KR20180075826A - 대화면 디스플레이용 분할형 tft 소자 구조 및 그의 불량 tft 처리 방법 - Google Patents

대화면 디스플레이용 분할형 tft 소자 구조 및 그의 불량 tft 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조 및 그의 불량 TFT 처리 방법에 관한 것이다. 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 본 발명은 화소를 구성하는 TFT를 복수의 단위 TFT로 분할하고 서로 병렬로 연결하고, 단위 TFT들 중에서 불량이 발생된 단위 TFT가 존재할 경우, 불량이 발생된 해당 TFT만의 병렬 연결을 해제함으로써, 해당 TFT가 불량화소가 되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 불량 화소에 따른 수율 저하를 개선할 수 있다.

Description

대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조 및 그의 불량 TFT 처리 방법{Split type TFT element structure for large scale display and processing method of bad TFT thereof}
본 발명은 대화면 디스플레이 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대화면 디스플레이의 능동 구동을 위한 화소 설계에 있어서 수율을 높이기 위한 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조 및 그의 불량 TFT 처리 방법에 관한 것이다.
비디오 월, 퍼블릭 디스플레이 등과 같은 대화면 디스플레이의 경우, 화소 면적이 크다. 능동 매트릭스 전류 구동 방식의 경우, 화면 면적에 비례하여 전류량이 증가하게 된다. 이를 위해서 TFT의 크기를 크게 설계해야 하기 때문에, 이로 인해 TFT의 불량이 발생할 확률도 높아진다.
도 1은 기존의 대화면 디스플레이의 TFT 소자 구조를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기존의 대화면 디스플레이의 TFT 소자 구조(T)는 게이트(10), 소스(20) 및 드레인(30)으로 구성된다. 기존의 대화면 디스플레이의 TFT 소자 구조(T)는 폭이 W이고 길이가 L인 채널을 갖는 단일 TFT이다.
TFT 소자 구조(T)를 단일 TFT로 크게 설계할 경우, 이물질 등에 의해 화소 불량이 발생할 확률이 높다.
더욱이 대화면 디스플레이의 경우, 중소형 디스플레이에 비하여 이물질 등에 의해 화소 불량이 발생할 경우, 수율이 급격히 떨어지는 문제점을 안고 있다. 이로 인해 대화면 디스플레이의 경우 생산 비용 증가로 가격 경쟁력을 확보하기 매우 어려운 문제점을 안고 있다.
한국등록특허공보 제10-0391929호(2003.07.04. 등록)
따라서 본 발명의 목적은 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 불량 화소에 따른 수율 저하를 개선할 수 있는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조 및 그의 불량 TFT 처리 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 화소의 불량이 발생된 부분만을 사용하지 않고 나머지 부분을 사용할 수 있는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조 및 그의 불량 TFT 처리 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 복수의 단위 TFT가 병렬된 연결된 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조를 제공한다.
상기 복수의 단위 TFT 각각은, 소스/드레인이 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인과 전기적으로 연결되며, 게이트를 공유한다.
상기 복수의 단위 TFT의 개수는 2개 이상이다.
상기 복수의 단위 TFT는 채널의 폭(W)이 채널의 길이(L) 보다 크다.
상기 복수의 단위 TFT는 균일한 채널의 폭을 가질 수 있다.
본 발명은 또한, 복수의 단위 TFT가 병렬된 연결된 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조를 제조하는 단계; 및 상기 복수의 단위 TFT 중에서 불량이 발생된 단위 TFT가 있는 경우, 상기 불량이 발생된 단위 TFT의 단위 TFT와의 병렬 연결을 해제하는 단계;를 포함하는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조의 불량 TFT 처리 방법을 제공한다.
그리고 상기 해제하는 단계에서, 상기 불량이 발생된 단위 TFT의 소스/드레인을 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인과 연결을 끊는다.
본 발명에 따르면, 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 화소를 구성하는 TFT를 복수의 단위 TFT로 분할하고 서로 병렬로 연결하고, 단위 TFT들 중에서 불량이 발생된 단위 TFT가 존재할 경우, 불량이 발생된 해당 TFT만의 병렬 연결을 해제함으로써, 해당 TFT가 불량화소가 되는 것을 방지할 수 있다.
따라서 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 불량 화소에 따른 수율 저하를 개선할 수 있다.
그리고 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 화소의 불량이 발생된 부분만을 사용하지 않고 나머지 부분을 사용할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 기존의 대화면 디스플레이의 TFT 소자 구조를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 대화면 디스플레이의 분할형 TFT 소자 구조를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 대화면 디스플레이의 분할형 TFT 소자 구조에 있어서, 불량이 발생된 단위 TFT의 처리 방법을 보여주는 도면이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 대화면 디스플레이의 분할형 TFT 소자 구조를 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 화소 구동 회로가 내장된 능동형 매트릭스 전류 구동 백플레인 설계에 있어서, 본 실시예에 따른 대화면 디스플레이의 분할형 TFT 소자 구조(T; 이하 '분할형 TFT 소자 구조'라 한다)는 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)가 병렬된 연결된 구조를 갖는다. 여기서 복수의 단위 TFT는(T1,T2,…, Tn) 제1 단위 TFT(T1), 제2 단위 TFT(T2),…, 제n 단위 TFT(Tn)를 포함한다.
본 실시예에 따른 분할형 TFT 소자 구조(T)는, 도 1의 기존의 TFT 소자 구조(T')와 비교하여, 폭이 W이고 길이가 L인 채널인 TFT로 구현하는 데 있어서, 채널의 폭이 W/n, 길이가 L인 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)를 n개 병렬로 연결된 형태로 구현한 것이다. 여기서 n은 2 이상의 자연수를 의미한다. 즉 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)의 개수는 2개 이상이다. 바람직하게는 복수의 단위 TFT의 개수는 3개 내지 5개일 수 있다.
본 실시예에 따른 분할형 TFT 소자 구조(T)는 채널의 폭(W)이 채널의 길이(L) 보다는 크다. 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)는 균일한 채널의 폭(W/n)을 갖도록 설계될 수 있다.
이와 같은 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn) 각각은, 소스/드레인(20,30)이 이웃하는 다른 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)의 소스/드레인(20,30)과 전기적으로 연결되며, 게이트(10)를 공유한다.
이와 같이 본 실시예에서 분할형 TFT 소자 구조(T)로 구현한 이유는, TFT 소자 구조에 있어서, 일부 영역의 불량으로 전체가 불량 화소로 처리되는 문제를 해소하기 위한 것이다.
즉 본 실시예에 따른 분할형 TFT 소자 구조(T)는 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)가 병렬로 연결된 구조를 갖기 때문에, 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn) 중에서 불량이 발생된 단위 TFT가 존재할 수 있다. 이 경우 불량이 발생된 단위 TFT의 병렬로 연결된 상태를 해제함으로써, 불량이 발생된 단위 TFT를 포함하는 분할형 TFT 소자 구조(T)는 불량이 발생된 단위 TFT를 제외한 나머지 양품의 단위 TFT로 구동이 가능하다.
이로 인해 불량이 발생된 단위 TFT를 포함하는 분할형 TFT 소자 구조 전체가 불량 화소로 처리되는 문제를 해소할 수 있다.
도 3은 도 2의 대화면 디스플레이의 분할형 TFT 소자 구조(T)에 있어서, 불량이 발생된 단위 TFT(T2)의 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조(T)의 불량 TFT 처리 방법은 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn)가 병렬된 연결된 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조(T)를 제조하는 단계와, 복수의 단위 TFT(T1,T2,…, Tn) 중에서 불량이 발생된 단위 TFT(T2)가 있는 경우, 불량이 발생된 단위 TFT(T2)의 다른 단위 TFT와의 병렬 연결을 해제하는 단계를 포함한다.
해제하는 단계에서, 불량이 발생된 단위 TFT(T2)의 소스/드레인(20,30)을 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인(20,30)과 연결을 끊는다. 연결을 끊는 방법으로는 레이저를 이용한 커팅 방법이 사용될 수 있다. 여기서 불량이 발생된 단위 TFT(T2)로는 제2 단위 TFT를 예시하였다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 불량이 발생된 단위 TFT를 포함하는 분할형 TFT 소자 구조 전체가 불량 화소로 처리되는 문제를 해소할 수 있기 때문에, 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 불량 화소에 따른 수율 저하를 개선할 수 있다.
그리고 대화면 디스플레이의 화소 설계에 있어서, 화소의 불량이 발생된 부분만을 사용하지 않고 나머지 부분을 사용할 수 있는 이점이 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 게이트
20 : 소스
30 : 드레인
T : 분할형 TFT 소자 구조
T1,T2,…, Tn : 단위 TFT

Claims (8)

  1. 복수의 단위 TFT가 병렬된 연결된 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 단위 TFT 각각은
    소스/드레인이 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인과 전기적으로 연결되며, 게이트를 공유하는 것을 특징으로 하는 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 TFT의 개수는 2개 이상인 것을 특징으로 하는 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 TFT는 채널의 폭(W)이 채널의 길이(L) 보다 큰 것을 특징으로 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 단위 TFT의 개수는 3개 내지 5개인 균일한 채널의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조.
  6. 복수의 단위 TFT가 병렬된 연결된 대화면 디스플레이용 TFT 소자 구조를 제조하는 단계;
    상기 복수의 단위 TFT 중에서 불량이 발생된 단위 TFT가 있는 경우, 상기 불량이 발생된 단위 TFT의 단위 TFT와의 병렬 연결을 해제하는 단계;
    를 포함하는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조의 불량 TFT 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 단위 TFT 각각은 소스/드레인이 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인과 전기적으로 연결되며, 게이트를 공유하고,
    상기 해제하는 단계에서,
    상기 불량이 발생된 단위 TFT의 소스/드레인을 이웃하는 다른 단위 TFT의 소스/드레인과 연결을 끊는 것을 특징으로 하는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조의 불량 TFT 처리 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제조하는 단계에서,
    상기 복수의 단위 TFT의 개수는 2개 이상인 것을 특징으로 하는 대화면 디스플레이용 분할형 TFT 소자 구조의 불량 TFT 처리 방법.
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US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
KR100580553B1 (ko) * 2003-11-22 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100829751B1 (ko) * 2006-12-15 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 5 단자 트랜지스터 및 이를 포함하는 발광 표시장치
JP2009276744A (ja) * 2008-02-13 2009-11-26 Toshiba Mobile Display Co Ltd El表示装置
KR102163008B1 (ko) * 2013-11-22 2020-10-07 엘지디스플레이 주식회사 반사형 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법

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