KR20170126111A - 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치 - Google Patents

리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170126111A
KR20170126111A KR1020160056083A KR20160056083A KR20170126111A KR 20170126111 A KR20170126111 A KR 20170126111A KR 1020160056083 A KR1020160056083 A KR 1020160056083A KR 20160056083 A KR20160056083 A KR 20160056083A KR 20170126111 A KR20170126111 A KR 20170126111A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
support member
lift pin
support
susceptor
Prior art date
Application number
KR1020160056083A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102511875B1 (ko
Inventor
김도형
오웅교
유광수
이용현
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020160056083A priority Critical patent/KR102511875B1/ko
Publication of KR20170126111A publication Critical patent/KR20170126111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102511875B1 publication Critical patent/KR102511875B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치는, 지지유닛의 몸체의 관통공에 리프트핀이 설치되고, 몸체에 회전가능하게 설치된 지지부재의 일측 부위가 관통공에 위치되어 리프트핀의 외주면과 접촉한다. 그러므로, 지지부재와 리프트핀은 선접촉하는 형태가 되므로, 지지부재와 리프트핀의 접촉 면적은 작다. 따라서, 상호 접촉하는 지지부재의 외주면과 리프트핀의 내주면 사이의 간극을 상대적으로 덜 미세하게 설정하여도 되므로, 편리한 효과가 있을 수 있다.

Description

리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치 {SUPPORT UNIT FOR LIFT FINS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 기판을 지지하는 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는, 반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지(Solar Cell) 등의 제조시 사용되며, 증착장치(Vapor Deposition Apparatus)와 어닐링장치(Annealing Apparstus) 장치로 대별된다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 개략 단면도로서, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(S)이 반입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(11)를 포함하고, 챔버(11)의 내부에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(13)가 승강가능하게 설치된다.
기판(S)은 로봇의 아암(Arm)에 탑재되어 챔버(11)에 반입되거나, 챔버(11)로부터 반출된다.
로봇의 아암의 상면에 탑재된 기판(S)을 서셉터(13)에 탑재하고자 할 경우, 로봇의 아암을 하강시켜 기판(S)을 서셉터(13)에 탑재한다. 그런데, 로봇의 아암을 하강시키면 로봇의 아암의 하면이 서셉터(13)의 상면과 먼저 접촉하므로 기판(S)을 서셉터(13)에 탑재하기가 어렵다.
그리고, 서셉터(13)에 탑재된 기판(S)을 로봇의 아암(Arm)에 탑재하고자 할 경우, 서셉터(13)와 기판(S) 사이로 로봇의 아암을 삽입하여 로봇의 아암을 상승시켜야 한다. 그런데, 서셉터(13)와 기판(S) 사이에는 간격이 존재하지 않으므로 서셉터(13)와 기판(S) 사이로 로봇의 아암을 삽입하기 어렵다.
이러한 이유로, 로봇의 아암으로부터 기판(S)을 전달받아 서셉터(13)에 탑재하거나, 서셉터(13)에 탑재된 기판(S)을 서셉터(13)로부터 이격시키기 위한 복수의 리프트핀(15)이 서셉터(13)를 관통하는 형태로 설치된다. 이때, 리프트핀(15)의 하단부는 챔버(11)에 지지되고, 상단부는 서셉터(13)를 통하여 서셉터(13)의 상측에 위치된다. 그리고, 서셉터(13)에는 리프트핀(15)의 외주면과 접촉하여 리프트핀(15)을 지지하는 부싱(17)이 설치된다.
그리하여, 기판(S)을 서셉터(13)에 탑재하고자 할 경우, 서셉터(13)를 하강시켜 리프트핀(15)의 상단부를 서셉터(13)의 상면 상측으로 돌출시킨다. 이러한 상태에서, 기판(S)이 탑재된 로봇의 아암이 리프트핀(15)의 상측에서 하측을 하강하면, 로봇의 아암에 탑재된 기판(S)이 리프트핀(15)에 지지된다. 그 후, 서셉터(13)가 상승하면 리프트핀(15)에 지지된 기판(S)이 서셉터(13)의 상면에 탑재 지지된다.
그리고, 서셉터(13)에 탑재된 기판(S)을 로봇의 아암에 탑재하고자 할 경우, 서셉터(13)를 하강시킨다. 그러면, 리프트핀(15)의 상단부가 서셉터(13)의 상면 상측으로 돌출되므로, 리프트핀(15)의 상단부에 지지된 기판(S)과 서셉터(13)의 상면 사이에는 간격이 존재한다. 이러한 상태에서, 로봇의 아암을 서셉터(13)와 기판(S) 사이로 삽입한 다음, 로봇의 아암을 상승시키면 로봇의 아암에 기판(S)이 탑재된다.
상기와 같은 종래의 기판처리장치는 리프트핀(15)과 부싱(17)이 면접촉하므로, 리프트핀(15)의 외주면과 부싱(17)의 내주면 사이의 간극이 너무 좁으면, 부싱(17)에 리프트핀(15)이 걸려서 리프트핀(15)이 부싱(15)과 함께 승강하려고 한다. 그러면, 챔버(11)에 지지된 리프트핀(15)의 하단측이 손상될 수 있다. 그리고, 리프트핀(15)의 외주면과 부싱(17)의 내주면 사이의 간극이 너무 넓으면, 리프트핀(15)이 부싱(17)에 대하여 기울어질 수 있으므로, 서셉터(13)의 운동시 리프트핀(15)이 파손되거나, 변형되는 등 손상될 수 있다.
그러므로, 리프트핀(15)의 외주면과 부싱(17)의 내주면 사이의 간극을 설정치 이내로 정확하게 설정하여야 하므로, 대단히 불편한 단점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 간단한 구조로 간편하게 리프트핀을 지지할 수 있는 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 리프트핀용 지지유닛은, 내부에 길이 방향을 따라 관통공이 형성되고, 상기 관통공에는 리프트핀이 삽입된 몸체; 상기 몸체에 회전가능하게 설치되고, 일측 부위가 상기 관통공에 위치되며, 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하여 상기 리프트핀을 지지하는 복수의 지지부재; 상기 몸체에 설치되어 상기 지지부재가 상기 몸체로부터 이탈하는 것을 방지하는 이탈방지핀을 포함할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되며 기판이 탑재 지지되는 서셉터; 상기 서셉터를 관통하며, 하단부는 상기 챔버에 지지되고 상단부는 상기 서셉터의 상면 외측으로 노출되어 기판을 지지하는 리프트핀; 상기 서셉터에 설치되어 상기 서셉터와 함께 승강하며 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하여 상기 리프트핀을 지지하는 지지유닛을 포함하며, 상기 지지유닛은, 상기 서셉터에 설치되며, 내부에 상기 리프트핀이 통과하는 관통공이 형성된 몸체; 상기 몸체에 회전가능하게 설치되고, 일측 부위가 상기 관통공에 위치되어 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하며, 상기 서셉터의 승강에 의하여 회전하면서 상기 리프트핀을 지지하는 복수의 지지부재; 상기 몸체에 설치되어 상기 지지부재가 상기 몸체로부터 이탈하는 것을 방지하는 이탈방지핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치는, 지지유닛의 몸체의 관통공에 리프트핀이 설치되고, 몸체에 회전가능하게 설치된 지지부재의 일측 부위가 관통공에 위치되어 리프트핀의 외주면과 접촉한다. 그러므로, 지지부재와 리프트핀은 선접촉하는 형태가 되므로, 지지부재와 리프트핀의 접촉 면적은 작다. 따라서, 상호 접촉하는 지지부재의 외주면과 리프트핀의 내주면 사이의 간극을 상대적으로 덜 미세하게 설정하여도 되므로, 편리한 효과가 있을 수 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 지지유닛의 일부 분해 사시도.
도 4는 도 3의 평단면도.
도 5는 도 3의 "A-A"선 단면도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 기판(S)이 반입(搬入)되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)를 포함할 수 있고, 챔버(110)는 상면이 개방된 챔버 월(Wall)(111)과 챔버 월(111)의 개방된 상면에 결합된 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다.
챔버 월(111)의 일측면에는 기판(S)이 탑재된 로봇의 아암이 출입하는 출입구(111a)가 형성될 수 있고, 챔버 월(111)의 하면측에는 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(111b)가 형성될 수 있다.
챔버(110)에서 기판(S)에 박막을 형성하고자 할 경우, 챔버(110)의 내부 상측인 리드(115)측에는 플라즈마를 발생하기 위한 샤워헤드(121)가 설치될 수 있고, 리드(115)의 상면에는 기판(S)에 형성하기 위한 박막용 가스를 공급하는 가스공급관(125)이 설치될 수 있다.
챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 내부 하면측에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(130)가 설치될 수 있고, 서셉터(130)는 모터 또는 실린더 등과 같은 구동수단에 의하여 승강 및 회전가능하게 설치될 수 있다. 서셉터(130)의 내부에는 기판(S)을 처리하기 위한 공정 중에 기판(S)을 적절하게 가열하기 위한 히터 등이 설치될 수 있다.
기판(S)은 챔버(110)의 외측에 적재 보관된다. 이때, 챔버(110)의 외측에 적재된 기판(S)은 상기 로봇의 아암에 탑재되어 챔버(110)로 반입된 후 서셉터(130)에 탑재되고, 서셉터(130)에 탑재된 기판(S)은 상기 로봇의 아암에 탑재되어 챔버(110)로부터 반출된다.
그런데, 상기 로봇의 아암에 탑재된 기판(S)을 서셉터(130)에 직접 탑재시키기 어렵고, 서셉터(130)에 탑재된 기판(S)을 상기 로봇의 아암에 직접 탑재시키기 어렵다. 이로 인해, 챔버(110)에는 상기 로봇의 아암에 탑재된 기판(S)을 전달받아 서셉터(130)에 탑재시키고, 서셉터(130)에 탑재된 기판(S)을 서셉터(130)로부터 이격시키기 위한 리프트핀(140)이 설치될 수 있다.
리프트핀(140)은 하단부측이 챔버(110)의 챔버 월(111)에 하면에 지지 설치될 수 있고, 상단부는 서셉터(130)를 관통하여 서셉터(130)의 상면 외측으로 노출될 수 있다. 그리하여, 상기 로봇의 아암에 탑재된 기판(S)을 전달받아 서셉터(130)에 탑재시키고, 서셉터(130)에 탑재된 기판(S)을 서셉터(130)로부터 이격시킨다.
상세히 설명하면, 서셉터(130)가 하강하면, 리프트핀(140)의 상단부는 서셉터(130)의 상면 상측으로 돌출된다. 이러한 상태에서, 상기 로봇의 아암에 기판(S)을 탑재하여, 기판(S)이 리프트핀(140)의 상측에 위치되도록 상기 로봇의 아암을 위치시킨다. 그후, 상기 로봇의 아암을 하강시키면. 상기 로봇의 아암에 탑재된 기판(S)에 리프트핀(140)의 상단부에 지지된다. 그후, 상기 로봇의 아암을 챔버(110)로부터 빼내고, 서셉터(130)를 상승시키면, 서셉터(130)에 기판(S)이 탑재되고, 서셉터(130)에 기판(S)을 탑재하여 기판(S)을 처리하면 된다.
그리고, 서셉터(130)에 기판(S)을 탑재한 상태에서 기판(S)의 처리가 완료되면, 서셉터(130)를 하강시킨다. 그러면, 기판(S)과 서셉터(130)가 이격되므로, 상기 로봇의 아암을 기판(S)과 서셉터(130) 사이로 넣은 다음, 상기 로봇의 아암을 상승시키면, 상기 로봇의 아암에 기판(S)에 탑재된다. 그 후, 상기 로봇의 아암을 챔버(110)로부터 빼내면 된다.
서셉터(130)는 승강하고 리프트핀(140)은 승강하지 않으므로, 리프트핀(140)이 관통하는 서셉터(130)의 내주면과 리프트핀(140)의 외주면이 간섭하여, 상대적으로 강성이 약한 리프트핀(140)이 파손되거나, 변형되는 등 손상될 수 있다.
본 실시예에 따른 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치는, 승강하는 서셉터(130)에 의하여 리프트핀(140)이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 서셉터(130)에 지지유닛(200)을 설치할 수 있다.
지지유닛(200)에 대하여 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 지지유닛의 일부 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 평단면도이며, 도 5는 도 3의 "A-A"선 단면도이다.
도시된 바와 같이, 지지유닛(200)은 서셉터(130)에 설치되어 서셉터(130)와 함께 승강할 수 있으며, 리프트핀(140)의 외주면과 접촉하여 리프트핀(140)을 지지할 수 있다.
지지유닛(200)은 몸체(210), 지지부재(220) 및 이탈방지핀(230)을 포함할 수 있다.
몸체(210)는 원통형의 부싱으로 마련될 수 있으며, 내부에는 리프트핀(140)이 통과하는 관통공(213)이 형성될 수 있다. 몸체(210)의 상측 부위는 서셉터(130)에 삽입 설치될 수 있고, 하측 부위는 서셉터(130)의 하면 하측으로 돌출될 수 있으며, 중간 부위 외주면측에는 몸체(210)를 서셉터(130)의 하면에 결합하기 위한 플랜지(211)가 형성될 수 있다.
지지부재(220)는 소정 길이를 가지는 원기둥 형태의 롤러로 마련될 수 있으며, 복수개가 몸체(210)에 회전가능하게 설치될 수 있다. 이때, 지지부재(220)의 일측 부위는 관통공(213)에 위치되어 리프트핀(140)의 외주면과 접촉할 수 있으며, 서셉터(130)의 승강에 의하여 몸체(210)가 승강하면, 승강하지 않는 리프트핀(140)에 의하여 회전할 수 있다. 그러므로, 지지부재(220)는 리프트핀(140)의 승강 방향과 수직하는 가상의 수평축을 중심으로 회전할 수 있다.
지지부재(220)는 몸체(210)의 하단면(下端面)을 기준으로, 몸체(210)의 상측 부위 동일 높이에 복수개 설치될 수 있고, 하측 부위 동일 높이에 복수개 설치될 수 있다. 이때, 몸체(210)의 상측 부위에 설치된 지지부재(220) 및 하측 부위에 설치된 지지부재(220)는 각각 몸체(210)의 중심을 기준으로 방사상으로 배치되는 것이 바람직하다.
몸체(210)의 상측 부위 및 하측 부위에 각각 설치된 복수의 지지부재(220)에 의하여, 상대적으로 상측의 리프트핀(140)의 부위 및 하측의 리프트핀(140)의 부위가 지지된다. 그러므로, 서셉터(130)가 승강하여도 리프트핀(140)이 기울어지지 않고, 기립된 상태를 유지할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는 회전가능하게 설치된 지지부재(220)가 리프트핀(140)의 외주면과 접촉하므로, 지지부재(220)와 리프트핀(140)은 선접촉하는 형태가 된다. 즉, 지지부재(220)와 리프트핀(140)의 접촉 면적이 작으므로, 도 1에 도시된 면접촉하는 종래의 리프트핀(15)과 부싱(17)의 구조에 비하여, 지지부재(220)의 외주면과 리프트핀(140)의 내주면 사이의 간극을 상대적으로 덜 미세하게 설정하여도 된다. 그러므로, 편리하다.
지지부재(220)는 몸체(210)의 상측 부위에 120°의 위상을 가지면서 3개 설치되고, 몸체(210)의 하측 부위에 120°의 위상을 가지면서 3개 설치되는 것이 바람직하다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(210)를 평면상에서 보았을 때, 몸체(210)의 상측 부위에 위치된 지지부재(220)(도 4에 실선으로 도시)와 하측 부위에 위치된 지지부재(220)(도 4에 점섬으로 도시)는 비중첩(非重疊)될 수 있다. 그러면, 몸체(210)를 평면상에서 보면, 몸체(210)의 상측 부위에 위치된 지지부재(220)와 하측 부위에 위치된 지지부재(220)는, 몸체(210)의 중심을 기준으로, 교호하는 형태로 설치된다. 이때, 몸체(210)를 평면상에서 보았을 때, 상호 인접하는 몸체(210)의 상측 부위에 위치된 지지부재(220)와 하측 부위에 위치된 지지부재(220)는, 몸체(210)의 중심을 기준으로, 60°의 위상을 가지는 것이 바람직하다. 그러면, 지지부재(220)가 리프트핀(140)의 외주면을 따라 60°의 위상을 가지면서 리프트핀(140)의 외주면 6군데를 지지하는 형태가 되므로, 리프트핀(140)이 더욱 안정되게 지지될 수 있다.
몸체(210)에는 지지부재(220)가 삽입 설치되는 지지공(215)이 형성될 수 있다. 지지공(215)은 리프트핀(140)의 승강 방향과 수직을 이룰 수 있으며, 일단부는 지지부재(220)를 지지공(215)에 삽입할 수 있도록 몸체(210)의 외면과 연통될 수 있고, 중앙 부위 일측은 관통공(213)과 연통될 수 있다. 따라서, 관통공(213)과 연통된 지지공(215)의 부위를 통하여 지지부재(220)의 일측이 노출되어 관통공(213)에 위치될 수 있다.
이탈방지핀(230)은 몸체(210)에 결합되어 지지부재(220)가 지지공(215)에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 이탈방지핀(230)이 몸체(210)에 결합될 수 있도록, 몸체(210)에는 결합공(217)이 형성될 수 있다. 결합공(217)의 일측은 몸체(210)의 외측과 연통될 수 있고, 타측은 지지공(215)과 연통될 수 있다. 따라서, 결합공(217)의 일측으로 이탈방지핀(230)을 삽입하여 결합하면, 이탈방지핀(230)의 단부가 지지공(215)에 위치되어 지지부재(220)의 외주면과 접촉하고, 이로 인해 지지부재(220)가 지지공(215)으로부터 이탈되지 않는다.
이탈방지핀(230)에 의하여 지지부재(220)가 안정되게 지지될 수 있도록, 지지부재(220)의 외주면에는 지지부재(220)의 중심측으로 함몰 형성되어 이탈방지핀(230)의 단부가 삽입되는 삽입로(221)가 형성될 수 있다.
그리고, 이탈방지핀(230)의 외주면 및 결합공(217)의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선(螺絲線)이 형성될 수 있다. 그러면, 이탈방지핀(230)이 결합공(217)으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 지지공(215)측으로 돌출되는 이탈방지핀(230)의 돌출 길이를 조절할 수 있다.
지지공(215)측으로 돌출되는 이탈방지핀(230)의 길이를 조절할 수 있으면, 관통공(213)측으로 돌출되는 지지부재(220)의 돌출 정도를 미세하게 조절할 수 있으므로, 리프트핀(140)이 수직 상태를 유지하도록 더욱 정밀하게 조절할 수 있다.
본 실시예에 따른 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치 몸체(210)의 관통공(213)에 리프트핀(140)이 설치되고, 몸체(210)에 회전가능하게 설치된 지지부재(220)의 일측 부위가 관통공(213)에 위치되어 리프트핀(140)의 외주면과 접촉한다. 그러므로, 지지부재(220)와 리프트핀(140)은 선접촉하는 형태가 되므로, 지지부재(220)와 리프트핀(140)의 접촉 면적은 작다. 따라서, 지지부재(220)의 외주면과 리프트핀(140)의 내주면 사이의 간극을 상대적으로 덜 미세하게 설정하여도 되므로, 편리하다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 챔버
130: 서셉터
140: 리프트핀
200: 지지유닛
210: 몸체
220: 지지부재
230: 이탈방지핀

Claims (17)

  1. 내부에 길이 방향을 따라 관통공이 형성되고, 상기 관통공에는 리프트핀이 삽입된 몸체;
    상기 몸체에 회전가능하게 설치되고, 일측 부위가 상기 관통공에 위치되며, 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하여 상기 리프트핀을 지지하는 복수의 지지부재;
    상기 몸체에 설치되어 상기 지지부재가 상기 몸체로부터 이탈하는 것을 방지하는 이탈방지핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몸체와 상기 리프트핀 중, 어느 하나는 승강가능하게 설치되고,
    상기 지지부재는 상기 몸체 또는 상기 리프트핀의 승강에 의하여 회전하면서 상기 리프트핀을 지지하는 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지부재는, 상기 몸체의 하단면(下端面)을 기준으로, 상기 몸체의 상측 부위 동일 높이 및 하측 부위 동일 높이에 각각 복수개 설치된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 몸체의 상측 부위에 설치된 상기 지지부재 및 상기 몸체의 하측 부위에 설치된 상기 지지부재는, 상기 몸체의 중심을 기준으로, 각각 방사상으로 설치된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 몸체의 상측 부위 및 하측 부위에는 상기 지지부재가 각각 3개 설치된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 몸체를 평면상에서 보았을 때, 상기 몸체의 상측 부위에 위치된 상기 지지부재와 하측 부위에 위치된 상기 지지부재는 비중첩(非重疊)되고,
    상기 몸체를 평면상에서 보았을 때, 상호 인접하는 상기 몸체의 상측 부위에 위치된 상기 지지부재와 하측 부위에 위치된 상기 지지부재는 상기 몸체의 중심을 기준으로 60°의 위상을 가지는 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 몸체에는 일단부는 상기 몸체의 외면 외측과 연통되고 중앙 부위 일측은 상기 관통공과 연통되며 상기 리프트핀의 승강 방향과 수직하는 지지공 및 일단부는 상기 몸체의 외면 외측과 연통되고 타단부는 상기 지지공과 연통된 결합공이 형성되며,
    상기 지지부재는 상기 지지공에 삽입되어 상기 관통공과 연통하는 상기 지지공의 부위를 통하여 일측 부위가 상기 관통공에 위치되고,
    상기 이탈방지핀은 상기 결합공에 삽입 결합된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지부재의 외주면에는 상기 지지부재의 중심측으로 함몰 형성되어 상기 이탈방지핀의 단부가 삽입되는 삽입로가 형성된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 이탈방지핀의 외주면 및 상기 결합공의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선(螺絲線)이 형성된 것을 특징으로 하는 리프트핀용 지지유닛.
  10. 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 승강가능하게 설치되며 기판이 탑재 지지되는 서셉터;
    상기 서셉터를 관통하며, 하단부는 상기 챔버에 지지되고 상단부는 상기 서셉터의 상면 외측으로 노출되어 기판을 지지하는 리프트핀;
    상기 서셉터에 설치되어 상기 서셉터와 함께 승강하며 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하여 상기 리프트핀을 지지하는 지지유닛을 포함하며,
    상기 지지유닛은,
    상기 서셉터에 설치되며, 내부에 상기 리프트핀이 통과하는 관통공이 형성된 몸체;
    상기 몸체에 회전가능하게 설치되고, 일측 부위가 상기 관통공에 위치되어 상기 리프트핀의 외주면과 접촉하며, 상기 서셉터의 승강에 의하여 회전하면서 상기 리프트핀을 지지하는 복수의 지지부재;
    상기 몸체에 설치되어 상기 지지부재가 상기 몸체로부터 이탈하는 것을 방지하는 이탈방지핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트핀용 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 지지부재는, 상기 몸체의 하단면(下端面)을 기준으로, 상기 몸체의 상측 부위 동일 높이 및 하측 부위 동일 높이에 각각 복수개 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 몸체의 상측 부위에 설치된 상기 지지부재 및 하측 부위에 설치된 상기 지지부재는 상기 몸체의 중심을 기준으로 각각 방사상으로 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 몸체의 상측 부위 및 하측 부위에는 상기 지지부재가 각각 3개 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 몸체를 평면상에서 보았을 때, 상기 몸체의 상측 부위에 위치된 상기 지지부재와 하측 부위에 위치된 상기 지지부재는 비중첩(非重疊)되고,
    상기 몸체를 평면상에서 보았을 때, 상호 인접하는 상기 몸체의 상측 부위에 위치된 상기 지지부재와 하측 부위에 위치된 상기 지지부재는 상기 몸체의 중심을 기준으로 60°의 위상을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 몸체에는 일단부는 상기 몸체의 외면 외측과 연통되고 중앙 부위 일측은 상기 관통공과 연통되며 상기 리프트핀의 승강 방향과 수직하는 지지공 및 일단부는 상기 몸체의 외면 외측과 연통되고 타단부는 상기 지지공과 연통된 결합공이 형성되며,
    상기 지지부재는 상기 지지공에 삽입되어 상기 관통공과 연통하는 상기 지지공의 부위를 통하여 일측 부위가 상기 관통공에 위치되고,
    상기 이탈방지핀은 상기 결합공에 삽입 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 지지부재의 외주면에는 상기 지지부재의 중심측으로 함몰 형성되어 상기 이탈방지핀의 단부가 삽입되는 삽입로가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 이탈방지핀의 외주면 및 상기 결합공의 내주면에는 상호 맞물리는 나사선(螺絲線)이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020160056083A 2016-05-09 2016-05-09 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치 KR102511875B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160056083A KR102511875B1 (ko) 2016-05-09 2016-05-09 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160056083A KR102511875B1 (ko) 2016-05-09 2016-05-09 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170126111A true KR20170126111A (ko) 2017-11-17
KR102511875B1 KR102511875B1 (ko) 2023-03-17

Family

ID=60808423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160056083A KR102511875B1 (ko) 2016-05-09 2016-05-09 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102511875B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200087668A (ko) * 2019-11-28 2020-07-21 박세진 대형 디스플레이 글라스 공정용 세라믹 롤러 가이드와 리프트 핀 어셈블리

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622211A (en) * 1969-11-10 1971-11-23 Robert E Mitton Linear roller bearing unit
JPS4937720Y1 (ko) * 1969-12-03 1974-10-16
JP4205897B2 (ja) * 2001-07-09 2009-01-07 アイセル株式会社 位置決め装置
KR20110074839A (ko) * 2004-02-12 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 챔버
KR20120131281A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 에스케이씨솔믹스 주식회사 롤러 부싱

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622211A (en) * 1969-11-10 1971-11-23 Robert E Mitton Linear roller bearing unit
JPS4937720Y1 (ko) * 1969-12-03 1974-10-16
JP4205897B2 (ja) * 2001-07-09 2009-01-07 アイセル株式会社 位置決め装置
KR20110074839A (ko) * 2004-02-12 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 챔버
KR20120131281A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 에스케이씨솔믹스 주식회사 롤러 부싱

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200087668A (ko) * 2019-11-28 2020-07-21 박세진 대형 디스플레이 글라스 공정용 세라믹 롤러 가이드와 리프트 핀 어셈블리

Also Published As

Publication number Publication date
KR102511875B1 (ko) 2023-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210090936A1 (en) Carrier plate for use in plasma processing systems
US5860640A (en) Semiconductor wafer alignment member and clamp ring
JP7171573B2 (ja) 半導体処理のための円錐形ウエハセンタリングおよび保持装置
TW201802301A (zh) 基板固持器、電子元件製造裝置中搬送基板之搬送系統、及電子元件製造裝置
TW201635329A (zh) 載送環構造及具有該構造的腔室系統
JPH06340975A (ja) 加熱された支持部上のシャドーフレーム及び大型平面基板の整列
KR102015657B1 (ko) 진공 처리 장치를 위한 접지 어셈블리
WO2002014810A2 (en) Method and apparatus for tuning a plasma reactor chamber
KR20190029365A (ko) 리프트 핀 조립체, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR20160140450A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
TW201521143A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWM540384U (zh) 混合200毫米/300毫米半導體處理設備
KR102125512B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201606847A (zh) 電漿處理裝置及上部電極總成
JP6321646B2 (ja) 異なるサイズのワークを取り扱う装置及び方法
KR20120048879A (ko) 클램프 링을 구비하는 세미배치 타입 원자층 증착장치
KR20170126111A (ko) 리프트핀용 지지유닛 및 이를 사용한 기판처리장치
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR20140003362A (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
KR20220067365A (ko) 기판 처리 장치
TWI782501B (zh) 用於加工晶圓之裝置及方法
KR20170127202A (ko) 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치
KR20100045072A (ko) 복수기판 처리장치
KR101962915B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20100055619A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant