금속층의 두께가 적절히 설정된다. 그 때문에, 금속층의 두께는 20 ㎚ ∼ 500 ㎚ 인 것이 바람직하고, 100 ㎚ ∼ 200 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 120 ㎚ ∼ 180 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하다. 금속층의 두께가 상기 범위이면, 패턴 배선의 저항이 지나치게 높아지지 않고, 디바이스의 소비 전력이 커지지 않는다. 또, 금속층의 성막의 생산 효율이 오르고, 성막시의 적산 열량이 작아져, 필름에 열주름이 생기기 어려워진다.The thickness of the metal layer is not particularly limited. For example, when a part of the surface of the metal layer is removed by etching or the like to form the pattern wiring, the thickness of the metal layer is appropriately set so that the formed pattern wiring has a desired resistance value. Therefore, the thickness of the metal layer is preferably 20 nm to 500 nm, more preferably 100 nm to 200 nm, and even more preferably 120 nm to 180 nm. When the thickness of the metal layer is within the above range, the resistance of the pattern wiring is not excessively increased and the power consumption of the device is not increased. In addition, the production efficiency of the film formation of the metal layer increases, the amount of heat accumulated at the time of film formation becomes small, and heat wrinkling is less likely to occur in the film.
금속층 상에, 추가로 산화 방지를 목적으로 한 제 2 금속층을 형성해도 된다. 예를 들어, 금속층 상에 금속층과는 상이한 조성을 갖는 제 2 금속층을 가짐으로써, 투명 도전막의 결정화시의 가열이나, 터치 패널 등의 디바이스 조립시의 가열에 의해, 금속층이 산화되어 배선의 저항이 상승하는 것이 억제될 수 있다. 이와 같은 제 2 금속층으로는, 산소 존재하에서 가열된 경우에도 산화되기 어렵고, 금속층과 동일한 에천트에 의해 동시에 에칭할 수 있는 것인 것이 바람직하다. 복수의 금속층을 1 회의 에칭으로 패턴화하는 것이 가능하면, 패턴 배선의 형성을 용이하게 할 수 있다.A second metal layer for the purpose of further preventing oxidation may be formed on the metal layer. For example, by having a second metal layer having a composition different from that of the metal layer on the metal layer, the metal layer is oxidized by heating at the time of crystallization of the transparent conductive film and heating at the time of device assembly of a touch panel or the like, Can be suppressed. It is preferable that such a second metal layer is difficult to be oxidized even when heated in the presence of oxygen and can be simultaneously etched by the same etchant as the metal layer. If the plurality of metal layers can be patterned by one etching, the formation of the pattern wiring can be facilitated.
금속층이 실질적으로 구리로 이루어지는 경우, 산화 방지를 목적으로 하여 금속층 상에 형성되는 제 2 금속층은, 구리-니켈 합금으로 이루어지고, 구리와 니켈의 합계 100 중량부에 대해 니켈을 15 ∼ 55 중량부 함유하는 것이 바람직하다. 제 2 금속층의 두께는 5 ㎚ ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하고, 5 ㎚ ∼ 80 ㎚ 인 것이 보다 바람직하고, 5 ㎚ ∼ 70 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 제 2 금속층의 두께가 과도하게 작으면, 산화 방지층으로서의 작용이 발휘되지 않아, 산소 존재하에서의 가열시에, 실질적으로 구리로 이루어지는 금속층이 산화되기 쉬워지는 경향이 있다.In the case where the metal layer is substantially made of copper, the second metal layer formed on the metal layer for the purpose of preventing oxidation is composed of a copper-nickel alloy and contains 15 to 55 parts by weight of nickel relative to 100 parts by weight of the total of copper and nickel . The thickness of the second metal layer is preferably 5 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 80 nm, and still more preferably 5 nm to 70 nm. When the thickness of the second metal layer is excessively small, the function as the oxidation preventing layer is not exhibited, and the metal layer made of copper tends to be oxidized substantially at the time of heating in the presence of oxygen.
금속층의 패턴화는, 에칭에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 에칭시에는, 패턴을 형성하기 위한 마스크에 의해 패턴 배선부 및 접속부에 대응하는 영역의 표면을 덮어, 에천트에 의해 금속층을 에칭하는 방법이 바람직하게 사용된다. 또한, 금속층 상에 산화 방지 등을 목적으로 하여 제 2 금속층이 형성되어 있는 경우에는, 1 회의 에칭 가공에 의해, 금속층과 제 2 금속층이 동시에 제거되는 것이 바람직하다. 에천트로는, 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 구리암모니아 착물 용액 등을 들 수 있다.The patterning of the metal layer is preferably carried out by etching. At the time of etching, a method of covering the surface of the region corresponding to the pattern wiring portion and the connecting portion with a mask for forming a pattern and etching the metal layer with an etchant is preferably used. When the second metal layer is formed on the metal layer for the purpose of preventing oxidation or the like, it is preferable that the metal layer and the second metal layer are simultaneously removed by a single etching process. The etchant includes a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, and a copper ammonium complex solution.
금속층을 제거한 후, 투명 도전막의 노출부에 있어서, 투명 도전막의 면 내의 일부가 제거됨으로써, 패턴화된 투명 전극이 형성된다. 투명 도전막의 제거도 에칭에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 에칭시에는, 패턴을 형성하기 위한 마스크에 의해, 투명 전극에 대응하는 영역의 표면을 덮어, 에천트에 의해 투명 도전막을 에칭하는 방법이 바람직하게 사용된다. 또, 금속층에 대해서도 에칭 능력을 갖는 에천트가 사용되는 경우에는, 상기 패턴 배선부 및 접속부도 마스크에 의해 표면이 덮이는 것이 바람직하다.After the metal layer is removed, a part of the surface of the transparent conductive film is removed in the exposed portion of the transparent conductive film, thereby forming a patterned transparent electrode. The removal of the transparent conductive film is also preferably performed by etching. At the time of etching, a method of covering the surface of the region corresponding to the transparent electrode with a mask for forming a pattern and etching the transparent conductive film with an etchant is preferably used. When an etchant having an etching ability is also used for the metal layer, it is preferable that the surface of the pattern wiring portion and the connection portion is also covered with a mask.
금속층이나 투명 도전막 등의 에칭에 사용되는 에천트는, 투명 도전막을 형성하는 재료에 의해 적절히 선택할 수 있다. 투명 도전막으로서 ITO 등이 사용되는 경우에는, 에천트로서 산이 바람직하게 사용된다. 산으로는, 예를 들어, 염화수소, 브롬화수소, 황산, 질산, 인산 등의 무기산, 아세트산 등의 유기산, 및 이들의 혼합물, 그리고 그들의 수용액을 들 수 있다.The etchant used for etching the metal layer, the transparent conductive film and the like can be appropriately selected depending on the material for forming the transparent conductive film. When ITO or the like is used as the transparent conductive film, an acid is preferably used as an etchant. Examples of the acid include inorganic acids such as hydrogen chloride, hydrogen bromide, sulfuric acid, nitric acid, and phosphoric acid, organic acids such as acetic acid, and mixtures thereof, and aqueous solutions thereof.
금속층은 패턴부와 비패턴부를 갖고, 금속층의 패턴부의 폭의 가장 좁은 부분이 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 40 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 세선화에 의해, 터치 패널 등의 표시 장치의 프레임 협소화가 가능해진다.The metal layer has a pattern portion and a non-pattern portion, and the narrowest portion of the width of the pattern portion of the metal layer is preferably 50 占 퐉 or less, more preferably 40 占 퐉 or less, and further preferably 30 占 퐉 or less. By such thinning, it is possible to narrow the frame of a display device such as a touch panel.
투명 도전막의 결정화는, 금속층의 제거에 의한 패턴 배선 형성 전, 패턴 배선 형성 후 투명 도전막의 제거에 의한 투명 전극 형성 전, 투명 전극 형성 후 중 어느 단계에서 실시해도 된다.The crystallization of the transparent conductive film may be carried out before forming the pattern wiring by removing the metal layer, before forming the transparent electrode by removing the transparent conductive film after forming the pattern wiring, or after forming the transparent electrode.
＜터치 센서＞<Touch sensor>
본 발명의 터치 센서는, 이상으로 서술한 금속층 적층 투명 도전성 필름을 사용한 것으로서, 저항막 방식, 정전 용량 방식의 터치 패널 등의 형태로 사용된다. 예를 들어, 금속층 적층 투명 도전성 필름은, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 터치 패널에 바람직하게 적용할 수 있다.The touch sensor of the present invention uses the above-described metal layer-laminated transparent conductive film, and is used in the form of a resistive film type or capacitive touch panel. For example, the metal layer-laminated transparent conductive film can be suitably applied to a touch panel such as a capacitive type or a resistive film type.
터치 패널의 형성시에는, 금속층 적층 투명 도전성 필름의 일방 또는 양방의 주면에 투명한 점착제층을 개재하여, 유리나 고분자 필름 등의 다른 기재 등을 첩합할 수 있다. 예를 들어, 금속층 적층 투명 도전성 필름의 투명 도전막이 형성되어 있지 않은 측의 면에 투명한 점착제층을 개재하여 투명 기체가 첩합된 적층체를 형성해도 된다. 투명 기재는, 1 장의 기체 필름으로 이루어져 있어도 되고, 2 장 이상의 기체 필름의 적층체 (예를 들어 투명한 점착제층을 개재하여 적층한 것) 여도 된다.At the time of forming the touch panel, other substrates such as glass or polymer film can be bonded to one or both main surfaces of the metal layer-laminated transparent conductive film with a transparent pressure-sensitive adhesive layer interposed therebetween. For example, a laminate in which a transparent substrate is bonded to the surface of the metal layer-laminated transparent conductive film on the side where the transparent conductive film is not formed via a transparent pressure-sensitive adhesive layer may be formed. The transparent substrate may be composed of a single substrate film or a laminate of two or more substrates (for example, a laminate of a transparent pressure-sensitive adhesive layer interposed therebetween).
본 발명에 관련된 금속층 적층 투명 도전성 필름을, 터치 패널의 형성에 사용한 경우, 터치 패널 등의 표시 장치의 프레임 협소화가 가능함과 함께, 투명 도전막의 박리에 의한 배선 트러블을 방지할 수 있다.When the metal layer-laminated transparent conductive film according to the present invention is used for forming a touch panel, it is possible to narrow the frame of a display device such as a touch panel and to prevent wiring troubles due to peeling of the transparent conductive film.
실시예Example
이하, 본 발명에 관하여 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless the gist thereof is exceeded.
＜실시예 1＞≪ Example 1 >
(하드 코트층의 형성)(Formation of hard coat layer)
두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (이하, PET 필름이라고 한다) 으로 이루어지는 투명 필름 기재의 편면에, 하드 코트층 형성용 도포액으로서 자외선 경화형 아크릴 수지 (JSR 사 제조, 품명「KZ7503」, 굴절률 1.52) 를 건조 후의 두께가 1.5 ㎛ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 3 분간 가열함으로써 도막을 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로, 적산 광량 200 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 하드 코트층을 형성하였다.An ultraviolet curing type acrylic resin (trade name "KZ7503", refractive index 1.52) was used as a coating liquid for forming a hard coat layer on one surface of a transparent film base made of a polyethylene terephthalate film (hereinafter referred to as a PET film) To a thickness of 1.5 mu m after drying, and the coating film was dried by heating at 80 DEG C for 3 minutes. Thereafter, a hard coat layer was formed by irradiating ultraviolet rays with an accumulated light quantity of 200 mJ /
(수지층의 형성)(Formation of resin layer)
자외선 경화형 아크릴 수지 (JSR 사 제조, 상품명「KZ7503」, 굴절률 1.52) 100 중량부에, 실리카 입자 (닛산 화학사 제조, 품명「PGM-ST」, 평균 입경 15 ㎚) 20 중량부를 배합하여, 수지층 형성용 도포액을 조제하였다.20 parts by weight of silica particles (product name: "PGM-ST", product name "PGM-ST", manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., average particle diameter 15 nm) were added to 100 parts by weight of an ultraviolet curing type acrylic resin (trade name "KZ7503" To prepare a coating liquid for application.
투명 필름 기재 상에 형성한 하드 코트층의 표면에 수지층 형성용 도포액을 건조 후의 두께가 40 ㎚ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 3 분간 가열함으로써 도막을 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로, 적산 광량 200 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 수지층을 형성하였다.The coating liquid for forming a resin layer was coated on the surface of the hard coat layer formed on the transparent film substrate so that the thickness after drying was 40 nm and the coating film was dried by heating at 80 캜 for 3 minutes. Thereafter, a resin layer was formed by irradiating with a high-pressure mercury lamp an ultraviolet ray having an accumulated light quantity of 200 mJ /
(투명 도전막의 형성)(Formation of transparent conductive film)
다음으로, Ar 가스 80 체적％ 및 O2 가스 20 체적％ 로 이루어지는 4 × 10-3 Torr 의 분위기 중에서, 산화인듐과 산화주석을 90 : 10 의 중량비로 갖는 소결체의 타깃 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터법에 의해, 수지층 상에 제 2 투명 도전막을 20 ㎚ 의 두께로 형성하였다 (광의 굴절률 2.00). 이 제 2 투명 도전막 상에, 산화인듐과 산화주석을 97 : 3 의 중량비로 갖는 소결체의 타깃 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터법에 의해, 제 1 투명 도전막을 4 ㎚ 의 두께로 형성하였다. 이와 같이 하여, 인듐·주석 복합 산화물로 이루어지는 투명 도전성 박막을 형성하였다.Next, using a target material of a sintered body having indium oxide and tin oxide in a weight ratio of 90: 10 in an atmosphere of 4 × 10 -3 Torr consisting of 80% by volume of Ar gas and 20% by volume of O 2 gas, a DC magnetron A second transparent conductive film was formed on the resin layer to a thickness of 20 nm (refractive index of light: 2.00) by a sputtering method. A first transparent conductive film having a thickness of 4 nm was formed on the second transparent conductive film by a DC magnetron sputtering method using a target material of a sintered body having a weight ratio of indium oxide and tin oxide of 97: 3. Thus, a transparent conductive thin film made of an indium-tin composite oxide was formed.
그 후, 상기 인듐·주석 산화물의 비정질층이 형성된 PET 필름을, 롤 to 롤 방식으로 공기 순환식 오븐에 투입하고, 150 ℃ 에서 90 분간의 가열 처리를 실시하고, 투명 도전막을 비정질로부터 결정질로 전화시켜, 투명 도전막의 표면 저항값이 150 Ω/□ 인 투명 도전성 필름을 제조하였다.Thereafter, the PET film on which the amorphous layer of indium-tin oxide was formed was placed in an air circulating oven in a roll-to-roll manner, and heat treatment was performed at 150 ° C for 90 minutes to convert the transparent conductive film from amorphous to crystalline To prepare a transparent conductive film having a surface resistance value of 150 Ω / □ of the transparent conductive film.
(금속층의 형성)(Formation of metal layer)
이 투명 도전성 필름의 제 1 투명 도전막 상에, Ar 를 도입한 감압하에서, 무산소동 타깃을 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터법에 의해, 구리층 또는 구리층을 포함하는 합금층으로 이루어지는 금속층을 150 ㎚ 의 두께로 형성하여, 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer made of an alloy layer including a copper layer or a copper layer was formed on the first transparent conductive film of this transparent conductive film by a DC magnetron sputtering method using an oxygen- So that a metal layer-laminated transparent conductive film was produced.
(금속 배선층의 형성)(Formation of metal wiring layer)
이 금속층 적층 투명 도전성 필름의 금속층 상에, 드라이 필름 레지스트 (아사히 카세이 주식회사, ATP-153) 를 레지스트막으로서 첩합하였다. 노광, 현상한 후에, 35 ℃ 로 가온한 에칭액 (ADEKA 사 제조, ITO-4400Z) 에 2 분간 침지시켜, 투명 도전막 및 금속층의 에칭 처리를 실시하고, 배선 가공을 실시하였다. 그 때, 배선폭은 50 ㎛ 및 100 ㎛ 가 되도록 패턴화하여, 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.On this metal layer of the metal layer-laminated transparent conductive film, a dry film resist (ATP-153, Asahi Kasei Corporation) was applied as a resist film. After exposure and development, the substrate was immersed in an etchant (ITO-4400Z, manufactured by ADEKA) heated to 35 占 폚 for 2 minutes to etch the transparent conductive film and the metal layer, and conduct wiring. At that time, patterning was performed so that the wiring width was 50 탆 and 100 탆, and a metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was produced.
＜실시예 2＞≪ Example 2 >
실시예 1 에 있어서, 상기 수지층 중의 실리카 입자를 30 중량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 30 parts by weight of silica particles in the resin layer were added.
＜실시예 3＞≪ Example 3 >
실시예 1 에 있어서, 상기 수지층 중의 실리카 입자를 40 중량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by weight of silica particles in the resin layer were added.
＜실시예 4＞<Example 4>
실시예 2 에 있어서, 하드 코트층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was produced in the same manner as in Example 2, except that the hard coat layer was not formed.
＜비교예 1＞≪ Comparative Example 1 &
실시예 1 에 있어서, 상기 수지층 중의 실리카 입자를 10 중량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 10 parts by weight of silica particles in the resin layer were added.
＜비교예 2＞≪ Comparative Example 2 &
실시예 1 에 있어서, 상기 수지층 중의 실리카 입자를 60 중량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that 60 parts by weight of silica particles in the resin layer were added.
＜비교예 3＞≪ Comparative Example 3 &
비교예 2 에 있어서, 하드 코트층을 형성하지 않은 것 이외에는, 비교예 2 와 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was produced in the same manner as in Comparative Example 2, except that the hard coat layer was not formed.
＜비교예 4＞≪ Comparative Example 4 &
비교예 3 에 있어서, 수지층을 형성하지 않은 것 이외에는, 비교예 3 과 동일한 방법으로 금속 배선층이 형성된 금속층 적층 투명 도전성 필름을 제조하였다.A metal layer-laminated transparent conductive film having a metal wiring layer was produced in the same manner as in Comparative Example 3, except that the resin layer was not formed.
＜평가＞<Evaluation>
(1) 산술 평균 표면 조도 Ra 의 측정(1) Measurement of arithmetic mean surface roughness Ra
SII·나노테크놀로지 (주) 제조의 주사형 프로브 현미경 (SPI3800) 을 사용하여, AFM 관찰을 실시하였다. 측정은, 컨택트 모드로, 탐침은 Si3N4 제 (스프링 상수 0.09 N/m) 를 사용하고, 1 ㎛ 평방 스캔으로 실시하여, 산술 평균 표면 조도 Ra 를 측정하였다. 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.AFM observation was performed using a scanning probe microscope (SPI3800) manufactured by SII Nanotechnology. The measurement was carried out using a contact mode and a probe made of Si 3 N 4 (spring constant 0.09 N / m) with a 1 탆 square scan, and the arithmetic mean surface roughness Ra was measured. The evaluation results are shown in Table 1.
(2) Si 의 표면 원소 비율의 측정(2) Measurement of surface element ratio of Si
가로세로 5 ㎜ 의 시료편을 준비하고, X 선 광전자 분광 분석법 (알박·파이사 제조, QuanteraSXM) 을 사용하여, X 선원에 모노크로 AlKα, X Ray setting 을 100 ㎛φ (15 ㎸, 25 W) 조건에서 측정하였다. 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.A sample piece having a width of 5 mm was prepared and a monochrome AlKa and X ray setting was applied to an X-ray source using an X-ray photoelectron spectroscopic method (QuanteraSXM, manufactured by ULVAC-PASA) at 100 mu m phi (15 kV, 25 W) Lt; / RTI > The evaluation results are shown in Table 1.
(3) 배선 박리 지점의 측정(3) Measurement of the wire peeling point
배선폭을 100 ㎛ 로 하여, 10 개 배선하였을 때에 박리 개수를 육안으로 측정하였다. 배선폭을 50 ㎛ 로 하여, 상기와 동일하게 측정하였다. 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.When the wiring width was set to 100 mu m and ten wirings were wired, the number of peeling was visually measured. The wiring width was set to 50 탆, and the same measurements as above were made. The evaluation results are shown in Table 1.
(4) 두께의 측정(4) Measurement of thickness
1.0 ㎛ 미만의 두께는, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조, 제품명「H-7650」) 을 사용하여, 투명 도전성 필름의 단면을 관찰하여 측정하였다. 1.0 ㎛ 이상의 두께는, 막후계 (Peacock 사 제조, 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다.The thickness of less than 1.0 mu m was measured by observing the cross section of the transparent conductive film using a transmission electron microscope (product name "H-7650", manufactured by Hitachi, Ltd.). The thickness of 1.0 mu m or more was measured using a film thickness meter (Digital Dial Gauge DG-205, manufactured by Peacock).
(5) 표면 저항값의 측정(5) Measurement of surface resistance value
JIS K 7194 에 준하여, 4 단자법에 의해 측정하였다.Was measured by a four-terminal method in accordance with JIS K 7194.
(결과 및 고찰)(Results and Discussion)
실시예 1 ∼ 4 에 있어서는, 배선폭 50 ㎛ 로 세선화한 경우에도, 배선 박리 지점은 없고, 투명 도전막의 박리는 보이지 않아, 양호한 결과가 얻어졌다. 이것은, 수지층의 투명 도전막 측에, 소정량의 Si 입자가 존재함으로써, 금속층을 적층하였을 때의 투명 도전막/수지층의 밀착력을 향상시킬 수 있어, 배선 트러블 (배선 박리 등) 의 발생을 억제할 수 있었던 것으로 생각된다. 한편, 비교예 1 에 있어서는, 수지층 중의 실리카 입자의 첨가량이 지나치게 적기 때문에, 투명 도전막/수지층의 계면 밀착력을 향상시킬 수 없어, 배선폭을 좁게 하면 투명 도전막이 박리되어, 배선 가공성이 불충분하였다. 또, 비교예 2 ∼ 3 에 있어서는, 수지층 중의 실리카 입자의 첨가량이 지나치게 많기 때문에, 투명 도전막이 박리되어, 배선 가공성이 불충분하였다. 또, 비교예 4 에서는, 수지층이 형성되어 있지 않기 때문에, 배선폭이 100 ㎛ 일 때조차 박리되는 결과가 되었다.In Examples 1 to 4, even when the line width was reduced to 50 占 퐉, there were no wiring peeling points, peeling of the transparent conductive film was not observed, and good results were obtained. This is because the presence of the predetermined amount of Si particles on the transparent conductive film side of the resin layer can improve the adhesion of the transparent conductive film / resin layer when the metal layer is laminated, and the occurrence of wiring troubles It is thought that it was possible to suppress. On the other hand, in Comparative Example 1, since the addition amount of the silica particles in the resin layer is too small, the interface adhesion between the transparent conductive film and the resin layer can not be improved, and if the wiring width is narrowed, the transparent conductive film is peeled off, Respectively. Further, in Comparative Examples 2 and 3, since the addition amount of the silica particles in the resin layer was excessively large, the transparent conductive film peeled off and the wiring workability was insufficient. In Comparative Example 4, since no resin layer was formed, even when the wiring width was 100 占 퐉, the result was peeled off.
1 : 투명 기재
2 : 수지층
3 : 투명 도전막
31 : 제 1 투명 도전막
32 : 제 2 투명 도전막
4 : 금속층
5 : 하드 코트층1: transparent substrate
2: resin layer
3: transparent conductive film
31: First transparent conductive film
32: second transparent conductive film
4: metal layer
5: Hard coat layer
Claims (10)
상기 수지층은, 수지 100 중량부에 대해 15 ∼ 55 중량부의 무기 산화물 입자를 함유하고,
상기 투명 도전막은, 인듐계 복합 산화물을 함유하는, 금속층 적층 투명 도전성 필름.A metal layer-laminated transparent conductive film having a resin layer, a transparent conductive film and a metal layer in this order on at least one side of a transparent substrate,
The resin layer contains 15 to 55 parts by weight of inorganic oxide particles per 100 parts by weight of the resin,
Wherein the transparent conductive film contains an indium based composite oxide.
상기 인듐계 복합 산화물은 인듐·주석 복합 산화물인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.The method according to claim 1,
Wherein the indium-based composite oxide is an indium-tin composite oxide.
상기 무기 산화물 입자는 실리카 입자인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the inorganic oxide particles are silica particles.
상기 수지층의 상기 투명 도전막 측의 면의 X 선 광전자 분광 분석법에 의한 Si 의 표면 원소 비율 (원자％) 은 0.1 원자％ ∼ 11 원자％ 인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.The method of claim 3,
Wherein a ratio (atomic percent) of the surface element of Si to the surface of the resin layer on the side of the transparent conductive film by X-ray photoelectron spectroscopy is 0.1 atomic% to 11 atomic%.
상기 수지층의 상기 투명 도전막 측의 면의 산술 평균 표면 조도 (Ra) 가 1 ㎚ 이하인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein a surface of the resin layer on the side of the transparent conductive film has an arithmetic average surface roughness (Ra) of 1 nm or less.
상기 무기 산화물 입자의 평균 입경은 10 ㎚ ∼ 60 ㎚ 인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the inorganic oxide particles have an average particle diameter of 10 nm to 60 nm.
상기 금속층은, 구리층, 구리 합금층 또는 구리층과 구리 합금층의 적층체인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the metal layer is a laminate of a copper layer, a copper alloy layer or a copper layer and a copper alloy layer.
상기 금속층은 패턴부를 갖고, 금속층의 폭의 가장 좁은 부분이 50 ㎛ 이하인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the metal layer has a pattern portion and the narrowest portion of the width of the metal layer is 50 占 퐉 or less.
상기 금속층의 두께는 100 ㎚ ∼ 200 ㎚ 인, 금속층 적층 투명 도전성 필름.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the metal layer has a thickness of 100 nm to 200 nm.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |