KR20170118290A

KR20170118290A - 열플라즈마를 이용한 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말의 제조방법 및 이를 제조하기 위한 장치

Info

Publication number: KR20170118290A
Application number: KR1020160045661A
Authority: KR
Inventors: 김대현; 조윤주
Original assignee: 주식회사 풍산홀딩스
Priority date: 2016-04-14
Filing date: 2016-04-14
Publication date: 2017-10-25
Also published as: WO2017179816A1

Abstract

본 발명은 열플라즈마를 이용한 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말의 제조방법 및 이를 제조하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 평균입경이 5 ~ 30 ㎛인 은 또는 은 합금 분말을 열플라즈마 토치, 반응 용기 및 산소 반응구간을 통과시키며, 상기 은 또는 은 합금 분말은 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도로 투입되고, 시간 당 투입되는은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 산소 반응구간으로의 산소 첨가량이 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute) 범위인 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 표면 산소 패시베이션 층의 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법 및 원료 분말을 공급하기 위한 원료 공급부, 열플라즈마 고온 영역대를 갖는 열플라즈마 토치부, 공급된 원료 분말이 열플라즈마에 의해 나노화되는 반응 용기 및 패시베이션 반응을 위해 산소를 첨가하는 산소 투입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결용 은나노 금속분말 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법 및 장치를 이용하는 경우 광소결에 적합한 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 제어된 은나노 금속분말을 안정적으로 확보할 수 있다.

Description

열플라즈마를 이용한 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말의 제조방법 및 이를 제조하기 위한 장치 {Method for manufacturing uniform oxygen passivation layer on silver nano metal powder using thermal plasma and apparatus for manufacturing the same}

본 발명은 열플라즈마를 이용한 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말의 제조방법 및 이를 제조하기 위한 장치에 관한 것이다.

인쇄전자(Printed Electronics)는 인쇄기술을 통해 전자소자 및 부품 혹은 모듈을 제조하는 것을 말하며, 도전성 잉크를 플라스틱이나 종이와 같은 기판에 인쇄하여 원하는 기능의 제품을 만드는 것으로 기존의 RFID(Radio frequency identification) 태그, 조명, 디스플레이, 태양전지, 전지 등 반도체나 소자, 회로 등이 쓰이는 거의 모든 영역에 광범위하게 응용이 가능한 기술이다.

은 잉크 또는 페이스트 입자를 전극소재로 사용하는 것이 일반화되어 있으나, 대부분 습식공법에 의한 제조가 가장 보편적인 제조법이며, 일부 플라즈마에 의한 제조가 소개되고는 있지만 이러한 분말소재는 인쇄배선의 전극화를 위해서 소결 공정이 필수적인데, 현재는 일반적으로 열에 의한 소결기술을 사용하고 있는 실정이다. 이러한 방식으로는 많은 설비와 1 시간 이상의 테이크-타임(Take-Time)이 필요하고, 특히 은 잉크 등의 전극화를 위해서는 불활성 기체 분위기를 만들기 위한 추가적인 장치가 필요하며, 더불어 산화되지 않은 순수 은 입자의 양산수율이 낮고 가격이 비싼 것이 가장 큰 문제점이다.

이러한 열소결과 순수 은 입자와 관련된 문제점을 극복할 수 있는 것으로 대기 중에서 은 잉크는 물론 산화가 진행된 입자들도 환원할 수 있는 신개념의 소결기술로 최근 이슈화되고 있는 기술이 광소결 기술로 불리는 IPL(Intense Pulsed Light)을 이용한 백색광 소결 기술이며, 백색광 극단파 소결법을 이용하여 상온/대기압 조건에서 μs ~ ms 단위의 매우 짧은 공정 시간에 성공적으로 소결시킴으로써 인쇄배선의 소결을 완료할 수 있어 획기적으로 공정 테이크-타임을 줄이며 기존의 은 전극소재를 대체함과 동시에 열소결을 광소결로 대체함으로써 획기적으로 공정 테이크-타임을 줄일 수 있기 때문에 전기전자 소재 및 부품, 모듈업체의 경쟁력을 몇 단계 높일 수 있을 것으로 전망되고 있다.

상기의 광소결 방법은 벌크 은에 비해 광흡수도가 높고 녹는점이 낮은 은나노 입자를 이용하여 환원제가 첨가된 잉크 상태로 기판에 인쇄한 후 강한 빛을 짧은 시간 동안 조사하여 소결하는 것이 특징이며, 환원제가 첨가된 은나노 잉크가 강한 빛을 받으면, 은나노 입자가 빛을 다량 흡수하게 되어 짧은 시간에 온도가 급격히 상승하게 되면서 은 산화막과 접촉하고 있는 환원제가 열화학적으로 반응하여, 물과 중간기 알코올이 생성되고 표면 산화은이 순수 은으로 환원됨과 동시에 하게 되는 것이다. 광소결은 은나노입자의 표면에 형성된 산화은 피막을 환원시킴과 동시에 은나노입자의 용접을 유발함으로써 고전도도의 순수 은 전극을 밀리초(ms) 내에 형성할 수 있으며, 상온/대기에서 소결이 가능하다.

여기에서 광소결에 적합한 은나노 금속 입자 합성이 주요한 문제인데, 현재는 습식 또는 일부 열플라즈마(thermal plasma) 방식에 의한 입자 합성이 적용단계이나 광조사 에너지 흡수율이 최적화된 산화 패시베이션 층을 제어하는 기술이 거의 전무한 실정이다.

한국등록특허 제10-0722291호 및 한국공개특허공보 제10-2012-0039105호는 일반적인 습식 은나노 분말 제조방법에 관한 것이며, 특히 제10-2012-0039105호에서는 질산은을 이용하여 광소결용에 적합한 2 ~ 1 nm 크기의 은나노 입자를 제조하는 것을 개시하고 있으나, 이는 열플라즈마 방식과는 전혀 다른 공법이며, 분산성이 우수한 건식 제조와 달리 습식 제조에 따른 세정 등 불순물 혼입, 건조 응집에 따른 분산성 불량을 피할 수 없으므로 안정적인 나노입자 특성 확보가 어렵고, 광소결에 중요요소인 입자의 균일한 크기 및 균일한 산화 패시베이션 층 제어에 어려움이 있다.

이와 같은 단점을 지닌 습식 제조 방식과는 달리, RF 열플라즈마를 이용하여 고순도 분말을 제조하는 방법으로 한국공개특허공보 제10-2007-0067794호에서는 플라즈마를 활용하되 일반적인 나노화 제조에 열플라즈마(thermal plasma) 방식을 이용하는 수준에 그치고 있어, 광소결용으로 사용되기 위한 나노입자의 균일성 확보 및 100 나노급의 균일한 산화 패시베이션 층을 확보하는데 어려움이 있다.

결국, 상기한 선행기술들은 광소결에 중요요소인 균일한 산화 패시베이션 층이 제어된 은나노 분말의 안정적인 확보에는 어려움이 있다.

한국등록특허 제10-0722291호 한국공개특허공보 제10-2012-0039105호 한국공개특허공보 제10-2007-0067794호

이에 본 발명자들은 최적화된 광소결 특성을 확보하기 위한 목적으로 선행기술과 같은 열플라즈마를 이용하되, 상대적으로 안정적이며 광소결에 적합한 최적 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말을 얻기 위하여, 원료 분말이 열플라즈마 토치에 주입되는 주입속도 및 반응기 후단의 라인 내 일정한 산소 패시베이션 층을 갖도록 하기 위하여 통과 구간과 산소 첨가량을 제어한 결과 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말을 제조할 수 있다는 사실을 발견함으로써 본 발명을 완성하게 되었다.

따라서 본 발명은 광소결 용도에 적합한 광소결용 은나노 금속분말의 제조 방법 및 이를 제조하기 위한 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 평균입경이 5 ~ 30 ㎛인 은 또는 은 합금 분말을 열플라즈마 토치, 반응 용기 및 산소 반응구간을 통과시키며, 상기 은 또는 은 합금 분말은 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도로 투입되고, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 산소 반응구간으로의 산소 첨가량이 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute) 범위인 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 표면 산소 패시베이션 층의 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법을 제공한다.

또한 본 발명은 원료 분말을 공급하기 위한 원료 공급부, 열플라즈마 고온 영역대를 갖는 열플라즈마 토치부, 공급된 원료 분말이 열플라즈마에 의해 나노화되는 반응 용기 및 패시베이션 반응을 위해 산소를 첨가하는 산소 투입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결용 은나노 금속분말 제조장치를 제공한다.

본 발명에 따른 방법을 이용하는 경우 광소결에 적합한 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 제어된 은나노 금속분말을 안정적으로 확보할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시태양에 따른 열플라즈마 장치의 모식도를 나타낸다.
도 2는 플라즈마 처리 전 은 원료 분말에 대한 현미경 사진을 나타낸다.
도 3은 비교예 7에 따른 산소를 첨가하지 않은 상태에서 플라즈마 처리 후 대기 중에서 산소에 노출시킨 은나노 금속분말을 나타내며, 표면에 산소 패시베이션 층이 매우 불균일하게 형성되어 있음을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된, 균일 산소 첨가 조건의 플라즈마 처리에 의한 광소결에 적합한 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말을 나타내며, 금속분말 표면층에 균일하게 산소 패시베이션 층이 형성되어 있음을 알 수 있다.

본 발명은 상대적으로 안정적이며 광소결에 적합한 최적의 산소 패시베이션 층을 갖는 은나노 금속분말을 얻기 위하여, 기존 사용되던 열플라즈마 방법을 이용하되, 원료 분말을 열플라즈마 토치에 주입하는 주입속도 및 반응기 후단 라인 내에서 일정한 산소 패시베이션 층을 갖도록 산소 첨가량과 통과 구간을 적절히 설정하여 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 광소결용 은나노 금속분말을 얻는 기술에 관한 것이다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 평균입경이 5 ~ 30 ㎛인 은 또는 은 합금 분말을 열플라즈마 토치, 반응 용기 및 산소 반응구간을 통과시키며, 상기 은 또는 은 합금 분말은 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도로 투입되고, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 산소 반응구간으로의 산소 첨가량이 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute) 범위인 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 표면 산소 패시베이션 층의 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법을 제공한다.

본 발명의 광소결용 은나노 금속분말을 제조하기 위한 원료 분말로는 은(silver) 또는 은 합금(silver alloy) 분말을 사용할 수 있으며, 이때 은 분말의 순도는 제한되지 않지만, 바람직하게는 95 % 이상, 보다 바람직하게는 99 %(2N급)를 사용하는 것이 좋다. 또한 은 합금으로는 Ag-Sn, Ag-P 등이 사용될 수 있고, 이때 은 대 다른 금속의 합금 비율은 중량비로 99:1 내지 90:10 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 은 합금에 추가적으로 첨가되는 첨가원소로 Cu, Sn, Pt, Ni 등이 1종 및 2종 형태로 첨가될 수 있으며, 은 이외 다른 첨가 원소들의 함량은 1종 및 2종을 포함하여 10 중량% 이하로 제한되는 것이 바람직하다.

은 또는 은 합금 분말의 평균입경은 5 ~ 30 ㎛(마이크론) 범위가 바람직하며, 5 ~ 20 ㎛가 보다 바람직하다. 만약 평균입경이 5 ㎛ 미만인 경우 분말 사이의 응집이 일어나게 되고 원료 투입이 급격히 어려워지는 문제점이 발생하며, 평균입경이 30 ㎛을 초과하게 되면 플라즈마 처리 효과가 급격하게 저하되는 문제가 발생하기 때문에 상기 범위를 유지하는 것이 좋다.

본 발명에서 은 또는 은 합금 분말은 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도로 투입되며, 바람직하게는 1 ~ 5 kg/hr의 주입속도로 투입되어 고온의 열플라즈마 토치, 반응 용기 및 산소 반응구간을 통과한다. 상기 주입속도가 0.5 kg/hr 미만인 경우 생산성이 저하되는 문제점이 있고, 7 kg/hr를 초과하는 경우 나노화 효과가 현저히 저하되는 문제가 발생하기 때문에 상기 범위를 유지하는 것이 좋다. 한편, 상기 주입속도는 출력에 비례하여 조정하는 것이 바람직한데, 예를 들어, 60 kw 출력에서는 평균 1 kg/hr의 주입속도, 200 kw 출력에서는 평균 3 kg/hr의 주입속도, 400 kw 출력에서는 평균 5 kg/hr의 주입속도를 유지하는 것이 바람직하다.

상기 열플라즈마를 발생하는 동작가스로는 아르곤, 수소, 헬륨을 들 수 있으며, 수소 첨가량의 증가에 따라 나노 입자화 효과가 상승하는 경향이 있기 때문에 아르곤에 수소를 5 ~ 50 부피% 첨가하는 것이 바람직하다. 특히 5 부피% 이상부터 나노 입자화 효과가 급격이 커지며, 50 부피%를 초과하면 나노 입자화 효과가 급격히 저하되기 때문에 5 ~ 50 부피% 범위를 유지하는 것이 좋다.

본 발명은 반응기 후단의 산소 반응구간에 연속적으로 산소를 일정하게 주입함으로써 은 또는 은 합금 분말의 표면층에 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 균일한 산소 패시베이션 층을 형성하게 된다. 이때 산소 반응구간이 콜렉터에 위치하거나 또는 산소 반응이 본 발명의 은 금속분말 제조장치를 완전히 빠져나온 이후 이루어지는 경우 은 또는 은 합금 분말 표면에 안정적인 산화막을 형성시키기 어렵기 때문에 산소 반응구간은 반응 직후 분말 표면에 일정한 산소 패시베이션 층을 형성할 수 있도록 반응기 후단에 위치하며 이때 위치는 싸이클론부 앞부분과 콜렉터 앞부분 중 어느 곳이어도 무방하다. 본 발명에서 산소 패시베이션 층을 형성하는 동작가스는 산소이고, 산소 첨가량에 따라 패시베이션 층의 두께가 증가하는 경향이 있기 때문에 상기 산소 반응구간으로의 산소 첨가량은 상기 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute), 바람직하게는 0.4 ~ 10 slpm, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 4.5 slpm이다. 상기 산소 첨가량이 0.3 slpm 미만인 경우 패시베이션 층 형성 효과가 미미하며, 산소 첨가량이 12 slpm을 초과하는 경우 산소 패시베이션 층의 두께가 급격히 증가하여 광소결 작업 시 에너지 과다소요로 생산효율이 급격히 저하되기 때문에 0.3 ~ 12 slpm 범위를 유지하는 것이 바람직하다. 산소 첨가량이 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute)인 경우를 예로 들면, 시간 당 은 또는 은 합금 분말이 1 kg 투입되는 경우 산소는 1 분당 0.3 ~ 12 리터 첨가되며, 시간 당 은 또는 은 합금 분말이 3 kg 투입되는 경우 산소는 1 분당 0.9 ~ 36 리터 첨가되고, 시간 당 은 또는 은 합금 분말이 5 kg 투입되는 경우 산소는 1 분당 1.5 ~ 60 리터 첨가된다.

본 발명은 상기한 과정들을 통해 광소결용으로 사용하기에 적합한 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 표면 산소 패시베이션 층의 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 광소결용 은나노 금속분말을 제조할 수 있다.

또한 본 발명은 상기 광소결용 은나노 금속분말을 제조하기 위한 장치를 제공하며, 원료 분말을 공급하기 위한 원료 공급부, 열플라즈마 고온 영역대를 갖는 열플라즈마 토치부, 공급된 원료 분말이 열플라즈마에 의해 나노화되는 반응 용기 및 패시베이션 반응을 위해 산소를 첨가하는 산소 투입부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명에 이용하는 열플라즈마 장치의 일례의 모식도를 나타낸 것으로, 원료 분말이 공급되는 원료 공급부(2), 그 하단부에 수냉 절연튜브 외측에 코일이 감겨지고, 코일에 고주파 전계를 인가하는 것에 의해 내부에 열플라즈마 고온 영역대(7)를 갖는 열플라즈마 토치부(1), 공급된 원료 분말이 열플라즈마에 의해 나노화되는 반응 용기(3), 패시베이션 반응을 위해 산소를 첨가하는 산소 투입부(4), 제거된 불순물을 수거하는 싸이클론부(5) 및 제조된 은나노 금속분말을 수거하는 콜렉터(6)가 도시되어 있다.

이와 같은 고주파 전원에 의해 발생한 열플라즈마는 RF 열플라즈마(또는 고주파 플라즈마)라고 한다. 본 발명에서 RF 열플라즈마를 발생시키는 고주파의 주파수는 4 MHz ~ 13.5 MHz 영역대를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 RF 열플라즈마의 고온 영역대를 넓히기 위해서 4 MHz를 사용한다.

본 발명의 원료 공급부(2)는 원료 분말을 공급하기 위한 것으로, 본 발명에서는 상기한 바와 같이 은 또는 은 합금 분말을 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도 공급하도록 구성된다.

본 발명의 산소 투입부(4)는 패시베이션 반응을 위해 산소 반응구간에 산소를 투입하는 역할을 하며, 본 발명은 산소 투입부를 장치 내에 통합함으로써 in - situ 프로세스와 같은 효과를 나타낼 수 있다. 또한 상기 산소와 반응하는 구간의 길이는 0.05 ~ 1 m, 보다 바람직하게는 0.1 ~ 0.5 m인 것이 나노화된 금속입자표면에 직접 반응하여 균일한 산소 패시베이션 층을 형성하기 때문에 바람직하다. 더불어, 일정하게 산소를 공급함으로써 나노화된 금속입자에 비례적으로 산화층을 형성시켜주는 역할을 한다.

또한 본 발명은 싸이클론부(5) 및 콜렉터(6)를 추가로 포함할 수 있으며, 싸이클론부는 앞선 과정들에서 제거된 불순물을 수거하는 역할을 하며, 콜렉터는 제조된 은나노 금속분말을 수거하는 역할을 한다.

본 발명의 균일한 산소 패시베이션 층을 갖는 광소결용 은나노 금속분말은 다양한 분야, 예를 들어, 인쇄전자산업의 터치스크린(투명전극, 베젤전극), 인쇄형 FPCB(특히, 터치센서용 인쇄용 디지타이저 FPCB), RFID 태그, NFC, 태양전지 등에 사용될 수 있으며, 확장해서는 3D 포밍(Forming) 레츄, 신축성 전극(Stretchable electrode) 등의 분야에 적용될 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

실시예

다음 실시예에 따라 본 발명을 설명한다.

	원료 분말의 평균입경(㎛)	원료 분말 주입속도(kg/hr)	산소 첨가량(slpm)	생성된 금속분말의 평균입경(nm)	패시베이션 층의 두께(nm)	적합 여부
실시예 1(은)	12	0.5	1.0	89	5~8	광소결용으로 적합
실시예 2(은)	12	0.9	1.0	102	4~6	광소결용으로 적합
실시예 3(은)	12	1.2	1.0	124	3~6	광소결용으로 적합
실시예 4(은)	12	1.5	1.0	168	2~5	광소결용으로 적합
실시예 5(은)	20	0.5	1.0	125	4~6	광소결용으로 적합
실시예 6(은 합금)	12	1.0	1.0	115	2~7	광소결용으로 적합
실시예 7(은 합금)	20	0.5	1.0	119	3~10	광소결용으로 적합
실시예 8(은)	12	0.9	3.0	102	6~12	광소결용으로 적합
실시예 9(은)	12	1.2	3.0	125	4~8	광소결용으로 적합
실시예 10(은)	12	1.5	3.0	170	2~5	광소결용으로 적합
실시예 11(은)	12	0.5	10	89	17~25	광소결용으로 적합
실시예 12(은)	12	0.9	10	104	10~19	광소결용으로 적합
실시예 13(은)	12	1.2	10	125	5~12	광소결용으로 적합
실시예 14(은)	12	1.5	10	170	2~6	광소결용으로 적합
실시예 15(은)	20	0.5	10	127	4~12	광소결용으로 적합
실시예 16(은)	10	3.0	0.9	95	2~6	광소결용으로 적합
실시예 17(은)	20	3.0	3.0	99	5~11	광소결용으로 적합
실시예 18(은)	25	3.0	10	112	7~17	광소결용으로 적합
실시예 19(은)	10	5.0	1.5	98	2~5	광소결용으로 적합
실시예 20(은)	20	5.0	3.0	105	4~13	광소결용으로 적합
실시예 21(은)	25	5.0	10	120	7~16	광소결용으로 적합
비교예 1(은)	1	1.0	1.0	63	2~8	피딩 불량 때문에 부적합
비교예 2(은)	40	0.5	1.0	148	2~7	나노화 불량 때문에 부적합
비교예 3(은)	12	0.2	1.0	67	30~42	패시베이션 두께 때문에 부적합
비교예 4(은)	12	10	1.0	172	3~18	나노화 불량 때문에 부적합
비교예 5(은)	12	1.0	15	82	31~47	패시베이션 두께 때문에 부적합
비교예 6(은)	12	1.0	X	102	X	패시베이션 두께 때문에 부적합

(실시예 1)

평균입경 12 ㎛, 순도 96 %의 은 분말을 주입속도 0.5 kg/hr로 원료 공급부를 통해 플라즈마 고온영역에 공급하였다. 고주파 전원 주파수가 4 MHz인 도 1에 도시된 것과 같은 RF 열플라즈마로 처리를 하였으며, 열플라즈마에 의해 원료 분말을 용융하고, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 산소 첨가량 1 slpm에서 산소 반응구간을 통과하면서 표면 산소 패시베이션 층을 형성하였다. 이후 반응 용기를 통과하면서 분말이 생성되고 콜렉터를 통해 균일하게 산소 패시베이션 처리된 은나노 금속분말을 회수하였다. 그 결과, 평균입경 89 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 5 ~ 8 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 2)

은 분말의 주입속도를 0.9 kg/hr로 하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 102 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 4 ~ 6 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 3)

은 분말의 주입속도를 1.2 kg/hr로 하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 124 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 3 ~ 6 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 4)

은 분말의 주입속도를 1.5 kg/hr로 하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 168 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 5 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 5)

평균입경 20 ㎛인 은 분말을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 125 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 4 ~ 6 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 6)

은 분말 대신 Ag:P의 은 90 %와 인 10 %(중량%)의 은 합금 분말을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 115 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 7 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 7)

은 분말 대신 Ag:Sn의 은 95 %와 주석 5 %(중량%)의 합금 분말을 사용하는 것 이외에는 실시예 5와 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 119 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 3 ~ 10 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 8)

산소 첨가량을 3 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 102 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 6 ~ 12 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 9)

산소 첨가량을 3 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 2와 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 125 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 4 ~ 8 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 10)

산소 첨가량을 3 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 3과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 170 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 5 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 11)

산소 첨가량을 10 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 89 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 17 ~ 25 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 12)

산소 첨가량을 10 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 2와 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 104 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 10 ~ 19 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 13)

산소 첨가량을 10 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 3과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 125 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 5 ~ 12 nm인 은나노금속분말을 제조하였다.

(실시예 14)

산소 첨가량을 10 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 4와 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 170 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 6 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 15)

산소 첨가량을 10 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 5와 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 127 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 4 ~ 12 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 16)

평균입경 10 ㎛인 은 분말, 3.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 0.9 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 95 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 6 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 17)

평균입경 20 ㎛인 은 분말, 3.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 3.0 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 99 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 5 ~ 11 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 18)

평균입경 25 ㎛인 은 분말, 3.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 10 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 112 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 7 ~ 17 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 19)

평균입경 10 ㎛인 은 분말, 5.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 0.5 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 98 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 5 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 20)

평균입경 20 ㎛인 은 분말, 5.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 3.0 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 105 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 4 ~ 13 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(실시예 21)

평균입경 25 ㎛인 은 분말, 5.0 kg/hr의 은 분말 주입속도, 시간 당 투입되는 은 또는은 합금 분말 1 kg 당 10 slpm의 산소 첨가량을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건을 사용하여 평균입경 120 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 7 ~ 16 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다.

(비교예 1)

평균입경 1 ㎛인 은 분말을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 63 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 8 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다. 그 결과, 본 발명의 평균입경 보다 작은 은 분말을 사용하는 경우 피더의 막힘 현상으로 인한 잦은 작업불량 문제가 나타남을 확인할 수 있었다.

(비교예 2)

평균입경 40 ㎛인 은 분말을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 148 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 2 ~ 7 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다. 그 결과, 본 발명의 평균입경 보다 큰 은 분말을 사용하는 경우 반응기 내 나노화가 제대로 이루어지지 않아 싸이클론 내 원료 분말의 혼입현상 및 나노분말 회수율이 극히 낮아지는 문제점이 나타남을 확인할 수 있었다.

(비교예 3)

은 분말의 주입속도를 0.2 kg/hr로 하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 67 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 30 ~ 42 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다. 그 결과, 본 발명의 주입속도보다 낮은 속도를 사용하는 경우 산소 패시베이션 층의 두께가 너무 커져서 광소결에 적합하지 못한 문제점이 나타남을 확인할 수 있었다.

(비교예 4)

은 분말의 주입속도를 10.0 kg/hr로 하는 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 172 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 3 ~ 18 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다. 그 결과, 본 발명의 주입속도보다 높은 속도를 사용하는 경우 반응기내 나노화가 제대로 이루어지지 않아 싸이클론내 원료 분말의 혼입현상 및 나노분말 회수율이 극히 낮아지는 문제점이 나타남을 확인할 수 있었다.

(비교예 5)

산소 첨가량을 15 slpm으로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 처리하여 평균입경 82 nm, 산소 패시베이션 층의 두께가 31 ~ 47 nm인 은나노 금속분말을 제조하였다. 그 결과, 본 발명의 산소 첨가량보다 높은 양을 사용하는 경우 산소 패시베이션 층의 두께가 너무 커져서 광소결에 적합하지 못한 문제점이 나타남을 확인할 수 있었다.

(비교예 6)

공정 내에서 산소를 첨가하는 단계를 제외한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 플라즈마 처리한 이후 1시간 동안 자연 산화시킨 경우 은나노 금속분말 표면부의 산소 패시베이션 형상이 도 3에 도시되어 있다. 도 3에서도 확인할 수 있듯이, 본 발명의 산소 첨가 공정이 포함되지 않는 경우 대기와의 접촉에 의해 분말 표면층에 불규칙한 산소 패시베이션 두께가 형성되어 안정적인 광소결 작업에 필수적으로 요구되는 균일한 산소 패시베이션 층을 형성하지 못한다는 문제점이 나타남을 확인할 수 있었다.

1: RF 열플라즈마 토치
2: 원료 공급부
3: 반응 용기
4: 산소 투입부
5: 싸이클론부
6: 콜렉터
7: 열플라즈마 고온 영역대

Claims

평균입경이 5 ~ 30 ㎛인 은 또는 은 합금 분말을 열플라즈마 토치, 반응 용기 및 산소 반응구간을 통과시키며, 상기 은 또는 은 합금 분말은 0.5 ~ 7 kg/hr의 주입속도로 투입되고, 시간 당 투입되는 은 또는 은 합금 분말 1 kg 당 산소 반응구간으로의 산소 첨가량이 0.3 ~ 12 slpm(Standard Liters Per Minute) 범위인 평균입경이 50 ~ 200 nm이며 표면 산소 패시베이션 층의 평균 두께가 1 ~ 30 nm인 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 은 합금 분말에서 은의 함량이 90 중량% 이상인 것을 특징으로 하는 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 은 합금은 Ag-P 및 Ag-Sn 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 사용되며, 여기에 Sn, Cu, Pt 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소가 추가적으로 첨가될 수 있으며, 은 이외 첨가 원소의 총 함량은 10 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 광소결용 은나노 금속분말을 제조하는 방법.
원료 분말을 공급하기 위한 원료 공급부,
열플라즈마 고온 영역대를 갖는 열플라즈마 토치부,
공급된 원료 분말이 열플라즈마에 의해 나노화되는 반응 용기 및
산소 패시베이션 층을 형성시키기 위해 산소를 첨가하는 산소 투입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결용 은나노 금속분말 제조장치.