KR20180046808A - 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 - Google Patents

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 Download PDF

Info

Publication number
KR20180046808A
KR20180046808A KR1020160142435A KR20160142435A KR20180046808A KR 20180046808 A KR20180046808 A KR 20180046808A KR 1020160142435 A KR1020160142435 A KR 1020160142435A KR 20160142435 A KR20160142435 A KR 20160142435A KR 20180046808 A KR20180046808 A KR 20180046808A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass frit
silver
composition
tellurium
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020160142435A
Other languages
English (en)
Inventor
박상희
구현진
김태준
박민수
이지선
정명성
하현진
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020160142435A priority Critical patent/KR20180046808A/ko
Priority to TW106123948A priority patent/TWI696596B/zh
Priority to US15/654,125 priority patent/US10439080B2/en
Priority to CN201710604080.5A priority patent/CN108022670B/zh
Publication of KR20180046808A publication Critical patent/KR20180046808A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/122—Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2205/00—Compositions applicable for the manufacture of vitreous enamels or glazes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿이 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다. 이때, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te)과 은(Ag)을 75 : 1 내지 1 : 25의 몰비(Te : Ag)로 포함하는 유리 프릿이고, 상기 제2유리 프릿은 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함하되, 은(Ag)을 함유하지 않는다.

Description

태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 {COMPOSITION FOR FORMING SOLAR CELL ELECTRODE AND ELECTRODE PREPARED USING THE SAME}
본 발명은 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼와의 접촉성이 개선되어 접촉저항 및 직렬 저항 특성이 우수하고, 반도체 기판과의 접착력이 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 태양전지 전극 형성용 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물로는 도전성 분말, 유리 프릿, 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트 조성물이 사용되고 있다. 이 중 유리 프릿은 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 반사 방지막을 용해시켜 도전성 분말이 반도체 기판이 전기적으로 접촉될 수 있도록 하는 것으로, 종래에는 유리 프릿으로 납 함유 유리가 주로 사용되어 왔다. 납 함유 유리의 경우, 연화점 조절이 용이하고 반도체 기판과의 밀착성이 우수하다는 장점이 있으나, 기판과의 접촉 저항이 높아 태양전지의 효율이 낮다는 문제점이 있다.
이에 최근에는 낮은 접촉 저항을 얻을 수 있는 텔루륨 함유 유리 프릿을 사용하는 기술들이 제안되었으나, 텔루륨 함유 유리 프릿의 경우, 반도체 웨이퍼와의 밀착성이 떨어져 충분한 내구성을 얻을 수 없다는 문제점이 있다. 이를 개선하기 위해 텔루륨 함유 유리에 텅스텐과 같은 원소를 첨가하거나, 납과 텔루륨을 동시에 함유하는 유리 프릿을 사용하는 방법들이 제안되었다. 그러나, 상기 방법들의 경우, 기판과의 접착성이 개선되는 만큼 접촉 저항 특성이 저하되어 기판과의 접착성과 저항 특성을 모두 우수하게 구현하기는 어려웠다.
따라서, 기판과의 접착력 및 저항 특성이 모두 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물의 개발이 요구되고 있다.
관련 선행기술이 일본공개특허 제2012-084585호에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 기판과의 접착력 및 저항 특성을 동시에 향상시킬 수 있는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전극과 웨이퍼 표면의 접촉성이 우수하여 접촉 저항과 직렬저항을 최소화할 수 있는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판과의 접착력, 필 팩터 및 변환효율이 우수한 태양전지 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 전극을 제공하는 것이다.
일 측면에서, 본 발명은 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿이 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공한다. 이때, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te)과 은(Ag)을 75 : 1 내지 1 : 25의 몰비(Te : Ag)로 포함하는 유리 프릿이고, 상기 제2유리 프릿은 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함하되, 은(Ag)을 함유하지 않는다.
일 구체예에서, 상기 유리 프릿은 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 7 : 1 내지 1 : 5의 중량비율로 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te), 은(Ag) 및 아연(Zn) 성분을 포함하는 Te-Ag-Zn-O계 유리 프릿일 수 있다.
또한, 상기 제1유리 프릿에 포함되는 은(Ag) 원소는 이온 분해 온도가 1000℃ 이하인 은 화합물로부터 유래된 것일 수 있으며, 예를 들면, 시안화은, 질산은, 할로겐화은, 탄산은 및 초산은으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 은 화합물로부터 유래된 것일 수 있다.
상기 제2유리 프릿은 납(Pb)과 텔루륨(Te)을 0.01 : 1 내지 0.5 : 1의 몰비로 포함하는 것이거나, 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te)을 0.01 : 1 내지 0.4 : 1의 몰비로 포함하는 것일 수 있다.
바람직하게는, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은, 은 분말 60 내지 95중량%, 유리 프릿 0.1 내지 20중량%; 및 유기비히클 1 내지 30중량%를 포함할 수 있다.
또한, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은, 필요에 따라, 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극을 제공한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 텔루륨과 은 원소를 특정 몰비로 포함하는 제1유리 프릿과 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 제2유리 프릿을 함께 사용함으로써, Trade-Off 관계에 있는 기판과의 접착력 및 저항 특성을 동시에 향상시킬 수 있도록 하였다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물을 이용하여 제조된 전극은 기판과의 접착력(Pull strength)이 높고, 접촉저항(Rc)과 직렬저항(Rs)이 낮아 필 팩터 및 변환 효율이 우수하다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
이하, 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
본 명세서에서, 유리 프릿에 포함되는 각 금속 원소의 함량(몰%)은 유도결합플라즈마-원자방출분광법(ICP-OES; Inductively Coupled Plasma - Optical Emission Spectrometer)에 의하여 측정될 수 있다. 상기 유도결합플라즈마-원자방출분광법(ICP-OES)은 매우 적은 양의 시료를 사용하므로 시료 준비 시간을 단축할 수 있고, 시료 전처리에 의한 오차를 줄일 수 있으며 분석 감도가 우수한 이점이 있다.
구체적으로, 상기 유도결합플라즈마-원자방출분광법(ICP-OES)은 시료를 전처리 하는 단계, 표준용액을 준비하는 단계, 및 측정 대상 원소의 농도를 측정 및 환산하여 유리프릿 내 존재하는 각 원소의 함량을 정밀하게 측정할 수 있다.
상기 시료를 전처리하는 단계는 시료인 유리 프릿을 용해할 수 있는 산성용액을 이용하여 시료를 적당량 용해하고 가열하여 시료를 탄화시킬 수 있다. 상기 산성용액은 예로서 황산(H2SO4) 용액 등을 사용할 수 있다.
상기 탄화된 시료는 증류수, 과산화수소(H2O2) 등의 용매로 분석대상 원소의 분석농도 범위까지 적당히 희석할 수 있다. 상기 분석농도 범위는 적용되는 ICP-OES 기기의 원소 검출능력을 고려하여 약 10,000배까지 희석된 상태로 사용할 수 있다.
상기 전처리된 시료는 ICP-OES 기기로 측정시 표준용액, 예를 들면, 원소 측정용 분석대상 원소의 표준용액으로 교정(calibration)할 수 있다. 예로서, 상기 표준용액을 ICP-OES 측정기기에 도입하여 외부 표준법(external standard method)으로 검정곡선(calibration curve)을 작성한 후 상기 ICP-OES 측정기기로 전처리된 시료의 분석대상 금속 원소의 농도(ppm)를 측정한 후 환산하여 유리프릿 내 각 원소의 몰비를 계산할 수 있다.
태양전지 전극 형성용 조성물
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하며, 상기 유리 프릿은 은 원소와 텔루륨을 특정 몰비로 포함하는 제1유리 프릿과 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 제2유리 프릿을 포함한다. 보다 구체적으로는, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te)과 은(Ag)을 75 : 1 내지 1 : 25의 몰비(Te : Ag)로 포함하는 유리 프릿이고, 상기 제2유리 프릿은 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함하되, 은(Ag)을 함유하지 않는다.
본 발명자들의 연구에 따르면, 상기와 같이 특정한 조성으로 이루어진 2종의 유리 프릿을 함께 사용할 경우, 기판과의 접착력과 저항 특성이 동시에 향상되는 것으로 나타났다.
이하, 본 발명의 조성물의 각 성분들에 대해 상세하게 설명한다.
(A) 은 분말
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말로서 은(Ag) 분말을 사용한다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있으며, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있다. 또한, 상기 은 분말로 2 이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 은 분말은 입자 형상이 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형상의 입자들, 예를 들면, 구형, 판상 또는 무정형 형상의 입자들이 제한없이 사용될 수 있다.
상기 은 분말의 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 10㎛이며, 더 바람직하게는 0.5㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
상기 은 분말은 조성물 전체 중량 대비 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 은 분말의 함량이 상기 범위를 만족할 때, 태양전지의 변화 효율이 우수하게 나타나며, 페이스트화가 원활하게 이루어질 수 있다. 바람직하게는, 상기 은 분말은 조성물 전체 중량 대비 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
(B) 유리 프릿
유리 프릿(glass frit)은 태양전지 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키기 위한 것이다. 또한, 유리 프릿은 은 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기 유리 프릿으로 조성이 상이한 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 사용한다. 보다 구체적으로는, 본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 텔루륨과 은을 포함하는 제1유리 프릿과 텔루륨을 포함하고, 은을 포함하지 않는 제2유리 프릿을 포함한다. 이하, 제1유리 프릿과 제2유리 프릿에 대해 보다 자세히 설명한다.
(B-1) 제1유리 프릿
제1유리 프릿으로는 텔루륨(Te)과 은(Ag)을 포함하는 유리 프릿을 사용한다. 보다 구체적으로는, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te)과 은(Ag)은 75 : 1 내지 1 : 25의 몰비(Te : Ag)로 포함한다. 상기 범위에서, 기판 접착력의 저하 없이 낮은 직렬저항 및 접촉저항을 확보할 수 있다.
한편, 상기 제1유리 프릿 내에 포함되는 은(Ag) 원소는 이온으로 분해되는 온도가 1000℃ 이하인 은 화합물로부터 유래되는 것이 바람직하며, 예를 들면, 시안화은(AgCN), 질산은(AgNO3), 할로겐화은(Ag-X), 탄산은(Ag2CO3), 초산은 등과 같은 은 화합물로부터 유래된 것일 수 있다. 이때, 상기 할로겐화은(Ag-X)에서, X는 요오드, 플루오르, 염소 또는 브롬일 수 있으며, 바람직하게는 요오드일 수 있다.
한편, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨과 은 성분 이외에 금속 및/또는 금속 산화물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1유리 프릿은, 아연(Zn), 납(Pb), 비스무스(Bi), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 리튬(Li), 규소(Si), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te), 은(Ag), 아연(Zn) 성분을 포함하는 Te-Ag-Zn-O계 유리 프릿일 수 있다.
상기 제1유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 은 화합물과 금속 산화물로부터 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 은 화합물, 산화텔루륨 및 추가로 포함되는 금속 산화물을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 800℃ 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 제1유리 프릿을 얻을 수 있다.
(B-2) 제2유리 프릿
제2유리 프릿으로는 텔루륨을 포함하되, 은을 포함하지 않는 유리 프릿을 사용한다. 구체적으로는, 상기 제2유리 프릿은 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함한다.
상기 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿은 납 산화물 및 텔루륨 산화물을 포함하는 금속산화물로부터 유래된 것으로, 납(Pb)과 텔루륨(Te) 원소를 포함하는 유리 프릿을 의미한다.
한 구체예에서 상기 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿은 납(Pb)과 텔루륨(Te)을 0.01 : 1 내지 0.5 : 1의 몰비(Pb : Te)로 포함할 수 있다. 상기 범위로 포함 시, 기판과의 접착력과 저항 특성이 모두 우수할 수 있다.
한편, 상기 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿은 비스무스(Bi) 산화물 및 텔루륨(Te) 산화물을 포함하는 금속 산화물로부터 유래된 것으로, 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te) 원소를 포함하는 유리프릿을 의미한다.
한 구체예에서 비스무스-텔루륨-산화물계 유리 프릿은 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te) 원소를 0.01 : 1 내지 0.4 : 1의 몰비(Bi : Te)로 포함할 수 있다. 상기 범위로 포함 시, 기판과의 접착력과 저항 특성이 모두 우수할 수 있다.
한편, 상기 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 및/또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿은 상기 납, 텔루륨, 비스무스 이외에 금속 및/또는 금속 산화물을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 및/또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿은, 리튬(Li), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 철(Fe), 규소(Si), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 세슘(Cs), 스트론튬(Sr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 나트륨(Na), 칼륨(K), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al) 및 이들의 산화물들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다.
상기 제2유리 프릿은 특별히 제한되지 않고, 통상의 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 유리 프릿은 상기 기술된 조성을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 900℃ 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 얻을 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 제1유리 프릿과 제2유리 프릿은 7 : 1 내지 1 : 5의 중량비율(제1유리 프릿: 제2유리 프릿)로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위에서 기판과의 접착력과 저항 특성이 모두 우수한 조성물을 얻을 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 제1유리 프릿과 제2유리 프릿은 6 : 1 내지 1 : 6의 중량비율로 포함될 수 있다.
상기 제1유리 프릿 및/또는 제2유리 프릿의 형상 및 크기 등은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 제1유리 프릿 또는 제2유리 프릿으로는 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 유리 프릿의 형상은 구형 또는 부정형일 수 있다.
한편, 상기 제1유리 프릿 및 제2유리 프릿을 포함하는 전체 유리 프릿의 함량은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 10 중량%일 수 있다. 상기 범위로 함유되는 경우, 다양한 면저항 하에서 pn 접합 안정성을 확보할 수 있고 직렬저항 값을 최소화시킬 수 있으며, 종국적으로 태양전지의 효율을 개선할 수 있다.
(C) 유기 비히클
유기비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.
상기 유기비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 1 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
(D) 첨가제
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 1은 본 발명의 한 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, p층(또는 n층)(101) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 600℃ 내지 1,000℃, 바람직하게는 700℃ 내지 950℃에서 약 30초 내지 210초 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예 1-15 및 비교예 1-3
실시예 1 내지 5
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4) 1.0 중량부를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol) 6.8 중량부에 60℃에서 충분히 용해한 후 평균입경이 1.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 89.0 중량부, 평균 입경이 1.0㎛인 유리 프릿 2.7중량부, 첨가제로서 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량부 및 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.) 0.3 중량부를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다. 이때, 상기 유리 프릿은 하기 표 1의 조성으로 제조된 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 하기 표 1에 기재된 함량으로 포함하였으며, 제1유리 프릿의 은 원소는 탄산은 화합물로부터 유래된 것이다.
실시예 6 내지 15
제1유리 프릿의 은 원소가 질산은 화합물로부터 유래된 것이고, 유리 프릿으로 하기 표 2의 조성으로 제조된 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 하기 표 2에 기재된 함량대로 사용한 점을 제외하고는 실시예 1 내지 5와 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
비교예 1 내지 3
하기 표 3의 조성으로 제조된 유리 프릿을 사용한 점을 제외하고는 실시예 1 내지 5와 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 준비하였다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
직렬저항, 개방전압 및 Efficiency 측정
상기 실시예 및 비교예에 따른 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 Wafer의 후면에 알루미늄 페이스트를 후면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400℃ 내지 900℃ 온도 범위에서 30초에서 180초 동안 소성하였으며, 이렇게 제조 완료된 셀(Cell)은 태양전지효율 측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 개방전압(Voc, mV), 직렬저항(Rs, mΩ), 및 변환효율(Eff. %)을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 4에 나타내었다.
구분 Voc(mV) Rs(mΩ) Eff(%)
실시예 1 640.22 2.96 18.16
실시예 2 639.47 3.08 18.10
실시예 3 639.77 3.04 18.14
실시예 4 643.14 2.62 18.20
실시예 5 638.35 3.13 18.07
실시예 6 642.75 2.85 18.20
실시예 7 639.39 3.09 18.09
실시예 8 641.40 2.77 18.16
실시예 9 641.52 2.66 18.19
실시예 10 639.78 3.02 18.15
실시예 11 642.76 2.80 18.22
실시예 12 639.66 3.05 18.10
실시예 13 642.44 2.67 18.18
실시예 14 642.55 2.96 18.17
실시예 15 642.47 2.59 18.24
비교예 1 635.88 3.41 17.90
비교예 2 633.11 3.55 17.83
비교예 3 631.67 3.68 17.80
비교예 4 633.36 3.50 17.85
상기 표 4의 결과를 참조하면, 텔루륨과 은을 본 발명에 따른 몰비로 적용한 제1 유리 프릿과, 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함하는 제2 유리 프릿을 적용하여 제조된 실시예 1 내지 15의 태양전지 전극은, 본 발명에 따른 제1유리 프릿 또는 제2유리 프릿을 적용하지 않고 제조된 비교예 1 내지 4의 태양전지 전극보다 직렬저항이 낮으며, 높은 변환 효율을 구현할 수 있음을 알 수 있었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
100 : 웨이퍼
210 : 후면 전극
230 : 전면 전극

Claims (9)

  1. 은 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물에 있어서,
    상기 유리 프릿은 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 포함하고,
    상기 제1유리 프릿은 텔루륨(Te)과 은(Ag)을 75 : 1 내지 1 : 25의 몰비(Te : Ag)로 포함하는 유리 프릿이고,
    상기 제2유리 프릿은 납-텔루륨-산화물(Pb-Te-O)계 유리 프릿 또는 비스무스-텔루륨-산화물(Bi-Te-O)계 유리 프릿을 포함하고, 은(Ag)을 함유하지 않는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유리 프릿은 제1유리 프릿과 제2유리 프릿을 7 : 1 내지 1 : 5의 중량비율로 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1유리 프릿에 포함되는 은(Ag) 원소는 이온 분해 온도가 1000℃ 이하인 은 화합물로부터 유래된 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1유리 프릿에 포함되는 은(Ag) 원소는 시안화은, 질산은, 할로겐화은, 탄산은 및 초산은으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 은 화합물로부터 유래된 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2유리 프릿은 납(Pb)과 텔루륨(Te)을 0.01 : 1 내지 0.5 : 1의 몰비로 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2유리 프릿은 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te)을 0.01 : 1 내지 0.4 : 1의 몰비로 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 은 분말 60 내지 95중량%;
    상기 유리 프릿 0.1 내지 20중량%; 및
    상기 유기비히클 1 내지 30중량%를 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극.
KR1020160142435A 2016-10-28 2016-10-28 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 KR20180046808A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160142435A KR20180046808A (ko) 2016-10-28 2016-10-28 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
TW106123948A TWI696596B (zh) 2016-10-28 2017-07-18 用於形成太陽電池電極的組合物及使用其製備的電極
US15/654,125 US10439080B2 (en) 2016-10-28 2017-07-19 Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same
CN201710604080.5A CN108022670B (zh) 2016-10-28 2017-07-21 用于形成太阳电池电极的组合物及使用其制备的电极

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160142435A KR20180046808A (ko) 2016-10-28 2016-10-28 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180046808A true KR20180046808A (ko) 2018-05-09

Family

ID=62022615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160142435A KR20180046808A (ko) 2016-10-28 2016-10-28 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10439080B2 (ko)
KR (1) KR20180046808A (ko)
CN (1) CN108022670B (ko)
TW (1) TWI696596B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112830682B (zh) * 2020-12-18 2022-06-14 常州聚和新材料股份有限公司 一种太阳能电池导电浆料用玻璃料及其制备方法与应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014187345A (ja) * 2013-02-20 2014-10-02 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
KR20150026720A (ko) * 2013-08-28 2015-03-11 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150027652A (ko) * 2013-09-04 2015-03-12 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150054597A (ko) * 2013-11-12 2015-05-20 제일모직주식회사 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8497420B2 (en) * 2010-05-04 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
JP5011428B2 (ja) 2010-10-07 2012-08-29 昭栄化学工業株式会社 太陽電池素子並びにその製造方法
KR20140092489A (ko) 2012-12-29 2014-07-24 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101590228B1 (ko) * 2013-07-19 2016-01-29 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN104575661B (zh) 2013-10-25 2017-09-12 硕禾电子材料股份有限公司 一种导电浆及其制造方法
US9039937B1 (en) * 2013-12-17 2015-05-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same
KR101696968B1 (ko) * 2014-01-09 2017-01-16 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014187345A (ja) * 2013-02-20 2014-10-02 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
KR20150026720A (ko) * 2013-08-28 2015-03-11 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150027652A (ko) * 2013-09-04 2015-03-12 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20150054597A (ko) * 2013-11-12 2015-05-20 제일모직주식회사 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극

Also Published As

Publication number Publication date
US10439080B2 (en) 2019-10-08
TW201815711A (zh) 2018-05-01
CN108022670A (zh) 2018-05-11
TWI696596B (zh) 2020-06-21
US20180122965A1 (en) 2018-05-03
CN108022670B (zh) 2020-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101696968B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101982412B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101802546B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR102097805B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US10315950B2 (en) Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same
KR101693070B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101731674B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
TWI612020B (zh) 太陽電池電極用組成物及使用其製作的電極
KR20180046808A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101691694B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US20190013421A1 (en) Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same
KR101737172B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20180114602A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20160048313A (ko) 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
TW201906797A (zh) 用於太陽能電池電極的組合物及使用所述組合物製作的電極

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment