KR20180050716A - 박층 스택을 포함하는 글레이징 - Google Patents

Abstract

본 발명은 은을 기재로 한 기능성 금속층 및 두 개의 유전체 코팅을 포함하는 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질에 관한 것이다. 상기 물질은, 은을 기재로 한 기능성층 아래에 위치한 하부 유전체 코팅이: 금속 산화물 기재의 고굴절율층, 규소 및/또는 알루미늄을 기재로 한 확산 방지층 및 확산 방지층 위에 위치하고 확산 방지층과 상이한 조성을 가지는 평활층 및/또는 습윤층과 같은 하나 이상의 산화물층을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

박층 스택을 포함하는 글레이징

본 발명은 은-기재 기능성층을 포함하는 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 글레이징과 같은 물질 및 이를 얻는 제조방법에 관한 것이다.

보다 상세하게는, 본 발명은 높은 태양 인자를 나타내는 보강된 단열 글레이징을 제조하기 위한 이러한 물질의 용도에 관한 것이다. 이러한 글레이징은 예를 들어 특히 겨울철의 난방열 변형을 줄이고("저 방사율" 글레이징) 자유 태양 복사 기여를 극대화하기 위한 목적으로 추운 기후에서의 건물 설비를 위한 것이다.

태양 인자 g는 글레이징을 통하여 건물로 들어오는 에너지와 입사 태양 에너지의 비로 정의된다. 이는 글레이징을 통하여 직접 전달된 에너지의 흐름과 글레이징에 의하여 흡수된 다음 내부를 향하여 재-방사되는 에너지의 흐름의 합으로 계산될 수 있다. SF 계수로도 알려진 태양 인자 g는 국제 표준 ISO 9050에 기술된 조건에 따라 본 발명의 의미 내에서 측정된다.

이러한 단열 특성을 부여하는 것으로 알려진 박층 스택의 유형은 은-기재 기능성층(또는 은층)으로 구성된다.

은-기재 기능성층은 여러 가지 용도로 사용된다: 열 또는 태양 적외선 복사를 반사하여 물질에 낮은 방사율 또는 태양광 조절 기능을 부여한다. 전기 전도성을 가지기 때문에 전도성 물질, 예를 들어 가열된 글레이징 또는 전극을 얻을 수도 있다.

은-기재 기능성층은 스택의 광학 특성을 조정하고 가시 영역에서 높은 투과율을 유지할 수 있게 하는 여러 유전체층을 일반적으로 포함하는 유전체 물질(이하 유전체 코팅)을 기재로 하는 코팅들 사이에 증착된다. 이러한 유전체층은 부가적으로 은층을 화학적 또는 기계적 공격으로부터 보호할 수 있게 한다.

본 출원인이 보유한 출원 WO 2012/127162는 본 발명의 물질을 구비한 글레이징의 태양 인자를 증가시키고, 특히 투과에서 수용 가능한 착색을 얻는 것을 가능하게 하는 두 개의 특정 비금속 유전체 코팅 사이에 위치하는 은층을 포함하는 박층 스택이 제공된 투명 기판을 포함하는 물질을 개시하고 있다. 이를 위하여, 스택은 바람직하게는:

- 은층 아래에 위치하고 2.20 이상의 굴절율을 가지는 물질로 제조되며, 바람직하게는 10 nm 초과의 두께를 가지는, 고굴절율을 가지는 하나 이상의 층을 포함하는 하부 유전체 코팅을 포함하고,

- 은층 위에 위치하고, 적어도 은-기재층 위에 다음의 순서로 증착된 얇은 고굴절율 및 저굴절율 층의 순서를 포함하는 상부 유전체 코팅을 포함한다:

- 2.20 이상의 굴절율을 가지는 물질로 제조되고, 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 15 nm 내지 40 nm인 하나 이상의 고굴절율을 가지는 층 및

- 1.70 이하의 굴절율을 가지는 물질로 제조되고, 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 40 nm 내지 120 nm인 하나 이상의 저굴절율을 가지는 층.

얇은 고굴절율 및 저굴절율 층을 포함하는 이들 물질은 투과 및 반사에서 높은 태양 인자, 높은 광 투과율 및 수용 가능한 색상을 나타내는 이점을 가진다.

반면, 이들 물질이 고온 열처리를 받을 때, 비색 및 광학 특성의 변화, 특히 산란된 광의 비율 증가(특정한 응용 분야에서는 만족스럽지 않다)가 종종 관찰된다.

템퍼링 유형의 열처리 후에, 상당한 빛의 산란 및 특히 반사 시에 두드러지고 투과 중에도 보이는 색상의 변화도 관찰된다. 빛의 산란 현상은 강렬한 빛 아래에서 일반적으로 볼 수 있는 "헤이즈(haze)"로 알려진 후광의 외관에 의하여 시각적으로 표현된다.

비색 및 광학 특성의 안정성은 바람직하게는 하나의 동일한 어셈블리에서 열처리되지 않은 물질 및 열처리된 물질을 그로부터 과도하게 명백해질 수 있는 차이 없이 동시에 사용하는 것을 가능하게 한다. 이러한 유형의 물질은 열처리 전후의 색상의 변화가 육안으로 보이지 않는 한 정합 가능 또는 템퍼링 가능하다고 기술할 수 있다.

결과적으로, 출원 WO 2012/127162에 기술된 물질은 특정 용도에 대하여 열처리 전후에 공동으로 사용하여 정합 가능 또는 템퍼링 가능한 물질이라고 기술하기에는 충분히 유사한 비색 및 가능하게는 광학 특성을 나타내지 않는다. 열처리 전과 후에 물질의 심미성이 충분히 가깝지 않다.

따라서 다음의 두 가지를 나타내는 물질을 개발할 필요가 있다:

- 열처리 전후에 충분히 유사한 광학 및 비색 특성, 및 선택적으로

- 높은 태양 인자, 높은 광 투과율 및 투과 및 반사 시 수용 가능한 색상.

본 발명에 따르면, 열처리 이후에 휘도 인자의 변화를 나타내는 물질은 정합 가능한 물질의 정의로부터 배제되지 않는다. 그러나, 열처리 이후의 휘도 인자의 변화는 가능한 작게 하는 것이 바람직하다.

결과적으로, 본 발명의 물질은 박층 스택 내의 변형을 야기함이 없는, 어닐링, 굽힘 및/또는 템퍼링과 같은 고온 열처리를 받을 수 있어야 한다.

에너지 또는 광학 성능 레벨과 같은 은-기재 스택의 특성들은 결정 상태 또는 균일성과 같은 은층의 품질에 및 그들의 환경에, 예를 들어 위와 아래에 위치한 층의 성질에 직접적으로 의존한다. 또한, 이러한 특성들은 스택을 구성하는 상이한 층들 사이의 광학 간섭 효과의 정밀한 제어에 기인한다.

특히 결정화와 같은 은층의 품질을 향상시키기 위한 해결책은 특히 얇은 고굴절율층 및 저굴절율층의 순서를 포함하는 스택을 개시하고 있는 출원 WO 2012/127162의 출원 전에 잘 제공되었다.

예를 들어, 출원 WO 2007/042688로부터 하부 유전체 코팅 내에 고굴절율층 및 습윤층을 포함하는 높은 광 투과율을 나타내는 물질이 알려져 있다. 이러한 물질은 고온의 열처리 후에 약간의 헤이즈를 나타내는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 극복하기 위하여, 출원 WO 2007/042688에 제공하는 해결책은 다음을 포함하는 은층 아래에 위치하는 유전체 코팅을 사용하는데 있다:

- 고굴절율층, 예를 들어 이산화 티타늄층,

- 고굴절율층 위에 위치한 니켈과 크로뮴(NiCrO_x) 또는 인듐과 주석(InSnO_x)의 혼합된 산화물을 기재로 한 확산 방지층,

- 확산 방지층 위에 위치한, 본질적으로 아연 산화물로 구성된 습윤층.

따라서 열처리 후에 헤이즈를 제한하기 위하여 본 출원 발명에서 제시된 해결책은 하부 유전체 코팅, 즉 은층 아래에 위치하고 다음의 층 순서와 같은 코팅을 사용하는 것으로 구성된다: 고굴절율층/특정 혼합 산화물 기재의 확산 방지층/습윤층.

출원 WO 2007/042688에 기술되고 예시된 물질은 상부 유전체 코팅 내에 고굴절율 및 저굴절율 층의 순서를 포함하지 않는다.

출원 WO 2007/101964는 은층 아래에 위치한 유전체 코팅이, 특히 규소 및/또는 알루미늄 질화물을 기재로 하는 하나 이상의 질화물-기재 유전체층을 포함하는 경우에:

- 은층의 습윤 및 핵형성을 촉진시키도록 의도된 습윤층, 예를 들어 결정질 아연 산화물을 기재로 하는 층,

- 습윤층 상의 은층의 적절한 성장에 기여하는, 습윤층 아래에 위치하는 혼합된 산화물로 제조된 평활층을 포함하는 유전체 코팅의 사용에 관하여 개시하고 있다.

은 아래에 위치한 유전체 코팅에 존재하는 규소 및/또는 알루미늄 질화물을 기재로 하는 층들은 실시예 2 내지 실시예 4(표 1)에서 10 nm 이상, 특히 30 nm 및 20 nm의 두께를 가진다.

출원 WO 2007/101964에 따르면, 이들 물질은 기판이 증착 후에 열처리를 받는지 여부에 관계없이 만족스러운 광학 특성을 얻는 것을 가능하게 한다. 그러나, 설명되고 예시된 물질은 고굴절율층 및 저굴절율층의 순서를 포함하지 않는다.

이들 두 문헌 모두에서, 5 nm 초과의 두께를 가지는 상부 유전체 코팅의 모든 박층은 실질적으로 동일한 굴절율을 가진다.

이러한 이유로, 이러한 박층으로 구성된 유전체 코팅은 실질적으로 균일한 굴절율의 매질을 형성하지만, 이들을 구성하는 물질은 상이하다.

본 발명에 따르면, 550 nm에서 상기 층을 구성하는 두 물질의 굴절율 차이의 절대값이 0.15 이하인 경우, 두 개의 박층은 실질적으로 동일한 굴절율을 가진다.

본 출원인은 놀랍게도, 다음의 층:

- 고굴절율층,

- 혼합 산화물 기재의 평활층 및/또는 습윤층과 같은 하나 이상의 산화물-기재 층

의 순서를 포함하는 하부 유전체 코팅을 포함하는 스택이 템퍼링 유형의 고온 열처리 후에 보이는 광학 특성의 변화는, 고굴절율 층이 5 nm보다 큰 두께를 나타낼 때, 고굴절율 층과 산화물 층의 원소의 상호확산에 기인한다는 것을 발견하였다.

예를 들어, 다음의 층들의 순서를 포함하는 유전체 코팅의 경우: TiO_x/SnZnO_x/ZnO:

- 주석 및 아연의 티타늄 산화물층으로의 이동,

- 티타늄의 주석 아연 혼합 산화물층으로의 이동 및

- 산소의 주석 아연 산화물층으로부터 티타늄 산화물층으로의 이동이 관찰된다.

그러나, 이러한 상호확산 현상은 고온 열처리가 수행되는 즉시 발생하지만, 상부 유전체 코팅이 균일한 굴절율의 매질을 형성하지 않을 때에만 색상의 현저한 변화가 관찰되는 것으로 보인다. 특히 상부 유전체 코팅이 5 nm 초과의 두께를 가지는 몇몇 층을 포함하고, 굴절율의 차가 적어도 0.30 초과인 경우, 색상의 상당한 변화가 존재한다.

예를 들어, 상부 유전체 코팅이:

- 본질적으로 규소 및/또는 알루미늄 질화물층으로 구성되고,

- 실질적으로 동일한 굴절율을 가지는, 혼합된 주석 아연 산화물 및 규소 질화물의 여러 층으로 이루어진 경우, 유전체 코팅의 굴절율은 균일하고 열처리 후에 확산이 거의 관찰되지 않는다. 상부 유전체 코팅이 고굴절율 및 저굴절율 순서를 포함할 때, 그 굴절율은 균일하지 않고 열처리 후에 현저한 확산이 관찰된다.

따라서 상호확산 현상은 상부 유전체 코팅을 이루는 층이 상이한 굴절율을 가지는 물질로 구성될 때 색상 변화에 현저히 부정적인 영향을 미치는 것으로 보인다.

이러한 문제를 극복하기 위하여, 본 발명은 고굴절율층 및 산화물층의 원소의 상호확산을 방지하는 특정의 확산 방지층을 부가하는 것으로 구성된다. 이러한 확산 방지층은, 예를 들어 혼합된 주석 아연 산화물층으로의 티타늄의 확산 및 티타늄 산화물층으로의 주석 및 아연의 확산을 차단함으로써 이들 두 개의 층을 각각 구성하는 물질이 혼합되는 것을 방지한다.

이러한 현상을 방지함으로써, 스택을 구성하는 층의, 광 산란 유형의 비색 및 가능한 광학적 변화를 일으키는 굴절율의 변경을 피하고, 열처리가 되거나 및 되지 않거나, 예를 들어 템퍼링되거나 및 템퍼링되지 않고 생성물을 정합 가능하지 않게 하는 것으로 나타났다.

따라서, 본 발명은 고굴절율층, 혼합된 산화물 기재의 평활층 및/또는 하나의 동일한 유전체 코팅 내의 습윤층과 같은 산화물층의 존재로 인하여, 템퍼링 유형의 고온 열처리 후에 광학적 변화를 감소시키는 것을 가능하게 한다.

따라서, 본 발명은 은-기재 기능성 금속층과, 각각 하나 이상의 유전체층을 포함하는 두 개의 유전체 코팅을 포함하는 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질에 관한 것으로, 기능성 금속층은 두 개의 유전체 코팅 사이에 위치하며, 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 하부 유전체 코팅은:

- 2.3 초과의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 금속 산화물 기재의 고굴절율층을 포함하고,

- 고굴절율층 위에 위치하고 1 내지 10 nm의 두께를 가지는 산화물층, 질화물층 및 옥시질화물층으로부터 선택된 규소 및/또는 알루미늄 기재의 확산 방지층 및

- 확산 방지층 위에 위치하고 확산 방지층과 다른 조성을 가지는 하나 이상의 산화물-기재층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 또한:

- 본 발명에 따른 물질을 얻는 제조 방법에,

- 본 발명에 따른 하나 이상의 물질을 포함하는 글레이징에,

- 빌딩 산업 또는 차량을 위한 단열 글레이징과 같은, 본 발명에 따른 글레이징의 용도에 및

- 본 발명에 따른 글레이징을 포함하는 빌딩 또는 차량에 관한 것이다.

본 발명의 해결책은 하부 유전체 코팅에서:

- 높은 광 투과율을 얻는 것을 가능하게 하고 높은 태양 인자를 얻는 것에 기여하는 고굴절율층 및

- 고온의 열처리 후에 광학적인 변화를 감소시키는 것을 가능하게 하는, 산화물층 및 고굴절율층 사이에 위치하는 확산 방지층을 포함한다.

본 발명의 해결책은 상부 유전체 코팅이 균일한 굴절율의 매질을 형성하지 않을 때 특히 적합하다. 이 실시양태에 따르면, 은-기재 기능성층 위에 위치하는 상부 유전체 코팅은 각각의 두께가 5 nm 초과이고, 굴절율의 차이가 0.30 초과인 둘 이상의 박층을 포함한다.

확산 방지층은 열처리 후에 헤이즈를 상당히 감소시키는 것을 가능하게 하지만, 시트 저항율의 증가와 같은 전기적 및 열적 특성의 변화들이 때때로 관찰된다. 이러한 변화는 유전체 코팅을 구성하는 층들의 굴절율의 변화가 아니라 열처리 후에 은층 내의 결함의 출현에 기인할 수 있다.

바람직한 실시양태에 따르면, 은-기재 기능성층 아래에 위치한 유전체 코팅은, 5 nm 미만의 두께를 가지고 확산 방지층 위에 위치하며 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 고굴절율층을 추가로 포함한다. 이 층은 본 발명에 따르면 "중간층"으로 알려져있다.

중간층은 바람직하게는 확산 방지층 위에 위치하고 위에서 정의된 산화물-기재층 아래에 위치한다. 5 nm 초과하는 두께의 고굴절율층과는 대조적으로, 열처리 후에 현저한 광 산란을 생성할 수 있는 원소의 상호확산은 이들 두께에 대하여 관찰되지 않는다. 이러한 5 nm 미만의 두께를 가지는 고굴절율 층의 조성은 확산 방지층 및 산화물-기재 층의 조성과 매우 명백하게 다르다.

이들 고굴절율층으로부터 또는 고굴절율층으로 원소의 일정량이 이동하더라도, 이러한 이동이 발생하는 층들의 굴절율을 수정하기에 충분하지 않다. 놀랍게도, 이러한 중간층의 존재가 은층의 결함(돌기 또는 돔)의 성장에 기인한 헤이즈의 출현과 같은, 열처리로 인한 특정한 결함의 출현을 제한하는 것으로 밝혀졌다. 열처리 후에 매우 작은 광학적 변화를 가지면서, 열처리 후에 은-기재 기능성층의 감소된 유해한 변화로 인하여 매우 우수한 광학적 품질이 얻어진다.

본 발명은 상부 유전체 코팅 내에 특정 순서의 고굴절율 및 저굴절율 박층을 포함하는 물질로 제한되지 않는다.

이는 포함되는 유전체 층의 굴절율의 변화 및 선택적으로 열처리 동안의 은층 내 결함의 출현 모두를 방지하기 위하여, 하부 유전체 코팅을 최적화하는 것을 포함하는 본 발명의 해결책이, 상부 유전체 코팅이 고굴절율 및 저굴절율의 순서를 포함할 때 매우 특별하게 적합하기 때문이다. 그러나 이러한 해결책은 스택이 불균일한 굴절율의 상부 유전체 코팅을 포함할 때 합리적으로 적합할 수 있다.

물질, 즉 스택으로 코팅된 투명 기판은, 템퍼링, 어닐링 또는 굽힘 유형의 고온 열처리를 수행하기 위한 것이다.

본 발명에 따른 물질은 광 흡수, 광 투과율 및 방사율 값이 열처리 중에 실질적으로 변형되지 않기 때문에 정합 가능하거나 템퍼링 가능하다.

발명의 설명에서 계속되는 바람직한 특성은 본 발명에 따른 제조방법 및 적절하다면 열처리 전후에 생성물, 즉 물질에 모두 적용 가능하다.

본 명세서의 설명에서 제시된 모든 광 특성은 건설 업계용 유리에 사용되는 글레이징의 광 및 태양 특성의 결정에 관한 유럽 표준 EN 410에 기술된 원리 및 방법에 따라서 얻어진다.

굴절율은 일반적으로 550 nm의 파장에서 모두 측정되었다.

본 발명의 의미 내에서 "두께"라는 용어는, 한정이 없는 한, 550 nm에서 측정된 굴절율을 갖는 층의 기하학적 또는 실제의 물리적 두께를 의미하는 것으로 이해된다.

본 발명의 의미 내에서 "광학 두께"라는 용어는, 550 nm에서 측정된 굴절율을 갖는 층의 물리적(또는 실제의) 두께의 생성물을 통상적으로 의미하는 것으로 이해된다.

본 발명의 의미 내에서 "전체 광학 두께"라는 용어는, 고려 중인 층의 모든 광학 두께의 합을 의미하는 것으로 이해되며, 각각의 광학 두께는 상술한 바와 같이 550 nm에서 측정된 굴절율을 가지는 층의 물리적(또는 실제의) 두께의 생성물을 의미하는 것으로 이해된다.

따라서, 반사 방지 코팅의 전체 광학 두께는 이 코팅을 구성하는 유전체 층의 모든 광학 두께의 합으로 구성된다.

스택은 자기장-보조 캐소드 스퍼터링(마그네트론 프로세스)에 의하여 증착된다. 이러한 바람직한 실시양태에 따르면, 스택의 모든 층은 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의하여 증착된다.

달리 명시하지 않는다면, 본 명세서에서 언급된 두께는 물리적 두께이고 층은 박층이다. 박층은 0.1 nm와 100 마이크로미터 사이의 두께를 가지는 층을 의미하는 것으로 이해된다.

발명의 설명을 통하여, 본 발명에 따른 기판은 수평으로 위치된 것으로 간주된다. 박층 스택은 기판 위에 증착된다. "위에" 및 "아래에" 및 "상부" 및 "하부" 표현의 의미는 이 배향과 관련하여 고려하여야 한다. 구체적으로 규정되지 않는 한, "위에" 및 "아래에"라는 표현은 반드시 두 개의 층들 및/또는 코팅이 서로 접촉하여 위치한다는 것을 의미하지 않는다. 어떤 층이 다른 층 또는 코팅과 "접촉"되도록 증착되었다고 특정되면, 이는 두 개의 층 사이에 하나 이상의 층이 삽입될 수 없다는 것을 의미한다.

은-기재 기능성 금속층은 기능성층의 중량에 대하여 95.0 중량% 이상, 바람직하게는 96.5 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 98.0 중량% 이상의 은을 포함한다. 은-기재 기능성 금속층은 은-기재 기능성 금속층에 대하여 바람직하게는 1.0 중량% 미만의 은 이외의 금속을 포함한다.

은-기재 기능성층의 두께는 바람직하게는 5 내지 20 nm, 더욱 바람직하게는 8 내지 15 nm이다.

박층 스택은 단지 하나의 기능성층만을 포함할 수 있다.

은-기재 기능성 금속층은 차단층으로 기술된 층에 의하여 보호될 수 있다. 이 실시양태에 따르면, 박층 스택은 추가적으로 니오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr) 또는 니켈(Ni)로부터 선택된 하나 이상의 원소를 기재로 한 또는 둘 이상의 이러한 금속들로부터 얻어진 합금, 특히 니켈과 크로뮴 기재의 합금(NiCr)을 기재로 한 금속층, 금속 질화물층, 금속 산화물층 및 금속 옥시질화물층으로부터 선택된 기능성 금속층과 접촉하여 위치한 하나 이상의 차단층을 포함한다. 이들 차단층이 금속, 질화물 및 옥시질화물 형태로 증착되는 경우, 이들 층은, 그들의 두께 및 예를 들어 후속하는 층의 증착 동안 또는 하부 층과의 접촉에 의한 산화에 의하여, 이들을 만드는 층들의 성질에 따라 부분적인 또는 완전한 산화를 겪을 수 있다.

바람직하게는, 차단층은 니켈 및/또는 크로뮴을 기재로 하고, 바람직하게는 산소가 아화학양론적인 금속층 또는 금속 산화물층이다.

바람직한 실시양태에 따르면, 스택은 은-기재 기능성 금속층 위에 접촉하여 위치하는 차단층을 포함한다. 한편, 스택은 바람직하게는 은-기재 기능성 금속층 아래에 접촉하여 위치하는 차단층을 포함하지 않는다.

각 차단층은 0.1 내지 5.0 nm의 두께를 가진다. 이들 차단층의 두께는 바람직하게는:

- 0.1 nm 이상 또는 0.5 nm 이상, 및/또는

- 5.0 nm 이하 또는 2.0 nm 이하, 1.0 nm 이하의 두께를 가진다.

본 발명에 따른 스택의 적합한 예는:

- 은-기재 기능성 금속층 아래에 위치하는 하부 유전체 코팅,

- 은-기재 기능성 금속층,

- 차단층,

- 은-기재 기능성 금속층 위에 위치하는 상부 유전체 코팅 및

- 선택적으로 보호층을 포함한다.

유전체 코팅은 15 nm 초과, 바람직하게는 15 내지 100 nm의 두께를 가진다.

단독으로 또는 조합하여 다음과 같은 특성을 나타내는 유전체 코팅의 유전체층은:

- 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의하여 증착되고,

- 티타늄, 규소, 알루미늄, 지르코늄, 주석 및 아연으로부터 선택된 하나 이상의 원소의 산화물, 질화물 또는 옥시질화물로부터 선택되며,

- 1 nm 이상, 바람직하게는 5 내지 100 nm의 두께를 가진다는 특성을 보인다.

하부 유전체 코팅의 확산 방지층 위에 위치하는 산화물-기재층 또는 층들은 혼합된 산화물 기재의 평활층 및/또는 습윤층을 포함할 수 있다.

하부 유전체 코팅의 확산 방지층 위에 위치하는 산화물-기재층의 두께의 합은 바람직한 순서대로:

- 3.0 nm 초과, 5.0 nm 초과, 8.0 nm 초과, 10 nm 초과, 12 nm 초과, 15 nm 초과이고,

- 50 nm 미만, 40 nm 미만, 30 nm 미만, 20 nm 미만이다.

습윤층은 기능성층과의 경계면을 안정화시킬 수 있는 물질로 제조된 층을 의미하는 것으로 이해된다. 습윤층은 선택적으로 알루미늄과 같은 하나 이상의 다른 원소를 사용하여 도핑된 아연 산화물을 기재로 한다. 아연 산화물은 결정질이다. 아연 산화물을 기재로 하는 층은 아연 산화물을 기재로 하는 층에서 산소 이외의 원소들의 중량에 대하여 아연을 바람직한 순서대로 90.0 중량% 이상, 92 중량% 이상, 95 중량% 이상, 98.0 중량% 이상을 포함한다.

습윤층은 바람직한 순서대로,

- 3.0 nm 이상, 5.0 nm 이상, 및/또는

- 25 nm 이하, 10 nm 이하, 8.0 nm 이하인 두께를 가진다.

습윤층은 은-기재 기능성 금속층과 직접적으로 접촉할 수 있다.

바람직한 실시양태에서, 확산 방지층 위에 위치하고 확산 방지층과 상이한 조성을 나태내는 하나 이상의 산화물-기재층은, 바람직하게는 아연 산화물 기재로 하며, 바람직하게는 은-기재 금속층에 직접적으로 접촉하여 위치하는 습윤층이다.

평활층은 에피택시아 현상에 의한 은층의 결정화를 촉진시키는 바람직한 결정학적 배향을 따라 습윤층의 성장을 촉진하는 기능의 층을 의미하는 것으로 이해된다. 평활층은 습윤층 아래에 위치하고 바람직하게는 습윤층과 접촉한다.

혼합된 산화물을 기재로 한 평활층은 완전 비결정성 또는 부분적으로 비결정성이고 따라서 부분적으로 결정질일 수 있다는 의미에서 "비결정질"으로 기술될 수 있지만, 전체 두께에 걸쳐 완전히 결정질일 수는 없다. 혼합된 산화물(혼합된 산화물은 두 개 이상의 원소의 산화물이다)을 기재로 하므로 금속 성질일 수 없다.

습윤층은 본질적으로 결정질인 반면 평활층은 비결정질이기 때문에 평활층의 결정학적 외관은 습윤층의 결정학적 외관과 다르다. 따라서 그들은 이러한 관점에서 혼동될 수 없다. 이러한 평활층의 장점은 매우 거칠지 않은 습윤층과의 경계면을 얻는 것을 가능하게 하는 것이다. 이러한 낮은 조도는 투과 전자 현미경으로 관찰될 수 있다. 또한 습윤층은 보다 잘 조직화되고, 추가로 현저하게 바람직한 결정학적 배향을 나타낸다.

따라서 각각의 평활층은 결정학적 및 화학 양론적 모두의 관점에서 직접적으로 아래에 위치되는 습윤층과는 다른 물질로 제조된다.

평활층은 확산 방지층과 다른 조성을 나타낸다. 이는 혼합된 산화물 기재의 평활층 및 확산 방지층을 포함하는 하나의 동일한 유전체 코팅에서 이들 두 층이 동일한 비율로 동일한 원소를 포함하지 않는다는 것을 의미한다.

바람직하게는, 평활층은 Sn, Zn, In 및 Ga로부터 선택된 둘 이상의 금속의 혼합된 산화물 층이다. 바람직한 혼합된 산화물은 주석 아연 산화물이다. 평활층은 바람직하게는 혼합된 주석 아연 산화물의 선택적으로 도핑된 층이다.

평활층의 굴절율은 바람직하게는 2.2 미만이다. 또한, 평활층은 바람직하게는 0.1 내지 30 nm, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10 nm의 두께를 가진다.

평활층이 가지는 두께는 바람직한 순서대로:

- 0.5 nm 이상, 1.0 nm 이상, 5.0 nm 이상, 8.0 nm 이상 및/또는

- 25 nm 이하, 20 nm 이하, 15 nm 이하를 나타낸다.

바람직한 실시양태에 따르면, 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 유전체 코팅은 산화물-기재층으로서:

- 혼합된 산화물을 기재로 한, 바람직하게는 아연과 주석을 기재로 하고, 확산 방지층 위에 위치하며, 다른 조성을 나타내며; 바람직하게는 확산 방지층과 접촉하거나 5 nm 미만의 두께를 가지는 층에 의하여 확산 방지층으로부터 분리되는 평활층 및/또는

- 평활층 위에 위치하는 아연 산화물 기재의 습윤층을 포함한다.

평활층 및/또는 습윤층은 바람직하게는 은-기재 금속층과 직접 접촉한다. 이는 스택이 이들 산화물층과 은-기재 금속층 사이에 차단층을 포함하지 않는다는 것을 의미한다.

확산 방지층은 이와 접촉하는 층으로부터 유래되는 원소의 확산에 대한 장벽을 형성할 수 있는 물질로 제조된 층을 의미하는 것으로 이해된다.

본 발명에 따르면, 규소 및/또는 알루미늄 기재의 층은, 바람직한 순서대로, 규소 및/또는 알루미늄의 중량이 규소 및/또는 알루미늄 기재의 층의 산소 및 질소 이외의 원소의 중량에 대하여, 30 중량% 이상, 40 중량% 이상, 50 중량% 이상, 60 중량% 이상, 70 중량% 이상, 80 중량% 이상, 90.0 중량% 이상이다.

규소 및/또는 알루미늄 기재로 한 확산 방지층은:

- SiO₂와 같은 규소 산화물층, Al₂O₃와 같은 알루미늄 산화물층 및 알루미늄 규소 산화물층,

- Si₃N₄와 같은 규소 질화물층, AlN와 같은 알루미늄 질화물층, SiAlN_x와 같은 알루미늄 규소 질화물층, SiZrN와 같은 지르코늄 규소 질화물층,

- SiO_xN_y와 같은 규소 옥시질화물층, AlO_xN_y와 같은 알루미늄 옥시질화물층 및 알루미늄 규소 옥시질화물층으로 구성된 일군으로부터 선택될 수 있다.

바람직하게는, 규소 및/또는 알루미늄 기재의 확산 방지층은 규소 질화물층 또는 지르코늄 규소 질화물층에서 선택된다.

확산 방지층은:

- 10.0 nm 이하, 6.0 nm 이하, 5.0 nm 이하, 또는 4.0 nm 이하 및/또는

- 1.5 nm 이상, 2.0 nm 이상, 또는 2.5 nm 이상의 두께를 가진다.

고굴절율층은 550 nm에서 측정된, 바람직한 순서대로 2.30 초과, 2.35 초과, 2.40 초과의 굴절율을 나타내는 금속 산화물 기재의 층을 의미하는 것으로 이해된다.

금속 산화물 기재의 고굴절율층은 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물 또는 니오븀 산화물 기재의 층 또는 티타늄으로부터 및 Zn, Zr 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 다른 성분으로부터 얻어지는 합금의 층들로부터 선택된다.

고굴절율층의 두께 또는 하부 유전체 코팅 내에 위치하는 5 nm 초과의 두께를 나타내는 고굴절율을 가지는 층의 두께의 합은 바람직한 순서대로 5 내지 100 nm, 8 내지 40 nm, 10 내지 30 nm, 15 내지 25 nm이다.

하부 코팅에 5 nm를 초과하는 두께를 가지고 고굴절율을 가지는 여러 층이 있는 경우에, 고굴절율을 가진 층들은 모두 서로 직접 접촉하는 것이 바람직하다. 그러나, 만약 이들이 서로 직접 접촉하지 않는다면, 굴절율이 1.70 이하도 2.20 이상도 아닌 층에 의하여 분리되게 되는데, 이러한 분리층의 물리적 두께(이들 분리층의 각각의 두께)는 30 nm 이하, 바람직하게는 20 nm 이하이다.

바람직하게는:

- 은-기재 기능성 금속층은 습윤층 위에 접촉하여 위치하고/하거나

- 습윤층은 평활층 위에 접촉하여 위치하고/하거나

- 평활층은 확산 방지층 또는 5 nm 미만의 두께를 가지는 고굴절율층(또는 중간층) 위에 접촉하여 위치하고/하거나

- 확산 방지층은 5 nm 초과의 두께를 가지는 고굴절율층(또는 중간층) 위에 접촉하여 위치하고/하거나

- 5 nm 초과의 두께를 가지는 고굴절율층은 기판 위에 접촉하여 위치한다.

습윤층 및 평활층과 같은 산화물-기재층 또는 층들은 확산 방지층과 접촉하거나 5 nm 미만의 두께를 가지는 중간층에 의하여 확산 방지층과 분리된다.

바람직한 실시양태에 따르면, 산화물-기재층, 바람직하게는 평활층은 고굴절율층으로부터 선택된 5 nm 미만의 두께를 가지는 중간층에 의하여 확산 방지층과 분리된다. 이 중간층은 바람직하게는 상술한 바와 같은 금속 산화물 기재로 한 고굴절율층으로부터 선택된다. 중간층은 특히 바람직하게는 티타늄 산화물 기재의 층으로부터 선택된다.

중간층은 바람직한 순서대로:

- 1.0 nm 이상, 2.0 nm 이상 및/또는

- 5.0 nm 이하, 4.0 nm 이하, 3.0 nm 이하의 두께를 갖는다.

이러한 중간층은:

- 확산 방지층 위에 및 은-기재 기능성층 아래에, 및/또는

- 확산 방지층 위에 및 하나 이상의 산화물층 아래에, 및/또는

- 확산 방지층 위에 및 모든 산화물층들 아래에, 및/또는

- 확산 방지층 위에 및 혼합된 산화물 기재의 평활층 아래에, 및/또는

- 혼합된 산화물 기재의 평활층 위에 및 아연 산화물 기재의 습윤층 아래에, 및/또는

- 아연 산화물 기재의 습윤층 위에 및 은-기재 기능성층 아래에 위치할 수 있다.

은-기재 기능성 금속층 아래에 위치하는 유전체 코팅은 선택적으로 예를 들어 규소 및/또는 알루미늄 질화물 기재의, 기판 위에 및 고굴절율층의 아래에 위치하는 하나 이상의 유전체층을 포함할 수 있다. 이 층의 역할 중 하나는 기판의 물질에 대하여 박층 스택의 접착력을 향상시키는 것이다. 이 층의 물리적 두께는 5 내지 40 nm이다.

일 실시양태에 따르면, 본 발명은 은-기재 기능성 금속층과 두 개의 유전체 코팅을 포함하는 박층 스택이 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질에 관한 것으로, 각각의 유전체 코팅은 하나 이상의 유전체층을 포함하여, 기능성 금속층은 두 개의 유전체 코팅의 사이에 위치하고,

은-기재 기능성층 아래에 위치하는 하부 유전체 코팅은:

- 2.3 초과의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 금속 산화물 기재의 고굴절율층,

- 고굴절율층 위에 접촉하여 위치하고, 1 내지 10 nm의 두께를 가지며, 산화물층, 질화물층 및 옥시질화물층으로부터 선택된 규소 및/또는 알루미늄 기재의 확산 방지층,

- 확산 방지층 위에 위치하고, 확산 방지층과 접촉하거나 5 nm 미만의 두께를 가지는 층에 의하여 확산 방지층으로부터 분리된 혼합된 주석 아연 산화물 기재의 평활층 및/또는

- 평활층 위에 및 은-기재 금속층 아래에 그리고 바람직하게는 접촉하여 위치하는 아연 산화물 기재의 습윤층을 포함하고,

상부 유전체 코팅은 굴절율의 차이가 0.30 초과이고, 각각의 두께가 5 nm 초과인 둘 이상의 박층을 포함하는 은-기재 기능성층 위에 위치하는 것을 특징으로 한다.

다른 실시양태에 따르면, 본 발명은 은-기재 기능성 금속층과 두 개의 유전체 코팅을 포함하는 박층 스택이 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질에 관한 것으로, 각각의 유전체 코팅은 하나 이상의 유전체층을 포함하여, 기능성 금속층은 두 개의 유전체 코팅의 사이에 위치하고,

은-기재 기능성층 아래에 위치하는 하부 유전체 코팅은:

- 2.3 초과의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 금속 산화물 기재의 고굴절율층,

- 고굴절율층 위에 접촉하여 위치하고, 1 내지 10 nm의 두께를 가지며, 산화물층, 질화물층 및 옥시질화물층으로부터 선택된 규소 및/또는 알루미늄 기재의 확산 방지층,

- 5 nm 미만의 두께를 가지고 확산 방지층 위에 및 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 고굴절율층,

- 확산 방지층 위에, 바람직하게는 5 nm 미만의 두께를 가지는 고굴절율층 위에 위치하는 혼합된 주석 아연 산화물 기재의 평활층 및

- 평활층 위에 및 은-기재 금속층 아래에 접촉하여 위치하는 아연 산화물 기재의 습윤층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상부 유전체 코팅은 15 nm 초과의, 바람직하게는 15 내지 100 nm, 사실상 50 내지 100 nm 또는 75 내지 100 nm의 두께를 가진다.

상부 유전체 코팅의 유전체층은 단독으로 또는 조합하여 다음과 같은 특성을 나타낸다:

- 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의하여 증착되고/되거나

- 티타늄, 규소, 알루미늄, 지르코늄, 주석 및 아연으로부터 선택된 하나 이상의 원소의 산화물, 질화물 또는 옥시질화물로부터 선택되며,

- 1 nm 이상, 바람직하게는 5 내지 100 nm의 두께를 가진다.

바람직하게는, 상부 유전체 코팅은 균일한 굴절율의 매질을 형성하지 않는다. 이 실시양태에 따르면, 상부 유전체 코팅은 각각의 두께가 5 nm 초과인, 바람직하게는 10 nm 초과인, 사실상 15 nm 초과인 둘 이상의 박층을 포함하고, 이들의 굴절율 차이는 바람직한 순서대로, 0.30 초과, 0.50 초과, 0.70 초과, 0.80 초과이다.

따라서 상부 유전체 코팅은 각각의 두께가 5 nm 초과이고, 굴절율의 차이가 바람직하게는 0.30 내지 1.20인 두 개의 박층을 포함할 수 있다.

일 실시양태에 따르면, 상부 유전체 코팅은 두 층의 굴절율의 차이가 0.70 내지 1.20인 두 개 이상의 박층을 포함한다.

또 다른 실시양태에 의하면, 상부 유전체 코팅은 두께가 5 nm 초과이고, 바람직하게는 8 nm 또는 10 nm 초과이며, 이들 모든 층의 굴절율 차이가 0.30 내지 0.65인 박층들을 포함한다.

바람직하게는, 상부 유전체 코팅 또는 코팅들은 굴절율이 1.7 이하, 바람직하게는 1.6 이하, 사실상 1.5 이하를 나타내는 저굴절율을 가지는 하나 이상의 층을 포함할 수 있다.

상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합은, 바람직한 순서대로, 5 nm 초과, 8 nm 초과, 10 nm 초과, 15 nm 초과, 40 nm 초과, 50 nm 초과, 55 nm 초과이다.

상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합은, 바람직한 순서대로, 120 nm 미만, 100 nm 미만, 80 nm 미만, 70 nm 미만이다.

저굴절율을 가지는 층들은 바람직하게는 규소 산화물 층, 즉 단순 산화물인 SiO₂의 제제를 기준으로 80 중량% 초과의 규소 산화물로 구성되고, 선택적으로 바람직하게는 Al, C, N, B, Sn 및 Zn으로 이루어진 군으로부터, 매우 바람직하게는 Al, B 또는 C로부터 선택되는 하나 이상의 다른 원소로 구성된다. 바람직하게는 본질적으로 규소 산화물로 구성된 상기 층은 단순 산화물 SiO₂의 제제를 기준으로 하여 90중량% 초과가 규소 산화물로 구성된다.

규소 산화물 층은 캐소드 스퍼터링, 선택적으로 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의해 증착된다.

일 실시양태의 따르면, 상부 유전체 코팅은 각각의 두께가 10 nm 초과인 둘 이상의 박층을 포함하는데, 그 중 하나는 저굴절율을 가지는 층이고 이들 두 개의 층 사이의 굴절율의 차이는:

- 0.3 초과, 바람직하게는 0.5 초과이거나

- 0.30 내지 0.65이다.

일 실시양태에 따르면, 은-기재 기능성 금속층 또는 금속층들 위에 위치하는 상부 유전체 코팅 또는 코팅들은 하나 이상의 고굴절율층을 포함할 수 있다. 이 고굴절율층은 금속 산화물을 기재로 하고 5 nm 초과의 두께를 가질 수 있다. 이 고굴절율층은 위에서 정의한 바와 같다.

이 실시양태에 따르면, 상부 유전체 코팅은 굴절율이 2.2 초과, 바람직하게는 2.3 초과이고 두께가 5 nm 초과, 바람직하게는 8 nm 초과, 사실상 10 nm 초과인 금속 산화물 기재의 하나 이상의 고굴절율층을 포함한다.

상부 유전체 코팅 내에 위치하는 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합은 10 내지 40 nm이고, 바람직하게는 15 내지 35 nm이다.

상부 유전체 코팅은 굴절율이 2.2 미만, 바람직하게는 2.1 미만이고 두께가 5 nm 초과, 바람직하게는 8 nm 초과, 사실상 10 nm 초과인 하나 이상의 유전체층을 포함할 수 있다. 이러한 층은 바람직하게는 위에서 정의한 고굴절율층 위에 위치한다.

2.2 미만의 굴절율을 나타내는 유전체층은 티타늄, 규소, 알루미늄, 지르코늄, 주석 및 아연으로부터 선택된 하나 이상의 원소의 산화물층, 질화물층 또는 옥시질화물층으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는, 이 층은 저굴절율을 가진 층들, 규소 및/또는 알루미늄 질화물층들 및 혼합된 주석 아연 산화물층들로부터 선택된다.

바람직하게는, 상부 유전체층은 하나 이상의 고굴절율층 및 저굴절율을 가지는 하나의 층을 포함할 수 있다. 저굴절율을 가진 층은 바람직하게는 고굴절율을 가진 층 위에 위치된다.

상부 유전체 코팅의 고굴절율을 가지는 층 또는 층들과 저굴절율을 가지는 층 또는 층들의 바람직한 굴절율 차이는 0.70 내지 1.20, 바람직하게는 0.80 내지 1.10이다.

바람직한 실시양태에 따르면, 상부 유전체 코팅은 다음의 순서로 기능성층 위에 증착된 적어도 일련의 박층들을 포함한다:

- 굴절율이 2.20 이상인 물질로 제조되고, 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 10 내지 40 nm인, 고굴절율을 가지는 하나 이상의 층 및

- 굴절율이 1.70 이하인 물질로 제조되고, 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 저굴적율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 40 내지 120 nm인, 저굴절율을 가지는 하나 이상의 층을 포함한다.

상부 유전체 코팅에서 고굴절율 및 저굴절율을 가지는 이러한 일련의 박층의 사용은, 고온의 열처리 후에 반사 및 투과 시 향상된 태양 인자 및 낮은 색상 변화를 나타내는 글레이징을 얻는 데에 기여한다.

상부 코팅에 고굴절율을 가진 여러 층들이 있는 경우, 고굴절율을 가진 층들은 바람직하게는 모두 저굴절율을 가진 층 또는 층들의 아래에 있고(유리를 기점으로), 고굴절율을 가진 층들은 바람직하게는 모두 서로 직접 접촉하고 있다. 그러나, 만약 이들이 서로 직접 접촉하지 않는다면, 이들은 굴절율이 1.70 이하도 2.20 이상도 아닌 층에 의하여 분리되고, 이(이들 층의 각각) 분리층(들)의 물리적 두께는 30 nm 이하, 바람직하게는 20 nm 이하이다.

마찬가지로, 상부 코팅에 저굴절율을 가진 여러 층들이 있는 경우, 저굴절율을 가진 층들은 바람직하게는 모두 고굴절율을 가진 층 또는 층들 위에 있고(유리를 기점으로), 저굴절율을 가진 층들은 바람직하게는 모두 서로 직접 접촉하고 있다. 그러나, 만약 이들이 서로 직접 접촉하지 않는다면, 이들은 굴절율이 1.70 이하도 2.20 이상도 아닌 층에 의하여 분리되고, 이(이들 층의 각각) 분리층(들)의 물리적 두께는 30 nm 이하, 바람직하게는 20 nm 이하이다.

상부 유전체 코팅의 고굴절율을 가지는 층 또는 층들의 그룹은 하나 이상의 다른 층에 의하여 상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층 또는 층들의 그룹으로부터 분리될 수 있다.

그러나, 바람직하게는 층 또는 층들의 그룹은 직접 접촉한다. 층들 또는 층들의 그룹이 직접 접촉하지 않는 경우, 층들 또는 층들의 그룹은 굴절율이 1.70 이하도 2.20 이상도 아닌 층에 의하여 분리되고, 이 분리층의 물리적 두께는 30 nm 이하, 바람직하게는 20 nm 이하이다.

높은 태양 인자 및 낮은 색상 변화를 얻기 위하여, 상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합대 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합의 비 E는 2.5 내지 5.0, 바람직하게는 2.5 내지 4.0 사이인 것이 바람직하다. E가 3.0 내지 5.0일 때, 투과되는 색은 더욱 중성적이다. 본 발명자들은 또한 비 E가 2.2 내지 4.0일 때 태양 인자가 최대인 것을 보여 주었다.

상부 유전체 코팅의 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합 대 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합의 비는 2.2 내지 5.0, 바람직하게는 2.5 내지 4.0 사이이다.

높은 태양 인자 및 투과 시 중성적인 색상을 얻기 위하여, 상부 유전체 코팅의 전체 광학 두께 대 하부 유전체 코팅의 전체 광학 두께의 비 F는 1.3 내지 2.0, 바람직하게는 1.5 내지 1.8이다.

상부 유전체 코팅의 전체 광학 두께 대 하부 유전체 코팅의 전체 광학 두께의 비는, 바람직한 순서대로, 1.3 내지 2.0, 1.4 내지 1.9, 1.5 내지 1.8이다.

상부 유전체 코팅은 굴절율이 1.80 이상이고 2.20 이하인 물질로 제조된 층을 포함할 수 있고, 기능성 금속층과 상부 유전체 코팅의 고굴절율을 가지는 층 사이에 위치할 수 있다. 굴절율이 1.80 이상이고 2.20 이하인 물질로 제조된 층은 바람직하게는 아연 산화물, 주석 산화물 또는 혼합된 주석 아연 산화물을 기재로 한다. 굴절율이 1.80 이상이고 2.20 이하인 물질로 제조된 층은 4 내지 15 nm의 물리적 두께를 가진다. 바람직하게는, 이 층은 기능성 금속층 위에 위치하는 아연 산화물 기재의 층이며, 그 두께는 바람직하게는 4 nm 이상, 특히 4 내지 25 nm, 보다 바람직하게는 5 내지 10 nm이다.

바람직한 실시양태에 따르면, 은-기재 기능성 금속 층 위에 위치하는 상부 유전체 코팅은:

- 아연 산화물 기재의 층,

- 고굴절율층 및

- 2.2 미만의 굴절율을 나타내는 층, 바람직하게는 저굴절율층을 포함한다.

박층 스택은 선택적으로 보호층을 포함할 수 있다. 보호층은 바람직하게는 스택의 최종층, 즉 스택으로 코팅된 기판으로부터 가장 먼 층(열처리 전)이다. 이들 층은 일반적으로 2 내지 10 nm, 바람직하게는 2 내지 5 nm의 두께를 가진다. 이 보호층은 티타늄층, 지르코늄층, 하프늄층, 아연 및/또는 주석층으로부터 선택될 수 있고, 이 금속 또는 금속들은 금속, 산화물 또는 질화물 형태이다.

일 실시양태에 따르면, 보호층은 지르코늄 및/또는 티타늄 산화물, 바람직하게는 지르코늄 산화물 또는 티타늄 지르코늄 산화물을 기재로 한다.

본 발명에 따른 투명 기판은 바람직하게는 유리와 같은 경질의 무기 물질 또는 중합체(또는 중합체로 제조된) 기재의 유기물로 제조된다.

본 발명에 따른 경질 또는 연질인 투명 유기 기판은 또한 중합체로 제조될 수 있다. 특히 본 발명에 적합한 중합체의 예는:

- 폴리에틸렌;

- 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)와 같은 폴리에스테르;

- 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA)와 같은 폴리아크릴레이트;

- 폴리카보네이트;

- 폴리우레탄;

- 폴리아미드;

- 폴리이미드;

- 플루오로에스테르와 같은 플루오로중합체, 예를 들어 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌(ECTFE) 또는 플루오린화 에틸렌-프로필렌 공중합체(FEP);

- 티올렌, 폴리우레탄, 우레탄-아크릴레이트 또는 폴리에스테르-아크릴레이트 수지와 같은 광가교결합성 및/또는 광중합성 수지 및

- 폴리티오우레탄을 포함한다.

기판은 바람직하게는 유리 또는 유리-세라믹의 시트이다.

기판은 바람직하게는 투명하고 무색(투명 또는 엑스트라-투명 유리) 또는 유색, 예를 들어 청색, 회색 또는 동색이다. 유리는 바람직하게는 소다-석회-실리카 유형이지만 또한 붕규산염 또는 알루미노-보로실리케이트 유형일 수 있다.

기판은 바람직하게는 1 m 이상, 사실상 2 m 이상 및 심지어 3 m 이상의, 적어도 하나의 치수를 가진다. 기판의 두께는 일반적으로 0.5 내지 19 mm, 바람직하게는 0.7 내지 9 mm, 특히 2 내지 8 mm, 사실상 4 내지 6 mm이다. 기판은 편평하거나 굽혀질 수 있으며, 사실상 유연성이 있다.

물질, 즉 스택으로 코팅된 투명 기판은 어닐링, 예를 들어 레이저 어닐링 또는 화염 어닐링과 같은 플래시 어닐링, 템퍼링 및/또는 굽힘으로부터 선택된 고온 열처리를 수행하기 위한 것이다. 열처리 온도는 300 ℃ 초과, 바람직하게는 400 ℃ 초과, 더욱 바람직하게는 500 ℃ 초과이다. 따라서 스택으로 코팅된 기판은 굴곡 및/또는 템퍼링될 수 있다.

상기 물질은 모놀리식 글레이징, 적층 글레이징 또는 다중 글레이징, 특히 이중 글레이징 또는 삼중 글레이징의 형태일 수 있다. 따라서 본 발명은 또한 모놀리식 글레이징 또는 이중 글레이징 유형 또는 적층 글레이징의 다중 글레이징에 적합하게 된 하나 이상의 본 발명의 물질을 포함하는 글레이징에 관한 것이다. 적어도 스택으로 코팅된 기판은 굽혀지거나 템퍼링될 수 있다.

이중 글레이징은 예를 들어 기체로 채워진 공동에 의하여 쌍으로 분리된 유리 시트와 같은 둘 이상의 기판으로 구성된다. 따라서, 예를 들어, 4/12/4의 시퀀스로 표시되는, 4 mm 두께의 두 개의 유리 시트와 12 mm 기체로 채워진 공동으로 구성된 이중 글레이징과, 4/12/4/12/4로 표시되는, 4 mm 두께의 세 개의 유리 시트와 12 mm 기체로 채워진 두 개의 공동으로 구성된 삼중 글레이징이 있다.

따라서 이중 글레이징은 4 면을 포함하고; 제1 면은 건물 바깥에 있고, 제4 면은 건물 내부에 있으며, 제2 면 및 제3 면은 이중 글레이징의 내부에 있다. 마찬가지로, 삼중 글레이징은 6 면을 포함하고; 제1 면은 건물 바깥에 있고, 제6 면은 건물 내부에 있으며, 제2 면 및 제3 면은 삼중 글레이징의 내부에 첫 번째 기체가 채워진 공동의 양쪽 각각의 면이고, 제4 면 및 제5 면은 삼중 글레이징의 내부에 두 번째 기체가 채워진 공동의 양쪽 각각의 면이다.

또한 이들 물질은 예를 들어 가열된 글레이징과 같은 특정한 기능을 추가적으로 나타내는 글레이징에 혼입될 수 있다.

본 발명은 또한 본 발명에 따른 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질을 얻는 제조 방법에 관한 것이다. 박층은 캐소드 스퍼터링, 선택적으로 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의하여 증착된다. 바람직하게는 굽힘, 템퍼링 또는 어닐링 유형의 고온 열처리가 기판 위에 수행된다. 따라서, 상기 제조 방법은 추가적으로 기판이 굽힘, 템퍼링 또는 어닐링 유형의 고온 열처리를 거치는 단계를 포함할 수 있다.

이러한 열처리는 300 ℃ 초과의 온도 또는 400 ℃ 초과의 온도, 바람직하게는 500 ℃ 초과의 온도에서 수행될 수 있다.

오븐, 각각 템퍼링 또는 어닐링 오븐에서 수행되는 템퍼링 또는 어닐링 유형의 처리 중에, 따라서 기판을 포함하는 전체 물질은 어닐링의 경우 300 ℃ 이상의 고온에 이르게 되고, 템퍼링의 경우 500 ℃ 이상, 사실상 600 ℃의 온도에까지 이르게 된다.

본 발명의 물질은 높은 태양 인자, 낮은 방사율 및 양호한 광 투과율이 주요 파라미터인, 은층을 포함하는 낮은 방사율의 스택의 사용을 요구하는 모든 용도에 적합하다. 본 발명에 따른 물질은 특히 고온 열처리 후에 적은 색상 변화 또는 템퍼링 후 낮은 헤이즈를 나타내게 템퍼링된 낮은 방사율의 물질로서 적합하다.

다음의 실시예는 본 발명을 설명하지만, 이를 제한하는 것은 아니다.

실시예

아래에 정의된 몇 가지 유형의 박층 스택은 3.9 mm 두께의 투명한 소다-석회 유리로 만들어진 기판 위에, 공지된 방식으로, 기판이 상이한 타겟들 아래에서 전진할 캐소드 스퍼터링 라인(마그네트론 프로세스) 위에서 증착되었다.

이들 실시예에서, 스퍼터링("마그네트론 캐소드" 스퍼터링)에 의하여 증착된 층들의 증착 조건은 아래 표 1에 요약되어 있다.

at.: 원자; wt: 중량; 굴절율: 550 nm에서의 측정값.

표 1은 각각의 테스트한 물질에 대하여 스택의 층들의 물리적 두께를 nm로(달리 명시하지 않는 한) 보여준다. 첫 번째 라인은 외부 공기와 접촉하고 있는, 기판으로부터 가장 먼 층에 대응한다.

스택과 함께 제공되는 물질은 템퍼링 유형의 열처리를 받았으며, 특히 620 ℃에서 10 분간 가열하는 것으로 구성되었다.

I. 정합 가능한 성질의 평가

본 발명에 따라 정합 가능한 성질은 열처리 전후에,

- 헤이즈 또는 결함의 부재에 의하여 반사되는 산란에서,

- 색상에서

변화가 없는 것을 특징으로 한다.

표 2 및 표 3에 기술된 각 물질에 대하여, 헤이즈, 결함 및 비색 변형을 평가할 수 있게 하는 관찰이 열거되어 있다.

이러한 평가는 고온 열처리로 인한 변화를 설명한다.

1. 헤이즈의 측정에 의한 산란 평가

빛의 산란 현상은 강렬한 빛 아래에서 일반적으로 볼 수 있는 "헤이즈"로 알려진 후광의 외관에 의하여 시각적으로 표현된다.

헤이즈는 열처리 후 나타나는 흰색 베일 또는 후광의 유무를 관찰하는 여러 사람들로 구성된 패널에 의하여 시각적으로 평가되었다. 패널은 각 글레이징에 대하여 다음 중에서 선택된 평가 지표를 할당 받았다.

"-": 강한 산란을 나타내는 뚜렷한 흰색 베일이 존재,

"0": 약한 산란을 나타내는 약간의 흰색 베일,

"+": 산란이 없음을 나타내는 흰색 베일의 부재.

헤이즈는 2.5° 보다 큰 각도에서 산란되는 투과광의 양에 대응한다. 이러한 헤이즈는 퍼킨-엘머(Perkin-Elmer) L900 분광기로 평균 가시광선 확산 반사 측정에 의하여 또한 평가될 수 있다. 측정은 가시광선 영역의 반사의 산란 부분의 평균을 취하고, 정반사는 측정으로부터 제외되고 비-헤이즈 기준 샘플에서 취한 기준선을 뺀 것으로 구성된다. 이는 참조 거울에서 측정된 전체 반사율에 대한 백분율로 표시된다.

2. 은층에서의 결함의 존재 평가

광학 현미경에 의한 또는 주사 전자 현미경에 의한 분석은 열처리 후 결함의 존재를 입증하는 것을 가능하게 한다.

현미경 관찰 후 다음과 같은 평가가 보고되었다.

"-": 은층에 수많은 결함이 있음,

"0": 은층에 약간의 결함이 있음,

"+": 결함이 없음,

"X": 정보가 없음.

마지막으로 결함 유형은 다음과 같이 설명되었다.

- "D": "돔(dome)" 유형 결함,

- "H": "구멍(hole)" 유형 결함,

- "0": 보이는 결함 없음,

- "X": 정보가 없음.

3. 비색 변화의 평가

열처리 전후의 투과율 및 반사율의 비색 변화를 여러 사람으로 구성된 패널에 의하여 시각적으로 평가하였다. 패널은 각 글레이징에 대하여 다음 중에서 선택된 평가 지표를 할당 받았다:

"-": 눈에 보이는 색상 변화, 물질을 정합 가능하지 않게 함,

"0": 약간의 색상 변화, 물질을 정합 가능하지 않게 하지 않음,

"+": 눈에 보이는 색상 변화가 없음, 물질이 정합 가능함.

이들과 같은 실시예들은 눈에 가시적인 산란이 관찰되지 않음을 보여준다:

- 상부 유전체 코팅에 고굴절율층 또는 고굴절율층 및 저굴절율층의 순서가 없고 하부 유전체 코팅에서 5 nm 초과의 두께를 가지는 고굴절율층이 없음(Cp. 0).

- 상부 유전체 코팅 내에 고굴절율 및 저굴절율층의 순서가 존재하고, 하부 유전체 코팅에서 5 nm 초과의 두께를 가지는 고굴절율층이 없음(Cp. 1).

이러한 원리는 Cp. 3''와 비교하여 Cp. 0 및 Cp. 1에서 취할 수 있다.

다음과 같은 경우 광학 및 비색 속성의 현저한 차이가 관찰된다.

- 하부 유전체 코팅은 10 nm 초과의 고굴절율층을 포함하고,

- 불균일한 굴절율을 가지는 상부 유전체 코팅은 상이한 굴절율을 가지는 층들을 포함한다.

불균일한 굴절율을 가지는 유전체 코팅은 상이한 굴절율의, 바람직하게는 산화물을 기재로 하는 다음의 일련의 층들로 각각 구성될 수 있다:

- 고굴절율의 TiO₂ 층 및 저굴절율의 SiO₂ 층,

- 고굴절율층 및 SnZnO_x 층,

- ZnO 층과 SiO₂ 층,

- ZnO 층 및 TiO₂ 층.

이를 위하여 다음을 비교할 수 있다:

- 실시예 Cp. 2 (산란 거의 없음 및 색상 변화 없음)와 실시예 Cp. 3 (산란 및 색상 변화 존재).

- 실시예 Cp. 2' (산란 거의 없음 및 색상 변화 없음)와 실시예 Cp. 3' (산란 및 색상 변화 존재).

- 실시예 Cp. 2" (산란 거의 없음 및 색상 변화 없음)와 실시예 Cp. 3" (산란 및 색상 변화 존재).

예를 들어 규소 및/또는 알루미늄 질화물을 기재로 하고 고굴절율층 위에 및 산화물층 아래에 위치하는 확산 방지층을 추가하는 것을 포함하는 본 발명의 해결책은 헤이즈를 감소시키고("-"에서 "0"까지 산란의 개선), 고온 열처리 후의 비색 변화("-"에서 "+"까지 비색성의 개선)를 감소시키는 것을 가능하게 한다. 은층의 몇 가지 결함이 여전히 관찰 가능하다.

확산 방지층 및 두께가 5 nm 미만이고 확산 방지층 위에 및 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 고굴절율 중간층 모두를 추가하는 것을 포함하는, 더 바람직한 해결책은 또한 은 층의 품질을 향상시키는 것을 가능하게 한다("-"에서 "+"까지 산란의 개선 및 결함의 감소).

이를 위하여, 다음을 비교할 수 있다:

- 실시예 Cp. 3와 실시예 Inv. 1 및 Inv. 2

- 실시예 Cp. 3'와 실시예 Inv. 1' 및 Inv. 2'

- 실시예 Cp. 3"와 실시예 Inv. 1" 및 Inv. 2"

본 발명의 이점을 보다 쉽게 이해할 수 있도록 몇몇 실시예가 표 4에 결합되어 있다.

II. 상호확산 현상 연구

비교 물질 Cp. 3" 및 발명 Inv. 1"에 따른 물질의 티타늄 원소의 프로파일은 고굴절율층 및 평활층과 같은 산화물층 사이의 상호확산 현상을 보여주기 위하여 결정되었다. 이들 농도 프로파일을 나타내는 그래프는 SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의하여 얻어지며, 가로 좌표에는 이온 스트리핑에 대응하는 깊이 D의 측정값을 나타내고, 세로 좌표에는 분석된 티타늄 원소에 대응하는 농도를 임의 단위로 나타낸다.

도 1은 비교 물질 Cp. 3"를 나타내고, 템퍼링 유형의 열처리 전(실선으로 된 곡선), 후(점선으로 된 곡선)의 티타늄 원소의 프로파일을 나타낸 것이다. 고굴절율층으로부터 평활층을 향한 티타늄의 이동은, 열처리 전에 얻은 곡선에 대한 열처리 후에 얻은 곡선의 좌측방향으로의 오프셋에 대응되어 명확하게 관찰된다.

도 2는 본 발명의 Inv. 1"에 따른 물질을 나타내고, 템퍼링 유형의 열처리 전(실선으로 된 곡선), 후(점선으로 된 곡선)의 티타늄 원소의 프로파일을 나타낸 것이다. 티타늄의 평활층으로의 명확한 이동은 관찰되지 않았다. 두 곡선은 현저하게 상쇄되지 않는다. 지르코늄 규소 질화물에 기초한 확산 방지층은 고굴절율층으로부터 평활층을 향한 티타늄의 이동을 명확하게 방지한다.

III. 광학 성능 수준

아래의 표에서 다음과 같은 특성을 측정하고 결합했다.

- LT는 2° 관측자에서 광원 D65에 따라 측정된 %단위의 가시광선 영역에서의 광 투과율을 나타내고,

- ET는 에너지 전달에 대응되고,

- ER은 에너지 반사에 대응되며,

- g는 태양 인자에 대응되고,

- L*T, a*T 및 b*T는 L * a * b * 시스템의 투과율 L *, a * 및 b *에서, 관측자가 스택의 측면에 있고 따라서 글레이징에 수직으로 광원 D65에 따라 2°에서 측정한 색상을 나타내고,

- LR은 관측자가 스택의 측면에 있거나 스택의 측면의 반대쪽에 해당하는 기판 측면에서 광원 D65에 따라 2°에서 측정된 % 단위의 가시광선 영역에서의 광 반사를 나타내고,

- L*R, a*R 및 b*R은 L * a * b * 시스템의 반사 색상 L *, a * 및 b *에서, 관측자가 스택의 측면에 또는 기판의 측면에 있고 따라서 글레이징에 수직으로 광원 D65에 따라 2°에서 측정한 색상을 나타낸다.

-

E는 열처리 전후에 얻어진 코팅된 기판에 대하여 얻어진 값 L*, a* 및 b*의 변화를 나타낸다. 변화 값은 다음과 같은 방식으로 계산된다:

E = (

a*² +

b*² +

L*²)^½.

이러한 특성들은 우선 마그네트론 라인의 출구에서 스택과 함께 제공된 물질에 대하여 측정하고, 그런 후에 템퍼링 유형의 열처리 후에 측정되었다.

BT: 열처리 전, AT: 열처리 후

이들 실시예는 다음을 보여준다:

- 상부 유전체 코팅 내에 고굴절율층 및 저굴절율층의 순서가 없고 하부 유전체 코팅 내에 두께가 5 nm 초과인 고굴절율층이 없는 경우, 비색 변화가 거의 발견되지 않는다.(Cp. 0)

- 상부 유전체 코팅 내에 고굴절율 및 저굴절율층의 순서 및 하부 유전체 코팅 내에 두께 5 nm 초과의 고굴절율층이 존재할 때 현저한 변화는 관찰되지 않았다.(Cp. 3")

이들 비색 변화는 규소 질화물을 기재로 한 확산 방지층 면에 의하여 크게 감소하고, 특히 반사

E는:

- 스택면은, 6(Cp. 3'') 에서 2.6(Inv. 1'') 또는 0.9(Inv. 2'')까지 감소하고,

- 유리면은, 약 5(Cp. 3'')에서 0.8(Inv. 1'') 또는 2.6(Inv. 2'')으로 감소한다.

발명 1"에 따른 실시예는 높은 광 투과율 및 약간의 비색 변화를 나타낸다.

확산 방지층 및 중간층을 모두 포함하는, 발명 2"에 따른 실시예는 훨씬 더 높은 광 투과율, 약간의 비색 변화 및 매우 높은 태양 인자를 나타낸다.

Claims (16)

1. 은-기재 기능성 금속층 및, 각각 하나 이상의 유전체층을 포함하는 두 개의 유전체 코팅을 포함하고 기능성 금속층이 두 개의 유전체 코팅들 사이에 위치하고, 상기 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 하부 유전체 코팅은
   - 2.3 초과의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 금속 산화물을 기재로 한 고굴절율층을 포함하고,
   - 상기 고굴절율층 위에 위치하고 1 내지 10 nm의 두께를 가지는 산화물층, 질화물층 및 옥시질화물층으로부터 선택된 규소 및/또는 알루미늄 기재의 확산 방지층 및
   - 상기 확산 방지층 위에 위치하고 상기 확산 방지층과 상이한 조성을 가지는 하나 이상의 산화물-기재 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질.
2. 제1항에 있어서, 상기 은-기재 기능성층 위에 위치하는 상부 유전체 코팅은 각각의 두께가 5 nm 초과이고, 굴절율의 차이가 0.30 초과인 둘 이상의 박층을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 하부 유전체 코팅은 5 nm 미만의 두께를 가지고 상기 확산 방지층 위에 및 상기 은-기재 기능성층의 아래에 위치하는 고굴절율층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 확산 방지층은 5 nm 초과의 두께를 가지는 상기 고굴절율층 위에 접촉하여 위치하는 것을 특징으로 하는 물질.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 유전체 코팅의 상기 확산 방지층 위에 위치하는 상기 산화물-기재층의 두께의 합은 5.0 nm 초과인 것을 특징으로 하는 물질.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 확산 방지층 위에 위치하며 상기 하부 유전체 코팅과 상이한 조성을 나타내는 하나 이상의 상기 산화물-기재층은 아연 산화물을 기재로 하고, 바람직하게는 상기 은-기재 금속층과 직접 접촉하여 위치하는 습윤층인 것을 특징으로 하는 물질.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은-기재 기능성층 아래에 위치하는 상기 유전체 코팅은 산화물-기재층으로서:
   - 상기 확산 방지층 위에 위치하고 상이한 조성을 나타내는 혼합된 산화물을 기재로 하고, 상기 확산 방지층과 접촉하거나 5 nm 미만의 두께를 가지는 층에 의하여 상기 확산 방지층으로부터 분리된 평활층,
   - 상기 평활층 위에 위치하는 아연 산화물 기재의 습윤층을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 산화물을 기재로 한 고굴절율층은 티타늄 산화물 또는 니오븀 산화물 층들 또는 티타늄 및 니오븀으로부터 얻은 합금의 층들으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 물질.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 확산 방지층은 다음과 같이:
   - 규소 산화물층, 알루미늄 산화물층, 및 알루미늄 규소 산화물층,
   - 규소 질화물층, 알루미늄 질화물층, 알루미늄 규소 질화물층, 지르코늄 규소 질화물층,
   - 규소 옥시질화물층, 알루미늄 옥시질화물층 및 알루미늄 규소 옥시질화물층 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 물질.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평활층은 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 혼합된 산화물층인 것을 특징으로 하는 물질.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 유전체 코팅은 2.3 초과의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 하나 이상의 금속 산화물 기재의 고굴절율층을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 유전체 코팅은 2.2 미만의 굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지며 상기 고굴절율층 위에 위치하는 하나 이상의 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 유전체 코팅은 1.7 이하의 굴절율을 나타내는 저굴절율 및 5 nm 초과의 두께를 가지는 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 유전체 코팅은 다음의 순서:
    - 고굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 고굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 10 내지 40 nm인, 굴절율이 2.20 이상인 물질로 제조되는 고굴절율을 가지는 하나 이상의 층 및
    - 저굴절율을 가지는 층의 물리적 두께 또는 저굴절율을 가지는 층들의 물리적 두께의 합이 40 내지 120 nm인, 굴절율이 1.70 이하인 물질로 제조되는 저굴절율을 가지는 하나 이상의 층으로 기능성층 위에 증착된 적어도 일련의 박층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질.
15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 유리, 특히 소다-석회-실리카 유리, 또는 중합성 유기물로 제조되는 것인 물질.
16. 박층은 캐소드 스퍼터링, 선택적으로 자기장-보조 캐소드 스퍼터링에 의하여 증착되고, 굽힘, 템퍼링 또는 어닐링 유형의 고온 열처리가 기판 위에 수행되는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 박층 스택으로 코팅된 투명 기판을 포함하는 물질의 제조 방법.

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