KR20170073055A - Electrostatic chuck - Google Patents

Electrostatic chuck Download PDF

Info

Publication number
KR20170073055A
KR20170073055A KR1020150181450A KR20150181450A KR20170073055A KR 20170073055 A KR20170073055 A KR 20170073055A KR 1020150181450 A KR1020150181450 A KR 1020150181450A KR 20150181450 A KR20150181450 A KR 20150181450A KR 20170073055 A KR20170073055 A KR 20170073055A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
power supply
electrostatic
electrostatic chuck
supply terminal
Prior art date
Application number
KR1020150181450A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102496166B1 (en
Inventor
박세표
이승길
김경만
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150181450A priority Critical patent/KR102496166B1/en
Publication of KR20170073055A publication Critical patent/KR20170073055A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102496166B1 publication Critical patent/KR102496166B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 정전척에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 평판표시장치 제조를 위한 공정챔버 내에서 정전기적 흡착력으로 기판을 고정시키는 정전척에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 정전기척의 정전기력을 발생시키기 위한 제 1 및 제 2 척전극의 양단으로 각각 제 1 및 제 2 양극전원단자와 제 1 및 제 2 음극전원단자를 각각 구비하여, 기판을 척킹하지 않아도 되는 상황에서 제 1 척전극의 양단으로 각각 위치하는 제 1 음극전원단자와 제 2 양극전원단자로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하고, 또한 제 2 척전극의 양단으로 각각 위치하는 제 1 양극전원단자와 제 2 음극전원단자로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하여, 제 1 및 제 2 척전극에서는 열이 발생되도록 함으로써, 이를 통해, 정전척에 수분이 흡착 및 흡습되도록 하는 것을 방지하는 동시에 정전척으로 흡착 및 흡습된 수분을 제거하게 된다. The present invention relates to an electrostatic chuck, and more particularly, to an electrostatic chuck for fixing a substrate with an electrostatic attraction force in a process chamber for manufacturing a flat panel display.
The present invention is characterized in that first and second positive electrode power supply terminals and first and second negative electrode power supply terminals are respectively provided at both ends of first and second chuck electrodes for generating an electrostatic force of the electrostatic chuck, A direct current voltage between the positive and negative electrodes is applied to the first negative electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal respectively located at both ends of the first chuck electrode and the first positive electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal, The positive and negative dc voltages are respectively applied to the power terminal and the second negative electrode power terminal to generate heat in the first and second chuck electrodes to thereby prevent the moisture from being adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck At the same time, the moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck are removed.

Description

정전척{Electrostatic chuck}Electrostatic chuck}

본 발명은 정전척에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 평판표시장치 제조를 위한 공정챔버 내에서 정전기적 흡착력으로 기판을 고정시키는 정전척에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic chuck, and more particularly, to an electrostatic chuck for fixing a substrate with an electrostatic attraction force in a process chamber for manufacturing a flat panel display.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판형 표시장치(flat display device)가 개발되어 각광받고 있다. 2. Description of the Related Art [0002] In recent years, as the society has become a full-fledged information age, a display field for processing and displaying a large amount of information has rapidly developed, and a variety of flat display devices have been developed Be in the spotlight.

평판형 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광소자(organic light emitting diodes : OLED) 등을 들 수 있는데, 이들 평판형 표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Specific examples of the flat panel display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) Electroluminescence Display Device (ELD), and Organic Light Emitting Diode (OLED). These flat panel display devices have excellent performance in reducing thickness, weight, and power consumption. ).

이러한 평판형 표시장치는 기판 표면에 소정물질의 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo-lithography)공정, 박막의 노출된 부분을 제거해서 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 건식 또는 습식식각(etching) 공정이 수 차례 반복 포함되는데, 이중 박막증착공정을 비롯한 건식식각공정 등은 통상 밀폐된 공정챔버(process chamber) 내에서 진행되고, 각각의 공정챔버 내에는 기판을 고정시키기 위한 척(chuck)이 마련된다.Such a flat panel display device includes a thin film deposition process for forming a thin film of a predetermined material on a substrate surface, a photo-lithography process for exposing a selected portion of the thin film, a process for removing the exposed portion of the thin film, The dry etching process including the dual thin film deposition process and the like are carried out in a normally closed process chamber and the process chambers of the respective process chambers A chuck for fixing the substrate is provided.

여기서, 척(chuck)은 기판 고정원리에 따라 기계식, 진공식, 정전식으로 구분될 수 있지만, 정전기력에 의한 흡착원리를 이용해서 기판과의 물리적 접촉을 최소화하면서도 강하고 균일한 고정력을 발휘할 수 있는 정전척 (electrostatic chuck : ESC) 이 각광받고 있다.Here, the chuck can be classified into mechanical type, vacuum type, and electrostatic type according to the substrate fixing principle. However, by using the absorption principle by the electrostatic force, the chuck can minimize the physical contact with the substrate, Electrostatic chuck (ESC) is in the spotlight.

한편, 정전척 상부로 기판이 안착된 후 밀폐된 공정챔버 내에서 다수의 공정을 진행하고 난 후 기판이 또 다른 공정을 진행하기 위해 이동하게 되면, 정전척은 공정챔버 외부로 추출되어 다음 기판을 고정시키기 위해 이동하게 된다. When the substrate moves to another process after a plurality of processes are performed in a closed process chamber after the substrate is mounted on the electrostatic chuck, the electrostatic chuck is extracted to the outside of the process chamber, So as to be fixed.

이때, 공정챔버의 외부에서 정전척이 이동하는 과정에서 정전척은 대기중에 노출되게 되는데, 대기중에 노출되는 과정에서 정전척으로는 대기 중의 수분 등이 흡착 및 흡습되게 된다. During the movement of the electrostatic chuck outside the process chamber, the electrostatic chuck is exposed to the atmosphere. In the process of being exposed to the atmosphere, the electrostatic chuck sucks and absorbs moisture in the air.

정전척으로 흡착 및 흡습된 수분은 정전척의 전원라인의 쇼트(short)를 발생시키거나, 정전척 자체의 수명을 단축시키게 된다.The moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck causes a short of the power supply line of the electrostatic chuck or shortens the life of the electrostatic chuck itself.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 별도의 추가 장치 및 공정 없이 정전척으로 흡착 및 흡습된 수분을 제거하는 것을 제 1 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has as its first object to remove water adsorbed and absorbed by an electrostatic chuck without any additional apparatus or process.

이를 통해, 공정의 효율성을 향상시키는 것을 제 2 목적으로 한다. The second object is to improve the efficiency of the process.

전술한 바와 같이 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판처리장치에서 기판이 안착 및 고정되는 정전척에 있어서, 척베이스와; 상기 척베이스 상부로 고정되어, 상기 기판이 안착 및 고정되는 척바디와; 상기 척바디 내부에 구비되어, 양단으로 제 1 양극전원단자와 제 2 음극전원단자가 구비된 제 1 척전극과; 상기 척바디 내부에 구비되어, 상기 제 1 척전극과 서로 이격되어 배치되고, 양단으로 제 1 음극전원단자와 제 2 양극전원단자가 구비된 제 2 척전극을 포함하며, 상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 1 음극전원단자로 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극 사이로는 정전기력이 발생되며, 상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 2 음극전원단자로 동시에 전압이 인가되고, 상기 제 1 음극전원단자와 상기 제 2 양극전원단자로 동시에 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 발열되는 정전척을 제공한다. In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an electrostatic chuck wherein a substrate is seated and fixed in a substrate processing apparatus, comprising: a chuck base; A chuck body fixed above the chuck base, on which the substrate is seated and fixed; A first chuck electrode provided in the chuck body and having first and second cathode power terminals at both ends; And a second chuck electrode disposed within the chuck body and spaced apart from the first chuck electrode and having a first cathode power terminal and a second cathode power terminal at both ends, The first and second chuck electrodes and the first and second chuck electrodes are electrically connected to each other, and when a voltage is applied to the first cathode power terminal, an electrostatic force is generated between the first and second chuck electrodes, The first and second chuck electrodes provide an electrostatic chuck that generates heat when voltage is applied to both the first negative electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal at the same time.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 정전척이 정전기력을 발생시키기 위한 제 1 및 제 2 척전극의 양단으로 각각 제 1 및 제 2 양극전원단자와 제 1 및 제 2 음극전원단자를 각각 구비하여, 기판을 척킹하지 않아도 되는 상황에서는 제 1 척전극의 양단으로 각각 위치하는 제 1 음극전원단자와 제 2 양극전원단자로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하고, 또한 제 2 척전극의 양단으로 각각 위치하는 제 1 양극전원단자와 제 2 음극전원단자로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하여, 제 1 및 제 2 척전극에서는 열이 발생되도록 한다. As described above, according to the present invention, the electrostatic chuck is provided with first and second positive electrode power supply terminals and first and second negative electrode power supply terminals respectively at both ends of first and second chuck electrodes for generating an electrostatic force In a situation in which the substrate is not required to be chucked, the direct-current voltages of the positive and negative electrodes are respectively applied to the first negative electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal respectively located at both ends of the first chuck electrode, The first and second chuck electrodes generate a heat by applying a DC voltage between the positive and negative electrodes to the first positive power supply terminal and the second negative power supply terminal, respectively.

이를 통해, 정전척에 수분이 흡착 및 흡습되도록 하는 것을 방지하는 효과가 있는 동시에 정전척으로 흡착 및 흡습된 수분을 제거하는 효과가 있다. As a result, there is an effect of preventing moisture from being adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck, and at the same time, there is an effect of removing moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck.

따라서, 정전척으로 흡착 또는 흡습된 수분에 의해 정전척의 전원라인의 쇼트(short)가 발생되거나, 정전척 자체의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 정전척에 흡습 및 흡착된 수분을 제거하기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않음으로써, 공정시간을 단축할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, there is an effect that it is possible to prevent a short circuit of the power supply line of the electrostatic chuck by the moisture adsorbed or absorbed by the electrostatic chuck, or a problem that the lifetime of the electrostatic chuck itself is shortened. Further, It is possible to shorten the processing time and improve the efficiency of the process.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척이 구비된 기판처리장치 내부를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a는 도 1의 정전척의 상세 단면도.
도 2b는 도 1의 정전척의 제 1 및 제 2 척전극의 배치도를 개략적으로 도시한 평면도.
도 3은 평판형 표시장치의 제조를 위한 클린룸 내부를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4a ~ 4b는 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 구동원리를 개략적으로 도시한 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the inside of a substrate processing apparatus provided with an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention; FIG.
Figure 2a is a detailed cross-sectional view of the electrostatic chuck of Figure 1;
FIG. 2B is a plan view schematically showing the arrangement of the first and second chuck electrodes of the electrostatic chuck of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view schematically showing the inside of a clean room for manufacturing a flat display device.
4A to 4B are cross-sectional views schematically showing a driving principle of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.

본원발명은 기판처리장치에서 기판이 안착 및 고정되는 정전척에 있어서, 상기 기판이 안착 및 고정되는 척바디와, 상기 척바디 내부에 구비되어, 양단으로 제 1 양극전원단자와 제 2 음극전원단자가 구비된 제 1 척전극과, 상기 척바디 내부에 구비되어, 상기 제 1 척전극과 서로 이격되어 배치되고, 양단으로 제 1 음극전원단자와 제 2 양극전원단자가 구비된 제 2 척전극을 포함하며, 상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 1 음극전원단자로 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극 사이로는 정전기력이 발생되며, 상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 2 음극전원단자로 동시에 전압이 인가되고, 상기 제 1 음극전원단자와 상기 제 2 양극전원단자로 동시에 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 발열되는 정전척을 제공한다. The present invention provides an electrostatic chuck wherein a substrate is seated and fixed in a substrate processing apparatus, the electrostatic chuck having a chuck body on which the substrate is seated and fixed and a chuck body provided on both sides of the chuck body, And a second chuck electrode disposed inside the chuck body and spaced apart from the first chuck electrode and having a first cathode power terminal and a second cathode power terminal at both ends of the first chuck electrode, An electrostatic force is generated between the first and second chuck electrodes when a voltage is applied between the first positive electrode power supply terminal and the first negative electrode power supply terminal, And the first and second chuck electrodes provide an electrostatic chuck that generates heat when voltage is applied to both the first negative electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal at the same time.

이때, 상기 정전기력에 의해 상기 척바디의 표면으로 상기 기판이 고정되며, 상기 제 1 척전극의 상기 제 1 양극전원단자로 전압이 인가되면 양극의 척킹력이 발생되며, 상기 제 2 척전극의 상기 제 1 음극전원단자로 전압이 인가되면 음극의 척킹력이 발생되며, 상기 정전기력은 상기 양극 및 음극의 척킹력에 의해 발생된다. In this case, the substrate is fixed to the surface of the chuck body by the electrostatic force. When a voltage is applied to the first anode power terminal of the first chuck electrode, a chucking force of the anode is generated, When a voltage is applied to the first negative electrode power terminal, a chucking force of the negative electrode is generated, and the electrostatic force is generated by the chucking force of the positive electrode and the negative electrode.

그리고, 상기 척바디 상에는 제 1 및 제 2 절연층을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 상기 제 1 및 제 2 절연층 사이로 개재되며, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 상기 척바디의 형상을 따라 상기 척바디의 가장자리로부터 중심부를 향해 나선형 구조를 갖는다. The first and second chuck electrodes are sandwiched between the first and second insulating layers. The first and second chuck electrodes are connected to the chuck body And has a spiral structure from the edge of the chuck body toward the center along the shape of the chuck body.

이때, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 바 형상(bar type), 링 형상(ring type), 원반 형상(disk type) 중 선택된 하나로 이루어지며, 상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 1 음극전원단자는 이격되어 나란하게 위치하고, 상기 제 2 음극전원단자와 상기 제 2 양극전원단자는 이격되어 나란하게 위치한다. The first and second chuck electrodes may be formed of one selected from the group consisting of a bar type, a ring type, and a disk type, And the second cathode power terminal and the second cathode power terminal are spaced apart from each other.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척이 구비된 기판처리장치 내부를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 2a는 도 1의 정전척의 상세 단면도이며, 도 2b는 도 1의 정전척의 제 1 및 제 2 척전극의 배치도를 개략적으로 도시한 평면도이다. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the inside of a substrate processing apparatus provided with an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a detailed sectional view of the electrostatic chuck of FIG. 1, And a plan view schematically showing the arrangement of the second chuck electrodes.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판처리장치(100)는 기판(1)이 처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)와, 챔버(110)의 하부에 구비되어 기판(1)이 안치되는 기판 안치유닛(120)과, 기판 안치유닛(120)의 상부에 구비되어 박막의 증착 또는 식각을 위한 공정가스가 분사되는 가스 분사유닛(130)이 구비된다. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a chamber 110 provided with a space in which a substrate 1 is processed, a substrate holder 110 provided below the chamber 110, Unit 120 and a gas injection unit 130 provided at an upper portion of the substrate positioning unit 120 to inject a process gas for depositing or etching a thin film.

이때 기판 안치유닛(20)은 정전기력을 사용해 기판(1)을 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking)시키는 정전척으로 이루어진다. At this time, the substrate placing unit 20 is made of an electrostatic chuck which chucks or dechucks the substrate 1 using an electrostatic force.

기판처리장치(100)에서 기판(1)을 처리하는 공정을 진행하기 위해서는 기판(1)을 챔버(110) 내부의 기판 안치유닛(이하, 정전척이라 함)(120)에 척킹시켜서 기판(1)을 가공한 후, 다음 단계의 가공을 위해 디척킹하는 과정을 여러번 반복하게 된다.The substrate 1 is chucked to a substrate holding unit 120 (hereinafter referred to as an electrostatic chuck) 120 inside the chamber 110 to process the substrate 1 in the substrate processing apparatus 100, ), And then the process of dechucking for the next step is repeated several times.

여기서, 정전척(120)은 정전기력을 이용하여 기판(1)을 고정시키는 기판 지지대로서, 도 2a에 도시한 바와 같이 챔버(110)의 바닥으로부터 직립 설치된 지지프레임 역할의 척베이스(121) 및 이의 상부로 고정되어 직접적으로 기판(1)을 지지하면서 정전기에 의한 흡착력을 발휘하는 척바디(123)로 구분될 수 있다.Here, the electrostatic chuck 120 is a substrate support for fixing the substrate 1 by using an electrostatic force. As shown in FIG. 2A, the electrostatic chuck 120 includes a chuck base 121 serving as a supporting frame erected from the bottom of the chamber 110, And a chuck body 123 which is fixed to the upper portion and directly supports the substrate 1 and exerts an attractive force by static electricity.

이중 척베이스(121)는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어질 수 있고, 특히 챔버(110) 내의 진행공정이 플라즈마를 이용한 박막증착 내지는 건식식각일 경우에, 플라즈마 생성을 위해서 기판(1) 상부로 대면 배치되는 플라즈마전극과 전기적 작용을 하는 또 다른 전극역할을 겸할 수 있다. 이 경우 플라즈마전극으로는 RF 전압이 인가되고, 척베이스(121)에는 바이어스전압이 인가된다.The double chuck base 121 may be made of aluminum (Al) or an aluminum alloy. In particular, when the advancing process in the chamber 110 is a thin film deposition using a plasma or a dry etching, 1) can serve also as another electrode which electrically acts on the plasma electrode disposed on the upper surface. In this case, an RF voltage is applied to the plasma electrode and a bias voltage is applied to the chuck base 121.

그리고 이러한 척베이스(121) 상면에는 척바디(123)가 접착 및 고정된다.On the upper surface of the chuck base 121, a chuck body 123 is adhered and fixed.

척바디(123)는 세라믹으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 척바디(123)는 알루미나(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3), 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride) 등으로 이루어질 수 있다. 척바디(123)는 애노다이징(anodizing) 처리, 소결 처리 될 수 있다. The chuck body 123 may be made of ceramic. For example, the chuck body 123 may be made of alumina (Al2O3), yttrium oxide (Y2O3), aluminum nitride, or the like. The chuck body 123 may be anodizing, sintering, or the like.

이러한 척바디(123)는 기판(1)이 안착됨과 동시에 기판(1)을 고정시키기 위한 정전흡착력이 발휘되는 부분으로서, 제 1 절연층(125a)과, 이의 상부에 위치되는 전극부(200)와 전극부(200)를 덮으면서 그 상면으로 기판(1)이 안착되는 제 2 절연층(125b)을 포함한다. The chuck body 123 is a part where an electrostatic attraction force is exerted to fix the substrate 1 while simultaneously fixing the substrate 1 and includes a first insulating layer 125a and an electrode part 200 located on the first insulating layer 125a, And a second insulating layer 125b that covers the electrode unit 200 and on which the substrate 1 is mounted.

여기서, 전극부(200)는 서로 다른 두개의 극성을 갖는 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)을 포함하며, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)은 교대로 번갈아가며 배치된다. Here, the electrode unit 200 includes first and second chuck electrodes 210 and 220 having two different polarities, and the first and second chuck electrodes 210 and 220 are alternately arranged .

즉, 제 1 척전극(210)으로는 양극의 직류전압이 인가되어 제 1 척전극(210)은 양극의 척킹력을 발생시키게 되며, 제 2 척전극(220)으로는 음극의 직류전압이 인가되어 제 2 척전극(220)은 음극의 척킹력이 발생된다. That is, the DC voltage of the anode is applied to the first chuck electrode 210, so that the first chuck electrode 210 generates the chucking force of the anode, and the DC voltage of the cathode is applied to the second chuck electrode 220 So that the second chuck electrode 220 generates a chucking force of the negative electrode.

따라서, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220) 사이로는 양극 및 음극 척킹력에 의한 정전기력이 발생하게 된다. Accordingly, an electrostatic force is generated between the first and second chuck electrodes 210 and 220 due to the positive and negative chucking forces.

전극부(200)는 전도성 금속류로 이루어질 수 있는데, 바람직하게는 비저항이 적은 텅스텐(W)으로 제조되는 것이 바람직하다. The electrode unit 200 may be made of a conductive metal, and preferably made of tungsten (W) having a low specific resistance.

여기서, 도 2b에 도시한 바와 같이 전극부(200)의 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)은 서로 일정간격 이격하여 대면된 상태로 척바디(123)의 형상을 따라 척바디(123)의 가장자리로부터 중심부를 향해 소라의 껍데기처럼 빙빙 돌아간 모양의 나선형 구조를 갖도록 형성된다. 2B, the first and second chuck electrodes 210 and 220 of the electrode unit 200 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The chuck body 123 Like the shell of the shell from the edge of the shell to the center of the shell.

이러한 전극부(200)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 전극부(200)는 각각 바 형상(bar type), 링 형상(ring type), 원반 형상(disk type) 등 다양하게 형성될 수 있다. The electrode unit 200 may have various shapes. For example, the electrode unit 200 may be formed in various shapes such as a bar type, a ring type, a disk type, and the like.

여기서, 정전척(120)의 척킹 및 디척킹에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 챔버(110)의 내부로 기판(1)을 로딩시킨 후, 정전척(120)에 내장된 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로 각각 양극 및 음극의 직류전압을 인가하면, 정전척(120)의 표면에 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 양극 및 음극 척킹력에 의한 정전기력이 발생되어 기판(1)을 견고히 고정하는 척킹 작업이 수행되는 것이다. Here, the chucking and dechucking of the electrostatic chuck 120 will be described in more detail. After the substrate 1 is loaded into the chamber 110, the first and second chuck electrodes The electrostatic force generated by the positive and negative chucking forces of the first and second chuck electrodes 210 and 220 is generated on the surface of the electrostatic chuck 120 so that the substrate 1 is firmly fixed.

이 상태에서, 챔버(110)의 내부에서 공정이 완료되면, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로 공급된 양극 및 음극의 직류전압을 차단하고, 기판(1)을 정전척(120)에서 분리하는 디척킹 작업을 수행하게 된다. In this state, when the process is completed in the chamber 110, the DC voltage of the positive and negative electrodes supplied to the first and second chuck electrodes 210 and 220 is cut off, and the substrate 1 is transferred to the electrostatic chuck 120 ) In order to perform the dechucking operation.

한편, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 일단에는 양극 및 음극의 직류전압을 인가하기 위한 제 1 양극전원단자(211)와 제 1 음극전원단자(221)가 각각 구비되며, 특히 본 발명의 실시예에 따른 정전척(120)은 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 타단으로 제 2 음극전원단자(213)와 제 2 양극전원단자(223)가 구비된다. A first positive power supply terminal 211 and a first negative power supply terminal 221 are provided at one end of each of the first and second chuck electrodes 210 and 220 to apply a DC voltage to the positive and negative electrodes, The electrostatic chuck 120 according to the embodiment of the present invention includes the second negative electrode power supply terminal 213 and the second positive electrode power supply terminal 223 as the other ends of the first and second chuck electrodes 210 and 220.

즉, 제 1 척전극(210)의 일단에는 제 1 양극전원단자(211)가 구비되며 타단에는 제 2 음극전원단자(213)가 구비되며, 제 2 척전극(220)의 일단에는 제 1 음극전원단자(221)가 구비되며 타단에는 제 2 양극전원단자(223)가 구비되는 것이다. That is, the first chuck electrode 210 has a first anode power supply terminal 211 at one end and a second cathode power supply terminal 213 at the other end thereof. A power source terminal 221 and a second positive electrode power source terminal 223 at the other end.

이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(120)은 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로 인가되는 양극 및 음극의 직류전압에 의해 발생되는 양극 및 음극 척킹력에 의한 정전기력을 통해 기판(1)을 척킹하게 되며, 기판(1)을 척킹하지 않을 때에는 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 양단으로 각각 공급되는 양극 및 음극의 직류전압을 통해 열을 발산하게 된다. Accordingly, the electrostatic chuck 120 according to the embodiment of the present invention can prevent the electrostatic force due to the positive and negative chucking forces generated by the DC voltages of the positive and negative electrodes applied to the first and second chuck electrodes 210 and 220 When the substrate 1 is not chucked, heat is dissipated through DC voltages of the positive and negative electrodes supplied to both ends of the first and second chuck electrodes 210 and 220 .

이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 정전척(120)을 통해 기판(1)을 척킹하기 위해서는 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 각 일단에 구비된 제 1 양극전원단자(211)와 제 1 음극전원단자(221)에 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하여, 제 1 척전극(210)에는 양극의 척킹력을 발생시키고, 제 2 척전극(220)으로는 음극의 척킹력을 발생시킨다. In order to chuck the substrate 1 through the electrostatic chuck 120, the first positive electrode power supply terminal 211 and the second positive electrode power supply terminal 211 provided at one ends of the first and second chuck electrodes 210 and 220, respectively, A direct current voltage between the anode and the cathode is applied to the cathode power supply terminal 221 to generate a chucking force of the anode on the first chuck electrode 210 and a chucking force of the cathode on the second chuck electrode 220 .

양극 및 음극의 척킹력에 의해 제 1 및 제 2 척전극(210, 220) 사이에서는 정전기력이 발생되어, 정전척(120)은 기판(1)을 척킹하게 된다. An electrostatic force is generated between the first and second chuck electrodes 210 and 220 by the chucking forces of the positive and negative electrodes so that the electrostatic chuck 120 chucks the substrate 1. [

그리고, 정전척(120)이 기판(1)을 척킹하지 않아도 되는 상황에서는, 제 1척전극(210)의 양단으로 각각 위치하는 제 1 양극전원단자(211)와 제 2 음극전원단자(213)로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하고, 또한 제 2 척전극(220)의 양단으로 각각 위치하는 제 1 음극전원단자(221)와 제 2 양극전원단자(223)로 각각 음극과 양극의 직류전압을 인가하는 것이다. When the electrostatic chuck 120 is not required to chuck the substrate 1, the first positive electrode power supply terminal 211 and the second negative electrode power supply terminal 213, which are located at both ends of the first chuck electrode 210, A direct current voltage of positive polarity and a negative polarity is applied to the first chuck electrode 220 and the first negative power supply terminal 221 and the second positive power supply terminal 223 located at both ends of the second chuck electrode 220, Voltage is applied.

이를 통해, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)에서는 열이 발생되게 되어, 정전척(120)에 흡착 및 흡습된 수분을 제거하게 된다. As a result, heat is generated in the first and second chuck electrodes 210 and 220, and moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120 is removed.

따라서, 정전척(120)으로 흡착 또는 흡습된 수분에 의해 정전척(120)의 전원라인의 쇼트(short)가 발생되거나, 정전척(120) 자체의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 대해 도 3및 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. Therefore, it is possible to prevent a short circuit of the power supply line of the electrostatic chuck 120 by the moisture adsorbed or absorbed by the electrostatic chuck 120 or shorten the lifetime of the electrostatic chuck 120 itself . This will be described in more detail with reference to FIG. 3 and FIG.

도 3은 평판형 표시장치의 제조를 위한 클린룸 내부를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 4a ~ 4b는 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 구동원리를 개략적으로 도시한 단면도이다. FIG. 3 is a plan view schematically showing the inside of a clean room for manufacturing a flat display device, and FIGS. 4a to 4b are cross-sectional views schematically showing the driving principle of the electrostatic chuck according to the embodiment of the present invention.

여기서, 평판형 표시장치의 여러 제조공정은 온도, 습도, 조도, 기류, 공기압 등의 여러 가지 요인이 환경적으로 제어된 밀폐공간인 클린룸(clean room : 300)에서 진행되는데, 이러한 클린룸(300)의 천정과 바닥에는 각각 팬(pan) 필터장치가 설치되며, 이들을 통해 내부온도와 습도의 조절은 물론 클린룸(300) 내에서의 공기를 순환시킴과 동시에 높은 청정도를 유지한다. Here, various manufacturing processes of the flat panel display device are performed in a clean room 300, which is an environmentally controlled closed space, in which various factors such as temperature, humidity, illuminance, air flow, air pressure, 300 are respectively provided with pan filters to control the internal temperature and humidity as well as to circulate the air in the clean room 300 and to maintain a high degree of cleanliness.

도 3에 도시한 바와 같이, 이러한 클린룸(300) 내부에는 동일 또는 연관된 기능을 수행하는 여러 공정챔버(310)가 하나의 그룹을 이뤄 배치된다. As shown in FIG. 3, in the clean room 300, a plurality of process chambers 310 performing the same or related functions are arranged in a group.

여기서, 클린룸(300) 내부는 여러 공정챔버(310)가 위치하는 진공부(320)와, 대기부(330)로 나뉘어 정의될 수 있는데, 진공부(320)에서는 도면상에 정의된 A라인을 따라 정전척(120)에 의해 기판(1)이 척킹된 상태로 다수의 공정챔버(310) 내에서 공정을 진행하게 된다.The inside of the clean room 300 can be divided into a vacuum chamber 320 where the various process chambers 310 are located and a standby portion 330. In the vacuum chamber 320, The substrate 1 is chucked by the electrostatic chuck 120 in the process chambers 310.

공정이 완료된 기판(1)이 또 다른 공정을 진행하기 위해 다른 클린룸 내부로 이동되면, 정전척(120)은 클린룸(100) 내부의 대기부(330)에서 B라인 따라 A 라인의 시작점으로 이동하게 된다.When the processed substrate 1 is moved to another clean room to proceed to another process, the electrostatic chuck 120 is moved from the standby portion 330 inside the clean room 100 to the starting point of the A line along the B line .

이때, 클린룸(100) 내부의 대기부(330)를 통해 이동되는 정전척(120)으로는 대기중의 수분 등이 흡착 및 흡습되게 되는데, 이와 같이 정전척(120)으로 수분이 흡착 및 흡습되면 정전척(120)의 전원라인의 쇼트(short)를 발생시키거나, 정전척(120) 자체의 수명을 단축시키게 된다. At this time, moisture or the like in the air is adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120 moving through the air gap 330 inside the clean room 100. In this way, when the electrostatic chuck 120 absorbs moisture and absorbs moisture The short circuit of the power supply line of the electrostatic chuck 120 or the lifetime of the electrostatic chuck 120 itself is shortened.

따라서, 정전척(120)에 흡착 및 흡습된 수분을 제거하기 위한 별도의 공정을 필요로 하는데, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(120)은 정전기력을 발생시키기 위한 척바디(123)의 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 각 양단으로 각각 양극 및 음극의 직류전압을 인가하여, 정전척(120)이 대기부(330)에서 B라인을 따라 이동하는 과정에서 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로부터 열이 발생되도록 하여, 정전척(120)에 흡습 및 흡착된 수분을 제거되도록 하는 것이다. Therefore, the electrostatic chuck 120 according to the embodiment of the present invention is not required to have a separate process for removing the moisture adsorbed and hygroscopic on the electrostatic chuck 120. The electrostatic chuck 120 according to the embodiment of the present invention includes the chuck body 123 for generating the electrostatic force The electrostatic chuck 120 moves along the line B at the standby portion 330 by applying the direct voltage of the positive electrode and the negative electrode to both ends of the first and second chuck electrodes 210 and 220, Heat is generated from the two-electrode electrodes 210 and 220 so that the moisture absorbed and adsorbed by the electrostatic chuck 120 is removed.

즉, 정전척(120)이 클린룸(300) 내부의 진공부(320)에서 A라인을 따라 이동하는 과정에서는, 도 4a에 도시한 바와 같이 제 1 척전극(210)의 일단에 구비된 제 1 양극전원단자(211)와 제 2 척전극(220)의 일단에 구비된 제 1 음극전원단자(221)로 각각 양극 및 음극의 직류전압을 인가하게 된다. 4A, when the electrostatic chuck 120 is moved along the line A in the vacuum 320 inside the clean room 300, DC voltages of positive and negative electrodes are applied to the first negative power supply terminal 211 and the first negative power supply terminal 221 provided at one end of the second chuck electrode 220, respectively.

따라서, 제 1 척전극(210)의 양극의 척킹력과 제 2 척전극(220)의 음극의 척킹력에 의해 발생하는 정전기력을 통해 정전척(120)은 기판(1)을 척킹한 상태로, 클린룸(300) 내부의 진공부(320)에서 A라인을 따라 이동하게 된다. Therefore, the electrostatic chuck 120 is held in the chucking state of the substrate 1 through the electrostatic force generated by the chucking force of the anode of the first chuck electrode 210 and the chucking force of the cathode of the second chuck electrode 220, And moves along the line A at the vacuum 320 inside the clean room 300.

그리고, 정전척(120) 상에 척킹된 기판(1)의 공정이 완료되면, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로 공급된 양극 및 음극의 직류전압을 차단하고, 기판(1)을 정전척(120)에서 분리하는 디척킹 한 후, 기판(1)을 다른 클린룸 내부로 이동시키게 된다. When the substrate 1 is chucked on the electrostatic chuck 120, the DC voltage of the positive and negative electrodes supplied to the first and second chuck electrodes 210 and 220 is cut off, Is detached from the electrostatic chuck 120, and then the substrate 1 is moved into another clean room.

이때, 정전척(120)은 클린룸(300) 내부의 대기부(330)에서 B라인을 따라 A라인의 시작점으로 이동하게 되는데, 이때 정전척(120)에는 도 4b에 도시한 바와 같이, 제 1 척전극(210)의 일단에 구비된 제 1 양극전원단자(211)로 양극의 전압을 인가하게 되고, 제 1 척전극(210)의 타단에 구비된 제 2 음극전원단자(213)로 음극의 전압을 인가하게 된다. At this time, the electrostatic chuck 120 moves to the starting point of the A line along the line B at the waiting portion 330 inside the clean room 300. At this time, as shown in FIG. 4B, The voltage of the anode is applied to the first anode power supply terminal 211 provided at one end of the first electrode 210 and the second cathode power supply terminal 213 provided at the other end of the first chuck electrode 210 applies a voltage The voltage is applied.

또한, 제 2 척전극(220)의 일단에 구비된 제 1 음극전원단자(221)로 음극의 전압을 인가하게 되고, 제 2 척전극(220)의 타단에 구비된 제 2 양극전원단자(223)로 양극의 전압을 인가하게 된다. The voltage of the negative electrode is applied to the first negative electrode power supply terminal 221 provided at one end of the second chuck electrode 220 and the voltage of the second positive electrode power supply terminal 223 The voltage of the anode is applied.

이를 통해, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로부터 열이 발생하게 되고, 정전척(120)은 클린룸(300) 내부의 대기부(330)에서 B라인을 따라 이동하는 과정에서, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)으로부터 발생되는 열에 의해 대기중의 수분이 정전척(120)에 흡착 및 흡습되는 것을 방지하게 되며, 또한 정전척(120)에 흡착 및 흡습된 수분 또한 제거하게 된다. As a result, heat is generated from the first and second chuck electrodes 210 and 220 and the electrostatic chuck 120 is moved along the line B at the standby portion 330 inside the clean room 300. [ It is possible to prevent moisture in the air from being adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120 due to the heat generated from the first and second chuck electrodes 210 and 220 and also to prevent the moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120 .

이를 통해, 정전척(120)에 흡습 및 흡착된 수분을 제거할 수 있어, 정전척(120)으로 흡착 또는 흡습된 수분에 의해 정전척(120)의 전원라인의 쇼트(short)가 발생되거나, 정전척(120) 자체의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. As a result, the moisture absorbed and adsorbed by the electrostatic chuck 120 can be removed, shorting of the power supply line of the electrostatic chuck 120 is caused by the moisture adsorbed or absorbed by the electrostatic chuck 120, It is possible to prevent the problem that the life of the electrostatic chuck 120 itself is shortened.

또한, 정전척(120)에 흡습 및 흡착된 수분을 제거하기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않음으로써, 공정시간을 단축할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. In addition, since the electrostatic chuck 120 does not require a separate process for removing moisture absorbed and adsorbed, the process time can be shortened and the efficiency of the process can be improved.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(120)은 정전기력을 발생시키기 위한 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 양단으로 각각 제 1 및 제 2 양극전원단자(211, 223)와 제 1 및 제 2 음극전원단자(221, 213)가 각각 구비되어, 기판(1)을 척킹하고자 할 경우에는 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)의 각 제 1 양극전원단자(211)와 제 1 음극전원단자(221)로 양극 및 음극의 직류전압을 인가하여 기판(1)을 척킹하게 되고, 기판(1)을 척킹하지 않아도 되는 상황에서는 제 1 척전극(210)의 양단으로 각각 위치하는 제 1 양극전원단자(211)와 제 2 음극전원단자(213)로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하고, 또한 제 2 척전극(220)의 양단으로 각각 위치하는 제 1 음극전원단자(221)와 제 2 양극전원단자(223)로 각각 양극과 음극의 직류전압을 인가하여, 제 1 및 제 2 척전극(210, 220)에서는 열이 발생되도록 한다. As described above, the electrostatic chuck 120 according to the embodiment of the present invention includes the first and second positive electrode power supply terminals 211 and 211 at both ends of the first and second chuck electrodes 210 and 220 for generating electrostatic force, 223 and first and second negative electrode power supply terminals 221 and 213 are respectively provided for each of the first and second chuck electrodes 210 and 220. When chucking the substrate 1, The substrate 1 is chucked by applying a DC voltage of positive polarity and negative polarity to the first negative electrode power supply terminal 211 and the first negative electrode power supply terminal 221. When the substrate 1 is not chucked, A direct current voltage of positive polarity and a negative polarity is respectively applied to the first positive power supply terminal 211 and the second negative power supply terminal 213 located at both ends of the first chuck electrode 220, The positive and negative DC voltages are respectively applied to the negative power supply terminal 221 and the second positive power supply terminal 223 so that the first and second chuck electrodes 210 and 220 Such that heat is generated.

이를 통해, 정전척(120)에 수분이 흡착 및 흡습되도록 하는 것을 방지하는 동시에 정전척(120)으로 흡착 및 흡습된 수분을 제거하게 된다. This prevents water from being adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120 and removes moisture adsorbed and absorbed by the electrostatic chuck 120.

따라서, 정전척(120)으로 흡착 또는 흡습된 수분에 의해 정전척(120)의 전원라인의 쇼트(short)가 발생되거나, 정전척(120) 자체의 수명이 단축되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 정전척(120)에 흡습 및 흡착된 수분을 제거하기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않음으로써, 공정시간을 단축할 수 있어 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to prevent a short circuit of the power supply line of the electrostatic chuck 120 by the moisture adsorbed or absorbed by the electrostatic chuck 120 or shorten the lifetime of the electrostatic chuck 120 itself In addition, since the electrostatic chuck 120 does not require a separate process for removing the moisture absorbed and adsorbed, the process time can be shortened and the efficiency of the process can be improved.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

215 : 척바디
210, 220 : 제 1 및 제 2 척전극
211 : 제 1 양극전원단자
213 : 제 2 음극전원단자
221 : 제 1 음극전원단자
223 : 제 2 양극전원단자215: Chuck body
210 and 220: first and second chuck electrodes
211: First anode power terminal
213: Second negative electrode power terminal
221: First negative electrode power supply terminal
223: Second anode power terminal

Claims (7)

기판처리장치에서 기판이 안착 및 고정되는 정전척에 있어서,
상기 기판이 안착 및 고정되는 척바디와;
상기 척바디 내부에 구비되어, 양단으로 제 1 양극전원단자와 제 2 음극전원단자가 구비된 제 1 척전극과;
상기 척바디 내부에 구비되어, 상기 제 1 척전극과 서로 이격되어 배치되고, 양단으로 제 1 음극전원단자와 제 2 양극전원단자가 구비된 제 2 척전극
을 포함하며,
상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 1 음극전원단자로 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극 사이로는 정전기력이 발생되며,
상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 2 음극전원단자로 동시에 전압이 인가되고, 상기 제 1 음극전원단자와 상기 제 2 양극전원단자로 동시에 전압이 인가되면, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 발열되는 정전척.
An electrostatic chuck wherein a substrate is seated and fixed in a substrate processing apparatus,
A chuck body on which the substrate is seated and fixed;
A first chuck electrode provided in the chuck body and having first and second cathode power terminals at both ends;
A second chuck electrode provided in the chuck body and spaced apart from the first chuck electrode and having first and second cathode power terminals at both ends,
/ RTI >
When a voltage is applied to the first positive electrode power supply terminal and the first negative electrode power supply terminal, an electrostatic force is generated between the first and second chuck electrodes,
When a voltage is simultaneously applied to the first positive electrode power supply terminal and the second negative electrode power supply terminal and the voltage is simultaneously applied to the first negative electrode power supply terminal and the second positive electrode power supply terminal, Electrostatic chuck.
제 1 항에 있어서,
상기 정전기력에 의해 상기 척바디의 표면으로 상기 기판이 고정되는 정전척.
The method according to claim 1,
And the substrate is fixed to the surface of the chuck body by the electrostatic force.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 척전극의 상기 제 1 양극전원단자로 전압이 인가되면 양극의 척킹력이 발생되며, 상기 제 2 척전극의 상기 제 1 음극전원단자로 전압이 인가되면 음극의 척킹력이 발생되며, 상기 정전기력은 상기 양극 및 음극의 척킹력에 의해 발생되는 정전척.
The method according to claim 1,
A chucking force of an anode is generated when a voltage is applied to the first cathode power terminal of the first chuck electrode and a chucking force of the cathode is generated when a voltage is applied to the first cathode power terminal of the second chuck electrode, Wherein the electrostatic force is generated by a chucking force of the positive electrode and the negative electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 척바디 상에는 제 1 및 제 2 절연층을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 척전극은 상기 제 1 및 제 2 절연층 사이로 개재되는 정전척.
The method according to claim 1,
Wherein the chuck body includes first and second insulating layers, and the first and second chuck electrodes are interposed between the first and second insulating layers.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 척전극은 상기 척바디의 형상을 따라 상기 척바디의 가장자리로부터 중심부를 향해 나선형 구조를 갖는 정전척.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second chuck electrodes have a spiral structure from the edge of the chuck body toward the center along the shape of the chuck body.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 척전극은 바 형상(bar type), 링 형상(ring type), 원반 형상(disk type) 중 선택된 하나로 이루어지는 정전척.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second chuck electrodes are formed of one selected from a bar type, a ring type, and a disk type.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 양극전원단자와 상기 제 1 음극전원단자는 이격되어 나란하게 위치하고, 상기 제 2 음극전원단자와 상기 제 2 양극전원단자는 이격되어 나란하게 위치하는 정전척.
The method according to claim 1,
Wherein the first anode power terminal and the first anode power terminal are spaced apart from each other and the second cathode power terminal and the second anode power terminal are spaced apart from each other.
KR1020150181450A 2015-12-18 2015-12-18 Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck KR102496166B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150181450A KR102496166B1 (en) 2015-12-18 2015-12-18 Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150181450A KR102496166B1 (en) 2015-12-18 2015-12-18 Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170073055A true KR20170073055A (en) 2017-06-28
KR102496166B1 KR102496166B1 (en) 2023-02-03

Family

ID=59280837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150181450A KR102496166B1 (en) 2015-12-18 2015-12-18 Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102496166B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108551713A (en) * 2018-03-30 2018-09-18 成都同明新材料技术有限公司 A kind of Electrostatic Absorption panel
KR20200092241A (en) 2019-01-24 2020-08-03 김순훈 Electrostatic chuck
US11574833B2 (en) 2020-05-18 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306885A (en) * 1999-04-16 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd Wafer treatment apparatus
JP2000332089A (en) * 1999-05-18 2000-11-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Electrostatic chuck for heating and holding wafer
KR101387916B1 (en) * 2014-02-25 2014-04-22 한국기계연구원 Combined electro static chuck and heater

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306885A (en) * 1999-04-16 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd Wafer treatment apparatus
JP2000332089A (en) * 1999-05-18 2000-11-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Electrostatic chuck for heating and holding wafer
KR101387916B1 (en) * 2014-02-25 2014-04-22 한국기계연구원 Combined electro static chuck and heater

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108551713A (en) * 2018-03-30 2018-09-18 成都同明新材料技术有限公司 A kind of Electrostatic Absorption panel
KR20200092241A (en) 2019-01-24 2020-08-03 김순훈 Electrostatic chuck
US11574833B2 (en) 2020-05-18 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck

Also Published As

Publication number Publication date
KR102496166B1 (en) 2023-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4354983B2 (en) Substrate processing equipment
JP5222806B2 (en) Electrostatic chuck and organic electroluminescence device manufacturing apparatus having the same
JP5323317B2 (en) Electrostatic chuck method
JP4988263B2 (en) Portable electrostatic chuck (ESC) for wafer reinforcement backing
JP4847909B2 (en) Plasma processing method and apparatus
KR20120137986A (en) Electrostatic chuck
CN110034065B (en) Method for manufacturing device chip and pick-up device
TWI794211B (en) Substrate fixture and substrate fixing device
TWI521639B (en) Plasma processing equipment
JP2021153122A (en) Edge ring, substrate support, plasma processing system and method of replacing edge ring
KR102496166B1 (en) Substrate Processing Apparatus having Electrostatic chuck
JP2016171292A (en) Decompression processing apparatus
EP2330619B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6555656B2 (en) Plasma processing apparatus and electronic component manufacturing method
CN101211810B (en) Electrostatic chuck apparatus
TWI606547B (en) Plasma processing chamber and its de-chucking device and method
KR20110069490A (en) Method for chucking/dechucking of semiconductor substrate, apparatus and method for manufacturing of semiconductor device using the same
JP2001358193A (en) Electrostatic chucking system, substrate-conveying device, vacuum processing device and substrate-holding method
JP2016195155A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN106856187B (en) Tray assembly
JP6011965B2 (en) Plasma dicing method and plasma dicing apparatus
KR20150146065A (en) Manufacturing method of ceramic elctro-static chuck using printing
JPWO2019031374A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP4189364B2 (en) Electrostatic chuck and processing apparatus using the same
JP2014033045A (en) Electrostatic attraction method and electrostatic attraction device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant