KR20180062276A - 유기 발광 다이오드 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부 보상 픽셀 회로의 구성을 단순화할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공한다. 일 실시예의 N번째 픽셀 회로는 N+1번째 픽셀 회로에 속하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 스토리지 커패시터를 초기화하는 트랜지스터를 공유하여 OLED 소자를 초기화한다. 이에 따라, 각 픽셀 회로에서 OLED 소자를 초기화하는 트랜지스터를 제거하여 회로 구성 및 면적을 감소시킬 수 있다.

Description

유기 발광 다이오드 표시 장치{ORGAINC EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 내부 보상 픽셀 회로의 구성을 단순화할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것이다.
최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 평판 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 표시 장치(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.
이들 중 OLED 표시 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자로 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 초박막화가 가능하여 차세대 표시 장치로 기대되고 있다.
OLED 표시 장치를 구성하는 다수의 픽셀 각각은 OLED 소자와, OLED 소자를 독립적으로 구동하는 픽셀 회로를 구비한다. 픽셀 회로는 데이터 신호에 상응하는 구동 전압(Vgs)에 따라 구동 트랜지스터가 OLED 소자를 구동하는 전류(Ids)를 조절함으로써 OLED 소자의 밝기를 조절한다.
OLED 표시 장치는 구동 트랜지스터의 임계 전압(이하 Vth)과 같은 특성이 픽셀별로 불균일하기 때문에 동일 구동 전압(Vgs) 대비 전류(Ids)가 달라져 휘도 편차가 발생된다.
이를 해결하기 위하여, OLED 표시 장치는 각 픽셀 회로의 내부에서 구동 트랜지스터의 Vth를 보상하고, Vth가 보상된 데이터 신호를 이용하여 구동 트랜지스터를 구동하는 내부 보상 기술이 제안되고 있다.
그러나, 내부 보상 기능을 갖는 픽셀 회로는 다수의 트랜지스터를 구비하므로 픽셀 회로 구성이 복잡하다는 단점이 있다. 예를 들면, QHD(Quad High Definition) 이상의 고해상도 모델은 7개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 7T1C 구조의 내부 보상 픽셀 회로를 이용하는 것으로 알려져 있다.
이로 인하여, 종래의 내부 보상 픽셀 회로는 다수의 트랜지스터 구조에 의해 픽셀 회로가 차지하는 면적을 줄이는데 한계가 있으므로 고해상도화 되어갈수록 ppi (pixels per inch) 향상에 어려움이 있어 고해상도 표시 장치의 적용에 어려움이 있다.
본 발명은 내부 보상 픽셀 회로의 구성을 단순화할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 N번째 픽셀 회로는 N+1번째 픽셀 회로에 속하는 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 스토리지 커패시터를 초기화하는 트랜지스터를 공유하여 OLED 소자를 초기화한다. 이에 따라, 각 픽셀 회로에서 OLED 소자를 초기화하는 트랜지스터를 제거하여 회로 구성 및 면적을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 각 픽셀 회로는 발광 소자와, 구동 전압에 따라 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터와, N번째(N은 자연수) 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전극을 연결하는 제1 트랜지스터와, N번째 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 제2 전극으로 공급하는 제2 트랜지스터와, N번째 발광 제어 라인의 발광 제어 신호에 응답하여 전원 라인의 제1 전원 전압을 구동 트랜지스터의 제1 전극으로 공급하는 제3 트랜지스터와, N번째 발광 제어 라인의 발광 제어 신호에 응답하여 구동 트랜지스터를 발광 소자와 접속시키는 제4 트랜지스터와, N-1번째 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 스토리지 커패시터 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제1 노드를 초기화 전압 공급 라인의 초기화 전압으로 초기화하는 제5 트랜지스터와, 전원 라인과 제1 노드 사이에 접속되어 구동 트랜지스터의 구동 전압을 저장하는 스토리지 커패시터를 구비한다.
N-1번째 스캔 라인 및 N번째 스캔 라인과 접속된 N번째 픽셀 회로의 OLED 소자는, N번째 스캔 라인과 그 다음의 N+1번째 스캔 라인과 접속된 N+1번째 픽셀 회로의 제5 트랜지스터와 연결 전극을 통해 접속된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로는 인접한 픽셀 회로와 일부 트랜지스터를 공유함으로써 기존의 7T1C 구성을 6T1C 구성으로 단순화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 보상 픽셀 회로는 단순화된 회로 구성에 의해 픽셀 회로의 면적을 줄일 수 있으므로 ppi (pixels per inch) 향상이 가능하여 고해상도 표시 장치에 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구동 파형도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구동 과정을 단계적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 본 발명과 대비되는 선행 기술에 따른 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, OLED 표시 장치는 순차 스캔되며 일부 트랜지스터(T5)를 공유하는 N번째(N은 자연수) 및 N+1번째 픽셀 회로(P[N], P[N+1])를 포함한다.
픽셀 회로(P[N], P[N+1])는 초기화 전압(Vini)을 공급하는 초기화 전압 공급 라인(10)과, 고전위 전원 전압(EVDD)을 공급하는 제1 전원 라인(20), 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 라인(30)과 접속된다. N번째 픽셀 회로(P[N])는 N-1번째 스캔 라인(40) 및 N번째 스캔 라인(41), N번째 발광 제어 라인(51)과 접속되고, N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])는 N번째 스캔 라인(41) 및 N+1번째 스캔 라인(42), N+1번째 발광 제어 라인(52)과 접속된다.
픽셀 회로(P[N], P[N+1]) 각각은 제1 내지 제5 트랜지스터(T1~T5)와, 구동 트랜지스터(DT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비하여 OLED 소자를 독립적으로 구동한다. 픽셀 회로(P[N], P[N+1])의 트랜지스터들((T1~T5, DT)은 모두 P-채널 또는 N-채널 타입의 박막 트랜지스터(TFT)로 구성될 수 있다. 이하의 실시예들에서는 트랜지스터들(DT, T1~T5)이 모두 P-채널 타입의 TFT로 구성된 경우만을 예로 들어 설명하지만, N-채널 타입의 TFT도 적용될 수 있다.
N번째 및 N+1번째 픽셀 회로(P[N], P[N+1])는 회로 구성이 서로 동일하되, 각 트랜지스터를 제어하는 제어 라인, 즉 스캔 라인 및 발광 제어 라인만 순차적으로 변경되는 것이므로, 이하에서는 N번째 픽셀 회로(P[N])를 참조하여 픽셀 회로의 구체적인 구성과 구동 과정을 설명하기로 한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자는 구동 TFT(DT)와 접속된 애노드와, 저전위 전원(EVSS)과 접속된 캐소드와, 애노드 및 캐소드 사이의 발광층을 구비하고, 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례하는 광을 발생한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극은 제1 전원 라인(20)과 접속되고, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 접속된 제1 노드(N1)에 접속되어, 구동 트랜지스터(DT)의 구동 전압(Vgs)을 충전한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 구동 트랜지스터(DT)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 구동 전압(Vgs)에 따라 OLED 소자를 구동하는 전류를 제어한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제1 트랜지스터(T1)는 N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N])에 의해 제어되고, N번째 픽셀 회로(P[N])의 샘플링 기간 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 드레인 전극을 연결하여 구동 트랜지스터(DT)를 다이오드 구조로 접속시킨다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제2 트랜지스터(T2)는 N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N])에 의해 제어되고, N번째 픽셀 회로(P[N])의 샘플링 기간 동안 데이터 라인(30)의 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제3 트랜지스터(T3)는 N번째 발광 제어 라인(51)의 발광 제어 신호(EM[N])에 의해 제어되고, N번째 픽셀 회로(P[N])의 발광 기간 동안 제1 전원 라인(30)의 고전위 전원 전압(EVDD)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제4 트랜지스터(T4)는 N번째 발광 제어 라인(51)의 발광 제어 신호(EM[N])에 의해 제어되고, N번째 픽셀 회로(P[N])의 발광 기간 동안 구동 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류를 OLED 소자로 공급한다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제5 트랜지스터(T5)는 N-1번째 스캔 라인(40)의 스캔 신호(SCAN[N-1])에 의해 제어되고, N번째 픽셀 회로(P[N])의 초기화 기간 동안 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 접속된 제1 노드(N1)를 초기화 전압(Vini)으로 초기화시킨다.
제5 트랜지스터(T5)는 도 1과 같이 서로 연결된 듀얼 게이트의 제어에 의해 제5 트랜지스터 쌍(T51, T52)이 직렬 전류 패스를 형성하는 듀얼 게이트 트랜지스터로 구성될 수 있다. 듀얼 게이트 구조의 제5 트랜지스터(T5)는 불안정한 전류를 억제하여 제1 노드(N1)를 안정적으로 초기화할 수 있다.
특히, N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자는 연결 전극(60)을 통해 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제5 트랜지스터(T5)와 접속되어 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제5 트랜지스터(T5)에 의해 초기화된다. 이에 따라, N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 초기화 기간과 오버랩하는 N번째 픽셀 회로(P[N])의 샘플링 기간 동안, N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제5 트랜지스터(T5) 및 연결 전극(60)을 통해 N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드 전극이 초기화 전압(Vini)에 의해 초기화된다.
예를 들면, N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])에 속하는 듀얼 게이트의 제5 트랜지스터 쌍(T51, T52)에서 T51와 T52 사이의 접속 노드(Nc)가 연결 전극(60)을 통해 N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드와 연결될 수 있다.
같은 원리로, N번째 픽셀 회로(P[N])에 속하는 듀얼 게이트 구조의 제5 트랜지스터(T5)는 접속 노드(Nc) 및 연결 전극(60)을 통해 N-1번째 픽셀 회로(P[N-1])의 OLED 소자의 애노드와 접속되어, N번째 픽셀 회로(P[N])의 제1 노드(N1)을 초기화 전압(Vini)에 의해 초기화함과 아울러 N-1번째 픽셀 회로(P[N-1])의 OLED 소자의 애노드를 초기화 전압(Vini)에 의해 초기화한다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예의 N번째 픽셀 회로(P[N])는 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])에 속하는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극 및 스토리지 커패시터(Cst)를 초기화하는 트랜지스터(T5)를 공유하여 OLED 소자를 초기화한다. 이에 따라, 각 픽셀 회로에서 OLED 소자를 초기화하기 위한 추가적인 트랜지스터가 필요하지 않으므로 회로 구성 및 면적을 감소시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구동 파형도이고, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로의 구동 과정을 단계적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, N-1번째 스캔 라인(40)의 스캔 신호(SCAN[N-1]), N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N]), N+1번째 스캔 라인(42)의 스캔 신호(SCAN[N+1])는 순차 쉬프트되는 해당 스캔 라인의 스캔 기간에 게이트 온 전압(Von)의 스캔 펄스를 공급하고 나머지 기간에 게이트 오프 전압(Voff)을 공급한다. N번째 발광 제어 라인(51)의 발광 제어 신호(EM[N])는 N-1번째, N번째, N+1번째 스캔 라인(40, 41, 42)의 스캔 기간과 오버랩하는 비발광 기간에는 게이트 오프 전압(Voff)을 공급하고 나머지 발광 기간 동안 게이트 온 전압(Von)을 공급한다.
도 1에 도시된 P-채널 타입의 트랜지스터들(T1~T5)을 제어하기 위하여, 도 2에서 게이트 온 전압(Von)은 로우 레벨로 공급되고, 게이트 오프 전압(Voff)은 하이 레벨로 공급된다. 한편, 도 1에 도시된 트랜지스터들(T1~T5)이 N-채널 타입으로 구성되는 경우, 도 2와 반대로 게이트 온 전압(Von)은 하이 레벨로 공급되고, 게이트 오프 전압(Voff)은 로우 레벨로 공급될 수 있다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, N번째 픽셀(P[N])의 초기화 기간 동안, N-1번째 스캔 라인(40)의 스캔 신호(SCAN[N-1])에 응답하여, 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되고 N번째 픽셀(P[N])의 제1 노드(N1)를 초기화 전압(Vini)으로 초기화함과 아울러 N-1번째 픽셀(P[N-1])의 OLED 소자의 애노드도 초기화 전압(Vini)으로 초기화한다. 이 초기화 기간 동안 N번째 픽셀(P[N])의 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1~T4)과 구동 트랜지스터(DT)는 턴-오프된다.
도 2 및 도 3b를 참조하면, N번째 픽셀(P[N])의 샘플링 기간 동안, N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N])에 응답하여, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온된다. 샘플링 기간 동안, 제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(30)의 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급하고, 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 드레인 전극을 연결하여 구동 트랜지스터(DT)가 다이오드 구조로 동작하게 한다. 구동 트랜지스터(DT)의 다이오드 동작에 의해 Vth가 보상되므로, Vth가 보상된 데이터 전압(Vdata-Vth)이 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제공된다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)는 Vth가 보상된 데이터 전압(Vdata-Vth)이 반영된 구동 전압(Vgs = EVDD-Vdata+Vth)을 충전하여 이후의 발광 기간 동안 구동 트랜지스터(DT)에 제공할 수 있다. 이 샘플링 기간 동안 제2 내지 제5 트랜지스터(T2~T5)는 턴-오프된다.
특히, N번째 픽셀(P[N])의 샘플링 기간 동안, N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N])에 응답하여 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되어, N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제1 노드(N1)가 초기화 전압(Vini)으로 초기화되는 동안, 연결 전극(60)을 통해 N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드 전극도 초기화 전압(Vini)에 의해 초기화된다.
도 2 및 도 3c를 참조하면, N번째 픽셀(P[N])의 발광 기간 동안, N번째 발광 제어 라인(51)의 발광 제어 신호(EM[N])에 응답하여, 제3 및 제4 트랜지스터(T3, T4)가 턴-온된다. 발광 기간 동안, 제3 트랜지스터(T3)는 제1 전원 라인(30)의 고전위 전원 전압(EVDD)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 공급하고, 제4 트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류를 OLED 소자로 공급하여 OLED 소자가 발광하게 한다. 이때, 구동 트랜지스터(DT)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장되어 있는 구동 전압(Vgs = EVDD-Vdata+Vth)을 이용하여 OLED 소자로 구동 전류(Ioled)를 공급한다. OLED 소자의 구동 전류(Ioled)는 다음 수학식 1과 같이 구동 트랜지스터(DT)의 Vth 성분이 상쇄되어 "EVDD-Vdata"에 의해 결정된다. 아래 수학식 1에서 k는 구동 트랜지스터(DT)의 이동도와 채널 폭(W)/길이(L) 성분을 포함하는 비례 계수이다.
<수학식 1>
Ioled = k(Vgs-Vth)2 = k{(EVDD-Vdata+Vth)-Vth}2 = k(EVDD-Vdata)2
이와 같이, 본 발명의 일 실시예는 N번째 픽셀 회로(P[N]) 및 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])가 제5 트랜지스터(T5)를 공유함으로써 OLED 소자를 초기화하기 위한 추가의 트랜지스터가 필요하지 않으므로 각 픽셀 회로를 6개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되는 6T1C 구조로 단순화할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시에예와 대비되는 선행 기술에 따른 픽셀 회로를 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 선행 기술에 따른 N번째 픽셀 회로(P[N]) 및 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1]) 각각은 OLED 소자의 애노드를 초기화하기 위한 제6 트랜지스터(T6)를 추가적으로 구비함으로써, 7개의 트랜지스터와 1개의 트랜지스터를 포함하는 7T1C 구조를 갖음을 알 수 있다.
N번째 픽셀 회로(P[N])의 제6 트랜지스터(T6)는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 제어하는 N번째 스캔 라인(41)의 스캔 신호(SCAN[N])에 의해 N번째 픽셀 회로(P[N])의 샘플링 기간에 턴-되어 초기화 전압(Vini)으로 N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드는 초기화한다.
N+1번째 픽셀 회로(P[N])의 제6 트랜지스터(T6)는 N+1번째 스캔 라인(42)의 스캔 신호(SCAN[N+1])에 의해 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 샘플링 기간에 턴-되어 초기화 전압(Vini)으로 N+1번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드는 초기화한다.
이와 같이, 각 픽셀 회로가 OLED 소자를 초기화는 제6 트랜지스터(T6)을 구비하는 선행 기술과 대비하여, 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예는 제6 트랜지스터(T6)를 삭제할 수 있으므로 픽셀 회로 구성을 단순화할 수 있고 픽셀 회로의 면적을 감소시킬 수 있어 고해상도 표시 장치에 적용할 수 있는 장점이 있다.
도 5 내지 7은 본 발명의 각 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로 구성을 나타낸 등가 회로도이다.
도 5를 참조하면, N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드와 접속된 연결 전극(60)은 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 듀얼 게이트 제5 트랜지스터(T5)와 제1 노드(N1) 사이의 접속 노드(Nc)에 접속될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제5 트랜지스터(T5)는 단일 게이트 트랜지스터 구조를 이용하는 것도 가능하며, 이 경우 N번째 픽셀 회로(P[N])의 OLED 소자의 애노드와 접속된 연결 전극(60)은 N+1번째 픽셀 회로(P[N+1])의 제5 트랜지스터(T5)와 제1 노드(N1) 사이의 접속 노드(Nc)에 접속될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 트랜지스터(T1)도 듀얼 게이트 구조의 제1 트랜지스터 쌍(T11, T12) 구조로 구성되어, 제1 트랜지스터(T1)의 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 픽셀 회로는 인접한 픽셀 회로와 일부 트랜지스터(T5)를 공유함으로써 기존의 7T1C 구성을 6T1C 구성으로 단순화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 보상 픽셀 회로는 단순화된 회로 구성에 의해 픽셀 회로의 면적을 줄일 수 있으므로 ppi (pixels per inch) 향상이 가능하여 고해상도 표시 장치에 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여러가지 변형이 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.
10: 초기화 전압 공급 라인 20: 제1
30: 데이터 라인 40, 41, 42: 스캔 라인
51, 52: 발광 제어 라인 60: 연결 전극

Claims (5)

  1. 복수의 픽셀 회로 각각은
    발광 소자와,
    구동 전압에 따라 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터와,
    N번째(N은 자연수) 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전극을 연결하는 제1 트랜지스터와,
    상기 N번째 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제2 전극으로 공급하는 제2 트랜지스터와,
    N번째 발광 제어 라인의 발광 제어 신호에 응답하여 전원 라인의 제1 전원 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제1 전극으로 공급하는 제3 트랜지스터와,
    상기 N번째 발광 제어 라인의 발광 제어 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터를 상기 발광 소자와 접속시키는 제4 트랜지스터와,
    상기 N-1번째 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여 상기 스토리지 커패시터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제1 노드를 초기화 전압 공급 라인의 초기화 전압으로 초기화하는 제5 트랜지스터와,
    상기 전원 라인과 상기 제1 노드 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 구동 전압을 저장하는 스토리지 커패시터를 구비하고,
    상기 복수의 픽셀 회로 중, 상기 N-1번째 스캔 라인 및 상기 N번째 스캔 라인과 접속된 N번째 픽셀 회로의 OLED 소자는, 상기 N번째 스캔 라인과 그 다음의 N+1번째 스캔 라인과 접속된 N+1번째 픽셀 회로의 제5 트랜지스터와 연결 전극을 통해 접속되는 OLED 표시 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 N+1번째 픽셀 회로의 제5 트랜지스터는 상기 N번째 스캔 라인의 스캔 신호에 응답하여, 상기 초기화 전압으로 상기 N+1번째 픽셀 회로의 제1 노드를 초기화함과 아울러 상기 N번째 픽셀 회로의 OLED 소자를 초기화하는 OLED 표시 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 N번째 픽셀 회로에 속하는 OLED 소자의 애노드와 접속된 상기 연결 전극은, 상기 N+1번째 픽셀 회로의 제1 노드 및 제5 트랜지스터 사이의 접속 노드에 연결되는 OLEL 표시 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터와 제5 트랜지스터 중 적어도 어느 하나는, 게이트를 공유하고 직렬 접속된 한 쌍의 트랜지스터로 구성되고,
    상기 제5 트랜지스터가 상기 한 쌍의 트랜지스터로 구성될 때, 상기 N번째 픽셀 회로에 속하는 OLED 소자의 애노드와 접속된 상기 연결 전극은, 상기 N+1번째 픽셀 회로에 속하는 상기 한 쌍의 제5 트랜지스터들 사이의 중간 노드에 연결되거나, 상기 N+1번째 픽셀 회로에 속하는 제1 노드 및 상기 제5 트랜지스터 사이의 접속 노드에 연결되는 OLEL 표시 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 N번째 픽셀 회로는
    초기화 기간 동안, 상기 제5 트랜지스터는 상기 제1 노드를 상기 초기와 전압으로 초기화하고,
    상기 초기화 기간 다음의 샘플링 기간 동안, 상기 제2 트랜지스터는 상기 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터에 공급하고 상기 제1 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터를 다이오드 구조로 연결하여, 상기 스토리지 커패시터는 상기 구동 트랜지스터의 임계 전압이 보상되고 상기 데이터 전압이 반영되어진 구동 전압을 저장하고,
    상기 샘플링 기간 다음의 발광 기간 동안, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제1 전원 전압을 상기 제2 노드로 공급하고 상기 제4 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터와 상기 발광 소자를 접속시키며,
    상기 샘플링 기간 동안, 상기 발광 소자는 상기 N+1번째 픽셀 회로에 속하는 제5 트랜지스터에 의해 상기 초기화 전압으로 초기화되는 OLED 표시 장치.
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