KR20170105572A - 유기 전계발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
탠덤형 유기 전계발광 장치는 반사 전극(102); 반사 전극 상의 제1 발광 유닛(103); 반사 전극에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광 유닛의 측면 상의 반투명 접속층(106); 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상의 적어도 하나의 제2 발광 유닛(104); 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상의 투명 전극(105)을 포함한다. 반투명 접속층과 반사 전극은 마이크로 캐비티(30)를 형성한다.
Description
<관련 출원에 대한 상호 참조>
본 출원은 2015년 8월 12일자로 출원된 중국 특허 출원 제201510494604.0호의 우선권을 주장하며, 그 내용들은 전체가 참조로 포함된다.
본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 전계발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
탠덤형 유기 전계발광 장치들은 몇 개의 개별적인 유기 발광 유닛들을 수직으로 적층함으로써 제조된다. 각각의 유기 발광 유닛은 유기 발광층, 및 유기 발광층의 양면들 상의 유기층들을 포함한다. 탠덤형 유기 전계발광 장치의 방출 효율은 수직으로 적층된 유기 발광 유닛들의 수에 비례하여 증가한다. 종래의 유기 전계발광 장치들과 비교하여, 탠덤형 유기 전계발광 장치들은 향상된 전류 효율, 증가된 디바이스 수명 및 강화된 광도를 갖는다.
일 양태에서, 본 발명은 반사 전극; 반사 전극 상의 제1 발광 유닛; 반사 전극에 대해 먼 쪽(distal)에 있는 제1 발광 유닛의 측면 상의 반투명 접속층; 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상의 적어도 하나의 제2 발광 유닛; 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상의 투명 전극을 포함하는 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제공하며, 여기서 반투명 접속층과 반사 전극은 마이크로 캐비티를 형성한다.
임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극은 L±40㎚의 거리만큼 서로로부터 이격되고, L은 2ΣnL + Qλ/2π = mλ에 기초하여 계산되고, n은 제1 발광 유닛에서의 제1 발광층의 굴절률이고, Q는 반투명 접속층과 반사 전극의 반사 미러들에서의 위상 시프트들의 라디언들의 합이고, λ는 디바이스로부터 방출되는 광의 피크 파장이고, m은 음이 아닌 정수이다.
임의적으로, 거리는 제1 발광 유닛의 두께에 의해 정의된다.
임의적으로, 제1 발광 유닛은 단색 발광 유닛이다.
임의적으로, 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛이고, 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛이다.
임의적으로, 반투명 접속층은 은, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 이테르븀 및 리튬 중 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.
임의적으로, 반투명 접속층은 10㎚를 초과하는 두께를 갖는다.
임의적으로, 반투명 접속층은 약 10㎚ 내지 약 30㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 황색 발광 유닛은 황색 발광층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽(proximal)에 있는 황색 발광층의 측면 상의 제1 캐리어 수송층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 캐리어 수송층의 측면 상의 제1 캐리어 주입층, 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 황색 발광층의 측면 상의 제2 캐리어 수송층, 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제2 캐리어 수송층의 측면 상의 제2 캐리어 주입층을 포함하고, 제1 캐리어 수송층과 제1 캐리어 주입층의 두께들의 합은 약 20㎚ 내지 약 35㎚의 범위이다.
임의적으로, 두께들의 합은 약 25㎚이다.
임의적으로, 청색 발광 유닛은 약 60㎚ 내지 약 90㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 청색 발광 유닛은 청색 발광층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 청색 발광층의 측면 상의 제3 캐리어 수송층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제3 캐리어 수송층의 측면 상의 제3 캐리어 주입층, 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 청색 발광층의 측면 상의 제4 캐리어 수송층, 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제4 캐리어 수송층의 측면 상의 제4 캐리어 주입층을 포함한다.
임의적으로, 청색 발광 유닛은 약 70㎚의 두께를 갖는다.
임의적으로, 청색 발광 유닛은 약 165㎚ 내지 약 215㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 반사 전극은 은 및 알루미늄 중 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.
임의적으로, 반사 전극은 약 80㎚ 내지 약 300㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 반사 전극은 약 200㎚의 두께를 갖는다.
다른 양태에서, 본 발명은 베이스 기판 상에 반사 전극을 형성하는 단계; 반사 전극 상에 제1 발광 유닛을 형성하는 단계; 반사 전극에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광 유닛의 측면 상에 반투명 접속층을 형성하는 단계; 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상에 적어도 하나의 제2 발광 유닛을 형성하는 단계; 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법을 제공하며, 여기서 반투명 접속층과 반사 전극은 마이크로 캐비티를 형성한다.
임의적으로, 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛이고, 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛이다.
다른 양태에서, 본 발명은 본 명세서에서 설명되거나 본 명세서에서 설명되는 방법에 의해 제조되는 탠덤형 유기 전계발광 장치를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
다음의 도면들은 다양한 개시된 실시예들에 따른 예시의 목적들을 위한 예들에 불과하며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 2는 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 다양한 시야각들에서 종래의 유기 전계발광 장치의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다.
도 5는 다양한 시야각들에서 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다.
도 6은 일부 실시예들에서의 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 7은 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 2는 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 다양한 시야각들에서 종래의 유기 전계발광 장치의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다.
도 5는 다양한 시야각들에서 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다.
도 6은 일부 실시예들에서의 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 7은 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다.
본 개시내용은 이제 이하의 실시예들을 참조하여 보다 구체적으로 설명될 것이다. 일부 실시예들에 대한 이하의 설명들은 단지 예시 및 설명을 목적으로 본 명세서에서 제시되는 것임에 유의한다. 이것은 포괄적이거나 개시된 정확한 형태로 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계발광 장치는 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛을 포함한다. 제1 및 제2 발광 유닛들은 상이한 색들의 광을 방출할 수 있다. 제1 및 제2 발광 유닛들로부터의 광의 복합 광은 유기 전계발광 장치를 위한 원하는 색의 광을 갖는다. 예를 들어, 백색 유기 전계발광 장치는 청색 발광 유닛 및 황색 발광 유닛을 가질 수 있다. 백색광은 두 개의 발광 유닛들으로부터의 청색광과 황색광을 혼합함으로써 달성된다. 종래의 유기 전계발광 장치에서 방출되는 백색광의 색온도를 증가시키기 위해서는, 특정 색들의 복수의 추가적인 발광 유닛들을 탠덤형으로 추가시켜 방출 강도를 증가시킬 수 있다. 그 결과, 발광 장치를 동작시키기 위한 장치 두께 및 구동 전압이 상당히 증가한다.
본 개시내용은, 종래의 탠덤형 유기 전계발광 장치와 비교하여, 참 색상(true color), 더 높은 방출 강도 및 큰 시야각들에서의 크게 감소된 컬러 시프트(color shift)를 제공하는 우수한 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제공한다. 일부 실시예들에서, 유기 전계발광 장치는, 종래의 백색 유기 전계발광 장치와 비교하여, 참 백색 색온도, 더 높은 방출 강도 및 큰 시야각들에서의 크게 감소된 컬러 시프트를 제공하는 백색 유기 전계발광 장치이다. 일부 실시예들에서, 유기 전계발광 장치는 반사 전극; 반사 전극 상의 제1 발광 유닛; 반사 전극에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광 유닛의 측면 상의 반투명 접속층; 및 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상의 적어도 하나의 제2 발광 유닛을 포함한다. 임의적으로, 반투명 접속층은 일측에서 제1 발광 유닛과 접하고, 타측에서 제2 발광 유닛과 접한다. 임의적으로, 유기 전계발광 장치는 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상에 투명 전극을 추가로 포함한다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극은 제1 발광 유닛의 피크 방출 파장의 공명 방출(resonance emission)을 위한 거리만큼 서로로부터 이격되며, 즉 반투명 접속층과 반사 전극은 마이크로 캐비티를 형성한다.
제1 발광 유닛은 제1 단일색의 제1 광을 방출할 수 있다. 제2 발광 유닛은 제2 단일색의 제2 광을 방출할 수 있다. 탠덤형 유기 전계발광 장치는 제1 광 및 제2 광을 포함하는 복합 광을 방출한다. 일부 실시예들에서, 제1 광은 제2 광의 색과 상이한 색을 갖는다(예를 들어, 황색광 및 청색광). 임의적으로, 제1 발광 유닛은 청색광을 방출하고, 제2 발광 유닛은 황색광을 방출하고, 탠덤형 유기 전계발광 장치는 백색광을 방출한다.
도 2는 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 실시예의 유기 전계발광 장치는 베이스 기판(101), 베이스 기판(101) 상의 반사 전극(102), 베이스 기판(101)에 대해 먼 쪽에 있는 반사 전극(102)의 측면 상의 제1 발광 유닛(103), 반사 전극(102)에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광 유닛(103)의 측면 상의 반투명 접속층(106), 제1 발광 유닛(103)에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층(106)의 측면 상의 제2 발광 유닛(104), 및 반투명 접속층(106)에 대해 먼 쪽에 있는 제2 발광 유닛(104)의 측면 상의 투명 전극(105)을 포함한다. 제1 발광 유닛(103) 및 제2 발광 유닛(104)은 상이한 색들의 광을 방출한다. 임의적으로, 유기 전계발광 장치는 제1 발광 유닛(103)에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층(106)의 측면 상에 수직으로 적층된 복수의 제2 발광 유닛들(104)을 포함한다. 임의적으로, 유기 전계발광 장치는 제1 발광 유닛(103)에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층(106)의 측면 상에 단일 발광 유닛(104)만을 포함한다. 임의적으로, 반사 전극(102)은 캐소드이고, 투명 전극(105)은 애노드이다. 임의적으로, 반사 전극(102)은 애노드이고, 투명 전극(105)은 캐소드이다.
임의적으로, 반사 전극(102)의 강한 광 반사 능력에 부분적으로 기인하여, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이에 마이크로 캐비티(30)가 형성된다. 제1 발광층은 마이크로 캐비티(30) 내에 있다. 마이크로 캐비티 구조체는 제1 발광층으로부터 방출되는 광의 발광 특성을 수정한다. 예를 들어, 마이크로 캐비티의 공명 파장(resonance wavelength)에 대응하는 파장의 광의 방출은 강화될 수 있고, 다른 파장들의 광은 억제될 수 있다. 특정한 파장의 광의 강화 및 발광의 억제는 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리에 기초하여 결정될 수 있다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 제1 발광 유닛(103)의 두께를 조정함으로써 제어될 수 있다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 다른 적절한 방법들(예를 들어, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이에 추가적인 층을 가짐으로써)에 의해 제어될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반투명 접속층(106) 및 반사 전극(102)은 마이크로 캐비티(30)의 2개의 반사 미러들로서 기능한다. 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 광 경로는, 제1 발광 유닛(103)으로부터 방출되는 광이 마이크로 캐비티(30)를 빠져나가기 전에 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이에서 왔다 갔다 반사되도록 하는 거리에 설정될 수 있다. 마이크로 캐비티 효과로 인해, 제1 발광 유닛(103)으로부터 더 좁은 스펙트럼의 더 강한 광이 획득되는데, 즉, 제2 발광 유닛(104)으로부터 방출되는 광의 방출 강도에 영향을 미치지 않고, 제1 발광 유닛(103)으로부터 방출되는 광의 방출 강도가 마이크로 캐비티(30)에 의해 특정 파장에서 강화된다. 따라서, 장치 두께 또는 구동 전압을 증가시킬 필요 없이, 제1 색의 광의 방출 강도가 강화될 수 있다.
일부 실시예들에서, 반투명 접속층(106) 및 투명 전극(105)은 제2(비록 더 약하지만) 마이크로 캐비티의 2개의 반사 미러들을 형성한다. 반투명 접속층(106)과 투명 전극(105) 사이의 광 경로는, 제2 발광 유닛(104)으로부터 방출되는 광이 제2 마이크로 캐비티를 빠져나가기 전에 반투명 접속층(106)과 투명 전극(105) 사이에서 왔다갔다 반사되도록 하는 거리에 설정될 수 있다. 이와 같이, 유기 전계발광 장치는 강한 마이크로 캐비티 구조체(마이크로 캐비티(30)) 및 약한 마이크로 캐비티 구조체(제2 마이크로 캐비티)를 포함한다. 동일한 유기 전계발광 장치 내에서 강한 마이크로 캐비티 구조체와 제2 마이크로 캐비티 구조체를 조합함으로써 시너지 효과가 획득되며, 이에 의해 장치 두께 또는 구동 전압을 증가시킬 필요 없이, 색 온도가 증가된 방출된 백색광을 달성한다.
일부 실시예들에서, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102)은 마이크로 캐비티(30)를 형성한다. 임의적으로, 반투명 접속층(106) 및 반사 전극(102)은 마이크로 캐비티 조건을 만족시키기에 충분한 거리만큼 서로로부터 이격된다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102)은 마이크로 캐비티의 깊이에 대응하는 거리만큼 서로로부터 이격되며, 마이크로 캐비티의 깊이는 제1 발광 유닛(103)의 피크 방출 파장의 공명 방출을 위해 구성된다(즉, 공명 파장). 예를 들어, 제1 발광 유닛(103)이 청색 발광 유닛일 경우, 마이크로 캐비티(30)의 깊이는 청색광 파장의 공명 방출을 위해 구성된다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 430㎚ 내지 480㎚의 범위의 파장이다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 430㎚ 내지 495㎚의 범위의 파장이다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 450㎚ 내지 495㎚의 범위의 파장이다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 450㎚ 내지 480㎚의 범위의 파장이다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 470㎚ 내지 480㎚의 범위의 파장이다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 피크 방출 파장은 약 475㎚이다.
임의적으로, 마이크로 캐비티의 깊이(L)는 대략적으로 다음 식: 2ΣnL + Qλ/2π = mλ을 만족하며, 여기서 n은 제1 발광 유닛에서의 제1 발광층의 굴절율이고, Q는 반투명 접속층과 반사 전극의 반사 미러들에서의 라디언 단위의 위상 시프트들의 합이고, λ는 디바이스로부터 방출되는 광의 피크 파장이고, m은 음이 아닌 정수이다. 임의적으로, m = 1이다. 임의적으로, m = 2이다.
임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 상기 식에 기초하여 계산되는 거리(L)이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 L±10㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 L±20㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 L±30㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 L±40㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 약 60㎚ 내지 약 90㎚의 범위이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 약 70㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 거리는 약 165㎚ 내지 약 215㎚의 범위이다.
일부 실시예들에서, 제1 발광 유닛(103)은 청색 발광 유닛이고, 제2 발광 유닛(104)은 황색 발광 유닛이다. 도 4는 다양한 시야각들에서의 종래의 유기 전계발광 장치(예를 들어, 도 1의 종래의 유기 전계발광 장치)의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다. 도 4의 약한 방출 피크는 430㎚ 내지 480㎚의 범위의 파장을 갖는 청색광에 대응하고, 강한 발광 피크는 580㎚ 내지 680㎚의 범위의 파장을 갖는 황색광에 대응한다. 따라서, 종래의 유기 전계발광 장치로부터의 복합 광에서는, 청색광의 방출 강도가 황색광의 방출 강도보다 낮다. 그 결과, 복합 광은 색 온도가 매우 낮은 "웜 백색(warm white)" 광이며, 이에 이해 최적의 디스플레이 품질보다 낮아지게 된다. 또한, 종래의 유기 전계발광 장치는 큰 시야각들에서 현저한 컬러 시프트를 생성하여, 불쾌한 시청 경험을 가져온다.
본 개시내용은 증가된 색 온도를 갖는 백색광을 방출하는 매우 얇고 낮은 전력 소모의 유기 전계발광 장치를 제공한다. 도 3은 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다. 도 3을 참조하면, 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛(203)이고, 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛(204)이다. 다양한 발광 재료들의 수명 및 발광 효율을 고려하여, 다양한 대안적인 실시예들은 상이한 색들의 발광 유닛들의 다양한 조합들을 갖는 유기 전계발광 장치를 제조하고 사용하도록 실시될 수 있다. 예를 들어, 유기 전계발광 장치는 청색 형광 이미터를 갖는 강한 마이크로 캐비티 구조체, 및 황색 인광 이미터를 갖는 약한 마이크로 캐비티 구조체를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 제2 발광 유닛(예를 들어, 황색 발광 유닛)은 제2 발광층(예를 들어, 황색 발광층), 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 제1 캐리어 수송층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 캐리어 수송층의 측면 상의 제1 캐리어 주입층, 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 제2 캐리어 수송층, 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제2 캐리어 수송층의 측면 상의 제2 캐리어 주입층을 포함한다.
일부 실시예들에서, 제1 발광 유닛(예를 들어, 청색 발광 유닛)은 제1 발광층(예를 들어, 청색 발광층), 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제3 캐리어 수송층, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제3 캐리어 수송층의 측면 상의 제3 캐리어 주입층, 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제4 캐리어 수송층, 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제4 캐리어 수송층의 측면 상의 제4 캐리어 주입층을 포함한다.
표 1은 일부 실시예들에서의 청색 발광 유닛(203) 및 황색 발광 유닛(204)을 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 데 사용되는 치수들 및 재료들을 도시한다.
[표 1]
일부
실시예들에서의
탠덤형
유기
전계발광
장치를 제조하는 데 사용되는 치수들 및 재료들
일부 실시예들에서, 유기층은 둘 이상의 유기 기능층들을 포함한다. 예를 들어, 유기층은 캐리어 수송층 및 캐리어 주입층을 포함할 수 있다. 캐리어 수송층은 발광층과 캐리어 주입층 사이(예를 들어, 발광층에 대해 가까운 쪽에 있는 캐리어 주입층의 측면 상)에 있다. 도 7은 일부 실시예들에서의 유기 전계발광 장치의 구조를 도시하는 도면이다. 도 7을 참조하면, 본 실시예에서의 유기 전계발광 장치는 제1 발광 유닛, 제2 발광 유닛, 및 제1 발광 유닛과 제2 발광 유닛 사이의 반투명 접속층을 포함한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 발광 유닛은 제1 발광층(EML), 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 정공(hole) 수송층(HTL), 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 정공 수송층의 측면 상의 정공 주입층(HIL), 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 전자 수송층(ETL), 및 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 전자 수송층의 측면 상의 전자 주입층(EIL)을 포함한다. 제2 발광 유닛은 제2 발광층(EML), 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 정공 수송층(HTL), 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 정공 수송층의 측면 상의 정공 주입층(HIL), 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 전자 수송층(ETL), 및 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 전자 수송층의 측면 상의 전자 주입층(EIL)을 포함한다.
탠덤형 유기 전계발광 장치의 유기층들 및 발광층들을 제조하기 위해 다양한 적절한 재료들이 사용될 수 있다. 청색 발광 재료들의 예들은, 페닐피리딘(phenylpyridine) 또는 페닐이미다졸(phenylimidazole) 리간드들을 갖는 Ir의 착물들, 디아릴안트라센(diarylanthracenes), 디아미노크리센(diaminochrysenes), 디아미노피렌(diaminopyrenes) 및 폴리플루오렌(polyfluorene) 폴리머들을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 청색 발광 재료들의 예들은 페닐퀴놀린(phenylquinoline) 또는 페닐이소퀴놀린(phenylisoquinoline) 리간드들을 갖는 Ir의 착물들, 페리프란텐(periflanthenes), 플루오란센(fluoranthenes) 및 페릴렌(perylenes)을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 임의적으로, 유기층은 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 이상의 층을 포함한다. 정공 주입 재료들의 예들은, 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine)(CuPc)과 같은 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물들; 4,4',4"-트리스(N-카르바졸릴)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)(TCTA) 및 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)(m-MTDATA)과 같은 스타 버스트(star-burst)형 아민 유도체들; 및 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(polyaniline/dodecylbenzensulfonic acid)(Pani/DBSA), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate))(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캄퍼 술폰산(polyaniline/camphor sulfonic acid)(Pani/CSA) 및 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(polyaniline/poly(4-styrenesulfonate)(PANI/PSS)와 같은 가용성 폴리머들을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 정공 수송 재료들의 예들은 N-페닐카르바졸(N-phenylcarbazole), 폴리비닐카르바졸(polyvinyl carbazole), 1,3,5-트리카르바졸릴벤젠(1,3,5-tricarbazolylbenzene), 4,4'-비스 카르바졸릴비페닐(4,4'-biscarbazolylbiphenyl), m-비스카르바졸릴페닐(m-biscarbazolylphenyl), 4,4'-비스카르바졸릴-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-biscarbazolyl-2,2'-dimethylbiphenyl), 4,4',4"-트리(N-카르바졸릴)트리페닐아민(4,4',4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine), 1,3,5-트리(2-카르바졸릴페닐)벤젠(1,3,5-tri(2-carbazolylphenyl)benzene), 1,3,5-트리스(2-카르바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠(1,3,5-tris(2-carbazolyl-5-methoxyphenyl)benzene), 비스(4-카르바졸릴페닐)실란(bis(4-carbazolylphenyl)silane), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)(NPB), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine)(TPD), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)(TFB), 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-(4-부틸페닐-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9-dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4-phenylenediamine)(PFB)를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 전자 수송 재료들의 예들은 옥사졸계(oxazole-based) 화합물, 이소옥사졸계(isoxazole-based) 화합물, 트리아졸계(triazole-based) 화합물, 이소티아졸계(isothiazole-based) 화합물, 옥사디아졸계(oxadiazole-based) 화합물, 티아디아졸계(thiadiazole-based) 화합물, 페릴렌계(perylene-based) 화합물, 알루미늄 착물, 예를 들어, Alq3, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-올레이토)알루미늄III(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum III)("Balq"), 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)트리페닐실라놀레이트 알루미늄(III)(bis(2-methyl-8-quinolinato)triphenylsilanolate aluminum (III))("Salq"), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(ill)(tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum(ill))("Almq3"); 갈륨 착물, 예를 들어, 트리스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(피발라토-O)갈륨(III)(tris(2-methyl-8-quinolinolato) (pivalato-O) gallium(III))("Gaq'2Opiv"), 트리스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(아세타토-O)갈륨(III)(tris(2-methyl-8-quinolinolato)(acetato-O) gallium(III))("Gaq'2OAc"),트리스(2-메틸-8퀴놀리놀라토)갈륨(III)(tris(2-methyl-8quinolinolato)gallium(III))(2("Gaq'2")을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 전자 주입 재료들의 예들은 2,9-디메틸-1,10-페난트롤린(2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline)을 갖는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 또는 CsCO3를 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
일부 실시예들에서, 반사 전극은 애노드이다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 발광층, 애노드에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제1 정공 수송층, 및 애노드에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제1 전자 수송층을 포함한다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 정공 수송층과 애노드 사이에 제1 정공 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 전자 수송층과 반투명 접속층 사이에 제1 전극 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 발광층, 애노드에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제2 정공 수송층, 및 애노드에 대해 먼 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 제2 전자 수송층을 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 정공 수송층과 반투명 접속층 사이에 제2 정공 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 전자 수송층과 캐소드 사이에 제2 전극 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 캐소드는 투명 전극이다.
일부 실시예들에서, 반사 전극은 캐소드이다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 발광층, 캐소드에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제1 전자 수송층, 및 캐소드에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제1 정공 수송층을 포함한다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 전자 수송층과 캐소드 사이에 제1 전자 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제1 발광 유닛(103)은 제1 정공 수송층과 반투명 접속층 사이에 제1 정공 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 발광층, 캐소드에 대해 가까운 쪽에 있는 제1 발광층의 측면 상의 제2 전자 수송층, 및 캐소드에 대해 먼 쪽에 있는 제2 발광층의 측면 상의 제2 정공 수송층을 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 전자 수송층과 반투명 접속층 사이에 제2 전자 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 제2 발광 유닛(104)은 제2 정공 수송층과 애노드 사이에 제2 정공 주입층을 추가로 포함한다. 임의적으로, 애노드는 투명 전극이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102)은 마이크로 캐비티(30)의 두 개의 반사 미러들로서 기능한다. 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이의 광 경로는, 청색 발광 유닛(203)으로부터 방출되는 청색광이 마이크로 캐비티(30)를 빠져나가기 전에 반투명 접속층(106)과 반사 전극(102) 사이에서 반복적으로 반사되도록 하는 거리에 설정될 수 있다. 마이크로 캐비티 효과로 인해, 청색 발광 유닛(203)으로부터 더 좁은 스펙트럼의 더 강한 청색광이 획득되는데, 즉, 황색 발광 유닛(204)으로부터 방출되는 광의 방출 강도에 영향을 미치지 않고, 청색 발광 유닛(203)으로부터 방출되는 청색광의 방출 강도가 마이크로 캐비티(30)에 의해 특정 파장에서 강화된다. 그 결과, 탠덤형 유기 전계발광 장치로부터 방출되는 백색광의 색온도가 증가될 수 있고, 탠덤형 유기 전계발광 장치의 방출 효율이 강화된다.
도 5는 다양한 시야각들에서 일부 실시예들에서의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 방출 강도 스펙트럼들을 도시한다. 도 5의 약한 방출 피크는 430㎚ 내지 480㎚의 범위의 파장을 갖는 청색광에 대응하고, 강한 방출 피크는 580㎚ 내지 680㎚의 범위의 파장을 갖는 황색광에 대응한다. 도 5의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 청색광 방출 강도는 도 4의 종래의 유기 전계발광 장치의 것과 비교하여 거의 2배가 된다. 또한, 도 5의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치의 백색광 방출 강도는 도 4의 종래의 유기 전계발광 장치의 것과 비교하여 거의 30% 더 높다. 예를 들어, 도 5의 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치는 1561a.u.의 백색광 방출 강도를 갖는 반면, 도 4의 종래의 유기 전계발광 장치는 1205a.u.의 백색광 방출 강도를 갖는다.
증가된 청색광 방출 강도는 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치에서 생성되는 복합 백색광의 더 높은 색 온도를 야기한다(표 2). 결과적으로, 본 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치에 의해 생성되는 백색광의 색온도는 종래의 유기 전계발광 장치에 비해 참 백색광(CIEx,y = 0.28, 0.29)에 훨씬 가깝다. 또한, 종래의 유기 전계발광 장치는 큰 시야각들에서 현저한 컬러 시프트를 생성한다(표 2). 본 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치에서는 컬러 시프트 결함이 제거되거나 훨씬 감소된다(표 2).
[표 2]
일부
실시예들에서의
탠덤형
백색 유기
전계발광
장치 및 종래의 유기
전계발광
장치의
CIE
값들의 비교
반투명 접속층(106)을 제조하기 위해 다양한 적절한 재료들이 사용될 수 있다. 반투명 접속층 재료들의 예들은 은, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 이테르븀, 리튬, 금, 백금, 크롬, 팔라듐, 니켈, 네오디뮴, 이리듐, 칼슘 및 이들의 합금들 또는 적층물들(예를 들어, 은-마그네슘 합금)을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)은 약 5% 이상의 반사율 및 약 50%의 투과율을 허용하는 두께를 갖는다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)은 마이크로 캐비티 내에서 광을 강하게 반사시키기에 충분한 두께를 갖는다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)은 10㎚를 초과하는 두께를 갖는다. 임의적으로, 반투명 접속층(106)은 약 10㎚ 내지 30㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 반투명 접속층은 은으로 이루어지며, 약 10㎚ 내지 30㎚의 범위의 두께를 갖는다.
임의적으로, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 황색 발광층은 정상파(standing wave)를 발생시키는 황색광을 방출한다. 임의적으로, 황색 발광층은 강화된 방출 효율을 달성하기 위하여 황색 발광층에 대해 가까운 쪽에 있는 반투명 접속층의 표면으로부터 계산되는 정상파의 제1 파복(antinode)에 포지셔닝된다. 임의적으로, 황색 발광층과 반투명 접속층 사이의 유기층(예를 들어, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 유기층)은 약 20㎚ 내지 약 30㎚의 범위의 두께를 갖는다. 임의적으로, 황색 발광층과 반투명 접속층 사이의 유기층은 약 25㎚의 두께를 갖는다.
임의적으로, 청색 발광층은 약 60㎚ 내지 약 90㎚의 범위의 두께를 갖는다. 임의적으로, 청색 발광층은 약 70㎚의 두께를 갖는다. 임의적으로, 청색 발광 유닛은 약 165㎚ 내지 약 215㎚의 범위의 두께를 갖는다. 임의적으로, 청색 발광 유닛의 두께는 청색 발광층, 청색 발광층의 두 측면들 상의 두 개의 캐리어 수송층들, 및 청색 발광층의 두 측면들 상의 두 개의 캐리어 주입층들의 두께들의 합이다.
임의적으로, 반사 전극은 은 또는 알루미늄으로 이루어진다. 임의적으로, 반사 전극은 약 80㎚ 내지 약 300㎚의 범위의 두께를 갖는다. 임의적으로, 반사 전극은 약 200㎚의 두께를 갖는다.
일부 실시예들에서, 탠덤형 유기 전계발광 장치는 작은 두께를 달성하기 위해 단지 하나의 단일 제1 발광 유닛 및 단지 하나의 단일 제2 발광 유닛을 포함한다. 임의적으로, 탠덤형 유기 전계발광 장치는 단지 하나의 단일 청색 발광 유닛 및 단지 하나의 단일 황색 발광 유닛을 갖는 탠덤형 백색 유기 전계발광 장치이다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법을 제공한다. 도 6은 일부 실시예들에서의 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법을 예시하는 흐름도이다. 도 6을 참조하면, 본 실시예의 방법은 베이스 기판 상에 반사 전극을 형성하는 단계; 반사 전극 상에 제1 발광 유닛을 형성하는 단계; 반사 전극에 대해 먼 쪽에 있는 제1 발광 유닛의 측면 상에 반투명 접속층을 형성하는 단계; 및 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상에 적어도 하나의 제2 발광 유닛을 형성하는 단계를 포함한다. 반투명 접속층과 반사 전극은 제1 발광 유닛의 피크 방출 파장의 공명 방출을 위한 거리만큼 서로로부터 이격되며, 즉, 반투명 접속층과 반사 전극은 제1 발광 유닛의 공명 파장의 공명 방출을 위한 마이크로 캐비티를 형성한다.
임의적으로, 마이크로 캐비티의 깊이(L)는 대략적으로 다음 식: 2ΣnL + Qλ/2π = mλ을 만족하며, 여기서 n은 제1 발광 유닛에서의 제1 발광층의 굴절율이고, Q는 반투명 접속층과 반사 전극의 반사 미러들에서의 라디언 단위의 위상 시프트들의 합이고, λ는 디바이스로부터 방출되는 광의 피크 파장이고, m은 음이 아닌 정수이다. 임의적으로, m = 1이다. 임의적으로, m = 2이다.
임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 상기 식에 기초하여 계산되는 거리(L)이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 L±10㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 L±20㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 L±30㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 L±40㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 약 60㎚ 내지 약 90㎚의 범위이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 약 70㎚이다. 임의적으로, 반투명 접속층과 반사 전극 사이의 거리는 약 165㎚ 내지 약 215㎚의 범위이다.
일부 실시예들에서, 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 제2 발광 유닛은 정상파를 발생시키는 광을 방출하는 제2 발광층을 포함하고, 제2 발광층은 제2 발광층에 대해 가까운 쪽에 있는 반투명 접속층의 표면으로부터 계산되는 정상파의 제1 파복에서 형성된다.
임의적으로, 본 방법은 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상에 단지 1개의 단일 제2 발광 유닛을 형성하는 단계를 포함하는데, 즉 탠덤형 유기 전계발광 장치 내의 제2 발광 유닛의 총수가 1이다. 임의적으로, 본 방법은 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 반투명 접속층의 측면 상에 2개의 제2 발광 유닛들을 형성하는 단계를 포함하는데, 즉 탠덤형 유기 전계발광 장치 내의 제2 발광 유닛의 총수가 2이다.
임의적으로, 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛이고, 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛이다. 임의적으로, 탠덤형 유기 전계발광 장치는 단일 황색 발광 유닛을 포함한다. 임의적으로, 탠덤형 유기 전계발광 장치는 2개의 황색 발광 유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 대한 상기 설명은 예시 및 설명의 목적들로 제시되었다. 이것은 포괄적이거나 본 발명을 개시된 정확한 형태 또는 예시적인 실시예들로 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 따라서, 상기 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 명백하게, 많은 수정들 및 변형들이 본 기술분야의 통상의 기술자들에게 명백할 것이다. 실시예들은 본 발명의 원리들 및 그 최상의 모드의 실제 응용을 가장 잘 설명하기 위해 선택 및 기술되며, 이에 의해 본 기술 분야의 통상의 기술자들이 다양한 실시예들에 대하여 고려되는 특정 용도 또는 구현에 적합한 다양한 수정들에 의해 본 발명을 이해하게 하는 것을 가능하게 한다. 본 발명의 범위는 본 명세서에 첨부된 청구항들 및 그들의 균등물들에 의해 정의되며, 여기서 모든 용어들은 달리 지시되지 않는 한 가장 넓은 합리적인 의미로 사용되는 것으로 의도된다. 따라서, "발명", "본 발명" 등의 용어가 청구 범위를 특정 실시예로 제한할 필요가 없고, 본 발명의 예시적인 실시예들에 대한 참조가 본 발명에 대한 제한을 의미하지도 않으며, 이러한 제한이 추론되지도 않는다. 본 발명은 첨부된 청구항들의 사상 및 범위에 의해서만 제한된다. 또한, 이들 청구항들은 명사나 엘리먼트와 함께 오는 "제1", "제2" 등의 사용을 참조할 수도 있다. 이러한 용어들은 명명법으로 이해되어야 하며, 특정 수치가 주어지지 않는 한, 그러한 명명법에 의해 수정된 엘리먼트들의 수에 제한을 부여하는 것으로 해석되어서는 안된다. 설명된 임의의 장점들 및 이점들이 본 발명의 모든 실시예들에 적용되지는 않을 수도 있다. 이하의 청구항들에 의해 정의되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 설명된 실시예들에 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 변형들이 행해질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 본 개시내용의 어떠한 엘리먼트 및 컴포넌트도 그 엘리먼트 또는 컴포넌트가 이하의 청구항들에 명시적으로 인용되는지 여부에 관계없이 공중에게 바쳐지는 것으로 의도되지 않는다.
Claims (20)
- 탠덤형 유기 전계발광 장치로서,
반사 전극;
상기 반사 전극 상의 제1 발광 유닛;
상기 반사 전극에 대해 먼 쪽(distal)에 있는 상기 제1 발광 유닛의 측면 상의 반투명 접속층;
상기 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 상기 반투명 접속층의 측면 상의 적어도 하나의 제2 발광 유닛; 및
상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상의 투명 전극
을 포함하고,
상기 반투명 접속층과 상기 반사 전극은 마이크로 캐비티를 형성하는 탠덤형 유기 전계발광 장치. - 제1항에 있어서, 상기 반투명 접속층과 상기 반사 전극은 L±40㎚의 거리만큼 서로로부터 이격되고, L은 2ΣnL + Qλ/2π = mλ에 기초하여 계산되고, n은 상기 제1 발광 유닛에서의 제1 발광층의 굴절률이고, Q는 상기 반투명 접속층과 상기 반사 전극의 반사 미러들에서의 라디언 단위의 위상 시프트들의 합이고, λ는 디바이스로부터 방출되는 광의 피크 파장이고, m은 음이 아닌 정수인 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 거리는 상기 제1 발광 유닛의 두께에 의해 정의되는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 발광 유닛은 단색 발광 유닛인 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛이고, 상기 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛인 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 반투명 접속층은 은, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 이테르븀 및 리튬 중 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 반투명 접속층은 10㎚를 초과하는 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 반투명 접속층은 약 10㎚ 내지 약 30㎚의 범위의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 황색 발광 유닛은 황색 발광층, 상기 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽(proximal)에 있는 상기 황색 발광층의 측면 상의 제1 캐리어 수송층, 상기 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 상기 제1 캐리어 수송층의 측면 상의 제1 캐리어 주입층, 상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 황색 발광층의 측면 상의 제2 캐리어 수송층, 및 상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 제2 캐리어 수송층의 측면 상의 제2 캐리어 주입층을 포함하고, 상기 제1 캐리어 수송층과 상기 제1 캐리어 주입층의 두께들의 합은 약 20㎚ 내지 약 35㎚의 범위인 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 두께들의 합은 약 25㎚인 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제5항 또는 제9항에 있어서, 상기 청색 발광 유닛은 약 60㎚ 내지 약 90㎚의 범위의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 청색 발광 유닛은 청색 발광층, 상기 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 상기 청색 발광층의 측면 상의 제3 캐리어 수송층, 상기 반투명 접속층에 대해 가까운 쪽에 있는 상기 제3 캐리어 수송층의 측면 상의 제3 캐리어 주입층, 상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 청색 발광층의 측면 상의 제4 캐리어 수송층, 및 상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 제4 캐리어 수송층의 측면 상의 제4 캐리어 주입층을 포함하는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 청색 발광 유닛은 약 70㎚의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제5항 또는 제9항에 있어서, 상기 청색 발광 유닛은 약 165㎚ 내지 약 215㎚의 범위의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 전극은 은 및 알루미늄 중 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제9항 또는 제15항에 있어서, 상기 반사 전극은 약 80㎚ 내지 약 300㎚의 범위의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 반사 전극은 약 200㎚의 두께를 갖는 탠덤형 유기 전계발광 장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 탠덤형 유기 전계발광 장치를 포함하는 디스플레이 장치.
- 탠덤형 유기 전계발광 장치를 제조하는 방법으로서,
베이스 기판 상에 반사 전극을 형성하는 단계;
상기 반사 전극 상에 제1 발광 유닛을 형성하는 단계;
상기 반사 전극에 대해 먼 쪽에 있는 상기 제1 발광 유닛의 측면 상에 반투명 접속층을 형성하는 단계;
상기 제1 발광 유닛에 대해 먼 쪽에 있는 상기 반투명 접속층의 측면 상에 적어도 하나의 제2 발광 유닛을 형성하는 단계; 및
상기 반투명 접속층에 대해 먼 쪽에 있는 상기 적어도 하나의 제2 발광 유닛의 측면 상에 투명 전극을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 반투명 접속층과 상기 반사 전극은 마이크로 캐비티를 형성하는 방법. - 제19항에 있어서, 상기 제1 발광 유닛은 청색 발광 유닛이고, 상기 제2 발광 유닛은 황색 발광 유닛인 방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210014398A (ko) * | 2019-07-30 | 2021-02-09 | 한국과학기술원 | 병렬 적층형 유기발광소자 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161633B (zh) * | 2015-08-12 | 2018-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件 |
JP2017059537A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Cbc株式会社 | 白色発光有機el照明装置 |
CN106129099B (zh) | 2016-08-31 | 2020-02-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种双面发光的有机发光二极管照明面板 |
CN107994059B (zh) * | 2017-11-27 | 2020-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN109545993B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光器件及其制造方法、照明装置 |
CN112599689A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-02 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种高效率白光器件结构 |
KR20220124548A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 삼성전자주식회사 | 향상된 발광 효율을 갖는 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
CN114335369B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件、oled显示面板 |
WO2024000304A1 (zh) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件、发光基板及发光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070019496A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2011018451A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-01-27 | Canon Inc | 発光表示装置 |
KR20140027349A (ko) * | 2011-05-31 | 2014-03-06 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 유기 전계 발광 소자 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289358A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6737800B1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
US6909233B2 (en) * | 2003-06-11 | 2005-06-21 | Eastman Kodak Company | Stacked OLED display having improved efficiency |
US7375370B2 (en) * | 2004-08-05 | 2008-05-20 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive devices |
US7494722B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having an organic intermediate connector |
JP4946862B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-06-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置 |
US7142179B2 (en) * | 2005-03-23 | 2006-11-28 | Eastman Kodak Company | OLED display device |
US8057916B2 (en) * | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
KR20080018557A (ko) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 장치 |
US7888860B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device |
US7800295B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
US20090001885A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Spindler Jeffrey P | Tandem oled device |
US8227978B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White organic light emitting device and color display apparatus employing the same |
JP5219493B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 発光素子及びそれを用いた発光装置 |
FR2946799B1 (fr) * | 2009-06-15 | 2012-03-02 | Astron Fiamm Safety | Diode et procede de realisation d'une diode electroluminescente organique incluant une couche de planarisation du substrat |
JP5407907B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、照明装置および表示装置 |
TWI488540B (zh) * | 2010-03-24 | 2015-06-11 | Au Optronics Corp | 白色有機發光二極體 |
US9112174B2 (en) * | 2011-08-12 | 2015-08-18 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent element |
TWI501439B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-09-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 影像顯示系統 |
JP6166557B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2017-07-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 燐光性有機金属イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
TWI527211B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-03-21 | Lg顯示器股份有限公司 | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
TW202339325A (zh) * | 2013-08-09 | 2023-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置 |
WO2015132693A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP2015018822A (ja) * | 2014-09-24 | 2015-01-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
CN105161633B (zh) * | 2015-08-12 | 2018-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件 |
-
2015
- 2015-08-12 CN CN201510494604.0A patent/CN105161633B/zh active Active
-
2016
- 2016-06-07 WO PCT/CN2016/085092 patent/WO2017024881A1/en active Application Filing
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070019496A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2011018451A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-01-27 | Canon Inc | 発光表示装置 |
KR20140027349A (ko) * | 2011-05-31 | 2014-03-06 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 유기 전계 발광 소자 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210014398A (ko) * | 2019-07-30 | 2021-02-09 | 한국과학기술원 | 병렬 적층형 유기발광소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10026916B2 (en) | 2018-07-17 |
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US20180040842A1 (en) | 2018-02-08 |
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JP2018525766A (ja) | 2018-09-06 |
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