TW201606847A - 電漿處理裝置及上部電極總成 - Google Patents

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Abstract

進行上部電極之吊掛力的微細調整。 電漿處理裝置係具備有支撐構件，連絡構件，滑動構件。支撐構件係一部分會被配置於冷卻板內，而於重力方向支撐上部電極。連絡構件係一部分會被配置於冷卻板內，而延伸於冷卻板之徑向並與支撐構件卡合。滑動構件係藉由讓連絡構件朝冷卻板之徑向內側滑動，來將支撐構件朝上方上推，而使得上部電極吊掛於冷卻板。

Description

電漿處理裝置及上部電極總成
所揭露之實施形態係關於一種電漿處理裝置及上部電極總成。
自以往，在半導體之製造程序中的蝕刻、沉積、氧化、濺鍍等之處理中，實行電漿處理之電漿處理裝置係被廣為使用。
一般而言，電容耦合型之電漿處理裝置係在構成為真空腔室的處理容器內平行地配置上部電極與下部電極，而在下部電極上載置被處理基板(半導體晶圓、玻璃基板等)，並於一邊之電極施加高頻。如此一來，藉由高頻電場來加速之電子、從電極所放出之二次電子或是經加熱之電子便會在兩電極之間與處理氣體分子產生電離衝撞，而產生處理氣體之電漿，以藉由電漿中之自由基或離子來在基板表面實施所欲之微細加工，例如蝕刻。蝕刻程序中，係經常使用將有助於電漿生成(放電)之較高的頻率(通常為40MHz以上)之第1高頻施加至上部電極或下部電極的任一者，而將有助於朝基板吸引離子之較低的頻率(通常為13.56MHz以下)之第2高頻施加至下部電極的2頻率施加方式。其他亦可在電容耦合型之電漿處理裝置中，使用藉由上述般之高頻放電來在兩電極間生成電漿，並且透過電漿來將直流電壓施加至對向於基板之上部電極的方式。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2010-251752號公報
專利文獻2：日本特表2011-521472號公報
專利文獻3：日本新型專利第3167751號公報
關於上述般之電漿處理裝置，係提議有一種用以將上部電極機械性地安裝於承受板的凸輪鎖。在所提議之機構中，係將壓入至電極上方之插槽的嵌釘卡合於承受板內被凸輪軸承所圍繞的凸輪軸。可從承受板之外周面所形成的孔讓凸輪軸旋轉來鎖住凸輪。
然而，上述之機構中，係難以進行上部電極之吊掛力的微細調整。
本發明係有鑑於上述般情事，而目的在於提供一種可進行上部電極之吊掛力的微細調整之電漿處理裝置及上部電極總成。
實施形態之一態樣相關之電漿處理裝置及上部電極總成係具備有：支撐構件，係一部分會被配置於冷卻板內，而於重力方向支撐上部電極；連絡構件，係一部分會被配置於冷卻板內，而延伸於冷卻板之徑向，並與支撐構件卡合，以及滑動構件，係藉由讓連絡構件朝冷卻板之徑向內側滑動，來將支撐構件朝上方上推，而使得上部電極吊掛於冷卻板。
根據實施形態之一態樣，便可進行上部電極之吊掛力的微細調整。
110‧‧‧上部電極總成
120‧‧‧電極板(上部電極)
121‧‧‧氣體噴出孔
122‧‧‧冷卻板
124‧‧‧外側環(滑動構件)
125‧‧‧氣體室
200‧‧‧吊掛機構
201‧‧‧支撐構件
201a‧‧‧孔部
201b‧‧‧卡固部
202‧‧‧連絡構件
202a‧‧‧鈎狀部
202b‧‧‧軸部
202c‧‧‧彈簧部
202d‧‧‧端部
205‧‧‧凹部
C‧‧‧曲面
圖1係第1實施形態相關之電漿處理裝置所具備的上部電極總成之概略圖。
圖2係第1實施形態相關之吊掛機構的測試模組之立體分解圖。
圖3係第1實施形態相關之吊掛機構的測試模組之概略圖。
圖4A係顯示第1實施形態相關之吊掛機構的連絡構件之一部分的範例之立體圖。
圖4B係顯示第1實施形態相關之吊掛機構的連絡構件之其他部分的範例之立體圖。
圖4C係以既定角度所觀察第1實施形態相關之吊掛機構的支撐構件之一範例的立體圖。
圖4D係以其他角度所觀察第1實施形態相關之吊掛機構的支撐構件之一範例的立體圖。
圖4E係顯示第1實施形態相關之吊掛機構的外側環之凹部的一範例之立體圖。
圖4F係用以說明第1實施形態相關之吊掛機構的外側環之凹部的一範例之俯視圖。
圖5係用以說明第1實施形態相關之吊掛機構的各部配置之冷卻板的概略圖。
圖6係顯示先前技術相關之電漿處理裝置的構成之一範例的圖式。
以下，便參照添附圖式，基於圖式來詳細地說明所揭露之電漿處理裝置及上部電極總成的實施形態。另外，並非藉由該實施形態來限定本發明。
(先前技術相關之電漿處理裝置的一範例)
首先，便先就先前技術相關之電漿處理裝置的一範例來加以說明。圖6係顯示先前技術相關之電漿處理裝置100的構成之一範例的圖式。電漿處理裝置100係構成為具有平行平板電極之電容耦合型電漿蝕刻裝置，並具有例如鋁或不鏽鋼等之金屬製的圓筒型腔室(處理容器)10。
腔室10內係水平地配置有載置作為被處理基板之例如半導體晶圓W的圓板狀晶座12來作為下部電極。該晶座12係由例如鋁所構成，並藉由從腔室10底部延伸於垂直上方的例如陶瓷製之絕緣性筒狀支撐部14來非接地地被加以支撐。
環狀排氣路徑18會形成於沿著筒狀支撐部14之外周而從腔室10底部延伸於垂直上方的導電性筒狀支撐部16與腔室10內壁之間，而環狀阻隔板20會被安裝於此排氣路徑18上部或入口，並且於底部設置有排氣埠22。
排氣埠22係透過排氣管26來連接有排氣裝置28。排氣裝置28係可將腔室10內之電漿處理空間減壓至所欲真空度。腔室10之側壁外係安裝有開閉半導體晶圓W之搬出入口的閘閥30。
晶座12係透過匹配單元36及供電棒38來電性連接有第1及第2高頻電源32、34。又，晶座12上面係設置有用以保持半導體晶圓W之靜電夾 具40，於靜電夾具40之半徑方向外側設置有環狀地圍繞半導體晶圓W周圍之聚焦環42。
腔室10之頂部係透過環狀絕緣構件65，並在浮動的狀態下來電性安裝有平行地對向於晶座12且兼作噴淋頭之接地電位的上部電極64。該上部電極64係具有對向於晶座12之電極板66以及可從其背後(圖6之紙面上方)來裝卸地支撐該電極板66的電極支撐體68。電極支撐體68係例如冷卻板，而抑制電極板66之溫度改變。
電極支撐體68內部係設置有氣體室70。電極支撐體68及電極板66係形成有從氣體室70朝晶座12側貫穿之複數氣體噴出孔72。電極板66與晶座12之間的空間會成為電漿生成空間乃至處理空間PS。氣體室70上部所設置之氣體導入口70A係連接有來自處理氣體供給部74之氣體供給管75。另外，電極板66係以例如Si或SiC來加以形成，電極支撐體68係以例如經防蝕處理之鋁來加以形成。
(第1實施形態相關之電漿處理裝置)
參照圖1，就第1實施形態相關之電漿處理裝置所具備的上部電極總成110來加以說明。圖1係第1實施形態相關之電漿處理裝置所具備的上部電極總成110之概略圖。上部電極總成110係具有將電極板吊掛於電極板上所配置之冷卻板的機構。第1實施形態相關之電漿處理裝置的構成雖大致上與圖6所示之以往的電漿處理裝置100相同，但在具備上部電極總成110的點上有所不同。又，第1實施形態之電漿處理裝置係構成為操作者可從上部電極總成110下方來操作上部電極總成110。
圖1所示之構造係大致對應於圖6所示之以往的電漿處理裝置100所具備之上部電極64，為第1實施形態相關之電漿處理裝置所具備的上部電極總成110之構造的一範例。圖1係顯示上部電極總成110中，含有吊掛機構200(後述)部分的剖面。
另外，圖1所示之上部電極總成110係只要能保持在可配置於電漿處理裝置之腔室(對應於圖6之10)內的所欲位置之態樣的話即可，並非一定要保持在圖6所示般之態樣。例如，亦可構成為藉由其他構造物來從上方吊掛上部電極總成110，而使得腔室壁面與上部電極總成110不會接觸。
如圖1所示，第1實施形態相關之上部電極總成110係具備有電極板120(以下，亦稱為上部電極。)、冷卻板122、外側環124(以下，亦稱為滑動構件。)。上部電極總成110係具有作為噴淋頭之機能。
電極板120係大致對應於圖6之電極板66的圓盤狀構件。電極板120內部係形成有用以讓處理氣體通過之複數氣體噴出孔121。電極板120係以例如Si或SiC來加以形成。
冷卻板122係大致對應於圖6之電極支撐板68的圓盤狀構件。冷卻板122係具有氣體噴出孔126。冷卻板122之氣體噴出孔126係連接於電極板120之氣體噴出孔121，並連通於冷卻板122內所形成之氣體室125。氣體室125的機能係與圖6之氣體室70相同。
冷卻板122係為了進行上部電極總成110之溫度制御，而配置為在電極板120上方與電極板120面接觸。冷卻板122係以導電材料，例如，於表面施予防蝕處理的鋁來加以形成。另外，為了提高導熱效率，亦可將導熱片夾置於電極板120與冷卻板122之間。該情況，導熱片亦可在對應於電極板120之氣體噴出孔121及冷卻板122之氣體噴出孔126的位置形成有孔。
外側環124係圍繞冷卻板122外周之環形狀構件。外側環124係藉由設置於冷卻板122外周的凸緣等來與冷卻板122卡合。但是，冷卻板122與外側環124之卡合態樣並不特別限定，而只要為不妨礙後述吊掛機構(200，參照圖2)之動作的態樣即可。
(吊掛機構200之概要)
參照圖1及圖2而進一步地就第1實施形態相關之上部電極總成110所具備的吊掛機構200來加以說明。圖2係第1實施形態相關之吊掛機構200的測試模組之立體分解圖。圖2中，係為了容易理解，而顯示以簡略的形狀來形成電極板120、冷卻板122及外側環124的測試模組。圖2所示之構造體中，支撐構件201所支撐的電極板120係顯示為較小之略圓板形狀之構件。又，冷卻板122及外側環124係分別顯示為小型化之圓盤狀的環狀構件。
吊掛機構200係藉由讓電極板120、冷卻板122及外側環124互相地卡合，來將電極板120吊掛於冷卻板122下方。
具體而言，吊掛機構200係具備有支撐構件201、連絡構件202以及形成於外側環124之凹部205(參照圖4E、圖4F及圖5)。
如圖1所示，支撐構件201係被***至形成於電極板120之垂直方向(圖1之上下方向)的孔300，而於垂直方向支撐電極板120。支撐構件201係在中央部分具有孔部201a及卡固部201b(參照圖4D)。孔部201a係可讓後述連絡構件202之鈎狀部202a(以下亦稱為鈎部。參照圖4A)插通之大小的孔。卡固部201b係形成為橫切孔部201a上部。卡固部201b係形成為可讓連絡構件202之鈎狀部202a卡固的大小(參照圖3)。
另外，除了具備有可讓鈎狀部202a插通的孔部201a與可讓鈎狀部202a卡固的卡固部201b，來成為可支撐電極板120的形狀之外，支撐構件201之形狀並不被特別限定。支撐構件201只要為可於垂直方向支撐電極板120之構件的話即可。例如，亦可如圖2、圖3所示，構成為讓螺絲嵌合於支撐構件201下部所形成的溝部而加以螺固，並以插槽來固定螺絲之相反側，以將支撐構件201固定於電極板120。
支撐構件201會貫穿形成於電極板120之孔300及在垂直方向形成於冷卻板122之孔301而到達孔302。孔302與孔301係略直角地相交，並相互地連通。孔302係形成為延伸於冷卻板122之徑向，並在冷卻板122之外周面上加以開口。又，孔302係越過孔301而於冷卻板122之徑向中心側延伸有既定長度。孔302內係配置有連絡構件202。又，孔301亦越過孔302而於冷卻板122之垂直方向上方側延伸有既定長度。孔301及孔302之長度只要設定為可讓後述支撐構件201及連絡構件202移動即可。
連絡構件202係具有鈎狀部202a、軸部202b、彈簧部202c、端部202d(參照圖2)。但是，連絡構件202之各部並非一定要形成為個別構件，亦可將各部一體成形。
鈎狀部202a係在連絡構件202的兩個軸向端中，被形成於冷卻板122之中心方向所配置之側。鈎狀部202a係具有鈎形狀之鈎部以及朝向軸部202b而上端會滑順地變高之傾斜面。如上述，鈎狀部202a係插通支撐構件 201之孔部201a而卡合於卡固部201b。在鈎狀部202a為插通至支撐構件201之孔部201a的狀態時，鈎狀部202a之傾斜面便會相接於卡固部201b。
軸部202b係連續於鈎狀部202a而朝冷卻板122之徑向外側延伸，並透過彈簧部202c來與端部202d連接。連絡構件202係形成為在被配置於孔302內時，端部202d會從冷卻板122之外周突出既定長度的長度。端部202d會嵌合於沿著冷卻板122外周來配置之外側環124所形成的凹部205。
凹部205係外側環124之內周面上所形成的溝(參照圖4E、圖4F)。凹部205係具有起自冷卻板122中心的距離會慢慢地改變之曲面C(參照圖4E、圖4F)。在此，從冷卻板122中心至曲面C為止的距離係可變化為至少H1及H2(H2<H1)的2階段者。
(吊掛機構200之組裝例)
關於吊掛機構200之各部的卡合關係，係使用組裝例來加以說明。
首先，將支撐構件201插通至電極板120之孔300。然後，便成為電極板120會藉由支撐構件201來被加以支撐的狀態。接著，將從電極板120上方所突出的支撐構件201之一部分***至冷卻板122之孔301。之後，將連絡構件202***至從冷卻板122外周朝向中心而延伸於徑向的孔302。所***之連絡構件202的鈎狀部202a會貫穿支撐構件201之孔部201a而朝孔302之徑向中心側的端部延伸。此時，鈎狀部202a之端部與孔302之冷卻板122中央側端之間係存在有至少(H1-H2)之長度的空隙。
在此狀態下，將外側環124安裝於冷卻板122外周上。此時，連絡構件202之周圍方向端(端部202d側)會相接於外側環124之凹部205的曲面C上，起自冷卻板122中心的距離為H1的部分(亦即距離較長之部分)。外側環124亦可設置有用以引導連絡構件202之引導部。
之後，便讓外側環124沿著冷卻板122外周而於周圍方向旋轉(參照圖4F之箭頭方向Y)。如此一來，伴隨著外側環124之旋轉，連接於外側環124之凹部205的曲面C之連絡構件202的端部便會從距離H1之部分慢慢地朝距離H2之部分滑動。然後，伴隨著連接於連絡構件202端部的曲面C之位置的變化，連絡構件202便會慢慢地朝向冷卻板122中心來按壓(參照圖4F之箭頭方向Z)。其結果，便會讓與支撐構件201之卡固部201b連接的鈎狀 部202a之傾斜面滑動而使得支撐構件201慢慢地被抬升。最後，在連絡構件202之端部於距離H2之部分停止的時間點，支撐構件201便會被抬升至預定位置，而完成支撐構件201與連絡構件20之連結，亦即，電極板120與冷卻板122之連結。
(吊掛機構200之各部的細節及變形例)
接著，參照圖2至圖4F，進一步地就吊掛機構200之細節及變形例來加以說明。圖3係第1實施形態相關之吊掛機構200的測試模組之概略圖。圖4A係顯示第1實施形態相關之吊掛機構200的連絡構件202之一部分的範例的立體圖。圖4B係顯示第1實施形態相關之吊掛機構200的連絡構件202之其他部分的範例之立體圖。圖4C係從既定角度來觀察第1實施形態相關之吊掛機構200的支撐構件201之一範例的立體圖。圖4D係從其他角度來觀察第1實施形態相關之吊掛機構200的支撐構件201之一範例的立體圖。圖4E係顯示第1實施形態相關之吊掛機構200的外側環124之凹部205的一範例之立體圖。圖4F係用以說明第1實施形態相關之吊掛機構200的外側環124之凹部205的一範例之俯視圖。
圖2及圖3所示之測試模組係在電極板120及冷卻板122中，僅選出形成吊掛機構200之部分而模組化者。如圖2及圖3所示之構造係大致對應於圖1之右半部的構成。為了簡化說明，關於圖2及圖3所示之各部中對應於圖1的要素便附加與圖1相同之參照符號。
在圖2及圖3之範例中，冷卻板122係成為中央部會稍微朝下方突出之形狀，外側環124會被配置於朝下方突出之部分的周圍。又，圖2之範例中，冷卻板122及外側環124係構成為具有相同直徑之外圓的構件。因此，用以將連絡構件202***至冷卻板122內部(中央部)的孔便會在冷卻板122外緣部形成為溝。
又，外側環124為了限制旋轉角度，而設置有溝部126a、126b以及分別卡合於溝部126a、126b之嵌釘127a、127b。嵌釘127a、127b會分別卡合於各冷卻板122所形成插槽(圖2中僅顯示插槽128a。)。圖2及圖3所示之各部係具有與圖1所示的吊掛機構200之各部相同的機能。
吊掛機構200之各部亦可為例如圖4A至圖4F所示之形狀。但是，圖4A至圖4F所示之形狀乃為一範例，而只要不妨礙如上所說明之動作或機能，便可適當改變。例如，亦可讓圖4A所示之連絡構件202的一部分(相當於鈎狀部202a及軸部202b)與連絡構件202的其他部分一體成形。又，亦可刪除圖4A所示之軸部202b下面的切槽。
又，圖4B所示之連絡構件202的其他部分(相當於彈簧部202c及端部202d)之形狀亦不被限定於如圖4B所示者。圖4A及圖4B中，係可為使用軸與球狀凸輪來構成連絡構件202者。然而，並不被限定於此，只要能與形成於外側環124之機構連動，而讓支撐構件201朝上方上推的話，則可將連絡構件202之形狀作適當改變。
如圖3所示，圖4C及圖4D所示之支撐構件201係為了讓端部形成為球狀之螺絲嵌入而於下方形成有圓形中空部。又，孔部201a係成為被延伸於垂直方向之2根略圓筒狀的軸與略圓筒狀卡固部201b與下方之圓筒狀部分所圍繞的形狀。然而，並不被限定於此，只要可具有如上所說明般之機能的話，支撐構件201亦可改變為任意形狀。
圖4E及圖4F係顯示凹部205之一範例。如圖4E所示，凹部205係具有曲面C。然後，曲面C之一端係起自外側環124內周面而具有H1之長度，曲面C之另端係起自外側環124內周面而具有H2之長度。如圖4F所示，連絡構件202之端部202d首先係卡合於凹部205之長度H1的端部部分。之後，藉由讓外側環124旋轉於箭頭Y方向，來使得端部202d會朝凹部205之長度H2的端部部分滑動，結果，便會朝箭頭Z方向推入。
但是，凹部205及端部202d之形狀並不被限定於圖4E及圖4F所示之形狀。如圖4E及圖4F所示，凹部205之形狀及端部202d之形狀只要為可藉由外側環124旋轉來使得連絡構件202朝冷卻板122之中心方向推入者的話即可。
(冷卻板122之構成例)
參照圖5，來說明裝設有本實施形態相關之吊掛機構200的冷卻板122之構成的一範例。圖5係用以說明第1實施形態相關之吊掛機構200的各部配置之冷卻板122的概略圖。
圖5中，係在冷卻板122上10處形成有***支撐構件201之孔300。第1實施形態中，係不僅於冷卻板122之圓周附近，亦於靠近中心處藉由支撐構件201來吊掛電極板120。藉由將支撐構件201配置於冷卻板122之半徑方向複數位置來吊掛電極板120，即便在上部電極消耗後，仍可防止冷卻板122與電極板120之接觸壓力下降而提升溫度性能。
另外，吊掛處並不被限定於圖5所示之10處。例如，最好是在將導熱片夾置於冷卻板122與電極板120之間的情況等，進一步地增加吊掛處以提高連結力。又，吊掛處並不被限定於如圖5所示，在複數同心圓上以略等間隔來加以配置的範例。例如，可對應於冷卻板122中之氣體室125或氣體噴出孔126的位置、冷卻板122及電極板120之重量等，來改變吊掛處。
又，圖5尚顯示了將支撐構件201及連絡構件202***至冷卻板122內，而嵌合外側環124之狀態。左上參照符號A所表示之連絡構件202係為了簡化說明而以較其他連絡構件202要長之形狀來加以表示。如圖5所示，連絡構件202之長度會對應於從***支撐構件201之吊掛位置至冷卻板122之外周的長度來加以決定。圖5之範例中，5個連絡構件202會較其他5個連絡構件202要長。然後，連絡構件202會越過冷卻板122之外周而接觸於外側環124之凹部205(未圖示)。圖5之範例中，係藉由讓外側環124逆時針旋轉，來改變連絡構件202與凹部205所接觸的位置，而使得連絡構件202會朝冷卻板122之中心方向推入。然後，伴隨著連絡構件202移動，卡固部201b便會藉由鈎狀部202a之上端來上推，而使得電極板120會連結於冷卻板122。在結束外側環124之旋轉，而結束電極板120與冷卻板122之連結後，便藉由將外側環124螺固在冷卻板122，來結束吊掛。
由於使用複數相異長度之連絡構件202，故冷卻板122係形成有長度相異之2種類的孔302。如此般，藉由將吊掛處配置於起自冷卻板122之外周或中心的位置相異之複數位置，便可防止因上部電極之消耗而使得電極板120之中央部下垂。
(第1實施形態之效果)
如上述，第1實施形態相關之電漿處理裝置及上部電極總成係具備有：支撐構件201，係一部分會被配置於冷卻板122內，而於重力方向支撐上部電極120；連絡構件202，係一部分會被配置於冷卻板122內，而延伸於冷卻板122之徑向，並與支撐構件201卡合；以及滑動構件124，係藉由讓連絡構件202朝冷卻板122之徑向內側滑動，來將支撐構件201朝上方上推，而將上部電極120吊掛於冷卻板122。藉由此般構成，第1實施形態相關之電漿處理裝置便可藉由調整支撐構件201、連絡構件202及滑動構件124之形狀來彈性地調整上部電極120之吊掛力。又，第1實施形態相關之電漿處理裝置係藉由將冷卻板122與電極板120以支撐構件201、連絡構件202及滑動構件124來加以連結，便可改善上部電極120之溫度改變。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，滑動構件124係藉由在冷卻板122之外周上旋轉，來讓連絡構件202滑動。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置便可藉由簡單之構成，來將上部電極120吊掛於冷卻板122。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，連絡構件202係具有被配置於冷卻板122之中心側，而上端會形成為傾斜面，並與支撐構件201卡合之鈎部202a。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置係可藉由簡單之構成，來將上部電極120吊掛於冷卻板122。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，連絡構件202係含有軸與球狀凸輪。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置係可藉由軸與球狀凸輪來進行吊掛力之微細調整。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，支撐構件201係具有讓連絡構件202之鈎部202a貫穿的孔部201a。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置一旦在讓支撐構件201連絡構件202卡合後，支撐構件201便不會脫落，而可實行電極板120朝冷卻板122的吊掛作業。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，藉由讓支撐構件201之孔部201a在連絡構件202之鈎部202a的傾斜面上移動，來使得支撐構件201朝冷卻板122之垂直方向上方被抬升。因此，第1實施形態相關之電漿處 理裝置便可使用簡單構造的連絡構件202及支撐構件201，來將電極板120吊掛於冷卻板122。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，滑動構件124係具有會讓連絡構件202之端部卡合，且延伸於冷卻板122之周圍方向的凹部205，連絡構件202會伴隨著滑動構件124之旋轉，而使得端部會從凹部之周圍方向第1端朝周圍方向第2端移動，來朝冷卻板122之徑向內側滑動。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置便可藉由簡單之構成及單純的操作來將電極板120吊掛於冷卻板122。
又，第1實施形態相關之電漿處理裝置中，係將支撐構件201複數配置於具有與冷卻板122相同中心之至少兩個同心圓上，而藉由一個滑動構件124來使得分別與該複數支撐構件201卡合之複數連絡構件202滑動。因此，第1實施形態相關之電漿處理裝置係可對吊掛於冷卻板122之上部電極120，在複數位置同時且均勻地施加吊掛力。又，由於在複數位置連結冷卻板122與上部電極120，故即便在上部電極120被消耗的情況，仍可抑制與冷卻板122之界面壓力的下降。因此，便可抑制蝕刻速率之改變或上部電極120之溫度改變等。
(其他實施形態)
已就第1實施形態相關之電漿處理裝置及上部電極總成來加以說明。然而，並不被限定於此，而可在本發明之範圍內實現各種變形。
例如，支撐構件201之端部亦可構成為球形狀並迎合熱膨脹。又，亦可互相相異地配置構成彈簧部202c之彈簧以改變軸力。次外，軸力亦可藉由調整連絡構件202(軸部202b)之長度來加以調整。
又，亦可以從下方讓外側環124旋轉的方式來將第1實施形態相關之上部電極總成110配置於腔室內。該情況，便可不卸下電漿處理裝置之其他構成要素，而讓外側環124旋轉來卸下電極板120，以進行交換。
又，配置支撐構件201之位置或個數係可對應於冷卻板122及電極板120之大小或重量來適當改變。
進一步的效果及變形例係可因所屬技術領域中具有通常知識者而被輕易地導出。因此，本發明之更廣泛的態樣並不被限定於上述般所表示且記 述之特定細節及代表性的實施形態。從而，在不超出添附之申請專利範圍及其均等物所定義之總括性發明概念精神或範圍，而可進行各種改變。
110‧‧‧上部電極總成
120‧‧‧電極板
121‧‧‧氣體噴出孔
122‧‧‧冷卻板
124‧‧‧外側環
125‧‧‧氣體室
126‧‧‧氣體噴出孔
200‧‧‧吊掛機構
201‧‧‧支撐構件
202‧‧‧連絡構件
202a‧‧‧鈎狀部
202b‧‧‧軸部
202c‧‧‧彈簧部
202d‧‧‧端部
205‧‧‧凹部
300‧‧‧孔
301‧‧‧孔
302‧‧‧孔

Claims (10)

  1. 一種電漿處理裝置，係具備有：支撐構件，係一部分會被配置於冷卻板內，而於重力方向支撐上部電極；連絡構件，係一部分會被配置於該冷卻板內，而延伸於該冷卻板之徑向，並與該支撐構件卡合；以及滑動構件，係藉由讓該連絡構件朝該冷卻板之徑向內側滑動，來將該支撐構件朝上方上推，而使得該上部電極吊掛於該冷卻板。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該滑動構件係藉由在該冷卻板之外周上旋轉，來讓該連絡構件滑動。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該連絡構件係具有被配置於該冷卻板之中心側，而上端會形成為傾斜面，並與該支撐構件卡合之鈎部。
  4. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中該連絡構件係具有被配置於該冷卻板之中心側，而上端會形成為傾斜面，並與該支撐構件卡合之鈎部。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿處理裝置，其中該連絡構件係含有軸與球狀凸輪。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中該支撐構件係具有讓該連絡構件之該鈎部貫穿的孔部。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其係藉由讓該支撐構件的該孔部在該連絡構件之該鈎部的該傾斜面上移動，來使得該支撐構件朝該冷卻板之垂直方向上方被抬升。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿處理裝置，其中該滑動構件係具有會讓該連絡構件之端部卡合，且延伸於該冷卻板之周圍方向的凹部；該連絡構件會伴隨著該滑動構件之旋轉，而使得該端部從該凹部之周圍方向第1端朝向周圍方向第2端移動，來朝該冷卻板之徑向內側滑動。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電漿處理裝置，其係將該支撐構件複數配置於與該冷卻板具有相同中心之至少兩個的同心圓上，而藉由一個該滑動構件來使得分別與該複數支撐構件卡合的複數連絡構件滑動。
  10. 一種上部電極總成，係具備有：支撐構件，係一部分會被配置於冷卻板內，而於重力方向支撐上部電極；連絡構件，係一部分會被配置於該冷卻板內，而延伸於該冷卻板之徑向，並與該支撐構件卡合；以及滑動構件，係藉由讓該連絡構件朝該冷卻板之徑向內側滑動，來將該支撐構件朝上方上推，而使得該上部電極吊掛於該冷卻板。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11069553B2 (en) 2016-07-07 2021-07-20 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber
US10910195B2 (en) 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
US10741425B2 (en) 2017-02-22 2020-08-11 Lam Research Corporation Helium plug design to reduce arcing
US10460978B2 (en) * 2017-03-08 2019-10-29 Lam Research Corporation Boltless substrate support assembly
KR102581910B1 (ko) * 2018-10-26 2023-09-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널의 검사 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 검사 방법
US10954595B2 (en) * 2019-07-30 2021-03-23 Applied Materials, Inc. High power showerhead with recursive gas flow distribution
US20230014491A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Mounting Apparatus and Mounting Method

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3167751B2 (ja) 1991-09-20 2001-05-21 旭硝子株式会社 ガラス板用スペーサー及びガラス板積層体
US5261434A (en) * 1993-02-16 1993-11-16 Tech Sport, Inc. Combination umbrella and golf ball retriever
US6086710A (en) * 1995-04-07 2000-07-11 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
JP3090877B2 (ja) * 1995-06-06 2000-09-25 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法および装置
US6019060A (en) * 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
KR100638917B1 (ko) * 2000-05-17 2006-10-25 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 부품의 조립 기구 및 그 조립 방법
KR100539266B1 (ko) * 2004-06-02 2005-12-27 삼성전자주식회사 호 절편 형태의 한정부를 가지는 플라즈마 공정 장비
US20070125303A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Ward Ruby High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation
US7875824B2 (en) * 2006-10-16 2011-01-25 Lam Research Corporation Quartz guard ring centering features
US7732728B2 (en) * 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US8161906B2 (en) * 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8221582B2 (en) * 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8272346B2 (en) * 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
SG169960A1 (en) 2009-09-18 2011-04-29 Lam Res Corp Clamped monolithic showerhead electrode
KR200464037Y1 (ko) * 2009-10-13 2012-12-07 램 리써치 코포레이션 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극
TWI450995B (zh) * 2010-04-07 2014-09-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜旋轉裝置及鍍膜設備
US8573152B2 (en) * 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8470127B2 (en) * 2011-01-06 2013-06-25 Lam Research Corporation Cam-locked showerhead electrode and assembly
US8883029B2 (en) * 2013-02-13 2014-11-11 Lam Research Corporation Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber
US9911579B2 (en) * 2014-07-03 2018-03-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate

Also Published As

Publication number Publication date
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KR102455670B1 (ko) 2022-10-17
US10811234B2 (en) 2020-10-20
US20180240650A1 (en) 2018-08-23
KR20160007409A (ko) 2016-01-20
JP6375163B2 (ja) 2018-08-15
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