KR20180034840A - Assembly for supporting a substrate - Google Patents

Assembly for supporting a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20180034840A
KR20180034840A KR1020160124546A KR20160124546A KR20180034840A KR 20180034840 A KR20180034840 A KR 20180034840A KR 1020160124546 A KR1020160124546 A KR 1020160124546A KR 20160124546 A KR20160124546 A KR 20160124546A KR 20180034840 A KR20180034840 A KR 20180034840A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ground
clamping
grounding
rod
substrate
Prior art date
Application number
KR1020160124546A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102559456B1 (en
Inventor
정철호
최진영
이주성
Original Assignee
주식회사 미코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 미코 filed Critical 주식회사 미코
Priority to KR1020160124546A priority Critical patent/KR102559456B1/en
Priority to PCT/KR2017/009729 priority patent/WO2018062710A1/en
Priority to CN201780055383.4A priority patent/CN109690729B/en
Priority to JP2019506415A priority patent/JP6911101B2/en
Publication of KR20180034840A publication Critical patent/KR20180034840A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102559456B1 publication Critical patent/KR102559456B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention relates to an assembly for supporting a substrate, which comprises: a substrate support unit supporting a substrate and having a ground electrode for forming plasma; a mounting unit formed to mount the substrate support unit, wherein a hollow is formed in the vertical direction; ground rods disposed inside the hollow to be electrically connected to the ground electrode; and a first ground clamping unit disposed inside the hollow formed in the mounting unit to partially clamp an outer circumferential surface of the ground rods while electrically connecting between the ground rods to enable the ground rods to be electrically grounded. Therefore, the ground rods can be stably grounded.

Description

기판 지지 어셈블리{ASSEMBLY FOR SUPPORTING A SUBSTRATE}[0001] ASSEMBLY FOR SUPPORTING A SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 플라즈마를 이용하는 플라즈마 반응 챔버 내에 구비되어 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate support assembly. More particularly, the present invention relates to a substrate support assembly for supporting a substrate in a plasma reaction chamber using a plasma.

전자 회로 및 디스플레이 제조에 있어서, 반도체, 유전체, 및 전기 전도성 재료를 이용한 박막이 기판 상에 형성된다. 이러한 박막을 형성하는 박막 형성 공정은 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 이온 주입, 산화 및 질화 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 이후, 상기 박막을 플라즈마에 노출시켜 상기 박막을 패터닝하는 패터닝 공정이 수행된다.In the manufacture of electronic circuits and displays, thin films using semiconductors, dielectrics, and electrically conductive materials are formed on a substrate. The thin film forming process for forming such a thin film may be formed by chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), ion implantation, oxidation and nitridation processes. Thereafter, a patterning process is performed to pattern the thin film by exposing the thin film to a plasma.

상기 박막 증착 공정 또는 패터닝 공정에서, 상기 기판을 기판 프로세싱 챔버내의 플라즈마에 노출시켜 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판상에 혀성된 박막을 에칭하는 플라즈마 처리 장치가 이용된다. In the thin film deposition process or the patterning process, a plasma processing apparatus is used in which the substrate is exposed to the plasma in the substrate processing chamber to form a thin film on the substrate, or to etch the thin film on the substrate.

상기 플라즈마는 프로세스 가스를 통해 마이크로웨이브를 통과시킴으로써 또는 프로세스 가스에 에너지를 유도적으로 또는 용량적으로 커플링(inductively or capacitively coupling)함으로써 형성될 수 있다.The plasma may be formed by passing a microwave through a process gas or by inductively or capacitively coupling energy to the process gas.

상기 플라즈마 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 배치되며 상기 기판을 가열하면서 지지하며, 접지 단자를 갖는 히팅 지지부, 상기 접지 단자와 연결되며 그 하부로 연장된 접지 로드, 상기 히팅 지지부를 상기 공정 챔버에 마운팅하는 마운팅 부재 및 상기 접지 로드 및 마운팅 부재를 상호 연결시키는 접비 클램핑 유닛을 포함한다.The plasma processing apparatus includes a processing chamber, a heating support portion disposed inside the processing chamber and supporting the substrate while heating the substrate, a grounding rod connected to the ground terminal and extending to a lower portion of the grounding terminal, A mounting member for mounting to the chamber, and a contact clamping unit for interconnecting the ground rod and the mounting member.

상기 공정 챔버 내부에 플라즈마 상태가 형성된다. 이때, 상기 히팅 지지부는, 상기 접지 로드, 접지 클램핑 유닛 및 접지 상태의 공정 챔버에 연결된 마운팅 부재를 통하여 전기적인 접지 상태를 유지할 수 있다. A plasma state is formed within the process chamber. At this time, the heating support can maintain an electrical ground state through the ground rod, the ground clamping unit, and the mounting member connected to the grounded process chamber.

특히, 상기 박막 형성 공정의 효율을 증대시키기 위하여, 기존으 13.56 MHz 대신에 27.2 MHz 주파수를 갖는 파워가 사용됨에 따라 플라즈마의 밀도를 증대시키는 공정이 최근에 수행되고 있다. 이로써, 상기 접지 클램핑 유닛에 아킹 현상이 발생하여 상기 클램핑 유닛의 파손이 발생하는 문제가 있다.Particularly, in order to increase the efficiency of the thin film forming process, a process of increasing the density of the plasma by using power having a frequency of 27.2 MHz instead of 13.56 MHz has been recently performed. As a result, there arises a problem that arcing occurs in the grounding clamping unit and breakage of the clamping unit occurs.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 아킹 현상에 따른 파손을 억제할 수 있는 접지 클래핑 유닛을 구비한 기판 지지 어셈블리를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a substrate supporting assembly having a grounding clamping unit capable of suppressing breakage due to arcing phenomenon.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리는 기판을 지지하며, 플라즈마 형성을 위한 접지 전극을 구비하는 기판 지지부, 상기 기판 지지부를 마운팅하도록 구비되며 그 내부에 상하 방향으로 중공이 형성된 마운팅부, 상기 접지 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 중공 내부에 배치된 접지 로드 및 상기 마운팅부에 형성된 상기 중공 내에서 위치하며,서 상기 접지 로드의 외주면을 부분적으로 클램핑하며, 상기 마운팅부 및 상기 접지 로드 사이를 전기적으로 연결시켜 상기 접지 로드를 전기적으로 접지시키는 제1 접지 클랭핑 유닛을 포함한다.The substrate supporting assembly according to an embodiment of the present invention includes a substrate supporting part for supporting a substrate and having a ground electrode for plasma generation, a mounting part for mounting the substrate supporting part, A ground rod disposed in the hollow interior and in the hollow formed in the mounting portion and partially clamping an outer circumferential surface of the ground rod, the ground rod being electrically connected to the ground electrode, And a first grounding clamping unit electrically connecting the grounding rods to electrically ground the grounding rods.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 접지 클램핑 유닛은, 상기 접지 로드의 외각부를 감싸도록 관통홈이 구비된 클램핑 몸체, 상기 마운팅 부재의 내측에 탄성적으로 접촉하며, 상기 클램핑 몸체와 연결된 탄성 연결부 및 상기 클램핑 몸체에 상기 탄성 연결부를 체결시키는 제1 체결부를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first grounding clamping unit comprises: a clamping body having a through-hole to enclose the outer periphery of the grounding rod; resiliently contacting the inside of the mounting member; And a first coupling part for coupling the elastic coupling part to the clamping body.

여기서, 상기 클램핑 몸체는, 제1 내면에 제1 방향으로 연장된 제1 리세스를 구비하는 제1 클램퍼 및 상기 제1 클램퍼와 이격되어 마주보도록 구비되며, 상기 제1 내면과 마주보는 제2 내면에 형성되어 상기 제1 리세스와 함께 상기 관통홈을 형성하는 제2 리세스를 구비하는 제2 클램퍼를 포함할 수 있다.The clamping body may include a first clamper having a first recess extending in a first direction on a first inner surface and a second inner surface facing the first inner surface so as to face the first inner clamper, And a second recess formed in the recess to form the through recess with the first recess.

또한, 상기 탄성 연결부는 상기 중공을 정의하는 상기 마운팅 부재의 내측면에 면접촉할 수 있다.Further, the elastic connecting portion may be in surface contact with the inner surface of the mounting member defining the hollow.

여기서, 상기 탄성 연결부는 상기 클램핑 몸체의 외면에 컨택하는 제1 및 제2 컨택부들 및 상기 제1 및 제2 컨택부들과 연결되며 상기 마운팅 부재와 탄성적으로 컨택하며 아크 형상을 갖는 아킹부를 포함할 수 있다.Here, the elastic connection portion includes first and second contact portions contacting the outer surface of the clamping body, and an arcing portion connected to the first and second contact portions and resiliently in contact with the mounting member and having an arc shape .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 지지부는, 내부에 히터가 형성되며 기판과 컨택하는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 하부를 지지하며 상기 접지 로드를 부분적으로 둘러싸도록 구비된 히터 튜브를 포함하고, In one embodiment of the present invention, the substrate support includes a support plate having a heater therein and contacting the substrate, and a heater tube supporting the lower portion of the support plate and partially surrounding the ground rod ,

기판 지지 어셈블리는 상기 히터 튜브 내에 상기 접지 로드의 외주면을 부분적으로 클램핑하며, 상기 제1 클램핑 유닛과 전기적으로 연결된 제2 접지 클램핑 유닛 및 상기 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들을 상호 전기적으로 연결시키는 클램핑 연결부를 더 포함할 수 있다.The substrate support assembly partially clamps the outer circumferential surface of the ground rod within the heater tube and includes a second ground clamping unit electrically connected to the first clamping unit and a clamping unit for electrically connecting the first and second ground clamping units to each other. And may further include a connection portion.

여기서, 상기 제2 접지 클램핑 유닛은, 상기 접지 로드의 외각부를 감싸도록 경사진 관통홈이 구비된 제2 클램핑 몸체, 상기 경사진 관통홈 내에 상기 접지 로드 사이에 개재되어 상기 제2 클램프 몸체를 상기 접지 로드 사이에 고정시키는 쇄기 부재 및 상기 쇄기 부재를 상기 제2 클램핑 몸체에 체결시키는 제2 체결부를 포함할 수 있다.The second grounding clamping unit may include a second clamping body having an inclined penetrating groove for enclosing the outer periphery of the grounding rod, a second clamping body interposed between the grounding rods in the inclined penetrating groove, A wedge member for fixing the wedge member between the grounding rods, and a second coupling unit for coupling the wedge member to the second clamping body.

본 발명의 실시예들에 따른 기판 지지 어셈블리는 마운팅부에 면접촉하면서 접지 로드를 클램핑하는 제1 접지 클램핑 유닛을 포함함으로써, 접지 로드를 안정적으로 접지할 수 있다.The substrate support assembly according to embodiments of the present invention includes a first ground clamping unit that clamps the ground rod in face-to-face contact with the mounting portion, so that the ground rod can be stably grounded.

또한, 접지 로드가 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들(140, 180)을 이용하여 복수의 위치에서 클램핑되어, 상기 접지 로드의 강도가 개선된다. 동시에 복수의 위치에서 접지 노드들(nodes)이 형성된다. 결과적으로, 접지 로드가 보다 안정적으로 접지될 수 있다.In addition, the grounding rod is clamped at a plurality of locations using the first and second grounding clamping units 140,180 to improve the strength of the grounding rod. At the same time, ground nodes are formed at a plurality of locations. As a result, the grounding rod can be grounded more stably.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 접지 클램핑 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 접지 클램핑 유닛이 마운팅 부재에 접촉하는 상태를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 제2 접지 클램핑 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들이 상호 연결된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a sectional view for explaining the first ground clamping unit shown in Fig. 1. Fig.
Fig. 3 is a sectional view showing a state in which the first ground clamping unit shown in Fig. 1 is in contact with the mounting member. Fig.
Fig. 4 is a sectional view for explaining the second ground clamping unit shown in Fig. 1. Fig.
5 is a view showing a state in which the first and second grounding clamping units shown in FIG. 1 are connected to each other.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 이해하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다.A substrate support assembly according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention, and are actually shown in a smaller scale than the actual dimensions in order to understand the schematic structure.

또한, 제1 및 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Also, the terms first and second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 제1 접지 클램핑 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 제1 접지 클램핑 유닛이 마운팅 부재에 접촉하는 상태를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate support assembly according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a sectional view for explaining the first ground clamping unit shown in Fig. 1. Fig. Fig. 3 is a sectional view showing a state in which the first ground clamping unit shown in Fig. 1 is in contact with the mounting member. Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 어셈블리(100)는 기판 지지부(110), 마운팅부(120), 접지 로드(130) 및 제1 접지 클램핑 유닛(140)을 포함한다. 상기 기판 지지 어셈블리(100)는 플라즈마 공정을 위한 처리 영역을 제공하는 공정 챔버(미도시) 내에 배치된다. 상기 기판 지지 어셈블리(100)는 그 상부에 기판을 지지한 상태에서, 상기 처리 영역 내에 형성된 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 형성하거나, 상기 박막을 부분적으로 식각하여 박막 패턴을 형성할 수 있다.1 to 3, a substrate support assembly 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate support 110, a mounting portion 120, a ground rod 130, and a first ground clamping unit 140. [ . The substrate support assembly 100 is disposed within a process chamber (not shown) that provides a processing region for a plasma process. The substrate support assembly 100 may form a thin film on a substrate by using a plasma formed in the processing region while supporting the substrate on the substrate support assembly 100, or may form a thin film pattern by partially etching the thin film.

상기 기판 지지부(110)는 기판을 지지한다. 예를 들면, 상기 기판 지지부(110)는 그 상부에 평탄면을 구비함으로써 상기 평탄면 상에 기판을 지지할 수 있다. 상기 기판 지지부(110)는 상기 플라즈마 상태를 형성하기 위하여 접지 전극(113)을 구비하는 지지 플레이트(111)를 포함한다. The substrate support 110 supports the substrate. For example, the substrate support 110 may have a flat surface on its top surface to support the substrate on the flat surface. The substrate support 110 includes a support plate 111 having a ground electrode 113 to form the plasma state.

또한, 상기 지지 플레이트(111)는 그 내부에 발열 코일과 같은 발열체(115)를 구비한다. 이로써, 상기 기판 지지부(110)는 그 상부에 배치된 기판의 온도를 조절할 수 있다.In addition, the support plate 111 includes a heating element 115 such as a heating coil inside thereof. Thus, the substrate support 110 can control the temperature of the substrate disposed thereon.

또한, 상기 기판 지지부(110)는 상기 지지 플레이트(111)의 하부를 지지하는 히터 튜브(117)를 더 포함할 수 있다. 상기 히터 튜브(117)는 세라믹 재질로 이루어짐에 따라 내열성 및 내플즈마성을 가질 수 있다. 상기 히터 튜브(117)는 튜브 형상을 가질 수 있다.The substrate support 110 may further include a heater tube 117 for supporting a lower portion of the support plate 111. Since the heater tube 117 is made of a ceramic material, the heater tube 117 may have heat resistance and internal resistance. The heater tube 117 may have a tube shape.

상기 마운팅부(120)는 상기 기판 지지부(110)를 마운팅할 수 있도록 구비된다. 또한, 상기 마운팅부(120)는, 반도체 제조 장치 예를 들면, 공정 챔버에 기판 지지 어셈블리(100)를 장착하기 위한 일 부분에 해당할 수 있다. The mounting part 120 is provided to mount the substrate supporting part 110. In addition, the mounting portion 120 may correspond to a portion for mounting the substrate support assembly 100 in a semiconductor manufacturing apparatus, for example, a process chamber.

예를 들면, 상기 마운팅부(120)는 상기 히터 튜브(117)와 체결될 수 있다. 상기 마운팅부(120)는 그 내부에 상하 방향으로 중공(125)이 형성된다. 상기 마운팅부(120)는 상기 공정 챔버와 연결된다. 이로써, 상기 마운팅부(120)가 상기 공정 챔버와 전기적으로 연결됨에 따라 상기 공정 챔버가 기준 전위를 가질 경우, 상기 마운팅부(120) 또는 기준 전위(접지 전위)를 가질 수 있다.For example, the mounting portion 120 may be fastened to the heater tube 117. The mounting part 120 has a hollow 125 formed therein. The mounting portion 120 is connected to the process chamber. Accordingly, the mounting portion 120 may have the reference potential (ground potential) when the process chamber has a reference potential as the mounting portion 120 is electrically connected to the process chamber.

상기 접지 로드(130)는 상기 마운팅부(120)에 형성된 중공(125) 내부에 배치된다. 즉, 상기 접지 로드(130)는 상하 방향으로 연장된다. 또한, 상기 접지 로드(130)는 상기 접지 전극(113)과 전기적으로 연결된다. 상기 접지 로드(130)는 상기 기판 지지부(110), 즉 접지 전극(113)과 전기적으로 연결된다. 상기 접지 로드(130)는 원기둥 형상을 가질 수 있다. The ground rod 130 is disposed inside the hollow 125 formed in the mounting portion 120. That is, the ground rod 130 extends in the vertical direction. Also, the ground rod 130 is electrically connected to the ground electrode 113. The ground rod 130 is electrically connected to the substrate support 110, that is, the ground electrode 113. The ground rod 130 may have a cylindrical shape.

상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 상기 중공(125) 내에 배치된다. 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 상기 접지 로드(130)의 외주면을 부분적으로 클램핑한다. 또한, 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 상기 마운팅부(120) 및 상기 접지 로드(130) 사이를 전기적으로 연결시킨다. 이로써, 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)을 경유하여 상기 마운팅부(120) 및 상기 접지 로드(130)가 전기적으로 접지될 수 있다.The first ground clamping unit 140 is disposed in the hollow 125. The first ground clamping unit 140 partially clamps the outer circumferential surface of the ground rod 130. Also, the first ground clamping unit 140 electrically connects the mounting portion 120 and the ground rod 130. Thereby, the mounting portion 120 and the grounding rod 130 can be electrically grounded via the first grounding clamping unit 140.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 클램핑 몸체(143), 탄성 연결부(145) 및 제1 체결부(149)를 포함한다. 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 마운팅부(120)의 중공(125) 내에 구비된다. 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)은 상기 접지 로드(130) 및 마운팅부(120) 사이를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이로써, 상기 마운팅부(120)가 전기적으로 접지될 경우, 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)을 통하여 상기 접지 로드(130)가 접지될 수 있다. 결과적으로, 상기 접지 로드(130)가 전기적으로 연결된 기판 지지부(110), 특히 접지 전극(113)과 전기적으로 연결되어, 플라즈마 형성시 기판 지지부(110)가 접지될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the first ground clamping unit 140 includes a clamping body 143, a resilient connecting portion 145, and a first connecting portion 149. The first ground clamping unit 140 is provided in the hollow 125 of the mounting portion 120. The first ground clamping unit 140 may electrically connect the ground rod 130 and the mounting portion 120. Thus, when the mounting portion 120 is electrically grounded, the grounding rod 130 can be grounded through the first grounding clamping unit 140. [ As a result, the ground rod 130 is electrically connected to the electrically connected substrate support 110, in particular the ground electrode 113, so that the substrate support 110 can be grounded during plasma formation.

상기 클램핑 몸체(143)는 상기 접지 로드(130)의 외각부를 감싸도록 관통홈이 구비된다.The clamping body 143 is provided with a through groove so as to surround the outer periphery of the ground rod 130.

상기 접지 로드(130)가 원기둥 형상을 가질 경우, 상기 관통홈은 상기 접지 로드(130)에 대응되는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 이로써, 상기 클램핑 몸체(143)는 상기 접지 로드(130)를 면접촉함에 따라, 상기 클램핑 몸체(143)는 상기 접지 로드(130)를 보다 견고하게 클램핑할 수 있다. When the ground rod 130 has a cylindrical shape, the through-hole may have a cylindrical shape corresponding to the ground rod 130. Thus, as the clamping body 143 contacts the ground rod 130, the clamping body 143 can clamp the ground rod 130 more firmly.

상기 탄성 연결부(145)는 상기 클램핑 몸체(143)에 연결된다. 또한, 상기 탄성 연결부(145)는 상기 마운팅부(120)에 형성된 중공(125)의 내측면에 탄성적으로 접촉한다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145)가 상기 클램핑 몸체(143) 및 상기 마운팅부(120)를 상호 전기적으로 연결시킬 수 있다. 따라서, 상기 마운팅부(120)가 상기 탄성 연결부(145) 및 상기 클램핑 몸체(143)를 경유하여 상기 접지 로드(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 결과적으로 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)이 상기 마운팅(120)의 내부에 구비되고 상호 전기적으로 연결됨으로, 상기 접지 로드(130)를 전기적으로 접지시킬 수 있다. The elastic connecting part 145 is connected to the clamping body 143. The elastic connecting portion 145 elastically contacts the inner surface of the hollow 125 formed in the mounting portion 120. Thus, the elastic connecting portion 145 can electrically connect the clamping body 143 and the mounting portion 120 with each other. Accordingly, the mounting portion 120 can be electrically connected to the grounding rod 130 via the elastic connecting portion 145 and the clamping body 143. As a result, the first grounding clamping unit 140 is provided inside the mounting 120 and is electrically connected to each other, so that the grounding rod 130 can be electrically grounded.

상기 탄성 연결부(145)는 박판 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 탄성 연결부(145)는 아크 형상을 가질 수 있다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145)는 상기 접지 로드(130)와 면접촉 함으로써, 상기 접지 로드(130)의 접촉 면적을 증대시킬 수 있다. The elastic connection portion 145 may have a thin plate shape. Further, the elastic connection part 145 may have an arc shape. Accordingly, the elastic connecting portion 145 can be in surface contact with the ground rod 130, thereby increasing the contact area of the ground rod 130.

한편, 상기 마운팅부(120)의 중공 이외의 위부에 상기 접지 로드(130)를 접지시키기 위한 별도의 접지 클램핑 유닛(미도시)이 구비될 경우, 상기 접지 클램핑 유닛을 위한 체결 공간이 부족할 수 있다. 본 발명과 같이 마운팅부(120)의 내부에 형성된 중공(125) 내에 제1 접지 클램핑 유닛(140)이 구비될 수 있도록 함에 따라 상기 접지 로드(130) 및 마운팅부(120)의 설계 자유도가 개선될 수 있다. If a separate grounding clamping unit (not shown) for grounding the grounding rod 130 is provided on a portion other than the hollow portion of the mounting portion 120, a fastening space for the grounding clamping unit may be insufficient . The first grounding clamping unit 140 may be provided in the hollow 125 formed inside the mounting portion 120 as in the present invention so that the degree of freedom in designing the grounding rod 130 and the mounting portion 120 is improved .

상기 제1 체결부(149)는 상기 탄성 연결부(145)를 상기 클램핑 몸체(143)에 체결시킨다. 상기 제1 체결부(149)는 예를 들면, 볼트 체결 방식으로 상기 탄성 연결부(145)를 상기 클램핑 몸체(143)에 체결시킬 수 있다. The first coupling part 149 fastens the elastic coupling part 145 to the clamping body 143. The first coupling part 149 can fasten the elastic coupling part 145 to the clamping body 143 by, for example, a bolt fastening method.

본 발명의 일 실시예에 따른 클램핑 몸체(143)는, 상호 이격되어 분리된 제1 클램퍼(141) 및 제2 클램퍼(142)를 포함할 수 있다. 상기 제1 클램퍼(141) 및 제2 클램퍼(142)는 약 0.3 mm 정도로 이격거리를 가질 수 있다.The clamping body 143 according to an embodiment of the present invention may include a first clamper 141 and a second clamper 142 separated from each other. The first clamper 141 and the second clamper 142 may have a separation distance of about 0.3 mm.

상기 제1 클램퍼(141)는 제1 내면에 제1 방향으로 연장된 제1 리세스를 구비한다. 상기 제1 리세스는, 상기 제2 클램퍼를 향하는 상기 제1 내면 상에 형성된다. 상기 제1 리세스는 상기 접지 로드(130)의 외주면의 형상에 부분적으로 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 접지 로드(130)가 원기둥 형상을 가질 경우, 상기 제1 리세스는 반원 기둥 형상을 가질 수 있다. 이로써, 상기 제1 리세스는 상기 접지 로드(130)을 부분적을 둘러쌀 수 있다.The first clamper 141 has a first recess extending in a first direction on a first inner surface. The first recess is formed on the first inner surface facing the second clamper. The first recess may have a shape partially corresponding to the shape of the outer circumferential surface of the ground rod 130. For example, when the ground rod 130 has a cylindrical shape, the first recess may have a semicircular pillar shape. Thereby, the first recess can partially surround the ground rod 130.

또한, 상기 제2 클램퍼(142)는 상기 제1 클램퍼(141)와 이격되어 마주보도록 구비된다. 상기 제2 클램퍼(142)는 상기 제1 내면과 마주보는 제2 내면에 형성된 제2 리세스를 구비한다. 상기 제2 리세스는 상기 제1 리세스와 함께 상기 관통홈을 형성한다. 이로써, 상기 관통홈에는 상기 접지 로드(130)가 관통할 수 있다. The second clamper 142 is spaced apart from the first clamper 141 so as to face each other. The second clamper (142) has a second recess formed on a second inner surface facing the first inner surface. The second recess forms the through groove together with the first recess. Accordingly, the ground rod 130 can penetrate through the through-hole.

이때, 상기 제1 체결부(149)는 상기 제1 및 제2 클램퍼들(141, 142) 및 탄성 연결부(145)를 상호 체결할 수 있다.At this time, the first coupling part 149 can fasten the first and second clamper 141 and 142 and the elastic coupling part 145 to each other.

이로써, 상기 클램핑 몸체(143)가 상기 제1 및 제2 클램퍼들(141, 142)로 분리된 분리형으로 구비됨으로써, 일체형의 클램핑 본체에 형성된 관통홈에 인접하여 상대적으로 얇은 두께를 갖는 부위가 플라즈마에 노출되어 손상되는 것을 억제할 수 있다.Accordingly, since the clamping body 143 is detachably separated from the first and second clamper 141 and 142, a portion having a relatively thin thickness adjacent to the through-hole formed in the integral clamping body is disposed in the plasma And can be prevented from being damaged.

또한, 상기 제1 및 제2 클램퍼들(141, 142)이 상호 마주보는 모서리 부위가 라운드 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이로써, 상기 플라즈마가 상기 모서리 부위에 플라즈마의 집중 현상을 억제할 수 있다.In addition, the first and second clamper 141 and 142 may have rounded corners facing each other. Thus, the plasma can suppress the concentration of plasma at the corner portion.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 탄성 연결부(145)는 상기 마운팅부(120)의 내측면, 즉 상기 중공(125)을 정의하는 중공 영역의 내측면과 면접촉할 수 있다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145) 및 상기 마운팅부(120)의 내측면 사이의 접촉 면적이 증대됨에 따라 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)이 접지 특성이 개선될 수 있다. 예를 들면, 상기 접촉 면적은 상기 마운팅부(120)에 형성된 중공(125)의 평면적 대비 약 2.0 내지 3.2 % 범위의 면적 비율로 조절될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the elastic connecting portion 145 may be in surface contact with the inner surface of the mounting portion 120, that is, the inner surface of the hollow region defining the hollow 125. As a result, the first grounding clamping unit 140 can improve the grounding property as the contact area between the elastic connecting portion 145 and the inner surface of the mounting portion 120 increases. For example, the contact area may be adjusted to a ratio of an area in a range of about 2.0 to 3.2% of a plane of the hollow 125 formed in the mounting portion 120.

예를 들면, 상기 탄성 연결부(145)의 상기 제1 방향에 따른 길이에 따라 상기 면적 비율은 조절될 수 있다. 이와 다르게, 상기 탄성 연결부(145)가 이루는 호의 길이 또는 상기 탄성 연결부(145)의 탄성력을 조절함에 따라 상기 면적 비율이 조절될 수 있다.For example, the area ratio may be adjusted according to the length of the elastic connecting portion 145 along the first direction. Alternatively, the area ratio may be adjusted by adjusting the length of the arc formed by the elastic connecting portion 145 or the elastic force of the elastic connecting portion 145.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 탄성 연결부(145)는 제1 및 제2 컨택부들(146, 147) 및 아킹부(148)를 포함할 수 있다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145)는 U자 형상을 가질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the elastic connection portion 145 may include first and second contact portions 146 and 147 and an arcing portion 148. Accordingly, the elastic connecting portion 145 may have a U-shape.

상기 제1 및 제2 컨택부들(146, 147)은 상기 클램핑 몸체(143)의 외면, 예를 들면, 제1 및 제2 클램퍼(141, 142)의 외면에 컨택한다. 상기 아킹부(148)는 상기 제1 및 제2 컨택부들(146, 147)과 연결되며, 상기 마운팅부(120)의 내측면와 탄성적으로 컨택하며 아크 형상을 가질 수 있다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145)가 상기 마운팅부(120)의 내측면과 안정적으로 면접촉할 수 있다.The first and second contact portions 146 and 147 contact the outer surface of the clamping body 143, for example, the outer surfaces of the first and second clamper 141 and 142. The arcing portion 148 is connected to the first and second contact portions 146 and 147 and resiliently contacts the inner surface of the mounting portion 120 and may have an arc shape. Thus, the elastic connecting portion 145 can stably contact the inner surface of the mounting portion 120. [0064]

여기서, 상기 제1 및 제2 컨택부들(146, 147) 및 아킹부(148)는 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 탄성 연결부(145)는 0.1 내지 1.0mm 범위의 두께를 가질 수 있다. 이로써, 상기 탄성 연결부(145)는 0.1 mm 미만의 두께를 가질 경우, 자체의 내구성이 악화되는 한편, 1.0 mm 초과하는 두께를 가질 경우, 상기 탄성 연결부(145)의 복원력이 지나치게 높아 상기 제1 접지 클램핑 유닛(140)이 상기 접지 로드(130)에 대하여 지나치게 높은 압력을 가할 수 있다.Here, the first and second contact portions 146 and 147 and the arcing portion 148 may be integrally formed. In addition, the elastic connecting part 145 may have a thickness ranging from 0.1 to 1.0 mm. Thus, when the thickness of the elastic connecting part 145 is less than 0.1 mm, the durability of the elastic connecting part 145 is deteriorated. On the other hand, when the thickness of the elastic connecting part 145 is greater than 1.0 mm, The clamping unit 140 may exert too high a pressure on the ground rod 130.

도 4는 도 1에 도시된 제2 접지 클램핑 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5는 도 1에 도시된 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들이 상호 연결된 상태를 나타내는 도면이다.Fig. 4 is a sectional view for explaining the second ground clamping unit shown in Fig. 1. Fig. 5 is a view showing a state in which the first and second grounding clamping units shown in FIG. 1 are connected to each other.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 기판 지지 어셈블리(100)는 제2 접지 클램핑 유닛(180) 및 클램핑 연결부(190)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the substrate support assembly 100 may further include a second ground clamping unit 180 and a clamping connection 190.

상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)은 상기 히터 튜브(117) 내에 배치된다. 상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)은 상기 접지 로드(130)의 외주면을 부분적으로 클램핑할 수 있다. The second ground clamping unit 180 is disposed in the heater tube 117. The second ground clamping unit 180 may partially clamp the outer circumferential surface of the ground rod 130.

상기 클램핑 연결부(190)는 상기 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들(140, 180)을 상호 전기적으로 연결시킨다. 상기 클램핑 연결부(190)는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 접지 로드(130)는 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들(140, 180)을 이용하여 복수의 위치에서 클램핑된다. 따라서, 상기 접지 로드의 강도가 개선될 수 있다.The clamping connection part 190 electrically connects the first and second grounding clamping units 140 and 180 to each other. The clamping connection part 190 may have a plate shape. The grounding rod 130 is clamped at a plurality of locations using the first and second grounding clamping units 140 and 180. Therefore, the strength of the ground rod can be improved.

또한, 상기 클램핑 연결부(190)가 상기 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들(140, 180)을 상호 전기적으로 연결된다. 따라서, 접지 로드(130)에는, 복수의 위치에서 접지 노드들(nodes)이 형성된다. 결과적으로, 접지 로드(130)가 보다 안정적으로 접지될 수 있다.In addition, the clamping connection part 190 is electrically connected to the first and second grounding clamping units 140 and 180. Thus, in the ground rod 130, ground nodes are formed at a plurality of positions. As a result, the ground rod 130 can be grounded more stably.

도 4를 참조하면, 상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)은, 제2 클램핑 몸체(183), 쇄기 부재(185) 및 제2 체결부(189)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the second ground clamping unit 180 may include a second clamping body 183, a wedge member 185, and a second fastening portion 189.

상기 클램핑 몸체(183)에는 상기 접지 로드(130)의 외각부를 감싸도록 경사진 관통홈을 이루는 경사진 내벽이 구비된다. 상기 쇄기 부재(185)는 상기 경사진 관통홈 내에 상기 접지 로드(130) 사이에 개재되어 상기 제2 클램프 몸체(183)를 상기 접지 로드(130) 사이에 고정시킨다. The clamping body 183 is provided with an inclined inner wall which is inclined to surround the outer periphery of the ground rod 130. The wedge member 185 is interposed between the grounding rods 130 in the inclined penetrating grooves to fix the second clamping body 183 between the grounding rods 130.

또한, 상기 제2 체결 부재(189)는 상기 쇄기 부재(185)를 상기 제2 클램핑 몸체(183)에 체결시킨다. 상기 제2 체결 부재(189)의 예로는 볼트를 들 수 있다.Further, the second fastening member 189 fastens the wedge member 185 to the second clamping body 183. An example of the second fastening member 189 is a bolt.

상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)은 히트 튜브(117) 내부에서 상기 접지 로드(130)에 체결된다. 따라서, 상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)은 히트 뷰브(117) 내에 상하 방향으로 이동하면서 상기 접지 로드(130)에 체결된다. 따라서, 상기 체결 부재(189) 및 상기 쇄기 부재(185)가 상호 수직 방향으로 체결될 때, 상기 쇄기 부재(185)가 상기 접지 로드(130)의 외벽 및 상기 클램핑 몸체(183)의 경사진 내벽 사이로 인입되어 면접촉하게 된다. 따라서, 체결 부재(189)가 상하 방향으로 상기 쇄기 부재(185)에 체결되어 상기 쇄기 부재(185)를 가압함에 따라 상기 제2 접지 클램핑 유닛(180)이 상기 접지 로드(130)를 보다 견고하게 고정할 수 있다The second ground clamping unit 180 is fastened to the ground rod 130 inside the heat tube 117. Accordingly, the second ground clamping unit 180 is coupled to the ground rod 130 while moving up and down in the heat view 117. Therefore, when the fastening member 189 and the wand 185 are fastened to each other in the vertical direction, the wand 185 contacts the outer wall of the ground rod 130 and the inclined inner wall of the clamping body 183, So that they come into surface contact with each other. Therefore, as the fastening member 189 is fastened to the wedge member 185 in the up-and-down direction and presses the wedge member 185, the second grounding clamping unit 180 makes the grounding rod 130 more rigid Can be fixed

다시 도1을 참조하면, 기판 지지 어셈블리(100)는 제3 접지 클램핑 유닛(160)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 접지 클램핑 유닛(160)은 상기 접지 로드(130)의 하단부를 클램핑하도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 제3 접지 클램핑 유닛(160)은 상기 마운팅부(120)의 외곽에서 상기 마운팅부(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIG. 1, the substrate support assembly 100 may further include a third ground clamping unit 160. The third ground clamping unit 160 may be provided to clamp the lower end of the ground rod 130. The third grounding clamping unit 160 may be electrically connected to the mounting portion 120 at an outer portion of the mounting portion 120.

기존에는 13.56MHz 의 주파수의 전원을 이용하는 플라즈마 장치는 제3 접지 클램핑 유닛(160)만 존재하는 구조를 가짐에 따라, 기존 플라즈마 장치에 제3 접지 클램핑 유닛(160)을 장착하기 위하여 공간이 한정되는 문제가 있었다. 반면에, 본 발명의 실시예들에 있어서, 제1 접지 클램핑 유닛(140)이 마운팅부(120) 내에 형성된 중공 내에 위치함에 따라, 상기 공간 제약의 문제가 해결될 수 있다. 또한, 플라즈마 장치의 전원 주파수가 높아짐에 따라 제3 접지 클램핑 유닛(160)이 추가적으로 요구될 경우, 제3 접지 클램핑 유닛(160)이 상기 마운팅부(120)의 외곽에서 상기 접지 로드(130)의 하단부를 클램핑하도록 선택적으로 구비될 수 있다.Conventionally, a plasma apparatus using a power source with a frequency of 13.56 MHz has a structure in which only the third grounding clamping unit 160 is present, so that space is limited for mounting the third grounding clamping unit 160 in the existing plasma apparatus There was a problem. On the other hand, in embodiments of the present invention, as the first ground clamping unit 140 is located in the hollow formed in the mounting portion 120, the problem of space constraints can be solved. When the third grounding clamping unit 160 is additionally required as the frequency of the power source of the plasma apparatus becomes higher, the third grounding clamping unit 160 may be mounted on the outer circumference of the mounting unit 120, And may be optionally provided to clamp the lower end.

이와 같은 기판 지지 어셈블리는 플라즈마를 이용하여 기판 상에 박막을 형성하거나, 상기 박막을 부분적으로 식각하여 패터닝하는 플라즈마 처리 장치에 적용될 수 있다.Such a substrate support assembly may be applied to a plasma processing apparatus for forming a thin film on a substrate using plasma, or partially etching and patterning the thin film.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical and exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100 : 기판 지지 어셈블리 110 : 기판 지지부
120 : 마운팅부 130 : 접지 로드
140 : 제1 접지 클램핑 유닛 160 : 제3 접지 클램핑 유닛
180 : 제2 접지 클램핑 유닛 190 : 클램핑 연결부100: substrate support assembly 110:
120: mounting portion 130: ground rod
140: first ground clamping unit 160: third ground clamping unit
180: second ground clamping unit 190: clamping connection

Claims (7)

기판을 지지하며, 플라즈마 형성을 위한 접지 전극을 구비하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부를 마운팅하도록 구비되며 그 내부에 상하 방향으로 중공이 형성된 마운팅부;
상기 접지 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 중공 내부에 배치된 접지 로드; 및
상기 마운팅부에 형성된 상기 중공 내에서 위치하며, 상기 접지 로드의 외주면을 부분적으로 클램핑하며, 상기 마운팅부 및 상기 접지 로드 사이를 전기적으로 연결시켜 상기 접지 로드를 전기적으로 접지시키는 제1 접지 클랭핑 유닛을 포함하는 기판 지지 어셈블리.A substrate support for supporting a substrate and having a ground electrode for plasma formation;
A mounting portion provided to mount the substrate supporting portion and having a hollow in a vertical direction therein;
A ground rod electrically connected to the ground electrode, the ground rod disposed inside the hollow; And
A first grounding clamping unit located within the hollow formed in the mounting portion and partially clamping an outer circumferential surface of the grounding rod and electrically connecting the mounting portion and the grounding rod to electrically ground the grounding rod; ≪ / RTI > 제1항에 있어서, 상기 제1 접지 클램핑 유닛은,
상기 접지 로드의 외각부를 감싸도록 관통홈이 구비된 클램핑 몸체;
상기 마운팅 부재의 내측에 탄성적으로 접촉하며, 상기 클램핑 몸체와 연결된 탄성 연결부; 및
상기 클램핑 몸체에 상기 탄성 연결부를 체결시키는 제1 체결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.2. The apparatus of claim 1, wherein the first grounding clamping unit comprises:
A clamping body having a through-hole to surround the outer periphery of the ground rod;
An elastic connection portion elastically contacting the inside of the mounting member and connected to the clamping body; And
And a first coupling part for coupling the elastic coupling part to the clamping body. 제2항에 있어서, 상기 클램핑 몸체는,
제1 내면에 제1 방향으로 연장된 제1 리세스를 구비하는 제1 클램퍼; 및
상기 제1 클램퍼와 이격되어 마주보도록 구비되며, 상기 제1 내면과 마주보는 제2 내면에 형성되어 상기 제1 리세스와 함께 상기 관통홈을 형성하는 제2 리세스를 구비하는 제2 클램퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.The clamping device according to claim 2,
A first clamper having a first recess extending in a first direction on a first inner surface; And
And a second clamper provided to face the first clamper so as to face the first clamper and having a second recess formed in a second inner surface facing the first inner surface to form the through recess with the first recess, ≪ / RTI > 제2항에 있어서, 상기 탄성 연결부는 상기 중공을 정의하는 상기 마운팅 부재의 내측면에 면접촉하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.3. The substrate support assembly of claim 2, wherein the resilient connection portion is in surface contact with an inner surface of the mounting member defining the hollow. 제2항에 있어서, 상기 탄성 연결부는 상기 클램핑 몸체의 외면에 컨택하는 제1 및 제2 컨택부들 및 상기 제1 및 제2 컨택부들과 연결되며 상기 마운팅 부재와 탄성적으로 컨택하며 아크 형상을 갖는 아킹부를 포함하는 것을 특징으로 하는 접지 클램핑 유닛.3. The clamping device of claim 2, wherein the elastic connection portion comprises first and second contact portions contacting the outer surface of the clamping body, and an arc-shaped contact portion elastically connected to the first and second contact portions, Wherein the grounding clamping unit comprises an arcing portion. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 내부에 히터가 형성되며 기판과 컨택하는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 하부를 지지하며 상기 접지 로드를 부분적으로 둘러싸도록 구비된 히터 튜브를 포함하고,
상기 히터 튜브 내에 상기 접지 로드의 외주면을 부분적으로 클램핑하며, 상기 제1 클램핑 유닛과 전기적으로 연결된 제2 접지 클램핑 유닛; 및
상기 제1 및 제2 접지 클램핑 유닛들을 상호 전기적으로 연결시키는 클램핑 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.[2] The apparatus of claim 1, wherein the substrate support comprises a support plate having a heater therein and contacting the substrate, and a heater tube supporting the lower portion of the support plate and partially surrounding the ground rod,
A second ground clamping unit partially clamping an outer circumferential surface of the ground rod in the heater tube and electrically connected to the first clamping unit; And
Further comprising a clamping connection for electrically connecting the first and second grounding clamping units to each other. 제6항에 있어서, 상기 제2 접지 클램핑 유닛은,
상기 접지 로드의 외각부를 감싸도록 경사진 관통홈이 구비된 제2 클램핑 몸체;
상기 경사진 관통홈 내에 상기 접지 로드 사이에 개재되어 상기 제2 클램프 몸체를 상기 접지 로드 사이에 고정시키는 쇄기 부재 ; 및
상기 쇄기 부재를 상기 제2 클램핑 몸체에 체결시키는 제2 체결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.7. The apparatus of claim 6, wherein the second grounding clamping unit comprises:
A second clamping body having an inclined penetrating groove to enclose an outer periphery of the ground rod;
A wedge member interposed between the ground rods in the inclined penetrating groove to fix the second clamp body between the ground rods; And
And a second fastening portion for fastening the wedge member to the second clamping body.
KR1020160124546A 2016-09-28 2016-09-28 Assembly for supporting a substrate KR102559456B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160124546A KR102559456B1 (en) 2016-09-28 2016-09-28 Assembly for supporting a substrate
PCT/KR2017/009729 WO2018062710A1 (en) 2016-09-28 2017-09-05 Ground clamping unit and substrate support assembly comprising same
CN201780055383.4A CN109690729B (en) 2016-09-28 2017-09-05 Grounding clamping device and substrate supporting assembly comprising same
JP2019506415A JP6911101B2 (en) 2016-09-28 2017-09-05 Grounding clamp unit and board support assembly including it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160124546A KR102559456B1 (en) 2016-09-28 2016-09-28 Assembly for supporting a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180034840A true KR20180034840A (en) 2018-04-05
KR102559456B1 KR102559456B1 (en) 2023-07-26

Family

ID=61977228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160124546A KR102559456B1 (en) 2016-09-28 2016-09-28 Assembly for supporting a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102559456B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102369346B1 (en) * 2020-12-31 2022-03-04 주식회사 미코세라믹스 Ceramic susceptor
US11955320B2 (en) 2020-12-31 2024-04-09 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5277104U (en) * 1975-12-05 1977-06-09
KR200420693Y1 (en) * 2005-11-23 2006-07-06 세레테크 세미콘덕터, 인코포레이티드 Radio frequency grounding apparatus
JP2006352114A (en) * 2005-06-03 2006-12-28 Applied Materials Inc Board support for clamping electric connector
KR20090011625A (en) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 코미코 Ground structure, and unit for supporting substrate and apparatus for forming thin film having the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5277104U (en) * 1975-12-05 1977-06-09
JP2006352114A (en) * 2005-06-03 2006-12-28 Applied Materials Inc Board support for clamping electric connector
KR200420693Y1 (en) * 2005-11-23 2006-07-06 세레테크 세미콘덕터, 인코포레이티드 Radio frequency grounding apparatus
KR20090011625A (en) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 코미코 Ground structure, and unit for supporting substrate and apparatus for forming thin film having the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102369346B1 (en) * 2020-12-31 2022-03-04 주식회사 미코세라믹스 Ceramic susceptor
WO2022145668A1 (en) * 2020-12-31 2022-07-07 주식회사 미코세라믹스 Ceramic susceptor
US11955320B2 (en) 2020-12-31 2024-04-09 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
KR102559456B1 (en) 2023-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101950330B1 (en) Substrate support with symmetrical feed structure
US7854820B2 (en) Upper electrode backing member with particle reducing features
CN206877967U (en) Process kit and plasma chamber
KR102103852B1 (en) Electrostatic chuck and semiconductor-liquid crystal manufacturing apparatus
KR102251664B1 (en) Pedestal assembly for plasma processing equipment
US11152192B2 (en) Plasma processing apparatus and method
KR101480738B1 (en) Annular baffle
US20190006156A1 (en) Plasma Processing Apparatus
KR20060087474A (en) Process kit for using in a plasma processing chamber
TWI596647B (en) Induction-coupled plasma processing apparatus
KR102166737B1 (en) Electrostatic chuck and semiconductor-liquid crystal manufacturing apparatus
KR20140097312A (en) Apparatus and methods for improving reliability of rf grounding
KR20180034840A (en) Assembly for supporting a substrate
TWI479540B (en) Substrate processing apparatus
CN108573847B (en) Reaction chamber and semiconductor processing equipment
CN109690729B (en) Grounding clamping device and substrate supporting assembly comprising same
JP2019160593A (en) Antenna and plasma processing apparatus
KR200420693Y1 (en) Radio frequency grounding apparatus
KR102156500B1 (en) Wiring fixing structure and processing apparatus
KR20180000942U (en) Ground clamping unit
KR20090079696A (en) Plasma treatment apparatus having linear antenna
JP4831803B2 (en) Substrate processing equipment
KR100227827B1 (en) High frequency contact block mount for chemical vapor deposition of semiconductor manufacturing
JPH07211699A (en) Chamber for semiconductor processing system
JP2010098327A (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right