KR20180094562A - Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier - Google Patents

Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier Download PDF

Info

Publication number
KR20180094562A
KR20180094562A KR1020170020831A KR20170020831A KR20180094562A KR 20180094562 A KR20180094562 A KR 20180094562A KR 1020170020831 A KR1020170020831 A KR 1020170020831A KR 20170020831 A KR20170020831 A KR 20170020831A KR 20180094562 A KR20180094562 A KR 20180094562A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
noise amplifier
low noise
transistor
inductor
notch filtering
Prior art date
Application number
KR1020170020831A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김주성
Original Assignee
한밭대학교 산학협력단
한밭대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한밭대학교 산학협력단, 한밭대학교 산학협력단 filed Critical 한밭대학교 산학협력단
Priority to KR1020170020831A priority Critical patent/KR20180094562A/en
Priority to PCT/KR2018/001118 priority patent/WO2018151437A1/en
Publication of KR20180094562A publication Critical patent/KR20180094562A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

An objective of the present invention is to provide a notch filtering embedded low noise amplifier which reduces the harmonic control range of a harmonic rejection mixer by making a notch filter frequency coincide with the resonance frequency of an inductor used for impedance matching in a low noise amplifier including a degeneration inductor. The notch filtering embedded low noise amplifier includes: a transistor; a source degeneration inductor; a filter capacitor; and a load impedance.

Description

노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기{Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier}{Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier}

본 발명은 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier : LNA)에 관한 것으로, 특히 인덕터를 포함한 별도의 필터 소자를 사용하지 않고도 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기 구조를 활용하여 다른 대역의 희망하지 않는 신호를 제거함으로써, 시스템의 단순화, 고집적화, 저면적을 실현시킬 수 있는 필터 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a low noise amplifier (LNA), and more particularly to a low noise amplifier (LNA) that eliminates undesired signals of other bands by utilizing an inductor-laden low-noise amplifier structure without using a separate filter element including an inductor. To a filter device capable of realizing simplification, high integration and low area.

최근에는 통신의 발전에 따라 다양한 국제 표준들이 제정되고 있으며, 많이 사용되는 주파수 대역들을 모두 지원할 수 있는 광대역 송ㅇ수신기 시스템에 대한 수요가 늘고 있다. 이에 광대역 송ㅇ수신기 시스템에서 하모닉 제거는 일반적으로 하모닉 제거 혼합기(Harmonic Rejection Mixer)에 의지하고 있으나, 이는 제거 범위에 제한적이라는 한계가 있다. 이에 주파수의 변화가 용이한 노치 필터를 적절히 구조화하여 사용함으로써, 광대역 송ㅇ수신기 시스템의 하모닉 제거 범위를 완화 시키는 구조가 사용되고 있다. 이러한 대표적인 구조가 노치 필터링 저잡음 증폭기 구조이다.In recent years, various international standards have been established according to the development of communication, and a demand for a broadband transmission receiver system capable of supporting all the frequently used frequency bands is increasing. Therefore, the harmonic rejection in the broadband signal receiver system is generally dependent on the harmonic rejection mixer, but it is limited to the range of removal. Therefore, a structure for mitigating the harmonic elimination range of the broadband transmission receiver system is used by properly structuring and using a notch filter that can easily change the frequency. This representative structure is a notch filtering low noise amplifier structure.

도 1은 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 구조를 도시하고 있다.FIG. 1 shows the structure of an inductor-line low noise amplifier.

도 2는 도 1의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기에 노치 필터를 적용한 종래의 노치 필터링 저잡음 증폭기 구조를 도시하고 있다. FIG. 2 illustrates a conventional notch filtering LNA in which a notch filter is applied to the inductor-line low noise amplifier shown in FIG.

도 2에 도시된 바와 같이 노치 필터링 저잡음 증폭기는, 기본적으로 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기 공통 소스단(common-source)과 캐스코드(cascode)단 사이에 직렬 LC공진기를 적용하는 방법으로 이루어진다. 노치 필터링이 이루어지는 주파수와 직렬 LC공진기의 직렬 공진 주파수가 일치되도록 함으로써, 증폭 이득이 이루어지는 주파수에서 직렬 LC공진기는 이상적으로 개방회로(open-circuit)로 동작하도록 하며, 노치 필터링이 필요한 주파수에서는 직렬 LC공진기가 단락회로(short-circuit)로 동작하도록 한다. 결과적으로, 노치 필터링이 필요한 주파수에서 캐스코드(cascode)단 증폭기로 유입되는 신호를 차단하여 노치필터링 작동을 하도록 한다. As shown in FIG. 2, the notch filtering LNA is basically a method of applying a series LC resonator between a common-source and a cascode stage of an inductor-axis lossy low-noise amplifier. By ensuring that the frequency at which notch filtering is performed is matched to the series resonance frequency of the series LC resonator, the series LC resonator ideally operates at an open-circuit at the frequency at which the gain is achieved, Allowing the resonator to operate as a short-circuit. As a result, the notch filtering operation is interrupted by blocking the incoming signal to the cascode stage amplifier at frequencies where notch filtering is required.

그런데, 이와 같은 노치 필터링 저잡음 증폭기에 있어서, 직렬 공진 주파수에서 인덕터의 유한한 Q(Quality factor)로 인하여 직렬 LC공진기가 개방회로(open-circuit)로 동작하도록 합성이 불가능하므로 신호의 손실 및 잡음 지수의 증가가 불가피하며, 노치 필터링이 필요한 주파수에서 직렬 LC 공진기가 이상적으로 단락회로(short-circuit)로 동작하도록 합성 불가능하므로 필터링 제거 비율이 유한하다는 문제가 있었다.However, in such a notch filtering LNA, synthesis can not be performed so that the series LC resonator operates as an open-circuit due to a finite quality factor (Q) of the inductor at the series resonance frequency, And it is impossible to synthesize the serial LC resonator to operate in a short-circuit mode at a frequency at which notch filtering is required. Thus, there is a problem that the filtering removal ratio is finite.

또한, 이러한 노치 필터링 저잡음 증폭기 구조가 이루어지는 과정에서, 노치 필터 구현에 부피가 크고 단가가 높은 인덕터를 필요로 하고 있어, 노치 필터링 저잡음 증폭기를 포함한 반도체의 면적과 비용이 증가하는 문제점이 있었다.In addition, in the process of constructing the notch filtering LNA, an inductor having a large volume and a high unit cost is required for implementing the notch filter, and the area and cost of the semiconductor including the notch filtering low noise amplifier are increased.

1. 한국등록특허 제1102344호("노치 필터를 이용한 저잡음 증폭기,"2011.12.28.)1. Korean Patent No. 1102344 ("Low-Noise Amplifier Using Notch Filter," Dec.28, 2011)

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 안테나에서 입력되는 안테나 임피던스의 정합을 위해 필수적으로 사용되는 소스 축퇴용 인덕터를 이용하여 커패시터만을 추가로 포함하여 이루어지는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a method and apparatus for adjusting the impedance of an antenna of a conventional inductor- Noise amplifier that includes not only a capacitor but also a notch filter using an inductor for shunt generation.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 소스축퇴인덕터(Ldeg), 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)에 병렬 연결되는 필터커패시터(Cfilt), 상기 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 부하임피던스를 포함하여 이루어질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a low noise amplifier including a transistor, a source degeneration inductor (L deg ) connected to a source electrode of the transistor, and a source degeneration inductor (L deg ) connected in parallel to the source degeneration inductor A filter capacitor C filt , and a load impedance connected to the drain electrode of the transistor.

이 때, 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)와 상기 필터커패시터(Cfilt)는 병렬 LC 공진회로를 구성하며, 상기 병렬 LC 공진회로의 병렬 공진주파수에서 노치필터 특성을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.In this case, the source degeneration inductor (L deg ) and the filter capacitor (C filt ) constitute a parallel LC resonance circuit, and the notch filter characteristic is obtained at the parallel resonance frequency of the parallel LC resonance circuit.

또한 이 때, 상기 병렬 LC 공진회로는 증폭이득이 이루어지는 주파수에서 인덕터처럼(inductive) 동작하는 것을 특징으로 할 수 있다.In this case, the parallel LC resonant circuit operates in an inductive manner at a frequency at which the amplification gain is achieved.

더불어, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 신호 입력단과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 연결되는 조정인덕터(Lgate)를 더 포함하고, 안테나 임피던스의 정합을 위한 입력저항(Zinput)이 하기의 식에 의하여 구해지며, 상기 입력저항(Zinput)의 정합주파수(

Figure pat00001
)는 상기 조정인덕터(Lgate)에 의해 조정되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the notch filtering internalized low noise amplifier further includes an adjusting inductor (L gate ) connected between the signal input terminal and the gate electrode of the transistor, and an input resistance (Z input ) for matching the impedance of the antenna is expressed by the following equation , And the matching frequency of the input resistor (Z input )
Figure pat00001
) Is adjusted by the adjusting inductor (L gate ).

Figure pat00002
Figure pat00002

(여기에서,

Figure pat00003
은 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기의 입력저항,
Figure pat00004
은 상기 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스,
Figure pat00005
는 상기 소스축퇴인덕터,
Figure pat00006
는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 존재하는 기생커패시터,
Figure pat00007
는 상기 정합주파수,
Figure pat00008
는 상기 조정인덕터)(From here,
Figure pat00003
The input resistance of the notch filtering internalized low noise amplifier,
Figure pat00004
The transconductance of the transistor,
Figure pat00005
The source degeneration inductor,
Figure pat00006
A parasitic capacitor between the gate electrode and the source electrode of the transistor,
Figure pat00007
Lt; RTI ID = 0.0 > frequency,
Figure pat00008
The adjusting inductor)

이 때, 상기 부하임피던스는, 인덕터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.In this case, the load impedance may include an inductor.

또한, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기의 상기 부하임피던스는, 병렬 연결된 인덕터와 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the load impedance of the notch-filtering internalized low-noise amplifier may include a parallel-connected inductor and a capacitor.

또한, 상기 노치 피터링 내재화한 저잡음 증폭기의 상기 부하임피던스는, 저항(

Figure pat00009
)을 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, the load impedance of the low noise amplifier which is internalized by the notch filter ring is determined by a resistance
Figure pat00009
). ≪ / RTI >

더불어, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 상기 트랜지스터로 유입되는 유효전력(

Figure pat00010
)은 신호가 유입되는 주파수에서 최대가 되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the notch-filtering internalized low-noise amplifier may be configured such that the active power
Figure pat00010
) Is maximized at the frequency at which the signal is introduced.

또한, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 상기 트랜지스터로 유입되는 유효전력(

Figure pat00011
)이 노치 필터링이 이루어지는 주파수에서 최소가 되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the notch-filtering internalized low-noise amplifier may further include:
Figure pat00011
Is minimized at the frequency at which the notch filtering is performed.

더불어, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 상기 트랜지스터의 드레인과 상기 부하임피던스 사이에 공통-게이트 트랜지스터가 더 포함되는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the notch filtering internalized low noise amplifier may further include a common-gate transistor between the drain of the transistor and the load impedance.

본 발명에 의하면, 저비용ㅇ소형화로 이루어진 광대역 송수신 시스템에 있어서 원하지 않는 주파수 성분의 제거 기능을 가짐으로써 채널 적응형 송수신 시스템(Cognitive Radio), 소프트웨어 정의형 송수신 시스템(Software Defined Radio), 다중밴드 송수신 시스템(Multi-band transceiver System)분야에서 적용 및 응용이 가능하다. According to the present invention, a wideband transmission / reception system of a low cost and a miniaturization has a function of removing an undesired frequency component, so that a channel adaptive transmission / reception system (Cognitive Radio), a software defined type transmission / (Multi-band transceiver system).

특히 고성능 RF 수신기 IC 솔루션 통해 민수용/군용 차세대 이동통신에 광범위 적용이 가능하며, 다중 대역의 기저대역ㅇRFㅇ안테나 일체형 모듈과 소형셀 중심의 백홀 네트워크 기반기지국에 활용 가능하다는 큰 효과가 있다. 보다 구체적으로 설명하자면, 노치 주파수의 변화가 용이하여 하모닉 뿐만 아니라 여타 주파수의 제거를 가능하도록 하여 줌으로써, 하모닉 제거 혼합기(Harmornic Rejection Mixer)의 하모닉 제어 범위를 완화시킬 수 있으며, 필터를 위해 추가적인 수동소자(특히 넓은 면적을 차지하며 단가가 높은 인덕터)를 불필요하게 되어 반도체의 면적을 줄이고 비용을 절감할 수 있으며, 결과적으로 상술한 바와 같은 민수용/군용 차세대 이동통신 분야, 다중 대역의 기저대역ㅇRFㅇ안테나 일체형 모듈 및 소형셀 중심의 백홀 네트워크 기반기지국에 광범위하게 활용할 수 있는 것이다. Especially, it can be widely applied to civil / military next generation mobile communication through high performance RF receiver IC solution, and it can be applied to multi-band base band o RF antenna integrated module and small cell based backhaul network base station. More specifically, it is possible to easily change the notch frequency, thereby enabling not only the harmonic but also the other frequencies to be eliminated, thereby relaxing the harmonic control range of the harmonic rejection mixer, (Particularly, a large area and high cost inductors) is not required, which can reduce the area of the semiconductor and reduce the cost. As a result, the RF / Antenna integrated module and a small-cell-based backhaul network-based base station.

도 1은 종래기술에 따른 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기 회로도이다.
도 2는 종래기술에 따른 노치 필터링 저잡음 증폭기 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기를 나타낸 회로도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기를 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기를 나타낸 회로도이다.FIG. 1 is a circuit diagram of an inductor-shunt type low noise amplifier according to the related art.
2 is a circuit diagram of a conventional notch filtering low noise amplifier.
3 is a circuit diagram illustrating a notch filtering internalized low noise amplifier according to a first embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram showing a notch filtering internalized low noise amplifier according to a second embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram illustrating a notch filtering internalized low noise amplifier according to a third embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram showing a notch filtering internalized low noise amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the technical concept of the present invention, are incorporated in and constitute a part of the specification, and are not intended to limit the scope of the present invention.

본 발명의 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 소스축퇴인덕터(Ldeg)를 포함하여 이루어지는 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기에서 주파수 제거를 위해 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)와 필터커패시터(Cfilt)를 병렬 연결하여 노치 필터링 동작이 가능하도록 이루어진 저잡음 증폭기이다.Notch filtering internalize a low-noise amplifier of the present invention, with the source degeneration inductor (L deg) for frequencies removed from the existing inductors axis toehyeong low noise amplifier comprises a source degeneration inductor (L deg) which is connected to the source electrode of the transistor And a filter capacitor (C filt ) connected in parallel to enable notch filtering operation.

즉, 본 발명의 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 기본적으로 상기 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기에 구비되는 것이라는 점이 전제된다. 이러한 관점에서, 먼저 상기 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 구체적인 구성과 기능을 먼저 설명한다. That is, it is presupposed that the low-noise amplifier which is internalized by the notch filtering of the present invention is basically provided in the conventional inductor-pinned low-noise amplifier. From this point of view, the specific configuration and function of the conventional inductor-pinned LNA will be described first.

상기 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기는 도 1에 도시된 바와 같이, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 조정인덕터(Lgate), 상기 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 부하임피던스, 상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 소스축퇴인덕터(Ldeg), 상기 트랜지스터의 게이트와 소스간에 존재하는 기생커패시턴스(Cgs)를 포함하여 이루어지며, 상기 부하임피던스는 부하인덕터(Lload)로 할 수 있다.As shown in Figure is the existing inductors axis toehyeong low noise amplifier 1, a transistor, adjusting inductor (L gate) coupled to the gate electrode of the transistor, a load impedance connected to the drain electrode of the transistor, the source electrode of the transistor a source degeneration inductor (L deg) which is connected to, is made to include the parasitic capacitance (C gs) existing between the gate and the source of the transistor, the load impedance can be a load inductor (L load).

상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 소스축퇴인덕터(Ldeg)는 상기 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 입력저항(Zinput)에 실수 부분의 합성을 수행하기 위해 구비된 것으로서, 안테나와 저잡음 증폭기간의 임피던스 정합(Impedance Matching)을 위해 필수적이다. 즉, 안테나에서 입력되는 안테나 임피던스와 임피던스 정합(Impedance Matching)을 위한 입력저항(Zinput)의 식은 하기의 수학식 1과 같이 구해지며, 상기 입력저항(Zinput)의 합성이 이루어지는 정합주파수(

Figure pat00012
)는 상기 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 조정인덕터(Lgate)에 의해 조정이 이루어진다.The source degeneration inductor (L deg ) connected to the source electrode of the transistor is provided to perform a synthesis of a real part of the input resistance (Z input ) of the inductor-line depletion-type low-noise amplifier, and the impedance matching between the antenna and the low- Impedance Matching. That is, the formula of the impedance of the antenna input from the antenna and the input resistance (Z input ) for impedance matching is obtained as shown in Equation 1 below, and the matching frequency (Z input )
Figure pat00012
) Is controlled by an adjusting inductor (L gate ) connected to the gate electrode of the transistor.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00013
Figure pat00013

수학식1에서,

Figure pat00014
은 상기 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 입력저항,
Figure pat00015
은 상기 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스,
Figure pat00016
는 상기 소스축퇴인덕터,
Figure pat00017
는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 존재하는 기생커패시터,
Figure pat00018
는 상기 정합주파수,
Figure pat00019
는 상기 조정인덕터이다.In Equation (1)
Figure pat00014
The input resistance of the inductor LSI low noise amplifier,
Figure pat00015
The transconductance of the transistor,
Figure pat00016
The source degeneration inductor,
Figure pat00017
A parasitic capacitor between the gate electrode and the source electrode of the transistor,
Figure pat00018
Lt; RTI ID = 0.0 > frequency,
Figure pat00019
Is the adjusting inductor.

상기 임피던스 정합(Impedance Matching)은 고주파에서 상기 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기로 유입되는 전력을 최대화하기 위한 것으로서, 상기 임피던스 정합(Impedance Matching)이 잘 이루어졌는지 여부는 하기의 수학식 2와 같이 구해질 수 있다. Impedance Matching is to maximize the power flowing into the conventional inductor-shaft-type LNA from a high frequency. Whether or not the impedance matching is well performed can be obtained by Equation (2) below. ≪ EMI ID = .

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00020
Figure pat00020

수학식2에서,

Figure pat00021
는 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로 유입되는 유효전력,
Figure pat00022
는 안테나로부터 유입되는 유효전력,
Figure pat00023
은 상기 입력저항(Zinput)과 안테나 에서 입력되는 상기 안테나 임피던스(
Figure pat00024
) 간의 정합 정도를 나타내는 지수로서 아래의 수학식 3으로 나타내어 질 수 있다.In Equation (2)
Figure pat00021
The active power flowing into the gate electrode of the transistor,
Figure pat00022
Is the effective power flowing from the antenna,
Figure pat00023
(Z input ) and the impedance of the antenna input from the antenna
Figure pat00024
), Which can be expressed by the following Equation (3). &Quot; (3) "

[수학식 3]&Quot; (3) "

Figure pat00025
Figure pat00025

예컨대, 상기 주파수(

Figure pat00026
)에서 상기 입력저항(Zinput)이 안테나 에서 입력되는 상기 안테나 임피던스(
Figure pat00027
)에 정합이 완전히 이루어졌을 경우
Figure pat00028
의 값은'0'이 되며, 상기 안테나로부터 유입되는 유효전력(
Figure pat00029
)대비 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로 유입되는 유효전력(
Figure pat00030
)은 '1'이 된다. 즉, 상기 안테나로부터 유입되는 유효전력(
Figure pat00031
)과 상기 트랜지스터의 게이트 전극으로 유입되는 유효전력(
Figure pat00032
)이 같아, 손실전력이 0[W]이 되도록 상기 정합주파수(
Figure pat00033
)에서 상기 임피던스 정합(Impedance Matching)이 이루어져야함을 알 수 있다.For example,
Figure pat00026
The input resistance (Z input ) is the impedance of the antenna
Figure pat00027
) Is fully matched
Figure pat00028
The value of " 0 " becomes " 0 &
Figure pat00029
) Of the active power flowing into the gate electrode of the transistor
Figure pat00030
) Becomes " 1 ". That is, the effective power ("
Figure pat00031
) And the effective power flowing into the gate electrode of the transistor (
Figure pat00032
) Is the same and the loss power is 0 [W]
Figure pat00033
It is understood that the impedance matching should be performed.

이와 같이 이루어지는 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기에 있어서, 주파수의 변화가 용이한 노치필터를 적절히 구조화하여 사용함으로써, 광대역 송ㅇ수신기 시스템의 하모닉 제거 범위를 완화 시키려는 시도가 있었다. An attempt has been made to relax the harmonic elimination range of the broadband transmission receiver system by appropriately structuring and using a notch filter that can easily change the frequency in the conventional inductor LSI low noise amplifier.

도 2는 바로 이러한 종래의 노치필터를 적절히 구조화한 노치필터링 저잡음 증폭기를 도시한 것이다. FIG. 2 shows a notch filtering low noise amplifier that is structured properly of this conventional notch filter.

그런데, 이와 같은 노치 필터링 저잡음 증폭기에 있어서, 직렬 공진 주파수에서 인덕터의 유한한 Q(Quality factor)로 인하여 직렬 LC공진기가 개방회로(open-circuit)로 동작하도록 합성이 불가능하므로 신호의 손실 및 잡음 지수의 증가가 불가피하며, 노치 필터링이 필요한 주파수에서 직렬 LC 공진기가 이상적으로 단락회로(short-circuit)로 동작하도록 합성 불가능하므로 필터링 제거 비율이 유한하다는 문제가 있다. However, in such a notch filtering LNA, synthesis can not be performed so that the series LC resonator operates as an open-circuit due to a finite quality factor (Q) of the inductor at the series resonance frequency, And it is impossible to synthesize the serial LC resonator to operate in a short-circuit mode at a frequency at which notch filtering is required. Therefore, there is a problem that the filtering removal ratio is finite.

또한, 이러한 노치 필터링 저잡음 증폭기 구조가 이루어지는 과정에서, 노치 필터 구현에 부피가 크고 단가가 높은 인덕터를 필요로 하고 있어, 노치 필터링 저잡음 증폭기를 포함한 반도체의 면적과 비용이 증가하는 문제점이 있다.In addition, in the process of fabricating the notch filtering low noise amplifier, there is a problem that the area and cost of the semiconductor including the notch filtering low noise amplifier are increased because the notch filter is bulky and requires a high unit price inductor.

따라서, 본 발명에서는 상술한 문제를 해결하기 위하여, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)에 상기 필터커패시터(Cfilt)를 병렬로 구비시킨다. 보다 구체적으로는, 본 발명의 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 상기 축퇴형 인덕터 저잡음 증폭기의 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)와 병렬 LC 공진회로를 구성하도록 일단은 상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되며 타단이 접지에 연결되는 상기 필터커패시터(Cfilt)를 포함하여 이루어진다. 즉, 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)는 상기 병렬 LC 공진회로로 치환되어, 상기 병렬 LC 공진회로의 병렬 공진주파수에서 노치필터 특성을 갖도록 이루어진다.Accordingly, in order to solve the above-described problem, in the present invention, as shown in FIG. 3, the filter capacitor C filt is provided in parallel in the source degeneration inductor L deg connected to the source electrode of the transistor. More specifically, the notch-filtering internalized low-noise amplifier of the present invention is connected to the source electrode of the transistor so as to constitute a parallel LC resonance circuit with the source degeneration inductor (L deg ) of the axis-cast inductor LNA, And the filter capacitor ( Cfil ) connected to the ground. In other words, the source degeneration inductor (L deg ) is replaced with the parallel LC resonant circuit, and has the notch filter characteristic at the parallel resonant frequency of the parallel LC resonant circuit.

본 발명에서와 같이 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)와 상기 필터커패시터(Cfilt)가 상기 병렬 LC 공진회로를 이루어 회로가 구비되면, 상기병렬 LC 공진회로는 증폭이득이 이루어지는 주파수에서 인덕터처럼(inductive) 동작하므로 상술한 기존의 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기와 동일한 원리로 동작할 수 있게 된다. 즉, 안테나에서 입력되는 상기 안테나 임피던스와 임피던스 정합(Impedance Matching)을 위한 본 발명 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기의 입력저항은, 상기 인덕터 축퇴형 저잡음 증폭기의 입력저항과 같고, 따라서 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기의 입력저항(Zinput)의 식은 상기의 수학식 1과 같이 구해진다. 이 때 상기 입력저항(Zinput)의 합성이 이루어지는 정합주파수(

Figure pat00034
)는 상기 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 상기 조정인덕터(Lgate)에 의해 조정이 이루어진다. If the source degeneration inductor (L deg ) and the filter capacitor (C filt ) are formed by the parallel LC resonance circuit, as in the present invention, the parallel LC resonance circuit is inductively inductive ), It is possible to operate on the same principle as the above-described conventional inductor lossy low noise amplifier. That is, the input resistance of the inventive notch filtering internalized low noise amplifier for impedance matching with the antenna impedance input to the antenna is the same as the input resistance of the inductor axis removable low noise amplifier, and thus the notch filtering internalized low noise The formula of the input resistance (Z input ) of the amplifier is obtained as shown in Equation (1). At this time, the matching frequency at which the input resistance (Z input )
Figure pat00034
Is controlled by the regulating inductor (L gate ) connected to the gate electrode of the transistor.

또한, 상기 임피던스 정합(Impedance Matching)은 고주파에서 저잡음 증폭기로 유입되는 전력을 최대화하기 위한 것으로서, 상기 정합주파수(

Figure pat00035
)에서 상기 임피던스 정합(Impedance Matching)이 잘 이루어졌는지 여부는 상기의 수학식 2 및 수학식 3과 같이 구해질 수 있다. The impedance matching is to maximize the power flowing from the high frequency to the low noise amplifier,
Figure pat00035
, It is possible to determine whether or not the impedance matching is well performed according to Equation (2) and Equation (3).

따라서, 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 신호의 유입이 이루어지는 주파수에서 상기 임피던스 정합(Impedance Matching)이 이루어져야하고, 이 때 상기 트랜지스터로 유입되는 유효 전력(

Figure pat00036
)이 최대가 되며, 이는 상술한 바와 같이 상기 수학식 2 및 수학식 3에서 알 수 있다.Therefore, the notch filtering internalized low noise amplifier of the present invention must perform the impedance matching at a frequency at which a signal is input, and at this time, the effective power
Figure pat00036
) Becomes maximum, which can be seen from the above-described Equations 2 and 3 as described above.

또한, 노치 필터링이 필요한 주파수에서 저잡음 증폭기로 유입되는 전력(

Figure pat00037
)이 최소화 되도록 상기 병렬 LC 공진회로의 상기 필터커패시터(Cfilt)와 상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)가 상기 노치 필터링이 필요한 주파수에서 병렬 공진을 일으키도록 이루어진다. 이 때 트랜지스터의 소스 부분이개방회로(open-circuit)화 됨으로써 상기 입력저항(Zinput)의 값 역시 매우 크게 된다. 이에 따라 상기의 수학식 2에서
Figure pat00038
값은 0이 되며 저잡음 증폭기로 유입되는 신호는 차단되게 된다.In addition, the power input to the low noise amplifier at frequencies where notch filtering is required (
Figure pat00037
So that the filter capacitor C filt and the source degeneration inductor L deg of the parallel LC resonant circuit are caused to exhibit parallel resonance at a frequency at which the notch filtering is required. At this time, since the source portion of the transistor is open-circuited, the value of the input resistance (Z input ) becomes very large. Accordingly, in Equation (2)
Figure pat00038
The value becomes 0 and the signal input to the low noise amplifier is cut off.

이 때 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 상기 트랜지스터로 유입되는 노치 필터링이 필요한 주파수의 간섭신호(Interfernece)를 차단하므로 상기 트랜지스터의 선형성이 증가하는 특징을 갖게 된다. At this time, the notch filtering internalized low noise amplifier according to the present invention has a feature that the linearity of the transistor is increased because it interferes with an interference signal of a frequency which is required to be notch filtered into the transistor.

한편, 상기 부하임피던스는 저잡음 증폭기의 전류 ?? 전압 변환을 위해 상기 부하인덕터(Lload)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 부하임피던스는 병렬 연결된 인덕터와 커패시터로 구비될 수 있으며, 저항으로 구비되어 이루어질 수 있다.On the other hand, the load impedance is the current of the low noise amplifier. And the load inductor (L load ) for voltage conversion. In addition, the load impedance may be a parallel-connected inductor and a capacitor, or may be a resistor.

또한, 상기 부하임피던스는 상기 부하인덕터(Lload)에 인덕터, 커패시턴스 또는 저항 등을 추가로 합성하여 이루어 질 수 있으며, 이 때 합성 형태에 따라 다중차수필터(multi-order-filter)로 동작 가능하다. Also, the load impedance may be obtained by further synthesizing an inductor, a capacitance, or a resistor to the load inductor (L load ). In this case, the load impedance may be a multi-order-filter .

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기 회로를 도시하고 있다. 4 shows a notch filtering internalized low noise amplifier circuit according to a second embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 저잡음 증폭기의 역방향 차단 성능(reverse isolation,

Figure pat00039
)을 향상시키기 위하여, 상기 트랜지스터의 드레인과 상기 부하인덕터(Lload)사이에 공통-게이트 트랜지스터를 더 포함하여 구성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the notch filtering internalized low noise amplifier of the present invention includes a reverse isolation function of a low noise amplifier,
Figure pat00039
A common-gate transistor may be further provided between the drain of the transistor and the load inductor (L load ).

역방향 차단 성능(reverse isolation,

Figure pat00040
)이란, 출력 포트에서 입력 포트로 전입되는 신호의 크기를 나타내는 지표이다. 보다 구체적으로, 출력 포트에서 입력 포트로 전입되는 신호의 크기가 높을 경우 시스템의 안전성(stability) 및 저잡음 증폭기의 여러 성능(증폭이득, 임피던스 매칭)이 열화될 수 있다. 따라서, 출력 포트에서 입력 포트로 전입되는 신호를 차단할 필요성이 있고, 출력 포트에서 입력 포트로 전입되는 신호를 차단하는 능력을 역방향 차단 성능(reverse isolation,
Figure pat00041
)이라한다. Reverse isolation (reverse isolation,
Figure pat00040
) Is an index indicating the size of the signal transferred from the output port to the input port. More specifically, stability of the system and various performances of the low noise amplifier (amplification gain, impedance matching) may be degraded when the signal transferred from the output port to the input port is high. Therefore, there is a need to block the signal transferred from the output port to the input port, and the ability to block the signal transferred from the output port to the input port is called reverse isolation,
Figure pat00041
).

이 때 상기 출력 포트에서 입력 포트로 전입되는 신호의 크기가 최소화 될 경우, 다시 말하자면, 상기 역방향 차단 성능(reverse isolation,

Figure pat00042
)이 향상될 경우, 상기 저잡음 증폭기의 안정도(stability)는 향상되며, 상기 트랜지스터의 게이트- 드레인 간의 기생커패시턴스(Cgs)로 인해 발생하는 저잡음 증폭기의 성능 (증폭이득, 안테나에서 입력되는 안테나 임피던스, 임피던스매칭)열화를 방지할 수 있다.In this case, when the size of a signal transferred from the output port to the input port is minimized, in other words, the reverse isolation performance
Figure pat00042
The stability of the low noise amplifier is improved and the performance of the low noise amplifier caused by the parasitic capacitance C gs between the gate and the drain of the transistor (amplification gain, antenna impedance input from the antenna, Impedance matching) degradation can be prevented.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기 회로를 도시하고 있다.  Figure 5 illustrates a notch filtering internalized low noise amplifier circuit according to a third embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 공통-게이트 트랜지스터를 더 포함하는 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 상기 부하인덕터(Lload)에 인덕터, 커패시턴스 또는 저항 등을 추가로 합성하여 이루어 질 수 있으며, 합성 형태에 따라 다중차수필터(multi-order-filter)로 동작 가능하다. As shown in FIG. 5, the notch filtering internalized low noise amplifier of the present invention, which further includes the common-gate transistor, may be formed by additionally adding inductors, capacitances or resistors to the load inductor (L load ) And can operate as a multi-order filter according to the synthesis type.

따라서, 상기 공통-게이트 트랜지스터를 더 포함하는 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 상기 부하인덕터(Lload)와 병렬 공진을 이루는 커패시터를 더 포함하여 이루어질 수 있다.Therefore, the notch filtering internalized low noise amplifier of the present invention, which further includes the common-gate transistor, may further include a capacitor in parallel resonance with the load inductor (L load ).

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기 회로를 도시하고 있다.  6 shows a notch filtering internalized low noise amplifier circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 공통-게이트 트랜지스터를 더 포함하는 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는 상기 부하인덕터(Lload)대신 저항(

Figure pat00043
)을 포함하여 구성될 수 있다.6, the said common-the notch filter internalized by the low noise amplifier of the present invention further comprises a gate transistor resistance instead of the load inductor (L load) (
Figure pat00043
). ≪ / RTI >

이 때 상기 공통-게이트 트랜지스터를 더 포함하는 본 발명의 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는, 출력 성분의 부하 성분으로 상기 저항(

Figure pat00044
)이 사용됨으로써, 고주파에서의 여러 기타 기생 커패시턴스로 인한 low-pass 특성을 보이게 된다.In this case, the notch-filtering internalized low noise amplifier of the present invention, which further includes the common-gate transistor,
Figure pat00044
) Is used, it exhibits low-pass characteristics due to various other parasitic capacitances at high frequencies.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It goes without saying that various modifications can be made.

Lgate: 조정인덕터
Lload: 부하인덕터
Ldeg: 소스축퇴인덕터
Cgs: 기생커패시턴스
Cfilt: 필터커패시턴스L gate : regulated inductor
L load : Load inductor
L deg : Source degeneration inductor
C gs : parasitic capacitance
C filt : filter capacitance

Claims (10)

트랜지스터;
상기 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는 소스축퇴인덕터(Ldeg);
상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)에 병렬 연결되는 필터커패시터(Cfilt);
상기 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 부하임피던스;
를 포함하는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
transistor;
A source degeneration inductor (L deg ) connected to a source electrode of the transistor;
A filter capacitor ( Cfil ) connected in parallel to the source degeneration inductor (L deg );
A load impedance connected to a drain electrode of the transistor;
Notch filtering, internal low noise amplifier.
제 1항에 있어서,
상기 소스축퇴인덕터(Ldeg)와 상기 필터커패시터(Cfilt)는 병렬 LC 공진회로를 구성하며, 상기 병렬 LC 공진회로의 병렬 공진주파수에서 노치필터 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
The method according to claim 1,
Characterized in that the source degeneration inductor (L deg ) and the filter capacitor (C filt ) constitute a parallel LC resonant circuit and have a notch filter characteristic at the parallel resonant frequency of the parallel LC resonant circuit. The notch filtering internalized low noise amplifier .
제 2항에 있어서,
상기 병렬 LC 공진회로는 증폭이득이 이루어지는 주파수에서 인덕터처럼(inductive) 동작하는 것을 특징으로 하는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
3. The method of claim 2,
Wherein said parallel LC resonant circuit operates inductively at a frequency at which amplification gain occurs.
제 1항에 있어서, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는,
신호 입력단과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 연결되는 조정인덕터(Lgate)를 더 포함하고,
안테나 임피던스의 정합을 위한 입력저항(Zinput)이 하기의 식에 의하여 구해지며,
상기 입력저항(Zinput)의 정합주파수(
Figure pat00045
)는 상기 조정인덕터(Lgate)에 의해 조정되는 것을 특징으로 하는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
Figure pat00046

(여기에서,
Figure pat00047
은 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기의 입력저항,
Figure pat00048
은 상기 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스,
Figure pat00049
는 상기 소스축퇴인덕터,
Figure pat00050
는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 존재하는 기생커패시터,
Figure pat00051
는 상기 정합주파수,
Figure pat00052
는 상기 조정인덕터)
The low noise amplifier according to claim 1, wherein the notch filtering internalized low-
Further comprising an adjusting inductor (L gate ) connected between a signal input and a gate electrode of the transistor,
An input resistance (Z input ) for matching antenna impedances is obtained by the following equation,
The matching frequency of the input resistor (Z input )
Figure pat00045
) Is regulated by the regulating inductor (L gate ).
Figure pat00046

(From here,
Figure pat00047
The input resistance of the notch filtering internalized low noise amplifier,
Figure pat00048
The transconductance of the transistor,
Figure pat00049
The source degeneration inductor,
Figure pat00050
A parasitic capacitor between the gate electrode and the source electrode of the transistor,
Figure pat00051
Lt; RTI ID = 0.0 > frequency,
Figure pat00052
The adjusting inductor)
제 1항에 있어서, 상기 부하임피던스는,
인덕터를 포함하여 이루어진 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
2. The load impedance circuit according to claim 1,
An internal low noise amplifier with notch filtering including an inductor.
제 1항에 있어서, 상기 부하임피던스는,
병렬 연결된 인덕터와 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 노치필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
2. The load impedance circuit according to claim 1,
A notch filtering internal low noise amplifier characterized by comprising inductors and capacitors connected in parallel.
제 1항에 있어서, 상기 부하임피던스는,
저항(
Figure pat00053
)을 포함하여 이루어진 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기.
2. The load impedance circuit according to claim 1,
resistance(
Figure pat00053
) Notch filtered internal low noise amplifier.
제 1항에 있어서, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는,
상기 트랜지스터로 유입되는 유효전력(
Figure pat00054
)은 신호가 유입되는 주파수에서 최대가 되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
The low noise amplifier according to claim 1, wherein the notch filtering internalized low-
The effective power flowing into the transistor (
Figure pat00054
≪ / RTI > is at a maximum at the frequency at which the signal is introduced.
제 1항에 있어서, 상기 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기는,
상기 트랜지스터로 유입되는 유효전력(
Figure pat00055
)이 노치 필터링이 이루어지는 주파수에서 최소가 되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
The low noise amplifier according to claim 1, wherein the notch filtering internalized low-
The effective power flowing into the transistor (
Figure pat00055
) Is at a minimum at the frequency at which notch filtering is performed.
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜지스터의 드레인과 상기 부하임피던스 사이에 공통-게이트 트랜지스터가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 노치 필터링 내재화한 저잡음 증폭기. 10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Further comprising a common-gate transistor between the drain of the transistor and the load impedance. ≪ Desc / Clms Page number 21 >
KR1020170020831A 2017-02-16 2017-02-16 Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier KR20180094562A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170020831A KR20180094562A (en) 2017-02-16 2017-02-16 Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier
PCT/KR2018/001118 WO2018151437A1 (en) 2017-02-16 2018-01-25 Low-noise amplifier equipped with notch filtering

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170020831A KR20180094562A (en) 2017-02-16 2017-02-16 Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180094562A true KR20180094562A (en) 2018-08-24

Family

ID=63170313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170020831A KR20180094562A (en) 2017-02-16 2017-02-16 Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20180094562A (en)
WO (1) WO2018151437A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111525894A (en) * 2020-06-08 2020-08-11 北京富奥星电子技术有限公司 Radio frequency low noise amplifier with broadband and high interference elimination capability
WO2021109660A1 (en) * 2019-12-02 2021-06-10 广州慧智微电子有限公司 Amplifier and amplification method
WO2024143756A1 (en) * 2022-12-30 2024-07-04 충남대학교산학협력단 Amplifier

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110138350A (en) * 2019-04-30 2019-08-16 杭州中科微电子有限公司 A kind of power amplifier with harmonic suppression circuit
CN113783538B (en) * 2021-09-13 2023-08-18 东南大学 CMOS low noise amplifier
CN114244289A (en) * 2021-12-13 2022-03-25 电子科技大学 High-stability low-noise amplifier based on common-gate transconductance enhancement structure
CN114793093B (en) * 2022-04-28 2024-04-12 西安工程大学 Ultra-wideband protocol low-noise amplifier with anti-interference function
US20240223131A1 (en) * 2022-12-28 2024-07-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Lna architecture with configurable feedback filtering

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101273540A (en) * 2005-09-26 2008-09-24 格罗纳乌有限公司 Multistage resonant amplifier system and method
KR100789918B1 (en) * 2006-03-16 2008-01-02 한국전자통신연구원 Input matching circuit for ultra-wideband low noise amplifier
KR100860794B1 (en) * 2007-05-18 2008-09-29 중앙대학교 산학협력단 Dual-band low noise amplifier
KR101102344B1 (en) * 2008-12-29 2012-01-03 한국과학기술원 Low noise amplifier using notch filter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021109660A1 (en) * 2019-12-02 2021-06-10 广州慧智微电子有限公司 Amplifier and amplification method
CN111525894A (en) * 2020-06-08 2020-08-11 北京富奥星电子技术有限公司 Radio frequency low noise amplifier with broadband and high interference elimination capability
CN111525894B (en) * 2020-06-08 2023-04-04 北京富奥星电子技术有限公司 Radio frequency low noise amplifier with broadband and high interference elimination capability
WO2024143756A1 (en) * 2022-12-30 2024-07-04 충남대학교산학협력단 Amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018151437A1 (en) 2018-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180094562A (en) Notch Filtering Embedded Low Noise Amplifier
US11923322B2 (en) Integrated tunable filter architecture
US8514021B2 (en) Radio frequency integrated circuit
US7266360B2 (en) Low noise amplifier for wireless communications
US7555278B2 (en) Unconditionally stable filter
US7440729B2 (en) Apparatus, methods and articles of manufacture for output impedance matching using multi-band signal processing
KR20130069443A (en) System and method for an rf receiver
CN107565912B (en) Low-noise amplifier circuit with interference suppression
KR20140085335A (en) Semiconductor device and adjustment method of filter circuit
EP2710728A1 (en) Radio frequency integrated circuit
JP2009530939A (en) Transmitter, power amplifier, and filtering method
US11750167B2 (en) Apparatus for radio-frequency matching networks and associated methods
US20090058755A1 (en) Antenna device and electronic device using the same
US10886895B2 (en) Ladder-type frequency-variable filter, multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication terminal
KR20040033047A (en) Active tunable filter circuit
JP2009253785A (en) Multiband high-frequency power amplifier
US10396748B2 (en) Linear, low noise, high Q and widely tunable notch filter
KR101102344B1 (en) Low noise amplifier using notch filter
US20070054647A1 (en) Circuit and method for filtering a radio frequency signal
KR101097088B1 (en) bias circuit
Barth et al. A double notch RF filter architecture for SAW-less GPS receivers
US11757430B2 (en) Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
GB2490995A (en) LNAs adaptable between inductively degenerated and internal impedance matching configurations
Ma et al. A 7.27 GHz ${\rm Q} $-Enhanced Low Noise Amplifier RFIC With 70 dB Image Rejection Ratio
CN110661494A (en) High-frequency amplifier circuit and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application