KR20180074279A - 강화 천연석 및 그 제조방법 - Google Patents

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황철연
김경환
배슬기
손창호
안성진
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Abstract

광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)을 포함하고, 상기 광투과성 모재(I)는, 광투과성 모재(I) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 10 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 90 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 상기 광투과성 모재(I)는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.01 중량부 내지 0.05 중량부의 유/무기안료(C)를 더 포함하고, 상기 축광칩(II)은, 축광칩(II) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 9 중량% 내지 12 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 88 중량% 내지 91 중량% 및 축광안료(D)를 포함하고, 상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 상기 축광칩(II) 총량에 대해 20 중량% 내지 28 중량%로 포함하는 강화 천연석 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

강화 천연석 및 그 제조방법 {ENGINEERED STONE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
강화 천연석 및 그 제조방법에 관한 것이다.
화강암(Granite)이나 대리석(Marble)과 같은 천연석은 표면의 무늬가 아름다워 예로부터 건축 장식재로 사용되어 왔으며, 최근에는 고품격 질감을 나타내는 재료로서 각광을 받아 바닥재, 벽체, 싱크대 상판 등의 분야에서 그 수요가 크게 증가되고 있다. 이로 인해 고가의 천연석만으로는 그 수요를 충족할 수 없게 되고, 이를 계기로 다양한 종류의 인조석이 개발되었다.
인조석은 크게 아크릴계 또는 불포화 폴리에스테르 베이스 수지에 무기 충진제, 착색제, 경화제 등 각종 혼합재료를 첨가하여 제조되는 일반 인조석과, 무기계(실리카계) 천연광물과 바인더 수지를 혼합한 컴파운드(compound)를 진공, 진동, 압축 성형하여 천연석의 질감을 그대로 나타내도록 만든 수지계 강화 천연석(일명 "Engineering stone"이라고 함)으로 분류된다.
상기 수지계 강화 천연석은 혼합되는 천연광물의 종류, 수지 또는 안료의 색상, 교반 공정 등에 따라 다양한 색상과 질감을 나타내도록 제조될 수 있으며, 천연광물을 주원료로 하기 때문에 일반 인조석보다 훨씬 더 우수한 천연 질감을 나타내어 최근에 그 수요가 크게 증가되고 있다.
이와 같이 제조되는 수지계 강화 천연석은, 단색으로 제조되거나, 서로 다른 색상의 안료가 각각 첨가되어 서로 다른 색상을 갖는 수지 혼합물을 믹서에서 혼합함으로써 다색톤을 갖도록 제조되거나, 칩을 사용하여 천연석 질감을 갖도록 하고 있다.
이러한 인조대리석의 기능 및 성능 향상을 위한 시도로서 축광재 등의 야광발광성 물질이나 자외선 흡수에 동반하여 발광하는 자외선발광재 등의 발광성 물질을 이용하여 인조대리석에 발광 기능을 부여하는 시도가 계속되어 왔다.
그러나, 기존의 축광성 인조대리석은 표면에 축광안료를 코팅하거나 축광성 칩(Chip)을 활용하여 질감을 창출하는 방식이었다. 축광성 칩을 사용할 경우 균일한 축광성을 나타낼 수 없고, 표면에 축광안료를 코팅한 경우는 표면의 촉감이 천연대리석과 다른 질감을 나타내는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 축광성 인조대리석은 충분한 축광성능 달성을 위하여 축광안료를 과량 사용하였다. 그러나 축광안료는 고가의 물질로서 이를 과량 사용하게 되면 제조원가의 증대로 상용화에 큰 걸림돌이 될 수 밖에 없다. 따라서 축광안료의 사용을 최소화하면서 충분한 축광성을 달성하는 것이 요구되어 왔다.
따라서 본 발명자들은 이러한 문제점을 인지하여 적절한 배합비율을 연구하였으며, 그 결과 축광안료의 함량을 최소화하면서 장시간 동안 충분한 휘도로 지속되는 축광성을 달성할 수 있는 수지계 강화 천연석을 개발하기에 이른 것이다.
본 발명의 목적은 조명의 조도에 따라서 표면 질감이 다양하게 나타나는 수지계 강화 천연석을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 강화 천연석은 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)을 포함하고, 상기 광투과성 모재(I)는, 광투과성 모재(I) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 상기 광투과성 모재(I)는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.01 중량부 내지 1 중량부의 유/무기안료(C)를 더 포함하고, 상기 축광칩(II)은, 축광칩(II) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 포함하고, 상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 상기 축광칩(II) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함한다.
상기 실리카 함유 화합물(B)은 실리카 분말(b1), 실리카 샌드(b2) 및 석영칩(b3)을 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)의 평균 입경은 0㎛ 초과 45㎛ 이하이고, 상기 실리카 샌드(b2)의 평균 입경은 0.1mm 이상 1.2mm 미만이고, 상기 석영칩(b3)의 평균 입경은 1.2mm 이상 6.0mm 이하일 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고, 상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1) 및 실리카 샌드(b2)를 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)의 평균 입경은 0㎛ 초과 45㎛ 이하이고, 상기 실리카 샌드(b2)의 평균 입경은 0.1mm 이상 1.2mm 미만일 수 있다.
상기 실리카 샌드(b2)은 상기 축광칩(II) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함될 수 있다.
상기 축광안료(D)의 평균입경은 6㎛ 내지 150㎛ 일 수 있다.
상기 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)은 각각 독립적으로 경화제, 경화 촉진제 및 가교제를 더 포함할 수 있다.
상기 경화제는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 1.0 중량부 내지 3.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 경화 촉진제는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 0.2 중량부로 포함될 수 있다.
상기 가교제는 실란계 가교제일 수 있다.
상기 가교제는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.5 중량부 내지 2.0 중량부로 포함될 수 있다.
상기 강화 천연석은 확산 투과율이 6.0% 이상이며, 1시간 후 휘도가 7.0 mcd/m2 이상 지속되는 것일 수 있다.
상기 축광칩(II)은 무정형 축광칩일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따른 강화 천연석 제조방법은 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 포함하고, 상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함하는 축광성 수지 조성물(ii)을 준비하는 단계; 상기 축광성 수지 조성물(ii)을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계; 일정 형태로 분산된 상기 축광성 수지 조성물(ii)을 진공-진동-압축 성형하여 축광 효과를 갖는 판재 성형 단계; 축광 효과를 갖는 판재를 파쇄하여 축광칩(II)을 제조하는 단계; 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 유/무기안료(C) 0.01 중량부 내지 1 중량부를 더 포함하는 광투과성 수지 조성물(i)을 준비하는 단계; 상기 광투과성 수지 조성물(i)에 상기 축광칩(II)을 혼합하여 강화 천연석 혼합물을 준비하는 단계; 상기 강화 천연석 혼합물을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계; 및 균일하게 분포된 강화 천연석 혼합물을 진공-진동-압축 성형하여 강화 천연석을 제조하는 단계를 포함한다.
상기 실리카 함유 화합물(B)은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1), 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2) 및 1.2mm 이상 6.0mm 이하의 평균 입경을 가지는 석영칩(b3)을 포함할 수 있고, 상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고, 상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
상기 실리카 함유 화합물(B')은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1) 및 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2)를 포함할 수 있고, 상기 실리카 샌드(b2)는 상기 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함될 수 있다.
상기 광투과성 수지 조성물(i)은, 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해, 경화제 1.0 중량부 내지 3.0 중량부, 경화 촉진제 0.1 중량부 내지 0.2 중량부 및 실란계 가교제 0.5 중량부 내지 2.0 중량부를 더 포함할 수 있다.
상기 축광성 수지 조성물(ii)은, 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해, 경화제 1.0 중량부 내지 3.0 중량부, 경화 촉진제 0.1 중량부 내지 0.2 중량부 및 실란계 가교제 0.5 중량부 내지 2.0 중량부를 더 포함할 수 있다.
상기 컴파운드(iii) 제조단계에서, 상기 광투과성 수지 조성물(i)은 복수개의 믹서기로부터 공급되는 것일 수 있다.
본 발명은 광투과성 및 축광성이 우수하여, 조명의 조도에 따라 표면 질감이 다양하게 표현될 수 있는 수지계 강화 천연석을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 천연석 뒤에 조명을 주었을 때의 사진이다.
도 2는 낮은 조도 하에서 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 천연석을 촬영한 사진이다.
도 3은 실내 조명 하에서 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 천연석을 촬영한 사진이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한 화합물 중 적어도 하나의 수소가 C1 내지 C30 알킬기; C1 내지 C10 알킬실릴기; C3 내지 C30 시클로알킬기; C6 내지 C30 아릴기; C2 내지 C30 헤테로아릴기; C1 내지 C10 알콕시기; 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기; 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 화합물 또는 치환기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1개 내지 3개 포함하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"란 별도의 정의가 없는 한, 어떠한 알켄기(alkene)나 알킨기(alkyne)를 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"; 또는 적어도 하나의 알켄기 또는 알킨기를 포함하고 있는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"를 모두 포함하는 것을 의미한다. 상기 "알켄기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 이루고 있는 치환기를 의미하며, "알킨기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 이루고 있는 치환기를 의미한다. 상기 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기일 수 있으며, 구체적으로 C1 내지 C6 저급 알킬기, C7 내지 C10 중급 알킬기, C11 내지 C20 고급 알킬기일 수 있다.
"방향족"은 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 화합물을 의미한다. 구체적인 예로 아릴기와 헤테로아릴기가 있다.
"아릴(aryl)기"는 단일고리 또는 융합고리(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 복수의 고리) 치환기를 포함한다.
"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1개 내지 3개 포함할 수 있다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다. 또한 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는 아크릴산 알킬 에스테르 또는 메타크릴산 알킬 에스테르를 의미하며, (메타)아크릴산 에스테르는 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르를 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "공중합"이란 블록 공중합, 랜덤 공중합, 그래프트 공중합 또는 교호 공중합을 의미할 수 있고, "공중합체"란 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체 또는 교호 공중합체를 의미할 수 있다.
강화 천연석
본 발명의 일 구현예에서는 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)을 포함하는 강화 천연석을 제공한다.
본 발명의 강화 천연석은 도 1 내지 도 3과 같이 조명의 조도에 따른 표면질감이 다양하게 표현될 수 있다.
상기 광투과성 모재(I)는 본 발명의 강화 천연석이 자연석에 가까운 외관과 질감을 갖도록 하기 위하여 필요한 구성요소로서, 불포화 폴리에스테르 수지(A), 실리카 함유 화합물(B) 및 유/무기안료(C)를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 구체예에서, 상기 광투과성 모재(I)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 여기에 더하여 유/무기안료(C)를 더 포함한다.
예컨대, 상기 유/무기안료(C)는, 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.01 중량부 내지 1 중량부로 포함될 수 있다.
한편, 상기 축광칩(II)은 강화 천연석에 부분적인 축광 효과를 부여하기 위한 구성으로서, 불포화 폴리에스테르 수지(A), 실리카 함유 화합물(B') 및 축광안료(D)를 포함하여 이루어진다. 즉, 안료 성분으로 광투과성 모재(I)의 유/무기안료(C) 대신에 축광안료(D)를 사용하는 것 외에는 나머지 성분이 비축광성 모재(I)와 공통되거나 또는 매우 유사하다.
본 발명의 구체예에서, 상기 축광칩(II)은 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 포함한다.
상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
상기 축광칩(II)은 무정형 축광칩일 수 있다.
본 발명의 강화 천연석의 부분적인 축광 패턴은 상기 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)의 함량을 조절함으로써 다양하게 형성할 수 있다.
본 발명의 구체예에서 상기 강화 천연석은 광투과성 모재(I) 70 중량% 내지 95 중량% 및 축광칩(II) 5 중량% 내지 30 중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 광투과성 모재(I) 80 중량% 내지 90 중량% 및 축광칩(II) 10 중량% 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 축광칩(II)이 5 중량% 미만으로 포함되는 경우 축광 패턴이 제대로 형성되지 않는 문제점이 있으며, 30 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 자연석 질감을 발현되지 않는 문제점을 가질 수 있다.
상기의 함량으로 배합함으로써 상기 축광 패턴은 강화 천연석 표면적의 5 중량% 내지 30 중량%를 차지하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 중량% 내지 20 중량%를 차지하여 자연스러운 질감을 형성할 수 있다.
본 발명의 강화 천연석은 확산 투과율이 6.0% 이상이며, 1시간 후 휘도가 7.0 mcd/m2 이상 지속되는 것일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 강화 천연석을 구성하는 각 구성성분에 대하여 구체적으로 살펴보기로 한다.
(A) 불포화 폴리에스테르 수지
본 발명에서 수지 성분은 강화 천연석의 골격을 형성하는 성분인 천연석 입자 및 무기질 충전재를 감싸고, 가교제와 함께 전체를 결합하는 역할을 하며, 강화 천연석이 형성되었을 때 탄성 혹은 인장강도를 부여하는 기능을 한다.
본 발명은, 상기 수지 성분으로 천연석 입자 등과 결합력이 우수한 불포화 폴리에스테르 수지(UPE resin; Unsaturated PolyEster resin)를 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 사용되는 불포화 폴리에스테르 수지는 당업계에 통상적으로 공지되어 있으며, 다가산과 다가알콜의 에스테르화 반응 생성물로서 상기 다가산 및/또는 다가알콜 화합물은 불포화 부분을 포함한다.
상기 다가산으로는 폴리카르복실산, 폴리카르복실산 무수물, 폴리카르복실산 할라이드, 폴리카르복실산 에스테르를 사용할 수 있으며, 불포화 폴리카르복실산의 구체적인 예로는 말레익산, 무수말레산, 푸마르산, 클로로말레익산, 에틸말레익산, 이타코닉산, 시트라코닉산, 제로닉산, 리로친코닉산, 메사코닉산, 아코닉산, 에시틸렌다카르복실산 또는 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에스테르 수지의 제조에 통상적으로 사용되는 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 숙신산 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 다가 알콜로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-시클로헥산디올 등의 2가 알콜, 글리세린 등의 3가 알콜, 펜타에리쓰리톨 등의 4가 알콜 등 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 불포화 다가 알콜의 구체적인 예로는 부텐디올, 펜텐디올, 알릴 또는 비닐 글리세롤 에테르, 알릴 또는 비닐 펜타에리쓰리톨, 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 불포화 폴리에스테르 수지는 그 분자량이 70,000 g/mol 내지 100,000 g/mol인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 불포화 폴리에스테르 수지의 분자량이 클수록 천연석 입자와의 결합력이 우수하여 연마 공정에서 수지의 일부분이 깎여 나가더라도 외부로 드러난 천연석 입자를 효과적으로 고정시켜 줄 수 있기 때문이다. 불포화 폴리에스테르 수지의 분자량이 70,000 g/mol 미만이면 강화 천연석의 표면에서 천연석 입자의 탈락현상이 발생할 수 있고, 100,000 g/mol을 초과하면 점성이 너무 커서 천연석 입자와 잘 혼합되지 않는 단점이 있다.
본 발명에서 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A)는 광투과성 모재(I)에 있어서, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 및 실리카 함유 화합물(B)을 포함하는 광투과성 모재(I) 100 중량%에 대하여 7 중량% 내지 12 중량%로 포함될 수 있으며, 축광칩(II)에 있어서, 불포화 폴리에스테르 수지(A), 실리카 함유 화합물(B') 및 축광안료(D)를 포함하는 축광칩(II) 100 중량%에 대하여 8 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 만약, 불포화 폴리에스테르 수지를 광투과성 모재(I) 100 중량%에 대하여 7 중량% 미만 또는 축광칩(II) 100 중량%에 대하여 8 중량% 미만으로 포함 시 천연석 입자와의 결합력이 저하될 수 있으며, 광투과성 모재(I) 100 중량%에 대하여 12 중량% 초과 또는 축광칩(II) 100 중량%에 대하여 15 중량%를 초과하는 경우에는 천연석의 외관 및 질감을 상실될 수 있기 때문이다.
(B, B') 실리카 함유 화합물
본 발명의 실리카 함유 화합물은 광투과성 모재(I)에 있어서, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 및 실리카 함유 화합물(B)을 포함하는 광투과성 모재(I) 100 중량%에 대하여 88 중량% 내지 93 중량%로 포함될 수 있으며, 축광칩(II)에 있어서, 불포화 폴리에스테르 수지(A), 실리카 함유 화합물(B') 및 축광안료(D)를 포함하는 축광칩(II) 100 중량%에 대하여 85 중량% 내지 92 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위와 같이 실리카 함유 화합물(B, B')을 고함량으로 포함함으로써 자연석에 가까운 외관 및 질감을 형성할 수 있기 때문이다.
상기 실리카 함유 화합물(B)은 실리카 분말(b1), 실리카 샌드(b2) 및 석영칩(b3)을 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)의 평균 입경은 0㎛ 초과 45㎛ 이하이고, 상기 실리카 샌드(b2)의 평균 입경은 0.1mm 이상 1.2mm 미만이고, 상기 석영칩(b3)의 평균 입경은 1.2mm 이상 6.0mm 이하일 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고, 상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 실리카 분말(b1), 실리카 샌드(b2) 및 석영칩(b3)이 상기 범위의 함량으로 포함될 경우 축광 효과 및 비용 면에서 바람직하다.
특히, 상기 실리카 샌드(b2)가 광투과성 모재(I) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되면서, 동시에 상기 석영칩(b3)이 광투과성 모재(I) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함되어야 자연석 질감이 매우 우수할 뿐만 아니라, 확산 투과율을 크게 향상시킬 수 있어, 조명의 조도에 따른 표면질감을 다양하게 표현하는 것이 가능해지게 된다.
상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1) 및 실리카 샌드(b2)를 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1) 및 실리카 샌드(b2)는 전술한 바와 같다.
상기 실리카 분말(b1)은 상기 축광칩(II) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 축광칩(II) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 특히, 상기 실리카 샌드가 축광칩(II) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함되어야 확산 투과율을 크게 향상시킬 수 있어, 조명의 조도에 따른 표면질감을 다양하게 표현하는 것이 가능해지게 된다.
(C) 유/무기 안료
본 발명에 있어서 축광성을 나타내는 색상의 다변화를 위하여 유/무기 안료를 더 포함할 수 있다. 상기 유/무기 안료로는 아조계, 프탈로시아닌계가 사용될 수 있으며, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 1 중량부로 사용하는 것이 바람직하다.
(D) 축광안료
본 발명의 강화 천연석에 축광성를 부여하는 축광안료는 통상의 축광안료라면 제한없이 사용할 수 있으나, 알루민산스트론튬계 안료 또는 황화아연계 안료를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 축광안료는 평균입경이 6㎛ 내지 150㎛인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 축광안료의 평균입경이 6㎛ 미만인 경우 발광 성능이 저하될 수 있으며, 평균입경이 150㎛를 초과하는 경우 초기의 포화상태로 하기 위한 광조사의 시간이 길어지는 문제점이 있다.
한편, 축광안료는 고가의 물질이므로 축광안료의 사용비율을 최소화하면서 강화 천연석의 발광 성능을 최대화하는 것이 중요하며, 본 발명에서는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 10 중량%부로 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 배합비율에서 축광안료를 2 중량부 미만으로 사용하는 경우에는 충분한 축광 효과를 나타낼 수 없으며, 5 중량부를 초과하는 경우에는 경제성 측면에서 바람직하지 못하며, 다량 사용에도 불구하고 추가적인 축광 성능의 향상을 기대할 수 없다.
(E) 기타 첨가제
본 발명에 있어서 강화 천연석의 경화를 위하여 경화제(e1)가 사용될 수 있으며, 경화작용의 촉진을 위하여 경화 촉진제(e2)가 사용될 수 있다. 상기 경화제는 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 각각 독립적으로 1.0 중량부 내지 3.0 중량부, 상기 경화촉진제는 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 각각 독립적으로 0.1 중량부 내지 0.2 중량부로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 불포화 폴리에스테르 수지와 천연석 입자의 결합을 위하여 가교제(e3)를 사용할 수 있다. 상기 가교제로는 실란계 가교제를 사용하는 것이 바람직하며, 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 각각 독립적으로 0.5 중량부 내지 2.0 중량부를 사용하는 것이 바람직하다.
강화 천연석의 제조방법
본 발명의 강화 천연석은 상기와 같이 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
축광칩(II)의 제조
상기 축광칩의 제조는 축광성 수지 조성물(ii)을 준비하는 단계, 상기 축광성 수지 조성물(ii)을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계, 일정 형태로 분포된 축광성 수지 조성물(ii)을 진공-진동-압축 성형법을 적용하여 축광 효과를 갖는 판재의 성형 단계, 축광 효과를 갖는 판재를 파쇄하여 무정형 축광칩을 제조하는 단계를 거침으로써 완료된다.
상기 판재는 4.0mm 내지 10.0mm의 크기로 파쇄될 수 있다.
상기 축광성 수지 조성물(ii) 준비단계에서 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 혼합하되, 상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되도록 하고, 상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 포함하며, 상기 실리카 분말(b1)은 상기 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되도록 한다.
또한, 축광성 수지 조성물(ii) 준비단계는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 경화제 1.0 중량부 내지 3.0 중량부, 경화 촉진제 0.1 중량부 내지 0.2 중량부 및 실란계 가교제 0.5 중량부 내지 2.0 중량부를 더 포함할 수 있다.
광투과성 수지 조성물(i)의 준비
상기 광투과성 모재(I) 부분을 형성하는 광투과성 수지 조성물(i)은 불포화 폴리에스테르 수지(A), 실리카 함유 화합물(B) 및 유/무기안료(C)를 믹서기로 혼합하여 준비된다.
상기 광투과성 수지 조성물(i)은 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량%, 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 유/무기안료(C) 0.01 중량부 내지 1 중량부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 실리카 함유 화합물(B)은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1), 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2) 및 1.2mm 이상 6.0mm 이하의 평균 입경을 가지는 석영칩(b3)을 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고, 상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
상기 실리카 함유 화합물(B')은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1) 및 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2)를 포함할 수 있다.
상기 실리카 분말(b1)은 상기 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 상기 광투과성 수지 조성물(i)은, 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해, 경화제 1.0 중량부 내지 3.0 중량부, 경화 촉진제 0.1 중량부 내지 0.2 중량부 및 실란계 가교제 0.5 중량부 내지 2.0 중량부를 더 포함할 수 있다.
광투과성 수지 조성물(i)과 축광칩의 혼합
상기 강화 천연석의 제조는 광투과성 수지 조성물(i)을 준비하는 단계, 상기 광투과성 수지 조성물(i)에 축광칩(II)을 혼합하여 강화 천연석 혼합물을 준비하는 단계, 상기 강화 천연석 혼합물을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계, 균일하게 분포된 강화 천연석 혼합물을 진공-진동-압축 성형하는 단계를 거침으로써 완료된다.
상기 광투과성 수지 조성물(i) 및 축광칩(II)이 준비되면, 상기 광투과성 수지 조성물(i) 70 중량% 내지 95 중량% 및 축광칩(II) 5 중량% 내지 30 중량%를 혼합하여 강화 천연석 혼합물을 형성하는 단계를 거친다.
상기 강화 천연석 혼합물의 형성 단계에 있어, 상기 광투과성 수지 조성물(i)은 공급속도의 조절이 가능하도록 복수개의 믹서기로부터 분할 공급될 수 있다.
상기와 같이 형성된 강화 천연석 혼합물은 적재 플레이트에 시트 형태로 공급한 다음 진공, 진동, 압축 성형하고, 이를 경화 및 냉각해 반제품 슬라브를 만들고, 상기 반제품 슬라브를 가공하여 강화 천연석의 제조가 완료된다.
이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
시료의 준비
(A) 불포화 폴리에스테르(UPE) 수지
애경화학社(사)의 M900 불포화 폴리에스테르(UPE) 수지를 사용하였다.
(B, B') 실리카 함유 화합물
(b1) 실리카 분말
21세기 실리카社(사)의 0㎛ 초과 45㎛의 평균 입경을 가지는 실리카 분말을 사용하였다.
(b2) 실리카 샌드
미크로만(터키)社(사)의 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드를 사용하였다.
(b3) 석영칩
21세기 실리카社(사)의 1.2mm 이상 6.0mm 이하의 평균 입경을 가지는 석영칩을 사용하였다.
(C) 유/무기 안료
우신피그먼트社(사)의 TR92, 318M, Y8G, Y6R, R110 안료를 사용하였다.
(D) 축광안료
새치로社(사)의 25㎛의 평균 입경을 가지는 PL-120 축광안료를 사용하였다.
(E) 기타 첨가제
(e1) 경화제로서 세기아케마(Luperox P) TBPB를 사용하였다.
(e2) 경화촉진제로서 진양화성 6%-Cobalt를 사용하였다.
(e3) 가교제로서 구담(WD70) 실란계 커플링제를 사용하였다.
물성 평가 방법
(1) 확산 투과율: ASTM D 1003 측정방법을 적용하여, NDH-5000으로 확산 투과율을 측정하여, 광투과 효과를 평가하였다.
(2) 인광 휘도: KS A 3505에 의거, DN65 상용광원으로, 0.25m의 거리에서, 201.6cm2의 면적을 가지는 시료에, 200 럭스(lux)를 20분 동안 조사한 후에, 5분, 10분, 20분 및 60분 이후의 휘도를 측정하여, 축광칩 효과를 평가하였다.
실시예 및 비교예
상기 각 구성 성분을 하기 표 1에 기재된 바와 같은 함량으로 첨가하여 광투과성 수지 조성물(i)을 제조하였고, 또한 하기 표 2에 기재된 바와 같은 함량으로 첨가하여 축광성 수지 조성물(ii)을 제조하고, 이로부터 축광칩(II)을 제조하였다.
구체적으로, 준비된 광투과성 수지 조성물(i)에 축광칩(II)을 혼합한 후, 이를 분산하고, 진공-진동-압축 성형하여, 강화 천연석을 제조한 후, 각각의 물성을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
실시예 1 및 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
(A) 불포화 폴리에스테르(UPE) 수지 (중량%) 7.9 13.00 13.00 7.9 6.0
(B) 실리카 함유 화합물 (중량%) (b1) 실리카 분말 23.7 25.5 25.8 23.7 25.6
(b2) 실리카 샌드 40.6 37.0 52.1 40.6 40.6
(b3) 석영칩 27.8 24.5 9.1 27.8 27.8
(C) 유/무기 안료 (UPE 수지 100 중량부 대비 중량부) 0.01 0.01 0.01 0.15 0.01
(E) 기타 첨가제 (UPE 수지 100 중량부 대비 중량부) (e1) 경화제 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
(e2) 경화촉진제 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
(e3) 가교제 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
(A) 불포화 폴리에스테르(UPE) 수지 (중량%) 10.0 12.0 7.0 10.0 10.0 10.0
(B') 실리카 함유 화합물 (중량%) (b1) 실리카 분말 25.0 28.0 28.0 35.0 22.0 35.0
(b2) 실리카 샌드 65.0 60.0 63.0 53.0 67.0 53.0
(D) 축광안료 (UPE 수지 100 중량부 대비 중량부) 2.0 2.0 2.0 2.0 1.0 2.0
(E) 기타 첨가제 (UPE 수지 100 중량부 대비 중량부) (e1) 경화제 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
(e2) 경화촉진제 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
(e3) 가교제 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
확산 투과율 7.29 6.7 5.51 4.17 1.05 0.8
휘도 / 1시간 10 8 4 3 2 2
상기 표 1 내지 표 3 및 도 1 내지 도 3으로부터, 실시예 1 및 실시예 2에 따른 강화 천연석은, 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 강화 천연석보다 확산 투과율 및 휘도가 우수하여, 같은 제품이라도 빛의 조도에 따라 제품의 패턴 발현이 다양하게 구현될 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태 및 크기로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)을 포함하고,
    상기 광투과성 모재(I)는, 광투과성 모재(I) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고,
    상기 광투과성 모재(I)는 상기 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 0.01 중량부 내지 1 중량부의 유/무기안료(C)를 더 포함하고,
    상기 축광칩(II)은, 축광칩(II) 총량에 대해, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 포함하고,
    상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되고,
    상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 상기 축광칩(II) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함하는 강화 천연석.
  2. 제1항에서,
    상기 실리카 함유 화합물(B)은 실리카 분말(b1), 실리카 샌드(b2) 및 석영칩(b3)을 포함하는 강화 천연석.
  3. 제2항에서,
    상기 실리카 분말(b1)의 평균 입경은 0㎛ 초과 45㎛ 이하이고, 상기 실리카 샌드(b2)의 평균 입경은 0.1mm 이상 1.2mm 미만이고, 상기 석영칩(b3)의 평균 입경은 1.2mm 이상 6.0mm 이하인 강화 천연석.
  4. 제2항에서,
    상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고,
    상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고,
    상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 모재(I) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 강화 천연석.
  5. 제1항에서,
    상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 샌드(b2)를 더 포함하는 강화 천연석.
  6. 제5항에서,
    상기 실리카 분말(b1)의 평균 입경은 0㎛ 초과 45㎛ 이하이고, 상기 실리카 샌드(b2)의 평균 입경은 0.1mm 이상 1.2mm 미만인 강화 천연석.
  7. 제5항에서,
    상기 실리카 샌드(b2)은 상기 축광칩(II) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함되는 강화 천연석.
  8. 제1항에서,
    상기 광투과성 모재(I) 및 축광칩(II)은 각각 독립적으로 경화제, 경화 촉진제 및 가교제를 더 포함하는 강화 천연석.
  9. 제8항에서,
    상기 가교제는 실란계 가교제인 강화 천연석.
  10. 제1항에서,
    상기 강화 천연석은 확산 투과율이 6.0% 이상이며, 1시간 후 휘도가 7.0 mcd/m2 이상 지속되는 것인 강화 천연석.
  11. 제1항에서,
    상기 축광칩(II)은 무정형 축광칩인 강화 천연석.
  12. 불포화 폴리에스테르 수지(A) 8 중량% 내지 15 중량%, 실리카 함유 화합물(B') 85 중량% 내지 92 중량% 및 축광안료(D)를 포함하고, 상기 축광안료(D)는 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 2 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 실리카 함유 화합물(B')은 실리카 분말(b1)을 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함하는 축광성 수지 조성물(ii)을 준비하는 단계;
    상기 축광성 수지 조성물(ii)을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계;
    일정 형태로 분산된 상기 축광성 수지 조성물(ii)을 진공-진동-압축 성형하여 축광 효과를 갖는 판재 성형 단계;
    축광 효과를 갖는 판재를 파쇄하여 축광칩(II)을 제조하는 단계;
    불포화 폴리에스테르 수지(A) 7 중량% 내지 12 중량% 및 실리카 함유 화합물(B) 88 중량% 내지 93 중량%를 포함하고, 불포화 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대해 유/무기안료(C) 0.01 중량부 내지 1 중량부를 더 포함하는 광투과성 수지 조성물(i)을 준비하는 단계;
    상기 광투과성 수지 조성물(i)에 상기 축광칩(II)을 혼합하여 강화 천연석 혼합물을 준비하는 단계;
    상기 강화 천연석 혼합물을 분산 설비를 이용하여 일정 형태로 분산하는 단계; 및
    균일하게 분포된 강화 천연석 혼합물을 진공-진동-압축 성형하여 강화 천연석을 제조하는 단계
    를 포함하는 강화 천연석 제조방법.
  13. 제12항에서,
    상기 실리카 함유 화합물(B)은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1), 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2) 및 1.2mm 이상 6.0mm 이하의 평균 입경을 가지는 석영칩(b3)을 포함하고,
    상기 실리카 분말(b1)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 20 중량% 내지 30 중량%로 포함되고, 상기 실리카 샌드(b2)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 35 중량% 내지 45 중량%로 포함되고, 상기 석영칩(b3)은 상기 광투과성 수지 조성물(i) 총량에 대해 10 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 강화 천연석 제조방법.
  14. 제12항에서,
    상기 실리카 함유 화합물(B')은 0㎛ 초과 45㎛ 이하의 평균 입경을 가지는 실리카 분말(b1) 및 0.1mm 이상 1.2mm 미만의 평균 입경을 가지는 실리카 샌드(b2)를 포함하고,
    상기 실리카 샌드(b2)은 상기 축광성 수지 조성물(ii) 총량에 대해 60 중량% 내지 70 중량%로 포함되는 강화 천연석 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220164109A (ko) * 2021-06-03 2022-12-13 에코리엔트샤인 (주) 자체발광 마스터배치 조성물, 이를 이용하여 사출성형된 바닥재 및 이의 시공방법
KR102487225B1 (ko) * 2021-09-06 2023-01-12 에코리엔트샤인 (주) 고기능성 축광 및 발광 석재

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109265068B (zh) * 2018-10-10 2019-09-10 广东中旗新材料股份有限公司 一种以非天然矿物为主料的人造石及其制备方法
CN109020302A (zh) * 2018-10-10 2018-12-18 广东中旗新材料股份有限公司 一种以玻璃为主料的人造石及其制备方法
CN109336467A (zh) * 2018-10-31 2019-02-15 苏州观上文化科技有限公司 一种可塑透光石的制造方法及可塑透光石
US11753341B2 (en) 2018-12-12 2023-09-12 Mflgh Inc. Engineered stone product and methods of making the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1243986B (it) * 1990-10-29 1994-06-28 Nuova Sacelit Spa Procedimento per la produzione di manufatti fosforescenti e manufatti cosi' ottenuti
DE69739031D1 (de) 1997-03-05 2008-11-20 Doppel Co Ltd Nachtlumineszierende und fluoreszierende kunststeinzusammensetzung
CN1362440A (zh) 2000-12-30 2002-08-07 大连路明发光科技股份有限公司 发光人造理石及其制造方法
KR20050008218A (ko) 2003-07-14 2005-01-21 주식회사 글로얀 축광 및 항균성 불포화 에스테르수지 조성물 및 그 제품
US7727435B2 (en) * 2006-04-18 2010-06-01 Safas Corporation Engineered stone
KR20090088147A (ko) 2008-02-14 2009-08-19 한화엘앤씨 주식회사 인조대리석
CN101818553B (zh) * 2010-04-21 2011-07-20 廖荣刚 夜光石英复合板材的生产方法
US8999199B2 (en) * 2011-12-29 2015-04-07 Cheil Industries Inc. Artificial marble having natural textures and luminescent patterns and method of preparing the same
KR101425514B1 (ko) 2011-12-29 2014-08-04 제일모직주식회사 자연석 질감 및 부분 축광성을 갖는 인조대리석 및 그 제조방법.
KR101523605B1 (ko) * 2011-12-29 2015-05-29 제일모직주식회사 축광성 인조대리석
KR101425512B1 (ko) * 2011-12-29 2014-08-04 제일모직주식회사 자연석 질감 및 부분 축광성을 갖는 인조대리석 및 그 제조방법.
CN102531468B (zh) * 2012-01-16 2013-09-18 吉林吉瑞莱板材科技有限公司 一种纳米二氧化硅复合石英石板材制品及其制备方法
KR20140045218A (ko) 2012-10-08 2014-04-16 임현창 인조대리석용 투명 칩과 그 제조 방법 및 이를 이용한 인조 대리석
KR101562092B1 (ko) * 2012-12-20 2015-10-20 제일모직주식회사 무정형 무늬를 갖는 실리카 인조대리석 및 그 제조방법
KR101596545B1 (ko) 2013-01-31 2016-02-22 제일모직주식회사 다색층을 가지는 강화천연석용 칩 조성물 및 이를 포함하는 강화천연석
KR101605584B1 (ko) 2013-02-27 2016-03-22 제일모직주식회사 인조대리석 칩 및 이를 포함하는 인조대리석
CN103408250A (zh) * 2013-07-29 2013-11-27 广东中旗新材料科技有限公司 一种纳米复合型石英石板材及其生产方法
KR101743804B1 (ko) 2014-05-30 2017-06-05 롯데첨단소재(주) 수지계 강화 천연석용 입체질감 칩 및 이를 포함하는 수지계 강화 천연석
KR101861900B1 (ko) 2014-12-16 2018-05-28 롯데첨단소재(주) 강화천연석용 조성물, 이를 포함하는 금속 펄 질감을 갖는 강화천연석용 칩 및 강화 천연석

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220164109A (ko) * 2021-06-03 2022-12-13 에코리엔트샤인 (주) 자체발광 마스터배치 조성물, 이를 이용하여 사출성형된 바닥재 및 이의 시공방법
KR102487225B1 (ko) * 2021-09-06 2023-01-12 에코리엔트샤인 (주) 고기능성 축광 및 발광 석재

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EP3339267A1 (en) 2018-06-27
CN108238741A (zh) 2018-07-03
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US20180179110A1 (en) 2018-06-28

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