KR20170101796A

KR20170101796A - Method for forming a film and method for manufacturing a laminate substrate using the same

Info

Publication number: KR20170101796A
Application number: KR1020170023446A
Authority: KR
Inventors: 히로토 와타나베
Original assignee: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date: 2016-02-29
Filing date: 2017-02-22
Publication date: 2017-09-06
Also published as: CN107130218B; JP6617607B2; CN107130218A; JP2017157580A; TW201741481A; TWI736590B; KR102481145B1

Abstract

The present invention provides a method for forming a film, removing a difference of a color in the width direction of a long chuck resin film to cause hardship in generation of an etching defect. According to the film forming method forming each first coating and second coating on both surfaces of the long chuck resin film (F) transferred from an unwinding roll (11) and a winding roll (24) inside a vacuum chamber (10) at a roll-to-roll method through a dry plating method such as a sputtering method, the present invention suitably dry-etches a surface of the first coating using radiation of an ion beam from an ion source (29) between primary winding through the winding roll (24) after forming the first coating on one side surface of the long chuck resin film (F) and secondary winding through the winding roll (24) after the second coating is formed on the other surface of the long chuck resin film (F) where the first coating is formed.

Description

성막 방법 및 이것을 이용한 적층체 기판의 제조 방법{METHOD FOR FORMING A FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING A LAMINATE SUBSTRATE USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for forming a laminated substrate,

본 발명은, 롤투롤(roll to roll)로 반송되는 장척(長尺) 수지 필름의 양면에 건식 도금법으로 피막을 성막하는 방법 및 이 성막 방법을 이용한 적층체 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a film on both sides of a long resin film that is transported by roll to roll by a dry plating method and a method of manufacturing a laminate substrate using the film forming method.

휴대 전화, 휴대 전자문서 기기, 자동판매기, 카 내비게이션 등의 전자기기가 구비하는 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 표면에 「터치 패널」을 설치하는 기술이 보급되기 시작하고 있다. 「터치 패널」은, 저항형과 정전용량형으로 대략 분류할 수 있고, 「저항형」의 터치 패널은, 수지 필름으로 이루어진 투명 기판과, 이 기판 상에 설치된 X 좌표(또는 Y 좌표) 검지 전극 시트 및 Y 좌표(또는 X 좌표) 검지 전극 시트와, 이들 시트 사이에 설치된 절연체 스페이서로 주요부가 구성되어 있다.Technology for installing a " touch panel " on the surface of a flat panel display (FPD) included in an electronic device such as a cellular phone, a portable electronic document device, a vending machine, or a car navigation system is beginning to spread. The " resistance type " touch panel includes a transparent substrate made of a resin film, and an X-coordinate (or Y-coordinate) detection electrode Sheet and Y-coordinate (or X-coordinate) detection electrode sheet, and an insulator spacer provided between these sheets.

이들 X 좌표 검지 전극 시트 및 Y 좌표 검지 전극 시트는 통상은 절연체 스페이서에 의해 이격되어 있지만, 펜 등으로 눌려졌을 때에 그 부위에서 양 좌표 검지 전극 시트가 전기적으로 접촉한다. 이에 따라, 펜이 닿은 위치(X 좌표, Y 좌표)를 검지할 수 있도록 되어 있고, 펜을 이동시키면 그때마다 좌표를 인식하여, 최종적으로 문자의 입력을 행할 수 있는 구조로 되어 있다.These X coordinate detection electrode sheets and Y coordinate detection electrode sheets are usually spaced apart by an insulator spacer, but when pressed by a pen or the like, the two coordinate detection electrode sheets come into electrical contact with each other at that position. Accordingly, it is possible to detect the position (X coordinate, Y coordinate) where the pen is touched. When the pen is moved, the coordinates are recognized every time the pen is moved, and finally, characters can be input.

한편, 「정전용량형」의 터치 패널은, 절연 시트를 통해 X 좌표(또는 Y 좌표) 검지 전극 시트와 Y 좌표(또는 X 좌표) 검지 전극 시트가 적층되어 있고, 그 위에 유리 등의 절연체가 더 배치된 구조를 갖고 있다. 그리고, 이 유리 등의 절연체에 손가락을 가까이 댔을 때, 그 근방의 X 좌표 검지 전극과 Y 좌표 검지 전극의 전기 용량이 변화되기 때문에, 위치 검지를 행할 수 있는 구조로 되어 있다.On the other hand, in the "capacitive type" touch panel, an X-coordinate (or Y-coordinate) detection electrode sheet and a Y-coordinate (or X-coordinate) detection electrode sheet are laminated via an insulating sheet, and an insulator such as glass And has a deployed structure. When the finger is brought close to the insulator such as glass, the electric capacitance between the X coordinate detection electrode and the Y coordinate detection electrode in the vicinity of the finger is changed, so that the position detection can be performed.

상기한 전극 시트(전극 기판 필름이라고도 칭함) 상에 형성되는 소정의 회로 패턴을 갖는 전극용 도전성 재료로서, 종래, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 ITO(산화인듐-산화주석) 등의 투명 도전막이 널리 이용되고 있다. 또한, 터치 패널의 대형화에 따라, 특허문헌 2나 특허문헌 3 등에 개시되어 있는 금속제 세선으로 이루어진 메쉬 구조의 금속막도 사용되기 시작하고 있다.As a conductive material for electrodes having a predetermined circuit pattern formed on the above-mentioned electrode sheet (also referred to as an electrode substrate film), a transparent conductive material such as ITO (indium oxide-tin oxide) Membranes are widely used. In addition, as the size of the touch panel is increased, a metal film having a mesh structure made of fine metal wires disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3 is also being used.

상기한 투명 도전막과 금속제 세선(금속막)을 비교한 경우, 투명 도전막은, 가시 파장 영역에 있어서의 투과성이 우수하기 때문에 전극 등의 회로 패턴이 거의 시인되지 않는 이점을 갖지만, 금속제 세선(금속막)보다 전기 저항치가 높기 때문에 터치 패널의 대형화나 응답 속도의 고속화에는 부적합한 결점을 갖는다. 한편, 금속제 세선(금속막)은, 전기 저항치가 낮기 때문에 터치 패널의 대형화나 응답 속도의 고속화에 적합하지만, 가시 파장 영역에 있어서의 반사율이 높기 때문에, 미세한 메쉬 구조로 가공하여도 고휘도 조명 하에 있어서 회로 패턴이 시인되는 경우가 있어, 제품 가치를 저하시켜 버리는 결점을 갖는다.When the transparent conductive film is compared with the metal thin wire (metal film), the transparent conductive film has an advantage that the circuit pattern of an electrode or the like is hardly visible because of its excellent transparency in the visible wavelength region. However, Film), it has drawbacks that it is not suitable for increasing the size of the touch panel and increasing the response speed. On the other hand, metal fine wires (metal films) are suitable for increasing the size of the touch panel and increasing the response speed because of low electric resistance. However, since the reflectance in the visible wavelength range is high, There is a case that the circuit pattern is visually recognized, and the product value is deteriorated.

그래서, 특허문헌 4 및 특허문헌 5에는 전기 저항치가 낮은 상기 금속제 세선(금속막)의 특성을 살리기 위해, 수지 필름으로 이루어진 투명 기판과 금속제 세선의 금속막 사이에 금속 산화물로 이루어진 금속 흡수층(흑화막이라고도 칭함)을 개재시켜 투명 기판측에서 관측되는 금속제 세선(금속막)의 반사를 저감시키는 방법이 제시되어 있다.Therefore, in Patent Documents 4 and 5, a metal absorbing layer made of a metal oxide (blackening film) is formed between the transparent substrate made of a resin film and the metal thin-wire metal film in order to make the characteristics of the metal thin wire (Metal film) observed on the side of the transparent substrate is reduced by interposing a light-shielding film (also referred to as a metal film).

이 금속 산화물로 이루어진 금속 흡수층을 구비한 전극 시트의 제작에서는, 금속 산화물의 성막 효율의 고효율화를 도모한다는 관점에서, 통상, 연속적으로 반송되는 장척 형상 수지 필름의 표면에 반응성 가스 분위기 하에서 금속 타겟(금속재)을 이용하여 반응성 스퍼터링함으로써 금속 흡수층을 연속 성막한 후, 불활성 가스 분위기 하에서 구리 등의 금속 타겟(금속재)을 이용하여 스퍼터링함으로써 상기 금속 흡수층 상에 금속층을 연속 성막하는 것이 행해지고 있고, 이에 따라 전극 기판 필름의 기재가 되는 적층체 기판을 제작하고 있다. 그리고, 이들 금속 흡수층과 금속층으로 이루어진 적층막을 염화제2구리 수용액이나 염화제2철 수용액 등의 에칭액으로 에칭 처리함으로써, 상기 적층막(금속 흡수층 및 금속층)에 전극 등의 회로 패턴을 패터닝 가공하는 것이 행해지고 있다.In the production of an electrode sheet having a metal absorbing layer made of this metal oxide, in view of achieving high efficiency of film-forming efficiency of a metal oxide, a metal target (metal material) is usually coated on the surface of a continuously- ) To continuously form a metal absorbing layer and then sputtering using a metal target (metal material) such as copper under an inert gas atmosphere to continuously form a metal layer on the metal absorbing layer. As a result, Thereby producing a laminate substrate serving as a base of the film. Then, a circuit pattern such as an electrode is patterned on the laminated film (metal absorbing layer and metal layer) by etching the laminated film composed of the metal absorbing layer and the metal layer with an etching solution such as an aqueous solution of cupric chloride or an aqueous ferric chloride solution .

따라서, 전극 기판 필름의 기재가 되는 적층체 기판은, 금속 흡수층과 금속층으로 이루어진 적층막이 염화제2구리 수용액이나 염화제2철 수용액 등의 에칭액에 의해 에칭되기 쉬운 특성과, 상기 에칭에 의해 패터닝 가공된 전극 등의 회로 패턴이 고휘도 조명 하에 있어서 시인되기 어려운 특성이 요구된다.Therefore, the laminate substrate serving as the substrate of the electrode substrate film is a laminate substrate having a characteristic that a laminated film composed of a metal absorbing layer and a metal layer is easily etched by an etching solution such as an aqueous solution of cupric chloride or an aqueous ferric chloride solution, A circuit pattern of an electrode or the like which is difficult to be visually recognized under high luminance illumination is required.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-151358호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-151358 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2011-018194호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-018194 [특허문헌 3] 일본 특허 공개 제2013-069261호 공보[Patent Document 3] JP-A-2013-069261 [특허문헌 4] 일본 특허 공개 제2014-142462호 공보[Patent Document 4] JP-A-2014-142462 [특허문헌 5] 일본 특허 공개 제P2013-225276호 공보[Patent Document 5] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-225276

그런데, 전술한 바와 같이 장척 수지 필름의 표면에 산소를 포함하는 반응성 가스 분위기에서 Ni계의 금속 타겟(금속재)을 이용하여 반응성 스퍼터링함으로써 금속 산화물로 이루어진 금속 흡수층을 연속 성막한 후, 이 금속 흡수층 상에 구리 등의 금속 타겟(금속재)을 이용하여 스퍼터링함으로써 금속층을 연속 성막함으로써 적층되는 적층막을 장척 수지 필름의 양면에 제작하는 경우, 이하와 같은 문제가 발생하는 경우가 있었다.As described above, after the metal absorption layer made of the metal oxide is continuously formed by reactive sputtering using a Ni-based metal target (metal material) in a reactive gas atmosphere containing oxygen on the surface of the elongated resin film, (Metal material) such as copper is used to continuously form a metal layer by sputtering, the following problems may occur when a laminated film laminated on both sides of a long resin film is produced.

즉, 적층되는 금속과의 밀착성을 향상시키기 위해 장척 수지 필름의 양면에 이(易)접착층을 형성하는 경우가 있고, 그 경우, 우선 장척 수지 필름의 한쪽 면에 제1 피막으로서 금속 흡수층 및 금속층을 연속적으로 성막하고 나서 롤 형상으로 권취한 후, 장척 수지 필름의 다른 한쪽 면에 제2 피막을 성막하기 위해 권출하면, 장척 수지 필름의 폭 방향에 있어서의 중앙부와 단부 사이를 경계로 하여 금속층 면상에 육안으로 확인할 수 있는 근소한 색의 차이가 확인되는 경우가 있었다. 이러한 금속층 상의 색의 차이는 적층체 기판의 외관 불량이 될 수 있는 데다가, 그 상태에서 에칭에 의해 전극 회로를 패터닝 가공하면, 상기한 색의 경계 부분에서 에칭 속도에 차이가 생겨 에칭 불량이 되는 경우가 있었다.That is, in order to improve the adhesion with the metal to be laminated, an adhesive layer may be formed on both sides of the elongate resin film. In this case, a metal absorbing layer and a metal layer When the film is continuously wound and rolled up in the form of a roll and then unwound to form a second film on the other surface of the elongate resin film, the elongated resin film is wound on the metal layer surface with a boundary between the central portion and the end in the width direction A slight difference in color that can be confirmed with the naked eye was sometimes confirmed. Such a difference in color on the metal layer can result in defective appearance of the laminate substrate and if the electrode circuit is patterned by etching in this state, there will be a difference in the etching rate at the boundary of the color, .

본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 장척 수지 필름의 양면에 성막을 행하여 적층체 기판을 제작할 때, 장척 수지 필름의 폭 방향의 색의 차이를 없애어 에칭 불량을 일으키기 어렵게 할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a multilayer substrate by forming films on both sides of a long resin film, And to provide a film forming method.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명이 제공하는 성막 방법은, 롤투롤로 반송되는 장척 수지 필름의 양면에 건식 도금법에 의해 제1 피막 및 제2 피막을 각각 성막하는 성막 방법으로서, 상기 장척 수지 필름의 한쪽 면에 상기 제1 피막을 성막한 후의 제1회째 권취와, 상기 제1 피막이 성막된 장척 수지 필름의 다른 쪽 면에 제2 피막을 성막한 후의 제2회째 권취 사이에 상기 제1 피막의 표면을 드라이 에칭 처리하는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, the film forming method provided by the present invention is a film forming method for forming a first coating film and a second coating film by dry plating on both surfaces of a long resin film transported by roll roll, Between the first winding after the first coating is formed on one side and the second winding after the second coating is formed on the other side of the long resin film on which the first coating is formed, Is subjected to dry etching treatment.

본 발명에 따르면, 장척 수지 필름의 양면에 성막을 행하여 적층체 기판을 제작할 때, 장척 수지 필름의 폭 방향의 색의 차이를 없앨 수 있기 때문에, 산화제 등의 약액을 이용하여 에칭 가공을 행할 때에 상기 폭 방향의 에칭 가공성의 차이를 없앨 수 있다.According to the present invention, it is possible to eliminate the difference in color in the width direction of the elongated resin film when the multilayered substrate is produced by forming the film on both sides of the elongate resin film. Therefore, when etching is performed using a chemical solution such as an oxidizing agent, The difference in the etching processability in the width direction can be eliminated.

도 1은 본 발명의 성막 방법을 적합하게 실시 가능한 성막 장치(스퍼터링 웹 코터)의 모식적인 정면도이다.
도 2는 종래의 성막 방법으로 제작한 적층체 기판에 발생하는 외관상의 문제점을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 성막 방법에 의해 제작된 첫 번째 층의 금속 흡수층과 두 번째 층의 금속층을 투명 기판의 양면에 갖는 적층체 기판의 모식적 단면도이다.
도 4는 도 3의 금속층 위에 습식 성막법으로 금속층을 더 성막함으로써 얻어지는 후막화된 금속층을 갖는 적층체 기판의 모식적 단면도이다.
도 5는 도 4의 후막화된 금속층 위에 건식 도금법으로 세 번째 층의 제2 금속 흡수층을 더 성막함으로써 얻어지는 제2 적층체 기판의 모식적 단면도이다.
도 6은 금속제의 적층 세선이 투명 기판의 양면에 각각 형성된 전극 기판 필름의 모식적 단면도이다.1 is a schematic front view of a film forming apparatus (sputtering web coater) capable of suitably carrying out the film forming method of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view schematically showing a problem in appearance on a laminate substrate produced by a conventional film forming method. FIG.
3 is a schematic cross-sectional view of a laminate substrate having a metal absorption layer of a first layer and a metal layer of a second layer formed on both surfaces of a transparent substrate manufactured by the film forming method of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a laminate substrate having a thickened metal layer obtained by further depositing a metal layer on the metal layer of Fig. 3 by a wet film forming method.
5 is a schematic cross-sectional view of a second laminate substrate obtained by further depositing a second metal absorbing layer of a third layer on the thickened metal layer of FIG. 4 by a dry plating method.
6 is a schematic cross-sectional view of an electrode substrate film in which metal laminated fine wires are formed on both surfaces of a transparent substrate, respectively.

이하, 본 발명의 성막 방법의 일 구체예로서 스퍼터링에 의한 성막 방법을 채용하여, 이 성막 방법을 적합하게 실시 가능한 성막 장치에 대해서 도 1을 참조하면서 설명한다. 이 도 1에 도시된 성막 장치는 스퍼터링 웹 코터라고도 칭하며, 권출 롤(11)로부터 캔 롤(16)을 경유하여 권취 롤(24)까지 장척 수지 필름(F)을 롤투롤 방식으로 반송하는 반송 수단과, 장척 수지 필름(F)이 캔 롤(16)의 외주면에 감겨져 있을 때에 그 표면에 연속적으로 효율 좋게 스퍼터링 성막을 행하는 성막 수단과, 이들 수단을 수용하는 진공 챔버(110)로 주로 구성되어 있다.Hereinafter, as a specific example of the film forming method of the present invention, a film forming apparatus employing a film forming method by sputtering and capable of suitably carrying out the film forming method will be described with reference to Fig. The film forming apparatus shown in Fig. 1 is also referred to as a sputtering web coater. The film forming apparatus shown in Fig. 1 is a sputtering web coater. The film forming apparatus shown in Fig. 1 includes a conveying means Film forming means for continuously and efficiently performing sputtering film formation on the surface of the long roll of resin film F when the long resin film F is wound on the outer peripheral surface of the can roll 16 and a vacuum chamber 110 for accommodating these means .

구체적으로 설명하면, 진공 챔버(10)에는 드라이 펌프, 터보 분자 펌프, 크라이오(cryo) 코일 등의 여러 가지 장치(도시하지 않음)가 내장되어 있고, 스퍼터링 성막시에 진공 챔버(10) 내부를 도달 압력 10^-4 Pa 정도까지 감압한 후, 스퍼터링 가스의 도입에 의해 0.1∼10 Pa 정도로 압력 조정할 수 있도록 되어 있다. 스퍼터링 가스에는 아르곤 등의 공지된 가스가 사용되고, 목적에 따라 산소 등의 가스가 더 첨가된다. 진공 챔버(10)의 형상이나 재질은 이러한 감압 상태에 견딜 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않고 여러 가지의 것을 사용할 수 있다. 진공 챔버 내에는, 스퍼터링 성막을 행하는 공간을 반송용 롤 군이 설치되어 있는 공간으로부터 격리시키기 위해, 칸막이 판(10a)이 설치되어 있다.More specifically, various devices (not shown) such as a dry pump, a turbo molecular pump, and a cryo coil are incorporated in the vacuum chamber 10, and the inside of the vacuum chamber 10 The pressure can be adjusted to about 0.1 to 10 Pa by introducing a sputtering gas after the pressure is reduced to about 10 ^-4 Pa. A known gas such as argon is used as the sputtering gas, and a gas such as oxygen is further added depending on the purpose. The shape and material of the vacuum chamber 10 are not particularly limited as long as they can withstand such a reduced pressure state, and various kinds of materials can be used. A partition plate 10a is provided in the vacuum chamber so as to isolate a space for performing the sputtering film deposition from the space in which the transport roll group is installed.

권출 롤(11)에서 캔 롤(16)까지의 반송 경로에는, 장척 수지 필름(F)을 안내하는 프리 롤(12a, 12b), 장척 수지 필름(F)을 감아 냉각시키는 냉각 롤(13), 캔 롤(16)보다 상류측의 장척 수지 필름(F)의 장력을 측정하는 장력 센서 롤(14) 및 캔 롤(16)로 보내지는 장척 수지 필름(F)을 캔 롤(16)의 외주면에 밀착시키도록 캔 롤(16)의 주속도에 대한 조정이 행해지는 모터 구동의 전(前)피드 롤(15)이 이 순서로 배치되어 있다.The transfer path from the unwinding roll 11 to the can roll 16 is provided with pre rolls 12a and 12b for guiding the long resin film F, a cooling roll 13 for winding and cooling the long resin film F, The tension sensor roll 14 for measuring the tension of the elongated resin film F on the upstream side of the can roll 16 and the elongated resin film F fed to the can roll 16 are placed on the outer circumferential surface of the can roll 16 Driven feed rolls 15 in which adjustment of the main speed of the can roll 16 is performed so as to adhere closely to each other is arranged in this order.

캔 롤(16)은 그 내부에 진공 챔버(10)의 외부에서 온도 조절된 냉매가 순환되고 있어, 외주면에 감겨진 장척 수지 필름(F)에 성막 수단에 의해 열부하를 가하는 처리를 행할 때에 냉각할 수 있도록 되어 있다. 냉각 롤(13)도 내부에 냉매가 순환되고 있어, 그 외주면에 대향하여 배치되어 있는 드라이 에칭 수단(29)으로 장척 수지 필름(F)에 열부하를 가하는 처리를 행할 때에 상기 장척 수지 필름(F)을 냉각시킬 수 있도록 되어 있다. 또한, 드라이 에칭 수단(29)을 기동시키지 않는 경우는, 냉각 롤(13) 내의 냉매의 순환을 정지하여도 좋다.The can roll 16 is cooled when the temperature controlled coolant is circulated inside the vacuum chamber 10 inside the can roll 16 and a thermal load is applied to the long resin film F wound on the outer circumferential surface by the film forming means . When the long roll of resin film F is subjected to thermal load by the dry etching means 29 arranged opposite to the outer circumferential surface of the cooling roll 13, So that it can be cooled. When the dry etching means 29 is not activated, the circulation of the refrigerant in the cooling roll 13 may be stopped.

캔 롤(16)에서 권취 롤(24)까지의 반송 경로도, 상기한 냉각 롤(13)과 제2회째의 프리 롤(12b)에 대응하는 롤이 없는 것 이외에는 상기와 마찬가지로, 캔 롤(16)의 주속도에 대한 조정을 행하는 모터 구동의 후(後)피드 롤(21), 캔 롤(16)보다 하류측의 장척 수지 필름(F)의 장력을 측정하는 장력 센서 롤(22) 및 장척 수지 필름(F)을 안내하는 프리 롤(23)이 이 순서로 배치되어 있다.The conveying path from the can roll 16 to the winding roll 24 is also the same as the can roll 16 except that there is no roll corresponding to the cooling roll 13 and the second pre- A tension sensor roll 22 for measuring the tension of the elongated resin film F on the downstream side of the can roll 16, And a pre-roll 23 for guiding the resin film F are arranged in this order.

상기 권출 롤(11) 및 권취 롤(24)에서는, 파우더 클러치 등에 의한 토크 제어에 의해 장척 수지 필름(F)의 장력 밸런스가 유지되어 있다. 또한, 모터 구동의 캔 롤(16)의 회전과 이것에 연동하여 회전하는 모터 구동의 전피드 롤(15) 및 후피드 롤(21)에 의해, 권출 롤(11)로부터 권출된 장척 수지 필름(F)은, 상기한 캔 롤(16) 등의 롤 군으로 구별되어 정해지는 반송 경로를 따라 반송된 후, 권취 롤(24)로 권취되도록 되어 있다.In the take-up roll 11 and the take-up roll 24, the tension balance of the long resin film F is maintained by the torque control by the powder clutch or the like. The elongated resin film (not shown) wound from the take-up roll 11 is rotated by the rotation of the motor driven can roll 16 and the motor-driven front feed roll 15 and the post feed roll 21, F are conveyed along a conveyance path which is distinguished by a group of rolls such as the above-mentioned can roll 16 and then wound by a winding roll 24.

캔 롤(16)의 외주면 중 장척 수지 필름(F)이 감겨지는 영역에 대향하는 위치에, 캔 롤(16)의 반송 경로를 따라 성막 수단으로서 4개의 마그네트론 스퍼터링 캐소드(17, 18, 19, 20)가 이 순서로 설치되어 있고, 각각 반응성 가스를 방출 가능한 4쌍의 가스 방출 파이프(25a·25b, 26a·26b, 27a·27b, 28a·28b)가 근방에 설치되어 있다. 또한, 판 형상의 타겟을 이용하여, 상기한 금속 흡수층이나 금속층의 스퍼터링 성막을 행하면, 상기 타겟 상에 노듈(이물의 성장)이 발생하는 경우가 있다. 이것이 문제가 되는 경우는, 노듈의 발생이 없고 또한 타겟의 사용 효율도 높은 원통형의 로터리 타겟을 사용하는 것이 바람직하다.Four magnetron sputtering cathodes (17, 18, 19, 20) are formed as film-forming means along the conveyance path of the can roll 16 at positions opposite to the area where the long resin film (F) And four pairs of gas discharge pipes 25a, 25b, 26a, 26b, 27a, 27b, 28a, 28b capable of discharging the reactive gas are provided in the vicinity of the gas discharge pipes 25a, 25b. Further, when the above-described sputtering deposition of the metal absorbing layer or the metal layer is performed using a plate-shaped target, nodules (growth of foreign matter) may occur on the target. When this is a problem, it is preferable to use a cylindrical rotary target which does not cause generation of nodules and has a high use efficiency of the target.

상기한 4개의 마그네트론 스퍼터링 캐소드(17∼20) 중, 예컨대 최초의 2개의 캐소드(17, 18)의 타겟에 금속 흡수층 형성용 타겟을 설치하고, 남는 2개의 캐소드(19, 20)의 타겟에 금속층용 타겟을 설치함으로써, 장척 수지 필름(F)의 편면에 금속 산화물로 이루어진 금속 흡수층과 금속층을 연속적으로 성막할 수 있다. 이 금속 흡수층의 성막시에, 금속 흡수층의 형성용 타겟에 금속 산화물 타겟을 이용한 경우, 성막 속도가 지연되어 양산에 적합하지 않다. 그래서, 고속 성막이 가능한 Ni계의 금속 타겟(금속재)을 이용함과 더불어 산소를 포함하는 반응성 가스를 제어하면서 도입하는 반응성 스퍼터링 등의 반응 성막법이 채용되고 있다.A target for forming a metal absorbing layer is provided on the target of the first two cathodes 17 and 18 among the four magnetron sputtering cathodes 17 to 20 and a metal layer is formed on the remaining two cathodes 19 and 20, It is possible to continuously form a metal absorption layer and a metal layer made of a metal oxide on one side of the elongated resin film (F). When a metal oxide target is used as a target for forming the metal absorbing layer at the time of forming the metal absorbing layer, the film forming rate is delayed and is not suitable for mass production. Therefore, a reactive film-forming method such as reactive sputtering in which a Ni-based metal target (metal material) capable of high-speed film formation is used and reactive gas containing oxygen is introduced while being controlled is employed.

상기한 반응성 가스를 제어하는 방법으로는, (1) 일정 유량의 반응성 가스를 방출하는 방법, (2) 진공 챔버 내의 압력을 일정 압력으로 유지하도록 반응성 가스를 방출하는 방법, (3) 스퍼터링 캐소드의 임피던스가 일정해지도록 반응성 가스를 방출하는(임피던스 제어) 방법 및 (4) 스퍼터링의 플라즈마 강도가 일정해지도록 반응성 가스를 방출하는(플라즈마 에미션 제어) 방법의 4개의 방법이 알려져 있다.As a method of controlling the above reactive gas, there are (1) a method of discharging a reactive gas at a constant flow rate, (2) a method of discharging a reactive gas so as to maintain a pressure in a vacuum chamber at a constant pressure, (3) A method of discharging a reactive gas (impedance control) so that the impedance becomes constant, and (4) a method of discharging a reactive gas (plasma emission control) so that the plasma intensity of the sputtering becomes constant.

상기한 바와 같이 반응성 스퍼터링 등에 의해 금속 흡수층을 성막할 때, 스퍼터링 분위기가 되는 반응성 가스는 아르곤 등에 산소를 첨가한 혼합 가스가 된다. 이와 같이 산소를 포함한 반응성 가스 분위기 하에서 Ni계의 금속 타겟(금속재)을 이용하여 반응성 스퍼터링을 행함으로써, NiO막(완전히 산화되어 있는 것은 아님) 등을 형성할 수 있다. 반응성 가스 중의 적합한 산소 농도는, 성막 장치나 금속 타겟(금속재)의 종류에 따라 변할 수 있지만, 금속 흡수층에 있어서의 반사율 등의 광학 특성이나 에칭액에 의한 에칭성을 고려하여 적절하게 설정하면 좋고, 일반적으로는 15 체적% 이하가 바람직하다.As described above, when the metal absorption layer is formed by reactive sputtering or the like, a reactive gas which becomes a sputtering atmosphere becomes a mixed gas containing oxygen added to argon or the like. As described above, by performing reactive sputtering using a Ni-based metal target (metal material) in a reactive gas atmosphere containing oxygen, an NiO film (not completely oxidized) or the like can be formed. The suitable oxygen concentration in the reactive gas may vary depending on the type of the film forming apparatus or the metal target (metal material), but may be set appropriately in consideration of the optical characteristics such as the reflectance in the metal absorbing layer and the etching property by the etching liquid. By volume is preferably not more than 15% by volume.

투명 기판으로서의 장척 수지 필름(F) 측에서부터 세어 첫 번째 층의 금속 흡수층의 성막에 전술한 바와 같이 2개의 스퍼터링 캐소드(17, 18)를 사용하는 경우에는, 2쌍의 가스 방출 파이프(25a·25b, 26a·26b)로부터 반응성 가스를 도입하게 된다. 또한, 장척 수지 필름(F)의 양면에 각각 금속 흡수층과 금속층을 성막하는 경우는, 도 1에 도시된 바와 같이 권출 롤(11) 및 권취 롤(24)을 백색 화살표로 나타내는 반시계 방향으로 회전시켜 장척 수지 필름(F)의 한쪽 면에 성막하여 권취 롤(24)에 권취한 후, 이 권취된 롤을 권취 롤(24)로부터 떼어내어 권출 롤(11)에 부착하고, 권출 롤(11)을 도 1의 검정색 화살표로 나타내는 시계 방향으로 회전시킴과 더불어 권출 롤(11)로부터 프리 롤(12a)을 향해 점선과 같이 장척 수지 필름(F)을 권출함으로써 다른 한쪽 면에 성막하면 된다.In the case of using two sputtering cathodes 17 and 18 as described above for the formation of the first absorption layer of the first layer counted from the side of the elongate resin film F as the transparent substrate, two pairs of gas discharge pipes 25a and 25b , 26a and 26b. When the metal absorbing layer and the metal layer are formed on both sides of the elongate resin film F, the take-up roll 11 and the take-up roll 24 are rotated in the counterclockwise direction indicated by a white arrow, The film is wound on a winding roll 24 and is taken out of the winding roll 24 and attached to the winding roll 11. The winding roll 11 is wound around the winding roll 11, Is rotated in the clockwise direction indicated by the black arrow in Fig. 1 and the elongated resin film F is pulled out from the unwinding roll 11 toward the pre-roll 12a as indicated by the dotted line.

그런데, 상기한 스퍼터링 성막 등의 건식 도금에 이용되는 장척 수지 필름의 표면에는, 도금층과의 밀착성을 높이기 위해 이접착층이 형성되는 경우가 있다. 이접착층은 실란 화합물이나 이소시아네이트 화합물 등의 화합물을 도포함으로써 형성하는 화학적 형성법이나, 코로나 방전 등에 의해 표면의 구성 분자를 분해하거나 표면을 조면화하는 등으로 형성하는 기계적 형성법이 있다. 이 이접착층이 양면에 형성되어 있는 장척 수지 필름의 한쪽 면에 우선 제1 피막으로서 상기한 금속 흡수층과 금속층을 성막하고 나서 장척 수지 필름을 권취하면, 제1 피막과 장척 수지 필름의 다른 한쪽 미성막측의 표면이 접촉하여, 상기 이접착층이 제1 피막에 부분적으로 전사되는 등의 화학적인 영향을 제1 피막이 받을 우려가 있다. 이 과정에 대해서 이하에 상세히 설명한다.However, the adhesive layer may be formed on the surface of the elongated resin film used for the dry plating such as the sputtering film to improve the adhesion with the plating layer. This adhesive layer is formed by a chemical forming method formed by applying a compound such as a silane compound or an isocyanate compound or a mechanical forming method formed by decomposing constituent molecules on the surface by corona discharge or roughening the surface. When the metal absorbent layer and the metal layer are formed as the first film on one side of the elongate resin film on which the adhesive layer is formed on both sides and then the elongated resin film is wound, There is a possibility that the first coating is affected by chemical effects such as the partial adhesion of the adhesive layer to the first coating. This process will be described in detail below.

건식 도금법으로 장척 수지 필름에 성막하면 그 권취도 감압 분위기 하에서 행해진다. 그 때문에, 제1 피막이 성막된 장척 수지 필름을 권취했을 때, 제1 피막과 장척 수지 필름의 미성막 표면은 기체 분자가 거의 개재되지 않고 접촉한다. 또한, 권취된 장척 수지 필름은, 자신이 권취될 때의 반송 장력에 의해 조여진다. 이 경우의 반송 장력은 장척 수지 필름의 폭 방향에서 상이하고, 폭 방향의 양단부의 장력이 가장 약하고, 폭 방향의 중앙부가 가장 강하다. 즉, 제1 피막만이 성막된 장척 수지 필름을 성막 장치 내에서 권취하면, 제1 피막의 금속면과 이접착층이 접하는 부분의 접촉 상태가 장척 수지 필름의 폭 방향의 위치에 따라 상이하기 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이 폭 방향에서 색의 차이가 확인되는 경우가 있다. 또한, 제2 피막을 성막한 후의 권취에서는, 제2 피막과 제1 피막이 접하기 때문에, 상기한 폭 방향의 색의 차이의 문제는 발생하지 않는다.When the film is formed on a long resin film by a dry plating method, its winding is also performed in a reduced-pressure atmosphere. Therefore, when the elongate resin film on which the first film is formed is wound, the film surface of the first film and the film surface of the elongate resin film are in contact with each other without interposition of gas molecules. Further, the wound elongated resin film is tightened by the conveying tension when it is wound. The transporting tension in this case is different in the width direction of the elongate resin film, the tension at both end portions in the width direction is the weakest, and the central portion in the width direction is the strongest. That is, when the elongate resin film formed only of the first film is wound in the film forming apparatus, the contact state between the metal surface of the first film and the portion in contact with the adhesive layer varies depending on the position in the width direction of the long resin film, There is a case where a difference in color is recognized in the width direction as shown in Fig. Further, in the rewinding after forming the second film, since the second film and the first film are in contact with each other, the problem of the color difference in the width direction does not occur.

제1 피막의 표면에 상기한 폭 방향의 색의 차이가 확인되면, 제1 피막을 산화제 등의 약액에 의한 화학 에칭 등의 가공을 행할 때에 가공성에 차이가 생길 우려가 있다. 그래서, 도 1의 성막 장치에서는, 제2 피막을 성막한 후의 장척 수지 필름(F)을 권취하기 전에, 제1 피막의 표면을 드라이 에칭 수단(29)으로 드라이 에칭 처리할 수 있도록 되어 있다. 또한, 도 1의 성막 장치에서는 제1 피막을 드라이 에칭 처리하고 나서 제2 피막의 성막을 행하도록 되어 있지만, 제2 피막을 성막하고 나서 제1 피막을 드라이 에칭 처리하여도 좋다.When the difference in color in the width direction is confirmed on the surface of the first coating film, there is a possibility that there is a difference in workability when the first coating film is subjected to a chemical etching treatment or the like with a chemical solution such as an oxidizing agent. Thus, in the film forming apparatus of Fig. 1, the surface of the first coating film can be dry-etched by the dry etching means 29 before winding the elongated resin film F after the formation of the second coating film. In the film forming apparatus of Fig. 1, the film formation of the second film is performed after the first film is dry-etched, but the first film may be dry-etched after the second film is formed.

상기한 바와 같이 제1 피막을 드라이 에칭 처리함으로써 상기 제1 피막의 폭 방향의 색의 차이가 생긴 표면부를 제거할 수 있다. 이에 따라 장척 수지 필름의 폭 방향의 에칭성에 차이가 생기지 않게 된다. 드라이 에칭 처리에는, 제1 피막의 표면에 아르곤 이온 등을 부딪쳐서 행하는 역스퍼터링 처리, 플라즈마 조사 처리, 이온빔 조사 처리 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 지향성이 강하기 때문에 효율적으로 드라이 에칭 처리가 행해지므로 이온빔 조사 처리가 바람직하다. 또한, 제1 피막의 폭 방향의 색의 차이가 생긴 표면부가 제거되어 있다면, 제1 피막의 표면에 건식 도금이나 습식 도금으로 피막을 더 형성한 경우에도, 장척 수지 필름의 폭 방향에서 에칭성의 차이가 생기기 어려워지지만, 필요에 따라 제1 피막 위에 형성한 피막에 드라이 에칭 처리를 행하여도 좋다.As described above, the first coating film is subjected to the dry etching treatment to remove the surface portion in which the color difference in the width direction of the first coating film is generated. As a result, there is no difference in etchability in the width direction of the elongated resin film. The dry etching treatment includes an inverse sputtering treatment, a plasma irradiation treatment, and an ion beam irradiation treatment in which argon ions are hit against the surface of the first coating film. Of these, the ion beam irradiation treatment is preferable because the dry etching treatment is performed efficiently because of strong directivity. Even if the surface of the first coating film having a color difference in the width direction is removed, even if a coating film is formed by dry plating or wet plating on the surface of the first coating film, the difference in the etching property However, the film formed on the first coating film may be subjected to a dry etching treatment if necessary.

이온빔 처리는 피처리물인 장척 수지 필름에 대하여 이온원으로부터 이온을 조사함으로써 행해진다. 이온빔에 이용하는 가스 종에는, 산소, 아르곤, 질소, 이산화탄소, 또는 수증기를 이용할 수 있고, 이들 2종 이상의 혼합 가스를 이용하여도 좋다. 이온빔은 거의 직선형으로 조사되고, 조사되는 유효 폭이 처리를 받는 장척 수지 필름의 폭에 상당하도록 드라이 에칭 수단(29)을 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 이온빔의 조사 시간은 장척 수지 필름의 반송 속도에 의존한다. 이온빔 처리를 행하는 이온원에 공급하는 전력[W]은, 성막 장치의 구조나 제1 피막의 화학종 등에 의해 영향을 받기 때문에, 제1 피막의 가공성 등을 고려하여 적절하게 정하면 된다. 그 때, 하기 식 1로 정의되는 조사 전력[W/(m·m/min)]에 기초하여 이온원에 대한 공급 전력을 정하는 것이 바람직하다.The ion beam treatment is performed by irradiating ions from an ion source to a long resin film to be processed. As the gas species used for the ion beam, oxygen, argon, nitrogen, carbon dioxide, or steam may be used, or a mixture of two or more gases may be used. It is preferable to provide the dry etching means 29 such that the ion beam is irradiated almost linearly and the effective width to be irradiated corresponds to the width of the elongated resin film to be subjected to the treatment. The irradiation time of the ion beam depends on the conveying speed of the long resin film. The electric power [W] to be supplied to the ion source to be subjected to the ion beam treatment is appropriately determined in consideration of the workability and the like of the first coating, because it is influenced by the structure of the film forming apparatus and the chemical species of the first coating. At this time, it is preferable to determine the supply power to the ion source based on the irradiation power [W / (m · m / min)] defined by the following formula (1).

[식 1][Formula 1]

조사 전력=이온원에 대한 공급 전력[W]/(유효 폭[m]×반송 속도[m/min])Power supply = supply power to ion source [W] / (effective width [m] x conveying speed [m / min])

장척 수지 필름(F)에 성막한 제1 피막의 표면에 이온빔 처리를 행할 때에는, 그 반대쪽 부분을 냉각 롤(13)의 외주면에 접촉시켜 냉각하는 것이 바람직하다. 이온빔 처리는 지향성이 높아, 장척 수지 필름(F)의 이온빔 조사부가 국부적으로 고온이 되어 주름이 발생할 우려가 있기 때문이다. 또한, 이온빔 처리가 과잉되거나 냉각 롤(13)에 의한 냉각이 불충분한 경우도 주름이 생기기 쉬워지기 때문에, 이온빔의 공급 전력이나 냉매의 온도 등을 적절하게 조정하는 것이 바람직하다.When ion beam treatment is performed on the surface of the first coating film formed on the elongated resin film (F), it is preferable that the opposite portion is cooled by bringing it into contact with the outer peripheral surface of the cooling roll (13). This is because the ion beam treatment has high directivity and there is a possibility that the ion beam irradiating portion of the elongated resin film (F) becomes locally hot and wrinkles are generated. Further, even when the ion beam treatment is excessive or the cooling by the cooling roll 13 is insufficient, wrinkles tend to occur. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the supply power of the ion beam and the temperature of the coolant.

상기 성막 장치에 의해, 터치 패널용 등의 전극 기판 필름의 기재에 이용하는 적층 구조의 적층체 기판을 제작할 때, 품질의 편차를 억제할 수 있다. 이 적층체 기판은, 예컨대 도 3에 도시된 바와 같은 장척 수지 필름으로 이루어진 투명 기판(50)과, 이 투명 기판(50)의 양면에 상기 성막 장치에 의해 형성된 금속 흡수층(51) 및 금속층(52)으로 이루어진다.The film forming apparatus can suppress variation in quality when a laminate substrate having a laminated structure is used for a substrate of an electrode substrate film for a touch panel or the like. The laminated substrate includes a transparent substrate 50 made of a long resin film as shown in Fig. 3, a metal absorbing layer 51 formed on both surfaces of the transparent substrate 50 by the film forming apparatus, and a metal layer 52 ).

상기 적층체 기판에 적용되는 장척 수지 필름의 재질로서는 특별히 한정은 없지만, 적합하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리카보네이트(PC), 폴리올레핀(PO), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 및 노르보넨 등의 수지 재료로부터 선택된 수지 필름의 단체(單體) 혹은 상기 수지 재료로부터 선택된 수지 필름 단체와 이 단체의 편면 또는 양면을 덮는 아크릴계 유기막과의 복합체가 이용된다. 노르보넨 수지 재료에 대해서는 대표적인 것으로서 니폰제온사의 제오노아(상품명)나 JSR사의 아톤(상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 적층체 기판을 이용하여 제작되는 전극 기판 필름은 주로 터치 패널에 사용되기 때문에, 상기 수지 필름 중에서도 가시 파장 영역에서의 투명성이 우수한 것이 바람직하다.The material of the elongated resin film to be applied to the laminate substrate is not particularly limited, but preferably polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyarylate (PAR), polycarbonate (PC) PO), triacetyl cellulose (TAC) and norbornene, or a resin film single body selected from the resin material and a composite of an acrylic organic film covering one side or both sides of the same Is used. Representative examples of the norbornene resin material include Zeonoa (trade name) of Nippon Zeon and Aton (trade name) of JSR. Further, since the electrode substrate film produced using the laminate substrate according to the present invention is mainly used for a touch panel, it is preferable that the resin film has excellent transparency in the visible wavelength region.

상기한 금속 흡수층(51)은, Cu 단체, Ni 단체, 또는 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금으로 이루어진 금속재를 이용하여 산소를 포함하는 반응성 가스 분위기에 있어서 반응 성막법에 의해 성막하여 얻은 금속 산화물층으로 이루어지는 것이 바람직하다. Ni계 합금의 경우는, Ni-Cu 합금이 바람직하다.The metal absorbing layer 51 may be formed of at least one element selected from the group consisting of Cu, Ni, Ni, and Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, And a metal oxide layer formed by a reactive film formation method in a reactive gas atmosphere containing oxygen using a metal material made of an added Ni-based alloy. In the case of Ni-based alloys, Ni-Cu alloys are preferred.

한편, 금속층(52)은 일반적인 불활성 가스 분위기에서 성막할 수 있고, 그 구성 재료로는, 전기 저항치가 낮은 금속이라면 특별히 한정되지 않고, 예컨대, Cu 단체, 혹은 Cu에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Cu계 합금, 또는 Ag 단체, 혹은 Ag에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Cu로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ag계 합금을 들 수 있고, 이들 중에서는 Cu 단체가 회로 패턴의 가공성이나 저항치의 관점에서 바람직하다.On the other hand, the metal layer 52 can be formed in a general inert gas atmosphere, and the constituent material thereof is not particularly limited as long as it is a metal having a low electric resistance value. For example, A Cu-based alloy to which at least one element selected from Ta, Si, Cr and Ag is added, or an Ag-based alloy, or a mixture of at least one element selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, , And among them, Cu alone is preferable from the viewpoints of workability and resistance value of a circuit pattern.

금속 흡수층(51)의 막 두께는 15∼30 ㎚ 정도가 바람직하다. 금속층의 막 두께는 전기 특성에 영향을 미치기 때문에 광학적인 요건만으로 결정되는 것은 아니지만, 투과광을 측정할 수 없는 레벨의 막 두께로 설정하는 것이 바람직하다. 일반적으로는 금속층의 막 두께를 50∼5000 ㎚로 하는 것이 바람직하고, 금속층을 배선 패턴으로 가공하는 가공성의 관점에서는 3 ㎛(3000 ㎚) 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the metal absorbing layer 51 is preferably about 15 to 30 nm. Since the film thickness of the metal layer affects the electrical characteristics, it is not determined only by optical requirements, but it is preferable to set the film thickness to a level at which the transmitted light can not be measured. In general, the thickness of the metal layer is preferably 50 to 5000 nm, and more preferably 3 m (3000 nm) or less from the viewpoint of processability of processing the metal layer into a wiring pattern.

또한, 상기한 건식 도금법에 의한 금속층(52) 위에 전기 도금법 등의 습식 도금법에 의해 금속층을 더 형성하여 후막화하여도 좋다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 장척 수지 필름으로 이루어진 투명 기판(50)의 양면에 건식 도금법에 의해 금속 흡수층(51) 및 금속층(52)을 형성한 후, 이 금속층(52) 위에 습식 도금법에 의해 금속층(53)을 형성하여도 좋다.Further, a metal layer may be further formed on the metal layer 52 by the above-mentioned dry plating method by a wet plating method such as an electroplating method to form a thick film. 4, a metal absorbing layer 51 and a metal layer 52 are formed on both sides of a transparent substrate 50 made of a long resin film by a dry plating method and then a wet plating method is applied on the metal layer 52 The metal layer 53 may be formed.

상기한 금속층(53) 위에 제2 금속 흡수층을 더 형성하여도 좋다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 장척 수지 필름으로 이루어진 투명 기판(50)의 양면에 건식 도금법에 의해 예컨대 막 두께 15∼30 ㎚의 금속 흡수층(51)과 예컨대 막 두께 50∼1000 ㎚의 금속층(52)을 형성한 후, 습식 도금법에 의해 금속층(53)을 형성하고, 이 금속층(53) 위에 건식 도금법에 의해 예컨대 막 두께 15∼30 ㎚의 제2 금속 흡수층(54)을 형성하여도 좋다. 이 제2 금속 흡수층은, 상기 금속 흡수층(51)과 마찬가지로 Cu 단체, Ni 단체, 또는 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu, Zn으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금으로 이루어진 금속재를 이용하여 산소를 포함하는 반응성 가스 분위기에서 반응 성막법에 의해 성막함으로써 얻어진다.A second metal absorption layer may be further formed on the metal layer 53. [ 5, a metal absorption layer 51 having a thickness of 15 to 30 nm and a metal layer 51 having a thickness of 50 to 1000 nm, for example, are formed on both surfaces of a transparent substrate 50 made of a long resin film by a dry plating method, A metal layer 53 may be formed by a wet plating method and a second metal absorption layer 54 having a thickness of 15 to 30 nm may be formed on the metal layer 53 by a dry plating method . The second metal absorbing layer is composed of a single element selected from the group consisting of Cu, Ni, or Ni, such as Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, By the reactive film formation method in a reactive gas atmosphere containing oxygen using a metal material made of a Ni-based alloy to which the above elements are added.

이와 같이 건식 도금법과 습식 도금법에 의해 후막화한 금속층의 양면에 금속 흡수층을 형성함으로써, 이 적층체 기판을 이용하여 제작한 전극 기판 필름을 터치 패널에 내장했을 때에 금속제 적층 세선으로 이루어진 메쉬 구조의 회로 패턴을 반사에 의해 보이기 어렵게 할 수 있다. 또한, 장척 수지 필름으로 이루어진 투명 기판의 편면에만 금속 흡수층 및 금속층을 형성하여 얻은 적층체 기판을 이용하여 전극 기판 필름을 제작한 경우에도, 상기 투명 기판으로부터 회로 패턴을 보이기 어렵게 할 수 있다.By forming the metal absorption layer on both surfaces of the metal layer thickened by the dry plating method and the wet plating method in this way, when the electrode substrate film produced by using the laminate substrate is embedded in the touch panel, The pattern can be made difficult to be seen by reflection. Further, even when an electrode substrate film is produced using a laminate substrate obtained by forming a metal absorbing layer and a metal layer only on one side of a transparent substrate made of a long resin film, it is possible to make the circuit pattern hard to be seen from the transparent substrate.

또한, 반응 성막법으로 성막한 금속 흡수층을 구성하는 금속 산화물의 산화가 지나치게 진행되면 금속 흡수층이 투명해져 버리기 때문에, 시각적으로 흑화막이 되는 정도의 산화 레벨로 억제하는 것이 바람직하다. 반응 성막법으로 금속 흡수층을 성막하면, 각 금속 원소는 산소 원자와 부정비의 화합물을 형성하고, 이러한 부정비의 산화물에 의해 시각적으로는 흑색으로 보인다.Further, since the metal absorbing layer becomes transparent when the oxidation of the metal oxide constituting the metal absorbing layer formed by the reactive film forming method proceeds excessively, it is preferable to suppress the oxidation level to such an extent that it becomes a blackening film visually. When the metal absorption layer is formed by the reactive film formation method, each metal element forms a compound of an oxygen atom and an inferior proportion, and it appears visually black due to the oxide of this improper ratio.

상기 반응 성막법으로는, 도 1에 도시된 바와 같은 마그네트론 스퍼터링 캐소드(17∼20)를 이용한 스퍼터링법 외에, 이온빔 스퍼터링, 진공 증착, 이온 플레이팅, CVD 등의 건식 도금법이 있다. 금속 흡수층의 각 파장에 있어서의 광학 상수(굴절률, 소광 계수)는, 반응의 정도, 즉 산화도에 크게 영향을 받고, Ni계 합금으로 이루어진 금속재만으로 결정되는 것은 아니다. 또한, Ni-Cu 합금의 경우는 Ni와 Cu의 배합 비율에 따라서는 반응 성막법을 이용하지 않는 방법(즉 반응성 가스를 이용하지 않는 성막법)만으로도 흑색막으로 시인되는 금속 흡수층이 성막되는 경우가 있다.As the reactive film forming method, there are a dry plating method such as ion beam sputtering, vacuum deposition, ion plating, and CVD in addition to the sputtering method using the magnetron sputtering cathodes 17 to 20 as shown in FIG. The optical constants (refractive index, extinction coefficient) at each wavelength of the metal absorption layer are greatly affected by the degree of reaction, that is, the degree of oxidation, and are not determined solely by the metal material of the Ni-based alloy. In the case of Ni-Cu alloy, depending on the mixing ratio of Ni and Cu, there is a case where a metal absorption layer which is visible with a black film is formed only by a method which does not use a reactive film formation method (that is, a film formation method without using a reactive gas) have.

상기에서 제작한 적층체 기판의 적층막을 패터닝 가공하여 선폭이 예컨대 20 ㎛ 이하인 금속제의 적층 세선을 형성함으로써, 전극 기판 필름을 얻을 수 있다. 구체적으로는, 도 5에 도시된 적층체 필름의 적층막을 후술하는 에칭 처리 등으로 패터닝 가공함으로써 도 6에 도시된 바와 같은 전극 기판 필름을 얻을 수 있다. 이 도 6에 도시된 전극 기판 필름은, 수지 필름으로 이루어진 투명 기판(50)의 양면에 형성된 예컨대 선폭 20 ㎛ 이하의 금속제의 적층 세선으로 이루어진 메쉬 구조의 회로 패턴을 가지며, 이 금속제의 적층 세선은 투명 기판(50)측에서부터 세어 첫 번째 층의 금속 흡수층(51a)과, 두 번째 층의 금속층(52a, 53a)과, 세 번째 층의 제2 금속 흡수층(54a)으로 구성되어 있다.The electrode substrate film can be obtained by patterning the laminate film of the laminate substrate produced above to form laminated thin wires made of metal having a line width of 20 mu m or less, for example. Specifically, the electrode substrate film as shown in Fig. 6 can be obtained by patterning the laminated film of the laminated film shown in Fig. 5 by etching treatment or the like to be described later. The electrode substrate film shown in Fig. 6 has a circuit pattern of a mesh structure formed of laminated fine wires made of metal having a line width of 20 mu m or less, formed on both surfaces of a transparent substrate 50 made of a resin film, The first metal absorption layer 51a, the second metal layer 52a and the third metal absorption layer 53a and the second metal absorption layer 54a of the third layer counted from the transparent substrate 50 side.

이와 같이 전극 기판 필름의 전극(배선) 패턴을 스트라이프 형상 혹은 격자 형상으로 함으로써 터치 패널에 이용할 수 있다. 이와 같이 하여 전극(배선) 패턴으로 배선 가공된 금속제의 적층 세선은, 적층체 기판의 적층 구조를 유지하고 있기 때문에, 고휘도 조명 하에 있어서도 투명 기판에 설치된 전극 등의 회로 패턴이 매우 시인되기 어려운 특징을 갖고 있다. 즉, 아르곤에 산소를 첨가하여 얻은 반응성 가스 분위기에서 반응성 스퍼터링 성막하면, 금속 흡수층으로서 흑색막을 얻을 수 있기 때문에 조사되었을 때에 광의 반사율을 낮게 억제하는 것이 가능해지고, 따라서 금속 흡수층을 에칭 가공하여 얻은 전극 등의 회로 패턴은 고휘도 조명 하에 있어서 시인되기 어려워진다.As described above, the electrode (wiring) pattern of the electrode substrate film can be used in a touch panel by making it stripe or lattice. The laminated fine metal wire formed by wiring in the electrode (wiring) pattern in this way maintains the laminated structure of the laminate substrate, so that the circuit pattern of the electrode or the like provided on the transparent substrate is hardly visually observed even under high luminance illumination I have. That is, when the reactive sputtering film formation is performed in a reactive gas atmosphere obtained by adding oxygen to argon, a black film can be obtained as a metal absorption layer, so that the reflectance of light can be suppressed to a low level when irradiated. The circuit pattern of FIG.

상기한 적층체 기판을 패터닝 가공하여 전극 기판 필름을 형성하는 방법으로는, 공지된 서브트랙티브법을 들 수 있다. 서브트랙티브법은 적층체 기판의 적층막 표면에 포토레지스트막을 형성하고, 전극 패턴을 형성하고 싶은 지점에 포토레지스트막이 남도록 노광 및 현상 처리를 행하고, 포토레지스트막으로부터 노출되어 있는 적층막 부분을 화학 에칭에 의해 제거하여, 전극 패턴을 형성하는 방법이다. 상기 화학 에칭의 에칭액으로는, 염화제2철 수용액이나 염화제2구리 수용액을 이용할 수 있다.As a method of forming the electrode substrate film by patterning the above-mentioned laminate substrate, there is known a subtractive method. In the subtractive method, a photoresist film is formed on the surface of a laminated film of a laminate substrate, exposure and development are performed so that a photoresist film is left at a position where an electrode pattern is to be formed, and a laminated film portion exposed from the photoresist film is chemically And then removed by etching to form an electrode pattern. As the etching solution for the chemical etching, a ferric chloride aqueous solution or an aqueous cupric chloride solution can be used.

이상, 본 발명의 일 구체예의 전극 기판 필름용 적층체 기판의 제조 방법에 대해서 설명하였으나, 적층체 기판의 용도는 터치 패널용 전극 기판 필름에 한정되지 않고, 플렉시블 배선 기판 등에도 이용할 수 있다. 적층체 기판을 플렉시블 배선 기판에 이용하는 경우에는, 적층체 기판은, 제1 피막 및 제2 피막이 각각 적어도 2층의 적층 구조로서, 예컨대 첫 번째 층은 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금층이고, 두 번째 층은 구리층으로 이루어진 금속층으로 구성되는 것이 바람직하다.As described above, the method of manufacturing the laminate substrate for an electrode substrate film of one embodiment of the present invention has been described. However, the use of the laminate substrate is not limited to the electrode substrate film for a touch panel, but can also be used for a flexible wiring substrate. When the laminate substrate is used as a flexible wiring substrate, the laminate substrate has a laminate structure of at least two layers each of the first film and the second film. For example, the first layer is made of Ti, Al, V, W, Ta, A Ni-based alloy layer to which at least one element selected from the group consisting of Si, Cr, Ag, Mo, Cu and Zn is added, and the second layer is preferably composed of a metal layer made of a copper layer.

이 두 번째 층의 금속층 위에는 세 번째 층이 더 형성되어 있어도 좋고, 이 세 번째 층은 예컨대 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 제2 Ni계 합금층으로 이루어진 것이 바람직하다. 이들 제1 및 제2 Ni 합금층은 Ni-Cr계 합금이 바람직하고, 그 막 두께는 적합하게는 3∼50 ㎚이다. 또한, 구리층의 막 두께는 50 ㎚ 이상이 바람직하고, 15 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 장척 수지 필름에는, 전기 기판 필름용 적층체 필름으로 이용한 투명 기판을 구성하는 수지 필름 외에, 투명성이 요구되지 않는 경우는 착색된 필름을 이용할 수 있다. 예컨대, 폴리이미드 필름 등의 수지 필름을 이용할 수 있다.A third layer may be further formed on the metal layer of the second layer. For example, the third layer may be formed from a group consisting of Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, And a second Ni-based alloy layer to which at least one selected element is added. The first and second Ni alloy layers are preferably Ni-Cr alloy, and the film thickness thereof is suitably 3 to 50 nm. Further, the film thickness of the copper layer is preferably 50 nm or more, more preferably 15 m or less. In addition to the resin film constituting the transparent substrate used as the laminate film for the electric substrate film, a colored film can be used for the long resin film when transparency is not required. For example, a resin film such as a polyimide film can be used.

실시예Example

도 1에 도시된 바와 같은 성막 장치(스퍼터링 웹 코터)를 이용하여, 산소 가스를 포함한 반응성 가스 분위기에서 반응 스퍼터링을 행함으로써 장척 수지 필름(F)의 양면에 각각 제1 피막 및 제2 피막을 성막하였다. 구체적으로 설명하면, 캔 롤(16)에는, 외경 600 ㎜, 폭 750 ㎜의 스테인레스제의 원통 부재를 이용하고, 그 표면에 하드 크롬 도금을 행하였다. 전피드 롤(15)과 후피드 롤(21)은 각각 외경 150 ㎜, 폭 750 ㎜의 스테인레스제의 원통 부재를 이용하고, 그 표면에 하드 크롬 도금을 행하였다. 마그네트론 스퍼터링 캐소드(17, 18)에는 금속 흡수층용 Ni-Cu 타겟을 부착하고, 마그네트론 스퍼터링 캐소드(19, 20)에는 금속층용 Cu 타겟을 부착하였다.Reactive sputtering was performed in a reactive gas atmosphere containing oxygen gas using a film forming apparatus (sputtering web coater) as shown in Fig. 1 to deposit the first coating film and the second coating film on both sides of the elongate resin film F, Respectively. Specifically, a cylindrical member made of stainless steel having an outer diameter of 600 mm and a width of 750 mm was used for the can roll 16, and its surface was hard chrome plated. The feed roll 15 and the post feed roll 21 each used a cylindrical member made of stainless steel having an outer diameter of 150 mm and a width of 750 mm and hard chrome plating was performed on the surface thereof. A Ni-Cu target for a metal absorption layer was attached to the magnetron sputtering cathodes 17 and 18, and a Cu target for the metal layer was attached to the magnetron sputtering cathodes 19 and 20.

투명 기판을 구성하는 장척 수지 필름(F)에는, 폭 600 ㎜, 길이 1200 m의 PET 필름을 이용하였다. 이것을 권출 롤(11)에 세트하고, 그 선단부를 각종 롤 군을 경유하여 권취 롤(24)에 감았다. 캔 롤(16)에 순환시키는 냉매는 0℃에서 온도 제어하였다. 이 상태에서, 진공 챔버(10) 내부를 복수 대의 드라이 펌프에 의해 5 Pa까지 배기한 후, 복수 대의 터보 분자 펌프와 쿠라이오 코일을 이용하여 1×10^-4 Pa까지 배기하였다. 그리고, 장척 수지 필름(F)을 반송 속도 2 m/분으로 반송하여 스퍼터링 성막을 행하였다.For the elongated resin film (F) constituting the transparent substrate, a PET film having a width of 600 mm and a length of 1200 m was used. This was set in the unwinding roll 11, and the leading end thereof was wound around the winding roll 24 via various roll groups. The temperature of the refrigerant circulated in the can roll 16 was controlled at 0 占 폚. In this state, the inside of the vacuum chamber 10 was evacuated to 5 Pa by a plurality of dry pumps, and exhausted to 1 x 10 < ^-4 > Pa using a plurality of turbo molecular pumps and a cryo coil. Then, a long resin film (F) was transported at a transporting speed of 2 m / min to perform sputtering film formation.

스퍼터링 성막시에, 금속 흡수층의 성막을 행하는 마그네트론 스퍼터링 캐소드(17, 18)에서는, 그 근방에 각각 배치되어 있는 가스 방출 파이프(25a·25b, 26a·26b)로부터 아르곤 가스를 300 sccm, 산소 가스를 15 sccm의 유량으로 도입하고, 막 두께 30 ㎚의 Ni-Cu 산화층을 얻을 수 있도록 전력 제어를 행하였다. 한편, 금속층(구리층)의 성막을 행하는 마그네트론 스퍼터링 캐소드(19, 20)에서는, 그 근방에 각각 배치되어 있는 가스 방출 파이프(27a·27b, 28a·28b)로부터 아르곤 가스를 300 sccm의 유량으로 도입하고, 막 두께 80 ㎚의 Cu층을 얻을 수 있도록 전력 제어를 행하였다.At the magnetron sputtering cathodes 17 and 18 for forming the metal absorption layer at the time of sputtering deposition, argon gas and oxygen gas were supplied from the gas discharge pipes 25a and 25b and 26a and 26b, respectively, 15 sccm, and power control was performed so as to obtain a Ni-Cu oxide layer having a film thickness of 30 nm. On the other hand, in the magnetron sputtering cathodes 19 and 20 for forming the metal layer (copper layer), argon gas is introduced at a flow rate of 300 sccm from the gas discharge pipes 27a and 27b, 28a and 28b, And power control was performed so as to obtain a Cu layer with a film thickness of 80 nm.

장척 수지 필름(F)의 편면에 제1 피막의 성막이 완료된 후, 진공 챔버(10)에 대기를 도입하고, 권취된 장척 수지 필름을 권취 롤(24)로부터 떼어내어 권출 롤(11)에 세트하였다. 그리고, 제1 피막의 성막의 경우와 동일한 방법으로 진공 배기를 행한 후, 반송 속도 2 m/분으로 장척 수지 필름(F)을 반송하고, 하기의 이온빔 처리를 행한 것을 제외하고 상기 제1 피막의 성막의 경우와 동일하게 하여 제2 피막의 성막을 행하였다.After the film formation of the first film is completed on one side of the long resin film F, air is introduced into the vacuum chamber 10 and the wound long resin film is removed from the winding roll 24 and set on the unwinding roll 11 Respectively. Then, the long-side resin film (F) was transported at a transporting speed of 2 m / min after performing vacuum evacuation in the same manner as the film formation of the first film, The film formation of the second coating film was performed in the same manner as in the film formation.

즉, 이 제2 피막의 성막에서는 상기 제1 피막의 성막의 경우와 달리, 장척 수지 필름(F)에 대하여 0℃로 온도 제어된 냉매가 순환하는 냉각 롤(13)로 냉각시키면서 드라이 에칭 수단(29)으로서의 이온원을 기동시켜, 이온빔용 가스의 공급량 100 sccm으로 제1 피막의 성막면측에 이온빔 처리를 행하였다. 또한, 드라이 에칭 처리 조건을 바꿨을 때의 효과를 조사하기 위해, 일정한 시간마다 이온원에 대한 공급 전력 및 이온빔용 공급 가스의 종류를 바꾸어 이온빔 처리를 행하였다. 또한, 비교를 위해, 이온원을 정지함과 더불어 이온빔용 공급 가스를 공급하지 않는 조건으로 제2 피막의 성막을 행하였다.That is, unlike the case of forming the first coating film, the film formation of the second coating film is carried out by means of a dry etching method ((a)) by cooling with a cooling roll 13 in which a refrigerant, 29) was activated, and the ion beam treatment was performed on the deposition surface side of the first coating film at a supply amount of 100 sccm of the ion beam gas. Further, in order to investigate the effect when the dry etching treatment conditions were changed, the supply power to the ion source and the kind of the supply gas for the ion beam were changed every predetermined time to perform the ion beam treatment. For comparison, the film formation of the second coating film was performed under the condition that the ion source was stopped and the supply gas for the ion beam was not supplied.

제2 피막의 성막이 완료된 후, 권취된 적층체 기판을 대기 중에서 권출하여, 제1 피막의 폭 방향의 양단의 색의 차이를 육안으로 확인하였다. 다음에, 제1 피막과 제2 피막의 양쪽에 전기 도금으로 구리 두께가 1 ㎛가 되도록 성막하고, 재차 성막 장치에 의해 상기와 동일한 방법으로 제1 피막 및 제2 피막 위에 막 두께 30 ㎚의 제2 금속 흡수층을 성막하였다. 또한, 이 제2 금속 흡수층의 성막시에는 이온빔 처리는 행하지 않았다. 이와 같이 하여, 투명 기판의 양면에 이 투명 기판에서부터 세어 첫 번째 층의 금속 흡수층으로서의 Ni-Cu 산화막과 두 번째 층의 금속층으로서의 Cu막과 세 번째 층의 제2 금속 흡수층으로서의 Ni-Cu 산화막으로 이루어진 적층막이 적층된 시료 1∼7의 적층체 기판을 제조하였다.After the film formation of the second film was completed, the wound-up laminate substrate was taken out from the atmosphere and the difference in color between both ends in the width direction of the first film was visually confirmed. Subsequently, a film having a copper thickness of 1 占 퐉 was electroplated on both the first coating film and the second coating film, and a film of 30 nm thickness was formed on the first coating film and the second coating film by the film- 2 metal absorption layer was formed. In addition, ion beam treatment was not performed at the time of forming the second metal absorbing layer. In this manner, on both sides of the transparent substrate, a Ni-Cu oxide film serving as a first-layer metal absorption layer, a Cu film serving as a second-layer metal layer, and a Ni-Cu oxide film serving as a second- A laminate substrate of samples 1 to 7 in which the laminated films were laminated was prepared.

얻어진 시료 1∼7의 적층체 기판의 각각에 대하여, 성막을 시작하고 나서 100 m, 500 m 및 900 m의 위치를 샘플링하고, 에칭액으로 염화제2철 수용액을 이용하여 에칭함으로써 에칭성의 평가를 행하였다. 평가 기준으로는, 폭 방향의 중앙부와 단부로부터 50 ㎜ 부분과의 에칭 속도차가 3초 미만인 경우는 「합격」이라고 판단하고, 이 속도차가 3초 이상인 경우는 「불합격」이라고 판단하였다. 또한, 육안으로 주름 발생의 유무를 확인하였다. 이들 평가 결과를, 상기한 육안으로 확인함에 따른 색의 차이의 평가 및 이온원으로의 공급 전력과 그 값으로부터 식 1을 이용하여 산출한 조사 전력과 함께 하기 표 1에 나타낸다.Each of the obtained laminated substrates of Samples 1 to 7 was sampled at positions of 100 m, 500 m, and 900 m after film formation was started, and etched using an aqueous ferric chloride solution as an etching solution to evaluate the etching property Respectively. As an evaluation criterion, when the etching rate difference between the central portion in the width direction and the 50 mm portion from the end portion was less than 3 seconds, it was judged to be " acceptable ", and when the difference in speed was 3 seconds or more, the judgment was rejected. The presence or absence of wrinkles was visually confirmed. These evaluation results are shown in the following Table 1 together with the evaluation of the difference in color due to visual confirmation, and the power supplied to the ion source and the irradiation power calculated from Equation 1 from the value.

시료sample 공급 가스Supply gas 공급 전력
[W]Power supply
[W] 조사 전력
[W/(mㆍm/min)]Survey power
[W / (m? M / min)] 외관 검사
(색 차이의 유무)Visual inspection
(Presence or absence of color difference) 에칭성 평가
(합격수/시험수)Etchability evaluation
(Pass / Number of Tests) 주름
유무wrinkle
The presence or absence 1One 산소Oxygen 20002000 16671667 없음none 3/33/3 없음none 22 산소Oxygen 10001000 833833 없음none 3/33/3 없음none 33 산소Oxygen 500500 417417 없음none 3/33/3 없음none 44 아르곤argon 10001000 833833 없음none 3/33/3 없음none 55 아르곤argon 300300 250250 없음none 3/33/3 없음none 66 질소nitrogen 10001000 833833 없음none 3/33/3 없음none *7* 7 공급하지
않음Do not supply
Not -- -- 양단부에 있음At both ends 0/30/3 없음none

(주) 표 안의 *를 붙인 시료는 비교예이다.(Note) Samples marked with * in the table are comparative examples.

상기 표 1로부터, 제1 피막의 성막면측에 이온빔 처리를 행한 시료 1∼6에서는 모두 색의 차이를 갖고 있지 않고, 또한, 에칭성도 양호한 것을 알 수 있다. 이것에 대하여 이온빔 처리를 행하지 않은 시료 7에서는 주름의 발생은 시료 1∼6과 마찬가지로 확인되지 않았지만, 제1 피막의 양단부에 색의 차이가 확인되었다. 또한, 에칭성의 평가에서는 시료 7은 샘플 전부에서 불합격이 되었다.It can be seen from Table 1 that the samples 1 to 6 subjected to the ion beam treatment on the film formation surface side of the first coating do not have any color difference and are also excellent in etching property. On the other hand, in Sample 7 in which ion beam treatment was not performed, generation of wrinkles was not confirmed in the same manner as Samples 1 to 6, but a difference in color was observed at both ends of the first coating. Further, in the evaluation of the etching property, the sample 7 was rejected from all the samples.

F : 장척 수지 필름
10 : 진공 챔버
11 : 권출 롤
12a, 12b, 23 : 프리 롤
13 : 냉각 롤
14, 22 : 장력 센서 롤
15 : 전피드 롤
16 : 캔 롤
17, 18, 19, 20 : 마그네트론 스퍼터링 캐소드
21 : 후피드 롤
24 : 권취 롤
25a·25b, 26a·26b, 27a·27b, 28a·28b : 가스 방출 파이프
29 : 드라이 에칭 수단
50 : 수지 필름(투명 기판)
51 : 금속 흡수층
52 : 건식 성막법에 의한 금속층(구리층)
53 : 습식 성막법에 의한 금속층(구리층)
54 : 제2 금속 흡수층
51a : 패터닝 가공된 금속 흡수층
52a : 패터닝 가공된 건식 성막법으로 형성된 금속층(구리층)
53a : 습식 성막법으로 형성된 금속층(구리층)
54a : 패터닝 가공된 제2 금속 흡수층F: long plastic film
10: Vacuum chamber
11: unwinding roll
12a, 12b, and 23:
13: cooling roll
14, 22: tension sensor roll
15: Feed roll
16: Can roll
17, 18, 19, 20: Magnetron sputtering cathode
21: Post-feed roll
24: Winding roll
25a, 25b, 26a, 26b, 27a, 27b, 28a, 28b:
29: Dry etching means
50: Resin film (transparent substrate)
51: metal absorbing layer
52: Metal layer (copper layer)
53: A metal layer (copper layer)
54: second metal absorbing layer
51a: patterned metal absorbing layer
52a: a metal layer (copper layer) formed by the patterning-processed dry film-forming method;
53a: a metal layer (copper layer) formed by a wet film formation method;
54a: a patterned second metal absorbing layer

Claims

롤투롤로 반송되는 장척 수지 필름의 양면에 건식 도금법으로 제1 피막 및 제2 피막을 각각 성막하는 성막 방법으로서, 상기 장척 수지 필름의 한쪽 면에 상기 제1 피막을 성막한 후의 제1회째 권취와, 상기 제1 피막이 성막된 장척 수지 필름의 다른 쪽 면에 제2 피막을 성막한 후의 제2회째의 권취 사이에 상기 제1 피막의 표면을 드라이 에칭 처리하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.There is provided a film forming method for depositing a first coating film and a second coating film on both sides of a long resin film to be transported by a roll-to-roll process by a dry plating method, the method comprising a first winding after the first coating film is formed on one side of the long resin film, Wherein the surface of the first coating film is subjected to dry etching treatment during a second winding operation after the second coating film is formed on the other surface of the elongate resin film on which the first coating film has been formed.

제1항에 있어서, 상기 드라이 에칭 처리가 이온빔 조사인 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film forming method according to claim 1, wherein the dry etching treatment is ion beam irradiation.

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 드라이 에칭 처리를 행하고 있을 때에 그 반대쪽 부분을 냉각 롤에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film forming method according to claim 1 or 2, wherein a portion opposite to the dry etching process is brought into contact with the cooling roll.

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 건식 도금법이 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film forming method according to claim 1 or 2, wherein the dry plating method is a sputtering method.

제3항에 있어서, 상기 건식 도금법이 스퍼터링법인 것을 특징으로 하는 성막 방법.The film forming method according to claim 3, wherein the dry plating method is a sputtering method.

장척 수지 필름의 양면에 각각 제1 피막 및 제2 피막을 성막하는 적층체 기판의 제조 방법으로서,
상기 제1 피막 및 제2 피막의 각각은 적어도 2층의 적층 구조를 갖고 있고, 제1항 또는 제2항에 기재된 성막 방법에 의해 이들 제1 피막 및 제2 피막을 성막하는 것을 특징으로 하는 적층체 기판의 제조 방법.A method for producing a laminate substrate in which a first coating film and a second coating film are formed on both surfaces of a long resin film,
Wherein each of the first coating film and the second coating film has a laminated structure of at least two layers, and the first coating film and the second coating film are formed by the film forming method according to any one of claims 1 or 2, A method of manufacturing a body substrate.

제6항에 있어서, 상기 적층 구조는, 장척 수지 필름에서부터 세어 첫 번째 층이 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금층이고, 두 번째 층이 구리층인 것을 특징으로 하는 적층체 기판의 제조 방법.The multilayer structure according to claim 6, wherein the first layer counted from the elongate resin film is one layer selected from the group consisting of Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Wherein the first layer is a Ni-based alloy layer to which at least two elements are added, and the second layer is a copper layer.

제7항에 있어서, 상기 두 번째 층 위에 세 번째 층으로서 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 제2 Ni계 합금층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체 기판의 제조 방법.The method according to claim 7, wherein at least one element selected from the group consisting of Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu and Zn is added to Ni as a third layer on the second layer And a second Ni-based alloy layer formed on the first Ni-based alloy layer.

제6항에 있어서, 상기 적층 구조는, 장척 수지 필름에서부터 세어 첫 번째 층이, Cu 단체, Ni 단체, 또는 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금으로 이루어진 금속재를 이용하여 산소를 포함하는 반응성 가스 분위기에서 반응 성막법에 의해 성막되는 금속 흡수층이며, 두 번째 층이 불활성 가스 분위기에서 성막한 구리층인 것을 특징으로 하는 적층체 기판의 제조 방법.7. The method according to claim 6, wherein the laminate structure is a laminate structure in which the first layer counted from the elongated resin film is composed of at least one of Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu, Zn in a reactive gas atmosphere containing oxygen by using a metal material made of a Ni-based alloy to which at least one element selected from the group consisting of Zn, Ti, and Zn is added, and the second layer is a metal- Wherein the copper layer is a copper layer formed on the substrate.

제9항에 있어서, 상기 두 번째 층 위에 세 번째 층으로서 Cu 단체, Ni 단체, 또는 Ni에 Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 첨가된 Ni계 합금으로 이루어진 금속재를 이용하여 산소를 포함하는 반응성 가스 분위기에서 반응 성막법에 의해 성막되는 제2 금속 흡수층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체 기판의 제조 방법.11. The method of claim 9, wherein the second layer is selected from the group consisting of Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, Cu and Zn as a third layer Wherein a second metal absorbing layer is formed by a reactive film forming method in a reactive gas atmosphere containing oxygen by using a metal material made of a Ni-based alloy to which at least one element selected from the group consisting of Ni, Way.