KR20180046412A - Device for Brazing using Electron Beam and Method for Brazing using Electron Beam - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자빔 브레이징 장치 및 전자빔을 이용한 브레이징 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본 발명은 수율을 극대화 하고, 공정시간을 단축할 수 있으며, 작업대상물의 소재 종류에 관계없이 브레이징할 수 있는 전자빔 브레이징 장치 및 전자빔을 이용한 브레이징 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam brazing apparatus and an electron beam brazing method. More particularly, the present invention relates to an electron beam brazing apparatus and an electron beam brazing method capable of maximizing a yield and shortening a processing time, And a brazing method using an electron beam.
일반적으로, 브레이징(Brazing)이란, 접합하려는 양 모재의 사이에 필러(용가제)를 위치시킨 후, 이를 가열하여 필러를 녹여 양 모재를 접합시키는 방법으로서, 모재를 거의 용융시키지 않고 필러만을 용융시켜 접합하는 접합방법을 뜻한다.Generally, brazing is a method of placing a filler (filler) between the base materials to be bonded and melting the filler by heating the base material to bond the base materials together. The brazing is a method of melting only the filler without melting the base material Means a joining method.
이러한, 브레이징을 이용한 접합은 컨덴서 등의 고압을 사용하는 전기부품의 전기절연을 위해 서로 다른 재질의 양 모재를 접합할 때 또는 냉각기 부품 중 진공을 이루는 부품의 실링처리할 때 많이 쓰이며, 양 모재가 동종소재일 경우도 쓰이지만, 양 모재가 이종소재일 경우에 주로 사용되고 있다. 예를 들어, 기존의 모재를 용융시키는 방법으로 불가한 세라믹과 세라믹을 접합시킬 때 또는 세라믹과 금속등의 이종소재를 접합시킬 때 주로 사용되고 있다.Such bonding using brazing is often used when bonding two kinds of base materials of different materials for electric insulation of electric parts using high pressure such as a condenser or sealing the parts forming a vacuum among the parts of the cooler, It is also used in the case of homogeneous material, but it is mainly used when the mother material is a heterogeneous material. For example, it is mainly used when bonding ceramics and ceramics which are impossible to melt an existing base material, or when bonding dissimilar materials such as ceramics and metals.
한편, 이러한 브레이징을 이용한 접합방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 접합될 제1모재(12)와 제2모재(14)의 사이에 필러(16: 용가재)를 위치시킨 후, 이를 도 2에 도시된 바와 같이 가열로(20) 내에 위치시키고 이를 가열하여 필러(16)를 용융시켜 접합하는 방법이다.1, a filler (filler) 16 is placed between the
그러나, 이러한 종래의 브레이징 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.However, such a conventional brazing method has the following problems.
첫째, 가열로(20)를 사용하므로, 작업이 가열로(20) 단위로 이루어져, 소품종 대량생산에는 유리하지만, 다품종 소량생산에는 불리한 문제점이 있다.First, since the
둘째, 가열로(20)를 사용하는 방식은 작업대상물(10)의 열팽창과 열수축시 크랙생성을 방지하기 위하여 매우 천천히 가열/냉각 시키므로 브레이징 작업에 수일이 걸려 생산성이 낮은 문제점이 있다.Second, since the
셋째, 가열로(20)를 사용하여 양 모재(12, 14)와 필러(16)에 동일한 열량(에너지)를 주입하여 가열시키는 방식이므로, 양 모재(12, 14)의 열팽창률이 다른 이종소재를 사용하는 경우 양 모재(12, 14)의 열팽창량이 서로 상이하여 불량이 발생할 확률이 매우 높아 생산성이 낮은 문제점이 있다.Third, since the same heating amount (energy) is injected into the
넷째, 가열로(20) 단위로 공정을 진행하므로, 가열로(20) 내부의 열 편차로 인해 같은 가열로(20)에서 생산된 제품이라 하더라도 가열로(20) 내부에 위치된 위치에 따라 품질에서 편차가 발생할 수 있으며, 서로 다른 가열로(20)에서 생산된 경우에도 양산제품에서 품질의 편차가 발생할 수 있는 문제점이 있다.Fourthly, since the process is performed in the unit of the
다섯째, 양 모재(12, 14)와 필러(16: 용가재)에 동일한 열량(에너지)를 주입하여 가열시키는 방식이므로, 모재의 용융온도가 필러보다 낮은 경우 브레이징 방식의 적용이 불가하여 재질선택에 한계가 있는 문제점이 있다.Fifth, since the same heat quantity (energy) is injected into the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 다품종 소량생산에 적합하며, 공정시간이 빠르고, 품질의 편차가 없으며, 재질의 선택이 보다 자유로운 전자빔 브레이징 장치 및 전자빔을 이용한 브레이징 방법을 제공하는 것이 과제이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an electron beam brazing apparatus and an electron beam brazing method which are suitable for small quantity production of various kinds, have a high process time, It is a challenge to provide.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 따르면, 제1모재와 제2모재 사이에 필러를 위치시키고, 이를 가열하여 상기 필러를 녹여 상기 제1모재와 제2모재를 접합시키는 브레이징 방법에 있어서, 상기 제1모재와 제2모재의 열팽창량이 동일하도록 전자빔을 상기 제1모재와 제2모재에 조사하는 예열단계, 예열된 상기 제1모재와 제2모재 사이의 필러가 녹도록 전자빔을 조사하는 접합단계, 필러가 녹아 접합된 제1모재와 제2모재를 냉각시키는 냉각단계를 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법이 개시된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a brazing method for placing a filler between a first base material and a second base material and melting the filler by heating the filler to bond the first base material and the second base material A preheating step of irradiating an electron beam onto the first base material and the second base material so that the thermal expansion amounts of the first base material and the second base material are the same; And a cooling step of cooling the first base material and the second base material to which the filler is fusion bonded, and a brazing method using an electron beam.
상기 예열단계는, 상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 제어함으로써 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 제어할 수 있다.In the preheating step, the amount of thermal expansion of the first base material and the second base material may be controlled to be equal to each other by controlling the amount of energy of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the electron beam irradiation time of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 출력을 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the output of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 집속 및 확산도를 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the focusing and spreading of the electron beams irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 예열단계는, 상기 필러를 제외한 상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하는 단계일 수 있다.The preheating step may be a step of irradiating an electron beam to the first base material and the second base material excluding the filler.
상기 접합단계는, 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 조사단계일 수 있다.The bonding step may be an irradiation step such that the thermal expansion amounts of the first base material and the second base material are equal to each other.
상기 접합단계는, 상기 필러를 제외한 상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하는 단계일 수 있다.The bonding step may be a step of irradiating an electron beam to the first base material and the second base material excluding the filler.
상기 접합단계는, 상기 필러에 전자빔을 조사하는 단계일 수 있다.The bonding step may be a step of irradiating the filler with an electron beam.
상기 접합단계는, 상기 제1모재와 제2모재가 위치된 챔버에 가스를 공급하는 가스공급단계를 더 포함할 수 있다.The bonding step may further include a gas supplying step of supplying gas to the chamber in which the first base material and the second base material are located.
상기 제1모재와 제2모재는 열팽창량이 서로 다른 이종재질일 수 있다.The first base material and the second base material may be different materials having different amounts of thermal expansion.
상기 제1모재와 제2모재는 열팽창량이 동일한 동종재질일 수 있다.The first base material and the second base material may be of the same type of material having the same thermal expansion amount.
한편, 본 발명의 다른 형태에 따르면, 제1모재와 제2모재 사이에 필러를 위치시키고, 이를 가열하여 상기 필러를 녹여 상기 제1모재와 제2모재를 접합시키는 브레이징 방법에 있어서, 상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하여 예열시키는 예열단계, 예열된 상기 제1모재와 제2모재 사이의 필러가 녹도록 전자빔을 조사하는 접합단계, 필러가 녹아 접합된 제1모재와 제2모재의 열수축량이 동일하도록 냉각시키는 냉각단계를 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법이 개시된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a brazing method for placing a filler between a first base material and a second base material and heating the same to melt the filler to bond the first base material and the second base material, A preheating step of irradiating an electron beam to the base material and the second base material to preheat the base material; a bonding step of irradiating an electron beam so that the filler between the preheated first base material and the second base material melts; And a cooling step of cooling the glass substrate so that the heat shrinkage amount of the glass substrate is the same.
상기 냉각단계는, 상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 각각 제어함으로써 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열수축량이 동일하도록 제어하는 단계일 수 있다.The cooling step may be a step of controlling the amount of heat shrinking per unit time of the first base material and the second base material by controlling the amount of energy of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the electron beam irradiation time of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 출력을 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the output of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 집속 및 확산도를 제어함으로써 이루어질 수 있다.The control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material can be performed by controlling the focusing and spreading of the electron beams irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 냉각단계는, 냉각부를 통해 상기 제1모재와 제2모재의 온도를 낮추면서, 상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 각각 제어하여, 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열수축량이 동일하도록 상기 제1모재와 제2모재를 개별적으로 가열하는 단계일 수 있다.The cooling step may control the amount of energy of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material while lowering the temperature of the first base material and the second base material through the cooling part, Heating the first base material and the second base material so that the amount of heat shrinkage per unit time is the same.
상기 모재 예열단계 전에, 상기 모재의 온도를 상승시키는 분위기 예열단계를 더 포함할 수 있다.The pre-heating step may further include an atmosphere pre-heating step of raising the temperature of the base material before the base material pre-heating step.
상기 분위기 예열단계는, 상기 챔버 내부의 분위기 온도를 상승시켜 모재의 온도를 상승시키는 단계일 수 있다.The atmosphere preheating step may be a step of raising the temperature of the base material by raising the atmospheric temperature inside the chamber.
상기 접합단계의 후에, 상기 챔버 내의 분위기 온도를 냉각시키는 분위기 냉각단계를 더 포함할 수 있다.And after the joining step, an atmosphere cooling step of cooling the atmosphere temperature in the chamber.
한편, 본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 캐소드와 애노드를 포함하는 전자빔 방출장치, 상기 전자빔 방출장치에서 방출되는 전자빔이 조사되며, 상호 브레이징 접합되는 제1모재와 제2모재가 위치되는 챔버, 상기 챔버에 구비되며, 상기 제1모재 또는 제2모재를 고정하도록 구비되는 지그, 상기 지그를 회전시키는 회전부, 상기 지그를 냉각시키는 냉각부 및 상기 전자빔 방출장치, 회전부 및 냉각부를 제어하는 제어부를 포함하는 전자빔 브레이징 장치가 개시된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electron beam apparatus comprising: an electron beam emitting apparatus including a cathode and an anode; a chamber in which a first base material irradiated with an electron beam emitted from the electron beam emitting apparatus is cross- A cooling unit for cooling the jig, and a control unit for controlling the electron beam emitting device, the rotating unit, and the cooling unit, the jig being provided in the chamber, the jig being provided to fix the first base material or the second base material, An electron beam brazing apparatus is disclosed.
상기 챔버 내의 공기를 냉각시키는 분위기 냉각부를 더 포함할 수 있다.And an atmosphere cooling unit for cooling the air in the chamber.
상기 챔버 내의 공기를 가열시키는 분위기 가열부를 더 포함할 수 있다.And an atmosphere heating unit for heating the air in the chamber.
상기 챔버 내의 모재가 위치되는 하측에 구비되어, 상기 전자빔 방출장치에서 방출된 전자빔 중 상기 모재에 적용되지 아니하고, 상기 모재를 벗어나는 위치로 조사되는 전자빔이 상기 챔버의 벽면으로 조사되는 것을 차단하는 인슐레이터를 더 포함할 수 있다.An insulator which is provided on a lower side where the base material in the chamber is located and blocks an electron beam emitted from the electron beam emitting device from being irradiated to the wall surface of the chamber, .
상기 인슐레이터는 접지가 이루어지며, 상기 인슐레이터에 조사되는 전자빔에 의한 전류를 측정하는 전류계를 더 포함할 수 있다.The insulator may be grounded, and may further include an ammeter for measuring a current due to an electron beam irradiated on the insulator.
상기 제1모재와 제2모재의 온도를 측정하는 적외선 카메라를 더 포함할 수 있다.And an infrared camera for measuring the temperature of the first base material and the second base material.
상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스공급부를 더 포함할 수 있다.And a gas supply unit for supplying gas into the chamber.
본 발명의 전자빔 브레이징 장치 및 전자빔을 이용한 브레이징 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the electron beam brazing apparatus of the present invention and the brazing method using an electron beam, the following effects can be obtained.
첫째, 가열로 대신 전자빔을 사용하므로 가열 및 냉각에 소요되는 시간이 극히 단축되어 공정시간을 최소화 할 수 있다.First, since the electron beam is used instead of the heating furnace, the time required for heating and cooling is extremely shortened, and the processing time can be minimized.
둘째, 시제품 등의 다품종 소량생산이 가능한 장점이 있다.Second, it is possible to produce small quantities of prototype products.
셋째, 온도의 상승, 유지 및 냉각시간을 자유롭게 조절할 수 있다.Third, the rise, maintenance and cooling time of the temperature can be freely controlled.
넷째, 각 모재의 열변형율에 따라 전자빔의 조사를 달리하여 열변형량을 동일하게 조절할 수 있어 모재의 변형 및 파손을 방지할 수 있어 보다 높은 품질의 브레이징 접합이 가능하며 수율을 향상시킬 수 있다.Fourth, according to the thermal deformation ratio of each base material, the amount of thermal deformation can be controlled by varying the irradiation of the electron beam, so that deformation and breakage of the base material can be prevented, so that a higher quality brazing can be achieved and the yield can be improved.
다섯째, 전자빔 방출장치로서 콜드 타입의 플라즈마 전자빔을 적용할 경우 브레이징 접합시 반응가스의 투입이 가능하다.Fifth, when a cold type plasma electron beam is applied as an electron beam emitting device, it is possible to inject a reaction gas during brazing.
여섯째, 전자빔 방출장치로서 콜드 타입의 플라즈마 전자빔을 적용할 경우 비 전도성 소재의 브레이징 접합도 가능하다.Sixth, when a cold type plasma electron beam is used as an electron beam emitting device, brazing of a nonconductive material is also possible.
일곱째, 가열원으로서 전자빔을 사용함으로써 브레이징 접합과 동시에 전자빔을 이용하여 모재의 표면 열처리도 가능하다.Seventh, by using an electron beam as a heating source, it is possible to heat the surface of a base material by using an electron beam simultaneously with brazing.
여덟째, 전자빔을 이용하여 가열하기 전에 모재의 온도를 설정된 온도로 가열시키므로 브레이징 공정에 소요되는 시간이 더욱 단축될 수 있다.Eighth, since the temperature of the base material is heated to the set temperature before the heating using the electron beam, the time required for the brazing process can be further shortened.
아홉째, 브레이징 접합된 후에 챔버내 분위기를 냉각시키므로 전자빔에 의해 가열된 부분이 산화되는 현상을 방지하여 브레이징 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.Ninthly, since the atmosphere in the chamber is cooled after brazing, the part heated by the electron beam is prevented from being oxidized, thereby further improving the brazing quality.
열째, 전자빔 방출장치로부터 모재를 벗어나는 위치로 조사되는 누설전자빔의 전류세기를 측정함으로써 모재로 조사되는 전자빔의 전류를 추산할 수 있어 보다 정밀한 제어가 가능한 효과가 있다.In the tenth, it is possible to estimate the current of the electron beam irradiated to the base material by measuring the current intensity of the leaked electron beam irradiated to the position where the base material is escaped from the electron beam emitting device, thereby enabling more precise control.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.
아래에서 설명하는 본 출원의 바람직한 실시예의 상세한 설명뿐만 아니라 위에서 설명한 요약은 첨부된 도면과 관련해서 읽을 때에 더 잘 이해될 수 있을 것이다. 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 도면에는 바람직한 실시예들이 도시되어 있다. 그러나, 본 출원은 도시된 정확한 배치와 수단에 한정되는 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1은 종래의 브레이징 접합시 모재와 필러를 도시한 단면도;
도 2는 도 1의 모재와 필러가 가열로에서 가열되는 모습을 도시한 단면도;
도 3은 본 발명에 따른 전자빔 브레이징 장치의 일 실시예를 도시한 단면도;
도 4는 도 3의 지그를 도시한 사시도;
도 5는 본 발명에 따른 전자빔 브레이징 장치를 이용한 브레이징방법의 일 실시예를 도시한 순서도;
도 6은 초기 예열 온도 차이에 따른 모재 온도상승의 차이를 도시한 그래프;
도 7은 도 5의 예열단계에서 모재에 전자빔이 조사되는 모습을 도시한 도면;
도 8은 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 조사시간이 다를 때를 나타낸 그래프;
도 9는 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 출력이 다를 때를 나타낸 그래프;
도 10은 제1모재와 제2모재가 동일하게 가열될 때 열팽창량의 차이를 나타낸 그래프;
도 11은 제1모재와 제2모재에 서로 다른 에너지량의 전자빔이 조사될 때 열팽창량의 차이를 나타낸 그래프;
도 12는 도 5의 접합단계에서 모재에 전자빔이 조사되는 모습을 도시한 도면;
도 13은 도 5의 접합단계에서 필러에 전자빔이 조사되는 모습을 도시한 도면;
도 14는 제1모재와 제2모재가 동일하게 냉각될 때 열수축량의 차이를 나타낸 그래프; 그리고,
도 15는 제1모재와 제2모재에 서로 다른 에너지량의 전자빔이 조사될 때 열수축량의 차이를 나타낸 그래프 이다.The foregoing summary, as well as the detailed description of the preferred embodiments of the present application set forth below, may be better understood when read in conjunction with the appended drawings. For the purpose of illustrating the invention, there are shown preferred embodiments in the figures. It should be understood, however, that this application is not limited to the precise arrangements and instrumentalities shown.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing a base material and a filler in a conventional brazing joint; FIG.
FIG. 2 is a sectional view showing a state where the base material and the pillars of FIG. 1 are heated in a heating furnace; FIG.
3 is a cross-sectional view showing an embodiment of an electron beam brazing apparatus according to the present invention;
FIG. 4 is a perspective view showing the jig of FIG. 3; FIG.
5 is a flowchart showing an embodiment of a brazing method using an electron beam brazing apparatus according to the present invention;
FIG. 6 is a graph showing the difference of the base material temperature rise according to the initial preheating temperature difference; FIG.
7 is a view showing a state in which an electron beam is irradiated to a base material in the preheating step of FIG. 5;
8 is a graph showing a case where the irradiation times of the electron beams irradiated to the first base material and the second base material are different;
9 is a graph showing a case where the output of the electron beam irradiated to the first base material and the output of the second base material are different;
10 is a graph showing the difference in the amount of thermal expansion when the first base material and the second base material are heated in the same manner;
11 is a graph showing the difference in the amount of thermal expansion when electron beams of different energy amounts are irradiated onto the first base material and the second base material;
12 is a view showing a state where an electron beam is irradiated to a base material in the bonding step of FIG. 5;
13 is a view showing a state in which an electron beam is irradiated to the filler in the bonding step of FIG. 5;
14 is a graph showing the difference in the amount of heat shrinkage when the first base material and the second base material are co-cooled; And,
15 is a graph showing a difference in heat shrinkage amount when an electron beam of different energy amount is irradiated to the first base material and the second base material.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and further description thereof will be omitted.
이하, 본 발명의 전자빔 브레이징 장치의 일 실시예에 대해서 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the electron beam brazing apparatus of the present invention will be described.
본 실시예에 따른 전자빔 브레이징 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 전자빔 방출장치(100), 챔버(210), 지그(220), 회전부(230), 냉각부(240) 및 제어부(280)를 포함할 수 있다.3, the electron beam brazing apparatus includes an electron
상기 전자빔 방출장치(100)는 캐소드(120)와 애노드(130)를 포함하여 전자빔을 방출하는 장치이다.The electron
본 실시예에서, 상기 전자빔 방출장치(100)로는 플라즈마 방식의 전자빔 방출장치가 구비되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다. 상기 전자빔 방출장치(100)는 하우징(150), 캐소드(120), 애노드(130) 및 절연홀더(140)를 포함하는 콜드(Cold) 타입 플라즈마 전자빔 방출장치를 적용하는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.In the present embodiment, the electron
상기 하우징(150)은 후술하는 캐소드(120) 및 애노드(130) 등이 위치되며, 전자빔이 가속되는 공간을 형성하는 구성요소로서, 타측에는 가속된 전자빔이 방출되는 방출구(156)가 형성될 수 있으며, 상기 하우징(150) 내부는 진공 분위기를 형성할 수 있다. 이 때, 상기 하우징(150)내부에 형성되는 진공도는 10^-3Torr 정도의 진공도일 수 있다.The
그리고, 상기 하우징(150) 내 일측에는 캐소드(120)가 구비된다. 상기 캐소드(120)는 전기에너지를 인가받아 전자를 방출하는 구성요소로서, 본 실시예에서는 금속 재질로 이루어지고 전체적으로 소정의 두께를 갖는 원판의 형태로 이루어지는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.A
상기 애노드(130)는 상기 하우징(150) 내에서 상기 캐소드(120)로부터 타측으로 이격되어 위치될 수 있다. 상기 애노드(130)는 전기에너지를 인가받아 상기 캐소드(120)로부터 방출된 전자를 가속시키는 구성요소로서, 가속된 전자들이 통과하는 개구부(132)가 형성될 수 있다.The
한편, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드(120)와 하우징(150) 사이를 절연하며, 상기 캐소드(120)를 하우징(150)에 고정시키는 구성요소이다.The insulating
또한, 절연홀더(140)의 일측에는 상기 캐소드(120) 또는 애노드(130)에 전기에너지를 공급하는 구동부(160) 및 캐소드(120)를 냉각시키는 냉각부(미도시)가 구비될 수 있다.A driving
그리고, 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 애노드(130)의 타측에는 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통과한 전자빔을 집속하거나 편향시키는 집속부(미도시)와 편향부(170)가 구비될 수 있다.Although not shown in the drawing, a focusing unit (not shown) and a
따라서, 상기 캐소드(120)와 애노드(130)에 전기에너지를 인가하면, 상기 캐소드(120)로부터 전자가 방출되어 애노드(130) 측으로 가속된 후 하우징(150)의 방출구(156)를 통해 방출될 수 있다.Accordingly, when electric energy is applied to the
한편, 상기 캐소드(120)는 상기 애노드(130)를 바라보는 면이 오목하게 구배를 형성하도록 이루어질 수 있다.Meanwhile, the
그리고, 상기 캐소드(120)의 상기 구배를 형성한 면의 테두리(122)는 둥글게 라운드지게 형성될 수 있다.The
따라서, 캐소드(120)에 테두리에 뾰족한 첨단 부분이 형성되지 아니하므로 아크 발생이 방지되어 보다 안정적인 운전이 가능하다.Accordingly, since the tip of the
그리고, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드(120)의 구배가 형성된 면의 배면 및 상기 캐소드(120)의 측면을 감싸도록 형성되는데, 상기 절연홀더(140)가 상기 캐소드(120)의 측면을 감싸는 부분은 상기 캐소드 테두리의 라운드진 부분(122)까지 연장되도록 형성될 수 있다.The insulating
또한, 상기 절연홀더(140)가 캐소드(120)의 측면까지 연장되어 하우징(150)과 캐소드(120) 사이에서 아크가 발생하는 것이 방지될 수 있다.In addition, the insulating
이 때, 상기 절연홀더(140)는 상기 캐소드 테두리(122)의 라운드진 부분의 일부를 감싸도록 연장형성 될 수 있다.At this time, the insulating
즉, 상기 캐소드(120)가 상기 절연홀더(140)보다 더 상기 애노드(130)에 가깝게 위치될 수 있다.That is, the
전술한 바와 같이, 상기 캐소드(120)의 테두리가 라운드지게 형성되므로, 상기 절연홀더(140)와 캐소드(120)의 사이에는 공간이 형성될 수 있는데, 이 때 상기 공간이 전하가 축적되는 공간의 역할을 하게 되어 전자빔 방출장치의 운전중 아크가 발생할 수도 있다.As described above, since the rim of the
따라서, 상기 캐소드(120)가 절연홀더(140)보다 더 애노드(130)에 가깝게 위치되어 상기 캐소드(120)와 절연홀더(140) 간의 간격이 줄어들어 전하가 축전되는 공간이 줄어들 수 있다.Therefore, the
따라서, 상기 캐소드(120)와 절연홀더(140)간에 커페시턴스가 줄어들게 되어 아크의 발생이 억제되므로, 보다 안정적으로 운전할 수 있으며, 한계 출력을 보다 상승시킬 수 있다.Therefore, since the capacitance is reduced between the
한편, 상기 하우징(150)은 그 측면의 둘레를 형성하는 튜브(152)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the
이 때, 상기 튜브(152)는 금속재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐소드(120) 및 애노드(130)와는 절연될 수 있다. 이를 위해, 상기 튜브(152)와 캐소드(120)의 사이에는 절연체(154)가 구비될 수 있다.At this time, the
그리고, 접지(158)가 이루어질 수 있다.A
상기 전자빔 방출장치로서 금속을 가공할 때에는 용융된 금속에서 금속증기가 발생되며, 발생된 금속증기는 상기 튜브(152) 내측면에 증착될 수 있다.When the metal is processed as the electron beam emitting apparatus, metal vapor is generated in the molten metal, and the generated metal vapor can be deposited on the inner surface of the
이 때, 상기 튜브(152)에 접지(158)가 이루어져 있으므로, 상기 튜브(152) 내측면에 부착된 금속증기의 주변의 전자는 접지(158)된 그라운드로 흐르게 되어 아크의 발생이 방지되어 보다 안정적인 운전이 가능하며, 동시에 한계 출력을 상승시킬 수 있다.At this time, because the
또한, 금속 재질의 특성상 외부의 충격 및 반복되는 열 충격에 강하고, 부착되는 금속증기를 제거하지 아니하여도 운전이 가능하므로 반영구적인 사용이 가능하다.Also, due to the nature of the metal material, it is resistant to external shocks and repeated thermal shocks, and semi-permanent use is possible since operation is possible without removing the attached metal vapor.
그리고, 반사전자 차단구조체(160)가 구비될 수 있다.A reflective
상기 캐소드(120)에서 방출되는 전자빔(e) 중 외곽의 일부는 상기 애노드(130)측을 향하지 못하고, 다른 방향을 향하여 이동하게 되는 후방산란전자(BSE: Backscattered Electron)을 형성할 수 있다.A part of the outer circumference of the electron beam e emitted from the
또한, 상기 튜브(152) 내부내에 잔류하는 질소 등의 원소가 가속된 전자와 충돌하여 발생하는 2차전자가 발생할 수 있다.In addition, secondary electrons may be generated due to collision of accelerated electrons such as nitrogen remaining in the
이하의 설명에서 상기 후방산란전자와 2차전자를 통틀어 반사전자라 칭하기로 하다.In the following description, the back-scattered electrons and the secondary electrons are collectively referred to as a reflection electron.
이러한 반사전자들은 상기 애노드(130)를 통과하는 전자빔(e)에 비해 집속되지 못하여 방향성이 없거나 또는 산란될 수 있다.These reflected electrons can not be focused compared to the electron beam (e) passing through the
이러한 반사전자 들은 상기 하우징(150) 내에서 반사되어 튜브(152)를 가열시키거나 아크를 발생시킬 수 있는데, 본 실시예의 전자빔 방출장치(100)의 튜브(152)는 스테인레스 등의 금속재질로 형성되므로, 상기 튜브(152)가 가열되어 열팽창하게 되면 기하학적 조건이 변경되어 전자빔 방출장치(100)의 정밀도가 하락하는 문제점이 발생될 수 있다.These reflected electrons may be reflected in the
따라서, 상기 반사전자 차단구조체(160)는 이러한 반사전자들이 튜브(150) 내측으로 향하는 것을 차단하는 구성요소이다.Thus, the reflective
상기 반사전자 차단 구조체(200)는 상기 하우징(150)의 방출구(156)가 형성된 면의 방출구(156) 주위로부터 상기 애노드(130) 측으로 연장되도록 형성될 수 있다.The reflective electron blocking structure 200 may be formed to extend from the periphery of the
따라서, 상기 반사전자 차단구조체(160)는 애노드(130)와 상기 방출구(156)가 형성된 면 사이에 배치되며, 상기 방출구(156)가 형성된 면으로부터 상기 애노드(130)를 향하여 연장된 관의 형태로 이루어질 수 있다.The reflective
이 때, 상기 반사전자 차단구조체(160)는 상기 애노드(130)를 향하는 측 및 상기 방출구(156)를 향하는 측은 개구되며, 중공은 상기 애노드(130) 및 방출구(156)와 연통될 수 있다.At this time, the reflection
따라서, 상기 반사전자 차단구조체(160)의 중공은 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통해 가속된 전자가 상기 방출구(156)로 방출되는 통로의 역할을 할 수 있다.Accordingly, the hollow of the reflective
이 때, 한편, 상기 중공은 상기 방출구(156)와는 동축상에 상기 방출구(156)보다는 큰 직경을 가지도록 형성될 수 있으며 상기 애노드(130)의 개구부(132)보다 작거나 같은 직경으로 형성될 수 있다.In this case, the hollow may be coaxial with the
그리고, 상기 방출구(156)는 상기 애노드(130)의 개구부(132)보다 작은 직경으로 형성될 수 있다.The
또한, 상기 반사전자 차단구조체(160)의 내주면에서 내측으로 연장된 플랜지부(162형성될 수 있다. 상기 플랜지부(210)는 상기 반사전자 차단구조체(160)의 상측부에 형성될 수 있으며, 상기 플랜지부(210)가 돌출되는 길이는 상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통과한 가속된 전자가 상기 반사전자 차단구조체(160)를 통과하는데 방해되지 않는 정도일 수 있다.A
또한, 상기 전자빔 방출장치로서 금속을 가공할 때에는 용융된 금속에서 금속증기가 발생될 수 있는데, 이러한 금속증기들은 방출구(156)을 통해 하우징(150) 내부로 유입되어 튜브(152)에 증착되거나 또는 절연홀더(140)에 증착되는 경우 아크를 발생시킬 수 있다. 그런데, 상기 금속증기들이 캐소드(120)의 오목하게 구배를 형성하는 면에 증착될 경우, 전자빔의 고에너지에 의해 상기 금속증기들이 증착되지 못하고 증발될 수 있다.When the metal is processed as the electron beam emitting apparatus, metal vapor may be generated from the molten metal. The metal vapor may be introduced into the
따라서, 상기 플랜지부(162)직경은 상기 방출구(156)을 통해 유입되는 금속증기가 하우징 내에서 퍼지지 않고 상기 캐소드(120)의 오목한 구배를 형성하는 면을 향하도록 안내할 수 있는 직경으로 형성될 수 있다.Therefore, the diameter of the
상기 애노드(130)의 개구부(132)를 통과하는 가속된 전자는 상기 반사전자 차단구조체(160)의 중공을 통해 하우징(150)의 방출구(156)로 방출될 수 있다.Accelerated electrons passing through the
한편, 상기 반사전자등 상기 하우징(150)의 방출구(156)를 통과하지 못하고, 상기 하우징(150)의 방출구(156)가 형성된 면에 반사될 수 있다.On the other hand, the reflected electrons can be reflected on the surface of the
이 때, 상기 반사된 전자는 상기 반사전자 차단구조체(160)의 내주면내에서 반사되어 튜브(152)측으로 재반사 되는 것이 차단될 될 수 있다.At this time, the reflected electrons may be blocked from being reflected from the inner circumferential surface of the reflection
상기 플랜지부(162)가 내주면 내측으로 연장되어 있으므로 상기 반사전자 차단구조체(160)의 중공 내부에서 반사되는 전자들이 반사전자 차단구조체(160)의 외측으로 탈출하는 것이 방지됨과 동시에 상기 방출구(156)을 통해 유입되는 금속증기가 하우징 내에서 퍼지지 않고 상기 캐소드(120)의 오목한 구배를 형성하는 면을 향하도록 안내되어 금속증기가 튜브(152)나 절연홀더(140)에 증착되는 것을 방지할 수 있다.Since the
또한, 상기 반사전자 차단구조체(160)의 내주면에는 복수개의 흡수홈(164)되어 반사전자와 복수개의 홈(164) 간의 충돌확률을 높여 상기 반사전자 차단구조체(160)의 중공 내주면에서 반사되는 전자들을 흡수할 수 있다.A plurality of
한편, 상기 반사전자 차단구조체(160)는 반사전자에 의해 가열될 수 있는데, 이러한 반사전자 차단구조체(160)의 과열을 방지하기 위해 상기 반사전자 차단구조체(160)의 외주면 둘레에 냉각매체가 흐르는 냉각파이프(166)가 구비될 수 있다.The reflective
상기 냉각매체는 물일수도 있고, 또는 여타 다른 냉각에 유리한 유체일 수도 있다.The cooling medium may be water or a fluid favorable to other cooling.
따라서, 상기 반사전자 차단구조체(160)가 냉각될 수 있으며, 상기 냉각파이프(166)가 반사전자 차단구조체(160)의 외주면 둘레에 구비되므로, 설혹 상기 냉각파이프(166)에서 누수가 발생한다고 하더라도 누출된 냉각매체가 상기 튜브(152)와 반사전자 차단구조체(160)의 사이로 누출되므로 상기 애노드(130) 및 방출구(156)를 통해 전자빔 방출장치의 외부로 세어나오는 것이 방지될 수 있다.Thus, the reflective
그리고, 상기 냉각파이프(166)의 외측에는 차단판(168)이 더 구비되어 상기 반사전자가 냉각파이프(166)로 직접 조사되는 것을 차단하여 냉각파이프(166)의 손상을 미연에 방지할 수 있다.A blocking
상기와 같이 플라즈마 연속 전자빔 방식의 전자빔 방출장치(100)를 사용할 경우, 전자빔이 연속적으로 조사될 수 있어 꾸준한 가열이 가능하며, 전자빔의 직경이 작고 조사지점의 조절이 보다 정밀하게 가능하며, 집속도와 확산도의 조절이 자유로워 필요한 지점만 집중적으로 또는 전체적으로 가열을 제어하는 것이 가능하다.When the plasma continuous electron beam type electron
또한, 브레이징의 경우, 필러(16)가 증발하여 가스화 될 수 있는데, 플라즈마 방식의 경우 요구되는 진공도가 비교적 낮아 가스에 의한 문제발생의 우려도 적다.Further, in the case of brazing, the
또한, 전자빔 방출장치(100)로서 열전자빔 방식의 전자빔 방출장치를 적용할 경우, 세라믹 소재등 비전도성 소재에 전자빔을 조사 할 때 전기장이 발생하여 작업이 어려울 수 있으나, 본 실시예와 같이 플라즈마 전자빔 방식의 전자빔 방출장치(100)를 적용할 경우, 플라즈마에 의한 중화작용에 의해 전기장의 발생이 억제되어 비전도성 소재에도 적용할 수 있는 잇점이 있다.In addition, when an electron beam emitting apparatus using a thermal electron beam system is applied as the electron
물론, 본 발명의 전자빔 방출장치(100)는 전술한 플라즈마 전자빔 방식에 한정되는 것은 아니며, 여타 다른 다양한 방식의 전자빔 방출장치가 적용될 수도 있다.Of course, the electron
한편, 상기 챔버(210)는, 상호 브레이징 접합되는 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 사이에 위치된 필러(16)가 위치되는 공간을 형성하는 구성요소이다.The
또한, 상기 전자빔 방출장치(100)와 연통되어 상기 전자빔 방출장치(100)에서 조사되는 전자빔이 상기 챔버 내부에 위치된 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 그 사이에 구비된 필러(16)에 조사될 수 있다.An electron beam emitted from the electron
이하, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 필러(16)를 작업대상물(10)이라 칭하기로 한다.Hereinafter, the
또한 챔버(210)에는 개폐 가능한 도어(212)가 구비되어 상기 챔버(210) 내부로 상기 작업대상물(10)이 반입되거나 반출될 수 있다.The
한편, 상기 지그(220)는 상기 챔버(210) 내부에 구비되며, 상기 챔버(210) 내부로 반입된 작업대상물(10)을 고정하도록 구비될 수 있다.The
상기 지그(220)는 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 고정자가 서로 근접하거나 멀어 지면서 상기 작업대상물(10)을 고정하도록 구비될 수 있다.As shown in FIG. 4, the
또한, 상기 지그(220)를 회전시키는 회전부(230)가 구비될 수 있다. 상기 회전부(230)는 상기 지그(220)와 축연결된 모터 등으로 이루어져, 상기 지그(220)를 회전시킴으로써 상기 지그(220)에 고정된 작업대상물(10) 또한 회전시킬 수 있다.Further, a
따라서, 상기 회전부(230)가 상기 지그(220)를 회전시키면서, 상기 작업대상물(10) 또한 회전시켜, 상기 작업대상물(10)에 전자빔이 조사되는 면을 선택할 수 있다.Therefore, the
그리고, 상기 냉각부(240)는 상기 지그(220)를 냉각시키는 구성요소일 수 있다. 상기 지그(220)를 냉각시키기 위하여, 상기 냉각부(240)는 냉각매체가 저장된 탱크와, 상기 탱크의 냉각수가 지그로 흐르는 파이프(242), 상기 냉각매체를 압송하며 순환량을 조절하는 펌프(244) 등을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 냉각매체는 물이나 기름 또는 공기나 가스 등의 유체일 수 있다.The
이 때, 상기 지그(220)를 냉각시키기 위하여, 상기 파이프(242)는 상기 지그의 내측에 매설될 수 있다. At this time, in order to cool the
상기 지그(220) 또한 열전도율이 높은 소재로 이루어져, 상기 지그(220)에 접촉된 작업대상물(10)과 연절달이 일어나도록 이루어질 수 있다.The
따라서, 상기 냉각부(240)는 상기 지그(220)를 냉각시킴과 동시에 상기 지그(220)에 접촉된 작업대상물(10) 또한 냉각시킬 수 있다.Therefore, the
물론, 필요에 따라 상기 지그(220)는 설치되지 않을 수도 있으며, 생략되거나 여타 다른 구조물로 대체될 수도 있을 것이다.Of course, if necessary, the
한편, 상기 전자빔 방출장치(100)와 지그(220), 회전부(230) 및 냉각부(240)를 제어하는 제어부(280)가 구비될 수 있다.The
상기 제어부(280)는 본 실시예의 전자빔 브레이징 장치에 일체로 구비된 연산부와 입력부, 출력부 등으로 이루어질 수도 있으며, 또는 외부에 별도로 구비되며, 유무선으로 상기 전자빔 방출장치(100)와 지그(220), 회전부(230) 및 냉각부(240)와 연결되어 제어하는 PC등으로 이루어질 수도 있다.The
또한, 상기 챔버(210) 내부에 위치된 작업대상물(10)의 온도를 측정하거나 영상을 촬영하는 적외선 카메라(260)가 구비될 수 있다. The
상기 적외선 카메라(260)는 상기 작업대상물(10)의 열영상을 촬영하여 상기 제어부(280)로 송신할 수 있으며, 상기 제어부(280)는 송신된 적외선 카메라(260)의 열영상 정보로서 작업대상물의 부위별 온도를 파악하여 이를 PC의 화면 등에 나타낼 수 있으며, 이렇게 상기 적외선 카메라(260)로부터 수신된 데이터 및 기 입력된 제질과 형상 및 브레이징 작업조건 등의 데이터를 바탕으로 상기 전자빔 방출장치(100)와 지그(220), 회전부(230) 및 냉각부(240)를 제어할 수 있다.The
물론, 상기 적외선 카메라(260)외에도 작업대상물(10)의 형상 및 크기를 측정하는 별도의 카메라 등의 측정장치가 구비될 수도 있다.Of course, in addition to the
또한, 상기 챔버(210) 내부의 기체를 배출하여 진공도를 조절하는 진공 배출펌프(270) 및, 상기 챔버(210) 내부에 반응가스를 공급하는 가스 공급부(250) 등이 구비될 수 있다. 상기 반응가스는 브레이징 시 투입되어 브레이징 접합을 보다 원할하게 유도하는 가스로서 Ar 또는 H2 등 다양한 가스를 적용시킬 수 있다. 이러한 반응가스는 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 필러(16)의 종류 및 브레이징 작업 조건에 따라 적절하게 선택할 수 있다.A
한편, 본 실시예의 전자빔 브레이징 장치는 분위기 냉각부(320)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the electron beam brazing apparatus of the present embodiment may further include an
전자빔을 이용하여 브레이징이 이루어진 직후에는 전자빔이 조사된 모재와 필러 뿐만 아니라, 상기 챔버(210) 내부의 주변 공기도 매우 뜨거운 온도로 가열된 상태일 수 있다.Immediately after the brazing using the electron beam, not only the base material and the filler irradiated with the electron beam but also the ambient air inside the
따라서, 고온상태의 모재 및 필러의 가열된 부위가 고온의 주변 공기에 포함된 산소와 반응하여 산화가 일어날 수 있다.Therefore, the heated portion of the base material and the filler at a high temperature may react with oxygen contained in the surrounding air at a high temperature to cause oxidation.
따라서, 상기 분위기 냉각부(320)는 전자빔의 조사가 끝난 후 또는 전자빔 조사 중 상기 챔버(210)내의 공기를 냉각시켜 고온상태의 모재 및 필러가 산화되는 것을 방지하며 냉각을 도모하도록 구비될 수 있다.Accordingly, the
상기와 같은 분위기 냉각부(320)는 상기 챔버(210)의 외측에 설치되어 상기 챔버(210)내측의 공기를 냉각시키도록 냉각기 또는 열교환기의 일부가 상기 챔버(210) 내측에 위치되도록 이루어질 수 있다. 물론, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 챔버(210)의 벽면 자체를 냉각시키는 등 다른 형태로 챔버(210) 내측 공기를 냉각시키도록 이루어질 수 있다.The
또한, 본 실시예의 전자빔 브레이장 장치는 분위기 가열부(310)를 더 포함할 수 있다.In addition, the electron beam brazing apparatus of this embodiment may further include an
도 6에 도시된 바와 같이, 모재가 가열될 때 시간에 따라 온도가 상승하는 추세는 직선의 그래프를 그리는 것이 아니라 시간이 지날수록 그 상승폭이 상승하는 지수함수적인 그래프를 나타낼 수 있다.As shown in FIG. 6, the tendency that the temperature rises with time when the base material is heated can be expressed as an exponential graph in which the increase in the temperature rises as time passes, rather than a straight line graph.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 초기 예열온도가 높을수록 동일한 가열 시간이 지난후의 온도가 더 높은 것을 알 수 있다.Also, as shown in FIG. 6, it can be seen that the higher the initial preheating temperature, the higher the temperature after the same heating time.
따라서, 전자빔 조사 전에 예열온도를 최대한 높이는 것으로서 브레이징 공정의 시간을 단축하며 소요되는 에너지량을 절약할 수 있다.Therefore, it is possible to shorten the time of the brazing process and save the amount of energy required by maximizing the preheating temperature before electron beam irradiation.
따라서, 상기 분위기 가열부(310)가 챔버(210)내의 온도를 상승시킴으로써 상기 모재(10)의 온도를 설정된 온도까지 상승시킬 수 있다.Therefore, the temperature of the
상기와 같은 분위기 가열부(310)는 상기 챔버(210)의 외측에 설치되고, 열교환기나 가열기의 일부가 챔버 내측에 위치되어 상기 챔버(210) 내측의 공기를 가열시키도록 구비될 수 있다. The
물론, 상기 분위기 가열부(310)는 상기 모재(10)를 직접 가열시키도록 구비될 수도 있을 것이다. 물론, 본 발명의 분위기 가열부(310)는 그 형태나 구조에 한정되지 아니하며, 상기 챔버(210) 내측의 공기나 모재(10)를 예열할 수 있다면 어떠한 형태나 구조로도 변형이 가능하다.Of course, the
한편, 상기 전자빔 방출장치(100)에서 방출되는 전자빔은 대부분 상기 모재(10)나 필러(16)에 조사되도록 제어되지만, 일부는 상기 모재(10)나 필러(16)를 벗어나는 곳으로 조사되는 누설전자빔이 발생할 수 있다.Although most of the electron beam emitted from the electron
이러한 누설전자빔은 최초 의도한 만큼 모재(10)를 가열시키지 못하게 되는 원인이며, 챔버(210)의 벽면 또는 모재(10)의 하측에 위치한 모재이동수단(미도시) 등의 별도 구조물을 의도치 않게 가열시켜 변형을 초래할 수 있다.This leakage electron beam is a cause that prevents the
따라서, 이러한 누설전자빔을 차단하는 인슐레이터(330)가 구비될 수 있다. Therefore, the
상기 인슐레이터(330)는 상기 챔버(210)의 내부에 상기 모재(10)가 위치되는 부분보다 하측에 위치되어 상기 누설전자빔이 챔버(210)의 벽면이나 모재(10)의 하측에 위치한 별도 구조물을 가열시키는 것을 차단시킬 수 있다.The
또한 상기 인슐레이터(330)는 누설전자빔에 의한 전자가 누적되지 않도록 접지(334)가 이루어질 수도 있으며, 상기 인슐레이터(330)에 조사되는 전자빔의 양을 측정할 수 있도록 전류계(332)가 연결될 수 있다.Also, the
따라서, 상기 제어부(280)에서는 상기 전자빔 방출장치(100)에서 방출되는 전자빔의 전류값과 상기 인슐레이터(330)에 연결된 전류계(332)에서 측정되는 전류값을 비교하여 상기 모재(10)에 조사되는 전류값을 추산할 수 있으며, 이를 통해 상기 전자빔 방출장치(100)에서 방출되는 전자빔을 더욱 정밀하게 피드백 제어할 수 있다.The
또한, 상기 챔버(210)의 벽면은 단열 처리될 수 있다.Further, the wall surface of the
이하, 본 발명의 전자빔을 이용한 브레이징 방법의 일 실시예에 대해서 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the brazing method using the electron beam of the present invention will be described.
본 실시예에 따른 전자빔을 이용한 브레이징 방법은 도 5에 도시된 바와 같이, 모재 예열단계(S120), 접합단계(S120) 및 모재 냉각단계(S150)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 5, the brazing method using the electron beam according to the present embodiment may include a preforming step (S120), a joining step (S120), and a preform cooling step (S150).
상기 모재 예열단계(S120)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 작업대상물(10)의 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량이 동일하도록 전자빔(e)을 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사하는 단계이다.As shown in FIG. 7, the preforming step (S120) of the preform is performed by irradiating the electron beam (e) onto the first base material (12) so that the thermal expansion amounts of the first base material (12) 12 and the
이러한 모재 예열단계(S120)는, 상기 필러(16)가 용융되는 온도 전까지 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 전자빔(e)을 조사하여 가열할 수 있다. 또는, 상기 필러(16)의 용융온도보다 상기 제1모재(12) 또는 제2모재(14)의 용융온도가 낮은 경우에는 상기 제1모재(12) 또는 제2모재(14)의 용융온도의 전까지 수행할 수 있다.The base material preheating step S120 may heat the
이 때, 상기 제1모재(12) 및 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량을 제어함으로써, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 제어할 수 있다.The amount of thermal expansion of the
즉, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)가 동일한 재질이라면 열팽창율도 동일하여 동일한 에너지량의 전자빔(e)이 조사될 때 열팽창량도 동일할 수 있다. 하지만, 세라믹과 메탈의 예와 같이 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)가 열팽창량이 서로 다른 이종재질이라면, 동일한 에너지량의 전자빔(e)이 조사되었을 때 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량은 서로 다를 수 있다That is, if the
이하, 본 실시예의 설명에서, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)가 서로 상이한 열팽창률 및 열수축률을 가지는 이종재질인 것을 예로 들어 설명하기로 한다. 다만, 본 발명은 이에 한정된 것은 아니며, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)가 서로 동일한 동종재질이거나, 또는 이종재질이더라도 동일한 열팽창률 및 열수축율을 가진 재질인 것도 적용 가능하다.In the following description, the
따라서, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량을 제어하여 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 제어하는 것이다.Therefore, the energy amount of the electron beam irradiated to the
또한, 상기 모재 예열단계(S120)에서는 상기 전자빔이 상기 필러(16)에는 조사되지 않으면서 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사될 수 있다. 그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되지는 아니하며, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 뿐만 아니라 필러(16)에도 조사되는 것 또한 포함할 수 있다.In addition, in the pre-heating step (S120), the electron beam may be irradiated onto the first base material (12) and the second base material (14) without being irradiated onto the filler (16). However, the present invention is not necessarily limited to this, and it is also possible to irradiate the
상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어질 수 있다.The amount of energy of the electron beam irradiated to the
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 상기 제1모재(12)가 제2모재(14)보다 열팽창율이 1/5로 낮은 재질이라면(즉, 제2모재(14)의 열팽창율이 제1모재(12)보다 5배 크다면), 같은 출력의 전자빔(e)을 상기 제1모재(12)에 제2모재(14)보다 5배 더 길게 시간을 조사할 수 있다.8, if the
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 전자빔(e)을 상기 제2모재(14)에 짧게 조사하고, 상기 제1모재(12)에는 상기 제2모재(14)에 조사된 전자빔 조사시간보다 5배 길게 조사할 수 있다. 8, the electron beam e is irradiated to the
이 때, 단위시간이란, 상기 전자빔(e)이 제1모재(12)와 제2모재(14)에 1사이클 이상 조사가 이루어진 시간일 수 있다.In this case, the unit time may be a time at which the electron beam e is irradiated to the
따라서, 상기 제1모재(12)에 조사되는 전자빔(e)의 에너지량이 제2모재(14)에 조사되는 전자빔(e)의 에너지량 보다 5배 더 많게 되며, 그에 따라 열팽창율은 달라도 열팽창량은 동일할 수 있다.Therefore, the amount of energy of the electron beam e irradiating the
또는, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어질 수 있다.Alternatively, the control of the amount of energy of the electron beam irradiated on the
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창률의 차이만큼 상기 제1모재(12)에 조사되는 전자빔의 출력과 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 출력을 제어하여 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 단위시간당 열팽창량을 동일하게 제어할 수 있다.9, the output of the electron beam irradiated on the
즉, 예를 들어, 상기 제1모재(12)가 제2모재(14)보다 열팽창율이 1/5로 낮은 재질이라면(즉, 제2모재(14)의 열팽창율이 제1모재(12)보다 5배 크다면), 상기 제1모재(12)에 조사되는 전자빔의 출력을 상기 제2모재보다 5배 더 고출력으로 조사할 수 있다.That is, for example, when the
따라서, 같은 시간에 상기 제1모재(12)에 조사되는 전자빔의 에너지량이 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량 보다 5배 더 많게 되며, 그에 따라 열팽창율은 달라도 열팽창량은 동일할 수 있다.Therefore, the amount of energy of the electron beam irradiated to the
또는, 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 확산 또는 집속도를 조절함으로써 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량이 동일하도록 제어할 수도 있다.Alternatively, the thermal expansion amounts of the
즉, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 중 열팽창율이 낮은 쪽에 보다 집속된 전자빔을 조사하고, 열팽창율이 높은 쪽에 확산된 전자빔을 조사함으로써, 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사되는 전자빔의 에너지량을 제어함으로써, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량이 동일하도록 제어할 수 있다.That is, by irradiating a more focused electron beam to the side of the
즉, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창률이 다르고, 모두 동일하게 가열되었을 때에는 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량이 상이할 수 있다.10, when the
그러나, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창률이 상이하더라도 전자빔(e)의 조사를 제어하여 조사되는 에너지량을 달리 제어한다면, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량은 동일하거나 유사할 수 있다.However, even if the coefficient of thermal expansion of the
따라서, 브레이징 작업의 모재 예열단계(S120)중 상호 접합될 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열팽창량의 차이로 인해 파손되거나 뒤틀리는 현상이 최소화 될 수 있다.Therefore, the phenomenon of breakage or twisting due to the difference in the thermal expansion amounts of the
또한, 상기 모재 예열단계(S120) 중 상기 회전부(230)를 이용하여, 지그(220)를 적절히 회전시킴으로써 작업대상물(10)의 모든 면이 골고루 가열되도록 할 수 있다. 이 때, 작업대상물(10)의 회전각도나 회전빈도는 작업대상물(10)의 형태와 재질과 브레이징 형태 및 전자빔의 출력 등을 고려하여 조절할 수 있다.In addition, all the surfaces of the
한편, 상기 모재 예열단계(S120)가 수행되기 전에 전술한 분위기 가열부(310)를 사용하여 챔버(210)내의 공기 또는 모재(10)를 기설정된 온도까지 예열시키는 분위기 예열단계(S110)가 더 수행될 수 있다.The atmosphere preheating step (S110) for preheating the air or the base material (10) in the chamber (210) to a predetermined temperature by using the above-described atmosphere heating unit (310) before the preforming step (S120) .
도 6에 도시된 바와 같이, 동일한 시간동안 가열되어도 초기 예열온도가 높을수록 온도상승폭이 더 큼을 알 수 있으며, 이러한 모재 예열단계(S120)를 통하여 브레이징 공정의 시간을 단축하며 브레이징 공정에 소요되는 에너지량을 절약할 수 있다.As shown in FIG. 6, it can be seen that as the initial preheating temperature increases, the temperature rise width becomes larger even if it is heated for the same time. In this preheating step (S120), the time required for the brazing process is shortened, Can be saved.
상기 모재 예열단계(S120)의 후에는 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 사이에 구비된 필러(16)를 용융시켜 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)를 접합시키는 접합단계(S120)가 수행될 수 있다.After the pre-heating step (S120), the filler (16) provided between the first preform (12) and the second preform (14) is melted so that the first preform (12) and the second preform A bonding step (S120) for bonding may be performed.
이 때, 도 12에 도시된 바와 같이, 전자빔을 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)에 가열하며 상기 필러(16)에는 전자빔(e)을 조사하지 아니하여, 상기 필러(16)가 제1모재(12)와 제2모재(14)로부터 전달받는 열에 의해 용융되도록 할 수 있다.12, an electron beam is heated to the
또는, 도 13에 도시된 바와 같이, 전자빔(e)을 제1모재(12)와 제2모재(14)에 조사하는 대신 상기 필러(16)에만 조사하여 필러(16)만을 가열하여 용융시킬 수 있다. 이러한 방법은 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 용융온도가 필러(16)의 용융온도보다 낮은 경우에 유용할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 13, only the
또는, 전자빔(e)을 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 필러(16)에 모두 조사하여 가열하여 상기 필러(16)를 용융시켜 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)를 접합시킬 수도 있다. Alternatively, the electron beam e is irradiated to both the
또한, 상기 접합단계(S120) 중에도, 상기 회전부(230)를 이용하여, 지그(220)를 적절히 회전시킴으로써 작업대상물(10)의 모든 면이 골고루 가열되도록 할 수 있다. Also, during the joining step (S120), all surfaces of the
한편, 상기 접합단계(S120)중에, 상기 챔버(210) 내부에 가스를 주입하는 가스주입단계가 수행될 수 있다. Meanwhile, during the joining step (S120), a gas injecting step of injecting gas into the
일반적으로 열전자빔 방식의 경우 고진공 환경에서 작동하여 가스의 주입이 어렵지만, 플라즈마 전자빔 방식의 경우 비교적 저진공 환경에서 작동할 수 있어, 상기 전자빔 방출장치(100)로서 플라즈마 전자빔 방식이 적용될 경우, 브레이징 환경을 조성하는 가스를 주입하여 브레이징 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.Generally, in the case of a thermal electron beam system, it is difficult to inject gas by operating in a high vacuum environment. However, in the plasma electron beam system, the plasma electron beam system can operate in a relatively low vacuum environment. It is possible to further improve the brazing effect.
상기 접합단계(S120)의 후에는 모재 냉각단계(S150)가 수행될 수 있다. 상기 모재 냉각단계(S150)에서는 필러(16)가 용융되어 접합된 제1모재(12)와 제2모재(14) 및 용융된 필러(16)를 냉각시켜 상기 필러(16)를 굳힘으로써 접합을 완료시키는 단계이다.After the joining step (S120), the base material cooling step (S150) may be performed. In the base material cooling step S150, the
이 때, 상기 모재 냉각단계(S150)에서도 상기 제1모재(12) 및 제2모재(14)에 전자빔을 조사하여 가열함으로써, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 냉각시 단위시간당 열수축량이 동일하도록 제어할 수 있다.At this time, the
이 때, 상기 제1모재(12) 및 제2모재(14)에 조사되는 전자빔(e)을 간헐적 또는 지속적으로 조사되어 상기 제1모재(12) 및 제2모재(14)를 가열할 수 있다.At this time, the
즉, 도 14에 도시된 바와 같이, 가열된 상태의 제1모재(12)와 제2모재(14)를 동일하게 냉각하였을 때, 온도는 동일하게 냉각된다고 하여도, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 열수축률 차이로 인해 열 수축량이 상이할 수 있다. 14, when the
이러한 열 수축량의 차이로 인해, 냉각시 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 접합부가 파손되거나 또는 뒤틀리게 될 수 있다.Due to the difference in the amount of heat shrinkage, the joint between the
따라서, 본 실시예에서는 상기 모재 냉각단계(S150)에서 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 단위시간당 열수축량이 동일하거나 또는 최대한 유사하도록 냉각시킬 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the first and
이 때, 상기 제1모재(12)와 제2모재(14)의 단위시간당 열수축량이 동일해지도록 상기 제1모재(12) 또는 제2모재(14) 또는 제1모재(12)와 제2모재(14) 모두에게 전자빔(e)을 간헐적 또는 지속적으로 조사할 수 있다.At this time, the
즉, 상기 제1모재(12)가 제2모재(14)보다 열수축율이 1/5로 낮은 재질이라면(즉, 제2모재(14)의 열수축율이 제1모재(12)보다 5배 크다면), 빠르게 수축되는 제2모재(14)에 전자빔(e)을 지속적 또는 간헐적으로 조사하여 제1모재(12)의 열수축량과 동일 또는 유사하도록 제어하는 것이다.That is, when the
도 15는 상기 제1모재(12)와 제2모재(14) 중 열수축율이 낮은 제1모재(12)는 통상의 공랭 또는 수냉방식으로 지속 냉각시키고, 열수축율이 높은 제2모재(14)는 제1모재(12)와 마찬가지로 공랭 또는 수냉방식으로 지속냉각시키는 중에 전자빔(e)을 간헐적으로 조사하여 그 냉각시 열수축량이 제1모재(12)와 유사하도록 제어한 그래프를 나타낸 것이다.15 shows that the
즉, 냉각되면서, 전자빔 조사에 의한 가열로서 냉각시 열수축량을 제1모재(12)와 제2모재(14)가 상호 동일하거나 유사하도록 제어할 수 있다.That is, it is possible to control the amount of heat shrinkage during cooling as the heating by the electron beam irradiation so that the
한편, 냉각시 냉각속도를 더욱 높이기 위하여, 냉각부(240)를 이용할 수 있다.On the other hand, in order to further increase the cooling rate during cooling, the
전술한 상기 냉각부(240)에서 파이프(242)에 냉각매체를 순환시켜, 지그를 냉각하며, 그에 따라 상기 지그(220)에 접촉되어 고정되어 있는 작업대상물(10)인 제1모재(12)와 제2모재(14) 모두 동일하게 냉각될 수 있다.The cooling medium is circulated in the
상기 작업대상물(10)이 냉각부(240)에 의해 냉각되면서, 전자빔 조사에 의해 간헐적 또는 지속적으로 가열되어 냉각시 열수축량을 제1모재(12)와 제2모재(14)가 상호 유사하도록 제어할 수 있다.The
이 때, 상기 냉각매체의 순환량을 조절하거나 또는 냉각매체의 온도를 조절함으로써, 냉각속도를 제어할 수도 있다. 물론, 이 때에는 상기 냉각매체의 온도를 조절하는 별도의 온도조절부(미도시)가 구비될 수 있다.At this time, the cooling rate may be controlled by adjusting the circulation amount of the cooling medium or by controlling the temperature of the cooling medium. Of course, at this time, a separate temperature controller (not shown) for controlling the temperature of the cooling medium may be provided.
또한, 회전부(230)를 이용하여, 지그(220)를 적절히 회전시킴으로써 작업대상물(10)의 모든 면이 골고루 가열되어 작업대상물의 모든 면에서 적절한 단위시간당 열수축량을 나타내도록 할 수도 있다.Also, by rotating the
그리고, 분위기 냉각단계(S140)가 수행될 수 있다. 상기 분위기 냉각단계(S140)는 상기 접합단계(S130) 또는 모재 냉각단계(S150)의 후에 수행될 수도 있고 또는 상기 접합단계(S130)나 모재 냉각단계(S150)중에 동시에 수행될 수 있다.Then, the atmosphere cooling step (S140) may be performed. The atmospheric cooling step S140 may be performed after the joining step S130 or the base material cooling step S150 or may be performed simultaneously during the joining step S130 or the base material cooling step S150.
상기 분위기 냉각단계(S140)를 통하여 챔버(210)내의 공기의 온도를 냉각시킴으로써 고온으로 가열된 모재와 주변 공기가 반응하여 산화가 일어나는 것을 예방할 수 있다.By cooling the temperature of the air in the
한편, 상기 모재 예열단계(S120), 접합단계(S120), 모재 냉각단계(S150) 중에 상기 적외선 카메라(260)로서, 상기 작업대상물(10)의 각 부분의 온도를 측정하여, 상기 제1모재(12) 또는 제2모재(14)의 각 부분의 온도가 균일하거나 설정치에 근접하는지의 여부를 측정하여 이를 피드백 제어하여 상기 전자빔 방출장치(100)와 지그(220), 회전부(230) 및 냉각부(240)를 제어할 수 있다.Meanwhile, the temperature of each part of the
또한, 상기 모재 예열단계(S120), 접합단계(S120), 모재 냉각단계(S150) 중에 상기 전자빔 방출장치(100)에서 방출되는 전자빔을 이용하여, 브레이징 작업과 동시에 상기 작업대상물(10)의 표면을 개질시켜 원하는 특성을 나타내도록 피니싱 가공할 수 있다. Also, by using the electron beam emitted from the electron
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is obvious to them. Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.
10: 작업대상물 12: 제1모재
14: 제2모재 16: 필러
100: 전자빔 방출장치 120: 캐소드
122: 캐소드 테두리의 라운드진부분
130: 애노드 132: 개구부
140: 절연홀더 150: 하우징
152: 튜브 154: 절연체
156: 방출구 158: 접지
160: 반사전자 차단구조체 162: 플랜지부
164: 흡수홈 166: 냉각파이프
168: 차단판 210: 챔버
212: 도어 220: 지그
230: 회전부 240: 냉각부
242: 파이프 244: 펌프
250: 가스공급부 260: 적외선 카메라
270: 진공배출펌프 S110: 예열단계
S120: 접합단계 S130: 냉각단계
e: 전자빔10: Workpiece 12: First base material
14: second base material 16: filler
100: electron beam emitting device 120: cathode
122: Rounded portion of the cathode rim
130: anode 132: opening
140: Insulation holder 150: Housing
152: tube 154: insulator
156: Outlet 158: Ground
160: reflection electron blocking structure 162: flange portion
164: absorption groove 166: cooling pipe
168: blocking plate 210: chamber
212: door 220: jig
230: rotation part 240: cooling part
242: Pipe 244: Pump
250: gas supply unit 260: infrared camera
270: Vacuum exhaust pump S110: Preheating step
S120: bonding step S130: cooling step
e: electron beam
Claims (28)
상기 제1모재와 제2모재의 열팽창량이 동일하도록 전자빔을 상기 제1모재와 제2모재에 조사하는 모재 예열단계;
예열된 상기 제1모재와 제2모재 사이의 필러가 녹도록 전자빔을 조사하는 접합단계; 및
필러가 녹아 접합된 제1모재와 제2모재를 냉각시키는 모재 냉각단계;
를 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.A brazing method for placing a filler between a first base material and a second base material and heating the same to melt the filler to bond the first base material and the second base material,
A base material preheating step of irradiating the first base material and the second base material with an electron beam so that the thermal expansion amounts of the first base material and the second base material are the same;
A bonding step of irradiating an electron beam such that a filler between the preheated first base material and the second base material melts; And
A base material cooling step of cooling the first base material and the second base material to which the filler is melted and bonded;
Wherein the brazing method comprises the steps of:
상기 예열단계는,
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 제어함으로써 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 제어하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.The method according to claim 1,
The preheating step may include:
And controlling the amount of thermal expansion of the first base material and the second base material to be equal to each other by controlling the amount of energy of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the electron beam irradiation time of the first base material and the second base material irradiated with the electron beam.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 출력을 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the output of the electron beam irradiated on each of the first base material and the second base material.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 집속 및 확산도를 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the focusing and diffusing degree of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 예열단계는,
상기 필러를 제외한 상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.The method according to claim 1,
The preheating step may include:
And irradiating an electron beam to the first base material and the second base material excluding the filler.
상기 접합단계는,
상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열팽창량이 동일하도록 전자빔을 조사하는 단계인 전자빔의 에너지량을 제어하는 브레이징 방법.The method according to claim 1,
In the joining step,
Wherein the amount of energy of the electron beam is controlled so that the amount of thermal expansion of the first base material and the second base material is equal to the thermal expansion amount per unit time.
상기 접합단계는,
상기 필러를 제외한 상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.8. The method of claim 7,
In the joining step,
And irradiating an electron beam to the first base material and the second base material excluding the filler.
상기 접합단계는,
상기 필러에 전자빔을 조사하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.8. The method of claim 7,
In the joining step,
And a step of irradiating the filler with an electron beam.
상기 접합단계는,
상기 제1모재와 제2모재가 위치된 챔버에 가스를 공급하는 가스공급단계를 더 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.8. The method of claim 7,
In the joining step,
Further comprising a gas supplying step of supplying a gas to the chamber in which the first base material and the second base material are located.
상기 제1모재와 제2모재는 열팽창량이 서로 다른 이종재질인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first base material and the second base material are different materials having different thermal expansion amounts.
상기 제1모재와 제2모재는 열팽창량이 동일한 동종재질인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first base material and the second base material are made of the same material having the same thermal expansion amount.
상기 제1모재와 제2모재에 전자빔을 조사하여 예열시키는 모재예열단계;
예열된 상기 제1모재와 제2모재 사이의 필러가 녹도록 전자빔을 조사하는 접합단계; 및
필러가 녹아 접합된 제1모재와 제2모재의 열수축량이 동일하도록 냉각시키는 모재 냉각단계;
를 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.A brazing method for placing a filler between a first base material and a second base material and heating the same to melt the filler to bond the first base material and the second base material,
A pre-heating step of pre-heating the first base material and the second base material by irradiating electron beams;
A bonding step of irradiating an electron beam such that a filler between the preheated first base material and the second base material melts; And
A base material cooling step for cooling the first base material and the second base material to which the filler is melted and bonded so that the heat shrinkage amounts are the same;
Wherein the brazing method comprises the steps of:
상기 냉각단계는,
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 각각 제어함으로써 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열수축량이 동일하도록 제어하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.14. The method of claim 13,
The cooling step includes:
Controlling the energy amounts of the electron beams irradiated on the first base material and the second base material so as to control the amount of heat shrinkage per unit time of the first base material and the second base material to be the same.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 전자빔이 조사되는 전자빔 조사시간을 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the electron beam irradiation time of the first base material and the second base material irradiated with the electron beam.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 출력을 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the output of the electron beam irradiated on each of the first base material and the second base material.
상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량의 제어는 상기 제1모재와 제2모재에 각각 조사되는 전자빔의 집속 및 확산도를 제어함으로써 이루어지는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the control of the energy amount of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material is performed by controlling the focusing and diffusing degree of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material, respectively.
상기 냉각단계는,
냉각부를 통해 상기 제1모재와 제2모재의 온도를 낮추면서, 상기 제1모재와 제2모재에 조사되는 전자빔의 에너지량을 각각 제어하여, 상기 제1모재와 제2모재의 단위시간당 열수축량이 동일하도록 상기 제1모재와 제2모재를 개별적으로 가열하는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.15. The method of claim 14,
The cooling step includes:
The amount of heat shrinkage per unit time of the first base material and the second base material is controlled by controlling the amount of energy of the electron beam irradiated on the first base material and the second base material while lowering the temperatures of the first base material and the second base material through the cooling part And heating the first base material and the second base material so that they are equal to each other.
상기 모재 예열단계 전에, 상기 모재의 온도를 기 설정된 온도까지 예열시키는 분위기 예열단계를 더 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Further comprising an atmosphere preheating step of preheating the temperature of the base material to a predetermined temperature before the preforming of the base material.
상기 분위기 예열단계는, 상기 챔버 내부의 분위기 온도를 상승시켜 모재의 온도를 상승시키는 단계인 전자빔을 이용한 브레이징 방법.The method of claim 19, wherein
Wherein the atmosphere preheating step raises the temperature of the base material by raising the atmospheric temperature inside the chamber.
상기 접합단계의 후에,
상기 챔버 내의 분위기 온도를 냉각시키는 분위기 냉각단계를 더 포함하는 전자빔을 이용한 브레이징 방법.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
After the bonding step,
And an atmosphere cooling step of cooling the atmosphere temperature in the chamber.
상기 전자빔 방출장치에서 방출되는 전자빔이 조사되며, 상호 브레이징 접합되는 제1모재와 제2모재가 위치되는 챔버;
상기 챔버에 구비되며, 상기 제1모재 또는 제2모재를 고정하도록 구비되는 지그;
상기 지그를 회전시키는 회전부;
상기 지그를 냉각시키는 냉각부; 및
상기 전자빔 방출장치, 회전부 및 냉각부를 제어하는 제어부;
를 포함하는 전자빔 브레이징 장치.An electron beam emitting device including a cathode and an anode;
A chamber in which an electron beam emitted from the electron beam emitting device is irradiated and in which a first base material and a second base material, to which mutual brazing is applied, are located;
A jig provided in the chamber and adapted to fix the first base material or the second base material;
A rotation unit for rotating the jig;
A cooling unit for cooling the jig; And
A control unit for controlling the electron beam emitting apparatus, the rotating unit, and the cooling unit;
And an electron beam.
상기 챔버 내의 공기를 냉각시키는 분위기 냉각부를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.23. The method of claim 22,
And an atmosphere cooling section for cooling the air in the chamber.
상기 챔버 내의 공기를 가열시키는 분위기 가열부를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.23. The method of claim 22,
And an atmosphere heating unit for heating the air in the chamber.
상기 챔버 내의 모재가 위치되는 하측에 구비되어, 상기 전자빔 방출장치에서 방출된 전자빔 중 상기 모재에 적용되지 아니하고, 상기 모재를 벗어나는 위치로 조사되는 전자빔이 상기 챔버의 벽면으로 조사되는 것을 차단하는 인슐레이터;를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.23. The method of claim 22,
An insulator provided below the base material in the chamber to block an electron beam emitted from the electron beam emitting device from being irradiated to a wall surface of the chamber without being applied to the base material and irradiating a position where the base material leaves the base material; Further comprising:
상기 인슐레이터는 접지가 이루어지며,
상기 인슐레이터에 조사되는 전자빔에 의한 전류를 측정하는 전류계를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.26. The method of claim 25,
The insulator is grounded,
Further comprising an ammeter for measuring a current due to an electron beam irradiated on the insulator.
상기 제1모재와 제2모재의 온도를 측정하는 적외선 카메라를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.23. The method of claim 22,
And an infrared camera for measuring the temperature of the first base material and the second base material.
상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스공급부를 더 포함하는 전자빔 브레이징 장치.23. The method of claim 22,
And a gas supply unit for supplying a gas into the chamber.
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| KR102189501B1 (en) * | 2019-07-30 | 2020-12-11 | (주)원컨덕터 | Brazing automation apparatus and brazing method using the same |
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2016
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