KR20170093701A - Curable composition, method for producing curable composition, and semiconductor device - Google Patents

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다까시 니시무라
시게루 나까무라
히로시 마에나까
다꾸지 아오야마
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

도포성이 우수하고, 방열성, 유연성 및 내습성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 경화성 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 경화성 조성물은, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 경화제와, 구상 알루미나와, 분산제를 포함하고, 상기 분산제의 아민가가 5KOHmg/g 이상이고, 또한 상기 분산제의 산가가 5KOHmg/g 이상이다.Provided is a curable composition which is excellent in coating property and can obtain a cured product excellent in heat radiation property, flexibility and moisture resistance. The curable composition according to the present invention comprises a flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, a curing agent, spherical alumina and a dispersant, wherein the dispersant has an amine value of 5 KOHmg / g or more, The acid value of the dispersant is 5 KOHmg / g or more.

Description

경화성 조성물, 경화성 조성물의 제조 방법 및 반도체 장치{CURABLE COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURABLE COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a curable composition, a method for producing the curable composition,

본 발명은 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용되는 경화성 조성물 및 경화성 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element and a method for producing the curable composition for protecting the semiconductor element. The present invention also relates to a semiconductor device using the above-mentioned curable composition.

반도체 장치의 고성능화가 진행되고 있다. 이에 수반하여 반도체 장치로부터 발해지는 열을 방산시킬 필요가 높아지고 있다. 또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자의 전극은, 예를 들어 전극을 표면에 갖는 다른 접속 대상 부재에 있어서의 전극과 전기적으로 접속되어 있다.The performance of semiconductor devices has been improved. Accordingly, there is an increasing need to dissipate heat generated from the semiconductor device. Further, in the semiconductor device, the electrode of the semiconductor element is electrically connected to, for example, an electrode in another member to be connected having an electrode on its surface.

반도체 장치에서는, 예를 들어 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 에폭시 수지 조성물을 배치한 후, 해당 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재가 접착 및 고정되어 있다. 또한, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되는 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물은, 반도체 소자의 표면을 보호하기 위한 재료와는 상이하다.In a semiconductor device, for example, an epoxy resin composition is disposed between a semiconductor element and another member to be connected, and then the epoxy resin composition is cured to bond and fix the semiconductor element and another member to be connected. In addition, the cured product of the epoxy resin composition disposed between the semiconductor element and another member to be connected is different from a material for protecting the surface of the semiconductor element.

또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자를 밀봉하기 위해서, 에폭시 수지 조성물이 사용되는 경우가 있다.Further, in the semiconductor device, an epoxy resin composition may be used to seal the semiconductor element.

상기와 같은 에폭시 수지 조성물이, 예를 들어 하기 특허문헌 1 내지 4에 개시되어 있다.The above-mentioned epoxy resin compositions are disclosed, for example, in Patent Documents 1 to 4 below.

하기 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 페놀계 경화제와, 트리스(2,6-디메톡시페닐)포스핀 또는 트리스(2,4,6-트리메톡시페닐)포스핀인 경화 촉진제와, 알루미나를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 실시예에서는, 분체인 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 1에서는, IC, LSI, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드 등의 반도체 장치의 밀봉용, 프린트 회로판의 제조 등에 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.Patent Document 1 discloses an epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a phenolic curing agent, a curing accelerator which is tris (2,6-dimethoxyphenyl) phosphine or tris (2,4,6-trimethoxyphenyl) An epoxy resin composition is disclosed. In the embodiment of Patent Document 1, an epoxy resin composition as a powder is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, Patent Document 1 discloses that it is suitably used for sealing semiconductor devices such as ICs, LSIs, transistors, thyristors and diodes, and for producing printed circuit boards.

하기 특허문헌 2에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 포함하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 2의 실시예에서는, 분체인 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 2에서는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치의 밀봉재에 사용되고, 특히 박형, 다핀, 롱 와이어, 좁은 패드 피치, 또는 유기 기판 혹은 유기 필름 등의 실장 기판 상에 반도체 칩이 배치된, 반도체 장치의 밀봉재에 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.The following Patent Document 2 discloses an epoxy resin composition for sealing comprising an epoxy resin, a phenol resin curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler. In the embodiment of Patent Document 2, a powdered epoxy resin composition for sealing is disclosed. With respect to the use of the epoxy resin composition, Patent Document 2 can be used as a general molding material, but it is used for a sealing material of a semiconductor device, and in particular, has a thin, Which is suitably used for a sealing material of a semiconductor device in which a semiconductor chip is disposed on a substrate.

하기 특허문헌 3에는, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지와, 경화제와, 무기질 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3의 실시예에서는, 고체인 에폭시 수지 조성물(용융 점도가 75℃ 이상)이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 3에는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치, 예를 들어 TQFP, TSOP, QFP 등의 다핀 박형 패키지, 특히 매트릭스 프레임을 사용한 반도체 장치의 밀봉재로서 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.The following Patent Document 3 discloses an epoxy resin composition comprising a bisphenol F type liquid epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler. In the examples of Patent Document 3, a solid epoxy resin composition (having a melt viscosity of 75 캜 or higher) is described. Regarding the use of the epoxy resin composition, Patent Document 3 can be used as a general molding material, but it is suitable as a semiconductor device, for example, as a sealing material for a semiconductor device using a matrix thin film package such as TQFP, TSOP and QFP Quot;

하기 특허문헌 4에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 고열 전도성 충전제와, 무기질 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 4의 실시예에서는, 분체인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 4에서는, 반도체 소자 등의 전자 부품의 밀봉 재료로서 사용되는 것이 기재되어 있다.The following Patent Document 4 discloses an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation comprising an epoxy resin, a phenol resin curing agent, a high thermal conductive filler, and an inorganic filler. In the embodiment of Patent Document 4, an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, which is a powder, is disclosed. Regarding the use of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, Patent Document 4 describes that it is used as a sealing material for electronic parts such as semiconductor devices.

또한, 하기 특허문헌 5에는, 비스페놀 A형 에폭시 수지와, 골격 내에 가요성을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 제1 제와, 산 무수물 화합물과 경화 촉진제를 포함하는 제2 제를 갖는 2액 타입의 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 5에서는, 2액 타입의 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서는, 케이스 내 충전재로서 유용한 것이 기재되어 있다.Further, Patent Document 5 discloses a two-component epoxy resin having a bisphenol A type epoxy resin, a first agent containing an epoxy resin having flexibility in the skeleton, and a second agent containing an acid anhydride compound and a curing accelerator A resin composition is disclosed. Patent Document 5 discloses the use of a two-liquid type epoxy resin composition as a filler in a case.

일본특허공개 평5-86169호 공보Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-86169 일본특허공개 제2007-217469호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-217469 일본특허공개 평10-176100호 공보Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-176100 일본특허공개 제2005-200533호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-200533 일본특허공개 제2014-40538호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-40538

특허문헌 1 내지 4에서는, 구체적으로는, 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 이러한 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물은 도포성이 낮아, 소정의 영역에 고정밀도로 배치하는 것이 곤란하다.In Patent Documents 1 to 4, specifically, an epoxy resin composition which is powdery or solid is disclosed. Such powdery or solid epoxy resin composition has poor applicability and is difficult to be highly precisely placed in a predetermined area.

또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 방열성이 낮은 경우가 있다. 또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 유연성이 낮은 경우가 있다. 경화물의 유연성이 낮으면, 예를 들어 반도체 소자의 변형 응력 등에 의해, 경화물의 박리가 발생하는 경우가 있다.In addition, in the conventional cured product of the epoxy resin composition, the heat radiation property may be low. Further, in the conventional cured product of the epoxy resin composition, flexibility may be low. If the flexibility of the cured product is low, peeling of the cured product may occur due to deformation stress of the semiconductor element, for example.

또한, 특허문헌 1 내지 4에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 밀봉 용도가 기재되어 있다. 특허문헌 5에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 케이스 내 충전재 용도가 기재되어 있다. 한편, 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자를 밀봉하지 않아도, 반도체 소자를 충분히 보호하는 것이 바람직하다. 또한, 특허문헌 1 내지 5에 기재된 에폭시 수지 조성물은, 일반적으로, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용되고 있지 않다.Further, in Patent Documents 1 to 4, the specific use of the epoxy resin composition is mainly described for sealing purposes. Patent Document 5 discloses the use of an epoxy resin composition mainly as a filler in a case. On the other hand, in the semiconductor device, it is preferable to sufficiently protect the semiconductor element without sealing the semiconductor element. In addition, the epoxy resin compositions described in Patent Documents 1 to 5 are generally not applied onto the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element.

또한, 근년, 장치의 얇기나 의장성의 관점에서 IC 드라이버를 감소시킬 것이 요구되고 있다. IC 드라이버를 적게 하면, 반도체 소자에 가해지는 부담이 증대하고, 또한 상당한 열을 띠기 쉬워진다. 종래의 경화물에서는, 방열성이 낮기 때문에, 방열성이 높은 경화물이 요구되고 있다. 또한, 종래의 경화물에서는, 변형 응력에 의해 박리가 발생하기 쉽다. 또한, 신뢰성이 높은 반도체 소자를 얻기 위해서, 경화물의 내습성이 높은 쪽이 바람직하다.Further, in recent years, it has been demanded to reduce the IC driver from the viewpoint of the thinness of the apparatus or the design. If the number of IC drivers is reduced, the burden imposed on the semiconductor element increases, and the IC driver tends to generate considerable heat. In the conventional cured product, since the heat radiation property is low, a cured product having high heat dissipation property is required. In addition, in conventional cured products, peeling is liable to occur due to deformation stress. Further, in order to obtain a highly reliable semiconductor element, it is preferable that the moisture resistance of the cured product is high.

본 발명은 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용되는 경화성 조성물 및 경화성 조성물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a curable composition and a method for producing a curable composition which are suitably used for forming a cured product on the surface of a semiconductor device in order to protect the semiconductor device in the semiconductor device.

또한, 본 발명의 목적은, 도포성이 우수하고, 방열성, 유연성 및 내습성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 경화성 조성물 및 경화성 조성물의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 상기 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치를 제공하는 것도 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a curable composition and a method of producing the curable composition which are excellent in coating properties and can obtain a cured product excellent in heat radiation, flexibility and moisture resistance. It is also an object of the present invention to provide a semiconductor device using the above-mentioned curable composition.

본 발명의 넓은 국면에서는, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 경화제와, 구상 알루미나와, 분산제를 포함하고, 상기 분산제의 아민가가 5KOHmg/g 이상이고, 또한 상기 분산제의 산가가 5KOHmg/g 이상인, 경화성 조성물이 제공된다.In a broad aspect of the present invention, there is provided a flexible epoxy resin composition comprising a flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, a curing agent, spherical alumina and a dispersant, wherein the dispersant has an amine value of 5 KOHmg / g or more, Wherein the acid value of the curable composition is 5 KOHmg / g or more.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 분산제의 아민가가 40KOHmg/g 이상, 95KOHmg/g 이하이고, 또한 상기 분산제의 산가가 45KOHmg/g 이상, 95KOHmg/g 이하이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the amine value of the dispersant is 40 KOHmg / g or more and 95 KOHmg / g or less, and the acid value of the dispersant is 45 KOHmg / g or more and 95 KOHmg / g or less.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 분산제의 아민가와 상기 분산제의 산가의 차의 절댓값이 10 이하이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the absolute value of the difference between the amine value of the dispersant and the acid value of the dispersant is 10 or less.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은 용제를 포함하지 않거나, 또는 용제를 0.5중량% 미만으로 포함한다.In certain aspects of the curable composition according to the present invention, the curable composition does not comprise a solvent or contains less than 0.5% by weight of a solvent.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 구상 알루미나의 함유량이 바람직하게는 60부피% 이상, 보다 바람직하게는 70부피% 이상이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the content of the spherical alumina is preferably at least 60% by volume, more preferably at least 70% by volume.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 구상 알루미나가, 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상, 10㎛ 미만인 구상 알루미나와, 평균 입자 직경이 10㎛ 이상, 80㎛ 이하인 구상 알루미나를 포함한다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the spherical alumina includes spherical alumina having an average particle diameter of 0.1 占 퐉 or more and less than 10 占 퐉 and spherical alumina having an average particle diameter of 10 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화제가 알릴페놀 노볼락 화합물이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curing agent is an allylphenol novolak compound.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상, 100 중량부 이하이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the content of the epoxy compound different from the above-mentioned flexible epoxy compound is 10 parts by weight or more and 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the above-mentioned flexible epoxy compound.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함한다.In a particular aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition comprises a silane coupling agent having a weight loss of less than or equal to 10 weight percent at 100 DEG C, a titanate coupling agent having a weight loss of less than or equal to 10 weight percent at 100 DEG C, Lt; RTI ID = 0.0 >% < / RTI > by weight.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화제가, 23℃에서 액상인 경화제이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curing agent is a curing agent which is liquid at 23 占 폚.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은 경화 촉진제를 포함한다.In certain aspects of the curable composition according to the present invention, the curable composition comprises a curing accelerator.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다르다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition is disposed between the semiconductor element and another member to be connected, and forms a cured product to be bonded and fixed so as not to peel off the semiconductor element and the other member to be connected .

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition is a semiconductor element protecting material used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition is a semiconductor element protecting material which is applied on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 상술한 경화성 조성물의 제조 방법이며, 상기 가요성 에폭시 화합물과, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 상기 경화제와, 상기 구상 알루미나와, 상기 분산제를 혼합하여, 경화성 조성물을 얻는 혼합 공정을 구비하는, 경화성 조성물의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a process for producing the curable composition as described above, wherein the flexible epoxy compound and the epoxy compound different from the flexible epoxy compound, the curing agent, the spherical alumina, , And a mixing step of obtaining a curable composition.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 상술한 경화성 조성물의 경화물인, 반도체 장치가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a semiconductor element and a cured material disposed on a first surface of the semiconductor element, wherein the cured material is a cured product of the above-mentioned curable composition.

본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 반도체 소자가, 상기 제1 표면측과는 반대인 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있다.In a specific aspect of the semiconductor device according to the present invention, the semiconductor element has a first electrode on a second surface side opposite to the first surface side, and the first electrode of the semiconductor element has a second electrode And is electrically connected to the second electrode in the member to be connected which is provided on the surface.

본 발명에 따른 경화성 조성물은, 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 경화제와, 구상 알루미나와, 분산제를 포함하고, 상기 분산제의 아민가가 5KOHmg/g 이상이고, 또한 상기 분산제의 산가가 5KOHmg/g 이상이므로, 도포성이 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물의 경화물의 방열성, 유연성 및 내습성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 경화성 조성물을, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에서 경화시킨 경우에는, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.The curable composition according to the present invention comprises a flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, a curing agent, spherical alumina and a dispersant, wherein the dispersant has an amine value of 5 KOHmg / g or more, Since the dispersant has an acid value of 5 KOH mg / g or more, the dispersibility is excellent. Further, the cured product of the curable composition according to the present invention has excellent heat radiation, flexibility and moisture resistance. Therefore, when the curable composition according to the present invention is cured on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element, the semiconductor element can be well protected.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a partially cut front cross-sectional view showing a semiconductor device using a curable composition according to a first embodiment of the present invention. Fig.
2 is a partially cut front cross-sectional view showing a semiconductor device using a curable composition according to a second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 경화성 조성물은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용된다. 본 발명에 따른 경화성 조성물은, 바람직하게는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용된다. 본 발명에 따른 경화성 조성물은, (A) 가요성 에폭시 화합물과, (B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, (C) 경화제와, (E) 구상 알루미나와, (F) 분산제를 포함한다.The curable composition according to the present invention is suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element. The curable composition according to the present invention is preferably applied on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element. The curable composition according to the present invention comprises (A) a flexible epoxy compound, (B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, (C) a curing agent, (E) spherical alumina, and do.

본 발명에 따른 경화성 조성물의 제조 방법은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용되는 경화성 조성물의 제조 방법이다. 본 발명에 따른 경화성 조성물의 제조 방법은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 적합하게 사용되는 경화성 조성물의 제조 방법이다. 본 발명에 따른 경화성 조성물의 제조 방법은, (A) 가요성 에폭시 화합물과, (B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, (C) 경화제와, (E) 구상 알루미나와, (F) 분산제를 혼합하여, 경화성 조성물을 얻는 혼합 공정을 구비한다. 또한, 이 혼합 시에, (A), (B), (C), (E), (F) 성분(필요에 따라 (D) 경화 촉진제)은 한번에 혼합해도 되고, 일부 성분을 혼합한 후에 전부를 혼합해도 된다. 또한, 이 혼합 시에, (A), (B), (C), (E), (F)성분(필요에 따라 (D) 경화 촉진제) 중 일부 성분을 혼합하지 않고, 해당 일부 성분이 혼합된 혼합물을 입수하여, 해당 혼합물을 사용해도 된다. 상기 혼합 공정은 (A), (B), (C), (E), (F) 성분(필요에 따라 (D) 경화 촉진제)이 모두 혼합된 경화성 조성물을 얻는 공정이다.The method for producing a curable composition according to the present invention is a method for producing a curable composition suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element. The method for producing a curable composition according to the present invention is a method for producing a curable composition which is suitably used by coating on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element. (C) a curing agent; (E) a spherical alumina; (F) an epoxy compound; and (C) a curing agent. And a dispersing agent to obtain a curable composition. The components (A), (B), (C), (E), and (F) may be mixed at one time at the time of the mixing, . It is also possible to mix some of the components (A), (B), (C), (E) and (F) , And the mixture may be used. The mixing step is a step of obtaining a curable composition in which all of components (A), (B), (C), (E) and (F) (and optionally (D) a curing accelerator) are mixed.

본 발명에 따른 경화성 조성물 및 본 발명에 따른 경화성 조성물의 제조 방법에서는, (F) 분산제의 아민가는 5KOHmg/g 이상이고, 또한 (F) 분산제의 산가는 5KOHmg/g 이상이다.In the curable composition according to the present invention and the method for producing a curable composition according to the present invention, the amine value of the (F) dispersant is 5 KOHmg / g or more and the acid value of the (F) dispersant is 5 KOHmg / g or more.

상기 경화성 조성물은, 반도체 소자의 표면 상에 도포 가능하도록, 23℃에서 액상인 것이 바람직하고, 23℃에서 고체가 아닌 것이 바람직하다. 또한, 액상에는, 점조(粘稠)한 페이스트도 포함된다.The curable composition is preferably liquid at 23 캜 and preferably not solid at 23 캜 so that it can be coated on the surface of the semiconductor element. The liquid phase also includes viscous paste.

본 발명에 따른 경화성 조성물 및 본 발명에 따른 경화성 조성물의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 조성물은 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 도포성이 우수하고, 도포 시의 의도치 않은 유동을 억제할 수 있다. 상기 경화성 조성물은 반도체 소자의 표면 상에 양호하게 도포할 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자의 방열성을 높이고자 하는 부위의 표면 상에 선택적으로, 고정밀도로, 상기 경화성 조성물을 도포할 수 있고, 상기 경화성 조성물의 경화물을 형성할 수 있다.The curable composition according to the present invention and the curable composition obtained by the method for producing a curable composition according to the present invention have the above-described constitution, so that the coating property is excellent and unintended flow at the time of coating can be suppressed. The curable composition can be preferably applied on the surface of the semiconductor element. For example, the curable composition can be selectively and highly precisely coated on the surface of a portion where heat dissipation of the semiconductor device is to be enhanced, and a cured product of the curable composition can be formed.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물은 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이로 인해, 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 배치함으로써, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이로 인해, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.Further, since the curable composition according to the present invention has the above-described constitution, the heat radiation property of the cured product is excellent. Therefore, by disposing the cured product on the surface of the semiconductor element, the heat can be sufficiently dissipated via the cured product from the surface of the semiconductor element. As a result, thermal degradation of the semiconductor device can be effectively suppressed.

또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물의 경화물은 유연성도 우수하다. 이로 인해, 반도체 소자의 변형 응력 등에 의해, 반도체 소자의 손상이 발생하기 어렵게 되고, 또한 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다.The cured product of the curable composition according to the present invention is also excellent in flexibility. As a result, damage to the semiconductor element is less likely to occur due to the deformation stress of the semiconductor element, and it becomes difficult to separate the cured product from the surface of the semiconductor element.

또한, 신뢰성이 높은 반도체 소자를 얻기 위해서, 경화물의 내습성이 높은 쪽이 바람직하다. 본 발명에 따른 경화성 조성물에서는, 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 내습성도 높일 수 있다.Further, in order to obtain a highly reliable semiconductor element, it is preferable that the moisture resistance of the cured product is high. Since the curable composition according to the present invention has the above-described constitution, moisture resistance of the cured product can be enhanced.

따라서, 본 발명에 따른 경화성 조성물을, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에서 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 경화성 조성물을, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.Therefore, by curing the curable composition according to the present invention on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element, the semiconductor element can be well protected. In addition, by applying the curable composition according to the present invention on the surface of the semiconductor element and curing the semiconductor element in order to protect the semiconductor element, the semiconductor element can be well protected.

또한, 상기 경화성 조성물의 경화물은 내열성도 우수해서, 크랙이 발생하기 어렵다. 또한, 상기 경화성 조성물의 경화물은 치수 안정성도 우수하다.In addition, the cured product of the curable composition is excellent in heat resistance, and cracks are less likely to occur. The cured product of the curable composition is also excellent in dimensional stability.

또한, 본 발명에서는, 특정한 (F) 분산제를 사용하고 있기 때문에, 분산 상태가 양호해져서, 경화성 조성물의 도포성이 양호해진다. 본 발명에서는, 특정한 (F) 분산제를 사용하고 있기 때문에, 용제를 사용하지 않아도 되고(용제의 함유량 0중량%(미함유)), 용제를 사용하는 경우에도, 양호한 분산 상태를 얻기 위해서 용제의 함유량을 적게 할 수 있다. 예를 들어, 용제의 함유량이 0.5중량% 미만이어도, 양호한 분산 상태가 얻어진다. 또한, 용제의 함유량이 적으면, 경화성 조성물의 토출 시 및 경화물에 있어서의 보이드의 발생이 억제된다.Further, in the present invention, since the specific dispersing agent (F) is used, the dispersion state is favorable and the coatability of the curable composition is improved. In the present invention, since a specific dispersant (F) is used, it is not necessary to use a solvent (content of the solvent is 0 wt% (not contained)), and even when a solvent is used, Can be reduced. For example, even when the content of the solvent is less than 0.5% by weight, a favorable dispersion state is obtained. In addition, when the content of the solvent is small, generation of voids in the discharge of the curable composition and in the cured product is suppressed.

또한, 경화성 조성물의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성을 높이고, 경화물의 유연성 및 접착력을 한층 더 높이고, 또한 경화물의 내습성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물은 (G) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of enhancing the wettability of the curable composition to the surface of the semiconductor element, further enhancing the flexibility and adhesive force of the cured product, and further raising the moisture resistance of the cured product, the curable composition comprises the coupling agent (G) desirable.

경화를 양호하게 진행시켜서, 방열성, 유연성 및 내습성이 한층 더 우수한 경화물을 얻는 관점에서는, 본 발명에 따른 경화성 조성물은 (D) 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of obtaining a cured product having better heat radiation, flexibility and moisture resistance by satisfactorily proceeding the curing, the curable composition according to the present invention preferably contains a curing accelerator (D).

이하, 상기 경화성 조성물에 사용할 수 있는 각 성분의 상세를 설명한다.Hereinafter, details of each component usable in the curable composition will be described.

((A) 가요성 에폭시 화합물)((A) a flexible epoxy compound)

(A) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 경화물의 유연성 및 접착력을 높일 수 있다. (A) 가요성 에폭시 화합물은 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.By using the flexible epoxy compound (A), the flexibility and adhesive force of the cured product can be increased. The flexible epoxy compound (A) may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

(A) 가요성 에폭시 화합물에 있어서의 가요성의 지표로서, 화학양론량의 디에틸렌트리아민(「DETA」)으로 경화되었을 때, 듀로미터-쇼어(Shore) D의 측정이 30 이하인 에폭시 수지라고 정의된다.(A) an index of flexibility in a flexible epoxy compound, defined as an epoxy resin having a durometer-Shore D measurement of 30 or less when cured with a stoichiometric amount of diethylene triamine (" DETA & do.

(A) 가요성 에폭시 화합물은, 예를 들어 분자 내에 가요성 부분을 갖는 에폭시 화합물이다. (A) 가요성 에폭시 화합물로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리부타디엔디글리시딜에테르, 술피드 변성 에폭시 수지, 폴리알킬렌옥사이드 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지방족 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 우레탄 변성 에폭시 수지, 아민 변성 에폭시 수지 및 다이머산 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 경화물의 유연성 및 접착력을 효과적으로 높이는 관점에서는, (A) 가요성 에폭시 화합물은 에폭시기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하다. 경화물의 유연성 및 접착력을 한층 더 높이는 관점에서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 바람직하다.(A) The flexible epoxy compound is, for example, an epoxy compound having a flexible portion in the molecule. (A) The flexible epoxy compound is not particularly limited and includes, for example, polyalkylene glycol diglycidyl ether, polybutadiene diglycidyl ether, sulfide modified epoxy resin, polyalkylene oxide modified bisphenol A type epoxy Resins, aliphatic modified epoxy resins,? -Caprolactone modified epoxy resins, rubber modified epoxy resins, urethane modified epoxy resins, amine modified epoxy resins and dimeric acid modified epoxy resins. From the viewpoint of effectively increasing the flexibility and adhesion of the cured product, the flexible epoxy compound (A) preferably has two or more epoxy groups. From the viewpoint of further increasing the flexibility and adhesive force of the cured product, polyalkylene glycol diglycidyl ether is preferable.

경화물의 유연성 및 접착력을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르는, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 알킬렌기의 반복수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 알킬렌기의 반복수는 30 이하여도 된다. 상기 알킬렌기의 탄소수는 바람직하게는 2 이상, 바람직하게는 5 이하이다.From the viewpoint of further enhancing the flexibility and adhesive force of the cured product, it is preferable that the polyalkylene glycol diglycidyl ether has a structural unit in which the alkylene glycol group is repeated at least 9 times. The upper limit of the number of repeating number of alkylene groups is not particularly limited. The number of repeating alkylene groups may be 30 or less. The number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 2 or more, and preferably 5 or less.

상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르로서는, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 및 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Examples of the polyalkylene glycol diglycidyl ether include polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether and polytetramethylene glycol diglycidyl ether.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 8중량% 이하이다. (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물의 유연성 및 접착력이 한층 더 높아진다. (A) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면 경화성 조성물의 도포성이 한층 더 높아진다.The content of the flexible epoxy compound (A) in 100 wt% of the curable composition is preferably 3 wt% or more, more preferably 5 wt% or more, preferably 10 wt% or less, more preferably 8 wt% Or less. If the content of the flexible epoxy compound (A) is lower than the lower limit described above, the flexibility and adhesion of the cured product are further enhanced. When the content of the flexible epoxy compound (A) is not more than the upper limit, the coatability of the curable composition becomes even higher.

((B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물)((B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound)

(B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물은 가요성을 갖지 않는다. (A) 가요성 에폭시 화합물과 함께 (B) 에폭시 화합물을 사용함으로써, 경화성 조성물의 경화물의 내습성이 높아지고, 보호 필름에 대한 부착성을 저하시킬 수 있다. (B) 에폭시 화합물은 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.(B) The epoxy compound other than the flexible epoxy compound has no flexibility. (A) The use of the epoxy compound (B) in combination with the flexible epoxy compound increases the moisture resistance of the cured product of the curable composition and can lower the adhesion to the protective film. The epoxy compound (B) may be used alone or in combination of two or more.

(B) 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 안트라센 골격을 갖는 에폭시 화합물 및 피렌 골격을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 수소 첨가물 또는 변성물을 사용해도 된다. (B) 에폭시 화합물은 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 아닌 것이 바람직하다.As the epoxy compound (B), an epoxy compound having a bisphenol skeleton, an epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton, an epoxy compound having a naphthalene skeleton, an epoxy compound having an adamantane skeleton, an epoxy compound having a fluorene skeleton, An epoxy compound having a skeleton, an epoxy compound having a bifunctional (glycidyloxyphenyl) methane skeleton, an epoxy compound having a xanthene skeleton, an epoxy compound having an anthracene skeleton, and an epoxy compound having a pyrene skeleton. Hydrogenated products thereof or modified products thereof may be used. The epoxy compound (B) is preferably not polyalkylene glycol diglycidyl ether.

본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, (B) 에폭시 화합물은, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물(비스페놀형 에폭시 화합물)인 것이 바람직하다.The epoxy compound (B) is preferably an epoxy compound having a bisphenol skeleton (bisphenol-type epoxy compound) from the viewpoint of further improving the effect of the present invention.

상기 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 또는 비스페놀 S형의 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a bisphenol skeleton include an epoxy monomer having a bisphenol skeleton of a bisphenol A type, a bisphenol F type, or a bisphenol S type.

상기 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 디시클로펜타디엔디옥사이드 및 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀 노볼락 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton include dicyclopentadiene dioxide and phenol novolak epoxy monomer having a dicyclopentadiene skeleton.

상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 및 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a naphthalene skeleton include 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2-diglycidyl naphthalene, 1,5-diglycidyl naphthalene, Diglycidyl naphthalene, 1,7-diglycidyl naphthalene, 2,7-diglycidyl naphthalene, triglycidyl naphthalene, and 1,2,5,6-tetraglycidyl naphthalene.

상기 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 및 2,2-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having an adamantane skeleton include 1,3-bis (4-glycidyloxyphenyl) adamantane and 2,2-bis (4-glycidyloxyphenyl) have.

상기 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 9,9-비스(4-글리시딜옥시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디클로로페닐)플루오렌 및 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디브로모페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a fluorene skeleton include 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-methylphenyl) fluorene, -Bis (4-glycidyloxy-3-bromophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3-chlorophenyl) fluorene, (4-glycidyloxy-3-methoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5 -Dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5-dichlorophenyl) fluorene and 9,9-bis (4-glycidyloxy-3,5-dibromo Phenyl) fluorene, and the like.

상기 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 4,4'-디글리시딜비페닐 및 4,4'-디글리시딜-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a biphenyl skeleton include 4,4'-diglycidylbiphenyl and 4,4'-diglycidyl-3,3 ', 5,5'-tetramethylbiphenyl .

상기 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,1'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄 및 1,2'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a bi (glycidyloxyphenyl) methane skeleton include 1,1'-bis (2,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8'- (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,1'-bis (3,7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8'- (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,8'-bis (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,2'- (3, 7-glycidyloxynaphthyl) methane, 1,2'-bya (3,5-glycidyloxynaphthyl) methane, etc. have.

상기 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3,4,5,6,8-헥사메틸-2,7-비스-옥시라닐메톡시-9-페닐-9H-크산텐 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound having a xanthene skeleton include 1,3,4,5,6,8-hexamethyl-2,7-bis-oxiranylmethoxy-9-phenyl-9H-xanthene and the like.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, (A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계의 함유량은 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 8중량% 이상, 바람직하게는 15중량% 이하, 보다 바람직하게는 12중량% 이하이다. (A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화성 조성물의 도포성, 경화물의 유연성, 내습성, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해져, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.The total content of the flexible epoxy compound (A) and the epoxy compound (B) in the curable composition is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, and preferably 15% by weight or less , More preferably not more than 12 wt%. When the total content of the flexible epoxy compound (A) and the epoxy compound (B) is not less than the above-mentioned lower limit and not higher than the above upper limit, the coating property of the curable composition, the flexibility of the cured product, moisture resistance, The adhesion to the protective film can be further suppressed.

(A) 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, (B) 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상, 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 90 중량부 이하이다. (B) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화성 조성물의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 높아진다. (B) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다.The content of the epoxy compound (B) is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 20 parts by weight or more, and preferably 100 parts by weight or less, relative to 100 parts by weight of the flexible epoxy compound (A) 90 parts by weight or less. When the content of the epoxy compound (B) is lower than the lower limit described above, the coatability of the curable composition is further increased, and the adhesion of the cured product to the semiconductor element is further increased. If the content of the epoxy compound (B) is not more than the upper limit, the flexibility of the cured product becomes even higher.

(경화제)(Hardener)

경화성 조성물의 도포성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 경화제는 23℃에서 액상인 것이 바람직하다. 또한, 23℃에서 액상인 경화제의 사용에 의해, 경화성 조성물의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성이 높아진다. 단, 본 발명에서는, (C) 경화제는 23℃에서 액상이 아니어도 된다. (C) 경화제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.From the standpoint of further enhancing the coatability of the curable composition, it is preferable that the curing agent (C) is liquid at 23 占 폚. In addition, the use of a curing agent which is liquid at 23 占 폚 increases the wettability of the curable composition on the surface of the semiconductor element. However, in the present invention, the curing agent (C) may not be liquid at 23 占 폚. The curing agent (C) may be used alone or in combination of two or more.

(C) 경화제로서는, 아민 화합물(아민 경화제), 이미다졸 화합물(이미다졸 경화제), 페놀 화합물(페놀 경화제) 및 산 무수물(산 무수물 경화제) 등을 들 수 있다. 단, 이들 경화제를 사용하는 경우에, 23℃에서 액상인 경화제가 선택된다. (C) 경화제는 이미다졸 화합물이 아니어도 된다.Examples of the curing agent (C) include amine compounds (amine curing agents), imidazole compounds (imidazole curing agents), phenol compounds (phenol curing agents) and acid anhydrides (acid anhydride curing agents). However, when these curing agents are used, a curing agent which is liquid at 23 占 폚 is selected. The curing agent (C) may not be an imidazole compound.

경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 경화제는 페놀 화합물인 것이 바람직하다.From the viewpoint of further increasing the heat resistance of the cured product, it is preferable that the curing agent (C) is a phenol compound.

경화성 조성물의 도포성을 한층 더 높이고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 경화제는 알릴기를 갖는 것이 바람직하고, 상기 페놀 화합물이 알릴기를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further increasing the coatability of the curable composition and further raising the heat resistance of the cured product, the curing agent (C) preferably has an allyl group, and the phenol compound preferably has an allyl group.

상기 페놀 화합물로서는, 페놀 노볼락, o-크레졸 노볼락, p-크레졸 노볼락, t-부틸페놀 노볼락, 디시클로펜타디엔크레졸, 폴리파라비닐페놀, 비스페놀 A형 노볼락, 크실릴렌 변성 노볼락, 데칼린 변성 노볼락, 폴리(디-o-히드록시페닐)메탄, 폴리(디-m-히드록시페닐)메탄 및 폴리(디-p-히드록시페닐)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol novolak, o-cresol novolak, p-cresol novolac, t-butyl phenol novolak, dicyclopentadiene cresol, polyparabinyl phenol, bisphenol A- (Di-o-hydroxyphenyl) methane, poly (di-o-hydroxyphenyl) methane, and poly (di-o-hydroxyphenyl) methane.

(A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대하여, (C) 경화제의 함유량은, 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상, 더욱 바람직하게는 30중량부 이상, 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 90 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 80 중량부 이하이다. (C) 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화성 조성물을 양호하게 경화시킬 수 있다. (C) 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서의 경화에 기여하지 않았던 (C) 경화제의 잔존량이 적어진다.The content of the curing agent (C) is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 20 parts by weight or more, and even more preferably 20 parts by weight or more, relative to 100 parts by weight of the total of the flexible epoxy compound (A) and the epoxy compound (B) 30 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight or less, more preferably 90 parts by weight or less, further preferably 80 parts by weight or less. If the content of the (C) curing agent is lower than the lower limit described above, the curing composition can be cured well. If the content of the curing agent (C) is not more than the upper limit, the amount of the curing agent (C) that did not contribute to curing in the cured product is reduced.

((D) 경화 촉진제)((D) curing accelerator)

(D) 경화 촉진제의 사용에 의해, 경화 속도를 빠르게 하여, 경화성 조성물을 효율적으로 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.By using (D) a curing accelerator, the curing speed can be increased and the curable composition can be efficiently cured. The (D) curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

(D) 경화 촉진제로서는, 이미다졸 화합물, 인 화합물, 아민 화합물 및 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, 아민 화합물이 바람직하다.Examples of the curing accelerator (D) include imidazole compounds, phosphorus compounds, amine compounds and organometallic compounds. Among them, an amine compound is preferable in that the effect of the present invention is further improved.

상기 이미다졸 화합물로서는, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-메틸이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 또한, 공지의 이미다졸계 잠재성 경화제를 사용할 수 있다. 구체예로서는, PN23, PN40, PN-H(상품명, 모두 아지노모또 파인테크노사 제조)를 들 수 있다. 또한, 마이크로 캡슐화 이미다졸이라고도 불리는, 아민 화합물의 에폭시 어덕트의 수산기에 부가 반응시킨 경화 촉진제를 들 수 있고, 예를 들어 노바큐어 HX-3088, 노바큐어 HX-3941, HX-3742, HX-3722(상품명, 모두 아사히 가세이 이매터리얼즈사 제조) 등을 들 수 있다. 또한, 포섭 이미다졸을 사용할 수도 있다. 구체예로서는, TIC-188(상품명, 닛폰 소다사 제조)을 들 수 있다.Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, Methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- Ethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- -] ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')] (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- ] -Ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole The sol and the like SOCCIA press acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxy-methylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxy-methylimidazole. In addition, known imidazole-based latent curing agents can be used. Specific examples thereof include PN23, PN40 and PN-H (all trade names, manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.). Examples of the curing accelerator include Nova Cure HX-3088, Nova Cure HX-3941, HX-3742 and HX-3722, which are also called microencapsulated imidazoles and which are additionally reacted with hydroxyl groups of epoxy groups of amine compounds. (Trade name, all manufactured by Asahi Kasei Imperial Co., Ltd.). In addition, positively charged imidazole may be used. Specific examples thereof include TIC-188 (trade name, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.).

상기 인 화합물로서는, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine and the like.

상기 아민 화합물로서는, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸렌테트라민, 트리에틸렌테트라민, 4,4-디메틸아미노피리딘 및 디아자비시클로운데센의 옥틸산염 등을 들 수 있다.Examples of the amine compound include 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine and diazabicyclo [ Octylate, and the like.

상기 유기 금속 화합물로서는, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토나토코발트(II) 및 트리스아세틸아세토나토코발트(III) 등을 들 수 있다.Examples of the organic metal compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonato cobalt (II) and trisacetylacetonato cobalt (III).

(A) 가요성 에폭시 화합물과 (B) 에폭시 화합물의 합계 100중량부에 대하여, (D) 경화 촉진제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 8중량부 이하이다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화성 조성물을 양호하게 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서의 경화에 기여하지 않았던 (D) 경화 촉진제의 잔존량이 적어진다.The content of the curing accelerator (D) is preferably at least 0.1 part by weight, more preferably at least 0.5 part by weight, and preferably at least 0.5 part by weight, based on 100 parts by weight of the total of the flexible epoxy compound (A) and the epoxy compound (B) 10 parts by weight or less, more preferably 8 parts by weight or less. If the content of the (D) curing accelerator is lower than or equal to the lower limit, the curable composition can be cured well. When the content of the (D) curing accelerator is less than the upper limit, the amount of the curing accelerator (D) which did not contribute to curing in the cured product is reduced.

((E) 구상 알루미나)((E) spherical alumina)

(E) 구상 알루미나를 사용함으로써, 경화성 조성물의 도포성을 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 높일 수 있다. (E) 구상 알루미나는 특별히 한정되지 않는다. (E) 구상 알루미나로서, 1종만 사용되어도 되고, 예를 들어 평균 입자 직경이 다른 2종 이상이 병용되어도 된다.By using (E) spherical alumina, the heat radiation property of the cured product can be enhanced while maintaining the applicability of the curable composition at a high level and while maintaining the flexibility of the cured product at a high level. (E) spherical alumina is not particularly limited. As the (E) spherical alumina, only one species may be used, and for example, two or more species having different average particle diameters may be used in combination.

(E) 구상 알루미나는 구상이다. 구상이란, 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 1 이상, 1.3 이하인 것을 의미한다.(E) Spherical alumina is spherical. The sphere means that the aspect ratio (long diameter / short diameter) is 1 or more and 1.3 or less.

(E) 구상 알루미나의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 150㎛ 이하이다. (E) 구상 알루미나의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상이면, (E) 구상 알루미나를 고밀도로 용이하게 충전할 수 있다. (E) 구상 알루미나의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 경화성 조성물의 도포성이 한층 더 높아진다.The average particle diameter of (E) spherical alumina is preferably 0.1 탆 or more, and preferably 150 탆 or less. (E) When the average particle diameter of the spherical alumina is at least the lower limit described above, (E) the spherical alumina can be easily filled at a high density. (E) When the average particle diameter of the spherical alumina is not more than the upper limit, the coatability of the curable composition is further increased.

상기 혼합 공정에 있어서, 경화성 조성물의 도포성 및 경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (E) 구상 알루미나로서, (E1) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상, 10㎛ 미만인 구상 알루미나와, (E2) 평균 입자 직경이 10㎛ 이상, 80㎛ 이하인 구상 알루미나를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, (E1) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상, 10㎛ 미만인 구상 알루미나와, (E2) 평균 입자 직경이 10㎛ 이상, 80㎛ 이하인 구상 알루미나를 포함하는 것이 바람직하다.(E1) spherical alumina having (E1) average particle diameter of not less than 0.1 占 퐉 and less than 10 占 퐉, (E2) average (E2) average particle diameter of not less than 0.1 占 퐉 and less than 10 占 퐉 in terms of improving the coating property of the curable composition and the heat radiation property of the cured product, It is preferable to use spherical alumina having a particle diameter of 10 탆 or more and 80 탆 or less. The curable composition preferably contains (E1) spherical alumina having an average particle diameter of 0.1 占 퐉 or more and less than 10 占 퐉, and (E2) spherical alumina having an average particle diameter of 10 占 퐉 or more and 80 占 퐉 or less.

상기 「평균 입자 직경」이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 부피 평균에서의 입도 분포 측정 결과로부터 구해지는 평균 입자 직경이다.The "average particle diameter" is an average particle diameter obtained from a particle size distribution measurement result at a volume average measured by a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus.

상기 경화성 조성물 100부피% 중, (E) 구상 알루미나의 함유량은 바람직하게는 55부피% 이상, 보다 바람직하게는 60부피% 이상, 더욱 바람직하게는 70부피% 이상, 바람직하게는 80부피% 이하이다. (E) 구상 알루미나의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다. (E) 구상 알루미나의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화성 조성물의 도포성이 한층 더 높아진다.The content of (E) spherical alumina in 100 vol% of the curable composition is preferably 55 vol% or more, more preferably 60 vol% or more, further preferably 70 vol% or more, and preferably 80 vol% or less . (E) If the content of spherical alumina is above the lower limit, the heat radiation of the cured product is further enhanced. (E) If the content of spherical alumina is not more than the upper limit, the coatability of the curable composition becomes even higher.

(E1) 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상, 10㎛ 미만인 구상 알루미나 100 부피부에 대하여, (E2) 평균 입자 직경이 10㎛ 이상, 80㎛ 이하인 구상 알루미나와의 함유량은, 바람직하게는 40부피부 이상, 보다 바람직하게는 50부피부 이상, 바람직하게는 70부피부 이하, 보다 바람직하게는 60부피부 이하이다.(E1) The spherical alumina having an average particle diameter of 0.1 탆 or more and less than 10 탆 and 100 parts of spherical alumina, (E2) The content of spherical alumina having an average particle diameter of 10 탆 or more and 80 탆 or less is preferably 40 parts or more , More preferably not less than 50 parts skin, preferably not more than 70 parts skin, more preferably not more than 60 parts skin.

((F) 분산제)((F) dispersant)

(F) 분산제의 아민가는 5KOHmg/g 이상이고, 또한 (F) 분산제의 산가는 5KOHmg/g 이상이다. 이러한 특정한 분산제를 사용함으로써, 본 발명의 효과가 발휘된다. (F) 분산제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 또한, 상기 분산제의 아민가는 JIS K7237에 준거해서 측정할 수 있고, 상기 분산제의 산가는 JIS K0070에 준거해서 측정할 수 있다.(F) the amine value of the dispersant is 5 KOHmg / g or more, and (F) the dispersant has an acid value of 5 KOHmg / g or more. By using such a specific dispersant, the effects of the present invention are exerted. (F) The dispersant may be used alone or in combination of two or more. The amine value of the dispersant can be measured in accordance with JIS K7237, and the acid value of the dispersant can be measured in accordance with JIS K0070.

경화성 조성물의 도포성을 한층 더 양호하게 하는 관점에서는 (F) 분산제의 아민가는 바람직하게는 20KOHmg/g 이상, 보다 바람직하게는 40KOHmg/g 이상, 바람직하게는 110KOHmg/g 이하, 보다 바람직하게는 95KOHmg/g 이하이다.(F) the amine value of the dispersant is preferably 20 KOH mg / g or more, more preferably 40 KOH mg / g or more, preferably 110 KOH mg / g or less, more preferably 95 KOH mg / g or more, from the viewpoint of further improving the applicability of the curable composition / g.

경화성 조성물의 도포성을 한층 더 양호하게 하는 관점에서는, (F) 분산제의 산가는 바람직하게는 20KOHmg/g 이상, 보다 바람직하게는 45KOHmg/g 이상, 바람직하게는 110KOHmg/g 이하, 보다 바람직하게는 95KOHmg/g 이하이다.From the viewpoint of further improving the coatability of the curable composition, the acid value of the (F) dispersant is preferably 20 KOHmg / g or more, more preferably 45 KOHmg / g or more, and preferably 110 KOHmg / g or less, Lt; / RTI > mg / g or less.

경화성 조성물의 도포성을 한층 더 양호하게 하는 관점에서는, (F) 분산제의 아민가와 (F) 분산제의 산가의 차의 절댓값은, 바람직하게는 10KOHmg/g 이하, 보다 바람직하게는 7KOHmg/g 이하이다. (F) 분산제의 아민가와 (F) 분산제의 산가의 차의 절댓값은 0KOHmg/g(아민가와 산가가 동일함)이어도 된다.From the viewpoint of further improving the applicability of the curable composition, the absolute value of the difference between the amine value of (F) the dispersant and the acid value of the dispersant (F) is preferably 10 KOH mg / g or less, more preferably 7 KOH mg / g or less . The absolute value of the difference between the amine value of the dispersant (F) and the acid value of the dispersant (F) may be 0 KOHmg / g (the amine value and the acid value being the same).

(F) 분산제의 구체예로서는, 폴리카르복실산염, 알킬암모늄염, 알킬올암모늄염, 인산에스테르염, 아크릴계 블록 공중합물 및 중합체염 등을 들 수 있다. 본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, (F) 분산제는 폴리카르복실산염, 알킬올암모늄염, 또는 인산에스테르염인 것이 바람직하다.Specific examples of the (F) dispersing agent include a polycarboxylate salt, an alkylammonium salt, an alkylol ammonium salt, a phosphoric acid ester salt, an acrylic block copolymer and a polymer salt. From the viewpoint that the effect of the present invention is even better, (F) the dispersing agent is preferably a polycarboxylate salt, an alkylol ammonium salt, or a phosphoric acid ester salt.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, (F) 분산제의 함유량은 바람직하게는 0.05중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상, 바람직하게는 2중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다. (F) 분산제의 함유량이 상기 하한 이상이면, (E) 구상 알루미나의 분산성이 한층 더 높아진다. (F) 분산제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화성 조성물의 도포성이 한층 더 높아진다.The content of the (F) dispersing agent in 100 wt% of the curable composition is preferably 0.05 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more, preferably 2 wt% or less, more preferably 1 wt% or less. When the content of the (F) dispersant is not lower than the lower limit described above, (E) the dispersibility of the spherical alumina becomes even higher. If the content of the dispersant (F) is not more than the upper limit, the coatability of the curable composition becomes even higher.

((G) 커플링제)((G) coupling agent)

상기 경화성 조성물은 (G) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. (G) 커플링제의 사용에 의해, 경화성 조성물의 경화물의 내습성 및 접착력이 한층 더 높아진다. (G) 커플링제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The curable composition preferably contains (G) a coupling agent. (G) coupling agent, the moisture resistance and adhesion of the cured product of the curable composition are further enhanced. (G) coupling agents may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, (G) 커플링제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3중량% 이상, 바람직하게는 2중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다. (G) 커플링제의 함유량이 상기 하한 이상이면 경화성 조성물의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다.The content of the coupling agent (G) in 100 wt% of the curable composition is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 0.3 wt% or more, preferably 2 wt% or less, and more preferably 1 wt% or less . When the content of the (G) coupling agent is not lower than the lower limit described above, the moisture resistance of the cured product of the curable composition is further increased.

상기 (G) 커플링제는, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들의 바람직한 실란 커플링제를 사용하는 경우에, 이들 실란 커플링제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The coupling agent (G) is preferably a silane coupling agent having a weight loss of less than 10 wt% at 100 DEG C, a titanate coupling agent having a weight loss of less than 10 wt% at 100 DEG C, or a weight reduction of less than 10 wt% By weight of an aluminate coupling agent. When these preferable silane coupling agents are used, these silane coupling agents may be used singly or two or more of them may be used in combination.

100℃에 있어서의 중량 감소가 10중량% 이하이면, 경화 중에 (G) 커플링제의 휘발이 억제되어, 보이드의 발생량을 억제할 수 있기 때문에, 반도체 소자에 대한 습윤성이 한층 더 높아지고, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다. 또한, 점착성도 양호하게 할 수 있다.When the weight loss at 100 占 폚 is 10% by weight or less, the volatilization of the coupling agent (G) is suppressed during curing and the amount of voids generated can be suppressed. Therefore, the wettability to the semiconductor device is further increased, . In addition, adhesiveness can be improved.

또한, 100℃에 있어서의 중량 감소는 적외 수분계(케츠토 가가꾸 겐큐쇼사 제조 「FD-720」)를 사용하여, 50℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온하고, 10분 후의 중량 감소를 측정함으로써 구할 수 있다.The weight loss at 100 占 폚 was measured by using an infrared water meter (" FD-720 " manufactured by Ketsutogaku Kenshikushi Co., Ltd.), raising the temperature to 100 占 폚 at a heating rate of 50 占 폚 / minute, .

(다른 성분)(Other components)

상기 경화성 조성물은 용제를 포함하지 않거나, 또는 용제를 포함하는 경우에는 용제의 함유량은 적은 쪽이 바람직하다.It is preferable that the curable composition does not contain a solvent, or when the solvent contains a solvent, the content of the solvent is small.

상기 용제로서는, 물 및 유기 용제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 잔류물의 제거성을 한층 더 높이는 관점에서는, 유기 용제가 바람직하다. 상기 유기 용제로서는, 에탄올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류, 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 락트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 탄산프로필렌 등의 에스테르류, 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류, 및 석유 에테르, 나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다.Examples of the solvent include water and organic solvents. Among them, an organic solvent is preferable from the viewpoint of further enhancing the removability of the residue. Examples of the organic solvent include alcohols such as ethanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, Glycol ethers such as carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and tripropylene glycol monomethyl ether, Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, butyl lactate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, Octane, and decane, and aliphatic hydrocarbons such as petroleum ether, naphtha And petroleum-based solvents such as those described above.

상기 경화성 조성물이 상기 용제를 포함하는 경우에는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 용제의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.3중량% 미만이다.When the curable composition contains the solvent, the content of the solvent is preferably less than 0.5% by weight, more preferably less than 0.3% by weight, based on 100% by weight of the curable composition.

상기 경화성 조성물은, 필요에 따라, 카르나우바 왁스 등의 천연 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스, 스테아르산이나 스테아르산아연 등의 고급 지방산 및 그의 금속염류 혹은 파라핀 등의 이형제; 카본 블랙, 벵갈라 등의 착색제; 브롬화 에폭시 수지, 삼산화안티몬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연, 포스파젠 등의 난연제; 산화비스무트 수화물 등의 무기 이온 교환체; 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 저 응력화 성분; 산화 방지제; 음이온 교환체, 양이온 교환체, 양쪽성 이온 교환체 등의 이온 트랩제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The curable composition may contain, if necessary, natural waxes such as carnauba wax, synthetic waxes such as polyethylene waxes, release agents such as higher fatty acids such as stearic acid and zinc stearate and metal salts thereof or paraffin; Coloring agents such as carbon black and spinach; Flame retardants such as brominated epoxy resin, antimony trioxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene; Inorganic ion exchangers such as bismuth hydrate; Low stressing components such as silicone oil and silicone rubber; Antioxidants; And an ion trap agent such as an anion exchanger, a cation exchanger, an amphoteric ion exchanger, and the like.

상기 경화성 조성물은, 필요에 따라 열전도율이 10W/m·K 이상이고, 또한 구상인 충전제를 포함하고 있어도 되고, 예를 들어 구상 합성 마그네사이트, 구상 결정성 실리카, 구상 질화붕소, 구상 질화알루미늄, 구상 질화규소, 구상 탄화규소, 구상 산화아연 또는 구상 산화마그네슘 등을 포함하고 있어도 된다.The curable composition may contain a spherical filler having a thermal conductivity of 10 W / m · K or more as the need arises, and examples thereof include spherical synthetic magnesite, spherical crystalline silica, boron nitride, spheroidal aluminum nitride, , Spherical silicon carbide, spherical zinc oxide, spherical magnesium oxide, or the like.

(경화성 조성물의 기타 상세 및 반도체 장치)(Other details of the curable composition and semiconductor device)

상기 경화성 조성물은, 바람직하게는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용된다. 상기 경화성 조성물은, 바람직하게는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료인 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자의 표면을 피복하는 피복 재료인 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자의 측면 상에 도포되지 않는 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료와는 다른 것이 바람직하고, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 밀봉제가 아닌 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은 언더필재가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자가, 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 경화성 조성물은, 상기 반도체 소자의 상기 제2 표면측과는 반대인 제1 표면 상에 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용된다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료인 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 적합하게 사용되고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대인 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해서 적합하게 사용된다. 상기 경화성 조성물은, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재와의 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다른 것이 바람직하다.The curable composition is preferably applied on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element. The curable composition is preferably a material for protecting a semiconductor element used for application on the surface of the semiconductor element for protecting the semiconductor element. The curable composition is preferably a coating material that covers the surface of the semiconductor element. It is preferable that the curable composition is not coated on the side surface of the semiconductor element. The curable composition is preferably different from the material for sealing the semiconductor element, and is preferably a sealant for sealing the semiconductor element. The curable composition is preferably not an underfill material. It is preferable that the semiconductor element has a first electrode on a second surface side and the curable composition is applied and used on a first surface opposite to the second surface side of the semiconductor element. The curable composition is suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element in the semiconductor device. The curable composition is preferably a semiconductor element protecting material used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element in order to protect the semiconductor element in the semiconductor device. The curable composition is suitably used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element so as to protect the semiconductor element and a protective film is disposed on a surface of the cured product opposite to the semiconductor element side, And is suitably used for obtaining a semiconductor device. It is preferable that the curable composition is different from a cured product which is disposed between the semiconductor element and another member to be connected and which is bonded and fixed so as not to peel off the semiconductor element and the other member to be connected.

상기 경화성 조성물을 도포하는 방법으로서는, 디스펜서에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄에 의한 도포 방법 및 잉크젯 장치에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 상기 경화성 조성물은 디스펜서, 스크린 인쇄, 진공 스크린 인쇄 또는 잉크젯 장치에 의한 도포 방법에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 도포가 용이하고, 또한 경화물 중에 보이드를 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 경화성 조성물은 디스펜서에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다.Examples of the method of applying the curable composition include a coating method by a dispenser, a coating method by screen printing, and a coating method by an ink jet apparatus. The curable composition is preferably applied by a dispenser, a screen printing, a vacuum screen printing or an application method by an ink jet apparatus. From the viewpoint of easy application and further making voids harder to be generated in the cured product, it is preferable that the curable composition is applied and used by a dispenser.

본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물이 상술한 경화성 조성물의 경화물이며, 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있다.A semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor element and a cured material disposed on the first surface of the semiconductor element. In the semiconductor device according to the present invention, the cured product is a cured product of the curable composition described above, and is formed by curing the curable composition.

상기 경화성 조성물은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대인 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해서 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대인 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해서 사용되는 것이 바람직하다.The curable composition is characterized in that in order to protect the semiconductor element, a cured product is formed on the surface of the semiconductor element and a protective film is disposed on a surface of the cured product opposite to the semiconductor element side, Or used to obtain a semiconductor device in which a cured product is formed on the surface of the semiconductor element and a surface opposite to the semiconductor element side of the cured product is exposed in order to protect the semiconductor element desirable.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a partially cut front cross-sectional view showing a semiconductor device using a curable composition according to a first embodiment of the present invention. Fig.

도 1에 도시하는 반도체 장치(1)는 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3)을 구비한다. 경화물(3)은 상술한 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3)은 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 일부 영역에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 상술한 경화성 조성물은 반도체 소자 보호용 재료로서 사용되고 있다.The semiconductor device 1 shown in Fig. 1 includes a semiconductor element 2 and a cured product 3 disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2. [ The cured product (3) is formed by curing the above-mentioned curable composition. The cured product 3 is disposed in a part of the area on the first surface 2a of the semiconductor element 2. In the present embodiment, the above-described curable composition is used as a material for protecting semiconductor devices.

반도체 소자(2)는 제1 표면(2a) 측과는 반대인 제2 표면(2b)측에, 제1 전극(2A)을 갖는다. 반도체 장치(1)는 접속 대상 부재(4)를 더 구비한다. 접속 대상 부재(4)는 표면(4a)에 제2 전극(4A)을 갖는다. 반도체 소자(2)와 접속 대상 부재(4)는, 다른 경화물(5)(접속부)을 통해서 접착 및 고정되어 있다. 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)과, 접속 대상 부재(4)의 제2 전극(4A)이 대향하고 있고, 도전성 입자(6)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(2A)과 제2 전극(4A)이 접촉함으로써, 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 경화물(3)은 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)이 배치되어 있는 측과 반대측인 제1 표면(2a) 상에 배치되어 있다.The semiconductor element 2 has a first electrode 2A on the second surface 2b side opposite to the first surface 2a side. The semiconductor device (1) further includes a member to be connected (4). The connection target member 4 has the second electrode 4A on the surface 4a. The semiconductor element 2 and the member to be connected 4 are adhered and fixed via another cured product 5 (connection portion). The first electrode 2A of the semiconductor element 2 and the second electrode 4A of the connection target member 4 are opposed to each other and are electrically connected by the conductive particles 6. [ The first electrode 2A and the second electrode 4A may be in contact with each other to be electrically connected. The cured product 3 is disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2 opposite to the side on which the first electrode 2A is disposed.

경화물(3)의 반도체 소자(2)측과는 반대인 표면 상에, 보호 필름(7)이 배치되어 있다. 그에 의해, 경화물(3)에 의해 방열성 및 반도체 소자의 보호성을 높일뿐만 아니라, 보호 필름(7)에 의해서도, 반도체 소자의 보호성을 한층 더 높일 수 있다. 경화물(3)은 상술한 조성을 갖고 얻어지고 있기 때문에, 경화물(3)의 보호 필름(7)에 대한 부착을 억제할 수 있다.A protective film 7 is disposed on the surface of the cured product 3 opposite to the semiconductor element 2 side. Thereby, not only the heat radiation property and the protection property of the semiconductor element can be enhanced by the cured product 3, but also the protective property of the semiconductor element can be further enhanced by the protective film 7. Since the cured product 3 is obtained with the above composition, adhesion of the cured product 3 to the protective film 7 can be suppressed.

상기 접속 대상 부재로서는, 유리 기판, 유리 에폭시 기판, 플렉시블 프린트 기판 및 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다.Examples of the member to be connected include a glass substrate, a glass epoxy substrate, a flexible printed substrate, and a polyimide substrate.

반도체 소자의 표면 상에 있어서, 경화성 조성물의 경화물의 두께는, 바람직하게는 400㎛ 이상, 보다 바람직하게는 500㎛ 이상, 바람직하게는 2000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1900㎛ 이하이다. 경화성 조성물의 경화물의 두께는 반도체 소자의 두께보다 얇아도 된다.On the surface of the semiconductor element, the thickness of the cured product of the curable composition is preferably 400 占 퐉 or more, more preferably 500 占 퐉 or more, preferably 2000 占 퐉 or less, and more preferably 1900 占 퐉 or less. The thickness of the cured product of the curable composition may be thinner than the thickness of the semiconductor element.

도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 경화성 조성물을 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.2 is a partially cut front cross-sectional view showing a semiconductor device using a curable composition according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시하는 반도체 장치(1X)는 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3X)을 구비한다. 경화물(3X)은 상술한 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3X)은 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 전체의 영역에 배치되어 있다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대인 표면 상에, 보호 필름은 배치되어 있지 않다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대인 표면은 노출되어 있다. 본 실시 형태에서는, 상술한 경화성 조성물은 반도체 소자 보호용 재료로서 사용되고 있다.The semiconductor device 1X shown in Fig. 2 includes a semiconductor element 2 and a cured product 3X disposed on the first surface 2a of the semiconductor element 2. [ The cured product (3X) is formed by curing the above-mentioned curable composition. The cured product 3X is disposed in the entire region on the first surface 2a of the semiconductor element 2. [ The protective film is not disposed on the surface of the cured product 3X opposite to the semiconductor element 2 side. The surface of the cured product 3X opposite to the semiconductor element 2 side is exposed. In the present embodiment, the above-described curable composition is used as a material for protecting semiconductor devices.

상기 반도체 장치에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대인 표면 상에, 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대인 표면이 노출되어 있는 것이 바람직하다.In the semiconductor device, it is preferable that a protective film is disposed on a surface of the cured product opposite to the semiconductor element side, or a surface of the cured product opposite to the semiconductor element side is exposed.

또한, 도 1, 2에 도시하는 구조는, 반도체 장치의 일례에 지나지 않으며, 경화성 조성물의 경화물의 배치 구조 등은 적절히 변형될 수 있다.The structures shown in Figs. 1 and 2 are merely examples of semiconductor devices, and the arrangement and the like of cured products of the curable composition can be appropriately modified.

반도체 보호용 재료의 경화물의 열전도율은 특별히 한정되지 않지만, 2.3W/m·K 이상인 것이 바람직하다.The thermal conductivity of the cured product of the semiconductor protective material is not particularly limited, but is preferably 2.3 W / m · K or more.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 명백하게 한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

이하의 재료를 사용했다.The following materials were used.

(A) 가요성 에폭시 화합물(A) a flexible epoxy compound

EX-821(n(알킬렌글리콜기의 수)=4)(나가세 켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 185)EX-821 (n (number of alkylene glycol groups) = 4) (polyethylene glycol diglycidyl ether manufactured by Nagase ChemteX Corporation, epoxy equivalent: 185)

EX-830(n=9)(나가세 켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 268)EX-830 (n = 9) (polyethylene glycol diglycidyl ether, manufactured by Nagase ChemteX Corp., epoxy equivalent: 268)

EX-931(n=11)(나가세 켐텍스사 제조, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 471)EX-931 (n = 11) (polypropylene glycol diglycidyl ether, manufactured by Nagase ChemteX Corp., epoxy equivalent: 471)

EX-861(n=22)(나가세 켐텍스사 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 551)EX-861 (n = 22) (polyethylene glycol diglycidyl ether, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, epoxy equivalent: 551)

(B) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물(B) an epoxy compound different from the flexible epoxy compound

jER828(미쯔비시 가가꾸사 제조, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 188)jER828 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent: 188)

jER834(미쯔비시 가가꾸사 제조, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 연화점: 30℃, 에폭시 당량: 255)jER834 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin, softening point: 30 占 폚, epoxy equivalent: 255)

(C) 경화제(C) Curing agent

후지큐어 7000(후지 가세이사 제조, 23℃에서 액상, 아민 화합물)Fuji Cure 7000 (liquid, amine compound manufactured by Fuji Kasei at 23 캜)

리카시드 MH-700(신닛폰 리까사 제조, 23℃에서 액상, 산 무수물)Ricaside MH-700 (liquid, acid anhydride at 23 占 폚 manufactured by Shin-Nippon Rika KK)

MEH-8005(메이와 가세이사 제조, 23℃에서 액상, 알릴페놀 노볼락 화합물)MEH-8005 (liquid, allylphenol novolac compound manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. at 23 占 폚)

(D) 경화 촉진제(D) Curing accelerator

SA-102(산-아프로사 제조, DBU 옥틸산염)SA-102 (DBU octylate manufactured by SUN-APRO Co., Ltd.)

HX-3742(아사히 가세이 이매터리얼즈사 제조, 마이크로 캡슐 이미다졸)HX-3742 (manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd., microcapsule imidazole)

(E) 구상 알루미나(E) spherical alumina

AO-802(애드마텍스사 제조, 평균 입자 직경 0.7㎛)AO-802 (manufactured by Admatechs Co., average particle diameter 0.7 mu m)

CB-P05(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 5㎛)CB-P05 (manufactured by Showa Denko K.K., average particle diameter 5 mu m)

CB-P15(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 15㎛)CB-P15 (manufactured by Showa Denko, average particle diameter 15 占 퐉)

CB-P40(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 40㎛)CB-P40 (manufactured by Showa Denko K.K., average particle diameter 40 mu m)

CB-A70(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 70㎛)CB-A70 (manufactured by Showa Denko K.K., average particle diameter 70 mu m)

(E') 파쇄 알루미나(E ') fumed alumina

AL-13-H(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 60㎛)AL-13-H (manufactured by Showa Denko K.K., average particle diameter 60 mu m)

AL-42KT(쇼와 덴코사 제조, 평균 입자 직경 4.6㎛)AL-42KT (manufactured by Showa Denko K.K., Average particle diameter of 4.6 mu m)

(F) 분산제(F) Dispersant

ANTI-TERRA-U 100(BYK사 제조, 산가 50KOHmg/g, 아민가 35KOHmg/g)ANTI-TERRA-U 100 (manufactured by BYK, acid value 50 KOHmg / g, amine value 35 KOHmg / g)

BYK-9076(BYK사 제조, 산가 38KOHmg/g, 아민가 44KOHmg/g)BYK-9076 (manufactured by BYK, acid value 38 KOHmg / g, amine value 44 KOHmg / g)

DISPERBYK-180(BYK사 제조, 산가 94KOHmg/g, 아민가 94KOHmg/g)DISPERBYK-180 (manufactured by BYK, acid value 94 KOHmg / g, amine value 94 KOHmg / g)

DISPERBYK-142(BYK사 제조, 산가 46KOHmg/g, 아민가 43KOHmg/g)DISPERBYK-142 (manufactured by BYK, acid value: 46 KOHmg / g, amine value: 43 KOHmg / g)

ANTI-TERRA-204(BYK사 제조, 산가 41KOHmg/g, 아민가 37KOHmg/g)ANTI-TERRA-204 (manufactured by BYK, acid value 41 KOHmg / g, amine value 37 KOHmg / g)

DISPERBYK-145(BYK사 제조, 산가 76KOHmg/g, 아민가 71KOHmg/g)DISPERBYK-145 (manufactured by BYK, acid value 76 KOHmg / g, amine value 71 KOHmg / g)

(F') 그 밖의 분산제(F ') Other dispersants

DISPERBYK-102(BYK사 제조, 산가 101KOHmg/g)DISPERBYK-102 (manufactured by BYK, acid value 101 KOHmg / g)

DISPERBYK-109(BYK사 제조, 아민가 140KOHmg/g)DISPERBYK-109 (manufactured by BYK, amine value: 140 KOHmg / g)

(G) 커플링제(G) Coupling agent

KBM-403(신에쓰 가가꾸 고교사 제조, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량%를 초과한다)KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., weight loss at 100 占 폚: exceeding 10% by weight)

A-LINK599(momentive사 제조, 3-옥타노일티오-1-프로필트리에톡시실란, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)A-LINK599 (3-octanoylthio-1-propyltriethoxysilane, manufactured by Momentive, weight loss at 100 DEG C: not more than 10% by weight)

TOG(IPA 커트)(닛폰 소다사 제조, 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)TOG (IPA cut) (titanium-i-propoxy octyleneglycolate, manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., weight reduction at 100 캜: not more than 10% by weight)

AL-M(아지노모또 파인테크노사 제조, 아세트알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 100℃에 있어서의 중량 감소: 10중량% 이하)AL-M (Acetalkoxyaluminum diisopropylate, manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., weight reduction at 100 占 폚: not more than 10% by weight)

(기타 성분)(Other components)

쿄와드 500PL(쿄와 가가꾸사 제조, 이온 트랩제)Kyowad 500PL (manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd., ion trap)

(용제)(solvent)

MFDG(닛폰 뉴카자이사 제조, 비점 187℃)MFDG (manufactured by Nippon Kayakazai Co., Ltd., boiling point: 187 占 폚)

DBDG(닛폰 뉴카자이사 제조, 비점 254℃)DBDG (manufactured by Nippon Kayakazai Co., Ltd., boiling point: 254 占 폚)

(실시예 1)(Example 1)

EX-821(n=4)을 5.5중량부, jER828을 2.5중량부, 후지큐어 7000을 2중량부, SA-102를 0.5중량부, ANTI-TERRA-U 100을 0.5중량부, CB-P05를 35중량부, CB-A70을 35중량부, 쿄와드 500PL을 0.1중량부 혼합하고, 탈포를 행하여, 반도체 소자 보호용 재료(경화성 조성물)를 얻었다.5.5 parts by weight of EX-821 (n = 4), 2.5 parts by weight of jER828, 2 parts by weight of Fuji Cure 7000, 0.5 parts by weight of SA-102, 0.5 parts by weight of ANTI-TERRA- 35 parts by weight of CB-A70, and 0.1 parts by weight of Kyoward 500PL were mixed and defoamed to obtain a semiconductor device protecting material (curable composition).

(실시예 2 내지 27 및 비교예 1 내지 7)(Examples 2 to 27 and Comparative Examples 1 to 7)

배합 성분의 종류 및 배합량(단위는 중량부)을 하기 표 1 내지 4에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 소자 보호용 재료(경화성 조성물)를 얻었다.(Curing composition) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the kind and blending amount (unit: parts by weight) of the blending components were changed as shown in Tables 1 to 4 below.

(평가)(evaluation)

(1) 25℃에 있어서의 점도의 측정(1) Measurement of viscosity at 25 占 폚

B형 점도계(도끼 산교사 제조 「TVB-10형」)를 사용하여, 반도체 소자 보호용 재료의 25℃에 있어서의 10rpm에서의 점도(㎩·s)를 측정했다. 점도를 하기 기준으로 판정했다.The viscosity (Pa · s) of the semiconductor element protecting material at 25 ° C at 10 rpm was measured using a B-type viscometer ("TVB-10 type" The viscosity was determined based on the following criteria.

[점도의 판정 기준][Criteria of Viscosity]

○: 60㎩·s 이상, 125㎩·s 미만?: Not less than 60 Pa 占 퐏, less than 125 Pa 占 퐏

△: 125㎩·s 이상, 150㎩·s 미만DELTA: not less than 125 Pa 占 퐏 and less than 150 Pa 占 퐏

×: 150㎩·s 이상, 또는 측정 불가능X: 150 Pa s or more, or not measurable

(2) 열전도율(2) Thermal conductivity

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 했다.The obtained semiconductor device protecting material was heated at 150 占 폚 for 2 hours and cured to obtain a cured product of 100 mm 占 100 mm 占 thickness 50 占 퐉. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플의 열전도율을, 교토 덴시 고교사 제조 열전도율계 「신속 열전도율계 QTM-500」을 사용하여 측정했다. 열전도율을 하기 기준으로 판정했다.The thermal conductivity of the obtained evaluation sample was measured using a thermal conductivity meter " Rapid Thermal Conductivity Meter QTM-500 " manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., The thermal conductivity was determined based on the following criteria.

[열전도율의 판정 기준][Judgment Criteria of Thermal Conductivity]

○: 열전도율이 3.0W/m·K 이상○: Thermal conductivity of 3.0 W / m · K or more

△: 열전도율이 2.3W/m·K 이상, 3.0W/m·K 미만?: Thermal conductivity is 2.3 W / m · K or more, 3.0 W / m · K or less

×: 열전도율이 2.3W/m·K 미만X: Heat conductivity less than 2.3 W / m · K

(3) 도포성(3) Coating property

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사 제조 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 직경 5㎜, 높이 2㎜가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열해서 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료의 형상으로부터 도포성을 하기 기준으로 판정했다.The obtained semiconductor element protecting material was directly discharged from the dispenser apparatus (SHOTMASTER-300, manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to a polyimide film so as to have a diameter of 5 mm and a height of 2 mm, and then the semiconductor element protecting material was heated at 150 캜 for 2 hours And cured. The formability of the semiconductor device protective material after curing was determined based on the following criteria.

[도포성의 판정 기준][Criteria for determination of applicability]

○○: 직경 5.45㎜ 이상, 또한 높이 1.75㎜ 미만(유동성 있음)○○: Diameter of 5.45㎜ or more and height of less than 1.75㎜ (with fluidity)

○: 직경 5.3㎜를 초과하고, 5.45㎜ 미만, 또한 높이 1.75㎜를 초과하고, 1.8㎜ 미만(유동성 있음)?: Diameter exceeding 5.3 mm, less than 5.45 mm, height exceeding 1.75 mm, less than 1.8 mm (with fluidity)

△: 직경 5.15㎜를 초과하고, 5.3㎜ 미만, 또한 높이 1.8㎜를 초과하고, 1.9㎜ 미만(유동성 조금 있음)DELTA: a diameter exceeding 5.15 mm, less than 5.3 mm, a height exceeding 1.8 mm, less than 1.9 mm (with a little fluidity)

△△: 직경 5㎜를 초과하고, 5.15㎜ 미만, 또한 높이 1.9㎜를 초과하고, 2㎜ 미만(유동성 조금 있음)DELTA DELTA: a diameter exceeding 5 mm, less than 5.15 mm, a height exceeding 1.9 mm, less than 2 mm (with a little fluidity)

×: 직경 5㎜, 또한 높이 2㎜인 상태 그대로(유동성 없음), 또는 도포 불가능X: A state of being 5 mm in diameter and 2 mm in height (no fluidity)

(4) 내습성(4) Moisture resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 했다.The obtained semiconductor device protecting material was heated at 150 占 폚 for 2 hours and cured to obtain a cured product of 100 mm 占 100 mm 占 thickness 50 占 퐉. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 사용해서, 또한 DSM-8104(히오끼덴끼사 제조, 디지털 초 절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극: SME-8310(히오끼덴끼사 제조)을 사용하여, 부피 저항률을 측정했다.Using the obtained evaluation sample, the volume resistivity was also measured using a DSM-8104 (digital super insulation / micro ammeter manufactured by Hiokiden Co., Ltd.) and an electrode for flat plate sample: SME-8310 (manufactured by Hioki Denki K.K.).

이어서, 프레셔 쿠커 시험을 고도 가속 수명 시험 장치 EHS-211(에스펙사 제조)로 행하였다. 121℃, 습도 100%RH 및 2atm의 조건에서 24시간 방치하고, 다음에 23℃ 및 습도 50%RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 부피 저항률을 측정했다. 프레셔 쿠커 시험 전후의 부피 저항률의 저하율을 계산하여, 내습성을 하기 기준으로 판정했다.Subsequently, a pressure cooker test was carried out using an advanced accelerated life testing device EHS-211 (manufactured by Especa). The sample was allowed to stand for 24 hours under the conditions of 121 占 폚, 100% RH and 2 atm, and then left in an environment of 23 占 폚 and 50% RH for 24 hours to measure the volume resistivity. The rate of decrease in the volume resistivity before and after the pressure cooker test was calculated and the moisture resistance was judged as the criterion for humidity resistance.

[내습성의 판정 기준][Criteria for evaluating moisture resistance]

○: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10% 이하?: The rate of decrease in the volume resistivity before and after the test is not more than 10%

△: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10%를 초과하고, 20% 이하?: The rate of decrease in the volume resistivity before and after the test exceeds 10%, and not more than 20%

×: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 20%를 초과한다X: The decrease rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

(5) 보이드의 발생량(5) Generated amount of void

얻어진 반도체 소자 보호용 재료 100g을 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사 제조 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 토출했다. 반도체 소자 보호용 재료 100g의 토출 중에 보이드의 발생의 유무를 확인했다. 보이드의 발생량을 하기 기준으로 판정했다. 또한, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열해서 경화시킨 바, 토출 중에 발생한 보이드는 경화물 중에 잔존해 있었다. 또한, 보이드가 발생하는 경우에, 보이드가 있는 부분에 있어서, 경화물의 방열성이 낮아지는 경향이 있는 것을 확인했다. 또한, 보이드가 있는 부분 근방은, 의도치 않은 박리의 기점이 된다.100 g of the obtained semiconductor device protecting material was discharged from the dispenser apparatus (SHOTMASTER-300, manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to the polyimide film. The presence of voids was confirmed during the discharge of 100 g of the semiconductor element protecting material. The generation of voids was judged based on the following criteria. Further, when the semiconductor device protecting material was cured by heating at 150 DEG C for 2 hours, voids generated during ejection remained in the cured product. Further, it was confirmed that, in the case where voids were generated, there was a tendency that the heat radiation property of the cured product was lowered in the voided portion. In addition, the vicinity of the portion where the void is present is a starting point of unintentional peeling.

[보이드의 발생량의 판정 기준][Criteria for determination of generation of voids]

○: 보이드가 발생하지 않는다○: No void occurs

△: 보이드가 1 내지 2개 발생?: 1 or 2 voids were generated

×: 보이드가 3개 이상 발생×: 3 or more voids are generated

(6) 접착력 (다이 전단 강도)(6) Adhesion (die shear strength)

폴리이미드 기판 상에, 접착 면적이 3㎜×3㎜가 되도록 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 한변이 1.5㎜인 사각형의 Si칩을 실어, 테스트 샘플을 얻었다.On the polyimide substrate, a semiconductor element protecting material was applied so as to have an adhesive area of 3 mm x 3 mm, and a rectangular Si chip having a side of 1.5 mm was placed thereon to obtain a test sample.

얻어진 테스트 샘플을 150℃에서 2시간 가열하여, 반도체 소자 보호용 재료를 경화시켰다. 이어서, 다이 전단 테스터(아크테크사 제조 「DAGE 4000」)를 사용하여, 300㎛/초의 속도로, 25℃에서의 다이 전단 강도를 평가했다.The obtained test sample was heated at 150 占 폚 for 2 hours to cure the semiconductor device protecting material. Then, the die shear strength at 25 캜 was evaluated at a speed of 300 탆 / sec using a die shear tester (DAGE 4000 manufactured by Arc Tech).

[접착력의 판정 기준][Judgment Criteria of Adhesion]

○: 다이 전단 강도가 10N 이상O: a die shear strength of 10 N or more

△: 다이 전단 강도가 5N 이상, 10N 미만DELTA: Die shear strength of 5 N or more and less than 10 N

×: 다이 전단 강도가 5N 미만X: Die shear strength less than 5 N

(7) 점착성(보호 필름의 부착성)(7) Adhesion (Adhesiveness of protective film)

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 했다.The obtained semiconductor device protecting material was heated at 150 占 폚 for 2 hours and cured to obtain a cured product of 100 mm 占 100 mm 占 thickness 50 占 퐉. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 23℃ 및 습도 50%RH의 분위기 하에서 24시간 방치했다. 24시간 방치 후 즉시, 평가 샘플의 표면 점착성(태크성)을 평가하기 위해서, 점착 테스터TA-500(UBM사 제조)를 사용하여, 응력을 측정했다.The obtained evaluation sample was allowed to stand in an atmosphere at 23 캜 and a humidity of 50% RH for 24 hours. The stress was measured using an adhesion tester TA-500 (manufactured by UBM Co., Ltd.) in order to evaluate the surface tackiness (tackiness) of the evaluation sample immediately after being left for 24 hours.

[점착성의 판정 기준][Judgment criteria of stickiness]

○: 응력이 50gf/㎠ 미만○: Less than 50 gf / ㎠ of stress

△: 응력이 50gf/㎠ 이상, 100gf/㎠ 미만DELTA: stress of 50 gf / cm 2 or more, less than 100 gf / cm 2

×: 응력이 100gf/㎠ 이상X: Stress exceeding 100 gf / cm 2

(8) 필름 휨(유연성)(8) Film bending (flexibility)

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사 제조 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 세로 20㎜, 가로 100㎜, 높이 10㎜가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열해서 경화시켰다. 경화 후에 폴리이미드 필름의 휨을 육안으로 확인하고, 필름 휨을 하기 기준으로 판정했다.The obtained semiconductor element protecting material was directly discharged from the dispenser apparatus (SHOTMASTER-300, manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) to a polyimide film so as to be 20 mm long, 100 mm wide and 10 mm high, For 2 hours. After curing, the warpage of the polyimide film was visually confirmed, and the warpage of the film was judged as a criterion to be used.

[필름 휨의 판정 기준][Judgment criteria for film warpage]

○: 폴리이미드 필름의 휨 없음?: No warpage of polyimide film

×: 폴리이미드 필름의 휨 발생X: Warpage of polyimide film

(9) 내열성(9) Heat resistance

얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하고, 경화시켜서, 100㎜×100㎜×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 했다.The obtained semiconductor device protecting material was heated at 150 占 폚 for 2 hours and cured to obtain a cured product of 100 mm 占 100 mm 占 thickness 50 占 퐉. This cured product was used as an evaluation sample.

얻어진 평가 샘플을 사용해서, 또한 DSM-8104(히오끼덴끼사 제조, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극: SME-8310(히오끼덴끼사 제조)을 사용하여, 부피 저항률을 측정했다.Using the obtained evaluation sample, the volume resistivity was also measured using a DSM-8104 (digital super insulation / micro ammeter manufactured by Hiokiden Co., Ltd.) and an electrode for flat plate sample: SME-8310 (manufactured by Hioki Denki K.K.).

이어서, 평가 샘플을 180℃에서 100시간 방치하고, 다음에 23℃ 및 습도 50%RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 부피 저항률을 측정했다. 내열 시험 전후의 부피 저항률의 저하율을 계산하여, 내열성을 하기 기준으로 판정했다.Subsequently, the evaluation sample was left at 180 캜 for 100 hours, and then left in an environment of 23 캜 and 50% RH for 24 hours, and the volume resistivity was measured. The rate of decrease of the volume resistivity before and after the heat resistance test was calculated, and the heat resistance was judged as the following standard.

[내열성의 판정 기준][Judgment criteria for heat resistance]

○: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10% 이하?: The rate of decrease in the volume resistivity before and after the test is not more than 10%

△: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 10%를 초과하고, 20% 이하?: The rate of decrease in the volume resistivity before and after the test exceeds 10%, and not more than 20%

×: 시험 전후의 부피 저항률의 저하율이 20%를 초과한다X: The decrease rate of the volume resistivity before and after the test exceeds 20%

조성 및 결과를 하기 표 1 내지 4에 나타낸다.The compositions and results are shown in Tables 1 to 4 below.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

1, 1X : 반도체 장치
2 : 반도체 소자
2a : 제1 표면
2b : 제2 표면
2A : 제1 전극
3, 3X : 경화물
4 : 접속 대상 부재
4a : 표면
4A : 제2 전극
5 : 다른 경화물
6 : 도전성 입자
7 : 보호 필름1, 1X: semiconductor device
2: Semiconductor device
2a: first surface
2b: second surface
2A: first electrode
3, 3X: Cured product
4: member to be connected
4a: surface
4A: the second electrode
5: Other cured goods
6: conductive particles
7: Protective film

Claims (20)

가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 경화제와, 구상 알루미나와, 분산제를 포함하고,
상기 분산제의 아민가가 5KOHmg/g 이상이고, 또한 상기 분산제의 산가가 5KOHmg/g 이상인, 경화성 조성물.A flexible epoxy compound, an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, a curing agent, spherical alumina, and a dispersant,
Wherein the amine value of the dispersant is 5 KOHmg / g or more, and the acid value of the dispersant is 5 KOHmg / g or more. 제1항에 있어서, 상기 분산제의 아민가가 40KOHmg/g 이상, 95KOHmg/g 이하이고, 또한 상기 분산제의 산가가 45KOHmg/g 이상, 95KOHmg/g 이하인, 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein the dispersant has an amine value of 40 KOHmg / g or more and 95 KOHmg / g or less and an acid value of the dispersant is 45 KOHmg / g or more and 95 KOHmg / g or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분산제의 아민가와 상기 분산제의 산가의 차의 절댓값이 10 이하인, 경화성 조성물.3. The curable composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the absolute value of the difference between the amine value of the dispersant and the acid value of the dispersant is 10 or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 용제를 포함하지 않거나, 또는 용제를 0.5중량% 미만으로 포함하는, 경화성 조성물.4. The curable composition according to any one of claims 1 to 3, which contains no solvent or contains less than 0.5% by weight of a solvent. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구상 알루미나의 함유량이 60부피% 이상인, 경화성 조성물.The curable composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the spherical alumina is 60 vol% or more. 제5항에 있어서, 상기 구상 알루미나의 함유량이 70부피% 이상인, 경화성 조성물.The curable composition according to claim 5, wherein the content of the spherical alumina is 70 vol% or more. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구상 알루미나가, 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상, 10㎛ 미만인 구상 알루미나와, 평균 입자 직경이 10㎛ 이상, 80㎛ 이하인 구상 알루미나를 포함하는, 경화성 조성물.The method according to any one of claims 1 to 6, wherein the spherical alumina comprises spherical alumina having an average particle diameter of 0.1 탆 or more and less than 10 탆 and spherical alumina having an average particle diameter of 10 탆 or more and 80 탆 or less , A curable composition. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화제가 알릴페놀 노볼락 화합물인, 경화성 조성물.The curable composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the curing agent is an allyl phenol novolak compound. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물의 함유량이 10중량부 이상, 100 중량부 이하인, 경화성 조성물.The curable composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the content of the epoxy compound other than the flexible epoxy compound is 10 parts by weight or more and 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the flexible epoxy compound . 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량% 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함하는, 경화성 조성물.10. A composition according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it comprises a silane coupling agent with a weight loss of less than 10% by weight at 100 DEG C, a titanate coupling agent with a weight loss of less than 10% by weight at 100 DEG C, And an aluminate coupling agent having a weight loss of 10 wt% or less. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화제가, 23℃에서 액상인 경화제인, 경화성 조성물.11. The curable composition according to any one of claims 1 to 10, wherein the curing agent is a curing agent which is liquid at 23 deg. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 경화 촉진제를 포함하는, 경화성 조성물.12. The curable composition according to any one of claims 1 to 11, comprising a curing accelerator. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다른, 경화성 조성물.The semiconductor device according to any one of claims 1 to 12, further comprising: a cured product which is disposed between the semiconductor element and another member to be connected and which is bonded and fixed so as not to peel off the semiconductor element and the other member to be connected , A curable composition. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료인, 경화성 조성물.14. The curable composition according to any one of claims 1 to 13, which is a material for protecting a semiconductor element used for forming a cured product on the surface of the semiconductor element so as to protect the semiconductor element. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료인, 경화성 조성물.15. The curable composition according to any one of claims 1 to 14, which is a material for protecting a semiconductor element used for coating on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포해서 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이고,
경화 촉진제를 포함하고,
상기 경화제가, 23℃에서 액상인 경화제인, 경화성 조성물.15. The semiconductor element protecting material according to any one of claims 1 to 14, which is used for applying on the surface of the semiconductor element to protect the semiconductor element,
A curing accelerator,
Wherein the curing agent is a curing agent which is liquid at 23 占 폚. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재를 박리하지 않도록 접착 및 고정하는 경화물을 형성하는 것과는 다른, 경화성 조성물.The semiconductor device according to any one of claims 1 to 16, wherein the semiconductor element and another member to be connected are disposed between the semiconductor element and another member to be connected, , A curable composition. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물의 제조 방법이며,
상기 가요성 에폭시 화합물과, 상기 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물과, 상기 경화제와, 상기 구상 알루미나와, 상기 분산제를 혼합하여, 경화성 조성물을 얻는 혼합 공정을 구비하는, 경화성 조성물의 제조 방법.18. A process for producing the curable composition according to any one of claims 1 to 17,
And a mixing step of mixing the flexible epoxy compound and an epoxy compound different from the flexible epoxy compound, the curing agent, the spherical alumina and the dispersant to obtain a curable composition. 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고,
상기 경화물이, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물의 경화물인, 반도체 장치.A semiconductor device comprising: a semiconductor element; and a cured material disposed on a first surface of the semiconductor element,
Wherein the cured product is a cured product of the curable composition according to any one of claims 1 to 17. 제19항에 있어서, 상기 반도체 소자가, 상기 제1 표면측과는 반대측인 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있는, 반도체 장치.The semiconductor device according to claim 19, wherein the semiconductor element has a first electrode on a second surface side opposite to the first surface side, and the first electrode of the semiconductor element has a second electrode on a surface thereof, Is electrically connected to the second electrode in the semiconductor device.
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