KR20180037125A - Resin composition - Google Patents

Abstract

The present invention provides a resin composition capable of obtaining an insulating layer having excellent heat diffusivity and adhesion strength to a metal layer, and a resin sheet, a circuit board and a semiconductor chip package using the resin composition. The resin composition of the present invention comprises: (A) a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in a molecule; (B) an epoxy resin having an aromatic structure; and (C) a heat conductive filler, wherein the component (C) has an average particle diameter of 2.5-5.0 μm and a specific surface area of 0.8 m^2/g or more.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 수지 조성물을 사용한, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition. The present invention also relates to a resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the resin composition.

최근, 전자 기기의 소형화 및 고기능화가 진행되어, 프린트 배선판에서의 반도체 소자의 실장 밀도는 높아지는 경향이 있다. 실장되는 반도체 소자의 고기능화와 더불어, 반도체 소자가 발생하는 열을 효율적으로 확산하는 기술이 요구되고 있다.BACKGROUND ART In recent years, electronic devices have become smaller and more sophisticated, and the mounting density of semiconductor devices in printed wiring boards tends to increase. There is a demand for a technology for efficiently diffusing the heat generated by the semiconductor element in addition to the high performance of the semiconductor element to be mounted.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 및 특정의 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재를 포함하는 고열전도성 수지 조성물을 경화시킨 절연층을 프린트 배선판에 사용함으로써, 열을 확산시키는 것이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses diffusion of heat by using an insulating layer obtained by curing a high thermal conductive resin composition containing a resin and an inorganic filler having a specific average particle diameter in a printed wiring board.

일본 공개특허공보 특개2013-189625호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-189625

본 발명자들은, 반도체 소자가 발생하는 열을 더욱 효율적으로 확산시키기 위해, 절연층의 열전도율에 대해 검토했다. 그 결과, 열전도성 필러를 포함하는 수지 조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 경우, 수득되는 절연층의 열전도율은, 금속층에 대한 밀착 강도(필 강도)와 트레이드 오프의 관계에 있는 것을 본 발명자들은 발견했다. 상세하게는, 수지 조성물 중의 열전도성 필러의 함유량을 높임으로써, 수득되는 절연층의 열전도율을 향상시킬 수 있지만, 충분한 열전도율을 발현하는 정도로 열전도성 필러의 함유량을 높이면, 수득되는 절연층은 금속층에 대한 밀착 강도가 떨어지는 것을 발견했다.The present inventors have studied the thermal conductivity of an insulating layer in order to more efficiently diffuse heat generated by a semiconductor element. As a result, when the insulating layer is formed by curing the resin composition containing the thermally conductive filler, the inventors found that the thermal conductivity of the obtained insulating layer is in a trade-off relationship with the adhesion strength (fill strength) to the metal layer did. Specifically, the thermal conductivity of the insulating layer obtained can be improved by increasing the content of the thermally conductive filler in the resin composition. However, if the content of the thermally conductive filler is increased to such an extent as to exhibit a sufficient thermal conductivity, It was found that the adhesion strength was lowered.

본 발명은, 열전도율 및 금속층에 대한 밀착 강도가 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 당해 수지 조성물을 사용한, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지를 제공하는 것에 있다.The present invention relates to a resin composition capable of obtaining an insulating layer having excellent thermal conductivity and adhesion strength to a metal layer; A circuit board, and a semiconductor chip package using the resin composition.

본 발명자들은, (A) 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지, (B) 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지, 및 (C) 소정의 평균 입자 직경 및 소정의 비표면적을 갖는 열전도성 필러를 함유시킴으로써, 열전도율 및 금속층에 대한 밀착 강도가 우수한 절연층이 수득되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.(A) a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure and a polycarbonate structure in the molecule, (B) a resin having an aromatic structure , And (C) an insulating layer excellent in thermal conductivity and adhesion strength to a metal layer is obtained by containing a thermally conductive filler having a predetermined average particle diameter and a predetermined specific surface area. The present invention has been accomplished based on these findings.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지,(1) A resin composition comprising (A) a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure,

(B) 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지, 및(B) an epoxy resin having an aromatic structure, and

(C) 열전도성 필러를 함유하고,(C) a thermally conductive filler,

(C) 성분의 평균 입자 직경이 2.5㎛ 내지 5.0㎛이고, 비표면적이 0.8㎡/g 이상인, 수지 조성물.(C) has an average particle diameter of 2.5 탆 to 5.0 탆, and a specific surface area of 0.8 m 2 / g or more.

[2] 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물과 금속층과의 필 강도가 0.4kgf/㎝ 이상인, [1]에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the resin composition has a fill strength of 0.4 kgf / cm or more between the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180 ° C for 90 minutes and the metal layer.

[3] 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물과 전해 동박과의 필 강도가 0.4kgf/㎝ 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the resin composition has a fill strength of 0.4 kgf / cm or more between the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180 ° C for 90 minutes and the electrolytic copper foil.

[4] (C) 성분의 함유량이 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 87질량% 이상인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the content of the component (C) is 87% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

[5] (C) 성분이 알루미나인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the component (C) is alumina.

[6] 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물의 열전도율이 1.5W/m·K 내지 5.0W/m·K인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 ° C for 90 minutes has a thermal conductivity of 1.5 W / mK to 5.0 W / mK.

[7] (A) 성분이, 유리 전이 온도가 25℃ 이하인 수지 및 25℃에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상인, [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물.[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the component (A) is at least one selected from a resin having a glass transition temperature of 25 ° C or lower and a resin liquid at 25 ° C.

[8] (A) 성분이, (B) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the component (A) has a functional group capable of reacting with the component (B).

[9] (A) 성분이 하이드록실기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로부터 선택되는 1종 이상의 관능기를 갖는, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin according to any one of [1] to [8], wherein the component (A) has at least one functional group selected from a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group Composition.

[10] (A) 성분이 이미드 구조를 갖는, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of [1] to [9], wherein the component (A) has an imide structure.

[11] (A) 성분이 페놀성 수산기를 갖는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], wherein the component (A) has a phenolic hydroxyl group.

[12] (A) 성분이, 폴리부타디엔 구조를 가지고, 또한 페놀성 수산기를 갖는, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[12] The resin composition according to any one of [1] to [11], wherein the component (A) has a polybutadiene structure and also has a phenolic hydroxyl group.

[13] 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[13] A resin composition according to any one of [1] to [12], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.

[14] 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는 수지 시트.[14] A resin sheet having a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [13] formed on the support.

[15] 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 시트인, [14]에 기재된 수지 시트.[15] A resin sheet according to [14], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.

[16] [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.[16] A circuit board comprising an insulating layer formed by a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [13].

[17] [16]에 기재된 회로 기판과, 상기 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.[17] A semiconductor chip package, comprising: the circuit board according to [16]; and a semiconductor chip mounted on the circuit board.

[18] [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물 또는 [14] 또는 [15]에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는 반도체 칩 패키지.[18] A semiconductor chip package comprising a resin composition according to any one of [1] to [13], or a semiconductor chip sealed with a resin sheet according to [14] or [15].

본 발명에 의하면, 열전도율 및 금속층에 대한 밀착 강도가 우수한 절연층을 수득할 수 있는 수지 조성물; 당해 수지 조성물을 사용한, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지를 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, there can be provided a resin composition capable of obtaining an insulating layer excellent in thermal conductivity and adhesion strength to a metal layer; A resin sheet, a circuit board, and a semiconductor chip package using the resin composition can be provided.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic sectional view showing an example of a semiconductor chip package (fan-out type WLP) of the present invention.

이하, 본 발명의 수지 조성물, 수지 시트, 회로 기판, 및 반도체 칩 패키지에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the resin composition, the resin sheet, the circuit board, and the semiconductor chip package of the present invention will be described in detail.

[수지 조성물][Resin composition]

본 발명의 수지 조성물은, (A) 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지, (B) 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지, 및 (C) 열전도성 필러를 함유하고, (C) 성분의 평균 입자 직경이 2.5㎛ 내지 5.0㎛이며, 비표면적이 0.8㎡/g 이상이다.(A) a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure and a polycarbonate structure in the molecule, (B) a resin having an aromatic structure (C) a thermally conductive filler, wherein the component (C) has an average particle diameter of 2.5 to 5.0 m and a specific surface area of 0.8 m 2 / g or more.

(A) 성분, (B) 성분, 및 소정의 평균 입자 직경 및 소정의 비표면적을 갖는 (C) 성분을 수지 조성물에 함유시킴으로써, 열전도율 및 금속층에 대한 필 강도가 우수한 절연층을 수득하는 것이 가능해진다. 수지 조성물은, 필요에 따라 추가로 (D) 경화제, (E) 경화 촉진제, (F) 무기 충전재((C) 성분에 해당하는 것은 제외함) 및 (G) 난연제를 포함할 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.By containing the component (A), the component (B), and the component (C) having a predetermined average particle diameter and a predetermined specific surface area in the resin composition, it is possible to obtain an insulating layer excellent in heat conductivity and peel strength to the metal layer It becomes. The resin composition may further contain (D) a curing agent, (E) a curing accelerator, (F) an inorganic filler (excluding those corresponding to component (C)) and (G) a flame retardant. Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in detail.

<(A) 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지><(A) Resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule>

본 발명의 수지 조성물은 (A) 성분으로서, 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지를 포함한다. (A) 성분은, 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 가짐으로써 유연성을 나타낸다. 상기한 바와 같이, (C) 성분을 단순히 고충전하는 것만으로는, 열전도율을 향상시킬 수 있어도, 충전성이 저하되는 동시에 필 강도가 저하된다. (A) 성분과 같은 유연한 수지를 함유시킴으로써, 수지 성분과 (C) 성분 및 (F) 성분과의 친화성이 향상하거나, 또는 전체적으로 밀착성이 향상한다는 이유에 의해 충전성의 저하가 억제되는 동시에 필 강도가 우수한 절연층을 수득할 수 있다.The resin composition of the present invention comprises, as the component (A), a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. The component (A) exhibits flexibility by having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. As described above, even if the thermal conductivity can be improved by simply high-charging the component (C), the filling property is lowered and the peel strength is lowered. (C) and (F) improves or the adhesiveness as a whole improves by containing a flexible resin such as the component (A), the lowering of the filling property is suppressed and the peel strength An excellent insulating layer can be obtained.

보다 구체적으로는, (A) 성분은 폴리부타디엔 및 수첨 폴리부타디엔 등의 부타디엔 구조, 실리콘 고무 등의 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 구조를 갖는 것이 바람직하고, 폴리부타디엔 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.More specifically, the component (A) is at least one member selected from the group consisting of a butadiene structure such as polybutadiene and hydrogenated polybutadiene, a polysiloxane structure such as silicone rubber, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure It is preferable to have the above structure, and it is more preferable to have a polybutadiene structure.

(A) 성분은 유연성을 나타내기 위해 고분자량인 것이 바람직하고, 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 1,000 내지 1,000,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 900,000이다. 수 평균 분자량(Mn)은, GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.The component (A) is preferably a high molecular weight component in order to exhibit flexibility, and the number average molecular weight (Mn) is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 900,000. The number average molecular weight (Mn) is the number average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography).

(A) 성분은 유연성을 나타내기 위해, 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하의 수지, 및 25℃에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 바람직하다.The component (A) is preferably at least one resin selected from a resin having a glass transition temperature (Tg) of 25 DEG C or lower and a resin liquid at 25 DEG C in order to exhibit flexibility.

유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하인 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 20℃ 이하, 보다 바람직하게는 15℃ 이하이다. 유리 전이 온도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 -15℃ 이상으로 할 수 있다. 또한, 25℃에서 액상인 수지로서는, 바람직하게는 20℃ 이하에서 액상인 수지, 보다 바람직하게는 15℃ 이하에서 액상인 수지이다.The glass transition temperature of the resin having a glass transition temperature (Tg) of 25 占 폚 or lower is preferably 20 占 폚 or lower, more preferably 15 占 폚 or lower. The lower limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but it is usually -15 캜 or higher. The resin that is liquid at 25 占 폚 is preferably a liquid resin at 20 占 폚 or lower, and more preferably a resin that is liquid at 15 占 폚 or lower.

(A) 성분으로서는, 상용성을 향상시키는 관점에서, 후술하는 (B) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, (B) 성분과 반응할 수 있는 관능기로서는, 가열에 의해 나타나는 관능기를 포함하는 것으로 한다.As the component (A), those having a functional group capable of reacting with the component (B) described below are preferable from the viewpoint of improving the compatibility. The functional group capable of reacting with the component (B) includes a functional group represented by heating.

적합한 일 실시형태에 있어서, (B) 성분과 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록실기, 카르복시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다. 이중에서도, 당해 관능기로서는 하이드록실기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기가 바람직하고, 하이드록실기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기가 특히 바람직하다. 단, 관능기로서 에폭시기를 포함하는 경우, (A) 성분은 방향족 구조를 갖지 않는다.In a preferred embodiment, the functional group capable of reacting with the component (B) is at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group . Among them, a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group are preferable, and a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group and an epoxy group are more preferable, and a phenolic hydroxyl group Particularly preferred. However, when an epoxy group is contained as a functional group, the component (A) does not have an aromatic structure.

(A) 성분의 적합한 일 실시형태는 부타디엔 수지이다. 부타디엔 수지로서는 25℃에서 액상 또는 유리 전이 온도가 25℃ 이하의 부타디엔 수지가 바람직하고, 수소화 폴리부타디엔 골격 함유 수지, 하이드록실기 함유 부타디엔 수지, 페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지, 카르복시기 함유 부타디엔 수지, 산 무수물기 함유 부타디엔 수지, 에폭시기 함유 부타디엔 수지, 이소시아네이트기 함유 부타디엔 수지 및 우레탄기 함유 부타디엔 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지가 더욱 바람직하다. 여기서, 「부타디엔 수지」란, 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 말하고, 이들 수지에 있어서 폴리부타디엔 구조는 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 구조는 일부 또는 전부가 수소 첨가되어 있어도 좋다. 여기서, 「수소화 폴리부타디엔 골격 함유 수지」란, 폴리부타디엔 골격의 적어도 일부가 수소화된 수지를 말하고, 반드시 폴리부타디엔 골격이 완전히 수소화된 수지일 필요는 없다.One suitable embodiment of component (A) is a butadiene resin. As the butadiene resin, a butadiene resin having a liquid phase or a glass transition temperature of 25 占 폚 or less at 25 占 폚 is preferable, and a hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin, a hydroxyl group-containing butadiene resin, a phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin, a carboxyl group-containing butadiene resin, More preferred are at least one resin selected from the group consisting of a butadiene resin, an epoxy group-containing butadiene resin, an isocyanate group-containing butadiene resin and a urethane group-containing butadiene resin, and more preferably a phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin. Here, the "butadiene resin" refers to a resin containing a polybutadiene structure. In these resins, the polybutadiene structure may be contained in the main chain or in the side chain. The polybutadiene structure may be partially or wholly hydrogenated. Here, the &quot; hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin &quot; refers to a resin in which at least part of the polybutadiene skeleton is hydrogenated, and the polybutadiene skeleton does not necessarily have to be a completely hydrogenated resin.

수소화 폴리부타디엔 골격 함유 수지로서는, 예를 들면 수소화 폴리부타디엔 골격 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지로서는, 예를 들면 폴리부타디엔 구조를 가지고, 또한 페놀성 수산기를 갖는 수지 등을 들 수 있다.Examples of the hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin include a hydrogenated polybutadiene skeleton-containing epoxy resin and the like. Examples of the phenolic hydroxyl group-containing butadiene resin include a resin having a polybutadiene structure and having a phenolic hydroxyl group.

부타디엔 수지의 수 평균 분자량(Mn)은, 유연성 및 밀착성을 나타내기 위해, 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 50,000, 보다 바람직하게는 7,500 내지 30,000, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 15,000이다. 여기서, 수지의 수 평균 분자량(Mn)은, GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.The number average molecular weight (Mn) of the butadiene resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000, even more preferably 7,500 to 30,000, and still more preferably 10,000 to 15,000, in order to exhibit flexibility and adhesion . Here, the number average molecular weight (Mn) of the resin is the number average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography).

부타디엔 수지가 관능기를 갖는 경우의 관능기 당량은, 유연성 및 밀착성을 나타내기 위해, 바람직하게는 100 내지 10000, 보다 바람직하게는 200 내지 5000이다. 또한, 관능기 당량이란, 1그램 당량의 관능기를 포함하는 수지의 그램수이다. 예를 들면, 에폭시기 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다. 수산기 당량은 JIS K1557-1에 따라 측정한 수산기가로 KOH의 분자량을 나눔으로써 산출할 수 있다.When the butadiene resin has a functional group, the functional group equivalent is preferably 100 to 10000, and more preferably 200 to 5000, in order to exhibit flexibility and adhesion. The functional group equivalent is the number of grams of resin containing one gram equivalent of functional group. For example, the epoxy equivalent weight can be measured according to JIS K7236. The hydroxyl equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured in accordance with JIS K1557-1.

부타디엔 수지의 구체예로서는, 클레이밸리사 제조의 「Ricon 657」(에폭시기 함유 폴리부타디엔), 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 니혼소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(에폭시화 폴리부타디엔), 「GQ-1000」(수산기, 카르복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 다이셀사 제조의 「PB3600」, 「PB4700」(폴리부타디엔 골격 에폭시 수지), 「에포 프렌드 A1005」, 「에포 프렌드 A1010」, 「에포 프렌드 A1020」(스티렌과 부타디엔과 스티렌 블록 공중합체의 에폭시화물), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지), 「R-45EPT」(폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다.Specific examples of the butadiene resin include Ricon 657 (epoxy group-containing polybutadiene), Ricon 130MA8, Ricon 130MA13, Ricon 130MA20, Ricon 131MA5, Ricon 131MA10, JP-100 "," JP-200 "(epoxidized polybutadiene)," GQ-1000 "manufactured by Nihon Soda Co., Ltd. (a hydroxyl group-containing polybutadiene)," Ricon 131MA20 "," Ricon 184MA6 " GI-1000 "," G-2000 "," G-3000 "(both terminal hydroxyl groups polybutadiene)," GI-1000 " (Polybutadiene skeletal epoxy resin), &quot; Epofriend A1005 &quot;, &quot; Epofriend A1010 &quot;, &quot; Epofriend A1020 &quot; (styrene, butadiene and styrene Block copolymer), &quot; FCA-061L &quot; manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd. (hydrogenated poly Butadiene skeleton epoxy resin), "R-45EPT" (polybutadiene skeleton epoxy resin) or the like.

또한 (A) 성분의 다른 적합한 일 실시형태로서, 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조와 이미드 구조를 갖는 수지를 사용할 수도 있다. 이러한 (A) 성분으로서, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드) 등을 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 폴리부타디엔 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있고, 이의 내용은 본 명세서에 편입된다.As another preferred embodiment of the component (A), a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure and an imide structure may be used It is possible. As the component (A), a linear polyimide having a hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (JP-A-2006-37083, JP-A-2008/153208 Meade) and the like. The content of the polybutadiene structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, reference may be made to the description in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208, the contents of which are incorporated herein.

또한, (A) 성분의 적합한 일 실시형태는, 카보네이트 수지이다. 카보네이트 수지로서는 유리 전이 온도가 25℃ 이하인 카보네이트 수지가 바람직하고, 하이드록실기 함유 카보네이트 수지, 페놀성 수산기 함유 카보네이트 수지, 카르복시기 함유 카보네이트 수지, 산 무수물기 함유 카보네이트 수지, 에폭시기 함유 카보네이트 수지, 이소시아네이트기 함유 카보네이트 수지 및 우레탄기 함유 카보네이트 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 바람직하다. 여기서, 「카보네이트 수지」란, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 말하고, 이들 수지에 있어서, 폴리카보네이트 구조는 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.One suitable embodiment of component (A) is a carbonate resin. As the carbonate resin, a carbonate resin having a glass transition temperature of 25 캜 or lower is preferable, and a carbonate resin containing a hydroxyl group, a carbonate resin containing a phenolic hydroxyl group, a carbonate resin containing an acid anhydride group, a carbonate resin containing an epoxy group, At least one resin selected from the group consisting of a carbonate resin and a urethane group-containing carbonate resin is preferable. Here, the &quot; carbonate resin &quot; refers to a resin containing a polycarbonate structure. In these resins, the polycarbonate structure may be included in the main chain or in the side chain.

카보네이트 수지의 수 평균 분자량(Mn), 및 관능기 당량은 부타디엔 수지와 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The number average molecular weight (Mn) and the functional group equivalent of the carbonate resin are the same as those of the butadiene resin, and the preferable range is also the same.

카보네이트 수지의 구체예로서는, 아사히 카세이 케미컬즈사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbonate resin include "T6002", "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., "C-1090" ) And the like.

또한, 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2016/129541호(PCT/JP2016/053609))를 사용할 수도 있다. 당해 폴리이미드 수지의 폴리카보네이트 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는, 국제공개 제2016/129541호(PCT/JP2016/053609)의 기재를 참작할 수 있고, 이의 내용은 본 명세서에 편입된다.Further, a linear polyimide having a hydroxyl group-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride as raw materials (International Publication No. 2016/129541 (PCT / JP2016 / 053609)) may also be used. The content of the polycarbonate structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, and more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, reference may be made to the disclosure in International Publication No. 2016/129541 (PCT / JP2016 / 053609), the contents of which are incorporated herein by reference.

또한, 추가적인 (A) 성분의 적합한 일 실시형태는, 폴리실록산 수지, 이소프렌 수지, 이소부틸렌 수지이다.One suitable embodiment of the additional component (A) is a polysiloxane resin, an isoprene resin or an isobutylene resin.

폴리실록산 수지의 구체예로서는 신에츠 실리콘사 제조의 「SMP-2006」, 「SMP-2003PGMEA」, 「SMP-5005PGMEA」, 아민기 말단 폴리실록산, 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2010/053185호) 등을 들 수 있다. 이소프렌 수지의 구체예로서는 쿠라레사 제조의 「KL-610」, 「KL613」 등을 들 수 있다. 이소부틸렌 수지의 구체예로서는 카네카사 제조의 「SIBSTAR-073T」(스티렌-이소부틸렌-스티렌 트리블록 공중합체), 「SIBSTAR-042D」(스티렌-이소부틸렌 디블록 공중합체) 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysiloxane resin include "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA" and "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shinetsu Silicones, linear polyimides prepared by using amine terminated polysiloxane and quaternary acid anhydride 053185). Specific examples of the isoprene resin include "KL-610" and "KL613" manufactured by Kuraray Co., Ltd. Specific examples of the isobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutylene diblock copolymer) manufactured by Kaneka have.

수지 조성물 중의 (A) 성분의 함유량은, 유연성 부여의 관점에서, (C) 성분 및 (F) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 65질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 55질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 50질량% 이하이다. 또한, 하한은, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 25질량% 이상이다.The content of the component (A) in the resin composition is preferably 65% by mass or less when the nonvolatile component of the resin composition excluding the components (C) and (F) is 100% by mass, More preferably not more than 60% by mass, still more preferably not more than 55% by mass, still more preferably not more than 50% by mass. The lower limit is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, still more preferably 25% by mass or more.

<(B) 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지>&Lt; (B) Epoxy resin having aromatic structure >

본 발명의 수지 조성물은, (B) 성분으로서 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지를 포함한다. 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지(이하, 단순히 「에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)는, 방향족 구조를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다.The resin composition of the present invention comprises an epoxy resin having an aromatic structure as a component (B). The epoxy resin having an aromatic structure (hereinafter sometimes simply referred to as &quot; epoxy resin &quot;) is not particularly limited as long as it has an aromatic structure. An aromatic structure is a chemical structure generally defined as an aromatic group, and includes polycyclic aromatic and aromatic heterocyclic rings.

방향족 구조를 갖는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 선상 지방족 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 스피로환 함유 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (B) 성분은, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.Examples of the epoxy resin having an aromatic structure include epoxy resins such as bicalcylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, Cresol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl ether type epoxy resin having an aromatic structure, A cresol novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a linear aliphatic epoxy resin having an aromatic structure, an epoxy resin having a butadiene structure having an aromatic structure , An alicyclic epoxy resin having an aromatic structure, a heterocyclic epoxy resin, an aromatic A cyclohexane dimethanol type epoxy resin having an aromatic structure, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin having an aromatic structure, a tetraphenyl ethane type epoxy resin, an aminophenol type epoxy resin, etc. . The epoxy resin may be used singly or in combination of two or more kinds. The component (B) is preferably at least one selected from bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, aminophenol type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin.

방향족 구조를 갖는 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 액상인 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 함)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖고, 온도 20℃에서 고체상인 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물이 수득된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도도 향상된다.The epoxy resin having an aromatic structure preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin having an aromatic structure is 100 mass%, it is preferable that at least 50 mass% or more is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, an epoxy resin having two or more epoxy groups in a molecule and having an aromatic structure liquid phase at 20 占 폚 (hereinafter referred to as &quot; liquid epoxy resin &quot;) and three or more epoxy groups in one molecule, (Hereinafter referred to as &quot; solid-state epoxy resin &quot;) having an aromatic structure which is solid at room temperature. When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin having an aromatic structure, a resin composition having excellent flexibility is obtained. Further, the fracture strength of the cured product of the resin composition is also improved.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「828US」, 「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER806」, 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 신닛테츠 카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX7400」(고반발 탄성 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin having aromatic structure, glycidylamine type epoxy resin having aromatic structure A phenol novolak type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton having an aromatic structure, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin having an aromatic structure, an epoxy resin having an aminophenol type epoxy resin and a butadiene structure having an aromatic structure More preferably bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, aminophenol type epoxy resin and naphthalene type epoxy resin, more preferably bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, amino Phenol type epoxy resins are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin), "828US", "jER828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., jER806 "," jER807 "(bisphenol F type epoxy resin)," jER152 "(phenol novolak type epoxy resin)," 630 "," 630LSD "(glycidylamine type epoxy resin), ShinNit Tetsu Sumikin Kagaku Co., (Mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) "EX-721" (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd., "Celloxide 2021P "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane) manufactured by Shinnitetsu Kagaku Co., Ltd., "YX7400" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. (high resilience elasticity Epoxy resin). These may be used singly or in combination of two or more kinds.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」, 「HP-7200L」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200HHH」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」, 「EXA7311-G3」, 「EXA7311-G4」, 「EXA7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지), 「157S70」(비스페놀노볼락형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미츠비시 카가쿠사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aromatic dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene Epoxy type epoxy resins, ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins and tetraphenyl ethane type epoxy resins are preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, , And naphthylene ether type epoxy resin are more preferable, and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin and naphthylene ether type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the solid epoxy resin include HP4032H (naphthalene type epoxy resin), HP-4700, HP-4710 (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), N-690 HP-7200H "," HP-7200H "," HP-7200HHH "(" D-type epoxy resin ")," N-695 "(cresol novolak type epoxy resin) EXA7311-G3, EXA7311-G4, EXA7311-G4S, HP6000 (naphthylene ether type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EPPN- NC3000H "," NC3000L "," NC3100 "(biphenyl type epoxy resin), Shinnetsu Tetsu Sumikin Kaga Co., Ltd. ESN475V "(naphthol type epoxy resin)," ESN485 "(naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Kusa Co., Ltd.," YX4000H "and" YL6121 " YX8800 &quot; (anthracene epoxy resin), &quot; PG-100 &quot; manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., and &quot; CG Quot; jER1010 &quot; (solid bisphenol A type epoxy resin), &quot; jER1031S &quot; (tetraphenyl ethane type epoxy resin), &quot; YL7800 &quot; (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., YX4000HK "(biquileneol type epoxy resin)," YX8800 "(anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.," PG-100 " CG-500 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation," YL7800 "(fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., and" jER1031S "(tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., These may be used singly or in combination of two or more kinds.

(B) 성분으로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(고체상 에폭시 수지:액상 에폭시 수지)는, 질량비로 1:0.1 내지 1:15 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 수지 시트 형태로 사용하는 경우에 적당한 점착성이 초래되고, ii) 수지 시트 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성이 향상되며, iii) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(고체상 에폭시 수지:액상 에폭시 수지)는, 질량비로 1:0.3 내지 1:10의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.6 내지 1:8의 범위가 더욱 바람직하다.When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination as the component (B), their ratio (solid epoxy resin: liquid epoxy resin) is preferably in the range of 1: 0.1 to 1:15 in terms of the mass ratio. By setting the proportions of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in this range, it is possible to obtain appropriate adhesiveness in the case of i) use in the form of a resin sheet, ii) sufficient flexibility in the case of using in the form of a resin sheet, And (iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. (Solid epoxy resin: liquid epoxy resin) ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is more preferably in the range of 1: 0.3 to 1:10, more preferably in the range of 1: 0.3 to 1:10, in view of the effects of i) to iii) More preferably in the range of 0.6 to 1: 8.

수지 조성물 중의 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한에서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 8질량% 이하, 더욱 바람직하게는 6질량% 이하이다.The content of the epoxy resin having an aromatic structure in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability, More preferably 2% by mass or more, and further preferably 3% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited as long as the effects of the present invention are exhibited, but is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and still more preferably 6% by mass or less.

또한, 수지 조성물 중의 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, (C) 성분 및 (F) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 25질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타나는 한에서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 55질량% 이하이다.The content of the epoxy resin having an aromatic structure in the resin composition is preferably such that the nonvolatile component of the resin composition excluding the component (C) and the component (F) is 100 When it is in terms of mass%, it is 20 mass% or more, more preferably 25 mass% or more, and furthermore preferably 30 mass% or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited insofar as the effects of the present invention are exhibited, but is preferably 70 mass% or less, more preferably 60 mass% or less, further preferably 55 mass% or less.

방향족 구조를 갖는 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해지고 표면 거칠기가 작은 절연층을 형성할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent of the epoxy resin having an aromatic structure is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. With this range, the crosslinked density of the cured product becomes sufficient, and an insulating layer having a small surface roughness can be formed. The epoxy equivalent can be measured in accordance with JIS K7236, and is the mass of the resin containing one equivalent of epoxy group.

방향족 구조를 갖는 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the epoxy resin having an aromatic structure is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

<(C) 열전도성 필러>&Lt; (C) Thermally Conductive Filler >

본 발명의 수지 조성물은 (C) 열전도성 필러를 포함하고, (C) 성분의 평균 입자 직경은, 2.5㎛ 내지 5.0㎛이고, 또한 비표면적은 0.8㎡/g 이상이다. 소정의 평균 입자 직경 및 비표면적을 갖는 (C) 성분을 함유시킴으로써 열전도율 및 필 강도가 우수한 절연층을 수득할 수 있다. 또한, 소정의 평균 입자 직경 및 비표면적을 갖는 (C) 성분은 분산능이 높으므로, 수지 바니시의 충전성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 본 명세서에 있어서, 열전도성 필러란, 열전도율이 20W/m·K 이상인 무기 충전재를 의미한다.The resin composition of the present invention comprises (C) a thermally conductive filler, the component (C) has an average particle diameter of 2.5 to 5.0 m and a specific surface area of 0.8 m 2 / g or more. By containing the component (C) having a predetermined average particle diameter and specific surface area, it is possible to obtain an insulating layer having excellent thermal conductivity and fill strength. Further, the component (C) having a predetermined average particle diameter and specific surface area has a high dispersibility, so that the filling property of the resin varnish can be improved. Here, in the present specification, the thermally conductive filler means an inorganic filler having a thermal conductivity of 20 W / m · K or more.

(C) 성분의 재료는, 열전도율이 상기 범위 내이고, 소정의 평균 입자 직경 및 소정의 비표면적을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 탄화 규소 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알루미나가 특히 적합하다. (C) 성분은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 또한, 2종 이상의 동일 재료를 조합하여 사용해도 좋다.The material of the component (C) is not particularly limited as long as it has a thermal conductivity within the above range and has a predetermined average particle diameter and a predetermined specific surface area. For example, alumina, aluminum nitride, boron nitride, silicon carbide, . Of these, alumina is particularly suitable. The component (C) may be used alone or in combination of two or more. Two or more kinds of the same materials may be used in combination.

(C) 성분의 평균 입자 직경은, 열전도율 및 필 강도 쌍방이 우수한 절연층을 수득하는 관점 및 충전성을 향상시키는 관점에서 2.5㎛ 내지 5.0㎛이다. (C) 성분의 평균 입자 직경은 2.5㎛ 내지 4.8㎛가 바람직하고, 2.5㎛ 내지 4.5㎛가 보다 바람직하다. (C) 성분의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중간 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, (C) 성분을 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조의 「LA-500」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD2200」 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 후술하는 <열전도성 필러의 평균 입자 직경의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The average particle diameter of the component (C) is 2.5 占 퐉 to 5.0 占 퐉 in view of obtaining an insulating layer excellent in both the thermal conductivity and the fill strength and improving the packing property. The average particle diameter of the component (C) is preferably 2.5 占 퐉 to 4.8 占 퐉, more preferably 2.5 占 퐉 to 4.5 占 퐉. The average particle diameter of the component (C) can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and the average particle size can be measured with the intermediate diameter thereof. The measurement sample can be preferably those obtained by dispersing the component (C) in water by ultrasonic waves. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd., "SALD 2200" manufactured by Shimadzu Corporation can be used. Specifically, it can be measured according to the method described in &quot; Measurement of Average Particle Diameter of Thermally Conductive Filler &quot;

(C) 성분의 비표면적은, 열전도율 및 필 강도 쌍방이 우수한 절연층을 수득하는 관점 및 충전성을 향상시키는 관점에서, 0.8㎡/g 이상이다. (C) 성분의 비표면적은 0.8㎡/g 내지 10㎡/g가 바람직하고, 0.8㎡/g 내지 5㎡/g가 보다 바람직하다. (C) 성분의 비표면적은, 질소 BET법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 자동 비표면적 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있고, 자동 비표면적 측정 장치로서는, 마운테크사 제조 「Macsorb HM-1210」 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 후술하는 <열전도성 필러의 비표면적의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The specific surface area of the component (C) is not less than 0.8 m 2 / g from the viewpoint of obtaining an insulating layer excellent in both the thermal conductivity and the fill strength and improving the filling property. The specific surface area of the component (C) is preferably from 0.8 m 2 / g to 10 m 2 / g, more preferably from 0.8 m 2 / g to 5 m 2 / g. The specific surface area of the component (C) can be measured by the nitrogen BET method. Specifically, the measurement can be performed using an automatic specific surface area measuring apparatus. As the automatic specific surface area measuring apparatus, "Macsorb HM-1210" manufactured by Motech Co., Ltd. can be used. Specifically, it can be measured by the method described in &quot; Measurement of specific surface area of thermally conductive filler &quot;

(C) 성분은, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 표면 처리되어 있어도 좋다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제) 등을 들 수 있다. 표면 처리제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 사용해도 좋다.The component (C) may be surface-treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Examples of the surface treatment agent include an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, and a titanate coupling agent have. Examples of commercial products of surface treatment agents include KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyltrimethoxy Silane), KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin- KBM103 "(phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.," KBM-4803 "manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy-type silane couples LINGER) and the like. The surface treatment agent may be used alone or in combination of two or more.

(C) 성분의 함유량은, 열전도율 및 필 강도 쌍방이 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 87질량% 이상, 보다 바람직하게는 88질량% 이상, 더욱 바람직하게는 89질량% 이상, 또는 90질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 93질량% 이하, 더욱 바람직하게는 92질량% 이하이다.The content of the component (C) is preferably at least 87% by mass, more preferably at least 88% by mass, more preferably at least 90% by mass, Or more, more preferably 89 mass% or more, or 90 mass% or more. The upper limit is preferably 95 mass% or less, more preferably 93 mass% or less, further preferably 92 mass% or less.

<(D) 경화제>&Lt; (D) Curing agent >

본 발명의 수지 조성물은 (D) 경화제를 포함할 수 있다. 경화제로서는, (B) 성분 등의 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. (D) 성분은, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하고, 페놀계 경화제, 및 활성 에스테르계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention may comprise (D) a curing agent. The curing agent is not particularly limited as far as it has a function of curing a resin such as the component (B), and examples thereof include phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, active ester- based curing agents, benzoxazine based curing agents, cyanate ester- And carbodiimide-based curing agents. The curing agent may be used singly or in combination of two or more kinds. The component (D) is preferably at least one member selected from the group consisting of a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent and a cyanate ester-based curing agent, and at least one selected from phenolic curing agents and active ester- desirable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노 볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 배선층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다. 이중에서도, 내열성, 내수성, 및 배선층과의 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 경화제가 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesion with the wiring layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a phenol-based curing agent containing a triazine skeleton is more preferable. Of these, a phenazine novolac curing agent containing a triazine skeleton is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesiveness to a wiring layer.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛테츠 스미킨사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495V」, 「SN375」, 「SN395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」, 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include MEH-7700, MEH-7810 and MEH-7851 manufactured by Meiwa Chemical Industries, Ltd., NHN, CBN and GPH "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495V", "SN375", and "SN395" manufactured by Shinnitsu Tetsu Sumikin, "TD- LA-7054, LA-1356, LA-3018-50P, EXB-9500, HPC-9500, KA-1160, KA- KA-1165 &quot;, &quot; GDP-6115L &quot;, and &quot; GDP-6115H &quot;

금속층과의 밀착성이 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 활성 에스테르계 경화제도 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다.From the viewpoint of obtaining an insulating layer having excellent adhesion with a metal layer, an active ester-based curing agent is also preferable. The active ester-based curing agent is not particularly limited, but generally includes ester groups having high reactivity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, Are preferably used. It is preferable that the active ester-based curing agent is obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. From the viewpoint of heat resistance improvement, an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalein, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolak, and the like. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one dicyclopentadiene molecule.

구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하고, 이중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조를 나타낸다.Specifically, there can be mentioned an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated phenol novolac, a benzoyl compound of phenol novolac Active ester compounds are preferable. Among them, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structure composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「EXB9416-70BK」(DIC사 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 화합물로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 카가쿠사 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 카가쿠사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 카가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000H-65TM ", and the like are available as commercial products of the active ester- EXB9416-70BK "(manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and" DC808 "as an active ester compound containing an acetylated phenol novolak as an active ester compound having a naphthalene structure," EXB-8000L-65TM " YLH1026 &quot; (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) as the active ester compound containing benzoylate of phenol novolac, &quot; DC808 &quot; (available from Mitsubishi Chemical Corporation as an active ester curing agent which is acetylated phenol novolac YLH1026 "(manufactured by Mitsubishi Kagaku)," YLH1030 "(manufactured by Mitsubishi Kagaku)," YLH1048 "(manufactured by Mitsubishi Kagaku Corporation) as the active ester curing agent which is benzoylate of phenol novolak Ltd.) and the like.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와 고분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kogane Co., Ltd., "P-d" and "F-a" manufactured by Shikoku Kasei Corporation.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Bifunctional cyanate resins derived from phenolic novolacs and cresol novolacs such as bis (4-cyanophenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether, and polyfunctional cyanate resins derived from these cyanate resins, And a prepolymer. Specific examples of the cyanate ester-based curing agent include "PT30" and "PT60" (all phenol novolak-type multifunctional cyanate ester resins), "BA230", "BA230S75" (part of bisphenol A dicyanate Or a prepolymer obtained by trimerizing the whole to triple form) and the like.

카보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미칼사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co.,

수지 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, 수지 조성물 중의 경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 더욱 바람직하게는 2질량% 이하이다. 또한, 하한은 특별히 제한은 없지만, 0.1질량% 이상이 바람직하고, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하다.When the resin composition contains the component (D), the content of the curing agent in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 5% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, 3% by mass or less, and more preferably 2% by mass or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.1% by mass or more, and more preferably 0.5% by mass or more.

<(E) 경화 촉진제><(E) Curing accelerator>

본 발명의 수지 조성물은, (E) 경화 촉진제를 포함할 수 있다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition of the present invention may contain (E) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, guanidine hardening accelerators and metal hardening accelerators. Phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, Accelerators and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metal-based curing accelerators are more preferable. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more kinds.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) -Diazabicyclo (5,4,0) undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferred.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아 노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl- Water, 2-phenylimidazole isumulic acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline An imidazole compound, and an adduct of an imidazole compound and an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미츠비시 카가쿠사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and for example, "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. and the like can be given.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like, and dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

수지 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 0.01질량% 내지 1질량%가 바람직하다.In the case where the resin composition contains the component (E), the content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.01% by mass to 1% by mass based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

<(F) 무기 충전재((C) 성분에 해당하는 것은 제외함)>&Lt; (F) Inorganic filler (except for component (C))>

본 발명의 수지 조성물은 (F) 무기 충전재를 포함할 수 있다. (F) 성분의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition of the present invention may comprise (F) an inorganic filler. The material of the component (F) is not particularly limited, and examples thereof include silica, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, Wherein the metal oxide is selected from the group consisting of aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium oxide, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, Barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable. As the silica, spherical silica is preferable. The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 회로 매립성을 향상시키고, 표면 거칠기가 낮은 절연층을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2.2㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하이다. 당해 평균 입자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이상이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은 (C) 성분과 동일하게 측정할 수 있다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 애드마텍스사 제조 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 덴키 카가쿠 코교사 제조 「UFP-30」, 토크야마사 제조의 「씰필 NSS-3N」, 「씰필 NSS-4N」, 「씰필 NSS-5N」, 애드마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C6」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」 등을 들 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 5 占 퐉 or less, more preferably 2.5 占 퐉 or less, still more preferably 2.2 占 퐉 or less, from the viewpoint of improving the circuit filling property and obtaining an insulating layer having a low surface roughness, More preferably not more than 2 mu m. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 0.01 占 퐉 or more, more preferably 0.05 占 퐉 or more, and even more preferably 0.1 占 퐉 or more. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured in the same manner as the component (C). Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include YC100C, YA050C, YA050C-MJE, YA010C, and UFP-30 manufactured by Denki Kagaku Co., Quot ;, and &quot; SC2500SQ &quot;, &quot; SO-C6 &quot;, &quot; SO-C4 &quot;, &quot; SO-C2 "," SO-C1 ", and the like.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 구체적인 표면 처리제의 시판품 등은 상기한 바와 같다.From the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility, the inorganic filler is preferably selected from the group consisting of an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an alkoxysilane compound, an organosilazane compound, It is preferable that the surface treatment agent is treated with at least one surface treatment agent such as a coupling agent. Commercially available products of a specific surface treatment agent are as described above.

수지 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, 수지 조성물 중의 (F) 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.In the case where the resin composition contains the component (F), the content of the component (F) in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% Preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 1% by mass or more. The upper limit is preferably 5 mass% or less, more preferably 4 mass% or less, further preferably 3 mass% or less.

<(G) 난연제><(G) Flame Retardant>

수지 조성물은 (G) 난연제를 포함할 수 있다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.The resin composition may include (G) a flame retardant. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicon-based flame retardant, a metal hydroxide, and the like. The flame retardant may be used alone, or two or more flame retardants may be used in combination.

난연제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 산코사 제조의 「HCA-HQ」, 다이하치 카가쿠 코교사 제조의 「PX-200」, 오오츠카 카가쿠사 제조의 「SPH-100」, 「SPS-100」, 「SPB-100」, 「SPE-100」, 후시미 세이야쿠쇼사 제조의 「FP-100」, 「FP-110」, 「FP-300」, 「FP-400」 등을 들 수 있다.For example, "HCA-HQ" manufactured by Sanko Co., Ltd., "PX-200" manufactured by Daihatsu Kaikako Co., Ltd., "SPH-100" manufactured by Otsuka Kagaku Co., FP-100 "," FP-110 "," FP-300 ", and" FP-400 "manufactured by Fushimi Seiyaku Co., Ltd. have.

수지 조성물이 난연제를 함유하는 경우, 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.5질량% 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0.5질량% 내지 5질량%, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 내지 3질량%가 더욱 바람직하다.When the resin composition contains a flame retardant, the content of the flame retardant is not particularly limited, but is preferably 0.5% by mass to 10% by mass, more preferably 0.5% by mass, By mass to 5% by mass, and more preferably 0.5% by mass to 3% by mass.

<(H) 임의의 첨가제>&Lt; (H) Optional additives >

수지 조성물은, 필요에 따라 다른 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋고, 이러한 다른 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 바인더, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다.The resin composition may further contain other additives as necessary. Examples of such other additives include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds, and binders, thickeners, defoaming agents, A leveling agent, an adhesion-imparting agent, and a resin additive such as a coloring agent.

<수지 조성물의 물성><Physical Properties of Resin Composition>

본 발명의 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은, 금속층과의 필 강도가 우수하다는 특성을 나타낸다. 상세는, 본 발명의 수지 조성물을 금속층에 적층 후, 180℃에서 90분간 열경화시켰을 때, 경화물과 금속층과의 필 강도가 우수하다는 특성을 나타낸다. 필 강도로서는, 바람직하게는 0.4kgf/㎝ 이상, 보다 바람직하게는 0.45kgf/㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 0.5kgf/㎝ 이상이다. 한편, 필 강도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 1.5kgf/㎝ 이하, 1kgf/㎝ 이하, 등으로 할 수 있다. 필 강도의 평가는, 후술하는 <동박의 박리 강도(필 강도)의 측정 및 평가>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180 占 폚 for 90 minutes exhibits excellent peel strength with the metal layer. In detail, when the resin composition of the present invention is laminated on a metal layer and thermally cured at 180 캜 for 90 minutes, the peel strength between the cured product and the metal layer is excellent. The fill strength is preferably 0.4 kgf / cm or more, more preferably 0.45 kgf / cm or more, and further preferably 0.5 kgf / cm or more. On the other hand, the upper limit value of the peel strength is not particularly limited, but may be 1.5 kgf / cm or less, 1 kgf / cm or less, and the like. The evaluation of the peel strength can be carried out according to the method described in &quot; Measurement and evaluation of peel strength (peel strength) of copper foil &quot;

금속층으로서는, 바람직하게는 동을 포함하는 금속층이고, 보다 바람직하게는 전해 동박이다.The metal layer is preferably a copper-containing metal layer, more preferably an electrolytic copper foil.

본 발명의 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은, 열전도율이 우수하다는 특성을 나타낸다. 열전도율로서는, 바람직하게는 1.5W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 1.8W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 2.0W/m·K 이상이다. 열전도율의 상한은 5.0W/m·K 이하, 4.0W/m·K 이하, 또는 3.5W/m·K 이하로 할 수 있다. 열전도율의 평가는, 후술하는 <경화물의 열전도율의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition of the present invention at 180 占 폚 for 90 minutes exhibits excellent thermal conductivity. The thermal conductivity is preferably 1.5 W / m · K or more, more preferably 1.8 W / m · K or more, and further preferably 2.0 W / m · K or more. The upper limit of the thermal conductivity may be 5.0 W / m · K or less, 4.0 W / m · K or less, or 3.5 W / m · K or less. The evaluation of the thermal conductivity can be performed according to the method described in &quot; Measurement of Thermal Conductivity of Cured Product &quot;

본 발명의 수지 조성물은, 열전도율 및 필 강도가 우수한 절연층을 형성할 수 있고, 또한, (B) 성분을 포함함으로써 (A) 성분의 상용성이 양호하다. 따라서 본 발명의 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물), 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 회로 기판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 더욱 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can form an insulating layer having excellent thermal conductivity and peel strength, and (A) component has good compatibility with the component (B). Accordingly, the resin composition of the present invention is a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board) (Resin composition for an insulating layer of a circuit board), and a resin composition for forming an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating (a resin for an interlayer insulating layer of a circuit board on which a conductor layer is formed by plating Composition) of the present invention.

또한, 본 발명의 수지 조성물은 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물), 반도체 칩에 배선을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 배선 형성용 수지 조성물)로서도 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention can also be suitably used as a resin composition (a resin composition for sealing a semiconductor chip) for sealing a semiconductor chip and a resin composition (a resin composition for forming a semiconductor chip wiring) for forming wiring in a semiconductor chip .

수지 조성물 중에 포함되는 수지 성분에서의 고분자량 성분의 전체 질량을 A로 하고, 저분자량 성분의 전체 질량을 B로 했을 때, A/(A+B)가 0.15 이상을 충족 것이 바람직하고, 0.20 이상을 충족하는 것이 보다 바람직하고, 0.25 이상을 충족 것이 더욱 바람직하다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 0.60 이하를 충족하는 것이 바람직하고, 0.55 이하를 충족하는 것이 보다 바람직하고, 0.50 이하를 충족하는 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 고분자량 성분이란, 중량 평균 분자량이 10000 이상인 수지 조성물 중에 포함되는 수지 성분을 말하고, 저분자량 성분이란, 중량 평균 분자량이 5000 이하인 수지 조성물 중에 포함되는 수지 성분을 말한다. 중량 평균 분자량의 측정 방법은 상기한 바와 같다.It is preferable that A / (A + B) satisfies 0.15 or more when the total mass of the high molecular weight component in the resin component contained in the resin composition is A and the total mass of the low molecular weight component is B, , And more preferably 0.25 or more. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.60 or less, more preferably 0.55 or less, and even more preferably 0.50 or less. Here, the high molecular weight component means a resin component contained in a resin composition having a weight average molecular weight of 10,000 or more, and the low molecular weight component means a resin component contained in a resin composition having a weight average molecular weight of 5,000 or less. The method of measuring the weight average molecular weight is as described above.

[수지 시트][Resin sheet]

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지 조성물층을 포함하여 이루어지고, 수지 조성물층이 본 발명의 수지 조성물로 이루어진다.The resin sheet of the present invention comprises a support and a resin composition layer bonded to the support, wherein the resin composition layer comprises the resin composition of the present invention.

수지 조성물층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 80㎛ 이하, 60㎛ 이하, 50㎛ 이하, 또는 40㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 150 占 퐉 or less, further preferably 100 占 퐉 or less, 80 占 퐉 or less, 60 占 퐉 or less, 50 占 퐉 or less, or 40 占 퐉 Or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be usually 1 占 퐉 or more, 5 占 퐉 or more, 10 占 퐉 or more, or the like.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper can be mentioned, and a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN" (Hereinafter may be abbreviated as "PC") and polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefins, triacetylcellulose (TAC), polyether sulfide PES), polyether ketone, polyimide, and the like. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 동과 그 밖의 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.In the case of using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) good.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리를 실시하고 있어도 좋다.The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to a mat treatment or a corona treatment.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 도레이사 제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the release layer-adherend support include at least one release agent selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin. SK-1, &quot; &quot; AL-5, &quot; and &quot; AL-5, &quot; manufactured by LINTEX CORPORATION, which are PET films having a releasing layer mainly composed of an alkyd resin releasing agent, 7, Lumirra T60 manufactured by Toray Industries, Inc., Purex manufactured by Teijin Co., Ltd., and Unipyl manufactured by Unichikase.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When a release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.

수지 시트는, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The resin sheet can be produced, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent, coating the resin varnish on a support using a die coater or the like, and further drying the resin varnish to form a resin composition layer .

본 발명의 수지 조성물은 (C) 열전도성 필러를 포함하므로, 수지 바니시의 고형분 농도가 85질량% 이상이라도 지지체 등 위에 도포할 수 있고, 시트상으로 성형할 수 있는, 즉, 충전성이 우수하다는 특성을 나타낸다. 수지 바니시의 고형분 농도가 85질량% 이상인 경우, 수지 바니시의 점도로서는, 바람직하게는 1.5Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 1.3Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 1.0Pa·s 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.01Pa·s 이상 등으로 할 수 있다. 수지 바니시의 점도는, 25℃에서 E형 점도계로 측정한 값이다.Since the resin composition of the present invention includes the thermally conductive filler (C), even if the solid content concentration of the resin varnish is 85% by mass or more, the resin composition can be applied on a support or the like and can be formed into a sheet, Lt; / RTI &gt; When the solid content concentration of the resin varnish is 85 mass% or more, the viscosity of the resin varnish is preferably 1.5 Pa · s or less, more preferably 1.3 Pa · s or less, and further preferably 1.0 Pa · s or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.01 Pa · s or more. The viscosity of the resin varnish is a value measured by an E-type viscometer at 25 ° C.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논 등의 케톤류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산 에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, Carbitol such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more kinds.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.The drying may be carried out by a known method such as heating or hot air jetting. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. For example, 30% by mass to 60% by mass, is used, the resin varnish is dried at 50 ° C to 150 ° C for 3 minutes to 10 minutes to obtain a resin A composition layer can be formed.

수지 시트에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트는 롤 형상으로 감아서 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 떼어냄으로써 사용 가능해진다.In the resin sheet, a protective film according to the support may be further laminated on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (i.e., the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 m to 40 m. By laminating a protective film, it is possible to prevent adhesion and scratching of dust or the like to the surface of the resin composition layer. The resin sheet can be rolled and stored. When the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

본 발명의 수지 시트 대신에, 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜 형성된 프리프레그를 사용해도 좋다.Instead of the resin sheet of the present invention, a prepreg formed by impregnating a sheet-like fiber substrate with the resin composition of the present invention may be used.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 글래스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 900㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 800㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 700㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 600㎛ 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상, 1.5㎛ 이상, 2㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The sheet-like fibrous base material used in the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as prepreg substrates such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. From the viewpoint of thinning, the thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 900 占 퐉 or less, more preferably 800 占 퐉 or less, further preferably 700 占 퐉 or less, and even more preferably 600 占 퐉 or less. The lower limit of the thickness of the sheet-like fibrous substrate is not particularly limited, but may be usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, 2 占 퐉 or more, or the like.

프리프레그는 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.The prepreg can be produced by a known method such as a hot melt method or a solvent method.

프리프레그의 두께는, 상기한 수지 시트에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.The thickness of the prepreg can be the same as that of the resin composition layer in the above resin sheet.

본 발명의 수지 시트는, 반도체 칩 패키지의 제조에 있어서, 절연층을 형성하기 위해(반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해(회로 기판의 절연층용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있고, 그 위에 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위해(도금에 의해 도체층을 형성하는 회로 기판의 층간 절연층용)에 더욱 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 예로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다.The resin sheet of the present invention can be suitably used for the formation of an insulating layer (a resin sheet for insulation of a semiconductor chip package) in the production of a semiconductor chip package. For example, the resin sheet of the present invention can be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board (a resin sheet for an insulating layer of a circuit board), and an interlayer insulating layer on which a conductor layer is formed by plating (For the interlayer insulating layer of the circuit board on which the conductor layer is formed by plating). Examples of packages using such a substrate include FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package.

또한 본 발명의 수지 시트는, 반도체 칩을 밀봉하기 위해(반도체 칩 밀봉용 수지 시트), 또는 반도체 칩에 배선을 형성하기 위해(반도체 칩 배선 형성용 수지 시트)에 적합하게 사용할 수 있고, 예를 들면 Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP 등에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling) 재료 등에도 적합하게 사용할 수 있다.The resin sheet of the present invention can be suitably used for sealing a semiconductor chip (a resin sheet for sealing a semiconductor chip) or for forming a wiring in a semiconductor chip (a resin sheet for forming a semiconductor chip wiring) , It can be suitably used for fan-out type wafer level package (WLP), fan-in type WLP, fan-out type PLP (panel level package), and fan-in type PLP. In addition, it can be suitably used for MUF (Molding Under Filling) material used after the semiconductor chip is connected to the substrate.

본 발명의 수지 시트는 또한, 높은 절연 신뢰성이 요구되는 다른 광범위한 용도, 예를 들면, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.The resin sheet of the present invention can also be suitably used for forming an insulating layer of a circuit board such as a printed wiring board in a wide variety of applications requiring high insulation reliability.

[회로 기판][Circuit board]

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다.The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed by a cured product of the resin composition of the present invention.

본 발명의 회로 기판의 제조 방법은,A method of manufacturing a circuit board according to the present invention includes:

(1) 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 형성된, 금속층으로서의 배선층을 갖는 배선층 부착 기판을 준비하는 공정;(1) preparing a substrate and a wiring layer-attached substrate having a wiring layer as a metal layer formed on at least one side of the substrate;

(2) 본 발명의 수지 시트를, 배선층이 수지 조성물층에 매립되도록 배선층 부착 기재 위에 적층하고, 열경화시켜서 절연층을 형성하는 공정;(2) a step of laminating the resin sheet of the present invention on a substrate with an interconnection layer so that the interconnection layer is embedded in the resin composition layer, followed by thermosetting to form an insulating layer;

(3) 배선층을 층간 접속하는 공정을 포함한다. 또한, 회로 기판의 제조 방법은, (4) 기재를 제거하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.(3) connecting the interconnection layers to each other. Further, the method of manufacturing a circuit board may include (4) a step of removing the substrate.

공정 (3)은, 금속층으로서의 배선층과는 다른 배선층을 층간 접속할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 절연층에 비아 홀을 형성하고, 배선층을 형성하는 공정, 및 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시키는 공정의 적어도 어느 하나의 공정인 것이 바람직하다.The step (3) is not particularly limited as long as interconnection layers different from the interconnection layer as the metal layer can be interlayer-connected. However, the step of forming via holes in the insulating layer and forming the interconnection layer and the step of polishing or grinding the insulating layer, Or a process for forming a film on the substrate.

<공정 (1)>&Lt; Process (1) >

공정 (1)은, 기재와, 당해 기재의 적어도 한쪽 면에 형성된 배선층을 갖는 배선층 부착 기재를 준비하는 공정이다. 통상, 배선층 부착 기판은, 기재의 양면에 기재의 일부인 제1 금속층, 제2 금속층을 각각 갖고, 제2 금속층의 기재측의 면과는 반대측의 면에 배선층을 갖는다. 상세는, 기재 위에 드라이 필름(감광성 레지스트 필름)을 적층하고, 포토 마스크를 사용하여 소정의 조건으로 노광, 현상하여 패턴 드라이 필름을 형성한다. 현상한 패턴 드라이 필름을 도금 마스크로서 전해 도금법에 의해 배선층을 형성한 후, 패턴 드라이 필름을 박리한다. 또한, 제1 금속층, 제2 금속층을 갖고 있지 않아도 좋다.The step (1) is a step of preparing a substrate with a wiring layer having a substrate and a wiring layer formed on at least one side of the substrate. Usually, the wiring-layer-attached substrate has a first metal layer and a second metal layer, which are portions of the substrate, on both surfaces of the substrate, and a wiring layer on the surface opposite to the substrate-side surface of the second metal layer. Specifically, a dry film (photosensitive resist film) is laminated on a substrate, and exposed and developed under a predetermined condition using a photomask to form a pattern dry film. After the developed pattern dry film is used as a plating mask to form a wiring layer by electrolytic plating, the pattern dry film is peeled off. Further, the first metal layer and the second metal layer may not be provided.

기재로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있고, 기판 표면에 동박 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다. 또한, 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층(예를 들면, 미츠이 킨조쿠사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박, 상품명 「Micro Thin」) 등의 금속층이 형성되어 있어도 좋다.Examples of the substrate include substrates such as a glass epoxy substrate, a metal substrate (such as stainless steel or cold rolled steel sheet (SPCC)), a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate and a thermosetting polyphenylene ether substrate And a metal layer such as a copper foil may be formed on the surface of the substrate. Further, a metal layer such as a first metal layer and a second metal layer which can be peeled off from the surface (for example, ultra-thin copper foil with a carrier copper foil manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., trade name "Micro Thin") may be formed.

드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어진 감광성의 드라이 필름인 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 드라이 필름을 사용할 수 있다. 드라이 필름은 시판품을 사용해도 좋다.The dry film is not particularly limited as long as it is a photosensitive dry film made of a photoresist composition, and for example, a dry film such as novolak resin or acrylic resin can be used. A commercially available dry film may be used.

기재와 드라이 필름의 적층 조건은, 후술하는 공정 (2)의 수지 시트를 배선층에 매립되도록 적층시킬 때의 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The conditions for laminating the base material and the dry film are the same as those for laminating the resin sheet of the step (2) described later to be embedded in the wiring layer, and the preferable range is also the same.

드라이 필름을 기재 위에 적층 후, 드라이 필름에 대해 원하는 패턴을 형성하기 위한 포토 마스크를 사용하여 소정의 조건으로 노광, 현상을 실시한다.After the dry film is laminated on the substrate, exposure and development are performed under a predetermined condition using a photomask for forming a desired pattern on the dry film.

배선층의 라인(회로 폭)/스페이스(회로간의 폭) 비는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20㎛ 이하(즉, 피치가 40㎛ 이하), 보다 바람직하게는 10/10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5/5㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 1/1㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5㎛ 이상이다. 피치는, 배선층 전체에 걸쳐 동일할 필요는 없다. 배선층의 최소 피치는, 40㎛ 이하, 36㎛ 이하, 또는 30㎛ 이하라도 좋다.The ratio of the line (circuit width) / space (width between circuits) of the wiring layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 m or less (i.e., pitch is 40 m or less), more preferably 10 / Preferably 5/5 μm or less, more preferably 1/1 μm or less, particularly preferably 0.5 / 0.5 μm or more. The pitch does not have to be the same throughout the wiring layer. The minimum pitch of the wiring layers may be 40 占 퐉 or less, 36 占 퐉 or less, or 30 占 퐉 or less.

드라이 필름의 패턴을 형성 후, 배선층을 형성하고, 드라이 필름을 박리한다. 여기서, 배선층의 형성은, 원하는 패턴을 형성한 드라이 필름을 도금 마스크로서 사용하여, 도금법에 의해 실시할 수 있다.After the pattern of the dry film is formed, a wiring layer is formed and the dry film is peeled off. Here, the wiring layer can be formed by a plating method using a dry film having a desired pattern formed thereon as a plating mask.

배선층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 배선층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 배선층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기한 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로부터 형성된 것을 들 수 있다. 이중에서도, 배선층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.The conductor material used for the wiring layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the wiring layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium . The wiring layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include alloys of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper- ). From the viewpoint of versatility of wiring layer formation, ease of patterning, and the like, it is preferable to use a metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, An alloy layer of a titanium alloy is preferable and a metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy layer is more preferable and a copper single metal layer is more preferable.

배선층의 두께는, 원하는 배선판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 3㎛ 내지 35㎛, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 20㎛, 또는 15㎛이다. 공정 (3)에서 절연층을 연마 또는 연삭하여, 배선층을 노출시켜서 금속층으로서의 배선층과는 다른 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우에는, 층간 접속하는 배선과, 접속하지 않는 배선의 두께는 다른 것이 바람직하다. 배선층의 두께는, 상기한 패턴 형성을 반복함으로써 조정할 수 있다. 각 배선층 중, 가장 두께가 있는 배선층(도전성 필러)의 두께는, 원하는 배선판의 디자인에 따르지만, 바람직하게는 100㎛ 이하, 2㎛ 이상이다. 또한 층간 접속하는 배선은 볼록형으로 되어 있어도 좋다.The thickness of the wiring layer depends on the design of the desired wiring board, but is preferably 3 占 퐉 to 35 占 퐉, more preferably 5 占 퐉 to 30 占 퐉, and still more preferably 10 to 20 占 퐉, or 15 占 퐉. In the case where the step of polishing or grinding the insulating layer in step (3) and exposing the wiring layer to interconnect the wiring layers different from the wiring layer as the metal layer is adopted, the thicknesses of the wirings to be interlayer-connected and the wirings not to be connected are different desirable. The thickness of the wiring layer can be adjusted by repeating the pattern formation described above. Among the respective wiring layers, the thickness of the wiring layer (conductive filler) having the largest thickness depends on the design of the desired wiring board, but is preferably 100 占 퐉 or less and 2 占 퐉 or more. The interconnection for interlayer connection may be convex.

배선층을 형성 후, 드라이 필름을 박리한다. 드라이 필름의 박리는, 예를 들면, 수산화 나트륨 용액 등의 알칼리성의 박리액을 사용하여 실시할 수 있다. 필요에 따라, 불필요한 배선 패턴을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 형성할 수도 있다. 형성하는 배선층의 피치에 대해서는, 상기한 바와 같다.After forming the wiring layer, the dry film is peeled off. The dry film can be peeled off, for example, by using an alkaline peeling solution such as a sodium hydroxide solution. If desired, an unnecessary wiring pattern may be removed by etching or the like to form a desired wiring pattern. The pitch of the wiring layers to be formed is as described above.

<공정 (2)>&Lt; Process (2) >

공정 (2)는, 본 발명의 수지 시트를, 배선층이 수지 조성물층에 매립되도록 배선층 부착 기재 위에 적층하고, 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정이다. 상세는, 상기한 공정 (1)에서 수득된 배선층 부착 기재의 배선층을, 수지 시트의 수지 조성물층에 매립되도록 적층시키고, 수지 시트의 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성한다.Step (2) is a step of laminating the resin sheet of the present invention on a substrate with a wiring layer so that the wiring layer is embedded in the resin composition layer, and thermally curing to form an insulating layer. In detail, the wiring layer with the wiring layer with the substrate obtained in the above step (1) is laminated so as to be embedded in the resin composition layer of the resin sheet, and the resin composition layer of the resin sheet is thermally cured to form the insulation layer.

배선층과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 예를 들면, 지지체측에서 수지 시트를 배선층에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 배선층에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 배선층의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the wiring layer and the resin sheet can be performed by, for example, removing the protective film of the resin sheet and thermally bonding the resin sheet to the wiring layer on the support side. Examples of the member for heating and pressing the resin sheet to the wiring layer (hereinafter also referred to as "hot pressing member") include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). Further, it is preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the surface unevenness of the wiring layer, not directly press the resin sheet.

배선층과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098㎫ 내지 1.77㎫, 보다 바람직하게는 0.29㎫ 내지 1.47㎫의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.The lamination of the wiring layer and the resin sheet may be performed by vacuum lamination after removing the protective film of the resin sheet. The hot-pressing temperature in the vacuum laminating method is preferably in the range of 60 占 폚 to 160 占 폚, more preferably 80 占 폚 to 140 占 폚, the hot pressing pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, And the heat pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 13 hPa or less.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체측에서 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기한 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be subjected to smoothing treatment under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, by pressing the hot press member on the support side. The pressing condition of the smoothing treatment may be the same as the conditions of the hot pressing of the laminate. The lamination and the smoothing process may be performed continuously using the commercially available vacuum laminator.

수지 조성물층을 배선층이 매립되도록 배선층 부착 기재 위에 적층한 후, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위, 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위로 할 수 있다. 수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다.The resin composition layer is laminated on the substrate with the wiring layer so that the wiring layer is buried, and then the resin composition layer is thermally cured to form the insulating layer. For example, the thermosetting condition of the resin composition layer varies depending on the type of the resin composition and the like, but the curing temperature may be in the range of 120 占 폚 to 240 占 폚, and the curing time may be in the range of 5 minutes to 120 minutes. The resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer.

수지 시트의 지지체는, 배선층 부착 기재 위에 수지 시트를 적층하여 열경화 한 후에 박리해도 좋고, 배선층 부착 기재 위에 수지 시트를 적층하기 전에 지지체를 박리해도 좋다. 또한, 후술하는 조화 처리 공정 전에, 지지체를 박리해도 좋다.The support of the resin sheet may be peeled off after the resin sheet is laminated on the substrate with the wiring layer and thermally cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the substrate with the wiring layer. Further, the support may be peeled off prior to the coarsening treatment step to be described later.

<공정 (3)>&Lt; Process (3) >

공정 (3)은, 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 상세는, 절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정이다. 또는 절연층을 연마 또는 연삭하고, 배선층을 노출시켜서 금속층과는 다른 배선층을 층간 접속하는 공정이다.Step (3) is a step of interconnecting the wiring layers. The details are the steps of forming a via hole in the insulating layer and forming a conductor layer to interconnect the wiring layers. Or an insulating layer is polished or ground to expose the wiring layer to interconnect the wiring layers different from the metal layer.

절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 비아 홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메카니컬 드릴링 등을 들 수 있는데, 레이저 조사에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이러한 레이저 조사는, 광원으로서 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다. 상세는, 수지 시트의 지지체의 면측에서 레이저 조사를 행하여, 지지체 및 절연층을 관통하여 배선층을 노출시키는 비아 홀을 형성한다.When a step of forming a via hole in the insulating layer and forming a conductor layer to connect the interconnection layers to each other is employed, the formation of the via hole is not particularly limited, and examples thereof include laser irradiation, etching, and mechanical drilling. . &Lt; / RTI &gt; Such laser irradiation can be performed by using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source. Specifically, laser irradiation is performed on the surface side of the support of the resin sheet to form a via hole which penetrates the support and the insulating layer to expose the wiring layer.

레이저 조사의 조건은 특별히 한정되지 않고, 레이저 조사는 선택된 수단에 따라 상법(常法)에 따른 임의 적합한 공정에 의해 실시할 수 있다.The conditions of the laser irradiation are not particularly limited, and the laser irradiation can be carried out by any suitable process according to the normal method according to the selected means.

비아 홀의 형상, 즉, 연장 방향에서 봤을 때의 개구의 윤곽의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 한다.The shape of the via-hole, that is, the shape of the outline of the opening as viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular).

비아 홀 형성 후, 비아 홀 내의 스미어 제거 공정인, 이른바 디스미어 공정을 행하여도 좋다. 후술하는 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 행할 경우에는, 비아 홀에 대해, 예를 들면 습식의 디스미어 처리를 행하여도 좋고, 도체층의 형성을 스퍼터링 공정에 의해 행할 경우에는, 예를 들면 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 행하여도 좋다. 또한, 디스미어 공정은 조화 처리 공정을 겸하고 있어도 좋다.A so-called desmear process may be performed, which is a smear removal process in the via-hole after the formation of the via-hole. In the case where the conductor layer to be described later is formed by the plating process, the via hole may be subjected to, for example, a wet desmear treatment. When the conductor layer is formed by the sputtering process, for example, A dry dismear process such as a treatment process may be performed. The desmearing step may also serve as a roughening treatment step.

도체층을 형성하기 전에, 비아 홀 및 절연층에 대해 조화 처리를 행하여도 좋다. 조화 처리는 통상 행해지는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 건식인 조화 처리의 예로서는 플라즈마 처리 등을 들 수 있고, 습식인 조화 처리의 예로서는 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 행하는 방법을 들 수 있다.Before the conductor layer is formed, the via hole and the insulating layer may be roughened. The harmonizing process can adopt a known procedure and conditions that are normally performed. Examples of the dry coarsening treatment include plasma treatment and the like. Examples of the wet coarsening treatment include a swelling treatment with a swelling solution, a coarsening treatment with an oxidizing agent, and a neutralization treatment with a neutralizing solution in this order.

비아 홀을 형성 후, 도체층을 형성한다. 도체층을 구성하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 도체층은 도금, 스퍼터, 증착 등 종래 공지의 임의 적합한 방법에 의해 형성할 수 있고, 도금에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 적합한 일 실시형태는, 예를 들면, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브트랙티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 도체층은 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다.After the via hole is formed, a conductor layer is formed. The conductor material constituting the conductor layer is not particularly limited, and the conductor layer can be formed by any suitable conventionally known method such as plating, sputtering, or vapor deposition, and is preferably formed by plating. In a preferred embodiment, the conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-insulating method or a pulling method. When the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a conventionally known technique such as a subtractive method. The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys are stacked.

상세는, 절연층의 표면에 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한다. 이때, 전해 도금층의 형성과 함께, 비아 홀을 전해 도금에 의해 매립하여 필드 비아를 형성해도 좋다. 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 또한, 도체층을 형성할 때, 마스크 패턴의 형성에 사용하는 드라이 필름은 상기 드라이 필름과 동일하다.Specifically, the plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. An electrolytic plating layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating. At this time, along with the formation of the electrolytic plating layer, the via holes may be filled by electrolytic plating to form the field vias. After the electrolytic plating layer is formed, the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed. The dry film used for forming the mask pattern when forming the conductor layer is the same as the dry film.

도체층은, 선상의 배선뿐만 아니라, 예를 들면 외부 단자가 탑재될 수 있는 전극 패드(랜드) 등도 포함할 수 있다. 또한 도체층은, 전극 패드만으로 구성되어 있어도 좋다.The conductor layer may include, for example, an electrode pad (land) on which an external terminal can be mounted, as well as wiring on a line. The conductor layer may be composed of only the electrode pad.

또한, 도체층은 도금 시드층 형성 후, 마스크 패턴을 사용하지 않고 전해 도금층 및 필드 비아를 형성하고, 그 후, 에칭에 의한 패터닝을 행함으로써 형성해도 좋다.Further, the conductor layer may be formed by forming an electroplated layer and field via after forming the plating seed layer, without using a mask pattern, and then patterning by etching.

절연층을 연마 또는 연삭하고, 금속층으로서의 배선층을 노출시켜 금속층과는 다른 배선층을 층간 접속하는 공정을 채용하는 경우, 절연층의 연마 방법 또는 연삭 방법으로서는, 배선층을 노출시킬 수 있고, 연마 또는 연삭면이 수평이면 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 연마 방법 또는 연삭 방법을 적용할 수 있으며, 예를 들면, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 숫돌 회전에 의한 평면 연삭 방법 등을 들 수 있다. 절연층에 비아 홀을 형성하고, 도체층을 형성하여 배선층을 층간 접속하는 공정과 동일하게, 스미어 제거 공정, 조화 처리를 행하는 공정을 행하여도 좋고, 도체층을 형성해도 좋다. 또한, 모든 금속층으로서의 배선층을 노출시킬 필요는 없고, 금속층으로서의 배선층의 일부를 노출시켜도 좋다.When the step of grinding or grinding the insulating layer and exposing the wiring layer as the metal layer to interconnect the wiring layers different from the metal layer is employed, the wiring layer can be exposed as the insulating layer grinding method or the grinding method, There is no particular limitation as long as it is horizontal, and a conventionally known polishing method or a grinding method can be applied. For example, a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing apparatus, a mechanical polishing method such as a buff, And the like. The step of removing the smear and the step of roughening may be performed or the conductor layer may be formed in the same manner as the step of forming the via hole in the insulating layer and forming the conductor layer and connecting the interconnection layers to each other. In addition, it is not necessary to expose the wiring layer as all the metal layers, and a part of the wiring layer as the metal layer may be exposed.

<공정 (4)>&Lt; Process (4) >

공정 (4)는, 기재를 제거하고, 본 발명의 회로 기판을 형성하는 공정이다. 기재의 제거 방법은 특별히 한정되지 않는다. 적합한 일 실시형태는, 제1 및 제2 금속층의 계면에서 회로 기판으로부터 기재를 박리하고, 제2 금속층을 예를 들면 염화 구리 수용액 등으로 에칭 제거한다. 필요에 따라, 도체층을 보호 필름으로 보호한 상태로 기판을 박리해도 좋다.Step (4) is a step of removing the substrate to form the circuit board of the present invention. The method of removing the substrate is not particularly limited. In a preferred embodiment, the substrate is peeled from the circuit board at the interface between the first and second metal layers, and the second metal layer is etched away with, for example, a copper chloride aqueous solution. If necessary, the substrate may be peeled off while the conductor layer is protected by a protective film.

[반도체 칩 패키지][Semiconductor Chip Package]

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제1 형태는, 상기 본 발명의 회로 기판 위에 반도체 칩이 탑재된 반도체 칩 패키지이다. 상기 본 발명의 회로 기판에, 반도체 칩을 접합함으로써 반도체 칩 패키지를 제조할 수 있다.A first form of the semiconductor chip package of the present invention is a semiconductor chip package on which the semiconductor chip is mounted on the circuit board of the present invention. A semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to the circuit board of the present invention.

반도체 칩의 단자 전극이 회로 기판의 회로 배선과 도체 접속하는 한, 접합 조건은 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩의 플립 칩 실장에서 사용되는 공지의 조건을 사용해도 좋다. 또한, 반도체 칩과 회로 기판 사이에 절연성의 접착제를 통해 접합해도 좋다.As long as the terminal electrode of the semiconductor chip is conductively connected to the circuit wiring of the circuit board, the bonding conditions are not particularly limited, and known conditions used in the flip chip mounting of the semiconductor chip may be used. Further, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded to each other through an insulating adhesive.

적합한 일 실시형태는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착한다. 압착 조건으로서는, 예를 들면, 압착 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간)으로 할 수 있다.In a preferred embodiment, the semiconductor chip is pressed onto a circuit board. As the compression conditions, for example, the compression temperature is in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably in the range of 130 ° C. to 200 ° C., more preferably in the range of 140 ° C. to 180 ° C.) (Preferably, 5 seconds to 30 seconds).

또한, 다른 적합한 일 실시형태는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합한다. 리플로우 조건으로서는, 예를 들면, 120℃ 내지 300℃의 범위로 할 수 있다.In another suitable embodiment, the semiconductor chip is bonded to the circuit board by reflowing. The reflow condition may be, for example, in the range of 120 占 폚 to 300 占 폚.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 예를 들면, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전함으로써 반도체 칩 패키지를 수득하는 것도 가능하다. 몰드 언더필재로 충전하는 방법은 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트는 몰드 언더필재로서도 사용할 수 있다.It is also possible to obtain a semiconductor chip package by, for example, filling the semiconductor chip with a mold underfill material after bonding the semiconductor chip to the circuit board. The filling with the mold underfill material can be carried out by a known method. The resin composition or resin sheet of the present invention can also be used as a mold underfill material.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제2 양태는, 예를 들면, 도 1에 일례를 도시하는 바와 같은 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)이다. 도 1에 일례를 도시하는 바와 같은 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)(100)는, 밀봉층(120)을 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트로 제조한 반도체 칩 패키지이다. 반도체 칩 패키지(100)는 반도체 칩(110), 반도체 칩(110)의 주위를 덮도록 형성된 밀봉층(120), 반도체 칩(110)의 밀봉층에 덮여 있는 측과는 반대측의 면에 재배선 형성층(절연층)(130), 도체층(재배선층)(140), 솔더 레지스트층(150), 및 범프(160)를 구비한다. 이러한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,The second aspect of the semiconductor chip package of the present invention is, for example, a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in Fig. 1 as an example. A semiconductor chip package (Fan-out type WLP) 100 as shown in Fig. 1 is a semiconductor chip package in which the sealing layer 120 is made of the resin composition or resin sheet of the present invention. The semiconductor chip package 100 includes a semiconductor chip 110, a sealing layer 120 formed so as to cover the periphery of the semiconductor chip 110, a wiring layer 120 on a surface opposite to the side covered with the sealing layer of the semiconductor chip 110, (A re-wiring layer) 140, a solder resist layer 150, and a bump 160. The solder resist layer 150 is formed on the surface of the semiconductor substrate 100, In this method of manufacturing a semiconductor chip package,

(A) 기재에 가고정(假固定) 필름을 적층하는 공정,(A) a step of laminating a temporary fixing film on a substrate,

(B) 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film,

(C) 본 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을 반도체 칩 위에 적층, 또는 본 발명의 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜 밀봉층을 형성하는 공정;(C) a step of laminating the resin composition layer of the resin sheet of the present invention on a semiconductor chip, or applying the resin composition of the present invention onto a semiconductor chip, and thermally curing the resin composition layer to form a sealing layer;

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) peeling the base material and the temporary fixing film from the semiconductor chip,

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정,(E) a step of forming a rewiring layer (insulating layer) on the surface of the base material and the temporary fixing film of the semiconductor chip,

(F) 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정, 및(F) a step of forming a conductor layer (re-wiring layer) on the rewiring layer (insulating layer), and

(G) 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, (H) 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하고, 개편화하는 공정을 포함할 수 있다.(G) forming a solder resist layer on the conductor layer. In addition, a method for manufacturing a semiconductor chip package may include (H) dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them.

<공정 (A)>&Lt; Process (A) >

공정 (A)는, 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (2)에서의 배선층과 수지 시트의 적층 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.Step (A) is a step of laminating a temporary film on a substrate. The lamination conditions of the base material and the temporary film are the same as the lamination conditions of the wiring layer and the resin sheet in the step (2) in the method for producing a circuit board, and the preferable range is also the same.

기재에 사용하는 재료는 특별히 한정되지 않는다. 기재로서는, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 동, 티탄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 스며들게 하여 열경화 처리한 기판(예를 들면 FR-4 기판); 비스말레이미드트리아진 수지(BT 수지)로 이루어진 기판 등을 들 수 있다.The material used for the substrate is not particularly limited. As the substrate, a silicon wafer; Glass wafers; A glass substrate; Metal substrates such as copper, titanium, stainless steel, and cold rolled steel sheets (SPCC); A substrate (for example, FR-4 substrate) obtained by impregnating glass fiber with an epoxy resin or the like and thermally curing the substrate; And a substrate made of a bismaleimide triazine resin (BT resin).

가고정 필름은, 후술하는 공정 (D)에서 반도체 칩으로부터 박리할 수 있는 동시에 반도체 칩을 가고정할 수 있으면 재료는 특별히 한정되지 않는다. 가고정 필름은 시판품을 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 니토 덴코사 제조의 리버 알파 등을 들 수 있다.The temporary fixing film is not particularly limited as long as it can be peeled off from the semiconductor chip in the step (D) to be described later and the semiconductor chip can be temporarily fixed. A commercially available product can be used as the temporary fixing film. Commercially available products include River alpha manufactured by Nitto Denko Corporation.

<공정 (B)>&Lt; Process (B) >

공정 (B)는, 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 플립 칩 본더, 다이본더 등의 공지의 장치를 사용하여 행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치 수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 패키지의 생산 수 등에 따라 적절히 설정할 수 있고, 예를 들면, 복수 행이고, 또한 복수 열의 매트릭스상으로 정렬시켜서 가고정할 수 있다.The step (B) is a step of temporarily fixing the semiconductor chip on the fixed film. The temporary fixation of the semiconductor chip can be performed by using a known device such as a flip chip bonder or a die bonder. The layout and the arrangement number of the arrangement of the semiconductor chips can be appropriately set according to the shape, the size, the number of the semiconductor packages produced, and the like, for example, You can choose to go.

<공정 (C)>&Lt; Process (C) >

공정 (C)는, 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을, 반도체 칩 위에 적층, 또는 본 발명의 수지 조성물을 반도체 칩 위에 도포하고, 열경화시켜서 밀봉층을 형성하는 공정이다. 공정 (C)에서는, 본 발명의 수지 시트의 수지 조성물층을 반도체 칩 위에 적층하고, 열경화시켜서 밀봉층을 형성하는 것이 바람직하다.Step (C) is a step of laminating the resin composition layer of the resin sheet of the present invention on a semiconductor chip, or applying the resin composition of the present invention onto a semiconductor chip and thermally curing to form a sealing layer. In the step (C), it is preferable that the resin composition layer of the resin sheet of the present invention is laminated on the semiconductor chip and thermally cured to form the sealing layer.

반도체 칩과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 예를 들면, 지지체측에서 수지 시트를 반도체 칩에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 반도체 칩에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 반도체 칩의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통해 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the semiconductor chip and the resin sheet can be performed by removing the protective film of the resin sheet, for example, by thermally bonding the resin sheet to the semiconductor chip on the support side. Examples of the member for heating and pressing the resin sheet to the semiconductor chip (hereinafter also referred to as &quot; hot pressing member &quot;) include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). It is also preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the surface unevenness of the semiconductor chip, instead of directly pressing the heat-press member to the resin sheet.

또한, 반도체 칩과 수지 시트의 적층은, 수지 시트의 보호 필름을 제거 후, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에서의 적층 조건은, 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (2)에서의 배선층과 수지 시트의 적층 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The lamination of the semiconductor chip and the resin sheet may be carried out by vacuum lamination after removing the protective film of the resin sheet. The lamination conditions in the vacuum lamination method are the same as the lamination conditions of the wiring layer and the resin sheet in the step (2) in the method for producing a circuit board, and the preferable range is also the same.

수지 시트의 지지체는, 반도체 칩 위에 수지 시트를 적층하여 열경화한 후에 박리해도 좋고, 반도체 칩 위에 수지 시트를 적층하기 전에 지지체를 박리해도 좋다.The support of the resin sheet may be peeled off after the resin sheet is laminated on the semiconductor chip and thermally cured, or the support may be peeled off before the resin sheet is laminated on the semiconductor chip.

수지 조성물의 도포 조건으로서는, 본 발명의 수지 시트에서의 수지 조성물층을 형성할 때의 도포 조건과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The application conditions of the resin composition are the same as the application conditions in forming the resin composition layer in the resin sheet of the present invention, and the preferable range is also the same.

<공정 (D)>&Lt; Process (D) >

공정 (D)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리하는 방법은, 가고정 필름의 재질 등에 따라 적절히 변경할 수 있고, 예를 들면, 가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜 박리하는 방법, 및 기재측으로부터 자외선을 조사시켜, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법 등을 들 수 있다.The step (D) is a step of peeling the base material and the temporary film from the semiconductor chip. The method of peeling can be appropriately changed depending on the material of the temporary film, and examples thereof include a method of peeling off by heating, foaming (or expanding) the temporary fixing film, and a method of peeling off the base film by irradiating ultraviolet rays from the substrate side, And peeling off by lowering the adhesive force.

가고정 필름을 가열, 발포(또는 팽창)시켜 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은, 통상 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 기재측으로부터 자외선을 조사시키고, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은, 통상 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다.In the method of peeling the fixed film by heating, foaming (or expanding) the film, the heating is usually from 100 to 250 DEG C for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. In addition, in a method of irradiating ultraviolet rays from the substrate side and peeling off the adhesive force of the temporary fixing film, the irradiation amount of ultraviolet rays is usually from 10 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2.

<공정 (E)>&Lt; Process (E) >

공정 (E)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 공정이다.The step (E) is a step of forming a rewiring layer (insulating layer) on the substrate of the semiconductor chip and the surface on which the temporary fixing film is peeled off.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료는, 재배선 형성층(절연층) 형성시에 절연성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 본 발명의 수지 시트를 형성하기 위한 수지 조성물과 동일한 조성의 수지 조성물을 사용해도 좋다.The material for forming the rewiring film forming layer (insulating layer) is not particularly limited as long as it has insulation property at the time of forming the rewiring layer (insulating layer), and from the viewpoint of easiness of manufacturing the semiconductor chip package, a photosensitive resin or a thermosetting resin is preferable Do. As the thermosetting resin, a resin composition having the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of the present invention may be used.

재배선 형성층(절연층)을 형성 후, 반도체 칩과 후술하는 도체층을 층간 접속하기 위해, 재배선 형성층(절연층)에 비아 홀을 형성해도 좋다.After the rewiring layer (insulating layer) is formed, a via hole may be formed in the rewiring layer (insulating layer) in order to connect the semiconductor chip and the conductor layer described later to each other.

비아 홀을 형성함에 있어서, 재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 감광성 수지인 경우, 우선, 재배선 형성층(절연층)의 표면에 마스크 패턴을 통해 활성 에너지선을 조사하고, 조사부의 재배선층을 광경화시킨다.In forming the via hole, when the material forming the rewiring layer (insulating layer) is a photosensitive resin, first, the active energy ray is irradiated to the surface of the rewiring layer (insulating layer) through the mask pattern, The wiring layer is photo-cured.

활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량, 조사 시간은, 감광성 수지에 따라 적절히 변경할 수 있다. 노광 방법으로서는, 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시켜 노광하는 접촉 노광법과, 마스크 패턴을 재배선 형성층(절연층)에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법 중 어느 하나를 사용해도 좋다.Examples of the active energy ray include ultraviolet ray, visible ray, electron ray and X-ray, and ultraviolet ray is particularly preferable. The irradiation amount of the ultraviolet ray and the irradiation time can be appropriately changed depending on the photosensitive resin. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which the mask pattern is exposed to the rewiring layer (insulating layer) in close contact with the substrate, and a non-contact exposure method in which the mask pattern is exposed to the substrate using a parallel light beam May be used.

다음으로, 재배선 형성층(절연층)을 현상하고, 미노광부를 제거함으로써, 비아 홀을 형성한다. 현상은, 웨트 현상, 드라이 현상 중 어느 것도 적합하다. 웨트 현상에서 사용하는 현상액은 공지의 현상액을 사용할 수 있다.Next, the rewiring layer (insulating layer) is developed and the unexposed portions are removed to form via holes. Any of the wet process and the dry process is suitable for the development. A known developing solution may be used for the developing solution used in the wet phenomenon.

현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있고, 해상성의 관점에서, 패들 방식이 적합하다.Examples of the development method include a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method, and the like, and from the viewpoint of resolution, a paddle method is suitable.

재배선 형성층(절연층)을 형성하는 재료가 열경화성 수지인 경우, 비아 홀의 형성은 특별히 한정되지 않지만, 레이저 조사, 에칭, 메카니컬 드릴링 등을 들 수 있는데, 레이저 조사에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 레이저 조사는, 광원으로서 탄산 가스 레이저, UV-YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 사용하는 임의 적합한 레이저 가공기를 사용하여 행할 수 있다.When the material forming the rewiring film forming layer (insulating layer) is a thermosetting resin, the formation of the via hole is not particularly limited, but laser irradiation, etching, and mechanical drilling can be mentioned. The laser irradiation may be performed using any suitable laser processing machine using a carbon dioxide gas laser, a UV-YAG laser, an excimer laser, or the like as a light source.

레이저 조사의 조건은 특별히 한정되지 않고, 레이저 조사는 선택된 수단에 따라 상법에 따른 임의 적합한 공정에 의해 실시할 수 있다.The conditions of the laser irradiation are not particularly limited, and the laser irradiation can be carried out by any suitable process according to the commercial method according to the selected means.

비아 홀의 형상, 즉, 연장 방향에서 봤을 때의 개구의 윤곽의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 원형(대략 원형)으로 한다. 비아 홀의 탑 직경(재배선 형성층(절연층) 표면의 개구의 직경)은, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상이다.The shape of the via-hole, that is, the shape of the outline of the opening as viewed in the extending direction is not particularly limited, but is generally circular (approximately circular). The diameter of the top of the via hole (the diameter of the opening on the surface of the rewiring layer (insulating layer)) is preferably 50 占 퐉 or less, more preferably 30 占 퐉 or less, further preferably 20 占 퐉 or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 10 占 퐉 or more, more preferably 15 占 퐉 or more, and further preferably 20 占 퐉 or more.

<공정 (F)>&Lt; Process (F) >

공정 (F)는, 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층(재배선층)을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층(절연층) 위에 도체층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (3)의 절연층에 비아 홀을 형성한 후의 도체층을 형성하는 방법과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복하여 행하고, 도체층(재배선층) 및 재배선 형성층(절연층)을 교대로 쌓아 올려(빌드 업)도 좋다.Step (F) is a step of forming a conductor layer (re-wiring layer) on the rewiring layer (insulating layer). The method of forming the conductor layer on the rewiring film forming layer (insulating layer) is the same as the method of forming the conductor layer after the via hole is formed in the insulating layer of the step (3) in the method of manufacturing the circuit board, same. The step (E) and the step (F) may be repeated to build up (build up) the conductor layer (re-wiring layer) and the rewiring layer (insulating layer) alternately.

<공정 (G)>&Lt; Process (G) >

공정 (G)는, 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다.Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the conductor layer.

솔더 레지스트층을 형성하는 재료는, 솔더 레지스트층 형성시에 절연성을 갖고 있으면 특별히 한정되지 않고, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 본 발명의 수지 시트를 형성하기 위한 수지 조성물과 동일한 조성의 수지 조성물을 사용해도 좋다.The material for forming the solder resist layer is not particularly limited as long as it has an insulating property at the time of forming the solder resist layer, and from the viewpoint of ease of production of the semiconductor chip package, a photosensitive resin or a thermosetting resin is preferable. As the thermosetting resin, a resin composition having the same composition as the resin composition for forming the resin sheet of the present invention may be used.

또한, 공정 (G)에서는, 필요에 따라, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행하여도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아 홀의 형성은 공정 (E)와 동일하게 행할 수 있다.In the step (G), bumping processing for forming bumps may be carried out if necessary. The bumping process can be performed by a known method such as solder balls, solder plating, and the like. The formation of the via-hole in the bumping process can be performed in the same manner as in the step (E).

<공정 (H)>&Lt; Process (H) >

반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (A) 내지 공정 (G) 이외에 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하여, 개편화하는 공정이다.The manufacturing method of the semiconductor chip package may include the step (H) in addition to the steps (A) to (G). The step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and disassembling them.

반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 사용할 수 있다.A method of dicing a semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited, and a known method can be used.

본 발명의 반도체 칩 패키지의 제3 형태는, 예를 들면, 도 1에 일례를 나타내는 바와 같은 반도체 칩 패키지(Fan-out형 WLP)에서의 재배선 형성층(절연층)(130), 솔더 레지스트층(150)을 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트로 제조한 반도체 칩 패키지이다.A third form of the semiconductor chip package of the present invention is a package comprising a rewiring layer (insulating layer) 130 in a semiconductor chip package (Fan-out type WLP) as shown in Fig. 1, (150) is made of the resin composition or resin sheet of the present invention.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 칩 패키지를 실장하게 되는 반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등으로 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device to be mounted on the semiconductor chip package of the present invention include a semiconductor device such as an electronic product (e.g., a computer, a mobile phone, a smart phone, a tablet device, a wearable device, a digital camera, a medical device, For example, a motorcycle, an automobile, a tanker, a ship, an aircraft, and the like).

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서, 「부」 및 「%」는, 별도로 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following description, "part" and "%" mean "part by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.

<필 강도 측정용 샘플의 조제>&Lt; Preparation of sample for peel strength measurement >

(1) 내층 회로 기판의 하지(下地) 처리(1) Underlayer treatment of inner layer circuit board

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.3㎜, 파나소닉사 제조 R5715ES)의 양면을 멕사 제조 CZ8100에 침지하여 동의 표면 조화 처리를 행하였다.Both surfaces of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (thickness of copper foil of 18 mu m, substrate thickness of 0.3 mm, R5715ES manufactured by Panasonic Corporation) on which an inner layer circuit was formed were immersed in CZ8100 manufactured by Megasai to perform copper surface roughening treatment.

(2) 수지 시트의 제작(2) Production of resin sheet

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(도레이사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 이하, 「이형 PET」라는 경우가 있음) 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 100㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 100℃(평균 90℃)에서 7분간 건조하여 수지 시트를 수득했다.A PET film (&quot; Lumirror80 &quot;, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 38 mu m and a softening point of 130 DEG C or less, a resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was subjected to release treatment with an alkyd resin releasing agent (AL- (Which may be referred to as &quot; mold releasing PET &quot;) with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying is 100 탆, and dried at 80 캜 to 100 캜 (average 90 캜) for 7 minutes to obtain a resin sheet.

(3) 수지 시트의 라미네이트(3) Laminate of resin sheet

제작한 수지 시트를, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조 2스테이지 빌드 업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층했다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 120℃, 압력 0.74㎫로 30초간 압착시킴으로써 실시했다. 이어서, 120℃, 압력 0.5㎫에서 60초간 열 프레스를 행하였다.The produced resin sheet was laminated on both surfaces of the inner-layer circuit board so that the resin composition layer was bonded to the inner-layer circuit board using a batch-type vacuum press laminator (CVP700, 2 stage buildup laminator manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.). The lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to bring the air pressure to 13 hPa or less, followed by compression at 120 DEG C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Then, hot pressing was performed at 120 DEG C and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds.

(4) 금속층(동박)과의 라미네이트(4) Laminate with metal layer (copper foil)

그 후, 지지체를 박리하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 수지 조성물층과 전해 동박의 조화면이 접합하도록, 전해 동박(JX 닛코 닛세키 킨조쿠사 제조 「JTCP」, 두께 35㎛, 조화면의 최대 높이(Rz: JIS B0601-2001): 6㎛)를 적층했다. 이어서, 상기 라미네이터 장치를 사용하여 동일한 조건에서 적층했다.Thereafter, the support was peeled off, and an electrolytic copper foil ("JTCP" manufactured by Nikko Nisseki Kinzoku KK) having a thickness of 35 μm was formed on the surface of the exposed resin composition layer so as to bond the roughened surface of the electrolytic copper foil with the resin composition layer. Maximum height (Rz: JIS B0601-2001): 6 mu m). Then, the laminate was laminated under the same conditions using the laminator apparatus.

(5) 수지 조성물의 경화(5) Curing of resin composition

적층 후, 180℃, 90분의 경화 조건에서 수지 조성물층을 경화했다.After the lamination, the resin composition layer was cured at 180 DEG C for 90 minutes.

<동박의 박리 강도(필 강도)의 측정 및 평가><Measurement and evaluation of peel strength (peel strength) of copper foil>

전해 동박에 폭 10㎜, 길이 100㎜인 부분 절개를 넣고, 이 일단을 벗겨 집게(티 에스 이사 제조의 오토 컴형 시험기 「AC-50C-SL」)로 잡고, 실온 중에서 50㎜/분의 속도로 수직 방향으로 20㎜를 박리했을 때의 하중(kgf/㎝)을 측정하여, 필 강도를 구했다.A partial incision having a width of 10 mm and a length of 100 mm was placed on the electrolytic copper foil and the one end was peeled off and held with a tweezer (AC-50C-SL, manufactured by TESEISA Inc.) at room temperature at a rate of 50 mm / The load (kgf / cm) when 20 mm was peeled in the vertical direction was measured to determine the peel strength.

<경화물의 열전도율의 측정>&Lt; Measurement of Thermal Conductivity of Cured Product &

(1) 경화물의 시료의 조제(1) Preparation of samples of cured products

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시를 이형 PET 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 100㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 80℃ 내지 100℃(평균 90℃)에서 7분간 건조하여 수지 시트를 수득했다.The resin varnish prepared in the examples and the comparative examples was applied on the release PET with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 100 탆 and dried at 80 캜 to 100 캜 (average 90 캜) for 7 minutes, .

제작한 수지 시트를, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조 2스테이지 빌드 업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층을 3장 겹친 후, 180℃, 90분의 경화 조건에서 수지 조성물층을 경화하여, 시료를 수득했다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이상으로 하고, 그 후 20초간 120℃, 압력 0.4㎫로 프레스함으로써 경화물의 시료를 수득했다.Three resin composition layers were laminated using a batch type vacuum press laminator (CVP700, a two-stage build-up laminator manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.), and the resulting resin sheet was laminated at 180 ° C for 90 minutes under a curing condition, Was cured to obtain a sample. The laminate was decompressed for 30 seconds to set the air pressure to 13 hPa or more, and then pressed at 120 DEG C and 0.4 MPa pressure for 20 seconds to obtain a sample of the cured product.

(2) 열 확산율 α의 측정(2) Measurement of thermal diffusivity?

경화물의 시료에 대해, 당해 경화물 시료의 두께 방향의 열 확산율 α(㎡/s)를 ai-Phase사 제조 「ai-Phase Mobile 1u」를 사용하여 온도파 분석법에 의해 측정했다. 동일 시료에 대하여 3회 측정을 행하여, 평균값을 산출했다.With respect to the sample of the cured product, the thermal diffusivity a (m &lt; 2 &gt; / s) in the thickness direction of the cured sample was measured by a temperature wave analysis method using "ai-Phase Mobile 1u" manufactured by ai-Phase. The same sample was subjected to measurement three times, and an average value was calculated.

3) 비열용량 Cp의 측정3) Measurement of specific heat capacity Cp

경화물의 시료에 대해, 시차 주사 열량계(SII 나노 테크놀로지사 제조 「DSC7020」)를 사용하여, -40℃에서 80℃까지 10℃/분으로 승온하고 측정함으로써, 경화물 시료의 25℃에서의 비열용량 Cp(J/ kg·K)을 산출했다.The sample of the cured product was heated at -10 占 폚 / min from -40 占 폚 to 80 占 폚 using a differential scanning calorimeter ("DSC7020" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.) and the specific heat capacity Cp (J / kg · K) was calculated.

(4) 밀도 ρ의 측정(4) Measurement of density ρ

경화물 시료의 밀도(㎏/㎥)를, 메틀러 톨레도사 제조 분석 저울 XP105(비중 측정 키트 사용)을 사용하여 측정했다.The density (kg / m3) of the cured product sample was measured using Analytical Balance XP105 (using a specific gravity measurement kit) manufactured by Mettler Toledo Corporation.

(5) 열전도율 λ의 산출(5) Calculation of thermal conductivity?

상기 (2) 내지 (4)에서 수득된 열 확산율 α(㎡/s), 비열용량 Cp(J/㎏·K), 및 밀도 ρ(㎏/㎥)를 하기 식 (I)에 대입하여, 열전도율 λ(W/ m·K)를 산출했다.The heat diffusion coefficient? (M 2 / s), the specific heat capacity Cp (J / kg · K) and the density? (Kg / m 3) obtained in the above (2) to (4) ? (W / m 占 를) was calculated.

λ=α×Cp×ρ (I)? =? Cp? (I)

<충전성의 평가>&Lt; Evaluation of chargeability &

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 바니시의 고형분 농도가 85질량% 이상이되도록 수지 바니시를 조제하고, 이형 PET 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 100㎛가 되도록 다이코터로 도포했다. 문제없이 시트상으로 성형 가능했던 경우를 「○」, 수지 바니시 점도가 1.5Pa·s(25℃, E형 점도계)를 초과하여, 성형 성이 나빠 줄이 들어간 경우를 「△」, 수지 바니시 점도가 2.5Pa·s(25℃, E형 점도계)를 초과하여, 시트상으로 성형할 수 없었던 경우를 「×」라고 했다.A resin varnish was prepared so that the solid content concentration of the resin varnish prepared in the examples and comparative examples was 85% by mass or more, and the resin varnish was applied on the release PET by a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 100 탆. (?), A case where the resin varnish viscosity exceeded 1.5 Pa · s (25 ° C, E-type viscometer) and the moldability became worse was indicated as "Δ", the resin varnish viscosity Quot; x &quot; when the viscosity exceeded 2.5 Pa · s (25 ° C, E-type viscometer) and could not be formed into a sheet form.

<합성예 1: 엘라스토머 1의 합성>&Lt; Synthesis Example 1: Synthesis of elastomer 1 >

반응 용기에 G-3000(2 관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 수 평균 분자량=5047(GPC법), 하이드록실기 당량=1798g/eq., 고형분 100질량%: 니혼 소다사 제조) 69g과, 이프졸 150(방향족 탄화수소계 혼합 용매: 이데미츠 세키유 카가쿠사 제조) 40g, 디부틸 주석 라우레이트 0.005g을 혼합하여 균일하게 용해시켰다. 균일하게 되었을 때 50℃로 승온하고, 추가로 교반하면서 이소포론디이소시아네이트(에보닉 데구사 재팬사 제조, IPDI 이소시아네이트기 당량=113g/eq.) 8g을 첨가하여 약 3시간 반응을 행하였다. 이어서, 이 반응물을 실온까지 냉각하고 나서, 이것에 크레졸노볼락 수지(KA-1160, DIC사 제조, 수산기 당량=117g/eq.) 23g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 60g을 첨가하고, 교반하면서 80℃까지 승온하여, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2250㎝^-1의 NCO 피크의 소실의 확인을 행하였다. NCO 피크 소실의 확인을 갖고 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하고 나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 폴리부타디엔 구조 및 페놀성 수산기를 갖는 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)을 수득했다. 수 평균 분자량은 5500이었다.69 g of G-3000 (bifunctional hydroxyl terminated polybutadiene, number average molecular weight = 5047 (GPC method), hydroxyl group equivalent = 1798 g / eq., Solid content: 100% by mass: manufactured by Nippon Soda Co., 40 g of Ip Sol 150 (aromatic hydrocarbon-based mixed solvent: Idemitsu Sekiyu Kagaku Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When the temperature became uniform, the temperature was raised to 50 ° C, and 8 g of isophorone diisocyanate (IPDI isocyanate group equivalent = 113 g / eq., Manufactured by Ebonic Degussa Japan Co.) was further added while stirring, and the reaction was carried out for about 3 hours. Subsequently, the reaction product was cooled to room temperature, 23 g of cresol novolac resin (KA-1160, manufactured by DIC Corporation, hydroxyl group equivalent = 117 g / eq.) And 60 g of ethyl diglycol acetate , The temperature was raised to 80 캜 while stirring, and the reaction was carried out for about 4 hours. From the FT-IR, the disappearance of the NCO peak at 2250 cm ^-1 was confirmed. The reaction product was cooled to room temperature and then filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain an elastomer 1 having a polybutadiene structure and a phenolic hydroxyl group (nonvolatile content of 50 mass%) . The number average molecular weight was 5,500.

<합성예 2: 엘라스토머 2의 합성>&Lt; Synthesis Example 2: Synthesis of elastomer 2 >

반응 용기에 G-3000(2 관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 수 평균 분자량=5047(GPC법), 하이드록실기 당량=1798g/eq., 고형분 100질량%: 니혼 소다사 제조) 50g과, 이프졸 150(방향족 탄화수소계 혼합 용매: 이데미츠 세키유 카가쿠사 제조) 23.5g, 디부틸 주석 라우레이트 0.005g을 혼합하여 균일하게 용해시켰다. 균일하게 되었을 때 50℃로 승온하고, 더욱 교반하면서 톨루엔-2,4-디이소시아네이트(이소시아네이트기 당량=87.08g/eq.) 4.8g을 첨가하여 약 3시간 반응을 행하였다. 이어서, 이 반응물을 실온까지 냉각하고 나서, 이것에 벤조페논테트라카복실산 2무수물(산 무수물 당량=161.1g/eq.) 8.96g과, 트리에틸렌디아민 0.07g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 40.4g을 첨가하고, 교반하면서 130℃까지 승온하여, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2250㎝^-1의 NCO 피크의 소실의 확인을 행하였다. NCO 피크 소실의 확인을 갖고 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하고 나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 이미드 구조, 우레탄 구조, 및 폴리부타디엔 구조를 갖는 엘라스토머 2(불휘발분 50질량%)를 수득했다. 수 평균 분자량은 13700이었다.50 g of G-3000 (bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, number average molecular weight = 5047 (GPC method), hydroxyl group equivalent = 1798 g / eq., Solid content of 100% by mass: manufactured by Nippon Soda Co., 23.5 g of IFEP 150 (aromatic hydrocarbon-based mixed solvent: manufactured by Idemitsu Sekiyu Kagaku Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When the mixture became homogeneous, the temperature was raised to 50 ° C, and 4.8 g of toluene-2,4-diisocyanate (isocyanate group equivalent = 87.08 g / eq.) Was further added with stirring and the reaction was carried out for about 3 hours. Subsequently, the reaction product was cooled to room temperature, and then 8.96 g of benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride (equivalent amount of acid anhydride = 161.1 g / eq.), 0.07 g of triethylenediamine, 0.04 g of ethyldiglycol acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, And the temperature was raised to 130 캜 with stirring, and the reaction was carried out for about 4 hours. From the FT-IR, the disappearance of the NCO peak at 2250 cm ^-1 was confirmed. The reaction product was cooled to room temperature and filtered through a 100 mesh filter to obtain an elastomer 2 having an imide structure, a urethane structure and a polybutadiene structure (nonvolatile content of 50 mass% ). The number average molecular weight was 13,700.

<열전도성 필러의 평균 입자 직경의 측정>&Lt; Measurement of average particle diameter of thermally conductive filler >

20ml의 바이알병에 열전도성 필러 0.01g, 비이온계 분산제(니혼 유시사 제조 「T208.5」) 0.2g, 순수(純水) 10g을 첨가하고, 초음파 세정기로 10분간 초음파 분산을 행하여, 샘플을 조제했다. 이어서 레이저 회절 입도 분포 측정 장치(시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD2200」)에 샘플을 투입하여, 순환시키면서 초음파를 10분간 조사했다. 그 후, 초음파를 멈추고, 샘플의 순환을 유지한 채 입도 분포의 측정을 행하여, 열전도성 필러의 평균 입자 직경을 구했다. 또한, 측정시의 굴절률은 1.45-0.001i로 설정했다.0.01 g of a thermally conductive filler, 0.2 g of a nonionic dispersant (&quot; T208.5 &quot;, manufactured by NOF Corporation) and 10 g of pure water were added to a vial bottle of 20 ml and ultrasonically dispersed for 10 minutes by an ultrasonic cleaner, . Subsequently, a sample was placed in a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus ("SALD2200" manufactured by Shimadzu Corporation), and ultrasonic waves were irradiated for 10 minutes while circulating. Thereafter, the ultrasonic wave was stopped, and the particle size distribution was measured while the circulation of the sample was maintained to obtain the average particle diameter of the thermally conductive filler. The refractive index at the time of measurement was set to 1.45-0.001i.

<열전도성 필러의 비표면적의 측정>&Lt; Measurement of specific surface area of thermally conductive filler &

비표면적은, 자동 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 「Macsorb HM-1210」)를 사용하고, 질소 BET법에 의해 구했다.The specific surface area was determined by a nitrogen BET method using an automatic specific surface area measuring apparatus ("Macsorb HM-1210" manufactured by Mounetech Co., Ltd.).

<사용한 열전도성 필러><Heat-Conductive Filler Used>

알루미나 1: 평균 입자 직경 및 비표면적이 다른 알루미나를 혼합하고, 평균 입자 직경 4.2㎛, 비표면적 0.8㎡/g이 되도록 조제했다.Alumina 1: alumina having a different average particle diameter and specific surface area was mixed to prepare an average particle diameter of 4.2 占 퐉 and a specific surface area of 0.8 m2 / g.

알루미나 2: 평균 입자 직경 및 비표면적이 다른 알루미나를 혼합하고, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비표면적 1.5㎡/g이 되도록 조제했다.Alumina 2: Alumina having different average particle diameter and specific surface area were mixed to prepare an average particle diameter of 3.0 占 퐉 and a specific surface area of 1.5 m2 / g.

알루미나 3: 평균 입자 직경 4㎛의 알루미나(쇼와 덴코사 제조 「CB-P05」, 비표면적 0.7㎡/g)Alumina 3: alumina (CB-P05, manufactured by Showa Denko K.K., average surface area 0.7 m 2 / g) having an average particle diameter of 4 μm,

알루미나 4: 평균 입자 직경 2㎛의 알루미나(쇼와 덴코사 제조 「CB-P02」, 비표면적 1.1㎡/g)Alumina 4: alumina (CB-P02, manufactured by Showa Denko K.K., having a specific surface area of 1.1 m &lt; 2 &gt; / g)

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 3부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 1을 215부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 20부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., , 3 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 215 parts of alumina 1, 20 parts of elastomer 1 (solid content 50% by mass, number average molecular weight 5500), 20 parts of solid phase naphthol curing agent (&quot; SN485 &quot;, hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a solid content of 5 mass% in MEK solution) and 15 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 6부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 2부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 2를 210부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 20부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.6 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent 440 g / eq), 6 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd .; bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin , 2 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a beccylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 20 parts of alumina 2, 20 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts of a solid phase naphthol curing agent (&quot; SN485 &quot;, hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a solid content of 5 mass% in MEK solution) and 15 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 4부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 2를 210부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 24부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 13부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., 4 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 24 parts of alumina 2, 24 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts of a solid phase naphthol curing agent (SN485 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku KK, hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of a solid content MEK solution) and 13 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 4><Example 4>

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 4부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 7부에 용해하고, 알루미나 2를 170부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 24부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 9부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., 4 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 7 parts of cyclohexanone , 24 parts of alumina 2, 24 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts by mass of a solid phase naphthol curing agent (SN485 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a solid content of 5 mass% of MEK solution) and 9 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 4부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 3부를 사이클로헥사논 13부에 용해하고, 알루미나 1을 215부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 12부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 8부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., , 4 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 3 parts of a beccylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 13 parts of cyclohexanone , 12 parts of alumina 1, 12 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts of solid phase naphthol curing agent (SN485 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5% by mass of a solid content of MEK solution) and 15 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 3부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 1을 215부, 엘라스토머 2(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 13700) 20부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., , 3 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 215 parts of alumina 1, 20 parts of elastomer 2 (solid content 50% by mass, number average molecular weight of 13700), 2 parts of solid phase naphthol curing agent (SN485, SNR 215, solid content 50% , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a solid content of 5 mass% in MEK solution) and 15 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 4부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 2를 210부, 엘라스토머 2(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 13700) 24부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 13부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., 4 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 24 parts of alumina 2, 24 parts of elastomer 2 (solid content 50% by mass, number average molecular weight: 13700), 24 parts of solid phase naphthol curing agent (SN485, SNR 215, solid content 50% MEK solution, manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of a solid content MEK solution) and 13 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 3부를 사이클로헥사논 14부에 용해하고, 알루미나 1을 215부, 폴리에스테르 수지(유니치카사 제조, UE3400) 5부, 고체상 나프톨 계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 18부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., , 5 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 3 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 14 parts of cyclohexanone , 215 parts of alumina 1, 5 parts of a polyester resin (UE3400, manufactured by Uni-Chika Corporation), 10 parts of a solid phase naphthol curing agent (SN485, a hydroxyl group equivalent 215, and a solid content of 50% , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of a solid content MEK solution) and 18 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed by a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 5부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 3부를 사이클로헥사논 5부에 용해하고, 알루미나 1을 100부, 폴리에스테르 수지(유니치카사 제조, UE3400) 5부, 고체상 나프톨 계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 7부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., 5 parts of a 1: 1 mixture (by mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 3 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 5 parts of cyclohexanone , 10 parts of alumina 1, 5 parts of a polyester resin (UE3400, manufactured by Unichica Corporation), 10 parts of a solid phase naphthol curing agent (&quot; SN485 &quot;, a hydroxyl group equivalent 215 and a solid content of 50% , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), an MEK solution of a solid content of 5 mass%) and 7 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 3부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 3을 215부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 20부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 15부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., , 3 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylenol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 215 parts of alumina 3, 20 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts of a solid phase naphthol curing agent (SN485 manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), a solid content of 5 mass% in MEK solution) and 15 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

<비교예 4>&Lt; Comparative Example 4 &

고반발 탄성 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX7400」, 에폭시 당량 440g/eq) 4부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq) 4부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량: 185g/eq) 2부를 사이클로헥사논 10부에 용해하고, 알루미나 4를 210부, 엘라스토머 1(고형분 50질량%, 수 평균 분자량 5500) 24부, 고체상 나프톨계 경화제(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액) 6부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, 메틸에틸케톤 13부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 수지 바니시를 제작했다.4 parts of a high resilience elastic epoxy resin ("YX7400" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 440 g / eq), 4 parts of a liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Shinnetsu Tetsu Sumikin Kagaku Co., 4 parts of a 1: 1 mixture (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq) and 2 parts of a biquicylol type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 185 g / eq) were dissolved in 10 parts of cyclohexanone , 24 parts of alumina 4, 24 parts of elastomer 1 (50 parts by mass of solid content, 5500 of number average molecular weight), 2 parts of a solid phase naphthol curing agent (&quot; SN485 &quot;, hydroxyl group equivalent 215, , 3 parts of a curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5 parts by mass of a solid content MEK solution) and 13 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish.

하기 표 중의 약어 등은 이하와 같다.The abbreviations and the like in the following table are as follows.

엘라스토머 1: 합성예 1에서 제조한 엘라스토머Elastomer 1: The elastomer prepared in Synthesis Example 1

엘라스토머 2: 합성예 2에서 제조한 엘라스토머Elastomer 2: The elastomer prepared in Synthesis Example 2

YX7400: 고반발 탄성 에폭시 수지, 에폭시 당량 440g/eq, 미츠비시 카가쿠사 제조YX7400: high resilience elastic epoxy resin, epoxy equivalent 440 g / eq, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.

ZX1059: 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조ZX1059: 1: 1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g / eq, manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co.,

YX4000HK: 비크실레놀형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 185g/eq, 미츠비시 카가쿠사 제조YX4000HK: biquilene-type epoxy resin, epoxy equivalent: 185 g / eq, manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.

알루미나 1: 평균 입자 직경 및 비표면적이 다른 알루미나의 혼합물, 평균 입자 직경 4.2㎛, 비표면적 0.8㎡/gAlumina 1: mixture of alumina different in average particle diameter and specific surface area, average particle diameter 4.2 占 퐉, specific surface area 0.8 m2 / g

알루미나 2: 평균 입자 직경 및 비표면적이 다른 알루미나의 혼합물, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비표면적 1.5㎡/gAlumina 2: mixture of alumina different in average particle diameter and specific surface area, average particle diameter 3.0 탆, specific surface area 1.5 m2 / g

알루미나 3: 평균 입자 직경 4㎛의 알루미나(쇼와 덴코사 제조 「CB-P05」, 비표면적 0.7㎡/g)Alumina 3: alumina (CB-P05, manufactured by Showa Denko K.K., average surface area 0.7 m 2 / g) having an average particle diameter of 4 μm,

알루미나 4: 평균 입자 직경 2㎛의 알루미나(쇼와 덴코사 제조 「CB-P02」, 비표면적 1.1㎡/g)Alumina 4: alumina (CB-P02, manufactured by Showa Denko K.K., having a specific surface area of 1.1 m &lt; 2 &gt; / g)

SN485: 고체상 나프톨계 경화제, 수산기 당량 215, 고형분 50%의 MEK 용액, 신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조SN485: solid phase naphthol curing agent, hydroxyl equivalent 215, 50% solids MEK solution, manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co.,

DMAP: 경화 촉진제, 4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 MEK 용액DMAP: Curing accelerator, 4-dimethylaminopyridine, 5% by mass of MEK solution

UE3400: 폴리에스테르 수지, 유니치카사 제조UE3400: polyester resin, manufactured by Uniqica

(A) 성분의 함유량: (C) 성분을 제외한 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 함유량(질량%)을 나타낸다.(A) content: The content (% by mass) when the nonvolatile component of the resin composition excluding the component (C) is 100 mass%.

(C) 성분의 함유량: 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 함유량(질량%)을 나타낸다.(C) Content: The content (% by mass) when the nonvolatile component of the resin composition is taken as 100 mass%.

[표 1][Table 1]

실시예 1 내지 실시예 7에 나타낸 바와 같이, (A) 내지 (C) 성분을 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 절연층은, 열전도율 및 금속층에 대한 필 강도가 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 실시예 7은 충전성이 우수하므로, 시트상으로 제막하기 쉬운 것도 알 수 있다. 한편, (A) 성분을 포함하지 않는 비교예 1 내지 비교예 2는 필 강도가 실시예 1 내지 실시예 7에 비해 떨어지는 것을 알 수 있다. 또한, (C) 성분을 포함하지 않는 비교예 3 내지 4는, 점도가 2.5Pa·s를 초과하여 시트상으로 성형할 수 없고, 필 강도 및 열전도율을 평가할 수 없었다. 또한, (D) 및 (E) 성분을 함유하지 않는 경우에도, 정도의 차는 있지만 상기 실시예와 동일한 결과로 귀착하는 것을 확인하고 있다.As shown in Examples 1 to 7, it can be seen that the insulating layer formed from the resin composition containing the components (A) to (C) has excellent thermal conductivity and excellent peel strength to the metal layer. In addition, since Examples 1 to 7 are excellent in filling property, it is also easy to form the film in a sheet form. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 2 which do not contain the component (A), it is understood that the peel strength is lower than those of Examples 1 to 7. Further, in Comparative Examples 3 to 4 which did not contain the component (C), the viscosity exceeded 2.5 Pa · s and could not be formed into a sheet, and the peel strength and thermal conductivity could not be evaluated. In addition, even when the components (D) and (E) are not contained, it is confirmed that the same results as in the above-mentioned Examples are obtained although there is a difference in degree.

100 반도체 칩 패키지
110 반도체 칩
120 밀봉층
130 재배선 형성층(절연층)
140 도체층(재배선층)
150 솔더 레지스트층
160 범프100 semiconductor chip package
110 semiconductor chip
120 sealing layer
130 Reinforcing layer (insulating layer)
140 conductor layer (re-wiring layer)
150 solder resist layer
160 bump

Claims (18)

(A) 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 및 폴리카보네이트 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지,
(B) 방향족 구조를 갖는 에폭시 수지, 및
(C) 열전도성 필러를 함유하고,
(C) 성분의 평균 입자 직경이 2.5㎛ 내지 5.0㎛이고, 비표면적이 0.8㎡/g 이상인, 수지 조성물.(A) a resin having at least one structure selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in a molecule,
(B) an epoxy resin having an aromatic structure, and
(C) a thermally conductive filler,
(C) has an average particle diameter of 2.5 탆 to 5.0 탆, and a specific surface area of 0.8 m 2 / g or more. 제1항에 있어서, 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물과 금속층과의 필 강도가 0.4kgf/㎝ 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the resin composition has a fill strength of 0.4 kgf / cm or more between the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 캜 for 90 minutes and the metal layer. 제1항에 있어서, 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물과 전해 동박과의 필 강도가 0.4kgf/㎝ 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the resin composition has a fill strength of 0.4 kgf / cm or more between the cured product obtained by thermosetting the resin composition at 180 ° C for 90 minutes and the electrolytic copper foil. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 87질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the content of the component (C) is 87% by mass or more based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. 제1항에 있어서, (C) 성분이 알루미나인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is alumina. 제1항에 있어서, 수지 조성물을 180℃에서 90분간 열경화시킨 경화물의 열전도율이 1.5W/m·K 내지 5.0W/m·K인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the cured product obtained by thermally curing the resin composition at 180 캜 for 90 minutes has a thermal conductivity of 1.5 W / mK to 5.0 W / mK. 제1항에 있어서, (A) 성분이, 유리 전이 온도가 25℃ 이하인 수지 및 25℃에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) is at least one selected from a resin having a glass transition temperature of 25 ° C or lower and a resin liquid at 25 ° C. 제1항에 있어서, (A) 성분이, (B) 성분과 반응할 수 있는 관능기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) has a functional group capable of reacting with the component (B). 제1항에 있어서, (A) 성분이 하이드록실기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로부터 선택되는 1종 이상의 관능기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) has at least one functional group selected from a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. 제1항에 있어서, (A) 성분이 이미드 구조를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein component (A) has an imide structure. 제1항에 있어서, (A) 성분이 페놀성 수산기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) has a phenolic hydroxyl group. 제1항에 있어서, (A) 성분이, 폴리부타디엔 구조를 가지고, 또한 페놀성 수산기를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the component (A) has a polybutadiene structure and also has a phenolic hydroxyl group. 제1항에 있어서, 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. 지지체와, 당해 지지체 위에 형성된, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 13 formed on the support. 제14항에 있어서, 반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 시트인, 수지 시트.The resin sheet according to claim 14, which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.A circuit board comprising an insulating layer formed by a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 13. 제16항에 기재된 회로 기판과, 상기 회로 기판 위에 탑재된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.17. A semiconductor chip package comprising: the circuit board according to claim 16; and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물 또는 제14항 또는 제15항에 기재된 수지 시트에 의해 밀봉된 반도체 칩을 포함하는, 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed by the resin composition according to any one of claims 1 to 13 or the resin sheet according to claim 14 or 15.

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