KR20180001690A - bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof - Google Patents

bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20180001690A
KR20180001690A KR1020160079989A KR20160079989A KR20180001690A KR 20180001690 A KR20180001690 A KR 20180001690A KR 1020160079989 A KR1020160079989 A KR 1020160079989A KR 20160079989 A KR20160079989 A KR 20160079989A KR 20180001690 A KR20180001690 A KR 20180001690A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
baking
heating
bake
Prior art date
Application number
KR1020160079989A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102516725B1 (en
Inventor
이기승
민충기
구희재
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160079989A priority Critical patent/KR102516725B1/en
Publication of KR20180001690A publication Critical patent/KR20180001690A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102516725B1 publication Critical patent/KR102516725B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Abstract

The present invention provides a bake apparatus which can improve film uniformity of a substrate. The bake apparatus comprises: a process chamber providing a heat treatment space inside the process chamber, and having a slot for inserting and extracting a substrate, a shutter for opening and closing the slot, and a shutter driving unit for driving the shutter in one side; a cooling plate positioned in the heat treatment space of the process chamber, and cooling the substrate; and a heating unit for heating the substrate. The process chamber includes a control unit for controlling the shutter driving unit to change an open ratio of the slot in substrate bake treatment in the heating unit.

Description

베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bake apparatus and a substrate processing method using the same,

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열 처리하는 장치이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly to an apparatus for performing a heat treatment on a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Various processes such as photolithography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed to manufacture a semiconductor device. Among these processes, photolithography plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices in a process for forming a pattern.

사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 가열플레이트에 기판이 놓이면, 가열 플레이트의 내부에 제공된 히터를 통해 그 기판을 열 처리한다. The photolithography process consists largely of a coating process, an exposure process, and a development process, and a baking process is performed before and after the exposure process. The baking process is a process of heat-treating the substrate. When the substrate is placed on the heating plate, the substrate is heat-treated through a heater provided inside the heating plate.

도 1은 일반적인 베이크 유닛을 보여주는 단면도이다. 1 is a sectional view showing a general bake unit.

도 1을 참조하면, 베이크 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 상부 챔버와 하부 챔버(2,3)과, 하부 챔버(3) 내부에 설치되어 공정시 기판(s)을 가열하는 히터(4), 그리고 배기라인(5)를 포함한다. 베이크 공정을 수행하는 과정에서 기판으로부터 발생되는 흄(fume)은 배기라인(5)을 통해 외부로 배출된다. Referring to Fig. 1, the bake unit includes an upper chamber and a lower chamber 2, 3 which provide a space for carrying out a bake process therein, and a lower chamber 3, which is provided inside the lower chamber 3, A heater 4, and an exhaust line 5. During the baking process, fumes generated from the substrate are discharged to the outside through the exhaust line 5. [

도 1에서와 같은 베이크 장치(1)에서의 기판 베이크 공정은 기판 예열 단계(step 1)(핀업(pin up)/챔버 다운(chamber down))과 기판 가열 단계(step 2)(핀 다운(pin-down)/챔버 다운)로 이루어진다. The substrate baking process in the baking apparatus 1 as shown in FIG. 1 includes a substrate pre-heating step (step 1) (pin up / chamber down) and a substrate heating step (step 2) -down) / chamber down).

그러나 이러한 기판 베이크 공정에서는 기판 중앙 부분의 두께가 과도하게 상승되는 문제점이 있으며, 이러한 문제는 기판 상의 기류 영향이 주요 원인으로 주목되고 있다. 즉, 베이크 장치(1)는 상부 챔버의 중앙에 제공되는 배기라인을 통한 중앙 집중식 배기 방식으로 베이크 공정시 챔버 내부에 음압이 발생하게 되고 특히 기판 중앙에 형성되는 중앙 기류에 의해 기판 중앙 부분의 막이 상승기류에 의해 솟아오르는 현상으로 기판의 두께 불균일을 유발시킨다.However, in such a substrate baking process, there is a problem that the thickness of the central portion of the substrate is excessively increased, and such a problem is attracting attention as a main cause of airflow on the substrate. That is, the bake apparatus 1 is a centralized exhaust system through an exhaust line provided at the center of the upper chamber, and a negative pressure is generated in the chamber during the bake process. Particularly, The phenomenon of rising due to the upward airflow causes the thickness of the substrate to be uneven.

본 발명의 일 과제는 기판 상의 막 가교 반응 시점에서 기판 상부의 기류 영향을 최소화할 수 있는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a bake apparatus capable of minimizing the influence of an air flow above a substrate at the time of film cross-linking reaction on a substrate, and a substrate processing method using the same.

본 발명의 일 과제는 기판의 막 균일성을 개선할 수 있는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a baking apparatus capable of improving film uniformity of a substrate and a substrate processing method using the same.

본 발명의 일 과제는 기판으로부터 발생되는 흄의 리바운드 현상을 최소화할 수 있는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a bake apparatus capable of minimizing the rebound phenomenon of fumes generated from a substrate, and a substrate processing method using the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 열처리 공간을 제공하는 그리고 일측에 기판 반입반출을 위한 슬롯과 상기 슬롯을 개폐하는 셔터 그리고 상기 셔터를 구동하는 셔터 구동부를 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 열처리 공간에 위치되어 기판을 냉각처리하는 냉각 플레이트; 및 기판을 가열처리하는 가열 처리 유닛을 포함하되; 상기 공정 챔버는 상기 가열 처리 유닛에서의 기판 베이크 처리시 상기 슬롯의 오픈율을 변경하기 위해 상기 셔터 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 베이크 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber comprising: a processing chamber for providing a heat treatment space therein; a processing chamber having a slot for carrying and unloading a substrate, a shutter for opening and closing the slot, and a shutter driving unit for driving the shutter; A cooling plate positioned in a heat treatment space of the process chamber to cool the substrate; And a heat treatment unit for heat-treating the substrate; The processing chamber may be provided with a bake apparatus including a control unit for controlling the shutter driving unit to change the open rate of the slot in the substrate baking process in the heating processing unit.

또한, 상기 가열 처리 유닛은 기판에 대한 베이크 처리가 진행되는 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부바디를 갖는 하우징; 상기 상부바디에 제공되어 상기 처리공간에서의 기류를 배기시키는 배기부재; 상기 하부 바디에 제공되며, 발열체를 갖는 가열 플레이트; 및 상기 상부바디를 상기 하부 바디로부터 이격 또는 상기 상부바디를 상기 하부 바디에 접촉시키기 위한 승강부재를 포함하고, 상기 제어부는 상기 가열 플레이트에 기판이 안착되면 상기 슬롯의 오픈율이 20% 이하를 유지하도록 상기 셔터 구동부를 제어할 수 있다.Further, the heating processing unit may include: a housing having an upper body and a lower body for providing a processing space in which the bake processing for the substrate proceeds; An exhaust member provided on the upper body to exhaust airflow in the processing space; A heating plate provided on the lower body, the heating plate having a heating element; And an elevating member for separating the upper body from the lower body or contacting the upper body with the lower body, wherein the controller controls the opening ratio of the slot to be 20% or less when the substrate is placed on the heating plate The shutter driving unit can be controlled.

또한, 상기 제어부는 기판이 상기 가열 플레이트에 안착되면 상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 이격된 상태를 소정시간 유지한 후 다시 상기 하부 바디에 밀착되도록 상기 승강부재를 제어할 수 있다.The control unit may control the elevating member such that when the substrate is seated on the heating plate, the upper body is kept apart from the lower body for a predetermined time and then closely contacted to the lower body.

또한, 상기 제어부는 상기 승강부재에 의해 상기 상부 바디가 상기 하부 바디에 밀착되면, 상기 슬롯의 오픈율이 80% 이상을 유지하도록 상기 셔터 구동부를 제어할 수 있다. In addition, the control unit may control the shutter driving unit to maintain the open rate of the slot at 80% or more when the upper body is brought into close contact with the lower body by the elevating member.

본 발명의 일 측면에 따르면, 슬롯을 갖는 공정 챔버와, 기판에 대한 베이크 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부바디를 갖는 가열 처리 유닛이 상기 챔버 내부에 제공되는 베이크 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서: 상기 기판이 상기 가열 처리 유닛의 베이크 처리 공간에서 예열하는 단계; 상기 기판이 상기 가열 처리 유닛의 가열 플레이트에 안착되어 베이킹하는 단계를 포함하되; 상기 베이킹 단계는 상기 기판 상의 기류 영향을 최소화한 상태에서 기판을 베이킹하는 1차 베이킹 단계; 및 상기 기판 상의 기류 영향을 최대화한 상태에서 기판을 베이킹하는 2차 베이킹 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method in a bake apparatus in which a process chamber having a slot, a heat processing unit having an upper body and a lower body for providing a bake processing space with respect to the substrate, : Preheating the substrate in the bake processing space of the heat treatment unit; Placing the substrate on a heating plate of the heat treatment unit and baking; Wherein the baking step comprises: a first baking step of baking the substrate with the air flow influence on the substrate minimized; And a secondary baking step of baking the substrate in a state in which the air flow influence on the substrate is maximized.

또한, 상기 1차 베이킹 단계는 상기 슬롯의 오픈율이 20% 이하로 낮아진 상태에서 진행될 수 있다.Also, the first baking may be performed in a state where the open rate of the slot is lowered to 20% or less.

또한, 상기 1차 베이킹 단계는 상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 이격되는 상기 베이크 처리공간이 개방된 상태에서 진행될 수 있다.In addition, the first baking step may be performed while the bake processing space in which the upper body is spaced apart from the lower body is opened.

또한, 상기 2차 베이킹 단계는 상기 슬롯의 오픈율이 80% 이상 높아진 상태에서 진행될 수 있다.Also, the secondary baking may be performed in a state where the open rate of the slot is increased by 80% or more.

또한, 상기 2차 베이킹 단계는 상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 밀착되는 상기 베이크 처리공간이 닫힌 상태에서 진행될 수 있다.Also, the secondary baking step may be performed while the bake processing space in which the upper body is in contact with the lower body is closed.

본 발명의 일 측면에 따르면, 베이크 처리공간을 제공하는 가열 처리 유닛과, 상기 가열 처리 유닛이 위치되는 열처리 공간을 제공하는 공정 챔버를 갖는 베이크 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서: 상기 베이크 처리공간은 닫혀진 상태에서 기판은 가열 플레이트로부터 이격되도록 리프트 핀에 안착된 상태로 예열처리되는 1단계; 상기 베이크 처리공간은 오픈된 상태에서 상기 기판은 상기 가열 플레이트에 안착된 상태로 1차 베이킹되는 2단계; 상기 베이크 처리공간은 닫혀진 상태에서 상기 기판은 상기 가열 플레이트에 안착된 상태로 2차 베이킹되는 3단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method in a bake apparatus having a heat processing unit for providing a bake processing space and a process chamber for providing a heat processing space in which the heat processing unit is located, A step of preheating the substrate in a closed state while being seated on the lift pin so as to be spaced from the heating plate; A second stage in which the substrate is first baked while the substrate is seated on the heating plate in an open state; And the substrate is secondarily baked while the substrate is placed on the heating plate in a state where the bake processing space is closed.

또한, 상기 2단계와 상기 3단계는 상기 공정 챔버의 기판 출입을 위해 제공되는 슬롯의 오픈율이 서로 상이할 수 있다. Also, the openings of the slots provided for entering and exiting the process chamber may differ from each other in the second and third steps.

또한, 상기 2단계에서 상기 슬롯의 오픈율은 상기 3단계에서 상기 슬롯 오픈율보다 작을 수 있다. In addition, the open rate of the slot in the step 2 may be smaller than the slot open rate in the step 3.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상의 막 가교 반응 시점에서 기판 상부의 배기 기류를 최소화함으로써 기판의 막 균일성을 개선할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the film uniformity of the substrate can be improved by minimizing the exhaust air flow above the substrate at the time of film cross-linking reaction on the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 슬롯의 오픈율 조정을 통해 외부기류 유입량을 조절하여 기판으로부터 발생되는 흄의 리바운드 현상을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the rebound phenomenon of the fume generated from the substrate can be minimized by adjusting the flow rate of the external air flow through the adjustment of the open rate of the slots.

도 1은 일반적인 베이크 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이다.
도 8은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 베이크 유닛에서의 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 10은 도 9에 도시된 기판 처리 과정에서 상부바디,리프트핀 그리고 슬롯의 동작 상태를 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 14는 도 9의 각 단계별 기판 처리 상태를 보여주는 도면들이다.1 is a sectional view showing a general bake unit.
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a plan view showing a bake unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a side view showing the bake unit shown in Fig.
8 is a cross-sectional view showing a heat treatment unit for performing the heat treatment process of FIG.
9 is a flow chart showing a substrate processing method in the bake unit.
FIG. 10 is a view showing operation states of the upper body, the lift pins, and the slots in the substrate processing process shown in FIG.
FIGS. 11 and 14 are views showing substrate processing states of the respective steps of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIGS. 2 to 5 are views schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 유닛(420)은 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 유닛(420)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake unit 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake units 420 may include a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the substrate W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 유닛을 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이며, 도 8은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.FIG. 6 is a plan view showing the bake unit according to the embodiment of the present invention, FIG. 7 is a side view showing the bake unit shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a sectional view showing the heat treatment unit performing the heat treatment process of FIG. to be.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 베이크 유닛(420)은 공정 챔버(423), 냉각 플레이트(422), 그리고 가열 처리 유닛(800)을 포함할 수 있다. 6 to 8, the bake unit 420 may include a process chamber 423, a cooling plate 422, and a heat treatment unit 800.

공정 챔버(423)는 내부에 열처리 공간(421)을 제공한다. 공정 챔버(423)는 직육면체 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 공정 챔버(423)의 일측에는 기판 반입 및 반출을 위한 슬롯(424)이 제공되며, 슬롯(424)은 셔터(425)에 의해 개폐되고, 셔터(425)는 셔터 구동부(426)에 의해 구동된다. 공정 진행시 슬롯(424)의 오픈율은 100%-> 0-20% -> 80% -> 100% 순으로 변경되며, 이를 위해 셔터 구동부(426)는 제어부(con)에 의해 제어된다. The process chamber 423 provides a heat treatment space 421 therein. The process chamber 423 may be provided to have a rectangular parallelepiped shape. One side of the process chamber 423 is provided with a slot 424 for board loading and unloading and the slot 424 is opened and closed by the shutter 425 and the shutter 425 is driven by the shutter driving section 426 . The opening ratio of the slot 424 is changed in the order of 100% -> 0-20% -> 80% -> 100% in the course of the process, and the shutter driving unit 426 is controlled by the control unit con.

제어부(con)는 가열 플레이트(810)에 기판이 안착되면 슬롯(424)의 오픈율이 20% 이하를 유지하도록 셔터 구동부(426)를 제어하고, 승강부재(868)에 의해 상부 바디(864)가 다운 이동되면, 슬롯(424)의 오픈율이 80% 이상을 유지하도록 셔터 구동부(426)를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(con)는 기판이 가열 플레이트로부터 안착되도록 핀구동부재(844)를 제어할 수 있다. The control unit con controls the shutter driving unit 426 to maintain the open rate of the slot 424 at 20% or less when the substrate is placed on the heating plate 810 and the upper body 864 is moved up and down by the elevating member 868. [ The shutter driving unit 426 can be controlled so that the open rate of the slot 424 is maintained at 80% or more. In addition, the control unit con can control the pin driving member 844 so that the substrate is seated from the heating plate.

냉각 플레이트(422)는 가열 처리 유닛(800)에 의해 가열 처리된 기판을 냉각 처리할 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 열 처리 공간(421)에 위치될 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판을 상온으로 냉각시킬 수 있다.The cooling plate 422 can cool the substrate heated by the heat treatment unit 800. The cooling plate 422 can be located in the heat treatment space 421. The cooling plate 422 may be provided in a circular plate shape. Inside the cooling plate 422, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the cooling plate 422 may cool the heated substrate to room temperature.

가열 처리 유닛(800)은 기판을 가열 처리한다. 가열 처리 유닛(800)은 하우징(860), 가열 플레이트(810), 가열부재(830), 그리고 배기부재(870)를 포함할 수 있다. The heat treatment unit 800 heats the substrate. The heating processing unit 800 may include a housing 860, a heating plate 810, a heating member 830, and an exhaust member 870.

하우징은(860)은 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되는 처리 공간(802)을 제공한다. 하우징(860)은 하부 바디(862), 상부 바디(864), 구동기(868)를 포함한다. The housing 860 provides a processing space 802 where the heat treatment process of the substrate W proceeds. The housing 860 includes a lower body 862, an upper body 864, and a driver 868.

하부 바디(862)는 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(862)에는 가열 플레이트(810)와 가열부재(830)가 위치된다. 하부 바디(862)는 가열 플레이트(810)의 주변에 위치한 장치들이 열 변형되는 것을 방지하기 위해 단열 커버들을 포함할 수 있다. The lower body 862 may be provided in a cylindrical shape with its upper side opened. In the lower body 862, a heating plate 810 and a heating member 830 are positioned. The lower body 862 may include thermal insulation covers to prevent devices located around the heating plate 810 from being thermally deformed.

상부 바디(864)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 조합되어 내부에 처리 공간(802)을 형성한다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)보다 큰 직경을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)의 상부에 위치된다. The upper body 864 has a cylindrical shape with its bottom opened. The upper body 864 is combined with the lower body 862 to form a processing space 802 therein. The upper body 864 has a larger diameter than the lower body 862. The upper body 864 is positioned above the lower body 862.

상부 바디(864)는 승강부재(868)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 상부 바디(864)는 상하 방향으로 이동되어 승강(UP) 위치 및 하강(Down) 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치되는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)와 이격되는 위치이고, 하강 위치는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)에 접촉되게 제공되는 위치이다. 승강부재(868)는 제어부(con)에 의해 제어된다. The upper body 864 is movable up and down by an elevating member 868. [ The upper body 864 is moved in the vertical direction and is movable to the UP position and the DOWN position. Here, the upper body 864 is positioned to be separated from the lower body 862, and the lowered position is a position where the upper body 864 is provided to be in contact with the lower body 862. The elevating member 868 is controlled by the control unit con.

가열 플레이트(810)는 열 처리 공간(802)에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(810)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. 도 8를 참조하면, 가열 플레이트(810)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들(812)이 형성된다. 예컨대, 핀 홀(812)들은 3개로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)은 가열 플레이트(810)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(812)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(812)에는 리프트핀(842)이 제공된다. 리프트핀(842)은 핀구동부재(844)에 의해 상하방향으로 이동 가능한다. The heating plate 810 is located in the heat treatment space 802. The heating plate 810 is located at one side of the cooling plate 422. The heating plate 810 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the heating plate 810 is provided with a supporting region where the substrate W is placed. Referring to FIG. 8, a plurality of pin holes 812 are formed on the upper surface of the heating plate 810. For example, pinholes 812 may be provided in three. Each pinhole 812 is spaced apart along the circumferential direction of the heating plate 810. The pinholes 812 are spaced apart from each other at equal intervals. Each pin hole 812 is provided with a lift pin 842. The lift pin 842 is vertically movable by the pin driving member 844.

가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 가열 부재(830)는 복수 개의 발열체를 포함할 수 있. 가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)의 내부에 위치될 수 있다. 각각의 발열체는 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역은 각 발열체에 의해 가열되는 히팅존으로 제공된다. 각 히텅존은 발열체들과 일대일 대응되도록 제공된다. 예컨대, 가열 부재(830)는 열전 소자 또는 열선 또는 면상 발열체일 수 있다. The heating member 830 heats the substrate W placed on the heating plate 810 to a predetermined temperature. The heating member 830 may include a plurality of heating elements. The heating member 830 may be located inside the heating plate 810. Each heating element can heat different areas of the heating plate 810. Different regions of the heating plate 810 are provided to the heating zones heated by the respective heating elements. Each hetvance is provided to correspond one-to-one with the heating elements. For example, the heating member 830 may be a thermoelectric element, a heat wire, or an area heating element.

배기 부재(870)는 가이드 부재(872)와 배기관(874)을 포함할 수 있다. The exhaust member 870 may include a guide member 872 and an exhaust pipe 874.

가이드 부재(872)는 가열 플레이트(810)와 대향되게 배치되며 상부 바디(864)의 상면 내벽 및 측면 내벽과 이격되게 위치된다. 따라서, 하우징(860)의 처리 공간(802)에는 가이드 부재(872) 위쪽의 상부공간(804)과 가이드 부재(872) 아래쪽의 하부 공간(806)이 형성될 수 있다. 하부 공간(806)은 기판 상부로 유입되는 기체 및 기판으로부터 발생되는 흄이 배기되는 배기영역일 수 있다. The guide member 872 is disposed to face the heating plate 810 and is spaced apart from the upper surface inner wall and the side surface inner wall of the upper body 864. The upper space 804 above the guide member 872 and the lower space 806 below the guide member 872 may be formed in the processing space 802 of the housing 860. [ The lower space 806 may be an exhaust area where fumes generated from the substrate and the substrate introduced into the upper portion of the substrate are exhausted.

가이드 부재(872)는 중앙에 배기공(873)이 형성된 원형의 플레이트로 제공될 수 있으며, 배기관(874)은 상부바디(864)를 관통하여 배기공(873)과 연결된다. 또한, 가이드 부재(872)의 크기는 기판보다 크게 형성될 수 있다. 가이드 부재는 중앙에서 가장자리로 갈수록 하향경사지게 형성될 수 있다.The guide member 872 may be provided as a circular plate having an exhaust hole 873 at the center and the exhaust pipe 874 is connected to the exhaust hole 873 through the upper body 864. Further, the size of the guide member 872 may be larger than that of the substrate. The guide member may be formed to be inclined downward from the center to the edge.

도 9는 베이크 유닛에서의 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 챠트이고, 도 10은 도 9에 도시된 기판 처리 과정에서 상부바디,리프트핀 그리고 슬롯의 동작 상태를 보여주는 표이다. 그리고, 도 11 및 도 14는 도 9의 각 단계별 기판 처리 상태를 보여주는 도면들이다.FIG. 9 is a flowchart showing a substrate processing method in the bake unit, and FIG. 10 is a table showing the operation states of the upper body, the lift pins, and the slots in the substrate processing process shown in FIG. 11 and 14 are views showing substrate processing states of the respective steps of FIG.

도 9 내지 도 14를 참조하면, 베이크 유닛에서의 기판 처리 방법은 기판 반입 단계(S10), 기판 예열 단계(S20), 1차 베이킹 단계(S30), 2차 베이킹 단계(S40), 쿨링 단계(S50) 그리고 기판 반출 단계(S60)를 포함한다. 9 to 14, a substrate processing method in a bake unit includes a substrate carrying-in step S10, a substrate preheating step S20, a first baking step S30, a second baking step S40, a cooling step S50) and a substrate removal step (S60).

(기판 반입 단계) (Substrate loading step)

도 9를 참조하면, 기판(W)은 반송 챔버(430)의 도포부 로봇(432)에 의해 베이크 유닛(420)의 공정 챔버(423) 내부로 반입된 후 업(UP) 포지션의 리프트핀(842)에 안착된다. 기판 반입은 가열 처리 유닛(800)의 하우징(860)이 오픈된 상태인 상부 바디(864)가 UP 포지션으로 상승 이동된 상태에서 이루어진다. 9, the substrate W is carried into the process chamber 423 of the bake unit 420 by the application part robot 432 of the transfer chamber 430, and then is transferred to the lift pin 842, respectively. The substrate loading is performed in a state in which the upper body 864 in which the housing 860 of the heat processing unit 800 is opened is moved up to the UP position.

(기판 예열 단계) (Substrate preheating step)

도 9, 도 10 그리고 도 11을 참조하면, 기판 예열은 가열 처리 유닛(800)의 하우징(860)이 오프된 상태(상부 바디(864)가 Down 포지션으로 하강 이동된 상태), 리프트핀(842)은 업 포지션, 슬롯(424)은 100% 오픈된 상태에서 이루어진다. 기판은 업(UP) 포지션의 리프트핀(842)에 안착된 상태에서 가열 부재(830)로부터 발생되는 열에 의해 예열된다. 9, 10, and 11, the preheating of the substrate is performed in a state where the housing 860 of the heat treatment unit 800 is turned off (the upper body 864 is moved downward to the down position) And the slot 424 is opened at 100%. The substrate is preheated by the heat generated from the heating member 830 while being placed on the lift pins 842 of the UP position.

(1차 베이킹 단계)(Primary baking step)

도 9, 도 10 그리고 도 12를 참조하면, 1차 베이킹은 가열 처리 유닛(800)의 하우징(860)이 오픈된 상태(상부 바디(864)가 UP 포지션으로 상승 이동된 상태), 리프트핀(842)은 다운 포지션, 슬롯(424)은 0~20% 오픈된 상태에서 이루어진다. 기판은 가열 플레이트(810)에 안착된 상태에서 가열 부재(830)로부터 발생되는 열에 의해 1차 베이킹된다. 일 예로, 1차 베이킹은 대략 6초 가량 소요된다.9, 10 and 12, the primary baking is performed in a state in which the housing 860 of the heat processing unit 800 is opened (the upper body 864 is lifted up to the UP position) 842 are in the down position, and the slot 424 is 0 to 20% open. The substrate is first baked by the heat generated from the heating member 830 in a state of being mounted on the heating plate 810. [ As an example, the first baking takes about 6 seconds.

1차 베이킹은 기판 상의 막 가교 반응 시점에서 기판 상부의 기류 영향을 최소화할 수 있어 기판 중심부분의 두께 균일성을 개선시킬 수 있다. 일 예로, 1차 베이킹 처리 시간은 막의 가교 반응 시간과 대응될 수 있다. 즉, 가교 반응이 완료된 후에는 2차 베이킹 단계로 넘어가게 된다. The first baking can minimize the influence of the airflow above the substrate at the time of film cross-linking reaction on the substrate, thereby improving the uniformity of the thickness of the central portion of the substrate. In one example, the first baking treatment time may correspond to the crosslinking reaction time of the film. That is, after the crosslinking reaction is completed, the second baking step is carried out.

1차 베이킹이 하우징(860)이 오픈된 상태 그리고 슬롯(424)은 0-20%만 오픈된 상태에서 진행됨으로써 하우징(860) 내부의 음압 발생을 감소시켜 기판 중앙 부분의 막이 솟아오르는 현상을 방지할 수 있다. 만약, 슬롯(424)의 오픈율을 20% 이상으로 상승시킬 경우 슬롯(424)을 통해 외부 기류 유입량이 증가되고 외부 기류가 가열 처리 유닛(80))의 하우징(86)) 내부로 유입되면서 기판으로부터 발생되는 흄이 리바운드되는 현상을 가중시킬 수 있게 된다. 따라서, 1차 베이킹은 하우징(860) 내부의 음압 발생을 방지하기 위해 하우징(860)이 오픈된 상태에서 진행되고, 외부기류 유입에 의한 흄 리바운드 현상 및 외부 파티클 유입에 의한 기판 오염을 최소화하기 위해 슬롯(424)의 오픈율을 20% 이하로 유지하는 것이 바람직하다.The first baking is performed in a state where the housing 860 is open and the slot 424 is opened with only 0-20%, thereby reducing the generation of sound pressure inside the housing 860, thereby preventing the film in the center portion of the substrate from rising can do. If the open rate of the slot 424 is increased to 20% or more, the amount of the external airflow is increased through the slot 424 and the external airflow is introduced into the housing 86 of the heat processing unit 80) It is possible to increase the phenomenon that the fume generated from the fume is rebounded. Accordingly, the primary baking proceeds in a state in which the housing 860 is opened to prevent the generation of negative pressure inside the housing 860, and in order to minimize the fouling of the fume due to the inflow of external air and the contamination of the substrate due to the inflow of external particles It is desirable to keep the open rate of the slot 424 at 20% or less.

(2차 베이킹 단계)(Secondary baking step)

도 9, 도 10 그리고 도 13을 참조하면, 2차 베이킹은 가열 처리 유닛(800)의 하우징(860)이 오프된 상태(상부 바디(864)가 Down 포지션으로 하강 이동된 상태), 리프트핀(842)은 다운 포지션, 슬롯(424)은 80% 오픈된 상태에서 이루어진다. 기판은 가열 플레이트(810)에 안착된 상태에서 가열 부재(830)로부터 발생되는 열에 의해 2차 베이킹된다. 일 예로, 2차 베이킹은 대략 84초 가량 소요된다.9, 10 and 13, the secondary baking is performed in a state where the housing 860 of the heat treatment unit 800 is turned off (the upper body 864 is moved downward to the down position) 842 are in the down position, and the slot 424 is 80% open. The substrate is secondarily baked by the heat generated from the heating member 830 in a state of being mounted on the heating plate 810. As an example, the second baking takes about 84 seconds.

(쿨링 단계) (Cooling step)

도 9, 도 10 그리고 도 14를 참조하면, 2차 베이킹을 마친 기판은 가열 처리 유닛(800)로부터 냉각 플레이트(422)로 이송되어 냉각 플레이트에 안착된다. 쿨링 단계는 냉각 플레이트서 진행된다. 이때, 쿨링 단계는 슬롯(424)이 100% 오픈된 상태에서 이루어진다. 일 예로, 쿨링 단게는 대략 20초 가량 소요된다.9, 10, and 14, the substrate after the second baking is transferred from the heat processing unit 800 to the cooling plate 422 and is seated on the cooling plate. The cooling step proceeds on the cooling plate. At this time, the cooling step is performed with the slot 424 opened at 100%. For example, a cooling loop takes about 20 seconds.

(기판 반출 단계)(Substrate take-out step)

도 9를 참조하면, 기판(W)은 반송 챔버(430)의 도포부 로봇(432)에 의해 베이크 유닛(420)의 공정 챔버(423)로부터 반출된다. 9, the substrate W is taken out of the process chamber 423 of the bake unit 420 by the application part robot 432 of the transfer chamber 430. [

상술한 바와 같이, 베이크 유닛에서의 기판 처리 방법은 기판의 막 두께 균일성 관점에서 하우징(860) 오픈(상부 바디(864)가 UP 포지션으로 상승 이동), 리프트핀(842) 다운 공정을 추가함으로써, 가교 시점에서 하우징 내부의 배기 기류를 최소화하여 기판 중앙부분의 막 균일성을 개선할 수 있다. As described above, the substrate processing method in the bake unit is advantageous in that the housing 860 is opened (the upper body 864 is moved upward to the UP position) from the viewpoint of film thickness uniformity of the substrate, by adding the lift pin 842 down process , It is possible to minimize the exhaust air flow inside the housing at the time of crosslinking and to improve the film uniformity in the central portion of the substrate.

또한, 베이크 유닛에서의 기판 처리 방법은 흄(fume) 관점에서 1차 베이킹시 슬롯의 오픈율을 20%이하로 변경하여 외부 기류 유입을 최소화함으로써 흄 리바운드 감소에 의한 결함을 최소화할 수 있다. In addition, from the viewpoint of the fume, the substrate processing method in the bake unit minimizes the defects due to the reduction of the fume rebound by minimizing the inflow of the external airflow by changing the open rate of the slots to less than 20% in the first baking.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development chamber 460, a bake unit 470, and a transfer chamber 480. [ The development chamber 460, the bake unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake unit 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 470 may be provided in a greater number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 includes bake units 470, development chambers 460, a second buffer 330 and a cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and a second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 챔버와 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake units 470 may include a post bake process in which the substrate W is heated before the development process is performed, a hard bake process in which the substrate W is heated after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in a single bake unit 470, respectively. Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471, while others may only have the heating plate 472. [ Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as the bake chamber of the application module 401, a detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The preprocessing module 601 has a protective film application chamber 610, a bake unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the protective film application chamber 610 and the bake unit 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, the plurality of bake units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 유닛(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake unit 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, (W). The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake unit 620, respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only the heating plate 622, while others may only include the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake unit 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake units 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, the post-exposure bake units 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 ㅇ유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 uses the deep ultraviolet light to heat the substrate W subjected to the exposure process. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure baking unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake unit having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)과 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

420 : 베이크 유닛 423 : 공정 챔버
422 : 냉각 플레이트 800 : 가열 처리 유닛420: bake unit 423: process chamber
422: cooling plate 800: heating processing unit

Claims (14)

내부에 열처리 공간을 제공하는 그리고 일측에 기판 반입반출을 위한 슬롯과 상기 슬롯을 개폐하는 셔터 그리고 상기 셔터를 구동하는 셔터 구동부를 갖는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 열처리 공간에 위치되어 기판을 냉각처리하는 냉각 플레이트; 및
기판을 가열처리하는 가열 처리 유닛을 포함하되;
상기 공정 챔버는
상기 가열 처리 유닛에서의 기판 베이크 처리시 상기 슬롯의 오픈율을 변경하기 위해 상기 셔터 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 베이크 장치.A processing chamber for providing a heat treatment space therein and having a slot for carrying in and carrying out a substrate, a shutter for opening and closing said slot, and a shutter driving portion for driving said shutter;
A cooling plate positioned in a heat treatment space of the process chamber to cool the substrate; And
A heating processing unit for heating the substrate;
The process chamber
And a control unit for controlling the shutter driving unit to change the open rate of the slot in the substrate baking process in the heating processing unit. 제1항에 있어서,
상기 가열 처리 유닛은
기판에 대한 베이크 처리가 진행되는 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부바디를 갖는 하우징;
상기 상부바디에 제공되어 상기 처리공간에서의 기류를 배기시키는 배기부재;
상기 하부 바디에 제공되며, 발열체를 갖는 가열 플레이트; 및
상기 상부바디를 상기 하부 바디로부터 이격 또는 상기 상부바디를 상기 하부 바디에 접촉시키기 위한 승강부재를 포함하고,
상기 제어부는 상기 가열 플레이트에 기판이 안착되면 상기 슬롯의 오픈율이 20% 이하를 유지하도록 상기 셔터 구동부를 제어하는 베이크 장치.The method according to claim 1,
The heating processing unit
A housing having an upper body and a lower body for providing a processing space in which a bake process for the substrate proceeds;
An exhaust member provided on the upper body to exhaust airflow in the processing space;
A heating plate provided on the lower body, the heating plate having a heating element; And
And an elevating member for separating the upper body from the lower body or contacting the upper body with the lower body,
Wherein the controller controls the shutter driving unit to maintain the open rate of the slot to 20% or less when the substrate is mounted on the heating plate. 제2항에 있어서,
상기 제어부는
기판이 상기 가열 플레이트에 안착되면 상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 이격된 상태를 소정시간 유지한 후 다시 상기 하부 바디에 밀착되도록 상기 승강부재를 제어하는 베이크 장치.3. The method of claim 2,
The control unit
Wherein when the substrate is mounted on the heating plate, the elevating member is kept in contact with the lower body after the upper body is separated from the lower body for a predetermined time. 제3항에 있어서,
상기 제어부는
상기 승강부재에 의해 상기 상부 바디가 상기 하부 바디에 밀착되면, 상기 슬롯의 오픈율이 80% 이상을 유지하도록 상기 셔터 구동부를 제어하는 베이크 장치.The method of claim 3,
The control unit
And controls the shutter driving unit to maintain the open rate of the slot at 80% or more when the upper body is brought into close contact with the lower body by the lifting member. 슬롯을 갖는 공정 챔버와, 기판에 대한 베이크 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부바디를 갖는 가열 처리 유닛이 상기 챔버 내부에 제공되는 베이크 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서:
상기 기판이 상기 가열 처리 유닛의 베이크 처리 공간에서 예열하는 단계;
상기 기판이 상기 가열 처리 유닛의 가열 플레이트에 안착되어 베이킹하는 단계를 포함하되;
상기 베이킹 단계는
상기 기판 상의 기류 영향을 최소화한 상태에서 기판을 베이킹하는 1차 베이킹 단계; 및
상기 기판 상의 기류 영향을 최대화한 상태에서 기판을 베이킹하는 2차 베이킹 단계를 포함하는 기판 처리 방법. A substrate processing method in a bake apparatus in which a processing chamber having a slot and a heating processing unit having an upper body and a lower body for providing a bake processing space with respect to the substrate are provided in the chamber,
Preheating the substrate in a bake processing space of the heat processing unit;
Placing the substrate on a heating plate of the heat treatment unit and baking;
The baking step
A first baking step of baking the substrate with the influence of air flow on the substrate minimized; And
And a second baking step of baking the substrate in a state in which the air flow influence on the substrate is maximized. 제5항에 있어서,
상기 1차 베이킹 단계는
상기 슬롯의 오픈율이 20% 이하로 낮아진 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
The first baking step
Wherein an open rate of the slot is lowered to 20% or less. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 1차 베이킹 단계는
상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 이격되는 상기 베이크 처리공간이 개방된 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.The method according to claim 5 or 6,
The first baking step
And the bake processing space in which the upper body is spaced apart from the lower body proceeds in an open state. 제5항에 있어서,
상기 2차 베이킹 단계는
상기 슬롯의 오픈율이 80% 이상 높아진 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
The second baking step
Wherein the open rate of the slot is increased by 80% or more. 제5항 또는 제8항에 있어서,
상기 2차 베이킹 단계는
상기 상부 바디가 상기 하부 바디로부터 밀착되는 상기 베이크 처리공간이 닫힌 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.9. The method according to claim 5 or 8,
The second baking step
Wherein the bake processing space in which the upper body is in close contact with the lower body proceeds in a closed state. 베이크 처리공간을 제공하는 가열 처리 유닛과, 상기 가열 처리 유닛이 위치되는 열처리 공간을 제공하는 공정 챔버를 갖는 베이크 장치에서의 기판 처리 방법에 있어서:
상기 베이크 처리공간은 닫혀진 상태에서 기판은 가열 플레이트로부터 이격되도록 리프트 핀에 안착된 상태로 예열처리되는 1단계;
상기 베이크 처리공간은 오픈된 상태에서 상기 기판은 상기 가열 플레이트에 안착된 상태로 1차 베이킹되는 2단계;
상기 베이크 처리공간은 닫혀진 상태에서 상기 기판은 상기 가열 플레이트에 안착된 상태로 2차 베이킹되는 3단계를 포함하는 기판 처리 방법.A substrate processing method in a baking apparatus having a heat processing unit for providing a baking space and a process chamber for providing a heat treatment space in which the heat processing unit is located,
A step of preheating the substrate in a state in which the bake processing space is closed, the substrate being seated on the lift pin so as to be spaced apart from the heating plate;
A second stage in which the substrate is first baked while the substrate is seated on the heating plate in an open state;
And wherein the baking treatment space is closed and the substrate is secondarily baked while being seated on the heating plate. 제10항에 있어서,
상기 2단계와 상기 3단계는 상기 공정 챔버의 기판 출입을 위해 제공되는 슬롯의 오픈율이 서로 상이한 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the second and third steps are different from each other in the open rates of the slots provided for entering and exiting the process chamber. 제11항에 있어서,
상기 2단계에서 상기 슬롯의 오픈율은 상기 3단계에서 상기 슬롯 오픈율보다 작은 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the open rate of the slot in the step (2) is smaller than the slot open rate in the step (3). 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 바디 및 하부 바디를 가지는 하우징;
상기 처리 공간이 외부에 대해 밀폐 또는 개방 가능하도록 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 이동시키는 승강부재;
상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 플레이트;
상기 플레이트 상에 놓인 기판을 가열하는 가열 부재;
외부의 반송유닛으로부터 기판을 인계받고, 이를 상기 플레이트에 인계하는 리프트 핀과;
상기 리프트 핀을 상하로 이동시키는 핀구동부재;
상기 승강부재 및 상기 핀 구동부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 반송유닛으로터 상기 리프트 핀으로 기판이 인계된 후 상기 처리공간을 외부로부터 밀폐하는 제1단계와;
상기 리프트 핀이 하강하는 동안 상기 처리공간이 외부에 대해 개방되도록 하는 제2단계와;
상기 기판이 상기 플레이트에 놓인 이후 상기 처리공간이 외부에 대해 밀폐되도록 하는 제3단계가 순차적으로 수행하도록 상기 승강부재 및 상기 핀 구동부재를 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A housing having an upper body and a lower body for providing a processing space for processing the substrate in combination with each other;
A lifting member for moving the upper body or the lower body such that the processing space is hermetically or openable to the outside;
A plate for supporting the substrate within the housing;
A heating member for heating a substrate placed on the plate;
A lift pin for taking over the substrate from an external transfer unit and transferring the transferred substrate to the plate;
A pin driving member for moving the lift pin up and down;
And a controller for controlling the elevating member and the pin driving member,
The controller comprising:
A first step of sealing the processing space from the outside after the substrate is taken over by the lift pin to the transfer unit;
A second step of causing the processing space to be open to the outside while the lift pin is lowered;
And a third step of causing the processing space to be sealed with respect to the outside after the substrate is placed on the plate, in order to control the elevating member and the pin driving member. 제13항에 있어서,
상기 제1단계와 상기 제3단계는 상기 제2단계보다 긴 시간으로 제공되고,
상기 기판의 처리는 상기 기판을 베이크하는 공정인 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the first step and the third step are provided for a longer time than the second step,
Wherein the processing of the substrate is a step of baking the substrate.
KR1020160079989A 2016-06-27 2016-06-27 bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof KR102516725B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160079989A KR102516725B1 (en) 2016-06-27 2016-06-27 bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160079989A KR102516725B1 (en) 2016-06-27 2016-06-27 bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180001690A true KR20180001690A (en) 2018-01-05
KR102516725B1 KR102516725B1 (en) 2023-04-04

Family

ID=61001535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160079989A KR102516725B1 (en) 2016-06-27 2016-06-27 bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102516725B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190114859A (en) * 2018-03-29 2019-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. A waper boat cooldown device
CN111048445A (en) * 2018-10-15 2020-04-21 细美事有限公司 Heating plate cooling method and substrate processing apparatus
KR102172513B1 (en) * 2019-07-01 2020-11-02 세메스 주식회사 Substrate baking apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080018455A (en) * 2006-08-24 2008-02-28 세메스 주식회사 Bake process apparatus and method
KR20080056461A (en) * 2006-12-18 2008-06-23 세메스 주식회사 Method and apparatus for baking photoresist pattern
JP2010056223A (en) * 2008-08-27 2010-03-11 Sokudo Co Ltd Substrate treating device
KR20110061252A (en) * 2009-12-01 2011-06-09 세메스 주식회사 System for controlling semiconductor manufacturing equipment and method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080018455A (en) * 2006-08-24 2008-02-28 세메스 주식회사 Bake process apparatus and method
KR20080056461A (en) * 2006-12-18 2008-06-23 세메스 주식회사 Method and apparatus for baking photoresist pattern
JP2010056223A (en) * 2008-08-27 2010-03-11 Sokudo Co Ltd Substrate treating device
KR20110061252A (en) * 2009-12-01 2011-06-09 세메스 주식회사 System for controlling semiconductor manufacturing equipment and method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190114859A (en) * 2018-03-29 2019-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. A waper boat cooldown device
CN111048445A (en) * 2018-10-15 2020-04-21 细美事有限公司 Heating plate cooling method and substrate processing apparatus
CN111048445B (en) * 2018-10-15 2023-08-08 细美事有限公司 Heating plate cooling method and substrate processing apparatus
KR102172513B1 (en) * 2019-07-01 2020-11-02 세메스 주식회사 Substrate baking apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102516725B1 (en) 2023-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101605721B1 (en) Bake apparatus and Apparatus for treating substrate
KR20160017699A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20180000928A (en) unit for treating substrate and bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR102516725B1 (en) bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR102397846B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR102315662B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20190012965A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20170024211A (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR102000023B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20150078629A (en) Apparatus for treating substrate
KR20190080326A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20180122519A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101776018B1 (en) Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate
KR101914482B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20170056224A (en) Bake apparatus and bake method
KR20160134926A (en) Method for applying a liquid and apparatus for treating a substrate
KR101909481B1 (en) Bake unit, Apparatus and method for treating substrate with the unit
KR101768518B1 (en) Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate
KR101721148B1 (en) Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals
KR102223764B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20190034725A (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR20180043438A (en) Apparatus and Method for treating substrate, and System for treating substrate with the apparatus
KR20180061536A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20180076410A (en) Apparatus for treating substrate
KR101885567B1 (en) Apparatus treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant