KR20170117255A - 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 - Google Patents
수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170117255A KR20170117255A KR1020160044657A KR20160044657A KR20170117255A KR 20170117255 A KR20170117255 A KR 20170117255A KR 1020160044657 A KR1020160044657 A KR 1020160044657A KR 20160044657 A KR20160044657 A KR 20160044657A KR 20170117255 A KR20170117255 A KR 20170117255A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- conductive film
- plasma
- etching
- film
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 doping Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910002110 ceramic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
본 발명은 수중에서 기판에 코팅된 전기전도막(투명전도막 포함) 내부에 플라즈마를 유도시킴으로써 기판의 손상 없이 기판에 코팅된 전기전도막을 식각하여 패턴을 형성시키는 수중 플라즈마 유도에 의한 기판 전기전도막 식각 방법에 관한 것이다.
본 발명은 『(a) 상면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및 (b) 상기 기판의 하면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법』을 제공한다.
본 발명은 『(a) 상면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및 (b) 상기 기판의 하면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법』을 제공한다.
Description
본 발명은 수중에서 기판에 코팅된 전기전도막(투명전도막 포함) 내부에 플라즈마를 유도시킴으로써 전기전도막의 오염, 균열 및 기판의 손상 없이 기판에 코팅된 전기전도막을 식각하여 패턴을 형성시키는 수중 플라즈마 유도에 의한 기판 전기전도막 식각 방법에 관한 것이다.
현재까지 레이저 등의 에너지원으로 플라즈마를 유도하여 기판에 코팅된 전기전도막을 식각하는 공정은 공기 중에서 실시하였는데, 그 과정에서 과도한 플라즈마가 발생하고, 이에 따라 플라즈마 기상 냉각에 의한 기상 입자들이 많이 형성되며, 이 입자들이 기판에 부착되어 오염을 유발시키는 것이 문제되어 왔다([도 1] 참조). 또한 플라즈마의 막대한 열에 의해 식각 부위 주변에 크랙이 발생하는 문제도 있었다([도 2] 참조).
또한, 근래 들어 IT기기, 디스플레이기기들이 소형화되면서 관련 소재 및 부품들의 경량화, 초박화가 요구되고 있으며, 이에 따라 유연성(Flexibility)과 투과성(Transparency)이 좋은 기판소재에 투명전도막을 코팅하는 기술 및 이를 가공하는 기술의 진보가 과제로 떠오르고 있다. 두께 500㎛ 이하의 기판 소재, 특히 유연 박판 글래스 및 글래스 리본 기판에 대한 전기도전성 막의 코팅기술은 차세대 유연 디바이스 및 유연 디스플레이 개발과 밀접한 관련이 있으며, 이들 전기전도성 막에 대한 친환경적 플라즈마 식각 기술이 에칭 및 패턴형성 공정기술과 관련하여 매우 중요한 위치를 차지하고 있다.
일반적으로 두꺼운 기판 위에 코팅된 투명전도막을 레이저로 식각할 경우 일정 수준의 기판 손상은 크게 문제되지 않는다. 또한 기판쪽에서 되돌려 주는 에너지도 상당히 높아 진동 에너지 또는 반사파 형태로 전기전도성 막의 식각을 돕게 된다.
그러나 이와 달리 박판 소재의 기판에 기존의 레이저 식각 방법을 적용할 경우 크랙이 발생하는 등으로 기판의 치명적인 손상을 초래할 수 있으며, 기판에 사소한 결함이 있더라도 그러한 기판에 전기전도성 막을 코팅하는 경우 심각한 결함발생, 내구성 저하 등을 유발할 수 있다.
[도 3] 내지 [도 5]를 살펴보면 유리 박판의 경우 하부 유리 기판의 손상을 유발하지 않는 범위에서 투명전도막의 완전한 식각을 위한 적절한 레이저 파워 및 포커스 영역의 설정이 쉽지 않다는 것을 알 수 있는데, 이는 일부 투명전도막 기판의 레이저 흡광 물성과 그 나머지 에너지에 대한 기판 손상 여부와의 관계가 선형적인 관계에 있지 않기 때문이다. 따라서 투명전도막이 식각되지 않거나 일부만 식각되는 문제가 발생하거나 투명전도막이 전부 식각 되지만 유리 기판에 손상이 유발되는 문제가 발생하게 되는 것이다.
구체적으로 [도 3]은 레이저 광 포커스를 기판 상층부, 기판 내부 및 기판 하부 모두에 두더라도 적절한 식각이 쉽지 않음을 보여주고 있으며, [도 4]는 투명전도막-유리 기판 계면의 성분까지 완전히 식각하여 완전한 절연을 구현하기 위하여 적절한 파워를 주더라도 유리 기판의 손상이 유발됨을 보여주고 있다. 또한 [도 5]의 (a)는 전기전도막이 일부만 식각된 모습, (b)는 식각이 되지 않은 모습, (c)는 기판이 손상됨을 보여주고 있다.
본 발명은 전기전도막에 대한 플라즈마 유도 식각 공정에서 발생하는 파티클 오염을 줄이거나 없애고, 과도한 열에 의한 식각 주변부의 크랙 발생을 방지하는 기술 제공에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 기판에 코팅된 전기전도막(투명전도막 포함) 내부에 플라즈마를 유도시킴으로써 연약한 기판의 손상 없이 기판에 코팅된 전기전도막을 식각하여 패턴을 형성시키는 방법을 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.
전술한 과제 해결을 위해 수중 식각 방법을 개발하게 되었다.
본 발명은 『(a) 일면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및 (b) 상기 기판의 전기전도막 부분에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법』을 제공한다. 상기 (a)단계는 상기 기판을 흐르는 물에 넣는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 기판으로는 빛 투과율이 상기 전도전도막 보다 높은 두께 500㎛ 이하의 박판을 적용할 수 있으며, 이 경우 상기 (b)단계는 플라즈마 유도 에너지원을 상기 전기전도막 코팅면의 반대면에 조사하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법에 의할 경우 다음과 같은 효과가 있다.
1. 수중에서의 냉각 효과로 전기전도막 식각에 따른 파티클 발생이 줄어들거나 억제되며, 플라즈마 유도에 따라 기판에 전달되는 열이 수중에서 방열되므로 식각 라인 주변의 크랙이 최소화된다.
2. 수중에서 전기전도막 식각에 따른 파티클이 발생하더라도 식각 라인 주변에 고착화하지 않고 물에 씻겨나가며, 물에 흐름성을 부여하는 경우 파티클을 씻어 내는 효과가 더욱 커진다.
3. 연약한 기판의 손상을 유발하지 않으면서 기판에 코팅된 전기전도막의 식각 및 패터닝을 수행할 수 있게 된다.
4. 투명전도막 소재에 대한 안정적이고 효율적인 식각 및 패터닝 공정을 가능하게 해주기 때문에 차세대 유연소자, 유연 디스플레이, 유연 태양전지, 유연 발열 히터 등의 분야에 활용가치가 크다.
[도 1]은 기상에서 식각 작업을 진행한 경우 식각 라인 주변이 파티클 형성에 의해 오염된 상태를 촬영한 사진이다.
[도 2]는 기상에서 식각 작업을 진행한 경우 과도한 열에 의해 식각 라인 주변에 크랙이 발생한 상태를 촬영한 사진이다.
[도 3] 내지 [도 5]는 통상적인 식각 공정을 통한 투명전도막 식각의 어려움을 나타낸 모식도이다.
[도 6]은 박판 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우와 일반 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우에 있어서의 UV-Vis 투과율 데이터이다.
[도 5]는 전면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법과 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 비교한 모식도이다.
[도 6]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법 적용결과의 모식도이다.
[도 7]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법의 모식도이다.
[도 8]은 기존의 통상적인 식각 방법(공기 중에서 전면 플라즈마 유도)을 이용하여 기판에 코팅된 투명전도막을 식각한 결과이다.
[도 9] 내지 [도 12]는 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법의 실시예들을 적용하여 얻은 결과물들이다.
[도 13]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용하여 얻어진 식각 부위의 가장자리 패턴을 확대한 것이다.
[도 14]는 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용하여 얻어진 식각 단면이다.
[도 15]는 두께 300~500m 글래스 기판 (아사히 글라스)위에 그래핀 슬러리(reduced graphene oxide + 유기 바인더 분산액) 를 코팅한 실시예 ((a)), 실버나노와이어/실란바인더(졸겔법)를 코팅한 실시예 ((b)), 전도성폴리머에 그래핀을 분산한 코팅막을 초미세 식각한 실시예 ((c)), 전도성 폴리머에 ATO 분말을 분산하여 코팅한 후 초미세 식각한 실시예 ((d))이다.
[도 18]은 수중에서 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용함으로써 식각 라인 주변부의 오염 및 크랙이 없는 상태를 촬영한 사진이다.
[도 2]는 기상에서 식각 작업을 진행한 경우 과도한 열에 의해 식각 라인 주변에 크랙이 발생한 상태를 촬영한 사진이다.
[도 3] 내지 [도 5]는 통상적인 식각 공정을 통한 투명전도막 식각의 어려움을 나타낸 모식도이다.
[도 6]은 박판 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우와 일반 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우에 있어서의 UV-Vis 투과율 데이터이다.
[도 5]는 전면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법과 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 비교한 모식도이다.
[도 6]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법 적용결과의 모식도이다.
[도 7]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법의 모식도이다.
[도 8]은 기존의 통상적인 식각 방법(공기 중에서 전면 플라즈마 유도)을 이용하여 기판에 코팅된 투명전도막을 식각한 결과이다.
[도 9] 내지 [도 12]는 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법의 실시예들을 적용하여 얻은 결과물들이다.
[도 13]은 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용하여 얻어진 식각 부위의 가장자리 패턴을 확대한 것이다.
[도 14]는 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용하여 얻어진 식각 단면이다.
[도 15]는 두께 300~500m 글래스 기판 (아사히 글라스)위에 그래핀 슬러리(reduced graphene oxide + 유기 바인더 분산액) 를 코팅한 실시예 ((a)), 실버나노와이어/실란바인더(졸겔법)를 코팅한 실시예 ((b)), 전도성폴리머에 그래핀을 분산한 코팅막을 초미세 식각한 실시예 ((c)), 전도성 폴리머에 ATO 분말을 분산하여 코팅한 후 초미세 식각한 실시예 ((d))이다.
[도 18]은 수중에서 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용함으로써 식각 라인 주변부의 오염 및 크랙이 없는 상태를 촬영한 사진이다.
본 발명은 『(a) 일면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및 (b) 상기 기판의 전기전도막 부분에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법』을 제공한다.
이하에서는 본 발명에 따른 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법에 관하여 각 단계별로 상세하게 설명한다.
1. (a) 단계
본 단계는 일면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계이다. 이는 수중에서 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 작업을 수행하기 위한 것인데, 결과적으로 수온으로 인한 냉각효과로 인해 식각과정에서의 파티클 형성이 줄어들거나 억제되며, 생성된 파티클도 물에 의해 씻겨나갈 수 있게 된다([도 18] 참조). 흐르는 물에서 플라즈마 유도에 의한 식각 공정을 시행하는 경우 파티클 제거 효과가 더욱 향상된다.
또한, 플라즈마 유도에 따라 기판에 전달되는 열이 수중에서 방열되므로 식각 라인 주변의 크랙이 최소화 된다([도 18] 참조).
본 발명에 적용될 수 있는 기판에 관한 제약은 없다. 유리, 세라믹, 플라스틱, 탄소계, 유·무기 하이브리드계 등을 소재로 하는 기판이 적용될 수 있으며, 기판의 두께, 빛 투과율 등에 대한 제한도 없다.
다만, 빛 투과율 50% 이상의 투명판, 곡률반경 5m 이하로 휘어질 수 있는 유연판, 두께 500㎛ 이하의 박판 등 종래에 전기전도막 식각 과정에서 손상의 우려가 있었던 기판들도 본 발명의 적용을 통해 손상 없이 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각을 할 수 있다.
특히 빛 투과율이 전도전도막 보다 높고, 두께 500㎛ 이하 박판을 상기 기판으로 적용하는 경우 상기 (b)단계에서 플라즈마 유도 에너지원을 상기 전기전도막 코팅면의 반대면을 통해 상기 전기전도막에 조사함으로써, 기판 손상 위험을 더욱 낮출 수 있는데, 이 점에 관한 상세한 사항은 후술하기로 한다.
상기 전기전도막은 세라믹계, 세라믹합금계, 도핑계, 금속계, 유기계 및 유기하이브리드계 등이 될 수 있다. 또한 상기 전기전도막은 투명전도막(TCO, Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 할 수도 있는데, 구체적으로 상기 투명전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), ZnO(Zinc oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 할 수 있다. 그 밖에 상기 투명전도막으로 탄소나노튜브, 그래핀, 금속나노와이어, 금속나노박막, 전도성폴리머, 유무기하이브리드, 나노입자 분산시스템 등이 포함될 수도 있다.
2. (b)단계
본 단계는 상기 기판의 전기전도막 부분에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계이다.
상기 플라즈마 유도 에너지원으로는 레이저, 자외선 램프, 전자기파, 마이크로 웨이브, 방사선, 중성자, 감마선, IR열선, 전자빔, 전자기유도 중 어느 하나를 적용할 수 있는데, 구체적으로는 기판 소재에 따른 플라즈마 유도 에너지원의 흡수 등의 상호작용 및 플라즈마 유도 에너지원과 전기전도막의 상호작용 등을 고려하여 결정할 수 있다.
본 발명은 플라즈마 유도에 의한 식각 작업을 수중에서 수행함으로써 기상에서 작업을 수행하는 경우 발생할 수 있는 파티클에 의한 식각 부위 주변의 오염이나 크랙을 방지함에 특징이 있다.
한편, 상기 기판이 두께 500㎛ 이하 박판으로서, 빛 투과율이 전도전도막 보다 높은 경우 상기 플라즈마 유도 에너지원을 상기 전기전도막 코팅면의 반대면에 조사하는 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 적용할 수 있다.
후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법은 기판의 전기전도막 코팅면의 반대면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사함으로써 상기 기판을 통과한 플라즈마 유도 에너지원이 상기 기판과 상기 전기전도막의 계면에 도달하도록 하고, 상기 전기전도막의 에너지 흡수에 의해 상기 전기전도막 내부 또는 상기 기판-전기전도막의 계면에 강한 플라즈마가 생성되어 상기 전기전도막의 식각이 수행되도록 하는 방법이다.
후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법에 의하면 플라즈마가 기판 쪽으로 몰리는 힘으로 인하여 상기 계면에서의 전도성 파트(Debris 등) 등이 완전히 제거됨과 동시에 폭발적으로 팽창하면서 상기 전기전도막으로 향하는 플라즈마 증기들을 통해 상기 전기전도막의 식각 및 패턴형성이 원활하게 이루어지게 된다. 이와 같은 원리의 구현을 위해서 상기 기판은 투과율이 상기 전기전도막보다 높은 것을 특징으로 하고, 투과율은 90% 이상인 것이 바람직하다. 한편, 상기 전기전도막의 투과율은 15% 이하가 바람직하며 극단적으로 0이 되어도 본 발명은 적용될 수 있다.
[도 6]에는 박판 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우와 일반 유리 기판에 FTO 투명전도막을 코팅한 경우에 있어서의 UV-Vis 투과율 데이터가 나타나 있는데 이를 통해 박판 유리의 경우 통상적인 유리와 달리 높은 빛 투과율을 가지고 있어 상기 전기전도막과 계면에서 효율적으로 플라즈마를 유발할 수 있음을 이론적으로 확인할 수 있다. 또한 [도 7]에는 전면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법과 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법을 비교한 모식도가, [도 8]에는 후면 플라즈마 유도에 이한 식각 방법 적용결과의 모식도가 나타나 있는데 이를 통해 본 발명의 원리를 확인할 수 있다.
한편, 후면 플라즈마 유도에 의한 식각 방법 적용시에는 [도 9]에 나타난 바와 같이 상기 기판의 하면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하되, 조사 각도가 상기 기판 하면과 수직기준으로 -30° 내지 30° 범위에서 가변될 수 있는 상태에서 조사하는 방식으로 수행될 수도 있다. 이와 같이 수직 기준 경사각(slanting angle)을 주는 방식의 플라즈마 에너지원의 조사를 통해 상기 전기전도막의 두께를 늘리는 것과 같은 효과를 거둘 수 있으며 인라인 또는 롤투롤 연속 식각 공정에서 생기는 단차문제를 완화시킬 수도 있다. 또한 상대적으로 낮은 에너지 및 비초점영역에서도 안정적인 식각이 이루어질 수 있게 해준다. 또한 이와 같이 플라즈마 유도 에너지원을 경사를 주어 조사할 경우 플라즈마 유발 영역이 확대되어 광폭 식각을 가능하게 함으로써 식각 효율을 높임과 동시에 식각 가장자리에 지그재그 구조, 경사 구조, 좌우 비대칭 구조, 고헤이즈 구조 등의 독특한 패턴을 형성시킬 수 있게 된다.
3. 구체적인
실시예
이하에서는 구체적인 본 발명의 실시예를 살펴보도록 한다. 다만, 하기 실시예들은 후면 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 작용 자체의 설명을 위한 것이며, 물 속에서 플라즈마 유도 식각을 수행한 것에 관한 사항은 아님을 밝혀둔다.
전술한 바와 같이 수중의 경우 식각부위 주변에 파티클에 의한 오염과 과열에 의한 크랙 발생을 방지하는 효과가 있으나 식각 작용 자체만을 놓고 볼 때, 기상과 수중에서의 플라즈마 유도 식각 작용 메커니즘은 동일하다.
(1) 실시예 1
플라즈마 유도 에너지원으로 Nd3 +:YAG 355㎚(자외선), 532㎚(가시광선), 1064㎚(근적외선)의 3파장을 사용하고, 상기 기판으로는 유리 기판을 상기 전기전도막으로는 TCO를 이용하였다. 식각폭의 비교를 위하여 파워, Hz, 스캔스피드를 최적화 한 후 통상적인 식각 공정을 이용하여 전기전도막(투명전도막)을 식각한 결과가 [도 10]에 나타나 있다. 355㎚에서는 식각폭이 17㎛ 내외, 532㎚에서는 식각폭이 19㎛ 내외, 1064㎚에서는 식각폭이 31㎛ 내외로 형성됨을 확인할 수 있었다.
(2) 실시예 2
[도 11]에는 1064㎚ 파장의 레이저 빔을 AZO 투명전도막이 상면에 코팅된 두께 0.7t 유리 유연 기판의 하면에 수직 기준 경사각(slanting angle) 5°로 하여 조사하여 식각한 결과가 나타나 있다. 식각폭이 65㎛ 이상으로서 수직 조사에 의한 통상적인 식각 공정에 의한 식각폭인 31㎛와 비교하여 2배 이상 넓게 형성된 것을 확인할 수 있으며, 식각된 가장자리 부위의 독특한 모양도 확인할 수 있다. 식각폭이 2배 이상 커진 것을 통하여 투명전도막 내부 혹은 유연 기판과 투명전도막의 계면에서 유발되는 플라즈마의 효과가 매우 큼을 확인할 수 있다.
한편 이보다 약한 플라즈마 유도 에너지원을 조사할 경우 식각폭은 10㎛까지도 줄어들 수 있음을 확인할 수 있었는데, 이는 본 발명에 의할 경우 낮은 에너지부터 높은 에너지 범위에 걸쳐 식각을 효율적으로 수행할 수 있음을 의미한다.
(3) 실시예 3
[도 12]에는 355㎚ 파장의 레이저 빔을 ATO 투명전도막이 상면에 코팅된 두께 0.5t 유리 유연 기판의 하면에 수직 기준 경사각(slanting angle) 30°로 하여 조사하여 식각한 결과가 나타나 있다. 식각폭이 80㎛ 이상으로서 수직 조사에 의한 통상적인 식각 공정에 의한 식각폭인 17㎛와 비교하여 4배 이상 비약적으로 넓게 형성된 것을 확인할 수 있으며, 식각된 가장자리 부위의 독특한 모양도 확인할 수 있다.
(4) 실시예 4
[도 13]에는 532㎚ 파장의 레이저 빔을 FTO 투명전도막이 상면에 코팅된 두께 0.3t 유리 유연 기판의 하면에 수직 기준 경사각(slanting angle) -20°로 하여 조사하여 식각한 결과가 나타나 있다. 식각폭이 90㎛ 이상으로서 수직 조사에 의한 통상적인 식각 공정에 의한 식각폭인 19㎛와 비교하여 4.5배 정도 비약적으로 넓게 형성된 것을 확인할 수 있으며, 식각된 가장자리 부위의 독특한 모양도 확인할 수 있다.
(5) 실시예 5
[도 14]에는 532㎚ 파장의 레이저 빔을 ITO 투명전도막이 상면에 코팅된 두께 0.3t 유리 유연 기판의 하면에 수직 기준 경사각(slanting angle) -30°로 하여 조사하여 식각한 결과가 나타나 있다. 식각폭이 100㎛ 이상으로서 수직 조사에 의한 통상적인 식각 공정에 의한 식각폭인 19㎛와 비교하여 5배 정도 비약적으로 넓게 형성된 것을 확인할 수 있으며, 식각된 가장자리 부위의 독특한 모양도 확인할 수 있다.
(6) 실시예 6
[도 15]에는 본 발명을 적용하여 얻어진 식각 부위의 가장자리 패턴을 확대한 모습이 나타나 있고, [도 16]에는 본 발명을 적용하여 얻어진 식각 단면이 나타나 있는데 이들을 통해 본 발명에 의할 경우 광폭의 식각뿐만 아니라 좌우 비대칭 식각면이나 경사진 식각단면 또는 식각 가장자리 부위의 독특한 패턴을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
(7) 실시예 7
[도 17]에는 두께 300~500m 글래스 기판 (아사히 글라스)위에 그래핀 슬러리(reduced graphene oxide + 유기 바인더 분산액) 를 코팅한 실시예 ((a)), 실버나노와이어/실란바인더(졸겔법)를 코팅한 실시예 ((b)), 전도성폴리머에 그래핀을 분산한 코팅막을 초미세 식각한 실시예 ((c)), 전도성 폴리머에 ATO 분말을 분산하여 코팅한 후 초미세 식각한 실시예 ((d))가 나타나 있는데, 이들은 모두 본 발명의 적용결과 기판의 손상 없이 광폭의 식각 결과를 얻을 수 있음을 확인시켜 준다. 플라즈마 유도 에너지원의 조절을 통해 더 미세한 식각 결과도 얻을 수 있으며, 수직 기준 경사각(slanting angle)을 30°또는 -30°줄 경우 더 넓은 식각 결과를 얻을수 있을 뿐만 아니라 단차에 대한 마진이 커져 인라인 식각 공정에 있어서 큰 도움을 줄 수도 있다.
한편, 위의 실시예의 구현을 위해서 유리 유연 기판 위에 FTO를 코팅하는 과정을 살펴보면 아래와 같다.
구체적으로 0.7t(0.7mm), 0.5t, 0.3t이하 박판 글래스 기판 및 10 m의 글래스 기판에 FTO 코팅을 수행하는 공정의 구체적 방법을 살펴보면, FTO 프리커서 용액은 SnCl45H20를 3차 증류수에 녹여 0.68 M이 되게 하고 F 도핑제로서 NH4F를 에탄올 용매에 녹여 1.2 M로 한 후 이 두 용액을 혼합 교반시키고, 필터링 하여 제조하였다. 또한 코팅용액은 SnCl45H2O를 순수한 D.I 물에 5%의 에탄올을 혼합한 용매에 0.68M이 되도록 혼합하고 교반하여 제조하였으며, F의 소스로는 NH4F를 F/Sn의 비가 1.76이 되도록 하여 합성하였다. 상기 용액 조성 이외에도 알콜류, 에틸렌 글리콜(Ethylene glycol)을 부수적으로 첨가할 수 있다. F 도핑량을 조절하기 위하여 NH4F의 량을 0.1에서 3 M까지 변화시키거나 불산(HF)를 0-2M 첨가하기도 하였다.
FTO 프리커서를 기상으로 무화시켜 프리커서 플로우를 얻기 위하여 프리커서 소스부에는 스프레이 코팅법, 초음파 분무 코팅법, 초음파 스프레이 분무법 3가지 장치가 별도로 연결된다. 이 세 가지 마이크로 액적 프리커서 형성 기술을 간단히 살펴보면, 스프레이 코팅법은 미세한 노즐부를 통하여 외부의 가스가 팽창되어 나갈 때 액체를 끌어당기는 힘이 생겨 액상 프리커서를 마이크로 액적으로 분무시키는 방법이다. 초음파 분무법은 일반 초음파 가습기처럼 액상 전구체를 초음파 진동자로 진동시켜 무화 시킨 후 단순히 캐리어 기체로 운반시켜서 코팅하는 방법이다. 마지막으로 초음파 스프레이 분무법은 초음파 진동자 부분을 스프레이 노즐처럼 변화 시켜서 무화된 프리커서를 스프레이 원리에 의하여 분사 시켜서 코팅하는 방법이다.
조금 더 자세한 예를 들면 초음파 단자(1.6Hz) 1개를 이용하였을 경우(1개 노즐, 1개 배기 시스템), 분무 압력 0.15㎫, 석션 압력 520W로 하여 분무량 및 박막의 증착 속도를 조절함과 동시에 막의 균질성을 위한 플로우 콘트롤이 가능하며, 이에 따른 FTO 투명전도막의 증착시간은 약 25분이다. 이때 박판 유리 및 글래스 리본의 가열 온도는 350~550℃로 한다. 박판 FTO 형성을 위해 인라인 타입 또는 롤투롤 타입의 적용도 가능하다.
한편, 상기 플라즈마 유도 에너지원으로 Nd3 +:YAG 레이저를 위에서 예시하였으나 이외에도 Ytterbium fiber laser (1064~1550nm, second harmonic : 532 nm), Erbium fiber laser (554~1550nm), Thalium fiber laser (1800~2100nm), Quantum cascade laser (2.75~250m), HF laser (2.6~3m), Er:YAG (2.94 m), Tm:YAG (2.94 m), Ho:YAG (2.94 m), CO2 (2.94 m), Ar ion laser (364, 451 nm), Ti:sapphire laser (second harmonic 360~460 nm), Dye laser (330~740 nm), He-Ne laser (633 nm), Nd:YAG (1064 nm, 1570 nm, SECOND: 532NM, THIRD HARMONIC : 355 nm), XeF (351 nm), Alexandrite (second harmonic: 360~430 nm), Colar center laser (900~1500 nm), InGaAsP (1~1.7m), Er:glass (1535 nm), Cr:LISO (1160~1162 nm), Cr:YAG (1350~1550 nm), Cr-torsteinize (1173~1338 nm), Cunite (1348~1442 nm), Cr:LSGO (1150~1600 nm), Cr:LIGO (1150~1600 nm) 등의 파장대의 레이저도 이용 가능하다.
이상에서 본 발명에 관하여 구체적인 실시예를 통하여 상세하게 살펴보았다. 그러나 본 발명은 위의 실시예에 의하여 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 벗어남이 없는 범위에서 다소간의 수정 및 변형이 가능하다. 따라서 본 발명의 청구범위는 이건 발명의 진정한 범위 내에 속하는 수정 및 변형을 포함한다.
없음
Claims (9)
- (a) 일면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및
(b) 상기 기판의 전기전도막 부분에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항에서,
상기 (a)단계는 상기 기판을 흐르는 물에 넣는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항에서,
상기 전기전도막은 세라믹계, 세라믹합금계, 도핑계, 금속계, 유기계 및 유기하이브리드계 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항에서,
상기 전기전도성막은 투명전도막(TCO, Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항에서,
상기 투명전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), ZnO(Zinc oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항에서,
상기 플라즈마 유도 에너지원은 레이저, 자외선 램프, 전자기파, 마이크로 웨이브, 방사선, 중성자, 감마선, IR열선, 전자빔, 전자기유도 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,
상기 기판은 빛 투과율 50% 이상의 투명판, 곡률반경 5m 이하로 휘어질 수 있는 유연판 및 두께 500㎛ 이하의 박판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,
상기 기판은 빛 투과율이 상기 전도전도막 보다 높은 두께 500㎛ 이하의 박판으로서,
상기 (b)단계는 플라즈마 유도 에너지원을 상기 전기전도막 코팅면의 반대면을 통해 상기 전기전도막에 조사하는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
- 제8항에서,
상기 (b)단계는 상기 기판의 하면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하되, 조사 각도가 상기 기판 하면과 수직기준으로 -30° 내지 30° 범위에서 가변될 수 있는 상태에서 조사하는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160044657A KR20170117255A (ko) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160044657A KR20170117255A (ko) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170117255A true KR20170117255A (ko) | 2017-10-23 |
Family
ID=60298672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160044657A KR20170117255A (ko) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20170117255A (ko) |
-
2016
- 2016-04-12 KR KR1020160044657A patent/KR20170117255A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6716637B2 (ja) | 透明導電体およびその製造方法 | |
KR101442727B1 (ko) | 레이저 에칭을 이용한 패턴 형성 방법 | |
CN104409170B (zh) | 一种基于3d打印技术的透明导电材料的制备方法 | |
US8932898B2 (en) | Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films | |
CN103974919A (zh) | 电子设备用盖板玻璃及其制造方法、以及触摸传感器模块的制造方法 | |
CN105313400A (zh) | 还原氧化石墨烯电路及其制备方法 | |
Pan et al. | Formation of high-spatial-frequency periodic surface structures on indium-tin-oxide films using picosecond laser pulses | |
JP2003037314A (ja) | レーザーを用いたタッチスクリーンの透明電極の蝕刻方法 | |
Kim et al. | Nanosecond pulse laser scribing using Bessel beam for single shot removal of transparent conductive oxide thin film | |
KR102495458B1 (ko) | 기판 공정처리용 히터 | |
Cheng et al. | Femtosecond laser processing of indium-tin-oxide thin films | |
US20190384087A1 (en) | Manufacturing method of graphene electrode and liquid crystal display panel | |
CN109878227A (zh) | 一种提高tco薄膜综合光电特性的激光加工方法 | |
JP2005272189A (ja) | 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法 | |
US8835215B2 (en) | Method for forming superior local conductivity in self-organized nanodots of transparent conductive film by femtosecond laser | |
KR20160021367A (ko) | 플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법 | |
KR20170117255A (ko) | 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법 | |
CN104152861B (zh) | 一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法 | |
CN108257731B (zh) | 叠加式金属网格型透明电极的激光定域去除制备方法 | |
KR101660434B1 (ko) | 플라즈마 광폭 전기전도성막 식각 방법 | |
CN113744929B (zh) | 一种银纳米线柔性导电透明薄膜的制备方法 | |
CN103934472A (zh) | 一种电场辅助退火制备银微纳米颗粒的方法 | |
JP2007242340A (ja) | 透明導電性基板及びその製造方法並びにその製造装置 | |
JP2015171953A (ja) | 機能性基板の製造方法 | |
KR101734371B1 (ko) | 원적외선 히터 소자 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |