KR20160017699A - Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method - Google Patents
Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160017699A KR20160017699A KR1020140098533A KR20140098533A KR20160017699A KR 20160017699 A KR20160017699 A KR 20160017699A KR 1020140098533 A KR1020140098533 A KR 1020140098533A KR 20140098533 A KR20140098533 A KR 20140098533A KR 20160017699 A KR20160017699 A KR 20160017699A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- heating
- unit
- cooling
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 220
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 176
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 138
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 68
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판을 가열하는 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In general, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. The photolithography process performed to form the pattern plays an important role in achieving the high integration of the semiconductor device.
포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 도포 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 공정, 노광 공정에서 광이 조사된 영역 또는 그 반대 영역을 제거하는 현상 공정을 포함하고, 각각의 공정의 전후에는 기판을 가열 및 냉각하는 베이크 공정이 수행된다.The photolithography process is performed to form a photoresist pattern on the semiconductor substrate. The photolithography process includes a coating process for forming a photoresist film on a substrate, an exposure process for forming a photoresist pattern from the photoresist film, and a developing process for removing a region irradiated with light or an opposite region thereof in the exposing process, A baking step for heating and cooling the substrate is performed.
베이크 공정은 가열 유닛을 통해서 기판을 가열한다. 가열 유닛은 웨이퍼가 놓여지는 가열 플레이트를 가진다. 하나의 그룹에 속하는 웨이퍼들에 대해 공정이 완료되고 다음 그룹에 속하는 웨이퍼들에 공정을 진행하기 전, 가열 플레이트의 온도는 상술한 다음 그룹에 속하는 웨이퍼들의 공정 조건(예컨대, 가열 온도)에 적합하도록 조절되어야 한다. 가열 플레이트의 온도 상승은 가열 플레이트에 제공되는 열에너지를 증가하여 신속하게 수행할 수 있다. 그러나 가열 플레이트의 온도 하강은 자연 냉각 방식에 의해 이루어지므로 많은 시간이 소요된다. 자연 냉각 방식에 의해 소요되는 시간은 대기 시간에 해당하여 설비의 가동률이 크게 저하된다.The bake process heats the substrate through the heating unit. The heating unit has a heating plate on which the wafer is placed. Before the process is completed for the wafers belonging to one group and the wafers belonging to the next group, the temperature of the heating plate is adjusted to suit the process conditions (e.g. heating temperature) of the wafers belonging to the following group Should be adjusted. The temperature rise of the heating plate can be performed quickly by increasing the heat energy supplied to the heating plate. However, since the temperature lowering of the heating plate is performed by the natural cooling method, it takes much time. The time required by the natural cooling method corresponds to the waiting time, and the operation rate of the facility is greatly lowered.
본 발명은 베이크 공정의 효율을 높이기 위한 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a bake unit for increasing the efficiency of a bake process, and a substrate processing apparatus and method including the bake unit.
또한, 본 발명은 베이크 플레이트의 냉각 속도를 향상시킬 수 있는 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a bake unit capable of improving the cooling rate of the bake plate, an apparatus and a method for processing the substrate including the bake unit.
본 발명은 베이크 유닛을 제공한다. The present invention provides a bake unit.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 베이크 유닛은 하우징과 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 반송하는 반송 유닛과 그리고 상기 가열 플레이트 또는 가열된 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛;을 포함하되 상기 반송 유닛은 기판이 놓이는 반송 플레이트를 포함하고 상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트에 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the bake unit may include a heating unit having a housing and a heating plate for heating the substrate, a conveying unit disposed in the housing for conveying the substrate, And a cooling unit capable of cooling the substrate, wherein the transport unit includes a transport plate on which the substrate is placed, and the cooling unit can be provided on the transport plate.
일 실시예에 따르면, 상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 제공된 냉각 유로를 가질 수 있다.According to one embodiment, the cooling unit may have a cooling flow passage provided inside the conveying plate.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽과 상기 제1측벽의 마주보는 면에 형성된 제2측벽을 포함하며 상기 가열 유닛은 상기 제1측벽보다 상기 제2측벽에 더 인접하게 위치할 수 있다. According to one embodiment, the housing includes a first sidewall formed with an entrance and exit through which the substrate enters and exits, and a second sidewall formed on a surface facing the first sidewall, and the heating unit includes a first sidewall More closely positioned.
일 실시예에 따르면, 상기 가열 유닛은 상기 가열 플레이트의 상단에 위치하며 상기 가열 플레이트를 포함하는 가열공간을 제공하는 커버와 상기 커버를 상하로 구동하는 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the heating unit may include a cover which is located at the upper end of the heating plate and provides a heating space including the heating plate, and a driver which drives the cover up and down.
일 실시예에 따르면, 상기 가열 유닛은 상기 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동가능하게 제공되며 상기 반송 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the heating unit may further include a lift pin provided in the pin hole formed in the heating plate so as to be movable up and down, and to transfer the substrate to the transfer unit.
일 실시예에 따르면, 상기 반송 유닛은 상기 반송 플레이트를 상기 1측벽에 인접한 제1위치와, 상기 제2측벽에 근접하며 상기 가열 플레이트의 상부인 제2위치로 이동시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the transport unit may further comprise a driving member for moving the transporting plate to a first position adjacent to the one sidewall and a second position adjacent to the second sidewall and above the heating plate have.
일 실시예에 따르면, 상기 반송 플레이트에는 상기 제1위치에서 상기 제2위치로 이동할 때 상기 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 상기 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며 상기 가이드 홀은 상기 반송 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a guide hole is formed in the transport plate so that the lift pin is inserted to prevent interference or collision with the lift pin when the transport plate is moved from the first position to the second position, As shown in Fig.
일 실시예에 따르면, 상기 베이크 유닛은 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어할 수 있다.According to one embodiment, the bake unit further includes a controller for controlling the conveying unit and the cooling unit, wherein when the temperature of the heating plate is lowered, the conveying plate is brought into contact with or adjacent to the heating plate And then cooling the heating plate with the cooling unit.
일 실시예에 따르면, 상기 베이크 유닛은 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각 시 상기 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키도록 제어할 수 있다.According to one embodiment, the bake unit further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit, wherein when the substrate heated by the heating plate is cooled, And then cooling the substrate by using the cooling unit after positioning the substrate on the substrate.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 기판에 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛과 기판에 액을 공급하여 공정을 수행하는 액처리 챔버와 그리고 상기 베이크 유닛과 상기 액처리 챔버간에 기판을 반송하는 반송챔버를 포함하되 상기 베이크 유닛은 하우징과 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛과 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 반송하는 반송 유닛과 그리고 상기 가열 플레이트 또는 가열된 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛을 포함하되 상기 반송 유닛은 기판이 놓이는 반송 플레이트를 포함하고 상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트에 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a bake unit for performing a bake process on a substrate, a liquid processing chamber for performing a process by supplying a liquid to the substrate, and a liquid processing chamber for performing a process between the bake unit and the liquid processing chamber Wherein the bake unit comprises a heating unit having a housing and a heating plate for heating the substrate, the heating unit being located in the housing and a transport unit for transporting the substrate, the heating unit being located in the housing, The transfer unit includes a transfer plate on which the substrate is placed, and the cooling unit can be provided on the transfer plate.
일 실시예에 따르면, 상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 제공된 냉각 유로를 가질 수 있다.According to one embodiment, the cooling unit may have a cooling flow passage provided inside the conveying plate.
일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽과 상기 제1측벽의 마주보는 면에 형성된 제2측벽을 포함하며 상기 가열 유닛은 상기 제1측벽보다 상기 제2측벽에 더 인접하게 위치할 수 있다.According to one embodiment, the housing includes a first sidewall formed with an entrance and exit through which the substrate enters and exits, and a second sidewall formed on a surface facing the first sidewall, and the heating unit includes a first sidewall More closely positioned.
일 실시예에 따르면, 상기 가열 유닛은 상기 가열 플레이트의 상단에 위치하며 상기 가열 플레이트를 포함하는 가열공간을 제공하는 커버와 상기 커버를 상하로 구동하는 구동기를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the heating unit may include a cover which is located at the upper end of the heating plate and provides a heating space including the heating plate, and a driver which drives the cover up and down.
일 실시예에 따르면, 상기 가열 유닛은 상기 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동가능하게 제공되며, 상기 반송 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the heating unit may further include a lift pin which is provided so as to be movable up and down in a pin hole formed in the heating plate, and which transfers the substrate to the transfer unit.
일 실시예에 따르면, 상기 반송 유닛은 상기 반송 플레이트를 상기 1측벽에 인접한 제1위치와, 상기 제2측벽에 근접하며 상기 가열 플레이트의 상부인 제2위치로 이동시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the transport unit may further comprise a driving member for moving the transporting plate to a first position adjacent to the one sidewall and a second position adjacent to the second sidewall and above the heating plate have.
일 실시예에 따르면, 상기 반송 플레이트에는 상기 제1위치에서 상기 제2위치로 이동할 때 상기 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 상기 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며 상기 가이드 홀은 상기 반송 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a guide hole is formed in the transport plate so that the lift pin is inserted to prevent interference or collision with the lift pin when the transport plate is moved from the first position to the second position, As shown in Fig.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어할 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit, wherein when the temperature of the heating plate is lowered, the transport plate is brought into contact with or adjacent to the heating plate And then the cooling plate is cooled by the cooling unit.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각 시 상기 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키도록 제어할 수 있다. According to one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit, wherein when the substrate heated by the heating plate is cooled, After positioning the substrate on the plate, it can be controlled to cool the substrate using the cooling unit.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다.The present invention provides a method of treating a substrate.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은, 제1그룹에 속하는 기판을 가열 플레이트를 이용해 제1온도로 가열하는 제1 기판 가열 단계와 상기 가열 플레이트로 기판을 반송하는 반송 플레이트에 제공된 냉각 유닛을 이용해 상기 가열 플레이트를 냉각하는 플레이트 냉각 단계와 제2그룹에 속하는 기판을 상기 가열 플레이트를 이용해 상기 제1온도보다 낮은 제2온도로 가열하는 제2 기판 가열 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing method including a first substrate heating step of heating a substrate belonging to a first group to a first temperature by using a heating plate, and a second substrate heating step of supplying a substrate to the heating plate A plate cooling step of cooling the heating plate using a cooling unit and a second substrate heating step of heating the substrate belonging to the second group to a second temperature lower than the first temperature by using the heating plate.
일 실시예에 따르면, 상기 플레이트 냉각 단계는 상기 가열 플레이트의 온도를 상기 제2온도로 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the plate cooling step includes cooling the heating plate with the cooling unit after bringing the conveyance plate into contact with or adjacent to the heating plate when lowering the temperature of the heating plate to the second temperature ≪ / RTI >
일 실시예에 따르면, 상기 플레이트 냉각 단계는 상기 반송 플레이트에서 기판이 제거된 상태에서 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the plate cooling step may include cooling the heating plate with the cooling unit after placing the conveying plate in contact with or adjacent to the heating plate with the substrate removed from the conveying plate have.
일 실시예에 따르면, 상기 플레이트 냉각 단계는 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각하면서 동시에 상기 가열 플레이트의 저면에 공급되는 냉각 가스로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the plate cooling step may include cooling the heating plate with the cooling unit while cooling the heating plate with cooling gas supplied to the bottom surface of the heating plate.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 기판 가열 단계와 상기 플레이트 냉각 단계의 사이에서 상기 가열 플레이트에서 상기 제1온도로 기판을 가열한 후 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키는 제1기판 냉각 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, after the substrate is heated to the first temperature in the heating plate between the first substrate heating step and the plate cooling step, the substrate having been processed is placed on the transport plate, And a first substrate cooling step of cooling the substrate using a cooling unit.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 기판 가열 단계 이후에 상기 가열 플레이트에서 상기 제2온도로 기판을 가열한 후 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키는 제2기판 냉각 단계를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, after the substrate is heated to the second temperature from the heating plate after the second substrate heating step, the substrate on which the processing is completed is positioned on the transport plate, And a second substrate cooling step for cooling the substrate.
일 실시예에 따르면, 상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 냉각 유로를 제공할 수 있다.According to one embodiment, the cooling unit may provide a cooling channel inside the conveying plate.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 플레이트에 냉각 유닛을 제공하여 베이크 공정에 효율을 향상시키는 효과가 있다. According to an embodiment of the present invention, there is an effect that the cooling unit is provided on the transport plate to improve the efficiency in the baking process.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 플레이트에 냉각 유닛을 제공하여 기판을 가열하는 가열 유닛을 단시간에 냉각시키는 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention, there is an effect that the heating unit for heating the substrate is cooled in a short time by providing the cooling unit on the conveying plate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 플레이트에 냉각 유닛을 제공하여 냉각 유닛을 이용한 냉각과 자연 냉각을 동시에 제공하여 냉각 시간을 최소화하는 효과가 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a cooling unit is provided on a conveyance plate, cooling and natural cooling using a cooling unit are simultaneously provided, thereby minimizing cooling time.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 유닛의 사시도이다.
도 5는 도 4의 베이크 유닛의 평면도이다.
도 6은 도 4의 베이크 유닛의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 베이크 유닛에서 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 8 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view of the
FIG. 3 is a view of the
4 is a perspective view of a bake unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view of the bake unit of Fig.
6 is a cross-sectional view of the bake unit of Fig.
7 is a flowchart sequentially showing a method of processing a substrate in a bake unit according to an embodiment of the present invention.
8 to 16 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. The facility of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the facilities of this embodiment are used to perform a coating process and a developing process on a substrate.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 to 3 are views schematically showing a
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(410)는 기판(W)DP 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 유닛(500)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist
도 4 내지 도 6은 베이크 유닛을 보여주는 도면이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 베이크 유닛(500)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(500)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등과 같은 가열 공정을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 4 to 6 are views showing a bake unit. 4 to 6, the
베이크 유닛(500)은 하우징(510), 반송 유닛(530), 가열 유닛(550), 냉각 유닛(570) 그리고 제어기(590)를 포함한다.The
하우징(510)은 내부에 베이크 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 제1측벽(511), 제2측벽(513) 그리고 출입구(512)를 포함한다. The
제1측벽(511)은 하우징(510)의 일측면에 제공된다. 제2측벽(512)은 제1측벽(511)과 맞은편에 제공된다. 하우징(510)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 출입구(512)가 형성된다. 일 예로 출입구(512)는 제1측벽(511)에 형성될 수 있다. 출입구(512)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.The
반송 유닛(530)은 하우징(510) 내에서 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(530은 반송 플레이트(531), 아암(532), 지지링(533), 그리고 구동 부재(537)를 포함한다.The
반송 플레이트(531)에는 기판(W)이 놓인다. 반송 플레이트(531)는 원형의 형상으로 제공된다. 반송 플레이트(531)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 반송 플레이트(531)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 반송 플레이트(531)에는 가이드 홀(535)이 형성되어 있다. 가이드 홀(535)은 반송 플레이트(531)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(535)은 반송 플레이트(531)의 이동 시 리프트 핀(553)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다.The substrate W is placed on the
아암(532)은 반송 플레이트(531)와 고정결합된다. 아암(532)은 반송 플레이트(531)와 구동 부재(537) 사이에 제공된다. And the
지지링(533)은 반송 플레이트(531) 주위를 감싸며 제공된다. 지지링(533)은 반송 플레이트(531)의 가장 자리를 지지한다. 지지링(533)은 기판(W)이 반송 플레이트(531)에 놓여진 후 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 지지하는 역할을 한다. The supporting
구동 부재(537)는 반송 플레이트(531)를 구동시킨다. 구동 부재(537)는 반송 플레이트(531)를 수평 운동 또는 상하 이동시킨다. 구동 부재(537)는 반송 플레이트(531)를 제1위치(501)와 제2위치(502)로 이동시킬 수 있다. 제1위치(501)는 반송플레이트(531)가 제1측벽(511)에 인접한 위치이다. 제2위치(502)는 제2측벽(513)에 근접하며 가열 플레이트(551)의 상부 위치이다. The driving
가열 유닛(550)은 기판(W)을 설정 온도로 가열한다. 가열 유닛(550)은 가열 플레이트(551), 리프트 핀(553), 커버(555) 그리고 구동기(557)를 포함한다. The
가열 플레이트(551)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 가열 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 수단은 히팅 코일로 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트(551)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(551)는 원통형의 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(551)의 내에는 리프트 핀(553)을 수용하는 핀 홀(554)이 형성된다.Inside the
핀 홀(554)은 리프트 핀(553)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(553)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(554)은 가열 플레이트(551)를 상하방향으로 관통하도록 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다. The
리프트 핀(554)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(554)은 기판(W)을 가열 플레이트(551) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(554)은 기판(W)을 가열 플레이트(551)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. The lift pins 554 are moved up and down by a lifting mechanism (not shown). The lift pins 554 can seat the substrate W on the
커버(555)는 가열 플레이트(551)의 상부에 위치한다. 커버(555)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(555)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이동시 구동기(557)에 의해 가열 플레이트(551)의 상부로 이동한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)에 의해 가열 시 구동기(557)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다. The
구동기(557)는 지지부(558)에 의해 커버(555)와 고정 결합된다. 구동기(557)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이송 또는 반송되는 경우 커버(555)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(557)는 실린더로 제공될 수 있다. The
냉각 유닛(570)은 가열 플레이트(551) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시킨다. 냉각 유닛(570)은 반송 플레이트(531)의 내부에 제공된다. 일 예로 냉각 유닛(570)은 냉각 유로로 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W) 또는 가열 플레이트(551)를 냉각할 수 있다. The
제어기(590)는 반송 유닛(530)과 냉각 유닛(570)을 제어한다. The
도 7은 본 발명의 일 실시예에 베이크 유닛에서 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이고 도 8 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다. 이하 도 7 내지 도 16을 참조하면, 베이크 공정은 순차적으로 제1그룹에 속하는 기판(W1)들은 제1온도(T1)로, 제2그룹에 속하는 기판(W2)들은 제2온도(T2)로 가열한다. 제1그룹과 제2그룹에 속하는 기판은 하나 또는 복수의 매수로 제공될 수 있다. 각 그룹에 속하는 기판들은 하나의 카세트 내에 제공되는 기판들일 수 있다. FIG. 7 is a flowchart sequentially illustrating a method of processing a substrate in a bake unit according to an embodiment of the present invention. FIGS. 8 to 16 are views sequentially illustrating a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 7 to 16, the baking process sequentially sets the substrates W1 belonging to the first group to the first temperature T1 and the substrates W2 belonging to the second group to the second temperature T2 Heat it. The substrates belonging to the first group and the second group may be provided in one or a plurality of the number. Substrates belonging to each group may be substrates provided in one cassette.
기판을 처리하는 방법은 제1 기판 가열 단계(S110), 제1기판 냉각 단계(S120), 플레이트 냉각 단계(S130), 제2 기판 가열 단계(S140) 그리고 제2기판 냉각 단계(S150)를 포함한다.The substrate processing method includes a first substrate heating step S110, a first substrate cooling step S120, a plate cooling step S130, a second substrate heating step S140, and a second substrate cooling step S150 do.
제1 기판 가열 단계(S110)는 제1그룹에 속하는 기판(W1)을 제1온도(T1)로 가열한다. 도 8 내지 도 10은 제1 기판 가열 단계를 순차적으로 보여주는 도면으로, 기판(W1)은 하우징(510) 내부에 반송 플레이트(531)로 이송된다. 반송 플레이트(531)로 이송된 기판(W1)은 커버(555)를 상부로 이동시킨 상태에서 구동 부재(537)에 의해 제1위치(501)에서 제2위치(502)로 이동한다. 반송 플레이트(531)는 기판(W1)을 가열 플레이트(551)에 내려놓는다. 구동기(557)는 커버(555)를 하부로 이동시켜 가열 공간을 제공한다. 가열 플레이트(551)는 기판(W1)을 제1온도(T1)로 가열한다. The first substrate heating step S110 heats the substrate W1 belonging to the first group to the first temperature T1. FIGS. 8 to 10 sequentially illustrate the first substrate heating step. The substrate W1 is transferred to the
제1 기판 가열 단계(S110) 후에 기판(W1)은 제1기판 냉각 단계(S120)를 수행한다. 도 11은 제1기판 냉각 단계를 보여주는 도면으로, 기판(W1)은 가열 플레이트(551)에서 반송 플레이트(531)로 인계된다. 반송 플레이트(531)에 놓인 기판(W1)은 제2위치(502)에서 제1위치(501)로 이동한다. 기판(W1)은 제1위치(501)로 이동되는 과정 중 또는 제1위치(501)로 이동 후 냉각 유닛(570)에 의해 냉각된다. After the first substrate heating step (S110), the substrate W1 performs the first substrate cooling step (S120). Fig. 11 is a view showing the first substrate cooling step, in which the substrate W1 is transferred to the
제1기판 냉각 단계(S120) 이후에 플레이트 냉각 단계(S130)를 수행한다. 도 12는 플레이트 냉각 단계를 보여주는 도면으로, 반송 플레이트(531)는 기판이 놓여지지 않은 상태에서 구동 부재(537)를 통해서 제1위치(501)에서 제2위치(502)로 이동한다. 반송 플레이트(531)는 가열 플레이트(551)와 접촉 또는 인접한 위치에 배치된다. 냉각 유닛(570)은 가열 플레이트(551)의 온도를 제1온도(T1)에서 제1온도(T1)보다 낮은 온도인 제2온도(T2)로 낮춘다. 가열 플레이트(551)가 냉각된 후 반송 플레이트(531)는 제2위치(502)에서 제1위치(501)로 이동된다.The plate cooling step (S130) is performed after the first substrate cooling step (S120). 12 is a view showing a plate cooling step in which the
플레이트 냉각 단계(S130) 이후에 제2 기판 가열 단계(S140)를 수행한다. 제2 기판 가열 단계(S140)는 제2그룹에 속하는 기판(W2)을 제2온도(T2)로 가열한다. 도 13 내지 도 15는 제2 기판 가열 단계를 순차적으로 보여주는 도면으로, 기판(W2)은 하우징(510) 내부에 반송 플레이트(531)로 이송된다. 반송 플레이트(531)로 이송된 기판(W2)은 커버(555)를 상부로 이동시킨 상태에서 구동 부재(537)에 의해 제1위치(501)에서 제2위치(502)로 이동한다. 반송 플레이트(531)는 기판(W2)을 가열 플레이트(551)에 내려놓는다. 구동기(557)는 커버(555)를 하부로 이동시켜 가열 공간을 제공한다. 가열 플레이트(551)는 기판(W2)을 제2온도(T2)로 가열한다. The second substrate heating step (S140) is performed after the plate cooling step (S130). The second substrate heating step S140 heats the substrate W2 belonging to the second group to the second temperature T2. 13 to 15 sequentially illustrate the second substrate heating step, and the substrate W2 is transferred to the
제2 기판 가열 단계(S140) 후에 기판(W2)은 제2기판 냉각 단계(S150)를 수행한다. 도 16은 제2기판 냉각 단계를 보여주는 도면으로, 기판(W2)은 가열 플레이트(551)에서 반송 플레이트(531)로 인계된다. 반송 플레이트(531)에 놓인 기판(W2)은 제2위치(502)에서 제1위치(501)로 이동한다. 기판(W2)은 제1위치(501)로 이동되는 과정 중 또는 제1위치(501)로 이동 후 냉각 유닛(570)에 의해 냉각된다. After the second substrate heating step S140, the substrate W2 performs the second substrate cooling step S150. Fig. 16 is a view showing a second substrate cooling step, in which the substrate W2 is transferred to the
이하 도 1 내지 도 3을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 베이크 유닛(500)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 1 to 3, the developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The
현상 모듈(402)에 제공되는 베이크 유닛(500)은 전술한 베이크 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다. The
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The
제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
100 : 로드 포트 200 : 인덱스 모듈
300 : 버퍼 모듈 400 : 도포 및 현상 모듈
500 : 베이크 유닛 510 : 하우징
530 : 반송 유닛 531 : 반송 플레이트
535 : 가이드 홀 537 : 구동 부재
550 : 가열 유닛 551 : 가열 플레이트
553 : 리프트 핀 555 : 커버
557 : 구동기 570 : 냉각 유닛
700 : 인터페이스 모듈 800 : 퍼지 모듈100: Load port 200: Index module
300: buffer module 400: dispensing and developing module
500: bake unit 510: housing
530: conveying unit 531: conveying plate
535: guide hole 537: driving member
550: heating unit 551: heating plate
553: lift pin 555: cover
557: Actuator 570: Cooling unit
700: interface module 800: purge module
Claims (25)
하우징과;
상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛;과
상기 하우징 내에 위치하며 기판을 반송하는 반송 유닛;과 그리고
상기 가열 플레이트 또는 가열된 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛;을 포함하되,
상기 반송 유닛은 기판이 놓이는 반송 플레이트를 포함하고,
상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트에 제공되는 베이크 유닛.In the bake unit,
A housing;
A heating unit located in the housing and having a heating plate for heating the substrate;
A transfer unit located in the housing and carrying a substrate;
And a cooling unit capable of cooling the heating plate or the heated substrate,
Wherein the transfer unit includes a transfer plate on which the substrate is placed,
Wherein the cooling unit is provided on the conveying plate.
상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 제공된 냉각 유로를 가지는 베이크 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the cooling unit has a cooling flow path provided inside the conveying plate.
상기 하우징은,
기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽;과
상기 제1측벽의 마주보는 면에 형성된 제2측벽;을 포함하며,
상기 가열 유닛은 상기 제1측벽보다 상기 제2측벽에 더 인접하게 위치하는 베이크 유닛.3. The method of claim 2,
The housing includes:
A first sidewall having an entrance through which the substrate enters and exits;
And a second sidewall formed on a facing surface of the first sidewall,
Wherein the heating unit is located closer to the second sidewall than the first sidewall.
상기 가열 유닛은,
상기 가열 플레이트의 상단에 위치하며 상기 가열 플레이트를 포함하는 가열공간을 제공하는 커버;와,
상기 커버를 상하로 구동하는 구동기를 포함하는 베이크 유닛.The method of claim 3,
The heating unit includes:
A cover disposed at an upper end of the heating plate and providing a heating space including the heating plate;
And a driver for driving the cover up and down.
상기 가열 유닛은,
상기 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동가능하게 제공되며, 상기 반송 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함하는 베이크 유닛.5. The method of claim 4,
The heating unit includes:
And a lift pin provided in the pin hole formed in the heating plate so as to be movable up and down, for transferring the substrate to the transfer unit.
상기 반송 유닛은 상기 반송 플레이트를 상기 1측벽에 인접한 제1위치와, 상기 제2측벽에 근접하며 상기 가열 플레이트의 상부인 제2위치로 이동시키는 구동 부재를 더 포함하는 베이크 유닛.6. The method of claim 5,
Wherein the conveying unit further comprises a driving member for moving the conveying plate to a first position adjacent to the one sidewall and to a second position adjacent to the second sidewall and above the heating plate.
상기 반송 플레이트에는 상기 제1위치에서 상기 제2위치로 이동할 때 상기 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 상기 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며,
상기 가이드 홀은 상기 반송 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공되는 베이크 유닛.The method according to claim 6,
A guide hole into which the lift pin is inserted is formed on the conveying plate so as to prevent interference or collision with the lift pin when the conveying plate is moved from the first position to the second position,
And the guide hole extends from an outer side surface of the conveyance plate to the inside thereof.
상기 베이크 유닛은 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어하는 베이크 유닛.The method according to claim 1,
The bake unit further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit,
Wherein the controller controls to cool the heating plate with the cooling unit after bringing the conveyance plate into contact with or adjacent to the heating plate when the temperature of the heating plate is lowered.
상기 베이크 유닛은 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각 시
상기 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키도록 제어하는 베이크 유닛.The method of claim 1, wherein
The bake unit further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit,
The controller controls the temperature of the substrate
And the substrate is cooled by using the cooling unit after placing the substrate on the transfer plate on the substrate having been processed in the heating plate.
기판에 베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛;과
기판에 액을 공급하여 공정을 수행하는 액처리 챔버;와 그리고
상기 베이크 유닛과 상기 액처리 챔버간에 기판을 반송하는 반송챔버;를 포함하되,
상기 베이크 유닛은,
하우징과;
상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 가열 플레이트를 가지는 가열 유닛;과
상기 하우징 내에 위치하며 기판을 반송하는 반송 유닛;과 그리고
상기 가열 플레이트 또는 가열된 기판을 냉각할 수 있는 냉각 유닛;을 포함하되,
상기 반송 유닛은 기판이 놓이는 반송 플레이트를 포함하고,
상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트에 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A bake unit for performing a bake process on the substrate;
A liquid processing chamber for supplying a liquid to the substrate to perform a process; and
And a transfer chamber for transferring the substrate between the bake unit and the liquid processing chamber,
The bake unit may include:
A housing;
A heating unit located in the housing and having a heating plate for heating the substrate;
A transfer unit located in the housing and carrying a substrate;
And a cooling unit capable of cooling the heating plate or the heated substrate,
Wherein the transfer unit includes a transfer plate on which the substrate is placed,
Wherein the cooling unit is provided on the transfer plate.
상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 제공된 냉각 유로를 가지는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the cooling unit has a cooling channel provided inside the conveying plate.
상기 하우징은,
기판이 출입하는 출입구가 형성된 제1측벽;과
상기 제1측벽의 마주보는 면에 형성된 제2측벽;을 포함하며,
상기 가열 유닛은 상기 제1측벽보다 상기 제2측벽에 더 인접하게 위치하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The housing includes:
A first sidewall having an entrance through which the substrate enters and exits;
And a second sidewall formed on a facing surface of the first sidewall,
Wherein the heating unit is located closer to the second sidewall than the first sidewall.
상기 가열 유닛은,
상기 가열 플레이트의 상단에 위치하며 상기 가열 플레이트를 포함하는 가열공간을 제공하는 커버;와
상기 커버를 상하로 구동하는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The heating unit includes:
A cover positioned at the top of the heating plate and providing a heating space including the heating plate;
And a driver for driving the cover up and down.
상기 가열 유닛은,
상기 가열 플레이트에 형성된 핀 홀 내에 상하로 이동가능하게 제공되며, 상기 반송 유닛에 기판을 이송하는 리프트 핀을 더 포함하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
The heating unit includes:
Further comprising a lift pin provided in the pin hole formed in the heating plate so as to be movable up and down, for transferring the substrate to the transfer unit.
상기 반송 유닛은 상기 반송 플레이트를 상기 1측벽에 인접한 제1위치와, 상기 제2측벽에 근접하며 상기 가열 플레이트의 상부인 제2위치로 이동시키는 구동 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the transfer unit further comprises a driving member for moving the transfer plate to a first position adjacent to the one sidewall and to a second position adjacent to the second sidewall and above the heating plate.
상기 반송 플레이트에는 상기 제1위치에서 상기 제2위치로 이동할 때 상기 리프트 핀과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 상기 리프트 핀이 삽입되는 가이드 홀이 형성되며,
상기 가이드 홀은 상기 반송 플레이트의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공되는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
A guide hole into which the lift pin is inserted is formed on the conveying plate so as to prevent interference or collision with the lift pin when the conveying plate is moved from the first position to the second position,
And the guide hole is provided extending from the outer side surface of the conveyance plate to the inside thereof.
상기 기판 처리 장치는 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 가열 플레이트의 온도를 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키도록 제어하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit,
Wherein the controller controls the cooling plate to cool the heating plate by bringing the conveyance plate into contact with or adjacent to the heating plate when the temperature of the heating plate is lowered.
상기 기판 처리 장치는 상기 반송 유닛 및 상기 냉각 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 가열 플레이트에서 가열된 기판을 냉각 시
상기 가열 플레이트에서 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키도록 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 10, wherein
The substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the transport unit and the cooling unit,
The controller controls the temperature of the substrate
And controls the substrate on which the processing is completed in the heating plate to cool the substrate by using the cooling unit after positioning the substrate on the transfer plate.
제1그룹에 속하는 기판을 가열 플레이트를 이용해 제1온도로 가열하는 제1 기판 가열 단계;와
상기 가열 플레이트로 기판을 반송하는 반송 플레이트에 제공된 냉각 유닛을 이용해 상기 가열 플레이트를 냉각하는 플레이트 냉각 단계;와
제2그룹에 속하는 기판을 상기 가열 플레이트를 이용해 상기 제1온도보다 낮은 제2온도로 가열하는 제2 기판 가열 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A first substrate heating step of heating the substrate belonging to the first group to a first temperature using a heating plate;
A plate cooling step of cooling the heating plate using a cooling unit provided on a conveyance plate that conveys the substrate to the heating plate;
And a second substrate heating step of heating the substrate belonging to the second group to a second temperature lower than the first temperature by using the heating plate.
상기 플레이트 냉각 단계는,
상기 가열 플레이트의 온도를 상기 제2온도로 낮출 때, 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the plate cooling step comprises:
And cooling the heating plate with the cooling unit after bringing the transfer plate into contact with or adjacent to the heating plate when the temperature of the heating plate is lowered to the second temperature.
상기 플레이트 냉각 단계는,
상기 반송 플레이트에서 기판이 제거된 상태에서 상기 반송 플레이트를 상기 가열 플레이트에 접촉 또는 인접하게 위치시킨 후 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the plate cooling step comprises:
And cooling the heating plate with the cooling unit after bringing the conveyance plate into contact with or adjacent to the heating plate in a state where the substrate is removed from the conveyance plate.
상기 플레이트 냉각 단계는 상기 냉각 유닛으로 상기 가열 플레이트를 냉각하면서 동시에 상기 가열 플레이트의 저면에 공급되는 냉각 가스로 상기 가열 플레이트를 냉각시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법.21. The method of claim 20,
Wherein the plate cooling step includes cooling the heating plate with the cooling unit while simultaneously cooling the heating plate with cooling gas supplied to the bottom surface of the heating plate.
상기 제1 기판 가열 단계와 상기 플레이트 냉각 단계의 사이에서,
상기 가열 플레이트에서 상기 제1온도로 기판을 가열한 후 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키는 제1기판 냉각 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.21. The method of claim 20,
Between the first substrate heating step and the plate cooling step,
Further comprising a first substrate cooling step of heating the substrate to the first temperature in the heating plate and then cooling the substrate using the cooling unit after placing the substrate on the transfer plate on the processed substrate, Way.
상기 제2 기판 가열 단계 이후에,
상기 가열 플레이트에서 상기 제2온도로 기판을 가열한 후 처리가 완료된 기판을 상기 반송 플레이트 상에 기판을 위치시킨 후 상기 냉각 유닛을 이용해 상기 기판을 냉각시키는 제2기판 냉각 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.24. The method according to any one of claims 19 to 23,
After the second substrate heating step,
Further comprising a second substrate cooling step of heating the substrate to the second temperature in the heating plate and then cooling the substrate using the cooling unit after positioning the substrate on the transfer plate, Way.
상기 냉각 유닛은 상기 반송 플레이트의 내부에 냉각 유로를 제공하는 기판 처리 방법.24. The method according to any one of claims 19 to 23,
Wherein the cooling unit provides a cooling channel inside the conveying plate.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140098533A KR20160017699A (en) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |
US14/805,743 US20160035601A1 (en) | 2014-07-31 | 2015-07-22 | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |
CN201510454490.7A CN105321853A (en) | 2014-07-31 | 2015-07-29 | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140098533A KR20160017699A (en) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160017699A true KR20160017699A (en) | 2016-02-17 |
Family
ID=55180788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140098533A KR20160017699A (en) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160035601A1 (en) |
KR (1) | KR20160017699A (en) |
CN (1) | CN105321853A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190081414A (en) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 세메스 주식회사 | substrate processing apparatus |
KR20200043964A (en) | 2020-04-20 | 2020-04-28 | 세메스 주식회사 | substrate processing apparatus |
KR20200062152A (en) * | 2020-05-27 | 2020-06-03 | 세메스 주식회사 | Hot plate and apparatus for heat-treating substrate with the hot plate, and fabricating method of the hot plate |
KR20220044052A (en) * | 2020-09-29 | 2022-04-06 | 세메스 주식회사 | Cooling unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method using the same |
US11735443B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-08-22 | Semes Co., Ltd. | Hot plate, substrate heat-treating apparatus including the hot plate, and method of fabricating the hot plate |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10692765B2 (en) * | 2014-11-07 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers |
CN105977189A (en) * | 2016-06-20 | 2016-09-28 | 刘玉忠 | Diode chip baking device |
CN105977195B (en) * | 2016-06-30 | 2018-12-18 | 上海华力微电子有限公司 | A kind of method of quick reduction hot plate temperature |
KR102282145B1 (en) * | 2019-11-04 | 2021-07-29 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
KR102467529B1 (en) * | 2019-11-07 | 2022-11-16 | 세메스 주식회사 | Transfering unit, substrate treating apparatus including the unit and substrate treating method |
KR102583261B1 (en) * | 2020-10-28 | 2023-09-27 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrates |
KR20220158515A (en) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 에이디알씨 주식회사 | Spray coater and thin film transistor fabricated using the same |
US20230161260A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-25 | Applied Materials, Inc. | Chamber and methods of cooling a substrate after baking |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6474986B2 (en) * | 1999-08-11 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
JP4271095B2 (en) * | 2004-07-15 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate heating apparatus and substrate heating method |
US7445446B2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers |
JP5179170B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | Substrate processing equipment |
JP2010045190A (en) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | Heating system, applicator, developer, method of application, method of development, and storage medium |
JP4751460B2 (en) * | 2009-02-18 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transfer apparatus and substrate processing system |
JP5293718B2 (en) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium |
JP2013062361A (en) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment apparatus, temperature control system, heat treatment method, temperature control method, and record medium recording program for executing heat treatment method or temperature control method |
US9079304B2 (en) * | 2012-10-31 | 2015-07-14 | Semes Co., Ltd. | Transfer unit, method for controlling the transfer unit, and apparatus and method for treating substrate using the transfer unit |
JP6084479B2 (en) * | 2013-02-18 | 2017-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | Heat treatment method, heat treatment apparatus and susceptor |
-
2014
- 2014-07-31 KR KR1020140098533A patent/KR20160017699A/en not_active Application Discontinuation
-
2015
- 2015-07-22 US US14/805,743 patent/US20160035601A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-29 CN CN201510454490.7A patent/CN105321853A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190081414A (en) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 세메스 주식회사 | substrate processing apparatus |
US11735443B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-08-22 | Semes Co., Ltd. | Hot plate, substrate heat-treating apparatus including the hot plate, and method of fabricating the hot plate |
KR20200043964A (en) | 2020-04-20 | 2020-04-28 | 세메스 주식회사 | substrate processing apparatus |
KR20200062152A (en) * | 2020-05-27 | 2020-06-03 | 세메스 주식회사 | Hot plate and apparatus for heat-treating substrate with the hot plate, and fabricating method of the hot plate |
KR20220044052A (en) * | 2020-09-29 | 2022-04-06 | 세메스 주식회사 | Cooling unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105321853A (en) | 2016-02-10 |
US20160035601A1 (en) | 2016-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20160017699A (en) | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method | |
KR101605721B1 (en) | Bake apparatus and Apparatus for treating substrate | |
KR102516725B1 (en) | bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof | |
KR102315662B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR102324405B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102000023B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20170052333A (en) | Cooling unit, Apparatus for treating substrate, and method for treating substrate | |
KR101681185B1 (en) | Interface module, apparatus and method for treating substrate comprising the same | |
KR101776018B1 (en) | Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate | |
KR20180124204A (en) | Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate | |
KR101914482B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR20170056224A (en) | Bake apparatus and bake method | |
KR20160081010A (en) | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method | |
KR20220034304A (en) | Bake unit and Apparatus for treating substrate | |
KR101842121B1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for controlling driving speed thereof | |
KR102582058B1 (en) | Substrate processing equipment and substrate transfer method | |
KR101768518B1 (en) | Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate | |
KR20160134926A (en) | Method for applying a liquid and apparatus for treating a substrate | |
KR101721148B1 (en) | Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals | |
KR20160017776A (en) | Apparatus treating a subtrate | |
KR102223764B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR101935944B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101495284B1 (en) | Transfer unit, method for controlling the unit, and apparatus and method for trating substrate with using the unit | |
KR20170071807A (en) | Falility for treating substrates, method for combining and separating modules | |
KR20160054143A (en) | Apparatus for treating substrate and method for removing static electricity |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |