KR20180066516A - Method for manufacturing single crystalline molybdenum disulfide - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서 및 이의 제조방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 흡수층을 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 형성함으로써 하나의 물질을 이용하여 다양한 파장을 검출할 수 있는 다파장 검출 광센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal, And more particularly, to a multi-wavelength detection light sensor and a manufacturing method thereof.
광센서는 수광한 광 에너지의 변화를 전기신호로 변환시키는 광소자로서, 포토다이오드, 포토트랜지스터 등이 있다. An optical sensor is an optical element that converts a change in the received light energy into an electrical signal, such as a photodiode or a phototransistor.
상기 포토다이오드는 p-n 접합의 광기전력 효과를 이용해서 빛을 검출하는 광센서이며, 기능과 구조에 따라 PN 포토다이오드, PIN 포토다이오드, APD (Avalanche photodiode) 등으로 나눌 수 있다.The photodiode is an optical sensor that detects light using the photovoltaic effect of a p-n junction. The photodiode can be divided into a PN photodiode, a PIN photodiode, and an APD (avalanche photodiode) according to function and structure.
기존의 광센서는 흡수층이 하나의 물질로 이루어지기 때문에 흡수되는 파장 영역이 하나밖에 되지 않으며, 이로 인해 서로 다른 파장의 흡수효율이 떨어지게 된다. Conventional photosensors have only one absorbed wavelength region because the absorbing layer is made of one material, which causes the absorption efficiency of different wavelengths to be lowered.
따라서 다파장을 검출하기 위해서 종래에는 각각의 파장을 검출하기 위한 다양한 포토다이오드를 평면 또는 라인형태로 어레이하는 방식을 이용하여 검출하여 왔다. Therefore, in order to detect multi-wavelengths, conventionally, various photodiodes for detecting respective wavelengths have been detected using a method of arraying in a plane or line form.
그러나 이러한 종래 기술은 다파장 검출을 위해 다양한 물질을 이용한 서로 다른 포토다이오드를 제작하여야 하기 때문에 제조 비용이 상승하는 문제점이 있다.However, this prior art has a problem in that manufacturing costs are increased because different photodiodes using various materials must be manufactured for multi-wavelength detection.
본 발명자들은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 연구 노력한 결과, 흡수층을 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 형성함으로써 본 발명을 완성하였다. As a result of efforts to solve these problems, the inventors of the present invention have completed the present invention by forming an absorbing layer of a transition metal decalcogenide layer having different thicknesses.
따라서, 본 발명의 목적은 하나의 물질을 이용하여 다양한 파장을 검출할 수 있는 다파장 검출 광센서를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a multi-wavelength detection optical sensor capable of detecting various wavelengths using a single material.
본 발명의 다른 목적은 하나의 물질을 이용하여 다양한 파장을 검출할 수 있으며, 제조 비용이 낮은 다파장 검출 광센서의 제조방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a multi-wavelength detecting optical sensor capable of detecting various wavelengths using a single material and having a low manufacturing cost.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판; 및 상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층으로 형성되는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하는 흡수층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서를 제공한다.According to an aspect of the present invention, And a plurality of transition metal decalcogenide layers on the substrate, wherein each transition metal decalcogenide layer is formed of the same material but is formed in a different thickness, each transition metal decalcogenide layer And an absorption layer for detecting light of different wavelengths according to the layer. The present invention also provides a multi-wavelength detection light sensor using the transition metal.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진다.In a preferred embodiment, the transition metal decalcogenide layer comprises at least one of molybdenum disulfide (MoS 2 ), molybdenum selenide (MoSe 2 ), molybdenum telluride (MoTe 2 ), tungsten disulfide (WS 2 ) and tungsten selenide (WSe 2 ).
바람직한 실시예에 있어서, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 이격되어 구비되며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함한다.In a preferred embodiment, each of the transition metal decaccoineneide layers is spaced apart from each other and each electrode is provided at each end of each transition metal decahydrogenide layer.
바람직한 실시예에 있어서, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 연결되어 구비되며, 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함한다.In a preferred embodiment, each of the transition metal decalcogenide layers is connected to each other, and each electrode is provided at both ends of the entire transition metal decalcogenide layer.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판 하부에 구비되는 게이트전극;을 포함하며, 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터인 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, a gate electrode is provided under the substrate, and is a back gate type phototransistor.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 또한 기판을 준비하는 제1단계; 및 상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 이루어지는 흡수층을 형성하는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성하여, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하도록 하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, And an absorbing layer comprising a plurality of transition metal decalcogenide layers on the substrate, wherein each transition metal decalcogenide layer is formed of the same material but different thicknesses, each transition metal decalcogenide layer And a second step of detecting light of different wavelengths for each of the layers. The present invention also provides a method of manufacturing a multi-wavelength detection light sensor using the transition metal.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진다.In a preferred embodiment, the transition metal decalcogenide layer comprises at least one of molybdenum disulfide (MoS 2 ), molybdenum selenide (MoSe 2 ), molybdenum telluride (MoTe 2 ), tungsten disulfide (WS 2 ) and tungsten selenide (WSe 2 ).
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계는 동일한 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 상기 기판상으로 이송하는데 서로 다른 두께를 갖도록 적층하여 상기 흡수층을 형성한다.In a preferred embodiment, the second step is to form a transition metal decalcogenide layer of the same thickness, and then laminate the transfer metal decalcogenide layers to have different thicknesses for transfer onto the substrate to form the absorbent layer.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및 화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성한다.In a preferred embodiment, in the second step, the transition metal decalcogenide layer comprises a molybdenum (Mo) pattern layer on an auxiliary substrate; Forming a molybdenum disulfide (MoS 2 ) thin film pattern by injecting sulfur (S) into the molybdenum pattern layer using a chemical vapor deposition method (CVD method) and sulfonating the molybdenum pattern layer.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계는 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 상기 기판상으로 이송하여 상기 흡수층을 형성한다.In a preferred embodiment, the second step comprises forming a transition metal decalcogenide layer of different thicknesses, and then transferring each transition metal decalcogenide layer onto the substrate to form the absorbent layer.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및 화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성하는데, 상기 몰리브덴패턴층의 두께와 유입되는 상기 황(S)의 양을 조절하여 서로 다른 두께의 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴으로 형성한다.In a preferred embodiment, in the second step, the transition metal decalcogenide layer comprises a molybdenum (Mo) pattern layer on an auxiliary substrate; Forming a molybdenum disulfide (MoS 2 ) thin film pattern by injecting sulfur (S) into the molybdenum pattern layer using a chemical vapor deposition (CVD) method, and sulfonating the molybdenum pattern layer, The thickness of the layer and the amount of the sulfur (S) introduced are adjusted to form a monocrystalline molybdenum disulfide thin film pattern of different thicknesses.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 서로 이격되도록 형성하며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the second step includes forming each of the transition metal decalcogenide layers so as to be spaced apart from each other, and forming electrodes on both ends of each transition metal decalcogenide layer, respectively .
바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조한다.In a preferred embodiment, a fourth step of forming a gate electrode under the substrate is used to manufacture a backgate phototransistor.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층이 서로 연결되도록 형성하며, 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the second step further comprises the third step of forming each of the transition metal decalcogenide layers to be connected to each other, and forming electrodes at both ends of the entire transition metal decalcogenide layer do.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조한다.In a preferred embodiment, a fourth step of forming a gate electrode under the substrate is used to manufacture a backgate phototransistor.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 갖는다.The present invention has the following excellent effects.
먼저, 본 발명의 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서에 의하면 하나의 물질을 이용하여 다양한 파장을 검출할 수 있는 효과가 있다.First, according to the multi-wavelength detection optical sensor using the transition metal of the present invention, various wavelengths can be detected by using one substance.
또한, 본 발명의 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법에 의하면 하나의 물질을 이용하여 다양한 파장을 검출할 수 있을 뿐만 아니라, 낮은 제조 비용으로 다파장 검출 광센서를 제조할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the manufacturing method of a multi-wavelength detecting optical sensor using the transition metal of the present invention, it is possible to detect various wavelengths using a single material and to manufacture a multi-wavelength detecting optical sensor with low manufacturing cost .
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서를 설명하기 위한 단면 도면이다.
도 2는 이황화몰리브덴(MoS2)층의 두께에 따른 라만 및 파장 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 흡수층과 전극 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 흡수층과 전극 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서를 설명하기 위한 단면 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조과정을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막을 제조하기 위한 화학기상장치(CVD)의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 단결정 이황화몰리브덴 박막의 성장 메카니즘을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴을 보여주는 사진이다.1 is a cross-sectional view illustrating a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing changes in Raman and wavelength depending on the thickness of a molybdenum disulfide (MoS 2 ) layer.
3 is a view for explaining an absorption layer and an electrode structure of a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining an absorption layer and an electrode structure of a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a multi-wavelength detection light sensor using a transition metal according to another embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a process for manufacturing a monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram of a chemical vapor deposition apparatus (CVD) for producing a monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a growth mechanism of a monocrystal molybdenum disulfide thin film produced according to an embodiment of the present invention.
10 is a photograph showing a monolithic molybdenum disulfide thin film pattern manufactured according to an embodiment of the present invention.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다. Although the terms used in the present invention have been selected as general terms that are widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, the meaning described or used in the detailed description part of the invention The meaning must be grasped.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다. Hereinafter, the technical structure of the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서를 설명하기 위한 단면 도면이다.1 is a cross-sectional view illustrating a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(100)는 크게 기판(110), 흡수층(130) 및 전극(140)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 1, a multi-wavelength detecting
상기 기판(110)은 Si, Al2O3 등의 소재로 이루어질 수 있으며, 상기 기판(110) 상에는 SiO2와 같은 절연층(120)이 구비될 수 있다.The
상기 기판(110) 상에는 상기 흡수층(130)이 형성되어 있다. The
상기 흡수층(130)은 각기 다른 파장의 빛을 검출하도록 형성되어 있는데, 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어 있다. The
즉, 상기 흡수층(130)은 각기 다른 파장의 빛을 검출하기 위해 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층(131, 132, 133, 134)으로 형성하였으며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어 있다.That is, the
상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이황화몰리브덴(MoS2)을 이용하여 형성하였다.The transition metal die-chalcogenide layer is made of molybdenum disulfide (MoS 2), a selenide molybdenum (MoSe 2), molybdenum telluride cargo (MoTe 2), tungsten disulfide (WS 2), and the selenide tungsten (WSe 2) . In the embodiment of the present invention, molybdenum disulfide (MoS 2 ) is used.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 다파장의 빛을 검출하기 위해 전이금속 다이칼코게나이드층 특히, 이황화몰리브덴(MoS2)을 두께를 달리한 복수 개의 층으로 형성하여 검출하도록 하였다.As described above, in the embodiment of the present invention, a transition metal decalcogenide layer, in particular molybdenum disulfide (MoS 2 ), is formed by a plurality of layers having different thicknesses for detecting light of multiple wavelengths.
도 2는 이황화몰리브덴(MoS2)층의 두께에 따른 라만 및 파장 변화를 보여주는 그래프이다.2 is a graph showing changes in Raman and wavelength depending on the thickness of a molybdenum disulfide (MoS 2 ) layer.
도 2를 참조하면, 이황화몰리브덴(MoS2)층의 두께에 따라 라만 피크와 피크 에너지(밴드갭)이 변화되는 것을 확인할 수 있으며, 이황화몰리브덴(MoS2)층의 두께에 따라 1.9 ~ 1.3eV까지 밴드갭 에너지가 조절되는 것을 확인할 수 있다.2, molybdenum disulfide (MoS 2), to check that the Raman peak and peak energy (band gap) changes according to the thickness of the layer, to 1.9 ~ 1.3eV according to molybdenum disulfide (MoS 2), a layer thickness of It can be confirmed that the band gap energy is controlled.
따라서, 본 발명의 실시예와 같이 상기 흡수층(130)을 이황화몰리브덴(MoS2)으로 형성하되 서로 다른 두께를 갖는 복수 개의 층으로 형성하면 다파장을 검출할 수 있다.Therefore, when the absorbing
상기 흡수층(130)은 다양한 구조로 구비될 수 있는바, 상기 전극(140)도 이에 따라 다양한 형태로 구비될 수 있다.The
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 흡수층과 전극 구조를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining an absorption layer and an electrode structure of a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134)은 서로 이격되어 구비되어 있다. 이때, 각 전이금속 다이칼코게나이드층은 두께가 서로 다르며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극(140)이 구비된다. Referring to FIG. 3, each of the transition metal
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 흡수층과 전극 구조를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an absorption layer and an electrode structure of a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134)은 서로 연결되어 구비되어 있다. 이때, 각 전이금속 다이칼코게나이드층은 두께가 서로 다르며, 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극(140)이 구비된다. Referring to FIG. 4, each of the transition metal decalcogenide layers 131, 132, 133, and 134 is connected to each other. At this time, each transition metal decalcogenide layer has different thicknesses, and
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서를 설명하기 위한 단면 도면으로서, 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터로 형성하였다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to another embodiment of the present invention, and is formed by a backgate phototransistor.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(400)는 기판(110), 절연층(120), 흡수층(130), 전극(140) 및 게이트전극(150)을 포함하여 이루어진다.5, a multi-wavelength detecting
상기 기판(110) 상에는 상기 흡수층(130)이 형성되어 있다. 상기 흡수층(130)은 각기 다른 파장의 빛을 검출하도록 형성되어 있는데, 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어 있다. 즉, 상기 흡수층(130)은 각기 다른 파장의 빛을 검출하기 위해 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층(131, 132, 133, 134)으로 형성하였으며, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어 있다.The
그리고, 상기 기판(110) 하부에는 게이트전극(150)을 형성하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터로 형성하였다.A
본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(400) 역시 상기 흡수층(130)이 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층(13, 132, 133, 134)으로 구비되어 다파장을 검출할 수 있다.In the multi-wavelength detecting
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(100)를 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a multi-wavelength detection
본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(100)를 제조하는 방법은 크게 기판(110)을 준비하는 제1단계와, 흡수층(130)을 형성하는 제2단계 및 전극(140)을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어진다.A method for fabricating a multi-wavelength
상기 제1단계는 상기 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)으로서 Si, Al2O3 등의 소재를 사용할 수 있으며, 상기 기판(110) 상에 SiO2와 같은 절연층(120)을 추가하여 형성할 수 있다.In the first step, the
상기 제2단계에서는 다파장을 검출할 수 있는 상기 흡수층(130)을 형성한다. In the second step, the absorbing
이때, 상기 흡수층(130)은 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 형성하는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께가 되도록 형성한다. 이로써, 두께가 다른 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층 별로 각기 다른 파장의 빛을 검출할 수가 있다.At this time, the
상기 전이금속 다이칼코게나이드층(13, 132, 133, 134)은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 이황화몰리브덴(MoS2)을 이용하여 형성하였다.The transition metal decalcogenide layers 13, 132, 133 and 134 are formed of molybdenum disulfide (MoS 2 ), molybdenum selenide (MoSe 2 ), molybdenum telluride (MoTe 2 ), tungsten disulfide (WS 2 ) And tungsten selenide (WSe 2 ). In the embodiment of the present invention, molybdenum disulfide (MoS 2 ) is used.
상기 제2단계에서는 다양한 방법을 통해 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(13, 132, 133, 134)을 형성할 수가 있다.In the second step, the transition metal decalcogenide layer (13, 132, 133, 134) can be formed by various methods.
일례로, 동일한 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 상기 기판(110)상으로 이송하는데 서로 다른 두께를 갖도록 적층하여 상기 흡수층(130)을 형성하는 것이다. 상기 전이금속 다이칼코게나이드층 특히, 이황화몰리브덴 박막을 형성하는 방법을 도 6 및 도 7을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.For example, the absorbing
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조과정을 설명하기 위한 순서도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a flow chart for explaining the manufacturing process of the monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to the embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view for explaining the process of manufacturing the monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to the embodiment of the present invention.
먼저, 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성한다(S10). First, a molybdenum (Mo) pattern layer is formed on the supporting plate (S10).
상기 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 방법으로 다양한 방법을 사용할 수 있는데, 본 발명의 실시예에서는 PR패턴을 이용하여 형성하였다.Various methods can be used for forming the molybdenum (Mo) pattern layer. In the embodiment of the present invention, a PR pattern is used.
도 7에서와 같이, 보조기판(10) 상에 포토레지스트(PR)를 형성한 다음, 노광공정을 통하여 포토레지스트패턴(11)을 형성한다. As shown in FIG. 7, a photoresist PR is formed on the
이어서, 상기 포토레지스트패턴(11) 상에 몰리브덴(Mo)을 증착한다. 이때, 상기 몰리브덴(Mo)의 두께는 0.7 내지 10㎚의 범위내에서 형성하는 것이 바람직하다. 계속해서 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 몰리브덴패턴층(12)을 형성한다.Then, molybdenum (Mo) is deposited on the
한편, 상기 몰리브덴(Mo)패턴층은 다음과 같은 공정으로도 형성할 수 있다.Meanwhile, the molybdenum (Mo) pattern layer may be formed by the following process.
즉, 상기 보조기판(10) 상에 몰리브덴(Mo)층을 증착하고, 증착된 상기 몰리브덴층 상에 포토레지스트(PR)패턴을 형성한 다음, 식각공정을 이용하여 몰리브덴을 식각하고, 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 상기 몰리브덴패턴층을 형성할 수 있다.That is, a molybdenum (Mo) layer is deposited on the
상기 기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성한 다음, 상기 몰리브덴패턴층을 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴(13)을 형성한다(S20).After a molybdenum (Mo) pattern layer is formed on the substrate, a molybdenum disulfide (MoS 2 )
상기 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계(S20)는 황(S)을 상기 몰리브덴패턴층(12)으로 유입하여 술폰화하는 방법을 사용한다. 이때, 술폰화를 수행하기 위하여 화학기상증착법(CVD법)을 이용하였으며, 상기 황(S)을 녹는점 이상의 온도로 가열하여 유입시켰다.Step (S20) of forming the single crystalline molybdenum disulfide (MoS 2), a thin film pattern is to introduce a sulfur (S) as the
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 이황화몰리브덴 박막을 제조하기 위한 화학기상장치(CVD)의 개략도이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 단결정 이황화몰리브덴 박막의 성장 메카니즘을 보여주는 도면이며, 도 10은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴을 보여주는 사진이다.FIG. 8 is a schematic view of a chemical vapor deposition apparatus (CVD) for producing a monocrystalline molybdenum disulfide thin film according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view showing a growth mechanism of a monocrystalline molybdenum disulfide thin film produced according to an embodiment of the present invention And FIG. 10 is a photograph showing a monocrystalline molybdenum disulfide thin film pattern manufactured according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 화학기상장치(1)의 챔버(2) 내로 상기 몰리브덴패턴층(12)이 형성된 보조기판(10)을 배치시키고, 상기 몰리브덴패턴층(12)에 황이 유입되도록 흘려보내준다. 이때, 상기 황(S)은 녹는점(약 112℃) 이상의 온도로 가열하여 유입시킴으로서 술폰화가 이루어지도록 한다. 여기서 상기 황(S)은 50Torr 하에서 600 내지 800℃ 범위의 온도범위에서 가열하는 것이 바람직하며, 질소 또는 아르곤(Ar)가스를 주입하여 상기 황(S)이 상기 몰리브덴패턴층(12)으로 균일하게 유입될 수 있도록 조절한다. 한편, 상기 황(S)의 원료로서 H2S 기체소스 또는 H2SO4 액체소스를 이용할 수도 있다.8, the
이때, 상기 몰리브덴패턴층(12)에 황(S)이 유입되면 술폰화(Sulferization)가 이루어지게 되며, 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴(13)으로 성장한다.At this time, when sulfur (S) flows into the
도 9를 참조하면, 단결정 이황화몰리브덴 박막의 성장 메카니즘을 확인할 수 있다. 먼저, 상기 몰리브덴패턴층에 상기 황(S)이 유입되면, 각 몰리브덴패턴의 가장자리에서는 핵생성이 이루어지게 된다. 이는 패터닝된 각각의 몰리브덴패턴의 가장자리에서의 결합에너지가 낮기 때문에 핵생성이 먼저 이루어지게 되는 것이며, 계속해서 성장이 촉진된다. 생성된 핵은 성장을 하게 되는데, 성장과 함께 병합이 이루어지게 되며, 계속해서 안쪽으로 성장과 병합이 반복되어 결국 단결정의 이황화몰리브덴박막으로 성장하게 된다.Referring to FIG. 9, the growth mechanism of the monocrystalline molybdenum disulfide thin film can be confirmed. First, when sulfur (S) flows into the molybdenum pattern layer, nucleation occurs at the edges of each molybdenum pattern. This is because the bonding energy at the edge of each patterned molybdenum pattern is low, so nucleation is performed first, and the growth is continuously promoted. The resulting nuclei are grown, merged together with growth, and then repeatedly grown and merged inward, eventually growing into monolithic molybdenum disulfide thin films.
도 10을 참조하면, 상기 몰리브텐패턴층의 가장자리에서부터 핵생성이 이루어진다음, 성장과 병합이 반복되어 단결정의 이황화몰리브덴박막으로 성장하게 됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 10, it can be confirmed that nucleation is performed from the edge of the molybdenum pattern layer, and then the growth and the merge are repeated to grow into a monocrystalline molybdenum disulfide thin film.
상술한 방법에 의해 제조된 이황화몰리브덴층을 상기 기판(110)상으로 이송하는데 서로 다른 두께를 갖도록 적층함으로써 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(13, 132, 133, 134) 즉, 상기 흡수층(130)을 형성한다. The transition
또한, 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134)을 형성하는 다른 일례로, 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 상기 기판상으로 이송하여 상기 흡수층(130)을 형성하는 것이다. Further, as another example of forming the transition metal decalcogenide layers 131, 132, 133, and 134, a transition metal decalcogenide layer having different thicknesses is formed, and then each transition metal decalcogenide Layer is transferred onto the substrate to form the
먼저, 보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성(S10)한 다음, 화학기상증착법(CVD법)을 이용하며 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성(S20)한다. First, a molybdenum (Mo) pattern layers in brace plate (S10), and then, a chemical vapor deposition method using a (CVD method) and a single crystal molybdenum disulfide and sulfonated to introduce a sulfur (S) as the molybdenum pattern layer (MoS 2 ) Thin film pattern is formed (S20).
이때, 상기 몰리브덴패턴층의 두께와 유입되는 상기 황(S)의 양을 조절하여 서로 다른 두께의 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴으로 형성한다. 보다 상세한 설명은 도 6 및 도 7의 설명을 참조하기로 한다.At this time, the thickness of the molybdenum pattern layer and the amount of the introduced sulfur (S) are adjusted to form a monocrystalline molybdenum disulfide thin film pattern having different thicknesses. A more detailed description will be made with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.
상술한 방법에 의해 제조된 서로 다른 두께의 이황화몰리브덴 박막을 각각 상기 기판(110)상으로 이송함으로써 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134) 즉, 상기 흡수층(130)을 형성한다. The transition metal decalcogenide layers 131, 132, 133 and 134, that is, the
한편, 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134)을 형성함에 있어서, 도 3과 같이 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 서로 이격되도록 형성할 수 있다. 이때, 상기 제3단계서는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성한다.Meanwhile, in forming the transition metal decalcogenide layers 131, 132, 133, and 134, the respective transition metal decalcogenide layers may be spaced apart from each other as shown in FIG. At this time, in the third step, electrodes are formed at both ends of each transition metal decalcogenide layer.
그리고, 상기 전이금속 다이칼코게나이드층(131, 132, 133, 134)을 형성함에 있어서, 도 4과 같이 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 서로 연결되도록 형성할 수 있다. 이때, 상기 제3단계서는 전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성한다.In forming the transition metal decalcogenide layers 131, 132, 133, and 134, each transition metal decalcogenide layer may be formed to be connected to each other as shown in FIG. At this time, in the third step, electrodes are formed at both ends of the entire transition metal decalcogenide layer.
본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법은 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터에도 적용될 수 있다.The method of fabricating a multi-wavelength detection optical sensor using a transition metal according to an embodiment of the present invention can also be applied to a backgate phototransistor.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(100)의 제조방법과 마찬가지로, 제1단계에서는 기판(110)을 준비하고, 제2단계에서는 흡수층(130)을 형성하며, 제3단계에서는 전극(140)을 형성한다. 이에 추가하여 제4단계에서는 상기 기판(110) 하부에 게이트전극(150)을 형성하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조한다. 보다 상세한 설명은 본 발명의 실시예에 따른 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서(100)의 제조방법을 참조하기로 한다.That is, the
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various changes and modifications will be possible.
100, 400: 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서
110: 기판 120: 절연층
130: 흡수층 140: 전극
150: 게이트전극 1: 화학기상장치(CVD)
2: 챔버 10: 보조기판
11: 포토레지스트패턴 12:몰리브덴패턴층
13: 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴100, 400: Multi-wavelength detection light sensor using transition metal
110: substrate 120: insulating layer
130: absorbing layer 140: electrode
150: gate electrode 1: chemical vapor deposition (CVD)
2: chamber 10: auxiliary substrate
11: Photoresist pattern 12: Molybdenum pattern layer
13: Monocrystalline molybdenum disulfide (MoS 2 ) thin film pattern
Claims (15)
상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드(dichalcogenide)층으로 형성되는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성되어, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하는 흡수층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서.Board; And
And a plurality of transition metal decalcogenide layers formed on the substrate, wherein each transition metal decalcogenide layer is formed of the same material but has a different thickness, and each transition metal decalcogenide layer And an absorption layer for detecting light of different wavelengths from each other.
상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서.The method according to claim 1,
The transition metal die-chalcogenide layer is made of molybdenum disulfide (MoS 2), a selenide molybdenum (MoSe 2), molybdenum telluride cargo (MoTe 2), tungsten disulfide (WS 2), and the selenide tungsten (WSe 2) Wherein the first electrode and the second electrode are made of a material selected from the group consisting of a metal and a metal.
각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 이격되어 구비되며,
각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서.3. The method of claim 2,
Each transition metal decalcogenide layer being spaced apart from one another,
And an electrode disposed at both ends of each transition metal decalcogenide layer. ≪ Desc / Clms Page number 19 >
각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 서로 연결되어 구비되며,
전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 구비되는 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서.3. The method of claim 2,
Each of the transition metal decalcogenide layers being connected to each other,
And an electrode disposed on both ends of the entire transition metal decalcogenide layer.
상기 기판 하부에 구비되는 게이트전극;을 포함하며,
백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서.The method according to claim 3 or 4,
And a gate electrode provided under the substrate,
Wherein the phototransistor is a back gate type phototransistor.
상기 기판상에 복수 개의 전이금속 다이칼코게나이드층으로 이루어지는 흡수층을 형성하는데, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층은 동일한 물질로 이루어지되 각각 다른 두께로 형성하여, 각 전이금속 다이칼코게나이드층별로 각기 다른 파장의 빛을 검출하도록 하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.A first step of preparing a substrate; And
An absorber layer comprising a plurality of transition metal decalcogenide layers is formed on the substrate, wherein each transition metal decalcogenide layer is formed of the same material but has a different thickness, and each transition metal decalcogenide layer And a second step of detecting light having a different wavelength from each other using the transition metal.
상기 전이금속 다이칼코게나이드층은 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀레늄화몰리브덴(MoSe2), 몰리브덴 텔루르화물(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2) 및 이셀레늄화텅스텐(WSe2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.The method according to claim 6,
The transition metal die-chalcogenide layer is made of molybdenum disulfide (MoS 2), a selenide molybdenum (MoSe 2), molybdenum telluride cargo (MoTe 2), tungsten disulfide (WS 2), and the selenide tungsten (WSe 2) Wherein the first electrode is formed of a material selected from the group consisting of tantalum, tantalum, tantalum, tantalum, tantalum, tantalum, tantalum, tungsten,
상기 제2단계는 동일한 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 상기 기판상으로 이송하는데 서로 다른 두께를 갖도록 적층하여 상기 흡수층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the second step comprises forming a transition metal decalcogenide layer having the same thickness and then depositing the transition metal decalcogenide layer so as to have different thicknesses to be transferred onto the substrate to form the absorption layer. A method of manufacturing a sensor.
보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및
화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.9. The method of claim 8, wherein the transition metal decalcogenide layer
Forming a molybdenum (Mo) pattern layer on the auxiliary substrate; And
And using the chemical vapor deposition method (CVD method), and sulfonated to introduce a sulfur (S) as the molybdenum pattern layer single crystal molybdenum disulfide (MoS 2) forming a thin film pattern; transition as to form, including (METHOD FOR MANUFACTURING A MULTI - WAVE DETECTING.
상기 제2단계는 서로 다른 두께의 전이금속 다이칼코게나이드층을 형성한 다음, 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 상기 기판상으로 이송하여 상기 흡수층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the second step comprises forming a transition metal decalcogenide layer of different thicknesses and then transferring each transition metal decalcogenide layer onto the substrate to form the absorbing layer. A method for manufacturing a multi-wavelength detection light sensor.
보조기판상에 몰리브덴(Mo)패턴층을 형성하는 단계; 및
화학기상증착법(CVD법)을 이용하며, 상기 몰리브덴패턴층으로 황(S)을 유입하여 술폰화하여 단결정 이황화몰리브덴(MoS2) 박막패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성하는데,
상기 몰리브덴패턴층의 두께와 유입되는 상기 황(S)의 양을 조절하여 서로 다른 두께의 단결정 이황화몰리브덴 박막패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.11. The method of claim 10, wherein the transition metal decalcogenide layer
Forming a molybdenum (Mo) pattern layer on the auxiliary substrate; And
Forming a monocrystalline molybdenum disulfide (MoS 2 ) thin film pattern by introducing sulfur (S) into the molybdenum pattern layer using a chemical vapor deposition method (CVD method)
Wherein the thickness of the molybdenum pattern layer and the amount of sulfur (S) introduced are controlled so as to form a monocrystalline molybdenum disulfide thin film pattern having different thicknesses.
상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층을 서로 이격되도록 형성하며,
각각의 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.The method according to any one of claims 8 to 11,
Wherein the second step comprises forming each transition metal decalcogenide layer apart from each other,
And forming an electrode on both ends of each transition metal decalcogenide layer, respectively, according to the method of manufacturing the multi-wavelength light detecting sensor.
상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.13. The method of claim 12,
And forming a gate electrode on the lower surface of the substrate, wherein a backgate phototransistor is fabricated.
상기 제2단계는 각각의 전이금속 다이칼코게나이드층이 서로 연결되도록 형성하며,
전체 전이금속 다이칼코게나이드층의 양단에 각각 전극을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.The method according to any one of claims 8 to 11,
Wherein the second step is such that each transition metal decalcogenide layer is connected to each other,
And a third step of forming electrodes on both ends of the entire transition metal decalcogenide layer, respectively.
상기 기판 하부에 게이트전극을 형성하는 제4단계;를 포함하여 백게이트(backgate) 방식의 포토트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속을 이용한 다파장 검출 광센서의 제조방법.15. The method of claim 14,
And forming a gate electrode on the lower surface of the substrate, wherein a backgate phototransistor is fabricated.
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|---|---|---|---|
| KR1020160167430A KR101953312B1 (en) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | Method for manufacturing single crystalline molybdenum disulfide |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200042424A (en) | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 린나이코리아 주식회사 | Heat transfer fin |
| CN114300575A (en) * | 2021-12-24 | 2022-04-08 | 江南大学 | Preparation method of wide-spectrum silicon-based-molybdenum sulfide heterojunction photoelectric detector |
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| JPH05167096A (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor photosensor |
| KR20110118067A (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-28 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Forming chalcogenide semicoductor absorbers |
| KR20150057505A (en) | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 한국전자통신연구원 | Multi-wavelength optical receiving apparatus and method |
| KR20160120057A (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-17 | 삼성전자주식회사 | Electronic device using 2-dimensional material and method of manufacturing the same |
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2016
- 2016-12-09 KR KR1020160167430A patent/KR101953312B1/en active IP Right Grant
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| KR101953312B1 (en) | 2019-03-04 |
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